KR102156494B1 - Organometallic compound and organic light emitting device comprising same - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification provides an organometallic compound represented by Chemical Formula 1 and an organic light emitting device including the same.
Description
본 발명은 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to an organometallic compound represented by Chemical Formula 1 and an organic light-emitting device including the same.
본 출원은 2018년 3월 8일 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2018-0027342호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.This application claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2018-0027342 filed with the Korean Intellectual Property Office on March 8, 2018, the entire contents of which are incorporated herein.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어지며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 난다.In general, the organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which electrical energy is converted into light energy using an organic material. An organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. Here, the organic material layer has a multilayer structure made of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, and may include, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. In the structure of such an organic light emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer, and excitons are formed when the injected holes and electrons meet. It glows when it falls to the ground.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.Development of a new material for the organic light emitting device as described above is continuously required.
본 명세서는 효율, 구동 전압 및/또는 발광 특성이 좋으면서, 색 순도가 좋은 유기 발광 소자를 제공하고자 한다.An object of the present specification is to provide an organic light-emitting device having good efficiency, driving voltage and/or light emission characteristics, and good color purity.
본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물을 제공한다.The present specification provides an organometallic compound represented by Formula 1 below.
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,
X는 NR, O, S 또는 Se이고,X is NR, O, S or Se,
X1은 N 또는 CRa이고, X2는 N 또는 CRb이며, X3는 N 또는 CRc이고, X4는 N 또는 CRd이고, X1 내지 X4 중 2개 이상은 N이며,X1 is N or CRa, X2 is N or CRb, X3 is N or CRc, X4 is N or CRd, and at least two of X1 to X4 are N,
R 및 Ra 내지 Rd는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아르알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로아르알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,R and Ra to Rd are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aralkyl group; A substituted or unsubstituted heteroaralkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,
R1 내지 R4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 아미노기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아르알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로아르알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 아르알케닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬설폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴설폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Hydroxy group; Amino group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aralkyl group; A substituted or unsubstituted heteroaralkyl group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkenyl group; A substituted or unsubstituted aralkenyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkyl sulfoxy group; A substituted or unsubstituted aryl sulfoxy group; A substituted or unsubstituted arylphosphine group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
n은 1 또는 2이고,n is 1 or 2,
a1은 0 내지 4의 정수이고, a1이 2 이상이면 R1은 서로 같거나 상이하며,a1 is an integer of 0 to 4, and if a1 is 2 or more, R1 is the same as or different from each other,
a2는 0 내지 2의 정수이고, a2가 2이면 R2는 서로 같거나 상이하며,a2 is an integer of 0 to 2, and if a2 is 2, R2 is the same as or different from each other,
a3은 0 내지 4의 정수이고, a3가 2 이상이면 R3는 서로 같거나 상이하며,a3 is an integer from 0 to 4, and if a3 is 2 or more, R3 is the same as or different from each other,
a4는 0 내지 4의 정수이고, a4가 2 이상이면 R4는 서로 같거나 상이하다.a4 is an integer of 0 to 4, and when a4 is 2 or more, R4 is the same as or different from each other.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 전술한 유기 금속 화합물은 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층에 포함되는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, an exemplary embodiment of the present specification is an organic light-emitting device including a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein the organic metal compound is It provides an organic light emitting device that is included in one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode.
본 출원에 따른 유기 금속 화합물은 화합물 내 N을 2 이상 포함하는 헤테로고리와, 이리듐 금속을 포함함으로써, 유기 발광 소자의 유기물층, 특히 발광층에 사용되는 경우, 소자가 선명한 녹색 발광을 할 수 있도록 한다.The organometallic compound according to the present application includes a heterocycle containing 2 or more N in the compound, and an iridium metal, so that when used in an organic material layer of an organic light emitting device, particularly a light emitting layer, the device can emit vivid green light.
몇몇 실시상태에 있어서, 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 발광 소자는 효율이 향상된다.In some exemplary embodiments, the efficiency of the organic light-emitting device including the compound of the present invention is improved.
몇몇 실시상태에 있어서, 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 발광 소자는 구동전압이 낮아진다.In some embodiments, the driving voltage of the organic light-emitting device including the compound of the present invention is lowered.
몇몇 실시상태에 있어서, 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 발광 소자는 수명 특성이 향상된다.In some embodiments, the lifespan characteristics of the organic light-emitting device including the compound of the present invention are improved.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(7), 전자 수송층(8) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 3은 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(7), 정공 차단층(9), 전자수송층(8) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a
2 shows an example of an organic light-emitting device comprising a
3 shows a
이하 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the substituents are described below, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 는 다른 치환기 또는 결합부에 결합되는 부위를 의미한다.In this specification, Means a site bonded to another substituent or a bonding portion.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 아미노기; 알킬기; 시클로알킬기; 아르알킬기; 알콕시기; 알케닐기; 포스핀옥사이드기; 포스핀기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬설폭시기; 아릴설폭시기; 아릴기; 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 군에서 선택된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, 아릴알케닐기는 알케닐기일 수도 있고, 아릴기가 치환된 알케닐기로 해석될 수 있다. 3개의 치환기가 연결된 기의 예로는 아릴기로 치환된 헤테로아릴기로 치환된 아릴기, 헤테로아릴기로 치환된 아릴기로 치환된 아릴기, 헤테로아릴기로 치환된 아릴기로 치환된 헤테로아릴기등이 있다. In the present specification, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Hydroxy group; Amino group; Alkyl group; Cycloalkyl group; Aralkyl group; Alkoxy group; Alkenyl group; Phosphine oxide group; Phosphine group; Aryloxy group; Alkyl thioxy group; Arylthioxy group; Alkyl sulfoxy group; Aryl sulfoxy group; Aryl group; And a heteroaryl group substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of, or substituted or unsubstituted with a group to which two or more substituents are connected among the substituents selected from the group. For example, the arylalkenyl group may be an alkenyl group, or an aryl group may be interpreted as a substituted alkenyl group. Examples of the group to which three substituents are connected include an aryl group substituted with a heteroaryl group substituted with an aryl group, an aryl group substituted with an aryl group substituted with a heteroaryl group, and a heteroaryl group substituted with an aryl group substituted with a heteroaryl group.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 산소원자에 알킬기가 결합된 기를 의미하며, 탄소수는 특별히 한정되지는 않으나 1 내지 20인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알콕시기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알콕시기의 탄소수는 1 내지 6이다. 상기 알콕시기의 구체적인 예로는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소부틸옥시기, sec-부틸옥시기, 펜틸옥시기, iso-아밀옥시기, 헥실옥시기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the alkoxy group refers to a group in which an alkyl group is bonded to an oxygen atom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 20. According to an exemplary embodiment, the alkoxy group has 1 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkoxy group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkoxy group include, but are not limited to, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isobutyloxy group, a sec-butyloxy group, a pentyloxy group, an iso-amyloxy group, and a hexyloxy group.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiRxRyRz의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Rx, Ry 및 Rz는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기 및 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group may be represented by the formula of -SiRxRyRz, and Rx, Ry, and Rz are each hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group. The silyl group specifically includes trimethylsilyl group, triethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group and phenylsilyl group, but is not limited thereto. Does not.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기는 산소원자에 아릴기가 결합된 기를 의미하며, 탄소수는 특별히 한정되지는 않으나, 6 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴옥시기의 탄소수는 6 내지 30이다. 상기 아릴옥시기의 구체적인 예로는 페녹시기, p-토릴옥시기, m-토릴옥시기, 3,5-디메틸페녹시기, 2,4,6-트리메틸페녹시기, 3-바이페닐옥시기, 1-나프틸옥시기, 2-나프틸옥시기, 1-안트라세닐옥시기, 2-안트라세닐옥시기, 9-안트라세닐옥시기, 1-페난트레닐옥시기, 3-페난트레닐옥시기, 9-페난트레닐옥시기 등이 있다.In the present specification, the aryloxy group refers to a group in which an aryl group is bonded to an oxygen atom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 6 to 40. According to an exemplary embodiment, the aryloxy group has 6 to 30 carbon atoms. Specific examples of the aryloxy group include phenoxy group, p-tolyloxy group, m-tolyloxy group, 3,5-dimethylphenoxy group, 2,4,6-trimethylphenoxy group, 3-biphenyloxy group, 1- Naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, 1-anthracenyloxy group, 2-anthracenyloxy group, 9-anthracenyloxy group, 1-phenanthrenyloxy group, 3-phenanthrenyloxy group, 9-phenanthrenyloxy group There are times and so on.
본 명세서에 있어서 알킬포스핀기는 알킬기로 치환된 포스핀기를 의미한다. 상기 알킬포스핀기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 20인 것이 바람직하다. 상기 알킬포스핀기의 예로는, 디메틸포스핀기, 디에틸포스핀기, 디-n-프로필포스핀기, 디이소프로필포스핀기, 디-n-부틸포스핀기, 디-sec-부틸포스핀기, 디-tert-부틸포스핀기, 디이소부틸포스핀기, tert-부틸이소프로필포스핀기, 디-n-헥실포스핀기, 디-n-옥틸포스핀기, 디-n-메실포스핀기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkylphosphine group refers to a phosphine group substituted with an alkyl group. The number of carbon atoms of the alkylphosphine group is not particularly limited, but is preferably 1 to 20. Examples of the alkylphosphine group include dimethylphosphine group, diethylphosphine group, di-n-propylphosphine group, diisopropylphosphine group, di-n-butylphosphine group, di-sec-butylphosphine group, di-tert -Butylphosphine group, diisobutylphosphine group, tert-butylisopropylphosphine group, di-n-hexylphosphine group, di-n-octylphosphine group, di-n-mesylphosphine group, etc., but are not limited thereto. .
본 명세서에 있어서 아릴포스핀기는 아릴기로 치환된 포스핀기를 의미한다. 상기 아릴포스핀기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 6 내지 30인 것이 바람직하다. 상기 아릴포스핀기의 예로는, 디페닐포스핀기, 디벤질포스핀기, 메틸페닐포스핀기, 벤질헥실포스핀기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the arylphosphine group refers to a phosphine group substituted with an aryl group. The number of carbon atoms of the arylphosphine group is not particularly limited, but is preferably 6 to 30. Examples of the arylphosphine group include, but are not limited to, diphenylphosphine group, dibenzylphosphine group, methylphenylphosphine group, and benzylhexylphosphine group.
본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄의 사슬형 탄화수소기를 의미하며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸부틸, 1-에틸부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group refers to a linear or branched chain hydrocarbon group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to an exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methylbutyl, 1-ethylbutyl, pentyl, n-pentyl , Isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n-heptyl, octyl, n-octyl , tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 1-ethylpropyl, 1,1-dimethylpropyl, isohexyl, 4-methylhexyl , 5-methylhexyl, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 환형 탄화수소기를 의미하며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 3 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the cycloalkyl group refers to a cyclic hydrocarbon group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 3 to 60. According to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3, 4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 알케닐기는 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 직쇄 또는 분쇄 불포화 탄화수소기를 나타내며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 2 내지 30인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 구체적인 예로는 에테닐, 비닐, 프로페닐, 알릴, 이소프로페닐, 부테닐, 이소부테닐, n-펜테닐 및 n-헥세닐이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group represents a linear or ground unsaturated hydrocarbon group including a carbon-carbon double bond, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 30. According to an exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 20 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 10 carbon atoms. Specific examples include, but are not limited to, ethenyl, vinyl, propenyl, allyl, isopropenyl, butenyl, isobutenyl, n-pentenyl and n-hexenyl.
본 명세서에 있어서, 시클로알케닐기는 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 환형 불포화 탄화수소기를 나타내며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 2 내지 36인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알케닐기의 탄소수는 2 내지 24이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알케닐기의 탄소수는 2 내지 12이다. 구체적인 예로는, 시클로부테닐, 시클로헥세닐, 시클로헵테닐, 시클로옥테닐, 시클로데세닐, 노르보르네닐, 비시클로[2.2.2]옥테닐 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the cycloalkenyl group represents a cyclic unsaturated hydrocarbon group including a carbon-carbon double bond, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 36. According to an exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the cycloalkenyl group is 2 to 24. According to an exemplary embodiment, the cycloalkenyl group has 2 to 12 carbon atoms. Specific examples include, but are not limited to, cyclobutenyl, cyclohexenyl, cycloheptenyl, cyclooctenyl, cyclodecenyl, norbornenyl, bicyclo[2.2.2]octenyl, and the like.
본 명세서에 있어서, 아르알케닐기는 아릴기로 치환된 알케닐기를 의미한다.In the present specification, an aralkenyl group means an alkenyl group substituted with an aryl group.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 전체적으로 또는 부분적으로 불포화된 치환 또는 비치환된 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭을 의미한다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 40이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 상기 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 페날레닐기, 파이레닐기, 테트라세닐기, 크라이세닐기, 펜타세닐기, 플루오레닐기, 인데닐기, 아세나프틸레닐기, 벤조플루오레닐기, 스피로바이플루오레닐기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, an aryl group means wholly or partially unsaturated substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the aryl group has 6 to 40 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the aryl group has 6 to 30 carbon atoms. The aryl group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. Examples of the monocyclic aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, and a terphenyl group, but are not limited thereto. The polycyclic aryl group is a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, perylenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, phenalenyl group, pyrenyl group, tetrasenyl group, chrysenyl group, pentacenyl group , Fluorenyl group, indenyl group, acenaphthylenyl group, benzofluorenyl group, spirobifluorenyl group, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.
상기 치환된 플루오레닐기로는 , , , , , , 및 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The substituted fluorenyl group is , , , , , , And And the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 이종원자로 N, O, S 중 1개 이상을 포함하는 방향족 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로아릴기의 탄소수는 2 내지 30이다. 다른 실시상태에 따르면, 상기 헤테로아릴기의 탄소수는 2 내지 20이다. 헤테로아릴기의 예로는 티오페닐기, 퓨라닐기, 피롤릴기, 이미다졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 트리아졸릴기, 피리디닐기, 비피리디닐기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 트리아졸릴기, 아크리디닐기, 카르볼리닐기, 아세나프토퀴녹살리닐기, 인데노퀴나졸리닐기, 인데노이소퀴놀리닐기, 인데노퀴놀리닐기, 피리도인돌릴기, 피리지닐기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도피리미디닐기, 피리도피라지닐기, 피라지노피라지닐기, 이소퀴놀리닐기, 인돌릴기, 카바졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조카바졸릴기, 벤조티오페닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤리닐기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페녹사지닐기기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 헤테로아릴기는 지방족 헤테로아릴기와 방향족 헤테로아릴기를 포함한다. In the present specification, the heteroaryl group is an aromatic ring group containing at least one of N, O, and S as a heteroatom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the heteroaryl group has 2 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the heteroaryl group has 2 to 20 carbon atoms. Examples of heteroaryl groups include thiophenyl group, furanyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, thiazolyl group, oxazolyl group, oxadiazolyl group, triazolyl group, pyridinyl group, bipyridinyl group, pyrimidyl group, tria Genyl group, triazolyl group, acridinyl group, carbolinyl group, acenaphthoquinoxalinyl group, indenoquinazolinyl group, indenoisoquinolinyl group, indenoquinolinyl group, pyridoindolyl group, pyzinyl group, pyra Genyl group, quinolinyl group, quinazolinyl group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyridopyrimidinyl group, pyridopyrazinyl group, pyrazinopyrazinyl group, isoquinolinyl group, indolyl group, carbazolyl group, Benzoxazolyl group, benzimidazolyl group, benzothiazolyl group, benzocarbazolyl group, benzothiophenyl group, dibenzothiophenyl group, benzofuranyl group, phenanthrolinyl group (phenanthroline), thiazolyl group, isoxazolyl group , Oxadiazolyl group, thiadiazolyl group, benzothiazolyl group, phenoxazinyl group, phenothiazinyl group, and dibenzofuranyl group, etc., but are not limited thereto. The heteroaryl group includes an aliphatic heteroaryl group and an aromatic heteroaryl group.
상기 아르알킬기, 알킬티옥시기, 알킬설폭시기 및 알킬아릴기 중의 알킬기에는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다.The above description of the alkyl group may be applied to the alkyl group in the aralkyl group, alkyl thioxy group, alkyl sulfoxy group and alkylaryl group.
상기 아르알케닐기, 아릴포스핀기, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴설폭시기 중의 아릴기에는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.The description of the aryl group described above may be applied to the aryl group among the aralkenyl group, arylphosphine group, aryloxy group, arylthioxy group, and arylsulfoxy group.
상기 헤테로아르알킬기 중의 헤테로알킬기에는 전술한 헤테로아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.The description of the above-described heteroaryl group may be applied to the heteroalkyl group in the heteroaralkyl group.
본 발명의 일 실시상태는 상기 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물을 제공한다.An exemplary embodiment of the present invention provides an organometallic compound represented by
본 발명에 있어서, 상기 화학식 1의 X1 내지 X4 중 적어도 2개는 N이다. N은 C에 비해 전자 당김(electron withdrawing) 특성이 큰 원자이므로, X1 내지 X4 중 N이 2개 이상 포함된 구조는 N이 1개 이하로 포함된 구조에 비해 구조의 에너지 준위가 낮다. 특히, 본 발명의 이리듐 착제의 경우 HOMO 에너지 준위가 벤조퓨로피리미딘(예를 들어, X가 O인 구조로 설명함)쪽으로 퍼져있기 때문에 LUMO 에너지 준위에 비해 HOMO 에너지 준위가 상대적으로 더 내려가는 효과를 얻을 수 있다. 이에 밴드갭(band gap)이 커지므로, 본 발명의 화합물을 소자의 유기물층, 특히 발광층에 사용하면 더 선명한 녹색(deep green) 영역의 빛을 얻을 수 있다. In the present invention, at least two of X1 to X4 in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1은 N이고, X2는 CRb이며, X3는 N이고, R4는 CRd이다.In the exemplary embodiment of the present specification, X1 is N, X2 is CRb, X3 is N, and R4 is CRd.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1은 CRa이고, X2는 N이며, X3는 CRc이고, X4는 N이다.In the exemplary embodiment of the present specification, X1 is CRa, X2 is N, X3 is CRc, and X4 is N.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R 및 Ra 내지 Rd는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 또는 중수소 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R and Ra to Rd are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; An alkyl group unsubstituted or substituted with deuterium or an alkyl group; A cycloalkyl group unsubstituted or substituted with deuterium; Or an aryl group unsubstituted or substituted with deuterium or an alkyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R 및 Ra 내지 Rd는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 에틸기; 치환 또는 비치환된 n-프로필기; 치환 또는 비치환된 이소프로필기; 치환 또는 비치환된 n-부틸기; 치환 또는 비치환된 이소부틸기; 치환 또는 비치환된 sec-부틸기; 치환 또는 비치환된 t-부틸기; 치환 또는 비치환된 펜틸기; 치환 또는 비치환된 iso-아밀기; 치환 또는 비치환된 시클로펜틸기; 치환 또는 비치환된 시클로헥실기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R and Ra to Rd are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted methyl group; A substituted or unsubstituted ethyl group; A substituted or unsubstituted n-propyl group; A substituted or unsubstituted isopropyl group; A substituted or unsubstituted n-butyl group; A substituted or unsubstituted isobutyl group; A substituted or unsubstituted sec-butyl group; A substituted or unsubstituted t-butyl group; A substituted or unsubstituted pentyl group; A substituted or unsubstituted iso-amyl group; A substituted or unsubstituted cyclopentyl group; A substituted or unsubstituted cyclohexyl group; Or a substituted or unsubstituted phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R 및 Ra 내지 Rd는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 에틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 이소프로필기; 중수소로 치환 또는 비치환된 시클로펜틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 시클로헥실기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R and Ra to Rd are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A methyl group unsubstituted or substituted with deuterium; An ethyl group unsubstituted or substituted with deuterium; An isopropyl group unsubstituted or substituted with deuterium; A cyclopentyl group unsubstituted or substituted with deuterium; A cyclohexyl group unsubstituted or substituted with deuterium; Or a phenyl group unsubstituted or substituted with deuterium.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra 내지 Rd는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; -CH3; -CD3; -CD(CH3)2; -CH2CH3; -CH(CH3)2; -C5H9; -C6H11; -(1-d-C6H10); 또는 -C6H5이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ra to Rd are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; -CH 3 ; -CD 3 ; -CD(CH 3 ) 2 ; -CH 2 CH 3 ; -CH(CH 3 ) 2 ; -C 5 H 9 ; -C 6 H 11 ; -(1-dC 6 H 10 ); Or -C 6 H 5 .
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 페닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R is a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra와 Rc는 동일하다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ra and Rc are the same.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Rb와 Rd는 동일하다.In the exemplary embodiment of the present specification, Rb and Rd are the same.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 알케닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 아르알킬기; 메틸기로 치환된 실릴기; 또는 아미노기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; An alkyl group unsubstituted or substituted with deuterium; A cycloalkyl group unsubstituted or substituted with deuterium; An alkenyl group unsubstituted or substituted with deuterium; An aralkyl group unsubstituted or substituted with deuterium; A silyl group substituted with a methyl group; Or an amino group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 8의 시클로알킬기; 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 치환 또는 비치환된 실릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms substituted or unsubstituted with deuterium; A cycloalkyl group having 1 to 8 carbon atoms substituted or unsubstituted with deuterium; Or a silyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; -CH3; -CD3; -CH(CH3)2; -Si(CH3)3; -C5H9; 또는 -CD(CH3)2이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; -CH 3 ; -CD 3 ; -CH(CH 3 ) 2 ; -Si(CH 3 ) 3 ; -C 5 H 9 ; Or -CD(CH 3 ) 2 .
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, a1은 0 내지 2의 정수이다.In the exemplary embodiment of the present specification, a1 is an integer of 0 to 2.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, a2는 0이다.In the exemplary embodiment of the present specification, a2 is 0.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, a3는 0 내지 2의 정수이다.In the exemplary embodiment of the present specification, a3 is an integer of 0 to 2.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, a4는 0 또는 1이다.In the exemplary embodiment of the present specification, a4 is 0 or 1.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n은 2이다.In an exemplary embodiment of the present specification, n is 2.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n은 1이다.In an exemplary embodiment of the present specification, n is 1.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n이 1이면 는 서로 같거나 상이하고, 상기 n이 2 이면 는 서로 같거나 상이하다.In the exemplary embodiment of the present specification, if n is 1 Is the same as or different from each other, and if n is 2 Are the same or different from each other.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2-A 내지 2-F 중 어느 하나로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present invention,
[화학식 2-A][Formula 2-A]
[화학식 2-B][Formula 2-B]
[화학식 2-C][Formula 2-C]
[화학식 2-D][Formula 2-D]
[화학식 2-E][Formula 2-E]
[화학식 2-F][Formula 2-F]
상기 화학식 2-A 내지 2-F에 있어서,In the formulas 2-A to 2-F,
X, X1 내지 X4, R1 내지 R4, a1 내지 a4 및 n의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.The definitions of X, X1 to X4, R1 to R4, a1 to a4, and n are as defined in
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1은 상기 화학식 2-A 내지 2-F 중 어느 하나로 표시된다. 이 중 화학식 2-A처럼 가 위치하는 경우 소자의 효율, 수명 등의 특성이 특히 좋다.In an exemplary embodiment of the present invention,
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3-A로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification,
[화학식 3-A][Formula 3-A]
상기 화학식 3-A에 있어서,In Formula 3-A,
X, Ra, Rc, R1 내지 R4, a1 내지 a4 및 n의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.The definitions of X, Ra, Rc, R1 to R4, a1 to a4, and n are as defined in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3-B로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification,
[화학식 3-B][Formula 3-B]
상기 화학식 3-B에 있어서,In Formula 3-B,
X, Rb, Rd, R1 내지 R4, a1 내지 a4 및 n의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.The definitions of X, Rb, Rd, R1 to R4, a1 to a4, and n are as defined in
본 명세서에 있어서, 상기 화학식 1의 X1 내지 X4 중 2 이상은 N이다. 상기 X1 내지 X4 중 2개가 N일 때, N은 오쏘(ortho), 메타(meta) 및 파라(para) 위치에 존재할 수 있다. 그 중 2개의 N이 서로 meta 위치에 존재할 때, 효과적으로 전자가 결핍된(π-deficient) 구조를 만들 수 있으므로, HOMO 에너지 준위가 낮아져 특히 효과적으로 순도가 좋은 녹색광을 낼 수 있다.In the present specification, two or more of X1 to X4 in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1A로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification,
[화학식 1A][Formula 1A]
[화학식 1B][Formula 1B]
상기 화학식 1A에 있어서,In Formula 1A,
A1 내지 A4 중 1개는 화학식 1B의 *1과 시그마 결합하는 C이고, 1개는 화학식 1B의 *2와 시그마 결합하는 C이며, 나머지 2개는 각각 독립적으로 CR2이되, 화학식 1B의 *1과 시그마 결합하는 C와 화학식 1B의 *2와 시그마 결합하는 C는 인접하여 위치하며,One of A1 to A4 is C that sigma-bonds with *1 in Formula 1B, and one is C that sigma-bonds with *2 in Formula 1B, and the other two are each independently CR2, but with *1 in Formula 1B Sigma-bonding C and *2 in Formula 1B and sigma-bonding C are adjacent to each other,
X, X1 내지 X4, R1 내지 R4, a1, a3 및 a4 및 n의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하며, The definitions of X, X1 to X4, R1 to R4, a1, a3, and a4 and n are the same as defined in
R2는 서로 같거나 상이하다.R2 is the same as or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A1이 화학식 1B의 *1과 시그마 결합하는 C이고, A2가 화학식 1B의 *2와 시그마 결합하는 C이며, X4가 N이면, X1 및 X3 중 적어도 하나는 N이거나 X는 N이다.In the exemplary embodiment of the present specification, when A1 is C that sigma-bonds with *1 in Formula 1B, A2 is C that sigma-bonds with *2 in Formula 1B, and X4 is N, at least one of X1 and X3 is N or X is N
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 상기 화학식 2-A 내지 2-F 중 어느 하나로 표시되고,In an exemplary embodiment of the present specification,
상기 화학식 2-A 내지 2-F에 있어서, X, X1 내지 X4, R1 내지 R4, a1 내지 a4 및 n의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같고,In Formulas 2-A to 2-F, the definitions of X, X1 to X4, R1 to R4, a1 to a4, and n are as defined in
단, 화학식 2-A에 있어서, X4가 N이면, X1 및 X3 중 적어도 하나는 N이거나 X는 N이다.However, in Formula 2-A, when X4 is N, at least one of X1 and X3 is N or X is N.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물은 하기의 화합물 중에서 선택된 어느 하나이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organometallic compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 전술한 화학식 1의 유기 금속 화합물은 하기 일반식 1에 따라 제조될 수 있다. 그러나, 상기 화학식 1의 유기 금속 화합물의 제조 방법은 하기 일반식 1에 한정되지 않으며, 일부 합성 단계는 다른 공지된 합성 방법으로 대체될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the organometallic compound of
[일반식 1][General Formula 1]
상기 일반식 1에 있어서, R1 내지 R4, a1 내지 a4, X 및 X1 내지 X4의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.In the
상기 일반식 1의 합성 방법은 상기 화학식 1에서 n이 2인 화합물의 제조 방법으로, 상기 제조 방법에 있어서 이리듐에 보조리간드를 두 번 합성하는 방법을 이용하면 n이 1인 화합물 또한 제조할 수 있다.The synthesis method of
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 전술한 유기 금속 화합물은 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 유기물층에 포함되는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.In the exemplary embodiment of the present specification, as an organic light emitting device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, the organic metal compound described above is It provides an organic light emitting device that is included in an organic material layer provided between the first electrode and the second electrode.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적거나 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like as an organic material layer. However, the structure of the organic light-emitting device is not limited thereto, and may include fewer or more organic material layers.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 1층 이상의 유기물층은 전자 주입층, 전자 수송층 및 전자 주입 및 수송을 동시에 하는 층 중 적어도 한 층을 포함하고, 상기 유기 금속 화합물은 상기 전자 주입층, 전자 수송층 및 전자 주입 및 수송을 동시에 하는 층 중 적어도 한 층에 포함된다.In the exemplary embodiment of the present specification, the one or more organic material layers include at least one of an electron injection layer, an electron transport layer, and a layer that simultaneously injects and transports electrons, and the organometallic compound is the electron injection layer and the electron transport layer. And at least one of layers simultaneously injecting and transporting electrons.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 1층 이상의 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층 및 정공 수송 및 주입을 동시에 하는 층 중 적어도 하나의 층을 포함하고, 상기 유기 금속 화합물은 상기 정공 주입층, 정공 수송층 및 정공 수송 및 주입을 동시에 하는 층 중 적어도 하나의 층에 포함된다.In the exemplary embodiment of the present specification, the one or more organic material layers include at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, and a layer for simultaneously transporting and injecting holes, and the organometallic compound is the hole injection layer and the hole It is included in at least one of a transport layer and a layer that simultaneously transports and injects holes.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 1층 이상의 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 유기 금속 화합물은 상기 발광층에 포함된다.In the exemplary embodiment of the present specification, the one or more organic material layers include an emission layer, and the organometallic compound is included in the emission layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 녹색 발광층이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the emission layer is a green emission layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 금속 화합물은 상기 발광층에 도판트로서 포함된다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organometallic compound is included as a dopant in the emission layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 1 이상의 호스트 화합물을 더 포함한다. 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 2 이상의 호스트 화합물을 포함할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the emission layer further includes at least one host compound. In one embodiment, the emission layer may include two or more host compounds.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트 화합물은 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 화합물이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the host compound is a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트 화합물은 카바졸 유도체 또는 트리아진 유도체이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the host compound is a carbazole derivative or a triazine derivative.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트 화합물은 하기 화학식 B로 표시될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the exemplary embodiment of the present specification, the host compound may be represented by Formula B below, but is not limited thereto.
[화학식 B][Formula B]
상기 화학식 B에 있어서,In Formula B,
Ar1은 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, Ar1 is a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
Ar2는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,Ar2 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or heteroaryl group, or combine with an adjacent group to form a substituted or unsubstituted ring,
L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,L1 is a direct bond; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
m은 0 내지 8의 정수이고,m is an integer from 0 to 8,
m이 2 이상인 경우, Ar2는 서로 동일하거나 상이하다.When m is 2 or more, Ar2 is the same as or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 B는 하기 화학식 B-1로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Formula B is represented by the following Formula B-1.
[화학식 B-1][Formula B-1]
상기 화학식 B-1에 있어서,In the formula B-1,
Ar1, Ar2 및 L1의 정의는 화학식 B에서 정의한 바와 같고,The definitions of Ar1, Ar2 and L1 are as defined in Formula B,
Ar3는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,Ar3 is a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
Ar4는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,Ar4 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with an adjacent group to form a substituted or unsubstituted ring,
L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,L2 is a direct bond; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
k 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 7의 정수이고,k and p are each independently an integer of 0 to 7,
k가 2 이상인 경우, Ar2는 서로 동일하거나 상이하며,When k is 2 or more, Ar2 is the same as or different from each other,
p가 2 이상인 경우 Ar4는 서로 동일하거나 상이하다.When p is 2 or more, Ar4 is the same as or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 B는 하기 화학식 B-2로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Formula B is represented by the following Formula B-2.
상기 화학식 B-2에 있어서,In Formula B-2,
Ar1, Ar2 및 L1의 정의는 화학식 B에서 정의한 바와 같고,The definitions of Ar1, Ar2 and L1 are as defined in Formula B,
Ar5는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,Ar5 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or heteroaryl group, or combine with an adjacent group to form a substituted or unsubstituted ring,
Rm 및 Rn은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,Rm and Rn are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
q는 0 내지 4의 정수이고, q가 2 이상이면 Ar5는 서로 동일하거나 상이하며,q is an integer of 0 to 4, and if q is 2 or more, Ar5 is the same as or different from each other,
r은 0 내지 10의 정수이고, r이 2 이상이면 Ar2는 서로 동일하거나 상이하다.r is an integer from 0 to 10, and when r is 2 or more, Ar2 is the same as or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C6-C30 heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is an aryl group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group; Or a heteroaryl group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 페닐기; 바이페닐기; 또는 페닐기 또는 바이페닐기로 치환 또는 비치환된 트리아지닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a phenyl group; Biphenyl group; Or a phenyl group or a triazinyl group unsubstituted or substituted with a biphenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C6-C30 heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is an aryl group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group; Or a heteroaryl group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3는 페닐기; 바이페닐기; 또는 페닐기 또는 바이페닐기로 치환 또는 비치환된 트리아지닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a phenyl group; Biphenyl group; Or a phenyl group or a triazinyl group unsubstituted or substituted with a biphenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar2는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms, or combined with an adjacent group to form a substituted or unsubstituted ring having 5 to 30 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar2는 수소; 중수소; 알킬기; 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is hydrogen; heavy hydrogen; Alkyl group; An aryl group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group; Or a heteroaryl group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group, or combine with an adjacent group to form a ring unsubstituted or substituted with an alkyl group or an aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar2는 수소; 메틸기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 메틸기로 치환 또는 비치환된 인덴 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is hydrogen; Methyl group; A substituted or unsubstituted phenyl group; A substituted or unsubstituted biphenyl group; Or a substituted or unsubstituted carbazolyl group, or combined with an adjacent group to form an indene ring substituted or unsubstituted with a methyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar2는 수소; 또는 바이페닐기로 치환된 카바졸릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 메틸기로 치환된 인덴 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is hydrogen; Or a carbazolyl group substituted with a biphenyl group, or combine with an adjacent group to form an indene ring substituted with a methyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar4는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar4 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms, or combined with an adjacent group to form a substituted or unsubstituted ring having 5 to 30 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar4는 수소; 중수소; 알킬기; 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar4 is hydrogen; heavy hydrogen; Alkyl group; An aryl group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group; Or a heteroaryl group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group, or combine with an adjacent group to form a ring unsubstituted or substituted with an alkyl group or an aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar4는 수소; 메틸기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 메틸기로 치환 또는 비치환된 인덴 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar4 is hydrogen; Methyl group; A substituted or unsubstituted phenyl group; A substituted or unsubstituted biphenyl group; Or a substituted or unsubstituted carbazolyl group, or combined with an adjacent group to form an indene ring substituted or unsubstituted with a methyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar4는 수소이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar4 is hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar5는 수소이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar5 is hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L1 is a direct bond; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C20 heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1은 직접결합; 아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L1 is a direct bond; An aryl group unsubstituted or substituted with an aryl group; Or a heteroaryl group unsubstituted or substituted with an aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L1 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted phenylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L2 is a direct bond; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C20 heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L2는 직접결합; 아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L2 is a direct bond; An aryl group unsubstituted or substituted with an aryl group; Or a heteroaryl group unsubstituted or substituted with an aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L2는 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L2 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted phenylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Rm 및 Rn은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 25의 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Rm and Rn are hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C1-C10 alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 25 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C25 heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Rm 및 Rn은 각각 메틸기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Rm and Rn are each a methyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 m은 1이다.In the exemplary embodiment of the present specification, m is 1.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 k는 0이다.In the exemplary embodiment of the present specification, k is 0.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p는 0이다.In the exemplary embodiment of the present specification, p is 0.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 r은 0이다.In the exemplary embodiment of the present specification, r is 0.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 q는 0이다.In the exemplary embodiment of the present specification, q is 0.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 B로 표시되는 화합물는 하기 구조들 중에서 선택된 어느 하나이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by Formula B is any one selected from the following structures.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 1 이상의 호스트 및 도판트의 중량부의 합 100 중량부를 기준으로 도판트를 5 중량부 내지 20 중량부로 포함한다.In the exemplary embodiment of the present specification, the light emitting layer contains 5 parts by weight to 20 parts by weight of the dopant based on 100 parts by weight of the sum of the weight parts of the at least one host and the dopant. Included in parts by weight.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다. In the exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다. In another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 정방향 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In another exemplary embodiment, the organic light emitting device may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In another embodiment, the organic light-emitting device may be an inverted type organic light-emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 내지 3에 예시되어 있다. The structure of the organic light emitting device according to the exemplary embodiment of the present specification is illustrated in FIGS. 1 to 3.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 유기 금속 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다.1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(7), 전자 수송층(8) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 유기 금속 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다.2 shows an example of an organic light-emitting device comprising a
도 3은 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(7), 정공 차단층(9), 전자수송층(8) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 유기 금속 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다.3 shows a
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 명세서의 화합물, 즉 상기 화학식 1의 유기 금속 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.The organic light-emitting device of the present specification may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one of the organic material layers includes the compound of the present specification, that is, the organometallic compound of
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. When the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 물리적 증착 방법(PVD, physical Vapor Deposition)을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.For example, the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially laminating a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. In this case, by using a physical vapor deposition method (PVD, physical vapor deposition) such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or a conductive metal oxide or an alloy thereof is deposited on the substrate. It can be prepared by forming an anode, forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, an emission layer, and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light-emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다. 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.In addition to this method, an organic light-emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and an anode material from a cathode material on a substrate. However, the manufacturing method is not limited thereto.
또한, 상기 화학식 1의 유기 금속 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the organometallic compound of
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the anode material, a material having a large work function is preferable so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the cathode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); Combinations of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO 2 :Sb; Poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), conductive polymers such as polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. It is preferable that the cathode material is a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead, or alloys thereof; There are multi-layered materials such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but are not limited thereto.
상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 엑시톤의 전자 주입층 또는 전자 주입 재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer that injects holes from an electrode, and has the ability to transport holes as a hole injection material, so that it has a hole injection effect at the anode, an excellent hole injection effect for the light emitting layer or the light emitting material, and is generated from the light emitting layer. A compound that prevents the movement of excitons to the electron injection layer or the electron injection material and has excellent thin film formation ability is preferable. It is preferable that the HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) of the hole injection material is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of hole injection materials include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic substances, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic substances, quinacridone-based organic substances, and perylene-based organic substances. Organic substances, anthraquinone, polyaniline, and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports holes to the emission layer, and the hole transport material is a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to the emission layer, and has high mobility for holes. The material is suitable. Specific examples include an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer including a conjugated portion and a non-conjugated portion, but are not limited thereto.
정공 수송층과 발광층 사이에 전자 차단층이 구비될 수 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다. 상기 전자 차단층은 발광층으로주터 전자가 양극으로 유입되는 것을 방지하고 발광층으로 유입되는 정공의 흐름을 조절하여 소자 전체의 성능을 조절하는 층이다. 상기 전자 차단 물질로는 발광층으로부터 양극으로의 전자의 유입을 방지하고, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 주입되는 정공의 흐름을 조절하는 능력을 갖는 화합물이 바람직하다. 일 실시상태에 있어서, 전자 차단층으로는 아릴아민 계열의 유기물이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.An electron blocking layer may be provided between the hole transport layer and the light emitting layer, and materials known in the art may be used. The electron blocking layer is a layer that prevents electrons from flowing into the light-emitting layer and controls the flow of holes flowing into the light-emitting layer to control the performance of the entire device. The electron blocking material is preferably a compound having the ability to prevent the inflow of electrons from the emission layer to the anode and to control the flow of holes injected into the emission layer or the emission material. In one embodiment, an arylamine-based organic material may be used as the electron blocking layer, but is not limited thereto.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤즈옥사졸, 벤조티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The light-emitting material is a material capable of emitting light in a visible light region by transporting and bonding holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compound; Benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole-based compounds; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymer; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도판트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The emission layer may include a host material and a dopant material. Host materials include condensed aromatic ring derivatives or heterocyclic-containing compounds. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds, and heterocycle-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder type Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.
도판트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아민기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아민기를 갖는 파이렌, 안트라센, 크라이센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로서 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아민기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된 화합물을 사용할 수 있다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Dopant materials include aromatic amine derivatives, strylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, and metal complexes. Specifically, the aromatic amine derivative is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamine group, and includes pyrene, anthracene, chrysene, and periflanthene having an arylamine group, and the styrylamine compound is substituted or unsubstituted. As a compound in which at least one arylvinyl group is substituted on the cyclic arylamine, a compound in which one or two or more substituents selected from the group consisting of aryl group, silyl group, alkyl group, cycloalkyl group and arylamine group are substituted or unsubstituted can be used. have. Specifically, there are styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, and the like, but are not limited thereto. In addition, the metal complex includes an iridium complex, a platinum complex, and the like, but is not limited thereto.
전자 수송층과 발광층 사이에 정공 차단층이 구비될 수 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다. 상기 정공 차단층은 발광층으로부터 정공이 음극으로 유입되는 것을 차단하고 발광층으로 유입되는 전자를 조절하여 소자 전체의 성능을 조절하는 층이다. 정공 차단 물질로는 발광층으로부터 음극으로의 정공의 유입을 방지하고, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 주입되는 전자를 조절하는 능력을 갖는 화합물이 바람직하다. 정공 차단 물질로는 소자 내 사용되는 유기물층의 구성에 따라 적절한 물질을 사용할 수 있다. 상기 정공 차단층은 발광층과 음극 사이에 위치하며, 바람직하게는 발광층에 직접 접하여 구비된다.A hole blocking layer may be provided between the electron transport layer and the light emitting layer, and materials known in the art may be used. The hole blocking layer is a layer that blocks the introduction of holes from the emission layer to the cathode and controls the electrons flowing into the emission layer to control the performance of the entire device. The hole blocking material is preferably a compound having the ability to prevent the inflow of holes from the light emitting layer to the cathode and control electrons injected into the light emitting layer or the light emitting material. As the hole blocking material, an appropriate material may be used according to the configuration of the organic material layer used in the device. The hole blocking layer is located between the emission layer and the cathode, and is preferably provided in direct contact with the emission layer.
상기 전자 수송층은 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로, 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래 기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the emission layer. As an electron transport material, a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the emission layer. Suitable. Specific examples include the Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto. The electron transport layer can be used with any desired cathode material as used according to the prior art. In particular, examples of suitable cathode materials are conventional materials that have a low work function and are followed by an aluminum layer or a silver layer. Specifically, they are cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, and in each case, an aluminum layer or a silver layer follows.
상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자 주입 물질로는 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자 주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 엑시톤의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer is a layer that injects electrons from the electrode, has the ability to transport electrons as the electron injection material, has an electron injection effect from the cathode, and has an excellent electron injection effect on the light emitting layer or the light emitting material, and is created in the light emitting layer A compound that prevents the transfer of the resulting excitons to the hole injection layer and has excellent thin film formation ability is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyrandioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidenemethane, anthrone, and their derivatives, metals Complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include lithium 8-hydroxyquinolinato, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato)beryllium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)zinc, bis(2-methyl-8-quinolinato)chlorogallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)( o-cresolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtholato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtholato)gallium, etc. It is not limited to this.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a top emission type, a bottom emission type, or a double-sided emission type depending on the material used.
[제조예][Production Example]
제조예 1-1: 중간체 A1 및 B1의 합성Preparation Example 1-1: Synthesis of Intermediates A1 and B1
(1) 중간체 A1의 제조(1) Preparation of intermediate A1
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 2-브로모피리딘(2-bromopyridine)(30 g), 페닐보로닉산(phenylboronic acid)(1.1 eq)을 테트라하이드로퓨란(300 ml)에 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(potassium carbonate solution)(150 ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(3 mol%)을 넣은 후 3 시간 동안 70 ℃에서 가열 교반하였다. 반응 종료 후 온도를 낮추고 수층을 분리한 뒤 유기층의 용매를 제거하였다. 클로로포름(chloroform)을 사용해 녹인 후 물로 씻어주고 황산마그네슘(magnesium sulfate)과 산성백토를 넣고 교반 후 여과하여 감압 농축시켰다. 이 후 에틸아세테이트(ethyl acetate)과 헥산(hexane)을 1:50의 부피비로 혼합한 용액으로 컬럼크로마토그래피하여 화합물 A1을 제조하였다(22.4 g, 수율 76 %).Dissolve 2-bromopyridine (30 g) and phenylboronic acid (1.1 eq) in tetrahydrofuran (300 ml) in a round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and then a 2M aqueous potassium carbonate solution ( potassium carbonate solution) (150 ml) was added, tetrakis-(triphenylphosphine) palladium (3 mol%) was added, followed by heating and stirring at 70° C. for 3 hours. After the reaction was completed, the temperature was lowered, the aqueous layer was separated, and the solvent in the organic layer was removed. After dissolving with chloroform, washing with water, magnesium sulfate and acid clay were added, stirred, filtered, and concentrated under reduced pressure. Thereafter, compound A1 was prepared by column chromatography using a solution in which ethyl acetate and hexane were mixed in a volume ratio of 1:50 (22.4 g, yield 76%).
(2) 중간체 1-1a의 제조(2) Preparation of Intermediate 1-1a
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 이리듐클로라이드(iridium chloride)(1eq)와 화합물 A1(22 g, 2.5 eq)을 2-에톡시에탄올(2-ethoxyethanol)(1000 ml) 및 증류수(330 ml)에 넣고 24 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 에탄올 2L로 세정해주어 고체 화합물 1-1a를 제조하였다(21 g, 수율 59 %).In a nitrogen atmosphere, iridium chloride (1eq) and compound A1 (22 g, 2.5 eq) were added to 2-ethoxyethanol (1000 ml) and distilled water (330 ml) in a round bottom flask. Heated and stirred for hours. The temperature was lowered to room temperature, filtered, and washed with 2L of ethanol to prepare a solid compound 1-1a (21 g, yield 59%).
(3) 중간체 B1의 제조(3) Preparation of intermediate B1
중간체 1-1a(10.2 g)와 메틸렌클로라이드 (methylene chloride) 500 ml를 넣은 은트리플루오로메탈술폰산염(이하, AgOTf)(1.3eq)를 메탄올 250 ml에 녹여 넣어준 뒤, 빛을 차단한 상태로 상온 교반하였다. 24 시간 뒤 필터한 후 걸러진 여액의 용매를 날리고 톨루엔(toluene) 침전하여 추가 정제 없이 화합물 B1을 얻었다(수율 91 %).Silver trifluorometalsulfonic acid salt (hereinafter, AgOTf) (1.3eq) containing 500 ml of intermediate 1-1a (10.2 g) and methylene chloride was dissolved in 250 ml of methanol, and the light was blocked. It was stirred at room temperature. After 24 hours, after filtering, the solvent of the filtered filtrate was blown off and toluene was precipitated to obtain compound B1 without further purification (yield 91%).
제조예 1-2: 중간체 A2 및 B2의 합성Preparation Example 1-2: Synthesis of Intermediates A2 and B2
(1) 중간체 A2의 제조(1) Preparation of intermediate A2
2-브로모피리딘(2-bromopyridine) 대신 2-브로모-5-메틸피리딘(2-bromo-5-methylpyridine)(50 g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 A2를 제조하였다(26 g, 수율 65 %).The compound in the same manner as in the method of preparing Intermediate A1, except that 2-bromo-5-methylpyridine (50 g) was used instead of 2-bromopyridine. A2 was prepared (26 g, 65% yield).
(2) 중간체 1-1b의 제조(2) Preparation of Intermediate 1-1b
중간체 A1 대신 중간체 A2를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 1-1b를 제조하였다 (20 g, 수율 54 %)The intermediate 1-1b was prepared in the same manner as the intermediate 1-1a except that intermediate A2 was used instead of intermediate A1 (20 g, yield 54%)
(3) 중간체 B2의 제조(3) Preparation of intermediate B2
중간체 1-1a 대신 중간체 1-1b를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 B2를 제조하였다 (수율 64 %).Intermediate B2 was prepared in the same manner as in the method of preparing Intermediate B1, except that Intermediate 1-1b was used instead of Intermediate 1-1a (yield 64%).
제조예 1-3: 중간체 A3 및 B3의 합성Preparation Example 1-3: Synthesis of Intermediates A3 and B3
(1) 중간체 1-1c의 제조(1) Preparation of Intermediate 1-1c
2-브로모피리딘(2-bromopyridine) 대신 2,5-브로모피리딘(2,5-bromopyridine)(55 g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-1c를 제조하였다(30 g, 수율 70 %).Except for using 2,5-bromopyridine (2,5-bromopyridine) (55 g) instead of 2-bromopyridine (2-bromopyridine), compound 1-1c was prepared in the same manner as in the method of preparing Intermediate A1. Was prepared (30 g, yield 70%).
(2) 중간체 1-1d의 제조(2) Preparation of Intermediate 1-1d
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 중간체 1-1c(35 g)를 다이에틸이써(diethylether)에 녹인 후 -78 ℃에서 2.5M n-BuLi(65 ml)을 첨가한 후 1 시간 동안 교반하였다. -78 ℃에서 트리에틸보레이트(triethylborate)(2 eq)를 넣은 후 상온에서 1 시간 동안 교반하였다. 2M 하이드로클로라이드 수용액(hydrochloride solution)(100 ml)을 첨가하고 30 분 동안 교반한 후 20% 소듐하이드록사이드 수용액(sodium hydroxide solution)(100 ml)으로 중화하였다. 수층을 분리한 뒤 유기층의 용매를 제거하였다. 헥산(hexane)과 에틸아세테이트(ethyl acetate)를 100:1의 부피비로 혼합한 용액으로 컬럼크로마토그래피하여 화합물 1-1d를 제조하였다 (21 g, 수율 73 %). Intermediate 1-1c (35 g) was dissolved in diethylether in a round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and 2.5M n-BuLi (65 ml) was added at -78°C, followed by stirring for 1 hour. After adding triethylborate (2 eq) at -78 °C, the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. 2M hydrochloride solution (100 ml) was added, stirred for 30 minutes, and then neutralized with 20% sodium hydroxide solution (100 ml). After separating the aqueous layer, the solvent in the organic layer was removed. Compound 1-1d was prepared by column chromatography using a solution in which hexane and ethyl acetate were mixed in a volume ratio of 100:1 (21 g, yield 73%).
(3) 중간체 A3의 제조(3) Preparation of intermediate A3
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 중간체 1-1d(21 g), 아이오도메테인-d3(iodomethane-d3)(1.5 eq)을 테트라하이드로퓨란(200 ml)과 메탄올(100 ml)에 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(potassium carbonate solution)(100ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(3.8 g, 3.3 mmol)을 넣은 후 70 ℃에서 12 시간 동안 가열 교반하였다. 클로로포름(chloroform)을 사용해 녹인 후 물로 씻어주고 황산마그네슘(magnesium sulfate)과 산성백토를 넣고 교반 후 여과하여 감압 농축시켰다. 이 후 헥산(hexane)과 에틸아세테이트(ethyl acetate)를 50:1의 부피비로 혼합한 용액으로 컬럼크로마토그래피하여 화합물 A3를 제조하였다(11 g, 수율 67 %).In a nitrogen atmosphere, intermediate 1-1d (21 g) and iodomethane-d3 (1.5 eq) were dissolved in tetrahydrofuran (200 ml) and methanol (100 ml) in a round bottom flask, and then 2M carbonic acid. Potassium carbonate solution (100ml) was added, tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (3.8 g, 3.3 mmol) was added, followed by heating and stirring at 70° C. for 12 hours. After dissolving with chloroform, washing with water, magnesium sulfate and acid clay were added, stirred, filtered, and concentrated under reduced pressure. Thereafter, compound A3 was prepared by column chromatography using a solution in which hexane and ethyl acetate were mixed in a volume ratio of 50:1 (11 g, yield 67%).
(4) 중간체 1-1e의 제조(4) Preparation of Intermediate 1-1e
중간체 A1 대신 중간체 A3를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 1-1e를 제조하였다 (10.2 g, 수율 62 %).The intermediate 1-1e was prepared in the same manner as the intermediate 1-1a, except that intermediate A3 was used instead of intermediate A1 (10.2 g, yield 62%).
(5) 중간체 B3의 제조(5) Preparation of intermediate B3
중간체 1-1a 대신 중간체 1-1e를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 B3를 제조하였다 (수율 90 %).The intermediate B3 was prepared in the same manner as the intermediate B1 except for using the intermediate 1-1e instead of the intermediate 1-1a (yield 90%).
제조예 1-4: 중간체 A4 및 B4의 합성Preparation Example 1-4: Synthesis of Intermediates A4 and B4
(1) 중간체 1-1f의 제조(1) Preparation of Intermediate 1-1f
2-브로모피리딘(2-bromopyridine) 대신 2-브로모-5-메틸피리딘(2-bromo-5-methylpyridine)(30 g, 0.17 mol), 페닐보로닉산(phenylboronic acid) 대신 파라-톨릴보로닉산(p-tolylboronic acid)(26 g, 0.19 mol)을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-1f를 제조하였다(22 g, 수율 70 %).2-bromo-5-methylpyridine (30 g, 0.17 mol) instead of 2-bromopyridine, para-tolylbo instead of phenylboronic acid Compound 1-1f was prepared in the same manner as the method of preparing Intermediate A1, except that p-tolylboronic acid (26 g, 0.19 mol) was used (22 g, yield 70%).
(2) 중간체 A4의 제조(2) Preparation of intermediate A4
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 중간체 1-1f (22 g, 0.12 mol)와 소듐에톡사이드(sodium ethoxide)(5.8 g, 0.085 mol)를 디메틸설폭사이드-d6(dimethylsulfoxide-d6) 300 ml에 녹인 후 80 ℃에서 32 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮춘 후, D2O 100 ml(10 eq)로 켄칭하고 1 시간 동안 충분히 교반하였다. H2O 과량을 넣고 에틸아세테이트로 추출한 후 감압 농축 시켰다. 이 후 헥산(hexane)과 에틸아세테이트(ethyl acetate)를 50:1의 부피비로 혼합한 용액으로 컬럼크로마토그래피하여 화합물 A4를 분리하였다. (10 g, 수율 46 %)In a nitrogen atmosphere, intermediate 1-1f (22 g, 0.12 mol) and sodium ethoxide (5.8 g, 0.085 mol) were dissolved in 300 ml of dimethylsulfoxide-d6 in a round bottom flask. It was heated and stirred at 80° C. for 32 hours. After lowering the temperature to room temperature, it was quenched with 100 ml (10 eq) of D 2 O and sufficiently stirred for 1 hour. An excess of H 2 O was added, extracted with ethyl acetate, and concentrated under reduced pressure. Thereafter, compound A4 was separated by column chromatography using a solution in which hexane and ethyl acetate were mixed in a volume ratio of 50:1. (10 g, yield 46%)
(3) 중간체 1-1g의 제조(3) Preparation of Intermediate 1-1g
중간체 A1 대신 중간체 A4 를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 1-1g를 제조하였다 (10.4 g, 수율 65 %).The intermediate 1-1g was prepared in the same manner as the intermediate 1-1a except that intermediate A4 was used instead of intermediate A1 (10.4 g, yield 65%).
(5) 중간체 B4의 제조(5) Preparation of intermediate B4
중간체 1-1a 대신 중간체 1-1g를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 B4를 제조하였다 (수율 87 %).Intermediate B4 was prepared in the same manner as the method of preparing Intermediate B1, except that Intermediate 1-1g was used instead of Intermediate 1-1a (yield 87%).
제조예 1-5: 중간체 A5 및 B5의 합성Preparation Example 1-5: Synthesis of Intermediates A5 and B5
(1) 중간체 1-1h의 제조(1) Preparation of intermediate 1-1h
2-브로모피리딘(2-bromopyridine) 대신 2-브로모-4,5-디메틸피리딘(2-bromo-4,5-methylpyridine)(50 g, 0.27 mol), 페닐보로닉산(phenylboronic acid) 대신 파라-톨릴보로닉산(p-tolylboronic acid)(40 g, 0.30 mol)을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-1h를 제조하였다(35 g, 수율 66 %).2-bromopyridine (2-bromopyridine) instead of 2-bromo-4,5-dimethylpyridine (2-bromo-4,5-methylpyridine) (50 g, 0.27 mol), instead of phenylboronic acid (phenylboronic acid) Compound 1-1h was prepared in the same manner as in the method of preparing Intermediate A1 except for using para-tolylboronic acid (40 g, 0.30 mol) (35 g, yield 66%). .
(2) 중간체 A5의 제조(2) Preparation of intermediate A5
중간체 1-1f 대신 중간체 1-1h를 사용한 것을 제외하고 중간체 A4를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 A5를 제조하였다 (19 g, 수율 58 %).Intermediate A5 was prepared in the same manner as the method of preparing Intermediate A4, except that Intermediate 1-1h was used instead of Intermediate 1-1f (19 g, yield 58%).
(3) 중간체 1-1i의 제조(3) Preparation of Intermediate 1-1i
중간체 A1 대신 중간체 A5 를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 1-1i를 제조하였다 (20 g, 수율 55 %).The intermediate 1-1i was prepared in the same manner as the intermediate 1-1a except that intermediate A5 was used instead of intermediate A1 (20 g, yield 55%).
(5) 중간체 B5의 제조(5) Preparation of intermediate B5
중간체 1-1a 대신 중간체 1-1i를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 B5를 제조하였다 (수율 90 %).The intermediate B5 was prepared in the same manner as the intermediate B1 except for using the intermediate 1-1i instead of the intermediate 1-1a (yield 90%).
제조예 1-6: 중간체 A6 및 B6의 합성Preparation Example 1-6: Synthesis of Intermediates A6 and B6
(1) 중간체 A6의 제조(1) Preparation of intermediate A6
2-브로모피리딘(2-bromopyridine) 대신 2-브로모-4-사이클로헥실피리딘(40 g)을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 A6을 제조하였다(49 g, 수율 50 %).Except for using 2-bromo-4-cyclohexylpyridine (40 g) instead of 2-bromopyridine, Compound A6 was prepared in the same manner as in the method of preparing Intermediate A1 (49 g, Yield 50%).
(2) 중간체 1-1j의 제조(2) Preparation of Intermediate 1-1j
중간체 A1 대신 중간체 A6을 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 1-1j를 제조하였다 (45 g, 수율 54%)The intermediate 1-1j was prepared in the same manner as the intermediate 1-1a except that intermediate A6 was used instead of intermediate A1 (45 g, yield 54%)
(3) 중간체 B6의 제조(3) Preparation of intermediate B6
중간체 1-1a 대신 중간체 1-1j를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 B6를 제조하였다 (수율 83 %).Intermediate B6 was prepared in the same manner as in the method of preparing Intermediate B1, except that Intermediate 1-1j was used instead of Intermediate 1-1a (yield 83%).
제조예 2Manufacturing Example 2
제조예 2-1: 중간체 C1 및 D1의 합성Preparation Example 2-1: Synthesis of Intermediates C1 and D1
(1) 중간체 C1의 제조(1) Preparation of intermediate C1
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 2-브로모피리딘(2-bromopyridine)(50 g), 벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산(1.2 eq)을 테트라하이드로퓨란(400 ml)과 메탄올(methanol)(200 ml)에 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(potassium carbonate solution)(250ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(7.4 g, 6.4 mmol)을 넣은 후 12 시간 동안 80 ℃에서 가열 교반하였다. 반응 종료 후 온도를 낮추고 수층을 분리한 뒤 유기층의 용매를 제거하였다. 클로로포름(chloroform)을 사용해 녹인 후 물로 씻어주고 황산마그네슘(magnesium sulfate)과 산성백토를 넣고 교반 후 여과하여 감압 농축시켰다. 이 후 에틸아세테이트(ethyl acetate)와 헥산(hexane)을 1:50의 부피비로 혼합한 용액으로 컬럼크로마토그래피하여 화합물 C1을 제조하였다(59 g, 수율 74 %).In a nitrogen atmosphere, 2-bromopyridine (50 g), benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid (1.2 eq) was added to tetrahydrofuran (400 g) in a round bottom flask. ml) and methanol (200 ml), 2M potassium carbonate solution (250 ml) was added, tetrakis-(triphenylphosphine) palladium (7.4 g, 6.4 mmol) was added. It was heated and stirred at 80° C. for 12 hours. After the reaction was completed, the temperature was lowered, the aqueous layer was separated, and the solvent in the organic layer was removed. After dissolving with chloroform, washing with water, magnesium sulfate and acid clay were added, stirred, filtered, and concentrated under reduced pressure. Thereafter, compound C1 was prepared by column chromatography using a solution in which ethyl acetate and hexane were mixed in a volume ratio of 1:50 (59 g, yield 74%).
(2) 중간체 2-1a의 제조(2) Preparation of Intermediate 2-1a
중간체 A1 대신 중간체 C1을 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1a를 제조하였다 (33 g, 수율 48 %).The intermediate 2-1a was prepared in the same manner as the intermediate 1-1a, except that intermediate C1 was used instead of intermediate A1 (33 g, yield 48%).
(3) 중간체 D1의 제조(3) Preparation of intermediate D1
중간체 1-1a 대신 중간체 2-1a를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D1을 제조하였다 (수율 87 %).The intermediate D1 was prepared in the same manner as the intermediate B1, except for using the intermediate 2-1a instead of the intermediate 1-1a (yield 87%).
제조예 2-2: 중간체 C2 및 D2의 합성Preparation Example 2-2: Synthesis of Intermediates C2 and D2
(1) 중간체 C2의 제조(1) Preparation of intermediate C2
벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산 대신 (2,4-디메틸벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 중간체 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C2를 제조하였다 (54 g, 수율 52 %).Intermediates except that (2,4-dimethylbenzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-yl)boronic acid was used instead of benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid The intermediate C2 was prepared in the same manner as in the method of preparing C1 (54 g, 52% yield).
(2) 중간체 2-1b의 제조(2) Preparation of intermediate 2-1b
중간체 C1 대신 중간체 C2를 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1b를 제조하였다 (33 g, 수율 48 %).The intermediate 2-1b was prepared in the same manner as the intermediate 2-1a, except that intermediate C2 was used instead of intermediate C1 (33 g, yield 48%).
(3) 중간체 D2의 제조(3) Preparation of intermediate D2
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1b를 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D2를 제조하였다 (수율 80 %).The intermediate D2 was prepared in the same manner as the intermediate D1, except for using the intermediate 2-1b instead of the intermediate 2-1a (yield 80%).
제조예 2-3: 중간체 C3 및 D3의 합성Preparation Example 2-3: Synthesis of Intermediates C3 and D3
(1) 중간체 C3의 제조(1) Preparation of intermediate C3
벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산 대신 (2,4-다이아이소프로필벤조퓨로[2,3-d]피리딘-8-일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 중간체 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C3를 제조하였다 (42 g, 수율 49 %).Except for using (2,4-diisopropylbenzofuro[2,3-d]pyridin-8-yl)boronic acid instead of benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid The intermediate C3 was prepared in the same manner as the intermediate C1 (42 g, yield 49%).
(2) 중간체 2-1c의 제조(2) Preparation of intermediate 2-1c
중간체 C1 대신 중간체 C3를 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1c를 제조하였다 (29 g, 수율 48 %).The intermediate 2-1c was prepared in the same manner as the intermediate 2-1a except for using the intermediate C3 instead of the intermediate C1 (29 g, 48% yield).
(3) 중간체 D3의 제조(3) Preparation of intermediate D3
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1c를 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D3를 제조하였다 (수율 91 %).The intermediate D3 was prepared in the same manner as the intermediate D1, except that the intermediate 2-1c was used instead of the intermediate 2-1a (yield 91%).
제조예 2-4: 중간체 C4 및 D4의 합성Preparation Example 2-4: Synthesis of Intermediates C4 and D4
(1) 중간체 C4의 제조(1) Preparation of intermediate C4
벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산 대신 (2,4-다이하이드로헥실벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 중간체 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C4를 제조하였다 (21 g, 수율 50 %).Except for using (2,4-dihydrohexylbenzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-yl)boronic acid instead of benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid And the intermediate C4 was prepared in the same manner as the intermediate C1 (21 g, yield 50%).
(2) 중간체 2-1d의 제조(2) Preparation of intermediate 2-1d
중간체 C1 대신 중간체 C4를 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1d를 제조하였다 (25 g, 수율 48 %).The intermediate 2-1d was prepared in the same manner as the intermediate 2-1a except for using the intermediate C4 instead of the intermediate C1 (25 g, 48% yield).
(3) 중간체 D4의 제조(3) Preparation of intermediate D4
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1d를 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D4를 제조하였다 (수율 70 %).The intermediate D4 was prepared in the same manner as the intermediate D1, except for using the intermediate 2-1d instead of the intermediate 2-1a (yield 70%).
제조예 2-5: 중간체 C5 및 D5의 합성Preparation Example 2-5: Synthesis of Intermediates C5 and D5
(1) 중간체 C5의 제조(1) Preparation of intermediate C5
2-브로모피리미딘 대신 중간체 2-브로모-4-아이소프로필피리미딘을 사용한 것을 제외하고 중간체 C2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C5를 제조하였다 (48 g, 수율 51 %).Intermediate C5 was prepared in the same manner as the method of preparing Intermediate C2, except that the intermediate 2-bromo-4-isopropylpyrimidine was used instead of 2-bromopyrimidine (48 g, yield 51%).
(2) 중간체 2-1e의 제조(2) Preparation of Intermediate 2-1e
중간체 C1 대신 중간체 C5를 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1e를 제조하였다 (35 g, 수율 41 %).The intermediate 2-1e was prepared in the same manner as the intermediate 2-1a, except that intermediate C5 was used instead of intermediate C1 (35 g, yield 41%).
(3) 중간체 D5의 제조(3) Preparation of intermediate D5
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1e를 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D5를 제조하였다 (수율 69%).The intermediate D5 was prepared in the same manner as the intermediate D1, except that the intermediate 2-1e was used instead of the intermediate 2-1a (yield 69%).
제조예 2-6: 중간체 C6 및 D6의 합성Preparation Example 2-6: Synthesis of Intermediates C6 and D6
(1) 중간체 2-1f의 제조(1) Preparation of intermediate 2-1f
둥근 바닥 플라스크에 6-브로모-4-메틸벤조퓨로[2,3-d]피리미딘(28 g), 4,4,5,5-테트라메틸-[1,2,3]-다이옥사보로레인(4,4,5,5,-tetramethyl-[1,2,3]-dioxaborolane)(1.5 eq), Pd(dppf)Cl2(3 mol%), 포타슘 아세테이트(potassium acetate)(3 eq)을 다이옥세인(300 ml)에 녹인 후 12 시간 동안 80 ℃에서 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고, 용매를 감압 농축하였다. 이 농축액을 클로로포름(CHCl3)에 녹인 후 물로 씻어주고, 생성물이 녹아있는 용액을 감압 농축하면서 에탄올(ethanol)에 침전시켜 화합물 2-1f를 제조하였다. (28 g, 수율 84 %)6-Bromo-4-methylbenzofuro[2,3-d]pyrimidine (28 g), 4,4,5,5-tetramethyl-[1,2,3]-dioxabo in a round bottom flask Lorraine (4,4,5,5,-tetramethyl-[1,2,3]-dioxaborolane) (1.5 eq), Pd(dppf)Cl 2 (3 mol%), potassium acetate (3 eq) Was dissolved in dioxane (300 ml) and stirred with heating at 80° C. for 12 hours. The temperature was lowered to room temperature, and the solvent was concentrated under reduced pressure. The concentrate was dissolved in chloroform (CHCl 3 ) and washed with water, and the solution in which the product was dissolved was concentrated under reduced pressure and precipitated in ethanol to prepare compound 2-1f. (28 g, 84% yield)
(2) 중간체 C6의 제조(2) Preparation of intermediate C6
벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산 대신 중간체 2-1f를 사용한 것을 제외하고 중간체 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C6를 제조하였다(27 g, 수율 70 %).Intermediate C6 was prepared in the same manner as the method of preparing Intermediate C1, except that Intermediate 2-1f was used instead of benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid (27 g, yield 70 %).
(2) 중간체 2-1g의 제조(2) Preparation of intermediate 2-1g
중간체 C1 대신 중간체 C6를 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1g를 제조하였다 (29 g, 수율 41 %).The intermediate 2-1g was prepared in the same manner as the intermediate 2-1a except that intermediate C6 was used instead of intermediate C1 (29 g, yield 41%).
(3) 중간체 D6의 제조(3) Preparation of intermediate D6
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1g를 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D6를 제조하였다 (수율 72 %).The intermediate D6 was prepared in the same manner as the intermediate D1, except that intermediate 2-1g was used instead of intermediate 2-1a (yield 72%).
제조예 2-7: 중간체 C7 및 D7의 합성Preparation Example 2-7: Synthesis of Intermediates C7 and D7
(1) 중간체 C7의 제조(1) Preparation of intermediate C7
벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산 대신 (2,4-다이메틸벤조 [4,5]싸이에노[2,3-d]피리미딘-8-일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 중간체 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C7을 제조하였다 (54 g, 수율 52 %).Instead of benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid (2,4-dimethylbenzo[4,5]thieno[2,3-d]pyrimidin-8-yl)boro The intermediate C7 was prepared in the same manner as the intermediate C1 except that nitric acid was used (54 g, yield 52%).
(2) 중간체 2-1h의 제조(2) Preparation of intermediate 2-1h
중간체 C1 대신 중간체 C7을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1h를 제조하였다 (25 g, 수율 58 %).Intermediate 2-1h was prepared in the same manner as the method of preparing Intermediate 2-1a, except that Intermediate C7 was used instead of Intermediate C1 (25 g, yield 58%).
(3) 중간체 D7의 제조(3) Preparation of intermediate D7
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1h를 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D7을 제조하였다 (수율 85 %).The intermediate D7 was prepared in the same manner as the intermediate D1, except that the intermediate 2-1h was used instead of the intermediate 2-1a (yield 85%).
제조예 2-8: 중간체 C8 및 D8의 합성Preparation Example 2-8: Synthesis of Intermediates C8 and D8
(1) 중간체 C8의 제조(1) Preparation of intermediate C8
벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산 대신 (2,4-다이사이클로펜틸벤조[4,5]싸이에노[2,3-d]피리미딘-8-일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 중간체 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C8을 제조하였다 (23 g, 수율 68 %).Instead of benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid (2,4-dicyclopentylbenzo[4,5]thieno[2,3-d]pyrimidin-8-yl) The intermediate C8 was prepared in the same manner as the intermediate C1 except that boronic acid was used (23 g, yield 68%).
(2) 중간체 2-1i의 제조(2) Preparation of Intermediate 2-1i
중간체 C1 대신 중간체 C8을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1i를 제조하였다 (29 g, 수율 48 %).The intermediate 2-1i was prepared in the same manner as the intermediate 2-1a except for using the intermediate C8 instead of the intermediate C1 (29 g, yield 48%).
(3) 중간체 D8의 제조(3) Preparation of intermediate D8
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1i를 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D8를 제조하였다 (수율 57 %).The intermediate D8 was prepared in the same manner as the intermediate D1, except that the intermediate 2-1i was used instead of the intermediate 2-1a (yield 57%).
제조예 2-9: 중간체 C9 및 D9의 합성Preparation Example 2-9: Synthesis of Intermediates C9 and D9
(1) 중간체 C9의 제조(1) Preparation of intermediate C9
벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산 대신 (2,4-다이아이소프로필-9-페닐-9H-피리미도[4,5-b]인돌-8-일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 중간체 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C9를 제조하였다(28 g, 수율 75 %).Instead of benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid (2,4-diisopropyl-9-phenyl-9H-pyrimido[4,5-b]indol-8-yl)boro The intermediate C9 was prepared in the same manner as the intermediate C1 except that nitric acid was used (28 g, 75% yield).
(2) 중간체 2-1j의 제조(2) Preparation of intermediate 2-1j
중간체 C1 대신 중간체 C9를 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1j를 제조하였다 (35 g, 수율 58 %).The intermediate 2-1j was prepared in the same manner as the intermediate 2-1a, except that intermediate C9 was used instead of intermediate C1 (35 g, yield 58%).
(3) 중간체 D9의 제조(3) Preparation of intermediate D9
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1j를 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D9 를 제조하였다 (수율 70 %).The intermediate D9 was prepared in the same manner as the intermediate D1, except that the intermediate 2-1j was used instead of the intermediate 2-1a (yield 70%).
제조예 2-10: 중간체 C10 및 D10의 합성Preparation Example 2-10: Synthesis of Intermediates C10 and D10
(1) 중간체 C10의 제조(1) Preparation of intermediate C10
벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산 대신 벤조퓨로[3,2-d]피리미딘-6-일보로닉산을 사용한 것을 제외하고 중간체 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 중간체 C10을 제조하였다(62 g, 수율 78 %).Same as the method of preparing Intermediate C1 except for using benzofuro[3,2-d]pyrimidin-6-ylboronic acid instead of benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid Intermediate C10 was prepared by the method (62 g, yield 78%).
(2) 중간체 2-1k의 제조(2) Preparation of intermediate 2-1k
중간체 C1 대신 중간체 C10을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1k를 제조하였다 (58 g, 수율 49 %).The intermediate 2-1k was prepared in the same manner as the intermediate 2-1a, except that intermediate C10 was used instead of intermediate C1 (58 g, yield 49%).
(3) 중간체 D10의 제조(3) Preparation of intermediate D10
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1k를 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D10을 제조하였다 (수율 87 %).Intermediate D10 was prepared in the same manner as the method of preparing Intermediate D1, except that Intermediate 2-1k was used instead of Intermediate 2-1a (yield 87%).
제조예 2-11: 중간체 C11 및 D11의 합성Preparation Example 2-11: Synthesis of Intermediates C11 and D11
(1) 중간체 C11의 제조(1) Preparation of intermediate C11
벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산 대신 (2,4-다이메틸벤조퓨로[3,2-d]피리미딘-6-일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 중간체 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C11를 제조하였다 (54 g, 수율 52 %).Except for using (2,4-dimethylbenzofuro[3,2-d]pyrimidin-6-yl)boronic acid instead of benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid The intermediate C11 was prepared in the same manner as the intermediate C1 (54 g, 52% yield).
(2) 중간체 2-1l의 제조(2) Preparation of intermediate 2-1l
중간체 C1 대신 중간체 C11을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1l을 제조하였다 (33 g, 수율 48 %).Intermediate 2-1l was prepared in the same manner as the method of preparing Intermediate 2-1a, except for using Intermediate C11 instead of Intermediate C1 (33 g, yield 48%).
(3) 중간체 D11의 제조(3) Preparation of intermediate D11
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1l을 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D11을 제조하였다 (수율 81 %).The intermediate D11 was prepared in the same manner as the intermediate D1, except that the intermediate 2-1l was used instead of the intermediate 2-1a (yield 81%).
제조예 2-12: 중간체 C12 및 D12의 합성Preparation Example 2-12: Synthesis of Intermediates C12 and D12
(1) 중간체 C12의 제조(1) Preparation of intermediate C12
벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산 대신 (2,4-다이아이소프로필[3,2-d]피리미딘-6-일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 중간체 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C12를 제조하였다 (42 g, 수율 49 %).Intermediate C1, except that (2,4-diisopropyl[3,2-d]pyrimidin-6-yl)boronic acid was used instead of benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid The intermediate C12 was prepared in the same manner as in the method of preparing (42 g, 49% yield).
(2) 중간체 2-1m의 제조(2) Preparation of intermediate 2-1m
중간체 C1 대신 중간체 C12를 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1m을 제조하였다 (29 g, 수율 48 %).The intermediate 2-1m was prepared in the same manner as the intermediate 2-1a except that intermediate C12 was used instead of intermediate C1 (29 g, yield 48%).
(3) 중간체 D12의 제조(3) Preparation of intermediate D12
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1m을 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D12를 제조하였다 (수율 90 %).The intermediate D12 was prepared in the same manner as the intermediate D1, except that the intermediate 2-1m was used instead of the intermediate 2-1a (yield 90%).
제조예 2-13: 중간체 C13 및 D13의 합성Preparation Example 2-13: Synthesis of Intermediates C13 and D13
(1) 중간체 C13의 제조(1) Preparation of intermediate C13
벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산 대신 (2,4-다이사이클로헥실벤조퓨로[3,2-d]피리미딘-8-일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 중간체 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C13을 제조하였다(21 g, 수율 50 %)Except for using (2,4-dicyclohexylbenzofuro[3,2-d]pyrimidin-8-yl)boronic acid instead of benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid And the intermediate C13 was prepared in the same manner as the intermediate C1 (21 g, yield 50%).
(2) 중간체 2-1n의 제조(2) Preparation of intermediate 2-1n
중간체 C1 대신 중간체 C13을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1n을 제조하였다(28 g, 수율 48 %).Intermediate 2-1n was prepared in the same manner as the method of preparing Intermediate 2-1a, except that Intermediate C13 was used instead of Intermediate C1 (28 g, yield 48%).
(3) 중간체 D13의 제조(3) Preparation of intermediate D13
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1n을 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D13을 제조하였다(수율 81 %).The intermediate D13 was prepared in the same manner as the intermediate D1, except that the intermediate 2-1n was used instead of the intermediate 2-1a (yield 81%).
제조예 2-14: 중간체 C14 및 D14의 합성Preparation Example 2-14: Synthesis of Intermediates C14 and D14
(1) 중간체 C14의 제조 (1) Preparation of intermediate C14
2-브로모피리미딘 대신 중간체 2-브로모-4-아이소프로필피리미딘을, 벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산 대신 (2,4-다이메틸벤조퓨로[3,2-d]피리미딘-6-yl)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 중간체 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C14를 제조하였다(36 g, 수율 51 %).Instead of 2-bromopyrimidine, the intermediate 2-bromo-4-isopropylpyrimidine was substituted for benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid (2,4-dimethylbenzofuro Intermediate C14 was prepared in the same manner as the method of preparing Intermediate C1, except that [3,2-d]pyrimidine-6-yl)boronic acid was used (36 g, yield 51%).
(2) 중간체 2-1o의 제조(2) Preparation of Intermediate 2-1o
중간체 C1 대신 중간체 C14를 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1o를 제조하였다(35 g, 수율 65 %).The intermediate 2-1o was prepared in the same manner as the intermediate 2-1a except for using the intermediate C14 instead of the intermediate C1 (35 g, yield 65%).
(3) 중간체 D14의 제조(3) Preparation of intermediate D14
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1o를 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D14를 제조하였다 (수율 63 %).The intermediate D14 was prepared in the same manner as the intermediate D1, except for using the intermediate 2-1o instead of the intermediate 2-1a (yield 63%).
제조예 2-15: 중간체 C15 및 D15의 화합물 합성Preparation Example 2-15: Synthesis of compounds of intermediates C15 and D15
(1) 중간체 2-1p의 제조(1) Preparation of intermediate 2-1p
6-브로모-2,4-다이메틸벤조퓨로[2,3-d]피리미딘 대신 8-브로모-2,4-다이메틸벤조퓨로[3,2-d]피리미딘을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1f를 제조한 것과 동일한 방법으로 중간체 2-1p를 제조하였다(38 g, 수율 84 %).Using 8-bromo-2,4-dimethylbenzofuro[3,2-d]pyrimidine instead of 6-bromo-2,4-dimethylbenzofuro[2,3-d]pyrimidine Intermediate 2-1p was prepared in the same manner as for preparing Intermediate 2-1f except (38 g, 84% yield).
(2) 중간체 C15의 제조(2) Preparation of intermediate C15
중간체 2-1f 대신 중간체 2-1p를 사용한 것을 제외하고 중간체 C6를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C15를 제조하였다 (42 g, 수율 84 %).Intermediate C15 was prepared in the same manner as in the method of preparing Intermediate C6, except that Intermediate 2-1p was used instead of Intermediate 2-1f (42 g, 84% yield).
(2) 중간체 2-1q의 제조(2) Preparation of Intermediate 2-1q
중간체 C6 대신 중간체 C15를 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1g를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1q를 제조하였다 (45 g, 수율 62 %).The intermediate 2-1q was prepared in the same manner as the intermediate 2-1g except that intermediate C15 was used instead of intermediate C6 (45 g, yield 62%).
(3) 중간체 D15의 제조(3) Preparation of intermediate D15
중간체 2-1g 대신 중간체 2-1q를 사용한 것을 제외하고 중간체 D6를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D15를 제조하였다(수율 82 %).Intermediate D15 was prepared in the same manner as the method of preparing Intermediate D6, except that Intermediate 2-1q was used instead of Intermediate 2-1g (yield 82%).
제조예 2-16: 중간체 C16 및 D16의 합성Preparation Example 2-16: Synthesis of Intermediates C16 and D16
(1) 중간체 C16의 제조(1) Preparation of intermediate C16
벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산 대신 (2,4-다이메틸벤조[4,5]싸이에노[3,2-d]피리딘-6-일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 중간체 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C16을 제조하였다(54 g, 수율 52 %).Instead of benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid (2,4-dimethylbenzo[4,5]thieno[3,2-d]pyridin-6-yl)boronic acid The intermediate C16 was prepared in the same manner as the method of preparing the intermediate C1 except for using (54 g, 52% yield).
(2) 중간체 2-1r의 제조(2) Preparation of intermediate 2-1r
중간체 C1 대신 중간체 C16을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1r을 제조하였다(25 g, 수율 58 %).The intermediate 2-1r was prepared in the same manner as the intermediate 2-1a, except that intermediate C16 was used instead of intermediate C1 (25 g, yield 58%).
(3) 중간체 D16의 제조(3) Preparation of intermediate D16
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1r을 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D16을 제조하였다 (수율 82 %).The intermediate D16 was prepared in the same manner as the intermediate D1, except that the intermediate 2-1r was used instead of the intermediate 2-1a (yield 82%).
제조예 2-17: 중간체 C17 및 D17의 합성Preparation Example 2-17: Synthesis of Intermediates C17 and D17
(1) 중간체 C17의 제조(1) Preparation of intermediate C17
벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산 대신 중간체 (2,4-다이사이클로벤조[4,5]싸이에노[3,2-d]피리미딘-6-일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 중간체 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C17을 제조하였다(23 g, 수율 68 %).Intermediate instead of benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid (2,4-dicyclobenzo[4,5]thieno[3,2-d]pyrimidin-6-yl) The intermediate C17 was prepared in the same manner as the method of preparing the intermediate C1 except that boronic acid was used (23 g, yield 68%).
(2) 중간체 2-1s의 제조(2) Preparation of Intermediate 2-1s
중간체 C1 대신 중간체 C17을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1s를 제조하였다(29 g, 수율 48 %).The intermediate 2-1s was prepared in the same manner as the intermediate 2-1a, except that intermediate C17 was used instead of intermediate C1 (29 g, yield 48%).
(3) 중간체 D17의 제조(3) Preparation of intermediate D17
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1s를 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D17를 제조하였다(수율 57 %).The intermediate D17 was prepared in the same manner as the intermediate D1, except that the intermediate 2-1s was used instead of the intermediate 2-1a (yield 57%).
제조예 2-18: 중간체 C18 및 D18의 합성Preparation Example 2-18: Synthesis of Intermediates C18 and D18
(1) 중간체 C18의 제조(1) Preparation of intermediate C18
벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산 대신 중간체 (2,4-다이아이소프로필-5-페닐-5H-피리미도[5,4-b]인돌-6-일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 중간체 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C18을 제조하였다(28 g, 수율 75 %).Intermediate instead of benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid (2,4-diisopropyl-5-phenyl-5H-pyrimido[5,4-b]indol-6-yl) The intermediate C18 was prepared in the same manner as the method of preparing the intermediate C1 except that boronic acid was used (28 g, yield 75%).
(2) 중간체 2-1t의 제조(2) Preparation of intermediate 2-1t
중간체 C1 대신 중간체 C18를 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1t를 제조하였다 35 g, 수율 58 %).The intermediate 2-1t was prepared in the same manner as the intermediate 2-1a, except that intermediate C18 was used instead of intermediate C1. 35 g, yield 58%).
(3) 중간체 D18의 제조(3) Preparation of intermediate D18
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1t를 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D18를 제조하였다(수율 70 %).The intermediate D18 was prepared in the same manner as the intermediate D1, except for using the intermediate 2-1t instead of the intermediate 2-1a (yield 70%).
제조예 2-17: 중간체 C19 및 D19의 합성Preparation Example 2-17: Synthesis of Intermediates C19 and D19
(1) 중간체 C19의 제조(1) Preparation of intermediate C19
벤조퓨로[2,3-d]피리미딘-8-일보로닉산 대신 (2,4-다이메틸벤조[4,5]셀레노페노[3,2-d]피리미딘-6-일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 중간체 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C19를 제조하였다(31 g, 수율 82 %).Instead of benzofuro[2,3-d]pyrimidin-8-ylboronic acid (2,4-dimethylbenzo[4,5]selenopheno[3,2-d]pyrimidin-6-yl)boro The intermediate C19 was prepared in the same manner as the intermediate C1 except that nitric acid was used (31 g, 82% yield).
(2) 중간체 2-1u의 제조(2) Preparation of intermediate 2-1u
중간체 C1 대신 중간체 C19를 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1u를 제조하였다(44 g, 수율 67 %).The intermediate 2-1u was prepared in the same manner as the intermediate 2-1a except that intermediate C19 was used instead of intermediate C1 (44 g, yield 67%).
(3) 중간체 D19의 제조(3) Preparation of intermediate D19
중간체 2-1a 대신 중간체 2-1u를 사용한 것을 제외하고 중간체 D1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D19를 제조하였다 (수율 79 %).The intermediate D19 was prepared in the same manner as the intermediate D1 except for using the intermediate 2-1u instead of the intermediate 2-1a (yield 79%).
제조예 3Manufacturing Example 3
제조예 3-1: 화합물 1의 합성Preparation Example 3-1: Synthesis of
질소 분위기에서 화합물 B1(20 g)과 화합물 C1(2.5eq), 메탄올(methanol) 200 ml 및 에탄올(ethnol) 200 ml를 넣고 반응온도 70 ℃에서 48시간 동안 가열 교반하였다. 반응 종료 후 필터하고 에탄올로 씻어준 후 헥산(hexane)과 메탄올(methyl achohol)을 100:1의 부피비로 혼합한 용액으로 컬럼크로마토그래피하여 화합물 1을 제조하였다 (수율 35%).In a nitrogen atmosphere, compound B1 (20 g), compound C1 (2.5 eq), methanol (methanol) 200 ml, and ethanol (ethnol) 200 ml were added and heated and stirred at a reaction temperature of 70° C. for 48 hours. After the reaction was completed, the mixture was filtered, washed with ethanol, and then subjected to column chromatography using a solution in which hexane and methanol were mixed in a volume ratio of 100:1 to prepare compound 1 (yield 35%).
MS: [M+H]+ = 748.16MS: [M+H] + = 748.16
제조예 3-2: 화합물 2의 합성Preparation Example 3-2: Synthesis of
중간체 C1 대신 중간체 C2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 2를 제조하였다 (수율 49%).
MS: [M+H]+ = 776.19MS: [M+H] + = 776.19
제조예 3-3: 화합물 3의 합성Preparation Example 3-3: Synthesis of
중간체 C1 대신 중간체 C3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 3을 제조하였다 (수율 55 %).
MS: [M+H]+ = 832.25MS: [M+H] + = 832.25
제조예 3-4: 화합물 4의 합성Preparation Example 3-4: Synthesis of
중간체 C1 대신 중간체 C4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 4를 제조하였다 (수율 52 %).
MS: [M+H]+ = 912.32MS: [M+H] + = 912.32
제조예 3-5 : 화합물 5의 합성Preparation Example 3-5: Synthesis of
중간체 C1 대신에 C5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 5를 제조하였다 (수율 44 %).
MS: [M+H]+ = 818.24MS: [M+H] + = 818.24
제조예 3-6 : 화합물 6의 합성Preparation Example 3-6: Synthesis of
중간체 C1 대신 중간체 C6를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 6을 제조하였다 (수율 55 %).
MS: [M+H]+ = 756.19MS: [M+H] + = 756.19
제조예 3-7 : 화합물 7의 합성Preparation Example 3-7: Synthesis of
중간체 C1 대신 중간체 C7을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 7을 제조하였다 (수율 49 %).
MS: [M+H]+ = 792.17MS: [M+H] + = 792.17
제조예 3-8 : 화합물 8의 합성Preparation Example 3-8: Synthesis of
중간체 C1 대신 중간체 C8을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 8을 제조하였다 (수율 51 %).
MS: [M+H]+ = 900.26MS: [M+H] + = 900.26
제조예 3-9 : 화합물 9의 합성Preparation Example 3-9: Synthesis of
중간체 C1 대신에 C9를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 9를 제조하였다(수율 45 %).
MS: [M+H]+ = 907.3MS: [M+H] + = 907.3
제조예 3-10: 화합물 10의 합성Preparation Example 3-10: Synthesis of Compound 10
중간체 B1 대신 중간체 B2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 10을 제조하였다(수율 42 %).Compound 10 was prepared in the same manner as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 776.19MS: [M+H] + = 776.19
제조예 3-11: 화합물 11의 합성Preparation Example 3-11: Synthesis of Compound 11
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C1 대신 중간체 C2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 11을 제조하였다 (수율 53 %).Compound 11 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 804.32MS: [M+H] + = 804.32
제조예 3-12: 화합물 12의 합성Preparation Example 3-12: Synthesis of Compound 12
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C1 대신 중간체 C3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 12를 제조하였다 (수율 50 %).Compound 12 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 860.29MS: [M+H] + = 860.29
제조예 3-13: 화합물 13의 합성Preparation Example 3-13: Synthesis of Compound 13
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C1 대신 중간체 C4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 13을 제조하였다 (수율 52 %).Compound 13 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 940.35MS: [M+H] + = 940.35
제조예 3-14 : 화합물 14의 합성Preparation Example 3-14: Synthesis of Compound 14
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C1 대신에 C5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 14를 제조하였다 (수율 48 %).Compound 14 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 846.27MS: [M+H] + = 846.27
제조예 3-15 : 화합물 15의 합성Preparation Example 3-15: Synthesis of Compound 15
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C1 대신 중간체 C6를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 15를 제조하였다 (수율 59 %).Compound 15 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 804.22MS: [M+H] + = 804.22
제조예 3-16 : 화합물 16의 합성Preparation Example 3-16: Synthesis of Compound 16
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C1 대신 중간체 C7을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 16을 제조하였다 (수율 49 %).Compound 16 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 820.2MS: [M+H] + = 820.2
제조예 3-17 : 화합물 17의 합성Preparation Example 3-17: Synthesis of Compound 17
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C1 대신 중간체 C8을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 17을 제조하였다 (수율 51 %).Compound 17 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 928.29MS: [M+H] + = 928.29
제조예 3-18 : 화합물 18의 합성Preparation Example 3-18: Synthesis of Compound 18
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C1 대신에 C9를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 18을 제조하였다 (수율 45%).Compound 18 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 935.33MS: [M+H] + = 935.33
제조예 3-19: 화합물 19의 합성Preparation Example 3-19: Synthesis of Compound 19
중간체 B1 대신 중간체 B3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 19를 제조하였다 (수율 42 %).Compound 19 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 782.23MS: [M+H] + = 782.23
제조예 3-20: 화합물 20의 합성Preparation Example 3-20: Synthesis of Compound 20
중간체 B1 대신 중간체 B3를, 중간체 C1 대신 중간체 C2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 20을 제조하였다 (수율 53 %).Compound 20 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 810.26MS: [M+H] + = 810.26
제조예 3-21: 화합물 21의 화합물 합성Preparation Example 3-21: Synthesis of Compound 21
중간체 B1 대신 중간체 B3를, 중간체 C2 대신 중간체 C3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 21을 제조하였다 (수율 50 %).Compound 21 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 866.32MS: [M+H] + = 866.32
제조예 3-22: 화합물 22의 합성Preparation Example 3-22: Synthesis of Compound 22
중간체 B1 대신 중간체 B3를, 중간체 C1 대신 중간체 C4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 22를 제조하였다 (수율 52 %).Compound 22 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 945.39MS: [M+H] + = 945.39
제조예 3-23 : 화합물 23의 합성Preparation Example 3-23: Synthesis of Compound 23
중간체 B1 대신 중간체 B3를, 중간체 C1 대신에 C5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 23을 제조하였다 (수율 48 %).Compound 23 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ =852.31MS: [M+H] + =852.31
제조예 3-24 : 화합물 24의 합성Preparation Example 3-24: Synthesis of Compound 24
중간체 B1 대신 중간체 B3를, 중간체 C1 대신 중간체 C6를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 24를 제조하였다 (수율 59 %).Compound 24 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 820.26MS: [M+H] + = 820.26
제조예 3-25 : 화합물 25의 합성Preparation Example 3-25: Synthesis of Compound 25
중간체 B1 대신 중간체 B3을, 중간체 C1 대신 중간체 C7을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 25를 제조하였다 (수율 49 %).Compound 25 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 826.24MS: [M+H] + = 826.24
제조예 3-26 : 화합물 26의 합성Preparation Example 3-26: Synthesis of Compound 26
중간체 B1 대신 중간체 B3을, 중간체 C1 대신 중간체 C8을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 26을 제조하였다 (수율 51 %).Compound 26 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 934.33MS: [M+H] + = 934.33
제조예 3-27 : 화합물 27의 합성Preparation Example 3-27: Synthesis of Compound 27
중간체 B1 대신 중간체 B3을, 중간체 C1 대신에 C9를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 27을 제조하였다 (수율 45 %).Compound 27 was prepared in the same manner as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 950.37MS: [M+H] + = 950.37
제조예 3-28: 화합물 28의 합성Preparation Example 3-28: Synthesis of Compound 28
중간체 B1 대신 중간체 B4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 28을 제조하였다 (수율 42 %).Compound 28 was prepared by the same method as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 816.3MS: [M+H] + = 816.3
제조예 3-29: 화합물 29의 합성Preparation Example 3-29: Synthesis of Compound 29
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C1 대신 중간체 C2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 29를 제조하였다 (수율 53 %).Compound 29 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 843.33MS: [M+H] + = 843.33
제조예 3-30: 화합물 30의 합성Preparation Example 3-30: Synthesis of Compound 30
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C2 대신 중간체 C3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 30을 제조하였다 (수율 50 %).Compound 30 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 900.39MS: [M+H] + = 900.39
제조예 3-31: 화합물 31의 합성Preparation Example 3-31: Synthesis of Compound 31
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C1 대신 중간체 C4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 31을 제조하였다 (수율 52 %).Compound 31 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 980.46MS: [M+H] + = 980.46
제조예 3-32: 화합물 32의 합성Preparation Example 3-32: Synthesis of Compound 32
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C1 대신에 중간체 C5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 32를 제조하였다 (수율 48 %).Compound 32 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 886.38MS: [M+H] + = 886.38
제조예 3-33 : 화합물 33의 합성Preparation Example 3-33: Synthesis of Compound 33
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C1 대신 중간체 C6를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 33을 제조하였다 (수율 59 %).Compound 33 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 844.33MS: [M+H] + = 844.33
제조예 3-34 : 화합물 34의 합성Preparation Example 3-34: Synthesis of Compound 34
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C1 대신 중간체 C7을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 34를 제조하였다 (수율 49 %).Compound 34 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 886.38MS: [M+H] + = 886.38
제조예 3-35 : 화합물 35의 합성Preparation Example 3-35: Synthesis of Compound 35
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C1 대신 중간체 C8을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 35를 제조하였다 (수율 51 %).Compound 35 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 968.4MS: [M+H] + = 968.4
제조예 3-36 : 화합물 36의 합성Preparation Example 3-36: Synthesis of Compound 36
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C1 대신에 C9를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 36을 제조하였다 (수율 45 %).Compound 36 was prepared in the same manner as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 975.44MS: [M+H] + = 975.44
제조예 3-37: 화합물 37의 합성Preparation Example 3-37: Synthesis of Compound 37
중간체 B1 대신 중간체 B5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 37을 제조하였다 (수율 42 %).Compound 37 was prepared in the same manner as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 850.37MS: [M+H] + = 850.37
제조예 3-38: 화합물 38의 합성Preparation Example 3-38: Synthesis of Compound 38
중간체 B1 대신 중간체 B5를, 중간체 C1 대신 중간체 C2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 38을 제조하였다 (수율 53 %).Compound 38 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 878.4MS: [M+H] + = 878.4
제조예 3-39: 화합물 39의 합성Preparation Example 3-39: Synthesis of Compound 39
중간체 B1 대신 중간체 B5를, 중간체 C2 대신 중간체 C3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 39를 제조하였다 (수율 50 %).Compound 39 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 934.46MS: [M+H] + = 934.46
제조예 3-40: 화합물 40의 합성Preparation Example 3-40: Synthesis of Compound 40
중간체 B1 대신 중간체 B5를, 중간체 C1 대신 중간체 C4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 40을 제조하였다 (수율 52 %).Compound 40 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1014.52MS: [M+H] + = 1014.52
제조예 3-41: 화합물 41의 합성Preparation Example 3-41: Synthesis of Compound 41
중간체 B1 대신 중간체 B5를, 중간체 C1 대신에 C5 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 41을 제조하였다 (수율 48 %).Compound 41 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 920.45MS: [M+H] + = 920.45
제조예 3-42 : 화합물 42의 합성Preparation Example 3-42: Synthesis of Compound 42
중간체 B1 대신 중간체 B5를, 중간체 C1 대신 중간체 C6를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 42를 제조하였다 (수율 59 %).Compound 42 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 878.4MS: [M+H] + = 878.4
제조예 3-43 : 화합물 43의 합성Preparation Example 3-43: Synthesis of Compound 43
중간체 B1 대신 중간체 B5를, 중간체 C1 대신 중간체 C7을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 43을 제조하였다 (수율 49 %).Compound 43 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 890.38MS: [M+H] + = 890.38
제조예 3-44 : 화합물 44의 합성Preparation Example 3-44: Synthesis of Compound 44
중간체 B1 대신 중간체 B5를, 중간체 C1 대신 중간체 C8을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 44를 제조하였다 (수율 51 %).Compound 44 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1002.47.MS: [M+H] + = 1002.47.
제조예 3-45 : 화합물 45의 합성Preparation Example 3-45: Synthesis of Compound 45
중간체 B1 대신 중간체 B5를, 중간체 C1 대신에 중간체 C9를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 45를 제조하였다 (수율 45 %).Compound 45 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1009.51MS: [M+H] + = 1009.51
제조예 3-46: 화합물 46의 합성Preparation Example 3-46: Synthesis of Compound 46
중간체 B1 대신 중간체 B6를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 46을 제조하였다 (수율 42 %).Compound 46 was prepared in the same manner as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 912.32MS: [M+H] + = 912.32
제조예 3-47: 화합물 47의 합성Preparation Example 3-47: Synthesis of Compound 47
중간체 B1 대신 중간체 B6를, 중간체 C1 대신 중간체 C2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 47을 제조하였다 (수율 53 %).Compound 47 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 940.35MS: [M+H] + = 940.35
제조예 3-48: 화합물 48의 합성Preparation Example 3-48: Synthesis of Compound 48
중간체 B1 대신 중간체 B6를, 중간체 C1 대신 중간체 C3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 48을 제조하였다 (수율 50 %).Compound 48 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 996.41MS: [M+H] + = 996.41
제조예 3-49: 화합물 49의 합성Preparation Example 3-49: Synthesis of Compound 49
중간체 B1 대신 중간체 B6를, 중간체 C1 대신 중간체 C4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 49를 제조하였다 (수율 52 %).Compound 49 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1076.47MS: [M+H] + = 1076.47
제조예 3-50: 화합물 50의 합성Preparation Example 3-50: Synthesis of Compound 50
중간체 B1 대신 중간체 B6를, 중간체 C1 대신에 중간체 C5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 50을 제조하였다 (수율 48%).Compound 50 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 982.4MS: [M+H] + = 982.4
제조예 3-51 : 화합물 51의 합성Preparation Example 3-51: Synthesis of Compound 51
중간체 B1 대신 중간체 B6를, 중간체 C1 대신 중간체 C6를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 51을 제조하였다 (수율 59 %).Compound 51 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 940.35MS: [M+H] + = 940.35
제조예 3-52 : 화합물 52의 합성Preparation Example 3-52: Synthesis of Compound 52
중간체 B1 대신 중간체 B6를, 중간체 C1 대신 중간체 C7을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 52를 제조하였다 (수율 49 %).Compound 52 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 956.33MS: [M+H] + = 956.33
제조예 3-53 : 화합물 53의 합성Preparation Example 3-53: Synthesis of Compound 53
중간체 B1 대신 중간체 B6를, 중간체 C1 대신 중간체 C8을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 53을 제조하였다 (수율 51 %).Compound 53 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1064.42MS: [M+H] + = 1064.42
제조예 3-54 : 화합물 54의 합성Preparation Example 3-54: Synthesis of Compound 54
중간체 B1 대신 중간체 B6를, 중간체 C1 대신에 C9을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 54를 제조하였다 (수율 45 %).Compound 54 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1071.46MS: [M+H] + = 1071.46
제조예 3-55: 화합물 55의 합성Preparation Example 3-55: Synthesis of Compound 55
중간체 C1 대신 중간체 C10을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 55를 제조하였다 (수율 42 %).Compound 55 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 748.16MS: [M+H] + = 748.16
제조예 3-56: 화합물 56의 합성Preparation Example 3-56: Synthesis of Compound 56
중간체 C1 대신 중간체 C11을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 56을 제조하였다 (수율 53%).Compound 56 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 776.19MS: [M+H] + = 776.19
제조예 3-57: 화합물 57의 합성Preparation Example 3-57: Synthesis of Compound 57
중간체 C1 대신 중간체 C12를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 57을 제조하였다 (수율 50 %).Compound 57 was prepared in the same manner as the method for preparing
MS: [M+H]+ = 832.25MS: [M+H] + = 832.25
제조예 3-58: 화합물 58의 합성Preparation Example 3-58: Synthesis of Compound 58
중간체 C1 대신 중간체 C13을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 58을 제조하였다 (수율 52 %).Compound 58 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 912.32MS: [M+H] + = 912.32
제조예 3-59: 화합물 59의 합성Preparation Example 3-59: Synthesis of Compound 59
중간체 C1 대신에 C14를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 59를 제조하였다 (수율 48 %).Compound 59 was prepared by the same method as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 818.24MS: [M+H] + = 818.24
제조예 3-60 : 화합물 60의 합성Preparation Example 3-60: Synthesis of Compound 60
중간체 C1 대신 중간체 C15를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 60을 제조하였다 (수율 59 ).Compound 60 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 776.19MS: [M+H] + = 776.19
제조예 3-61 : 화합물 61의 합성Preparation Example 3-61: Synthesis of Compound 61
중간체 C1 대신 중간체 C16을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 61을 제조하였다 (수율 49 %).Compound 61 was prepared in the same manner as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 792.17MS: [M+H] + = 792.17
제조예 3-62 : 화합물 62의 합성Preparation Example 3-62: Synthesis of Compound 62
중간체 C1 대신 중간체 C17을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 62를 제조하였다 (수율 51 %).Compound 62 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 900.26MS: [M+H] + = 900.26
제조예 3-63 : 화합물 63의 합성Preparation Example 3-63: Synthesis of Compound 63
중간체 C1 대신에 C18을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 63을 제조하였다 (수율 45 %).Compound 63 was prepared by the same method as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 907.3MS: [M+H] + = 907.3
제조예 3-64 : 화합물 64의 합성Preparation Example 3-64: Synthesis of Compound 64
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C1 대신에 C10을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 64를 제조하였다 (수율 42 %).Compound 64 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 776.19MS: [M+H] + = 776.19
제조예 3-65: 화합물 65의 합성Preparation Example 3-65: Synthesis of Compound 65
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C1 대신에 C11을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 65를 제조하였다 (수율 53 %).Compound 65 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 804.32MS: [M+H] + = 804.32
제조예 3-66: 화합물 66의 합성Preparation Example 3-66: Synthesis of Compound 66
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C2 대신 중간체 C12를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 66을 제조하였다 (수율 50 %).Compound 66 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 860.29MS: [M+H] + = 860.29
제조예 3-67: 화합물 67의 합성Preparation Example 3-67: Synthesis of Compound 67
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C1 대신 중간체 C13을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 67을 제조하였다 (수율 52 %).Compound 67 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 940.35MS: [M+H] + = 940.35
제조예 3-68: 화합물 68의 합성Preparation Example 3-68: Synthesis of Compound 68
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C1 대신에 C14를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 68을 제조하였다 (수율 48 %).Compound 68 was prepared in the same manner as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 846.27MS: [M+H] + = 846.27
제조예 3-69 : 화합물 69의 합성Preparation Example 3-69: Synthesis of Compound 69
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C1 대신 중간체 C15를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 69를 제조하였다 (수율 59 %).Compound 69 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 804.22MS: [M+H] + = 804.22
제조예 3-70 : 화합물 70의 합성Preparation Example 3-70: Synthesis of Compound 70
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C1 대신 중간체 C16을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 70을 제조하였다 (수율 49 %).Compound 70 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 820.2MS: [M+H] + = 820.2
제조예 3-71 : 화합물 71의 합성Preparation Example 3-71: Synthesis of Compound 71
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C1 대신 중간체 C17을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 71을 제조하였다 (수율 51 %).Compound 71 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 928.29MS: [M+H] + = 928.29
제조예 3-72 : 화합물 72의 합성Preparation Example 3-72: Synthesis of Compound 72
중간체 B1 대신 중간체 B2를, 중간체 C1 대신에 C18을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 72를 제조하였다 (수율 45 %).Compound 72 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 935.33MS: [M+H] + = 935.33
제조예 3-73 : 화합물 73의 합성Preparation Example 3-73: Synthesis of Compound 73
중간체 B1 대신 중간체 B3를, 중간체 C1 대신 중간체 C10을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 73을 제조하였다 (수율 42 %).Compound 73 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 782.23MS: [M+H] + = 782.23
제조예 3-74: 화합물 74의 합성Preparation Example 3-74: Synthesis of Compound 74
중간체 B1 대신 중간체 B3를, 중간체 C1 대신 중간체 C11을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 74를 제조하였다 (수율 53 %).Compound 74 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 810.26MS: [M+H] + = 810.26
제조예 3-75: 화합물 75의 합성Preparation Example 3-75: Synthesis of Compound 75
중간체 B1 대신 중간체 B3를, 중간체 C2 대신 중간체 C12를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 75를 제조하였다 (수율 50 %).Compound 75 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 866.32MS: [M+H] + = 866.32
제조예 3-76: 화합물 76의 합성Preparation Example 3-76: Synthesis of Compound 76
중간체 B1 대신 중간체 B3를, 중간체 C1 대신 중간체 C13을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 76을 제조하였다 (수율 52 %).Compound 76 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 946.49MS: [M+H] + = 946.49
제조예 3-77: 화합물 77의 합성Preparation Example 3-77: Synthesis of Compound 77
중간체 B1 대신 중간체 B3를, 중간체 C1 대신에 C14를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 77을 제조하였다 (수율 48 %).Compound 77 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 852.31MS: [M+H] + = 852.31
제조예 3-78 : 화합물 78의 합성Preparation Example 3-78: Synthesis of Compound 78
중간체 B1 대신 중간체 B3를, 중간체 C1 대신 중간체 C15를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 78을 제조하였다 (수율 59 %).Compound 78 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 810.26MS: [M+H] + = 810.26
제조예 3-79 : 화합물 79의 합성Preparation Example 3-79: Synthesis of Compound 79
중간체 B1 대신 중간체 B3을, 중간체 C1 대신 중간체 C16을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 79를 제조하였다 (수율 49 %).Compound 79 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 826.24MS: [M+H] + = 826.24
제조예 3-80 : 화합물 80의 합성Preparation Example 3-80: Synthesis of Compound 80
중간체 B1 대신 중간체 B3를, 중간체 C1 대신 중간체 C17을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 80을 제조하였다 (수율 51 %).Compound 80 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 933.33MS: [M+H] + = 933.33
제조예 3-81 : 화합물 81의 합성Preparation Example 3-81: Synthesis of Compound 81
중간체 B1 대신 중간체 B3를, 중간체 C1 대신에 C18을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 81을 제조하였다 (수율 45 %).Compound 81 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 941.37MS: [M+H] + = 941.37
제조예 3-82 : 화합물 82의 합성Preparation Example 3-82: Synthesis of Compound 82
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C1 대신 C10을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 82를 제조하였다 (수율 42 %).Compound 82 was prepared in the same manner as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 816.3MS: [M+H] + = 816.3
제조예 3-83: 화합물 83의 합성Preparation Example 3-83: Synthesis of Compound 83
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C1 대신 중간체 C11을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 83을 제조하였다 (수율 53 %).Compound 83 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 844.33MS: [M+H] + = 844.33
제조예 3-84: 화합물 84의 합성Preparation Example 3-84: Synthesis of Compound 84
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C2 대신 중간체 C12를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 84를 제조하였다 (수율 50 %).Compound 84 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 900.39MS: [M+H] + = 900.39
제조예 3-85: 화합물 85의 합성Preparation Example 3-85: Synthesis of Compound 85
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C1 대신 중간체 C13을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 85를 제조하였다 (수율 52 %).Compound 85 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 980.46MS: [M+H] + = 980.46
제조예 3-86: 화합물 86의 합성Preparation Example 3-86: Synthesis of Compound 86
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C1 대신에 C14를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 86을 제조하였다 (수율 48 %).Compound 86 was prepared in the same manner as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 886.38.MS: [M+H] + = 886.38.
제조예 3-87 : 화합물 87의 합성Preparation Example 3-87: Synthesis of Compound 87
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C1 대신 중간체 C15을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 87을 제조하였다 (수율 59 %).Compound 87 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 844.33MS: [M+H] + = 844.33
제조예 3-88 : 화합물 88의 합성Preparation Example 3-88: Synthesis of Compound 88
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C1 대신 중간체 C16을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 88을 제조하였다 (수율 49 %).Compound 88 was prepared in the same manner as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 860.17MS: [M+H] + = 860.17
제조예 3-89 : 화합물 89의 합성Preparation Example 3-89: Synthesis of Compound 89
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C1 대신 중간체 C17을 사용한 것을 제외하고 화합물 1 을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 89를 제조하였다 (수율 51 %).Compound 89 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 886.38MS: [M+H] + = 886.38
제조예 3-90 : 화합물 90의 합성Preparation Example 3-90: Synthesis of Compound 90
중간체 B1 대신 중간체 B4를, 중간체 C1 대신에 C18를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 90을 제조하였다 (수율 45 %).Compound 90 was prepared in the same manner as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 975.44MS: [M+H] + = 975.44
제조예 3-91 : 화합물 91의 합성Preparation Example 3-91: Synthesis of Compound 91
중간체 B1 대신 중간체 B5를 사용하고, 중간체 C1 대신에 중간체 C10을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 91을 제조하였다 (수율 42 %).Compound 91 was prepared in the same manner as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 850.37MS: [M+H] + = 850.37
제조예 3-92: 화합물 92의 합성Preparation Example 3-92: Synthesis of Compound 92
중간체 B1 대신 중간체 B5를, 중간체 C1 대신 중간체 C11을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 92를 제조하였다 (수율 53 %).Compound 92 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 878.4MS: [M+H] + = 878.4
제조예 3-93: 화합물 93의 합성Preparation Example 3-93: Synthesis of Compound 93
중간체 B1 대신 중간체 B5를, 중간체 C2 대신 중간체 C12를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 93을 제조하였다 (수율 50 %).Compound 93 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 934.46MS: [M+H] + = 934.46
제조예 3-94: 화합물 94의 합성Preparation Example 3-94: Synthesis of Compound 94
중간체 B1 대신 중간체 B5를, 중간체 C1 대신 중간체 C13을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 94를 제조하였다 (수율 52 %).Compound 94 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1014.52MS: [M+H] + = 1014.52
제조예 3-95: 화합물 95의 합성Preparation Example 3-95: Synthesis of Compound 95
중간체 B1 대신 중간체 B5를, 중간체 C1 대신에 C14를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 95를 제조하였다 (수율 48 %).Compound 95 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 920.45MS: [M+H] + = 920.45
제조예 3-96 : 화합물 96의 합성Preparation Example 3-96: Synthesis of Compound 96
중간체 B1 대신 중간체 B5를, 중간체 C1 대신 중간체 C15를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 96을 제조하였다 (수율 59%).Compound 96 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 878.4MS: [M+H] + = 878.4
제조예 3-97 : 화합물 97의 합성Preparation Example 3-97: Synthesis of Compound 97
중간체 B1 대신 중간체 B5를, 중간체 C1 대신 중간체 C16을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 97을 제조하였다 (수율 49 %).Compound 97 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 894.38MS: [M+H] + = 894.38
제조예 3-98 : 화합물 98의 합성Preparation Example 3-98: Synthesis of Compound 98
중간체 B1 대신 중간체 B5를, 중간체 C1 대신 중간체 C17을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 98을 제조하였다 (수율 51 %).Compound 98 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1002.47MS: [M+H] + = 1002.47
제조예 3-99 : 화합물 99의 합성Preparation Example 3-99: Synthesis of Compound 99
중간체 B1 대신 중간체 B5를, 중간체 C1 대신에 C18을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 99를 제조하였다 (수율 45 %).Compound 99 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1009.51MS: [M+H] + = 1009.51
제조예 3-100 : 화합물 100의 합성Preparation Example 3-100: Synthesis of Compound 100
중간체 B1 대신 중간체 B6를 사용하고, 중간체 C1 대신 중간체 C10을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 100을 제조하였다 (수율 42 %).Compound 100 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 912.32MS: [M+H] + = 912.32
제조예 3-101: 화합물 101의 합성Preparation Example 3-101: Synthesis of Compound 101
중간체 B1 대신 중간체 B6을, 중간체 C1 대신 중간체 C11를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 101을 제조하였다 (수율 53 %).Compound 101 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 940.35MS: [M+H] + = 940.35
제조예 3-102: 화합물 102의 합성Preparation Example 3-102: Synthesis of Compound 102
중간체 B1 대신 중간체 B6를, 중간체 C1 대신 중간체 C12를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 102를 제조하였다 (수율 50 %).Compound 102 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 996.41MS: [M+H] + = 996.41
제조예 3-103: 화합물 103의 합성Preparation Example 3-103: Synthesis of Compound 103
중간체 B1 대신 중간체 B6를, 중간체 C1 대신 중간체 C13을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 103을 제조하였다 (수율 52 %).Compound 103 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1076.47MS: [M+H] + = 1076.47
제조예 3-104: 화합물 104의 합성Preparation Example 3-104: Synthesis of Compound 104
중간체 B1 대신 중간체 B6를, 중간체 C1 대신에 C14를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 104를 제조하였다 (수율 48 %).Compound 104 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 982.4MS: [M+H] + = 982.4
제조예 3-105 : 화합물 105의 합성Preparation Example 3-105: Synthesis of Compound 105
중간체 B1 대신 중간체 B6를, 중간체 C1 대신 중간체 C15를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 105를 제조하였다 (수율 59 %).Compound 105 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 940.35MS: [M+H] + = 940.35
제조예 3-106 : 화합물 106의 합성Preparation Example 3-106: Synthesis of Compound 106
중간체 B1 대신 중간체 B6을, 중간체 C1 대신 중간체 C16을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 106을 제조하였다 (수율 49 %).Compound 106 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 956.33MS: [M+H] + = 956.33
제조예 3-107 : 화합물 107의 합성Preparation Example 3-107: Synthesis of Compound 107
중간체 B1 대신 중간체 B6을, 중간체 C1 대신 중간체 C17을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 107을 제조하였다 (수율 51 %).Compound 107 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1064.42MS: [M+H] + = 1064.42
제조예 3-108 : 화합물 108의 화합물 합성Preparation Example 3-108: Synthesis of Compound 108
중간체 B1 대신 중간체 B6을, 중간체 C1 대신에 C18을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 108을 제조하였다 (수율 45 %).Compound 108 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1071.46MS: [M+H] + = 1071.46
제조예 3-109 : 화합물 109의 합성Preparation Example 3-109: Synthesis of Compound 109
중간체 B1 대신 중간체 D1을, 중간체 C1 대신에 중간체 A2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 109를 제조하였다 (수율 45 %).Compound 109 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 854.18MS: [M+H] + = 854.18
제조예 3-110 : 화합물 110의 합성Preparation Example 3-110: Synthesis of Compound 110
중간체 B1 대신 중간체 D2를, 중간체 C1 대신에 중간체 A3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 110을 제조하였다 (수율 45 %).Compound 110 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 913.26MS: [M+H] + = 913.26
제조예 3-111 : 화합물 111의 합성Preparation Example 3-111: Synthesis of Compound 111
중간체 B1 대신 중간체 D3을, 중간체 C1 대신에 중간체 A4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 111을 제조하였다 (수율 45 %).Compound 111 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1042.42MS: [M+H] + = 1042.42
제조예 3-112 : 화합물 112의 합성Preparation Example 3-112: Synthesis of Compound 112
중간체 B1 대신 중간체 D4을, 중간체 C1 대신 중간체 A5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 112를 제조하였다 (수율 49 %).Compound 112 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1219.58MS: [M+H] + = 1219.58
제조예 3-113 : 화합물 113의 합성Preparation Example 3-113: Synthesis of Compound 113
중간체 B1 대신 중간체 D5를, 중간체 C1 대신 중간체 A6를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 113을 제조하였다 (수율 51 %).Compound 113 was prepared in the same manner as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1062.4MS: [M+H] + = 1062.4
제조예 3-114 : 화합물 114의 합성Preparation Example 3-114: Synthesis of Compound 114
중간체 B1 대신 중간체 D6를, 중간체 C1 대신에 중간체 A3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 114를 제조하였다 (수율 45 %).Compound 114 was prepared in the same manner as the method of preparing
MS: [M+H]+ = 913.26MS: [M+H] + = 913.26
제조예 3-115 : 화합물 115의 화합물 합성Preparation Example 3-115: Synthesis of Compound 115
중간체 B1 대신 중간체 D7을, 중간체 C1 대신에 중간체 A4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 115를 제조하였다 (수율 45 %).Compound 115 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 946.27MS: [M+H] + = 946.27
제조예 3-116 : 화합물 116의 합성Preparation Example 3-116: Synthesis of Compound 116
중간체 B1 대신 중간체 D8을, 중간체 C1 대신에 중간체 A5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 116를 제조하였다 (수율 45 %).Compound 116 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1179.49MS: [M+H] + = 1179.49
제조예 3-117 : 화합물 117의 화합물 합성Preparation Example 3-117: Synthesis of Compound 117
중간체 B1 대신 중간체 D9을, 중간체 C1 대신에 중간체 A6를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 117을 제조하였다 (수율 45 %).Compound 117 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 116.48MS: [M+H] + = 116.48
제조예 3-118 : 화합물 118의 화합물 합성Preparation Example 3-118: Synthesis of Compound 118
중간체 B1 대신 중간체 D10을, 중간체 C1 대신 중간체 A3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 118을 제조하였다 (수율 49 %).Compound 118 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 871.21MS: [M+H] + = 871.21
제조예 3-119 : 화합물 119의 합성Preparation Example 3-119: Synthesis of Compound 119
중간체 B1 대신 중간체 D11을, 중간체 C1 대신 중간체 A4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 119를 제조하였다 (수율 51 %).Compound 119 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 930.29MS: [M+H] + = 930.29
제조예 3-120 : 화합물 120의 합성Preparation Example 3-120: Synthesis of Compound 120
중간체 B1 대신 중간체 D12를, 중간체 C1 대신에 중간체 A1을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 120을 제조하였다 (수율 45 ).Compound 120 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1022.37MS: [M+H] + = 1022.37
제조예 3-121 : 화합물 121의 합성Preparation Example 3-121: Synthesis of Compound 121
중간체 B1 대신 중간체 D13을, 중간체 C1 대신에 중간체 A5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 121을 제조하였다 (수율 45 ).Compound 121 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1219.58MS: [M+H] + = 1219.58
제조예 3-122 : 화합물 122의 합성Preparation Example 3-122: Synthesis of Compound 122
중간체 B1 대신 중간체 D14를, 중간체 C1 대신에 중간체 A6를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 122를 제조하였다 (수율 45 %).Compound 122 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1062.4MS: [M+H] + = 1062.4
제조예 3-123 : 화합물 123의 합성Preparation Example 3-123: Synthesis of Compound 123
중간체 B1 대신 중간체 D15를, 중간체 C1 대신에 중간체 A5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 123을 제조하였다 (수율 45 %).Compound 123 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 913.26MS: [M+H] + = 913.26
제조예 3-124 : 화합물 124의 합성Preparation Example 3-124: Synthesis of Compound 124
중간체 B1 대신 중간체 D16을, 중간체 C1 대신에 중간체 A3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 124를 제조하였다 (수율 45 %).Compound 124 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 929.24MS: [M+H] + = 929.24
제조예 3-125 : 화합물 125의 합성Preparation Example 3-125: Synthesis of Compound 125
중간체 B1 대신 중간체 D17을, 중간체 C1 대신에 중간체 A4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 125를 제조하였다 (수율 45 %).Compound 125 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1195.47MS: [M+H] + = 1195.47
제조예 3-126 : 화합물 126의 합성Preparation Example 3-126: Synthesis of Compound 126
중간체 B1 대신 중간체 D18을, 중간체 C1 대신에 중간체 A4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 126을 제조하였다 (수율 45 %).Compound 126 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1210.56MS: [M+H] + = 1210.56
제조예 3-127 : 화합물 127의 합성Preparation Example 3-127: Synthesis of Compound 127
중간체 B1 대신 중간체 D19를, 중간체 C1 대신에 중간체 A4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 127을 제조하였다 (수율 45 %).Compound 127 was prepared in the same manner as in the method of preparing
MS: [M+H]+ = 1058.14MS: [M+H] + = 1058.14
실시예 1Example 1
ITO(indium tin oxide)가 1,300Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with a thin film of 1,300Å of ITO (indium tin oxide) was placed in distilled water dissolved in a detergent and washed with ultrasonic waves. At this time, a product made by Fischer Co. was used as a detergent, and distilled water secondarily filtered with a filter made by Millipore Co. was used as distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, it was repeated twice with distilled water to perform ultrasonic cleaning for 10 minutes. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 화합물 HI-1을 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.Compound HI-1 was thermally vacuum deposited to a thickness of 500Å on the ITO transparent electrode prepared as described above to form a hole injection layer.
상기 정공 주입층 위에 화합물 HT-1을 800Å의 두께로 열 진공 증착하고, 순차적으로 화합물 HT-3를 500Å 두께로 진공 증착하여 제1 및 제2 정공 수송층을 형성하였다. Compound HT-1 was thermally vacuum deposited to a thickness of 800Å on the hole injection layer, and then compound HT-3 was vacuum-deposited to a thickness of 500Å to form first and second hole transport layers.
이어서, 상기 정공 수송층 위에 호스트 H1 및 H2의 혼합물과 인광 도판트로서 상기 제조예에서 합성한 화합물 21을 상기 화합물 H1, H2 및 21의 중량의 합 100 중량부 대비 6 중량부로 진공 증착하여 400Å 두께의 발광층을 형성하였다.Subsequently, on the hole transport layer, the compound 21 synthesized in the preparation example as a mixture of the host H1 and H2 and a phosphorescent dopant was vacuum-deposited at 6 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the compounds H1, H2 and 21 to have a thickness of 400Å. A light emitting layer was formed.
상기 발광층 위에 화합물 ET-3를 50Å의 두께로 진공 증착하여 정공 차단층을 형성하고, 상기 정공 차단층 위에 화합물 ET-4 및 LiQ를 1:1의 중량비로 진공 증착하여 250Å 두께의 전자 수송층을 형성하였다. 상기 전자 수송층 위에 순차적으로 10Å 두께의 리튬 프루라이드(LiF)를 증착하고, 이 위에 1000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.A hole blocking layer was formed by vacuum depositing compound ET-3 on the light emitting layer to a thickness of 50Å, and an electron transport layer having a thickness of 250Å was formed by vacuum depositing compound ET-4 and LiQ on the hole blocking layer at a weight ratio of 1:1. I did. Lithium pruride (LiF) having a thickness of 10Å was sequentially deposited on the electron transport layer, and aluminum was deposited thereon to a thickness of 1000Å to form a negative electrode.
상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.4 Å/sec 내지 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드의 증착 속도는 0.3 Å/sec, 알루미늄의 증착 속도는 2 Å/sec를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1×10-7 torr 내지 5×10-8 torr를 유지하였다.In the above process, the deposition rate of organic material was maintained at 0.4 Å/sec to 0.7 Å/sec, the deposition rate of lithium fluoride at the cathode was 0.3 Å/sec, and the deposition rate of aluminum was maintained at 2 Å/sec. The vacuum degree was maintained between 1×10 -7 torr and 5×10 -8 torr.
실시예 2 내지 20Examples 2 to 20
발광층 형성시 인광 도판트로서 화합물 21 대신 하기 표 1에 기재된 화합물 및 중량부를 각각 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하여 실시예의 유기 발광 소자를 각각 제작하였다When forming the light emitting layer, the organic light emitting device of the Example was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the compound and parts by weight shown in Table 1 below were used instead of Compound 21 as a phosphorescent dopant.
비교예 1-1 내지 1-8Comparative Examples 1-1 to 1-8
발광층 형성시 인광 도판트로서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하여 비교예의 유기 발광 소자를 각각 제작하였다.The organic light emitting device of Comparative Example was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the compound shown in Table 1 below was used instead of
상기 실시예 및 비교예에서 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하여, 전압, 효율, 색좌표, 및 수명을 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. By applying a current to the organic light emitting device manufactured in the above Examples and Comparative Examples, voltage, efficiency, color coordinates, and lifetime were measured, and the results are shown in Table 1 below.
T95는 휘도가 초기 휘도에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.T95 refers to the time it takes for the luminance to decrease to 95% from the initial luminance.
(nm)max
(nm)
(V
@10mA/cm2)Voltage
(V
@10mA/cm 2 )
(cd/A
@10mA/cm2)efficiency
(cd/A
@10mA/cm 2 )
(T95, h,
@50mA/cm2)life span
(T95, h,
@50mA/cm 2 )
상기 표 1에 의하면, 본원의 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용한 소자는 X1 내지 X4 중 N이 0개 또는 1개인 T1 내지 T4 화합물을 사용한 소자에 비하여 저구동전압, 고효율 및 고수명 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다.According to Table 1, the device using the compound represented by
1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공 주입층
6: 정공 수송층
7: 발광층
8: 전자 수송층
9: 정공 차단층1: substrate
2: anode
3: light emitting layer
4: cathode
5: hole injection layer
6: hole transport layer
7: light emitting layer
8: electron transport layer
9: hole blocking layer
Claims (12)
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
X는 NR, O, S 또는 Se이고,
X1은 N 또는 CRa이고, X2는 N 또는 CRb이며, X3는 N 또는 CRc이고, X4는 N 또는 CRd이고, X1 내지 X4 중 2개 이상은 N이며,
R은 아릴기이고,
Ra 내지 Rd는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 알킬기; 중수소로 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 또는 아릴기이고,
R1 내지 R4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 3의 알킬기로 치환 또는 비치환된 실릴기; 중수소로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 시클로알킬기이고,
n은 1 또는 2이고,
a1은 0 내지 4의 정수이고, a1이 2 이상이면 R1은 서로 같거나 상이하며,
a2는 0 내지 2의 정수이고, a2가 2이면 R2는 서로 같거나 상이하며,
a3은 0 내지 4의 정수이고, a3가 2 이상이면 R3는 서로 같거나 상이하며,
a4는 0 내지 4의 정수이고, a4가 2 이상이면 R4는 서로 같거나 상이하다.Organometallic compound represented by the following Formula 1:
[Formula 1]
In Formula 1,
X is NR, O, S or Se,
X1 is N or CRa, X2 is N or CRb, X3 is N or CRc, X4 is N or CRd, and at least two of X1 to X4 are N,
R is an aryl group,
Ra to Rd are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; An alkyl group unsubstituted or substituted with deuterium; A cycloalkyl group unsubstituted or substituted with deuterium; Or an aryl group,
R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A silyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms; An alkyl group unsubstituted or substituted with deuterium; Or a cycloalkyl group,
n is 1 or 2,
a1 is an integer of 0 to 4, and if a1 is 2 or more, R1 is the same as or different from each other,
a2 is an integer of 0 to 2, and if a2 is 2, R2 is the same as or different from each other,
a3 is an integer from 0 to 4, and if a3 is 2 or more, R3 is the same as or different from each other,
a4 is an integer of 0 to 4, and when a4 is 2 or more, R4 is the same as or different from each other.
[화학식 2-A]
[화학식 2-B]
[화학식 2-C]
[화학식 2-D]
[화학식 2-E]
[화학식 2-F]
상기 화학식 2-A 내지 2-F에 있어서,
X, X1 내지 X4, R1 내지 R4, a1 내지 a4 및 n의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.The organometallic compound of claim 1, wherein the formula 1 is represented by any one of the following formulas 2-A to 2-F:
[Formula 2-A]
[Formula 2-B]
[Formula 2-C]
[Formula 2-D]
[Formula 2-E]
[Formula 2-F]
In the formulas 2-A to 2-F,
The definitions of X, X1 to X4, R1 to R4, a1 to a4, and n are as defined in Formula 1.
[화학식 3-A]
상기 화학식 3-A에 있어서,
X, Ra, Rc, R1 내지 R4, a1 내지 a4 및 n의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.The organometallic compound of claim 1, wherein the formula 1 is represented by the following formula 3-A:
[Formula 3-A]
In Formula 3-A,
The definitions of X, Ra, Rc, R1 to R4, a1 to a4, and n are as defined in Formula 1.
[화학식 3-B]
상기 화학식 3-B에 있어서,
X, Rb, Rd, R1 내지 R4, a1 내지 a4 및 n의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.The organometallic compound of claim 1, wherein the formula 1 is represented by the following formula 3-B:
[Formula 3-B]
In Formula 3-B,
The definitions of X, Rb, Rd, R1 to R4, a1 to a4, and n are as defined in Formula 1.
R1 내지 R4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기; 이소프로필기; 시클로헥실기; 또는 메틸기로 치환된 실릴기인 것인 유기 금속 화합물.The method according to claim 1,
R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A methyl group unsubstituted or substituted with deuterium; Isopropyl group; Cyclohexyl group; Or an organometallic compound which is a silyl group substituted with a methyl group.
.The organometallic compound of claim 1, wherein the organometallic compound represented by Formula 1 is any one selected from the following compounds:
.
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