KR102151120B1 - A shared-aperture dual-broadband microstrip patch antenna using a cross patch - Google Patents

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KR102151120B1
KR102151120B1 KR1020190136553A KR20190136553A KR102151120B1 KR 102151120 B1 KR102151120 B1 KR 102151120B1 KR 1020190136553 A KR1020190136553 A KR 1020190136553A KR 20190136553 A KR20190136553 A KR 20190136553A KR 102151120 B1 KR102151120 B1 KR 102151120B1
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김부균
김재현
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숭실대학교 산학협력단
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Abstract

Provided is a dual-broadband microstrip patch antenna of a shared-aperture opening portion using a cross patch, which comprises: an S-band stack patch formed in a cross shape on an upper surface of a first substrate; an S-band radiation patch formed in a cross shape overlapping the S-band stack patch on an upper surface of a second substrate coupled to a lower surface of the first substrate; an S-band antenna including an S-band feed line partially overlapping the S-band stack patch and the S-band radiation patch on an upper surface of a third substrate coupled to a lower surface of the second substrate; a plurality of X-band stack patches arranged in a matrix shape on the upper surface of the first substrate; a plurality of X-band radiation patches arranged in a matrix shape overlapping the X-band stack patches on the upper surface of the third substrate; an X-band antenna including X-band feeding networks formed on a lower surface of a fourth substrate coupling to the lower surface of the third substrate; and a ground plane attached to the upper surface of the fourth substrate and having a plurality of opening portions overlapping common with the X-band stack patches and the X-band radiation patches. Accordingly, a dual-band antenna having broadband characteristics and excellent radiation characteristics can be implemented.

Description

십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나{A SHARED-APERTURE DUAL-BROADBAND MICROSTRIP PATCH ANTENNA USING A CROSS PATCH}Common opening dual broadband microstrip patch antenna using cross patch {A SHARED-APERTURE DUAL-BROADBAND MICROSTRIP PATCH ANTENNA USING A CROSS PATCH}

본 발명은 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 구조가 간단하고 광대역 특성을 가지는 S-대역과 X-대역의 이중 대역에서 동작하는 새로운 공통 개구부 마이크로스트립 패치 안테나에 관한 것이다.The present invention relates to a common opening dual broadband microstrip patch antenna using a cross patch, and more particularly, a new common opening microstrip patch operating in a dual band of S-band and X-band having a simple structure and broadband characteristics. It relates to the antenna.

차세대 안테나는 여러 대역을 이용할 수 있는 안테나가 필요하고 다양한 주파수 비를 제공할 수 있어야 한다. 이에 여러 연구들이 진행되고 있다.Next-generation antennas need an antenna that can use multiple bands and must be able to provide various frequency ratios. Accordingly, several studies are being conducted.

천공된 패치 안테나를 이용한 이중 대역 공통 개구면 안테나도 그 중 하나이다. 천공된 패치를 이용한 공통 개구면 이중 대역 안테나는 두 개의 대역에서 동작하는 안테나를 하나의 안테나 개구면에 구성하여 이중 대역 안테나의 전체적인 물리적 크기를 줄일 수 있다. 이와 같은 구조를 이용한 이중대역 안테나에 관한 많은 연구가 진행되었다.One of them is a dual-band common aperture antenna using a perforated patch antenna. A common aperture dual band antenna using a perforated patch can reduce the overall physical size of the dual band antenna by configuring the antenna operating in two bands on one antenna aperture. Many studies have been conducted on dual-band antennas using such a structure.

그러나, 천공된 패치를 이용한 이중 대역 안테나는 저주파수 대역 안테나인 천공된 패치 안테나의 천공 크기 한계로 인하여 고주파수 대역 안테나의 설계 공간이 제한받는 단점을 가진다. 또한, 구조의 한계로 인하여 동작 대역의 주파수 비를 자유롭게 설계할 수 없다.However, the dual band antenna using the perforated patch has a disadvantage in that the design space of the high frequency band antenna is limited due to the limit of the size of the perforated patch antenna, which is a low frequency band antenna. Also, due to the limitations of the structure, the frequency ratio of the operating band cannot be freely designed.

다른 방법으로, 패치 안테나의 대역폭을 확장하기 위해서 기판의 두께를 증가시키고 낮은 유전상수를 가지는 기판을 이용한 연구가 진행되었다. 이러한 연구를 이용하여 공통 개구면 안테나의 대역폭을 확장하기 위해 유전상수가 1에 가까운 honeycomb 기판을 이용하는 방법이 연구되었다. 이 경우 L-대역에서 6.4% 대역폭을 가졌으면 C-대역에서 7.3%의 대역폭을 가졌다.As another method, in order to extend the bandwidth of the patch antenna, a study was conducted using a substrate having a low dielectric constant and increasing the thickness of the substrate. Using these studies, a method of using a honeycomb substrate with a dielectric constant close to 1 was studied to expand the bandwidth of the common aperture antenna. In this case, if the L-band had 6.4% bandwidth, the C-band had 7.3% bandwidth.

그러나, 유전상수가 1에 가까운 기판은 안테나 제작 공정 중 열 접합 방식을 이용할 수 없어 제작의 복잡성을 증가시킨다. 유전상수가 1인 공기층을 이용하는 경우 방사 패치를 위한 추가 기판이 필요하게 되며 이는 비용을 증가시키는 요인이 된다. 또한, 공기층을 위해 기판과 기판 사이의 구조물이 필요하게 되므로 안테나 구조가 약한 구조를 가질 수밖에 없다.However, a substrate with a dielectric constant close to 1 cannot use the thermal bonding method during the antenna manufacturing process, increasing the manufacturing complexity. When an air layer having a dielectric constant of 1 is used, an additional substrate for the radiation patch is required, which increases the cost. In addition, since a structure between the substrate and the substrate is required for the air layer, the antenna structure is bound to have a weak structure.

이에, 광대역 특성을 가지며 방사특성이 우수한 안테나에 대한 연구가 필요한 실정이다.Accordingly, research on an antenna having broadband characteristics and excellent radiation characteristics is required.

KR 1174825 B1KR 1174825 B1 KR 2000-0020274 AKR 2000-0020274 A JP 2009-89217 AJP 2009-89217 A

이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 광대역 특성을 가지며 방사특성이 우수한 십자 패치를 이용한 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나를 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem of the present invention is conceived in this respect, and an object of the present invention is to provide a dual broadband microstrip patch antenna with a common opening using a cross patch using a cross patch having a broadband characteristic and excellent radiation characteristics.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나는, 제1 기판의 상면에 십자 모양으로 형성된 S-대역 스택 패치; 상기 제1 기판 하면에 결합하는 제2 기판의 상면에 상기 S-대역 스택 패치와 겹쳐지는 십자 모양으로 형성된 S-대역 방사 패치; 및 제2 기판 하면에 결합하는 제3 기판의 상면에 상기 S-대역 스택 패치 및 상기 S-대역 방사 패치와 부분적으로 겹쳐지는 S-대역 급전 선로를 포함하는 S-대역 안테나; 상기 제1 기판의 상면에 매트릭스 형상으로 배치된 복수개의 X-대역 스택 패치; 상기 제3 기판의 상면에 상기 X-대역 스택 패치들과 겹쳐지는 매트릭스 형상으로 배치된 복수개의 X-대역 방사 패치들; 및 상기 제3 기판 하면에 결합하는 제4 기판의 하면에 형성된 X-대역 급전 네트워크를 포함하는 X-대역 안테나; 및 상기 제4 기판의 상면에 부착되고, 상기 X-대역 스택 패치들 및 상기 X-대역 방사 패치들과 공통으로 겹쳐지는 복수개의 개구부가 형성된 접지면을 포함한다.A common opening dual broadband microstrip patch antenna using a cross patch according to an embodiment for realizing the object of the present invention includes: an S-band stack patch formed in a cross shape on an upper surface of a first substrate; An S-band radiation patch formed in a cross shape overlapping the S-band stack patch on an upper surface of a second substrate coupled to a lower surface of the first substrate; And an S-band feed line partially overlapping the S-band stack patch and the S-band radiation patch on an upper surface of a third substrate coupled to a lower surface of the second substrate. A plurality of X-band stack patches arranged in a matrix shape on an upper surface of the first substrate; A plurality of X-band radiation patches arranged in a matrix shape overlapping the X-band stack patches on an upper surface of the third substrate; And an X-band power supply network formed on a lower surface of the fourth substrate coupled to the lower surface of the third substrate. And a ground plane attached to the upper surface of the fourth substrate and having a plurality of openings overlapping in common with the X-band stack patches and the X-band radiation patches.

본 발명의 실시예에서, 상기 S-대역 방사 패치는, 상기 S-대역 스택 패치와 동일 중심을 기준으로 겹치도록 형성되며, 상기 S-대역 방사 패치의 너비는 상기 S-대역 스택 패치와 동일하고, 상기 S-대역 방사 패치의 길이는 상기 S-대역 스택 패치보다 길게 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the S-band radiation patch is formed to overlap with respect to the same center as the S-band stack patch, and the width of the S-band radiation patch is the same as the S-band stack patch, , The length of the S-band radiation patch may be longer than that of the S-band stack patch.

본 발명의 실시예에서, 상기 X-대역 스택 패치들은, 상기 S-대역 스택 패치의 십자 날개 사이들에 2×2 배열로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the X-band stack patches may be formed in a 2×2 arrangement between the cross blades of the S-band stack patch.

본 발명의 실시예에서, 상기 X-대역 방사 패치들은, 각각 상기 X-대역 스택 패치들과 겹쳐지는 2×2 배열로 형성되고, 각 X-대역 방사 패치는 대응하는 각 X-대역 스택 패치보다 크게 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the X-band radiation patches are formed in a 2×2 arrangement overlapping each of the X-band stack patches, and each X-band radiation patch is larger than each corresponding X-band stack patch. It can be largely formed.

본 발명의 실시예에서, 상기 복수개의 개구부들은, 상기 X-대역 스택 패치들 및 상기 X-대역 방사 패치들과 공통으로 겹쳐지는 2×2 배열로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the plurality of openings may be formed in a 2×2 arrangement overlapping in common with the X-band stack patches and the X-band radiation patches.

본 발명의 실시예에서, 상기 복수개의 개구부들은, H 모양으로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the plurality of openings may be formed in an H shape.

본 발명의 실시예에서, 상기 S-대역 급전 선로는, 길이와 폭이 서로 다른 다단의 라인 모양으로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the S-band feed line may be formed in a multi-stage line shape having different lengths and widths.

본 발명의 실시예에서, 상기 X-대역 급전 네트워크는, 하나의 포트로부터 공급되는 전력을 다른 방향으로 분배하는 전력 분배기; 및 상기 전력 분배기로부터 연결되어 반대 방향으로 상기 X-대역 방사 패치들에 급전하기 위한 위상 천이기를 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the X-band power supply network includes: a power divider for distributing power supplied from one port in another direction; And a phase shifter connected from the power divider to feed power to the X-band radiation patches in the opposite direction.

상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나는, 상면에 십자 모양으로 형성된 S-대역 스택 패치와 매트릭스 형상으로 배치된 복수개의 X-대역 스택 패치들이 형성된 제1 기판; 상기 제1 기판 하면에 결합하며, 상면에 상기 S-대역 스택 패치와 겹쳐지는 십자 모양으로 형성된 S-대역 방사 패치가 형성된 제2 기판; 상기 제2 기판 하면에 결합하며, 상면에 상기 S-대역 스택 패치 및 상기 S-대역 방사 패치와 부분적으로 겹쳐지는 S-대역 급전 선로와 상기 X-대역 스택 패치들과 겹쳐지는 매트릭스 형상으로 복수개의 X-대역 방사 패치들이 형성된 제3 기판; 및 상기 제3 기판 하면에 결합하며, 상면에 상기 X-대역 스택 패치들 및 상기 X-대역 방사 패치들과 공통으로 겹쳐지는 복수개의 개구부가 형성된 접지면과 하면에 X-대역 급전 네트워크가 형성된 제4 기판을 포함한다.A dual broadband microstrip patch antenna with a common opening using a cross patch according to an embodiment for realizing another object of the present invention described above includes an S-band stack patch formed in a cross shape on an upper surface and a plurality of X -A first substrate on which band stack patches are formed; A second substrate coupled to a lower surface of the first substrate and having an S-band radiation patch formed on an upper surface thereof in a cross shape overlapping the S-band stack patch; A plurality of matrix shapes that are coupled to the lower surface of the second substrate and overlap the S-band feed line and the X-band stack patches partially overlapping the S-band stack patch and the S-band radiation patch on the upper surface. A third substrate on which X-band radiation patches are formed; And a ground plane coupled to a lower surface of the third substrate and having a plurality of openings overlapping in common with the X-band stack patches and the X-band radiation patches on an upper surface, and an X-band power supply network formed on a lower surface thereof. Includes 4 substrates.

본 발명의 실시예에서, 상기 S-대역 방사 패치는, 상기 S-대역 스택 패치와 동일 중심을 기준으로 겹치도록 형성되며, 상기 S-대역 방사 패치의 너비는 상기 S-대역 스택 패치와 동일하고, 상기 S-대역 방사 패치의 길이는 상기 S-대역 스택 패치보다 길게 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the S-band radiation patch is formed to overlap with respect to the same center as the S-band stack patch, and the width of the S-band radiation patch is the same as the S-band stack patch, , The length of the S-band radiation patch may be longer than that of the S-band stack patch.

본 발명의 실시예에서, 상기 X-대역 스택 패치들은, 상기 S-대역 스택 패치의 십자 날개 사이들에 2×2 배열로 형성되고, 상기 X-대역 방사 패치들은, 각각 상기 X-대역 스택 패치들과 겹쳐지는 2×2 배열로 형성되고, 각 X-대역 방사 패치는 대응하는 각 X-대역 스택 패치보다 크게 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the X-band stack patches are formed in a 2×2 arrangement between the cross blades of the S-band stack patch, and the X-band radiation patches are each of the X-band stack patches. Are formed in a 2x2 arrangement overlapping with each other, and each X-band radiating patch may be formed larger than a corresponding respective X-band stacked patch.

본 발명의 실시예에서, 상기 복수개의 개구부들은, 상기 X-대역 스택 패치들 및 상기 X-대역 방사 패치들과 공통으로 겹쳐지는 2×2 배열로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the plurality of openings may be formed in a 2×2 arrangement overlapping in common with the X-band stack patches and the X-band radiation patches.

본 발명의 실시예에서, 상기 복수개의 개구부들은, H 모양으로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the plurality of openings may be formed in an H shape.

본 발명의 실시예에서, 상기 S-대역 급전 선로는, 길이와 폭이 서로 다른 다단의 라인 모양으로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the S-band feed line may be formed in a multi-stage line shape having different lengths and widths.

본 발명의 실시예에서, 상기 X-대역 급전 네트워크는, 하나의 포트로부터 공급되는 전력을 다른 방향으로 분배하는 전력 분배기; 및 상기 전력 분배기로부터 연결되어 반대 방향으로 상기 X-대역 방사 패치들에 급전하기 위한 위상 천이기를 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the X-band power supply network includes: a power divider for distributing power supplied from one port in another direction; And a phase shifter connected from the power divider to feed power to the X-band radiation patches in the opposite direction.

이와 같은 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나에 따르면, 십자 패치 안테나를 이용하여 이중 대역에서 광대역 특성과 우수한 방사특성을 가지며 사용되는 기판의 개수를 줄임으로써 더 저렴한 비용으로 이중 광대역 안테나를 구현할 수 있다.According to the dual broadband microstrip patch antenna with a common opening using a cross patch, it has broadband characteristics and excellent radiation characteristics in a dual band by using a cross patch antenna, and reduces the number of substrates used to obtain a dual broadband antenna at a lower cost. Can be implemented.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나의 전체 구조도이다.
도 2는 도 1의 제1 기판 상면의 평면도이다.
도 3은 도 1의 제2 기판 상면의 평면도이다.
도 4는 도 1의 제3 기판 상면의 평면도이다.
도 5는 도 1의 제4 기판 상면에 형성된 접지면의 평면도이다.
도 6은 도 1의 제4 기판 하면에 형성된 X-대역 급전 네트워크의 평면도이다.
도 7은 도 1의 S-대역 안테나의 평면도이다.
도 8은 도 1의 S-대역 안테나의 사시도이다.
도 9는 도 1의 X-대역 단위 안테나의 평면도이다.
도 10은 도 1의 X-대역 단위 안테나의 사시도이다.
도 11은 도 6의 X-대역 급전 네트워크의 확대도이다.
1 is an overall structural diagram of a dual broadband microstrip patch antenna with a common opening using a cross patch according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of an upper surface of the first substrate of FIG. 1.
3 is a plan view of an upper surface of the second substrate of FIG. 1.
4 is a plan view of an upper surface of the third substrate of FIG. 1.
5 is a plan view of a ground plane formed on the upper surface of the fourth substrate of FIG. 1.
6 is a plan view of an X-band power supply network formed on a lower surface of the fourth substrate of FIG. 1.
7 is a plan view of the S-band antenna of FIG. 1.
8 is a perspective view of the S-band antenna of FIG. 1.
9 is a plan view of the X-band unit antenna of FIG. 1.
10 is a perspective view of an X-band unit antenna of FIG. 1.
11 is an enlarged view of the X-band power supply network of FIG. 6.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The detailed description of the present invention to be described later refers to the accompanying drawings, which illustrate specific embodiments in which the present invention may be practiced. These embodiments are described in detail sufficient to enable a person skilled in the art to practice the present invention. It is to be understood that the various embodiments of the present invention are different from each other, but need not be mutually exclusive. For example, specific shapes, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the present invention in relation to one embodiment. In addition, it is to be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Accordingly, the detailed description to be described below is not intended to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if appropriately described, is limited only by the appended claims, along with all scopes equivalent to those claimed by the claims. Like reference numerals in the drawings refer to the same or similar functions over several aspects.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나의 전체 구조도이다. 도 2는 도 1의 제1 기판 상면의 평면도이다. 도 3은 도 1의 제2 기판 상면의 평면도이다. 도 4는 도 1의 제3 기판 상면의 평면도이다. 도 5는 도 1의 제4 기판 상면에 형성된 접지면의 평면도이다. 도 6은 도 1의 제4 기판 하면에 형성된 X-대역 급전 네트워크의 평면도이다.1 is an overall structural diagram of a dual broadband microstrip patch antenna with a common opening using a cross patch according to an embodiment of the present invention. 2 is a plan view of an upper surface of the first substrate of FIG. 1. 3 is a plan view of an upper surface of the second substrate of FIG. 1. 4 is a plan view of an upper surface of the third substrate of FIG. 1. 5 is a plan view of a ground plane formed on the upper surface of the fourth substrate of FIG. 1. 6 is a plan view of an X-band power supply network formed on a lower surface of the fourth substrate of FIG. 1.

본 발명에 따른 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나(10, 이하 안테나)는 S-대역 십자 안테나와 2×2 배열로 설계된 X-대역 안테나를 결합한 광대역 공통 개구부 패치 안테나를 결합하여 광대역 특성을 가지며 방사특성이 우수한 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나의 설계방법에 대한 것이다. The common opening dual broadband microstrip patch antenna (10, hereinafter referred to as antenna) using a cross patch according to the present invention is a broadband common opening patch antenna combining an S-band cross antenna and an X-band antenna designed in a 2×2 array. This study describes a design method of a dual broadband microstrip patch antenna with a common opening using a cross patch with excellent radiation characteristics.

구체적으로, S-대역에서 광대역 특성을 가지기 위하여 십자 방사 패치와 십자 스택 패치를 사용하고 급전선로에 임피던스 정합기를 집적한 새로운 S-대역 근접결합 급전 패치 안테나와 X-대역에서 광대역 특성을 가지기 위해 2×2로 배열된 스택 패치와 그 하부에 안테나 패치를 가지는 개구부 결합 급전 X-대역 패치 안테나를 공통 개구부를 가지도록 수직으로 결합한다.Specifically, in order to have broadband characteristics in the S-band, a new S-band close-coupled feed patch antenna that uses a cross-radiation patch and a cross-stack patch and integrates an impedance matcher in the feed line, and 2 to have broadband characteristics in the X-band. A stack patch arranged in ×2 and an opening-coupled feeding X-band patch antenna having an antenna patch below it are vertically coupled to have a common opening.

본 발명에 따른 안테나(10)는 저주파수 대역 안테나로 십자 스택 패치 안테나를 사용하여 종래 안테나와 비교해 다양한 주파수 비를 가질 수 있으며 설계의 자유도가 크다. 또한, 본 발명에서 제안한 방법을 사용하여 설계한 공통 개구부 이중 광대역 안테나는 저주파수 대역과 고주파수 대역에서 각각 20%와 40% 이상의 광대역 특성을 가지며 우수한 방사특성을 가진다. The antenna 10 according to the present invention uses a cross-stacked patch antenna as a low-frequency band antenna, and can have various frequency ratios compared to a conventional antenna, and a degree of design freedom is large. In addition, the dual broadband antenna with a common opening designed using the method proposed in the present invention has broadband characteristics of 20% and 40% or more, respectively, in a low frequency band and a high frequency band, and has excellent radiation characteristics.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 안테나(10)는 제1 기판(11), 제2 기판(12), 제3 기판(13) 및 제4 기판(14)의 4 개의 기판을 사용하며, 수직으로 결합하는 이용한 S-대역 근접결합 급전 패치 안테나(100, 이하 S-대역 안테나)와 X-대역 개구부 결합 급전 패치 안테나(300, 이하 X-대역 안테나)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the antenna 10 according to the present invention uses four substrates of a first substrate 11, a second substrate 12, a third substrate 13, and a fourth substrate 14, It includes a vertically coupled S-band proximity coupling feed patch antenna (100, hereinafter referred to as S-band antenna) and an X-band opening coupling feed patch antenna (300, hereinafter referred to as X-band antenna).

예를 들어, 상기 안테나(10)의 크기는 77.7 mm × 54 mm × 10.32 mm 이다.For example, the size of the antenna 10 is 77.7 mm × 54 mm × 10.32 mm.

상기 S-대역 안테나(100)는 십자 스택 패치(110), 십자 방사 패치(130) 및 이들과 임피던스 정합하는 급전 선로(150)를 포함하고, 한 개의 입력을 받아 동작하는 단일 안테나이며 하나의 십자 스택 패치(110)와 근접결합 급전을 사용한다.The S-band antenna 100 includes a cross-stack patch 110, a cross-radiation patch 130, and a feed line 150 for impedance matching with these, and is a single antenna that operates by receiving a single input. The stack patch 110 and close-coupled power supply are used.

상기 X-대역 안테나(300)는 2×2 배열을 구성하는 단위 안테나들로서, 각 단위 안테나는 스택 패치(311, 312, 313, 314)와 안테나 패치(331, 332, 333, 334)로 구성되며 개구부 결합 급전을 사용한다.The X-band antenna 300 is unit antennas constituting a 2×2 array, and each unit antenna is composed of stack patches 311, 312, 313, 314 and antenna patches 331, 332, 333, and 334. Use opening-coupled feed.

일 실시예에서, 상기 제1 기판(11), 상기 제2 기판(12), 상기 제3 기판(13) 및 상기 제4 기판(14)의 모두 유전상수가 2.2이고 loss tangent가 0.0009인 Taconic사의 TLY-5를 사용할 수 있다. 이와 같은 기판 구성은 안테나의 기계적 강인함과 제작 편의성을 증가시키고 공기 기판(공기층)에 의한 두께 증가 및 비용 상승을 막아준다. In one embodiment, all of the first substrate 11, the second substrate 12, the third substrate 13, and the fourth substrate 14 have a dielectric constant of 2.2 and a loss tangent of 0.0009. TLY-5 can be used. Such a substrate configuration increases the mechanical strength and convenience of manufacturing the antenna, and prevents an increase in thickness and cost due to an air substrate (air layer).

예를 들어 상기 제1 기판(11), 상기 제2 기판(12) 및 상기 제3 기판(13)은 3.18 mm의 두께를 가지고, 상기 제4 기판(14)은 0.78 mm의 두께를 가질 수 있다. For example, the first substrate 11, the second substrate 12, and the third substrate 13 may have a thickness of 3.18 mm, and the fourth substrate 14 may have a thickness of 0.78 mm. .

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 제1 기판(11)의 상면에는 십자 모양으로 형성된 S-대역 스택 패치(110)와 매트릭스 형상으로 배치된 복수개의 X-대역 스택 패치들(311, 312, 313, 314)이 형성된다. 상기 S-대역 스택 패치(110)와 상기 X-대역 스택 패치들(311, 312, 313, 314)은 서로 겹쳐지지 않는다.1 and 2, an S-band stack patch 110 formed in a cross shape and a plurality of X-band stack patches 311 and 312 arranged in a matrix shape on the upper surface of the first substrate 11 313, 314) are formed. The S-band stack patch 110 and the X-band stack patches 311, 312, 313, and 314 do not overlap each other.

상기 X-대역 스택 패치들(311, 312, 313, 314)은, 상기 S-대역 스택 패치(110)의 십자 날개 사이들에 2×2 배열로 형성되며, 예를 들어 직사각형 모양으로 형성될 수 있다.The X-band stack patches 311, 312, 313, 314 are formed in a 2×2 arrangement between the cross blades of the S-band stack patch 110, and may be formed in, for example, a rectangular shape. have.

도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 제2 기판(12)은 상기 제1 기판(11)의 하면에서 수직 결합한다. 상기 제2 기판(12)의 상면에는 십자 모양으로 형성된 S-대역 방사 패치(130)가 형성된다.1 and 3, the second substrate 12 is vertically coupled to the lower surface of the first substrate 11. An S-band radiation patch 130 formed in a cross shape is formed on the upper surface of the second substrate 12.

상기 S-대역 방사 패치(130)는 상기 제1 기판(11)에 형성된 상기 S-대역 스택 패치(110)와 겹쳐지는 십자 모양으로 형성된다. The S-band radiation patch 130 is formed in a cross shape overlapping the S-band stack patch 110 formed on the first substrate 11.

도 1 및 도 4을 참조하면, 상기 제3 기판(13)은 상기 제2 기판(12)의 하면에서 수직 결합한다. 상기 제3 기판(13)의 상면에는 S-대역 급전 선로(150)와 복수개의 X-대역 방사 패치들(331, 332, 333, 334)이 형성된다. 상기 S-대역 급전 선로(150)와 상기 X-대역 방사 패치들(331, 332, 333, 334)은 서로 겹쳐지지 않는다.1 and 4, the third substrate 13 is vertically coupled to the lower surface of the second substrate 12. An S-band feed line 150 and a plurality of X-band radiation patches 331, 332, 333 and 334 are formed on the upper surface of the third substrate 13. The S-band feed line 150 and the X-band radiation patches 331, 332, 333, and 334 do not overlap each other.

상기 S-대역 급전 선로(150)는 상기 S-대역 스택 패치(110) 및 상기 S-대역 방사 패치(130)와 부분적으로 겹쳐지는 다단의 라인 모양으로 형성될 수 있다. The S-band feed line 150 may be formed in a multi-stage line shape partially overlapping with the S-band stack patch 110 and the S-band radiation patch 130.

상기 X-대역 방사 패치들(331, 332, 333, 334)은 각각 상기 제1 기판(11)에 형성된 X-대역 스택 패치들(311, 312, 313, 314)과 겹쳐지는 매트릭스 모양으로 형성된다.The X-band radiation patches 331, 332, 333, and 334 are formed in a matrix shape overlapping the X-band stack patches 311, 312, 313, and 314 formed on the first substrate 11, respectively. .

상기 X-대역 방사 패치들(331, 332, 333, 334)은, 상기 S-대역 급전 선로(150)를 사이에 두고 2×2 배열로 형성되며, 예를 들어 직사각형 모양으로 형성될 수 있다.The X-band radiation patches 331, 332, 333, and 334 are formed in a 2×2 arrangement with the S-band feed line 150 interposed therebetween, and may be formed in, for example, a rectangular shape.

도 1, 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 제4 기판(14)은 상기 제4 기판(14)의 하면에서 수직 결합한다. 상기 제4 기판(14)의 상면에는 X-대역 안테나를 위한 개구부(351, 352, 353, 354)를 포함한 접지면이 위치하고, 하면에는 X-대역 안테나를 위한 급전 네트워크(370)가 위치한다.1, 5, and 6, the fourth substrate 14 is vertically coupled to the lower surface of the fourth substrate 14. A ground plane including openings 351, 352, 353, and 354 for an X-band antenna is located on the upper surface of the fourth substrate 14, and a power supply network 370 for an X-band antenna is located on the lower surface.

상기 개구부(351, 352, 353, 354)는 상기 X-대역 스택 패치들(331, 332, 333, 334) 및 상기 X-대역 방사 패치들(331, 332, 333, 334)과 공통으로 겹쳐지는 2×2 배열로 형성된다.The openings 351, 352, 353, 354 overlap in common with the X-band stack patches 331, 332, 333, 334 and the X-band radiation patches 331, 332, 333, 334 It is formed in a 2x2 arrangement.

상기 개구부(351, 352, 353, 354)는 상기 X-대역 스택 패치들(331, 332, 333, 334) 및 상기 X-대역 방사 패치들(331, 332, 333, 334) 보다 작은 사이즈로 형성되며, 예를 들어 H 모양으로 형성될 수 있다.The openings 351, 352, 353, 354 are formed to have a size smaller than that of the X-band stack patches 331, 332, 333, 334 and the X-band radiation patches 331, 332, 333, 334 And, for example, may be formed in an H shape.

이하에서는, 상기 S-대역 안테나(100)와 상기 X-대역 안테나(300)의 각 구조를 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, each structure of the S-band antenna 100 and the X-band antenna 300 will be described in more detail.

도 7은 도 1의 S-대역 안테나의 평면도이다. 도 8은 도 1의 S-대역 안테나의 사시도이다.7 is a plan view of the S-band antenna of FIG. 1. 8 is a perspective view of the S-band antenna of FIG. 1.

도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 S-대역 안테나(100)는 상기 십자 스택 패치(110), 상기 십자 방사 패치(130) 및 임피던스 정합기의 역할을 하는 상기 급전 선로(150)를 이용하여 광대역 특성을 가진다. 7 and 8, the S-band antenna 100 uses the cross stack patch 110, the cross radiation patch 130, and the feed line 150 serving as an impedance matcher. It has broadband characteristics.

대역폭 확장을 위한 임피던스 정합기는 3단으로 구성되며 1단, 2단, 3단의 길이(폭)은 각각

Figure 112019111199938-pat00001
,
Figure 112019111199938-pat00002
,
Figure 112019111199938-pat00003
을 가진다. 예를 들어, 1단, 2단, 3단의 길이와 폭은 서로 다를 수 있으며, 상기 폭(
Figure 112019111199938-pat00004
,
Figure 112019111199938-pat00005
,
Figure 112019111199938-pat00006
)은 단계적으로 증가하는 형태일 수 있다.The impedance matcher for bandwidth expansion consists of three stages, and the length (width) of the first, second, and third stages is
Figure 112019111199938-pat00001
,
Figure 112019111199938-pat00002
,
Figure 112019111199938-pat00003
Have. For example, the length and width of the first, second, and third stages may be different, and the width (
Figure 112019111199938-pat00004
,
Figure 112019111199938-pat00005
,
Figure 112019111199938-pat00006
) May be in the form of increasing step by step.

또한, 대역폭 확장을 위해 십자 스택 패치 공진을 이용한다. 대역폭 확장을 위해 유전상수가 1에 가까운 기판과 공기층은 사용하지 않으며 십자 스택 패치(110)와 임피던스 정합기의 구조 변수를 이용하여 대역폭을 확장한다.In addition, cross-stack patch resonance is used to extend the bandwidth. To extend the bandwidth, the substrate and the air layer with a dielectric constant of close to 1 are not used, and the bandwidth is extended by using the structural variables of the cross-stacked patch 110 and the impedance matcher.

상기 S-대역 안테나(100)는 상기 십자 스택 패치(110)와 상기 십자 방사 패치(130)로 구성되며 패치 형태는 모두 십자 형태이다. 십자 패치는 천공된 패치와 비교하면 천공이 존재하지 않기 때문에 고주파수 대역 안테나를 위한 더 넓은 설계 공간을 가지고 고주파수 대역 안테나의 배열 간격 선택이 자유롭다.The S-band antenna 100 is composed of the cross stacked patch 110 and the cross radiation patch 130, and all of the patch forms are cross-shaped. The cross patch has no perforation compared to the perforated patch, so it has a wider design space for the high-frequency band antenna, and the selection of the arrangement spacing of the high-frequency band antenna is free.

따라서, 배열 간격 조절을 통해 십자 패치와 고주파수 대역 패치 간의 간격을 조절할 수 있어 대역 간 격리도 및 방사특성 향상을 기대할 수 있다. 광대역 특성은 스택 십자 패치 공진과 다단(multi-section) 급전선로(150)를 이용하여 구현할 수 있다. Accordingly, it is possible to adjust the spacing between the cross patch and the high frequency band patch through the adjustment of the arrangement spacing, so that the isolation between bands and the radiation characteristics can be improved. The broadband characteristic can be implemented by using the stacked cross-patch resonance and the multi-section feed line 150.

상기 십자 방사 패치(130) 및 상기 십자 스택 패치(110)의 길이와 폭은 각각

Figure 112019111199938-pat00007
(
Figure 112019111199938-pat00008
)과
Figure 112019111199938-pat00009
(
Figure 112019111199938-pat00010
)로 표현하였다. The length and width of the cross-radiation patch 130 and the cross-stack patch 110 are respectively
Figure 112019111199938-pat00007
(
Figure 112019111199938-pat00008
)and
Figure 112019111199938-pat00009
(
Figure 112019111199938-pat00010
).

또한, 상기 S-대역 방사 패치(130)는, 상기 S-대역 스택 패치(110)와 동일 중심을 기준으로 겹치도록 형성되며, 상기 S-대역 방사 패치(130)의 너비는 상기 S-대역 스택 패치(110)와 동일하고, 상기 S-대역 방사 패치(130)의 길이는 상기 S-대역 스택 패치(110)보다 길게 형성될 수 있다.In addition, the S-band radiation patch 130 is formed to overlap with respect to the same center as the S-band stack patch 110, and the width of the S-band radiation patch 130 is the S-band stack The same as the patch 110, the length of the S-band radiation patch 130 may be formed longer than the S-band stack patch 110.

아래는 본 발명에 따라 설계된 S-대역 십자 스택 패치 안테나의 설계 파라미터의 예들을 아래의 표 1에 나타내었다.Table 1 below shows examples of design parameters of an S-band cross stacked patch antenna designed according to the present invention.

S-bandS-band 방사십자패치Radial Cross Patch 스택십자패치Stack Cross Patch

Figure 112019111199938-pat00011

(mm)
Figure 112019111199938-pat00011

(mm)
Figure 112019111199938-pat00012

(mm)
Figure 112019111199938-pat00012

(mm)
Figure 112019111199938-pat00013

(mm)
Figure 112019111199938-pat00013

(mm)
Figure 112019111199938-pat00014

(mm)
Figure 112019111199938-pat00014

(mm)
27.827.8 77 27.227.2 77 다단급전선로길이Multi-stage feeding line length 다단급전선로폭Multi-stage feeding line width
Figure 112019111199938-pat00015

(mm)
Figure 112019111199938-pat00015

(mm)
Figure 112019111199938-pat00016

(mm)
Figure 112019111199938-pat00016

(mm)
Figure 112019111199938-pat00017

(mm)
Figure 112019111199938-pat00017

(mm)
Figure 112019111199938-pat00018

(mm)
Figure 112019111199938-pat00018

(mm)
Figure 112019111199938-pat00019

(mm)
Figure 112019111199938-pat00019

(mm)
Figure 112019111199938-pat00020

(mm)
Figure 112019111199938-pat00020

(mm)
6.56.5 21.321.3 1616 1.21.2 1.31.3 2.22.2

도 9는 도 1의 X-대역 단위 안테나의 평면도이다. 도 10은 도 1의 X-대역 단위 안테나의 사시도이다.9 is a plan view of the X-band unit antenna of FIG. 1. 10 is a perspective view of an X-band unit antenna of FIG. 1.

도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 X-대역 안테나(300)는 스택 패치 공진과 개구부 공진을 이용하여 광대역 특성을 가진다. 상기 X-대역 안테나(300)는 S-대역 십자 패치의 빈 공간에 설계되며 임피던스 매칭은 급전선로 끝단의 직렬 스터브를 이용한다.9 and 10, the X-band antenna 300 has a broadband characteristic by using a stack patch resonance and an opening resonance. The X-band antenna 300 is designed in an empty space of the S-band cross patch, and impedance matching uses a series stub at the end of the feed line.

본 발명에서는 광대역 특성을 얻기 위해 스택 패치 공진과 개구부 공진을 모두 사용하는 개구부 결합 급전을 가지는 스택 패치 안테나를 이용하였다. X-대역 방사 패치와 스택 패치는 각각 한 변의 길이가

Figure 112019111199938-pat00021
Figure 112019111199938-pat00022
를 갖는 정사각형 구조일 수 있다. In the present invention, a stacked patch antenna having an opening coupled feed using both the stacked patch resonance and the opening resonance is used to obtain broadband characteristics. The X-band radiation patch and stack patch each have a side length
Figure 112019111199938-pat00021
Wow
Figure 112019111199938-pat00022
It may have a square structure.

접지면에 식각된 개구부는 개구부의 길이를 줄이기 위해 H-모양으로 설계하였으며 개구부의 길이와 폭은 각각

Figure 112019111199938-pat00023
Figure 112019111199938-pat00024
로 표현하였다. 개구부의 양단에 H 모양을 만들기 위해 추가로 돌출된 구조의 길이와 폭은 각각
Figure 112019111199938-pat00025
Figure 112019111199938-pat00026
로 표현하였다. The opening etched on the ground plane is designed in an H-shape to reduce the length of the opening, and the length and width of the opening are respectively
Figure 112019111199938-pat00023
Wow
Figure 112019111199938-pat00024
Expressed as. The length and width of the additionally protruding structure to make H shape at both ends of the opening
Figure 112019111199938-pat00025
Wow
Figure 112019111199938-pat00026
Expressed as.

급전선로의 특성 임피던스는 급전 네트워크를 고려하여 100 Ω으로 설계하였으며 임피던스 매칭을 위한 스터브의 길이와 폭은 각각

Figure 112019111199938-pat00027
Figure 112019111199938-pat00028
로 표현하였다. 본 발명에 따라 설계된 X-대역 단위 패치 안테나의 설계 파라미터의 예들을 아래의 표 2에 나타내었다.The characteristic impedance of the feed line is designed to be 100 Ω in consideration of the feed network, and the length and width of the stub for impedance matching are each
Figure 112019111199938-pat00027
Wow
Figure 112019111199938-pat00028
Expressed as. Table 2 below shows examples of design parameters of an X-band unit patch antenna designed according to the present invention.

S-bandS-band 방사패치Radiation Patch 개구부Opening

Figure 112019111199938-pat00029

(mm)
Figure 112019111199938-pat00029

(mm)
Figure 112019111199938-pat00030

(mm)
Figure 112019111199938-pat00030

(mm)
Figure 112019111199938-pat00031
=
Figure 112019111199938-pat00032

(mm)
Figure 112019111199938-pat00031
=
Figure 112019111199938-pat00032

(mm)
Figure 112019111199938-pat00033

(mm)
Figure 112019111199938-pat00033

(mm)
6.86.8 6.36.3 1.21.2 33 스택패치Stack patch 급전선로Feed line
Figure 112019111199938-pat00034

(mm)
Figure 112019111199938-pat00034

(mm)
Figure 112019111199938-pat00035

(mm)
Figure 112019111199938-pat00035

(mm)
Figure 112019111199938-pat00036

(mm)
Figure 112019111199938-pat00036

(mm)
Figure 112019111199938-pat00037

(mm)
Figure 112019111199938-pat00037

(mm)
5.95.9 3.73.7 22 0.70.7

도 11은 도 6의 X-대역 급전 네트워크의 확대도이다.11 is an enlarged view of the X-band power supply network of FIG. 6.

도 11을 참조하면, 2×2 X-대역 배열 안테나를 위한 급전 네트워크(370)는 하나의 포트(Port 5)로부터 공급되는 전력을 다른 방향으로 분배하는 전력 분배기(373) 및 상기 전력 분배기(373)로부터 연결되어 반대 방향으로 상기 X-대역 방사 패치들에 급전하기 위한 위상 천이기(371)를 포함한다.Referring to FIG. 11, a power supply network 370 for a 2×2 X-band array antenna includes a power divider 373 and the power divider 373 for distributing power supplied from one port (Port 5) in different directions. ) And a phase shifter 371 for feeding the X-band radiation patches in the opposite direction.

예를 들어, 상기 전력 분배기(373)는 윌킨슨 전력 분배기를 사용하고, 상기 위상 천이기(371)는 광대역 180° 위상 천이기를 이용할 수 있다. 2×2 X-대역 배열 안테나의 교차 편파 억제를 위해 Port 1과 Port 3에 연결된 안테나와 Port 2와 Port 4에 연결된 안테나는 서로 반대 방향으로 급전되고 급전 방향이 같은 소자 두 개를 T-분배기로 연결할 수 있다. For example, the power divider 373 may use a Wilkinson power divider, and the phase shifter 371 may use a broadband 180° phase shifter. In order to suppress the cross polarization of the 2×2 X-band array antenna, the antenna connected to Port 1 and Port 3 and the antenna connected to Port 2 and Port 4 are fed in opposite directions, and two elements with the same feeding direction are fed to the T-distributor. I can connect.

반대 방향으로 급전되는 Port 1과 Port 3와 대응하는 안테나와 Port 2와 Port 4와 대응하는 안테나가 동일 위상의 전자파를 광대역에서 방사하도록 두 포트의 위상 차이를 180° 제공하는 광대역 180° 위상 천이기를 적용하고, 광대역 180° 위상 천이기에 연결된 두 개의 50 Ω 급전선로는 반사파에 의한 영향을 줄이기 위해 윌킨슨 전력 분배기로 연결할 수 있다.A broadband 180° phase shifter that provides 180° phase difference between the two ports so that the antennas corresponding to Port 1 and Port 3 fed in opposite directions and the antenna corresponding to Port 2 and Port 4 radiate electromagnetic waves of the same phase in a broadband. In addition, two 50 Ω feed lines connected to a broadband 180° phase shifter can be connected to a Wilkinson power divider to reduce the effects of reflected waves.

이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to embodiments, it is understood that those skilled in the art can variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the following claims. You can understand.

본 발명은 고성능 안테나를 위해 개발된 종래 기술에 비해 구조가 간단하고 사용되는 기판의 수가 적어 저렴한 비용으로 제작할 수 있으며, 광대역 특성과 우수한 방사특성을 가지는 이중 대역 안테나로서 군사용 레이더에 사용되는 다기능 레이더, 합성 개구 레이더에 사용되는 이중 대역 안테나로 또한 차세대 이동통신 이중 대역 안테나와 5G 이동통신 기지국 안테나와 같은 민수용 안테나로 사용이 가능할 것이다.The present invention is a multi-function radar used in military radar as a dual-band antenna having a simple structure and a small number of substrates to be used compared to the prior art developed for a high-performance antenna, and has broadband characteristics and excellent radiation characteristics, As a dual-band antenna used for a composite aperture radar, it will also be used as a civilian antenna such as a next-generation mobile communication dual-band antenna and a 5G mobile communication base station antenna.

10: 안테나
100: S-대역 안테나
300: X-대역 안테나
110: S-대역 십자 스택 패치
130: S-대역 십자 방사 패치
150: S-대역 급전 선로
311, 312, 313, 314: X-대역 스택 패치
331, 332, 333, 334: X-대역 방사 패치
351, 352, 353, 354: 개구부
370: X-대역 급전 네트워크
371: 위상 천이기
373: 전력 분배기
11: 제1 기판
12: 제2 기판
13: 제3 기판
14: 제4 기판
10: antenna
100: S-band antenna
300: X-band antenna
110: S-Band Cross Stack Patch
130: S-band cross-radiation patch
150: S-band feed line
311, 312, 313, 314: X-Band Stack Patch
331, 332, 333, 334: X-band radiation patch
351, 352, 353, 354: opening
370: X-band feed network
371: phase shifter
373: power divider
11: first substrate
12: second substrate
13: third substrate
14: fourth substrate

Claims (15)

제1 기판의 상면에 십자 모양으로 형성된 S-대역 스택 패치; 상기 제1 기판 하면에 결합하는 제2 기판의 상면에 상기 S-대역 스택 패치와 겹쳐지는 십자 모양으로 형성된 S-대역 방사 패치; 및 제2 기판 하면에 결합하는 제3 기판의 상면에 상기 S-대역 스택 패치 및 상기 S-대역 방사 패치와 부분적으로 겹쳐지는 S-대역 급전 선로를 포함하는 S-대역 안테나;
상기 제1 기판의 상면에 매트릭스 형상으로 배치된 복수개의 X-대역 스택 패치; 상기 제3 기판의 상면에 상기 X-대역 스택 패치들과 겹쳐지는 매트릭스 형상으로 배치된 복수개의 X-대역 방사 패치들; 및 상기 제3 기판 하면에 결합하는 제4 기판의 하면에 형성된 X-대역 급전 네트워크를 포함하는 X-대역 안테나; 및
상기 제4 기판의 상면에 부착되고, 상기 X-대역 스택 패치들 및 상기 X-대역 방사 패치들과 공통으로 겹쳐지는 복수개의 개구부가 형성된 접지면을 포함하는, 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나.
An S-band stack patch formed in a cross shape on an upper surface of the first substrate; An S-band radiation patch formed in a cross shape overlapping the S-band stack patch on an upper surface of a second substrate coupled to a lower surface of the first substrate; And an S-band feed line partially overlapping the S-band stack patch and the S-band radiation patch on an upper surface of a third substrate coupled to a lower surface of the second substrate.
A plurality of X-band stack patches arranged in a matrix shape on an upper surface of the first substrate; A plurality of X-band radiation patches arranged in a matrix shape overlapping the X-band stack patches on an upper surface of the third substrate; And an X-band power supply network formed on a lower surface of the fourth substrate coupled to the lower surface of the third substrate. And
A common opening double broadband micro using a cross patch, which is attached to the upper surface of the fourth substrate and includes a ground plane having a plurality of openings overlapping the X-band stack patches and the X-band radiation patches in common Strip patch antenna.
제1항에 있어서, 상기 S-대역 방사 패치는,
상기 S-대역 스택 패치와 동일 중심을 기준으로 겹치도록 형성되며, 상기 S-대역 방사 패치의 너비는 상기 S-대역 스택 패치와 동일하고, 상기 S-대역 방사 패치의 길이는 상기 S-대역 스택 패치보다 길게 형성되는, 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나.
The method of claim 1, wherein the S-band radiation patch,
It is formed to overlap the S-band stack patch and the same center as the reference, the width of the S-band radiation patch is the same as the S-band stack patch, and the length of the S-band radiation patch is the S-band stack A dual broadband microstrip patch antenna with a common opening using a cross patch that is formed longer than the patch.
제1항에 있어서, 상기 X-대역 스택 패치들은,
상기 S-대역 스택 패치의 십자 날개 사이들에 2×2 배열로 형성되는, 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나.
The method of claim 1, wherein the X-band stack patches,
A dual broadband microstrip patch antenna with a common opening using a cross patch, which is formed in a 2×2 array between the cross wings of the S-band stack patch.
◈청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈◈ Claim 4 was abandoned upon payment of the set registration fee. 제3항에 있어서, 상기 X-대역 방사 패치들은,
각각 상기 X-대역 스택 패치들과 겹쳐지는 2×2 배열로 형성되고, 각 X-대역 방사 패치는 대응하는 각 X-대역 스택 패치보다 크게 형성되는, 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나.
The method of claim 3, wherein the X-band radiating patches,
A double broadband microstrip patch with a common opening using a cross patch, each formed in a 2×2 arrangement overlapping the X-band stack patches, and each X-band radiation patch is formed larger than each corresponding X-band stack patch antenna.
제1항에 있어서, 상기 복수개의 개구부들은,
상기 X-대역 스택 패치들 및 상기 X-대역 방사 패치들과 공통으로 겹쳐지는 2×2 배열로 형성되는, 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나.
The method of claim 1, wherein the plurality of openings,
A dual broadband microstrip patch antenna with a common opening using a cross patch, which is formed in a 2x2 array that overlaps the X-band stack patches and the X-band radiation patches in common.
제1항에 있어서, 상기 복수개의 개구부들은,
H 모양으로 형성되는, 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나.
The method of claim 1, wherein the plurality of openings,
A double broadband microstrip patch antenna with a common opening using a cross patch, formed in an H shape.
제1항에 있어서, 상기 S-대역 급전 선로는,
길이와 폭이 서로 다른 다단의 라인 모양으로 형성된, 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나.
The method of claim 1, wherein the S-band feed line,
A dual broadband microstrip patch antenna with a common opening using a cross patch, formed in a multi-stage line shape of different lengths and widths.
제1항에 있어서, 상기 X-대역 급전 네트워크는,
하나의 포트로부터 공급되는 전력을 다른 방향으로 분배하는 전력 분배기; 및
상기 전력 분배기로부터 연결되어 반대 방향으로 상기 X-대역 방사 패치들에 급전하기 위한 위상 천이기를 포함하는, 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나.
The method of claim 1, wherein the X-band power supply network,
A power divider for distributing power supplied from one port in another direction; And
A common opening dual broadband microstrip patch antenna using a cross patch, comprising a phase shifter connected from the power divider to feed the X-band radiation patches in an opposite direction.
상면에 십자 모양으로 형성된 S-대역 스택 패치와 매트릭스 형상으로 배치된 복수개의 X-대역 스택 패치들이 형성된 제1 기판;
상기 제1 기판 하면에 결합하며, 상면에 상기 S-대역 스택 패치와 겹쳐지는 십자 모양으로 형성된 S-대역 방사 패치가 형성된 제2 기판;
상기 제2 기판 하면에 결합하며, 상면에 상기 S-대역 스택 패치 및 상기 S-대역 방사 패치와 부분적으로 겹쳐지는 S-대역 급전 선로와 상기 X-대역 스택 패치들과 겹쳐지는 매트릭스 형상으로 복수개의 X-대역 방사 패치들이 형성된 제3 기판; 및
상기 제3 기판 하면에 결합하며, 상면에 상기 X-대역 스택 패치들 및 상기 X-대역 방사 패치들과 공통으로 겹쳐지는 복수개의 개구부가 형성된 접지면과 하면에 X-대역 급전 네트워크가 형성된 제4 기판;
을 포함하는, 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나.
A first substrate on which an S-band stack patch formed in a cross shape and a plurality of X-band stack patches arranged in a matrix shape are formed on an upper surface;
A second substrate coupled to a lower surface of the first substrate and having an S-band radiation patch formed on an upper surface thereof in a cross shape overlapping the S-band stack patch;
A plurality of matrix shapes that are coupled to the lower surface of the second substrate and overlap the S-band feed line and the X-band stack patches partially overlapping the S-band stack patch and the S-band radiation patch on the upper surface. A third substrate on which X-band radiation patches are formed; And
A fourth ground plane coupled to a lower surface of the third substrate and having a plurality of openings overlapping in common with the X-band stack patches and the X-band radiation patches on an upper surface and an X-band power supply network formed at the lower surface Board;
Containing, a common opening dual broadband microstrip patch antenna using a cross patch.
제9항에 있어서, 상기 S-대역 방사 패치는,
상기 S-대역 스택 패치와 동일 중심을 기준으로 겹치도록 형성되며, 상기 S-대역 방사 패치의 너비는 상기 S-대역 스택 패치와 동일하고, 상기 S-대역 방사 패치의 길이는 상기 S-대역 스택 패치보다 길게 형성되는, 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나.
The method of claim 9, wherein the S-band radiating patch,
It is formed to overlap the S-band stack patch and the same center as the reference, the width of the S-band radiation patch is the same as the S-band stack patch, and the length of the S-band radiation patch is the S-band stack A dual broadband microstrip patch antenna with a common opening using a cross patch that is formed longer than the patch.
제9항에 있어서,
상기 X-대역 스택 패치들은,
상기 S-대역 스택 패치의 십자 날개 사이들에 2×2 배열로 형성되고,
상기 X-대역 방사 패치들은,
각각 상기 X-대역 스택 패치들과 겹쳐지는 2×2 배열로 형성되고, 각 X-대역 방사 패치는 대응하는 각 X-대역 스택 패치보다 크게 형성되는, 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나.
The method of claim 9,
The X-band stack patches,
It is formed in a 2×2 arrangement between the cross wings of the S-band stack patch,
The X-band radiation patches,
A double broadband microstrip patch with a common opening using a cross patch, each formed in a 2×2 arrangement overlapping the X-band stack patches, and each X-band radiation patch is formed larger than each corresponding X-band stack patch antenna.
제9항에 있어서, 상기 복수개의 개구부들은,
상기 X-대역 스택 패치들 및 상기 X-대역 방사 패치들과 공통으로 겹쳐지는 2×2 배열로 형성되는, 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나.
The method of claim 9, wherein the plurality of openings,
A dual broadband microstrip patch antenna with a common opening using a cross patch, which is formed in a 2x2 array that overlaps the X-band stack patches and the X-band radiation patches in common.
제9항에 있어서, 상기 복수개의 개구부들은,
H 모양으로 형성되는, 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나.
The method of claim 9, wherein the plurality of openings,
A double broadband microstrip patch antenna with a common opening using a cross patch, formed in an H shape.
제9항에 있어서, 상기 S-대역 급전 선로는,
길이와 폭이 서로 다른 다단의 라인 모양으로 형성되는, 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나.
The method of claim 9, wherein the S-band feed line,
A dual broadband microstrip patch antenna with a common opening using a cross patch, which is formed in a multi-stage line shape with different lengths and widths.
제9항에 있어서, 상기 X-대역 급전 네트워크는,
하나의 포트로부터 공급되는 전력을 다른 방향으로 분배하는 전력 분배기; 및 상기 전력 분배기로부터 연결되어 반대 방향으로 상기 X-대역 방사 패치들에 급전하기 위한 위상 천이기를 포함하는, 십자 패치를 이용한 공통 개구부 이중 광대역 마이크로스트립 패치 안테나.
The method of claim 9, wherein the X-band power supply network,
A power divider for distributing power supplied from one port in another direction; And a phase shifter connected from the power divider to feed the X-band radiation patches in an opposite direction. A dual broadband microstrip patch antenna with a common opening using a cross patch.
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