KR102149564B1 - 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102149564B1
KR102149564B1 KR1020157003851A KR20157003851A KR102149564B1 KR 102149564 B1 KR102149564 B1 KR 102149564B1 KR 1020157003851 A KR1020157003851 A KR 1020157003851A KR 20157003851 A KR20157003851 A KR 20157003851A KR 102149564 B1 KR102149564 B1 KR 102149564B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pressure
gas
electrostatic chuck
chamber
wafer
Prior art date
Application number
KR1020157003851A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150053899A (ko
Inventor
준이치 사사키
마사아키 미야가와
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20150053899A publication Critical patent/KR20150053899A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102149564B1 publication Critical patent/KR102149564B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Abstract

피처리체를 정전 흡착하는 정전척으로부터 피처리체를 이탈시키기 위한 이탈 제어 방법으로서, 플라즈마 처리 후에 챔버 내에 불활성 가스를 도입하여, 제전 처리를 행하는 제전 단계와, 상기 제전 단계 후, 헬륨 가스보다 이온화 에너지가 낮은 가스를 도입하고, 상기 챔버 내의 압력을 상기 플라즈마 처리에서의 압력 또는 상기 제전 단계에서의 압력보다 높은 압력으로 유지하는 고압 단계와, 상기 고압 단계에 의해 상기 높은 압력을 유지하고 있는 동안 또는 유지 후, 피처리체를 지지핀에 의해 상기 정전척으로부터 이탈시키는 이탈 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 이탈 제어 방법이 제공된다.

Description

이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치{DETACHMENT CONTROL METHOD AND PLASMA PROCESSING DEVICE}
본 발명은 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마 처리는, 처리 용기 내를 감압 상태로 제어한 분위기에서 행해지는 경우가 많다. 그때, 피처리체는, 처리 용기 내의 배치대에 설치된 정전척(ESC: Electrostatic Chuck) 상에 배치된다.
정전척은, 도전성의 시트형의 척 전극의 표리를 유전 부재 사이에 둔 구성을 하고 있다. 직류 전압원으로부터 척 전극에 전압을 인가함으로써 발생하는 쿨롱력에 의해, 피처리체를 정전척의 표면에 흡착시킨다. 플라즈마 처리는, 이와 같이 정전척 표면에 피처리 기판이 흡착된 상태에서 행한다. 웨이퍼의 이면과 정전척의 표면 사이에는, 전열 가스가 공급되는 경우도 있다.
플라즈마 처리가 종료되었을 때에는, 척 전극에의 전압의 인가를 정지해서 쿨롱력을 발생하지 않도록 하여, 피처리체를 정전척으로부터 이탈시킨다. 이탈 방법으로서는, 배치대 내부에 편입된 지지핀을 상승시켜, 피처리체를 정전척으로부터 들어올리는 방법이 있다.
보다 확실하게 피처리 기판을 이탈시키기 위해서, 피처리 기판 및 정전척에 잔류하고 있는 전하를 적극적으로 제전하는 방법이 이용되는 경우도 있다. 예컨대, 척 전극에의 인가를 정지한 후에, 불활성 가스를 도입하여 챔버 내를 정해진 압력으로 유지하고, 또한 플라즈마 생성용의 고주파 전력을 인가해서, 피처리 기판을 에칭하지 않을 정도의 약한 플라즈마를 생성하여 정전척 및 피처리체에 존재하는 전하를 플라즈마 공간 중으로 이동시키는 제전 처리가 행해지는 경우가 있다.
예컨대, 특허문헌 1에서는, 플라즈마 처리 후, 상기 웨이퍼를 에칭하지 않을 정도의 약한 고주파 전력을 인가하고, 전열 가스를 정지한다. 상기 고주파 전력으로 생성되는 플라즈마 중의 이온 또는 전자는, 웨이퍼 표면과 정전척의 유지면 사이로 들어가고, 웨이퍼의 둘레 가장자리부로부터 중심을 향해 웨이퍼의 표면에 대전하는 잔류 전하를 중화한다. 이 중화의 진행과 함께 핀을 상승시켜 웨이퍼를 이탈시킨다.
특허문헌 1: 일본 특허 제3315197호 공보
그러나, 장시간의 플라즈마 처리에 의해, 정전척 표면에 반응 생성물이 퇴적하는 경우가 있다. 이러한 퇴적물이 전하를 축적해 버리면, 플라즈마 처리 시간의 경과와 함께, 정전척의 표면에 잔류하는 전하량이 증가해 가게 된다. 이렇게 해서 정전척의 표층에 잔류한 전하는, 전술한 제전 처리를 행해도 제전할 수 없는 경우가 많다. 잔류 전하에 의한 정전 흡착력이 남은 상태에서 지지핀을 상승시켜 버리면, 피처리체에 균열이나 어긋남과 같은 문제점이 발생하게 된다.
상기 과제에 대하여, 일 측면에 의하면, 정전척 표층의 잔류 전하에 의한 흡착을 방지하는 것이 가능한 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 하나의 양태에 의하면,
척 전극을 가지며, 피처리체를 정전 흡착하는 정전척으로부터 피처리체를 이탈시키기 위한 이탈 제어 방법으로서,
플라즈마 처리 후에 챔버 내에 불활성 가스를 도입하여, 제전 처리를 행하는 제전 단계와,
상기 제전 처리 후, 헬륨 가스보다 이온화 에너지가 낮은 가스를 도입하고, 상기 챔버 내의 압력을 상기 플라즈마 처리에서의 압력보다 높은 압력으로 유지하는 고압 단계와,
상기 고압 단계에 의해 상기 높은 압력을 유지하고 있는 동안 또는 유지 후, 피처리체를 지지핀에 의해 상기 정전척으로부터 이탈시키는 이탈 단계
를 갖는 것을 특징으로 하는 이탈 제어 방법이 제공된다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 다른 양태에 의하면,
척 전극을 가지며, 피처리체를 정전 흡착하는 정전척과,
플라즈마 처리 후에 챔버 내에 불활성 가스를 도입하여 제전 처리를 행하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 제전 단계 후, 헬륨 가스보다 이온화 에너지가 낮은 가스를 도입하고, 상기 챔버 내의 압력을 상기 플라즈마 처리에서의 압력보다 높은 압력으로 유지하고 있는 동안 또는 유지 후, 피처리체를 지지핀에 의해 상기 정전척으로부터 이탈시키는 것인, 플라즈마 처리 장치가 제공된다.
하나의 양태에 의하면, 정전척의 표층의 잔류 전하에 의한 피처리체의 흡착을 방지할 수 있다.
도 1은 일 실시형태에 따른 에칭 장치의 단면도.
도 2는 일 실시형태에 따른 정전척에서의 잔류 전하 발생을 설명하는 도면.
도 3은 일 실시형태에 따른 고압 단계에 의한 잔류 전하 효과를 설명하는 도면.
도 4는 일 실시형태에 따른 고압 단계의 가스종에 의한 잔류 전하 효과를 설명하는 도면.
도 5는 일 실시형태에 따른 제어 장치의 기능 구성도.
도 6은 일 실시형태에 따른 이탈 제어 방법을 도시한 플로우차트.
도 7은 일 실시형태에 따른 이탈 제어 방법과 비교하는 이탈 제어 방법을 도시한 타임차트.
도 8은 일 실시형태에 따른 고압 단계를 4장의 웨이퍼에 대해서 행한 경우의 정전척의 전압의 편차를 도시한 도면.
도 9는 도 8의 1장째의 웨이퍼에 대한 정전척의 전압의 편차를 도시한 도면.
도 10은 도 8의 2장째의 웨이퍼에 대한 정전척의 전압의 편차를 도시한 도면.
도 11은 도 8의 3장째의 웨이퍼에 대한 정전척의 전압의 편차를 도시한 도면.
도 12는 도 8의 4장째의 웨이퍼에 대한 정전척의 전압의 편차를 도시한 도면.
도 13은 일 실시형태에 따른 고압 단계에 있어서의 압력과 정전척 전압을 도시한 도면.
도 14는 일 실시형태에 따른 고압 단계에 있어서의 압력과 정전척 전압을 도시한 도면.
도 15는 일 실시형태에 따른 고압 단계에 있어서의 압력과 정전척 전압을 도시한 도면.
도 16은 일 실시형태에 따른 고압 단계에 있어서의 압력과 정전척 전압을 도시한 도면.
도 17은 일 실시형태에 따른 웨이퍼의 표면 전위를 계측하는 장치 구성도.
도 18은 일 실시형태의 고압 단계에 있어서의 웨이퍼의 표면 전위의 계측 결과를 도시한 도면.
도 19는 일 실시형태의 고압 단계에 있어서의 흡착 상황의 시간 의존을 도시한 도면.
도 20은 일 실시형태의 고압 단계에 있어서의 흡착 상황의 가스 의존을 도시한 도면.
도 21은 일 실시형태의 고압 단계에 있어서의 가스종과 정전척의 전압을 도시한 도면.
도 22는 일 실시형태의 고압 단계에 있어서의 가스종과 정전척의 전압을 도시한 도면.
도 23은 일 실시형태의 고압 단계에 있어서의 가스종과 정전척의 전압을 도시한 도면.
도 24는 일 실시형태의 고압 단계에 있어서의 가스종과 정전척의 전압을 도시한 도면.
도 25는 일 실시형태의 고압 단계에 있어서의 가스종과 정전척의 전압을 도시한 도면.
도 26은 일 실시형태의 고압 단계에 있어서의 가스종과 정전척의 전압을 도시한 도면.
도 27은 중성 원자로부터 최외피의 전자 1개를 취출하는데 요하는 에너지를 도시한 표.
도 28은 일 실시형태의 변형예에 따른 이탈 제어 방법을 도시한 플로우차트.
도 29는 일 실시형태의 변형예에 따른 이탈 제어 방법을 설명하기 위한 도면.
이하에 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 한편, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 붙임으로써 중복 설명을 생략한다.
[에칭 장치]
먼저, 본 발명의 일 실시형태에 따른 에칭 장치의 일례를, 도 1을 참조하면서 설명한다. 도 1은 평행 평판 플라즈마에 있어서 하부 2주파수 인가형의 평행 평판 에칭 장치의 종단면도이다.
에칭 장치(10)는, 내부가 기밀하게 유지되며, 전기적으로 접지된 챔버(C)를 갖고 있다. 에칭 장치(10)는, 가스 공급원(120)에 접속되어 있다. 챔버(C)는 원통형이며, 예컨대 표면을 양극 산화 처리된 알루미늄 등으로 구성되고, 내부에는 실리콘 기판(W)을 지지하는 배치대(102)가 설치되어 있다. 배치대(102)는, 하부 전극으로서도 기능한다. 배치대(102)는, 도체의 지지대(104)에 지지되어 있으며, 절연판(103)을 통해 승강 기구(107)에 의해 승강 가능하게 되어 있다. 승강 기구(107)는, 챔버(C)에 배치되며, 스테인리스강으로 이루어지는 벨로우즈(108)에 의해 덮여 있다. 벨로우즈(108)의 외측에는 벨로우즈 커버(109)가 설치되어 있다. 배치대(102)의 상방의 외주에는, 예컨대 단결정 실리콘으로 형성된 포커스 링(105)이 설치되어 있다. 또한, 배치대(102) 및 지지대(104)의 주위를 둘러싸도록, 예컨대 석영 등으로 이루어지는 원통형의 내벽 부재(103a)가 설치되어 있다.
배치대(102)에는, 제1 정합기(111a)를 통해 제1 고주파 전원(110a)이 접속되고, 제1 고주파 전원(110a)으로부터 정해진 주파수(예컨대 40 ㎒)의 플라즈마 생성용의 고주파 전력이 공급되도록 되어 있다. 또한, 배치대(102)에는, 제2 정합기(111b)를 통해 제2 고주파 전원(110b)이 접속되고, 제2 고주파 전원(110b)으로부터 정해진 주파수(예컨대 3.2 ㎒)의 바이어스용의 고주파 전력이 공급되도록 되어 있다. 한편, 배치대(102)의 상방에는, 배치대(102)와 평행하게 대향하도록 상부 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(116)가 설치되어 있고, 샤워 헤드(116)와 배치대(102)는 한 쌍의 전극으로서 기능하도록 되어 있다.
배치대(102)의 상면에는, 기판(W)을 정전 흡착하기 위한 정전척(106)이 설치되어 있다. 정전척(106)은, 절연체(106b) 사이에 척 전극(106a)을 끼운 구조로 되어 있다. 척 전극(106a)에는 직류 전압원(112)이 접속되고, 직류 전압원(112)으로부터 전극(106a)에 직류 전압이 인가됨으로써, 쿨롱력에 의해 기판(W)이 정전척(106)에 흡착된다.
지지체(104)의 내부에는, 냉매 유로(104a)가 형성되어 있다. 냉매 유로(104a)에는, 냉매 입구 배관(104b), 냉매 출구 배관(104c)이 접속되어 있다. 냉매 유로(104a) 중에 적절히 냉매로서 예컨대 냉각수 등을 순환시킴으로써, 기판(W)을 정해진 온도로 제어한다.
전열 가스 공급원(85)은, 헬륨 가스(He)나 아르곤 가스(Ar) 등의 전열 가스를 가스 공급 라인(130)에 통과시켜 정전척(106) 상의 웨이퍼(W) 이면에 공급한다.
배치대(102)의 내부에는, 외부의 도시하지 않은 반송 아암과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위해서 웨이퍼(W)를 승강시키는 지지핀(81)이 복수(예컨대 3개) 설치되어 있다. 복수의 지지핀(81)은, 연결 부재(82)를 통해 전해지는 모터(84)의 동력에 의해 상하 이동한다. 챔버(C)의 외부로 향하여 관통하는 지지핀(81)의 관통 구멍에는 바닥부 벨로우즈(83)가 설치되며, 챔버(C) 내의 진공측과 대기측 사이의 기밀을 유지한다.
샤워 헤드(116)는, 챔버(C)의 천장 부분에 설치되어 있다. 샤워 헤드(116)는, 본체부(116a)와 전극판을 이루는 상부 천판(天板; 116b)을 갖고 있다. 샤워 헤드(116)는, 절연성 부재(145)를 통해 챔버(C)의 상부에서 챔버(C)의 측벽에 지지되어 있다. 본체부(116a)는, 도전성 재료, 예컨대 표면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 이루어지며, 그 하부에 상부 천판(116b)을 착탈 가능하게 지지한다.
본체부(116a)의 내부에는, 가스의 확산실(126a)이 형성되고, 확산실(126a)의 하부에 위치하도록, 본체부(116a)의 바닥부에는 다수의 가스 통류 구멍(116d)이 형성되어 있다. 상부 천판(116b)에는, 상부 천판(116b)을 두께 방향으로 관통하도록 가스 도입 구멍(116e)이 가스 통류 구멍(116d)과 연통(連通)하도록 형성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 확산실(126a)에 공급된 가스는, 가스 통류 구멍(116d) 및 가스 도입 구멍(116e)을 통해 챔버(C) 내의 플라즈마 처리 공간에 샤워 형상으로 도입된다. 한편, 본체부(116a) 등에는, 냉매를 순환시키기 위한 도시하지 않은 배관이 설치되며, 샤워 헤드(116)를 냉각하여 원하는 온도로 조정한다.
본체부(116a)에는, 확산실(126a)에 가스를 도입하기 위한 가스 도입구(116g)가 형성되어 있다. 가스 도입구(116g)에는, 가스 공급원(120)이 접속되어 있다. 가스 공급원(120)은, 프로세스 중, 웨이퍼(W)에 에칭 처리를 실행하기 위한 에칭 가스를 공급한다.
샤워 헤드(116)에는, 로우패스 필터(LPF)(151)를 통해 가변 직류 전압원(152)이 전기적으로 접속되어 있다. 가변 직류 전압원(152)은, 온·오프 스위치(153)에 의해 급전의 온·오프가 가능하게 되어 있다. 제1 고주파 전원(110a) 및 제2 고주파 전원(110b)으로부터 고주파가 배치대(102)에 인가되고, 플라즈마 처리 공간에 플라즈마가 발생할 때에는, 필요에 따라 온·오프 스위치(153)를 온으로 제어한다. 이에 의해, 샤워 헤드(116)에 정해진 직류 전압이 인가된다.
챔버(C)의 측벽으로부터 샤워 헤드(116)의 높이 위치보다 상방으로 연장되도록 원통형의 접지 도체(101a)가 설치되어 있다. 이 원통형의 접지 도체(101a)는, 그 상부에 천판을 갖고 있다. 챔버(C)의 바닥부에는, 배기구(171)가 형성되어 있다. 배기구(171)에는, 배기 장치(173)가 접속되어 있다. 배기 장치(173)는, 진공 펌프를 가지며, 진공 펌프를 작동시킴으로써 챔버(C) 내를 정해진 진공도까지 감압한다. 챔버(C)의 측벽에는 게이트 밸브(175)가 설치되고, 그 개폐에 의해 반입 반출구(174)로부터 기판(W)을 반입 또는 반출한다.
배치대(102)의 처리시에 있어서의 상하 방향의 위치에 대응하는 챔버(C)의 주위에는, 환형 또는 동심형으로 연장되는 다이폴 링 자석(124)이 배치되어 있다.
이러한 구성에 의해, 배치대(102)와 샤워 헤드(116) 사이의 공간에는, 제1 고주파 전원(110a)에 의해 연직 방향의 RF 전계가 형성되고, 다이폴 링 자석(124)에 의해 수평 자계가 형성된다. 이들 직교 전자계를 이용하는 마그네트론 방전에 의해, 배치대(102)의 표면 근방에 고밀도의 플라즈마가 생성된다.
제어 장치(100)는, 에칭 장치(10)에 부착된 각부, 예컨대 가스 공급원(120), 배기 장치(173), 고주파 전원(110a, 110b), 정합기(111a, 111b), 직류 전압원(112), 모터(84) 및 전열 가스 공급원(85)을 제어한다.
제어 장치(100)는, CPU(Central Processing Unit)(100a), ROM(Read Only Memory)(100b), RAM(Random Access Memory)(100c)을 갖는다. CPU(100a)는 이들의 기억 영역에 저장된 각종 레시피에 따라 플라즈마 처리를 실행한다. 레시피에는 프로세스 조건에 대한 장치의 제어 정보인 프로세스 시간, 챔버 내 온도(상부 전극 온도, 챔버의 측벽 온도, ESC 온도 등), 압력(가스의 배기), 고주파 전력이나 전압, 각종 프로세스 가스 유량, 전열 가스 유량 등이 기재되어 있다. 이상, 본 실시형태에 따른 에칭 장치(10)의 전체 구성에 대해서 설명하였다.
[정전척 표면의 잔류 전하]
다음으로, 플라즈마 처리에 의한 정전척 표면의 상태 변화에 의해 발생하는 잔류 전하의 상태에 대해서, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 2의 상측은, 정전척(106)이 플라즈마 처리를 행하고 있지 않거나, 또는 플라즈마 처리 시간이 비교적 짧은 경우의 정전척 표면의 전하의 상태를 도시한다. 도 2의 하측은, 장시간의 플라즈마 처리에 의해, 정전척(106)에 잔류 생성물(Z)이 부착되어 있는 경우의 정전척 표면의 전하의 상태를 도시한다.
먼저, 도 2의 상측의 정전척(106)이 플라즈마 처리를 행하고 있지 않거나, 또는 플라즈마 처리 시간이 비교적 짧은 경우에 대해서 설명한다. 정전척(106)은, 도전성의 시트형의 척 전극(106a)의 표리를 유전 부재 사이에 둔 구성을 하고 있다. 플라즈마 처리에 있어서는, 직류 전압원(112)으로부터 척 전극(106a)에 전압을 인가함으로써 발생하는 쿨롱력에 의해 웨이퍼(W)를 정전척(106)에 흡착시킨 후 에칭 처리를 행한다. 그때에는 웨이퍼(W)의 이면과 정전척(106)의 표면 사이에 전열 가스(He)가 공급되어 있다. 또한, 에칭 처리 후, 척 전극(106a)에의 전압 인가를 정지한 상태에 있어서 정전척(106)으로부터 웨이퍼(W)를 이탈시킬 때에는, 불활성 가스를 챔버 내에 도입하여 정해진 압력으로 유지하고, 플라즈마 생성용의 고주파 전력을 인가하면서 약한 플라즈마를 생성한 상태에서, 척 전극에의 전압 인가를 정지하고, 정전척 및 웨이퍼(W)에 존재하는 전하를 제전하는 플라즈마 제전 처리가 행해진다. 플라즈마 제전 처리 후, 지지핀(81)을 상승시켜 웨이퍼(W)를 정전척(106)으로부터 들어올려, 웨이퍼(W)를 정전척(106)으로부터 이탈시킨다.
그러나, 도 2의 하측에 도시한 바와 같이, 정전척(106)의 표면에는, 장시간의 플라즈마 처리에 의해, 퇴적물이 부착됨으로써 잔류 생성물(Z)의 절연층이 형성된다. 그러면, 절연층에 전하가 축적되고, 척 전극(106a)에의 전압 인가를 정지해도 절연층에 축적된 전하는 정전척(106)의 표층에 잔류하게 된다. 이 잔류한 전하는 전술한 제전 처리를 행해도 제전하는 것이 어렵다. 그 결과, 잔류 전하에 의한 정전 흡착력이 남은 상태에서 지지핀(81)을 상승시킴으로써, 웨이퍼(W)에 균열이나 어긋남이 발생하는 원인이 된다.
특히, 정전척(106)의 표면이, 볼록 형상 등의 돌기에 의해 형성되어 있는 경우에는, 정전척(106)의 돌기 표면에 잔류 생성물(Z)이 퇴적한다. 따라서, 웨이퍼 이면의 산화막과의 관계로 전하가 축적하는 영역은 돌기의 표면이 되고, 웨이퍼 이면의 면적의 약 절반 정도가 되는 경우도 있다. 따라서, 정전척(106)의 표면의 돌기가 형성되어 있지 않은 경우에 비해서, 정전척(106) 표면에 돌기가 형성된 경우에는, 보다 고밀도의 전하가 축적되게 된다.
한편, 플라즈마 제전에 이용하는 플라즈마 자체는, 웨이퍼에의 에칭 처리가 행해지지 않을 정도의 낮은 고주파 전력에 의해 발생하는 것이기 때문에, 제전에 기여하는 이온, 전자의 양도 축적된 전하를 중화하기까지에는 이르지 않을 정도의 발생량으로 되어 있는 경우가 많다. 그 결과, 웨이퍼의 이면에, 보다 높은 밀도로 잔류 전하가 축적하는 경우에는, 그 잔류 전하를 충분히 제거할 수 없는 경우가 있다. 그리고, 이러한 잔류 흡착이 있는 상태에서, 웨이퍼(W)를 지지핀(81)에 의해 상승시키면, 지지핀(81)을 구동하는 모터(84)의 토크값이 높아진다. 즉, 토크값은, 웨이퍼(W)가 정전척(106)에 흡착되는 흡착력을 나타내는 지표가 될 수 있다. 또한, 토크값은 모터(84)에 인가하는 전압에 비례한다. 따라서, 모터(84)의 전압값을 모니터함으로써, 흡착력의 상태를 파악할 수 있다. 예컨대, 플라즈마 제전 방법에 있어서, 웨이퍼(W)의 리프트업시의 모터 전압값은, 본 실시형태에서 이용한 모터 사양에 있어서는 약 0.4 V 이상이 되면, 웨이퍼(W)의 균열이나 이지러짐과 같은 물리적인 손상을 야기할 가능성이 높아지는 것을 알고 있다. 이렇게 해서 모터 전압값으로부터 반도체 제조 장치에 사용되는 웨이퍼(W)가 파괴에 이르는 상태를 경험상 도출할 수 있다. 도 3의 [a]에 도시한 종래의 플라즈마 제전에서는, 모터 전압값의 최대값은 약 0.409 V로 되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)가 손상될 가능성은 높아지고 있는 것을 알 수 있다.
[고압 단계/가스종]
본 실시형태에 따른 웨이퍼 이탈의 제어 방법에서는, 전열 가스로서 일반적으로 이용되고 있는 헬륨 가스보다도, 보다 이온화 에너지가 낮은 가스(전리 전압이 낮은 가스)를 정전척(106) 표면과 웨이퍼(W) 이면 사이에 도입하고, 그 공간을 고압으로 한다. 도 27의 표(물리학 사전, 편자: 물리학 사전 편집 위원회, 발행자: 야마모토 이타루, 발행소: 가부시키가이샤 바이후칸)에 나타낸 이온화 에너지 중 항목 「Ⅰ」는, 중성 원자로부터 최외피의 전자 1개를 취출하는데 요하는 에너지를 나타낸다.
이온화 에너지가 낮은(전리 전압이 낮은) 가스는, 보다 전자의 수수(授受)가 행해지기 쉽다. 따라서, 본 실시형태에서는, 헬륨 가스보다 이온화 에너지가 낮은 가스를 정전척(106) 표면과 웨이퍼(W) 이면 사이에 충분히 공급함으로써, 웨이퍼(W) 이면과 정전척(106) 표면 사이에 존재하는 잔류 전하와 공급된 이온화 에너지가 낮은 가스 사이에 있어서의 전자의 수수를 촉진시킬 수 있다.
도 3의 [c]는, 헬륨 가스보다 이온화 에너지가 낮은 가스의 일례로서 아르곤 가스(Ar)가 공급된 경우의 개념도이다. 플라즈마 제전 후, 아르곤 가스를 공급함으로써 웨이퍼(W) 이면과 정전척(106) 표면 사이를 아르곤 가스가 충전되어 있는 고압 상태로 함으로써, 잔류 전하와 아르곤 가스 사이에 있어서 전자의 수수를 촉진시켜, 잔류 전하의 제전을 행한다. 도 3의 [c]에 도시한 바와 같이, 가스 상태가 저압력인 경우보다 고압력인 경우 쪽이, 정전척 표면의 퇴적막과 웨이퍼 이면 사이에서, 아르곤 가스를 통한 전하 교환을 보다 촉진할 수 있다. 이렇게 해서, 헬륨 가스보다 이온화 에너지가 낮은 가스를 통해, 정전척의 표층에 잔류한 전하의 제전을 행하여, 모터 전압값을 낮추는, 즉 웨이퍼(W)가 손상될 가능성을 저감할 수 있다.
도 3의 [b]는, 플라즈마 제전 후, 아르곤 가스를 도입하고, 웨이퍼(W) 이면과 정전척(106) 표면 사이의 압력을 플라즈마 처리 중의 압력보다 높은 압력으로 유지하는 처리(이하, 고압 단계라고 부른다.)를 행한 실험 결과이다. 이 실험 결과에 의하면, 모터 전압값의 최대값은 약 0.271 V였다. 이 값은, 웨이퍼(W)의 손상을 판정하기 위한 임계값인 0.4 V보다 작은 값이다. 따라서, 이 실험 결과에 의하면, 고압 단계 후, 원활하게 웨이퍼(W)를 정전척(106)으로부터 이탈시킬 수 있는 것을 알 수 있었다. 즉, 플라즈마 제전 후, 아르곤 가스 등의 헬륨 가스보다 이온화 에너지가 낮은 가스를 공급하고, 웨이퍼(W) 이면과 정전척(106) 표면 사이를 고압으로 하여, 가스의 흡착에 의한 제전을 행함으로써, 지지핀(81)을 승강할 때의 토크를 낮출 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼를 손상 없이 정전척(106)으로부터 이탈시킬 수 있는 것이 증명되었다.
도 4의 [a] 및 도 4의 [b]는, 전열 가스로서 일반적으로 이용되고 있는 헬륨 가스를 웨이퍼(W) 이면과 정전척(106) 표면 사이에 도입한 경우의 모터 전압값의 실험 결과이다. 도 4의 [a]에서는, 웨이퍼(W) 이면과 정전척(106) 표면 사이의 압력을 플라즈마 처리 중의 압력보다 높은 압력으로 하는 고압 단계는 행하지 않으나, 도 4의 [b]는, 상기 고압 단계를 행한다.
이에 의하면, 도 4의 [a]의 경우, 최대 모터 전압값은 0.461 V였던 데 비하여, 도 4의 [b]의 경우, 최대 모터 전압값은 0.421 V였다. 따라서, 헬륨 가스를 도입한 경우에는, 고압 단계를 실행해도 실행하지 않아도, 모터 전압값은 그다지 변하지 않고, 모두 최대 모터 전압값은, 웨이퍼(W)의 손상을 판정하기 위한 임계값 0.4 V보다 큰 값이 되기 때문에, 웨이퍼(W) 손상의 가능성이 높아지고 있는 것을 알 수 있다.
도 27의 표를 참조하면, 중성 원자의 경우 「Ⅰ」의 헬륨 가스의 이온화 에너지는 약 24.6이며, 헬륨 가스는, 잔류 전하의 이동에 기여할 정도로, 최외피의 전자의 수수가 행해지기 쉬운 원자라고는 말할 수 없다. 따라서, 헬륨 가스보다 낮은 이온화 에너지를 갖는 원자를 고압 단계에서 공급하는 것이 필요하다고 말할 수 있다. 도 27의 표에서는, 헬륨보다 낮은 이온화 에너지를 갖는 원자의 일례로서, 아르곤의 「15.7」, 질소의 「14.5」, 산소의 「13.6」을 들 수 있다.
[제어부의 기능 구성]
다음으로, 제전 처리도 포함한 프로세스 처리를 제어하는 제어 장치(100)의 기능 구성에 대해서, 도 5를 참조하면서 설명한다. 제어 장치(100)는, 프로세스 실행부(255), 제어부(260), 기억부(265) 및 취득부(270)를 갖는다.
기억부(265)에는, 에칭 처리를 실행하기 위한 복수의 프로세스 레시피가 미리 기억되어 있다. 프로세스 실행부(255)는, 기억부(265)에 기억된 복수의 레시피 중, 원하는 프로세스 레시피를 선택하여 그 프로세스 레시피에 따라 에칭 처리를 제어한다. 에칭 처리는, 도 1의 에칭 장치(10)를 사용하여 실행된다.
제어부(260)는, 에칭 장치(10) 내의 각부를 제어한다. 특히, 본 실시형태에서는, 제어부(260)에 의해 행해지는 제어 중, 정전척(106)의 탈착에 대한 제어를 중심으로 설명한다. 제어부(260)는, 정전척(106)의 탈착을 제어하기 위해서, 직류 전압원(112)의 전압을 제어하고, 챔버(C)에의 가스의 공급을 제어하기 위해서, 가스 공급원(120)을 제어하며, 지지핀(81)의 승강을 제어하고, 웨이퍼(W) 이면에의 전열 가스의 공급을 제어하기 위해서, 전열 가스 공급원(85)을 제어한다. 또한, 플라즈마 제전을 위한 고주파 전력의 인가를 위해서, 고주파 전원(110a)을 제어한다. 배기 장치(173)에 의한 배기 제어도 행한다.
기억부(265)는, 예컨대 반도체 메모리, 자기 디스크, 또는 광학 디스크 등을 이용하여 RAM, ROM으로서 실현될 수 있다. 레시피는, 기억 매체에 저장하여 제공되며, 도시하지 않은 드라이버를 통해 기억부(265)에 읽어들여지는 것이어도 좋고, 또한, 도시하지 않은 네트워크로부터 다운로드되어 기억부(265)에 저장되는 것이어도 좋다. 또한, 상기 각부의 기능을 실현하기 위해서, CPU를 대신하여 DSP(Digital Signal Processor)가 이용되어도 좋다. 한편, 제어부(260)의 기능은, 소프트웨어를 이용하여 동작함으로써 실현되어도 좋고, 하드웨어를 이용하여 동작함으로써 실현되어도 좋다.
모니터(275)는, 챔버(C) 내의 압력을 정상 상태로 하기 위해서 정해진 시간 경과 후 적어도 10초 동안, 정전척(106)의 전압을 모니터한다(감시 단계). 취득부(270)는, 모니터한 결과의 검출값을 취득한다. 이상, 본 실시형태에 따른 제어 장치(100)의 기능 구성에 대해서 설명하였다.
[이탈 제어 방법]
다음으로, 본 실시형태에 따른 이탈 제어 방법에 대해서, 도 6 및 도 7을 참조하면서 설명한다. 도 6은 본 실시형태에 따른 웨이퍼(W)의 이탈 제어 방법을 도시한 플로우차트이다. 도 7의 [a]는, 본 실시형태에 따른 웨이퍼(W)의 이탈 제어 방법을 도시한 타임차트이다. 도 7의 [b]는, 비교하는 웨이퍼(W)의 이탈 제어 방법을 도시한 타임차트이다. 본 실시형태에 따른 이탈 제어 방법에서는, 웨이퍼(W)를 정전 흡착하는 정전척(106)으로부터 웨이퍼(W)를 손상시키지 않고 이탈시킨다.
플라즈마(에칭) 처리 단계는, 주로 프로세스 실행부(255)에 의해 제어, 실행된다. 제전 단계, 고압 단계 및 이탈 단계는, 주로 제어부(260)에 의해 제어된다.
먼저, 웨이퍼(W)가 챔버 내에 반입되어, 플라즈마 처리 단계가 실행된다. 최초로, 프로세스 가스가 도입되고, 챔버 내가 정해진 압력으로 유지된다(S100). 도 7의 [a]의 Step1은 단계 S100에 대응하며, 본 실시형태에서는, 아르곤 가스 800 sccm, 압력 80 mTorr(10.6 ㎩)로 제어된다.
다음으로, 고주파 전력을 챔버(C) 내에 도입하여, 플라즈마를 발생시킨다(S101). 도 7의 [a]의 Step2는 단계 S101에 대응하며, 본 실시형태에서는, 350 W의 고주파 전력(HF)을 하부 전극에 인가하도록 제어된다. 한편, 상부 전극에 고주파 전력(HF)을 인가하는 에칭 장치를 사용해도 좋다.
다음으로, 플라즈마 발생 후, 척 전극(106a)에 전압을 인가하여, 웨이퍼(W)를 정전 흡착시킨다(S102). 도 7의 [a]의 Step2는 단계 S102에도 대응하며, 본 실시형태에서는, Step2의 도중에서 척 전극(106a)에 전압을 인가(HV ON)하도록 제어된다.
안정화 후, 웨이퍼(W)의 이면과 정전척(106)의 표면 사이에 전열 가스로서 기능하는 헬륨 가스를 공급하고, 그 상태에서 정해진 시간 프로세스(에칭 처리)를 행한다(S103). 도 7의 [a]의 Step3, Step4는 단계 S103에 대응하며, 본 실시형태에서는, Step3의 개시시에 전열 가스가 공급되고, Step4에서 레시피에 기초하여 각종 프로세스 조건하에서 에칭 처리가 실행된다.
프로세스 종료 후, 프로세스 가스 및 고주파 전력의 공급을 정지하고(S104), 전열 가스의 공급을 정지한다(S105). 다음으로, 제전 단계가 실행된다. 제전 단계는, 플라즈마 처리 후에 챔버 내에 불활성 가스를 도입하여 제전 처리를 행하는 단계이다. 제전 단계에서는, 먼저, 아르곤 가스를 도입하고, 챔버(C) 내를 정해진 압력으로 유지한다(S105). 도 7의 [a]의 Step4 후의 시간 T1은 단계 S104∼S106에 대응하며, 본 실시형태에서는, 프로세스 가스 및 고주파 전력의 공급을 정지한다. 전열 가스의 공급을 서서히 줄여서 정지하면서, 600 sccm의 아르곤 가스를 도입하고, 챔버(C) 내의 압력을 150 mTorr로 제어한다.
안정화 후, 척 전극(106a)에의 전압 인가를 정지(0 V)하고, 약한 플라즈마를 생성하면서 제전한다(S107: 플라즈마 제전). 도 7의 [a]의 Step4 후의 T2 시간은 안정화를 위한 시간이며, 본 실시형태에서는, T2 시간 경과 후, 척 전극(106a)에의 전압 인가를 정지(0 V)하고, 플라즈마 제전이 행해진다. 여기까지의 처리는, 도 7의 [a]에 도시한 본 실시형태, 및 도 7의 [b]에 도시한 비교예로서의 웨이퍼(W)의 이탈 제어 방법에서는 차이가 없다. 단, 도 7의 [a]에 도시한 본 실시형태의 웨이퍼(W)의 이탈 제어 방법에서는, 웨이퍼 이탈 단계로서 고압 단계를 실행하는 점에서, 도 7의 [b]에 도시한 웨이퍼(W)의 이탈 단계와 상이하다.
구체적으로는, 도 7의 [a]에 도시한 고압 단계에서는, 제전 단계 후, 헬륨 가스보다 이온화 에너지가 낮은 가스로서 아르곤 가스를 제전 처리 단계에 있어서의 유량을 초과하는 유량으로 제어하여 공급한다(S108). 챔버(C) 내의 압력을 플라즈마 처리에서의 압력 또는 제전 처리 단계에 있어서의 압력보다 높은 압력으로 설정 및 유지한다(S109).
고압 단계 중 또는 고압 단계 후, 웨이퍼(W)를 지지핀(81)에 의해 정전척(106)으로부터 이탈시키는 이탈 단계를 실행하고(S110), 본 처리를 종료한다. 이탈 단계는, 챔버(C) 내의 압력이 정상 상태가 되고 나서 웨이퍼(W)를 지지핀(81)에 의해 정전척(106)으로부터 이탈시키는 것이 바람직하다. 이에 의해, 웨이퍼(W)를 손상시키지 않고, 확실하게 정전척(106)으로부터 이탈시킬 수 있다. 본 실시형태에서는, 챔버 압력을 900 mT의 고압으로 유지하고, 아르곤 가스 1400 sccm을 도입하며, 30초 유지 후, 지지핀(81)에 의한 웨이퍼(W)의 이탈이 행해진다.
전술한 바와 같이 고압 단계에서 도입하는 아르곤 가스의 유량은, 제전 단계에 있어서의 아르곤 가스의 유량을 초과하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 정전척(106)의 표면의 절연층(Z)과 웨이퍼(W) 이면 사이에서 전하 교환을 보다 촉진할 수 있다. 또한, 가스 유량을 증가시킴으로써, 챔버 내를 신속히 고압으로 제어할 수 있다.
이에 비하여, 비교예의 웨이퍼의 이탈 단계에서는, 플라즈마 제전시의 조건을 대략 유지한 채로 지지핀에 의한 웨이퍼(W)의 이탈이 행해지며, 웨이퍼 이탈시, 챔버(C) 내는 고압 상태로 되어 있지 않다.
[효과의 예]
이하에서는, 상기 실시형태의 이탈 제어 방법에 의한 효과에 대해서 설명한다. 도 8은 일 실시형태에 따른 고압 단계에 있어서의 정전척 전압의 편차를 설명하기 위한 도면이다. 도 8의 [a]는, 도 7의 타임차트 중, T1(8 s)→T2(2 s)→Delay(1 s)→고압 단계(T3+T3'(30 s))에 있어서의, 플라즈마 생성용의 고주파 전력 RF(W), 정전척의 전압 ESC_V(V), 챔버 내의 압력 Pres.(mT), 아르곤 가스 Ar(sccm)의 프로세스 중의 이력을 도시한다. 또한, 도 8의 [b]에 도시한 바와 같이, 10장 이상의 웨이퍼에 대해서 실험을 행한 결과, 본 이탈 제어 방법에 의해 발생하는 웨이퍼 이탈시의 최대 모터 전압값은, 0.25 V보다 약간 작은 값으로 안정되어 있는 것을 알 수 있었다. 도 8의 [a]는, 실험한 복수 매의 웨이퍼 중, 선택한 4장의 웨이퍼에 대한 프로세스 이력을 도시한다. 또한, 도 9 내지 도 12에는, 도 8의 [a]에 도시한 4장의 웨이퍼 중, 1장째, 2장째, 3장째, 4장째의 웨이퍼의 프로세스 이력을 따로따로 도시한다.
T2 경과 후, 압력을 900 mT로 고압으로 제어하고, 또한, 아르곤 가스 1400 sccm을 공급하여, 30초 유지하는 고압 단계를 실행한다. 그러면, T2 경과시에 정전척(106)에 인가하는 전압(ESC_V)을 정지(0 V)했음에도 불구하고, 고압 단계에서, 모든 웨이퍼에서 정전척(106)의 전압에 편차가 발생하고 있다. 도 8의 파선의 타원 내의 정전척(106)의 전압 ESC_V 및 도 9 내지 도 12에 도시한 정전척(106)의 전압 ESC_V이다. 이것은, 도 3의 [c]의 고압력인 경우에 나타낸 바와 같이, 이온화 에너지가 낮은 아르곤 가스가 개재한 잔류 전하의 이동을 검출한 결과라고 생각된다. 즉, 이온화 에너지가 낮은 아르곤 가스에 의해, 정전척(106) 표면의 절연층(Z)과 웨이퍼(W) 이면 사이에서 전하 교환을 보다 촉진할 수 있다. 이에 의해, 정전척(106)의 표면의 잔류 전하를 감소시킬 수 있다. 이상으로부터, 고압 단계의 실행에 의해, 웨이퍼의 손상의 리스크는 낮아지는 것이 실증되었다.
(고압 단계/압력)
다음으로, 고압 단계에 있어서의 압력 의존에 대해서 실험한 결과를, 도 13을 참조하면서 설명한다. 도 13은 본 실시형태에 따른 고압 단계에 있어서의 정전척의 전압의 압력 의존을 도시한다.
고압 단계에 있어서의 압력은, 50 mT, 100 mT, 300 mT, 500 mT, 600 mT, 700 mT, 800 mT, 850 mT, 950 mT로 설정하였다. 도 13은 T1(8 s)→T2(2 s)→Delay(1 s)→고압 단계에 있어서의, 고주파 전력(HF), 정전척의 전압, 챔버 내 압력(가변), 아르곤 가스의 프로세스 중의 이력을 도시한다.
이에 의하면, T2 시간 경과 후, 정전척(106)에의 전압 인가를 정지(0 V)했음에도 불구하고, 아르곤 가스를 1400 sccm 공급하고, 상기 중 어느 하나의 압력으로 제어한 고압 단계에서, 정전척(106)의 전압에 편차가 발생하고 있다.
구체적으로는, 도 14에 도시한 바와 같이, 950 mT로 압력을 설정한 경우, 척 전압의 피크가 2회 보여졌다. 도 15에 도시한 바와 같이, 600 mT로 압력을 설정한 경우, 척 전압의 피크가 1회 보여졌다. 600 mT∼950 mT 사이의 압력에 있어서도 도시는 생략하지만, 척 전압의 피크가 보여졌다.
이에 비하여, 500 mT 이하로 압력을 설정한 경우, 척 전압의 피크는 보여지지 않았다. 50 mT로 압력을 설정한 경우의 도시는 생략하지만, 예컨대, 도 16에 도시한 바와 같이, 500 mT, 300 mT, 100 mT로 압력을 설정한 경우, 척 전압의 피크는 보여지지 않는다.
이 결과로부터, 저압으로 설정할수록, 정전척의 전압의 편차는 발생하기 어려운 경향이 있고, 저압이 될수록 잔류 전하의 이동이 감소하는 것을 알 수 있었다. 특히, 500 mT 이하에서는 정전척의 전압의 피크는 전혀 검출되지 않았다.
또한, 고압 단계 후, 웨이퍼(W)를 지지핀에 의해 이탈시킬 때, 100 mT로 압력을 설정한 경우, 웨이퍼(W)는 균열, 300 mT 및 500 mT로 압력을 설정한 경우, 웨이퍼(W)에 튐이 발생한 것을 육안으로 검출하였다.
이상으로부터, 고압 단계에 있어서는, 챔버 내의 압력을 500 mT(66.7 ㎩)보다 큰 값으로 설정하는 것이 바람직한 것을 알 수 있었다.
(고압 단계/압력과 웨이퍼의 표면 전위)
이상의 고압 단계에 있어서의 잔류 전하의 이동은, 웨이퍼의 표면 전위를 측정함으로써 명백하게 할 수 있다. 도 17은 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 표면 전위를 계측하기 위한 표면 전위계를 포함하는 장치 구성을 도시한 도면이다. 도 18은 본 실시형태의 고압 단계에 있어서의 웨이퍼의 표면 전위의 계측 결과를 도시한 도면이다.
도 17에 도시한 표면 전위계를 포함하는 장치 구성에 대해서 간단히 설명한다. 챔버(C) 내에서 알루미늄 배선(200)을 배치대(102)에 배치된 웨이퍼(W)에 접속한다. 알루미늄 배선(200)은, 챔버 측벽(150)을 관통시켜, 챔버(C) 밖까지 뻗어가게 한다. 챔버 측벽(150)의 관통 부분은 O링(155)에 의해 밀봉되기 때문에, 챔버(C) 내의 기밀은 유지된다. 챔버(C) 밖에 있어서, 알루미늄 배선(200)은 RF 필터(201)에 접속된다. RF 필터(201)에서는, 교류 전압 AC의 고주파 성분을 제거하고, 직류 전압 DC만 출력한다. RF 필터(201)의 출력측에서, 알루미늄 배선(200)은 구리의 원판(202)에 접속된다. 원판(202)은 대(203)에 놓여지며, 대(203)는 접지되어 있다. 표면 전위계(204)는, 비접촉식이며, 원판(202)의 표면 전위를 측정한다. 측정값은, 표면 전위계(204)에 접속된 PC(205)에 보내지고, PC(205)에서 해석된다. 표면 전위계(204)에 의한 측정값은, 웨이퍼(W)의 표면 전위와 동전위이다. 따라서, 본 장치를 이용하여, 원판(202)의 표면 전위를 측정함으로써, 웨이퍼(W)의 표면 전위를 계측할 수 있다.
본 실시형태에서는, 챔버 내 압력 80 mT, 플라즈마 생성용의 고주파 전력 400 W, 바이어스용의 고주파 전력 200 W, 직류 전압원(112)으로부터의 전압 150 V, 가스종 및 가스 유량 C4F8/Ar/O2=60/200/38 sccm, 프로세스 시간 10 s의 프로세스 조건하에서 플라즈마 처리를 행하였다. 그 후, 고압 단계에 있어서의 웨이퍼의 표면 전위를 측정하였다. 그 결과를 도 18에 도시한다.
도 18을 고찰하면, 고압 단계에 있어서의 챔버 내 압력을 900 mT, 600 mT, 300 mT, 100 mT로 설정한 경우, 고압으로 설정할수록, 웨이퍼의 표면 전위가 내려가는 것을 알 수 있었다. 이것은, 고압 단계에 있어서의 챔버 내 압력을 고압으로 설정할수록, 이온화 에너지가 낮은 아르곤 가스를 개재시켜 정전척 표면의 잔류 전하의 이동이 촉진되어, 웨이퍼의 표면 전위가 낮아졌다고 생각된다.
또한, 어느 압력의 경우에도, 고압 단계 개시 후, 7초 정도로 웨이퍼의 표면 전위가 안정되고 있는 것을 알 수 있다. 따라서, 고압 단계 개시 후, 10초 이내에 잔류 전하의 이동은 거의 수속(收束)되는 것이 예측된다.
(고압 단계/프로세스 시간)
다음으로, 고압 단계에 있어서의 프로세스 시간을 가변으로 한 경우의 실험 결과에 대해서, 도 19를 참조하면서 설명한다. 도 19는 본 실시형태의 고압 단계에 있어서의 흡착 상황의 시간 의존을 도시한 도면이다.
이때의 고압 단계의 프로세스 조건은, 압력 900 mT, 아르곤 가스 1400 sccm의 상태이고, 프로세스 시간을 5초, 10초, 15초, 20초, 30초로 설정하였다. 각 설정 시간 경과 후 즉시 지지핀에 의해 웨이퍼를 이탈시킨 경우의 최대 모터 전압값을 도 19에 나타낸다. 한편, 도 19의 Normal(노멀)에는, 챔버 내 압력 150 mT, 아르곤 가스 600 sccm의 저압 프로세스 조건에 있어서, 지지핀에 의해 웨이퍼를 이탈시킨 경우의 최대 모터 전압값이 나타난다.
이에 의하면, 고압 단계에 있어서의 프로세스 시간이 15초보다 짧아지면, 최대 모터 전압값은 상승하는 것을 알 수 있었다.
(고압 단계/가스종)
다음으로, 고압 단계의 가스종을 변화시킨 경우의 실험 결과에 대해서, 도 20 내지 도 23을 참조하면서 설명한다. 도 20은 본 실시형태의 고압 단계에 있어서의 흡착 상황의 가스 의존을 도시한 도면이다. 도 21 내지 도 23은 본 실시형태의 고압 단계에 있어서의 가스종과 정전척의 전압을 도시한 도면이다.
도 20에서는, Normal(노멀)에는, 챔버 내 압력 150 mT, 아르곤 가스 600 sccm의 저압 프로세스 조건에 있어서, 지지핀에 의해 웨이퍼를 이탈시킨 경우의 최대 모터 전압값이 나타난다.
또한, 비교예(Ref.)에서의 고압 단계에 있어서의 프로세스 조건은, 압력 950 mT(126.6 ㎩), 가스종 Ar=1400 sccm이다. 이에 비하여, 가스종을 변경시킨 고압 단계를 2종류 선택하였다. 하나는, 압력 950 mT, 가스종 및 가스 유량 O2/Ar=600/1400 sccm의 혼합 가스이다. 또 하나는, 압력 1150 mT(153.3 ㎩), 가스종 및 가스 유량 N2=2000 sccm의 단일 가스이다.
실험 결과에 의하면, 비교예인 압력 950 mT, 가스종 Ar=1400 sccm의 단일 가스의 경우와 비교하여, O2 및 Ar의 혼합 가스의 경우, N2의 단일 가스의 경우 모두, 노멀의 경우와 비교하여 최대 모터 전압값은 작아지고 있는 것을 알 수 있다.
또한, 도 21에 나타낸 노멀(챔버 내 압력 150 mT, 아르곤 가스 600 sccm의 저압 프로세스 조건)의 경우, 정전척의 전압의 편차는 검출되지 않았다.
한편, 도 22에 나타낸 압력 950 mT, 가스종 및 가스 유량 Ar/O2=1400/600 sccm의 혼합 가스의 경우에는, 정전척의 전압의 편차가 검출되었다. 마찬가지로, 도 23에 나타낸 압력 1150 mT, 가스종 및 가스 유량 Ar/O2=1400/600 sccm의 혼합 가스의 경우에도, 정전척의 전압의 편차는 검출되었다.
도 24, 도 25, 도 26은, 챔버 내 압력을 900 mT로 설정한 고압 단계에 있어서, 가스종을 변경한 경우의 실험 결과이다. 도 24에서는, 아르곤 가스 1400 sccm만, 도 25에서는, O2 가스 1400 sccm만, 도 26에서는, N2 가스 1400 sccm만을 공급한다. 고압 단계에 있어서 어느 가스종을 공급해도, 정전척의 전압의 편차는 검출되었다.
이상으로부터, 고압 단계에서 공급 가능한 「헬륨보다 이온화 에너지가 낮은 가스」로서는, 아르곤 가스(Ar)에 한하지 않고, 산소 가스(O2), 질소 가스(N2)의 단일 가스, 및 아르곤 가스, 산소 가스, 질소 가스로부터 2종 이상 선택된 혼합 가스여도 좋은 것을 알 수 있었다. 그 외, 고압 단계에서 공급 가능한 「헬륨보다 이온화 에너지가 낮은 가스」로서는, 도 27의 표에 개시되는 헬륨의 이온화 에너지 「24.587」보다 작은 이온화 에너지를 갖는 가스를 선택할 수 있다.
이상, 본 실시형태에 따른 이탈 제어 방법에 의하면, 플라즈마 처리 후에 챔버 내에 불활성 가스를 도입하여, 제전 처리를 행하는 제전 단계와, 웨이퍼(W)를 지지핀에 의해 정전척(106)으로부터 이탈시키는 이탈 단계 사이에, 헬륨 가스보다 이온화 에너지가 낮은 가스를 도입하고, 챔버(C) 내의 압력을 플라즈마 처리에서의 압력보다 높은 압력으로 유지하는 고압 단계를 마련함으로써, 정전척 표층의 잔류 전하에 의한 흡착을 방지할 수 있다. 이 결과, 정전척으로부터의 이탈시에 웨이퍼(W)에 손상을 주는 것을 방지하여, 생산성을 높일 수 있다.
[이탈 제어 방법의 변형예]
마지막으로, 본 실시형태의 변형예에 따른 웨이퍼(W)의 이탈 제어 방법에 대해서, 도 28 및 도 29를 참조하면서 설명한다. 도 28은 본 실시형태의 변형예에 따른 이탈 제어 방법을 실행하기 위한 플로우차트이다. 도 29는 변형예에 따른 이탈 제어 방법을 설명하기 위한 도면이다.
단계 S100∼S105의 플라즈마 처리 단계, 단계 S106 및 S107의 제전 단계는, S102에서 정전척의 전압의 모니터를 개시하는 점을 제외하고, 도 6에 도시한 본 실시형태의 이탈 제어 방법과 동일하기 때문에, 여기서는 설명을 생략하고, 단계 S108 이후의 고압 단계 및 이탈 단계에 대해서 설명한다.
제전 단계 후, 헬륨 가스보다 이온화 에너지가 낮은 가스로서 아르곤 가스를 보다 유량을 증가시켜 공급하고(S108), 챔버(C) 내의 압력을 플라즈마 처리에서의 압력(또는 제전 처리에서의 압력)보다 높은 압력으로 설정한다(S120).
정해진 시간 T3이 경과했는지 판정하고(S121), 시간 T3 경과 후(압력 안정화 후), 시간 T3' 동안에 소정 이상의 정전척의 전압 변동을 검출했는지를 판정한다(S122). 검출한 경우, 정전척 표층에 소정량 이상의 잔류 전하가 존재한다고 판정하고, 웨이퍼의 이탈을 정지하며(S123), 본 처리를 종료한다. 도 29의 [a]에서는, 시간 T3' 동안에 정전척의 전압 변동 E3을 검출했기 때문에, 웨이퍼의 이탈을 정지한다.
S122에서 정전척의 전압 변동을 검출하지 않은 경우, 시간 T4 동안에 소정 이상의 정전척의 전압 변동을 검출했는지를 판정한다(S124). 검출하지 않은 경우, 웨이퍼를 이탈시키고(S125), 본 처리를 종료한다. 도 29의 [b]에서는, 시간 T3' 및 시간 T4 동안에 정전척의 전압 변동을 검출하지 않았기 때문에, 지지핀에 의해 웨이퍼를 이탈시킨다.
한편, S124에서 정전척의 전압 변동을 검출한 경우, 웨이퍼의 이탈을 정지시키고(S125), 본 처리를 종료한다. 도 29의 [a]에서 가령 시간 T3' 동안에 정전척의 전압 변동이 없었던 경우라도, 시간 T4 동안에 정전척의 전압 변동 E4를 검출한 경우, 웨이퍼의 이탈을 정지한다.
한편, S124는 생략 가능하며, S122에서 시간 T3' 동안에 정전척의 전압 변동을 검출하지 않은 경우, S124를 실행하지 않고 곧장 웨이퍼를 이탈시켜도 좋다.
또한, 시간 T3과 시간 T3'의 합계 시간은, 고압 단계의 총 시간이며, 예컨대 30초여도 좋다. 이때, 압력의 변동이 ±5% 이내가 되면 압력이 안정되었다고 판정하고, 시간 T3을 종료하고, 시간 T3'를 개시해도 좋다.
이상, 본 실시형태의 변형예에 따른 이탈 제어 방법에 의해서도, 고압 단계를 마련함으로써, 정전척 표층의 잔류 전하를 줄여, 흡착을 방지할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 변형예에 의하면, 변형예에 따른 이탈 제어 방법에 의해서도, 만일, 정전척 표층의 잔류 전하를 소정값 이하까지 줄일 수 없었던 경우에는, 웨이퍼(W)의 이탈 처리를 정지함으로써, 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다.
이상, 본 이탈 제어 방법 및 상기 이탈 제어 방법을 사용하는 플라즈마 처리 장치를 실시예에 의해 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지 변형 및 개량이 가능하다. 또한, 실시형태 및 변형예가 복수 존재하는 경우, 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다.
예컨대, 상기 실시형태 및 변형예에서는, 제전 단계에서 챔버 내에 도입하는 가스와, 고압 단계에서 챔버 내에 도입하는 가스는 동일 가스인 예를 나타내었으나, 이것에 한하지 않고, 상이한 가스여도 좋다. 단, 제전 단계와 고압 단계에서 공급하는 가스는 동일 가스인 것이 바람직하다.
또한, 예컨대, 본 발명에 따른 플라즈마를 발생시키는 수단으로서는, 용량 결합형 플라즈마(CCP: Capacitively Coupled Plasma) 발생 수단, 유도 결합형 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma) 발생 수단, 헬리콘파 여기형 플라즈마(HWP: Helicon Wave Plasma) 발생 수단, RLSA(Radial Line Slot Antenna) 마이크로파 플라즈마나 SPA(Slot Plane Antenna) 플라즈마를 포함하는 마이크로파 여기 표면파 플라즈마 발생 수단, 전자 사이크로트론 공명 플라즈마(ECP: Electron Cyclotron resonance Plasma) 발생 수단, 상기 발생 수단을 이용한 리모트 플라즈마 발생 수단 등을 이용할 수 있다.
본 발명에 있어서 플라즈마 처리가 실시되는 피처리체는, 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, 예컨대, 플랫 패널 디스플레이(FPD: Flat ㎩nel Display)용의 대형 기판, EL 소자 또는 태양 전지용의 기판이어도 좋다.
본 국제 출원은, 2012년 9월 12일에 출원된 일본국 특허 출원 2012-200518호에 기초한 우선권 및 2012년 9월 20일에 출원된 미국 가출원 61/703410호에 기초한 우선권을 주장하는 것이며, 그 모든 내용을 본 국제 출원에 원용한다.
10: 에칭 장치 81: 지지핀
85: 전열 가스 공급원 100: 제어 장치
106: 정전척 106a: 척 전극
110a: 제1 고주파 전원 112: 직류 전압원
120: 가스 공급원 204: 표면 전위계
255: 프로세스 실행부 260: 제어부
265: 기억부 270: 취득부
275: 모니터 C: 챔버

Claims (8)

  1. 피처리체를 정전 흡착하는 정전척으로부터 피처리체를 이탈시키기 위한 이탈 제어 방법에 있어서,
    플라즈마 처리 후에 챔버 내에 불활성 가스를 도입하여, 제전(除電) 처리를 행하는 제전 단계;
    상기 제전 단계 후, 헬륨 가스보다 이온화 에너지가 낮은 가스로서 N2 가스, O2 가스, Ar 가스 또는 이들 가스 중 적어도 2 이상의 혼합 가스를 도입하고, 상기 챔버 내의 압력을 상기 플라즈마 처리에서의 압력 또는 상기 제전 단계에서의 압력보다 높은 압력으로 유지하는 고압 단계; 및
    상기 고압 단계에 의해 상기 높은 압력을 유지하고 있는 동안 또는 상기 높은 압력을 유지한 후, 피처리체를 지지핀에 의해 상기 정전척으로부터 이탈시키는 이탈 단계
    를 포함하는 이탈 제어 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고압 단계는, 상기 챔버 내의 압력을 500 mT(66.7 ㎩)보다 큰 값으로 설정하는 것인 이탈 제어 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 이탈 단계는, 상기 챔버 내의 압력이 정상 상태가 되고 나서 피처리체를 상기 지지핀에 의해 상기 정전척으로부터 이탈시키는 것인 이탈 제어 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 고압 단계에서 도입하는 가스의 유량은 상기 제전 단계에서 도입하는 가스의 유량을 초과하는 것인 이탈 제어 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 챔버 내의 압력을 정상 상태로 하기 위해서 미리 정해진 시간 경과 후 적어도 10초 동안, 상기 정전척의 전압을 모니터하는 감시 단계를 더 포함하며,
    상기 이탈 단계는, 상기 감시 단계에서 상기 정전척의 전압의 미리 정해진 것 이상의 변동을 검출한 경우, 상기 지지핀에 의해 피처리체를 이탈시키는 처리를 정지하는 것인 이탈 제어 방법.
  6. 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    척 전극을 가지고, 피처리체를 정전 흡착하는 정전척; 및
    플라즈마 처리 후에 챔버 내에 불활성 가스를 도입하여, 제전 처리를 행하는 제어부
    를 포함하며,
    상기 정전척의 표면은 돌기를 갖고,
    상기 제어부는,
    상기 제전 처리 후, 헬륨 가스보다 이온화 에너지가 낮은 가스로서 N2 가스, O2 가스, Ar 가스 또는 이들 가스 중 적어도 2 이상의 혼합 가스를 도입하고, 상기 챔버 내의 압력을 상기 플라즈마 처리에서의 압력보다 높은 압력 또는 상기 제전 처리에서의 압력으로 유지하고 있는 동안 또는 유지 후, 피처리체를 지지핀에 의해 상기 정전척으로부터 이탈시키는 것인 플라즈마 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
KR1020157003851A 2012-09-12 2013-09-11 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 KR102149564B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012200518A JP6132497B2 (ja) 2012-09-12 2012-09-12 離脱制御方法及びプラズマ処理装置
JPJP-P-2012-200518 2012-09-12
US201261703410P 2012-09-20 2012-09-20
US61/703,410 2012-09-20
PCT/JP2013/074492 WO2014042174A1 (ja) 2012-09-12 2013-09-11 離脱制御方法及びプラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150053899A KR20150053899A (ko) 2015-05-19
KR102149564B1 true KR102149564B1 (ko) 2020-08-28

Family

ID=50278284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157003851A KR102149564B1 (ko) 2012-09-12 2013-09-11 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9966291B2 (ko)
JP (1) JP6132497B2 (ko)
KR (1) KR102149564B1 (ko)
TW (1) TWI597776B (ko)
WO (1) WO2014042174A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6472230B2 (ja) * 2014-12-12 2019-02-20 株式会社アルバック 真空処理方法
JP6505027B2 (ja) * 2016-01-04 2019-04-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料の離脱方法およびプラズマ処理装置
JP6708358B2 (ja) * 2016-08-03 2020-06-10 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置及び試料の離脱方法
JP6727068B2 (ja) 2016-08-08 2020-07-22 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
CN108376659B (zh) * 2018-01-30 2020-08-04 上海华力微电子有限公司 一种静电吸盘除静电时的氦气压力控制系统及方法
US11521838B2 (en) * 2018-12-18 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Integrated cleaning process for substrate etching
TW202137323A (zh) * 2020-01-29 2021-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及基板處理系統
JP2022042122A (ja) * 2020-09-02 2022-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び状態監視方法
JP2023067369A (ja) 2021-11-01 2023-05-16 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法、基板の処理方法及びプラズマ処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004047511A (ja) * 2002-07-08 2004-02-12 Tokyo Electron Ltd 離脱方法、処理方法、静電吸着装置および処理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0547910Y2 (ko) 1987-03-05 1993-12-17
JP2635195B2 (ja) * 1990-02-19 1997-07-30 株式会社日立製作所 静電チャックの帯電除去方法
JP3169993B2 (ja) * 1991-08-19 2001-05-28 忠弘 大見 静電吸着装置
JP3315197B2 (ja) 1993-05-17 2002-08-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP2817585B2 (ja) * 1993-09-10 1998-10-30 住友金属工業株式会社 試料の離脱方法
TW288253B (ko) * 1994-02-03 1996-10-11 Aneruba Kk
JP3671379B2 (ja) * 1994-02-03 2005-07-13 アネルバ株式会社 静電吸着された被処理基板の離脱機構を持つプラズマ処理装置および静電吸着された被処理基板の離脱方法
JP3162272B2 (ja) * 1995-08-22 2001-04-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JPH11260897A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板の取り扱い方法と装置、それに用いる吸着検査方法、装置
JP2003282691A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Nec Kyushu Ltd ウェハ保持用静電チャックおよびウェハの剥離方法
US20030236004A1 (en) * 2002-06-24 2003-12-25 Applied Materials, Inc. Dechucking with N2/O2 plasma
JP2010272709A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置，基板脱離方法，プログラム
US8520360B2 (en) * 2011-07-19 2013-08-27 Lam Research Corporation Electrostatic chuck with wafer backside plasma assisted dechuck

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004047511A (ja) * 2002-07-08 2004-02-12 Tokyo Electron Ltd 離脱方法、処理方法、静電吸着装置および処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201428844A (zh) 2014-07-16
TWI597776B (zh) 2017-09-01
US20150194330A1 (en) 2015-07-09
JP2014056928A (ja) 2014-03-27
WO2014042174A1 (ja) 2014-03-20
KR20150053899A (ko) 2015-05-19
US9966291B2 (en) 2018-05-08
JP6132497B2 (ja) 2017-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102149564B1 (ko) 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치
US10163610B2 (en) Extreme edge sheath and wafer profile tuning through edge-localized ion trajectory control and plasma operation
JP7061918B2 (ja) プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置
EP3133635B1 (en) Edge ring assembly for improving feature profile tilting at extreme edge of wafer
US8440050B2 (en) Plasma processing apparatus and method, and storage medium
US8894806B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
US7767055B2 (en) Capacitive coupling plasma processing apparatus
CN109509694B (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理方法
JP2011035266A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR102526304B1 (ko) 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치
US20070227666A1 (en) Plasma processing apparatus
KR20140128953A (ko) 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치의 제어 장치
KR102487930B1 (ko) 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
TW200830454A (en) Apparatus for substrate processing and methods therefor
US20080242086A1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
KR20190130501A (ko) 클리닝 방법 및 기판 처리 장치
KR20170072809A (ko) 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
US20170338084A1 (en) Plasma processing method
KR20180099565A (ko) 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
TW201403653A (zh) 電漿處理裝置及電漿處理方法
US8034213B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
CN105702572A (zh) 等离子体蚀刻方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant