KR102134523B1 - Compound and organic light emitting device comprising the same - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 화학식 1의 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자를 제공한다. The present specification provides a compound of Formula 1 and an organic light emitting device including the same.
Description
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present specification relates to a compound and an organic light emitting device including the same.
본 명세서는 2017년 12월 26일에 한국특허청에 제출된 한국특허출원 제10-2017-0179556호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용은 전부 본 명세서에 포함된다. This specification claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2017-0179556, filed with the Korean Intellectual Property Office on December 26, 2017, the entire contents of which are incorporated herein.
유기발광소자는 2개의 전극 사이에 유기박막을 배치시킨 구조를 가지고 있다. 이와 같은 구조의 유기발광소자에 전압이 인가되면, 2개의 전극으로부터 주입된 전자와 정공이 유기박막에서 결합하여 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 발하게 된다. 상기 유기박막은 필요에 따라 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다. The organic light emitting device has a structure in which an organic thin film is disposed between two electrodes. When a voltage is applied to the organic light emitting device having such a structure, electrons and holes injected from two electrodes are combined and paired in an organic thin film, and then extinguishes and emits light. The organic thin film may be composed of a single layer or multiple layers as necessary.
유기박막의 재료는 필요에 따라 발광 기능을 가질 수 있다. 예컨대, 유기박막 재료로는 그 자체가 단독으로 발광층을 구성할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있고, 또는 호스트-도펀트계 발광층의 호스트 또는 도펀트 역할을 할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다. 그 외에도, 유기박막의 재료로서, 정공주입, 정공수송, 전자블록킹, 정공블록킹, 전자수송 또는 전자주입 등의 역할을 수행할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다.The material of the organic thin film may have a light emitting function as needed. For example, as the organic thin film material, a compound that can itself constitute a light emitting layer may be used, or a compound capable of serving as a host or a dopant of a host-dopant-based light emitting layer may be used. In addition, as a material for the organic thin film, a compound capable of performing roles such as hole injection, hole transport, electron blocking, hole blocking, electron transport or electron injection may be used.
유기발광소자의 성능, 수명 또는 효율을 향상시키기 위하여, 유기박막의 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.In order to improve the performance, life or efficiency of the organic light emitting device, the development of an organic thin film material is continuously required.
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification provides a compound and an organic light emitting device including the same.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.One embodiment of the present specification provides a compound represented by the following Chemical Formula 1.
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에 있어서, In Chemical Formula 1,
X는 S, O 또는 NAr이고, X is S, O or NAr,
상기 Ar은 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 상기 Ar은 R2와 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있고, Ar is a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, or Ar may combine with R2 to form a substituted or unsubstituted ring,
R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 2개의 치환기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하거나, O, S 또는 NRa으로 연결될 수 있으며, R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, nitrile group, nitro group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted silyl group, substituted or unsubstituted Amine group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, or two adjacent substituents may combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring, or be connected by O, S or NRa And
Ra은 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, Ra is a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
m 은 0 내지 6의 정수이고, m이 2 이상인 경우, R1은 서로 같거나 상이하고, n은 0 내지 7의 정수이고, n이 2 이상인 경우, R2는 서로 같거나 상이하다. m is an integer from 0 to 6, and when m is 2 or more, R1 is the same or different from each other, n is an integer from 0 to 7, and when n is 2 or more, R2 is the same or different from each other.
또한, 본 출원은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 전술한 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, the present application is a first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And an organic light emitting device including at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic material layer includes the above-described compound.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 적어도 하나의 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 본 명세서에 기재된 화합물은 전극 사이의 유기층의 재료로 사용될 수 있다. The compounds described herein can be used as a material for the organic material layer of the organic light emitting device. The compound according to at least one exemplary embodiment may improve efficiency, low driving voltage, and/or lifespan characteristics in an organic light emitting device. In particular, the compounds described herein can be used as a material for an organic layer between electrodes.
보다 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따른 화합물은 전자 수용 능력이 높은 구조를 가지고 있으며, 내열성이 우수하여 유기 발광 소자 제작시 적절한 증착 온도를 유지할 수 있다. 또한, 승화 온도가 높아 승화 정제 방법으로 고순도화가 가능하며, 유기 발광 소자 제조시 증착용 성막 장치 또는 유기 발광 소자에 오염을 일으키지 않는다.More specifically, the compound according to an exemplary embodiment of the present invention has a structure having a high electron-accepting ability, and is excellent in heat resistance, so that it is possible to maintain an appropriate deposition temperature when manufacturing an organic light emitting device. In addition, high purity can be achieved by a sublimation purification method due to a high sublimation temperature, and no contamination is caused in a deposition apparatus or an organic light emitting device for manufacturing an organic light emitting device.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(3), 전자수송층(7) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 3은 기판(1), 양극(2) 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자저지층(8), 발광층(3), 전자 주입 및 수송층(9) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 1 shows an example of an organic light emitting device in which a
2 is an organic light emitting device in which the
3 shows the
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present specification will be described in more detail.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present specification provides a compound represented by Chemical Formula 1.
본 발명에서는 상기와 같이 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 통상 에너지 밴드갭이 큰 코어 구조에 치환기를 도입하여 에너지 밴드갭을 조절하는 것은 용이하나, 코어 구조가 에너지 밴드갭이 작은 경우에는 치환기를 도입하여 에너지 밴드갭을 크게 조절하기 어렵다. 또한, 본 발명에서는 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위도 조절할 수 있다.In the present invention, compounds having various energy band gaps can be synthesized by introducing various substituents to the core structure as described above. In general, it is easy to adjust the energy band gap by introducing a substituent to a core structure having a large energy band gap, but when the core structure has a small energy band gap, it is difficult to adjust the energy band gap largely by introducing a substituent. In addition, in the present invention, the HOMO and LUMO energy levels of the compound can be adjusted by introducing various substituents to the core structure having the above structure.
또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공주입층 물질, 정공수송용 물질, 발광층 물질 및 전자수송층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.In addition, by introducing various substituents to the core structure of the structure as described above, it is possible to synthesize a compound having intrinsic properties of the introduced substituents. For example, by introducing a substituent mainly used for a hole injection layer material, a hole transport material, a light emitting layer material, and an electron transport layer material used in manufacturing an organic light emitting device into the core structure, a material satisfying the conditions required for each organic material layer can be synthesized. Can.
따라서, 본 발명자들은 이와 같은특징을 갖는 상기 화합물은 유기 발광 소자용 재료, 특히 발광층에 적용시, 구동 전압의 저전압화나 장수명화를 실현할 수 있다는 것을 밝혀내었다. 또한, 분자량이 작고 승화성이 높은 재료에 비하여 증착이 용이하고, 전극 또는 인접 유기물층과 안정적인 계면을 형성할 수 있다.Accordingly, the present inventors have found that the compound having such a characteristic can realize a reduction in the driving voltage or a longer life when applied to a material for an organic light emitting device, especially a light emitting layer. In addition, it is easy to deposit compared to a material having a small molecular weight and a high sublimation property, and can form a stable interface with an electrode or an adjacent organic material layer.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the substituent in this specification are described below, but are not limited thereto.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substitution" means that the hydrogen atom bonded to the carbon atom of the compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited to a position where the hydrogen atom is substituted, that is, a position where the substituent is substitutable, and when two or more are substituted , 2 or more substituents may be the same or different from each other.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 알킬기; 시클로알킬기; 실릴기; 아민기; 아릴기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다. The term "substituted or unsubstituted" in this specification is deuterium; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Alkyl groups; Cycloalkyl group; Silyl group; Amine group; Aryl group; And one or two or more substituents selected from the group consisting of heterocyclic groups, or substituted with two or more substituents of the above-exemplified substituents, or having no substituents. For example, "a substituent having two or more substituents" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent to which two phenyl groups are connected.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다. In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be straight chain or branched chain, and carbon number is not particularly limited, but is preferably 1 to 50. Specific examples are methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n-pentyl , Isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n -Heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethyl Heptyl, 1-ethylpropyl, 1,1-dimethylpropyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 30인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 30 carbon atoms, specifically cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3,4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like. It is not.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the silyl group is specifically trimethylsilyl group, triethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group, phenylsilyl group, etc. However, it is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the silyl group is specifically trimethylsilyl group, triethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group, phenylsilyl group, etc. However, it is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2; 모노알킬아민기; 디알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 모노아릴아민기; 디아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기, 모노헤테로아릴아민기 및 디헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 디톨릴아민기, N-페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, N-페닐바이페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; N-바이페닐나프틸아민기; N-나프틸플루오레닐아민기; N-페닐페난트레닐아민기; N-바이페닐페난트레닐아민기; N-페닐플루오레닐아민기; N-페닐터페닐아민기; N-페난트레닐플루오레닐아민기; N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the amine group is -NH 2 ; Monoalkylamine groups; Dialkylamine groups; N-alkylarylamine group; Monoarylamine group; Diarylamine group; N-aryl heteroarylamine group; It may be selected from the group consisting of N-alkylheteroarylamine groups, monoheteroarylamine groups and diheteroarylamine groups, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. Specific examples of the amine group are methylamine group, dimethylamine group, ethylamine group, diethylamine group, phenylamine group, naphthylamine group, biphenylamine group, anthracenylamine group, and 9-methyl-anthracenylamine group , Diphenylamine group, ditolylamine group, N-phenyltolylamine group, triphenylamine group, N-phenylbiphenylamine group; N-phenyl naphthylamine group; N-biphenyl naphthylamine group; N-naphthylfluorenylamine group; N-phenylphenanthrenylamine group; N-biphenylphenanthrenylamine group; N-phenylfluorenylamine group; N-phenyl terphenylamine group; N-phenanthrenylfluorenylamine group; N-biphenylfluorenylamine group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에서 상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, when the aryl group is a monocyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 6 to 30 carbon atoms. Specifically, the monocyclic aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but is not limited thereto.
상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 24인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라센기, 페난트렌기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이센기, 플루오렌기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the aryl group is a polycyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited. It is preferable that it has 10 to 24 carbon atoms. Specifically, the polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthracene group, phenanthrene group, pyrenyl group, perylene group, chrysene group, fluorene group, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se, Si 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 헤테로고리기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60 또는 탄소수 2 내지 30인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 트리아졸릴기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 아크리딜기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도피리미디닐기, 피리도피라지닐기, 피라지노피라지닐기, 이소퀴놀리닐기, 인돌기, 카바졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조카바졸릴기, 디벤조카바졸릴기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨란기, 디벤조퓨란기, 벤조실롤기, 디벤조실롤기, 페난트롤리닐기(phenanthrolinyl group), 이소옥사졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기, 페녹사진기 (), 디하이드로디벤조아제핀기()및 이들의 축합구조 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the heterocyclic group includes one or more non-carbon atoms, heteroatoms, and specifically, the heteroatoms may include one or more atoms selected from the group consisting of O, N, Se, Si, and S. have. The number of carbon atoms of the heterocyclic group is not particularly limited, but is preferably 2 to 60 carbon atoms or 2 to 30 carbon atoms. Examples of the heterocyclic group include thiophene group, furan group, pyrrol group, imidazolyl group, thiazolyl group, oxazolyl group, oxadiazolyl group, triazolyl group, pyridyl group, bipyridyl group, pyrimidyl group, tria Genyl group, acridil group, pyridazinyl group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazolinyl group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyridopyrimidinyl group, pyridopyrazinyl group, pyrazinopyrazinyl group , Isoquinolinyl group, indole group, carbazolyl group, benzoxazolyl group, benzimidazolyl group, benzothiazolyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, benzothiophene group, dibenzothiophene group , Benzofuran group, dibenzofuran group, benzosilol group, dibenzosilol group, phenanthrolinyl group, isooxazolyl group, thiadiazolyl group, phenothiazinyl group, phenoxy group ( ), dihydrodibenzoazepine group ( ) And their condensation structure, but are not limited to these.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오르토(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한" 기로 해석될 수 있다.In the present specification, the “adjacent” group refers to a substituent substituted on an atom directly connected to an atom in which the substituent is substituted, a substituent positioned closest to the substituent and the other substituent substituted on the atom in which the substituent is substituted. Can. For example, two substituents substituted in the ortho position on the benzene ring and two substituents substituted on the same carbon in the aliphatic ring may be interpreted as "adjacent" groups to each other.
본 명세서에 있어서, 치환기 중 "인접한 기는 서로 결합하여 고리를 형성한다"는 의미는 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성하는 것을 의미한다.In the present specification, the meaning of “adjacent groups combine with each other to form a ring” among substituents means a hydrocarbon ring substituted or unsubstituted by bonding with adjacent groups; Or it means forming a substituted or unsubstituted heterocycle.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2로 표시된다.In one embodiment of the present specification, the compound represented by
[화학식 2][Formula 2]
상기 화학식 2에 있어서, In
상기 X, R1 및 m의 정의는 화학식 1에서와 같고, The definition of X, R1 and m are the same as in
R3은 수소; 중수소; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며, R3 is hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
R4의 정의는 상기 화학식 1의 R2의 정의와 같고, The definition of R4 is the same as the definition of R2 in
o는 0 내지 4의 정수이고, o가 2 이상인 경우 R4는 서로 같거나 상이하다. o is an integer from 0 to 4, and when o is 2 or more, R4 is the same as or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3은 수소, 니트릴기, 메틸기,에틸기, 프로필기 또는 부틸기이다. In one embodiment of the present specification, R3 is hydrogen, a nitrile group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or a butyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3은 수소, 니트릴기, 메틸기, 또는 tert-부틸기이다. In one embodiment of the present specification, R3 is hydrogen, a nitrile group, a methyl group, or a tert-butyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3의 위치가 상기 화학식 2에서와 같은 경우, 화합물을 제조하는 과정이 단순해져 공정에서 용이하다. In one embodiment of the present specification, when the position of R3 is the same as in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3 내지 6 중 어느 하나로 표시된다.In one embodiment of the present specification, the compound represented by
[화학식 3][Formula 3]
[화학식 4][Formula 4]
[화학식 5][Formula 5]
[화학식 6][Formula 6]
상기 화학식 3 내지 6에 있어서, In
상기 X, R1 및 m의 정의는 화학식 1에서와 같고, The definition of X, R1 and m are the same as in
R5 내지 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, R5 to R7 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, nitrile group, nitro group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted silyl group, substituted or unsubstituted An amine group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
p는 0 내지 3의 정수이고, p가 2 이상인 경우 R5는 서로 같거나 상이하고, p is an integer from 0 to 3, and when p is 2 or more, R5 is the same as or different from each other,
q는 0 내지 6의 정수이고, q가 2이상인 경우 R6는 서로 같거나 상이하고, q is an integer from 0 to 6, and when q is 2 or more, R6 is the same as or different from each other,
r은 0 내지 8의 정수이고, r이 2이상인 경우 R7은 서로 같거나 상이하다. r is an integer from 0 to 8, and when r is 2 or more, R7 is the same as or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R5는 상기 화학식 2의 R3의 정의와 같다. In one embodiment of the present specification, R5 is as defined for R3 in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R6은 수소이다. In one embodiment of the present specification, R6 is hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R7은 수소 또는 페닐기이다. In one embodiment of the present specification, R7 is hydrogen or a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 r은 2이다. In one embodiment of the present specification, r is 2.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 6는 하기 화학식 6-1로 표시된다. In one embodiment of the present specification, Chemical Formula 6 is represented by the following Chemical Formula 6-1.
[화학식 6-1][Formula 6-1]
상기 화학식 6-1에 있어서, 상기 X, R1, R5, m 및 p의 정의는 화학식 6에서와 같다. In Formula 6-1, the definitions of X, R1, R5, m and p are as in Formula 6.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 7 내지 18 중 어느 하나로 표시된다.In one embodiment of the present specification, the compound represented by
[화학식 7][Formula 7]
[화학식 8][Formula 8]
[화학식 9][Formula 9]
[화학식 10][Formula 10]
[화학식 11][Formula 11]
[화학식 12][Formula 12]
[화학식 13][Formula 13]
[화학식 14][Formula 14]
[화학식 15][Formula 15]
[화학식 16][Formula 16]
[화학식 17][Formula 17]
[화학식 18][Formula 18]
상기 화학식 7 내지 18에 있어서, In the above formulas 7 to 18,
상기 X, R2, 및 n의 정의는 화학식 1에서와 같고, The definition of X, R2, and n is the same as in
Y는 CRR', NR", O, 또는 S이며, Y is CRR', NR", O, or S,
R, R', R" 및 R10 내지 R15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,R, R', R" and R10 to R15 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, nitrile group, nitro group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted A silyl group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
a 및 b는 0 내지 4의 정수이며, a and b are integers from 0 to 4,
c는 0 내지 6의 정수이고, c is an integer from 0 to 6,
d는 0 내지 8의 정수이며, d is an integer from 0 to 8,
e는 0 내지 3의 정수이고, e is an integer from 0 to 3,
f는 0 내지 5의 정수이며, f is an integer from 0 to 5,
a 내지 f가 2 이상인 경우, 괄호안의 치환기는 서로 같거나 상이하다.When a to f are 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10 내지 R15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, R10 to R15 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10 내지 R15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다. In one embodiment of the present specification, R10 to R15 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10 내지 R12, R14 및 R15는 수소이다. In one embodiment of the present specification, R10 to R12, R14 and R15 are hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 11에 있어서, R13은 수소 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, in Chemical Formula 11, R13 is hydrogen or a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 11에 있어서, R13은 수소 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다. In one embodiment of the present specification, in Chemical Formula 11, R13 is hydrogen or a substituted or unsubstituted phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 11에 있어서, R13은 수소 또는 페닐기이다. In one embodiment of the present specification, in Formula 11, R13 is hydrogen or a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 11는 하기 화학식 11-1로 표시된다. In one embodiment of the present specification, Chemical Formula 11 is represented by Chemical Formula 11-1 below.
[화학식 11-1][Formula 11-1]
상기 화학식 11-1에 있어서, 상기 X, R2 및 n의 정의는 화학식 1에서와 같다. In Formula 11-1, the definitions of X, R2 and n are the same as in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y는 O이다. In one embodiment of the present specification, Y is O.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y는 S이다. In one embodiment of the present specification, Y is S.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y는 CRR'이고, 상기 R 및 R'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기이다. In one embodiment of the present specification, Y is CRR', and R and R'are the same as or different from each other, and each independently an substituted or unsubstituted alkyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y는 CRR'이고, 상기 R 및 R'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기이다. In one embodiment of the present specification, Y is CRR', and R and R'are the same as or different from each other, and each independently an substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y는 CRR'이고, 상기 R 및 R'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다. In one embodiment of the present specification, Y is CRR', and R and R'are the same or different from each other, and each independently an substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y는 CRR'이고, 상기 R 및 R'은 메틸기이다. In one embodiment of the present specification, Y is CRR', and R and R'are methyl groups.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y는 NR"이고, 상기 R"은 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, Y is NR" and R" is a substituted or unsubstituted aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y는 NR"이고, 상기 R"은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, Y is NR" and R" is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y는 NR"이고, 상기 R"은 치환 또는 비치환된 페닐기이다. In one embodiment of the present specification, Y is NR" and R" is a substituted or unsubstituted phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X는 O이다. In one embodiment of the present specification, X is O.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X는 S이다. In one embodiment of the present specification, X is S.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X는 NAr이며, 상기 Ar은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 36의 헤테로고리기이고, 상기 Ar은 인접한기와 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있다. 상기 Ar과 인접한기는 화학식 1에서는 R2, 화학식 2에서는 R4이고, 화학식 3 내지 5에 있어서는 R5 또는 R6, 화학식 6에 있어서는 R5 또는 R7이며, 화학식 7 내지 18에서는 R2를 의미한다. In one embodiment of the present specification, X is NAr, and Ar is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 36 carbon atoms, and Ar is It may combine with adjacent groups to form a substituted or unsubstituted ring. The group adjacent to Ar is R2 in
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar은 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 나프틸기이고, 인접한기와 결합하여 알킬기로 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있다. In one embodiment of the present specification, Ar is a phenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group; Or a naphthyl group, and may combine with an adjacent group to form a ring substituted or unsubstituted with an alkyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar은 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 나프틸기이고, 인접한기와 결합하여 알킬기로 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있다.In one embodiment of the present specification, Ar is a phenyl group unsubstituted or substituted with a methyl group; Or a naphthyl group, and may combine with an adjacent group to form a ring substituted or unsubstituted with an alkyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 20으로 표시될 수 있다. In one embodiment of the present specification,
[화학식 20][Formula 20]
상기 화학식 20에 있어서, R1, 및 m 은 화학식 1에서의 정의와 같고, In Chemical Formula 20, R1, and m are as defined in
R21 및 R22는 상기 화학식 1의 R2의 정의와 같고, R21 and R22 are the same as the definition of R2 in
n1은 0 내지 3의 정수이고, n2는 0 내지 7의 정수이며, n1 is an integer from 0 to 3, n2 is an integer from 0 to 7,
n1 및 n2가 각각 2이상인 경우, 괄호안의 치환기는 서로 같거나 상이하다. When n1 and n2 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R21 및 R22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다. In one embodiment of the present specification, R21 and R22 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, nitrile group, nitro group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or It is an unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, or combines with each other to form a substituted or unsubstituted ring.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R21 및 R22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다. In one embodiment of the present specification, R21 and R22 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, nitrile group, nitro group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or It is an unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 니트릴기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 알킬기로 치환 또는 비치환된 디페닐아민기, 디하이드로디벤조아제핀기, 페녹사진기, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 트리메틸실릴기, 카바졸기, 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이거나, 인접하는 2개의 치환기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하거나, O, S 또는 NRa으로 연결될 수 있으며, 상기 Ra는 페닐기이다. In one embodiment of the present specification, R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, nitrile group, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, diphenylamine group unsubstituted or substituted with an alkyl group, Dihydrodibenzoazepine group, phenoxazine group, phenyl group unsubstituted or substituted with nitrile group, naphthyl group, trimethylsilyl group, carbazole group, or fluorenyl group unsubstituted or substituted with alkyl group, or two adjacent substituents are bonded to each other To form a substituted or unsubstituted ring, or may be linked by O, S or NRa, wherein Ra is a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 니트릴기, 메틸기, tert-부틸기, 메틸기; 에틸기; 프로필기; 또는 부틸기로 치환 또는 비치환된 디페닐아민기, 디하이드로디벤조아제핀기, 페녹사진기, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 트리메틸실릴기, 카바졸기, 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이거나, 인접하는 2개의 치환기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하거나, O, S 또는 NRa으로 연결될 수 있으며, 상기 Ra는 페닐기이다. In one embodiment of the present specification, R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, nitrile group, methyl group, tert-butyl group, methyl group; Ethyl group; Propyl group; Or a substituted or unsubstituted diphenylamine group substituted with a butyl group, a dihydrodibenzoazepine group, a phenoxazine group, a phenyl group substituted with a nitrile group, a naphthyl group, a trimethylsilyl group, a carbazole group, or a methyl group It may be a fluorenyl group, or two adjacent substituents may combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring, or may be connected by O, S or NRa, and Ra is a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2가 O, S 또는 NRa으로 연결되는 경우, 상기 화학식 1은 하기 화학식 21 내지 23 중 어느 하나로 표시될 수 있다. In one embodiment of the present specification, when R1 and R2 are connected by O, S or NRa,
[화학식 21][Formula 21]
[화학식 22][Formula 22]
[화학식 23][Formula 23]
상기 화학식 21 내지 23에 있어서, X 및 Ra의 정의는 화학식 1에서의 정의와 같고,In Chemical Formulas 21 to 23, X and Ra are the same as those in
R23 및 R24는 화학식 1의 R1 및 R2의 정의와 같고, R23 and R24 are as defined for R1 and R2 in
n3은 0 내지 6의 정수이고, n4는 0 내지 5의 정수이고, n3 is an integer from 0 to 6, n4 is an integer from 0 to 5,
상기 n3 및 n4가 2이상인 경우, 괄호안의 치환기는 서로 같거나 상이하다. When n3 and n4 are 2 or more, the substituents in parentheses are the same or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R23 및 R24는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다. In one embodiment of the present specification, R23 and R24 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, nitrile group, nitro group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or It is an unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R23 및 R24는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 니트릴기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 알킬기로 치환 또는 비치환된 디페닐아민기, 디하이드로디벤조아제핀기, 페녹사진기, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 트리메틸실릴기, 카바졸기, 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기거나, 인접하는 2개의 치환기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.In one embodiment of the present specification, R23 and R24 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, nitrile group, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, diphenylamine group unsubstituted or substituted with an alkyl group, Dihydrodibenzoazepine group, phenoxazine group, phenyl group unsubstituted or substituted with nitrile group, naphthyl group, trimethylsilyl group, carbazole group, or fluorenyl group unsubstituted or substituted with alkyl group, or two adjacent substituents are bonded to each other To form a substituted or unsubstituted ring.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R23 및 R24는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 니트릴기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, tert-부틸기, 메틸기; 에틸기; 프로필기; 또는 부틸기로 치환 또는 비치환된 디페닐아민기, 디하이드로디벤조아제핀기, 페녹사진기, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 트리메틸실릴기, 카바졸기, 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이거나, 인접하는 2개의 치환기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다. In one embodiment of the present specification, R23 and R24 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, nitrile group, methyl group, ethyl group, propyl group, tert-butyl group, methyl group; Ethyl group; Propyl group; Or a substituted or unsubstituted diphenylamine group, dihydrodibenzoazepine group, phenoxazine group, nitrile group-substituted phenyl group, naphthyl group, trimethylsilyl group, carbazole group, or methyl group The fluorenyl group or two adjacent substituents combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2가 O, S 또는 NRa으로 연결되는 경우, 상기 화학식 1은 하기 화학식 21-1, 22-2 및 23-1 중 어느 하나로 표시될 수 있다. In an exemplary embodiment of the present specification, when the R1 and R2 are connected by O, S or NRa,
[화학식 21-1][Formula 21-1]
[화학식 22-1][Formula 22-1]
[화학식 23-1][Formula 23-1]
상기 화학식 21-1, 22-1 및 23-1에 있어서In Chemical Formulas 21-1, 22-1 and 23-1,
R21, R22, 및 R24는 화학식 1의 R1 및 R2의 정의와 같고, R21, R22, and R24 are as defined for R1 and R2 in
n1은 0 내지 3의 정수이고, n2 및 n4는 각각 0 내지 5의 정수이고, n1 is an integer from 0 to 3, n2 and n4 are integers from 0 to 5,
상기 n1, n2 및 n4가 2이상인 경우, 괄호안의 치환기는 서로 같거나 상이하다. When n1, n2 and n4 are 2 or more, the substituents in parentheses are the same or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R21, R22 및 R24는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다. In one embodiment of the present specification, R21, R22, and R24 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, nitrile group, nitro group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, It is a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R21, R22 및 R24는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 니트릴기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 알킬기로 치환 또는 비치환된 디페닐아민기, 디하이드로디벤조아제핀기, 페녹사진기, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 트리메틸실릴기, 카바졸기, 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기거나, 인접하는 2개의 치환기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.In one embodiment of the present specification, R21, R22, and R24 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, nitrile group, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, diphenylamine unsubstituted or substituted with an alkyl group A phenyl group unsubstituted or substituted with a group, a dihydrodibenzoazepine group, a phenoxazine group, or a nitrile group, a fluorenyl group unsubstituted or substituted with a naphthyl group, a trimethylsilyl group, a carbazole group, or an alkyl group, or two adjacent substituent groups They combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R21, R22 및 R24는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 니트릴기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, tert-부틸기, 메틸기; 에틸기; 프로필기; 또는 부틸기로 치환 또는 비치환된 디페닐아민기, 디하이드로디벤조아제핀기, 페녹사진기, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 트리메틸실릴기, 카바졸기, 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이거나, 인접하는 2개의 치환기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다. In one embodiment of the present specification, R21, R22, and R24 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, nitrile group, methyl group, ethyl group, propyl group, tert-butyl group, methyl group; Ethyl group; Propyl group; Or a substituted or unsubstituted diphenylamine group, dihydrodibenzoazepine group, phenoxazine group, nitrile group-substituted phenyl group, naphthyl group, trimethylsilyl group, carbazole group, or methyl group The fluorenyl group or two adjacent substituents combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조식들 중에서 선택된다. In one embodiment of the present specification, the compound represented by
또한, 본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. In addition, the present specification provides an organic light emitting device comprising the above-described compound.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다. In one embodiment of the present application, the first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic material layer includes the compound.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.When a member is referred to as being “on” another member in the present specification, this includes not only the case where one member is in contact with the other member but also another member between the two members.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. In the present specification, when a part “includes” a certain component, it means that the component may further include other components, not to exclude other components, unless specifically stated otherwise.
본 출원의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자의 대표 적인 예로서, 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present application may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, as a typical example of the organic light emitting device of the present invention, the organic light emitting device may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer as an organic material layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited to this, and may include fewer organic layers.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present application, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer contains the compound.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 청색 발광층이다. In one embodiment of the present application, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer is a blue light emitting layer.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 녹색 발광층이다. In one embodiment of the present application, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer is a green light emitting layer.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 도펀트로 포함한다. In one embodiment of the present application, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer contains the compound as a dopant.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물 및 호스트 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present application, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes the compound and a host compound.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물 및 호스트 화합물을 1: 1 내지 1: 99의 중량비로 포함한다. In one embodiment of the present application, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer contains the compound and the host compound in a weight ratio of 1: 1 to 1: 99.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물 및 호스트 화합물을 1: 1 내지 1: 50의 중량비로 포함한다. In one embodiment of the present application, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer contains the compound and the host compound in a weight ratio of 1: 1 to 1: 50.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물 및 서로 다른 2종의 호스트 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present application, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes the compound and two different host compounds.
상기와 같이, 발광층의 호스트로 서로 다른 2종이 호스트를 사용되는 경우, 소자의 수명 및 효율이 향상된다. As described above, when two different types of hosts are used as the host of the light emitting layer, the life and efficiency of the device are improved.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 서로 다른 2종의 호스트 화합물 중 어느 하나는 보조 도펀트 또는 증감제이다. In one embodiment of the present application, any one of the two different host compounds is an auxiliary dopant or sensitizer.
이때, 상기 보조 도펀트(assistant dopant), 또는 증감제(sensitizer)로 역할을 하는 화합물은 호스트로부터 정공(hole)과 전자(electron)을 전달받아 엑시톤(exciton)을 형성하며, 생성된 엑시톤을 형광 도펀트로 전달해주는 역할을 하게 된다. At this time, the auxiliary dopant (assistant dopant), or a compound acting as a sensitizer (sensitizer) receives holes and electrons from the host to form excitons, and the generated excitons are fluorescent dopants It will serve as a delivery.
일반적인 유기발광소자에서 일중항과 삼중항에서 생성되는 엑시톤의 수가 25:75(일중항:삼중항)의 비율로 생성되며, 엑시톤 이동에 따른 발광 형태에 따라 형광 발광, 인광 발광 및 열활성화 지연형광 발광으로 나눌 수 있다. 상기 인광 발광의 경우 삼중항 여기 상태(excited state)의 엑시톤이 바닥 상태(ground state)로 이동하여 발광하는 것을 의미하고, 상기 형광 발광의 경우 일중항 여기 상태(excited state)의 엑시톤이 바닥 상태(ground state)로 이동하여 발광하게 되는 것을 의미하며, 상기 열활성화 지연형광 발광은 삼중항 여기 상태(excited state)로부터 일중항 여기 상태(excited state)로 역계간전이가 유도되고, 일중항 여기 상태의 엑시톤이 바닥 상태(Ground State)로 이동하여 형광 발광을 일으키는 것을 의미한다.In a typical organic light emitting device, the number of excitons generated in singlet and triplet is generated at a ratio of 25:75 (single term: triplet), and fluorescent emission, phosphorescence emission, and thermal activation delayed fluorescence depending on the light emission type according to exciton movement It can be divided into luminescence. In the case of the phosphorescence emission, it means that the exciton of the triplet excited state moves to the ground state and emits light, and in the case of the fluorescent emission, the exciton of the singlet excited state is the ground state ( It means that it moves to the ground state and emits light, and the thermally activated delayed fluorescence emission reverses the transition from the triplet excited state to the singlet excited state, and the singlet excited state. It means that the exciton moves to the ground state and causes fluorescence emission.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 보조 도펀트(assistant dopant), 또는 증감제(sensitizer)로 역할을 하는 화합물의 삼중항(triplet) 에너지 준위는 2.1 eV 이상이고, 바람직하게는 2.1 eV 이상 3.0 eV 이하, 2.2 eV 이상 3.0 eV 이하, 2.4 eV 이상 2.9 eV 이하일 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 삼중항(triplet) 에너지 준위가 상기 범위를 만족하는 경우, 전자 주입이 용이하게되어 엑시톤의 형성 비율이 높아지게 되므로, 발광 효율이 상승하는 이점이 있다.According to the exemplary embodiment of the present specification, the triplet energy level of the compound serving as the auxiliary dopant or the sensitizer is 2.1 eV or more, and preferably 2.1 eV or more and 3.0 eV Hereinafter, it may be 2.2 eV or more and 3.0 eV or less, 2.4 eV or more and 2.9 eV or less. When the triplet energy level of the compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 보조 도펀트(assistant dopant), 또는 증감제(sensitizer)로 역할을 하는 화합물의 일중항(singlet) 에너지 준위와 삼중항(triplet) 에너지 준위의 차는 0 eV 이상 0.3 eV 이하이고, 바람직하게는 0 eV 이상 0.2 eV 이하이다. 상기 보조 도펀트(assistant dopant), 또는 증감제(sensitizer)로 역할을 하는 화합물의 일중항(singlet) 에너지 준위와 삼중항(triplet) 에너지 준위의 차가 상기 범위를 만족하는 경우, 삼중항에서 생성된 엑시톤이 역계간전이(RISC)에 의해 일중항으로 이동하는 비율 및 속도가 증가하여 삼중항에 엑시톤이 머무는 시간이 줄어들게 되므로 유기발광소자의 효율 및 수명이 증가하는 이점이 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the difference between the singlet energy level and the triplet energy level of the compound serving as the auxiliary dopant, or sensitizer is 0 eV or more 0.3 eV or less, preferably 0 eV or more and 0.2 eV or less. When the difference between the singlet energy level and the triplet energy level of the compound serving as the auxiliary dopant or sensitizer satisfies the above range, the exciton generated in the triplet The rate and speed of movement to the singlet increases due to the reverse interphase transition (RISC), so that the time for the exciton to stay in the triplet decreases, thereby increasing the efficiency and lifetime of the organic light emitting device.
본 명세서에 있어서, 삼중항 에너지는 형광과 인광 측정이 가능한 분광 기기를 이용하여 측정 가능하고, 측정 조건의 경우 액화질소를 이용한 극저온 상태에서 톨루엔이나 티에치에프를 용매로 하여 10-6M 농도로 용액을 제조하고 용액에 물질의 흡수 파장대의 광원을 조사하여 발광하는 스펙트럼으로부터 일중항 발광을 제외하고, 삼중항에서 발광하는 스펙트럼을 분석하여 확인한다. 광원으로부터 전자가 역이되면 전자가 삼중항에 머물게되는 시간이 일중항에 머물게되는 시간보다 훨씬 길기 때문에 극저온 상태에서 두 성분의 분리가 가능하다.In the present specification, triplet energy can be measured using a spectral instrument capable of measuring fluorescence and phosphorescence, and in the case of measurement conditions, in a cryogenic state using liquefied nitrogen, toluene or thiF is used as a solvent to a concentration of 10 -6 M Prepare a solution and irradiate a light source of an absorption wavelength band of a substance to the solution, except for the singlet emission from the emitted spectrum, and analyze the spectrum emitted from the triplet to confirm. When the electrons from the light source reverse, the time for the electrons to stay in the triplet is much longer than the time in the singlet, so it is possible to separate the two components in the cryogenic state.
본 명세서에 있어서, 일중항 에너지의 경우 형광기기를 이용하여 측정하며, 전술한 삼중항 에너지 측정방법과 달리 상온에서 광원을 조사한다.In the present specification, the singlet energy is measured using a fluorescent device, and the light source is irradiated at room temperature, unlike the triplet energy measurement method described above.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트 화합물 중 보조 도펀트가 아닌 화합물은 하기 구조식에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In one embodiment of the present specification, a compound that is not an auxiliary dopant among the host compounds may be selected from the following structural formula, but is not limited thereto.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present application, the organic material layer includes a hole injection layer or a hole transport layer, and the hole injection layer or the hole transport layer contains the compound.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층을 포함하고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층은 상기 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present application, the organic material layer includes a hole injection layer, a hole transport layer, or a hole injection and transport layer, and the hole injection layer, a hole transport layer, or the hole injection and transport layer includes the compound.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present application, the organic material layer includes an electron transport layer or an electron injection layer, and the electron transport layer or electron injection layer includes the compound.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층, 전자수송층, 또는 전자 주입 및 수송층을 포함하고, 상기 전자주입층, 전자수송층, 또는 전자 주입 및 수송층은 상기 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present application, the organic material layer includes an electron injection layer, an electron transport layer, or an electron injection and transport layer, and the electron injection layer, an electron transport layer, or the electron injection and transport layer includes the compound.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자저지층 또는 정공저지층을 포함하고, 상기 전자저지층 또는 정공저지층은 상기 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present application, the organic material layer includes an electron blocking layer or a hole blocking layer, and the electron blocking layer or hole blocking layer contains the compound.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층; 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이, 또는 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 구비된 2층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 2층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present application, the organic light emitting device includes a first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And a light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode. It includes two or more organic material layers provided between the light emitting layer and the first electrode, or between the light emitting layer and the second electrode, and at least one of the two or more organic material layers contains the compound.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 전자 수송과 전자주입을 동시에 하는 층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present application, two or more organic material layers may be selected from the group consisting of an electron transport layer, an electron injection layer, a layer simultaneously performing electron transport and electron injection, and a hole blocking layer.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 전자수송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 전자수송층 중 적어도 하나는 상기 화합물을 포함한다. 구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물은 상기 2층 이상의 전자수송층 중 1층에 포함될 수도 있으며, 각각의 2층 이상의 전자수송층에 포함될 수 있다. In one embodiment of the present application, the organic material layer includes two or more electron transport layers, and at least one of the two or more electron transport layers contains the compound. Specifically, in one embodiment of the present specification, the compound may be included in one layer of the two or more electron transport layers, or may be included in each of the two or more electron transport layers.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물이 상기 각각의 2층 이상의 전자수송층에 포함되는 경우, 상기 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In addition, in one embodiment of the present application, when the compound is included in each of the two or more electron transport layers, other materials except the compound may be the same or different from each other.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화합물을 포함하는 유기물층 이외에 아릴아미노기, 카바졸릴기 또는 벤조카바졸릴기를 포함하는 화합물을 포함하는 정공주입층 또는 정공수송층을 더 포함한다. In one embodiment of the present application, the organic material layer further includes a hole injection layer or a hole transport layer including a compound containing an arylamino group, a carbazolyl group, or a benzocarbazolyl group in addition to the organic material layer containing the compound.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In another exemplary embodiment, the organic light emitting device may be an organic light emitting device having a structure in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In another exemplary embodiment, the organic light emitting device may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.
예컨대, 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다. For example, the structure of the organic light emitting device according to the exemplary embodiment of the present application is illustrated in FIGS. 1 and 2.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층(3)에 포함될 수 있다. 1 illustrates a structure of an organic light emitting device in which a
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(3), 전자수송층(7) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서 상기 화합물은 상기 정공주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(3) 및 전자 수송층(7) 중 1층 이상에 포함될 수 있다. 2 is an organic light emitting device in which the
도 3은 기판(1), 양극(2) 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자저지층(8), 발광층(3), 전자 주입 및 수송층(9) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서 상기 화합물은 발광층(3)에 포함될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.3 shows the
이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 중 1층 이상에 포함될 수 있다. In such a structure, the compound may be included in one or more of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer and the electron transport layer.
본 출원의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 출원의 화합물, 즉 상기 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present application may be made of materials and methods known in the art, except that at least one layer of the organic material layer includes the compound of the present application, that is, the compound.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. When the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.
예컨대, 본 출원의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present application can be manufactured by sequentially laminating a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, a positive electrode is formed by depositing a metal or conductive metal oxide or alloys thereof on a substrate using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation. And, after forming a hole injection layer, a hole transport layer, an organic material layer including a light emitting layer and an electron transport layer, it can be prepared by depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light emitting device may be formed by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and a cathode material on a substrate.
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound of
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다 (국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to such a method, an organic light emitting device may be made by sequentially depositing an organic material layer and a cathode material from a cathode material on a substrate (International Patent Application Publication No. 2003/012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다. In one embodiment of the present application, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다. In another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The positive electrode material is usually a material having a large work function to facilitate hole injection into the organic material layer. Specific examples of the positive electrode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO:Al or SnO 2 : combination of metal and oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline, but are not limited thereto.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into an organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; There is a multilayer structure material such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but is not limited thereto.
상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer for injecting holes from an electrode, and has the ability to transport holes as a hole injection material, and thus has a hole injection effect at an anode, an excellent hole injection effect for a light emitting layer or a light emitting material, and is generated in the light emitting layer. A compound which prevents migration of the excitons to the electron injection layer or the electron injection material, and has excellent thin film formation ability is preferable. It is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic substances, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic substances, quinacridone-based organic substances, and perylene-based substances. Organic materials, anthraquinones, and polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports holes to the light emitting layer. As a hole transport material, the hole is transported to the light emitting layer by transporting holes from the anode or the hole injection layer, and the mobility of holes is large. The material is suitable. Specific examples include arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers having a conjugated portion and a non-conjugated portion, but are not limited thereto.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the light-emitting material, a material capable of emitting light in the visible region by receiving and bonding holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, is preferably a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole compounds; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymers; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited to these.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 화합물, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The light emitting layer may include a host material and a dopant material. The host material may be a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, etc., and heterocyclic compounds include compounds, dibenzofuran derivatives, and ladder-type furan compounds. , Pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.
상기 전자 수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로서, 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer. As the electron transport material, a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer, a material having high mobility for electrons Suitable. Specific examples include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto. The electron transport layer can be used with any desired cathode material as used according to the prior art. In particular, examples of suitable cathode materials are conventional materials that have a low work function and are followed by an aluminum or silver layer. Specifically, cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, followed by an aluminum layer or a silver layer in each case.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer is a layer that injects electrons from an electrode, has the ability to transport electrons, has an electron injection effect from a cathode, has an excellent electron injection effect with respect to a light emitting layer or a light emitting material, and hole injection of excitons generated in the light emitting layer A compound that prevents migration to the layer and has excellent thin film forming ability is preferred. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone and the like and their derivatives, metal Complex compounds, nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, and the like, but are not limited thereto.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato) zinc, bis(8-hydroxyquinolinato) copper, bis(8-hydroxyquinolinato) manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato) beryllium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato) zinc, bis(2-methyl-8-quinolinato)chlorogallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)( There are o-cresolato) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphtholato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinato) (2-naphtholato) gallium, It is not limited to this.
상기 정공저지층은 정공의 음극 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The hole blocking layer is a layer that prevents the cathode from reaching the hole, and may be generally formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, aluminum complex, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a front emission type, a back emission type, or a double-sided emission type, depending on the material used.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 명세서를 예시하기 위한 것이며, 본 명세서의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.The preparation of the compound represented by
<제조예><Production Example>
본 발명의 물질을 제조하는 방법은 하기와 같이 치환 또는 비치환된 아닐린을 이용하여 할라이드를 도입한 중간체 합성으로부터 시작하였다. 비대칭으로 한쪽 할라이드에 아미네이션을 통해 아민 또는 카바졸을 도입하고, 반대편 할라이드에 스즈키 반응을 통해 아릴기를 도입한 후, 아미노기(-NH2)를 샌드마이어 반응을 통해 브로마이드(-Br)로 치환하였다. 그 후 뷰틸리튬과 트라이브로모보레인을 이용하면 최종적으로 보론을 도입할 수 있었다. 제조예 1-1에 나와있는 아닐린 종류 외에도 다양한 치환기가 도입된 아닐린을 이용하여 하기와 같은 반응을 통해 구체예의 화합물들을 합성하였다.The method for preparing the material of the present invention started from synthesis of an intermediate in which halide was introduced using substituted or unsubstituted aniline as follows. Asymmetrically, an amine or carbazole was introduced to one halide through an amination, and an aryl group was introduced to the other halide through a Suzuki reaction, and then the amino group (-NH 2 ) was replaced with bromide (-Br) through a Sandmeyer reaction. . Thereafter, boron was finally introduced using butyllithium and tribromoborane. Compounds of the specific examples were synthesized through the following reaction using aniline introduced with various substituents in addition to the aniline types shown in Preparation Example 1-1.
제조예Manufacturing example 1-1: 화합물 1-A의 합성 1-1: Synthesis of Compound 1-A
[반응식 1-1][Scheme 1-1]
질소 분위기에서 상기 화합물 2-아이오도아닐린 (30 g, 0.14 mol)을 클로로포름 300mL에 완전히 녹인 후 0℃에서 브롬 (21.9 g, 0.14 mol)을 첨가하고 2시간 동안 교반하였다. 소듐사이오설페이트 1몰 솔루션 300mL로 유기층을 추출한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 1-A (38.8 g, 수율: 95%)를 제조하였다.The compound 2-iodoaniline (30 g, 0.14 mol) was completely dissolved in 300 mL of chloroform in a nitrogen atmosphere, and then bromine (21.9 g, 0.14 mol) was added at 0°C and stirred for 2 hours. After extracting the organic layer with 300 mL of 1 mL sodium cysulfate solution, the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare the compound 1-A (38.8 g, yield: 95%).
MS[M+H]+ = 297MS[M+H] + = 297
제조예Manufacturing example 1-2: 화합물 1-B의 합성 1-2: Synthesis of Compound 1-B
[반응식 1-2][Scheme 1-2]
질소 분위기에서 상기 화합물 2-아이오도-4-메틸-아닐린 (32.6 g, 0.14 mol)을 클로로포름 300mL에 완전히 녹인 후 0℃에서 브롬 (21.9 g, 0.14 mol)을 첨가하고 2시간 동안 교반하였다. 소듐사이오설페이트 1몰 솔루션 300mL로 유기층을 추출한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 1-B (40.2 g, 수율: 92%)를 제조하였다.The compound 2-iodo-4-methyl-aniline (32.6 g, 0.14 mol) was completely dissolved in 300 mL of chloroform in a nitrogen atmosphere, and then bromine (21.9 g, 0.14 mol) was added at 0°C and stirred for 2 hours. After extracting the organic layer with 300 mL of 1 mL of sodium cysulfate solution, the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare the compound 1-B (40.2 g, yield: 92%).
MS[M+H]+ = 311MS[M+H] + = 311
제조예Manufacturing example 1-3: 화합물 1-C의 합성 1-3: Synthesis of Compound 1-C
[반응식 1-3][Scheme 1-3]
질소 분위기에서 상기 화합물 2-아이오도-4-메틸(D3)아닐린 (33 g, 0.14 mol)을 클로로포름 300mL에 완전히 녹인 후 0℃에서 브롬 (21.9 g, 0.14 mol)을 첨가하고 2시간 동안 교반하였다. 소듐사이오설페이트 1몰 솔루션 300mL로 유기층을 추출한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 1-C (41.9 g, 수율: 95%)를 제조하였다.The compound 2-iodo-4-methyl(D 3 )aniline (33 g, 0.14 mol) was completely dissolved in 300 mL of chloroform in a nitrogen atmosphere, and then bromine (21.9 g, 0.14 mol) was added at 0° C. and stirred for 2 hours. Did. After extracting the organic layer with 300 mL of 1 mL sodium sodium sulfate solution, the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare the compound 1-C (41.9 g, yield: 95%).
MS[M+H]+ = 314MS[M+H] + = 314
제조예Manufacturing example 1-4: 화합물 1-D의 합성 1-4: Synthesis of Compound 1-D
[반응식 1-4][Scheme 1-4]
질소 분위기에서 상기 화합물 2-아이오도-4-클로로아닐린 (35.5 g, 0.14 mol)을 클로로포름 300mL에 완전히 녹인 후 0℃에서 브롬 (21.9 g, 0.14 mol)을 첨가하고 2시간 동안 교반하였다. 소듐사이오설페이트 1몰 솔루션 300mL로 유기층을 추출한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 1-D (43.7 g, 수율: 94%)를 제조하였다.The compound 2-iodo-4-chloroaniline (35.5 g, 0.14 mol) was completely dissolved in 300 mL of chloroform in a nitrogen atmosphere, and then bromine (21.9 g, 0.14 mol) was added at 0° C. and stirred for 2 hours. After extracting the organic layer with 300 mL of 1 mL of sodium cysulfate solution, the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare the compound 1-D (43.7 g, yield: 94%).
MS[M+H]+ = 332MS[M+H] + = 332
상기 화합물 외에도 본 발명의 물질에 해당하는 치환기가 도입된 2-아이오도아닐린을 상기 브로미네이션 반응을 통해 구체예에 포함되어 있는 다양한 종류의 중간체를 합성하였다.In addition to the above compounds, various kinds of intermediates included in the specific examples were synthesized through the bromination reaction of 2-iodoaniline in which a substituent corresponding to the substance of the present invention was introduced.
제조예Manufacturing example 2-1: 화합물 2-A의 합성 2-1: Synthesis of Compound 2-A
[반응식 2-1][Scheme 2-1]
질소 분위기에서 다이(나프탈렌-2-일)아민 (32.3 g, 0.12 mol)을 톨루엔 240 mL에 완전히 용해시킨 후 소듐터트뷰톡사이드 (23.1 g, 0.24 mol), 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (5.5 g, 4.8 mmol)을 첨가하고 1시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 리플럭스 도중 화합물 1-A (35.7 g, 0.12 mol)을 톨루엔 120 mL에 용해시켜 천천히 드랍와이즈 시키고 2시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 반응이 종료된 후 물을 이용하여 유기층을 추출한 후, 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 2-A (43.2 g, 수율: 82%)를 제조하였다.Di(naphthalen-2-yl)amine (32.3 g, 0.12 mol) was completely dissolved in 240 mL of toluene in a nitrogen atmosphere, followed by sodium terbutoxide (23.1 g, 0.24 mol), tetrakistriphenylphosphine palladium (5.5 g) , 4.8 mmol) and refluxed for 1 hour and stirred. During the reflux, compound 1-A (35.7 g, 0.12 mol) was dissolved in 120 mL of toluene and slowly dropped to stir and refluxed for 2 hours to stir. After the reaction was completed, the organic layer was extracted with water, and the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare the compound 2-A (43.2 g, yield: 82%).
MS[M+H]+ = 439MS[M+H] + = 439
제조예Manufacturing example 2-2: 화합물 2-B의 합성 2-2: Synthesis of Compound 2-B
[반응식 2-2][Scheme 2-2]
질소 분위기에서 다이(나프탈렌-2-일)아민 (32.3 g, 0.12 mol)을 톨루엔 240 mL에 완전히 용해시킨 후 소듐터트뷰톡사이드 (23.1 g, 0.24 mol), 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (5.5 g, 4.8 mmol)을 첨가하고 1시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 리플럭스 도중 화합물 1-B (37.4 g, 0.12 mol)을 톨루엔 120 mL에 용해시켜 천천히 드랍와이즈 시키고 2시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 반응이 종료된 후 물을 이용하여 유기층을 추출한 후, 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 2-B (43.5 g, 수율: 80%)를 제조하였다.Di(naphthalen-2-yl)amine (32.3 g, 0.12 mol) was completely dissolved in 240 mL of toluene in a nitrogen atmosphere, followed by sodium terbutoxide (23.1 g, 0.24 mol), tetrakistriphenylphosphine palladium (5.5 g) , 4.8 mmol) and refluxed for 1 hour and stirred. During the reflux, compound 1-B (37.4 g, 0.12 mol) was dissolved in 120 mL of toluene and slowly dropped to stir and refluxed for 2 hours to stir. After the reaction was completed, the organic layer was extracted with water, and then the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare the compound 2-B (43.5 g, yield: 80%).
MS[M+H]+ = 453MS[M+H] + = 453
제조예Manufacturing example 2-3: 화합물 2-C의 합성 2-3: Synthesis of Compound 2-C
[반응식 2-3][Scheme 2-3]
질소 분위기에서 다이(나프탈렌-2-일)아민 (32.3 g, 0.12 mol)을 톨루엔 240 mL에 완전히 용해시킨 후 소듐터트뷰톡사이드 (23.1 g, 0.24 mol), 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (5.5 g, 4.8 mmol)을 첨가하고 1시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 리플럭스 도중 화합물 1-C (37.8 g, 0.12 mol)을 톨루엔 120 mL에 용해시켜 천천히 드랍와이즈 시키고 2시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 반응이 종료된 후 물을 이용하여 유기층을 추출한 후, 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 2-C (45.4 g, 수율: 83%)를 제조하였다.Di(naphthalen-2-yl)amine (32.3 g, 0.12 mol) was completely dissolved in 240 mL of toluene in a nitrogen atmosphere, followed by sodium terbutoxide (23.1 g, 0.24 mol), tetrakistriphenylphosphine palladium (5.5 g) , 4.8 mmol) and refluxed for 1 hour and stirred. During the reflux, compound 1-C (37.8 g, 0.12 mol) was dissolved in 120 mL of toluene and slowly dropped to stir and refluxed for 2 hours to stir. After the reaction was completed, the organic layer was extracted with water, and the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare the compound 2-C (45.4 g, yield: 83%).
MS[M+H]+ = 456MS[M+H] + = 456
제조예Manufacturing example 2-4: 화합물 2-D의 합성 2-4: Synthesis of Compound 2-D
[반응식 2-4][Scheme 2-4]
질소 분위기에서 다이(나프탈렌-2-일)아민 (32.3 g, 0.12 mol)을 톨루엔 240 mL에 완전히 용해시킨 후 소듐터트뷰톡사이드 (23.1 g, 0.24 mol), 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (5.5 g, 4.8 mmol)을 첨가하고 1시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 리플럭스 도중 화합물 1-D (39.9 g, 0.12 mol)을 톨루엔 120 mL에 용해시켜 천천히 드랍와이즈 시키고 2시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 반응이 종료된 후 물을 이용하여 유기층을 추출한 후, 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 2-D (46.1 g, 수율: 81%)를 제조하였다.Di(naphthalen-2-yl)amine (32.3 g, 0.12 mol) was completely dissolved in 240 mL of toluene in a nitrogen atmosphere, followed by sodium terbutoxide (23.1 g, 0.24 mol), tetrakistriphenylphosphine palladium (5.5 g) , 4.8 mmol) and refluxed for 1 hour and stirred. During the reflux, compound 1-D (39.9 g, 0.12 mol) was dissolved in 120 mL of toluene, and then slowly dropped and stirred by refluxing for 2 hours. After the reaction was completed, the organic layer was extracted with water, and then the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare the compound 2-D (46.1 g, yield: 81%).
MS[M+H]+ = 473MS[M+H] + = 473
상기 화합물 외에도 본 발명의 물질에 해당하는 치환기가 도입된 아민을 제조예 1-1 내지 1-4의 화합물 (브로미네이션 반응을 통해 생성된 본 발명의 구체예에 해당하는 아닐린)과 아미네이션 반응을 통해 구체예에 포함되어 있는 다양한 종류의 중간체를 합성하였다. 상기 반응과 동일하게 합성한 중간체의 일부는 하기와 같다.In addition to the above compound, an amine in which a substituent corresponding to the substance of the present invention is introduced is reacted with the compound of Preparation Examples 1-1 to 1-4 (aniline corresponding to the specific example of the present invention produced through a bromination reaction) Through the synthesis of various types of intermediates included in the specific examples. Some of the intermediates synthesized in the same manner as the above reaction are as follows.
제조예Manufacturing example 3-1: 화합물 3-A의 합성 3-1: Synthesis of Compound 3-A
[반응식 3-1][Scheme 3-1]
질소 분위기에서 상기 화합물 2-A (39.5 g, 0.09mol)을 테트라하이드로퓨란 300mL에 완전히 녹인 후 탄산칼륨 수용액(10M) 130mL을 첨가하고 1-나프틸보로닉액시드 (17.2 g, 0.10mol)을 첨가하였다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (2.1g, 1.8mmol)을 첨가하고 3시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 반응이 종료된 후 물층을 제거한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 3-A (39.4g, 수율: 90%)를 제조하였다.After completely dissolving the compound 2-A (39.5 g, 0.09 mol) in 300 mL of tetrahydrofuran in a nitrogen atmosphere, 130 mL of an aqueous potassium carbonate solution (10M) was added and 1-naphthylboronic acid (17.2 g, 0.10 mol) was added. Did. Tetrakistriphenylphosphine palladium (2.1g, 1.8mmol) was added and refluxed for 3 hours and stirred. After the reaction was completed, after removing the water layer, the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare the compound 3-A (39.4 g, yield: 90%).
MS[M+H]+ = 487MS[M+H] + = 487
제조예Manufacturing example 3-2: 화합물 3-B의 합성 3-2: Synthesis of Compound 3-B
[반응식 3-2][Scheme 3-2]
질소 분위기에서 상기 화합물 2-B (40.8 g, 0.09mol)을 테트라하이드로퓨란 300mL에 완전히 녹인 후 탄산칼륨 수용액(10M) 130mL을 첨가하고 1-나프틸보로닉액시드 (17.2 g, 0.10mol)을 첨가하였다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (2.1g, 1.8mmol)을 첨가하고 3시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 반응이 종료된 후 물층을 제거한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 3-B (41.4g, 수율: 92%)를 제조하였다.After completely dissolving the compound 2-B (40.8 g, 0.09 mol) in 300 mL of tetrahydrofuran in a nitrogen atmosphere, 130 mL of an aqueous potassium carbonate solution (10M) was added and 1-naphthylboronic acid (17.2 g, 0.10 mol) was added. Did. Tetrakistriphenylphosphine palladium (2.1 g, 1.8 mmol) was added and stirred by refluxing for 3 hours. After the reaction was completed, the water layer was removed, and the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare the compound 3-B (41.4 g, yield: 92%).
MS[M+H]+ = 501MS[M+H] + = 501
제조예Manufacturing example 3-3: 화합물 3-C의 합성 3-3: Synthesis of Compound 3-C
[반응식 3-3][Scheme 3-3]
질소 분위기에서 상기 화합물 2-C (41.1g, 0.09mol)을 테트라하이드로퓨란 300mL에 완전히 녹인 후 탄산칼륨 수용액(10M) 130mL을 첨가하고 1-나프틸보로닉액시드 (17.2 g, 0.10mol)을 첨가하였다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (2.1g, 1.8mmol)을 첨가하고 3시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 반응이 종료된 후 물층을 제거한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 3-C (40.8g, 수율: 90%)를 제조하였다.After completely dissolving the compound 2-C (41.1 g, 0.09 mol) in 300 mL of tetrahydrofuran in a nitrogen atmosphere, 130 mL of an aqueous potassium carbonate solution (10M) was added, and 1-naphthylboronic acid (17.2 g, 0.10 mol) was added. Did. Tetrakistriphenylphosphine palladium (2.1 g, 1.8 mmol) was added and stirred by refluxing for 3 hours. After the reaction was completed, after removing the water layer, the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare the compound 3-C (40.8 g, yield: 90%).
MS[M+H]+ = 504MS[M+H] + = 504
제조예Manufacturing example 3-4: 화합물 3-D의 합성 3-4: Synthesis of Compound 3-D
[반응식 3-4][Scheme 3-4]
질소 분위기에서 상기 화합물 2-D (42.6g, 0.09mol)을 테트라하이드로퓨란 300mL에 완전히 녹인 후 탄산칼륨 수용액(10M) 130mL을 첨가하고 1-나프틸보로닉액시드 (17.2 g, 0.10mol)을 첨가하였다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (2.1g, 1.8mmol)을 첨가하고 3시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 반응이 종료된 후 물층을 제거한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 3-D (42.7g, 수율: 91%)를 제조하였다.After completely dissolving the compound 2-D (42.6 g, 0.09 mol) in 300 mL of tetrahydrofuran in a nitrogen atmosphere, 130 mL of an aqueous potassium carbonate solution (10 M) was added, and 1-naphthylboronic acid (17.2 g, 0.10 mol) was added. Did. Tetrakistriphenylphosphine palladium (2.1g, 1.8mmol) was added and refluxed for 3 hours and stirred. After the reaction was completed, after removing the water layer, the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare the compound 3-D (42.7 g, yield: 91%).
MS[M+H]+ = 521MS[M+H] + = 521
상기 화합물 외에도 본 발명의 물질에 해당하는 치환기가 도입된 아릴보로닉액시드를 제조예 1-1 내지 1-4 및 제조예 2-1 내지 2-3의 화합물과 스즈키 반응을 통해 구체예에 포함되어 있는 다양한 종류의 중간체를 합성하였다. 상기 반응과 동일하게 합성한 중간체의 일부는 하기와 같다.In addition to the above compounds, aryl boronic acid in which substituents corresponding to the substances of the present invention are introduced are included in specific examples through the Suzuki reaction with the compounds of Preparation Examples 1-1 to 1-4 and Preparation Examples 2-1 to 2-3. Various types of intermediates were synthesized. Some of the intermediates synthesized in the same manner as the above reaction are as follows.
제조예Manufacturing example 4-1: 화합물 4-A의 합성 4-1: Synthesis of Compound 4-A
[반응식 4-1][Scheme 4-1]
질소 분위기에서 상기 화합물 3-A (34.1 g, 0.07mol)에 아세토나이트릴 0.7 L를 첨가하고 0℃에서 12M 염산 15mL를 첨가하였다. 소듐나이트라이트 (6.9 g, 0.10mol)을 0℃에서 첨가한 후 10분동안 교반하고 커퍼브로마이드(II) (22.3 g, 0.10mol)을 첨가하여 50℃로 가열하였다. 1시간동안 가열한 후 증류수 1.5L에 역침전하여 고체를 획득하였다. 획득한 고체를 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 4-A (28.9 g, 수율: 75%)를 제조하였다.In a nitrogen atmosphere, 0.7 L of acetonitrile was added to the compound 3-A (34.1 g, 0.07 mol), and 15 mL of 12M hydrochloric acid was added at 0°C. Sodium nitrite (6.9 g, 0.10 mol) was added at 0° C., then stirred for 10 minutes, and copper bromide (II) (22.3 g, 0.10 mol) was added and heated to 50° C. After heating for 1 hour, it was back-precipitated in 1.5 L of distilled water to obtain a solid. The obtained solid was purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare compound 4-A (28.9 g, yield: 75%).
MS[M+H]+ = 550MS[M+H] + = 550
제조예Manufacturing example 4-2: 화합물 4-B의 합성 4-2: Synthesis of Compound 4-B
[반응식 4-2][Scheme 4-2]
질소 분위기에서 상기 화합물 3-B (35g, 0.07mol)에 아세토나이트릴 0.7 L를 첨가하고 0℃에서 12M 염산 15mL를 첨가하였다. 소듐나이트라이트 (6.9 g, 0.10mol)을 0℃에서 첨가한 후 10분동안 교반하고 커퍼브로마이드(II) (22.3 g, 0.10mol)을 첨가하여 50℃로 가열하였다. 1시간동안 가열한 후 증류수 1.5L에 역침전하여 고체를 획득하였다. 획득한 고체를 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 4-B (30.4 g, 수율: 77%)를 제조하였다.In a nitrogen atmosphere, 0.7 L of acetonitrile was added to the compound 3-B (35 g, 0.07 mol), and 15 mL of 12M hydrochloric acid was added at 0°C. Sodium nitrite (6.9 g, 0.10 mol) was added at 0° C., then stirred for 10 minutes, and copper bromide (II) (22.3 g, 0.10 mol) was added and heated to 50° C. After heating for 1 hour, it was back-precipitated in 1.5 L of distilled water to obtain a solid. The obtained solid was purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare compound 4-B (30.4 g, yield: 77%).
MS[M+H]+ = 564MS[M+H] + = 564
제조예Manufacturing example 4-3: 화합물 4-C의 합성 4-3: Synthesis of Compound 4-C
[반응식 4-3][Scheme 4-3]
질소 분위기에서 상기 화합물 3-C (35.2 g, 0.07mol)에 아세토나이트릴 0.7 L를 첨가하고 0℃에서 12M 염산 15mL를 첨가하였다. 소듐나이트라이트 (6.9 g, 0.10mol)을 0℃에서 첨가한 후 10분동안 교반하고 커퍼브로마이드(II) (22.3 g, 0.10mol)을 첨가하여 50℃로 가열하였다. 1시간동안 가열한 후 증류수 1.5L에 역침전하여 고체를 획득하였다. 획득한 고체를 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 4-C (30.2g, 수율: 76%)를 제조하였다.In a nitrogen atmosphere, 0.7 L of acetonitrile was added to the compound 3-C (35.2 g, 0.07 mol), and 15 mL of 12M hydrochloric acid was added at 0°C. Sodium nitrite (6.9 g, 0.10 mol) was added at 0° C., then stirred for 10 minutes, and copper bromide (II) (22.3 g, 0.10 mol) was added and heated to 50° C. After heating for 1 hour, it was back-precipitated in 1.5 L of distilled water to obtain a solid. The obtained solid was purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare compound 4-C (30.2 g, yield: 76%).
MS[M+H]+ = 567MS[M+H] + = 567
제조예Manufacturing example 4-4: 화합물 4-D의 합성 4-4: Synthesis of Compound 4-D
[반응식 4-4][Scheme 4-4]
질소 분위기에서 상기 화합물 3-D (36.5 g, 0.07mol)에 아세토나이트릴 0.7 L를 첨가하고 0℃에서 12M 염산 15mL를 첨가하였다. 소듐나이트라이트 (6.9 g, 0.10mol)을 0℃에서 첨가한 후 10분동안 교반하고 커퍼브로마이드(II) (22.3 g, 0.10mol)을 첨가하여 50℃로 가열하였다. 1시간동안 가열한 후 증류수 1.5L에 역침전하여 고체를 획득하였다. 획득한 고체를 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 4-D (30.7g, 수율: 75%)를 제조하였다.In a nitrogen atmosphere, 0.7 L of acetonitrile was added to the compound 3-D (36.5 g, 0.07 mol), and 15 mL of 12M hydrochloric acid was added at 0°C. Sodium nitrite (6.9 g, 0.10 mol) was added at 0° C., then stirred for 10 minutes, and copper bromide (II) (22.3 g, 0.10 mol) was added and heated to 50° C. After heating for 1 hour, it was back-precipitated in 1.5 L of distilled water to obtain a solid. The obtained solid was purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare compound 4-D (30.7 g, yield: 75%).
MS[M+H]+ = 584MS[M+H] + = 584
제조예Manufacturing example
5-1: 화합물 1의 합성 5-1: Synthesis of
[반응식 5-1][Scheme 5-1]
질소 분위기에서 상기 화합물 4-A (27.5g, 0.05mol)에 톨루엔 200ml를 첨가하고 -78℃에서 2.5M n-뷰틸리튬 20mL를 첨가하였다. -78℃에서 2시간 교반한 후 트라이브로모보레인 (25.0g, 0.1mol)을 -78℃에서 첨가하여 30분 교반한다. 온도를 상온으로 올려 30분 교반한 후 50℃에서 한시간 교반한다. 0℃로 냉각한 후 다이아이소프로필에틸아민 (12.9g, 0.1mol)을 첨가한 후 20시간 환류하였다. 상온에서 다이아이소프로필에틸아민 (6.5g, 0.05ml)를 추가로 첨가한 후 용매를 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 1 (15.1g, 수율: 63%)를 제조하였다.In a nitrogen atmosphere, 200 ml of toluene was added to the compound 4-A (27.5 g, 0.05 mol) and 20 mL of 2.5M n-butyllithium was added at -78°C. After stirring at -78°C for 2 hours, tribromoborane (25.0g, 0.1mol) was added at -78°C and stirred for 30 minutes. After raising the temperature to room temperature and stirring for 30 minutes, the mixture is stirred at 50°C for 1 hour. After cooling to 0° C., diisopropylethylamine (12.9 g, 0.1 mol) was added and refluxed for 20 hours. After adding diisopropylethylamine (6.5 g, 0.05 ml) at room temperature, the solvent was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to obtain Compound 1 (15.1 g, yield: 63%). It was prepared.
MS[M+H]+ = 480MS[M+H] + = 480
제조예Manufacturing example 5-2: 화합물 15의 합성 5-2: Synthesis of Compound 15
[반응식 5-2][Scheme 5-2]
질소 분위기에서 상기 화합물 4-B (28.2g, 0.05mol)에 톨루엔 200ml를 첨가하고 -78℃에서 2.5M n-뷰틸리튬 20mL를 첨가하였다. -78℃에서 2시간 교반한 후 트라이브로모보레인 (25.0g, 0.1mol)을 -78℃에서 첨가하여 30분 교반한다. 온도를 상온으로 올려 30분 교반한 후 50℃에서 한시간 교반한다. 0℃로 냉각한 후 다이아이소프로필에틸아민 (12.9g, 0.1mol)을 첨가한 후 20시간 환류하였다. 상온에서 다이아이소프로필에틸아민 (6.5g, 0.05ml)를 추가로 첨가한 후 용매를 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 15 (16.0g, 수율: 65%)를 제조하였다.In nitrogen atmosphere, 200 ml of toluene was added to the compound 4-B (28.2 g, 0.05 mol) and 20 mL of 2.5M n-butyllithium was added at -78°C. After stirring at -78°C for 2 hours, tribromoborane (25.0g, 0.1mol) was added at -78°C and stirred for 30 minutes. After raising the temperature to room temperature and stirring for 30 minutes, the mixture is stirred at 50°C for 1 hour. After cooling to 0° C., diisopropylethylamine (12.9 g, 0.1 mol) was added and refluxed for 20 hours. After adding diisopropylethylamine (6.5 g, 0.05 ml) at room temperature, the solvent was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to obtain the compound 15 (16.0 g, yield: 65%). It was prepared.
MS[M+H]+ = 494MS[M+H] + = 494
제조예Manufacturing example 5-3: 화합물 82의 합성 5-3: Synthesis of Compound 82
[반응식 5-3][Scheme 5-3]
질소 분위기에서 상기 합성 방법으로 합성한 출발 화합물 (29g, 0.05mol)에 톨루엔 200ml를 첨가하고 -78℃에서 2.5M n-뷰틸리튬 20mL를 첨가하였다. -78℃에서 2시간 교반한 후 트라이브로모보레인 (25.0g, 0.1mol)을 -78℃에서 첨가하여 30분 교반한다. 온도를 상온으로 올려 30분 교반한 후 50℃에서 한시간 교반한다. 0℃로 냉각한 후 다이아이소프로필에틸아민 (12.9g, 0.1mol)을 첨가한 후 20시간 환류하였다. 상온에서 다이아이소프로필에틸아민 (6.5g, 0.05ml)를 추가로 첨가한 후 용매를 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 82 (18.1g, 수율: 62%)를 제조하였다.200 ml of toluene was added to the starting compound (29 g, 0.05 mol) synthesized by the above synthesis method in a nitrogen atmosphere, and 20 mL of 2.5M n-butyllithium was added at -78°C. After stirring at -78°C for 2 hours, tribromoborane (25.0g, 0.1mol) was added at -78°C and stirred for 30 minutes. After raising the temperature to room temperature and stirring for 30 minutes, the mixture is stirred at 50°C for 1 hour. After cooling to 0° C., diisopropylethylamine (12.9 g, 0.1 mol) was added and refluxed for 20 hours. After adding diisopropylethylamine (6.5 g, 0.05 ml) at room temperature, the solvent was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to give the compound 82 (18.1 g, yield: 62%). It was prepared.
MS[M+H]+ = 583MS[M+H] + = 583
제조예Manufacturing example 5-4: 화합물 5-D의 합성 5-4: Synthesis of Compound 5-D
[반응식 5-4][Scheme 5-4]
질소 분위기에서 상기 화합물 4-D (29.2g, 0.05mol)에 톨루엔 200ml를 첨가하고 -78℃에서 2.5M n-뷰틸리튬 20mL를 첨가하였다. -78℃에서 2시간 교반한 후 트라이브로모보레인 (25.0g, 0.1mol)을 -78℃에서 첨가하여 30분 교반한다. 온도를 상온으로 올려 30분 교반한 후 50℃에서 한시간 교반한다. 0℃로 냉각한 후 다이아이소프로필에틸아민 (12.9g, 0.1mol)을 첨가한 후 20시간 환류하였다. 상온에서 다이아이소프로필에틸아민 (6.5g, 0.05ml)를 추가로 첨가한 후 용매를 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 5-D (17.0g, 수율: 66%)를 제조하였다.In a nitrogen atmosphere, 200 ml of toluene was added to the compound 4-D (29.2 g, 0.05 mol) and 20 mL of 2.5M n-butyllithium was added at -78°C. After stirring at -78°C for 2 hours, tribromoborane (25.0g, 0.1mol) was added at -78°C and stirred for 30 minutes. After raising the temperature to room temperature and stirring for 30 minutes, the mixture is stirred at 50°C for 1 hour. After cooling to 0° C., diisopropylethylamine (12.9 g, 0.1 mol) was added and refluxed for 20 hours. Diisopropylethylamine (6.5 g, 0.05 ml) was further added at room temperature, and then the solvent was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to give the compound 5-D (17.0 g, yield: 66%). ) Was prepared.
MS[M+H]+ = 514MS[M+H] + = 514
질소 분위기에서 상기 합성 과정을 통해 합성한 출발 물질 화합물 (5.3g, 0.01mol)에 톨루엔 30ml를 첨가하고 다이페닐아민 (1.7g, 0.01mol)과 소듐터트뷰톡사이드 (1.9g, 0.02mol)을 첨가하였다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (58mg, 0.05mmol)을 첨가하여 2시간동안 환류하여 교반한다. 유기층을 물로 추출한 후 용매를 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 83 (6.1g, 수율: 93%)를 제조하였다.30 ml of toluene was added to the starting material compound (5.3 g, 0.01 mol) synthesized through the above synthesis process in a nitrogen atmosphere, and diphenylamine (1.7 g, 0.01 mol) and sodium terbutoxide (1.9 g, 0.02 mol) were added. Did. Tetrakistriphenylphosphine palladium (58mg, 0.05mmol) was added and refluxed and stirred for 2 hours. After extracting the organic layer with water, the solvent was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare the compound 83 (6.1 g, yield: 93%).
MS[M+H]+ = 659MS[M+H] + = 659
제조예Manufacturing example 6-2: 화합물 6-D의 합성 6-2: Synthesis of Compound 6-D
[반응식 6-2][Scheme 6-2]
질소 분위기에서 상기 합성 과정을 통해 합성한 출발 화합물 (20.6g, 0.04mol)에 1,4-다이옥산 140ml를 첨가하고 포타슘아세테이트 (7.9g, 0.08mol)와 비스-피나코락토다이보론(10.2g, 0.04mol)을 첨가하였다. 추가로 팔라듐아세테이트 (90mg, 0.4mmol)을 넣고 12시간 환류하였다. 반응이 종결된 후 유기층을 물로 추출한 후 용매를 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 6-D (22.5g, 수율: 93%)를 제조하였다.140 ml of 1,4-dioxane was added to the starting compound (20.6 g, 0.04 mol) synthesized through the above synthesis process in a nitrogen atmosphere, and potassium acetate (7.9 g, 0.08 mol) and bis-pinacolactodiboron (10.2 g, 0.04 mol). Further, palladium acetate (90mg, 0.4mmol) was added and refluxed for 12 hours. After the reaction was completed, the organic layer was extracted with water, and then the solvent was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare the compound 6-D (22.5 g, yield: 93%).
MS[M+H]+ = 606MS[M+H] + = 606
제조예Manufacturing example 6-3: 화합물 70의 합성 6-3: Synthesis of Compound 70
[반응식 6-3][Scheme 6-3]
질소 분위기에서 상기 화합물 6-D (18.2g, 0.03mol)에 테트라하이드로퓨란 30mL에 완전히 녹인 후 탄산칼륨 수용액(10M) 10mL을 첨가하고 브로모벤젠 (4.8g, 0.03mol)을 첨가하였다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.35g, 0.3mmol)을 첨가하고 3시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 반응이 종료된 후 물층을 제거한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 70 (15.8g, 수율: 95%)를 제조하였다.After completely dissolving in 30 mL of tetrahydrofuran in compound 6-D (18.2 g, 0.03 mol) in nitrogen atmosphere, 10 mL of potassium carbonate aqueous solution (10M) was added and bromobenzene (4.8 g, 0.03 mol) was added. Tetrakistriphenylphosphine palladium (0.35 g, 0.3 mmol) was added and stirred by refluxing for 3 hours. After the reaction was completed, after removing the water layer, the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform/hexane) to prepare the compound 70 (15.8 g, yield: 95%).
MS[M+H]+ = 556MS[M+H] + = 556
상기 화합물 외에도 본 발명의 물질에 해당하는 치환기가 도입된 화합물을 이용하여 상기 반응과 동일한 과정을 통해 실시예 화합물 1 내지 45 및 47 내지 96의 화합물을 합성하였다.In addition to the above compounds, compounds of Examples 1 to 45 and 47 to 96 were synthesized through the same process as the above reaction using a compound in which a substituent corresponding to the substance of the present invention was introduced.
<< 실시예Example >>
본 실시예에 있어서, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1의 화합물을 발광층에 포함하여 유기 포토 루미네선스 소자를 제조하고, 특성을 평가하였다. In this example, an organic photoluminescent device was manufactured by including the compound of
본 실험예에 있어서, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1의 화합물과 함께 삼중항 값이 2.5eV 이상인 호스트 재료(m-CBP), EST(일중항 에너지와 삼중항 에너지의 차이)가 0.2eV 미만인 TADF(지연형광) 특성을 갖는 Sensitizer(4CzIPN)를 발광층에 포함하여 녹색 유기 포토 루미네선스 소자를 제조하고, 특성을 평가하였다. In this experimental example, the host material (m-CBP) having a triplet value of 2.5 eV or more, and E ST ( difference between singlet energy and triplet energy) with a compound of
<비교예 1-1><Comparative Example 1-1>
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 각 박막을 진공 증착법 으로 진공도 5.0 Х 10-4㎩ 로 적층하였다. 먼저, ITO 상에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexaazatriphenylene; HAT)를 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.A glass substrate coated with a thin film of ITO (indium tin oxide) at a thickness of 1,000 에 was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, Fischer (Fischer Co.) was used as the detergent, and distilled water filtered secondarily by a filter of Millipore Co. was used as the distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, ultrasonic washing was repeated for 10 minutes by repeating it twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, followed by drying and transporting to a plasma cleaner. In addition, the substrate was washed for 5 minutes using oxygen plasma, and then transferred to a vacuum evaporator. On the prepared ITO transparent electrode, each thin film was laminated with a vacuum degree of 5.0 Х 10-4 으로 by vacuum deposition. First, on ITO, hexanitrile hexaazatriphenylene (HAT) was thermally vacuum-deposited to a thickness of 500 Pa to form a hole injection layer.
상기 정공 주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화합물 4-4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(300Å)를 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.A hole transport layer is formed by vacuum-depositing the following compound 4-4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (NPB) (300 kPa), which is a material for transporting holes on the hole injection layer. Did.
상기 정공 수송층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 N-([1,1'-비스페닐]-4-yl)-N-(4-(11-([1,1'-비페닐]-4-yl)-11H-벤조[a]카바졸-5-yl)페닐)-[1,1'-비페닐]-4-아민(EB1)(100Å)를 진공 증착하여 전자 저지층을 형성하였다.The following compound N-([1,1'-bisphenyl]-4-yl)-N-(4-(11-([1,1'-biphenyl]-4-yl) having a film thickness of 100
이어서, 상기 전자 저지층 위에 막 두께 300Å으로 아래와 같은 m-CBP와 4CzIPN, GD1을 68:30:2의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.Subsequently, a light emitting layer was formed by vacuum-depositing m-CBP, 4CzIPN, and GD1 as shown below at a weight ratio of 68:30:2 with a film thickness of 300
상기 발광층 위에 화합물 ET1과 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.A compound ET1 and a compound LiQ (Lithium Quinolate) were vacuum-deposited at a weight ratio of 1:1 on the light emitting layer to form an electron injection and transport layer with a thickness of 300 MPa. On the electron injection and transport layer, lithium fluoride (LiF) with a thickness of 12 Å and aluminum with a thickness of 2,000 순차적 were sequentially deposited to form a negative electrode.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~ 0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 ×10-7 ~ 5 ×10-6 torr를 유지하여, 유기 발광소자를 제작하였다. Was maintained at the deposition rate was 0.4 ~ 0.7Å / sec for organic material in the above process, the lithium fluoride of the cathode was 0.3Å / sec, aluminum is deposited at a rate of 2Å / sec, During the deposition, a
실험예Experimental Example 1-1 내지 1-81 1-1 to 1-81
상기 실험예 1에서 화합물 GD1 대신 하기 표 1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Comparative Example 1-1 except for using the compound of Table 1 below instead of the compound GD1 in Experimental Example 1.
비교예Comparative example 1-2 1-2
상기 비교예 1-1에서 화합물 GD1 대신 하기 GD2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Experimental Example 1, except that the compound of GD2 below was used instead of compound GD1 in Comparative Example 1-1.
실험예 1-1 내지 1-81 및 비교예 1-1 및 1-2에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 전압, 효율, 발광파장을 측정한 결과를 하기 표 1에 나타내었다.When current was applied to the organic light emitting devices manufactured by Experimental Examples 1-1 to 1-81 and Comparative Examples 1-1 and 1-2, the results of measuring voltage, efficiency, and emission wavelength are shown in Table 1 below. .
(발광층)compound
(Light emitting layer)
(V@10mA/cm2)Voltage
(V@10mA/cm 2 )
(cd/A@10mA/cm2)efficiency
(cd/A@10mA/cm 2 )
(nm)Luminous wavelength
(nm)
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 화학식 1의 구조를 코어로 하는 화합물을 사용한 실험예 1-1 내지 1-81 의 소자 모두 비교예 1-1에서 화합물 GD1의 물질을 사용한 소자보다 전압이 낮고, 효율이 올라가는 결과를 얻었다.As shown in Table 1, all of the devices of Experimental Examples 1-1 to 1-81 using a compound having the structure of
또한, 비교예 1-2의 소자와 비교를 해보면 비대칭 형태의 본 화학식 1의 구조가 전압, 효율 면에서 특성이 모두 향상됨을 알 수 있었다.In addition, when comparing with the device of Comparative Example 1-2, it was found that the structure of
상기 표 1의 결과와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 발광 능력이 우수하고 발광 파장 튜닝이 가능하여 높은 색순도의 유기 발광 소자 구현이 가능함을 확인할 수 있었다.As shown in the results of Table 1, it was confirmed that the compound according to the present invention has excellent luminescence ability and is capable of tuning the emission wavelength, thereby realizing an organic light emitting device having high color purity.
<실험예 2><Experimental Example 2>
본 실험예에 있어서, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1과 함께 호스트 재료(BH)를 발광층에 포함하여 청색 유기 포토 루미네선스 소자를 제조하고, 특성을 평가하였다. In this experimental example, a blue organic photoluminescence device was manufactured by including a host material (BH) in a light emitting layer together with
<비교예 2-1><Comparative Example 2-1>
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexaazatriphenylene; HAT)를 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.A glass substrate coated with a thin film of ITO (indium tin oxide) at a thickness of 1,000 에 was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, Fischer (Fischer Co.) was used as the detergent, and distilled water filtered secondarily by a filter of Millipore Co. was used as the distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, ultrasonic washing was repeated for 10 minutes by repeating it twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, followed by drying and transporting to a plasma cleaner. In addition, the substrate was washed for 5 minutes using oxygen plasma, and then transferred to a vacuum evaporator. On the prepared ITO transparent electrode, hexanitrile hexaazatriphenylene (HAT) of the following formula was thermally vacuum-deposited to a thickness of 500 Pa to form a hole injection layer.
상기 정공 주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화합물 4-4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(300Å)를 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.A hole transport layer is formed by vacuum-depositing the following compound 4-4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (NPB) (300 kPa), which is a material for transporting holes on the hole injection layer. Did.
상기 정공 수송층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 N-([1,1'-비스페닐]-4-yl)-N-(4-(11-([1,1'-비페닐]-4-yl)-11H-벤조[a]카바졸-5-yl)페닐)-[1,1'-비페닐]-4-아민(EB1)(100Å)를 진공 증착하여 전자 저지층을 형성하였다.The following compound N-([1,1'-bisphenyl]-4-yl)-N-(4-(11-([1,1'-biphenyl]-4-yl) having a film thickness of 100
이어서, 상기 전자 저지층 위에 막 두께 300Å으로 아래와 같은 BH와 BD를 25:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.Subsequently, a light emitting layer was formed by vacuum-depositing the following BH and BD at a weight ratio of 25:1 with a film thickness of 300 MPa on the electron blocking layer.
상기 발광층 위에 상기 화합물 ET1과 상기 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.On the light emitting layer, the compound ET1 and the compound LiQ (Lithium Quinolate) were vacuum-deposited at a weight ratio of 1:1 to form an electron injection and transport layer with a thickness of 300 Pa. On the electron injection and transport layer, lithium fluoride (LiF) with a thickness of 12 Å and aluminum with a thickness of 2,000 순차적 were sequentially deposited to form a negative electrode.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~ 0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 ⅹ10-7 ~ 5 ⅹ10-6 torr를 유지하여, 유기 발광소자를 제작하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 to 0.7 Å/sec, the lithium fluoride of the negative electrode was maintained at a deposition rate of 0.3 Å/sec and aluminum at 2 Å/sec, and the vacuum degree during deposition was 2 진공10 -7. Maintaining ~ 5 ⅹ10 -6 torr, an organic light emitting device was manufactured.
<< 실험예Experimental Example 2-1 내지 2-15> 2-1 to 2-15>
상기 비교예 2-1에서 화합물 BD 대신 하기 표 2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 2-1, except that the compound of Table 2 below was used instead of the compound BD in Comparative Example 2-1.
<< 비교예Comparative example 2-2> 2-2>
상기 비교예 2-1에서 화합물 BD 대신 하기 화합물 BD-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 2-1, except that the following Compound BD-1 was used instead of Compound BD in Comparative Example 2-1.
실험예 2-1 내지 2-14 및 비교예 2-1 및 비교예 2-2에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 전압, 효율, 발광파장을 측정한 결과를 하기 표 2에 나타내었다. Table 2 shows the results of measuring voltage, efficiency, and emission wavelength when current was applied to the organic light emitting devices manufactured by Experimental Examples 2-1 to 2-14 and Comparative Examples 2-1 and Comparative Example 2-2. Shown.
발광층compound
Emitting layer
(V@10mA/cm2)Voltage
(V@10mA/cm 2 )
(cd/A@10mA/cm2)efficiency
(cd/A@10mA/cm 2 )
(nm)Luminous wavelength
(nm)
상기 표 2에서 보는 바와 같이, 화학식 1의 구조를 코어로 하는 화합물을 사용한 실험예 2-1 내지 2-14 의 소자 모두 비교예 2-1에서 화합물 BD의 물질을 사용한 소자보다 전압이 낮고, 효율이 올라가는 결과를 얻었다.As shown in Table 2, all of the devices of Experimental Examples 2-1 to 2-14 using a compound having the structure of
또한, 비교예 2-2의 소자와 비교를 해보면 비대칭 형태의 본 화학식 1의 구조가 전압, 효율면에서 특성이 모두 향상됨을 알 수 있었다.In addition, when comparing with the device of Comparative Example 2-2, it was found that the structure of
상기 표 2의 결과와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 발광 능력이 우수하고 발광 파장 튜닝이 가능하여 높은 색순도의 유기 발광 소자 구현이 가능함을 확인할 수 있었다.As shown in the results of Table 2, it was confirmed that the compound according to the present invention has excellent luminescence ability and is capable of tuning the emission wavelength, thereby realizing an organic light emitting device having high color purity.
1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 전자수송층
8: 전자저지층
9: 전자 주입 및 수송층1: Substrate
2: anode
3: light emitting layer
4: Cathode
5: hole injection layer
6: hole transport layer
7: electron transport layer
8: Electronic blocking layer
9: electron injection and transport layer
Claims (12)
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
X는 S, O 또는 NAr이고,
상기 Ar은 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, 상기 Ar은 R2와 결합하여 치환 또는 비치환된 인돌고리를 형성할 수 있고,
R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이거나; 인접하는 2개의 치환기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 벤젠고리; 치환 또는 비치환된 나프탈렌고리; 치환 또는 비치환된 인덴고리; 치환 또는 비치환된 시클로펜텐고릭; 치환 또는 비치환된 인돌고리; 치환 또는 비치환된 벤조퓨란고리; 치환 또는 비치환된 벤조티오펜고리를 형성하거나, O, S, 또는 NRa으로 연결될 수 있으며
Ra은 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
m 은 0 내지 6의 정수이고, m이 2 이상인 경우, R1은 서로 같거나 상이하고, n은 0 내지 7의 정수이고, n이 2 이상인 경우, R2는 서로 같거나 상이하며,
상기 "치환 또는 비치환된"은 중수소, 니트릴기, 알킬기, 실릴기, 아민기, 및 아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결되는 것을 의미한다. Compound represented by the formula (1):
[Formula 1]
In Chemical Formula 1,
X is S, O or NAr,
The Ar is a substituted or unsubstituted aryl group, or the Ar may combine with R2 to form a substituted or unsubstituted indole ring,
R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; Nitro group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted amine group; Or a substituted or unsubstituted aryl group; Two adjacent substituents are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted benzene ring; A substituted or unsubstituted naphthalene ring; Substituted or unsubstituted indene ring; Substituted or unsubstituted cyclopentene goric; Substituted or unsubstituted indole rings; Substituted or unsubstituted benzofuran ring; To form a substituted or unsubstituted benzothiophene ring, or can be linked by O, S, or NRa,
Ra is a substituted or unsubstituted aryl group,
m is an integer from 0 to 6, when m is 2 or more, R1 is the same or different from each other, n is an integer from 0 to 7, and when n is 2 or more, R2 is the same or different from each other,
The "substituted or unsubstituted" is substituted with 1 or 2 or more substituents selected from the group consisting of deuterium, nitrile group, alkyl group, silyl group, amine group, and aryl group, or two or more of the substituents exemplified above are connected. Means
[화학식 2]
상기 화학식 2에 있어서, X, R1 및 m의 정의는 화학식 1에서와 같고,
R3은 수소; 중수소; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,
R4의 정의는 화학식 1의 R2의 정의와 같고,
o는 0 내지 4의 정수이고, o가 2 이상인 경우 R4는 서로 같거나 상이하며,
상기 "치환 또는 비치환된"은 중수소, 니트릴기, 알킬기, 실릴기, 아민기, 및 아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결되는 것을 의미한다. The method according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is a compound represented by Formula 2:
[Formula 2]
In Formula 2, X, R1 and m are the same as in Formula 1,
R3 is hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted amine group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,
The definition of R4 is the same as that of R2 in Formula 1,
o is an integer from 0 to 4, and when o is 2 or more, R4 is the same as or different from each other,
The "substituted or unsubstituted" is substituted with 1 or 2 or more substituents selected from the group consisting of deuterium, nitrile group, alkyl group, silyl group, amine group, and aryl group, or two or more of the substituents exemplified above are connected. Means
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
상기 화학식 3 내지 6에 있어서,
상기 X, R1 및 m의 정의는 화학식 1에서와 같고,
R5 내지 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
p는 0 내지 3의 정수이고, p가 2 이상인 경우 R5는 서로 같거나 상이하고,
q는 0 내지 6의 정수이고, q가 2이상인 경우 R6는 서로 같거나 상이하고,
r은 0 내지 8의 정수이고, r이 2이상인 경우 R7은 서로 같거나 상이하며,
상기 "치환 또는 비치환된"은 중수소, 니트릴기, 알킬기, 실릴기, 아민기, 및 아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결되는 것을 의미한다. The method according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is a compound represented by any one of the following Formulas 3 to 6:
[Formula 3]
[Formula 4]
[Formula 5]
[Formula 6]
In Chemical Formulas 3 to 6,
The definition of X, R1 and m are the same as in Formula 1,
R5 to R7 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, nitrile group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted silyl group, substituted or unsubstituted amine group, or substituted or unsubstituted aryl Ki,
p is an integer from 0 to 3, and when p is 2 or more, R5 is the same as or different from each other,
q is an integer from 0 to 6, and when q is 2 or more, R6 is the same as or different from each other,
r is an integer from 0 to 8, and when r is 2 or more, R7 is the same as or different from each other,
The "substituted or unsubstituted" is substituted with 1 or 2 or more substituents selected from the group consisting of deuterium, nitrile group, alkyl group, silyl group, amine group, and aryl group, or two or more of the substituents exemplified above are connected. Means
[화학식 7]
[화학식 8]
[화학식 9]
[화학식 10]
[화학식 11]
[화학식 12]
[화학식 13]
[화학식 14]
[화학식 15]
[화학식 16]
[화학식 17]
[화학식 18]
상기 화학식 7 내지 18에 있어서,
상기 X, R2, 및 n의 정의는 화학식 1에서와 같고,
Y는 CRR', NR", O, 또는 S이며,
R, R', R" 및 R10 내지 R15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
a 및 b는 0 내지 4의 정수이며,
c는 0 내지 6의 정수이고,
d는 0 내지 8의 정수이며,
e는 0 내지 3의 정수이고,
f는 0 내지 5의 정수이며,
a 내지 f가 2 이상인 경우, 괄호안의 치환기는 서로 같거나 상이하며,
상기 "치환 또는 비치환된"은 중수소, 니트릴기, 알킬기, 실릴기, 아민기, 및 아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결되는 것을 의미한다.The method according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is a compound represented by any one of the following Formulas 7 to 18:
[Formula 7]
[Formula 8]
[Formula 9]
[Formula 10]
[Formula 11]
[Formula 12]
[Formula 13]
[Formula 14]
[Formula 15]
[Formula 16]
[Formula 17]
[Formula 18]
In the above formulas 7 to 18,
The definition of X, R2, and n is the same as in Formula 1,
Y is CRR', NR", O, or S,
R, R', R" and R10 to R15 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, nitrile group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted silyl group, substituted or unsubstituted amine group , Or a substituted or unsubstituted aryl group,
a and b are integers from 0 to 4,
c is an integer from 0 to 6,
d is an integer from 0 to 8,
e is an integer from 0 to 3,
f is an integer from 0 to 5,
When a to f are 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other,
The "substituted or unsubstituted" is substituted with 1 or 2 or more substituents selected from the group consisting of deuterium, nitrile group, alkyl group, silyl group, amine group, and aryl group, or two or more of the substituents exemplified above are connected. Means
[화학식 20]
상기 화학식 20에 있어서, R1, 및 m 은 화학식 1에서의 정의와 같고,
R21 및 R22는 상기 화학식 1의 R2의 정의와 같고,
n1은 0 내지 3의 정수이고, n2는 0 내지 7의 정수이며,
n1 및 n2가 각각 2이상인 경우, 괄호안의 치환기는 서로 같거나 상이하다. The method according to claim 1, wherein Formula 1 is a compound represented by Formula 20:
[Formula 20]
In Chemical Formula 20, R1, and m are as defined in Chemical Formula 1,
R21 and R22 are the same as the definition of R2 in Chemical Formula 1,
n1 is an integer from 0 to 3, n2 is an integer from 0 to 7,
When n1 and n2 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same or different from each other.
[화학식 21]
[화학식 22]
[화학식 23]
상기 화학식 21 내지 23에 있어서, X 및 Ra의 정의는 화학식 1에서의 정의와 같고,
R23 및 R24는 화학식 1의 R1 및 R2의 정의와 같고,
n3은 0 내지 6의 정수이고, n4는 0 내지 5의 정수이고,
상기 n3 및 n4가 2이상인 경우, 괄호안의 치환기는 서로 같거나 상이하다.The method according to claim 1, wherein Formula 1 is a compound represented by any one of the following Formulas 21 to 23:
[Formula 21]
[Formula 22]
[Formula 23]
In Chemical Formulas 21 to 23, X and Ra are the same as those in Chemical Formula 1,
R23 and R24 are as defined for R1 and R2 in Formula 1,
n3 is an integer from 0 to 6, n4 is an integer from 0 to 5,
When n3 and n4 are 2 or more, the substituents in parentheses are the same or different from each other.
상기 "치환 또는 비치환된"은 중수소, 니트릴기, 알킬기, 실릴기, 아민기, 및 아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결되는 것을 의미하는 것인 화합물.The method according to claim 1, wherein R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Nitrile group; Methyl group; Butyl group; A diphenylamine group unsubstituted or substituted with an alkyl group; A phenyl group unsubstituted or substituted with a nitrile group; Naphthyl group; Trimethylsilyl group; Or a fluorenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group; Two adjacent substituents are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted benzene ring; A substituted or unsubstituted naphthalene ring; Substituted or unsubstituted indene ring; A substituted or unsubstituted cyclopentene ring; Substituted or unsubstituted indole rings; Substituted or unsubstituted benzofuran ring; Or to form a substituted or unsubstituted benzothiophene ring,
The "substituted or unsubstituted" is substituted with 1 or 2 or more substituents selected from the group consisting of deuterium, nitrile group, alkyl group, silyl group, amine group, and aryl group, or two or more of the substituents exemplified above are connected. A compound that means that.
The method according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is selected from the following structural formula:
The method according to claim 9, The organic material layer comprises a hole injection layer, a hole transport layer, or a hole injection and transport layer, and the hole injection layer, a hole transport layer, or the hole injection and transport layer comprises the compound.
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