KR102133577B1 - A kind of shock absorbing photovoltaic back panel - Google Patents
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Abstract
본 발명은 일종의 충격흡수형 광발전 백 패널을 제공한다. 상기 충격흡수형 광발전 백 패널에는 외부 내후성 수지층, 제1 금속기판, 다수의 제1 탄성 바, 제2 금속기판, 다수의 제2 탄성 바, 제3 금속기판, 내부 내후성 수지층이 포함된다. 상기 충격흡수형 광발전 백 패널은 우수한 충격흡수 성능이 구비되며, 충격으로 인한 태양전지 컴포넌트의 파손을 효과적으로 방지하고, 더 나아가 상응하는 태양전지 컴포넌트의 안정성도 높일 수 있다. The present invention provides a kind of shock absorbing photovoltaic back panel. The shock absorbing photovoltaic back panel includes an external weatherable resin layer, a first metal substrate, a plurality of first elastic bars, a second metal substrate, a plurality of second elastic bars, a third metal substrate, and an internal weatherable resin layer. . The shock absorbing type photovoltaic back panel is provided with excellent shock absorbing performance, and effectively prevents damage to the solar cell component due to the impact, and further increases the stability of the corresponding solar cell component.
Description
본 발명은 광발전 기술 분야에 관한 것으로서, 특히 충격흡수형 광발전 백 패널에 관한 것이다.The present invention relates to the field of photovoltaic technology, and more particularly, to a shock absorbing photovoltaic back panel.
산업이 고도로 발달하고 인구가 지속적으로 증가함에 따라 에너지에 대한 수요도 급격히 증가하고 있으며, 특히 석탄과 석유는 가장 주요한 에너지원이다. 그러나 지구의 석탄 및 석유의 총 매장량은 한계가 있고 재생이 불가능하므로 전 지구가 엄준한 에너지 문제에 직면해 있다. 또한 석탄과 석유는 사용 과정에서 심각한 환경오염을 유발하여 우리의 지구에 거대한 재난을 가져오고 있다. 재생에너지를 대규모로 이용하여 석탄과 석유를 대체해야만 인류사회의 지속 가능한 발전을 촉진할 수 있다. 태양에너지는 태양 내부의 핵 융합에 의해 저장된 것이며, 이를 폭발시켜 외부로 에너지를 방사할 수 있어, 종래의 에너지와 비교하면 태양에너지는 무한하다고 할 수 있다. 현재 인류가 태양에너지를 이용하는 주요한 방식은 빛 에너지를 열 에너지로 변환하거나 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 것이다(태양광 발전).As the industry is highly developed and the population continues to increase, the demand for energy is also rapidly increasing, and coal and oil are the most important sources of energy. However, the total reserves of the earth's coal and oil are limited and non-renewable, so the entire planet is facing severe energy problems. Coal and petroleum also cause serious environmental pollution in the process of use, causing great disasters on our planet. Renewable energy must be used on a large scale to replace coal and oil to promote sustainable development of human society. Solar energy is stored by nuclear fusion inside the sun, and it can be exploded to radiate energy to the outside, so it can be said that solar energy is infinite compared to conventional energy. Currently, the main way that humans use solar energy is to convert light energy into heat energy or light energy into electrical energy (solar power generation).
기존의 각종 태양 에너지 전지 가운데 결정질 실리콘 태양전지가 효율이 높고 제조공법이 성숙되어 널리 응용되고 있다. 그에 상응하는 결정질 실리콘 태양 에너지 전지 컴포넌트에는 일반적으로 강화유리, 접착층, 전지 패널 층, 접착층, 태양 에너지 전지 전지 백 패널이 포함되어 있으며, 태양 에너지 전지 백 패널은 태양 에너지 전지 컴포넌트의 후면에 위치해 있어, 전지 패널을 보호하고 지지하는 역할을 하고, 신뢰성 있는 절연성, 방수성, 항노화성을 구비하고 있다. 일반적인 태양 에너지 전지 백 패널은 TPT 백 패널로서, 상기 TPT 백 패널은 불화비닐, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 불화비닐 등 독립된 3개의 박막을 접착제를 통해 접착한 뒤 핫 프레싱을 거쳐 형성된다. 종래의 TPT 백 패널은 열 전도성이 비교적 낮고 태양 에너지 전지 패널을 양호하게 지지하고 보호할 수 없으며, 더 나아가, 상응하는 태양 에너지 전지 컴포넌트의 사용 수명에도 영향을 미치게 된다. Among the various solar energy cells, crystalline silicon solar cells are widely used due to high efficiency and mature manufacturing methods. Corresponding crystalline silicon solar energy cell components generally include tempered glass, adhesive layer, battery panel layer, adhesive layer, solar energy cell battery back panel, and the solar energy cell back panel is located at the back of the solar energy cell component, It serves to protect and support the battery panel, and has reliable insulating, waterproof, and anti-aging properties. A typical solar energy cell back panel is a TPT back panel, and the TPT back panel is formed by bonding three independent thin films such as vinyl fluoride, polyethylene terephthalate, and vinyl fluoride through an adhesive and then hot pressing. Conventional TPT back panels are relatively low in thermal conductivity and cannot support and protect solar energy cell panels well, and further affect the service life of the corresponding solar energy cell components.
본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 단점을 극복하고 일종의 충격흡수형 광발전 백 패널을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to overcome the disadvantages of the prior art and to provide a kind of shock absorbing photovoltaic back panel.
상기 목적을 실현하기 위해, 본 발명은 이하가 포함된 일종의 충격흡수형 광발전 백 패널을 제공한다.In order to realize the above object, the present invention provides a kind of shock absorbing type photovoltaic back panel including the following.
제1 금속기판으로서, 상기 제1 금속기판의 상부 표면에 평행하게 배열된 다수의 제1 홈이 설치되며, 상기 제1 홈의 바닥면은 호형으로 이루어진다.As a first metal substrate, a plurality of first grooves arranged parallel to an upper surface of the first metal substrate is installed, and the bottom surface of the first groove is formed in an arc shape.
외부 내후성 수지층으로서, 상기 외부 내후성 수지층은 상기 제1 금속기판의 하부 표면에 설치된다.As an external weatherable resin layer, the external weatherable resin layer is provided on the lower surface of the first metal substrate.
다수의 제1 탄성 바로서, 각각의 상기 제1 탄성 바의 일부는 상응된 상기 제1 홈 안에 감입된다.As a plurality of first elastic bars, a portion of each of the first elastic bars is fitted into the corresponding first groove.
제2 금속기판으로서, 상기 제2 금속기판의 하부 표면에 각각의 상기 제1 홈과 대응되며 평행하게 배열된 다수의 제2 홈이 설치되고, 상기 제2 금속기판의 상부 표면에 각각의 상기 제2 홈과 대응되며 평행하게 배열된 다수의 제3 홈이 설치되며, 상기 제2 홈과 상기 제3 홈의 바닥면은 모두 호형으로 이루어진다. 상기 제1 탄성 바의 다른 일부는 상기 제2 홈 안에 감입되고, 서로 인접한 제1 탄성 바 사이에는 상기 제1 금속기판과 상기 제2 금속기판이 노출되는 제1 공극이 구비된다.As a second metal substrate, a plurality of second grooves corresponding to each of the first grooves and arranged in parallel are provided on the lower surface of the second metal substrate, and each of the second grooves is disposed on an upper surface of the second metal substrate. A plurality of third grooves corresponding to the two grooves and arranged in parallel are installed, and the bottom surfaces of the second groove and the third groove are both arc-shaped. The other part of the first elastic bar is inserted into the second groove, and a first air gap in which the first metal substrate and the second metal substrate are exposed is provided between the first elastic bars adjacent to each other.
다수의 제2 탄성 바로서, 각각의 상기 제2 탄성 바의 일부는 상응된 상기 제3 홈 안에 감입된다. As a plurality of second elastic bars, a portion of each of the second elastic bars is fitted into the corresponding third groove.
제3 금속기판으로서, 상기 제3 금속기판의 하부 표면에 각각의 상기 제3 홈과 대응되며 평행하게 배열된 다수의 제4 홈이 설치되고, 상기 제4 홈의 바닥면은 호형으로 이루어지고, 상기 제2 탄성 바의 다른 일부는 상기 제4 홈 안에 감입되고, 서로 인접한 제2 탄성 바 사이에는 상기 제2 금속기판과 상기 제3 금속기판이 노출되는 제2 공극이 구비된다.As a third metal substrate, a plurality of fourth grooves corresponding to each of the third grooves and arranged in parallel are provided on the lower surface of the third metal substrate, and the bottom surface of the fourth groove is formed in an arc shape, Another part of the second elastic bar is inserted into the fourth groove, and a second air gap in which the second metal substrate and the third metal substrate are exposed is provided between the second elastic bars adjacent to each other.
내부 내후성 수지층으로서, 상기 내부 내후성 수지층은 상기 제3 금속기판의 상부 표면에 설치된다.As an internal weather-resistant resin layer, the internal weather-resistant resin layer is provided on the upper surface of the third metal substrate.
상술한 충격흡수형 광발전 백 패널은 더 나아가, 상기 제1, 제2, 제3 금속기판의 재질은 알루미늄, 구리, 철, 알루미늄-마그네슘 합금 또는 스테인리스 스틸이며, 상기 제1, 제2, 제3 금속기판의 두께는 200마이크론내지 400마이크론이다.Further, the above-described shock absorbing photovoltaic back panel is further made of a material of the first, second, and third metal substrates of aluminum, copper, iron, aluminum-magnesium alloy or stainless steel, and the first, second, and second 3 The thickness of the metal substrate is 200 microns to 400 microns.
상술한 충격흡수형 광발전 백 패널은 더 나아가, 상기 제1 탄성 바와 상기 제2 탄성 바에 금속 코어, 금속 코어의 표면에 설치된 고무층, 고무층 표면에 설치된 금속 도금층이 포함되며, 상기 제1 탄성 바와 상기 제2 탄성 바의 직경은 300마이크론내지 500마이크론이다. The above-described shock absorbing photovoltaic back panel further includes a metal core, a rubber layer provided on the surface of the metal core, and a metal plating layer provided on the surface of the rubber layer on the first elastic bar and the second elastic bar. The diameter of the second elastic bar is 300 microns to 500 microns.
상술한 충격흡수형 광발전 백 패널은 더 나아가, 상기 금속 코어의 재질은 알루미늄, 구리, 철, 알루미늄-마그네슘 합금 또는 스테인리스 스틸이고, 상기 금속 도금층의 재질은 구리, 니켈, 은 또는 크롬이다.Further, the above-described shock absorbing photovoltaic back panel is further made of a material of the metal core is aluminum, copper, iron, aluminum-magnesium alloy or stainless steel, and the material of the metal plating layer is copper, nickel, silver or chromium.
상술한 충격흡수형 광발전 백 패널은 더 나아가, 상기 외부 내후성 수지층과 상기 내부 내후성 수지층의 재질은 PTFE, PTFCE, PVDF, 불화비닐 또는 에틸렌-테트라플루오로에틸렌(Ethylene Tetrafluoroethylene, ETFE) 공중합체이며, 상기 외부 내후성 수지층과 상기 내부 내후성 수지층의 두께는 모두 60마이크론내지 90마이크론이다.Further, the shock absorbing type photovoltaic back panel described above is further made of PTFE, PTFCE, PVDF, vinyl fluoride, or ethylene-tetrafluoroethylene (ETFE) copolymer. The thickness of the outer weather-resistant resin layer and the inner weather-resistant resin layer are both 60 microns to 90 microns.
상술한 충격흡수형 광발전 백 패널은 더 나아가, 서로 인접한 제1 탄성 바의 간격은 400마이크론내지 800마이크론이며, 서로 인접한 제2 탄성 바의 간격은 400마이크론내지 800마이크론이다.Further, the above-described shock absorbing type photovoltaic back panel further has a spacing of the first elastic bars adjacent to each other between 400 microns and 800 microns, and a spacing of the second elastic bars adjacent to each other is 400 microns to 800 microns.
상술한 충격흡수형 태양전지 패널은 더 나아가, 상기 제1, 제2, 제3, 제4 홈의 최대 심도가 동일하고, 상기 제1, 제2 탄성 바의 직경이 동일하며, 상기 제1, 제2, 제3, 제4 홈의 최대 심도와 상기 제1, 제2 탄성 바 직경의 비율 값이 0.2내지 0.3이다.Further, the above-described shock absorbing solar cell panel further has the same maximum depths of the first, second, third, and fourth grooves, the same diameters of the first and second elastic bars, and the first, The ratio between the maximum depth of the second, third, and fourth grooves and the diameter of the first and second elastic bars is 0.2 to 0.3.
종래 기술에 비해 본 발명에 따른 충격흡수형 백 패널은 서로 인접한 3개의 금속기판 사이에 2개의 탄성 바를 설치하고 탄성 바의 구조, 재질, 치수를 개선함으로써 탄성 바가 우수한 탄성과 안정성을 구비하게 되며, 나아가 상기 충격흡수형 광발전 백 패널이 우수한 충격흡수 성능을 구비하게 되어, 충격으로 인한 태양전지 패널의 파손을 효과적으로 방지하게 되고, 또한 서로 인접한 탄성 바 사이에 금속기판을 노출시키는 다수의 공극이 설치되어, 상응된 태양전지 패널이 작동하는 과정에서 발생한 열량을 상기 공극 사이를 통해 효과적으로 배출할 수 있어, 상응된 태양전지 컴포넌트가 우수한 열 소산 성능을 구비하게 된다. 본 발명에 따른 충격흡수형 백 패널의 구조는 적층식 구조로서, 2열로 배열된 탄성 바의 디자인으로 인해 충격흡수 효과가 더욱 양호하고, 금속기판의 홈 바닥면이 호형을 나타내어 탄성 바와 금속기판의 접촉면적이 증가하여, 탄성 바와 금속기판의 접촉이 더욱 견고해지며, 백 패널의 각 부품의 재질과 구체적인 치수를 개선함으로써 백 패널의 내충격 성능과 열 소산 성능이 효과적으로 높아지고, 더 나아가 상응된 태양전지 컴포넌트의 안정성을 높일 수 있어, 상기 태양전지 컴포넌트의 사용 수명이 연장된다.Compared to the prior art, the shock absorbing type back panel according to the present invention installs two elastic bars between three metal substrates adjacent to each other and improves the structure, material, and dimensions of the elastic bars, so that the elastic bars have excellent elasticity and stability, Furthermore, the shock absorbing photovoltaic back panel has excellent shock absorbing performance, effectively preventing damage to the solar cell panel due to shock, and also installing a plurality of voids exposing metal substrates between elastic bars adjacent to each other. Thus, the amount of heat generated during the operation of the corresponding solar cell panel can be effectively discharged through the gaps, so that the corresponding solar cell component has excellent heat dissipation performance. The structure of the shock absorbing type back panel according to the present invention is a stacked structure, and the shock absorbing effect is better due to the design of the elastic bars arranged in two rows, and the groove bottom surface of the metal substrate shows an arc shape, thereby providing an elastic bar and a metal substrate. By increasing the contact area, the contact between the elastic bar and the metal substrate becomes more robust, and the impact resistance and heat dissipation performance of the back panel are effectively increased by improving the material and specific dimensions of each part of the back panel, and furthermore, the corresponding solar cell Since the stability of the component can be increased, the service life of the solar cell component is extended.
도 1은 본 발명에 따른 충격흡수형 광발전 백 패널의 구조를 도시한 설명도이다.
도 2는 본 발명에 따른 제1, 제2 탄성 바의 단면을 도시한 설명도이다.1 is an explanatory view showing the structure of a shock absorbing photovoltaic back panel according to the present invention.
2 is an explanatory view showing cross sections of first and second elastic bars according to the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명은 이하가 포함된 일종의 충격흡수형 광발전 백 패널을 제공한다. 제1 금속기판(1)으로서, 상기 제1 금속기판(1)의 상부 표면에 평행하게 배열된 다수의 제1 홈(11)이 설치되고, 상기 제1 홈(11)의 바닥면은 호형을 나타낸다. 외부 내후성 수지층(2)으로서, 상기 외부 내후성 수지층(2)이 상기 제1 금속기판(1)의 하부 표면에 설치된다. 다수의 제1 탄성 바(3)로서, 각각의 상기 제1 탄성 바(3)의 일부가 상응된 상기 제1 홈(11) 안에 감입된다. 제2 금속기판(4)으로서, 상기 제2 금속기판(4)의 하부 표면에 각각의 상기 제1 홈(11)과 대응되며 평행하게 배열된 다수의 제2 홈(41)이 설치되고, 상기 제2 금속기판(4)의 상부 표면에 각각의 상기 제2 홈(41)과 대응되며 평행하게 배열된 다수의 제3 홈(42)이 설치되고, 상기 제2 홈(41)과 상기 제3 홈(42)의 바닥면은 호형을 나타내며, 상기 제1 탄성 바(3)의 다른 일부가 제2 홈(41) 안에 감입되고, 서로 인접한 제1 탄성 바(3) 사이에는 상기 제1 금속기판(1)과 상기 제2 금속기판(4)이 노출되는 제1 공극(5)이 구비된다. 다수의 제2 탄성 바(6)로서, 각각의 상기 제2 탄성 바(6)의 일부가 상응된 상기 제3 홈(42) 안에 감입된다. 제3 금속기판(7)으로서, 상기 제3 금속기판(7)의 하부 표면에 각각의 상기 제3 홈(42)에 대응되며 평행하게 배열된 다수의 제4 홈(71)이 설치되고, 상기 제4 홈(71)의 바닥면은 호형을 나타내며, 상기 제 2 탄성 바(6)의 다른 일부가 상기 제4 홈(71) 안에 감입되고, 서로 인접한 제2 탄성 바(6) 사이에 상기 제2 금속기판(4)과 상기 제3 금속기판(7)이 노출되는 제2 공극(8)이 구비된다. 내부 내후성 수지층(9)으로서, 상기 내부 내후성 수지층(9)은 상기 제3 금속기판(7)의 상부 표면에 설치된다.As shown in Figure 1, the present invention provides a kind of shock absorption type photovoltaic back panel that includes the following. As the first metal substrate 1, a plurality of
바람직하게는, 상기 제1, 제2, 제3 금속기판(1, 4, 7)의 재질이 알루미늄, 구리, 철, 알루미늄-마그네슘 합금 또는 스테인리스 스틸이며, 상기 제1, 제2, 제3 금속기판(1, 4, 7)의 두께가 200마이크론내지 400마이크론이다. 금속기판이 너무 얇으면 지지 성능이 비교적 낮으며, 금속기판이 너무 두꺼우면 비교적 많은 공간을 차지하게 되고, 나아가 백 패널의 전체 두께가 비교적 두꺼워져 제조 비용이 증가한다. 바람직하게는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 탄성 바(3)와 상기 제2 탄성 바(6)가 모두 금속 코어(361), 금속 코어(361) 표면에 설치된 고무층(362), 고무층(362) 표면에 설치된 금속 도금층(363)을 포함하고, 상기 제1 탄성 바(3)와 상기 제2 탄성 바(6)의 직경이 300마이크론내지 500마이크론이며, 상기 금속 코어(361)의 재질이 알루미늄, 구리, 철, 알루미늄-마그네슘 합금 또는 스테인리스 스틸이고, 상기 금속 도금층(363)의 재질이 구리, 니켈, 은 또는 크롬이다. 상술한 구조의 탄성 바는 우수한 내충격 성능을 구비하고, 금속 코어가 존재함으로써 탄성 바의 기계적 강도가 향상되며, 더 나아가 사용 수명을 연장시킬 수 있다. 금속 도금층이 존재함으로써 고무층이 빛을 받아 노화되지 않도록 할 수 있다. 바람직하게는, 상기 외부 내후성 수지층(2)과 상기 내부 내후성 수지층(9)의 재질이 PTFE, PTFCE, PVDF, 불화비닐 또는 에틸렌-테트라플루오로에틸렌(Ethylene Tetrafluoroethylene, ETFE) 공중합체이며, 상기 외부 내후성 수지층(2)과 상기 내부 내후성 수지층(9)의 두께가 60마이크론내지 90마이크론이다. 바람직하게는, 서로 인접한 제1 탄성 바(3)의 간격이 400마이크론내지 800마이크론이며, 서로 인접한 제2 탄성 바(6)의 간격이 400마이크론내지 800마이크론이다. 서로 인접한 탄성 바의 간격이 너무 크면 탄성 바의 수량이 감소하게 되고, 나아가 광발전 백 패널의 충격흡수 성능에 영향을 미치게 된다. 서로 인접한 탄성 바의 간격이 너무 작으면 광발전 백 패널의 열 소산 성능에 영향을 미치게 된다. 바람직하게는, 상기 제1, 제2, 제3, 제4 홈(11, 41, 42, 71)의 최대 심도 h가 동일하고, 상기 제1, 제2 탄성 바(3, 6)의 직경이 동일하며, 상기 제1, 제2, 제3, 제4 홈(11, 41, 42, 71)의 최대 심도 h와 상기 제1, 제2 탄성 바(3, 6) 직경의 비율 값이 0.2내지 0.3이고, 상기 수치 범위 이내에서 탄성 바가 금속기판 안에 충분히 접착되고, 다른 한편으로는 또한 제1 공극(5)과 제2 공극(8)이 충분한 높이를 구비하게 됨으로써 상기 광발전 백 패널의 열 소산 성능을 더욱 높일 수 있다.Preferably, the first, second, and third metal substrates 1, 4, and 7 are made of aluminum, copper, iron, aluminum-magnesium alloy, or stainless steel, and the first, second, and third metals The thickness of the substrates 1, 4, 7 is 200 microns to 400 microns. If the metal substrate is too thin, the supporting performance is relatively low, and if the metal substrate is too thick, it occupies a relatively large space, and the overall thickness of the back panel is relatively thick, increasing manufacturing cost. Preferably, as shown in Figure 2, the first
실시예 1Example 1
도 1에 도시된 바에 같이, 본 발명은 이하를 포함하는 일종의 충격흡수형 광발전 백 패널을 제공한다. 제1 금속기판(1)으로서, 상기 제1 금속기판(1)의 상부 표면에 평행하게 배열된 다수의 제1 홈(11)이 설치되고, 상기 제1 홈(11)의 바닥면은 호형을 나타낸다. 외부 내후성 수지층(2)으로서, 상기 외부 내후성 수지층(2)이 상기 제1 금속기판(1)의 하부 표면에 설치된다. 다수의 제1 탄성 바(3)로서, 각각의 상기 제1 탄성 바(3)의 일부가 상응된 제1 홈(11) 안에 감입된다. 제2 금속기판(4)으로서, 상기 제2 금속기판(4)의 하부 표면에 각각의 상기 제1 홈(11)과 대응되며 평행하게 배열된 다수의 제2 홈(41)이 설치되고, 상기 제2 금속기판(4)의 상부 표면에 각각의 상기 제2 홈(41)에 대응되며 평행하게 배열된 다수의 제3 홈(42)이 설치되며, 상기 제2 홈(41)과 상기 제3 홈(42)의 바닥면은 모두 호형을 나타낸다. 상기 제1 탄성 바(3)의 다른 일부가 제2 홈(41) 안에 감입되고, 서로 인접한 제1 탄성 바(3) 사이에 상기 제1 금속기판(1)과 상기 제2 금속기판(4)이 노출되는 제1 공극(5)이 구비된다. 다수의 제2 탄성 바(6)로서, 각각의 상기 제2 탄성 바(6)의 일부가 상응된 상기 제3 홈(42) 안에 감입된다. 제3 금속기판(7)으로서, 상기 제3 금속기판(7)의 하부 표면에 각각의 상기 제3 홈(42)에 대응되며 평행하게 배열된 다수의 제4 홈(71)이 설치되고, 상기 제4 홈(71)의 바닥면은 호형을 나타내며, 상기 제2 탄성 바(6)의 다른 일부가 상기 제4 홈(71) 안에 감입되고, 서로 인접한 제2 탄성 바(6) 사이에 상기 제2 금속기판(4)과 상기 제3 금속기판(7)이 노출되는 제2 공극(8)이 구비된다. 내부 내후성 수지층(9)으로서, 상기 내부 내후성 수지층(9)은 상기 제3 금속기판(7)의 상부 표면에 설치된다.As shown in Figure 1, the present invention provides a kind of shock absorption type photovoltaic back panel comprising the following. As the first metal substrate 1, a plurality of
이때 상기 제1, 제2, 제3 금속기판(1, 4, 7)의 재질은 알루미늄이며, 상기 제1, 제2, 제3 금속기판(1, 4, 7)의 두께는 300마이크론이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 탄성 바(3)와 상기 제2 탄성 바(6)는 모두 금속 코어(361), 금속 코어(361) 표면에 설치된 고무층(362), 고무층(362) 표면에 설치된 금속 도금층(363)을 포함하고, 상기 제1 탄성 바(3)와 상기 제2 탄성 바(6)의 직경은 400마이크론이며, 상기 금속 코어(361)의 재질은 알루미늄이고 상기 금속 도금층(363)의 재질은 구리이다. 상기 외부 내후성 수지층(2)과 상기 내부 내후성 수지층(9)의 재질은 PTFE이며, 상기 외부 내후성 수지층(2)과 상기 내부 내후성 수지층(9)의 두께는 모두 80마이크론이다. 서로 인접한 제1 탄성 바(3)의 간격은 600마이크론이며, 서로 인접한 제2 탄성 바(6)의 간격은 600마이크론이다. 상기 제1, 제2, 제3, 제4 홈(11, 41, 42, 71)의 최대 심도 h가 동일하고, 상기 제1, 제2 탄성 바(3, 6)의 직경이 동일하며, 상기 제1, 제2, 제3, 제4 홈(11, 41, 42, 71)의 최대 심도 h와 상기 제1, 제2 탄성 바(3, 6) 직경의 비율 값은 0.25이다.At this time, the first, second, and third metal substrates 1, 4, and 7 are made of aluminum, and the thicknesses of the first, second, and third metal substrates 1, 4, and 7 are 300 microns. 2, the first
실시예 2Example 2
본 실시예는 또 다른 일종의 충격흡수형 광발전 백 패널을 제공하며, 실시예 1과 다른 점은 이하와 같다. 상기 제1, 제2, 제3 금속기판(1, 4, 7)의 재질이 구리이며, 상기 제1, 제2, 제3 금속기판(1, 4, 7)의 두께가 400마이크론이고, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 제1 탄성 바(3)와 상기 제2 탄성 바(6)는 모두 금속 코어(361), 금속 코어(361) 표면에 설치된 고무층(362), 고무층(362) 표면에 설치된 금속 도금층(362)을 포함하고, 상기 제1 탄성 바(3)와 상기 제2 탄성 바(6)의 직경이 500마이크론이며, 상기 금속 코어(361)의 재질이 구리이고, 상기 금속 도금층(363)의 재질이 니켈이다. 상기 외부 내후성 수지층(2)과 상기 내부 내후성 수지층(9)의 재질이 PVDF이고, 상기 외부 내후성 수지층(2)과 상기 내부 내후성 수지층(9)의 두께가 모두 90마이크론이다. 서로 인접한 제1 탄성 바(3)의 간격이 800마이크론이며, 서로 인접한 제2 탄성 바(6)의 간격이 800마이크론이고, 상기 제1, 제2, 제3, 제4 홈(11, 41, 42, 71)의 최대 심도 h가 동일하며, 상기 제1, 제2 탄성 바(3, 6)의 직경이 동일하고, 상기 제1, 제2, 제3, 제4 홈(11, 41, 42, 71)의 최대 심도 h와 상기 제1, 제2 탄성 바(3, 6) 직경의 비율 값은 0.3이다.This embodiment provides another type of shock absorbing photovoltaic back panel, and is different from Example 1 in the following. The first, second, and third metal substrates 1, 4, 7 are made of copper, and the thicknesses of the first, second, and third metal substrates 1, 4, 7 are 400 microns. As shown in Figure 2, the first
실시예 3Example 3
본 실시예는 또 다른 일종의 충격흡수형 광발전 백 패널을 제공하며, 실시예 1과 다른 점은 이하와 같다. 상기 제1, 제2, 제3 금속기판(1, 4, 7)의 재질이 스테인리스 스틸이며, 상기 제1, 제2, 제3 금속기판(1, 4, 7)의 두께가 200마이크론이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 탄성 바(3)와 상기 제2 탄성 바(6)는 모두 금속 코어(361), 금속 코어(361) 표면에 설치된 고무층(362), 고무층(362) 표면에 설치된 금속 도금층(363)을 포함하며, 상기 제1 탄성 바(3)와 상기 제2 탄성 바(6)의 직경이 300마이크론이고, 상기 금속 코어(361)의 재질이 철이며, 상기 금속 도금층(363)의 재질이 크롬이다. 상기 외부 내후성 수지층(2)과 상기 내부 내후성 수지층(9)의 재질이 에틸렌-테트라플루오로에틸렌(Ethylene Tetrafluoroethylene, ETFE) 공중합체이며, 상기 외부 내후성 수지층(2)과 상기 내부 내후성 수지층(9)의 두께가 모두 60마이크론이다. 서로 인접한 제1 탄성 바(3)의 간격이 400마이크론이고, 서로 인접한 제2 탄성 바(6)의 간격이 400마이크론이며, 상기 제1, 제2, 제3, 제4 홈(11, 41, 42, 71)의 최대 심도 h가 동일하고, 상기 제1, 제2 탄성 바(3, 6)의 직경이 동일하며, 상기 제1, 제2, 제3, 제4 홈(11, 41, 42, 71)의 최대 심도 h와 상기 제1, 제2 탄성 바(3, 6) 직경의 비율 값은 0.2이다. This embodiment provides another type of shock absorbing photovoltaic back panel, and is different from Example 1 in the following. The first, second, and third metal substrates 1, 4, and 7 are made of stainless steel, and the first, second, and third metal substrates 1, 4, and 7 have a thickness of 200 microns. 2, the first
이상은 본 발명의 바람직한 실시방식이며, 본 기술분야의 일반적인 기술자라면 본 발명의 원리를 벗어나지 않고서 다수의 개선과 윤색을 가할 수 있을 것이나, 그것들도 본 발명의 보호범위를 벗어나지 않음을 지적해야 할 것이다.The above is a preferred embodiment of the present invention, and a person skilled in the art will be able to add a number of improvements and coloring without departing from the principles of the present invention, but they should also be pointed out that they do not depart from the protection scope of the present invention. .
Claims (7)
상기 제1 금속기판의 상부 표면에 평행하게 배열된 다수의 제1 홈이 설치되며, 상기 제1 홈의 바닥면은 호형으로 이루어지며;
상기 외부 내후성 수지층은 상기 제1 금속기판의 하부 표면에 설치되고;
각각의 상기 제1 탄성 바의 일부는 상응된 상기 제1 홈 안에 감입되며;
상기 제2 금속기판의 하부 표면에 각각의 상기 제1 홈과 대응되며 평행하게 배열된 다수의 제2 홈이 설치되고, 상기 제2 금속기판의 상부 표면에 각각의 상기 제2 홈과 대응되며 평행하게 배열된 다수의 제3 홈이 설치되며, 상기 제2 홈과 상기 제3 홈의 바닥면은 모두 호형으로 이루어지고; 상기 제1 탄성 바의 다른 일부는 상기 제2 홈 안에 감입되고, 서로 인접한 제1 탄성 바 사이에는 상기 제1 금속기판과 상기 제2 금속기판이 노출되는 제1 공극이 구비되며;
각각의 상기 제2 탄성 바의 일부는 상응된 상기 제3 홈 안에 감입되고;
상기 제3 금속기판의 하부 표면에 각각의 상기 제3 홈과 대응되며 평행하게 배열된 다수의 제4 홈이 설치되고, 상기 제4 홈의 바닥면은 호형으로 이루어지고, 상기 제2 탄성 바의 다른 일부는 상기 제4 홈 안에 감입되고, 서로 인접한 제2 탄성 바 사이에는 상기 제2 금속기판과 상기 제3 금속기판이 노출되는 제2 공극이 구비되며;
상기 내부 내후성 수지층은 상기 제3 금속기판의 상부 표면에 설치되는 것을 특징으로 하는 충격흡수형 광발전 백 패널.A first metal substrate, an external weatherable resin layer, a plurality of first elastic bars, a second metal substrate, a plurality of second elastic bars, a third metal substrate, and an internal weatherable resin layer;
A plurality of first grooves arranged parallel to the upper surface of the first metal substrate are installed, and the bottom surface of the first groove is formed in an arc shape;
The external weatherable resin layer is installed on the lower surface of the first metal substrate;
A portion of each of the first elastic bars is fitted into the corresponding first groove;
On the lower surface of the second metal substrate, a plurality of second grooves corresponding to each of the first grooves and arranged in parallel are installed, and on the upper surface of the second metal substrate, corresponding to each of the second grooves and parallel A plurality of third grooves arranged so that the bottom surfaces of the second groove and the third groove are both arc-shaped; The other part of the first elastic bar is fitted into the second groove, and a first void is exposed between the first elastic bar adjacent to each other to expose the first metal substrate and the second metal substrate;
A portion of each of the second elastic bars is fitted into the corresponding third groove;
On the lower surface of the third metal substrate, a plurality of fourth grooves corresponding to each of the third grooves and arranged in parallel are installed, and the bottom surface of the fourth groove is formed in an arc shape, and the second elastic bar The other part is inserted into the fourth groove, and between the second elastic bars adjacent to each other, a second air gap is provided in which the second metal substrate and the third metal substrate are exposed;
The internal weather-resistant resin layer is a shock absorbing photovoltaic back panel, characterized in that it is installed on the upper surface of the third metal substrate.
상기 제1, 제2, 제3 금속기판의 재질은 알루미늄, 구리, 철, 알루미늄-마그네슘 합금 또는 스테인리스 스틸이며, 상기 제1, 제2, 제3 금속기판의 두께는 200마이크론내지 400마이크론인 것을 특징으로 하는 충격흡수형 광발전 백 패널.According to claim 1,
The first, second, and third metal substrates are made of aluminum, copper, iron, aluminum-magnesium alloy or stainless steel, and the first, second, and third metal substrates have a thickness of 200 microns to 400 microns. Features a shock absorbing photovoltaic back panel.
상기 제1 탄성 바와 상기 제2 탄성 바에 금속 코어, 금속 코어의 표면에 설치된 고무층, 고무층 표면에 설치된 금속 도금층이 포함되며, 상기 제1 탄성 바와 상기 제2 탄성 바의 직경은 300마이크론내지 500마이크론인 것을 특징으로 하는 충격흡수형 광발전 백 패널.According to claim 1,
The first elastic bar and the second elastic bar include a metal core, a rubber layer provided on the surface of the metal core, and a metal plating layer provided on the surface of the rubber layer, wherein the diameter of the first elastic bar and the second elastic bar is 300 microns to 500 microns. Shock-absorbing photovoltaic back panel, characterized in that.
상기 금속 코어의 재질은 알루미늄, 구리, 철, 알루미늄-마그네슘 합금 또는 스테인리스 스틸이고, 상기 금속 도금층의 재질은 구리, 니켈, 은 또는 크롬인 것을 특징으로 하는 충격흡수형 광발전 백 패널.According to claim 3,
The material of the metal core is aluminum, copper, iron, aluminum-magnesium alloy or stainless steel, and the material of the metal plating layer is copper, nickel, silver or chromium.
상기 외부 내후성 수지층과 상기 내부 내후성 수지층의 재질은 PTFE, PTFCE, PVDF, 불화비닐 또는 에틸렌-테트라플루오로에틸렌(Ethylene Tetrafluoroethylene, ETFE) 공중합체이며, 상기 외부 내후성 수지층과 상기 내부 내후성 수지층의 두께는 모두 60마이크론내지 90마이크론인 것을 특징으로 하는 충격흡수형 광발전 백 패널.According to claim 1,
Materials of the outer weatherable resin layer and the inner weatherable resin layer are PTFE, PTFCE, PVDF, vinyl fluoride or ethylene-tetrafluoroethylene (ETFE) copolymer, and the outer weatherable resin layer and the inner weatherable resin layer All of the thickness of the 60 microns to 90 microns shock absorption type photovoltaic back panel, characterized in that.
서로 인접한 제1 탄성 바의 간격은 400마이크론내지 800마이크론이며, 서로 인접한 제2 탄성 바의 간격은 400마이크론내지 800마이크론인 것을 특징으로 하는 충격흡수형 광발전 백 패널.According to claim 1,
The space between the first elastic bars adjacent to each other is 400 microns to 800 microns, and the space between the second elastic bars adjacent to each other is 400 microns to 800 microns.
상기 제1, 제2, 제3, 제4 홈의 최대 심도가 동일하고, 상기 제1, 제2 탄성 바의 직경이 동일하며, 상기 제1, 제2, 제3, 제4 홈의 최대 심도와 상기 제1, 제2 탄성 바 직경의 비율 값이 0.2내지 0.3인 것을 특징으로 하는 충격흡수형 광발전 백 패널.According to claim 1,
The maximum depths of the first, second, third, and fourth grooves are the same, and the diameters of the first and second elastic bars are the same, and the maximum depths of the first, second, third, and fourth grooves are the same. And the ratio values of the first and second elastic bar diameters are 0.2 to 0.3.
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014192455A (en) | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Fujifilm Corp | Solar cell module |
| JP2015046440A (en) | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 株式会社小糸製作所 | Solar cell module |
| CN206551586U (en) | 2016-12-26 | 2017-10-13 | 浙江龙游展宇有机玻璃有限公司 | A kind of solar energy high intensity acrylic board |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020061692A1 (en) * | 1996-10-17 | 2002-05-23 | Helge G. Steckmann | Flat composite fabric with memory metal and its applications |
| EP1040909B1 (en) * | 1999-03-03 | 2001-08-08 | Thomas Josef Heimbach Gesellschaft mit beschränkter Haftung & Co. | Press pad |
| CN203674230U (en) * | 2013-12-20 | 2014-06-25 | 常州市中航复合材料有限公司 | Novel solar back plate with honeycomb structure |
| CN104441804B (en) * | 2015-01-06 | 2016-04-27 | 浙江华川实业集团有限公司 | A kind of regeneration fire protection flame retarding corrugated paper and preparation method thereof |
| CN204914734U (en) * | 2015-08-14 | 2015-12-30 | 嘉兴富胜达染整有限公司 | Novel ventilative type fabric of parent's skin |
| CN206932540U (en) * | 2017-07-06 | 2018-01-26 | 苏州威力士精细化工有限公司 | It is a kind of to offer the graphite heat conducting silica gel piece for inhaling ripple buffer structure |
-
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014192455A (en) | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Fujifilm Corp | Solar cell module |
| JP2015046440A (en) | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 株式会社小糸製作所 | Solar cell module |
| CN206551586U (en) | 2016-12-26 | 2017-10-13 | 浙江龙游展宇有机玻璃有限公司 | A kind of solar energy high intensity acrylic board |
Also Published As
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| GRNT | Written decision to grant |