KR102124303B1 - 기판 처리 장치, 기판 지지 유닛 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 하우징과; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급 유닛과; 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되; 상기 지지 유닛은, 기판이 놓이는 지지 부재와; 상기 지지 부재에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재와; 상기 지지 부재에 지지된 기판의 저면에 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급 부재를 포함하고, 상기 가열 부재는 복수의 히터를 포함하고, 상기 복수의 히터는 상부에서 바라볼　때 상기 지지 부재에 놓인 기판 상의 서로 상이한 영역을 가열하도록 제공되고, 상기 지지 부재는 상기 지지 부재에 놓인 기판의 저면과 상기 지지 부재 사이의 공간을 복수의 가스 영역들로 구획하는 돌기를 포함하고, 상부에서 바라볼 때 상기 가열 부재에 의해 가열되는 기판 상의 가열 영역들 중 적어도 어느 하나의 이상의 가열 영역은 상기 돌기에 의해 복수의 영역으로 나누어진다.

Description

기판 처리 장치, 기판 지지 유닛 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING, SUBSTRATE SUPPROTING UNIT AND SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
기판의 처리 공정에는 플라즈마가 이용될 수 있다. 예를 들어, 식각, 증착 또는 드라이 클리닝 공정에 플라즈마가 사용될 수 있다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마를 이용한 드라이 크리닝, 애싱, 또는 마모 공정은 플라즈마에 포함된 이온 또는 라디칼 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.
기판의 영역별 온도를 제어하는데 있어서, 독립적으로 조절되는 가열 영역을 세분화 할수록 유리하다. 그러나 가열 영역을 늘리기 위해서는, 히터 외에 히터 단자, 온도 센서를 추가로 구비하여야 한다. 가열 영역을 늘리기 위해 구비되어야 하는 구성들은 기판 처리 장치 내부의 공간의 제약으로 인해 가열 영역을 세분화하는 것은 한계가 있다.
본 발명은 플라즈마로 기판 처리시 처리 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 기판의 영역을 보다 세분화하여 가열할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 적은 가열 영역으로도 온도 산포가 개선될 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 하우징과; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급 유닛과; 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되; 상기 지지 유닛은, 기판이 놓이는 지지 부재와; 상기 지지 부재에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재와; 상기 지지 부재에 지지된 기판의 저면에 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급 부재를 포함하고, 상기 가열 부재는 복수의 히터를 포함하고, 상기 복수의 히터는 상부에서 바라볼　때 상기 지지 부재에 놓인 기판 상의 서로 상이한 영역을 가열하도록 제공되고, 상기 지지 부재는 상기 지지 부재에 놓인 기판의 저면과 상기 지지 부재 사이의 공간을 복수의 가스 영역들로 구획하는 돌기를 포함하고, 상부에서 바라볼 때 상기 가열 부재에 의해 가열되는 기판 상의 가열 영역들 중 적어도 어느 하나의 이상의 가열 영역은 상기 돌기에 의해 복수의 영역으로 나누어진다.
일 실시 예에 있어서, 상기 복수의 가스 영역들로 각각 공급되는 상기 열전달 가스의 압력은 서로 독립적으로 조절 가능하게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 열전달 가스 공급 부재는, 열전달 가스 공급원과; 상기 열전달 가스 공급원에 연결되는 메인 공급 라인과; 상기 메인 공급 라인으로부터 각각 분기되며 상기 복수의 가스 영역들 중 대응되는 가스 영역에 각각 연결되는 복수의 공급 유로와; 각각의 상기 공급 유로에 설치되어 그 내부를 흐르는 열전달 가스의 유량을 조절하는 유량 조절 부재를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 복수의 히터의 출력은 각각 독립적으로 제어할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 돌기는 링 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 복수의 가열 영역들 중 일부는 상기 지지 부재의 중심으로부터 서로 거리가 상이하도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상부에서 바라볼 때 상기 돌기에 의해 복수의 영역으로 나누어지는 가열 영역은, 상기 복수의 가열 영역들 중 상기 지지 부재의 중심에서 가장 멀리 위치된 가열 영역일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 복수의 가열 영역들은, 상기 지지 부재의 가장자리 영역을 포함하는 제1 가열 영역과, 상기 지지 부재의 중심 영역을 포함하는 제2 가열 영역을 포함하고, 상부에서 바라볼 때 상기 돌기에 의해 복수의 영역으로 나누어지는 가열 영역은 상기 제1 가열 영역일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 가열 영역은 복수 개가 제공되고, 복수의 상기 제1 가열 영역은 상기 기판의 원주 방향을 따라 배열될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 복수의 가열 영역들은, 상기 제1 가열 영역과 상기 제2 가열 영역 사이에 배치되는 제3 가열 영역을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 가열 영역은 상기 제2 가열 영역에 비해 기판의 반경 방향을 따른 폭이 더 넓게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 복수의 가스 영역들은, 상기 제1 가열 영역과 상기 제2 가열 영역의 일부를 포함하는 중심 가스 영역과; 상기 제1 가열 영역의 다른 일부를 포함하는 가장자리 가스 영역을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 지지하는 지지 유닛을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 지지 유닛은, 기판이 놓이는 지지 부재와; 상기 지지 부재에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재와; 상기 지지 부재에 지지된 기판의 저면에 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급 부재를 포함하고, 상기 가열 부재는 복수의 히터를 포함하고, 상기 복수의 히터는 상부에서 바라볼　때 상기 지지 부재에 놓인 기판 상의 서로 상이한 영역을 가열하도록 제공되고, 상기 지지 부재는 상기 지지 부재에 놓인 기판의 저면과 상기 지지 부재 사이의 공간을 복수의 가스 영역들로 구획하는 돌기를 포함하고, 상부에서 바라볼 때 상기 가열 부재에 의해 가열되는 기판 상의 가열 영역들 중 적어도 어느 하나의 이상의 가열 영역은 상기 돌기에 의해 복수의 영역으로 나누어진다.
일 실시 예에 있어서, 상기 복수의 가열 영역들은, 상기 지지 부재의 가장자리 영역을 포함하는 제1 가열 영역과, 상기 지지 부재의 중심 영역을 포함하는 제2 가열 영역을 포함하고, 상부에서 바라볼 때 상기 돌기에 의해 복수의 영역으로 나누어지는 가열 영역은 상기 제1 가열 영역일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 복수의 가스 영역들은, 상기 제1 가열 영역과 상기 제2 가열 영역의 일부를 포함하는 중심 가스 영역과; 상기 제1 가열 영역의 다른 일부를 포함하는 가장자리 가스 영역을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 방법은, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 동안에 기판의 온도를 제어하되, 상기 기판의 온도 제어는 상기 기판을 복수의 가열 영역들로 구획하고 각각의 상기 가열 영역마다 제공되는 히터를 이용하여 각각의 상기 가열 영역을 서로 독립적으로 가열하고, 상기 기판의 아래 공간을 복수의 가스 영역들로 구획하고 각각의 상기 복수의 가스 영역으로 각각에 대하여 열전달 가스를 서로 독립적으로 공급하여 이루어지며, 상부에서 바라볼 때 상기 복수의 가열 영역들 중 적어도 하나의 영역에는 복수의 가스 영역들이 중첩된다.
일 실시 예에 있어서, 상기 복수의 영역들 각각에 제공되는 열전달 가스의 압력은 서로 상이하게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상부에서 바라볼 때 상기 복수의 가열 영역들 중 상기 복수의 가스 영역들과 중첩되는 영역은 가장 외측에 제공되는 가열 영역일 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 관점에 따른 기판을 처리하는 방법은, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 동안에 기판의 온도를 제어하되, 상기 기판의 온도 제어는 기판을 복수의 가열 영역들로 구획하고 각각의 상기 가열 영역마다 히터를 이용하여 각각의 상기 가열 영역을 서로 독립적으로 가열하고, 상기 복수의 가열 영역들 중 적어도 하나의 가열 영역에서 일부 영역과 다른 일부 영역으로 공급되는 열전달 가스의 압력을 서로 상이하게 하여 이루어진다.
본 발명의 실시예에 의하면, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리시 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 영역을 보다 세분화하여 가열할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 적은 가열 영역으로도 온도 산포를 개선할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판을 지지하는 지지 유닛의 단면도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유전판의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유전판의 평면도에 가열 부재의 배치를 도시한 도면이다.
도 5는 도 4의 실시예에 따른 지지 부재의 온도 제어 영역을 도시한 것이다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 돌기와, 열전달 가스 공급 부재에 의한 온도 제어 영역을 도시한 것이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판처리장치 에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 챔버 내에 플라즈마를 공급하여 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 공정 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 배기 배플(500)을 포함한다.
챔버(100)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(100)는 하우징(110), 유전체 커버(120), 그리고 라이너(130)를 포함한다.
하우징(110)은 상부가 개방되고 내부에 처리 공간을 가진다. 처리 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 공간이다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다.
하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다.
유전체 커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 커버한다. 유전체 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 유전체 커버(120)는 분리 가능하도록 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 유전체 커버(120)의 내부에는 유로(611)가 형성된다. 또한, 유전체 커버(120)는 복수개의 유전체 판을 포함할 수 있다.
라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 [0040] 개방된 공간이 내부에 형성된다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다.
챔버(100)의 처리 공간 내에는 지지 유닛(200)이 위치한다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 지지 부재(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 지지 부재(210)을 포함하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.
지지 유닛(200)은 지지 부재(210), 절연 플레이트(250) 그리고 하부 커버(270)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치된다.
지지 부재(210)는 유전판(220), 전극(223), 가열 부재(225), 베이스판(230), 에지 링(240)을 포함하는 정전척으로 제공된다.
유전판(220)은 지지 부재(210)의 상단부에 위치한다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다.
유전판(220)에는 제1 공급 유로(221)가 형성된다. 제1 공급 유로(221)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공된다. 제1 공급 유로(221)는 서로 이격하여 복수개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 유체로서 열전달 가스가 공급되는 통로로 제공된다.
유전판(220)의 상면에는 돌기(222)가 형성된다. 돌기(222)는 지지 부재(210)에 놓인 기판(W)의 저면과 지지 부재(210) 사이의 공간을 복수의 가스 영역으로 구획한다. 돌기(222)는 지지 부재(210)에 지지된 기판(W)과 지지 부재(210) 사이에 공급된 열전달 가스가 가스 영역에 갇히도록 열전달 가스의 이동을 제한한다. 돌기(222)에 관해서는 도 2 내지 5에서 상세하게 후술한다.
유전판(220)의 내부에는 척킹 전극(223)과 가열 부재(225)가 매설된다. 척킹 전극(223)은 가열 부재(225)의 상부에 위치한다. 척킹 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 제1 하부 전원(223a)은 직류 전원을 포함한다.
척킹 전극(223)과 제1 하부 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치된다. 척킹 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON) 되면, 척킹 전극(223)에는 직류 전류가 인가된다. 척킹 전극(223)에 인가된 전류에 의해 척킹 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(220)에 흡착된다.
가열 부재(225)는 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 가열 부재(225)는 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 가열 부재(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 가열 부재(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 가열 부재(225)에 관해서는 아래에서 도 4를 참조하여 상세하게 후술한다.
유전판(220)의 하부에는 베이스판(230)이 위치한다. 유전판(220)의 저면과 베이스판(230)의 상면은 접착층(236)에 의해 접착될 수 있다. 베이스판(230)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 베이스판(230)의 상면은 중심 영역이 가장 자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 베이스판(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(220)의 저면과 접착된다. 베이스판(230)에는 순환 공급 유로(231), 냉각 유로(232), 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다. 베이스판(230)에는 외부에 위치된 고주파 전원(260)이 연결되거나, 접지될 수 있다. 고주파 전원(260)은 베이스판(230)에 전력을 인가하고, 기판에 입사하는 이온 에너지를 제어할 수 있다. 베이스판(230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.
순환 공급 유로(231)는 열전달 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 순환 공급 유로(231)는 베이스판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 순환 공급 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 순환 공급 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 순환 공급 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다. 순환 공급 유로(231)에 관하여서는 도 2를 참조하여 상세하게 후술한다.
냉각 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(232)는 베이스판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 냉각 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 냉각 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 냉각 유로(232)는 제1순환 공급 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 냉각 유로(232)들은 동일한 높이에 형성된다. 냉각 유로(232)는 순환 공급 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.
제2 공급 유로(233)는 순환 공급 유로(231)부터 상부로 연장되며, 베이스판(230)의 상면으로 제공된다. 제2 공급 유로(243)는 제1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 순환 공급 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다.
순환 공급 유로(231)는 열전달 가스 공급 라인(234)을 통해 열전달 가스 공급원(235)과 연결된다. 열전달 가스 공급원(235)에는 열전달 유체가 저장된다. 열전달 유체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 유체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 열전달 가스 공급 라인(234)을 통해 순환 공급 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 지지 부재(210)으로 전달되는 매개체 역할을 한다.
냉각 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 공급원(232a)와 연결된다. 냉각 유체 공급원(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 공급원(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 냉각 유로(232)를 따라 순환하며 베이스판(230)을 냉각한다. 베이스판(230)은 냉각되면서 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.
포커스 링(240)은 지지 부재(210)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(240)의 내측을 따라 유전판(220)의 상면에 위치된 기판(W)의 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(240)은 챔버(100) 내에서 플라즈마가 기판(W)과 마주하는 영역으로 집중되도록 한다.
베이스판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 베이스판(230)에 상응하는 단면적으로 제공된다. 절연 플레이트(250)는 베이스판(230)과 하부 커버(270) 사이에 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 베이스판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다.
하부 커버(270)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이 격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 지지 부재(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다.
하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 가스 공급원(235)와 연결된 열전달 가스 공급 라인(234) 그리고 냉각 유체 공급원(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.
공정 가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부의 처리 공간에 공정 가스를 공급한다. 공정 가스 공급 유닛(300)은 공정 가스 공급 노즐(310), 공정 가스 공급 라인(320), 그리고 공정 가스 공급원(330)를 포함한다. 공정 가스 공급 노즐(310)은 밀폐 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 공정 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 밀폐 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100)의 처리 공간으로 공정 가스를 공급한다. 공정 가스 공급 라인(320)은 공정 가스 공급 노즐(310)과 공정 가스 공급원(330)를 연결한다. 공정 가스 공급 라인(320)은 공정 가스 공급원(330)에 저장된 공정 가스를 공정 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 공정 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 공정 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 공정 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.
플라즈마 소스(400)는 챔버(100)의 처리 공간 내에 공급되는 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나 실(410), 안테나(420), 그리고 플라즈마 전원(430)을 포함한다. 안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(410)의 하단은 밀폐 커버(120)에 탈착 가능하도록 제공된다. 안나(420)는 안테나 실(410)의 내부에 배치된다. 안테나(420)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 플라즈마 전원(430)과 연결된다. 안테나(420)는 플라즈마 전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 플라즈마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(420)는 챔버(100)의 처리공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라즈마 상태로 여기된다.
배기 배플(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지부재(400)의 사이에 위치된다. 배기 배플(500)은 관통홀(511)이 형성된다. 배기 배플(500)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배플(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배플(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판을 지지하는 지지 유닛(200)의 단면도를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유전판(220)의 사시도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유전판(220)의 평면도에 가열 부재(225)의 배치를 도시한 도면이다. 그리고 도 5는 도 4의 실시예에 따른 지지 부재(210)의 온도 제어 영역을 도시한 것이다.
먼저 도 2 및 도 3을 참조하여 실시 예에 따른 열전달 가스 공급 부재를 설명한다.
돌기(222)를 기준으로 지지 부재(210)는 지지 부재(210)에 놓인 기판(W)의 저면과 지지 부재(210) 사이의 공간이 복수의 가스 영역으로 구획된다. 일 실시 예에 따르면, 돌기(222)는 제1 돌기(222a)와 제2 돌기(222b)를 포함한다. 제1 돌기(222a)은 유전판(220)의 가장자리에 링 형상으로 제공된다. 제2 돌기(222b)은 제1 돌기(222a)의 지름보다 작은 지름의 링 형상으로 유전판(220)의 상면 일 영역에 제공된다. 제1 돌기(222a)와 제2 돌기(222b)은 방사상으로 배치된다.
제2 돌기(222b)를 기준으로 외측은 기판의 가장 자리 영역을 포함하는 제1 가스 영역(도 5의 A1, B1, C1, D1)이다. 제2 돌기(222b)를 기준으로 내측은 기판의 중심 영역을 포함하는 제2 가스 영역(도 5의 A2, B2, C2, D2, E, F, G)이다.
제1 가스 영역에 위치된 제1 가스 영역의 제1 공급 유로(211a), 제1 가스 영역의 제2 공급 유로(233a), 그리고 제1 가스 영역의 순환 공급 유로(231a)는 제1 공급 라인(234a)에 연결된다. 제1 가스 영역의 제1 공급 유로(211a)에 연통된 제1 가스 영역의 제2 공급 유로(233a)는 제1 가스 영역의 순환 공급 유로(231a)와 연결된다. 제1 가스 영역의 순환 공급 유로(231a)는 제1 공급 라인(234a)에 연결된다.
제2 가스 영역에 위치된 제2 가스 영역의 제1 공급 유로(211b), 제2 가스 영역의 제2 공급 유로(233b), 그리고 제2 가스 영역의 순환 공급 유로(231b)는 제2 공급 라인(234b)에 연결된다. 제2 가스 영역의 제1 공급 유로(211b)에 연통된 제2 가스 영역의 제2 공급 유로(233b)는 제2 가스 영역의 순환 공급 유로(231b)와 연결된다. 제1 가스 영역의 순환 공급 유로(231a)와 독립된 유로를 갖는 제2 가스 영역의 순환 공급 유로(231b)는 제2 공급 라인(234b)에 연결된다.
제1 공급 라인(234b)와 제2 공급 라인(234b)은 메인 공급 라인(234c)으로부터 분기된다. 메인 공급 라인(234c)은 열전달 가스 공급원(235)으로부터 열전달 가스를 공급받고, 메인 공급 라인(234c)은 제1 공급 라인(234a)과 제2 공급 라인(234b)으로 열전달 가스를 공급한다. 제1 공급 라인(234a)에는 제1 유량 조절 부재(235a)가 제공된다. 제2 공급 라인(234b)에는 제2 유량 조절 부재(235b)가 제공된다. 제어기(700)은 제1 유량 조절 부재(235a)와 제2 유량 조절 부재(235b)를 독립적으로 제어한다. 제어기(700)가 제1 유량 조절 부재(235a)와 제2 유량 조절 부재(235b)에 의해 제1 공급 라인(234a)과 제2 공급 라인(234b)에 흐르는 단위면적당 유량이 독립적으로 조절됨에 따라 제1 가스 영역과 제2 가스 영역에 제공되는 열전달 가스의 압력은 독립적으로 조절될 수 있다.
도 4 및 도 5 참조하여, 유전판(220)에 매설된 가열 부재(225)를 설명한다. 가열 부재(225)는 제1 히터(225a), 제2 히터(225b), 제3 히터(225c), 제4 히터(225d), 제5 히터(225e), 제6 히터(225f), 그리고 제7 히터(225g)를 포함한다. 제1 히터(225a), 제2 히터(225b), 제3 히터(225c), 제4 히터(225d), 제5 히터(225e), 제6 히터(225f), 그리고 제7 히터(225g)는 상부에서 바라볼　때 지지 부재(210)에 놓인 기판(W) 상의 서로 상이한 영역을 가열하도록 제공된다.
유전판(220)은 상부에서 바라볼 때 제1 가열 영역과 제2 가열 영역으로 분할된다. 제1 가열 영역은 지지 부재(210)의 가장 자리를 포함하는 영역이다. 도 4의 파선으로 도시된 226e는 제1 가열 영역과 제2 가열 영역을 분할한다. 제1 가열 영역은 복수개가 제공될 수 있다. 제1 가열 영역은 기판(W)의 원주 방향을 따라 배열될 수 있다. 제1 가열 영역은 파선으로 도시된 226a, 226b, 226c 그리고 226c에 의해 원주 방향을 따라 지지 부재(210)의 영역을 분할한다. 제2 가열 영역은 지지 부재(210)의 중심 영역을 포함한다. 제2 가열 영역은 복수개가 제공될 수 있다. 제2 가열 영역은 지지 부재(210)의 중심을 공유하는 복수개의 링 형상으로 복수개로 분할될 수 있다. 예컨대, 파선으로 도시된 226f와 226g에 의해 지지 부재(210)의 영역을 링형상으로 분할한다. 일 실시 예에 있어서, 파선으로 도시된 226e와 226f에 의해 구획되는 영역을 제3 가열 영역으로 정의하고, 파선 226f의 내측 영역을 제2 가열 영역으로 정의할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 지지 부재(210)의 중심을 기준으로 지지 부재(210)를 링형상으로 분할하는 파선 226e과 지지 부재(210)의 중심의 거리, 파선 226e와 파선 226f의 거리, 그리고 파선 226f와 파선 226g의 상호간의 거리는 서로 동일하거나 상이하게 제공될 수 있다.
제1 히터(225a), 제2 히터(225b), 제3 히터(225c) 그리고 제4 히터(225d)는 지지 부재(210)의 가장자리를 둘러 방사형으로 배치된다. 제1 히터(225a), 제2 히터(225b), 제3 히터(225c) 그리고 제4 히터(225d)는 지지 부재(210)의 가장 자리를 포함하는 제1 가열 영역(A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1, D2)에 배치된다. 제5 히터(225e), 제6 히터(225f), 그리고 제7 히터(225g)는 지지 부재(210)의 중심 영역을 포함하는 제2 가열 영역(E, F, G)에 배치된다.
제1 히터(225a)는 A1-A2 가열 영역에 배치된다. 제2 히터(225b)는 B1-B2 가열 영역에 배치된다. 제3 히터(225c)는 C1-C2 가열 영역에 배치된다. 그리고 제4 히터(225d)는 D1-D2 가열 영역에 배치된다. 제5 히터(225e)는 E 가열 영역에 배치된다. 제6 히터(225f)는 F 가열 영역에 배치된다. 그리고 제7 히터(225g)는 G 가열 영역에 배치된다.
제1 히터(225a), 제2 히터(225b), 제3 히터(225c), 제4 히터(225d), 제5 히터(225e), 제6 히터(225f), 그리고 제7 히터(225g)의 출력은 제어기(700)에 의해 각각 독립적으로 제어될 수 있다.
제1 히터(225a)가 제공되는 A1-A2영역은, 가스 영역을 구획하는 돌기(222b)에 의해 A1 영역과 A2 영역으로 구획될 수 있다. 제2 히터(225b)가 제공되는 B1-B2영역은, 가스 영역을 구획하는 돌기(222b)에 의해 B1 영역과 B2 영역으로 구획될 수 있다. 제3 히터(225c)가 제공되는 C1-C2영역은, 가스 영역을 구획하는 돌기(222b)에 의해 C1 영역과 C2 영역으로 구획될 수 있다. 제4 히터(225d)가 제공되는 D1-D2영역은, 가스 영역을 구획하는 돌기(222b)에 의해 D1 영역과 D2 영역으로 구획될 수 있다. 즉, 지지 부재(210)를 상부에서 바라볼 때, 제1 히터(225a), 제2 히터(225b), 제3 히터(225c) 그리고 제4 히터(225d),에 의해 가열되는 기판 상의 가열 영역은 적어도 돌기(222b)에 의해 2개의 영역으로 나누어진다. 제1 히터(225a), 제2 히터(225b), 제3 히터(225c) 그리고 제4 히터(225d)가 제공되어 4개의 영역으로 제공된 가열 영역은 돌기(222b)에 의해 8개의 영역으로 구획된다. 다시 말해, 제1 히터(225a), 제2 히터(225b), 제3 히터(225c) 그리고 제4 히터(225d)가 제공된 4개의 영역은 제1 가스 영역과 제2 가스 영역 사이에 걸쳐 제공됨으로써, 8개의 영역으로 구획된다.
일 실시 예에 있어서, 복수의 가열 영역들 중 지지 부재(210)의 중심에서 가장 멀리 위치된 가열 영역인 A1-A2 가열 영역, B1-B2 가열 영역, C1-C2 가열 영역, 그리고 D1-D2 가열 영역을 돌기(222b)에 의해 복수의 영역으로 나눈다. 또한, A1-A2 가열 영역, B1-B2 가열 영역, C1-C2 가열 영역, 그리고 D1-D2 가열 영역의 기판 반경 방향에 대한 폭은 E 가열 영역, F 가열 영역, 그리고 G 가열 영역의 기판 반경 방향에 대한 폭보다 넓게 제공된다.
일 실시 예에 있어서, A1 영역과 A2 영역은 제1 히터(225a)에 의해 가열되는 영역이지만, A1 영역은 제1 가스 영역이고, A2 영역은 제2 가스 영역임에 따라, 제1 가스 영역에 공급되는 열 전달 가스의 압력과, 제2 가스 영역에 공급되는 열전달 가스의 압력을 상이하게 제공함에 따라, 열전달율을 달리하여 A1 영역과 A2영역의 온도를 상이하게 제어할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 하나의 가열 영역에 대하여 독립적으로 제어 가능한 가스 영역을 두 개 이상으로 겹쳐 제공함에 따라, 히터를 추가하지 않고도 온도 제어 영역을 늘릴 수 있다. 이를 통해 온도 산포가 개선될 수 있다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 돌기와, 열전달 가스 공급 부재에 의한 온도 제어 영역을 도시한 것이다.
도 6을 참조하면, 돌기는 유전판(220)의 가장 자리에 링 형상으로 제공되는 제1 돌기(1222a), 제1 돌기(1222a)보다 작은 지름의 링 형상으로 제공되며, 유전판(220)의 내측에 제공되는 제2 돌기(1222b), 그리고 제2 돌기(1222b)보다 작은 지름의 형상으로 제공되며, 지지 부재(210)의 중심에 가장 인접하여 제공되는 제3 돌기(1222c)가 지지 부재(210)의 중심에 제공된다. 제1 돌기(1222a)와 제2 돌기(1222b)의 사이는 제1 가스 영역을 구획하고, 제2 돌기(1222b)와 제3 돌기(1222c)의 사이는 제2 가스 영역을 구획하고, 제3 돌기(1222c)는 제3 가스 영역을 구획한다.
제1 가스 영역, 제2 가스 영역, 그리고 제3 가스 영역은 각각 열전달 가스 공급 라인에 연결된다. 제1 가스 영역은 메인 공급 라인에서 분기된 제1 공급 라인(1231a)에 연결된다. 제2 가스 영역은 메인 공급 라인에서 분기된 제2 공급 라인(1231b)에 연결된다. 제3 가스 영역은 메인 공급 라인에서 분기된 제3 공급 라인(1231c)에 연결된다. 메인 공급 라인은 열전달 가스 공급원(1235)에 연결되어, 각 공급 라인에 열전달 가스를 공급한다. 제1 공급 라인(1231a), 제2 공급 라인(1231b), 그리고 제3 공급 라인(1231c)의 각각에는 유량 조절 밸브가 제공된다. 제어기(1700)는 각각의 유량 조절 밸브를 독립적으로 제어하여 제1 가스 영역, 제2 가스 영역, 그리고 제3 가스 영역에 공급되는 열전달 가스의 압력을 상이하게 제공할 수 있다.
가열 영역은 지지 부재(210)의 중심을 포함하는 영역으로 제3 돌기(1222c)보다 작은 지름을 갖는 링 형상의 파선 1226e에 의해 구획되는 E 가열 영역, 지지 부재(210)의 가장 자리에서 지지 부재(210)의 중심으로 향하며 원주 방향으로 배치되는 파선 1226a, 1226b, 1226c 및 1226d가 파선 1226e와 만나는 영역에 의해 구획되는 것으로, 파선 1226a, 1226b 그리고 파선 1226e에 의해 구획되는 A1-A3 가열 영역과, 파선 1226b, 1226c 그리고 1226e에 의해 구획되는 B1-B3 가열 영역과, 파선 1226c, 1226d 그리고 1226e에 의해 구획되는 C1-C3 가열 영역과, 파선 1226d, 1226a 그리고 1226e에 의해 구획되는 D1-D3 가열 영역으로 구획된다. 각각의 가열 영역에 제공되는 히터의 출력은 독립적으로 제어될 수 있다.
가열 영역은 5개의 영역으로 제공된다. 5개의 가열 영역 중 A1-A3 가열 영역, B1-B3 가열 영역, C1-C3 가열 영역, 그리고 D1-D3 가열 영역은 제1 가스 영역, 제2 가스 영역, 그리고 제3 가스 영역과 중첩된다. 이에 따라, A1-A3 가열 영역은 A1영역, A2영역, A3영역으로 분할된다. B1-B3 가열 영역은 B1영역, B2영역, B3영역으로 분할된다. C1-C3 가열 영역은 C1영역, C2영역, C3영역으로 분할된다. D1-D3 가열 영역은 D1영역, D2영역, D3영역으로 분할된다.
도 6의 실시 예에 따르면, 5개의 가열 영역과 3개의 가스 영역을 이용하여 13개의 영역을 독립적으로 제어할 수 있다.
돌기의 형상은 제시된 실시예의 돌기에 한정되지 않는다. 예컨대, 돌기(222)는 기판을 부채꼴 모양의 영역으로 나누는 형상으로 제공될 수 있다. 즉 가스 영역은 부채꼴 모양으로 형성될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 기판 처리 장치, W: 기판,
100: 챔버, 200: 지지 유닛,
300: 공정 가스 공급 유닛,
400: 플라즈마 소스,
500: 배기 배플.

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 하우징과;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급 유닛과;
    상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되;
    상기 지지 유닛은,
    기판이 놓이는 지지 부재와;
    상기 지지 부재에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재와;
    상기 지지 부재에 지지된 기판의 저면에 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급 부재를 포함하고,
    상기 가열 부재는 각각의 출력을 독립적으로 제어 가능한 복수의 히터를 포함하고,
    상기 복수의 히터는 상부에서 바라볼　때 상기 지지 부재에 놓인 기판 상의 서로 상이한 영역을 가열하도록 제공되고,
    상기 지지 부재는 상기 지지 부재에 놓인 기판의 저면과 상기 지지 부재 사이의 공간을 복수의 가스 영역들로 구획하는 돌기를 포함하고,
    상부에서 바라볼 때 상기 가열 부재에 의해 가열되는 기판 상의 가열 영역들 중 적어도 어느 하나의 이상의 가열 영역은 상기 돌기에 의해 복수의 영역으로 나누어지며,
    상기 복수의 가스 영역들로 각각 공급되는 상기 열전달 가스의 압력은 서로 독립적으로 조절 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 하우징과;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급 유닛과;
    상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되;
    상기 지지 유닛은,
    기판이 놓이는 지지 부재와;
    상기 지지 부재에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재와;
    상기 지지 부재에 지지된 기판의 저면에 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급 부재를 포함하고,
    상기 가열 부재는 복수의 히터를 포함하고,
    상기 복수의 히터는 상부에서 바라볼 때 상기 지지 부재에 놓인 기판 상의 서로 상이한 영역을 가열하도록 제공되고,
    상기 지지 부재는 상기 지지 부재에 놓인 기판의 저면과 상기 지지 부재 사이의 공간을 복수의 가스 영역들로 구획하는 돌기를 포함하고,
    상부에서 바라볼 때 상기 가열 부재에 의해 가열되는 기판 상의 가열 영역들 중 적어도 어느 하나의 이상의 가열 영역은 상기 돌기에 의해 복수의 영역으로 나누어지며,
    상기 복수의 가스 영역들 각각은 상기 가열 영역들 중 둘 이상의 가열 영역을 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 열전달 가스 공급 부재는,
    열전달 가스 공급원과;
    상기 열전달 가스 공급원에 연결되는 메인 공급 라인과;
    상기 메인 공급 라인으로부터 각각 분기되며 상기 복수의 가스 영역들 중 대응되는 가스 영역에 각각 연결되는 복수의 공급 유로와;
    각각의 상기 공급 유로에 설치되어 그 내부를 흐르는 열전달 가스의 유량을 조절하는 유량 조절 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 돌기는 링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 가열 영역들 중 일부는 상기 지지 부재의 중심으로부터 서로 거리가 상이하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때 상기 돌기에 의해 복수의 영역으로 나누어지는 가열 영역은, 상기 복수의 가열 영역들 중 상기 지지 부재의 중심에서 가장 멀리 위치된 가열 영역인 기판 처리 장치.
  8. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,,
    상기 복수의 가열 영역들은,
    상기 지지 부재의 가장자리 영역을 포함하는 제1 가열 영역과,
    상기 지지 부재의 중심 영역을 포함하는 제2 가열 영역을 포함하고,
    상부에서 바라볼 때 상기 돌기에 의해 복수의 영역으로 나누어지는 가열 영역은 상기 제1 가열 영역인 기판 처리 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 가열 영역은 복수 개가 제공되고,
    복수의 상기 제1 가열 영역은 상기 기판의 원주 방향을 따라 배열되는 기판 처리 장치.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 복수의 가열 영역들은,
    상기 제1 가열 영역과 상기 제2 가열 영역 사이에 배치되는 제3 가열 영역을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 가열 영역은 상기 제2 가열 영역에 비해 기판의 반경 방향을 따른 폭이 더 넓게 제공되는 기판 처리 장치.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 복수의 가스 영역들은,
    상기 제1 가열 영역과 상기 제2 가열 영역의 일부를 포함하는 중심 가스 영역과;
    상기 제1 가열 영역의 다른 일부를 포함하는 가장자리 가스 영역을 포함하는 기판 처리 장치.
  13. 기판을 지지하는 지지 유닛에 있어서,
    기판이 놓이는 지지 부재와;
    상기 지지 부재에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재와;
    상기 지지 부재에 지지된 기판의 저면에 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급 부재를 포함하고,
    상기 가열 부재는 각각의 출력을 독립적으로 제어 가능한 복수의 히터를 포함하고,
    상기 복수의 히터는 상부에서 바라볼　때 상기 지지 부재에 놓인 기판 상의 서로 상이한 영역을 가열하도록 제공되고,
    상기 지지 부재는 상기 지지 부재에 놓인 기판의 저면과 상기 지지 부재 사이의 공간을 복수의 가스 영역들로 구획하는 돌기를 포함하고,
    상부에서 바라볼 때 상기 가열 부재에 의해 가열되는 기판 상의 가열 영역들 중 적어도 어느 하나의 이상의 가열 영역은 상기 돌기에 의해 복수의 영역으로 나누어지며,
    상기 복수의 가스 영역들로 각각 공급되는 상기 열전달 가스의 압력은 서로 독립적으로 조절 가능하게 제공되는 지지 유닛.
  14. 기판을 지지하는 지지 유닛에 있어서,
    기판이 놓이는 지지 부재와;
    상기 지지 부재에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재와;
    상기 지지 부재에 지지된 기판의 저면에 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급 부재를 포함하고,
    상기 가열 부재는 복수의 히터를 포함하고,
    상기 복수의 히터는 상부에서 바라볼　때 상기 지지 부재에 놓인 기판 상의 서로 상이한 영역을 가열하도록 제공되고,
    상기 지지 부재는 상기 지지 부재에 놓인 기판의 저면과 상기 지지 부재 사이의 공간을 복수의 가스 영역들로 구획하는 돌기를 포함하고,
    상부에서 바라볼 때 상기 가열 부재에 의해 가열되는 기판 상의 가열 영역들 중 적어도 어느 하나의 이상의 가열 영역은 상기 돌기에 의해 복수의 영역으로 나누어지며,
    상기 복수의 가스 영역들 각각은 상기 가열 영역들 중 둘 이상의 가열 영역을 포함하는 지지 유닛.
  15. 제13 항 또는 제14 항에 있어서,
    상기 복수의 가열 영역들은,
    상기 지지 부재의 가장자리 영역을 포함하는 제1 가열 영역과,
    상기 지지 부재의 중심 영역을 포함하는 제2 가열 영역을 포함하고,
    상부에서 바라볼 때 상기 돌기에 의해 복수의 영역으로 나누어지는 가열 영역은 상기 제1 가열 영역인 지지 유닛.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 복수의 가스 영역들은,
    상기 제1 가열 영역과 상기 제2 가열 영역의 일부를 포함하는 중심 가스 영역과;
    상기 제1 가열 영역의 다른 일부를 포함하는 가장자리 가스 영역을 포함하는 지지 유닛.
  17. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 동안에 기판의 온도를 제어하되,
    상기 기판의 온도 제어는 상기 기판을 복수의 가열 영역들로 구획하고 각각의 상기 가열 영역마다 제공되는 히터를 이용하여 각각의 상기 가열 영역을 서로 독립적으로 가열하고,
    상기 기판의 아래 공간을 복수의 가스 영역들로 구획하고 각각의 상기 복수의 가스 영역으로 각각에 대하여 열전달 가스를 서로 독립적으로 공급하여 이루어져 상기 복수의 가스 영역들 각각에 제공되는 열전달 가스의 압력은 서로 상이하게 제공될 수 있으며,
    상부에서 바라볼 때 상기 복수의 가열 영역들 중 적어도 하나 이상의 영역에는 복수의 가스 영역들이 중첩되는 기판 처리 방법.
  18. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 동안에 기판의 온도를 제어하되,
    상기 기판의 온도 제어는 상기 기판을 복수의 가열 영역들로 구획하고 각각의 상기 가열 영역마다 제공되는 히터를 이용하여 각각의 상기 가열 영역을 서로 독립적으로 가열하고,
    상기 기판의 아래 공간을 복수의 가스 영역들로 구획하고 각각의 상기 복수의 가스 영역으로 각각에 대하여 열전달 가스를 서로 독립적으로 공급하여 이루어지며,
    상부에서 바라볼 때 상기 복수의 가열 영역들 중 적어도 하나의 영역에는 복수의 가스 영역들이 중첩되며,
    상기 복수의 가스 영역들 각각은 상기 복수의 가열 영역들 중 둘 이상을 포함하는 기판 처리 방법.
  19. 제17 항 또는 제18 항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때 상기 복수의 가열 영역들 중 상기 복수의 가스 영역들과 중첩되는 영역은 가장 외측에 제공되는 가열 영역인 기판 처리 방법.
  20. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 동안에 기판의 온도를 제어하되,
    상기 기판의 온도 제어는 기판을 복수의 가열 영역들로 구획하고 각각의 상기 가열 영역마다 히터를 이용하여 각각의 상기 가열 영역을 서로 독립적으로 가열하고,
    상기 복수의 가열 영역들 중 적어도 하나 이상의 가열 영역에서 일부 영역과 다른 일부 영역으로 공급되는 열전달 가스의 압력을 서로 상이하게 하여 이루어지는 기판 처리 방법.
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