KR102121695B1 - Mems 캐패시티브 마이크로폰 - Google Patents

Mems 캐패시티브 마이크로폰 Download PDF

Info

Publication number
KR102121695B1
KR102121695B1 KR1020190094147A KR20190094147A KR102121695B1 KR 102121695 B1 KR102121695 B1 KR 102121695B1 KR 1020190094147 A KR1020190094147 A KR 1020190094147A KR 20190094147 A KR20190094147 A KR 20190094147A KR 102121695 B1 KR102121695 B1 KR 102121695B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
diaphragm
support
electrode
attached
support plate
Prior art date
Application number
KR1020190094147A
Other languages
English (en)
Inventor
김경원
이태준
Original Assignee
김경원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김경원 filed Critical 김경원
Priority to KR1020190094147A priority Critical patent/KR102121695B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102121695B1 publication Critical patent/KR102121695B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/04—Microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
    • H04R7/16—Mounting or tensioning of diaphragms or cones
    • H04R7/18—Mounting or tensioning of diaphragms or cones at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/003—Mems transducers or their use

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

본 발명은 MEMS 캐패시티브 마이크로폰에 관한 것으로, 보다 상세하게는 음파에 의한 정전용량 변화를 감지할 수 있는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰에 관한 것이다.
본 발명에 따른 MEMS 캐패시티브 마이크로폰은 기판(100)에 단부가 고정된 지지대(110)에 평면상 내부가 제거된 지지판(120)이 부착되고, 상기 지지판(120)의 엣지 영역에 앵커(130)가 부착되어 있으며, 상기 앵커(130)에 다이아프램(200)을 지지하고 있는 스프링(210)이 연결된 림(220)이 고정되는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰에 있어서, 상기 다이아프램(200)의 외부 영역에는 유동전극(300)이 부착되고, 평면상 유동전극(300)의 양측에 일정간격으로 배치된 유동전극(300)을 기준으로 수직으로 편이되어 배치된 고정전극(400)이 연결빔(140)으로 서로 연결되어 지지대(110)에 지지되며, 상기 다이아프램(200)의 내부 영역에는 직경방향과 원주방향으로 연결된 형태, 다각형으로 이루어진 메쉬 형태 중에서 어느 하나의 형태로 이루어진 보강부재(500)가 형성되는 것을 특징으로 한다.

Description

MEMS 캐패시티브 마이크로폰{MEMS Capacitive Microphone}
본 발명은 MEMS 캐패시티브 마이크로폰에 관한 것으로, 보다 상세하게는 음파에 의한 정전용량 변화를 감지할 수 있는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰에 관한 것이다.
일반적으로 MEMS 캐패시티브 마이크로폰(MEMS Capacitive Microphone)은 음파(Sound Pressure)의 세기에 비례하여 변이(Displacement)되는 다이아프램(Diaphragm)과 이에 대향하여 배치된 백플레이트(Backplate)간의 정전용량(Capacitance)을 측정하는 원리로 동작한다.
이러한 기술의 일예로 미국 등록특허공보 제07146016호, 미국 등록특허공보 제08921956호, 미국 등록특허공보 제08422702호 및 미국 공개특허공보 제2012-0294464호가 개시되어 있다.
상기와 같은 특허문헌에서는 다수의 천공(Acoustic Hole)이 형성되어 있는 백플레이트를 구비하고 있으며, 이러한 백플레이트를 구비하고 있는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰에서는 다이아프램과 백플레이트 간의 공간 및 천공에서 큰 음향저항(Acoustic Resistance)이 발생한다는 문제점이 있다.
이때, 음향저항을 작게 하기 위해서는 천공의 직경을 크게 하거나 천공의 개수를 증가시켜야 하는데, 이 경우에는 백플레이트의 유효 면적이 작아지게 되어 정전용량이 감소하게 된다.
정전용량이 작아지면 신호처리회로(Signal Conditioning Circuits)에서 전기적 잡음(Electrical Noise)이 증가하므로, 결국 백플레이트를 사용하는 마이크로폰의 신호 대 잡음비(Signal to Noise Ratio)를 향상시키는데 한계가 있다.
한편, MEMS 캐패시티브 마이크로폰에 있어서 음파 인가 시에 다이아프램은 평면적 위치에 관계없이 수직방향으로의 변이가 일정한 것이 바람직하다. 변이가 일정하지 않으면 정전용량의 변화가 위치별로 불균일하여 신호에너지 및 감도(Sensitivity)가 저하될 뿐 아니라, 세기가 큰 음파가 인가될 시에는 변이가 가장 크게 발생되는 부분이 백플레이트와 먼저 접촉되므로 동적범위(Dynamic Range)가 작아진다.
상기와 같은 특허문헌에서는, 다이아프램의 엣지(Edge)가 기판에 고정되어 있거나 다이아프램의 강성(Stiffness)이 작으므로 다이아프램의 변이는 중심부에서 가장 크고 가장자리에서는 거의 발생되지 않는다. 결국, 다이아프램의 유효면적이 작아질 뿐만 아니라 동적범위가 작아지는 문제가 발생한다.
미국 등록특허공보 제07146016호(2006.12.05. 등록) 미국 등록특허공보 제08921956호(2014.12.30. 등록) 미국 등록특허공보 제08422702호(2013.04.16. 등록) 미국 공개특허공보 제2012-0294464호(2012.11.22. 공개)
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 음향잡음이 작고 정전용량이 크며, 기생용량이 작고 다이아프램이 균일하게 변이되는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰를 제공하는데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 MEMS 캐패시티브 마이크로폰은 기판(100)에 단부가 고정된 지지대(110)에 평면상 내부가 제거된 지지판(120)이 부착되고, 상기 지지판(120)의 엣지 영역에 앵커(130)가 부착되어 있으며, 상기 앵커(130)에 다이아프램(200)을 지지하고 있는 스프링(210)이 연결된 림(220)이 고정되는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰에 있어서, 상기 다이아프램(200)의 외부 영역에는 유동전극(300)이 부착되고, 평면상 유동전극(300)의 양측에 일정간격으로 배치된 유동전극(300)을 기준으로 수직으로 편이되어 배치된 고정전극(400)이 연결빔(140)으로 서로 연결되어 지지대(110)에 지지되며, 상기 다이아프램(200)의 내부 영역에는 직경방향과 원주방향으로 연결된 형태, 다각형으로 이루어진 메쉬 형태 중에서 어느 하나의 형태로 이루어진 보강부재(500)가 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 MEMS 캐패시티브 마이크로폰은 기판(100)에 단부가 고정된 지지대(110)에 평면상 내부가 제거된 지지판(120)이 부착되고, 상기 지지판(120)의 엣지 영역에 앵커(130)가 부착되어 있으며, 상기 앵커(130)에 다이아프램(200)을 지지하고 있는 스프링(210)이 연결된 림(220)이 고정되는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰에 있어서, 상기 다이아프램(200)의 내부에는 다이아프램(200)이 제거된 영역이 형성되고, 상기 다이아프램(200)이 제거된 영역에는 단부가 다이아프램(200)에 부착된 유동전극(300)이 형성되고, 평면상 유동전극(300)의 사이에 일정간격으로 배치된 유동전극(300)을 기준으로 수직으로 편이되어 배치된 고정전극(400)이 연결빔(140)으로 서로 연결되어 지지대(110)에 지지되며, 상기 다이아프램(200)의 내부 영역에는 직경방향과 원주방향으로 연결된 형태, 다각형으로 이루어진 메쉬 형태 중에서 어느 하나의 형태로 이루어진 보강부재(500)가 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 다이아프램(200)의 하부에 유동전극(300) 및 보강부재(500)가 형성된 경우에는, 상기 지지대(110) 및 고정전극(400)은 다이아프램(200)을 기준으로 하측에 위치하는 동시에 상기 유동전극(300)을 기준으로 하측으로 편이되며, 상기 지지판(120)은 지지대(110)의 상부에 부착되고, 상기 지지판(120)의 상부에는 앵커(130)가 부착되며, 상기 고정전극(400)이 연결되는 연결빔(140)의 상부에 받침판(150)이 형성되되 상기 받침판(150)의 상부에는 범프(160)가 형성되고,
상기 다이아프램(200)의 상부에 유동전극(300) 및 보강부재(500)가 형성된 경우에는, 상기 지지대(110) 및 고정전극(400)은 다이아프램(200)을 기준으로 상측에 위치하는 동시에 상기 유동전극(300)을 기준으로 상측으로 편이되며, 상기 지지판(120)은 지지대(110)의 하부에 부착되고, 상기 지지판(120)의 하부에는 앵커(130)가 부착되며, 상기 고정전극(400)이 연결되는 연결빔(140)의 하부에 받침판(150)이 형성되되 상기 받침판(150)의 하부에는 범프(160)가 형성되며,
상기 다이아프램(200)의 상부와 하부에 유동전극(300) 및 보강부재(500)가 형성된 경우에는, 상기 지지대(110) 및 고정전극(400)은 다이아프램(200)을 기준으로 하측에 위치하는 동시에 상기 유동전극(300)을 기준으로 하측으로 편이되며, 상기 지지판(120)은 지지대(110)의 상부에 부착되고, 상기 지지판(120)의 상부에는 앵커(130)가 부착되며, 상기 고정전극(400)이 연결되는 연결빔(140)의 상부에 받침판(150)이 형성되되 상기 받침판(150)의 상부에는 범프(160)가 형성되는 구조와, 상기 다이아프램(200)의 상부에 유동전극(300) 및 보강부재(500)가 형성된 경우에는 상기 지지대(110) 및 고정전극(400)은 다이아프램(200)을 기준으로 상측에 위치하는 동시에 상기 유동전극(300)을 기준으로 상측으로 편이되며, 상기 지지판(120)은 지지대(110)의 하부에 부착되고, 상기 지지판(120)의 하부에는 앵커(130)가 부착되며, 상기 고정전극(400)이 연결되는 연결빔(140)의 하부에 받침판(150)이 형성되되 상기 받침판(150)의 하부에는 범프(160)가 형성되는 구조가 결합되는 것을 특징으로 한다.
상기 직경방향과 원주방향으로 연결된 형태의 보강부재(500)는 직경방향으로 서로 임의의 간격을 유지하면서 동심으로 형성되는 복수의 제1 보강재(510)와, 원주방향으로 서로 임의의 각도를 유지하면서 방사상으로 연장되는 복수의 제2 보강재(520)가 서로 교차하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 다이아프램(200), 스프링(210) 및 림(220)의 두께는 0.3~3㎛이며, 상기 림(220)의 폭은 1~20㎛이고, 상기 스프링(210)의 폭은 2~10㎛이며, 상기 스프링(210) 간의 간격 또는 상기 림(220)과 스프링(210)의 간격 또는 상기 스프링(210)과 다이아프램(200)의 간격은 0.2~1㎛의 범위이고, 상기 다이아프램(200)의 면적은 0.01~4㎟인 것을 특징으로 한다.
상기 유동전극(300)은 다이아프램(200)의 직경방향을 향하는 바(bar)형태, 빗살이 다이아프램(200)의 원주방향으로 배치된 콤(Comb)형태, 다이아프램(200)의 직경방향을 향하는 H형태 중에서 어느 하나의 형태로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 지지대(110)는 직경방향과 원주방향으로 연결된 형태, 다각형으로 이루어진 메쉬 형태 중에서 어느 하나의 형태로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 유동전극(300), 고정전극(400), 연결빔(140), 지지대(110) 및 보강부재(500)는 1줄 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 MEMS 캐패시티브 마이크로폰은 다이아프램의 내부 영역에 형성된 보강부재에 의해 다이아프램이 균일하게 변이되도록 하여 마이크로폰의 동적범위가 증가되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 MEMS 캐패시티브 마이크로폰의 여러 가지 단면구조를 나타낸 도면.
도 2는 도 1에 따른 MEMS 캐패시티브 마이크로폰의 평면구조를 나타낸 평면도.
도 3은 도 2에 따른 유동전극의 여러 가지 평면구조를 나타낸 도면.
도 4는 도 1의 평면구조의 다른 실시예로서, 콤형태의 유동전극이 형성된 MEMS 캐패시티브 마이크로폰의 평면구조를 나타낸 평면도.
도 5는 도 1의 평면구조의 또 다른 실시예로서, H형태의 유동전극이 형성된 MEMS 캐패시티브 마이크로폰을 나타낸 평면도.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 MEMS 캐패시티브 마이크로폰의 여러 가지 단면구조를 나타낸 도면.
도 7은 도 6에 따른 MEMS 캐패시티브 마이크로폰의 평면구조를 나타낸 평면도.
도 8은 본 발명에 따른 다이아프램의 내부 영역에 형성된 보강부재의 효과를 설명하기 위해 나타낸 도면.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명에 따른 여러 가지 앵커의 단면구조를 나타낸 도면.
도 10은 본 발명에 따른 여러 가지 앵커의 평면구조를 나타낸 도면.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 MEMS 캐패시티브 마이크로폰은 기판(100)에 단부가 고정된 지지대(110)에 평면상 내부가 제거된 지지판(120)이 부착되고, 상기 지지판(120)의 엣지 영역에 앵커(130)가 부착되어 있으며, 상기 앵커(130)에 다이아프램(200)을 지지하고 있는 스프링(210)이 연결된 림(220)이 고정된다.
특히, 상기 다이아프램(200)의 외부 영역에는 유동전극(300)이 부착되고, 평면상 유동전극(300)의 양측에 일정간격으로 배치되고 유동전극(300)을 기준으로 수직으로 편이되어 배치된 고정전극(400)이 연결빔(140)으로 서로 연결되어 지지대(110)에 지지된다.
이하, 본 발명의 제1 실시예에 따른 MEMS 캐패시티브 마이크로폰의 여러 실시예의 단면구조에 대하여 설명하기로 한다.
도 1의 (가)에서와 같이 "기판이 제거된 영역"에 일정한 두께와 폭을 갖는 다수의 유동전극(300)이 다이아프램(200)의 외부 영역에서 다이아프램(200)의 하부에 부착되어 있다.
평면상 유동전극(300)의 양측에는 일정간격으로 고정전극(400)이 이격 배치되어 있으며, 상기 고정전극(400)은 유동전극(300)으로부터 하측으로 편이되어 있다.
또한, 다수의 고정전극(400)은 연결빔(140)에 의하여 연결되어 하나의 몸체를 이루고, 단부가 기판(100)에 고정되어 있는 지지대(110)에 연결되어 공중에 떠있게 된다.
상기 지지대(110), 고정전극(400) 및 연결빔(140)은 큰 두께로 인하여 수직방향의 강성이 매우 크므로, 지지대(110)에 연결된 고정전극(400)은 이탈되지 않고 설계된 위치에 존재하게 된다.
상기 다이아프램(200)은 림(220)과 다이아프램(200)의 사이에 형성되어 있는 스프링(210)에 의해 지지되어 있고, 상기 지지대(110)의 상부에 부착되어 있으며, 평면적으로 내부가 제거된 지지판(120)의 엣지 영역에 형성된 앵커(130)에 림(220)은 고정되어 있다.
상기 지지판(120)은 지지대(110)의 강성을 보완해 줄 뿐만 아니라, 지지대(110) 간의 빈 공간을 막아줌으로써 지지대(110) 사이로 음파가 빠져나가는 것을 막아주는 역할을 한다.
상기 연결빔(140)의 상부에는 받침판(150)이 형성되어 있고, 상기 받침판(150)의 상부에는 다이아프램(200)과 고정전극(400) 간의 유착(Sticking)을 방지하기 위한 범프(160)가 형성된다.
한편, 상기 다이아프램(200)의 내부 영역에는 보강부재(500)가 형성되는데, 상기 보강부재(500)는 직경방향과 원주방향으로 연결된 형태, 다각형으로 이루어진 메쉬 형태 중에서 어느 하나의 형태로 이루어진다.
특히, 상기 직경방향과 원주방향으로 연결된 형태로 이루어진 보강부재(500)의 경우에는 직경방향으로 서로 임의의 간격을 유지하면서 동심으로 형성되는 복수의 제1 보강재(510)와, 원주방향으로 서로 임의의 각도를 유지하면서 방사상으로 연장되는 복수의 제2 보강재(520)가 서로 교차하여 형성된다. 상기 보강부재(500)와 관련된 구체적인 설명은 후술하기로 한다.
결국, 상기 다이아프램(200)은 앵커(130)와 지지판(120)을 통하여 지지대(110)의 상부에 지지되는데, 상기 지지대(110)의 강성은 매우 크므로 지지대(110)에 다이아프램(200)이 지지되어도 상기 지지대(110) 및 다이아프램(200)의 기계적 특성에는 큰 변화가 발생하지 않는다.
한편, "기판이 제거된 영역"을 형성하기 위해서는 기판(100)의 밑면으로부터 수백 ㎛ 두께의 기판을 식각하는 공정이 수반되며, 이와 같은 두꺼운 식각공정에서는 기판 밑면의 최초의 패턴 크기와 최종적으로 식각된 기판 윗면의 면적 간에는 큰 오차가 발생한다.
그러나, 본 발명에서 제공하는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰은 앵커(130)가 지지판(120) 엣지에 정렬되어 형성되고, 상기 다이아프램(200)의 면적은 앵커(130)에 정렬되어 미리 결정이 되므로 "기판이 제거된 영역"의 면적과 관계없이 다이아프램(200)의 공진주파수 등의 기계적 특성은 동일하게 유지된다는 장점이 있다.
여기서, 음파가 인가되면 다이아프램(200)에 가해지는 음압에 의하여 스프링(210)이 변형(Deformation)되면서 다이아프램(200)은 수직방향으로 변이를 하게 되고, 이에 따라 다이아프램(200)에 부착되어 있는 유동전극(300)도 수직방향으로 함께 변이를 하게 된다.
반면, 고정전극(400)은 강성이 큰 지지대(110)에 지지되어 있으므로 음파에 의한 변이가 거의 발생하지 않는다. 따라서, 음파가 인가되면 유동전극(300)과 고정전극(400) 간의 중첩면적이 변화하면서 동시에 정전용량이 변화하게 되는데, 이 정전용량의 변화를 측정하면 음파를 감지할 수 있게 되는 것이다.
즉, 상기 유동전극(300)은 다이아프램(200)과 스프링(210) 및 림(220)을 경유하여 패드(미도시)에 연결되고, 상기 고정전극(400)은 지지대(110)를 경유하여 또 다른 패드(미도시)에 연결되므로 유동전극(300)과 고정전극(400) 간의 정전용량은 두 패드 간에서 측정할 수 있게 되는 것이다.
상기 유동전극(300) 및 고정전극(400)은 두께가 크며, 유동전극(300)과 고정전극(400) 간의 간격이 작다. 따라서, 상기 유동전극(300)과 고정전극(400) 간에는 큰 값의 정전용량이 구현될 수 있게 되어 신호처리회로에서 발생되는 전기적 잡음이 작다.
또한, 상기 고정전극(400)의 폭은 좁고, 고정전극과 고정전극 간의 간격은 충분히 넓어 공기에 의한 음향저항이 작다. 작은 음향저항으로 인하여 본 발명에서 제공하는 마이크로폰은 음향잡음(Acoustic Noise)이 작아지는 효과가 발생된다.
또한, 상기 다이아프램(200)과 지지판(120) 간에는 중첩면적이 없거나 매우 작으므로, 다이아프램(200)과 지지판(120) 간에도 음향저항이 거의 발생하지 않게 되어 음향잡음이 더욱 감소되는 효과가 발생하게 된다.
결국, 큰 정전용량으로 인한 신호처리회로에서의 낮은 전기적 잡음과 음향저항이 작은 구조로 인한 낮은 음향잡음 덕분에 본 발명에서 제공하는 마이크로폰의 총 잡음은 매우 작다는 장점이 있는 것이다.
본 발명에서는, 평면상 앵커(130)는 지지판(120) 엣지에 매우 가깝게 형성되고, 스프링(210) 또는 다이아프램(200)과 지지판(120) 간의 중첩면적은 거의 발생하지 않는다. 따라서, 다이아프램(200)의 기생용량은 림(220)과 지지판(120) 엣지(또는 지지판이 부도체인 경우 지지대 및 기판) 간에만 작게 존재하게 되어 감도저하가 거의 발생되지 않는다.
결국, 본 발명에서 제공하는 마이크로폰은 감도가 우수하고 잡음이 작으므로 우수한 신호 대 잡음비를 나타낼 수 있는 것이다.
또한, 상기 다이아프램(200)의 내부 영역에 형성된 보강부재(500)에 의하여 다이아프램(200)은 전체적으로 균일하게 변이하므로 본 발명에서 제공하는 마이크로폰은 동적범위가 증가한다는 효과도 발생하게 된다.
도 1의 (나)에 도시된 마이크로폰은 평면상 도 1의 (가)와 동일한 구조를 갖는 반면, 다이아프램(200)의 상부에 유동전극(300) 및 보강부재(500)가 형성되어 있고, 고정전극(400)은 유동전극(300)을 기준으로 상측으로 편이되어 있는 구조이다.
또한, 상기 지지판(120)은 지지대(110) 하부에 부착되며, 상기 지지판(120) 엣지 하부에는 앵커(130)가 부착되고, 상기 앵커(130) 하부에는 다이아프램(200)을 지지하고 있는 스프링(210)이 연결되어 있는 림(220)이 부착되어 있다. 또한, 연결빔(140)의 하부에는 받침판(150)이 부착되어 있고, 상기 받침판(150)의 하부에는 범프(160)가 부착되어 있다.
여기서, 마이크로폰을 구성하고 있는 각 구성요소의 특징 및 발생되는 효과는 도 1의 (가)에서 설명한 것과 동일함은 자명하다.
도 1의 (다)에 도시된 마이크로폰은 평면상 도 1의 (가)와 동일한 구조를 갖는 반면, 다이아프램(200)의 상부와 하부에 유동전극(300) 및 보강부재(500)가 부착되어 있고, 고정전극(400)은 유동전극(300)을 기준으로 상측과 하측에 형성되어 있는 구조이다.
또한, 지지대(110), 지지판(120), 앵커(130), 받침판(150) 및 범프(160) 등은 다이아프램(200)을 기준으로 상측 및 하측에 각각 형성되며, 결국 도 1의 (다)는 도 1의 (가)와 도 1의 (나)에 의해 결합된 구조를 나타낸다.
이러한 구조에서는 음파가 입력되어 다이아프램(200)이 하측으로 변이되면, 다이아프램(200) 하부의 유동전극(300)과 고정전극(400) 간의 정전용량은 증가하나, 다이아프램(200) 상부의 유동전극(300)과 고정전극(400) 간의 정전용량은 감소하게 되므로 차동입력(Differential Input)방식으로 동작할 수 있다는 장점이 있다.
여기서, 마이크로폰을 구성하고 있는 각 구성요소의 특징 및 발생되는 효과는 도 1의 (가)에서 설명한 것과 동일함은 자명하다.
도 2에는 도 1에서 예시된 마이크로폰의 평면구조가 도시되어 있는데, 내부가 원형으로 제거된 지지판(120)의 엣지에는 앵커(130)가 형성되어 있고, 상기 앵커(130)에는 림(220)이 부착되어 있으며, 다이아프램(200)은 림(220)에 연결된 스프링(210)에 지지되어 있다.
상기 다이아프램(200)의 외부 영역에는 다이아프램(200)의 직경방향으로는 바(bar)형태의 유동전극(300)이 부착되어 있다. 상기 유동전극(300) 간의 간격이 넓은 부분에서는 짧은 길이의 유동전극(300)을 추가로 배치할 수 있다. 예컨대, 도 2에서는 다이아프램(200)의 더욱 바깥쪽 영역에 짧은 길이의 유동전극을 추가로 배치하였다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 유동전극(300)은 필요에 따라 측면으로의 강도를 강화하기 위하여 다양한 형태의 평면구조로 형성될 수 있다.
예를 들면, 도 3의 (가)와 같이 곡선형태, 도 3의 (나)와 같이 지그재그 형태, 도 3의 (다)와 같이 직각으로 절곡된 지그재그 형태, 도 3의 (라)와 같이 양단이 T자인 형태, 도 3의 (마)와 같이 중간이 +자인 형태, 도 3의 (바) 및 (사)와 같이 중간에 사각형 및 원형의 고리 형태로 형성될 수 있다. 물론, 도시된 각 구조들이 결합된 형태도 가능함은 당연하다.
한편, 상기 유동전극(300)의 양측에는 고정전극(400)이 배치되어 있으며, 상기 고정전극(400)은 강성을 보강하기 위하여 서로 연결빔(140)으로 연결되어 있다.
상기 연결빔(140)은 유동전극(300)의 양쪽 단부 및 중간 위치에서 다수개가 형성될 수 있으며, 유동전극(300)의 가장 안쪽 위치에서는 연결빔(140)을 형성하는 대신 유동전극(300) 간을 연결할 수도 있다. 상기 고정전극(400) 및 연결빔(140)의 어셈블리는 기판(100)에 고정된 지지대(110)에 연결되며, 상기 연결빔(140)에는 받침판(150)과 범프(160)가 형성된다.
또한, 상기 다이아프램(200)의 내부 영역에는 보강부재(500)가 형성되어 있는데, 다이아프램(200)의 직경방향 및 원주방향의 강성을 동시에 보강할 수만 있다면 다양한 평면구조로 형성될 수 있다. 예컨데, 도 2에 예시된 바와 같이 다수의 직경방향과 원주방향의 바(bar)형태가 연결된 형태일 수도 있고, 3각형, 4각형, 6각형 등의 다각형으로 이루어진 메쉬(Mesh) 형태로도 형성될 수도 있다.
마찬가지로, 상기 지지대(110)도 다수의 직경방향과 원주방향의 바(bar)형태가 연결된 형태일 수도 있고, 3각형, 4각형, 6각형 등의 다각형으로 이루어진 메쉬 형태로도 형성될 수도 있다.
또한, 상기 유동전극(300), 고정전극(400), 지지대(110), 연결빔(140) 및 보강부재(500)는 강성을 더욱 강화하거나 공정의 용이성을 위하여 여러 줄로 형성될 수도 있음은 당연하다.
도 4는 도 1에 도시된 마이크로폰 평면구조의 다른 실시예로서, 내부가 원형으로 제거된 지지판(120)의 엣지에는 앵커(130)가 형성되어 있고, 상기 앵커(130)에는 림(220)이 부착되어 있으며, 다이아프램(200)은 림(220)에 연결된 스프링(210)에 지지되어 있다.
상기 다이아프램(200)의 외부 영역에는 빗살(Comb Finger)이 다이아프램(200)의 원주방향으로 배치된 콤(Comb)형태의 유동전극(300)이 부착되어 있다.
상기 유동전극(300)의 양측에는 고정전극(400)이 배치되어 있으며, 상기 고정전극(400)은 강성을 보강하기 위하여 서로 연결빔(140)으로 연결되어 있다.
상기 연결빔(140)은 유동전극(300)의 양쪽 단부 및 중간 위치에서 다수개가 형성될 수 있으며, 유동전극(300)의 가장 안쪽 위치에서는 연결빔(140)을 형성하는 대신 유동전극(300) 간을 연결할 수도 있다. 상기 고정전극(400) 및 연결빔(140)의 어셈블리는 기판(100)에 고정된 지지대(110)에 연결되며, 상기 연결빔(140)에는 받침판(150)과 범프(160)가 형성된다.
이때, 상기 다이아프램(200)의 내부 영역에는 보강부재(500)가 형성되어 있는데, 다이아프램(200)의 직경방향 및 원주방향의 강성을 보강하기 위한 다양한 구조로 형성될 수 있다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이 다수의 직경방향과 원주방향의 바(bar)형태가 연결된 형태일 수도 있고, 3각형, 4각형, 6각형 등의 다각형으로 이루어진 메쉬 형태로 형성될 수도 있다.
마찬가지로, 상기 지지대(110)도 다수의 직경방향과 원주방향의 바(bar)형태가 연결된 형태일 수도 있고, 3각형, 4각형, 6각형 등의 다각형으로 이루어진 메쉬 형태로 형성될 수도 있다.
또한, 상기 유동전극(300), 고정전극(400), 지지대(110), 연결빔(140) 및 보강부재(500)는 강성을 더욱 강화하거나 공정의 용이성을 위하여 여러 줄로 형성될 수 있다.
도 5는 도 1에 도시된 마이크로폰 평면구조의 또 다른 실시예로서, 내부가 원형으로 제거된 지지판(120)의 엣지에는 앵커(130)가 형성되어 있고, 상기 앵커(130)에는 림(220)이 부착되어 있으며, 다이아프램(200)은 림(220)에 연결된 스프링(210)에 지지되어 있다.
상기 다이아프램(200)의 외부 영역에는 다이아프램(200)의 직경방향을 향하고 있는 H형의 유동전극(300)이 다이아프램(200)의 원주방향으로 배열되어 부착되어 있다. 필요시 H형의 유동전극(300)은 원주방향으로 여러 단으로 배열할 수도 있는데, 도 5의 (다)에는 H형의 유동전극(300)이 2단으로 배열되어 있다.
상기 유동전극(300)의 양측에는 고정전극(400)이 배치되어 있으며, 상기 고정전극(400)은 강성을 보강하기 위하여 서로 연결빔(140)으로 연결되어 있다.
상기 연결빔(140)은 유동전극(300)의 양쪽 단부 및 중간 위치에서 다수개가 형성될 수 있으며, 유동전극(300)의 가장 안쪽 위치에서는 연결빔(140)을 형성하는 대신 유동전극(300) 간을 연결할 수도 있다. 상기 고정전극(400) 및 연결빔(140)의 어셈블리는 기판(100)에 고정된 지지대(110)에 연결되며, 상기 연결빔(140)에는 받침판(150)과 범프(160)가 형성된다.
이때, 상기 다이아프램(200)의 내부 영역에는 보강부재(500)가 형성되어 있는데, 다이아프램(200)의 직경방향 및 원주방향의 강성을 보강하기 위한 다양한 구조로 형성될 수 있다. 예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이 다수의 직경방향과 원주방향의 바(bar)형태가 연결된 형태일 수도 있고, 3각형, 4각형, 6각형 등의 다각형으로 이루어진 메쉬 형태로 형성될 수 있다.
마찬가지로, 상기 지지대(110)도 다수의 직경방향과 원주방향의 바(bar)형태가 연결된 형태일 수도 있고, 3각형, 4각형, 6각형 등의 다각형으로 이루어진 메쉬 형태로 형성될 수 있다.
또한, 상기 유동전극(300), 고정전극(400), 지지대(110), 연결빔(140) 및 보강부재(500)는 강성을 더욱 강화하거나 공정의 용이성을 위하여 여러 줄로 형성될 수 있다.
한편, 도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 MEMS 캐패시티브 마이크로폰을 도시한 것으로, 다이아프램(200)이 제거된 영역에 일정간격으로 유동전극(300)이 형성되고, 평면상 유동전극(300) 사이에 고정전극(400)이 일정 간격으로 이격되어 배치되는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰의 여러 가지 단면을 보여주고 있다.
도 6의 (가)에는 단부가 다이아프램(200)에 부착되는 동시에 다이아프램(200)이 제거된 영역에 일정한 두께와 폭을 갖는 다수의 유동전극(300)이 다이아프램(200)의 하측에 형성되어 있다.
상기 유동전극(300) 사이에는 평면상 일정간격으로 이격되는 고정전극(400)이 배치되어 있으며, 상기 고정전극(400)은 유동전극(300)으로부터 하측으로 편이되어 있다.
다수의 고정전극(400)은 연결빔(140)에 의해 연결되어 하나의 몸체를 이루고, 기판(100)에 고정된 지지대(110)에 연결되어 공중에 떠 있다.
상기 다이아프램(200)은 림(220)과 다이아프램(200)의 사이에 형성되어 있는 스프링(210)에 의해 지지되어 있고, 상기 지지대(110)의 상부에 부착되어 있으며, 평면상 내부가 제거된 지지판(120)의 엣지 영역에 형성된 앵커(130)에 림(220)은 고정되어 있다.
상기 연결빔(140)의 상부에는 받침판(150)이 형성되어 있고, 상기 받침판(150) 상부에는 범프(160)가 형성되어 있다.
또한, 본 발명의 제1 실시예와 마찬가지로, 상기 다이아프램(200)의 내부 영역에는 보강부재(500)가 형성되게 되는데, 상기 보강부재(500)는 직경방향으로 서로 임의의 간격을 유지하면서 동심으로 형성되는 복수의 제1 보강재(510)와, 원주방향으로 서로 임의의 각도를 유지하면서 방사상으로 연장되는 복수의 제2 보강재(520)가 서로 교차하여 형성된다.
여기서, 마이크로폰을 구성하고 있는 각 구성요소의 특징 및 발생되는 효과는 도 1에서 설명한 것과 동일함은 자명하다. 단, 도 1의 구조에서는 고정전극(400)의 폭을 좁게 하고, 지지대(110)와 지지대(110) 간의 간격을 충분히 넓게 함으로써 음향저항을 감소시킨 반면, 도 6의 (가)의 구조에서는 유동전극(300)과 고정전극(400)이 위치한 영역의 다이아프램(200)을 제거함으로써 음향저항을 감소시켰다.
도 6의 (나)에는 다이아프램(200)이 제거된 영역에 일정한 두께와 폭을 갖는 다수의 유동전극(300)이 다이아프램(200)의 상측에 형성되어 있다.
상기 유동전극(300)의 사이에는 평면상 일정간격으로 배치되는 고정전극(400)이 배치되어 있으며, 상기 고정전극(400)은 유동전극(300)으로부터 상측으로 편이되어 있다.
다수의 고정전극(400)은 연결빔(140)에 의해 연결되어 하나의 몸체를 이루고, 기판(100)에 고정된 지지대(110)에 연결되어 공중에 떠 있다.
상기 다이아프램(200)은 림(220)과 다이아프램(200)의 사이에 형성되어 있는 스프링(210)에 의해 지지되어 있고, 상기 지지대(110)의 하부에 부착되어 있으며, 평면상 내부가 제거된 지지판(120)의 엣지 영역에 형성된 앵커(130)에 림(220)은 고정되어 있다.
상기 연결빔(140)의 하부에는 받침판(150)이 형성되어 있고, 상기 받침판(150)의 하부에는 범프(160)가 형성되어 있다. 평면적으로 다이아프램(200)의 내부 영역에는 보강부재(500)가 형성되어 있다.
여기서, 마이크로폰을 구성하고 있는 각 구성요소의 특징 및 발생되는 효과는 도 1에서 설명한 것과 동일함은 자명하다. 단, 도 1의 구조에서는 고정전극(400)의 폭을 좁게 하고, 지지대(110)와 지지대(110) 간의 간격을 충분히 넓게 함으로써 음향저항을 감소시킨 반면, 도 6의 (가)의 구조에서는 유동전극(300)과 고정전극(400)이 위치한 영역의 다이아프램(200)을 제거함으로써 음향저항을 감소시켰다.
도 6의 (다)에는 다이아프램(200)이 제거된 영역에 일정한 두께와 폭을 갖는 다수의 유동전극(300)이 다이아프램(200)의 상측과 하측에 각각 형성되어 있다.
상부 및 하부 유동전극(300) 사이에는 평면상 일정간격으로 이격되는 상부 및 하부 고정전극(400)이 각각 배치되어 있으며, 각각의 고정전극(400)은 유동전극(300)으로부터 상측 및 하측으로 각각 편이되어 있다.
다수의 고정전극(400)은 연결빔(140)에 의하여 연결되어 하나의 몸체를 이루고, 기판(100)에 고정된 지지대(110)에 연결되어 공중에 떠 있다.
상기 다이아프램(200)은 림(220)과 다이아프램(200)의 사이에 형성되어 있는 스프링(210)에 의해 지지되어 있고, 상기 지지대(110)의 상부에 부착되어 있으며, 평면상 내부가 제거된 지지판(120)의 엣지 영역에 형성된 앵커(130)에 림(220)은 고정되어 있다.
상기 연결빔(140)에는 받침판(150)이 형성되어 있고, 상기 받침판(150)에는 범프(160)가 형성되어 있다. 평면상 다이아프램(200)의 내부 영역에는 보강부재(500)가 형성되어 있다. 결국 도 6의 (다)는 도 6의 (가)와 도 6의 (나)에 의해 결합된 구조를 나타내며, 차동입력 방식으로 사용하게 된다.
여기서, 마이크로폰을 구성하고 있는 각 구성요소의 특징 및 발생되는 효과는 도 1에서 설명한 것과 동일함은 자명하다. 단, 도 1의 구조에서는 고정전극(400)의 폭을 좁게 하고, 지지대(110)와 지지대(110) 간의 간격을 충분히 넓게 함으로써 음향저항을 감소시킨 반면, 도 6의 (가)의 구조에서는 유동전극(300)과 고정전극(400)이 위치한 영역의 다이아프램(200)을 제거함으로써 음향저항을 감소시켰다.
도 7에는 도 6에서 도시된 마이크로폰의 평면구조가 도시되어 있는데, 내부가 원형으로 제거된 지지판(120)의 엣지에는 앵커(130)가 형성되어 있고, 상기 앵커(130)에는 림(220)이 부착되어 있으며, 다이아프램(200)은 림(220)에 연결된 스프링(210)에 지지되어 있다.
상기 다이아프램(200)은 도너츠 형태로 제거되어 있고, 빗살이 다이아프램(200)의 원주방향으로 배치된 콤(Comb)형태의 유동전극(300)이 다이아프램(200)이 제거된 영역에 형성되어 있는 동시에 유동전극(300)의 양단이 다이아프램(200)이 제거된 영역의 양측에 위치한 다이아프램(200)에 고정되어 있다.
각 유동전극(300) 사이에는 콤 형태의 고정전극(400)이 일정간격으로 이격 배치되어 있다. 상기 고정전극(400)은 강성을 보강하기 위하여 고정전극(400)의 양단 위치에서 연결빔(140)에 의해 서로 연결되는데, 안쪽 연결빔은 형성하지 않을 수도 있다. 상기 고정전극(400) 및 연결빔(140)의 어셈블리는 기판(100)에 고정된 지지대(110)에 연결되며, 상기 연결빔(140)에는 받침판(150)과 범프(160)가 형성된다.
상기 다이아프램(200)의 내부 영역에는 보강부재(500)가 형성되어 있는데, 다이아프램(200)의 직경방향 및 원주방향의 강성을 보강하기 위한 다양한 구조로 형성될 수 있다. 예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이 다수의 직경방향과 원주방향의 바(bar)형태가 연결된 형태일 수도 있고, 3각형, 4각형, 6각형 등의 다각형으로 이루어진 메쉬 형태로 형성될 수 있다.
마찬가지로, 상기 지지대(110)도 다수의 직경방향과 원주방향의 바(bar)형태가 연결된 형태일 수도 있고, 3각형, 4각형, 6각형 등의 다각형으로 이루어진 메쉬 형태로 형성될 수 있다.
또한, 상기 유동전극(300), 고정전극(400), 지지대(110), 연결빔(140) 및 보강부재(500)는 강성을 더욱 강화하거나 공정의 용이성을 위하여 여러 줄로 형성될 수 있다.
한편, 도 7에서는 다이아프램이 제거된 영역을 도너츠 형태로 하여 1개로 형성하였으나, 필요에 따라 여러 개로 분할하여 형성하는 것도 가능하다.
상기 유동전극(300)은 두께가 크므로 수직방향으로의 강성이 매우 크다. 따라서, 상기 유동전극(300)이 부착된 다이아프램(200)은 강성이 증가하게 된다.
도 2, 도 4, 도 5 및 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 유동전극(300)은 다이아프램(200)의 직경방향으로 배치되어 있는 반면, 상기 유동전극(300)의 양측에는 고정전극(400)이 위치하게 되므로 유동전극(300)들을 원주방향으로 서로 연결을 할 수 없게 된다. 따라서, 상기 유동전극(300)에 의해 다이아프램(200)의 직경방향의 강성은 증가하지만 다이아프램(200)의 원주방향으로는 강성이 증가되지 못한다.
그러므로, 도 8의 (가)에 도시된 바와 같이 다이아프램(200)의 내부 영역에 보강부재(500)가 형성되지 않은 경우에는 음파가 인가될 시에 다이아프램(200)은 원주방향으로 변형되면서 다이아프램(200)의 중심부로 갈수록 큰 변이가 발생하게 된다. 이는 우산살(Rib)의 강성이 크더라도 우산천(Canopy)이 찌그러지면서 우산이 접히는 원리와 비슷하다. 결국, 유동전극(300)의 강성이 크다고 하더라도 다이아프램(200)의 변이는 불균일하게 발생되어 동적범위가 감소하게 되는 것이다.
반면, 도 8의 (나)에 도시된 바와 같이 다이아프램(200)의 내부에 직경방향 및 원주방향으로 강성이 강화되도록 보강부재(500)를 형성하면, 상기 다이아프램(200)이 원주방향으로 변형되는 것을 방지하여 다이아프램(200)의 외부와 내부의 변이는 균일하게 된다.
결국, 다이아프램(200)의 내부 영역에 보강부재(500)를 형성하게 되면, 마이크로폰의 동적범위가 증가하는 효과가 발생하는 것이다.
그러므로, 본 발명의 마이크로폰에서는 다이아프램(200)의 내부 영역에 보강부재(500)를 형성하였고, 그 결과로서 동적범위가 향상되는 것이다.
상기 보강부재(500)는 다이아프램(200)의 내부영역에서 넓게 형성될수록 다이아프램(200)의 변이는 더욱 균일해지며, 상기 다이아프램(200)의 내부영역에서 직경의 1/10 이상을 점유하는 면적으로 보강부재(500)가 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명에 따른 MEMS 캐패시티브 마이크로폰은 유동전극(300) 및 고정전극(400)의 두께가 크고, 유동전극(300)과 고정전극(400) 간의 간격이 좁을수록 정전용량이 크게 된다.
또한, 상기 고정전극(400)의 편이 정도는 충분한 것이 정전용량의 변화를 감지하는 측면에서 바람직하다.
또한, 상기 고정전극(400)은 폭이 작을수록 음향저항이 작아지며, 이에 더하여, 도 1, 도 2, 도 4, 도 5에 도시된 유동전극(300)의 양측에 고정전극(400)이 배치되는 마이크로폰에서는 고정전극과 고정전극 간의 간격이 넓을수록 음향저항이 작아지므로 충분한 간격을 유지하는 것이 바람직하다.
예컨대, 상기 유동전극(300) 및 고정전극(400)의 폭은 1~10㎛, 두께는 2~20㎛, 길이는 10~200㎛이고, 상기 유동전극(300)과 고정전극(400) 간의 간격은 0.5~5㎛, 고정전극(400)과 고정전극(400) 간의 간격은 5~30㎛로 설계될 수 있다. 또한, 상기 유동전극(300)으로부터의 고정전극(400)의 수직적 편이량은 1~10㎛로 설계될 수 있다.
상기 지지대(110), 연결빔(140), 보강부재(500)의 폭은 1~10㎛, 두께는 2~20㎛의 범위에서 설계될 수 있다.
상기 다이아프램(200), 림(220) 및 스프링(210)의 두께는 0.3~3㎛로 설계될 수 있으며, 상기 다이아프램(200)의 면적은 0.01~4㎟ 범위에서 설계될 수 있다.
상기 다이아프램(200), 림(220), 지지판(120) 엣지, 앵커(130)의 형태는 본 발명에서 도시한 원형 외에도 정사각형, 직사각형, 6각형, 8각형 및 임의의 다각형이 될 수 있음은 자명하다.
상기 림(220)의 폭은 1~20㎛에서 설계될 수 있으며, 스프링(210)의 폭은 2~10㎛, 스프링(210) 간의 간격 또는 림(220)과 스프링(210)의 간격 또는 스프링(210)과 다이아프램(200)의 간격은 0.2~1㎛의 범위에서 가급적 좁게 설계될 수 있다.
상기 지지판(120)의 두께는 0.1~2㎛로 설계될 수 있으며, 상기 지지판(120)의 엣지는 통상적으로 스프링(210)보다 외곽에 형성되나 다이아프램(200)의 엣지로부터 다이아프램(200) 내부로 20㎛까지 연장하여 형성되어도 무방하다.
한편, 상기 받침판(150)의 두께는 0.1~2㎛로 설계될 수 있으며, 통상적으로 직경 2~10㎛의 원형 구조로 형성되지만 정사각형, 직사각형, 6각형, 8각형 및 임의의 다각형으로 형성되는 것이 가능하다.
또한, 상기 범프(160)의 직경은 0.1~2㎛이고, 높이는 고정전극(400)과 다이아프램(200) 간의 간격의 1/3 내지 1/2 높이로 설계하는데 통상적으로 0.5~10㎛로 형성될 수 있다.
한편, 상기 지지대(110)와 고정전극(400), 그리고 연결빔(140)은 동일 재질 및 동일 공정으로 형성 가능하지만 반드시 여기에 국한되는 것은 아니다. 또한, 상기 유동전극(300), 보강부재(500)는 동일 재질 및 동일 공정으로 형성 가능하지만 반드시 여기에 국한되는 것은 아니다. 또한, 상기 지지판(120)과 받침판(150)은 동일 재질 및 동일 공정으로 형성 가능하지만 반드시 여기에 국한되는 것은 아니다. 그리고, 상기 다이아프램(200), 스프링(210) 및 림(220)은 동일 재질 및 동일 공정으로 형성 가능하지만 반드시 여기에 국한되는 것은 아니다.
효과적인 전기적 신호전달을 위하여 상기 다이아프램(200), 스프링(210), 림(220), 유동전극(300), 고정전극(400)은 반드시 전도체로 형성되어야 한다. 그러나, 상기 지지대(110) 및 연결빔(140)은 신호전달을 위한 부분을 제외한 나머지를 부도체로 형성하여도 무방할 것이다. 또한, 상기 지지판(120), 받침판(150) 및 범프(160)는 전도체 또는 부도체로 형성될 수 있다.
상기 전도체로서는 단결정 실리콘, 폴리 실리콘, 비정질 실리콘, 알루미늄, 마그네슘, 니켈, 티타늄, 바나듐, 지르코늄, 크롬, 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈륨 등을 사용할 수 있다.
상기 부도체로서는, 산화 실리콘, 질화 실리콘, 탄화 실리콘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 폴리이미드가 사용될 수 있다.
한편, 상기 기판(100)의 재질로는 통상적으로 단결정실리콘을 사용하지만, 유리, 스테인레스 강, 니켈, 구리, 티타늄, 폴리이미드를 사용할 수도 있다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명에서 제공하는 여러 가지 앵커의 단면구조를 나타낸 것으로, 도 9a의 (가)는 도 1 및 도 6에서 도시된 것으로서, 림(220)과 지지판(120) 사이에 앵커(130)가 형성되어 있는 형태이고, 도 9a의 (나)는 림(220)과 지지판(120) 사이에 앵커(130)가 형성되어 있는 형태이지만 다이아프램(200) 하부를 막 형태의 앵커(130)가 부가적으로 받치고 있는 형태이며, 도 9a의 (다)는 림(220)과 지지판(120) 사이에 앵커(130)가 형성되어 있는 형태이지만 다이아프램(200) 하부를 앵커(130)가 '└┘'자 형태로 받치고 있는 형태이다.
도 9b의 (라)는 앵커(130)가 림(220)을 관통하여 형성되는 형태이고, 도 9b의 (마)는 앵커(130)가 림(220)을 관통하여 형성되는 형태이지만 다이아프램(200)을 막 형태의 앵커(130)가 부가적으로 덮고 있는 형태이며, 도 9b의 (바)는 앵커(130)가 '└┘'자 형태로 림(220)을 관통하여 형성되는 형태이다.
도 9c의 (사)는 앵커(130)가 림(220)을 관통하여 형성되는 동시에 앵커(130)를 형성하는 막이 앵커(130)의 외부 영역의 희생층(170)을 덮고 있는 구조이고, 도 9c의 (아)는 앵커(130)가 '└┘'자 형태로 림을 관통하여 형성되는 동시에 앵커(130)를 형성하는 막이 앵커(130)의 외부 영역의 희생층(170)을 덮고 있는 구조이며, 도 9c의 (자)는 앵커(130)가 희생층(170)으로 이루어져 있고, 질화실리콘 또는 탄화실리콘 막이 림(220)과 앵커(130)의 외부 영역의 희생층(170)을 덮고 있는 구조이다.
이상, 도 9a 내지 도 9c에 도시된 앵커(130)의 단면구조는 지지대(110)가 다이아프램(200)을 기준으로 하측에 위치한 경우를 대표하여 도시한 것이다. 그러나, 지지대(110)가 다이아프램(200)의 상측에 위치하거나, 다이아프램(200)의 상측 및 하측에 쌍으로 위치하는 경우에도 동일한 개념이 적용될 수 있음은 자명하다.
한편, 도 10의 (가)와 같이 도 9에 도시된 단면구조를 갖는 앵커(130)로 림(220)에 폐곡선 형태로 형성하거나, 도 10의 (나)와 같이 일정 직경 또는 폭을 갖는 점(Point) 형태로 림에 배열하거나, 도 10의 (다)와 같이 일정 길이를 갖는 앵커(130)를 림(220)에 배열할 수 있다. 편의상 스프링 및 지지판 등의 구성요소는 도면에서 생략하였다.
또한, 도 10의 (라)와 같이 앵커(130) 2줄로 림(220)에 폐곡선 형태로 형성하거나, 도 10의 (마)와 같이 다수개의 원형 또는 사각형 형태로 림(220)에 배열하거나, 도 10의 (바)와 같이 폐곡선으로 이루어진 다수개의 막대 형태를 림(220)에 배열할 수도 있다.
이 외에도 3줄 이상으로 림(220)에 폐곡선 형태로 형성하거나, 2줄 이상의 폐곡선으로 한 원형 또는 사각형 또는 막대형 형태를 배열하는 것이 가능할 것이다.
이러한 상기 앵커(130)는 폭이 0.2~20㎛ 범위이고, 두께는 1~10㎛로 설계할 수 있으며, 상기 앵커(130)의 재질은 지지판(120)이 전도체인 경우에는 상기한 부도체로 형성되고, 지지판(120)이 부도체인 경우에는 상기한 전도체와 부도체 모두를 사용할 수 있다. 또한, 희생층(170)의 재질로는 산화 실리콘, 포토레지스트, 폴리이미드를 사용할 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예를 중심으로 기술되었지만 당업자라면 이러한 기재로부터 본 발명의 범주를 벗어남이 없이 많은 다양한 자명한 변형이 가능하다는 것은 명백하다. 따라서 본 발명의 범주는 이러한 많은 변형의 예들을 포함하도록 기술된 청구범위에 의해서 해석되어져야 한다.
100 : 기판 110 : 지지대
120 : 지지판 130 : 앵커
140 : 연결빔 150 : 받침판
160 : 범프 170 : 희생층
200 : 다이아프램 210 : 스프링
220 : 림 300 : 유동전극
400 : 고정전극 500 : 보강부재
510 : 제1 보강재 520 : 제2 보강재

Claims (11)

  1. 기판(100)에 단부가 고정된 지지대(110)에 평면상 내부가 제거된 지지판(120)이 부착되고, 상기 지지판(120)의 엣지 영역에 앵커(130)가 부착되어 있으며, 상기 앵커(130)에 다이아프램(200)을 지지하고 있는 스프링(210)이 연결된 림(220)이 고정되는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰에 있어서,
    상기 다이아프램(200)의 외부 영역에는 유동전극(300)이 부착되고, 평면상 유동전극(300)의 양측에 일정간격으로 배치된 유동전극(300)을 기준으로 수직으로 편이되어 배치된 고정전극(400)이 연결빔(140)으로 서로 연결되어 지지대(110)에 지지되며,
    상기 다이아프램(200)의 내부 영역에는 직경방향과 원주방향으로 연결된 형태, 다각형으로 이루어진 메쉬 형태 중에서 어느 하나의 형태로 이루어진 보강부재(500)가 형성되고,
    상기 다이아프램(200)의 하부에 유동전극(300) 및 보강부재(500)가 형성된 경우에는, 상기 지지대(110) 및 고정전극(400)은 다이아프램(200)을 기준으로 하측에 위치하는 동시에 상기 유동전극(300)을 기준으로 하측으로 편이되며, 상기 지지판(120)은 지지대(110)의 상부에 부착되고, 상기 지지판(120)의 상부에는 앵커(130)가 부착되며, 상기 고정전극(400)이 연결되는 연결빔(140)의 상부에 받침판(150)이 형성되되 상기 받침판(150)의 상부에는 범프(160)가 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰.
  2. 기판(100)에 단부가 고정된 지지대(110)에 평면상 내부가 제거된 지지판(120)이 부착되고, 상기 지지판(120)의 엣지 영역에 앵커(130)가 부착되어 있으며, 상기 앵커(130)에 다이아프램(200)을 지지하고 있는 스프링(210)이 연결된 림(220)이 고정되는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰에 있어서,
    상기 다이아프램(200)의 외부 영역에는 유동전극(300)이 부착되고, 평면상 유동전극(300)의 양측에 일정간격으로 배치된 유동전극(300)을 기준으로 수직으로 편이되어 배치된 고정전극(400)이 연결빔(140)으로 서로 연결되어 지지대(110)에 지지되며,
    상기 다이아프램(200)의 내부 영역에는 직경방향과 원주방향으로 연결된 형태, 다각형으로 이루어진 메쉬 형태 중에서 어느 하나의 형태로 이루어진 보강부재(500)가 형성되고,
    상기 다이아프램(200)의 상부에 유동전극(300) 및 보강부재(500)가 형성된 경우에는, 상기 지지대(110) 및 고정전극(400)은 다이아프램(200)을 기준으로 상측에 위치하는 동시에 상기 유동전극(300)을 기준으로 상측으로 편이되며, 상기 지지판(120)은 지지대(110)의 하부에 부착되고, 상기 지지판(120)의 하부에는 앵커(130)가 부착되며, 상기 고정전극(400)이 연결되는 연결빔(140)의 하부에 받침판(150)이 형성되되 상기 받침판(150)의 하부에는 범프(160)가 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰.
  3. 기판(100)에 단부가 고정된 지지대(110)에 평면상 내부가 제거된 지지판(120)이 부착되고, 상기 지지판(120)의 엣지 영역에 앵커(130)가 부착되어 있으며, 상기 앵커(130)에 다이아프램(200)을 지지하고 있는 스프링(210)이 연결된 림(220)이 고정되는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰에 있어서,
    상기 다이아프램(200)의 외부 영역에는 유동전극(300)이 부착되고, 평면상 유동전극(300)의 양측에 일정간격으로 배치된 유동전극(300)을 기준으로 수직으로 편이되어 배치된 고정전극(400)이 연결빔(140)으로 서로 연결되어 지지대(110)에 지지되며,
    상기 다이아프램(200)의 내부 영역에는 직경방향과 원주방향으로 연결된 형태, 다각형으로 이루어진 메쉬 형태 중에서 어느 하나의 형태로 이루어진 보강부재(500)가 형성되고,
    상기 다이아프램(200)의 상부와 하부에 유동전극(300) 및 보강부재(500)가 형성된 경우에는, 하부의 상기 지지대(110) 및 고정전극(400)은 다이아프램(200)을 기준으로 하측에 위치하는 동시에 상기 유동전극(300)을 기준으로 하측으로 편이되며, 상기 지지판(120)은 지지대(110)의 상부에 부착되고, 상기 지지판(120)의 상부에는 앵커(130)가 부착되며, 상기 고정전극(400)이 연결되는 연결빔(140)의 상부에 받침판(150)이 형성되되 상기 받침판(150)의 상부에는 범프(160)가 형성되는 구조이고, 상부의 상기 지지대(110) 및 고정전극(400)은 다이아프램(200)을 기준으로 상측에 위치하는 동시에 상기 유동전극(300)을 기준으로 상측으로 편이되며, 상기 지지판(120)은 지지대(110)의 하부에 부착되고, 상기 지지판(120)의 하부에는 앵커(130)가 부착되며, 상기 고정전극(400)이 연결되는 연결빔(140)의 하부에 받침판(150)이 형성되되 상기 받침판(150)의 하부에는 범프(160)가 형성되는 구조인 것을 특징으로 하는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰.
  4. 기판(100)에 단부가 고정된 지지대(110)에 평면상 내부가 제거된 지지판(120)이 부착되고, 상기 지지판(120)의 엣지 영역에 앵커(130)가 부착되어 있으며, 상기 앵커(130)에 다이아프램(200)을 지지하고 있는 스프링(210)이 연결된 림(220)이 고정되는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰에 있어서,
    상기 다이아프램(200)의 내부에는 다이아프램(200)이 제거된 영역이 형성되고, 상기 다이아프램(200)이 제거된 영역에는 단부가 다이아프램(200)에 부착된 유동전극(300)이 형성되고, 평면상 유동전극(300)의 사이에 일정간격으로 배치된 유동전극(300)을 기준으로 수직으로 편이되어 배치된 고정전극(400)이 연결빔(140)으로 서로 연결되어 지지대(110)에 지지되며,
    상기 다이아프램(200)의 내부 영역에는 직경방향과 원주방향으로 연결된 형태, 다각형으로 이루어진 메쉬 형태 중에서 어느 하나의 형태로 이루어진 보강부재(500)가 형성되고,
    상기 다이아프램(200)의 하부에 유동전극(300) 및 보강부재(500)가 형성된 경우에는, 상기 지지대(110) 및 고정전극(400)은 다이아프램(200)을 기준으로 하측에 위치하는 동시에 상기 유동전극(300)을 기준으로 하측으로 편이되며, 상기 지지판(120)은 지지대(110)의 상부에 부착되고, 상기 지지판(120)의 상부에는 앵커(130)가 부착되며, 상기 고정전극(400)이 연결되는 연결빔(140)의 상부에 받침판(150)이 형성되되 상기 받침판(150)의 상부에는 범프(160)가 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰.
  5. 기판(100)에 단부가 고정된 지지대(110)에 평면상 내부가 제거된 지지판(120)이 부착되고, 상기 지지판(120)의 엣지 영역에 앵커(130)가 부착되어 있으며, 상기 앵커(130)에 다이아프램(200)을 지지하고 있는 스프링(210)이 연결된 림(220)이 고정되는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰에 있어서,
    상기 다이아프램(200)의 내부에는 다이아프램(200)이 제거된 영역이 형성되고, 상기 다이아프램(200)이 제거된 영역에는 단부가 다이아프램(200)에 부착된 유동전극(300)이 형성되고, 평면상 유동전극(300)의 사이에 일정간격으로 배치된 유동전극(300)을 기준으로 수직으로 편이되어 배치된 고정전극(400)이 연결빔(140)으로 서로 연결되어 지지대(110)에 지지되며,
    상기 다이아프램(200)의 내부 영역에는 직경방향과 원주방향으로 연결된 형태, 다각형으로 이루어진 메쉬 형태 중에서 어느 하나의 형태로 이루어진 보강부재(500)가 형성되고,
    상기 다이아프램(200)의 상부에 유동전극(300) 및 보강부재(500)가 형성된 경우에는, 상기 지지대(110) 및 고정전극(400)은 다이아프램(200)을 기준으로 상측에 위치하는 동시에 상기 유동전극(300)을 기준으로 상측으로 편이되며, 상기 지지판(120)은 지지대(110)의 하부에 부착되고, 상기 지지판(120)의 하부에는 앵커(130)가 부착되며, 상기 고정전극(400)이 연결되는 연결빔(140)의 하부에 받침판(150)이 형성되되 상기 받침판(150)의 하부에는 범프(160)가 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰.
  6. 기판(100)에 단부가 고정된 지지대(110)에 평면상 내부가 제거된 지지판(120)이 부착되고, 상기 지지판(120)의 엣지 영역에 앵커(130)가 부착되어 있으며, 상기 앵커(130)에 다이아프램(200)을 지지하고 있는 스프링(210)이 연결된 림(220)이 고정되는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰에 있어서,
    상기 다이아프램(200)의 내부에는 다이아프램(200)이 제거된 영역이 형성되고, 상기 다이아프램(200)이 제거된 영역에는 단부가 다이아프램(200)에 부착된 유동전극(300)이 형성되고, 평면상 유동전극(300)의 사이에 일정간격으로 배치된 유동전극(300)을 기준으로 수직으로 편이되어 배치된 고정전극(400)이 연결빔(140)으로 서로 연결되어 지지대(110)에 지지되며,
    상기 다이아프램(200)의 내부 영역에는 직경방향과 원주방향으로 연결된 형태, 다각형으로 이루어진 메쉬 형태 중에서 어느 하나의 형태로 이루어진 보강부재(500)가 형성되고,
    상기 다이아프램(200)의 상부와 하부에 유동전극(300) 및 보강부재(500)가 형성된 경우에는, 하부의 상기 지지대(110) 및 고정전극(400)은 다이아프램(200)을 기준으로 하측에 위치하는 동시에 상기 유동전극(300)을 기준으로 하측으로 편이되며, 상기 지지판(120)은 지지대(110)의 상부에 부착되고, 상기 지지판(120)의 상부에는 앵커(130)가 부착되며, 상기 고정전극(400)이 연결되는 연결빔(140)의 상부에 받침판(150)이 형성되되 상기 받침판(150)의 상부에는 범프(160)가 형성되는 구조이고, 상부의 상기 지지대(110) 및 고정전극(400)은 다이아프램(200)을 기준으로 상측에 위치하는 동시에 상기 유동전극(300)을 기준으로 상측으로 편이되며, 상기 지지판(120)은 지지대(110)의 하부에 부착되고, 상기 지지판(120)의 하부에는 앵커(130)가 부착되며, 상기 고정전극(400)이 연결되는 연결빔(140)의 하부에 받침판(150)이 형성되되 상기 받침판(150)의 하부에는 범프(160)가 형성되는 구조인 것을 특징으로 하는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 직경방향과 원주방향으로 연결된 형태의 보강부재(500)는 직경방향으로 서로 임의의 간격을 유지하면서 동심으로 형성되는 복수의 제1 보강재(510)와, 원주방향으로 서로 임의의 각도를 유지하면서 방사상으로 연장되는 복수의 제2 보강재(520)가 서로 교차하여 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰.
  8. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다이아프램(200), 스프링(210) 및 림(220)의 두께는 0.3~3㎛이며, 상기 림(220)의 폭은 1~20㎛이고, 상기 스프링(210)의 폭은 2~10㎛이며, 상기 스프링(210) 간의 간격 또는 상기 림(220)과 스프링(210)의 간격 또는 상기 스프링(210)과 다이아프램(200)의 간격은 0.2~1㎛의 범위이고, 상기 다이아프램(200)의 면적은 0.01~4㎟인 것을 특징으로 하는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰.
  9. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유동전극(300)은 다이아프램(200)의 직경방향을 향하는 바(bar)형태, 빗살이 다이아프램(200)의 원주방향으로 배치된 콤(Comb)형태, 다이아프램(200)의 직경방향을 향하는 H형태 중에서 어느 하나의 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰.
  10. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지대(110)는 직경방향과 원주방향으로 연결된 형태, 다각형으로 이루어진 메쉬 형태 중에서 어느 하나의 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰.
  11. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유동전극(300), 고정전극(400), 연결빔(140), 지지대(110) 및 보강부재(500)는 1줄 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MEMS 캐패시티브 마이크로폰.
KR1020190094147A 2019-08-02 2019-08-02 Mems 캐패시티브 마이크로폰 KR102121695B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190094147A KR102121695B1 (ko) 2019-08-02 2019-08-02 Mems 캐패시티브 마이크로폰

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190094147A KR102121695B1 (ko) 2019-08-02 2019-08-02 Mems 캐패시티브 마이크로폰

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102121695B1 true KR102121695B1 (ko) 2020-06-10

Family

ID=71087148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190094147A KR102121695B1 (ko) 2019-08-02 2019-08-02 Mems 캐패시티브 마이크로폰

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102121695B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230199407A1 (en) * 2021-12-17 2023-06-22 Aac Acoustic Technologies (Shenzhen) Co., Ltd. Differential condenser microphone

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7146016B2 (en) 2001-11-27 2006-12-05 Center For National Research Initiatives Miniature condenser microphone and fabrication method therefor
US20120294464A1 (en) 2011-05-16 2012-11-22 American Audio Components Inc. MEMS Microphone
US8422702B2 (en) 2006-12-06 2013-04-16 Electronics And Telecommunications Research Institute Condenser microphone having flexure hinge diaphragm and method of manufacturing the same
US20140197502A1 (en) * 2013-01-16 2014-07-17 Infineon Technologies Ag Comb MEMS Device and Method of Making a Comb MEMS Device
US8921956B2 (en) 2013-01-25 2014-12-30 Infineon Technologies Ag MEMS device having a back plate with elongated protrusions
KR101959675B1 (ko) * 2018-06-05 2019-03-18 김경원 Mems 캐패시티브 마이크로폰

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7146016B2 (en) 2001-11-27 2006-12-05 Center For National Research Initiatives Miniature condenser microphone and fabrication method therefor
US8422702B2 (en) 2006-12-06 2013-04-16 Electronics And Telecommunications Research Institute Condenser microphone having flexure hinge diaphragm and method of manufacturing the same
US20120294464A1 (en) 2011-05-16 2012-11-22 American Audio Components Inc. MEMS Microphone
US20140197502A1 (en) * 2013-01-16 2014-07-17 Infineon Technologies Ag Comb MEMS Device and Method of Making a Comb MEMS Device
US8921956B2 (en) 2013-01-25 2014-12-30 Infineon Technologies Ag MEMS device having a back plate with elongated protrusions
KR101959675B1 (ko) * 2018-06-05 2019-03-18 김경원 Mems 캐패시티브 마이크로폰

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230199407A1 (en) * 2021-12-17 2023-06-22 Aac Acoustic Technologies (Shenzhen) Co., Ltd. Differential condenser microphone
US11765520B2 (en) * 2021-12-17 2023-09-19 Aac Acoustic Technologies (Shenzhen) Co., Ltd. Differential condenser microphone

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5029147B2 (ja) 音響センサ
US9544697B2 (en) Acoustic transducer and microphone
US9351082B2 (en) Capacitance-type transducer
KR100571967B1 (ko) 소형 광대역 변환기
US9549263B2 (en) Acoustic transducer and microphone
US20100176821A1 (en) Acoustic sensor
US8045733B2 (en) Silicon microphone with enhanced impact proof structure using bonding wires
US8913766B2 (en) Acoustic transducers with perforated membranes
KR101607806B1 (ko) 조절 가능한 통기 개구부를 갖는 ｍｅｍｓ 구조물
US20130223023A1 (en) MEMS Structure with Adjustable Ventilation Openings
US8901682B2 (en) Acoustic transducers with perforated membranes
EP3390271B1 (en) Center-fixed mems microphone membrane
JP2007208986A (ja) マイクロマシニング型の素子ならびに相応の製作法
CN109417671B (zh) Mems结构及具有mems结构的电容式传感器、压电型传感器、声音传感器
KR102121695B1 (ko) Mems 캐패시티브 마이크로폰
KR102121696B1 (ko) Mems 캐패시티브 마이크로폰
KR20200105347A (ko) 백 플레이트 및 이를 갖는 멤스 마이크로폰
KR102233599B1 (ko) 압력 센서
JP5267697B2 (ja) 音響センサ
CN114902696A (zh) 微结构及微结构的制造方法
KR101994584B1 (ko) Mems 캐패시티브 마이크로폰
KR101959675B1 (ko) Mems 캐패시티브 마이크로폰
KR101959674B1 (ko) Mems 캐패시티브 마이크로폰
KR101952071B1 (ko) Mems 캐패시티브 마이크로폰
US11237000B1 (en) Disk resonator gyroscope with out-of-plane electrodes

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant