KR102117466B1 - Electronic component package - Google Patents

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KR102117466B1 KR1020150121719A KR20150121719A KR102117466B1 KR 102117466 B1 KR102117466 B1 KR 102117466B1 KR 1020150121719 A KR1020150121719 A KR 1020150121719A KR 20150121719 A KR20150121719 A KR 20150121719A KR 102117466 B1 KR102117466 B1 KR 102117466B1
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    • H03H9/19Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz

Abstract

상부로 개방된 캐비티를 갖는 패키지 바디 및 상기 패키지 바디 상에 배치된 리드를 포함하며, 상기 캐비티는 상기 패키지 바디와 상기 리드의 용융 접합에 의해 밀봉되며, 상기 리드는 지지부재 및 상기 지지부재의 일 측에 배치되어 상기 패키지 바디와의 접합력을 제공하되 표면에 형성된 홈을 갖는 제1 금속층을 포함하는 전자부품 패키지를 제공한다.A package body having a cavity opened upward and a lid disposed on the package body, wherein the cavity is sealed by melt bonding of the package body and the lid, the lid being a support member and one of the support members Provided is an electronic component package including a first metal layer having a groove formed on a surface provided on the side to provide a bonding force with the package body.

Description

전자부품 패키지{ELECTRONIC COMPONENT PACKAGE}Electronic Component Package {ELECTRONIC COMPONENT PACKAGE}

본 발명은 전자부품 패키지에 관한 것이다.
The present invention relates to an electronic component package.

수정 진동자는 뛰어난 압전 특성 및 고정밀 특성으로 인하여 고정밀 주파수가 요구되는 휴대전화기 등의 통신 시스템에 주요 사용되는데, 이러한 수정 진동자는 외부의 환경적 변화나 오염 등에 의하여 동작 효율과 품질에 큰 영향을 받게 되므로, 이를 방지하기 위하여 패키지로서 포장되어 적용되는 것이 일반적이다.
Crystal oscillators are mainly used in communication systems, such as mobile phones, which require high-precision frequencies due to their excellent piezoelectric properties and high-precision characteristics. These crystal oscillators are greatly affected by operating efficiency and quality due to external environmental changes or contamination In order to prevent this, it is generally applied as a package.

일반적으로 이러한 패키지는 수정 진동자 등을 수용하기 위한 캐비티를 구비하는 패키지 바디와 상기 패키지 바디 상에 형성된 리드로 구성되며, 상기 캐비티는 상기 패키지 바디와 상기 리드의 심(seam) 용접 등의 용융 접합에 의해 밀봉된다.
In general, such a package is composed of a package body having a cavity for accommodating a crystal oscillator and the like, and a lead formed on the package body, the cavity being used for melt bonding such as seam welding of the package body and the lead. Is sealed by.

한편, 심 용접은 전류를 리드의 상부에서 리드와 패키지 바디의 접합면으로 흘려주면서 발생되는 줄 열을 이용하여 접합면을 녹여 접합하는 방식이다. 그런데, 종래의 패키지의 경우, 심 용접시 리드 내부로 향하는 불필요한 전류가 상당량 발생하여, 패키지의 내부 응력의 발생을 유발하며, 이로 인해 패키지의 장기 신뢰성이 열화되는 단점이 있었다.
On the other hand, seam welding is a method of melting the joining surface by using the Joule heat generated while flowing current from the top of the lead to the joining surface of the lead and package body. However, in the case of the conventional package, a significant amount of unnecessary current to the inside of the lead is generated during seam welding, which causes generation of internal stress in the package, and this has a disadvantage that long-term reliability of the package is deteriorated.

일본 공개특허공보 특개2003-158211호Japanese Patent Application Publication No. 2003-158211

본 발명의 목적 중 하나는, 장기 신뢰성이 우수한 전자부품 패키지 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
One of the objects of the present invention is to provide an electronic component package having excellent long-term reliability and a method for manufacturing the same.

상술한 과제를 해결하기 위한 방법으로, 본 발명에서는 전자부품 패키지의 신규한 구조를 제안하고자 하며, 구체적으로, 패키지 바디와 리드의 용융 접합에 의해 얻어지는 전자부품 패키지에서, 상기 리드에 형성되어 리드와 패키지 간 접합력을 제공하는 제1 금속층에 홈을 형성함으로써, 장기 신뢰성이 현저히 향상된 전자부품 패키지의 신규한 구조를 제안하고자 한다.
As a method for solving the above-mentioned problems, the present invention intends to propose a new structure of an electronic component package. Specifically, in an electronic component package obtained by melt-bonding a package body and a lead, the lead is formed on the lead and By forming a groove in a first metal layer providing bonding strength between packages, a new structure of an electronic component package with significantly improved long-term reliability is proposed.

본 발명의 여러 효과 중 하나로서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자부품 패키지는 장기 신뢰성이 우수한 장점이 있다.As one of several effects of the present invention, an electronic component package according to an embodiment of the present invention has an advantage of long-term reliability.

다만, 본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
However, various and advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above, and may be more easily understood in the process of describing the specific embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자부품 패키지의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자부품 패키지의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전자부품 패키지의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 전자부품 패키지의 단면도이다.
도 5는 발명 예 1의 리드의 표면을 관찰한 광학현미경 사진이다.
도 6은 발명 예 1의 리드의 표면에 형성된 홈의 두께 측정 결과이다.
1 is a cross-sectional view of an electronic component package according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of an electronic component package according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of an electronic component package according to another embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of an electronic component package according to another embodiment of the present invention.
5 is an optical microscope photograph of the surface of the lead of Inventive Example 1;
6 is a thickness measurement result of the groove formed on the surface of the lead of Inventive Example 1.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시 예를 상세히 설명한다. 본 실시 예들은 다른 형태로 변형되거나 여러 실시 예가 서로 조합될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 예로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 실시 예들은 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 예를 들어, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present embodiments may be modified in different forms, or various embodiments may be combined with each other, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, the present embodiments are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. For example, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity.

한편, 본 명세서에서 사용되는 "일 실시 예(one example)"라는 표현은 서로 동일한 실시 예를 의미하지 않으며, 각각 서로 다른 고유한 특징을 강조하여 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 그러나, 아래 설명에서 제시된 실시 예들은 다른 실시예의 특징과 결합되어 구현되는 것을 배제하지 않는다. 예를 들어, 특정한 실시 예에서 설명된 사항이 다른 실시 예에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 실시 예에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 실시 예에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.
Meanwhile, the expression “one example” used in the present specification does not mean the same embodiment, but is provided to highlight and explain each unique characteristic. However, the embodiments presented in the following description are not excluded from being implemented in combination with features of other embodiments. For example, even if the matter described in a particular embodiment is not described in other embodiments, it may be understood as a description related to another embodiment, unless there is a description contrary to or contradicting the matter in other embodiments.

전자부품 패키지Electronic Component Package

이하에는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자부품 패키지을 설명하되, 특히 그 일 예로서 수정 진동자 패키지로 설명하지만, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, an electronic component package according to an embodiment of the present invention will be described, but the crystal oscillator package is specifically described as an example, but is not limited thereto.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자부품 패키지의 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자부품 패키지의 평면도이다.
1 is a cross-sectional view of an electronic component package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of an electronic component package according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시 예에 따른 전자부품 패키지는 상부로 개방된 캐비티가 형성된 패키지 바디(10)와 상기 패키지 바디(10) 상에 형성된 리드(20)를 포함하고, 상기 캐비티는 상기 패키지 바디(10)와 상기 리드(20)의 용융 접합에 의해 밀봉된다.
1 and 2, the electronic component package according to the present embodiment includes a package body 10 having a cavity opened upward and a lead 20 formed on the package body 10, and the cavity Is sealed by melt bonding of the package body 10 and the lead 20.

패키지 바디(10)와 리드(20)를 용융 접합하기 위한 바람직한 공정의 예로서, 심 용접(seam welding)을 이용할 수 있다. 심 용접은 서로 용접부를 겹치거나 맞대어 붙인 다음 이것을 전극을 이루는 한 쌍의 롤러 전극 사이에 삽입하고, 상기 한 쌍의 롤러 전극에 전류를 통하는 동시에 압력을 가하고, 전극을 회전시키면서 접합선에 따라 연속적으로 접합하는 용접방법이다. 다만, 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 이와 유사한 효과를 보일 수 있는 것이라면 당 기술 분야에서 알려진 다른 공정을 이용할 수도 있을 것이다.
As an example of a preferred process for melt-bonding the package body 10 and the lead 20, seam welding may be used. The seam welding overlaps or abuts the welds to each other and then inserts it between a pair of roller electrodes constituting an electrode, applying current to the pair of roller electrodes while simultaneously applying pressure, and rotating the electrodes continuously along the junction line Is a welding method. However, the present invention is not limited thereto, and other processes known in the art may be used as long as similar effects are exhibited.

패키지 바디(10)는 베이스부(11) 및 상기 베이스부(11)의 주연부 상에 위치하여 전자부품을 수납하기 위한 캐비티를 형성하는 측벽부(12)를 포함한다.
The package body 10 includes a base portion 11 and a side wall portion 12 positioned on a peripheral portion of the base portion 11 to form a cavity for receiving electronic components.

베이스부(11) 및 측벽부(12)는 일체로 이루어질 수 있으며, 절연 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 이와 같이 베이스부(11)와 측벽부(12)가 일체로 이루어질 경우 제작이 용이할 뿐만 아니라, 구조 변경이 필요할 경우 설계상 자유도가 높은 장점이 있다.
The base portion 11 and the side wall portion 12 may be integrally formed, and may be formed of an insulating ceramic material. In this way, when the base portion 11 and the side wall portion 12 are integrally formed, it is not only easy to manufacture, but also has a merit of high degree of freedom in design when a structure change is required.

이와 달리, 베이스부(11) 및 측벽부(12)는 각각 별도로 이루어져 서로 접합되어 있을 수 있으며, 이 경우 상기 베이스부(11)는 절연 세라믹 재질로 형성되고, 상기 측벽부(12)는 절연 세라믹 재질 또는 도전성 금속합금 재질로 형성될 수 있다.
Alternatively, the base portion 11 and the side wall portion 12 may be separately formed and joined to each other. In this case, the base portion 11 is formed of an insulating ceramic material, and the side wall portion 12 is an insulating ceramic. It may be formed of a material or a conductive metal alloy material.

리드(20)는 지지부재(21)와 상기 지지부재(21)의 일 측에 배치되는 제1 금속층(22)을 포함한다.
The lead 20 includes a support member 21 and a first metal layer 22 disposed on one side of the support member 21.

지지부재(21)는 리드(20)에 기계적 강성을 부여하여 상기 리드(20)의 형태를 지지해 주는 역할을 하며, 기계적 강성이 우수하며, 전기 저항이 높아 전기 전도성이 낮은 재질로 이루어질 수 있다.The support member 21 serves to support the shape of the lead 20 by imparting mechanical rigidity to the lead 20, has excellent mechanical rigidity, and can be made of a material having low electrical conductivity due to high electrical resistance. .

구체적인 예로써, 상기 지지부재(21)는 Fe-Ni-Co계 합금인 코바(Kovar) 및 스테인리스 스틸(Stainless Steel, STS)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종일 수 있으나, 빈드시 이에 제한되는 것은 아니다.
As a specific example, the support member 21 may be a type selected from the group consisting of Fe-Ni-Co-based alloy Kovar and stainless steel (STS), but is not limited thereto.

제1 금속층(22)은 용융 접합시 줄열에 의해 용융되어 리드(20)와 패키지 바디(10) 간 접합력을 제공하는 역할을 하며, 용융 접합시 전류를 리드의 상부로부터 리드와 패키지 바디의 접합면으로 용이하게 흐르도록 하기 위해 전기 전도성이 우수하고, 융점이 비교적 낮은 단일 금속 혹은 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.The first metal layer 22 is melted by Joule heat during melt bonding, and serves to provide a bonding force between the lead 20 and the package body 10. When melt-bonding, the current is bonded to the lead and the package body from the top of the lead. It can be made of a single metal or an alloy of excellent electrical conductivity and a relatively low melting point in order to facilitate flow.

구체적인 예로써, 상기 제1 금속층은 Ag-Cu 공정 합금 또는 Au-Sn 공정 합금을 포함할 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
As a specific example, the first metal layer may include an Ag-Cu process alloy or an Au-Sn process alloy, but is not limited thereto.

제1 금속층(22)은 지지부재(21)의 일 측에 클래드화 되어 형성되어 있을 수 있다. 클래드(clad)란 금속판을 적층한 채 압연하여 기계적으로 접착한 것으로, 이 경우, 용융 접합시 가스의 방출량이 적어, 패키지 내부로의 악영향이 적은 장점이 있다.
The first metal layer 22 may be formed by cladding on one side of the support member 21. Clad (clad) is a metal plate laminated and rolled and mechanically adhered. In this case, there is an advantage in that the amount of gas released during melt bonding is small, so that there is little adverse effect on the inside of the package.

도 1을 참조하면, 제1 금속층(22)의 표면에는 전류 흐름 차단을 위한 홈(25)이 형성된다.
Referring to FIG. 1, a groove 25 for blocking current flow is formed on the surface of the first metal layer 22.

만약 상기 제1 금속층이 지지부재(20)의 일 측의 전면에 형성되어 있을 경우, 용융 접합시 리드의 상부로부터 리드와 패키지 바디의 접합면으로 향하는 전류 외에 리드 내부로 향하는 불필요한 전류가 상당량 발생하여, 용융 접합을 위해 요구되는 전류 이상의 과도한 전류를 인가하여야만 하며, 이에 따라 패키지의 내부 응력이 유발되며, 패키지의 장기 신뢰성이 열화되게 된다.
If the first metal layer is formed on the front surface of one side of the support member 20, a considerable amount of unnecessary current flowing into the lead is generated in addition to the current from the upper portion of the lead to the bonding surface of the lead and the package body during melt bonding. , It is necessary to apply an excessive current that is greater than or equal to the current required for melt bonding, thereby causing internal stress of the package and deteriorating long-term reliability of the package.

이에 반해, 본 실시 예에서는, 전술한 바와 같이, 제1 금속층(22)에 홈(25)이 형성되어, 용융 접합시 리드 내부로 향하는 불필요한 전류를 차단함으로써, 패키지의 내부 응력 유발을 최소화할 수 있으며, 이로 인해 패키지의 장기 신뢰성이 향상되게 된다.
On the other hand, in the present embodiment, as described above, the grooves 25 are formed in the first metal layer 22, thereby blocking unnecessary current to the inside of the lead during melt bonding, thereby minimizing the occurrence of internal stress in the package. Thereby, the long-term reliability of the package is improved.

도 1을 참조할 때, 홈(25)은 패키지 바디와 리드의 접합면을 따라 일정 간격 이격되어 형성되어 있을 수 있다.
Referring to FIG. 1, the grooves 25 may be formed to be spaced apart at regular intervals along the bonding surface between the package body and the lid.

패키지 바디(10)의 캐비티에는 전자부품이 수용될 수 있으며, 상기 전자부품은 제1 및 제2 전극패드와 수정편을 포함하는 수정 진동자일 수 있다.
Electronic components may be accommodated in the cavity of the package body 10, and the electronic components may be crystal oscillators including first and second electrode pads and a crystal piece.

도 1 및 도 2에는 도시하지 않았지만, 상기 베이스부(11)의 하면에는 외부로부터 전기신호를 입력받기 위한 복수의 외부전극패드가 구비될 수 있으며, 상기 복수의 외부전극패드 중 하나는 상기 제1 전극패드(31a)와 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 복수의 외부전극패드 중 또 다른 하나는 상기 제2 전극패드(31b)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1, 2 전극패드(31a, 31b)와 외부전극패드의 전기적 연결은 상기 베이스부(11)에 형성된 도전성 비아홀(미도시) 등에 의해 이루어질 수 있다. 또한, 상기 복수의 외부전극패드 중 일부는 접지되는 접지전극으로 이용될 수 있다.
Although not shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of external electrode pads for receiving an electric signal from the outside may be provided on the lower surface of the base portion 11, and one of the plurality of external electrode pads may be the first. The electrode pad 31a may be electrically connected, and another one of the plurality of external electrode pads may be electrically connected to the second electrode pad 31b. Electrical connection between the first and second electrode pads 31a and 31b and the external electrode pad may be made by a conductive via hole (not shown) formed in the base portion 11. In addition, some of the plurality of external electrode pads may be used as grounded electrodes.

제1 및 제2 전극패드(31a, 31b)는 수정편(33)의 상하부 표면에 각각 형성된 전극패턴(34a, 34b)과 전기적으로 연결되어, 수정편(33)에 전기신호를 제공하여 수정편(33)에 압전효과를 발생시키고, 상기 수정편(33)의 압전 효과에 따른 전기신호를 출력하는 수단이 될 수 있다. 상기 제 및 제2 전극패드(31a, 31b)는 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 몰리브덴(Mo)으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속물질을 사용하여 형성될 수 있다.
The first and second electrode pads 31a and 31b are electrically connected to the electrode patterns 34a and 34b respectively formed on the upper and lower surfaces of the crystal piece 33, thereby providing an electrical signal to the crystal piece 33, thereby making the crystal piece It can be a means for generating a piezoelectric effect in (33) and outputting an electrical signal according to the piezoelectric effect of the crystal piece (33). The first and second electrode pads 31a and 31b may be made of a conductive metal material, for example, gold (Au), silver (Ag), tungsten (W), copper (Cu), and molybdenum (Mo). It may be formed using at least one metal material selected from the group.

앞서 설명한 바와 같이, 상기 수정편(33)은, 수정 웨이퍼를 절단 가공하여 제조될 수 있으며, 전기적인 연결을 위해 수정편(33)의 상하부 표면에는 전극패턴(34a, 34b)이 형성될 수 있다. 상기 수정편(33)의 일측은 수정진동자 패키지 내에 고정될 수 있다. 구체적으로, 상기 수정편(33)은, 외부의 전기적 소자들과의 전기적 연결을 위해 상기 베이스부(11) 상에 형성된 제1, 2 전극패드(31a, 31b)와 상기 수정편(33)의 상하부 표면에 형성된 전극패턴이 각각 접촉할 수 있도록 도전성 접착제(32)에 의해 고정될 수 있다. 상기 수정편(21)의 상하 표면에 형성된 전극 패턴은 금(Au), 은(Ag) 등과 같은 금속 재료의 증착에 의해 형성될 수 있다.
As described above, the crystal piece 33 may be manufactured by cutting a crystal wafer, and electrode patterns 34a and 34b may be formed on upper and lower surfaces of the crystal piece 33 for electrical connection. . One side of the crystal piece 33 may be fixed in the crystal oscillator package. Specifically, the crystal piece 33, the first and second electrode pads (31a, 31b) formed on the base portion 11 for electrical connection with external electrical elements and the crystal piece 33 The electrode patterns formed on the upper and lower surfaces may be fixed by the conductive adhesive 32 so that they can contact each other. The electrode pattern formed on the upper and lower surfaces of the crystal piece 21 may be formed by deposition of a metal material such as gold (Au) or silver (Ag).

도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전자부품 패키지의 단면도이다.
3 is a cross-sectional view of an electronic component package according to another embodiment of the present invention.

여기서, 앞서 설명한 일 실시 예와 동일한 구조는 중복을 피하기 위하여 이에 대한 구체적인 설명을 생략하며, 앞서 설명한 실시 예와 상이한 구조를 갖는 리드(20)에 대해 구체적으로 설명한다.
Here, in order to avoid duplication, the same structure as in the above-described embodiment is omitted, and the lead 20 having a different structure from the above-described embodiment will be described in detail.

도 3을 참조하면, 본 실시 예의 리드(20)는 지지부재(21)와 제1 금속층(22)을 포함하고, 상기 지지부재(21)와 제1 금속층(21) 사이에 배치되는 제2 금속층(22)을 더 포함한다.
Referring to FIG. 3, the lead 20 of this embodiment includes a support member 21 and a first metal layer 22, and a second metal layer disposed between the support member 21 and the first metal layer 21 (22) is further included.

제2 금속층(22)은 리드의 열 전도성을 향상시켜 용융 접합시 열에 의한 열 변형을 흡수하는 완충 기능을 수행할 수 있다. 이로 인해 패키지의 내부 응력 발생을 최소화할 수 있으며, 패키지의 장기 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있게 된다.The second metal layer 22 may improve the thermal conductivity of the lead and perform a buffer function to absorb thermal deformation due to heat during melt bonding. Due to this, it is possible to minimize the occurrence of internal stress in the package, and to improve the long-term reliability of the package.

제2 금속층(22)은 열 전도성이 우수한 단일 금속 혹은 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 구체적인 예로써, 상기 제2 금속층은 구리(Cu), 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
The second metal layer 22 may be made of a single metal or an alloy thereof having excellent thermal conductivity. As a specific example, the second metal layer is selected from the group consisting of copper (Cu), tungsten (W), and molybdenum (Mo). It may include one or more, but is not necessarily limited thereto.

제2 금속층(22) 또한 표면에 홈(25)이 형성되며, 도 3을 참조할 때, 홈(25)은 패키지 바디와 리드의 접합면을 따라 일정 간격 이격되어 형성되어 있을 수 있다.
The second metal layer 22 is also formed with grooves 25 on its surface, and when referring to FIG. 3, the grooves 25 may be formed to be spaced apart at regular intervals along the bonding surface of the package body and the lid.

제1 및 제2 금속층(22, 23)은 지지부재(21)의 일 측에 순차로 클래드화 되어 형성되어 있을 수 있다. 클래드(clad)란 금속판을 적층한 채 압연하여 기계적으로 접착한 것으로, 이 경우, 용융 접합시 가스의 방출량이 적어, 패키지 내부로의 악영향이 적은 장점이 있다.
The first and second metal layers 22 and 23 may be formed by being sequentially clad on one side of the support member 21. Clad (clad) is a metal plate laminated and rolled and mechanically adhered. In this case, there is an advantage in that the amount of gas released during melt bonding is small, so that there is little adverse effect on the inside of the package.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 전자부품 패키지의 단면도이다.
4 is a cross-sectional view of an electronic component package according to another embodiment of the present invention.

여기서, 앞서 설명한 일 실시 예와 동일한 구조는 중복을 피하기 위하여 이에 대한 구체적인 설명을 생략하며, 앞서 설명한 실시 예와 상이한 구조를 갖는 리드(20)에 대해 구체적으로 설명한다.
Here, in order to avoid duplication, the same structure as in the above-described embodiment is omitted, and the lead 20 having a different structure from the above-described embodiment will be described in detail.

도 4를 참조하면, 본 실시 예의 리드(20)는 지지부재(21), 상기 지지부재(21)의 일 측에 순차로 형성된 제1 및 제2 금속층(22, 23)을 포함하고, 상기 지지부재(21)의 타 측에 형성된 표면처리층(24)을 더 포함한다.
4, the lead 20 of the present embodiment includes a support member 21, first and second metal layers 22 and 23 sequentially formed on one side of the support member 21, and the support The surface treatment layer 24 formed on the other side of the member 21 is further included.

표면처리층(24)은 리드(20)의 내부식성을 향상시켜 신뢰성을 향상시키는 역할을 할 수 있다.The surface treatment layer 24 may serve to improve reliability by improving the corrosion resistance of the lead 20.

표면처리층(24)은 니켈(Ni), 아연(Zn) 및 텅스텐(W) 등의 화학적으로 안정적인 금속을 포함하는 도금층일 수 있다.
The surface treatment layer 24 may be a plating layer containing a chemically stable metal such as nickel (Ni), zinc (Zn), and tungsten (W).

이하, 본 발명을 실시예를 통하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 이러한 실시예의 기재는 본 발명의 실시를 예시하기 위한 것일 뿐 이러한 실시예의 기재에 의하여 본 발명이 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 권리범위는 특허청구범위에 기재된 사항과 이로부터 합리적으로 유추되는 사항에 의하여 결정되는 것이기 때문이다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples. However, the description of these examples is only for illustrating the practice of the present invention, and the present invention is not limited by the description of these examples. This is because the scope of the present invention is determined by matters described in the claims and reasonably inferred therefrom.

(실시 예)(Example)

지지부재인 코바(Kovar)의 일 면에 구리(Cu)를 포함하는 제2 금속층과 Ag-Cu 공정 합금을 포함하는 제1 금속층이 순차로 형성되고, 타 면에 니켈(Ni) 도금층이 형성된 리드를 준비하였다(종래 예 1 내지 3). 이후, 리드와 패키지 바디의 접합 영역으로부터 패키지 바디 내측으로 약 250μm 이격된 위치(홈의 폭 방향 중심을 기준으로 함)에 전류 흐름 차단을 위한 홈(폭: 약 100μm)을 형성하였다(발명 예 1 내지 3).
Lead having a second metal layer containing copper (Cu) on one side of the support member Kovar and a first metal layer containing Ag-Cu process alloy sequentially formed, and a nickel (Ni) plating layer on the other side Was prepared (Conventional Examples 1 to 3). Thereafter, a groove (width: about 100 μm) for blocking current flow was formed at a position (relative to the center of the width direction of the groove) spaced about 250 μm from the junction region between the lead and the package body (invention example 1). To 3).

도 5는 발명 예 1의 리드의 표면을 관찰한 광학현미경 사진이다. 도 5의 (a) 및 (b)는 각각 100배 및 200배 확대한 사진이다.
5 is an optical microscope photograph of the surface of the lead of Inventive Example 1; 5A and 5B are photographs enlarged by 100 and 200 times, respectively.

도 6은 발명 예 1의 리드의 표면에 형성된 홈의 두께를 3D 프로파일러를 이용하여 측정한 결과이다. 도 6을 참조할 때, 홈의 두께는 제1 및 제2 금속층의 두께와 거의 일치함을 알 수 있다.
6 is a result of measuring the thickness of the groove formed on the surface of the lead of Inventive Example 1 using a 3D profiler. Referring to FIG. 6, it can be seen that the thickness of the groove is substantially the same as the thickness of the first and second metal layers.

이후, 패키지 바디의 상단에 리드를 위치시킨 후, 전기 용접 방식에 의해 가접하였다. 이때, 각각의 실시 예마다 가접 공정시 인가되는 전류만을 달리하였으며, 가접 시간은 3ms로 동일하게 하였다. 가접 후, 리드가 고정되는 경우 "GO", 리드가 고정되지 않는 경우 "NG"로 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
Then, after placing the lead on the top of the package body, it was welded by an electric welding method. At this time, in each embodiment, only the current applied during the welding process was changed, and the welding time was equal to 3 ms. After tacking, it was evaluated as "GO" when the lead is fixed, and "NG" when the lead is not fixed, and the results are shown in Table 1 below.

하기 표 1을 참조할 때, 발명 예의 경우, 가접을 위해 인가해야 하는 전류의 세기가 저감됨을 확인할 수 있으며, 이에 따라 패키지 바디와 리드의 가접시 불가피하게 받게 되는 열충격이 저감될 것임을 예상할 수 있다.
Referring to Table 1 below, in the case of the invention example, it can be confirmed that the intensity of the current to be applied for welding is reduced, and accordingly, it can be expected that the thermal shock that is inevitably received when the package body and the lid are pressed is reduced. .

비고Remark 인가 전류(A)Applied current (A) 평가 결과Evaluation results 종래 예 1Conventional Example 1 143A143A GOGO 종래 예 2Conventional Example 2 139A139A NGNG 종래 예 3Conventional Example 3 134A134A NGNG 발명 예 1Inventive Example 1 143A143A GOGO 발명 예 2Inventive Example 2 139A139A GOGO 발명 예 3Inventive Example 3 134A134A GOGO

이후, 발명 예 2, 발명예 3 및 종래 예 1에 따라 얻어진 시편을 대상으로 장기 보존 후 주파수 변동량을 측정하였으며, 이들의 상대적인 주파수 변동량 결과(종래 예 1에 따른 시편의 주파수 변동량을 100으로 함)를 하기 표 2에 나타내었다.
Subsequently, after the long-term preservation of the specimens obtained according to Inventive Example 2, Inventive Example 3, and Conventional Example 1, the frequency variation was measured, and their relative frequency variation results (the frequency variation of the specimen according to Conventional Example 1 is set to 100). It is shown in Table 2 below.

하기 표 2를 참조할 때, 발명 예의 경우, 장기 보존 후 주파수 변동량이 크게 저감되었는 바 패키지 바디와 리드의 가접시 불가피하게 받게 되는 열충격이 크게 저감되었음을 확인할 수 있으며, 이에 따라, 전자부품 패키지의 장기 신뢰성이 향상될 것임을 예상할 수 있다.
Referring to Table 2 below, in the case of the invention, it can be seen that the frequency fluctuation amount after long-term storage has been greatly reduced, and thus the thermal shock that is inevitably received when the package body and the lead are in contact with each other is greatly reduced. It can be expected that the reliability will be improved.

비고Remark 주파수 변동량Frequency fluctuation 종래 예 1Conventional Example 1 100100 발명 예 2Inventive Example 2 7272 발명 예 3Inventive Example 3 6363

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
The present invention is not limited by the above-described embodiments and the accompanying drawings, but is intended to be limited by the appended claims. Accordingly, various forms of substitution, modification, and modification will be possible by those skilled in the art without departing from the technical spirit of the present invention as set forth in the claims, and this also belongs to the scope of the present invention. something to do.

10: 리드프레임
11: 제1 리드
12: 제2 리드
20: 권선형 코일
30: 바디 영역
10: leadframe
11: first lead
12: Second lead
20: Winding coil
30: body area

Claims (14)

상부로 개방된 캐비티를 갖는 패키지 바디; 및
상기 패키지 바디 상에 배치된 리드를 포함하며,
상기 캐비티는 상기 패키지 바디와 상기 리드의 용융 접합에 의해 밀봉되며,
상기 리드는 지지부재 및 상기 지지부재의 일 측에 배치되어 상기 패키지 바디와의 접합력을 제공하되 표면에 형성된 홈을 갖는 제1 금속층을 포함하는 전자부품 패키지.
A package body having a cavity opened upward; And
It includes a lead disposed on the package body,
The cavity is sealed by melt bonding of the package body and the lid,
The lid is disposed on one side of the support member and the support member to provide a bonding force with the package body, the electronic component package including a first metal layer having a groove formed on the surface.
제1항에 있어서,
상기 홈은, 상기 패키지 바디와 상기 리드의 접합면을 따라 일정 간격 이격되어 형성된 전자부품 패키지.
According to claim 1,
The groove is an electronic component package formed at a predetermined interval along the bonding surface of the package body and the lead.
제1항에 있어서,
상기 패키지 바디와 상기 리드는 심 실링(seam sealing)에 의해 용융 접합된 전자부품 패키지.
According to claim 1,
The package body and the lead are electronic component packages that are melt-bonded by seam sealing.
제1항에 있어서,
상기 지지부재는, 코바(Kovar) 및 스테인리스 스틸(Stainless Steel, STS)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종인 전자부품 패키지.
According to claim 1,
The support member is an electronic component package selected from the group consisting of Kovar and stainless steel (STS).
제1항에 있어서,
상기 제1 금속층은 Ag-Cu 공정 합금 또는 Au-Sn 공정 합금을 포함하는 전자부품 패키지.
According to claim 1,
The first metal layer is an electronic component package comprising an Ag-Cu process alloy or Au-Sn process alloy.
제1항에 있어서,
상기 리드는, 상기 지지부재 및 상기 제1 금속층이 접합되어 형성된 클래드재인 전자부품 패키지.
According to claim 1,
The lead is an electronic component package that is a clad material formed by bonding the support member and the first metal layer.
제1항에 있어서,
상기 지지부재와 제1 금속층 사이에 배치되며 표면에 홈이 형성된 제2 금속층을 더 포함하는 전자부품 패키지.
According to claim 1,
An electronic component package further comprising a second metal layer disposed between the support member and the first metal layer and having a groove formed on the surface.
제7항에 있어서,
상기 제2 금속층은 구리(Cu), 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 전자부품 패키지.
The method of claim 7,
The second metal layer is an electronic component package including one or more selected from the group consisting of copper (Cu), tungsten (W), and molybdenum (Mo).
제7항에 있어서,
상기 리드는, 상기 지지부재, 상기 제2 금속층 및 상기 제1 금속층이 순차로 접합되어 형성된 클래드재인 전자부품 패키지.
The method of claim 7,
The lid is an electronic component package that is a clad material formed by sequentially bonding the support member, the second metal layer, and the first metal layer.
제1항에 있어서,
상기 지지부재의 타 측에 배치된 표면처리층을 더 포함하는 전자부품 패키지.
According to claim 1,
An electronic component package further comprising a surface treatment layer disposed on the other side of the support member.
제10항에 있어서,
상기 표면처리층은 니켈(Ni), 아연(Zn) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 도금층인 전자부품 패키지.
The method of claim 10,
The surface treatment layer is an electronic component package that is a plating layer including one or more selected from the group consisting of nickel (Ni), zinc (Zn), and tungsten (W).
제1항에 있어서,
상기 패키지 바디는,
베이스부; 및
상기 베이스부의 주연부 상에 형성되는 측벽부를 포함하는 전자부품 패키지.
According to claim 1,
The package body,
Base portion; And
An electronic component package including a side wall portion formed on a peripheral portion of the base portion.
제12항에 있어서,
상기 베이스부는 세라믹 재질로 형성되고, 상기 측벽부는 세라믹 재질 또는 도전성 금속합금 재질로 형성되는 전자부품 패키지.
The method of claim 12,
The base portion is formed of a ceramic material, the side wall portion is an electronic component package formed of a ceramic material or a conductive metal alloy material.
제12항에 있어서,
상기 베이스부 상에 배치된 제1 및 제2 전극패드; 및
상기 제1 및 제2 전극패드 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2 전극패드와 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극패턴이 형성된 수정편을 더 포함하는 전자부품 패키지.
The method of claim 12,
First and second electrode pads disposed on the base portion; And
An electronic component package further comprising a crystal piece disposed on the first and second electrode pads and having first and second electrode patterns electrically connected to the first and second electrode pads.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018182574A (en) * 2017-04-14 2018-11-15 株式会社村田製作所 Piezoelectric vibrator and electronic component
WO2021117272A1 (en) * 2019-12-09 2021-06-17 株式会社村田製作所 Resonance device and method for manufacturing same
CN112490194A (en) * 2020-11-03 2021-03-12 合肥中航天成电子科技有限公司 Parallel seam welding packaging shell

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010057011A (en) * 2008-08-29 2010-03-11 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Piezoelectric device, and method for manufacturing the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003158211A (en) 2001-11-19 2003-05-30 Daishinku Corp Package for electronic component and piezoelectric vibration device using the same
JP2004186269A (en) * 2002-11-29 2004-07-02 Ngk Spark Plug Co Ltd Method for manufacturing ceramic electronic parts
JP4071191B2 (en) * 2003-12-22 2008-04-02 田中貴金属工業株式会社 Electronic component package lid
JP2008005331A (en) * 2006-06-23 2008-01-10 Kyocera Kinseki Corp Piezoelectric vibrator
JP2009295780A (en) * 2008-06-05 2009-12-17 Daishinku Corp Method of manufacturing surface-mounted type electronic component
EP2919263B1 (en) * 2012-11-12 2021-08-18 Hitachi Metals, Ltd. Cover material for hermetic sealing of a package

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010057011A (en) * 2008-08-29 2010-03-11 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Piezoelectric device, and method for manufacturing the same

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