KR102115474B1 - Organic light emitting diode display - Google Patents
Organic light emitting diode display Download PDFInfo
- Publication number
- KR102115474B1 KR102115474B1 KR1020130159624A KR20130159624A KR102115474B1 KR 102115474 B1 KR102115474 B1 KR 102115474B1 KR 1020130159624 A KR1020130159624 A KR 1020130159624A KR 20130159624 A KR20130159624 A KR 20130159624A KR 102115474 B1 KR102115474 B1 KR 102115474B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- line
- transistor
- driving
- light emitting
- organic light
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 210
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 54
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 53
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 101150037603 cst-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007611 Zn—In—O Inorganic materials 0.000 description 1
- GWQGFBOINSFOEJ-UHFFFAOYSA-N [Ge]=O.[In] Chemical compound [Ge]=O.[In] GWQGFBOINSFOEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWXIRYKCFANFRC-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[Al+3].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[Al+3].[In+3] KWXIRYKCFANFRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHOPVYQBMLTWBB-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Al+3].[Sn+4].[In+3].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2] Chemical compound [O-2].[Al+3].[Sn+4].[In+3].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2] YHOPVYQBMLTWBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWTYVENYAIZTAE-UHFFFAOYSA-N [Zr].[Sn]=O.[In] Chemical compound [Zr].[Sn]=O.[In] AWTYVENYAIZTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCOSNLGKHNWDQR-UHFFFAOYSA-N germanium;indium;oxotin Chemical compound [Ge].[In].[Sn]=O WCOSNLGKHNWDQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMCMKBBLRYJDNO-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) tantalum(5+) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[In+3].[Ta+5] WMCMKBBLRYJDNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJZPJSFRSAHQNT-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[Zr+4].[In+3] HJZPJSFRSAHQNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YSRUGFMGLKANGO-UHFFFAOYSA-N zinc hafnium(4+) indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[In+3].[Hf+4] YSRUGFMGLKANGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPCPDIFRZGJVCE-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) titanium(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[In+3].[Ti+4] OPCPDIFRZGJVCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGYZOYLDGKIWST-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Zr+4].[In+3] VGYZOYLDGKIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
- G09G2330/028—Generation of voltages supplied to electrode drivers in a matrix display other than LCD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 스캔 신호를 전달하는 스캔선, 상기 스캔선과 교차하며 데이터 신호를 전달하는 데이터선, 상기 데이터선과 교차하며 구동 전압을 전달하는 구동 전압선, 상기 스캔선 및 상기 데이터선과 연결되어 있는 스위칭 트랜지스터, 상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 구동 전압선 각각과 연결되어 있으며 상기 스위칭 트랜지스터의 스위칭 반도체층과 동일한 층에 형성되어 있는 구동 반도체층을 포함하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터에 연결되어 있는 유기 발광 다이오드를 포함한다.The organic light emitting display device includes a substrate, a scan line formed on the substrate and transmitting a scan signal, a data line crossing the scan line and transmitting a data signal, a driving voltage line crossing the data line and transmitting a driving voltage, and the scan line And a driving transistor connected to the data line, a driving semiconductor layer connected to each of the switching transistor and the driving voltage line, and formed on the same layer as the switching semiconductor layer of the switching transistor. It includes an organic light emitting diode.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device.
유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.The organic light emitting diode display includes two electrodes and an organic emission layer positioned between them, and electrons injected from one electrode and holes injected from another electrode are combined in the organic emission layer to exciton. And emits light while emitting excitons.
이러한 유기 발광 표시 장치는 자발광 소자인 유기 발광 다이오드를 포함하는 복수개의 화소를 포함하며, 각 화소에는 유기 발광 다이오드를 구동하기 위한 복수개의 트랜지스터 및 스토리지 커패시터(Storage capacitor)가 형성되어 있다. 복수개의 트랜지스터는 기본적으로 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함한다.The organic light emitting diode display includes a plurality of pixels including an organic light emitting diode, which is a self-emission element, and a plurality of transistors and storage capacitors for driving the organic light emitting diodes are formed in each pixel. The plurality of transistors basically includes a switching transistor and a driving transistor.
유기 발광 다이오드에 흐르는 구동 전류(Id)에 따라 유기 발광 다이오드가 발광하는 빛이 검은색(black)에서 흰색(white)으로 표현될 때, 검은색을 표현하는 게이트 전압과 흰색을 표현하는 게이트 전압간의 간격을 게이트 전압의 구동 범위로 정의한다. 유기 발광 표시 장치는 고해상도로 갈수록 하나의 화소의 크기가 작아지므로 화소당 흐르는 전류량이 감소하여 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압의 구동 범위(driving range)가 좁아지게 된다. 따라서, 풍부한 계조를 가지도록 구동 트랜지스터에 인가되는 게이트 전압(Vgs)의 크기를 조절하는 것은 어렵게 된다.When the light emitted by the organic light emitting diode is expressed from black to white according to the driving current (Id) flowing through the organic light emitting diode, between the gate voltage expressing black and the gate voltage expressing white The interval is defined as the driving range of the gate voltage. Since the size of one pixel decreases as the resolution increases, the amount of current flowing per pixel decreases, and the driving range of the gate voltage applied to the gate electrode of the driving transistor is narrowed. Therefore, it is difficult to adjust the magnitude of the gate voltage Vgs applied to the driving transistor to have a rich gradation.
또한, 유기 발광 표시 장치는 고해상도로 갈수록 하나의 화소의 크기가 작아져서 이웃하는 배선간의 간격이 좁아져 이웃하는 배선간에 단락(short) 등의 불량이 발생하기 쉽다. In addition, in the organic light emitting display device, as the resolution increases, the size of one pixel becomes smaller, so that the distance between neighboring wires becomes narrow, and defects such as shorts are likely to occur between neighboring wires.
본 발명의 과제는, 고해상도 구현이 가능한 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of realizing high resolution.
본 발명의 일 측면은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 스캔 신호를 전달하는 스캔선, 상기 스캔선과 교차하며 데이터 신호를 전달하는 데이터선, 상기 데이터선과 교차하며 구동 전압을 전달하는 구동 전압선, 상기 스캔선 및 상기 데이터선과 연결되어 있는 스위칭 트랜지스터, 상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 구동 전압선 각각과 연결되어 있으며 상기 스위칭 트랜지스터의 스위칭 반도체층과 동일한 층에 형성되어 있는 구동 반도체층을 포함하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터에 연결되어 있는 유기 발광 다이오드를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.An aspect of the present invention is a substrate, a scan line formed on the substrate and transmitting a scan signal, a data line crossing the scan line and transmitting a data signal, a driving voltage line crossing the data line and transmitting a driving voltage, the scan A driving transistor including a switching transistor connected to the line and the data line, a driving semiconductor layer connected to each of the switching transistor and the driving voltage line and formed on the same layer as the switching semiconductor layer of the switching transistor, to the driving transistor An organic light emitting display device including a connected organic light emitting diode is provided.
상기 구동 전압선은 상기 데이터선 및 상기 스캔선 각각과 다른 층에 위치할 수 있다.The driving voltage line may be located on a different layer from each of the data line and the scan line.
상기 구동 전압선은, 상기 데이터선의 일 부분과 교차하는 제1 서브 제어선, 상기 데이터선의 타 부분과 교차하는 제2 서브 제어선, 상기 제1 서브 제어선과 상기 제2 서브 제어선 사이를 연결하는 연결선을 포함할 수 있다.The driving voltage line may include a first sub-control line intersecting a portion of the data line, a second sub-control line intersecting the other portion of the data line, and a connection line connecting the first sub-control line and the second sub-control line It may include.
상기 구동 트랜지스터와 상기 유기 발광 다이오드 사이에 연결되어 있으며, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 구동 반도체층과 동일한 층에 형성되어 있는 바이패스 반도체층을 포함하는 바이패스 트랜지스터, 상기 스캔선과 다른 층에 형성되며, 상기 바이패스 트랜지스터의 바이패스 게이트 전극과 연결되어 바이패스 신호를 전달하는 바이패스 제어선을 더 포함할 수 있다.It is connected between the driving transistor and the organic light emitting diode, and the organic light emitting display device is a bypass transistor including a bypass semiconductor layer formed on the same layer as the driving semiconductor layer, and is formed on a different layer from the scan line. , A bypass control line connected to the bypass gate electrode of the bypass transistor to transmit a bypass signal may be further included.
상기 바이패스 제어선은 상기 구동 전압선과 동일한 층에 형성될 수 있다.The bypass control line may be formed on the same layer as the driving voltage line.
상기 바이패스 게이트 전극은 상기 바이패스 반도체층과 상기 기판 사이에 위치할 수 있다.The bypass gate electrode may be positioned between the bypass semiconductor layer and the substrate.
상기 바이패스 게이트 전극을 덮고 있는 제1 게이트 절연막, 상기 바이패스 반도체층 및 상기 스위칭 반도체층을 덮고 있는 제2 게이트 절연막, 상기 스위칭 반도체층 상에 위치하는 상기 스위칭 박막트랜지스터의 스위칭 게이트 전극을 순차적으로 덮고 있는 제3 게이트 절연막 및 층간 절연막을 더 포함하고, 상기 데이터선은 상기 층간 절연막 상에 위치할 수 있다.The first gate insulating film covering the bypass gate electrode, the bypass semiconductor layer and the second gate insulating film covering the switching semiconductor layer, and the switching gate electrode of the switching thin film transistor positioned on the switching semiconductor layer sequentially. A third gate insulating layer and an interlayer insulating layer may be further included, and the data line may be positioned on the interlayer insulating layer.
상기 제1 게이트 절연막은 상기 바이패스 제어선 및 상기 구동 전압선을 직접 덮을 수 있다.The first gate insulating layer may directly cover the bypass control line and the driving voltage line.
상기 제3 게이트 절연막은 상기 스캔선을 직접 덮을 수 있다.The third gate insulating layer may directly cover the scan line.
상기 제2 게이트 절연막 상에 형성되어 있으며 상기 구동 반도체층과 중첩하고 있는 제1 스토리지 축전판, 상기 제1 스토리지 축전판을 덮고 있는 상기 제3 게이트 절연막 상에 형성되어 있으며 상기 제1 스토리지 축전판과 중첩하고 있는 제2 스토리지 축전판을 포함하는 스토리지 커패시터를 더 포함하고, 상기 제1 스토리지 축전판은 상기 구동 트랜지스터의 구동 게이트 전극일 수 있다.The first storage capacitor plate is formed on the second gate insulating layer and overlaps the driving semiconductor layer, and is formed on the third gate insulating layer covering the first storage capacitor plate and the first storage capacitor plate. A storage capacitor including a second storage capacitor plate overlapping each other, and the first storage capacitor plate may be a driving gate electrode of the driving transistor.
상기 제2 스토리지 축전판은 상기 구동 전압선의 상기 연결선과 연결될 수 있다.The second storage capacitor plate may be connected to the connection line of the driving voltage line.
상기 제2 스토리지 축전판은 상기 제1 스토리지 축전판 대비 큰 면적을 가지고 있으며, 상기 연결선과 연결되는 상기 제2 스토리지 축전판의 일 부분은 상기 제1 스토리지 축전판과 비중첩될 수 있다.The second storage capacitor plate has a larger area than the first storage capacitor plate, and a portion of the second storage capacitor plate connected to the connection line may be non-overlapping with the first storage capacitor plate.
상기 스캔 신호에 따라 턴온되어 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하며 상기 구동 트랜지스터에 연결되어 있는 보상 트랜지스터, 상기 층간 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 보상 트랜지스터의 보상 반도체층과 상기 구동 게이트 전극을 서로 연결하고 있는 연결 부재를 더 포함할 수 있다.Turned on according to the scan signal to compensate for a threshold voltage of the driving transistor, a compensation transistor connected to the driving transistor, and formed on the interlayer insulating layer, and connecting the compensation semiconductor layer and the driving gate electrode of the compensation transistor to each other It may further include a connecting member.
상기 연결 부재는 상기 데이터선과 동일한 층에 위치할 수 있다.The connecting member may be located on the same layer as the data line.
상기 층간 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 구동 트랜지스터를 초기화시키는 초기화 전압을 전달하는 초기화 전압선, 상기 이전 스캔 신호에 따라 턴온되어 상기 초기화 전압을 상기 구동 게이트 전극에 전달하는 초기화 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.An initialization voltage line formed on the interlayer insulating layer and transmitting an initialization voltage for initializing the driving transistor, and an initialization transistor turned on according to the previous scan signal to transfer the initialization voltage to the driving gate electrode may be further included.
발광 제어 신호를 전달하는 발광 제어선을 더 포함하며, 상기 발광 제어선에 의해 전달된 상기 발광 제어 신호에 의해 턴온되어 상기 구동 전압을 상기 구동 트랜지스터로 전달하는 동작 제어 트랜지스터, 상기 발광 제어 신호에 의해 턴온되어 상기 구동 전압을 상기 구동 트랜지스터에서 상기 유기 발광 다이오드로 전달하는 발광 제어 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.Further comprising a light emission control line for transmitting a light emission control signal, the operation control transistor is turned on by the light emission control signal transmitted by the light emission control line to transmit the driving voltage to the driving transistor, by the light emission control signal A light emitting control transistor that is turned on and transfers the driving voltage from the driving transistor to the organic light emitting diode may further include.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 고해상도 구현이 가능한 유기 발광 표시 장치가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, an organic light emitting display device capable of realizing high resolution is provided.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 복수개의 트랜지스터 및 커패시터를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 도 2의 구체적인 배치도이다.
도 4는 도 3의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV선을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 도 3의 유기 발광 표시 장치를 V-V'선 및 V'-V"선을 따라 자른 단면도이다.1 is an equivalent circuit diagram of one pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a diagram schematically illustrating a plurality of transistors and capacitors of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a detailed layout view of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 3 taken along line IV-IV.
FIG. 5 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 3 taken along line V-V' and V'-V".
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art to which the present invention pertains can easily practice. The present invention can be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar elements throughout the specification.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In addition, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to what is illustrated.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.In the drawings, thicknesses are enlarged to clearly represent various layers and regions. In the drawings, thicknesses of some layers and regions are exaggerated for convenience of description. When a portion of a layer, film, region, plate, or the like is said to be "above" or "on" another portion, this includes not only the case where the other portion is "directly above" but also another portion in the middle.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "~상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.Also, in the specification, when a part “includes” a certain component, this means that other components may be further included instead of excluding other components, unless otherwise stated. In addition, in the whole specification, "~top" means that it is located above or below the target part, and does not necessarily mean that it is located on the upper side based on the direction of gravity.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.In addition, throughout the specification, when referred to as "planar", this means when the object part is viewed from above, and when it is referred to as "cross-sectional", it means when the cross section of the object part vertically cut is viewed from the side.
그러면 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 1 내지 도 5를 참고로 상세하게 설명한다.Then, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 5.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다. 여기서 화소란 이미지를 표시하는 최소 단위를 의미한다.1 is an equivalent circuit diagram of one pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention. Here, the pixel means a minimum unit for displaying an image.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소(1)는 복수의 신호선(121, 122, 123, 124, 118, 171, 112), 복수의 신호선에 연결되어 있는 복수개의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7), 스토리지 커패시터(storage capacitor, Cst) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)를 포함한다.As illustrated in FIG. 1, one
트랜지스터는 구동 트랜지스터(driving thin film transistor)(T1), 스위칭 트랜지스터(switching thin film transistor)(T2), 보상 트랜지스터(T3), 초기화 트랜지스터(T4), 동작 제어 트랜지스터(T5), 발광 제어 트랜지스터(T6) 및 바이패스 트랜지스터(T7)를 포함한다.Transistors include driving thin film transistor (T1), switching thin film transistor (T2), compensation transistor (T3), initialization transistor (T4), operation control transistor (T5), and light emission control transistor (T6) ) And bypass transistor T7.
신호선은 스캔 신호(Sn)를 전달하는 스캔선(121), 초기화 트랜지스터(T4)에 이전 스캔 신호(Sn-1)를 전달하는 이전 스캔선(122), 동작 제어 트랜지스터(T5) 및 발광 제어 트랜지스터(T6)에 발광 제어 신호(En)를 전달하는 발광 제어선(123), 구동 트랜지스터(T1)를 초기화하는 초기화 전압(Vint)을 전달하는 초기화 전압선(124), 바이패스 트랜지스터(T7)에 바이패스 신호(BP)를 전달하는 바이패스 제어선(118), 스캔선(121)과 교차하며 데이터 신호(Dm)를 전달하는 데이터선(171), 구동 전압(ELVDD)을 전달하며 데이터선(171)과 교차하는 구동 전압선(112)을 포함한다. The signal line includes a
구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 일단(Cst1)과 연결되어 있고, 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)은 동작 제어 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동 전압선(112)과 연결되어 있으며, 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1)은 발광 제어 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드(anode)와 전기적으로 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(T1)는 스위칭 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터 신호(Dm)를 전달받아 유기 발광 다이오드(OLED)에 구동 전류(Id)를 공급한다.The gate electrode G1 of the driving transistor T1 is connected to one end Cst1 of the storage capacitor Cst, and the source electrode S1 of the driving transistor T1 is a driving voltage line via the operation control transistor T5. It is connected to 112, and the drain electrode D1 of the driving transistor T1 is electrically connected to the anode of the organic light emitting diode OLED via the light emission control transistor T6. The driving transistor T1 receives the data signal Dm according to the switching operation of the switching transistor T2 and supplies the driving current Id to the organic light emitting diode OLED.
스위칭 트랜지스터(T2)의 게이트 전극(G2)은 스캔선(121)과 연결되어 있고, 스위칭 트랜지스터(T2)의 소스 전극(S2)은 데이터선(171)과 연결되어 있으며, 스위칭 트랜지스터(T2)의 드레인 전극(D2)은 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)과 연결되어 있으면서 동작 제어 트랜지스터(T5)을 경유하여 구동 전압선(112)과 연결되어 있다. 이러한 스위칭 트랜지스터(T2)는 스캔선(121)을 통해 전달받은 스캔 신호(Sn)에 따라 턴온되어 데이터선(171)으로 전달된 데이터 신호(Dm)을 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극으로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.The gate electrode G2 of the switching transistor T2 is connected to the
보상 트랜지스터(T3)의 게이트 전극(G3)은 스캔선(121)과 직접 연결되어 있고, 보상 트랜지스터(T3)의 소스 전극(S3)은 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1)과 연결되어 있으면서 발광 제어 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드(anode)와 연결되어 있으며, 보상 트랜지스터(T3)의 드레인 전극(D3)은 스토리지 커패시터(Cst)의 일단(Cst1), 초기화 트랜지스터(T4)의 드레인 전극(D4) 및 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 함께 연결되어 있다. 이러한 보상 트랜지스터(T3)는 스캔선(121)을 통해 전달받은 스캔 신호(Sn)에 따라 턴온되어 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)과 드레인 전극(D1)을 서로 연결하여 구동 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킨다. The gate electrode G3 of the compensation transistor T3 is directly connected to the
초기화 트랜지스터(T4)의 게이트 전극(G4)은 이전 스캔선(122)과 연결되어 있고, 초기화 트랜지스터(T4)의 소스 전극(S4)은 초기화 전압선(124)과 연결되어 있으며, 초기화 트랜지스터(T4)의 드레인 전극(D4)은 스토리지 커패시터(Cst)의 일단(Cst1), 보상 트랜지스터(T3)의 드레인 전극(D3) 및 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 함께 연결되어 있다. 이러한 초기화 트랜지스터(T4)는 이전 스캔선(122)을 통해 전달받은 이전 스캔 신호(Sn-1)에 따라 턴온되어 초기화 전압(Vint)을 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 전달하여 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)의 전압을 초기화시키는 초기화 동작을 수행한다. The gate electrode G4 of the initialization transistor T4 is connected to the
동작 제어 트랜지스터(T5)의 게이트 전극(G5)은 발광 제어선(123)과 연결되어 있으며, 동작 제어 트랜지스터(T5)의 소스 전극(S5)은 구동 전압선(112)과 연결되어 있고, 동작 제어 트랜지스터(T5)의 드레인 전극(D5)은 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1) 및 스위칭 트랜지스터(T2)의 드레인 전극(S2)에 연결되어 있다.The gate electrode G5 of the operation control transistor T5 is connected to the
발광 제어 트랜지스터(T6)의 게이트 전극(G6)은 발광 제어선(123)과 연결되어 있으며, 발광 제어 트랜지스터(T6)의 소스 전극(S6)은 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1) 및 보상 트랜지스터(T3)의 소스 전극(S3)과 연결되어 있고, 발광 제어 트랜지스터(T6)의 드레인 전극(D6)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드(anode)와 전기적으로 연결되어 있다. 이러한 동작 제어 트랜지스터(T5) 및 발광 제어 트랜지스터(T6)는 발광 제어선(123)을 통해 전달받은 발광 제어 신호(En)에 따라 동시에 턴온되어 구동 전압(ELVDD)이 유기 발광 다이오드(OLED)에 전달되어 유기 발광 다이오드(OLED)에 발광 전류(Ioled)가 흐르게 된다.The gate electrode G6 of the light emission control transistor T6 is connected to the light
바이패스 트랜지스터(T7)의 게이트 전극(G7)은 바이패스 제어선(118)과 연결되어 있고, 바이패스 트랜지스터(T7)의 소스 전극(S7)은 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 드레인 전극(D6) 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드와 함께 연결되어 있고, 바이패스 트랜지스터(T7)의 드레인 전극(D7)은 초기화 전압선(124) 및 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 소스 전극(S4)에 함께 연결되어 있다. The gate electrode G7 of the bypass transistor T7 is connected to the
스토리지 커패시터(Cst)의 타단(Cst2)은 구동 전압선(112)과 연결되어 있으며, 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드(cathode)는 공통 전압(ELVSS)과 연결되어 있다. 이에 따라, 유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(T1)로부터 발광 전류(Ioled)를 전달받아 발광함으로써 화상을 표시한다.The other end Cst2 of the storage capacitor Cst is connected to the driving
이하에서 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소의 구체적인 동작 과정을 상세히 설명한다.Hereinafter, a detailed operation process of one pixel of the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention will be described in detail.
우선, 초기화 기간 동안 이전 스캔선(122)을 통해 로우 레벨(low level)의 이전 스캔 신호(Sn-1)가 공급된다. 그러면, 로우 레벨의 이전 스캔 신호(Sn-1)에 대응하여 초기화 트랜지스터(T4)가 턴온(Turn on)되며, 초기화 전압선(124)으로부터 초기화 트랜지스터(T4)를 통해 초기화 전압(Vint)이 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 연결되고, 초기화 전압(Vint)에 의해 구동 트랜지스터(T1)가 초기화된다. First, a low level previous scan signal Sn-1 is supplied through the
이 후, 데이터 프로그래밍 기간 중 스캔선(121)을 통해 로우 레벨의 스캔 신호(Sn)가 공급된다. 그러면, 로우 레벨의 스캔 신호(Sn)에 대응하여 스위칭 트랜지스터(T2) 및 보상 트랜지스터(T3)가 턴온된다.Thereafter, a scan signal Sn having a low level is supplied through the
이 때, 구동 트랜지스터(T1)는 턴온된 보상 트랜지스터(T3)에 의해 다이오드 연결되고, 순방향으로 바이어스 된다.At this time, the driving transistor T1 is diode-connected by the turned-on compensation transistor T3 and biased in the forward direction.
그러면, 데이터선(171)으로부터 공급된 데이터 신호(Dm)에서 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Threshold voltage, Vth)만큼 감소한 보상 전압(Dm+Vth, Vth는 (-)의 값)이 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 인가된다. Then, in the data signal Dm supplied from the
스토리지 커패시터(Cst)의 양단에는 구동 전압(ELVDD)과 보상 전압(Dm+Vth)이 인가되고, 스토리지 커패시터(Cst)에는 양단 전압 차에 대응하는 전하가 저장된다. 이 후, 발광 기간 동안 발광 제어선(123)으로부터 공급되는 발광 제어 신호(En)가 하이 레벨에서 로우 레벨로 변경된다. 그러면, 발광 기간 동안 로우 레벨의 발광 제어 신호(En)에 의해 동작 제어 트랜지스터(T5) 및 발광 제어 트랜지스터(T6)가 턴온된다.The driving voltage ELVDD and the compensation voltage Dm+Vth are applied to both ends of the storage capacitor Cst, and charges corresponding to the voltage difference between the two ends are stored in the storage capacitor Cst. Thereafter, the light emission control signal En supplied from the light
그러면, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극의 전압과 구동 전압(ELVDD) 간의 전압차에 따르는 구동 전류(Id)가 발생하고, 발광 제어 트랜지스터(T6)를 통해 구동 전류(Id)가 유기 발광 다이오드(OLED)에 공급된다. 발광 기간 동안 스토리지 커패시터(Cst)에 의해 구동 트랜지스터(T1)의 게이트-소스 전압(Vgs)은 '(Dm+Vth)-ELVDD'으로 유지되고, 구동 트랜지스터(T1)의 전류-전압 관계에 따르면, 구동 전류(Id)는 소스-게이트 전압에서 문턱 전압을 차감한 값의 제곱 '(Dm-ELVDD)2'에 비례한다. 따라서 구동 전류(Id)는 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)에 관계 없이 결정된다.Then, a driving current Id corresponding to a voltage difference between the voltage of the gate electrode of the driving transistor T1 and the driving voltage ELVDD is generated, and the driving current Id is generated through the light emission control transistor T6. OLED). During the light emission period, the gate-source voltage Vgs of the driving transistor T1 is maintained at'(Dm+Vth)-ELVDD' by the storage capacitor Cst, and according to the current-voltage relationship of the driving transistor T1, The driving current Id is proportional to the square'(Dm-ELVDD) 2 'of the value obtained by subtracting the threshold voltage from the source-gate voltage. Therefore, the driving current Id is determined regardless of the threshold voltage Vth of the driving transistor T1.
이 때, 바이패스 트랜지스터(T7)는 바이패스 제어선(118)으로부터 바이패스 신호(BP)를 전달받는다. 바이패스 신호(BP)는 바이패스 트랜지스터(T7)를 항상 오프시킬 수 있는 소정 레벨의 전압으로서, 바이패스 트랜지스터(T7)는 트랜지스터 오프 레벨의 전압을 게이트 전극(G7)에 전달받게 됨으로써, 바이패스 트랜지스터(T7)가 항상 오프되고, 오프된 상태에서 구동 전류(Id)의 일부는 바이패스 전류(Ibp)로 바이패스 트랜지스터(T7)를 통해 빠져나가게 된다.At this time, the bypass transistor T7 receives the bypass signal BP from the
따라서, 블랙 영상을 표시하는 구동 전류가 흐를 경우에 구동 전류(Id)로부터 바이패스 트랜지스터(T7)를 통해 빠져나온 바이패스 전류(Ibp)의 전류량만큼 감소된 유기 발광 다이오드의 발광 전류(Ioled)는 블랙 영상을 확실하게 표현할 수 있는 수준으로 최소의 전류량을 가지게 된다. 따라서, 바이패스 트랜지스터(T7)를 이용하여 정확한 블랙 휘도 영상을 구현하여 콘트라스트비를 향상시킬 수 있다.Accordingly, when the driving current for displaying the black image flows, the emission current Ioled of the organic light emitting diode reduced by the current amount of the bypass current Ibp exiting through the bypass transistor T7 from the driving current Id is It has the minimum amount of current to the level that can express black images with certainty. Therefore, an accurate black luminance image may be implemented using the bypass transistor T7 to improve the contrast ratio.
그러면 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치의 화소의 상세 구조에 대하여 도 2 내지 도 5를 도 1과 함께 참고하여 상세하게 설명한다.Then, the detailed structure of the pixel of the organic light emitting display device shown in FIG. 1 will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 5 together with FIG. 1.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 복수개의 트랜지스터 및 커패시터를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 3은 도 2의 구체적인 배치도이고, 도 4는 도 3의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV선을 따라 자른 단면도이고, 도 5는 도 3의 유기 발광 표시 장치를 V-V'선 및 V'-V"선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 2 is a diagram schematically showing a plurality of transistors and capacitors of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 3 is a specific layout of FIG. 2, and FIG. 4 is an organic light emitting display of FIG. 3. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line IV-IV, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line V-V' and V'-V" of the organic light emitting diode display of FIG. 3.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 스캔 신호(Sn), 이전 스캔 신호(Sn-1), 발광 제어 신호(En), 바이패스 신호(BP), 구동 전압(ELVDD) 각각을 인가하며 행 방향을 따라 형성되어 있는 스캔선(121), 이전 스캔선(122), 발광 제어선(123), 바이패스 제어선(118), 구동 전압선(112) 각각을 포함하고, 스캔선(121), 이전 스캔선(122), 발광 제어선(123), 바이패스 제어선(118), 구동 전압선(112)과 교차하고 있으며 화소에 데이터 신호(Dm)를 인가하는 데이터선(171)을 포함한다. 초기화 전압(Vint)은 초기화 전압선(124)을 통해 유기 발광 다이오드(OLED)로부터 초기화 트랜지스터(T4)를 거쳐 구동 트랜지스터(T1)로 전달된다. As illustrated in FIG. 2, the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a scan signal Sn, a previous scan signal Sn-1, a light emission control signal En, a bypass signal BP, Each of the
구동 전압선(112)은 데이터선(171)과 교차하고 있으며, 데이터선(171), 스캔선(121), 이전 스캔선(121) 각각과 다른 층에 위치하고 있다. 구동 전압선(112)은 데이터선(171)의 일 부분과 교차하는 제1 서브 제어선(112a), 데이터선(171)의 타 부분과 교차하는 제2 서브 제어선(112b), 제1 서브 제어선(112a)과 제2 서브 제어선(112b) 사이를 연결하는 연결선(112c)을 포함한다. The driving
제1 서브 제어선(112a), 연결선(112c), 제2 서브 제어선(112b)은 행 방향으로 사다리 형태를 이루고 있으며, 이로 인해 구동 전압선(112)을 통하는 구동 전압(ELVDD)에 전압 강하가 발생되는 것이 억제된다.The first
또한, 구동 전압선(112) 및 바이패스 제어선(118)은 동일한 층에 형성되는 동시에 행 방향으로 형성된 스캔선(121), 이전 스캔선(121), 발광 제어선(123) 각각과 다른 층에 형성됨으로써, 이웃하는 행 방향으로 형성된 신호선 간의 간격을 최소화할 수 있다. 이로 인해 설정된 면적에 보다 많은 개수의 화소를 형성하여 고해상도의 유기 발광 표시 장치를 형성할 수 있다.In addition, the driving
또한, 이웃하는 행 방향으로 형성된 신호선 간의 간격을 최소화더라도, 구동 전압선(112) 및 바이패스 제어선(118)이 동일한 층에 형성되는 동시에 행 방향으로 형성된 스캔선(121), 이전 스캔선(121), 발광 제어선(123) 각각과 다른 층에 형성되어 있기 때문에, 이웃하는 신호선 간의 단락이 최소화된다.In addition, even if the distance between the signal lines formed in the neighboring row direction is minimized, the driving
또한, 화소에는 구동 트랜지스터(T1), 스위칭 트랜지스터(T2), 보상 트랜지스터(T3), 초기화 트랜지스터(T4), 동작 제어 트랜지스터(T5), 발광 제어 트랜지스터(T6), 바이패스 트랜지스터(T7), 스토리지 커패시터(Cst), 그리고 유기 발광 다이오드(OLED)가 형성되어 있다.In addition, the pixel includes a driving transistor T1, a switching transistor T2, a compensation transistor T3, an initialization transistor T4, an operation control transistor T5, a light emission control transistor T6, a bypass transistor T7, and storage. A capacitor Cst and an organic light emitting diode (OLED) are formed.
구동 트랜지스터(T1), 스위칭 트랜지스터(T2), 보상 트랜지스터(T3), 초기화 트랜지스터(T4), 동작 제어 트랜지스터(T5), 발광 제어 트랜지스터(T6) 및 바이패스 트랜지스터(T7)는 반도체층(131)을 따라 형성되어 있으며, 반도체층(131)은 다양한 형상으로 굴곡되어 형성되어 있다. 이러한 반도체층(131)은 폴리 실리콘 또는 산화물 반도체로 이루어질 수 있다. 산화물 반도체는 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 게르마늄(Ge), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 기본으로 하는 산화물, 이들의 복합 산화물인 산화아연(ZnO), 인듐-갈륨-아연 산화물(InGaZnO4), 인듐-아연 산화물(Zn-In-O), 아연-주석 산화물(Zn-Sn-O) 인듐-갈륨 산화물 (In-Ga-O), 인듐-주석 산화물(In-Sn-O), 인듐-지르코늄 산화물(In-Zr-O), 인듐-지르코늄-아연 산화물(In-Zr-Zn-O), 인듐-지르코늄-주석 산화물(In-Zr-Sn-O), 인듐-지르코늄-갈륨 산화물(In-Zr-Ga-O), 인듐-알루미늄 산화물(In-Al-O), 인듐-아연-알루미늄 산화물(In-Zn-Al-O), 인듐-주석-알루미늄 산화물(In-Sn-Al-O), 인듐-알루미늄-갈륨 산화물(In-Al-Ga-O), 인듐-탄탈륨 산화물(In-Ta-O), 인듐-탄탈륨-아연 산화물(In-Ta-Zn-O), 인듐-탄탈륨-주석 산화물(In-Ta-Sn-O), 인듐-탄탈륨-갈륨 산화물(In-Ta-Ga-O), 인듐-게르마늄 산화물(In-Ge-O), 인듐-게르마늄-아연 산화물(In-Ge-Zn-O), 인듐-게르마늄-주석 산화물(In-Ge-Sn-O), 인듐-게르마늄-갈륨 산화물(In-Ge-Ga-O), 티타늄-인듐-아연 산화물(Ti-In-Zn-O), 하프늄-인듐-아연 산화물(Hf-In-Zn-O) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 반도체층(131)이 산화물 반도체로 이루어지는 경우에는 고온 등의 외부 환경에 취약한 산화물 반도체를 보호하기 위해 별도의 보호층이 추가될 수 있다. The driving transistor T1, the switching transistor T2, the compensation transistor T3, the initialization transistor T4, the operation control transistor T5, the light emission control transistor T6, and the bypass transistor T7 include the
반도체층(131)은 N형 불순물 또는 P형 불순물로 채널 도핑이 되어 있는 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆에 형성되어 있으며 채널 영역에 도핑된 도핑 불순물과 반대 타입의 도핑 불순물이 도핑되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함한다. The
이하에서 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구체적인 평면상 구조에 대해 우선 상세히 설명하고, 도 4 및 도 5를 참조하여 구체적인 단면상 구조에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, a specific planar structure of the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3, and a detailed cross-sectional structure will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5. .
우선, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소(1)는 구동 트랜지스터(T1), 스위칭 트랜지스터(T2), 보상 트랜지스터(T3), 초기화 트랜지스터(T4), 동작 제어 트랜지스터(T5), 발광 제어 트랜지스터(T6), 바이패스 트랜지스터(T7), 스토리지 커패시터(Cst), 그리고 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함하며, 이들 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7)는 반도체층(131)을 따라 형성되어 있으며, 이러한 반도체층(131)은 구동 트랜지스터(T1)에 형성되는 구동 반도체층(131a), 스위칭 트랜지스터(T2)에 형성되는 스위칭 반도체층(131b), 보상 트랜지스터(T3)에 형성되는 보상 반도체층(131c), 초기화 트랜지스터(T4)에 형성되는 초기화 반도체층(131d), 동작 제어 트랜지스터(T5)에 형성되는 동작 제어 반도체층(131e), 발광 제어 트랜지스터(T6)에 형성되는 발광 제어 반도체층(131f) 및 바이패스 트랜지스터(T7)에 형성되는 바이패스 반도체층(131g)을 포함한다. First, as illustrated in FIGS. 2 and 3, the
구동 트랜지스터(T1)는 구동 반도체층(131a), 구동 게이트 전극(125a), 구동 소스 전극(176a) 및 구동 드레인 전극(177a)을 포함한다. The driving transistor T1 includes a driving
구동 반도체층(131a)은 굴곡되어 있으며, 사행 형상 또는 지그재그 형상을 가질 수 있다. 이와 같이, 굴곡된 형상의 구동 반도체층(131a)을 형성함으로써, 좁은 공간 내에 길게 구동 반도체층(131a)을 형성할 수 있다. 따라서, 구동 반도체층(131a)의 구동 채널 영역(131a1)을 길게 형성할 수 있으므로 구동 게이트 전극(125a)에 인가되는 게이트 전압의 구동 범위(driving range)는 넓어지게 된다. 따라서, 게이트 전압의 구동 범위가 넓으므로 게이트 전압의 크기를 변화시켜 유기 발광 다이오드(OLED)에서 방출되는 빛의 계조를 보다 세밀하게 제어할 수 있으며, 그 결과 유기 발광 표시 장치의 해상도를 높이고 표시 품질을 향상시킬 수 있다. 이러한 구동 반도체층(131a)은 그 형상을 다양하게 변형하여 '역S', 'S', 'M', 'W' 등의 다양한 실시예가 가능하다. The driving
구동 소스 전극(176a)은 구동 반도체층(131a)에서 불순물이 도핑된 구동 소스 영역(176a)에 해당하고, 구동 드레인 전극(177a)은 구동 반도체층(131a)에서 불순물이 도핑된 구동 드레인 영역(177a)에 해당한다. 구동 게이트 전극(125a)은 구동 반도체층(131a)과 중첩하고 있으며, 구동 게이트 전극(125a)은 스캔선(121), 이전 스캔선(122), 발광 제어선(123), 스위칭 게이트 전극(125b), 보상 게이트 전극(125c), 초기화 게이트 전극(125d), 동작 제어 게이트 전극(125e), 발광 제어 게이트 전극(125f)과 동일한 물질로 동일한 층에 형성되어 있다.The driving
스위칭 트랜지스터(T2)는 스위칭 반도체층(131b), 스위칭 게이트 전극(125b), 스위칭 소스 전극(176b) 및 스위칭 드레인 전극(177b)을 포함한다. 스위칭 게이트 전극(125b)은 스캔선(121)의 일부이다. The switching transistor T2 includes a switching
데이터선(171)의 일부인 스위칭 소스 전극(176b)은 접촉구(contact hole)을 통해 스위칭 반도체층(131b)에서 불순물이 도핑된 스위칭 소스 영역(132b)와 연결되어 있으며, 스위칭 드레인 전극(177b)은 스위칭 반도체층(131b)에서 불순물이 도핑된 스위칭 드레인 영역(177b)에 해당한다. The switching
보상 트랜지스터(T3)는 보상 반도체층(131c), 보상 게이트 전극(125c), 보상 소스 전극(176c) 및 보상 드레인 전극(177c)을 포함하며, 보상 소스 전극(176c)은 보상 반도체층(131c)에서 불순물이 도핑된 보상 소스 영역(176c)에 해당하고, 보상 드레인 전극(177c)은 불순물이 도핑된 보상 드레인 영역(177c)에 해당한다. The compensation transistor T3 includes a
초기화 트랜지스터(T4)는 초기화 반도체층(131d), 초기화 게이트 전극(125d), 초기화 소스 전극(176d) 및 초기화 드레인 전극(177d)을 포함한다. 초기화 소스 전극(176d)은 불순물이 도핑된 초기화 소스 영역(176d)에 해당하고, 초기화 드레인 전극(177d)은 불순물이 도핑된 초기화 드레인 영역(177d)에 해당한다.The initialization transistor T4 includes an
초기화 전압선(124)은 컨택홀을 통해 초기화 반도체층(131d)과 연결되어 있다. The
동작 제어 트랜지스터(T5)는 동작 제어 반도체층(131e), 동작 제어 게이트 전극(125e), 동작 제어 소스 전극(176e) 및 동작 제어 드레인 전극(177e)을 포함한다. 구동 전압선(112)의 일부인 동작 제어 소스 전극(176e)은 컨택홀을 통해 동작 제어 반도체층(131e)과 연결되어 있고, 동작 제어 드레인 전극(177e)은 동작 제어 반도체층(131e)에서 불순물이 도핑된 동작 제어 드레인 영역(177e)에 해당한다.The operation control transistor T5 includes an operation
발광 제어 트랜지스터(T6)는 발광 제어 반도체층(131f), 발광 제어 게이트 전극(125f), 발광 제어 소스 전극(176f) 및 발광 제어 드레인 전극(177f)을 포함한다. 발광 제어 소스 전극(176f)은 발광 제어 반도체층(131f)에서 불순물이 도핑된 발광 제어 소스 영역(176f)에 해당하고, 발광 제어 드레인 전극(177f)은 컨택홀을 통해 발광 제어 반도체층(131f)와 연결되어 있다. The emission control transistor T6 includes the emission
바이패스 트랜지스터(T7)는 바이패스 반도체층(131g), 바이패스 게이트 전극(115g), 바이패스 소스 전극(176g) 및 바이패스 드레인 전극(177g)을 포함한다. 바이패스 소스 전극(176g)은 바이패스 반도체층(131g)에서 불순물이 도핑된 바이패스 소스 영역(176g)에 해당하고, 바이패스 드레인 전극(177g)은 바이패스 반도체층(131g)에서 불순물이 도핑된 바이패스 드레인 영역(177g)에 해당한다. 구동 트랜지스터(T1)의 구동 반도체층(131a)의 일단은 스위칭 반도체층(131b) 및 동작 제어 반도체층(131e)과 연결되어 있으며, 구동 반도체층(131a)의 타단은 보상 반도체층(131c) 및 발광 제어 반도체층(131f)과 연결되어 있다. 따라서, 구동 소스 전극(176a)은 스위칭 드레인 전극(177b) 및 동작 제어 드레인 전극(177e)과 연결되고, 구동 드레인 전극(177a)은 보상 소스 전극(176c) 및 발광 제어 소스 전극(176f)과 연결된다.스토리지 커패시터(Cst)는 제3 게이트 절연막(142)을 사이에 두고 배치되는 제1 스토리지 축전판(125a)과 제2 스토리지 축전판(126)을 포함한다. 제1 스토리지 축전판(125a)은 구동 게이트 전극(125a)이고, 제3 게이트 절연막(143)은 유전체가 되며, 스토리지 커패시터(Cst)에서 축전된 전하와 양 축전판(125a, 126) 사이의 전압에 의해 스토리지 커패시턴스(Storage Capacitance)가 결정된다.The bypass transistor T7 includes a
제2 스토리지 축전판(126)은 구동 전압선(112)의 연결선(112c)과 컨택홀을 통해 연결되어 있으며, 제1 스토리지 축전판(125a) 대비 큰 면적을 가지고 있다. 연결선(112c)과 연결되는 제2 스토리지 축전판(126)의 일 부분은 확장된 부분이며, 제1 스토리지 축전판(125a)과 비중첩되어 제1 스토리지 축전판(125a)과 기판(100) 사이를 가로지르는 연결선(112c)과 연결된다.The second
연결 부재(174)는 데이터선(171)과 평행하게 동일한 층에 형성되어 있으며 구동 게이트 전극(125a)과 보상 박막 트랜지스터(T3)의 보상 드레인 전극(177c)을 서로 연결하고 있다. 구동 게이트 전극(125a)인 제1 스토리지 축전판(125a)은 컨택홀을 통해 연결 부재(174)와 연결되어 있고, 보상 반도체층(131c)에서 보상 드레인 전극(177c)은 컨택홀을 통해 연결 부재(174)와 연결되어 있다. The connecting
따라서, 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 전압선(112)을 통해 제2 스토리지 축전판(126)에 전달된 구동 전압(ELVDD)과 구동 게이트 전극(125a)의 게이트 전압간의 차에 대응하는 스토리지 커패시턴스를 저장한다.Therefore, the storage capacitor Cst stores the storage capacitance corresponding to the difference between the driving voltage ELVDD transferred to the second
한편, 스위칭 트랜지스터(T2)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(125b)은 스캔선(121)에 연결되어 있고, 스위칭 소스 전극(176b)은 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 스위칭 드레인 전극(177b)은 구동 트랜지스터(T1) 및 동작 제어 트랜지스터(T5)와 연결되어 있다. 그리고, 발광 제어 트랜지스터(T6)의 발광 제어 드레인 전극(177f)은 유기 발광 다이이드(70)의 화소 전극(191)과 직접 연결되어 있다.Meanwhile, the switching transistor T2 is used as a switching element for selecting a pixel to emit light. The switching
이하, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조에 대해 적층 순서에 따라 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a structure of the organic light emitting display device according to an exemplary embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5 according to a stacking order.
이 때, 동작 제어 트랜지스터(T5)는 발광 제어 트랜지스터(T6)의 적층 구조와 대부분 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.At this time, since the operation control transistor T5 is mostly the same as the stacked structure of the light emission control transistor T6, a detailed description is omitted.
기판(100) 위에는 바이패스 제어선(118), 구동 전압선(112), 바이패스 게이트 전극(115g)이 형성되어 있고, 그 위에 제1 게이트 절연막(143)이 직접 덮고 있다. 기판(100)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 형성되어 있다.The
바이패스 제어선(118), 구동 전압선(112), 바이패스 게이트 전극(115g)은 반도체층(131)과 기판(100) 사이에 위치하고 있으며, 이로 인해 바이패스 게이트 전극(115g)은 바이패스 반도체층(131g)과 기판(100) 사이에 위치하고 있다. 즉, 바이패스 트랜지스터(T7)는 구동 트랜지스터(T1), 스위칭 트랜지스터(T2), 보상 트랜지스터(T3), 초기화 트랜지스터(T4), 동작 제어 트랜지스터(T5), 발광 제어 트랜지스터(T6) 각각과는 다르게 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 트랜지스터로서 형성되며, 구동 트랜지스터(T1), 스위칭 트랜지스터(T2), 보상 트랜지스터(T3), 초기화 트랜지스터(T4), 동작 제어 트랜지스터(T5), 발광 제어 트랜지스터(T6) 각각은 탑 게이트(top gate) 구조의 트랜지스터로서 형성된다.The
제1 게이트 절연막(143) 위에는 구동 반도체층(131a), 스위칭 반도체층(131b), 보상 반도체층(131c), 초기화 반도체층(131d), 동작 제어 반도체층(131e), 발광 제어 반도체층(131f) 및 바이패스 반도체층(131g)이 형성되어 있다.On the first
구동 반도체층(131a)은 구동 채널 영역(131a1) 및 구동 채널 영역(131a1)을 사이에 두고 서로 마주보는 구동 소스 영역(176a) 및 구동 드레인 영역(177a)을 포함하고, 스위칭 반도체층(131b)은 스위칭 채널 영역(131b1) 및 스위칭 채널 영역(131b1)을 사이에 두고 서로 마주보는 스위칭 소스 영역(132b) 및 스위칭 드레인 영역(177b)을 포함한다. 그리고, 보상 반도체층(131c)은 보상 채널 영역(131c), 보상 소스 영역(176c) 및 보상 드레인 영역(177c)을 포함하고, 초기화 반도체층(131d)은 초기화 채널 영역(131d), 초기화 소스 영역(176d) 및 초기화 드레인 영역(177d)을 포함하며, 발광 제어 반도체층(131f)은 발광 제어 채널 영역(131f1), 발광 제어 소스 영역(176f) 및 발광 제어 드레인 영역(133f)을 포함하고, 바이패스 반도체층(131g)은 바이패스 채널 영역(131g), 바이패스 소스 영역(176g) 및 바이패스 드레인 영역(177g)을 포함한다. The driving
구동 반도체층(131a), 스위칭 반도체층(131b), 보상 반도체층(131c), 초기화 반도체층(131d), 동작 제어 반도체층(131e), 발광 제어 반도체층(131f) 및 바이패스 반도체층(131g) 위에는 제2 게이트 절연막(141)이 형성되어 있다. Drive
제2 게이트 절연막(141)은 구동 반도체층(131a), 스위칭 반도체층(131b), 보상 반도체층(131c), 초기화 반도체층(131d), 동작 제어 반도체층(131e), 발광 제어 반도체층(131f) 및 바이패스 반도체층(131g)을 포함하는 반도체층(131)을 직접 덮고 있다. 제2 게이트 절연막(141) 위에는 스위칭 게이트 전극(125b) 및 보상 게이트 전극(125c)를 포함하는 스캔선(121), 초기화 게이트 전극(125d)를 포함하는 이전 스캔선(122), 동작 제어 게이트 전극(125e) 및 발광 제어 게이트 전극(125f)을 포함하는 발광 제어선(123), 구동 게이트 전극(제1 스토리지 축전판)(125a)을 포함하는 게이트 배선(121, 122, 123, 125a, 125b, 125c, 125d, 125e, 125f)이 형성되어 있다.The second
게이트 배선(121, 122, 123, 125a, 125b, 125c, 125d, 125e, 125f) 및 제2 게이트 절연막(141) 위에는 제3 게이트 절연막(142)이 형성되어 있다. A third
제3 게이트 절연막(142)은 스위칭 게이트 전극(125b) 및 보상 게이트 전극(125c)를 포함하는 스캔선(121), 초기화 게이트 전극(125d)를 포함하는 이전 스캔선(122), 동작 제어 게이트 전극(125e) 및 발광 제어 게이트 전극(125f)을 포함하는 발광 제어선(123), 구동 게이트 전극(제1 스토리지 축전판)(125a)을 직접 덮고 있다. 제2 게이트 절연막(141) 및 제3 게이트 절연막(142)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 등으로 형성되어 있다.The third
제3 게이트 절연막(142) 위에는 제1 스토리지 축전판(125a)과 중첩하는 제2 스토리지 축전판(126)이 형성되어 있다. A second
제3 게이트 절연막(142) 및 제2 스토리지 축전판(126) 위에는 층간 절연막(160)이 형성되어 있다. 층간 절연막(160)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 등의 세라믹(ceramic) 계열의 소재를 사용하여 만들어질 수 있다.An interlayer insulating
층간 절연막(160) 위에는 스위칭 소스 전극(176b)을 포함하는 데이터선(171), 연결 부재(174), 발광 제어 드레인 전극(177f)을 포함하는 데이터 배선(171, 174, 176b, 177f)이 형성되어 있다.The
층간 절연막(160) 상에는 데이터 배선(171, 174, 176b, 177f)을 덮는 보호막(180)이 형성되어 있고, 보호막(180) 위에는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 보호막(180)에 형성된 컨택홀을 통해 화소 전극(191)과 연결되어 있다.A
화소 전극(191)의 가장자리 및 보호막(180) 위에는 격벽(350)이 형성되어 있고, 격벽(350)은 화소 전극(191)을 드러내는 격벽 개구부(351)를 가진다. 격벽(350)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지 또는 실리카 계열의 무기물 등으로 만들 수 있다.A
격벽 개구부(351)로 노출된 화소 전극(191) 위에는 유기 발광층(370)이 형성되고, 유기 발광층(370) 상에는 공통 전극(270)이 형성된다. 이와 같이, 화소 전극(191), 유기 발광층(370) 및 공통 전극(270)을 포함하는 유기 발광 다이오드(70)가 형성된다.The
여기서, 화소 전극(191)은 정공 주입 전극인 애노드이며, 공통 전극(270)은 전자 주입 전극인 캐소드가 된다. 그러나 본 발명에 따른 일 실시예는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 따라 화소 전극(191)이 캐소드가 되고, 공통 전극(270)이 애노드가 될 수도 있다. 화소 전극(191) 및 공통 전극(270)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(370) 내부로 주입되고, 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.Here, the
유기 발광층(370)은 저분자 유기물 또는 PEDOT(Poly 3,4-ethylenedioxythiophene) 등의 고분자 유기물로 이루어진다. 또한, 유기 발광층(370)은 발광층과, 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron transporting layer, ETL), 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 다중막으로 형성될 수 있다. 이들 모두를 포함할 경우, 정공 주입층이 양극인 화소 전극(191) 상에 배치되고, 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층된다.The organic
유기 발광층(370)은 적색을 발광하는 적색 유기 발광층, 녹색을 발광하는 녹색 유기 발광층 및 청색을 발광하는 청색 유기 발광층을 포함할 수 있으며, 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층은 각각 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 형성되어 컬러 화상을 구현하게 된다.The
또한, 유기 발광층(370)은 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층을 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 모두 함께 적층하고, 각 화소별로 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터를 형성하여 컬러 화상을 구현할 수 있다. 다른 예로, 백색을 발광하는 백색 유기 발광층을 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소 모두에 형성하고, 각 화소별로 각각 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터를 형성하여 컬러 화상을 구현할 수도 있다. 백색 유기 발광층과 색필터를 이용하여 컬러 화상을 구현하는 경우, 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층을 각각의 개별 화소 즉, 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 증착하기 위한 증착 마스크를 사용하지 않아도 된다.In addition, the
다른 예에서 설명한 백색 유기 발광층은 하나의 유기 발광층으로 형성될 수 있음은 물론이고, 복수 개의 유기 발광층을 적층하여 백색을 발광할 수 있도록 한 구성까지 포함한다. 예로, 적어도 하나의 옐로우 유기 발광층과 적어도 하나의 청색 유기 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성, 적어도 하나의 시안 유기 발광층과 적어도 하나의 적색 유기 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성, 적어도 하나의 마젠타 유기 발광층과 적어도 하나의 녹색 유기 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성 등도 포함할 수 있다.The white organic light emitting layer described in another example may be formed of one organic light emitting layer, and includes a configuration in which a plurality of organic light emitting layers are stacked to emit white light. For example, a configuration in which white light emission is possible by combining at least one yellow organic emission layer and at least one blue organic emission layer, and a configuration in which white emission is possible by combining at least one cyan organic emission layer and at least one red organic emission layer, The combination of at least one magenta organic emission layer and at least one green organic emission layer to enable white emission may also be included.
공통 전극(270) 상에는 유기 발광 소자(70)를 보호하는 봉지 부재(도시하지 않음)가 형성될 수 있으며, 봉지 부재는 실런트에 의해 기판(100)에 밀봉될 수 있으며, 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱, 및 금속 등 다양한 소재로 형성될 수 있다. 한편, 실런트를 사용하지 않고 공통 전극(270) 상에 무기막과 유기막을 증착하여 박막 봉지층을 형성할 수도 있다.An encapsulation member (not shown) for protecting the organic
이상과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 구동 전압선(112)이 행 방향으로 형성되어 데이터선(171)과 교차하고 있으며, 데이터선(171), 스캔선(121), 이전 스캔선(121) 각각과 다른 층에 위치하고 있음으로써, 이웃하는 행 방향으로 형성된 신호선 간의 간격을 최소화할 수 있다. 이로 인해 설정된 면적에 보다 많은 개수의 화소를 형성하여 고해상도의 유기 발광 표시 장치를 형성할 수 있다.As described above, in the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention, the driving
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 구동 전압선(112) 및 바이패스 제어선(118)이 동일한 층에 형성되는 동시에 행 방향으로 형성된 스캔선(121), 이전 스캔선(121), 발광 제어선(123) 각각과 다른 층에 형성됨으로써, 이웃하는 행 방향으로 형성된 신호선 간의 간격을 최소화할 수 있다. 이로 인해 설정된 면적에 보다 많은 개수의 화소를 형성하여 고해상도의 유기 발광 표시 장치를 형성할 수 있다.In addition, in the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention, the driving
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 구동 전압선(112)이 행 방향으로 사다리 형태를 이루는 제1 서브 제어선(112a), 연결선(112c), 제2 서브 제어선(112b)을 포함함으로써, 구동 전압선(112)을 통하는 구동 전압(ELVDD)에 전압 강하가 발생되는 것을 억제한다. 이로 인해 대면적으로 형성되더라도 고품질의 이미지를 표시하는 유기 발광 표시 장치가 제공된다.In addition, in the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention, the first
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 이웃하는 행 방향으로 형성된 신호선 간의 간격을 최소화더라도, 구동 전압선(112) 및 바이패스 제어선(118)이 동일한 층에 형성되는 동시에 행 방향으로 형성된 스캔선(121), 이전 스캔선(121), 발광 제어선(123) 각각과 다른 층에 형성되어 있기 때문에, 이웃하는 신호선 간의 단락이 최소화된다. 이로 인해 제조 신뢰성이 향상된 유기 발광 표시 장치가 제공된다.Further, in the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, the driving
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.Although the present invention has been described through preferred embodiments as described above, the present invention is not limited to this, and the present invention shows that various modifications and variations are possible without departing from the concept and scope of the following claims. Those in the field of technology to which they belong will readily understand.
100: 기판 121: 스캔선
122: 이전 스캔선 123: 발광 제어선
124: 초기화 전압선 118: 바이패스 제어선
125a: 구동 게이트 전극 125b: 스위칭 게이트 전극
131a: 구동 반도체층 132b: 스위칭 반도체층
141: 제2 게이트 절연막 142: 제3 게이트 절연막
171: 데이터선 112: 구동 전압선
174: 연결 부재 100: substrate 121: scan line
122: previous scan line 123: emission control line
124: initialization voltage line 118: bypass control line
125a: driving
131a: driving
141: second gate insulating film 142: third gate insulating film
171: data line 112: driving voltage line
174: connection member
Claims (16)
상기 기판 위에 위치하며 스캔 신호를 전달하는 스캔선,
상기 스캔선과 교차하며 데이터 신호를 전달하는 데이터선,
상기 데이터선과 교차하며 구동 전압을 전달하는 구동 전압선,
상기 스캔선 및 상기 데이터선과 연결되어 있는 스위칭 트랜지스터,
상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 구동 전압선과 연결되어 있으며 상기 스위칭 트랜지스터의 스위칭 반도체층과 동일한 층에 위치하는 구동 반도체층을 포함하는 구동 트랜지스터,
상기 구동 트랜지스터에 연결되어 있는 유기 발광 다이오드,
상기 구동 트랜지스터와 상기 유기 발광 다이오드 사이에 연결되어 있으며, 상기 구동 반도체층과 동일한 층에 위치하는 바이패스 반도체층을 포함하는 바이패스 트랜지스터, 그리고
상기 스캔선과 다른 층에 위치하며 상기 바이패스 트랜지스터의 바이패스 게이트 전극과 연결되어 바이패스 신호를 전달하는 바이패스 제어선
을 포함하는 유기 발광 표시 장치.Board,
A scan line located on the substrate and transmitting a scan signal,
A data line crossing the scan line and transmitting a data signal,
A driving voltage line crossing the data line and transmitting a driving voltage,
A switching transistor connected to the scan line and the data line,
A driving transistor connected to the switching transistor and the driving voltage line and including a driving semiconductor layer on the same layer as the switching semiconductor layer of the switching transistor,
An organic light emitting diode connected to the driving transistor,
A bypass transistor connected between the driving transistor and the organic light emitting diode, the bypass transistor including a bypass semiconductor layer positioned on the same layer as the driving semiconductor layer, and
A bypass control line located on a different layer from the scan line and connected to the bypass gate electrode of the bypass transistor to transmit a bypass signal
An organic light emitting display device comprising a.
상기 기판 위에 위치하며 스캔 신호를 전달하는 스캔선,
상기 스캔선과 교차하며 데이터 신호를 전달하는 데이터선,
상기 데이터선과 교차하며 구동 전압을 전달하는 구동 전압선,
상기 스캔선 및 상기 데이터선과 연결되어 있는 스위칭 트랜지스터,
상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 구동 전압선과 연결되어 있으며 상기 스위칭 트랜지스터의 스위칭 반도체층과 동일한 층에 위치하는 구동 반도체층을 포함하는 구동 트랜지스터, 그리고
상기 구동 트랜지스터에 연결되어 있는 유기 발광 다이오드
를 포함하며,
상기 구동 전압선은 상기 데이터선 및 상기 스캔선과 다른 층에 위치하고,
상기 구동 전압선은
상기 데이터선의 일 부분과 교차하는 제1 서브 제어선,
상기 데이터선의 타 부분과 교차하는 제2 서브 제어선, 그리고
상기 제1 서브 제어선과 상기 제2 서브 제어선 사이를 연결하는 연결선
을 포함하는 유기 발광 표시 장치.Board,
A scan line located on the substrate and transmitting a scan signal,
A data line crossing the scan line and transmitting a data signal,
A driving voltage line intersecting the data line and transmitting a driving voltage,
A switching transistor connected to the scan line and the data line,
A driving transistor connected to the switching transistor and the driving voltage line and including a driving semiconductor layer positioned on the same layer as the switching semiconductor layer of the switching transistor, and
An organic light emitting diode connected to the driving transistor
It includes,
The driving voltage line is located on a different layer from the data line and the scan line,
The driving voltage line
A first sub control line intersecting a portion of the data line,
A second sub control line intersecting the other part of the data line, and
A connection line connecting between the first sub-control line and the second sub-control line
An organic light emitting display device comprising a.
상기 바이패스 제어선은 상기 구동 전압선과 동일한 층에 형성되는 유기 발광 표시 장치.In claim 1,
The bypass control line is formed on the same layer as the driving voltage line.
상기 바이패스 게이트 전극은 상기 바이패스 반도체층과 상기 기판 사이에 위치하는 유기 발광 표시 장치.In claim 5,
The bypass gate electrode is an organic light emitting display device positioned between the bypass semiconductor layer and the substrate.
상기 바이패스 게이트 전극을 덮고 있는 제1 게이트 절연막,
상기 바이패스 반도체층 및 상기 스위칭 반도체층을 덮고 있는 제2 게이트 절연막,
상기 스위칭 반도체층 상에 위치하는 상기 스위칭 트랜지스터의 스위칭 게이트 전극을 순차적으로 덮고 있는 제3 게이트 절연막 및 층간 절연막
을 더 포함하고,
상기 데이터선은 상기 층간 절연막 상에 위치하는 유기 발광 표시 장치.In claim 6,
A first gate insulating film covering the bypass gate electrode,
A second gate insulating layer covering the bypass semiconductor layer and the switching semiconductor layer,
A third gate insulating layer and an interlayer insulating layer sequentially covering the switching gate electrode of the switching transistor on the switching semiconductor layer.
Further comprising,
The data line is an organic light emitting display device positioned on the interlayer insulating layer.
상기 제1 게이트 절연막은 상기 바이패스 제어선 및 상기 구동 전압선을 직접 덮는 유기 발광 표시 장치.In claim 7,
The first gate insulating layer directly covers the bypass control line and the driving voltage line.
상기 제3 게이트 절연막은 상기 스캔선을 직접 덮는 유기 발광 표시 장치.In claim 7,
The third gate insulating layer directly covers the scan line.
상기 제2 게이트 절연막 상에 형성되어 있으며 상기 구동 반도체층과 중첩하고 있는 제1 스토리지 축전판,
상기 제1 스토리지 축전판을 덮고 있는 상기 제3 게이트 절연막 상에 형성되어 있으며 상기 제1 스토리지 축전판과 중첩하고 있는 제2 스토리지 축전판
을 포함하는 스토리지 커패시터를 더 포함하고,
상기 제1 스토리지 축전판은 상기 구동 트랜지스터의 구동 게이트 전극인 유기 발광 표시 장치.In claim 7,
A first storage capacitor plate formed on the second gate insulating layer and overlapping the driving semiconductor layer,
A second storage capacitor plate formed on the third gate insulating layer covering the first storage capacitor plate and overlapping the first storage capacitor plate.
Further comprising a storage capacitor comprising:
The first storage capacitor plate is an organic light emitting display device as a driving gate electrode of the driving transistor.
상기 구동 전압선은 상기 데이터선의 일 부분과 교차하는 제1 서브 제어선, 상기 데이터선의 타 부분과 교차하는 제2 서브 제어선, 그리고 상기 제1 서브 제어선과 상기 제2 서브 제어선 사이를 연결하는 연결선을 포함하고,
상기 제2 스토리지 축전판은 상기 연결선과 연결된 유기 발광 표시 장치.In claim 10,
The driving voltage line may include a first sub-control line intersecting a portion of the data line, a second sub-control line intersecting the other portion of the data line, and a connection line connecting the first sub-control line and the second sub-control line Including,
The second storage capacitor plate is an organic light emitting display device connected to the connection line.
상기 제2 스토리지 축전판은 상기 제1 스토리지 축전판 대비 큰 면적을 가지고 있으며,
상기 연결선과 연결되는 상기 제2 스토리지 축전판의 일 부분은 상기 제1 스토리지 축전판과 비중첩된 유기 발광 표시 장치.In claim 11,
The second storage capacitor plate has a larger area than the first storage capacitor plate,
A portion of the second storage capacitor plate connected to the connection line is an organic light emitting display device that is non-overlapping with the first storage capacitor plate.
상기 스캔 신호에 따라 턴온되어 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하며 상기 구동 트랜지스터에 연결되어 있는 보상 트랜지스터,
상기 층간 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 보상 트랜지스터의 보상 반도체층과 구동 게이트 전극을 서로 연결하고 있는 연결 부재
를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.In claim 7,
A compensation transistor that is turned on according to the scan signal to compensate for a threshold voltage of the driving transistor and is connected to the driving transistor,
A connecting member formed on the interlayer insulating film and connecting the compensation semiconductor layer and the driving gate electrode of the compensation transistor to each other.
An organic light emitting display device further comprising a.
상기 연결 부재는 상기 데이터선과 동일한 층에 위치하는 유기 발광 표시 장치.In claim 13,
The connection member is on the same layer as the data line.
상기 층간 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 구동 트랜지스터를 초기화시키는 초기화 전압을 전달하는 초기화 전압선,
이전 스캔 신호에 따라 턴온되어 상기 초기화 전압을 구동 게이트 전극에 전달하는 초기화 트랜지스터
를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.In claim 7,
An initialization voltage line formed on the interlayer insulating layer and transmitting an initialization voltage to initialize the driving transistor,
An initialization transistor that is turned on according to a previous scan signal to transfer the initialization voltage to the driving gate electrode
An organic light emitting display device further comprising a.
발광 제어 신호를 전달하는 발광 제어선,
상기 발광 제어선에 의해 전달된 상기 발광 제어 신호에 의해 턴온되어 상기 구동 전압을 상기 구동 트랜지스터로 전달하는 동작 제어 트랜지스터, 그리고
상기 발광 제어 신호에 의해 턴온되어 상기 구동 전압을 상기 구동 트랜지스터에서 상기 유기 발광 다이오드로 전달하는 발광 제어 트랜지스터
를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.In claim 1,
A light emission control line that transmits a light emission control signal,
An operation control transistor turned on by the emission control signal transmitted by the emission control line to transfer the driving voltage to the driving transistor, and
A light emission control transistor that is turned on by the light emission control signal to transfer the driving voltage from the driving transistor to the organic light emitting diode.
An organic light emitting display device further comprising a.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130159624A KR102115474B1 (en) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | Organic light emitting diode display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130159624A KR102115474B1 (en) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | Organic light emitting diode display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150072213A KR20150072213A (en) | 2015-06-29 |
| KR102115474B1 true KR102115474B1 (en) | 2020-06-08 |
Family
ID=53518277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130159624A KR102115474B1 (en) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | Organic light emitting diode display |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102115474B1 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9947269B2 (en) | 2015-05-28 | 2018-04-17 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and circuit thereof |
| CN114127836B (en) * | 2020-06-30 | 2024-03-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | Array substrate, display panel and display device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008072064A (en) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Eastman Kodak Co | Display unit |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101506671B1 (en) * | 2008-02-20 | 2015-03-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display and manufacturing method thereof |
| KR101869056B1 (en) * | 2012-02-07 | 2018-06-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | Pixel and organic light emitting display device using the same |
-
2013
- 2013-12-19 KR KR1020130159624A patent/KR102115474B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008072064A (en) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Eastman Kodak Co | Display unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150072213A (en) | 2015-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102494729B1 (en) | Organic light emitting diode display device | |
| KR102107565B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102083432B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102419611B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102271115B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102157762B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102430877B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102491117B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102289838B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102372774B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102060732B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102132781B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102300884B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102318265B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102396288B1 (en) | Organic light emitting diode display device | |
| KR102072215B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102060013B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR20150054210A (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102175811B1 (en) | Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof | |
| KR101992339B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102351667B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102240760B1 (en) | Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof | |
| KR102433316B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102409500B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| US9601561B2 (en) | Organic light emitting diode display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |