KR102113293B1 - Processing apparatus of exhaust gas - Google Patents

Processing apparatus of exhaust gas Download PDF

Info

Publication number
KR102113293B1
KR102113293B1 KR1020180084303A KR20180084303A KR102113293B1 KR 102113293 B1 KR102113293 B1 KR 102113293B1 KR 1020180084303 A KR1020180084303 A KR 1020180084303A KR 20180084303 A KR20180084303 A KR 20180084303A KR 102113293 B1 KR102113293 B1 KR 102113293B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exhaust gas
gas purification
purification unit
accommodating
foreign matter
Prior art date
Application number
KR1020180084303A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200009659A (en
Inventor
최대규
Original Assignee
(주) 엔피홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주) 엔피홀딩스 filed Critical (주) 엔피홀딩스
Priority to KR1020180084303A priority Critical patent/KR102113293B1/en
Publication of KR20200009659A publication Critical patent/KR20200009659A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102113293B1 publication Critical patent/KR102113293B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/32Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by electrical effects other than those provided for in group B01D61/00
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2259/00Type of treatment
    • B01D2259/80Employing electric, magnetic, electromagnetic or wave energy, or particle radiation
    • B01D2259/818Employing electrical discharges or the generation of a plasma

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 등에서 배출되는 배기 가스를 정화할 수 있는 배기 가스 처리 장치에 관한 것으로서, 챔버와 연결되어 배기 가스를 정화하는 배기 가스 정화부; 및 상기 배기 가스 정화부에서 발생되는 이물질들을 포집하는 이물질 포집부;를 포함하고, 상기 이물질 포집부는, 상기 배기 가스 정화부와 연통되게 설치되고, 상기 이물질을 1차로 수용하는 제 1 수용부; 상기 제 1 수용부와 연통되게 설치되고, 상기 제 1 수용부에 수용된 상기 이물질을 외부로 배출시킬 수 있도록 상기 이물질을 2차로 수용하는 제 2 수용부; 및 상기 제 1 수용부와 상기 제 2 수용부 사이에 설치되는 제 1 차단 장치;를 포함할 수 있다.The present invention relates to an exhaust gas processing apparatus capable of purifying exhaust gas discharged from a substrate processing apparatus or the like, an exhaust gas purification unit connected to a chamber to purify exhaust gas; And a foreign matter collection unit for collecting foreign substances generated in the exhaust gas purification unit, wherein the foreign matter collection unit is installed in communication with the exhaust gas purification unit, and includes a first receiving unit for firstly receiving the foreign matter; A second accommodating part installed in communication with the first accommodating part and accommodating the foreign material secondarily so as to discharge the foreign material contained in the first accommodating part to the outside; And a first blocking device installed between the first receiving portion and the second receiving portion.

Description

배기 가스 처리 장치{Processing apparatus of exhaust gas}Processing apparatus of exhaust gas

본 발명은 배기 가스 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 처리 장치 등에서 배출되는 배기 가스를 처리할 수 있는 배기 가스 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an exhaust gas processing apparatus, and more particularly, to an exhaust gas processing apparatus capable of processing exhaust gas discharged from a substrate processing apparatus or the like.

일반적으로, 반도체 제조공정은 프로세스 챔버 내에 배치된 기판 또는 글래스에 박막을 증착하거나, 증착된 박막을 식각하는 공정을 반복적으로 수행한다. 이 때, 공정을 위해 프로세스 챔버 내부에는 공정 종류에 따라 실란, 아르신 및 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 반응용 가스가 공급되고, 공정이 진행되는 동안 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 발생될 수 있다.In general, a semiconductor manufacturing process repeatedly performs a process of depositing a thin film on a substrate or glass disposed in a process chamber or etching the deposited thin film. At this time, for the process, harmful gases such as silane, arsine, and boron chloride and reaction gases such as hydrogen are supplied to the process chamber according to the type of process, and various ignitable gases and corrosive gases are inside the process chamber during the process. Hazardous gases containing foreign substances and toxic components may be generated.

또한, 공급된 반응용 가스가 반응이 되지 않고 남아 있기도 한다. 이렇게 공정이 완료된 후 공정 챔버 내에 잔류하는 배기 가스는 진공 펌프 등을 통해 외부로 배기될 수 있다.In addition, the supplied reaction gas may remain unreacted. After the process is completed, the exhaust gas remaining in the process chamber may be exhausted through a vacuum pump or the like.

이러한, 배기 가스에 포함된 유해 성분들은 유독성, 부식성, 산화성이 강하여 대기로 여과 없이 배출될 경우, 인체와 환경은 물론 생산설비 자체에도 많은 문제점을 일으킬 우려가 있다.Such harmful components included in the exhaust gas are highly toxic, corrosive, and oxidative, and when discharged to the atmosphere without filtration, there is a possibility of causing many problems to the human body and the environment as well as to the production facilities themselves.

이에 배기 가스를 대기로 배출시키기 전에 배기 가스에 포함된 유해한 성분을 정화시킬 필요가 있다.Accordingly, it is necessary to purify harmful components contained in the exhaust gas before discharging the exhaust gas to the atmosphere.

이를 해결하고자 하는 종래의 기술로는, 대한민국 등록특허 제10-1275870에 개시된 바와 같이, 리모트 플라즈마 발생 장치를 이용하여 배기 가스의 유해 성분을 정화시키는 기술들이 개발된 바 있다.As a conventional technique for solving this, as disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1275870, techniques for purifying harmful components of exhaust gas using a remote plasma generator have been developed.

그러나, 이러한 종래의 배기 가스 정화 장치들은, 유해한 성분을 정화하는 과정에서 발생되는 파티클 등의 이물질을 충분히 제거하기 어려워서 이러한 이물질들이 펌프에 악영향을 주는 등 많은 문제점들이 있었다.However, these conventional exhaust gas purification apparatuses have many problems such that these foreign substances adversely affect the pump because it is difficult to sufficiently remove foreign substances such as particles generated in the process of purifying harmful components.

본 발명의 사상은, 이러한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 배기 가스 정화부와 이물질 포집부를 일체화하여 기밀성과 배기 가스 정화 능력을 향상시키고, 이물질 포집부는 제 1 수용부와 제 2 수용부를 구비하여 제 2 수용부에서 이물질을 제거하는 동안에도 제 1 수용부에서 연속적인 배기 가스 정화 동작이 가능하며, 이물질의 외부 배출을 용이하게 할 수 있고, 토로이달 형태의 리모트 플라즈마 발생 장치를 적용하여 제품의 성능을 향상시킬 수 있으며, 이물질 적층으로 인한 절연 부재의 쇼트를 방지할 수 있게 하는 배기 가스 처리 장치를 제공함에 있다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로서, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The idea of the present invention is to solve these problems, the exhaust gas purification unit and the foreign matter collection unit are integrated to improve airtightness and exhaust gas purification ability, and the foreign matter collection unit is provided with a first receiving unit and a second receiving unit to provide a second The continuous exhaust gas purifying operation is possible in the first accommodating part even while the foreign material is removed from the accommodating part, and it is possible to facilitate the external discharge of the foreign material and to apply the toroidal type remote plasma generator to improve the product's performance. It is an object of the present invention to provide an exhaust gas treatment device capable of improving and preventing a short circuit of an insulating member due to foreign material deposition. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 배기 가스 처리 장치는, 챔버와 연결되어 배기 가스를 정화하는 배기 가스 정화부; 및 상기 배기 가스 정화부에서 발생되는 이물질들을 포집하는 이물질 포집부;를 포함하고, 상기 이물질 포집부는, 상기 배기 가스 정화부와 연통되게 설치되고, 상기 이물질을 1차로 수용하는 제 1 수용부; 상기 제 1 수용부와 연통되게 설치되고, 상기 제 1 수용부에 수용된 상기 이물질을 외부로 배출시킬 수 있도록 상기 이물질을 2차로 수용하는 제 2 수용부; 및 상기 제 1 수용부와 상기 제 2 수용부 사이에 설치되는 제 1 차단 장치;를 포함할 수 있다.Exhaust gas processing apparatus according to the spirit of the present invention for solving the above problems is connected to the chamber to purify the exhaust gas exhaust gas purification unit; And a foreign matter collection unit for collecting foreign substances generated in the exhaust gas purification unit, wherein the foreign matter collection unit is installed in communication with the exhaust gas purification unit, and includes a first receiving unit for firstly receiving the foreign matter; A second accommodating part installed in communication with the first accommodating part and accommodating the foreign material secondarily so as to discharge the foreign material contained in the first accommodating part to the outside; And a first blocking device installed between the first receiving portion and the second receiving portion.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 이물질 포집부는, 상기 제 2 수용부는 상기 제 1 수용부의 일측에 설치되고, 배기 펌프는 상기 제 1 수용부의 타측에 설치되는 수평 배치식 몸체; 및 상기 제 2 수용부에 설치되는 제 2 차단 장치;를 더 포함하고, 상기 제 1 차단 장치 및 상기 제 2 차단 장치는, 이물질 수거용 트레이를 통과시킬 수 있는 수직형 게이트 밸브일 수 있다.In addition, according to the present invention, the foreign matter collecting portion, the second receiving portion is installed on one side of the first receiving portion, the exhaust pump is a horizontally arranged body installed on the other side of the first receiving portion; And a second blocking device installed in the second receiving portion. The first blocking device and the second blocking device may be vertical gate valves that allow a foreign material collection tray to pass through.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 이물질 포집부는, 상기 제 2 수용부는 상기 제 1 수용부의 하측에 설치되고, 배기 펌프는 상기 제 1 수용부의 일측에 설치되는 수직 배치식 몸체;를 더 포함하고, 상기 제 1 차단 장치는, 상기 이물질을 낙하시킬 수 있는 수평형 게이트 밸브일 수 있다.In addition, according to the present invention, the foreign matter collecting portion, the second receiving portion is installed on the lower side of the first receiving portion, the exhaust pump is vertically arranged body installed on one side of the first receiving portion; The first blocking device may be a horizontal gate valve capable of dropping the foreign material.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 이물질 포집부는, 상기 제 2 수용부는 상기 제 1 수용부의 측하방에 설치되고, 배기 펌프는 상기 제 1 수용부의 일측에 설치되는 경사 배치식 몸체;를 더 포함하고, 상기 제 1 차단 장치는, 상기 이물질을 낙하시킬 수 있는 경사형 게이트 밸브일 수 있다.In addition, according to the present invention, the foreign matter collecting portion, the second receiving portion is installed on the lower side of the first receiving portion, the exhaust pump is provided on one side of the first receiving portion; The first blocking device may be an inclined gate valve capable of dropping the foreign material.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 경사형 게이트 밸브는, 상기 경사 배치식 몸체의 경사 저면에 형성된 주연부와 맞물리는 맞물림부가 형성되는 홀더형 도어;를 포함할 수 있다.Further, according to the present invention, the inclined gate valve may include a holder-type door in which an engaging portion is formed to engage with a peripheral portion formed on an inclined bottom surface of the inclined placement type body.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 배기 가스 정화부는, 플라즈마가 발생되고, 상기 이물질 포집부의 적어도 일부와 일체로 형성되는 반응 본체; 및 상기 반응 본체에 결합되어 일차 권선에 의해 상기 반응 본체로 플라즈마 발생을 위한 유도기전력을 형성하는 마그네틱 코어;를 포함할 수 있다.In addition, according to the present invention, the exhaust gas purification unit, the plasma is generated, the reaction body is formed integrally with at least a portion of the foreign matter collecting unit; And a magnetic core coupled to the reaction body to form an induced electromotive force for generating plasma to the reaction body by a primary winding.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 마그네틱 코어는 상기 반응 본체의 일부를 감싸는 형상으로 형성될 수 있다.Further, according to the present invention, the magnetic core may be formed in a shape surrounding a part of the reaction body.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 반응 본체는 중공형 형상이고, 환형의 플라즈마 방전 루프가 좌측 및 우측 또는 상측 및 하측에 각각 형성되도록 분기된 분기관이 형성될 수 있다.Further, according to the present invention, the reaction body has a hollow shape, and branched branches may be formed such that annular plasma discharge loops are formed on the left and right sides or on the upper and lower sides, respectively.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 분기관은, 상기 반응 본체의 상부에 형성되는 제 1 분기부; 상기 반응 본체의 하부에 형성되고, 상기 제 1 분기부와 외통 결합되는 제 2 분기부; 상기 제 1 분기부와 상기 제 2 분기부 사이에 형성되는 실링 부재; 및 상기 제 1 분기부와 상기 제 2 분기부 사이에 형성되고, 상기 실링 부재의 하방에 형성되며, 상기 배기 가스의 흐름으로부터 보호될 수 있도록 상기 제 1 분기부의 말단 높이 보다 높은 위치에 설치되는 절연 부재;를 포함할 수 있다.In addition, according to the present invention, the branch pipe, the first branch formed on the upper portion of the reaction body; A second branch formed on the lower portion of the reaction body and externally coupled to the first branch; A sealing member formed between the first branch portion and the second branch portion; And insulation formed between the first branch and the second branch, formed below the sealing member, and installed at a position higher than the end height of the first branch so as to be protected from the exhaust gas flow. It may include a member.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 배기 가스 정화부는, 상측에 제 1 배기 가스 정화부가 형성되고, 하부에 제 2 배기 가스 정화부가 형성되는 상하 다단형 배기 가스 정화부일 수 있다.Further, according to the present invention, the exhaust gas purification unit may be an upper and lower multistage exhaust gas purification unit in which a first exhaust gas purification unit is formed at an upper side and a second exhaust gas purification unit is formed at a lower portion.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 배기 가스 정화부는, 좌측에 제 1 배기 가스 정화부가 형성되고, 우측에 제 2 배기 가스 정화부가 형성되는 좌우 다단형 배기 가스 정화부일 수 있다.Further, according to the present invention, the exhaust gas purification unit may be a left-right multi-stage exhaust gas purification unit in which a first exhaust gas purification unit is formed on the left side and a second exhaust gas purification unit is formed on the right side.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 배기 가스 정화부와 이물질 포집부를 일체화하여 기밀성과 배기 가스 정화 능력을 향상시키고, 이물질 포집부는 제 1 수용부와 제 2 수용부를 구비하여 제 2 수용부에서 이물질을 제거하는 동안에도 제 1 수용부에서 연속적인 배기 가스 정화 동작이 가능하며, 이물질의 외부 배출을 용이하게 할 수 있고, 토로이달 형태의 리모트 플라즈마 발생 장치를 적용하여 제품의 성능을 향상시킬 수 있으며, 이물질 적층으로 인한 절연 부재의 쇼트를 방지할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention made as described above, the exhaust gas purification unit and the foreign matter collection unit are integrated to improve airtightness and exhaust gas purification ability, and the foreign matter collection unit is provided with a first receiving unit and a second receiving unit. 2 While removing foreign substances from the receiving part, continuous exhaust gas purifying operation is possible in the first receiving part, and it is possible to facilitate the external discharge of foreign materials and to apply the toroidal type remote plasma generator to the product's performance. It is possible to improve, and to have the effect of preventing the short circuit of the insulating member due to the deposition of foreign matter. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2 도 1의 배기 가스 처리 장치의 제 1 차단 장치를 나타내는 확대 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 배기 가스 처리 장치의 A부분을 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing an exhaust gas treatment apparatus according to some embodiments of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a first blocking device of the exhaust gas processing device of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view showing an exhaust gas treatment apparatus according to some other embodiments of the present invention.
4 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged portion A of the exhaust gas processing apparatus of FIG. 1.
5 is a cross-sectional view showing an exhaust gas treatment apparatus according to some other embodiments of the present invention.
6 is a cross-sectional view showing an exhaust gas treatment apparatus according to some other embodiments of the present invention.
7 is a cross-sectional view showing an exhaust gas treatment apparatus according to some other embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is as follows. It is not limited to the Examples. Rather, these embodiments are provided to make the present disclosure more faithful and complete, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. In addition, the thickness or size of each layer in the drawings is exaggerated for convenience and clarity of explanation.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terms used in this specification are used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. As used herein, singular forms may include plural forms unless the context clearly indicates otherwise. Also, as used herein, “comprise” and/or “comprising” specifies the shapes, numbers, steps, actions, elements, elements and/or the presence of these groups. And does not exclude the presence or addition of one or more other shapes, numbers, actions, elements, elements and/or groups.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the drawings, for example, depending on the manufacturing technique and/or tolerance, deformations of the illustrated shape can be expected. Therefore, embodiments of the inventive concept should not be interpreted as being limited to a specific shape of the region shown in this specification, but should include, for example, a change in shape resulting from manufacturing.

이하, 본 발명의 여러 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치(100~500)들을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the exhaust gas treatment apparatuses 100 to 500 according to various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치(100)를 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 배기 가스 처리 장치(100)의 제 1 차단 장치(26)를 나타내는 확대 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an exhaust gas processing apparatus 100 according to some embodiments of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a first blocking device 26 of the exhaust gas processing apparatus 100 of FIG. 1. .

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치(100)는, 크게 배기 가스 정화부(10) 및 이물질 포집부(20)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, the exhaust gas processing apparatus 100 according to some embodiments of the present invention may include an exhaust gas purification unit 10 and a foreign material collection unit 20.

여기서, 상기 배기 가스 정화부(10)는, 챔버(1)의 배기 가스 배출구(1a)와 연결되어 배기 가스에 플라즈마 에너지나 정화 가스 등을 인가함으로써 배기 가스의 유해한 성분들을 연소시키거나 정화시킬 수 있는 구조체일 수 있다.Here, the exhaust gas purification unit 10 is connected to the exhaust gas outlet 1a of the chamber 1 to apply plasma energy or purification gas to the exhaust gas to burn or purify harmful components of the exhaust gas. It can be a structure.

여기서, 이러한 상기 챔버(1)는 예를 들어, 포토레지스트를 제거하는 애싱(ashing) 챔버일 수 있고, 절연막을 증착시키도록 구성된 CVD(Chemical Vapor Deposition) 챔버일 수 있고, 인터커넥트 구조들을 형성하기 위해 절연막에 애퍼쳐(aperture)들이나 개구들을 에칭하도록 구성된 에칭 챔버일 수 있다. 또는 장벽(barrier) 막을 증착시키도록 구성된 PVD 챔버일 수 있으며, 금속막을 증착시키도록 구성된 PVD 챔버일 수 있다.Here, the chamber 1 may be, for example, an ashing chamber for removing photoresist, a Chemical Vapor Deposition (CVD) chamber configured to deposit an insulating film, and to form interconnect structures. It may be an etching chamber configured to etch apertures or openings in the insulating film. Or it may be a PVD chamber configured to deposit a barrier film, or a PVD chamber configured to deposit a metal film.

또한, 이러한 상기 챔버(1)는 웨이퍼 등의 기판(W)이 안착된 기판 지지대 등이 설치되고, 도시하지 않았지만, 플라즈마 공급부로부터 플라즈마를 공급받는 공급구 등이 설치될 수 있다.In addition, the chamber 1 may be provided with a substrate support on which a substrate W, such as a wafer, is mounted, and although not shown, a supply port for receiving plasma from a plasma supply unit may be installed.

한편, 더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 배기 가스 정화부(10)는, 토로이달 형태, 즉 변압기 결합 형태의 리모트 플라즈마 발생 장치(RPG, remote plasma generator)를 이용할 수 있다.Meanwhile, more specifically, for example, the exhaust gas purification unit 10 may use a toroidal type, that is, a remote plasma generator (RPG) of a transformer-coupled type.

즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 배기 가스 정화부(10)는, 플라즈마가 발생되고, 상기 이물질 포집부(20)의 적어도 일부와 일체로 형성되는 반응 본체(11) 및 상기 반응 본체(11)에 결합되어 일차 권선(13)에 의해 상기 반응 본체(11)로 플라즈마 발생을 위한 유도기전력을 형성하는 마그네틱 코어(12)를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 마그네틱 코어(12)는 상기 반응 본체(11)의 일부를 감싸는 형상으로 형성될 수 있다.That is, as shown in Figure 1, the exhaust gas purification unit 10, the plasma is generated, the reaction body 11 and the reaction body (11) formed integrally with at least a portion of the foreign matter collecting unit (20) It may include a magnetic core 12 coupled to 11) to form an induced electromotive force for plasma generation to the reaction body 11 by the primary winding 13. Here, the magnetic core 12 may be formed in a shape surrounding a part of the reaction body 11.

또한, 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 반응 본체(11)의 하부는 상기 이물질 포집부(20)의 상부와 일체로 형성되는 것으로서, 중간에 별도의 배기 가스 공급관이 불필요한 구조일 수 있다. 즉, 이를 통해서 부품의 개수를 줄이고, 기밀이 용이하며, 제작 및 설치를 용이하게 할 수 있다.In addition, for example, as shown in FIG. 1, the lower portion of the reaction body 11 is formed integrally with the upper portion of the foreign matter collecting portion 20, and a separate exhaust gas supply pipe may be unnecessary in the middle. . That is, through this, the number of parts can be reduced, airtightness is easy, and manufacturing and installation can be facilitated.

또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 반응 본체(11)는 중공형 형상이고, 환형의 플라즈마 방전 루프가 좌측 및 우측 또는 상측 및 하측에 각각 형성되도록 분기된 분기관이 형성될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 1, the reaction body 11 has a hollow shape, and branched branches may be formed such that annular plasma discharge loops are formed on the left and right sides or on the upper and lower sides, respectively.

이러한, 상기 분기관은, 점화 기전력이 형성될 수 있도록 크게 2개의 부분으로 나누어질 수 있는 것으로서, 예컨대, 상기 반응 본체(11)의 상부에 형성되는 제 1 분기부(11-1)와, 상기 반응 본체(11)의 하부에 형성되고, 상기 제 1 분기부(11-1)와 외통 결합되는 제 2 분기부(11-2)로 나누어질 수 있다.The branch pipe may be largely divided into two parts so that an ignition electromotive force can be formed. For example, the first branch portion 11-1 formed on the upper portion of the reaction body 11, and It is formed on the lower portion of the reaction body 11, and may be divided into a second branch portion 11-2 that is externally coupled to the first branch portion 11-1.

또한, 상기 분기관은, 상기 제 1 분기부(11-1)과 상기 제 2 분기부(11-2) 사이의 기밀을 유지하고, 전기적으로 서로 절연될 수 있도록, 상기 제 1 분기부(11-1)와 상기 제 2 분기부(11-2) 사이에 형성되는 실링 부재(14) 및 상기 제 1 분기부(11-1)와 상기 제 2 분기부(11-2) 사이에 형성되고, 상기 실링 부재(14)의 하방에 형성되는 절연 부재(15)를 포함할 수 있다.In addition, the branch pipe, the first branch portion (11-1) and the second branch portion (11-2) to maintain the airtight, and electrically insulated from each other, the first branch portion (11) It is formed between the sealing member 14 formed between -1) and the second branch 11-2 and the first branch 11-1 and the second branch 11-2, An insulating member 15 formed under the sealing member 14 may be included.

여기서, 후술될 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 절연 부재(15)는, 상기 배기 가스의 흐름(F)으로부터 보호될 수 있도록 상기 제 1 분기부(11-1)의 말단 높이(H1) 보다 높은 위치(H2)에 설치될 수 있다.Here, as shown in Figure 4 to be described later, the insulating member 15, the end height (H1) of the first branch (11-1) to be protected from the flow of the exhaust gas (F) It can be installed in a high position (H2).

즉, 상기 배기 가스의 흐름(F)이 전체적으로 하방을 향하기 때문에 예를 들어서, 상기 배기 가스에 포함된 파티클 등의 이물질들이 상기 제 1 분기부(11-1)의 말단 높이(H1) 보다 높은 위치(H2)의 상기 절연 부재(15)까지 도달되기 어려워서 이물질의 적층 현상이 발생되는 것을 줄일 수 있고, 이로 인하여, 이물질 적층으로 인한 쇼트 현상을 방지할 수 있다.That is, since the flow F of the exhaust gas is directed downward, for example, foreign substances such as particles contained in the exhaust gas are higher than the end height H1 of the first branch 11-1. Since it is difficult to reach the insulating member 15 of (H2), it is possible to reduce the occurrence of a lamination phenomenon of a foreign material, and thereby, a short phenomenon due to a lamination of a foreign material can be prevented.

한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치(100)는, 상기 이물질(P)이 제거된 상기 배기 가스를 외부로 배출시키는 배기 펌프(30)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 1, the exhaust gas processing apparatus 100 according to some embodiments of the present invention includes an exhaust pump 30 that discharges the exhaust gas from which the foreign matter P has been removed to the outside. It may further include.

따라서, 상술된 상기 배기 가스 정화부(10)와 상기 이물질 포집부(20)를 통해서 이물질(P)들이 제거된 정화된 가스는 상기 배기 펌프(30)에 악영향을 주지 않고 상기 배기 펌프(30)의 수명을 연장시킬 수 있다.Accordingly, the purified gas from which the foreign matters P are removed through the exhaust gas purification unit 10 and the foreign matter collection unit 20 described above does not adversely affect the exhaust pump 30 and the exhaust pump 30. It can prolong the service life.

이러한 본 발명의 일부 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치(100)의 배기 가스 정화 과정을 설명하면, 상기 일차 권선(13)에 의해 상기 마그네틱 코어(12)에 유도기전력이 형성되면, 상기 반응 본체(11)에 환형의 플라즈마 방전 루프가 발생될 수 있다. 여기서, 상기 반응 본체(11)의 내부로 별도의 반응 가스가 공급될 수 있다.Referring to the exhaust gas purification process of the exhaust gas processing apparatus 100 according to some embodiments of the present invention, when an induced electromotive force is formed in the magnetic core 12 by the primary winding 13, the reaction body An annular plasma discharge loop may be generated in (11). Here, a separate reaction gas may be supplied into the reaction body 11.

이 때, 상기 챔버(1)의 상기 배기 가스 배출구(1a)를 통해 공정을 마친 상기 배기 가스가 상기 반응 본체(11)로 유입되면, 플라즈마 에너지를 인가받아 유해한 성분들이 산화 등의 반응으로 인해 연소되거나 정화될 수 있고, 이 과정에서 파티클 형태의 이물질들이 발생될 수 있다.At this time, when the exhaust gas that has completed the process through the exhaust gas outlet 1a of the chamber 1 flows into the reaction body 11, plasma energy is applied and combustion of harmful components due to reactions such as oxidation It can be cleaned or purified, and particles in the form of particles can be generated in the process.

이러한, 상기 이물질들은 후술될 상기 이물질 포집부(20)에서 포집될 수 있다. These foreign substances may be collected in the foreign substance collecting unit 20 to be described later.

그러므로, 상기 배기 가스 정화부(10)와 상기 이물질 포집부(20)를 일체화하여 기밀성과 배기 가스 정화 능력을 향상시키고, 상기 이물질 포집부(20)는 상기 제 1 수용부(21)와 제 2 수용부(22)를 구비하여 상기 제 2 수용부(22)에서 이물질을 제거하는 동안에도 상기 제 1 수용부(21)에서 연속적인 배기 가스 정화 동작이 가능하며, 이물질의 외부 배출을 용이하게 할 수 있다.Therefore, the exhaust gas purifying unit 10 and the foreign matter collecting unit 20 are integrated to improve airtightness and exhaust gas purifying ability, and the foreign matter collecting unit 20 includes the first receiving unit 21 and the second. Equipped with a receiving portion 22, while removing foreign substances from the second receiving portion 22, it is possible to continuously purify the exhaust gas in the first receiving portion 21, and to facilitate the external discharge of foreign substances. Can be.

또한, 상술된 상기 배기 가스 정화부(10)에 토로이달 형태의 리모트 플라즈마 발생 장치를 적용하여 제품의 성능을 향상시킬 수 있으며, 이물질 적층으로 인한 절연 부재의 쇼트를 방지할 수 있다.In addition, by applying the toroidal type remote plasma generator to the exhaust gas purification unit 10 described above, it is possible to improve the performance of the product, and to prevent the short circuit of the insulating member due to the deposition of foreign matter.

또한, 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 이물질 포집부(20)는, 상기 배기 가스 정화부(10)와 연통되게 설치되고, 상기 이물질(P)을 1차로 수용하는 제 1 수용부(21)와, 상기 제 1 수용부(21)와 연통되게 설치되고, 상기 제 1 수용부(21)에 수용된 상기 이물질(P)을 외부로 배출시킬 수 있도록 상기 이물질(P)을 2차로 수용하는 제 2 수용부(22) 및 상기 제 1 수용부(21)와 상기 제 2 수용부(22) 사이에 설치되는 제 1 차단 장치(26)를 포함할 수 있다.In addition, for example, as shown in Figure 1, the foreign matter collecting unit 20 is installed in communication with the exhaust gas purification unit 10, the first receiving unit for receiving the foreign matter (P) primarily ( 21), and is installed in communication with the first receiving portion 21, the second receiving the foreign matter (P) so that the foreign matter (P) accommodated in the first receiving portion 21 can be discharged to the outside It may include a second receiving portion 22 and the first blocking device 26 is installed between the first receiving portion 21 and the second receiving portion 22.

여기서, 상기 제 2 수용부(22)는 상기 제 1 수용부(21)의 측하방에 설치되고, 상기 제 1 수용부(21)의 일측에 설치되는 경사 배치식 몸체(20-3)를 더 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제 1 차단 장치(26)는, 상기 이물질(P)을 낙하시킬 수 있는 경사형 게이트 밸브일 수 있다.Here, the second accommodating portion 22 is installed in the lower side of the first accommodating portion 21, the inclined arrangement body 20-3 is installed on one side of the first accommodating portion 21 further It can contain. In addition, the first blocking device 26 may be an inclined gate valve capable of dropping the foreign material P.

더욱 구체적으로 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 경사형 게이트 밸브는, 상기 경사 배치식 몸체(20-3)의 경사 저면(C)에 형성된 주연부(M)와 맞물리는 맞물림부(N)가 형성되고, 선단에 실링 부재(S)가 형성되는 홀더형 도어(26-1)를 포함할 수 있다.More specifically, for example, as shown in FIG. 2, the inclined gate valve, the engaging portion engaged with the peripheral portion (M) formed on the inclined bottom surface (C) of the inclined arrangement type body (20-3) ( N) may be formed, and may include a holder-type door 26-1 in which a sealing member S is formed at the tip.

이 때, 상기 경사 배치식 몸체(20-3)와 상기 홀더형 도어(26-1) 사이에도 실링 부재(S)가 추가로 설치될 수 있고, 상기 경사 배치식 몸체(20-3)와 상기 홀더형 도어(26-1) 사이에 벨로우즈관(V)이 설치되어 기밀을 더욱 견고하게 유지할 수 있다.At this time, a sealing member S may be additionally installed between the inclined arrangement-type body 20-3 and the holder-type door 26-1, and the inclined arrangement-type body 20-3 and the Bellows pipe (V) is installed between the holder-type door (26-1) can maintain the tightness more tightly.

따라서, 상기 배기 가스 정화부(10)에서 발생된 상기 이물질(P)들은 1차로 상기 제 1 수용부(21)의 상기 경사 저면(C) 상에 적층되어 상기 경사 저면(C)에 의해 상기 제 1 차단 장치(26) 방향으로 유도될 수 있다.Therefore, the foreign matters P generated in the exhaust gas purifying part 10 are firstly stacked on the inclined bottom surface C of the first accommodating part 21 to be removed by the inclined bottom surface C. 1 can be guided in the direction of the blocking device (26).

이어서, 상기 이물질(P)들이 충분히 적층되면, 상기 제 1 차단 장치(26)를 개방하여 상기 이물질(P)들을 낙하시켜서 제 2 수용부(22)로 이동시킬 수 있다.Subsequently, when the foreign matters P are sufficiently stacked, the first blocking device 26 may be opened to drop the foreign matters P and move to the second receiving part 22.

이어서, 도시하진 않았지만, 별도의 게이트 밸브나 커버를 분해하여 상기 이물질(P)들을 외부로 배출시켜서 제거할 수 있다.Subsequently, although not illustrated, a separate gate valve or cover may be disassembled to remove the foreign substances P by discharging them to the outside.

이 때, 상기 제 1 차단 장치(26)를 차단하여 이물질이 적층되는 과정을 장비의 중단없이 연속적으로 수행할 수 있다.At this time, by blocking the first blocking device 26, a process in which foreign substances are stacked can be continuously performed without interruption of equipment.

도 3은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치(200)를 나타내는 단면도이고, 도 4는 도 1의 배기 가스 처리 장치(200)의 A부분을 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing an exhaust gas processing apparatus 200 according to some other embodiments of the present invention, and FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged portion A of the exhaust gas processing apparatus 200 of FIG. 1.

먼저, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치(200)의 이물질 포집부(20)는, 상술된 상기 배기 가스 정화부(10)와 일체화되어 상기 배기 가스 정화부(10)에서 발생되는 이물질(P)들을 포집하는 장치로서, 배기 가스로부터 이물질(P)을 분리하여 별도의 위치에 적층시키거나, 별도의 트레이(T) 내에 수용하여 이동시킬 수 있는 장치일 수 있다.First, as illustrated in FIGS. 3 and 4, the foreign matter collecting unit 20 of the exhaust gas processing apparatus 200 according to some embodiments of the present invention is integrated with the exhaust gas purification unit 10 described above. As a device for collecting foreign substances P generated by the exhaust gas purification unit 10, the foreign substances P are separated from the exhaust gas and stacked in a separate location or accommodated in a separate tray T and moved. It can be a device that can be.

더욱 구체적으로 예를 들면, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 이물질 포집부(20)는, 상기 배기 가스 정화부(10)와 연통되게 설치되고, 상기 이물질(P)을 1차로 수용하는 제 1 수용부(21)와, 상기 제 1 수용부(21)와 연통되게 설치되고, 상기 제 1 수용부(21)에 수용된 상기 이물질(P)을 외부로 배출시킬 수 있도록 상기 이물질(P)을 2차로 수용하는 제 2 수용부(22) 및 상기 제 1 수용부(21)와 상기 제 2 수용부(22) 사이에 설치되는 제 1 차단 장치(23)를 포함할 수 있다.More specifically, for example, as illustrated in FIG. 3, the foreign matter collecting unit 20 is installed in communication with the exhaust gas purification unit 10, and is firstly configured to receive the foreign material P primarily. The foreign matter P is installed in communication with the receiving part 21 and the first receiving part 21, and the foreign matter P is 2 to discharge the foreign matter P accommodated in the first receiving part 21 to the outside. It may include a second accommodating portion 22 accommodated by the vehicle and a first blocking device 23 installed between the first accommodating portion 21 and the second accommodating portion 22.

또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 이물질 포집부(20)는, 상기 제 2 수용부(22)는 상기 제 1 수용부(21)의 일측에 설치되고, 배기 펌프(30)는 상기 제 1 수용부(21)의 타측에 설치되는 수평 배치식 몸체(20-1) 및 상기 제 2 수용부(22)에 설치되는 제 2 차단 장치(24)를 더 포함할 수 있다.In addition, as shown in Figure 3, the foreign matter collecting portion 20, the second receiving portion 22 is installed on one side of the first receiving portion 21, the exhaust pump 30 is the first 1 may further include a horizontally arranged body 20-1 installed on the other side of the receiving portion 21 and a second blocking device 24 installed on the second receiving portion 22.

여기서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 차단 장치(23) 및 상기 제 2 차단 장치(24)는, 이물질 수거용 트레이(T)를 통과시킬 수 있는 수직형 게이트 밸브일 수 있다.Here, as illustrated in FIG. 3, the first blocking device 23 and the second blocking device 24 may be vertical gate valves through which a tray T for collecting foreign matter passes.

따라서, 상기 배기 가스 정화부(10)에서 발생된 상기 이물질(P)들은 1차로 상기 제 1 수용부(21) 또는 상기 제 1 수용부(21)에 수용된 상기 트레이(T) 내부에 적층될 수 있다.Therefore, the foreign matters P generated in the exhaust gas purification unit 10 may be primarily stacked inside the tray T accommodated in the first accommodating portion 21 or the first accommodating portion 21. have.

이어서, 상기 트레이(T) 내부에 상기 이물질(P)들이 충분히 적층되면, 상기 제 1 차단 장치(23)를 개방하여 상기 트레이(T)를 상기 제 2 수용부(22)로 수평 이동시키거나 교환시킬 수 있다. 이러한 수평 이동 과정은 별도의 이동 장치나 작업자의 수작업에 의해 수행될 수 있다.Subsequently, when the foreign matters P are sufficiently stacked in the tray T, the first blocking device 23 is opened to horizontally move or exchange the tray T to the second receiving portion 22. I can do it. This horizontal movement process may be performed by a separate mobile device or a manual operation of the operator.

이어서, 상기 제 2 차단 장치(24)를 개방하여 상기 트레이(T)를 외부로 배출시켜서 상기 이물질(P)을 제거할 수 있다.Subsequently, the foreign matter P may be removed by opening the second blocking device 24 and discharging the tray T to the outside.

이 때, 상기 제 1 차단 장치(23)를 차단하여 새로운 상기 트레이(T)에 이물질이 적층되는 과정을 장비의 중단 없이 연속적으로 수행할 수 있다.At this time, by blocking the first blocking device 23, a process in which foreign substances are stacked on the new tray T can be continuously performed without stopping the equipment.

도 5는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치(300)를 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating an exhaust gas treatment apparatus 300 according to some other embodiments of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치(300)의 이물질 포집부(20)는, 상기 제 2 수용부(22)는 상기 제 1 수용부(21)의 하측에 설치되고, 배기 펌프(30)는 상기 제 1 수용부(21)의 일측에 설치되는 수직 배치식 몸체(20-2)를 더 포함하고, 상기 제 1 차단 장치(25)는, 상기 이물질을 낙하시킬 수 있는 수평형 게이트 밸브일 수 있다.As shown in FIG. 5, the foreign matter collecting part 20 of the exhaust gas treatment apparatus 300 according to some other embodiments of the present invention, the second receiving part 22 is the first receiving part 21 ) Is installed on the lower side, the exhaust pump 30 further includes a vertically arranged body 20-2 installed on one side of the first receiving portion 21, the first blocking device 25 is, It may be a horizontal gate valve capable of dropping the foreign material.

따라서, 상기 배기 가스 정화부(10)에서 발생된 상기 이물질(P)들은 1차로 상기 제 1 수용부(21)의 상기 제 1 차단 장치(25) 상에 적층될 수 있다.Therefore, the foreign matters P generated in the exhaust gas purification unit 10 may be primarily stacked on the first blocking device 25 of the first receiving unit 21.

이어서, 상기 이물질(P)들이 충분히 적층되면, 상기 제 1 차단 장치(25)를 개방하여 상기 이물질(P)들을 낙하시켜서 제 2 수용부(22)의 상기 트레이(T)의 내부로 이동시킬 수 있다.Subsequently, when the foreign matters P are sufficiently stacked, the first blocking device 25 may be opened to drop the foreign matters P and move to the inside of the tray T of the second receiving part 22. have.

이어서, 도시하진 않았지만, 별도의 게이트 밸브나 커버를 분해하여 상기 트레이(T)를 외부로 배출시켜서 상기 이물질(P)을 제거할 수 있다.Subsequently, although not illustrated, a separate gate valve or cover may be disassembled to discharge the tray T to the outside to remove the foreign material P.

이 때, 상기 제 1 차단 장치(25)를 차단하여 이물질이 적층되는 과정을 장비의 중단없이 연속적으로 수행할 수 있다.At this time, by blocking the first blocking device 25, the process of depositing foreign substances can be continuously performed without stopping the equipment.

도 6은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치(400)를 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view of an exhaust gas treatment apparatus 400 according to some other embodiments of the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치(400)의 배기 가스 정화부(10)는, 상측에 제 1 배기 가스 정화부(1010)가 형성되고, 하부에 제 2 배기 가스 정화부(1020)가 형성되는 상하 다단형 배기 가스 정화부(1000)일 수 있다.6, the exhaust gas purification unit 10 of the exhaust gas processing apparatus 400 according to some other embodiments of the present invention, the first exhaust gas purification unit 1010 is formed on the upper side , The upper and lower multi-stage exhaust gas purification unit 1000 in which the second exhaust gas purification unit 1020 is formed at the lower portion.

따라서, 본 발명의 기술적 사상에 따르면, 상기 배기 가스 정화부(10)를 상하 다단으로 형성하여 배출되는 배기 가스의 양이 많거나 유해한 물질이 많거나 엄격해진 환경 조건에 충족시키기 위해서 정화 과정을 반복적으로 수행하기에 용이할 수 있다.Therefore, according to the technical idea of the present invention, the purification process is repeated to form the exhaust gas purification unit 10 in multiple stages up and down to meet the environmental conditions of which the amount of exhaust gas discharged is high or contains many harmful substances or is severe. It can be easy to perform.

도 7은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치(500)를 나타내는 단면도이다.7 is a cross-sectional view of an exhaust gas treatment apparatus 500 according to some other embodiments of the present invention.

도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 배기 가스 처리 장치(500)의 상기 가스 정화부(10)는, 좌측에 제 1 배기 가스 정화부(2010)가 형성되고, 우측에 제 2 배기 가스 정화부(2020)가 형성되는 좌우 다단형 배기 가스 정화부(2000)일 수 있다.As illustrated in FIG. 7, in the gas purification unit 10 of the exhaust gas processing apparatus 500 according to some other embodiments of the present invention, a first exhaust gas purification unit 2010 is formed on the left side. , A right and left multi-stage exhaust gas purification unit 2000 in which a second exhaust gas purification unit 2020 is formed on the right side.

따라서, 본 발명의 기술적 사상에 따르면, 상기 배기 가스 정화부(10)를 좌우 다단으로 형성하여 배출되는 배기 가스의 양이 많거나 유해한 물질이 많거나 엄격해진 환경 조건에 충족시키기 위해서 정화 과정을 반복적으로 수행하기에 용이할 수 있다.Accordingly, according to the technical idea of the present invention, the purification process is repeatedly performed to form the exhaust gas purification unit 10 in left and right multi-stages to satisfy the environmental conditions in which the amount of exhaust gas discharged is large or contains many harmful substances or is severe. It can be easy to perform.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

1: 챔버
1a: 배기 가스 배출구
10: 배기 가스 정화부
11: 반응 본체
12: 마그네틱 코어
13: 일차 권선
11-1: 제 1 분기부
11-2: 제 2 분기부
14: 실링 부재
15: 절연 부재
20: 이물질 포집부
21: 제 1 수용부
22: 제 2 수용부
23, 25, 26: 제 1 차단 장치
24: 제 2 차단 장치
T: 이물질 수거용 트레이
20-1: 수평 배치식 몸체
20-2: 수직 배치식 몸체
20-3: 경사 배치식 몸체
C: 경사 저면
M: 주연부
N: 맞물림부
S: 실링 부재
26-1: 홀더형 도어
30: 배기 펌프
100: 배기 가스 처리 장치
1010, 2010: 제 1 배기 가스 정화부
1020, 2020: 제 2 배기 가스 정화부
1000: 상하 다단형 배기 가스 정화부
2000: 좌우 다단형 배기 가스 정화부
1: Chamber
1a: exhaust gas outlet
10: exhaust gas purification unit
11: reaction body
12: Magnetic core
13: primary winding
11-1: first quarter
11-2: Second Branch
14: sealing member
15: insulating member
20: foreign matter collection unit
21: first receiving unit
22: second receiving section
23, 25, 26: first blocking device
24: second blocking device
T: Foreign material collection tray
20-1: Horizontally placed body
20-2: Vertically placed body
20-3: Inclined body
C: Slope bottom
M: Lead
N: Interlocking part
S: sealing member
26-1: Holder-type door
30: exhaust pump
100: exhaust gas treatment device
1010, 2010: First exhaust gas purification unit
1020, 2020: second exhaust gas purification unit
1000: upper and lower multi-stage exhaust gas purification unit
2000: left and right multi-stage exhaust gas purification unit

Claims (11)

챔버와 연결되어 배기 가스를 정화하는 배기 가스 정화부; 및
상기 배기 가스 정화부에서 발생되는 이물질들을 포집하는 이물질 포집부;를 포함하고,
상기 이물질 포집부는,
상기 배기 가스 정화부와 연통되게 설치되고, 상기 이물질을 1차로 수용하는 제 1 수용부;
상기 제 1 수용부와 연통되게 설치되고, 상기 제 1 수용부에 수용된 상기 이물질을 외부로 배출시킬 수 있도록 상기 이물질을 2차로 수용하는 제 2 수용부; 및
상기 제 1 수용부와 상기 제 2 수용부 사이에 설치되는 제 1 차단 장치;
를 포함하고,
상기 이물질 포집부는,
상기 제 2 수용부는 상기 제 1 수용부의 일측에 설치되고, 배기 펌프는 상기 제 1 수용부의 타측에 설치되는 수평 배치식 몸체; 및
상기 제 2 수용부에 설치되는 제 2 차단 장치;를 더 포함하고,
상기 제 1 차단 장치 및 상기 제 2 차단 장치는, 이물질 수거용 트레이를 통과시킬 수 있는 수직형 게이트 밸브인, 배기 가스 처리 장치.
An exhaust gas purification unit connected to the chamber to purify the exhaust gas; And
Includes; foreign matter collecting unit for collecting foreign matter generated in the exhaust gas purification unit,
The foreign matter collecting unit,
A first accommodating part installed in communication with the exhaust gas purifying part and primarily accommodating the foreign material;
A second accommodating part installed in communication with the first accommodating part and accommodating the foreign material secondarily so as to discharge the foreign material contained in the first accommodating part to the outside; And
A first blocking device installed between the first receiving portion and the second receiving portion;
Including,
The foreign matter collecting unit,
The second accommodating portion is installed on one side of the first accommodating portion, the exhaust pump is a horizontally arranged body installed on the other side of the first accommodating portion; And
Further comprising; a second blocking device installed in the second receiving portion,
The first blocking device and the second blocking device are vertical gate valves capable of passing a tray for collecting foreign substances, and the exhaust gas processing device.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 챔버와 연결되어 배기 가스를 정화하는 배기 가스 정화부; 및
상기 배기 가스 정화부에서 발생되는 이물질들을 포집하는 이물질 포집부;를 포함하고,
상기 이물질 포집부는,
상기 배기 가스 정화부와 연통되게 설치되고, 상기 이물질을 1차로 수용하는 제 1 수용부;
상기 제 1 수용부와 연통되게 설치되고, 상기 제 1 수용부에 수용된 상기 이물질을 외부로 배출시킬 수 있도록 상기 이물질을 2차로 수용하는 제 2 수용부; 및
상기 제 1 수용부와 상기 제 2 수용부 사이에 설치되는 제 1 차단 장치;
를 포함하고,
상기 이물질 포집부는,
상기 제 2 수용부는 상기 제 1 수용부의 측하방에 설치되고, 배기 펌프는 상기 제 1 수용부의 일측에 설치되는 경사 배치식 몸체;를 더 포함하고,
상기 제 1 차단 장치는, 상기 이물질을 낙하시킬 수 있는 경사형 게이트 밸브이고,
상기 경사형 게이트 밸브는,
상기 경사 배치식 몸체의 경사 저면에 형성된 주연부와 맞물리는 맞물림부가 형성되는 홀더형 도어;를 포함하는, 배기 가스 처리 장치.
An exhaust gas purification unit connected to the chamber to purify the exhaust gas; And
Includes; foreign matter collecting unit for collecting foreign matter generated in the exhaust gas purification unit,
The foreign matter collecting unit,
A first accommodating part installed in communication with the exhaust gas purifying part and primarily accommodating the foreign material;
A second accommodating part installed in communication with the first accommodating part and accommodating the foreign material secondarily so as to discharge the foreign material contained in the first accommodating part to the outside; And
A first blocking device installed between the first receiving portion and the second receiving portion;
Including,
The foreign matter collecting unit,
The second accommodating portion is installed on the lower side of the first accommodating portion, and the exhaust pump further includes an inclined arrangement-type body installed on one side of the first accommodating portion,
The first blocking device is an inclined gate valve capable of dropping the foreign material,
The inclined gate valve,
Including, the holder-type door is formed with an engaging portion for engaging the peripheral portion formed on the inclined bottom surface of the inclined arrangement-type body, including, exhaust gas processing apparatus.
제 1 항에 있어서,
상기 배기 가스 정화부는,
플라즈마가 발생되고, 상기 이물질 포집부의 적어도 일부와 일체로 형성되는 반응 본체; 및
상기 반응 본체에 결합되어 일차 권선에 의해 상기 반응 본체로 플라즈마 발생을 위한 유도기전력을 형성하는 마그네틱 코어;
를 포함하는, 배기 가스 처리 장치.
According to claim 1,
The exhaust gas purification unit,
A reaction body in which plasma is generated and integrally formed with at least a part of the foreign matter collecting part; And
A magnetic core coupled to the reaction body to form an induced electromotive force for plasma generation to the reaction body by a primary winding;
Exhaust gas treatment device comprising a.
제 6 항에 있어서,
상기 마그네틱 코어는 상기 반응 본체의 일부를 감싸는 형상으로 형성되는, 배기 가스 처리 장치.
The method of claim 6,
The magnetic core is formed in a shape surrounding a part of the reaction body, the exhaust gas processing apparatus.
제 7 항에 있어서,
상기 반응 본체는 중공형 형상이고, 환형의 플라즈마 방전 루프가 좌측 및 우측 또는 상측 및 하측에 각각 형성되도록 분기된 분기관이 형성되는, 배기 가스 처리 장치.
The method of claim 7,
The reaction body has a hollow shape, and an exhaust gas processing apparatus in which branched branch pipes are formed such that annular plasma discharge loops are formed on the left and right sides or on the upper and lower sides, respectively.
챔버와 연결되어 배기 가스를 정화하는 배기 가스 정화부; 및
상기 배기 가스 정화부에서 발생되는 이물질들을 포집하는 이물질 포집부;를 포함하고,
상기 이물질 포집부는,
상기 배기 가스 정화부와 연통되게 설치되고, 상기 이물질을 1차로 수용하는 제 1 수용부;
상기 제 1 수용부와 연통되게 설치되고, 상기 제 1 수용부에 수용된 상기 이물질을 외부로 배출시킬 수 있도록 상기 이물질을 2차로 수용하는 제 2 수용부; 및
상기 제 1 수용부와 상기 제 2 수용부 사이에 설치되는 제 1 차단 장치;
를 포함하고,
상기 배기 가스 정화부는,
플라즈마가 발생되고, 상기 이물질 포집부의 적어도 일부와 일체로 형성되는 반응 본체; 및
상기 반응 본체에 결합되어 일차 권선에 의해 상기 반응 본체로 플라즈마 발생을 위한 유도기전력을 형성하는 마그네틱 코어;
를 포함하고,
상기 마그네틱 코어는 상기 반응 본체의 일부를 감싸는 형상으로 형성되고,
상기 반응 본체는 중공형 형상이고, 환형의 플라즈마 방전 루프가 좌측 및 우측 또는 상측 및 하측에 각각 형성되도록 분기된 분기관이 형성되고,
상기 분기관은,
상기 반응 본체의 상부에 형성되는 제 1 분기부;
상기 반응 본체의 하부에 형성되고, 상기 제 1 분기부와 외통 결합되는 제 2 분기부;
상기 제 1 분기부와 상기 제 2 분기부 사이에 형성되는 실링 부재; 및
상기 제 1 분기부와 상기 제 2 분기부 사이에 형성되고, 상기 실링 부재의 하방에 형성되며, 상기 배기 가스의 흐름으로부터 보호될 수 있도록 상기 제 1 분기부의 말단 높이 보다 높은 위치에 설치되는 절연 부재;
를 포함하는, 배기 가스 처리 장치.
An exhaust gas purification unit connected to the chamber to purify the exhaust gas; And
Includes; foreign matter collecting unit for collecting foreign matter generated in the exhaust gas purification unit,
The foreign matter collecting unit,
A first accommodating part installed in communication with the exhaust gas purifying part and primarily accommodating the foreign material;
A second accommodating part installed in communication with the first accommodating part and accommodating the foreign material secondarily so as to discharge the foreign material contained in the first accommodating part to the outside; And
A first blocking device installed between the first receiving portion and the second receiving portion;
Including,
The exhaust gas purification unit,
A reaction body in which plasma is generated and integrally formed with at least a part of the foreign matter collecting part; And
A magnetic core coupled to the reaction body to form an induced electromotive force for plasma generation to the reaction body by a primary winding;
Including,
The magnetic core is formed in a shape surrounding a part of the reaction body,
The reaction body has a hollow shape, and branched branches are formed so that an annular plasma discharge loop is formed on the left and right sides or on the upper and lower sides, respectively.
The branch pipe,
A first branch formed on the reaction body;
A second branch formed on the lower portion of the reaction body and externally coupled to the first branch;
A sealing member formed between the first branch portion and the second branch portion; And
An insulating member formed between the first branch and the second branch, formed below the sealing member, and installed at a position higher than the end height of the first branch so as to be protected from the exhaust gas flow. ;
Exhaust gas treatment device comprising a.
제 8 항에 있어서,
상기 배기 가스 정화부는,
상측에 제 1 배기 가스 정화부가 형성되고, 하부에 제 2 배기 가스 정화부가 형성되는 상하 다단형 배기 가스 정화부인, 배기 가스 처리 장치.
The method of claim 8,
The exhaust gas purification unit,
An exhaust gas processing apparatus that is a vertically multistage exhaust gas purification unit in which a first exhaust gas purification unit is formed at an upper side and a second exhaust gas purification unit is formed at a lower portion.
제 8 항에 있어서,
상기 배기 가스 정화부는,
좌측에 제 1 배기 가스 정화부가 형성되고, 우측에 제 2 배기 가스 정화부가 형성되는 좌우 다단형 배기 가스 정화부인, 배기 가스 처리 장치.
The method of claim 8,
The exhaust gas purification unit,
An exhaust gas processing apparatus that is a left-right multi-stage type exhaust gas purification unit in which a first exhaust gas purification unit is formed on the left side and a second exhaust gas purification unit is formed on the right side.
KR1020180084303A 2018-07-19 2018-07-19 Processing apparatus of exhaust gas KR102113293B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180084303A KR102113293B1 (en) 2018-07-19 2018-07-19 Processing apparatus of exhaust gas

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180084303A KR102113293B1 (en) 2018-07-19 2018-07-19 Processing apparatus of exhaust gas

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200009659A KR20200009659A (en) 2020-01-30
KR102113293B1 true KR102113293B1 (en) 2020-06-16

Family

ID=69321606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180084303A KR102113293B1 (en) 2018-07-19 2018-07-19 Processing apparatus of exhaust gas

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102113293B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022035300A1 (en) * 2020-08-14 2022-02-17 (주) 엔피홀딩스 Plasma generator and process treatment apparatus comprising same
KR20220021881A (en) * 2020-08-14 2022-02-22 (주) 엔피홀딩스 A plasma generator including the same, and processing apparatus including the plasma generator

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102522018B1 (en) * 2022-12-27 2023-04-17 크라이오에이치앤아이(주) Apparatus for removing by-products

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013084561A (en) 2011-10-10 2013-05-09 Korea Inst Of Machinery & Materials Plasma reactor for removal of contaminant
KR101611955B1 (en) 2014-04-28 2016-04-12 주식회사 클린팩터스 Plasma reactor for purifying exhaust gas of the process facility

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200244929Y1 (en) * 1998-02-06 2001-11-16 김영환 Apparatus for trapping by-product of semiconductor
KR20000066084A (en) * 1999-04-13 2000-11-15 윤종용 Waste gas process system
KR101275870B1 (en) * 2011-09-01 2013-06-18 최대규 Wafer processing system having plasma generator for cleaning exhaust gas
KR101565116B1 (en) * 2014-04-16 2015-11-02 (주)클린팩터스 Facility for purifying exhaust gas which is generated in processing facility
KR101895329B1 (en) * 2016-03-10 2018-09-05 주식회사 에프에스티 Gas dissociation system

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013084561A (en) 2011-10-10 2013-05-09 Korea Inst Of Machinery & Materials Plasma reactor for removal of contaminant
KR101611955B1 (en) 2014-04-28 2016-04-12 주식회사 클린팩터스 Plasma reactor for purifying exhaust gas of the process facility

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022035300A1 (en) * 2020-08-14 2022-02-17 (주) 엔피홀딩스 Plasma generator and process treatment apparatus comprising same
KR20220021881A (en) * 2020-08-14 2022-02-22 (주) 엔피홀딩스 A plasma generator including the same, and processing apparatus including the plasma generator
KR102661030B1 (en) * 2020-08-14 2024-04-25 (주) 엔피홀딩스 A plasma generator including the same, and processing apparatus including the plasma generator

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200009659A (en) 2020-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102113293B1 (en) Processing apparatus of exhaust gas
KR102652921B1 (en) ATOMIC LAYER ETCHING OF GaN AND OTHER III-V MATERIALS
US10074543B2 (en) High dry etch rate materials for semiconductor patterning applications
US10192759B2 (en) Image reversal with AHM gap fill for multiple patterning
CN100543179C (en) Be used for the process kit design of sediment chamber
US10465294B2 (en) Oxide and metal removal
KR102570795B1 (en) Integrating atomic scale processes: ald (atomic layer deposition) and ale (atomic layer etch)
TWI736946B (en) Processing systems and methods for halide scavenging
KR101654968B1 (en) Substrate processing apparatus and method of depositing a film
US20180308680A1 (en) Selective deposition with atomic layer etch reset
KR20180053238A (en) Self-aligned multi-patterning process flow with ald gapfill spacer mask
US20200168440A1 (en) Metal contact landing structure
WO2017040722A9 (en) Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers
US20220028697A1 (en) Directional deposition in etch chamber
JP2014017322A (en) Deposition apparatus operation method and deposition apparatus
CN109075024A (en) Micro-volume deposition chambers
KR20200120135A (en) Substrate processing system
KR20030011399A (en) Plasma enhanced atomic layer deposition equipment and method of forming a thin film using the same
WO2022203946A1 (en) Uniform in situ cleaning and deposition
JP7520868B2 (en) Lid assembly apparatus and method for a substrate processing chamber - Patents.com
KR102661030B1 (en) A plasma generator including the same, and processing apparatus including the plasma generator
US6334404B1 (en) Method and apparatus for reducing particle contamination on wafers
CN1954415A (en) Microcontamination abatement method in semiconductor processing
KR20040048618A (en) Atomic layer deposition apparatus
TW201903841A (en) Methods and structures to reduce contact resistance for finfet devices

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right