KR102110936B1 - Appartus and method for insfecting diffraction of coaxial reflection type - Google Patents

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Abstract

본 발명은 동축 반사형 회절광을 이용하여 마스크 등의 마스크 패턴의 회절 이미지 검사를 신뢰도 높게 수행할 수 있는 동축 반사형 회전검사 장치 및 방법에 관한 것으로서, 마스크 패턴에 설정된 각도로 빛을 조사하는 광원; 상기 광원으로부터 조사된 빛을 분배하는 스플리터; 상기 광원으로부터 조사되어 반사된 빛의 이미지를 상기 스플리터로 통해 촬상하는 이미지 센서; 상기 마스크 패턴에 조사되는 상기 광원의 각도를 조절하는 광원 각도 조절부; 및 상기 광원의 조사 각도를 조절하여 마스크 패턴에 조사되는 빛이 보강간섭을 일으키는 지점에서의 상기 광원이 상기 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 입사각도(θ)와 상기 광원에서 조사되는 빛의 파장 정보를 이용하여 상기 마스크 패턴의 피치값(P)을 연산하는 연산부;를 포함하여 구성되어 동축 반사형 회절광을 이용하여 마스크 등의 반도체 패턴의 회절 이미지 검사를 수행할 수 있도록 하여 이미지를 신뢰도 높게 검출할 수 있는 효과가 있다. The present invention relates to a coaxial reflective rotation inspection apparatus and method capable of performing highly reliable diffraction image inspection of a mask pattern such as a mask using coaxial reflective diffraction light, a light source irradiating light at an angle set in a mask pattern ; A splitter that distributes light irradiated from the light source; An image sensor imaging an image of light reflected from the light source through the splitter; A light source angle adjusting unit that adjusts the angle of the light source irradiated to the mask pattern; And the angle of incidence (θ) that the light source makes with respect to the repair of the mask pattern at the point where light irradiated to the mask pattern causes constructive interference by adjusting the irradiation angle of the light source, and wavelength information of light irradiated from the light source. It comprises a; calculation unit for calculating the pitch value (P) of the mask pattern by using a coaxial reflective diffraction light to perform a diffraction image inspection of a semiconductor pattern such as a mask to detect the image with high reliability. It has the effect.

Description

동축 반사형 회절 검사 장치 및 방법{APPARTUS AND METHOD FOR INSFECTING DIFFRACTION OF COAXIAL REFLECTION TYPE} Coaxial reflection type diffraction inspection apparatus and method {APPARTUS AND METHOD FOR INSFECTING DIFFRACTION OF COAXIAL REFLECTION TYPE}

본 발명은 동축 반사형 회전검사 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 동축 반사형 회절광을 이용하여 마스크 등의 마스크 패턴의 회절 이미지 검사를 신뢰도 높게 수행할 수 있는 동축 반사형 회전검사 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a coaxial reflection type rotation inspection apparatus and method, and more specifically, a coaxial reflection type rotation inspection device capable of performing highly reliable diffraction image inspection of a mask pattern such as a mask using coaxial reflection type diffraction light and It's about how.

회절격자는 슬릿이 같은 간격으로 무수히 많이 배열되어 있는 일종의 다중슬릿이다. 이 슬릿들을 통과하는 빛들이 서로 일정한 위상 차이를 하고 있어 보강간섭이나 소멸간섭이 극단적으로 이루어진다. The diffraction grating is a kind of multi-slit in which a number of slits are arranged at the same interval. Because the light passing through these slits has a constant phase difference with each other, reinforcement interference or extinction interference is made extremely.

이는 1785년 미국의 리텐하우스(D. Rittenhouse)에 의해 별의 스펙트럼을 분석하기 위하여 고안되었다. 그리고 얼마 후에 프라운호퍼(J. von Fraunhofer)에 의해 다시 발견되었으며 광학의 발전과 더불어 계속 발전하여 투과형뿐만 아니라 반사형도 널리 이용되고 있다. It was designed in 1785 by the American R. Rittenhouse to analyze the spectrum of stars. And after a while, it was discovered again by J. von Fraunhofer and continues to develop along with the development of optics, making both transmissive and reflective types widely used.

현재는 빛의 파장을 분석하기 위한 장치로서의 회절 검사 장치는 적외선 영역까지 포함하고, 분광기(spectrometer)의 핵심적인 소자가 되어 있다. Currently, as a device for analyzing the wavelength of light, a diffraction inspection device includes an infrared region, and has become a key element of a spectrometer.

회절 검사 장치에 있어서 검사는 브라이트 필드(bright field)와 다크필드(dark field)로 구분된다. 브라이트 필드의 경우에는 결상 이미지를 통해 마스크 패턴을 분석한다. 다크필드의 경우에는 한계 해상도 이상의 돌출 이물 검사를 진행한다. 그러나, 브라이트 필드의 경우에는 최대해상도를 찾기 위해서는 회절 검사 장치를 조정하여 최적조건을 구해야 하기 때문에 시간 소요가 많이 발생한다는 문제점이 있다. 또한, 다크필드(dark field)의 경우에는 돌출 또는 이물질을 찾아내기 위한 과정이므로 평면에 대한 검사만 가능하다는 문제점이 있다. In the diffraction inspection apparatus, the inspection is divided into a bright field and a dark field. In the case of the bright field, the mask pattern is analyzed through the imaging image. In the case of the dark field, protruding foreign matter inspection beyond the limit resolution is performed. However, in the case of the bright field, there is a problem in that it takes a lot of time because the optimum condition must be obtained by adjusting the diffraction inspection device in order to find the maximum resolution. In addition, in the case of a dark field, there is a problem in that it is possible to inspect only a plane because it is a process for finding protrusions or foreign objects.

대한민국 공개특허 제10-2014-0018465호 "반도체 패키지 검사 장치 및 그 검사 방법"Republic of Korea Patent Publication No. 10-2014-0018465 "semiconductor package inspection device and its inspection method"

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 동축 반사형 회절광을 이용하여 마스크 등의 마스크 패턴의 회절 이미지 검사를 수행할 수 있도록 하여 이미지를 신뢰도 높게 검출할 수 있는 동축 반사형 회전검사 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다. The present invention is to solve the above problems, the purpose of which is to use a coaxial reflective diffraction light to perform a diffraction image inspection of a mask pattern, such as a mask, coaxial reflection type that can detect the image with high reliability. It is to provide a rotation inspection apparatus and method.

상술한 목적을 달성하기 위한 동축 반사형 회전검사 장치는, 마스크 패턴에 설정된 각도로 빛을 조사하는 광원; 상기 광원으로부터 조사된 빛을 분배하는 스플리터; 상기 광원으로부터 조사되어 반사된 빛의 이미지를 상기 스플리터로 통해 촬상하는 이미지 센서; 상기 마스크 패턴에 조사되는 상기 광원의 각도를 조절하는 광원 각도 조절부; 및 상기 광원의 조사 각도를 조절하여 마스크 패턴에 조사되는 빛이 보강간섭을 일으키는 지점에서의 상기 광원이 상기 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 입사각도(θ)와 상기 광원에서 조사되는 빛의 파장 정보를 이용하여 상기 마스크 패턴의 피치값을 연산하는 연산부;를 포함하여 구성된다. A coaxial reflective rotation inspection apparatus for achieving the above object includes: a light source irradiating light at an angle set in a mask pattern; A splitter that distributes light irradiated from the light source; An image sensor that captures an image of light reflected from the light source through the splitter; A light source angle adjusting unit that adjusts the angle of the light source irradiated to the mask pattern; And the angle of incidence (θ) that the light source makes with respect to the repair of the mask pattern at the point where light irradiated to the mask pattern causes constructive interference by adjusting the irradiation angle of the light source, and wavelength information of light irradiated from the light source. It comprises a; calculation unit for calculating the pitch value of the mask pattern using.

상기 광원은, 방사되는 빛의 파장을 조절 가능한 파장을 가변시킬 수 있는 가변 파장 램프를 사용하여 구성될 수 있다. The light source may be configured using a variable wavelength lamp capable of changing a wavelength that can control the wavelength of emitted light.

상기 연산부는, 상기 광원이 상기 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 입사각도(θ)와 상기 광원에서 조사되는 빛의 파장 정보를 이용하여 다음의 수학식에 의해 상기 반사된 빛의 이미지에 의해 측정된 패턴의 피치값(P)을 측정하도록 구성될 수 있다. The calculation unit, a pattern measured by the image of the reflected light by the following equation using the incident angle (θ) formed with respect to the water line of the mask pattern and the wavelength information of the light emitted from the light source It may be configured to measure the pitch value (P) of.

Figure 112018020367427-pat00001
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상기 수학식에서 m은 자연수를 나타내며, P는 반사된 빛의 이미지에 의해 측정된 마스크 패턴의 피치값을 나타내고, θ는 광원이 상기 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 입사각도를 나타내며, λ는 상기 광원에서 방사되는 빛의 파장을 나타냄In the above equation, m denotes a natural number, P denotes a pitch value of a mask pattern measured by an image of reflected light, θ denotes an angle of incidence that the light source makes with respect to the waterline of the mask pattern, and λ denotes the light source. Indicates the wavelength of emitted light

상술한 목적을 달성하기 위한 동축 반사형 회전검사 방법은, 광원의 각도 및 광원에 의해 방사되는 빛의 파장을 조정하여 마스크 패턴에 보강간섭을 발생시키는 단계; 이미지 센서는 최대의 보강간섭이 발생하는 지점을 추적하는 단계; 최대의 보강간섭이 발생하였는 지의 여부를 판단하는 단계; 최대의 보강간섭이 발생한 것으로 판단되면, 최대의 보강간섭이 발생한 지점에서의 광원이 상기 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 입사각도(θ) 및 광원에 의해 방사되는 빛의 파장(λ) 정보를 수신하는 단계; 및 상기 광원이 상기 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 각도(θ)와 광원으로부터 광원의 파장(λ) 정보를 수신하여 상기 마스크 패턴의 피치(pitch)값(P)을 연산하는 단계;를 포함하여 구성된다. A coaxial reflective rotation inspection method for achieving the above object comprises: adjusting the angle of the light source and the wavelength of light emitted by the light source to generate a constructive interference in the mask pattern; The image sensor includes tracking a point at which maximum reinforcement interference occurs; Determining whether a maximum reinforcement interference has occurred; When it is determined that the maximum constructive interference has occurred, the light source at the point where the maximum constructive interference has occurred receives the incident angle (θ) and the wavelength (λ) of the light emitted by the light source at the point of repair of the mask pattern. step; And calculating the pitch value P of the mask pattern by receiving the angle θ formed by the light source with respect to the water line of the mask pattern and the wavelength (λ) of the light source from the light source. do.

상기 연산하는 단계는, 상기 광원이 상기 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 입사각도(θ)와 상기 광원에서 조사되는 빛의 파장 정보를 이용하여 다음의 수학식에 의해 상기 반사된 빛의 이미지에 의해 측정된 패턴의 피치값(P)을 측정하도록 구성되는 것인 동축 반사형 회절 검사 방법.The calculating step is measured by an image of the reflected light by the following equation using the incident angle θ formed by the light source with respect to the repair of the mask pattern and the wavelength information of light irradiated from the light source. Coaxial reflective diffraction inspection method that is configured to measure the pitch value (P) of the pattern.

Figure 112018020367427-pat00002
Figure 112018020367427-pat00002

상기 수학식에서 m은 자연수를 나타내며, P는 반사된 빛의 이미지에 의해 측정된 패턴의 피치값을 나타내고, θ는 광원이 상기 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 입사각도를 나타내며, λ는 상기 광원의 파장을 나타냄. In the above equation, m denotes a natural number, P denotes a pitch value of a pattern measured by an image of reflected light, θ denotes an angle of incidence that the light source makes with respect to the waterline of the mask pattern, and λ denotes the wavelength of the light source Indicates.

본 발명의 동축 반사형 회절 검사 장치 및 방법은 동축 반사형 회절광을 이용하여 마스크 등의 반도체 패턴의 회절 이미지 검사를 수행할 수 있도록 하여 이미지를 신뢰도 높게 검출할 수 있는 효과가 있다. The coaxial reflection type diffraction inspection apparatus and method of the present invention is effective in detecting an image with high reliability by allowing a diffraction image inspection of a semiconductor pattern such as a mask to be performed using coaxial reflection type diffraction light.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 마스크 패턴에 대하여 동축 반사형 회절검사하는 것을 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 동축 반사형 회절검사하기 위한 장치의 구성을 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 동축 반사형 회절검사하는 과정을 나타낸 순서도. 1 is a view showing coaxial reflective diffraction inspection of a mask pattern according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing the configuration of an apparatus for coaxial reflective diffraction inspection according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a flow chart showing the process of coaxial reflective diffraction inspection according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예를 나타내는 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings showing embodiments of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 패턴에 대하여 동축 반사형 회절검사하는 것을 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 동축 반사형 회절검사하기 위한 장치의 구성을 나타낸 도면이다. 1 is a view showing a coaxial reflection type diffraction inspection for a mask pattern according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view showing the configuration of a device for coaxial reflection type diffraction inspection according to an embodiment of the present invention to be.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 동축 반사형 회전검사 장치는 광원(100), 스플리터(200), 이미지 센서(300) 및 광원 조절부(400)를 포함하여 구성된다. 1 and 2, the coaxial reflective rotation inspection apparatus of the present invention includes a light source 100, a splitter 200, an image sensor 300 and a light source control unit 400.

광원(100)은 마스크의 패턴(110)에 일정하게 설정된 각도로 상기 방사되는 빛을 조사한다. The light source 100 irradiates the emitted light at an angle set at a constant pattern on the pattern 110 of the mask.

광원(100)은 빛의 파장을 가변시켜 조사시킬 수 있다. 광원(100)은 방사되는 빛의 파장을 조절 가능한 파장을 가변시킬 수 있는 가변 파장 램프를 사용할 수 있다. 광원(100)은 다수개의 광원이 밀집하여 형성된 형태로 구성하여 다수 종류의 파장의 빛을 방사시킬 수 있다. The light source 100 may be irradiated by varying the wavelength of light. The light source 100 may use a variable wavelength lamp capable of changing a wavelength that can control the wavelength of emitted light. The light source 100 may be formed in a form in which a plurality of light sources are concentrated to emit light of various types of wavelengths.

스플리터(200)는 광원(100)으로부터 조사된 빛을 분배하고 상기 마스크 패턴에 결상된 이미지를 분배하여 이미지 센서(300)로 보낸다. The splitter 200 distributes the light irradiated from the light source 100 and distributes the image formed on the mask pattern and sends it to the image sensor 300.

스플리터(200)에서 분배된 빛은 마스크 패턴(110)에 반사되면서 동시에 회절이 발생한다. Diffraction occurs at the same time as the light distributed from the splitter 200 is reflected by the mask pattern 110.

이미지 센서(300)는 광원(100)으로부터 조사되어 마스크 패턴(110)에 의해 반사된 이미지를 상기 스플리터(200)로부터 받아 촬상한다. 이미지 센서(300)는 광원(100)과 스플리터(200)에 동기되어 함께 움직이면서 마스크 패턴(110)에 생선된 회절에 의해 발생한 이미지를 촬상한다. The image sensor 300 receives an image reflected from the light source 100 and reflected by the mask pattern 110 from the splitter 200 to take an image. The image sensor 300 captures an image generated by diffraction fished into the mask pattern 110 while moving in synchronization with the light source 100 and the splitter 200.

광원 각도 조절부(400)는 광원(100)이 상기 마스크 패턴에 조사되는 각도를 조절한다. 전술한 바와 같이 스플리터(200)와 이미지 센서(300)는 광원 각도 조절부(400)와 동기되어 움직인다. The light source angle adjusting unit 400 adjusts the angle at which the light source 100 is irradiated to the mask pattern. As described above, the splitter 200 and the image sensor 300 move in synchronization with the light source angle adjusting unit 400.

연산부(500)는 광원 각도 조절부에 의해 조절되는 광원(100)의 조사 각도에 대한 정보, 특히, 상기 광원이 상기 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 각도(θ)를 상기 광원 각도 조절부(400)로부터 수신하고, 상기 광원(100)으로부터 광원의 파장에 대한 정보를 수신하여 상기 마스크 패턴의 피치(pitch)값(P)을 연산한다. The calculation unit 500 is the information about the irradiation angle of the light source 100 controlled by the light source angle adjustment unit, in particular, the angle (θ) formed by the light source with respect to the repair of the mask pattern, the light source angle adjustment unit 400 Is received, and information about the wavelength of the light source is received from the light source 100 to calculate the pitch value P of the mask pattern.

연산부(500)는 보강간섭을 발생되는 경우의 인접광과의 거리를 구하는 다음의 수학식 1을 이용하여 구한다. 수힉식 1은 다음과 같다. The calculation unit 500 is obtained by using the following Equation 1, which calculates the distance from adjacent light when constructive interference is generated. Equation 1 is as follows.

Figure 112018020367427-pat00003
Figure 112018020367427-pat00003

상기 수학식에서 m은 자연수를 나타내며, P는 반사된 빛의 이미지에 의해 측정된 마스크 패턴의 피치값(pitch, 간격)을 나타내고, θ는 광원이 상기 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 입사각도를 나타내며, λ는 상기 광원의 파장을 나타낸다. In the above equation, m denotes a natural number, P denotes the pitch value (pitch, spacing) of the mask pattern measured by the image of the reflected light, and θ denotes the angle of incidence that the light source makes to the waterline of the mask pattern, λ represents the wavelength of the light source.

상기 수학식 1에서 마스크 패턴의 피치값(P)으로 정리하면 다음의 수학식 2를 얻을 수 있다. 수학식 2는 다음과 같다. Summarized by the pitch value P of the mask pattern in Equation 1, the following Equation 2 can be obtained. Equation 2 is as follows.

Figure 112018020367427-pat00004
Figure 112018020367427-pat00004

연산부(500)는 마스크 패턴의 피치값(P)을 수학식 2를 이용하여 얻을 수 있다. The calculating unit 500 may obtain the pitch value P of the mask pattern using Equation (2).

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 동축 반사형 회절검사하는 과정을 나타낸 순서도이다. 3 is a flow chart showing the process of coaxial reflective diffraction inspection according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 먼저, S202단계에서 광원(100)의 각도 또는 광원(100)에 의해 방사되는 빛의 파장을 조정하여 마스크 패턴(110)에 보강간섭을 발생시킨다. Referring to FIG. 3, first, in step S202, the angle of the light source 100 or the wavelength of light emitted by the light source 100 is adjusted to generate a constructive interference in the mask pattern 110.

S204단계에서 이미지 센서(300)는 최대의 보강간섭이 발생하는 파장 및 광원(100)의 입사각도를 추적한다. In step S204, the image sensor 300 tracks the wavelength at which the maximum constructive interference occurs and the incident angle of the light source 100.

S206단계에서 최대의 보강간섭이 발생하였는 지의 여부를 판단한다. In step S206, it is determined whether the maximum reinforcement interference has occurred.

S206단계에서 최대의 보강간섭이 발생한 것으로 판단되면, 최대의 보강간섭이 발생한 지점에서의 광원(100)의 각도 정보 및 광원(100)에 의해 방사되는 빛의 파장 정보를 수신한다(S208단계). If it is determined in step S206 that the maximum constructive interference has occurred, the angle information of the light source 100 and the wavelength information of the light emitted by the light source 100 at the point where the maximum constructive interference has occurred are received (step S208).

S210단계에서 수신된 상기 광원이 상기 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 각도(θ)와 광원(100)으로부터 광원의 파장에 대한 정보를 수신하여 상기 마스크 패턴의 피치(pitch)값(P)을 연산한다. Calculates the pitch (P) of the mask pattern by receiving information about the wavelength θ of the light source from the light source 100 and the angle θ formed by the light source received in step S210 with respect to the repair of the mask pattern. .

연산부(500)는 마스크 패턴의 피치값(P)을 전술한 수학식 2를 이용하여 얻을 수 있다. The calculating unit 500 may obtain the pitch value P of the mask pattern using Equation 2 described above.

예컨대, 자연수인 m은 1이고, θ는 60도의 사입사이고, 광원(100)의 파장이 193nm인 경우 대략 111nm의 마스크 패턴의 피치가 측정된다. For example, the natural number m is 1, θ is a 60-degree incidence, and when the wavelength of the light source 100 is 193 nm, the pitch of the mask pattern of approximately 111 nm is measured.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You can understand that you can.

100 : 광원 110 : 마스크 패턴
200 : 스플리터 300 : 이미지 센서
400 : 각도 조절부 500 : 연산부100: light source 110: mask pattern
200: splitter 300: image sensor
400: angle adjustment unit 500: operation unit

Claims (5)

마스크 패턴에 설정된 각도로 빛을 조사하는 광원;
상기 광원으로부터 조사된 빛을 분배하는 스플리터;
상기 광원으로부터 조사되어 반사된 빛의 이미지를 상기 스플리터를 통해 촬상하는 이미지 센서;
상기 마스크 패턴에 조사되는 상기 광원의 각도를 조절하는 광원 각도 조절부; 및
상기 광원의 조사 각도를 조절하여 마스크 패턴에 조사되는 빛이 최대의 보강간섭을 일으키는 지점에서의 상기 광원이 상기 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 입사각도(θ)와, 상기 광원에서 조사되는 빛의 파장 정보를 이용하여 상기 마스크 패턴의 피치값(P)을 연산하는 연산부;를 포함하고,
상기 연산부는,
상기 광원이 상기 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 입사각도(θ)와 상기 광원에서 조사되는 빛의 파장 정보를 이용하여 다음의 수학식에 의해 상기 반사된 빛의 이미지에 의해 측정된 패턴의 피치값(P)을 측정하도록 구성되는 것인 동축 반사형 회절 검사 장치.
Figure 112019110392910-pat00010

(여기서, m은 자연수를 나타내고, P는 반사된 빛의 이미지에 의해 측정된 패턴의 피치값을 나타내며, θ는 광원이 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 입사각도를 나타내고, λ는 상기 광원의 파장을 나타냄)
A light source irradiating light at an angle set in the mask pattern;
A splitter that distributes light irradiated from the light source;
An image sensor that captures an image of light reflected from the light source through the splitter;
A light source angle adjusting unit that adjusts an angle of the light source irradiated to the mask pattern; And
By adjusting the irradiation angle of the light source, the angle of incidence (θ) that the light source makes with respect to the repair of the mask pattern at the point where the light irradiated to the mask pattern causes the maximum constructive interference, and the wavelength of the light irradiated from the light source Includes; calculation unit for calculating the pitch value (P) of the mask pattern using the information,
The calculation unit,
The pitch value of the pattern measured by the image of the reflected light by the following equation using the incident angle (θ) formed by the light source with respect to the repair of the mask pattern and the wavelength information of the light irradiated from the light source ( A coaxial reflective diffraction inspection device configured to measure P).
Figure 112019110392910-pat00010

(Where m denotes a natural number, P denotes the pitch value of the pattern measured by the image of the reflected light, θ denotes the angle of incidence that the light source makes with respect to the water line of the mask pattern, and λ denotes the wavelength of the light source. Indicated)
제1항에 있어서, 상기 광원은,
조사되는 빛의 파장을 조절 가능하도록 파장을 가변시킬 수 있는 가변 파장 램프를 사용하는 것인 동축 반사형 회절 검사 장치.
The method of claim 1, wherein the light source,
A coaxial reflection type diffraction inspection apparatus using a variable wavelength lamp capable of changing the wavelength so that the wavelength of the irradiated light can be adjusted.
삭제delete 제 1항 또는 제 2항에 따른 동축 반사형 회절 검사 장치를 이용한 동축 반사형 회절 검사 방법에 있어서,
광원의 각도 및 광원에 의해 조사되는 빛의 파장을 조정하여 마스크 패턴에 보강간섭을 발생시키는 단계;
이미지 센서는 최대의 보강간섭이 발생하는 지점을 추적하는 단계;
최대의 보강간섭이 발생하였는 지의 여부를 판단하는 단계;
최대의 보강간섭이 발생한 것으로 판단되면, 최대의 보강간섭이 발생한 지점에서의 광원이 상기 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 입사각도(θ) 및 광원에서 조사되는 빛의 파장(λ) 정보를 수신하는 단계; 및
광원이 상기 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 각도(θ)와 광원으로부터 광원의 파장(λ) 정보를 수신하여 상기 마스크 패턴의 피치(pitch)값(P)을 연산하는 단계;를 포함하고,
상기 연산하는 단계는,
상기 광원이 상기 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 입사각도(θ)와 상기 광원에서 조사되는 빛의 파장 정보를 이용하여 다음의 수학식에 의해 상기 반사된 빛의 이미지에 의해 측정된 패턴의 피치값(P)을 측정하도록 구성되는 동축 반사형 회절 검사 장치를 이용한 동축 반사형 회절 검사 방법.
Figure 112019110392910-pat00006

(여기서, m은 자연수를 나타내고, P는 반사된 빛의 이미지에 의해 측정된 패턴의 피치값을 나타내며, θ는 광원이 마스크 패턴의 수선에 대하여 이루는 입사각도를 나타내고, λ는 상기 광원의 파장을 나타냄)In the coaxial reflection type diffraction inspection method using the coaxial reflection type diffraction inspection device according to claim 1 or 2,
Generating a constructive interference in the mask pattern by adjusting the angle of the light source and the wavelength of light irradiated by the light source;
The image sensor includes tracking a point at which the maximum constructive interference occurs;
Determining whether a maximum reinforcement interference has occurred;
If it is determined that the maximum constructive interference has occurred, receiving information on the incident angle (θ) and the wavelength (λ) of light irradiated from the light source, at the point where the maximum constructive interference occurs, with respect to the repair of the mask pattern. ; And
Including the angle (θ) formed with respect to the water line of the mask pattern and the wavelength (λ) of the light source from the light source to calculate the pitch (pitch) value (P) of the mask pattern; includes,
The calculating step,
The pitch value of the pattern measured by the image of the reflected light by the following equation using the incident angle (θ) formed by the light source with respect to the repair of the mask pattern and the wavelength information of the light irradiated from the light source ( A coaxial reflective diffraction inspection method using a coaxial reflective diffraction inspection device configured to measure P).
Figure 112019110392910-pat00006

(Where m denotes a natural number, P denotes the pitch value of the pattern measured by the image of the reflected light, θ denotes the angle of incidence that the light source makes with respect to the water line of the mask pattern, and λ denotes the wavelength of the light source. Indicated) 삭제delete
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