KR102109032B1 - Method and apparatus for detecting a circuit abnormality using current sensing of a plasma power supply - Google Patents
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Abstract
플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출장치 및 방법을 개시한다. 실시예에 따른 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출장치는 입력된 교류전류를 직류전류로 변환하고, 변환된 직류전류에서 설정조건을 만족하는 직류전류를 필터링하고, 필터링 된 직류 전류를 다시 교류로 변환한 변환전류를 출력하는 변환회로; 변환회로에서 출력된 변환전류를 감지하는 제 1감지부; 변환전류가 입력되면 입력된 변환전류를 증폭시키고, 증폭된 변환전류를 직류전류로 변환하고, 직류전류를 설정된 조건에 따라 필터링 하여 증폭된 전류를 출력하는 증폭회로; 증폭회로에서 출력된 증폭전류를 감지하는 제 2감지부; 제 2감지부와 연결된 제 3감지부; 및 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 각각의 전류 값들을 획득하고 획득된 전류 값 중 어느 하나 이상을 이용하여 플라즈마 전원장치 구성의 동작 이상을 판단하는 판단모듈; 을 포함한다.Disclosed is a circuit abnormality detection device and method using current sensing of a plasma power supply. The circuit abnormality detection device using the current detection of the plasma power supply according to the embodiment converts the input AC current into DC current, filters the DC current that satisfies the set condition from the converted DC current, and returns the filtered DC current again. A conversion circuit that outputs a conversion current converted to AC; A first sensing unit for sensing the conversion current output from the conversion circuit; An amplifying circuit that amplifies the inputted conversion current when the converted current is input, converts the amplified converted current into DC current, and filters the DC current according to a set condition to output the amplified current; A second sensing unit for sensing the amplification current output from the amplification circuit; A third sensing unit connected to the second sensing unit; And a determination module that acquires respective current values sensed by the first sensing unit, the second sensing unit, and the third sensing unit, and determines an operation abnormality of the plasma power supply configuration using any one or more of the obtained current values. It includes.
Description
플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출방법에 관한 것으로 구체적으로, 플라즈마 전원장치에 설치된 복수개의 감지부에서 측정된 전류값과 추가 수집 전류값을 이용하여 회로이상 및 감지부 이상을 판단함으로써, 회로의 불필요한 셧 다운을 방지하는 방법에 관한 것이다. It relates to a circuit abnormality detection method using the current detection of the plasma power supply, specifically, by determining the circuit abnormality and the detection unit abnormality using the current value measured by the plurality of detection units installed in the plasma power supply unit and the additional collected current value, It is about how to prevent unnecessary shutdown of the circuit.
본 명세서에서 달리 표시되지 않는 한, 이 섹션에 설명되는 내용들은 이 출원의 청구항들에 대한 종래 기술이 아니며, 이 섹션에 포함된다고 하여 종래 기술이라고 인정되는 것은 아니다.Unless otherwise indicated herein, the content described in this section is not prior art to the claims of this application and is not admitted to be prior art by inclusion in this section.
플라즈마(plasma)란 초고온에서 음전하를 가진 전자와 양전하를 띤 이온으로 분리된 기체 상태를 말한다. 이때는 전하 분리도가 상당히 높으면서도 전체적으로 음과 양의 전하 수가 같아서 중성을 띠게 된다. 일반적으로 물질의 상태는 고체·액체·기체 등 세가지로 나눠진다. 플라즈마는 흔히 ‘제4의 물질 상태’라고 부른다. 고체에 에너지를 가하면 액체·기체로 되고, 다시 이 기체 상태에 높은 에너지를 가하면 수만℃에서 기체는 전자와 원자핵으로 분리되어 플라즈마 상태가 되기 때문이다.Plasma (plasma) refers to a gas state separated by electrons with negative charges and positively charged ions at very high temperatures. At this time, although the charge separation degree is considerably high, the number of negative and positive charges is the same as the whole, so it becomes neutral. In general, the state of a substance is divided into three types: solid, liquid, and gas. Plasma is often called the 'fourth material state'. This is because when energy is applied to a solid, it becomes a liquid or gas, and when high energy is applied to this gas state again, the gas is separated into electrons and atomic nuclei at tens of thousands of degrees Celsius to become a plasma state.
플라즈마는 가정에서는 형광등이나 네온사인에서 볼 수 있고, 식각 및 증착, 금속이나 고분자의 표면처리 등에 사용된다. 또한, 플라즈마는 컴퓨터나 마이크로프로세서의 칩을 만드는데 사용되고 인공관절, 제트 터빈날개, 플라스틱, 금속 막을 씌우는데 사용된다. 또한, PDP TV나 철골 건물의 뼈대를 용접하는데 플라즈마 아크가 쓰이기도 한다. 또한 최근에는 플라즈마 전원장치도 보급되어 사용되고 있다.Plasma can be seen in fluorescent lights or neon signs at home, and is used for etching and deposition, and surface treatment of metals and polymers. In addition, plasma is used to make chips for computers or microprocessors and is used to cover artificial joints, jet turbine blades, plastics, and metal membranes. In addition, plasma arcs are also used to weld skeletons of PDP TVs or steel structures. In addition, plasma power supplies have also been widely used in recent years.
일반적으로 종래의 전원장치 및 정류기 회로는 도 1과 같이 구성된다.In general, a conventional power supply and rectifier circuit is configured as shown in FIG. 1.
도 1에 도시된 바와 같이, 전원장치 및 정류기의 회로는 상용전원, DC정류 다이오드, 캐패시터, 필터, 인버터(스위칭 소자), 트랜스포머(변압기), 정류부(컨버터), 인덕터(L, inductor), 필터 및 CT2(감지부) 를 포함하는 형태로 구성될 수 있다.As shown in Figure 1, the circuit of the power supply and the rectifier is commercial power, DC rectifier diode, capacitor, filter, inverter (switching element), transformer (transformer), rectifier (converter), inductor (L, inductor), filter And CT2 (detection unit).
종래 회로에는 인버터를 제어하기 위한 메인 제어기가 있으며 이 제어기는 CT(Current Transformer)2를 포함하는 센서를 통하여 수집된 값을 가공 판단하여 인버터를 제어함으로써, 회로를 통해 출력되는 전력을 조정할 수 있다. In the conventional circuit, there is a main controller for controlling the inverter, and the controller can control the inverter by processing the value collected through a sensor including a CT (Current Transformer) 2 to control the inverter, thereby adjusting the power output through the circuit.
종래의 정전류형 전원회로에서는 CT2에 의해 수집된 출력 전류를 메인 제어기로 보내져 현재 출력되는 전류를 감시하고 판단한다. 따라서 CT2의 중요성은 매우 크다.In the conventional constant current type power supply circuit, the output current collected by CT2 is sent to the main controller to monitor and determine the current output. Therefore, the importance of CT2 is very high.
하지만 CT2가 위치한 부분은 최종 출력부로써 전기적 노이즈(Noise) 이 상당히 많이 발생되는 부분이며 CT2는 직류 전류를 읽는 센서로 그 내부에 전기적 노이즈 (Noise)에 취약한 증폭회로 등을 구비하고 있어 고장이 빈번하다. CT2에 고장이 생기는 경우, 전원장치의 피드백 (Feedback) 신호에 이상이 생기기 때문에, CT2의 잦은 고장은 전원장치 오동작의 원인이 된다.However, the part where CT2 is located is the final output part where a lot of electrical noise is generated, and CT2 is a sensor that reads DC current and has amplification circuits vulnerable to electrical noise inside it, which frequently causes malfunctions. Do. When a failure occurs in CT2, the feedback signal of the power supply unit is abnormal, so frequent failures of the CT2 cause malfunction of the power supply unit.
플라즈마 전원장치에 포함된 회로로 입력하거나 출력하는 전류를 감지하는 복수개의 감지부(센서)를 제공하고, 복수개의 센서 각각에서 감지된 전류값을 비교하여 비교 결과에 따라, 센서 전후로 연결된 플라즈마 전원장치 구성 회로의 이상여부를 판단한다.Provides a plurality of detection units (sensors) for sensing the current input or output through the circuit included in the plasma power supply, and compares the current values sensed by each of the plurality of sensors, according to the comparison result, the plasma power supply connected before and after the sensor It is determined whether the configuration circuit is abnormal.
직렬로 연결된 제 2감지부 및 제3감지부 이상여부를 독립적으로 판단하기 위해, 추가수집전류값을 측정하여 제2감지부 및 제3감지부에서 측정된 전류와 비교하고 이에 따라 이상 감지부를 판단하고, 정상적인 감지부에서 측정된 전류를 유효전류 값으로 이용할 수 있도록 한다.In order to independently determine whether the second and third sensing units connected in series are abnormal, the additional collected current value is measured and compared with the current measured by the second sensing unit and the third sensing unit, and the abnormality sensing unit is determined accordingly. Then, the current measured by the normal sensing unit can be used as an effective current value.
실시예에 따른 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출장치는 입력된 교류전류를 직류전류로 변환하고, 변환된 직류전류에서 설정조건을 만족하는 직류전류를 필터링하고, 필터링 된 직류 전류를 다시 교류로 변환한 변환전류를 출력하는 변환회로; 변환회로에서 출력된 변환전류를 감지하는 제 1감지부; 변환전류가 입력되면 입력된 변환전류를 증폭시키고, 증폭된 변환전류를 직류전류로 변환하고, 직류전류를 설정된 조건에 따라 필터링 하여 증폭된 전류를 출력하는 증폭회로;증폭회로에서 출력된 증폭전류를 감지하는 제 2감지부; 제 2감지부와 연결된 제 3감지부; 및 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 각각의 전류 값들을 획득하고 획득된 전류 값 중 어느 하나 이상을 이용하여 플라즈마 전원장치 구성의 동작 이상을 판단하는 판단모듈; 을 포함한다.The circuit abnormality detection device using the current detection of the plasma power supply according to the embodiment converts the input AC current into DC current, filters the DC current that satisfies the set condition from the converted DC current, and returns the filtered DC current again. A conversion circuit that outputs a conversion current converted to AC; A first sensing unit for sensing the conversion current output from the conversion circuit; When the conversion current is input, amplification circuit that amplifies the input conversion current, converts the amplified conversion current to DC current, and filters the DC current according to the set conditions to output the amplified current; the amplification current output from the amplification circuit A second sensing unit for sensing; A third sensing unit connected to the second sensing unit; And a determination module that acquires respective current values sensed by the first sensing unit, the second sensing unit, and the third sensing unit, and determines an operation abnormality of the plasma power supply configuration using any one or more of the obtained current values. It includes.
다른 실시예에 따른 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출방법은 (A) 변환회로에서 입력된 교류전류를 직류전류로 변환하고, 변환된 직류전류에서 설정조건을 만족하는 직류전류를 필터링하고, 필터링 된 직류 전류를 다시 교류로 변환한 변환전류를 출력하는 단계; (B) 제 1감지부에서 변환회로에서 출력된 변환전류를 감지하는 단계; (C) 증폭회로에서 변환전류가 입력되면 입력된 변환전류를 증폭시키고, 증폭된 변환전류를 직류전류로 변환하고, 직류전류를 설정된 조건에 따라 필터링 하여 증폭된 전류를 출력하는 단계; (D) 제 2감지부에서 증폭회로에서 출력된 증폭전류를 감지하는 단계; 및 (E) 판단모듈에서 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 2감지부와 연결된 제 3감지부에서 감지된 각각의 전류 값들을 획득하고 획득된 전류 값 중 어느 하나 이상을 이용하여 플라즈마 전원장치 구성의 동작 이상을 판단하는 단계; 를 포함한다.The circuit abnormality detection method using the current detection of the plasma power supply according to another embodiment (A) converts the AC current input from the conversion circuit to DC current, filters the DC current that satisfies the set condition from the converted DC current, , Outputting the converted current converted from the filtered DC current back to AC; (B) sensing the converted current output from the conversion circuit in the first sensing unit; (C) amplifying the inputted conversion current when the converted current is input from the amplifying circuit, converting the amplified converted current into DC current, and filtering the DC current according to a set condition to output the amplified current; (D) sensing the amplification current output from the amplifying circuit by the second sensing unit; And (E) obtaining the respective current values sensed by the first sensing unit, the second sensing unit, and the third sensing unit connected to the second sensing unit in the determination module, and using one or more of the obtained current values to supply the plasma power. Determining an operation abnormality of the device configuration; It includes.
복수개의 전류 감지부에서 감지된 각각의 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치에 오동작이 발생하는 경우, 오동작의 원인이 되는 회로를 정확하게 파악하도록 하고, 플라즈마 전원장치의 고장을 예방할 수 있도록 한다. By using the respective current values sensed by the plurality of current sensing units, when a malfunction occurs in the plasma power supply, it is possible to accurately identify a circuit that causes the malfunction, and to prevent a failure of the plasma power supply.
추가수집전류값을 측정하여 감지부 각각의 오동작을 파악하여 정상적으로 동작하는 감지부에서 측정된 전류값을 피드백 할 수 있도록 하여, 회로 구동 시간을 늘리고, 불필요한 셧 다운을 막아, 전력 및 회로 부팅 시 소요되는 시간을 절약할 수 있도록 한다. By measuring the additional collected current value, it is possible to identify each malfunction of the sensing unit and feed back the measured current value from the normally operating sensing unit, thereby increasing the circuit driving time, preventing unnecessary shutdown, and power and circuit booting. Try to save time.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and include all effects that can be deduced from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.
도 1은 종래의 전원장치 및 정류기 회로를 나타낸 도면
도 2는 실시예에 따른 플라즈마 전원장치 구성을 나타낸 블록도
도 3은 실시예에 따른 플라즈마 전원장치의 변환회로 및 증폭회로의 구체적인 회로구성을 나타낸 도면
도 4는 실시예에 따른 플라즈마 전원장치의 제 2감지부와 제 3감지부 각각의 고장유무를 판단하기 위한 회로구성을 나타낸 도면
도 5는 실시예에 따른 판단모듈(300)의 데이터 처리 구성을 나타낸 도면
도 6은 제 1감지부 및 제 2감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치의 오류 및 감지부 오류를 검출하는 실시예의 데이터 처리 흐름도
도 7a는 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치의 오류 및 감지부 오류를 검출하는 실시예의 데이터 처리 흐름도
도 7b는 실시예에서 제2감지부와 제 3감지부의 이상유무를 판단하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 8은 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치 오류 및 감지부 오류를 검출하는 실시예의 데이터 처리 흐름도
도 9는 실시예에 따른 제2감지부 및 제 3감지부 각각의 고장유무를 판단하기 위한 데이터 처리 흐름도1 is a view showing a conventional power supply and rectifier circuit
2 is a block diagram showing a plasma power supply configuration according to an embodiment
3 is a view showing a specific circuit configuration of the conversion circuit and the amplification circuit of the plasma power supply according to the embodiment
FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration for determining whether each of the second sensing unit and the third sensing unit of the plasma power supply according to the embodiment is faulty.
5 is a view showing a data processing configuration of the
6 is a data processing flow diagram of an embodiment of detecting an error of a plasma power supply and an error of a sensing unit using current values sensed by the first sensing unit and the second sensing unit.
7A is a data processing flow diagram of an embodiment of detecting an error of a plasma power supply unit and an error of a sensing unit by using current values sensed by the second sensing unit and the third sensing unit.
7B is a view showing a process of determining whether the second sensing unit and the third sensing unit are abnormal in the embodiment.
8 is a data processing flow diagram of an embodiment in which a plasma power supply error and a detection unit error are detected using current values sensed by the first detection unit, the second detection unit, and the third detection unit.
9 is a data processing flow chart for determining the presence or absence of each of the second detection unit and the third detection unit according to an embodiment
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 도면부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be clarified with reference to embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and only the embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the holder of the scope of the invention, and the invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same components throughout the specification.
본 발명의 실시 예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시 예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In describing embodiments of the present invention, when it is determined that a detailed description of known functions or configurations may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, terms to be described later are terms defined in consideration of functions in an embodiment of the present invention, which may vary according to a user's or operator's intention or practice. Therefore, the definition should be made based on the contents throughout this specification.
도 2는 실시예에 따른 플라즈마 전원장치 구성을 나타낸 블록도이다. 2 is a block diagram showing a plasma power supply configuration according to an embodiment.
도 2를 참조하면, 실시예에 따른 플라즈마 전원장치는 변환회로(100), 제 1감지부(10), 증폭회로(200), 제2감지부(20), 제 3감지부(30) 및 판단모듈(300)을 포함하여 구성될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 '모듈' 이라는 용어는 용어가 사용된 문맥에 따라서, 소프트웨어, 하드웨어 또는 그 조합을 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 예를 들어, 소프트웨어는 기계어, 펌웨어(firmware), 임베디드코드(embedded code), 및 애플리케이션 소프트웨어일 수 있다. 또 다른 예로, 하드웨어는 회로, 프로세서, 컴퓨터, 집적 회로, 집적 회로 코어, 센서, 멤스(MEMS; Micro-Electro-Mechanical System), 수동 디바이스, 또는 그 조합일 수 있다.2, the plasma power supply according to the embodiment of the
변환회로(100)는 입력된 교류전류를 직류전류로 변환하고, 변환된 직류전류에서 설정조건을 만족하는 직류전류를 필터링하고, 필터링 된 직류 전류를 다시 교류로 변환한 변환전류를 출력한다.The
제 1감지부(10)는 변환회로에서 출력된 변환전류를 감지한다. 실시예에서 제 1 감지부(10)는 전류값에 따라 변환회로(100)의 단락 또는 증폭회로(200)의 과부하를 감지 할 수 있다. The
증폭회로(200)는 변환회로(100)의 출력전류를 직류전류로 변환하고, 직류전류를 설정된 조건에 따라 필터링 하여 증폭된 전류를 출력한다.The amplifying
제2감지부(20)는 증폭회로(200)에서 출력된 증폭전류를 감지한다.The
제3감지부(30)는 제 2감지부와 연결되어, 증폭회로(200)에서 출력된 전류값을 감지한다. The
판단모듈(300)은 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 각각의 전류 값들을 획득하고 획득된 전류 값 중 어느 하나 이상을 이용하여 플라즈마 전원장치 구성의 동작 이상을 판단할 수 있다. 예컨대, 판단모듈(300)은 제 1감지부(10)의 전류값으로 변환회로(100)의 단락 또는 증폭회로(200)의 과부하를 감지하고, 제 1감지부 및 제2 감지부에서 센싱된 전류값을 기설정된 전류값과 비교하여 증폭회로(200)의 이상여부를 판단할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 판단모듈(300)은 복수개의 감지부에서 센싱된 전류값을 전류값을 수집하고 비교 분석하여 각 감지부의 설치 위치에 따라 플라즈마 전원장치에 포함된 회로 이상 여부를 판단할 수 있다. 예컨대, 실시예에서 기설정된 전류값은 정상 동작하는 변환회로 및 증폭회로에서 출력되는 전류값을 의미한다. The
본 명세서에서는 발명의 이해를 돕기 위해, 제1감지부 내지 제3감지부(10,20,30)에서 전류값을 감지하고 이를 기반으로 회로이상을 판단하는 방법을 설명하였으나, 이는 감지부의 개수와 설치 위치를 한정하기 위한 것이 아니다. 즉, 실시예에서 사용하는 감지부는 n개로 늘어날 수 있고, 판단모듈(300)은 감지부 각각에서 감지한 n개의 전류값을 서로 비교하거나 기 설정된 값과 비교 분석할 수 있다. 이후, 판단모듈은 n개의 전류 값에 대한 비교 분석 결과에 따라 이상 전류값을 감지한 감지부 전후로 연결된 회로의 이상유무를 판단할 수 있다.In this specification, in order to help understanding of the present invention, a method of sensing a current value from the first to
도 3은 실시예에 따른 플라즈마 전원장치의 변환회로 및 증폭회로의 구체적인 회로구성을 나타낸 도면이다.3 is a view showing a specific circuit configuration of the conversion circuit and the amplification circuit of the plasma power supply according to the embodiment.
도 3을 참조하면, 실시예에 따른 변환회로(100)는 컨버터(110), 필터(120) 및 인버터(130)을 포함하여 구성될 수 있고, 증폭회로(200)는 변압기(210), 컨버터(220) 및 필터(230)를 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 3, the
변환회로(100)의 컨버터(110)는 입력된 교류전류를 직류전류로 변환시키고,The
필터(120)는 변환된 직류전류 중 일정 수치 이상인 전류를 필터링 하여 인버터(130)로 입력한다. 인버터(130)는 입력된 직류전류를 다시 교류로 변환시켜 출력하고, 제1감지부(10)는 출력된 전류를 감지한다.The
변환회로(100)의 출력전류는 증폭회로(200)의 입력 전류가 되어, 변압기(210)에 의해 증폭된다. 증폭된 전류는 컨버터(220)에서 직류전류로 변환되고, 필터(230)에서 일정 수치 미만의 전류는 필터링 된다. 이후, 필터(230)를 통과한 전류가 제 2 감지부(20) 및 제 3감지부(30)로 입력된다.The output current of the
도 4는 실시예에 따른 플라즈마 전원장치의 제 2감지부와 제 3감지부 각각의 고장유무를 판단하기 위한 회로구성을 나타낸 도면이다. 4 is a view showing a circuit configuration for determining the presence or absence of each of the second sensing unit and the third sensing unit of the plasma power supply according to the embodiment.
판단모듈(300)은 제2감지부에서 출력단(A)에서 제2감지부의 출력전류를 수집하고, 제3감지부의 출력단(B)에서 제3감지부의 출력 전류를 수집한다. 또한 장비의 입력단인 C 지점에서 추가측정전류값을 측정하여, 제2감지부(20)와 제3감지부(30) 각각의 이상판단에 이용한다.The
예컨대, 판단모듈(300)은 플라즈마 전원장치와 연결된 장비로 입력되는 추기 전류값을 수집한다. 구체적으로 추가측정전류값은 제2 감지부(20) 또는 제 3감지부(30) 중 어느 하나의 고장유무를 판단할 때 이용되는 추가수집이 될 수 있는 데이터이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제 2감지부와 제 3감지부가 직렬로 연결되고 두 감지부에 이상이 없는 경우, A에서 측정된 전류값, B에서 측정된 전류값 및 C에서 측정된 전류값은 회로의 손실전류를 고려하지 않는 경우, 동일해야 한다. 만일 제 2감지부가 이상이 있는 경우, 각 감지부 내부저항에 의해 발생하는 손실전류에 의해 A에서 측정된 전류값은 C에서 측정된 추가측정 전류데이터와 일정수준 이상 차이가 나게 되고, 제 3감지부에 이상이 있는 경우, B에서 측정된 전류값은 C에서 측정된 전류값과 일정수준 이상 차이가 나게 된다. 실시예에서 일정수준은 회로 손실전류에 의한 전류값 차이의 오차범위를 의미한다.For example, the
도 4에 도시된 실시예에서는 제 2감지부(20) 및 제 3감지부(30)에서 센싱한 전류값을 비교하여 고장유무를 판단하는 것이 아니라, 제2 감지부에서 출력된 데이터와 제 3감지부에서 출력된 데이터 및 추가측정전류값을 각각 비교하여 제 2감지부(20)와 제 3감지부(30) 각각의 이상유무까지 판단할 수 있도록 한다. 실시예에는 A 지점에서 제2감지부에서 출력되는 전류값을 측정하고, B 지점에서 제 3감지부에서 출력되는 전류값을 측정한다. 그리고 C지점에서는 제 2감지부 또는 제3감지부 이상여부판단에 필요한 추가측정전류값을 수집한다. In the embodiment illustrated in FIG. 4, the current values sensed by the
예컨대 판단모듈(300)은 제 2감지부(20)의 전류값으로 증폭회로의 단락을 감지하고, 제 2감지부(20)와 제 3감지부(30)가 직렬관계로 연결되고, 제 2감지부(20) 및 제3감지부(30)에서 획득한 전류값을 비교하여, 제 2감지부(20)와 제 3감지부(30)에서 측정된 전류 값이 일정수준이상 상이한 경우, 전원장치와 연결된 장비의 입력단에서 추가측정전류를 수집하여, 제2감지부와 제3감지부의 이상여부를 파악한다. 제2감지부 또는 제3감지부 중 적어도 하나의 감지부가 정상으로 판단된 경우, 정상 판단된 감지부에서 측정된 전류값을 유효 전류로 설정하고 회로운전을 유지한다. 만약, 추가측정전류에 의해 제 2감지부와 제 3감지부가 모두 고장으로 판단된 경우에만, 회로를 셧다운 한다.For example, the
이를 위해, 판단모듈(300)은 제2감지부에서 출력되는 전류와 추가측정전류 데이터를 비교한 제2감지부 고장판단 데이터를 산출하고, 제3감지부에서 출력되는 전류와 추가수집전류 데이터를 비교한 제 3감지부 고장판단 데이터를 산출한다. 판단모듈(300)은 산출된 각각의 고장판단 데이터를 기반으로 제 2감지부(20) 또는 제 3감지부(30)의 고장유무를 판단할 수 있다. 예컨대, 판단모듈(300)은 제 2감지부(20)에서 출력된 전류와 제 3감지부(30)에서 출력된 전류 및 추가수집전류 데이터가 모두 일치하거나 회로손실전류에 해당하는 일정한 오차범위 이내에 존재하는 값인 경우, 제 2감지부와 제3감지부를 정상으로 판단할 수 있다. To this end, the
또한, 판단모듈(300)은 제2감지부(20)에서 출력되는 전류와 추가측정전류의 차이 및 비율 값으로 제2감지부 고장 판단 데이터를 산출하고, 산출된 제 2감지부(20) 고장판단 데이터가 설정값 미만인 경우, 제 2감지부(20)를 정상이라고 판단할 수 있다. 하지만, 제2감지부 고장 판단 데이터가 노이즈에 의한 차이를 초과하는 일정수준 이상인 경우에는 제 2감지부에 고장 가능성이 있는 것으로 판단한다. In addition, the
또한, 실시예에서 판단모듈(300)은 제 2감지부에서 출력된 전류와 제 3감지부에서 출력된 전류 및 추가수집전류 데이터가 모두 일치하거나 일정한 오차범위 이내에 존재하는 전류값인 경우, 제 2감지부 또는 제 3감지부에서 출력된 전류 중 상기 추가수집전류에 더 근접한 전류를 출력하는 감지부를 선택하여, 선택된 감지부에서 출력된 전류를 유효전류로 설정하고, 회로운전을 유지할 수 있다. In addition, in the embodiment, the
마찬가지로 판단모듈(300)은 제3감지부(30)에서 출력되는 전류와 추가측정전류의 차이 및 비율 값으로 제3감지부 고장 판단 데이터를 산출하고, 제 3감지부 고장판단 데이터가 설정값 미만인 경우, 제 2감지부를 정상이라고 판단할 수 있다. 판단모듈(300)은 제2감지부 고장 판단 데이터가 회로 노이즈에 의한 차이를 초과하는 일정수준 이상인 경우에는 제 3감지부(30)에 고장 상태로 판단한다.Similarly, the
또한, 실시예에서는 제 1수집모듈에서 수집한 제2감지부의 출력 전류와 제3감지부의 출력 전류 및 추가측정전류 데이터 각각을 디스플레이하여, 플라즈마 전원 공급장치의 사용자가 직접 제 2감지부(20) 또는 제3 감지부(30)의 고장 유무를 판단할 수 있도록 한다.In addition, in the embodiment, the output current of the second sensing unit collected by the first collection module, the output current of the third sensing unit, and additional measured current data are displayed, so that the user of the plasma power supply unit directly detects the
도 5는 실시예에 따른 판단모듈(300)의 데이터 처리 구성을 나타낸 도면이다. 5 is a diagram showing a data processing configuration of the
도 5를 참조하면, 판단모듈(300)은 수집부(310) 및 판단부(330)를 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 5, the
수집부(310)는 플라즈마 전원장치에 포함된 복수개의 감지부에서 감지된 전류값들을 수집한다. The
판단부(330)는 복수개의 감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치를 구성하는 회로 중 이상 동작하는 회로를 판단한다. 예컨대, 판단부(330)는 제 2감지부(20)의 전류값으로 증폭회로의 단락을 감지하고, 제 2감지부(20)와 제 3감지부(30)가 직렬관계로 연결되는 경우, 제 2감지부(20) 및 제3감지부(30)에서 획득한 전류값을 비교하여, 제 2감지부(20)와 제 3감지부(30)에서 측정된 전류 값이 일정수준이상 상이하면, 제 2감지부(20) 또는 제 3감지부(30) 중 어느 하나에서 측정된 전류 값만을 이용하여 회로이상을 판단할 수 있다.The
또한 판단부(330)는 제 1감지부, 제 2 감지부 및 제 3감지부에서 센싱된 전류값을 이용하여 감지부들 각각의 위치에 따른 구성회로이상을 판단할 수 있다. In addition, the
예컨대, 판단부(330)는 제 1감지부(10)에서 감지된 전류값과 제 2감지부(20)에서 감지된 설정된 전류값이 설정된 값보다 일정수준이상 상이하거나, 제 2감지부(20)에서 감지된 전류값과 제 3감지부(30)에서 감지된 전류값이 일정수준이상 상이한 경우, 플라즈마 전원기기의 운전을 중단시키거나, 경고 알림을 출력할 수 있다. 즉, 판단부(330)에서는 제1 감지부 내지 제3감지부에서 감지된 전류값을 모두 수집하여, 각각의 전류값을 기 설정된 값과 비교하거나 서로 비교한 결과를 기반으로 이상 수치를 나타내는 감지부와 연결된 회로의 이상동작 여부를 판단할 수 있다. For example, the
이하에서는 플라즈마 전원장치의 오류검출방법에 대해서 차례로 설명한다. 오류검출방법의 작용(기능)은 플라즈마 전원장치상의 기능과 본질적으로 같은 것이므로 도 1 내지 도 5와 중복되는 설명은 생략하도록 한다.Hereinafter, an error detection method of the plasma power supply will be sequentially described. The operation (function) of the error detection method is essentially the same as the function on the plasma power supply, so a description overlapping with FIGS. 1 to 5 will be omitted.
도 6은 제 1감지부 및 제 2감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치의 오류 및 감지부 이상을 검출하는 실시예의 데이터 처리 흐름이다.6 is a data processing flow of an embodiment of detecting an error of the plasma power supply and an abnormality of the sensing unit by using current values sensed by the first sensing unit and the second sensing unit.
S510 단계에서는 플라즈마 전원장치에 교류전원이 입력된다. S520 단계에서는 입력된 교류전원을 직류로 변환하고, S530 단계에서는 변환된 전류값을 감지한다.In step S510, AC power is input to the plasma power supply. In step S520, the input AC power is converted to DC, and in step S530, the converted current value is detected.
S540 단계에서는 제 1감지부에서 감지된 전류값을 기반으로, 제 1감지부에 입력되는 전류를 출력하는 회로의 단락 또는, 제 1감지부에서 출력하는 전류를 입력받는 회로의 과부하 등 회로 이상을 판단하고, 제 1감지부의 이상 유무를 판단한다. In step S540, a circuit abnormality such as a short circuit of a circuit outputting a current input to the first sensing unit or an overload of a circuit receiving a current output from the first sensing unit, based on the current value detected by the first sensing unit. Judging and determining whether the first detection unit is abnormal.
S550 단계에서는 전류가 증폭되고, S560 단계에서는 인버터에 의해 직류로 변환된다. S570 단계에서는 제 2감지부에서 증폭된 전류값을 감지하고, S580 단계에서는 제 2감지부에서 감지된 전류값을 기반으로 회로 이상 및 감지부 이상을 판단한다. 실시예에서 S580 단계에서는 제2 감지부의 전류값뿐만 아니라, 제 1감지부의 전류값과 제 2전류값을 이용하여 회로이상을 판단할 수 있다. 예컨대, 제 1전류값과 제 2전류값의 차이가 기 설정된 수준 이상인 경우, 제2감지부로 입력되는 전류를 출력한 회로(예컨대, 증폭회로)이상으로 판단할 수 있다. 또한, 장비로의 입력노드(C)에서 추가로 측정된 전류값으로 제2감지부의 이상유무를 파악 할 수 있다.In step S550, the current is amplified, and in step S560, it is converted to direct current by an inverter. In step S570, the current value amplified by the second sensing unit is detected, and in step S580, a circuit anomaly and a sensing unit abnormality are determined based on the current value detected by the second sensing unit. In an embodiment, in step S580, a circuit abnormality may be determined using the current value of the first sensing unit and the second current value, as well as the current value of the second sensing unit. For example, when the difference between the first current value and the second current value is greater than or equal to a predetermined level, it may be determined that the current input to the second sensing unit is greater than the circuit (eg, amplification circuit) output. In addition, it is possible to grasp the presence or absence of an abnormality in the second sensing unit with the current value additionally measured at the input node C to the equipment.
도 7a은 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치의 오류 및 감지부 오류를 검출하는 실시예의 데이터 처리 흐름이다.7A is a data processing flow of an embodiment of detecting an error of a plasma power supply unit and an error of a sensing unit by using current values sensed by the second sensing unit and the third sensing unit.
S581 단계에서는 제 2감지부의 전류값으로 증폭회로의 이상을 감지한다. In step S581, the abnormality of the amplification circuit is detected by the current value of the second sensing unit.
S583 단계에서는 제 2감지부와 제 3감지부에서 수집된 전류값을 비교한다. S585 단계에서는 비교결과를 이용하여 제 2감지부의 전류값과 제 3감지부의 전류값이 일정 수준 이상 상이한지 판단한다. In step S583, the current values collected by the second sensing unit and the third sensing unit are compared. In step S585, it is determined whether the current value of the second sensing unit is different from the current value of the third sensing unit using the comparison result.
두 전류값이 일정수준 이상 상이한 경우, S587 단계에서는 제 2감지부 또는 제 3감지부 중 어느하나에서 측정된 전류값을 선택한다.When the two current values differ by a predetermined level or more, in step S587, the current value measured by either the second sensing unit or the third sensing unit is selected.
S589 단계에서는 선택된 전류값으로 회로 이상을 판단한다.In step S589, a circuit abnormality is determined based on the selected current value.
도 7b는 실시예에서 제2감지부와 제3감지부의 이상유무를 판단하는 과정을 나타낸 도면이다. 7B is a view showing a process of determining whether the second and third sensing units are abnormal in the embodiment.
S51 단계에서는 판단모듈에서 제2감지부의 전류값으로 인버터 출력 제어전류를 감지하고, S52 단계에서는 제2감지부의 전류값과 제 3감지부의 전류값을 비교한다. S53 단계에서 판단모듈은 제2감지부의 전류값과 제3 감지부의 전류값이 일정수준이상 상이한지 파악한다. 일정수준 이상 상이한 경우, S54 단계에서 판단모듈은 회로이상으로 판단하고, 감지부의 이상여부를 판단하기 위해 S55 단계로 진입한다. S55 단계에서는 추가로 수집 전류값과 제2 감지부 및 제3감지부의 출력단에서 측정된 전류값을 비교한다. 예컨대, 추가수집전류값과 제2감지부 출력단에서 측정된 전류값을 비교하고, 추가수집전류값과 제3감지부 출력단에서 측정된 전류값을 비교한다.In step S51, the determination module detects the inverter output control current as the current value of the second sensing unit, and in step S52, the current value of the second sensing unit is compared with the current value of the third sensing unit. In step S53, the determination module determines whether the current value of the second sensing unit differs from the current value of the third sensing unit by a predetermined level or more. If it is different than a certain level, the determination module determines in step S54 that the circuit is abnormal, and enters step S55 to determine whether the detection unit is abnormal. In step S55, the collected current value is compared with the current value measured at the output terminals of the second sensing unit and the third sensing unit. For example, the additional collected current value is compared with the current value measured at the output terminal of the second sensing unit, and the additional collected current value is compared with the current value measured at the output terminal of the third sensing unit.
S56 단계에서 판단모듈은 비교 결과에 따라 이상 감지부를 선택한다. 예컨대, 제2 감지부 출력단에서 측정된 전류값이 추가수집전류값과 일정 수준이상 차이가 나는 경우, 제2 감지부에 이상이 있는 것으로 판단하고 제3감지부에 측정된 전류값을 유효전류로 회로 내에서 피드백 한다. 만일 제3 감지부 출력단에서 측정된 전류값이 추가수집전류값과 일정 수준이상 차이가 나는 경우 제3감지부에 이상이 있는 것으로 판단하고, 제2 감지부에서 측정된 전류값을 유효전류로 피드백 할 수 있다. 만일, 추가수집전류와 비교결과에 따라 제2감지부와 제3감지부 모두가 이상 동작하는 것으로 파악된 경우에는 회로를 셧다운 한다.In step S56, the determination module selects an abnormality detection unit according to the comparison result. For example, when the current value measured at the output of the second sensing unit differs from the additional collected current value by a certain level or more, it is determined that there is an abnormality in the second sensing unit and the current value measured at the third sensing unit is used as an effective current. Feedback within the circuit. If the current value measured at the output terminal of the third detector differs from the additional collected current value by a certain level, it is determined that there is an error in the third detector, and the current value measured at the second detector is fed back to the effective current. can do. If it is determined that both the second sensing unit and the third sensing unit are operating abnormally according to the additional collection current and the comparison result, the circuit is shut down.
S57 단계에서는 정상 동작하는 감지부에서 측정된 전류를 추출하고 이를 회로 내 유효 전류로 피드백 함으로써, 회로 동작을 유지할 수 있도록 한다.In step S57, the current measured by the normally operating sensing unit is extracted and fed back to the effective current in the circuit, so that the circuit operation can be maintained.
도 8은 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치 오류 및 감지부 오류를 검출하는 실시예의 데이터 처리 흐름이다.8 is a data processing flow of an embodiment in which a plasma power supply error and a detection unit error are detected using current values sensed by the first detection unit, the second detection unit, and the third detection unit.
S582 단계에서는 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 전류값을 수집한다.In step S582, current values sensed by the first sensing unit, the second sensing unit, and the third sensing unit are collected.
S584 단계에서는 제1 감지부의 전류값과 제 2감지부의 전류값의 차이가 기 설정된 값과 일정수준이상 상이한지 판단한다. In step S584, it is determined whether the difference between the current value of the first sensing unit and the current value of the second sensing unit differs from a predetermined value by a predetermined level or more.
S586 단계에서는 비교결과를 기반으로 플라즈마 전원장치의 회로 이상을 판단한다. 예컨대, 제 1전류값과 제 2전류값의 차이가 기설정된 값과 일정 수준 이상인 경우, 제 1감지부에서 획득된 전류값과 제 2감지부에서 획득된 전류값을 기반으로 감지부 각각과 연결된 변환회로 또는 증폭회로 이상을 감지할 수 있다. In step S586, a circuit abnormality of the plasma power supply is determined based on the comparison result. For example, when the difference between the first current value and the second current value is higher than a predetermined value and a predetermined level, it is connected to each of the sensing units based on the current value obtained from the first sensing unit and the current value obtained from the second sensing unit. It is possible to detect abnormality of the conversion circuit or the amplification circuit.
S588 단계에서는 제2감지부의 전류값과 제3감지부의 전류값이 일정수준 이상 상이한지 판단한다.In step S588, it is determined whether the current value of the second sensing unit is different from the current value of the third sensing unit.
제 2감지부의 전류값과 제3감지부의 전류값이 일정수준 이상 상이한 경우, S589 단계에서는 두 전류값 중 하나의 전류값을 기 설정값과 비교 후 선택하여 회로 이상을 판단할 수 있다. 또한, 제 2감지부에서 감지된 전류값과 제 3감지부에서 감지된 전류값이 일정수준이상 상이한 경우, 플라즈마 전원기기의 운전을 중단시키거나, 회로 이상 경고 알림을 출력할 수 있다. If the current value of the second sensing unit and the current value of the third sensing unit are different by a predetermined level or more, in step S589, a circuit fault may be determined by comparing one current value of the two current values with a preset value and selecting the current value. In addition, when the current value sensed by the second sensing unit and the current value sensed by the third sensing unit differ by a predetermined level or more, the operation of the plasma power device may be stopped or a circuit abnormality warning notification may be output.
즉, S589 단계에서는 제 1감지부, 제2 감지부 및 제3감지부에 의해 감지한 전류값 각각을 서로 비교하고, 각각의 감지부에서 감지한 전류값 차이와 기설정된 값을 비교 함으로써, 플라즈마 전원장치의 이상 회로를 보다 정확하게 판단할 수 있다. That is, in step S589, each of the current values sensed by the first sensing unit, the second sensing unit, and the third sensing unit is compared with each other, and the difference between the current values sensed by the respective sensing units and the preset value is compared, thereby forming a plasma. The abnormal circuit of the power supply can be more accurately determined.
S590 단계에서는 회로 이상 판단 이후, 제 2 감지부 및 제 3감지부의 이상유무 판단을 위해 추가 수집전류와 제2 감지부 및 제3감지부의 출력단에서 측정된 전류값을 비교하고, S591 단계에서는 판단모듈에서 비교 결과에 따라 제2감지부와 제3감지부의 이상여부를 판단한다. 예컨대, 제2 감지부 출력단에서 측정된 전류값이 추가수집전류값과 일정 수준이상 차이가 나는 경우, 제2 감지부에 이상이 있는 것으로 판단하고 정상으로 판단된 제3감지부에 측정된 전류값을 유효전류로 회로 내에서 피드백 한다. 만일 제3 감지부 출력단에서 측정된 전류값이 추가수집전류값과 일정 수준이상 차이가 나는 경우 제3감지부에 이상이 있는 것으로 판단하고, 정상으로 판단된 제2 감지부에서 측정된 전류값을 유효전류로 피드백 할 수 있다.After determining the circuit abnormality in step S590, the additional collected current and the current values measured at the outputs of the second and third sensing units are compared to determine whether the second sensing unit and the third sensing unit are abnormal, and in step S591, the determination module Based on the comparison result, it is determined whether the second sensing unit and the third sensing unit are abnormal. For example, when the current value measured at the output of the second sensing unit differs from the additional collected current value by a certain level or more, it is determined that there is an abnormality in the second sensing unit and the current value measured at the third sensing unit determined to be normal. Feedback in the circuit with active current. If the current value measured at the output terminal of the third detector differs from the additional collected current value by a certain level, it is determined that there is an error in the third detector, and the current value measured at the second detector determined as normal is determined. Feedback can be made with an active current.
S592 단계에서는 판단모듈에서 정상 동작하는 감지부에서 측정된 전류를 추출하고 이를 회로 내 유효 전류로 피드백 함으로써, 회로 동작을 유지할 수 있도록 한다.In step S592, the current measured by the sensing unit operating normally in the determination module is extracted and fed back to the effective current in the circuit to maintain circuit operation.
또한 실시예에서는 제 2감지부에서 출력된 전류와 제 3감지부에서 출력된 전류 및 추가수집전류 데이터가 모두 일치하거나 일정한 오차범위 이내에 존재하는 전류값인 경우, 제 2감지부 또는 제 3감지부에서 출력된 전류 중 상기 추가수집전류에 더 근접한 전류를 출력하는 감지부를 선택하고, 선택된 감지부에서 출력된 전류를 유효전류로 설정하고, 회로운전을 유지할 수 있다.In addition, in the embodiment, when the current output from the second sensing unit and the current output from the third sensing unit and the additional collected current data are all the same or exist within a certain error range, the second sensing unit or the third sensing unit Among the currents output from, a sensing unit that outputs a current closer to the additional collecting current may be selected, the current output from the selected sensing unit may be set as an effective current, and circuit operation may be maintained.
도 9는 실시예에 따른 제2감지부 및 제 3감지부 각각의 고장유무를 판단하기 위한 데이터 처리 흐름도이다. 9 is a data processing flow chart for determining the presence or absence of each of the second sensing unit and the third sensing unit according to an embodiment.
S910 단계에서는 제 2감지부 및 제 3감지부에서 출력되는 전류와 추가수집전류를 측정한다. 실시예에서는 제 2감지부의 출력단과 제 3감지부의 출력단에서 전류를 측정하고, 플라즈마 전원장치와 연결된 장비의 입력단에서 추가수집전류를 측정할 수 있다.In step S910, the current output from the second sensing unit and the third sensing unit and the additional collecting current are measured. In an embodiment, the current may be measured at the output terminal of the second sensing unit and the output terminal of the third sensing unit, and additional collected current may be measured at the input terminal of the equipment connected to the plasma power supply.
S920 단계에서는 제2감지부에서 출력된 전류와 추가수집전류의 차이가 일정수준 이상인지 확인한다. 만일 제 2감지부에서 출력된 전류와 추가수집전류의 차이가 일정수준 이상인 경우, S960 단계에서는 판단모듈에서 제2감지부 이상을 판단한다. 실시예에서 감지부의 이상유무를 판단하는 일정수준의 전류값은 회로의 배선 및 구성요소에 의한 손실 전류에 해당하는 값이다. 실시예에서는 각 감지부에서 출력된 전류가 예측되는 손실전류를 고려한 값 미만인 경우, 감지부 내부 회로이상에 의해 손실전류가 추가적으로 발생하는 것으로 판단한다.In step S920, it is checked whether the difference between the current output from the second sensing unit and the additional collected current is greater than a certain level. If the difference between the current output from the second sensing unit and the additional collection current is higher than a certain level, in step S960, the determination module determines the abnormality of the second sensing unit. In an embodiment, the current value of a certain level for determining whether or not the sensing unit is abnormal is a value corresponding to a loss current due to wiring and components of a circuit. In the embodiment, when the current output from each sensing unit is less than the value considering the predicted loss current, it is determined that the loss current is additionally generated due to an internal circuit failure of the sensing unit.
S970 단계에서는 제 3감지부에서 출력된 전류와 추가수집 전류의 차이가 일정수준 이상인지 판단한다. 일정수준 이상인 경우, S975 단계에서는 제2 감지부와 제3감지부가 모두 이상이 있는 것으로 판단하고, 일정수준 미만인 경우, S980 단계에서 제2감지부는 이상이 있지만 제3감지부는 정상이라고 판단한다.In step S970, it is determined whether the difference between the current output from the third sensing unit and the additional collection current is greater than a certain level. If it is above a certain level, it is determined in step S975 that both the second sensing unit and the third sensing unit are abnormal, and if it is below a certain level, the second sensing unit is abnormal in step S980, but the third sensing unit is determined to be normal.
만일 제2 감지부와 제3감지부가 모두 이상이 있는 것으로 파악된 경우, S976 단계로 진입하여 회로를 셧다운 한다. 제2감지부에 이상이 있고 제3 감지부가 정상이라고 파악된 경우, S952 단계로 진입하여 정상 감지부를 선택 하고 정상으로 작동하는 감지부에서 측정된 전류값을 이용해서 회로를 계속 동작시킨다. 이후 S954 단계에서 판단모듈은 정상 감지부에서 측정된 전류값을 유효전류값으로 피드백 하여 회로구동을 유지시킨다. If it is determined that both the second sensing unit and the third sensing unit are abnormal, the process proceeds to step S976 to shut down the circuit. If there is an abnormality in the second sensing unit and it is determined that the third sensing unit is normal, the process proceeds to step S952 to select the normal sensing unit and continuously operates the circuit using the current value measured by the sensing unit operating normally. Thereafter, in step S954, the determination module feedbacks the current value measured by the normal detection unit to the effective current value to maintain circuit driving.
S920 단계에서 제2감지부에서 출력된 전류와 추가수집전류의 차이가 일정 수준 미만인 경우, S930 단계로 진입하여 제3감지부에서 출력된 전류와 추가수집전류의 차이가 일정수준 이상인지 판단한다. 제3감지부에서 출력된 전류와 추가수집전류의 차이가 일정수준 미만인 경우, S950 단계에서 판단모듈은 제2감지부 및 제3감지부 모두 정상이라고 판단한다. 제3감지부에서 출력된 전류와 추가수집전류의 차이가 일정수준을 초과하는 경우, S940 단계에서 판단모듈은 제3감지부는 이상상태로 판단하고 제2감지부 정상상태로 판단한다. 즉, 실시예에서는 제 2감지부 및 제3감지부에서 출력되는 각각의 출력 전류와 추가수집전류를 비교하여 제2감지부와 제3감지부에 대한 이상유무를 각각 파악할 수 있다. 실시예에서 제3감지부에 이상이 있고 제2 감지부가 정상이라고 파악된 경우, S952 단계로 진입하여 이상 감지부를 선택 하여 이상감지부에서 측정된 전류값은 필터링 한다. 이후 S954 단계에서 판단모듈은 정상 감지부에서 측정된 전류값을 유효전류값으로 피드백 하여 회로구동을 유지시킨다. If the difference between the current output from the second sensing unit and the additional collection current is less than a certain level in step S920, the process proceeds to step S930 to determine whether the difference between the current output from the third sensing unit and the additional collection current is greater than a certain level. If the difference between the current output from the third sensing unit and the additional collection current is less than a certain level, in step S950, the determination module determines that both the second sensing unit and the third sensing unit are normal. When the difference between the current output from the third sensing unit and the additional collection current exceeds a certain level, in step S940, the determination module determines that the third sensing unit is in an abnormal state and determines that the second sensing unit is in a normal state. That is, in the embodiment, the output currents and the additional collection currents output from the second sensing unit and the third sensing unit may be compared to determine whether the second sensing unit and the third sensing unit are abnormal. In the exemplary embodiment, when it is determined that the third sensing unit is abnormal and the second sensing unit is normal, the process proceeds to step S952 and selects the abnormality sensing unit to filter the current value measured by the abnormality sensing unit. Thereafter, in step S954, the determination module feedbacks the current value measured by the normal detection unit to the effective current value to maintain circuit driving.
S950 단계에서 제2감지부와 제3감지부가 모두 정상인 것으로 판단된 경우, 이상감지부 선택과정 없이 S954 단계로 바로 진입하여 회로 운전을 유지한다. If it is determined in step S950 that both the second detection unit and the third detection unit are normal, the program directly enters to step S954 without selecting an abnormality detection unit to maintain circuit operation.
본 명세서에서는 발명의 이해를 돕기 위해 3개의 감지부를 통해 실시예를 설명하였지만, 감지부는 구성회로에 따라 n개로 늘어날 수 있고, 회로 구성과 입출력 전류에 따라 비교되는 전류값이 달라질 수 있음을 다시 한번 강조한다. In the present specification, the embodiment has been described through three sensing units to help understanding of the invention, but the sensing unit may be increased to n depending on the configuration circuit, and the current value compared with the circuit configuration and input / output current may be changed once again. Emphasis.
이상에서와 같은 플라즈마 전원장치 및 플라즈마 전원장치의 오류검출방법은 고장빈도가 많은 전류 감지 센서를 보완할 수 있는 다른 센서(감지부)들을 제공하고, 다른 센서들에서 센싱된 복수의 전류 값과 센서의 위치를 플라즈마 전원장치를 구성하는 회로 이상 판단에 이용함으로써, 전원장치를 구성하는 회로 중 이상동작을 하는 회로를 보다 정확하게 판단할 수 있다. 또한, 플라즈마 전원기기에 포함된 회로에서 출력된 전류 값에 이상이 생길 경우, 이를 다른 회로로 입력되지 않도록 하여 전원기기 고장을 예방할 수 있도록 한다. 또한, 추가수집전류값을 측정하여 감지부 각각의 오동작을 파악하여 정상적으로 동작하는 감지부에서 측정된 전류값을 피드백 할 수 있도록 한다. 이를 통해, 회로 구동 시간을 늘리고 불필요한 셧 다운을 막아, 전력 및 회로 부팅 시 소요되는 시간을 절약할 수 있도록 한다. As described above, the plasma power supply device and the error detection method of the plasma power supply device provide other sensors (detectors) that can complement the current detection sensor with a high frequency of failure, and a plurality of current values and sensors sensed by other sensors. By using the position of the circuit for determining the abnormality of the circuit constituting the plasma power supply, it is possible to more accurately determine the circuit that performs the abnormal operation among the circuits constituting the power supply. In addition, when an abnormality occurs in the current value output from the circuit included in the plasma power supply device, it is prevented from being input to another circuit to prevent a power supply device failure. In addition, by measuring the additional collected current value, it is possible to identify the malfunction of each of the sensing units so that the current value measured by the sensing unit operating normally can be fed back. Through this, it is possible to increase circuit driving time and prevent unnecessary shutdown, thereby saving power and time required for booting the circuit.
개시된 내용은 예시에 불과하며, 특허청구범위에서 청구하는 청구의 요지를 벗어나지 않고 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 다양하게 변경 실시될 수 있으므로, 개시된 내용의 보호범위는 상술한 특정의 실시예에 한정되지 않는다.The disclosed content is only an example, and can be variously modified by a person having ordinary skill in the art without departing from the gist of the claims claimed in the claims. It is not limited to the examples.
100: 변환회로
200: 증폭회로
300: 판단모듈
10: 제 1감지부
20: 제 2감지부
30: 제3 감지부100: conversion circuit
200: amplification circuit
300: judgment module
10: first detection unit
20: second detection unit
30: third detection unit
Claims (10)
입력된 교류전류를 직류전류로 변환하고, 변환된 직류전류에서 설정조건을 만족하는 직류전류를 필터링하고, 필터링 된 직류 전류를 다시 교류로 변환한 변환전류를 출력하는 변환회로;
상기 변환회로에서 출력된 변환전류를 감지하는 제 1감지부;
상기 변환전류가 입력되면 입력된 변환전류를 증폭시키고, 증폭된 변환전류를 직류전류로 변환하고 설정된 조건에 따라 필터링 하여 증폭된 전류를 출력하는 증폭회로;
상기 증폭회로에서 출력된 증폭전류를 감지하는 제 2감지부;
상기 제 2감지부와 연결되고 상기 제 2감지부를 통과하여 전달되는 증폭전류를 감지하는 제 3감지부; 및
상기 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 각각의 전류 값들을 획득하고 획득된 전류 값 중 어느 하나 이상을 이용하여 플라즈마 전원장치 구성의 동작 이상을 판단하는 판단모듈; 을 포함하며,
상기 판단모듈은
상기 제 2감지부의 전류값으로 상기 증폭회로의 단락을 감지하고,
상기 제 2감지부와 제 3감지부가 직렬관계로 연결되고, 상기 제 2감지부 및 제3감지부에서 획득한 전류값을 비교하여, 상기 제 2감지부와 제 3감지부에서 측정된 전류 값이 일정수준이상 상이한 경우,
상기 전원장치와 연결된 장비의 입력단에서 추가측정전류를 수집하고, 상기 추가측정전류와 감지부에서 출력된 전류값을 비교하여, 제2감지부 또는 제3감지부의 이상여부를 파악하고, 상기 제2감지부 또는 제3감지부 중 적어도 하나의 감지부가 정상으로 판단된 경우, 정상 판단된 감지부에서 측정된 전류값을 유효 전류로 설정하고 회로운전을 유지하며,
상기 판단모듈은
제 2감지부에서 출력된 전류와 제 3감지부에서 출력된 전류 및 추가수집전류 데이터가 모두 일치하거나 일정한 오차범위 이내에 존재하는 전류값인 경우, 제 2감지부 또는 제 3감지부에서 출력된 전류 중 상기 추가수집전류에 더 근접한 전류를 출력하는 감지부를 선택하여, 선택된 감지부에서 출력된 전류를 유효전류로 설정하고, 회로운전을 유지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출장치.
In the plasma power supply,
A conversion circuit that converts the input AC current into a DC current, filters the DC current that satisfies the set condition from the converted DC current, and outputs the converted DC current converted back to AC;
A first sensing unit that detects the conversion current output from the conversion circuit;
An amplifying circuit that amplifies the inputted conversion current when the converted current is input, converts the amplified converted current into a DC current, and filters the filtered current according to a set condition to output the amplified current;
A second sensing unit for sensing the amplification current output from the amplification circuit;
A third sensing unit connected to the second sensing unit and sensing an amplified current transmitted through the second sensing unit; And
A determination module for acquiring respective current values sensed by the first sensing unit, the second sensing unit, and the third sensing unit and determining an operation abnormality of a plasma power supply configuration using any one or more of the obtained current values; It includes,
The determination module
A short circuit of the amplification circuit is detected by the current value of the second sensing unit,
The second sensing unit and the third sensing unit are connected in series, and comparing the current values obtained from the second sensing unit and the third sensing unit, and comparing the current values measured by the second sensing unit and the third sensing unit If it is different than a certain level,
The additional measurement current is collected at the input terminal of the equipment connected to the power supply, and the additional measurement current is compared with the current value output from the sensing unit to determine whether the second sensing unit or the third sensing unit is abnormal, and the second If at least one of the sensing unit or the third sensing unit is determined to be normal, the current value measured by the normally determined sensing unit is set as an effective current, and circuit operation is maintained,
The determination module
If the current output from the second sensing unit, the current output from the third sensing unit, and the additional collected current data are all the same or exist within a certain error range, the current output from the second sensing unit or the third sensing unit Among the circuit abnormalities using the current detection of the plasma power supply device, a sensing unit that outputs a current closer to the additional collecting current is selected, the current output from the selected sensing unit is set as an effective current, and circuit operation is maintained. Detection device.
상기 제 1감지부의 전류값으로 변환회로의 단락 및 증폭회로의 과부하를 감지하고, 상기 제 1감지부 및 제2 감지부에서 센싱된 전류값을 정상회로에서 출력된 전류값인 기설정된 전류값과 비교하여 비교결과에 따라 상기 변환회로 또는 상기 증폭회로의 이상여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출장치.
The method of claim 1, wherein the determination module
The short circuit of the conversion circuit and the overload of the amplification circuit are sensed by the current value of the first sensing unit, and the current value sensed by the first sensing unit and the second sensing unit is set to a preset current value that is a current value output from the normal circuit. Circuit abnormality detection device using the current detection of the plasma power supply, characterized in that to determine whether or not the conversion circuit or the amplification circuit according to the comparison result.
상기 추가측정전류에 의해 제 2감지부와 제 3감지부가 모두 이상으로 판단된 경우, 회로를 셧다운 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출장치.
The method of claim 1, wherein the determination module
A circuit abnormality detection device using current sensing of the plasma power supply, characterized in that the circuit is shut down when both the second sensing unit and the third sensing unit are determined to be abnormal by the additional measurement current.
(A) 변환회로에서 입력된 교류전류를 직류전류로 변환하고, 변환된 직류전류에서 설정조건을 만족하는 직류전류를 필터링하고, 필터링 된 직류 전류를 다시 교류로 변환한 변환전류를 출력하는 단계;
(B) 제 1감지부에서 상기 변환회로에서 출력된 변환전류를 감지하는 단계;
(C) 증폭회로에서 상기 변환전류가 입력되면 입력된 변환전류를 증폭시키고, 증폭된 변환전류를 직류전류로 변환하고 설정된 조건에 따라 필터링 하여 증폭된 전류를 출력하는 단계;
(D) 제 2감지부에서 상기 증폭회로에서 출력된 증폭전류를 감지하는 단계;
(E) 판단모듈에서 제 1감지부, 제 2감지부 및 상기 제 2감지부와 연결되고 상기 제 2감지부를 통과하여 전달되는 증폭전류를 감지하는 제 3감지부에서 감지된 각각의 전류 값들을 획득하고 획득된 전류 값 중 어느 하나 이상을 이용하여 플라즈마 전원장치 구성의 동작 이상을 판단하는 단계; 를 포함하며,
상기 (E) 플라즈마 전원장치 구성의 동작 이상을 판단하는 단계; 는
상기 판단모듈에서 상기 제 2감지부의 전류값으로 상기 증폭회로의 단락을 감지하는 단계;
상기 판단모듈에서 제 2감지부와 제 3감지부가 직렬관계로 연결되는 경우, 상기 제 2감지부 및 제3감지부에서 획득한 전류값을 비교하여, 상기 제 2감지부와 제 3감지부에서 측정된 전류 값이 일정수준이상 상이하면, 상기 전원장치와 연결된 장비의 입력단에서 추가측정전류를 수집하는 단계;
상기 추가측정전류와 제 2감지부 및 제 3 감지부에서 출력된 전류를 비교하여, 비교결과에 따라 제2감지부와 제3감지부의 이상여부를 파악하는 단계; 및
상기 제2감지부 또는 제3감지부 중 적어도 하나의 감지부가 정상으로 판단된 경우, 정상 판단된 감지부에서 측정된 전류값을 유효 전류로 설정하고 회로운전을 유지하는 단계; 를 포함하며,
상기 비교결과에 따라 제2감지부와 제3감지부의 이상여부를 파악하는 단계; 는
제 2감지부에서 출력된 전류와 제 3감지부에서 출력된 전류 및 추가수집전류 데이터가 모두 일치하거나 일정한 오차범위 이내에 존재하는 전류값인 경우, 제 2감지부 또는 제 3감지부에서 출력된 전류 중 상기 추가수집전류에 더 근접한 전류를 출력하는 감지부를 선택하는 단계; 및
선택된 감지부에서 출력된 전류를 유효전류로 설정하고, 회로운전을 유지하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는,
플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출방법.
In the current detection error detection method of the plasma power supply,
(A) converting the AC current input from the conversion circuit to DC current, filtering the DC current that satisfies the set condition from the converted DC current, and outputting the converted DC current converted to AC again;
(B) detecting a conversion current output from the conversion circuit by the first detection unit;
(C) amplifying the inputted conversion current when the converted current is input from an amplifying circuit, converting the amplified converted current into a DC current, and filtering the filtered current according to a set condition to output the amplified current;
(D) sensing the amplification current output from the amplifying circuit by the second sensing unit;
(E) Each of the current values sensed by the third sensing unit detecting the amplified current transmitted through the second sensing unit and connected to the first sensing unit, the second sensing unit, and the second sensing unit in the determination module Determining an operation abnormality of the plasma power supply configuration using any one or more of the acquired and obtained current values; It includes,
Determining an operation abnormality of the (E) plasma power supply configuration; The
Detecting a short circuit of the amplifying circuit by the current value of the second sensing unit in the determination module;
When the second sensing unit and the third sensing unit are connected in series in the determination module, the current values obtained from the second sensing unit and the third sensing unit are compared, and the second sensing unit and the third sensing unit are compared. If the measured current value is different than a certain level, collecting additional measurement current at an input terminal of the equipment connected to the power supply;
Comparing the additional measurement current with the current output from the second sensing unit and the third sensing unit, and determining whether the second sensing unit and the third sensing unit are abnormal according to the comparison result; And
If at least one of the second sensing unit or the third sensing unit is determined to be normal, setting a current value measured by the normally determined sensing unit as an effective current and maintaining circuit operation; It includes,
Determining whether the second sensing unit and the third sensing unit are abnormal according to the comparison result; The
If the current output from the second sensing unit, the current output from the third sensing unit, and the additional collected current data are all the same or exist within a certain error range, the current output from the second sensing unit or the third sensing unit Selecting a sensing unit for outputting a current closer to the additional collecting current; And
Setting the current output from the selected sensing unit to an effective current, and maintaining circuit operation; Characterized in that it comprises,
A circuit fault detection method using current detection of a plasma power supply.
상기 제 1감지부의 전류값으로 변환회로의 단락 및 증폭회로의 과부하를 감지하는 단계; 및
상기 제 1감지부 및 제2 감지부에서 센싱된 전류값을 정상회로에서 출력된 전류값인 기설정된 전류값과 비교하여 비교결과에 따라 상기 변환회로 또는 증폭회로의 이상여부를 판단하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출방법.
The method of claim 6, further comprising: (E) determining an abnormal operation of the plasma power supply configuration; The
Detecting a short circuit of the conversion circuit and an overload of the amplification circuit with the current value of the first sensing unit; And
Comparing the current values sensed by the first sensing unit and the second sensing unit with a preset current value, which is a current value output from a normal circuit, and determining whether the conversion circuit or the amplification circuit is abnormal according to a comparison result; Circuit detection method using the current detection of the plasma power supply further comprising a.
상기 추가측정전류에 의해 제 2감지부와 제 3감지부가 모두 이상으로 판단된 경우, 회로를 셧다운 하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출방법.
The method of claim 6, further comprising: determining whether the second sensing unit and the third sensing unit are abnormal according to the comparison result; The
If it is determined that both the second sensing unit and the third sensing unit are abnormal due to the additional measurement current, shutting down the circuit; Circuit detection method using the current detection of the plasma power supply further comprising a.
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