KR102109000B1 - Organic light emitting device and method for manufacturing the same - Google Patents
Organic light emitting device and method for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR102109000B1 KR102109000B1 KR1020170062138A KR20170062138A KR102109000B1 KR 102109000 B1 KR102109000 B1 KR 102109000B1 KR 1020170062138 A KR1020170062138 A KR 1020170062138A KR 20170062138 A KR20170062138 A KR 20170062138A KR 102109000 B1 KR102109000 B1 KR 102109000B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- organic light
- electrode layer
- electromagnetic wave
- layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 294
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 16
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- -1 region Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H01L51/5012—
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
- G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
-
- H01L51/5056—
-
- H01L51/5072—
-
- H01L51/5088—
-
- H01L51/5092—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
Abstract
본 발명은 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 발광 소자의 결함 영역이 증대되는 것을 방지하기 위한 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자는 기판; 상기 기판 상에, 결함 영역을 가지는 유기 발광층을 포함하는 복수 개의 층이 적층되어 형성되는 유기 발광부; 및 상기 결함 영역으로 유입되는 전류를 제어하기 위하여, 상기 유기 발광부의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층 사이의 계면에 형성되는 절연부;를 포함한다.The present invention relates to an organic light emitting device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting device and a method for manufacturing the same for preventing an increase in a defect area of the organic light emitting device.
The organic light emitting device according to the embodiment of the present invention includes a substrate; An organic light emitting unit formed by stacking a plurality of layers including an organic light emitting layer having a defect region on the substrate; And an insulating portion formed at an interface between two adjacent layers among a plurality of layers of the organic light emitting portion to control the current flowing into the defect region.
Description
본 발명은 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 발광 소자의 결함 영역이 증대되는 것을 방지하기 위한 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting device and a method for manufacturing the same for preventing an increase in a defect area of the organic light emitting device.
유기 발광 소자는 두 개의 전극과 그 사이에 존재하는 다층의 반도체적 성질을 갖는 유기물의 박막들로 구성되어 있다. 이와 같은 구성의 유기 발광 소자는 유기 물질을 이용하여 전기 에너지를 빛 에너지로 전환시키는 현상, 즉 유기 발광 현상을 이용한다. 구체적으로, 양극과 음극 사이에 유기 발광층을 위치시킨 구조에 있어서, 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기 발광층에 주입되게 된다. 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.The organic light emitting device is composed of two electrodes and thin films of an organic material having a multi-layered semiconductor property therebetween. The organic light emitting device having such a configuration uses a phenomenon of converting electrical energy to light energy using an organic material, that is, an organic light emitting phenomenon. Specifically, in a structure in which an organic light-emitting layer is positioned between an anode and a cathode, when a voltage is applied between two electrodes, holes are injected at the anode and electrons are injected at the cathode. When the injected holes and electrons meet, excitons are formed, and when the excitons fall back to the ground state, light is emitted.
즉, 유기 발광 소자에서는 유기 발광층에서 생성된 빛이 광 투과성 전극을 통하여 방출하게 되며, 유기 발광 소자는 통상 전면 발광(top emission), 후면 발광(bottom emisstion) 및 양면 발광형으로 분류할 수 있다. 전면 또는 후면 발광형의 경우는 두 개의 전극 중 하나가 광 투과성 전극이어야 하며, 양면 발광형의 경우는 두 개의 전극이 모두 광 투과성 전극이어야 한다.That is, in the organic light emitting device, light generated in the organic light emitting layer is emitted through the light-transmitting electrode, and the organic light emitting device can be generally classified into top emission, bottom emission, and double-sided emission. In the case of a front or rear emission type, one of the two electrodes should be a light-transmitting electrode, and in the case of a double-side emission type, both electrodes must be a light-transmitting electrode.
이와 같이, 유기 발광 소자는 전자와 정공의 재결합으로 유기 발광층을 발광시키는 자발광형 소자로서, 휘도가 높고 구동 전압이 낮으며 초박막화가 가능하여 다양한 응용 제품에 적용할 수 있다.As described above, the organic light emitting device is a self-emission type device that emits an organic light emitting layer by recombination of electrons and holes, and has high luminance, low driving voltage, and ultra-thinning, and can be applied to various applications.
그러나, 일반적으로 유기 발광 소자는 양극, 유기 발광층 및 음극을 순차적으로 적층하여 제조되는데, 양극, 유기 발광층 및 음극을 적층하는 공정 중에는 전도성의 이물(conductive particle)이 침투될 수 있다. 유기 발광 소자 내에 침투된 전도성의 이물은 양극과 음극의 단락을 유발하는 결함 노드(node)로 작용하게 되고, 이러한 결함 노드에는 전류의 흐름이 집중되는 현상이 나타난다. 이와 같은 전류의 집중에 의하여 결함 노드는 주변의 유기 발광층에까지 영향을 미치게 되어 결함 영역으로 성장하게 되고, 전류가 계속적으로 공급되는 경우 결함 영역은 주변으로 점차 확장되어 발광 특성이 현저하게 저하되는 문제점이 있었다.However, in general, an organic light emitting device is manufactured by sequentially stacking an anode, an organic light emitting layer, and a cathode. Conductive particles may be penetrated during a process of stacking an anode, an organic light emitting layer, and a cathode. The conductive foreign matter penetrated into the organic light emitting device acts as a defect node causing a short circuit between the anode and the cathode, and a phenomenon in which current flow is concentrated appears in the defect node. Due to the concentration of the current, the defect node affects the surrounding organic light emitting layer and grows into the defect area, and when current is continuously supplied, the defect area gradually expands to the surroundings, thereby significantly degrading light emission characteristics. there was.
본 발명은 유기 발광 소자 내의 결함 영역에 공급되는 전류를 차단하여 결함 영역이 주변으로 확장되는 것을 방지할 수 있는 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다.The present invention provides an organic light-emitting device and a method for manufacturing the same, which can prevent the defect area from expanding to the surrounding area by blocking current supplied to the defect area in the organic light-emitting device.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자는 기판; 상기 기판 상에, 결함 영역을 가지는 유기 발광층을 포함하는 복수 개의 층이 적층되어 형성되는 유기 발광부; 및 상기 결함 영역으로 유입되는 전류를 제어하기 위하여, 상기 유기 발광부의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층 사이의 계면에 형성되는 절연부;를 포함한다.The organic light emitting device according to the embodiment of the present invention includes a substrate; An organic light emitting unit formed by stacking a plurality of layers including an organic light emitting layer having a defect region on the substrate; And an insulating portion formed at an interface between two adjacent layers among a plurality of layers of the organic light emitting portion to control the current flowing into the defect region.
상기 절연부는 상기 결함 영역으로 유입되는 전류의 흐름을 차단할 수 있다.The insulation portion may block the flow of current flowing into the defect area.
상기 절연부는 상기 결함 영역으로 유입되는 전류의 이동 경로 상에 형성될 수 있다.The insulating portion may be formed on a moving path of current flowing into the defect region.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자는 전류를 유입시키기 위한 제1 전극층; 상기 제1 전극층으로부터 유입된 전류를 유출시키기 위한 제2 전극층; 복수 개의 층이 적층되어 형성되며, 상기 제1 전극층과 제2 전극층 사이에서 전류의 이동 경로를 형성하는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 내의 결함 영역으로 유입되는 전류를 제어하기 위하여, 제1 전극층과 유기 발광층 사이, 유기 발광층과 제2 전극층 사이 및 복수 개의 유기물층 중 인접한 두 개의 유기물층 사이의 계면 중 적어도 하나의 계면에 형성되는 절연부;를 포함한다.In addition, the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention includes a first electrode layer for introducing a current; A second electrode layer for discharging current flowing from the first electrode layer; An organic emission layer formed by stacking a plurality of layers, and forming a path of current flow between the first electrode layer and the second electrode layer; And at least one interface between the first electrode layer and the organic light emitting layer, between the organic light emitting layer and the second electrode layer, and between two adjacent organic material layers among the plurality of organic material layers to control the current flowing into the defect region in the organic light emitting layer. Insulating portion to be included.
상기 절연부는 상기 결함 영역에 의하여 단락되는 상기 제1 전극층과 제2 전극층을 개방시킬 수 있다.The insulating portion may open the first electrode layer and the second electrode layer shorted by the defect region.
상기 유기 발광부는, 상기 기판 상에 형성되는 제1 전극층; 상기 제1 전극층 상에 형성되는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 형성되는 제2 전극층;을 포함하고, 상기 절연부는 상기 제1 전극층과 유기 발광층 사이의 계면 및 상기 유기 발광층과 제2 전극층 사이의 계면 중 적어도 하나에 형성될 수 있다.The organic light emitting unit may include a first electrode layer formed on the substrate; An organic emission layer formed on the first electrode layer; And a second electrode layer formed on the organic emission layer. The insulating unit may be formed on at least one of an interface between the first electrode layer and the organic emission layer and an interface between the organic emission layer and the second electrode layer.
상기 유기 발광부는, 상기 기판 상에 형성되는 제1 전극층; 복수 개의 유기물층을 포함하여 상기 제1 전극층 상에 형성되는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 형성되는 제2 전극층;을 포함하고, 상기 절연부는 상기 복수 개의 유기물층 중 인접한 두 개의 유기물층 사이의 계면에 형성될 수 있다.The organic light emitting unit may include a first electrode layer formed on the substrate; An organic emission layer formed on the first electrode layer including a plurality of organic material layers; And a second electrode layer formed on the organic emission layer. The insulating portion may be formed at an interface between two adjacent organic material layers among the plurality of organic material layers.
상기 절연부는 상기 결함 영역보다 크거나 같은 평면 면적을 가질 수 있다.The insulating portion may have a planar area larger than or equal to the defect area.
상기 절연부는 상기 결함 영역에 대하여 110 내지 200%의 평면 면적을 가질 수 있다.The insulating portion may have a plane area of 110 to 200% with respect to the defect area.
상기 절연부는 상기 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층이 일부 분리되어 형성되는 공극을 포함할 수 있다.The insulating portion may include a void formed by partially separating two adjacent layers among the plurality of layers.
상기 유기 발광부 상에 형성되는 봉지부;를 더 포함할 수 있다.An encapsulation portion formed on the organic light emitting portion; may further include.
상기 기판의 발광 면에 형성되는 광 확산부;를 더 포함할 수 있다.It may further include; a light diffusion portion formed on the light emitting surface of the substrate.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법은 기판 상에 복수 개의 층을 적층하여 유기 발광부를 형성하는 과정; 상기 유기 발광부 상에 봉지부를 형성하는 과정; 상기 유기 발광부 내의 결함 영역을 검출하는 과정; 결함 영역이 검출되는 경우 상기 유기 발광부의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층 사이의 계면에 절연부를 형성하는 과정;을 포함한다.In addition, a method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention comprises the steps of laminating a plurality of layers on a substrate to form an organic light emitting unit; Forming an encapsulation portion on the organic light emitting portion; Detecting a defect region in the organic light emitting part; And forming an insulating portion at an interface between two adjacent layers among a plurality of layers of the organic light emitting portion when a defect region is detected.
상기 절연부를 형성하는 과정은, 상기 유기 발광부의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층을 일부 분리하여 절연부를 형성할 수 있다.In the process of forming the insulating portion, two adjacent layers among a plurality of layers of the organic light emitting portion may be partially separated to form an insulating portion.
상기 절연부를 형성하는 과정은, 상기 기판을 통하여 상기 유기 발광부에 전자기파를 조사하는 과정;을 포함할 수 있다.The forming of the insulating portion may include radiating electromagnetic waves to the organic light emitting portion through the substrate.
상기 전자기파는 레이저 또는 자외선을 포함할 수 있다.The electromagnetic wave may include laser or ultraviolet light.
상기 유기 발광부에 전자기파를 조사하는 과정 이전에, 상기 전자기파를 가공하는 과정;을 더 포함하고, 상기 전자기파를 가공하는 과정은, 상기 전자기파의 조사 면적을 제어하는 과정; 상기 전자기파의 에너지를 조절하는 과정; 및 상기 전자기파의 초점 위치를 결정하는 과정;을 포함할 수 있다.Before the process of irradiating the electromagnetic wave to the organic light emitting part, the process of processing the electromagnetic wave further comprises; The process of processing the electromagnetic wave includes: controlling the irradiation area of the electromagnetic wave; Adjusting the energy of the electromagnetic wave; And determining a focal position of the electromagnetic wave.
상기 전자기파의 조사 면적을 제어하는 과정은, 상기 전자기파의 조사 면적이 상기 결함 영역의 평면 면적보다 크거나 같도록 제어할 수 있다.In the process of controlling the irradiation area of the electromagnetic wave, the irradiation area of the electromagnetic wave may be controlled to be greater than or equal to the plane area of the defect area.
상기 전자기파의 에너지를 조절하는 과정은, 상기 전자기파의 에너지가 상기 유기 발광부의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층을 일부 분리하는데 필요한 에너지보다 크고, 상기 복수 개의 층 중 적어도 하나의 층을 일부 제거하는데 필요한 에너지보다 작도록 제어할 수 있다.In the process of adjusting the energy of the electromagnetic wave, the energy of the electromagnetic wave is greater than the energy required to partially separate two adjacent layers among the plurality of layers of the organic light emitting part, and is necessary to partially remove at least one of the plurality of layers. It can be controlled to be less than energy.
상기 전자기파의 초점 위치를 결정하는 과정은, 상기 전자기파의 초점 위치가 상기 유기 발광부에 포함되는 제1 전극층과 유기 발광층 사이의 계면 또는 상기 유기 발광부에 포함되는 유기 발광층과 제2 전극층 사이의 계면에 위치하도록 결정할 수 있다.In the process of determining the focal position of the electromagnetic wave, the interface between the first electrode layer and the organic light emitting layer in which the focal point of the electromagnetic wave is included in the organic light emitting part or the interface between the organic light emitting layer and the second electrode layer included in the organic light emitting part. You can decide to place it on.
상기 전자기파의 초점 위치를 결정하는 과정은, 상기 전자기파의 초점 위치가 상기 유기 발광부에 포함되는 유기 발광층의 내부에 위치하도록 결정할 수 있다.In the process of determining the focal position of the electromagnetic wave, the focal position of the electromagnetic wave may be determined to be located inside the organic light emitting layer included in the organic light emitting unit.
상기 절연부를 형성하는 과정 이후에, 상기 기판의 발광 면에 광 확산부를 형성하는 과정;을 더 포함할 수 있다.After the process of forming the insulating portion, a process of forming a light diffusion portion on the light emitting surface of the substrate; may further include.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법에 의하면, 유기 발광부 내에서 결함 영역과 중첩되어 투영되는 위치에 절연부를 형성하여 결함 영역을 전기적으로 격리시킴으로써, 결함 영역으로의 지속적인 전원 공급에 의하여 결함 영역이 주변으로 확장되는 것을 방지할 수 있다.According to an organic light emitting device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention, an insulating part is formed at a position projected by overlapping a defective area in the organic light emitting part to electrically isolate the defective area, thereby continuously supplying power to the defective area By doing so, it is possible to prevent the defect area from expanding to the surroundings.
또한, 유기 발광부의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층을 분리시켜 절연부를 형성하게 되어 적은 양의 에너지에 의하여 용이하게 결함 영역을 전기적으로 격리시킬 수 있어 경제적이며, 유기 발광 소자 내에 부산물이 발생할 염려도 전혀 없게 되어 유기 발광 소자의 신뢰성을 확보할 수 있다.In addition, by separating two adjacent layers among a plurality of layers of the organic light emitting portion, an insulating portion can be easily electrically isolated by a small amount of energy, so it is economical, and even if there is a possibility of by-products occurring in the organic light emitting element Since it is completely absent, the reliability of the organic light emitting device can be secured.
도 1은 유기 발광 소자에 결함 영역이 발생되는 모습을 나타내는 도면.
도 2는 제1 전극층과 유기 발광층 사이의 계면에 절연부가 형성되는 모습을 나타내는 도면.
도 3은 유기 발광층과 제2 전극층 사이의 계면에 절연부가 형성되는 모습을 나타내는 도면.
도 4는 유기 발광층 내의 인접한 유기물층 사이의 계면에 절연부가 형성되는 모습을 나타내는 도면.
도 5는 결함 영역 및 절연부가 기판에 투영되는 모습을 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 도면.
도 7은 기판을 통하여 유기 발광부에 전자기파를 조사하는 모습을 나타내는 도면.1 is a view showing a state in which a defect region is generated in an organic light emitting device.
2 is a view showing a state in which an insulating portion is formed at the interface between the first electrode layer and the organic emission layer.
3 is a view showing a state in which an insulating portion is formed at the interface between the organic light emitting layer and the second electrode layer.
4 is a view showing a state in which an insulating portion is formed at an interface between adjacent organic material layers in the organic emission layer.
5 is a view showing a state in which a defect region and an insulation portion are projected on a substrate.
6 is a view schematically showing a method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
7 is a view showing a state of irradiating electromagnetic waves to the organic light emitting portion through the substrate.
본 발명에 따른 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법은 유기 발광 소자 내의 결함 영역에 공급되는 전류를 차단하여 결함 영역이 주변으로 확장되는 것을 방지할 수 있는 기술적 특징을 제시한다.The organic light emitting device according to the present invention and a method for manufacturing the same provide a technical feature capable of preventing the defect area from being extended to the periphery by blocking the current supplied to the defect area in the organic light emitting device.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 발명의 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only the embodiments of the present invention allow the disclosure of the present invention to be complete, and the scope of the invention to those skilled in the art It is provided to inform you completely.
명세서 전체에 걸쳐서 막, 영역, 또는 기판 등과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다.When referring to the fact that one component, such as a film, region, or substrate, is located “on” another component throughout the specification, the one component directly contacts or “between” another component. It can be interpreted that there may be other components intervening in.
또한, "상부" 또는 "하부"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도시되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 상대적인 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 도면상에서, 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Also, relative terms such as “upper” or “lower” can be used herein to describe the relative relationship of certain elements to other elements as shown in the figures. It may be understood that relative terms are intended to include other directions of the device in addition to the direction depicted in the figures. In the drawings, the same reference numerals refer to the same elements.
도 1은 유기 발광 소자에 결함 영역이 발생되는 모습을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a state in which a defect region is generated in an organic light emitting device.
유기 발광 소자는 두 개의 전극과 그 사이에 존재하는 다층의 반도체적 성질을 갖는 유기물의 박막들로 구성되며, 다양한 표시 장치 또는 조명 장치에 사용되고 있다. 즉, 유기 발광 소자는 기판 상에 복수 개의 픽셀로 구획되어 표시 장치로서 사용될 수 있으며, 기판 상에 대략 하나의 큰 픽셀로 구성되는 것과 같이 조명 장치로서 사용될 수도 있다.The organic light emitting device is composed of two electrodes and thin films of an organic material having a multi-layered semiconductor property between them, and is used in various display devices or lighting devices. That is, the organic light emitting device may be divided into a plurality of pixels on a substrate and used as a display device, or may be used as a lighting device, such as composed of approximately one large pixel on a substrate.
이러한 유기 발광 소자는 유기 물질을 이용하여 전기 에너지를 빛 에너지로 전환시키는 현상을 이용하여 발광하게 되고, 일반적으로 유기 발광 소자는 양극, 유기 발광층 및 음극을 순차적으로 적층하여 제조되는데, 양극, 유기 발광층 및 음극을 적층하는 공정 중에는 전도성의 이물(conductive particle)이 침투될 수 있다. 유기 발광 소자 내에 침투된 전도성의 이물은 양극과 음극의 단락을 유발하는 결함 노드(node)로 작용하게 되고, 이러한 결함 노드에는 전류의 흐름이 집중되는 현상이 나타난다. 이와 같은 전류의 집중 또는 전류의 집중에 의한 발열 등에 의하여 결함 노드는 주변의 유기 발광층에까지 영향을 미치게 되어, 도 1에 도시된 바와 같이 암점 등의 결함 영역(D)으로 성장하게 되고, 전류가 계속적으로 공급되는 경우 결함 영역(D)은 주변으로 지속적으로 확장되어 발광 특성이 현저하게 저하되고, 소자의 수명이 급격하게 감소하는 문제점이 있었다.Such an organic light emitting device emits light using a phenomenon of converting electrical energy into light energy using an organic material. In general, an organic light emitting device is manufactured by sequentially laminating an anode, an organic light emitting layer, and a cathode. And a conductive particle may be penetrated during the process of stacking the cathode. The conductive foreign matter penetrated into the organic light emitting device acts as a defect node causing a short circuit between the anode and the cathode, and a phenomenon in which current flow is concentrated appears in the defect node. The defect node affects the surrounding organic light emitting layer due to the concentration of the current or the heat generated by the concentration of the current. As shown in FIG. 1, the defect node grows into the defect region D such as a dark point, and the current continues. When supplied to the defect area (D) is continuously extended to the periphery is significantly lowered the light emitting properties, there is a problem that the life of the device is rapidly reduced.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 모습을 예시적으로 나타내는 도면이다. 여기서, 도 2는 제1 전극층과 유기 발광층 사이의 계면에 절연부가 형성되는 모습을 나타내는 도면이고, 도 3은 유기 발광층과 제2 전극층 사이의 계면에 절연부가 형성되는 모습을 나타내는 도면이며, 도 4는 유기 발광층 내의 인접한 유기물층 사이의 계면에 절연부가 형성되는 모습을 나타내는 도면이다. 또한, 도 5는 결함 영역 및 절연부가 기판에 투영되는 모습을 나타내는 도면이다.2 to 4 are views exemplarily showing a state of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention. Here, FIG. 2 is a view showing a state in which an insulating portion is formed at an interface between a first electrode layer and an organic light emitting layer, and FIG. 3 is a view showing a state in which an insulating portion is formed at an interface between an organic light emitting layer and a second electrode layer, and FIG. 4 Is a view showing a state in which an insulating portion is formed at an interface between adjacent organic material layers in the organic emission layer. In addition, FIG. 5 is a view showing a state in which the defect region and the insulation portion are projected on the substrate.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자는 기판(100); 상기 기판(100) 상에 결함 영역(D)을 가지는 유기 발광층(220)을 포함하는 복수 개의 층이 적층되어 형성되는 유기 발광부(200); 및 상기 결함 영역(D)으로 유입되는 전류를 제어하기 위하여, 상기 유기 발광부(200)의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층 사이의 계면에 형성되는 절연부(400);를 포함한다.2 to 5, an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a
기판(100)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱, 금속 등 다양한 재질로 이루어지는 절연성의 투명 기판으로 형성될 수 있다. 또한, 기판(100)은 최근 디스플레이 분야의 신기술로 각광받는 플렉시블 디스플레이의 구현을 위하여 가요성을 가지는 투명 기판으로 형성될 수 있다. 이 경우, 기판(100)은 내열성이 우수한 폴리에테르술폰(PES, Polyethersulphone), 폴리아카릴레이트(PAR, Polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI, Polyehterimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PET, Polyethylenenapthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, Polyehtyleneterepthalate) 등과 같은 고분자 플라스틱을 사용할 수 있다.The
또한, 기판(100)은 박막 기판일 수 있으며 두께는, 0.1mm 이하, 바람직하게는 50 내지 100㎛ 이하로 형성될 수 있다. 이와 같이, 기판(100)이 가요성을 가지는 얇은 플라스틱 등의 투명 기판으로 형성되는 경우, 종이처럼 접거나 말아도 손상되지 않는 차세대 표시 장치인 플렉서블 디스플레이를 구현할 수 있다.In addition, the
도시되지는 않았으나, 기판(100) 상에는 기판(100)의 하부로부터 수분 또는 산소의 침투를 방지하기 위한 배리어층이 형성될 수 있으며, 배리어층은 표면을 평탄화하기 역할을 동시에 수행할 수도 있다. 예를 들어, 배리어층은 질화 규소(SiNx)막, 산화 규소(SiO2)막, 산질화 규소(SiOxNy)막 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 그러나, 배리어층은 필수적인 구성은 아니며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.Although not shown, a barrier layer may be formed on the
유기 발광부(200)는 기판(100) 상에 복수 개의 층이 적층되어 형성된다. 여기서, 유기 발광부(200)는 기판(100) 상에 형성되는 제1 전극층(210); 상기 제1 전극층(210) 상에 형성되는 유기 발광층(220); 및 상기 유기 발광층(220) 상에 형성되는 제2 전극층(230)을 포함할 수 있다.The organic
제1 전극층(210) 및 제2 전극층(230)은 횡 방향으로 연장되어 형성될 수 있으며, 복수 개로 분할되어 형성될 수도 있다. 제1 전극층(210)은 양극 전극, 제2 전극층(230)은 음극 전극일 수 있으며, 이에 의하여 제1 전극층(210)은 전류를 유입시킬 수 있으며, 제2 전극층(230)은 제1 전극층(210)으로부터 유입된 전류를 유출시킬 수 있다.The
또한, 유기 발광 소자가 표시 장치에 사용되는 경우 제1 전극층(210) 및 제2 전극층(230)은 각각 데이터 라인 및 스캔 라인을 형성할 수 있다. 이 경우 제1 전극층(210) 또는 제2 전극층(230)은 기판 상에 형성되는 박막 트랜지스터(미도시)에 전기적으로 연결될 수 있다. 박막 트랜지스터는 데이터라인, 스위칭 TFT, 구동 TFT, 스토리지 커패시터, 전원 전압 공급 배선 및 그라운드 전원 공급 배선 등을 포함하여 구성될 수 있으며, N 타입의 MOSFET 또는 P 타입의 MOSFET 구조로 구현될 수 있다. 박막 트랜지스터 구조는 일반적으로 널리 알려진 구조이므로 상세한 설명은 생략한다.In addition, when the organic light emitting device is used in the display device, the
또한, 제1 전극층(210) 및 제2 전극층(230) 중 적어도 하나는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등의 투명 전도성 물질로 형성될 수 있으며, 제1 전극층(210)을 투명 전도성 물질로 형성하여, 제1 전극층(210) 상에 형성되는 유기 발광층(220)으로부터 발생되는 광이 제1 전극층(210)에 의한 간섭없이 기판(100)의 하부로 방출되도록 할 수 있다.Further, at least one of the
또한, 제1 전극층(210) 또는 제2 전극층(230)이 복수 개로 분할되어 형성되는 경우 유기 발광층(220)의 하부에 형성되는 제1 전극층(210)이 유기 발광층(220)의 상부에 형성되는 제2 전극층(230)과 인접한 위치로 연장되거나, 유기 발광층(220)의 싱부에 형성되는 제2 전극층(230)이 유기 발광층(220)의 하부에 형성되는 제1 전극층(210)과 인접한 위치로 연장되도록 형성할 수 있다. 이 경우 유기 발광층(220)의 상부 또는 하부에서만 전원을 인가할 수 있게 되며, 유기 발광부(220)의 일 측면으로만 각 전극층의 단자부를 노출시킬 수 있게 되어 배선을 단순화할 수 있게 된다.In addition, when the
제1 전극층(210) 상에는 유기 발광층(220)이 형성된다. 유기 발광층(220)은 제1 전극층(210)과 제2 전극층(230) 사이에서 전류의 이동 경로를 형성하며, 도시되지는 않았으나, 유기 발광층(220)은 복수 개의 유기물층이 적층되어 형성될 수 있다. 즉, 유기 발광층(220)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층이 적층되어 형성될 수 있으며, 각 층은 다시 복수 개의 유기물층으로 구성될 수 있다.The
유기 발광층(220)은 제1 전극층(210) 및 제2 전극층(230)에 구동 신호가 인가되면 제1 전극층(210) 및 제2 전극층(230)에서 각각 전자 또는 정공이 방출되고 방출된 전자와 정공이 발광층 내에서 재결합하면서 광을 방출하게 된다. 방출되는 광은 가시광일 수 있으며, 방출된 가시광은 투명 전도성 물질로 형성되는 제1 전극층(210)을 통하여 기판(100)의 하부로 방출되어 대상물을 조명하거나 소정의 화상 또는 영상을 표시하는 기능을 수행할 수 있다.When the driving signal is applied to the
봉지부(300)는 전술한 유기 발광부(200)를 덮도록 유기 발광부(200) 상에 형성될 수 있다. 봉지부(300)는 공지된 다양한 재료로 형성될 수 있으며, 유기 발광부(200)로부터 기판(100) 상으로 연장되어 유기 발광부(200)와 기판(100)의 일부 면을 덮도록 형성되어 유기 발광부(200)를 봉지한다.The
예를 들어 봉지부(300)는 적어도 하나의 무기막 또는 적어도 하나의 유기막이 일층 이상으로 형성되거나, 상기 무기막과 상기 유기막이 교번하여 형성될 수 있다. 무기막은 SiNx, SiOx, AlxOy, SiCxNy, SiOxNy, 비결정성 탄소(amorphous carbon), InOx, YbOx 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 유기막은 PPX(parylene(poly-p-xylylene), PCPX(poly-2-chloro-pzylylene), poly[2-methoxy-r-(2' ethyhexylloxy)-1,4-phenylene vinylene] 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.For example, the
절연부(400)는 결함 영역(D)으로 유입되는 전류를 제어하기 위하여, 유기 발광부(200)의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층 사이의 계면에 형성된다. 여기서, 인접한 두 개의 층은 절연부(400)가 형성되기 전에 상호 접촉하고 있는 두 개의 층을 의미한다. 또한, 절연부(400)는 제1 전극층(210)과 제2 전극층(230) 사이에서 결함 영역(D)으로 유입되는 전류의 이동 경로 상에 형성될 수 있으며, 이 경우 결함 영역(D)의 상부, 하부 또는 내부에 형성될 수 있다. 이때, 결함 영역(D) 및 절연부(400)는 도 5에 도시된 바와 같이 발광 면, 예를 들어 기판(100)에 투영되어 평면 면적을 형성하게 되며 결함 영역(D)이 형성하는 평면 면적은 절연부(400)가 형성하는 평면 면적에 포함된다. 따라서, 절연부(400)는 결함 영역(D)보다 크거나 같은 평면 면적을 가질 수 있으며, 이 경우 절연부(400)는 결함 영역(D)에 대하여 110% 이상, 200% 이하의 평면 면적을 가질 수 있다. 도 5에서는 결함 영역(D)이 기판(100) 상에 원형으로 투영되고, 절연부(400)가 기판(100) 상에 원형으로 투영되는 경우를 예로써 도시하였으나, 절연부(400)의 투영 형상은 결함 영역(D)보다 크거나 같은 평면 면적을 가지는 범위 내에서 다양한 형상으로 형성될 수 있음은 물론이다.The insulating
절연부(400)는 전기적으로 절연성을 가지며, 절연부(400)에 의하여 제1 전극층(210) 또는 제2 전극층(230)으로부터 결함 영역(D)으로 유입되는 전류의 흐름은 차단된다. 유기 발광 소자 내에서, 예를 들어 제1 전극층(210)과 제2 전극층(230)은 전도성을 가지는 결함 영역(D)에 의하여 상호 단락(short)된다. 이와 같이 제1 전극층(210)과 제2 전극층(230)이 단락되면, 결함 영역(D)에는 전류의 흐름이 집중되게 된다. 여기서, 절연부(400)는 제1 전극층(210)과 제2 전극층(230) 사이에서 결함 영역(D)으로 유입되는 전류의 이동 경로, 즉 결함 영역(D)의 상부, 하부 또는 내부에 형성되어, 제1 전극층(210)과 제2 전극층(230) 사이의 전류의 이동 경로를 차단하여 제1 전극층(210)과 제2 전극층(230) 사이를 단선하여 개방(open)시킨다.The insulating
즉, 전류는 제1 전극층(210) 또는 제2 전극층(230)의 일 방향으로 흐르게 되고, 제1 전극층(210)과 제2 전극층(230) 사이에서 최단 경로로 이동하므로, 결함 영역(D)의 상부 또는 하부에 절연부(400)를 형성하거나, 결함 영역(D)의 내측에 절연부(400)를 형성하여 결함 영역을 통하여 흐르는 전류를 차단하고, 결함 영역(D)을 전기적으로 격리시킬 수 있다. 이 결과, 절연부(400)에 대응되는 영역은 발광하지 않게 되나, 결함 영역(D)을 가지는 유기 발광 소자의 경우 결함 영역(D)이 지속적으로 증대되는 것을 방지할 수 있으며, 결함 영역(D)의 생성 초기로부터 결함 영역(D)으로 유입되는 전류를 차단함으로써 결함 영역(D)을 가지지 않는 유기 발광 소자와 동일한 수준으로 특성을 유지할 수 있게 된다.That is, the current flows in one direction of the
여기서, 절연부(400)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 제1 전극층(210)과 유기 발광층(220) 사이의 계면 및 유기 발광층(220)과 제2 전극층(230) 사이의 계면 중 적어도 하나에 형성될 수 있다. 또한, 절연부(400)는, 도 4에 도시된 바와 같이 유기 발광층(220)의 내부, 즉 유기 발광층이 전술한 복수 개의 유기물층을 포함하는 경우 복수 개의 유기물층 중 인접한 두 개의 유기물층 사이의 계면에 형성될 수 있다.Here, the insulating
결함 영역(D)을 전기적으로 격리시키기 위하여는 결함 영역(D)의 하부에 위치하는 제1 전극층(210)의 일부를 제거하거나 결함 영역(D)의 상부에 위치하는 제2 전극층(230)의 일부를 제거하는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 결함 영역(D)을 형성하는 유기 발광층(220)의 일부 또는 전부를 제거할 수도 있음은 물론이다. 그러나, 이와 같이 제1 전극층(210), 제2 전극층(230) 또는 유기 발광층(220)의 일부를 제거하기 위하여는 제1 전극층(210), 제2 전극층(230) 또는 유기 발광층(220)을 제거하기 위한 과다한 에너지의 공급이 필요하게 된다. 또한, 제1 전극층(210), 제2 전극층(230) 또는 유기 발광층(220)의 제거에 의하여 유기 발광 소자 내에 부산물이 발생되어 소자 특성이 저하되는 문제점도 가지고 있다.In order to electrically isolate the defect region D, a portion of the
따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자는 유기 발광부(200)의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층 사이의 계면에 절연부(400)를 형성하며, 이 경우 절연부는 상기 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층이 일부 분리되어 형성되는 공극(cavity)을 포함할 수 있다. 즉, 절연부(400)에 의하여 제1 전극층(210)과 유기 발광층(220) 사이의 계면 또는 유기 발광층(220)과 제2 전극층(230) 사이의 계면을 선택적으로 분리시키거나, 이에 추가로 유기 발광층(220)을 구성하는 복수 개의 유기물층에서 선택된 인접한 두 개의 유기물층 사이의 계면을 선택적으로 분리시킬 수 있다. 이와 같이, 유기 발광부(200)의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층을 선택적으로 분리하여 절연부(400)를 형성함으로써 적은 양의 에너지에 의하여 용이하게 절연부(400)를 형성할 수 있어 경제적이며, 유기 발광 소자 내에 부산물이 발생할 염려도 전혀 없어 유기 발광 소자의 신뢰성을 확보할 수 있게 된다.Therefore, the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention forms an insulating
전술한 바와 같이, 유기 발광부(200)의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층 사이의 계면에 절연부(400)를 형성하는 과정과 관련하여는 후술하는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법과 관련하여 상세하게 설명하기로 한다.As described above, with respect to the process of forming the insulating
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자는 전류를 유입시키기 위한 제1 전극층(210); 상기 제1 전극층(210)으로부터 유입된 전류를 유출시키기 위한 제2 전극층(230); 복수 개의 층이 적층되어 형성되며, 상기 제1 전극층(210)과 제2 전극층(230) 사이에서 전류의 이동 경로를 형성하는 유기 발광층(220); 및 결함 영역(D)으로 유입되는 전류를 제어하기 위하여, 제1 전극층(210)과 유기 발광층(220) 사이, 유기 발광층(220)과 제2 전극층(230) 사이 및 복수 개의 유기물층 중 인접한 두 개의 유기물층 사이의 계면 중 적어도 하나의 계면에 형성되는 절연부(400);를 포함하도록 구성할 수도 있다. 이 경우, 각 구성 요소와 관련한 세부적인 내용은 전술한 바와 동일한 바, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.In addition, the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자는 발광 면, 예를 들어 유기 발광부(200)가 형성되는 기판(100)의 일면과 반대측인 타면에 형성되는 광 확산부(500)를 더 포함할 수 있다. 광 확산부(500)는 확산 기능을 가진 투명한 에폭시 수지층을 도포하여 형성하거나, 도포층에 SiO2 성분으로 구성되는 파우더를 첨가하여 형성할 수 있으며, 확산 시트 등이 부착되어 광 확산부(500)를 형성할 수도 있다.The organic light emitting device according to an embodiment of the present invention may further include a
광 확산부(500)는 유기 발광부(200) 내에 결함 영역(D) 및 절연부(400)가 위치하여 발광되지 않는 암점이 발생하는 경우에 발광 면을 통하여 방출되는 광의 광학적 균일성을 확보하는 역할을 한다. 따라서, 광 확산부(500)에 의하여 유기 발광 소자가 결함 영역(D) 및 절연부(400)를 가지는 경우에도 소자의 특성을 유지할 수 있게 된다.The
이하에서, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described in detail.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 7은 기판을 통하여 유기 발광부에 전자기파를 조사하는 모습을 나타내는 도면이다.6 is a view schematically showing a method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a view showing a state in which electromagnetic waves are irradiated to the organic light emitting part through a substrate.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법은 기판(100) 상에 복수 개의 층을 적층하여 유기 발광부(200)를 형성하는 과정(S100); 상기 유기 발광부(200) 상에 봉지부(300)를 형성하는 과정(S200); 상기 유기 발광부(200) 내의 결함 영역(D)을 검출하는 과정(S300); 및 결함 영역(D)이 검출되는 경우 상기 유기 발광부(200)의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층 사이의 계면에 절연부(400)를 형성하는 과정(S400);을 포함한다.6 and 7, a method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a process of forming a plurality of layers on the
먼저, 유기 발광부(200)를 형성하는 과정(S100)은, 기판(100) 상에 복수 개의 층을 적층하여 유기 발광부(200)를 형성한다. 여기서, 기판(100)은 플렉시블 디스플레이의 구현을 위하여 가요성을 가지는 투명 기판을 포함할 수 있으며, 유기 발광부(200)는 기판(100) 상에 형성되는 제1 전극층(210); 상기 제1 전극층(210) 상에 형성되는 유기 발광층(220); 및 상기 유기 발광층(220) 상에 형성되는 제2 전극층(230)을 포함하는 복수 개의 층을 적층하여 형성할 수 있다.First, in the process of forming the organic light emitting unit 200 (S100), a plurality of layers are stacked on the
또한, 봉지부(300)를 형성하는 과정(S200)은 유기 발광부(200) 및 기판(100)의 일부 면을 덮도록 유기 발광부(200) 상에 봉지부(300)를 형성한다. 여기서, 봉지부(300)는 적어도 하나의 무기막 또는 적어도 하나의 유기막을 일층 이상으로 형성하거나, 무기막과 상기 유기막을 교번하여 형성할 수도 있음은 물론이다. 이와 같은 유기 발광부(200)를 형성하는 과정(S100) 및 봉지부(300)를 형성하는 과정(S200)은 유기 발광 소자를 제조하는데 사용되는 다양한 과정이 적용될 수 있는 바 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.In addition, in the process of forming the encapsulation unit 300 (S200), the
결함 영역(D)을 검출하는 과정(S300)은 유기 발광부(200) 내에서 비정상적으로 발광하는 결함 영역(D)을 검출한다. 이를 위하여 제1 전극층(210) 및 제2 전극층(230)에 전압을 인가하여 발광 면으로부터 정상적으로 광이 방출되는지 여부를 검사하게 되며, 정상적으로 광이 방출되지 않는 암점 등에 의하여 형성되는 일 영역을 결함 영역(D)으로 검출하게 된다. 결함 영역(D)은 3㎛ 이내의 직경을 가지는 경우 주변 영역으로 대부분 성장하지 않으며, 3㎛ 이상의 직경을 가지는 결함 영역(D)의 경우 유기 발광층(220)의 주변으로 지속적으로 성장하는바, 결함 영역(D)을 검출하는 과정(S300)에서는 3㎛ 이상의 직경을 가지는 결함 영역(D)을 검출할 수 있다. 또한, 결함 영역(D)이 50㎛를 초과하는 직경을 가지는 경우 발광 면을 통하여 시야로 검출되어 유기 발광 소자의 불량으로 판정될 수 있는바, 결함 영역(D)을 검출하는 과정(S300)에서는 50㎛ 이하의 직경을 가지는 결함 영역(D)을 검출할 수 있다.The process (S300) of detecting the defective area D detects the defective area D that emits abnormally in the organic
결함 영역(D)이 검출되는 경우, 절연부(400)를 형성하는 과정(S400)이 수행된다. 절연부(400)를 형성하는 과정은 유기 발광부(200)의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층을 일부 분리하여, 절연부(400)를 형성할 수 있다. 여기서, 인접한 두 개의 층은 제1 전극층(210)과 유기 발광층(220) 또는 유기 발광층(220)과 제2 전극층(230)일 수 있으며, 유기 발광층(220)이 복수 개의 유기물층으로 형성되는 경우 복수 개의 유기물층 중 인접한 두 개의 유기물층일 수도 있음은 물론이다.When the defect region D is detected, a process (S400) of forming the insulating
절연부(400)를 형성하기 위하여는 유기 발광 소자를 일 방향으로 가압하여 유기 발광부(200)의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층을 일부 분리할 수도 있다. 즉, 절연부(400)의 형성을 위한 유기 발광 소자의 일면에 수직 방향 및 수평 방향으로 힘을 인가하여 유기 발광부(200)의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층을 일부 분리할 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자를 직접 가압하는 경우 유기 발광 소자가 파손될 우려가 있으므로, 절연부(400)를 형성하는 과정(S400)은 기판(100)을 통하여 유기 발광부(200)에 전자기파를 조사하여 유기 발광부(200)의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층을 일부 분리하는 것이 바람직하다.In order to form the insulating
여기서, 전자기파는 유기 발광부(200)의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층을 일부 분리하는데 충분한 에너지를 가지는 레이저 또는 자외선을 포함할 수 있다. 여기서, 레이저는 레이저 조사 장치(L)에 의하여 조사되며, UV 레이저, IR 레이저, YAG 레이저, Femto 레이저 등을 사용할 수 있다. 이 경우 레이저의 매질에 따라 YAG 레이저, 루비 레이저, 헬륨-네온 레이저, 이산화탄소 레이저, 반도체 레이저 등 사용할 수 있으며, 레이저의 파장에 따라 IR 레이저 또는 UV 레이저 등을 사용할 수 있고, 레이저의 펄스 폭(width)에 따라 Femto 레이저를 사용할 수 있다. 이하에서는 기판(100)을 통하여 레이저를 조사하여 절연부(400)를 형성하는 것을 예로 들어 설명하기로 한다.Here, the electromagnetic wave may include laser or ultraviolet light having sufficient energy to partially separate two adjacent layers among the plurality of layers of the organic
즉, 절연부(400)를 형성하는 과정(S400)은, 레이저를 가공하는 과정(S410); 및 기판(100)을 통하여 유기 발광부(200)에 레이저를 조사하는 과정(S420);을 포함할 수 있으며, 여기서, 레이저를 가공하는 과정(S410)은 레이저의 조사 면적(LA)을 제어하는 과정; 레이저의 에너지를 조절하는 과정; 및 레이저의 초점 위치를 결정하는 과정;을 포함할 수 있다.That is, the process of forming the insulating portion 400 (S400), the process of laser processing (S410); And a process (S420) of irradiating a laser to the organic
먼저, 레이저의 조사 면적을 제어하는 과정에서는 레이저의 조사 면적(LA)이 기판(100)에 투영된 결함 영역(D)의 평면 면적보다 크거나 같도록 레이저의 조사 면적(LA)을 제어한다. 즉, 레이저의 조사 면적(LD)을 결함 영역(D)의 평면 면적보다 크게 제어하여 결함 영역(D)에 의한 전기적 단락을 해소하며, 결함 영역(D)을 전기적으로 격리시킬 수 있게 된다.First, in the process of controlling the laser irradiation area, the laser irradiation area LA is controlled such that the laser irradiation area LA is greater than or equal to the plane area of the defect area D projected on the
또한, 레이저의 에너지를 조절하는 과정은 레이저의 에너지가 유기 발광부(200)의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층을 일부 분리하는데 필요한 에너지보다 크고, 상기 복수 개의 층 중 적어도 하나의 층을 제거하는데 필요한 에너지보다 작도록 제어한다. 즉, 제1 전극층(210), 유기 발광층(220) 또는 제2 전극층(230)의 일부 영역을 제거하기 위하여는 유기 발광부(200)의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층을 일부 분리하는데 필요한 에너지보다 많은 양의 에너지를 필요로 하게 된다. 또한, 기판(100)으로부터 레이저를 조사하는 경우 상이한 물질로 형성되는 제1 전극층(210)과 유기 발광층(220) 사이의 계면이 가장 적은 양의 에너지로 분리될 수 있다. 따라서, 레이저의 에너지를 조절하는 과정에서는 레이저의 에너지가 제1 전극층(210)과 유기 발광층(220) 사이의 계면을 일부 분리하는데 필요한 에너지보다 크고, 제1 전극층(210), 유기 발광층(220) 또는 제2 전극층(230)의 일부를 제거하는데 필요한 에너지보다 작도록 제어하여 조사되는 레이저의 출력을 최소화할 수 있으며, 유기 발광 소자의 각 층의 변성을 최소화 할 수 있게 된다.In addition, in the process of adjusting the energy of the laser, the energy of the laser is greater than the energy required to partially separate two adjacent layers among the plurality of layers of the organic
레이저의 초점 위치를 결정하는 과정은 상기 레이저의 초점 위치가 상기 유기 발광부(200)에 포함되는 제1 전극층(210)과 유기 발광층(220) 사이의 계면 또는 상기 유기 발광부(200)에 포함되는 유기 발광층(220)과 제2 전극층(230) 사이의 계면에 위치하도록 결정할 수 있다. 또한, 레이저의 초점 위치를 결정하는 과정은 상기 레이저의 초점 위치가 상기 유기 발광부(200)에 포함되는 유기 발광층(200)의 내부 즉, 복수 개의 유기물층 중 인접한 두 개의 유기물층 사이의 계면에 위치하도록 결정할 수 있다. 이와 같이 유기 발광부(200)의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층 사이의 계면으로 레이저의 초점 위치를 결정함으로써, 각 층을 용이하게 분리할 수 있게 된다.The process of determining the focal position of the laser includes the interface between the
이와 같이 가공된 레이저는 결함 영역(D)의 평면 면적보다 큰 조사 면적(LA)를 가지도록 조사된다. 가공된 레이저는 투명 기판을 통하여 유기 발광부(200)의 내부로 조사되며 이에 의하여 유기 발광부(200)의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층 사이의 계면의 일부 영역이 분리된다.The laser processed as described above is irradiated to have an irradiation area LA larger than the plane area of the defect area D. The processed laser is irradiated to the interior of the organic light-emitting
전술한 과정에 의하여 유기 발광부(200)의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층을 일부 분리하여 절연부(400)를 형성하고 난 후, 유기 발광 소자의 발광 면에 광 확산부(500)를 형성하는 과정(S500)을 더 포함할 수 있다. 광 확산부(500)는 확산 기능을 가진 투명한 에폭시 수지층을 도포하여 형성하거나, 도포층에 SiO2 성분으로 구성되는 파우더를 첨가하여 형성할 수 있으며, 확산 시트 등이 부착되어 광 확산부(500)를 형성할 수도 있음은 전술한 바와 같다.After forming the
이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법에 의하면, 유기 발광부 내에서 결함 영역과 중첩되어 투영되는 위치에 절연부를 형성하여 결함 영역을 전기적으로 격리시킴으로써, 결함 영역으로의 지속적인 전원 공급에 의하여 결함 영역이 주변으로 확장되는 것을 방지할 수 있다.As described above, according to the organic light emitting device and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention, the insulating region is electrically isolated by forming an insulating portion at a position overlapping and projecting the defect region within the organic light emitting portion, thereby to the defect region. The continuous power supply can prevent the defective area from expanding into the surroundings.
또한, 유기 발광부의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층을 분리시켜 절연부를 형성하게 되어 적은 양의 에너지에 의하여 용이하게 결함 영역을 전기적으로 격리시킬 수 있어 경제적이며, 유기 발광 소자 내에 부산물이 발생할 염려도 전혀 없게 되어 유기 발광 소자의 신뢰성을 확보할 수 있다.In addition, by separating two adjacent layers among a plurality of layers of the organic light emitting portion, an insulating portion can be easily electrically isolated by a small amount of energy, so it is economical, and even if there is a possibility of by-products occurring in the organic light emitting element Since it is completely absent, the reliability of the organic light emitting device can be secured.
상기에서, 본 발명의 바람직한 실시 예가 특정 용어들을 사용하여 설명 및 도시되었지만 그러한 용어는 오로지 본 발명을 명확하게 설명하기 위한 것일 뿐이며, 본 발명의 실시 예 및 기술된 용어는 다음의 청구범위의 기술적 사상 및 범위로부터 이탈되지 않고서 여러 가지 변경 및 변화가 가해질 수 있는 것은 자명한 일이다. 이와 같이 변형된 실시 예들은 본 발명의 사상 및 범위로부터 개별적으로 이해되어져서는 안 되며, 본 발명의 청구범위 안에 속한다고 해야 할 것이다.In the above, although preferred embodiments of the present invention have been described and illustrated using specific terms, such terms are only intended to clearly describe the present invention, and embodiments and described terms of the present invention are the technical spirit of the following claims. And it is obvious that various changes and changes can be made without deviating from the scope. Such modified embodiments should not be understood individually from the spirit and scope of the present invention and should be said to fall within the scope of the claims of the present invention.
100: 기판 200: 유기 발광부
210: 제1 전극층 220: 유기 발광층
230: 제2 전극층 300: 봉지층
400: 절연부 500: 광 확산부100: substrate 200: organic light emitting unit
210: first electrode layer 220: organic light emitting layer
230: second electrode layer 300: sealing layer
400: insulation 500: light diffusion
Claims (22)
상기 유기 발광부 상에 봉지부를 형성하는 과정;
상기 유기 발광부 내의 결함 영역을 검출하는 과정; 및
결함 영역이 검출되는 경우 상기 유기 발광부의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층 사이의 계면에 절연부를 형성하는 과정;을 포함하고,
상기 기판은 상기 유기 발광부가 형성되는 일면 및 상기 일면의 반대측에 발광 면을 형성하는 타면을 가지는 절연성의 투명 기판으로 형성되고,
상기 절연부를 형성하는 과정은, 상기 기판을 통하여 상기 유기 발광부에 전자기파를 조사하는 과정;을 포함하고,
상기 유기 발광부에 절연부를 형성한 후, 상기 기판의 발광 면에 광 확산부를 형성하는 과정;을 더 포함하며,
상기 광 확산부를 형성하는 과정은 상기 기판의 발광 면에 투명한 에폭시 수지층을 도포하여 도포층을 형성하고, 상기 도포층에 SiO2 성분을 포함하는 파우더를 첨가하여 형성하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
Forming an organic light emitting unit by stacking a plurality of layers on a substrate;
Forming an encapsulation portion on the organic light emitting portion;
Detecting a defect region in the organic light emitting part; And
When the defect area is detected, a process of forming an insulating portion at an interface between two adjacent layers among a plurality of layers of the organic light emitting portion; includes,
The substrate is formed of an insulating transparent substrate having one surface on which the organic light emitting part is formed and the other surface forming a light emitting surface on the opposite side of the one surface,
The process of forming the insulating portion includes a step of irradiating electromagnetic waves to the organic light emitting portion through the substrate.
After forming an insulating portion in the organic light-emitting portion, forming a light diffusion portion on the light-emitting surface of the substrate; further comprising,
The process of forming the light diffusion unit is a method of manufacturing an organic light emitting device by forming a coating layer by applying a transparent epoxy resin layer to the light emitting surface of the substrate, and adding a powder containing a SiO 2 component to the coating layer.
상기 절연부를 형성하는 과정은, 상기 유기 발광부의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층을 일부 분리하여 절연부를 형성하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
The method according to claim 13,
In the process of forming the insulating portion, a method of manufacturing an organic light emitting device forming an insulating portion by partially separating two adjacent layers among a plurality of layers of the organic light emitting portion.
상기 전자기파는 레이저 또는 자외선을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
The method according to claim 13,
The electromagnetic wave is a method of manufacturing an organic light emitting device comprising a laser or ultraviolet rays.
상기 유기 발광부에 전자기파를 조사하는 과정 이전에, 상기 전자기파를 가공하는 과정;을 더 포함하고,
상기 전자기파를 가공하는 과정은,
상기 전자기파의 조사 면적을 제어하는 과정;
상기 전자기파의 에너지를 조절하는 과정; 및
상기 전자기파의 초점 위치를 결정하는 과정;을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
The method according to claim 13,
Before the process of irradiating electromagnetic waves to the organic light emitting portion, the process of processing the electromagnetic wave; further includes,
The process of processing the electromagnetic wave,
Controlling an irradiation area of the electromagnetic wave;
Adjusting the energy of the electromagnetic wave; And
And determining a focal position of the electromagnetic wave.
상기 전자기파의 조사 면적을 제어하는 과정은,
상기 전자기파의 조사 면적이 상기 결함 영역의 평면 면적보다 크거나 같도록 제어하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
The method according to claim 17,
The process of controlling the irradiation area of the electromagnetic wave,
A method of manufacturing an organic light emitting device that controls the irradiation area of the electromagnetic wave to be greater than or equal to a plane area of the defect area.
상기 전자기파의 에너지를 조절하는 과정은,
상기 전자기파의 에너지가 상기 유기 발광부의 복수 개의 층 중 인접한 두 개의 층을 일부 분리하는데 필요한 에너지보다 크고, 상기 복수 개의 층 중 적어도 하나의 층을 일부 제거하는데 필요한 에너지보다 작도록 제어하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
The method according to claim 17,
The process of adjusting the energy of the electromagnetic wave,
The energy of the electromagnetic wave is greater than the energy required to partially separate two adjacent layers of the plurality of layers of the organic light emitting unit, and less than the energy required to partially remove at least one layer of the plurality of layers. Manufacturing method.
상기 전자기파의 초점 위치를 결정하는 과정은,
상기 전자기파의 초점 위치가 상기 유기 발광부에 포함되는 제1 전극층과 유기 발광층 사이의 계면 또는 상기 유기 발광부에 포함되는 유기 발광층과 제2 전극층 사이의 계면에 위치하도록 결정하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
The method according to claim 17,
The process of determining the focal position of the electromagnetic wave,
A method of manufacturing an organic light emitting device that determines that the focal position of the electromagnetic wave is located at an interface between the first electrode layer and the organic light emitting layer included in the organic light emitting portion or an interface between the organic light emitting layer and the second electrode layer included in the organic light emitting portion .
상기 전자기파의 초점 위치를 결정하는 과정은,
상기 전자기파의 초점 위치가 상기 유기 발광부에 포함되는 유기 발광층의 내부에 위치하도록 결정하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
The method according to claim 17,
The process of determining the focal position of the electromagnetic wave,
A method of manufacturing an organic light emitting device that determines that the focal position of the electromagnetic wave is located inside the organic light emitting layer included in the organic light emitting unit.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170062138A KR102109000B1 (en) | 2017-05-19 | 2017-05-19 | Organic light emitting device and method for manufacturing the same |
TW106116869A TWI746556B (en) | 2017-05-19 | 2017-05-22 | Organic light emitting device and method for manufacturing the same |
PCT/KR2017/005318 WO2018212388A1 (en) | 2017-05-19 | 2017-05-23 | Organic light-emitting element and method for manufacturing same |
CN201780004392.0A CN109287135B (en) | 2017-05-19 | 2017-05-23 | Organic light emitting device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170062138A KR102109000B1 (en) | 2017-05-19 | 2017-05-19 | Organic light emitting device and method for manufacturing the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180126959A KR20180126959A (en) | 2018-11-28 |
KR102109000B1 true KR102109000B1 (en) | 2020-05-12 |
Family
ID=64274026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170062138A KR102109000B1 (en) | 2017-05-19 | 2017-05-19 | Organic light emitting device and method for manufacturing the same |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102109000B1 (en) |
CN (1) | CN109287135B (en) |
TW (1) | TWI746556B (en) |
WO (1) | WO2018212388A1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009277528A (en) | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Panasonic Corp | Organic el element inspection repairing method and device |
JP2014116221A (en) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Toppan Printing Co Ltd | El element and method for manufacturing el element |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980043474A (en) * | 1996-12-03 | 1998-09-05 | 이우복 | Manufacturing method of organic electroluminescent device |
KR19980043474U (en) * | 1996-12-24 | 1998-09-25 | 박병재 | Integrated door impact beam of the car |
GB9907120D0 (en) * | 1998-12-16 | 1999-05-19 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light-emissive devices |
KR20050122972A (en) | 2004-06-26 | 2005-12-29 | 삼성전자주식회사 | Method for analyzing organic light-emitting device |
KR20090126614A (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-09 | 참앤씨(주) | System and method for repairing bad pixel of organic light emitting diode display device |
CN102227952B (en) * | 2009-04-24 | 2014-01-22 | 松下电器产业株式会社 | Method for manufacturing organic el display |
EP2504872A1 (en) * | 2009-11-27 | 2012-10-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Organic electroluminescent devices |
KR101780250B1 (en) * | 2010-09-24 | 2017-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organinc light emitting display device and manufacturing method for the same |
WO2012140691A1 (en) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | パナソニック株式会社 | Method for manufacturing organic el element and method for setting focal point of laser |
JP5310773B2 (en) * | 2011-04-15 | 2013-10-09 | パナソニック株式会社 | Manufacturing method of organic EL display |
JP5642277B2 (en) * | 2011-06-16 | 2014-12-17 | パナソニック株式会社 | Method for manufacturing organic electroluminescent element and organic electroluminescent element |
KR101875774B1 (en) * | 2011-08-10 | 2018-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and manufacturing method of the same |
KR101881895B1 (en) * | 2011-11-30 | 2018-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | Thin-film transistor array substrate, organic light emitting display device comprising the same and method for manufacturing of the thin-film transistor array substrate |
CN103733728B (en) * | 2012-06-14 | 2017-03-08 | 株式会社日本有机雷特显示器 | Defect inspection method, the restorative procedure of organic EL element and organic EL display panel |
KR101971196B1 (en) * | 2012-09-21 | 2019-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display apparatus and the manufacturing method thereof |
EP2960961B1 (en) * | 2013-04-01 | 2022-03-09 | LG Display Co., Ltd. | Organic light emitting element |
JP6452675B2 (en) * | 2013-04-29 | 2019-01-16 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
CN105405985B (en) * | 2015-11-02 | 2018-02-13 | 固安翌光科技有限公司 | A kind of OLED screen body and preparation method thereof |
-
2017
- 2017-05-19 KR KR1020170062138A patent/KR102109000B1/en active IP Right Grant
- 2017-05-22 TW TW106116869A patent/TWI746556B/en active
- 2017-05-23 CN CN201780004392.0A patent/CN109287135B/en active Active
- 2017-05-23 WO PCT/KR2017/005318 patent/WO2018212388A1/en active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009277528A (en) | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Panasonic Corp | Organic el element inspection repairing method and device |
JP2014116221A (en) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Toppan Printing Co Ltd | El element and method for manufacturing el element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI746556B (en) | 2021-11-21 |
WO2018212388A1 (en) | 2018-11-22 |
TW201901984A (en) | 2019-01-01 |
CN109287135B (en) | 2023-07-18 |
CN109287135A (en) | 2019-01-29 |
KR20180126959A (en) | 2018-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102545660B1 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
US8137148B2 (en) | Method of manufacturing monolithic parallel interconnect structure | |
US7839077B2 (en) | Organic light emitting display and method of fabricating the same | |
KR20200013068A (en) | Light emitting diode (LED) mass transfer device and manufacturing method | |
KR20080027900A (en) | Method for reducing occurrence of short-circuit failure in an organic functional device | |
JP2016213441A (en) | Micro light-emitting diode | |
JP2008545231A (en) | Organic device and method of manufacturing the same | |
KR102495204B1 (en) | Organic light emitting diode display device | |
US20100140644A1 (en) | Organic el display device and manufacturing method thereof | |
KR102152744B1 (en) | Top-emission organic electroluminescence display device and production method therefor | |
KR101742114B1 (en) | A method for forming an electrical interconnection in an organic opto-electronic device, a method for producing an organic opto-electronic device, and an organic light emitting device | |
JP2008305810A (en) | Electroluminescence device | |
US10140914B2 (en) | Organic light-emitting diode (OLED) display apparatus for minimizing an outgas generated during a process of laser repairing | |
KR101946905B1 (en) | Organic light emitting device | |
WO2016079957A1 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence element, and organic electroluminescence element | |
KR102109000B1 (en) | Organic light emitting device and method for manufacturing the same | |
CN105448955B (en) | Display device | |
KR101938697B1 (en) | Method for repairing of organic light emitting device | |
US20230209850A1 (en) | Display device | |
KR100786848B1 (en) | Organic light emission display and fabrication method thereof | |
US10205111B2 (en) | Organic light emitting diode, method for manufacturing organic light emitting diode, and method for repairing organic light emitting diode | |
KR20080058883A (en) | Method for manufacturing organic light emitting diode device | |
US20140367643A1 (en) | Organic light emitting display and manufacturing method thereof | |
KR100625969B1 (en) | Electro luminescence device | |
KR102341281B1 (en) | Organic light-emitting diode having a plurality of light-emitting segments |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |