KR102104973B1 - Back Light Unit and Liquid Crystal Display Device using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 LED들을 포함하는 광원소자부; 및 광원소자부로부터 출사된 광을 면광원으로 변환하는 광학시트부를 포함하되, 광원소자부는 k(k는 5 이상 정수)개의 금속판들이 절연층을 사이에 두고 접합된 구조를 갖는 금속기판과, 금속기판의 타면에 위치하는 더미기판과, 더미기판에 위치하며 금속기판을 구성하는 금속판들 간의 전기적인 연결을 도모하는 더미배선을 포함하는 백라이트유닛을 제공한다.The present invention is a light source element including LEDs; And an optical sheet portion for converting light emitted from the light source element portion into a surface light source, wherein the light source element portion has a metal substrate having a structure in which k (k is an integer of 5 or more) metal plates are bonded with an insulating layer interposed therebetween, and the metal. There is provided a backlight unit including a dummy substrate positioned on the other surface of the substrate and a dummy wiring positioned on the dummy substrate to promote electrical connection between the metal plates constituting the metal substrate.

Description

백라이트유닛과 이를 이용한 액정표시장치{Back Light Unit and Liquid Crystal Display Device using the same}Back light unit and liquid crystal display device using the same}

본 발명은 백라이트유닛과 이를 이용한 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a backlight unit and a liquid crystal display device using the same.

정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 액정 표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 유기전계 발광소자(Organic Light Emitting Diodes: OLED) 및 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP) 등과 같은 평판 표시장치(Flat Panel Display: FPD)의 사용이 증가하고 있다. 그 중 고해상도를 구현할 수 있고 소형화뿐만 아니라 대형화가 가능한 액정 표시장치가 널리 사용되고 있다.2. Description of the Related Art With the development of information technology, the market for a display device that is a connection medium between a user and information is growing. Accordingly, flat panel displays (FPDs) such as liquid crystal displays (LCDs), organic light emitting diodes (OLEDs), and plasma display panels (PDPs), etc. Usage is increasing. Among them, a liquid crystal display device capable of realizing a high resolution and capable of miniaturization as well as miniaturization is widely used.

액정표시장치는 수광형 표시장치로 분류된다. 이러한 액정표시장치는 액정패널의 하부에 위치하는 백라이트유닛으로부터 광원을 제공받아 영상을 표현할 수 있다. 백라이트유닛은 액정패널에 효율적인 광을 제공하기 위해 광원 및 광학필름층 등을 포함할 수 있다.Liquid crystal display devices are classified as light-receiving display devices. Such a liquid crystal display device can display an image by receiving a light source from a backlight unit located under the liquid crystal panel. The backlight unit may include a light source and an optical film layer to provide efficient light to the liquid crystal panel.

백라이트유닛에 포함된 광원으로는 패키지로 구성되어 단위 광원을 이루는 LED(발광다이오드)가 주로 사용된다. 최근에는 알루미늄(Al)과 같은 금속을 리드 프레임(Lead Frame)으로 가공하여 COB(Chip On Board) 형태로 LED 칩을 실장하는 방식의 백라이트유닛이 제안되고 있다.As a light source included in the backlight unit, an LED (light emitting diode) consisting of a package and forming a unit light source is mainly used. Recently, a backlight unit in which a metal such as aluminum (Al) is processed into a lead frame to mount an LED chip in the form of a chip on board (COB) has been proposed.

그런데, 종래 제안된 COB 방식은 백라이트유닛 구현시 박형화에 용이한 이점이 있지만, 이는 제작 공정부터 다양한 문제가 제기되고 있고 멀티 스트링(Multi String) 구현시 커넥터의 핀 수 증가를 초래하므로 이의 개선이 요구된다.However, the conventionally proposed COB method has an advantage in that it is easy to reduce the thickness when implementing the backlight unit, but various problems have been raised since the manufacturing process, and when implementing the multi-string, the number of pins of the connector is increased, so improvement thereof is required. do.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 실리콘 누수에 따른 재료의 손실을 방지하고, 멀티 스트링(Multi String) 구현시 커넥터의 핀 수 증가를 방지할 수 있는 백라이트유닛과 이를 이용한 액정표시장치를 제공하는 것이다.The present invention for solving the above-mentioned problems of the background technology prevents loss of material due to silicon leakage, and a backlight unit capable of preventing an increase in the number of pins of a connector when implementing a multi-string and a liquid crystal display device using the same Is to provide

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은 LED들을 포함하는 광원소자부; 및 광원소자부로부터 출사된 광을 면광원으로 변환하는 광학시트부를 포함하되, 광원소자부는 k(k는 5 이상 정수)개의 금속판들이 절연층을 사이에 두고 접합된 구조를 갖는 금속기판과, 금속기판의 타면에 위치하는 더미기판과, 더미기판에 위치하며 금속기판을 구성하는 금속판들 간의 전기적인 연결을 도모하는 더미배선을 포함하는 백라이트유닛을 제공한다.The present invention as a means for solving the above-described problem is a light source element including LEDs; And an optical sheet portion for converting light emitted from the light source element portion into a surface light source, wherein the light source element portion has a metal substrate having a structure in which k (k is an integer of 5 or more) metal plates are bonded with an insulating layer interposed therebetween, and the metal. There is provided a backlight unit including a dummy substrate positioned on the other surface of the substrate and a dummy wiring positioned on the dummy substrate to promote electrical connection between the metal plates constituting the metal substrate.

더미배선은 동일 평면 상에서 상호 이격하여 중첩되는 영역을 갖는 제1 및 제2더미배선을 포함할 수 있다.The dummy wiring may include first and second pile wirings having regions overlapping each other on the same plane.

더미기판은 인쇄회로기판 또는 절연기판으로 선택될 수 있다.The dummy substrate may be selected as a printed circuit board or an insulating substrate.

더미기판은 인쇄회로기판으로 선택되고, 더미배선은 금속기판과 마주보는 더미기판의 일면에 형성되며, 더미배선은 콘택전극에 의해 영역별로 구분되어 금속판들과 전기적으로 연결될 수 있다.The dummy substrate is selected as a printed circuit board, the dummy wiring is formed on one surface of the dummy substrate facing the metal substrate, and the dummy wiring may be divided into regions by contact electrodes and electrically connected to the metal plates.

더미기판은 절연기판으로 선택되고, 더미배선은 금속기판과 마주보지 않는 더미기판의 타면에 형성되며, 절연기판은 금속판들의 일부를 영역별로 노출하는 콘택홀을 포함하고, 더미배선은 전도성 잉크로 형성되고 콘택홀을 통해 금속판들과 전기적으로 연결될 수 있다.The dummy substrate is selected as an insulating substrate, the dummy wiring is formed on the other surface of the dummy substrate that does not face the metal substrate, the insulating substrate includes a contact hole exposing a portion of the metal plates by region, and the dummy wiring is formed of conductive ink It can be electrically connected to the metal plates through the contact hole.

다른 측면에서 본 발명은 k(k는 5 이상 정수)개의 금속판들이 절연층을 사이에 두고 접합된 구조를 갖는 금속기판을 형성하는 단계; 금속기판을 리드 프레임(Lead Frame)으로 사용하기 위해 일면에 공간을 갖도록 가공하는 단계; 금속기판에 외부 배선과 연결되는 비어홀을 형성하는 단계; 금속기판의 타면에 더미배선을 갖는 더미기판을 형성하는 단계; 금속기판의 공간에 LED들을 실장하고, LED들의 제1전극과 제2전극이 전기적으로 연결되도록 배선들을 형성하는 단계; 및 금속기판의 일면에 마련된 공간을 채우도록 실리콘층을 형성하는 단계를 포함하는 백라이유닛의 제조방법을 제공한다.In another aspect, the present invention comprises the steps of forming a metal substrate having a structure in which k (k is an integer of 5 or more) metal plates are bonded with an insulating layer interposed therebetween; Processing the metal substrate to have a space on one surface for use as a lead frame; Forming via holes connected to external wirings on the metal substrate; Forming a dummy substrate having dummy wiring on the other surface of the metal substrate; Mounting the LEDs in the space of the metal substrate, and forming wirings such that the first electrode and the second electrode of the LEDs are electrically connected; And forming a silicon layer to fill the space provided on one surface of the metal substrate.

더미배선은 동일 평면 상에서 상호 이격하여 중첩되는 영역을 갖는 제1 및 제2더미배선을 포함할 수 있다.The dummy wiring may include first and second pile wirings having regions overlapping each other on the same plane.

또 다른 측면에서 본 발명은 LED들을 포함하는 광원소자부와, 광원소자부로부터 출사된 광을 면광원으로 변환하는 광학시트부를 포함하는 백라이트유닛; 및 백라이트유닛으로부터 출사된 광을 제공받는 액정패널을 포함하되, 광원소자부는 k(k는 5 이상 정수)개의 금속판들이 절연층을 사이에 두고 접합된 구조를 갖는 금속기판과, 금속기판의 타면에 위치하는 더미기판과, 더미기판에 위치하며 금속기판을 구성하는 금속판들 간의 전기적인 연결을 도모하는 더미배선을 포함하는 액정표시장치를 제공한다.In another aspect, the present invention is a backlight unit including a light source element unit including LEDs and an optical sheet unit converting light emitted from the light source element unit into a surface light source; And a liquid crystal panel provided with light emitted from the backlight unit, wherein the light source element portion has a metal substrate having a structure in which k (k is an integer of 5 or more) metal plates are bonded with an insulating layer interposed therebetween, and the other surface of the metal substrate. There is provided a liquid crystal display device including a dummy substrate positioned and a dummy wiring positioned on the dummy substrate to promote electrical connection between metal plates constituting the metal substrate.

더미기판은 인쇄회로기판으로 선택되고, 더미배선은 금속기판과 마주보는 더미기판의 일면에 형성되며, 더미배선은 콘택전극에 의해 영역별로 구분되어 금속판들과 전기적으로 연결될 수 있다.The dummy substrate is selected as a printed circuit board, the dummy wiring is formed on one surface of the dummy substrate facing the metal substrate, and the dummy wiring may be divided into regions by contact electrodes and electrically connected to the metal plates.

더미기판은 절연기판으로 선택되고, 더미배선은 금속기판과 마주보지 않는 더미기판의 타면에 형성되며, 절연기판은 금속판들의 일부를 영역별로 노출하는 콘택홀을 포함하고, 더미배선은 전도성 잉크로 형성되고 콘택홀을 통해 금속판들과 전기적으로 연결될 수 있다.The dummy substrate is selected as an insulating substrate, the dummy wiring is formed on the other surface of the dummy substrate that does not face the metal substrate, the insulating substrate includes a contact hole exposing a portion of the metal plates by region, and the dummy wiring is formed of conductive ink It can be electrically connected to the metal plates through the contact hole.

본 발명은 실리콘 누수에 따른 재료의 손실을 방지하고, 다른 스트링과 전원을 공유할 수 있는 비어홀을 형성하여 멀티 스트링(Multi String) 구현시 커넥터의 핀 수 증가를 방지할 수 있는 백라이트유닛과 이를 이용한 액정표시장치를 제공하는 효과가 있다.The present invention prevents loss of material due to leakage of silicon, and forms a via hole that can share power with other strings. There is an effect of providing a liquid crystal display device.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 블록도.
도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀을 개략적으로 나타낸 구성도.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 액정표시장치의 일부 단면도.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 광원소자부의 일부를 나타낸 도면들.
도 8은 종래의 COB 방식 광원소자부와 본 발명의 제1실시예의 COB 방식 광원소자부를 비교하기 위한 도면.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 제2실시예에 따른 광원소자부의 일부를 나타낸 도면들.
도 12 내지 도 18은 본 발명의 제2실시예에 따른 광원소자부를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들.1 is a block diagram schematically showing a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic diagram of a sub-pixel shown in FIG. 1.
3 is a partial cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
4 to 7 are views showing a part of the light source device according to the first embodiment of the present invention.
8 is a view for comparing the conventional COB type light source element portion and the COB type light source element portion of the first embodiment of the present invention.
9 to 11 are views showing a part of the light source device according to the second embodiment of the present invention.
12 to 18 are views for explaining a method of manufacturing a light source device according to a second embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, specific content for the practice of the present invention will be described.

<제1실시예><First Example>

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀을 개략적으로 나타낸 구성도이다.1 is a block diagram schematically showing a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram showing the sub-pixel shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 액정표시장치에는 타이밍제어부(130), 게이트구동부(140), 데이터구동부(150), 액정패널(160) 및 백라이트유닛(170)이 포함된다.1 and 2, the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention includes a timing control unit 130, a gate driving unit 140, a data driving unit 150, a liquid crystal panel 160, and a backlight unit. 170 is included.

타이밍제어부(130)는 게이트구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터구동부(150)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다. 타이밍제어부(130)는 데이터 타이밍 제어신호(DDC)와 함께 영상처리부(110)로부터 공급된 데이터신호(DATA)를 데이터구동부(150)에 공급한다.The timing controller 130 outputs a gate timing control signal GDC for controlling the operation timing of the gate driver 140 and a data timing control signal DDC for controlling the operation timing of the data driver 150. The timing control unit 130 supplies the data signal DATA supplied from the image processing unit 110 together with the data timing control signal DDC to the data driving unit 150.

게이트구동부(140)는 타이밍제어부(130)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트전압의 레벨을 시프트시키면서 게이트신호를 출력한다. 게이트구동부(140)는 게이트라인들(GL)을 통해 액정패널(160)에 포함된 서브 픽셀들(SP)에 게이트신호를 공급한다. 게이트구동부(140)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성되거나 액정패널(160)에 게이트인패널(Gate In Panel) 방식으로 형성된다.The gate driving unit 140 outputs a gate signal while shifting the level of the gate voltage in response to the gate timing control signal GDC supplied from the timing control unit 130. The gate driver 140 supplies a gate signal to the sub-pixels SP included in the liquid crystal panel 160 through the gate lines GL. The gate driver 140 is formed in the form of an integrated circuit (IC) or a gate in panel method on the liquid crystal panel 160.

데이터구동부(150)는 타이밍제어부(130)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치하며 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터구동부(150)는 데이터라인들(DL)을 통해 액정패널(160)에 포함된 서브 픽셀들(SP)에 데이터신호(DATA)를 공급한다. 데이터구동부(150)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성된다.The data driving unit 150 samples, latches, and converts the data signal DATA into a gamma reference voltage in response to the data timing control signal DDC supplied from the timing control unit 130 and outputs it. The data driver 150 supplies a data signal DATA to the sub pixels SP included in the liquid crystal panel 160 through the data lines DL. The data driving unit 150 is formed in the form of an integrated circuit (IC).

액정패널(160)은 게이트구동부(140)로부터 공급된 게이트신호와 데이터구동부(150)로부터 공급된 데이터신호(DATA)에 대응하여 영상을 표시한다. 액정패널(160)은 백라이트유닛(170)을 통해 제공된 광을 제어하는 서브 픽셀들(SP)이 포함된다.The liquid crystal panel 160 displays an image in correspondence with the gate signal supplied from the gate driver 140 and the data signal DATA supplied from the data driver 150. The liquid crystal panel 160 includes sub-pixels SP controlling light provided through the backlight unit 170.

하나의 서브 픽셀에는 스위칭 트랜지스터(SW), 스토리지 커패시터(Cst) 및 액정층(Clc)이 포함된다. 스위칭 트랜지스터(SW)의 게이트전극은 게이트라인(GL1)에 연결되고 소오스전극은 데이터라인(DL1)에 연결된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 트랜지스터(SW)의 드레인전극에 일단이 연결되고 공통전압라인(Vcom)에 타단이 연결된다. 액정층(Clc)은 스위칭 트랜지스터(SW)의 드레인전극에 연결된 화소전극(1)과 공통전압라인(Vcom)에 연결된 공통전극(2) 사이에 형성된다.One sub-pixel includes a switching transistor SW, a storage capacitor Cst, and a liquid crystal layer Clc. The gate electrode of the switching transistor SW is connected to the gate line GL1 and the source electrode is connected to the data line DL1. The storage capacitor Cst has one end connected to the drain electrode of the switching transistor SW and the other end connected to the common voltage line Vcom. The liquid crystal layer Clc is formed between the pixel electrode 1 connected to the drain electrode of the switching transistor SW and the common electrode 2 connected to the common voltage line Vcom.

액정패널(160)은 화소전극(1) 및 공통전극(2)의 구조에 따라 TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, IPS(In Plane Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 모드 또는 ECB(Electrically Controlled Birefringence) 모드로 구현된다.The liquid crystal panel 160 has a TN (Twisted Nematic) mode, a VA (Vertical Alignment) mode, an IPS (In Plane Switching) mode, and a FFS (Fringe Field Switching) mode according to the structure of the pixel electrode 1 and the common electrode 2 Or it is implemented in an ECB (Electrically Controlled Birefringence) mode.

백라이트유닛(170)은 액정패널(160)에 광을 제공한다. 백라이트유닛(170)은 발광다이오드(이하 LED)를 포함하는 광원소자부와 광학시트부 등이 포함된다.The backlight unit 170 provides light to the liquid crystal panel 160. The backlight unit 170 includes a light source element unit including a light emitting diode (hereinafter referred to as LED) and an optical sheet unit.

액정패널과 백라이트유닛의 구성을 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.The configuration of the liquid crystal panel and the backlight unit will be described in more detail as follows.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 액정표시장치의 일부 단면도이다.3 is a partial cross-sectional view of a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 액정패널(160)은 스위칭 트랜지스터 등이 형성된 하부기판(160a)과 컬러필터 등이 형성된 상부기판(160b)으로 이루어진다. 액정패널(160)의 하부기판(160a)에는 하부편광판(161)이 부착되고, 상부기판(160b)에는 상부편광판(165)이 부착된다.As illustrated in FIG. 3, the liquid crystal panel 160 includes a lower substrate 160a on which a switching transistor is formed, and an upper substrate 160b on which a color filter is formed. The lower polarizing plate 161 is attached to the lower substrate 160a of the liquid crystal panel 160, and the upper polarizing plate 165 is attached to the upper substrate 160b.

백라이트유닛(190)은 액정패널(160)의 하부에 위치한다. 백라이트유닛(190)광을 출사하는 광원소자부(180)와 광원소자부(180)로부터 출사된 광을 면광원으로 변환시키고 집광 및 확산하는 광학시트부(170)를 포함한다.The backlight unit 190 is located under the liquid crystal panel 160. The backlight unit 190 includes a light source element unit 180 for emitting light and an optical sheet unit 170 for converting light emitted from the light source element unit 180 into a surface light source, condensing and diffusing light.

광학시트부(170)는 몰드 프레임(171), 몰드 프레임(171) 상에 안착된 반사판(176), 반사판(176) 상에 안착된 도광판(177) 및 도광판(177) 상에 안착된 광학층들(178)을 포함한다. 광원소자부(180)는 몰드 프레임(171) 상에 안착된 금속기판(181)과 금속기판(181) 상에 형성된 LED들(LED)을 포함한다.The optical sheet unit 170 includes a mold frame 171, a reflector 176 seated on the mold frame 171, a light guide plate 177 seated on the reflector 176, and an optical layer seated on the light guide plate 177. Field 178. The light source element unit 180 includes a metal substrate 181 seated on the mold frame 171 and LEDs (LEDs) formed on the metal substrate 181.

한편, 금속기판(181)은 알루미늄(Al)과 같은 금속을 리드 프레임(Lead Frame)으로 가공하여 COB(Chip On Board) 형태로 LED 칩을 실장하는 방식으로 형성된다. 광원소자부(180)가 COB 방식으로 형성될 경우, 백라이트유닛 구현시 박형화에 용이한 이점이 있지만, 이는 제작 공정부터 다양한 문제가 제기되고 있고 멀티 스트링(Multi String) 구현시 커넥터의 핀 수 증가를 초래한다.Meanwhile, the metal substrate 181 is formed by processing a metal such as aluminum (Al) into a lead frame to mount an LED chip in the form of a chip on board (COB). When the light source element unit 180 is formed in a COB method, there is an advantage of easy thinning when implementing the backlight unit, but various problems have been raised since the manufacturing process, and the number of pins of the connector is increased when implementing the multi string. Effect.

따라서, 본 발명은 종래 제안된 COB 방식의 백라이트유닛을 개선하기 위해 하기와 같이 그 구조 및 제조방법을 개선한다.Accordingly, the present invention improves its structure and manufacturing method as follows to improve the conventionally proposed COB type backlight unit.

도 4 내지 도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 광원소자부의 일부를 나타낸 도면들이다. 도 4는 광원소자부의 상면을 나타내고, 도 5는 광원소자부의 하면을 나타내고, 도 6은 광원소자부의 단면을 나타낸 것이다.4 to 6 are views showing a part of the light source device according to the first embodiment of the present invention. 4 shows a top surface of the light source element portion, FIG. 5 shows a bottom surface of the light source element portion, and FIG. 6 shows a cross section of the light source element portion.

도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 광원소자부는 금속기판(181), 절연층들(182), LED들(LED), 배선들(W), 제1 내지 제3비어홀(VH1 ~ VH3), 더미기판(184a), 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2), 실리콘층(185) 및 콘택전극들(186)을 포함한다.4 to 6, the light source device according to the first embodiment of the present invention is a metal substrate 181, insulating layers 182, LEDs (LED), wirings (W), the first It includes a third through hole (VH1 ~ VH3), dummy substrate 184a, first and second pile wiring (VL1, VL2), silicon layer 185 and contact electrodes 186.

금속기판(181)은 알루미늄(Al)과 같은 금속으로 이루어진다. 금속기판(181)은 k(k는 5 이상 정수)개의 금속판들이 접합된 구조를 갖는다. 금속판들 간의 접합점에는 절연층들(182)이 존재한다. 절연층들(182)은 알루미늄이 산화되어 형성된 알루미늄 산화막(Al2O3)을 포함한다.The metal substrate 181 is made of a metal such as aluminum (Al). The metal substrate 181 has a structure in which k (k is an integer of 5 or more) metal plates are joined. Insulating layers 182 are present at the junction between the metal plates. The insulating layers 182 include an aluminum oxide film (Al2O3) formed by oxidation of aluminum.

예컨대, 금속기판(181)은 적어도 5개의 금속판들이 접합된 구조를 갖는다. 이 경우, 금속기판(181)은 제1스트링과 제2스트링 영역을 갖는다. 금속기판(181)의 제1스트링은 제1금속판, 절연층 및 제2금속판으로 이루어진다. 제1금속판에는 비어홀이 형성되고, 제2금속판에는 LED들(LED)이 형성된다. 금속기판(181)의 제2스트링은 제3금속판, 절연층, 제4금속판, 절연층 및 제5금속판으로 이루어진다. 제3금속판에는 LED들(LED)이 형성되고, 제4 및 제5금속판에는 비어홀이 각각 형성된다. 즉, 절연층들(182)은 금속기판(181)의 제1스트링의 좌측영역 및 제1스트링과 제2스트링 영역 사이에 정의된 중앙영역에 하나씩 배치되고, 제2스트링의 우측영역에 한 쌍씩 배치된다. 따라서, 금속기판(181)이 적어도 5개의 금속판으로 접합된 구조를 갖는 경우, 절연층들(182)은 이보다 1개 적은 4개로 형성된다.For example, the metal substrate 181 has a structure in which at least five metal plates are joined. In this case, the metal substrate 181 has first and second string regions. The first string of the metal substrate 181 is composed of a first metal plate, an insulating layer and a second metal plate. A via hole is formed in the first metal plate, and LEDs (LED) are formed in the second metal plate. The second string of the metal substrate 181 is composed of a third metal plate, an insulating layer, a fourth metal plate, an insulating layer and a fifth metal plate. LEDs (LEDs) are formed on the third metal plate, and via holes are formed on the fourth and fifth metal plates, respectively. That is, the insulating layers 182 are disposed one by one in the left region of the first string of the metal substrate 181 and in the central region defined between the first and second string regions, one pair in the right region of the second string. Is placed. Therefore, when the metal substrate 181 has a structure joined by at least five metal plates, the insulating layers 182 are formed by four less than one.

금속기판(181)은 리드 프레임(Lead Frame)으로 사용되기 위해 일면(상부면)에 공간(183)을 갖도록 가공된다. 금속기판(181)의 일면에 마련된 공간(183)에는 LED들(LED), 배선들(W) 및 실리콘층(185)이 형성된다. 금속기판(181)의 일면에 마련된 공간(183)은 제2 및 제3금속판에 마련된다.The metal substrate 181 is processed to have a space 183 on one surface (upper surface) for use as a lead frame. LEDs (LEDs), wirings (W), and a silicon layer 185 are formed in the space 183 provided on one surface of the metal substrate 181. The space 183 provided on one surface of the metal substrate 181 is provided on the second and third metal plates.

제1 내지 제3비어홀(VH1 ~ VH3)은 외부 배선이 연결되는 콘택부이다. 제1비어홀(VH1)은 제1금속판이 되는 금속기판(181)의 제1스트링 영역의 좌측 최외곽에 위치한다. 제2 및 제3비어홀(VH2, VH3)은 제4 및 제5금속판이 되는 금속기판(181)의 제2스트링 영역의 우측 최외곽에 상호 인접하여 위치한다. 금속기판(181)은 제1 내지 제3비어홀(VH1 ~ VH3)의 상부와 하부 간의 전기적인 전도성을 갖기 위해 은(Ag)과 같은 물질로 도금된다.The first to third via holes VH1 to VH3 are contact portions to which external wiring is connected. The first via hole VH1 is located at the outermost left side of the first string region of the metal substrate 181 that becomes the first metal plate. The second and third via holes VH2 and VH3 are positioned adjacent to the outermost right side of the second string region of the metal substrate 181 serving as the fourth and fifth metal plates. The metal substrate 181 is plated with a material such as silver (Ag) to have electrical conductivity between the upper and lower portions of the first to third via holes VH1 to VH3.

LED들(LED)은 금속기판(181)의 제1 및 제2스트링 영역에 n(n은 2 이상 정수)개씩 실장된다. LED들(LED)은 측면 발광형(Side-view Type) 또는 상부 발광형(Top-view Type)으로 선택된다. LED들(LED)은 일정 간격 이격되어 금속기판(181)의 일면에 마련된 공간(183)에 각각 실장된다. LED들(LED)은 제2 및 제3금속판에 형성된다.The LEDs (LEDs) are mounted on the first and second string regions of the metal substrate 181 by n (n is an integer of 2 or more). LEDs (LEDs) are selected as a side-view type or a top-view type. The LEDs (LEDs) are spaced apart at regular intervals and mounted on the space 183 provided on one surface of the metal substrate 181, respectively. LEDs (LEDs) are formed on the second and third metal plates.

배선들(W)은 이웃하는 LED들(LED)의 제1전극과 제2전극을 전기적으로 연결한다. 제1스트링 영역에 위치하는 배선들(W) 중 좌측 최외곽에 위치하는 배선은 제1비어홀(VH1)과 전기적으로 연결되도록 배선된다. 제2스트링 영역에 위치하는 배선들(W) 중 우측 최외곽에 위치하는 배선은 제2비어홀(VH2)과 전기적으로 연결되도록 배선된다. 그러나, 배선들(W)은 중 제2금속판과 제3금속판이 접하는 중앙영역에 위치하는 절연층을 넘지않도록 배선된다. 즉, 제1스트링 영역에 위치하는 배선들(W)과 제2스트링 영역에 위치하는 배선들(W)은 중앙영역을 기준으로 분단된다.The wirings W electrically connect the first electrode and the second electrode of neighboring LEDs. The wiring located at the outermost left side of the wirings W positioned in the first string region is wired to be electrically connected to the first via hole VH1. The wiring located at the outermost right side of the wirings W positioned in the second string region is wired to be electrically connected to the second via hole VH2. However, the wirings W are wired so as not to exceed the insulating layer located in the central region where the second and third metal plates are in contact. That is, the wirings W in the first string region and the wirings W in the second string region are divided based on the central region.

실리콘층(185)은 실리콘과 형광물질로 이루어진다. 실리콘층(185)은 금속기판(181)의 일면에 마련된 공간(183)을 채우도록 형성된다. 실리콘층(185)은 LED들(LED)과 배선들(W)을 보호함과 더불어 LED들(LED)로부터 출사된 광을 특정 파장대의 색으로 발광시키는 역할을 한다.The silicon layer 185 is made of silicon and a fluorescent material. The silicon layer 185 is formed to fill the space 183 provided on one surface of the metal substrate 181. The silicon layer 185 protects the LEDs (LED) and the wirings (W), and also serves to emit light emitted from the LEDs (LED) in a specific wavelength range.

더미기판(184a)은 인쇄회로기판으로 이루어진다. 더미기판(184a)은 금속기판(181)의 타면(하부면)에 위치한다. 더미기판(184a)은 금속기판(181)의 크기에 대응될 수 있다. 더미기판(184a)의 일면(금속기판의 타면과 마주보는 면)에는 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)이 형성된다.The dummy substrate 184a is made of a printed circuit board. The dummy substrate 184a is located on the other surface (lower surface) of the metal substrate 181. The dummy substrate 184a may correspond to the size of the metal substrate 181. First and second pile wirings VL1 and VL2 are formed on one surface of the dummy substrate 184a (a surface facing the other surface of the metal substrate).

제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)은 더미기판(184a)의 일면에서 전기적으로 분리되도록 형성된다. 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)은 직선 형태로 형성될 수 있다. 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)은 금속기판(181)의 제1스트링과 제2스트링 영역 사이에 정의된 중앙영역에서 상호 이격하여 마주보도록 형성된다. 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)은 알루미늄이나 구리(Cu)와 같은 금속성 저저항성 재료로 형성된다.The first and second pile wirings VL1 and VL2 are formed to be electrically separated from one surface of the dummy substrate 184a. The first and second pile wirings VL1 and VL2 may be formed in a straight line shape. The first and second pile wirings VL1 and VL2 are formed to face each other in a central region defined between the first and second string regions of the metal substrate 181. The first and second pile wirings VL1 and VL2 are formed of a metallic low-resistance material such as aluminum or copper (Cu).

콘택전극(186)은 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)과 금속기판(181)의 타면을 영역별로 구분하여 전기적으로 연결하는 솔더(solder)로 선택된다. 콘택전극(186)은 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)의 양측 외곽에 정의된 솔더링영역(SA)에 형성된다. 제1더미배선(VL1)은 금속기판(181)의 제1스트링 영역에서 절연층에 의해 구분된 제1금속판과 제3금속판을 전기적으로 연결한다. 제2더미배선(VL1, VL2)은 금속기판(181)의 제2스트링 영역에서 절연층에 의해 구분된 제2금속판과 제5금속판을 전기적으로 연결한다.The contact electrode 186 is selected as a solder that electrically connects the first and second pile wirings VL1 and VL2 and the other surfaces of the metal substrate 181 by region. The contact electrode 186 is formed in the soldering regions SA defined on both outer sides of the first and second pile wirings VL1 and VL2. The first pile wiring VL1 electrically connects the first metal plate and the third metal plate separated by the insulating layer in the first string region of the metal substrate 181. The second dummy wirings VL1 and VL2 electrically connect the second metal plate and the fifth metal plate separated by the insulating layer in the second string region of the metal substrate 181.

이하, 종래의 COB 방식 광원소자부의 구조와 본 발명의 제1실시예의 COB 방식 광원소자부의 구조를 비교하여 설명한다.Hereinafter, the structure of the conventional COB type light source element unit and the structure of the COB type light source element unit of the first embodiment of the present invention will be described.

도 8은 종래의 COB 방식 광원소자부와 본 발명의 제1실시예의 COB 방식 광원소자부를 비교하기 위한 도면이다.8 is a view for comparing a conventional COB type light source element portion and a COB type light source element portion of the first embodiment of the present invention.

도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 종래의 COB 방식 광원소자부는 6개의 금속판이 접합된 형태로 금속기판(181)이 이루어진다. 6개의 금속판은 5개의 절연층을 사이에 두고 접합된다.As shown in Fig. 8 (a), the conventional COB type light source device portion is made of a metal substrate 181 in a form in which six metal plates are joined. The six metal plates are joined with five insulating layers interposed therebetween.

이와 같은 구조에 의해, 종래의 COB 방식 광원소자부는 외부 배선과의 전기적인 연결을 위해 제1 내지 제4비어홀(VH1 ~ VH4)이 요구된다. 제1 및 제4비어홀(VH1, VH4)은 제1스트링 영역과 제2스트링 영역의 최외곽인 제1금속판과 제6금속판에 각각 위치하는 반면, 제2 및 제3비어홀(VH2, VH3)은 제1스트링 영역과 제2스트링 영역 사이의 중앙영역인 제3 및 제4금속판에 위치한다.Due to such a structure, the conventional COB type light source element units are required to have first to fourth via holes VH1 to VH4 for electrical connection with external wiring. The first and fourth via holes VH1 and VH4 are located on the first and sixth metal plates, respectively, that are the outermost of the first and second string regions, whereas the second and third via holes VH2 and VH3 are It is located on the third and fourth metal plates, which are the central region between the first string region and the second string region.

종래의 COB 방식 광원소자부는 제1스트링 영역과 제2스트링 영역 사이의 중앙영역에 제2 및 제3비어홀(VH2, VH3)이 위치하므로, LED 칩을 보호하기 위한 실리콘층을 형성하기 위해 실리콘을 디스펜싱하면 제2 및 제3비어홀(VH2, VH3)을 통해 실리콘이 누수 된다.In the conventional COB type light source element unit, since the second and third via holes VH2 and VH3 are located in the central region between the first string region and the second string region, silicon is used to form a silicon layer for protecting the LED chip. When dispensing, silicon leaks through the second and third via holes VH2 and VH3.

또한, 종래 제안된 COB 방식은 2개의 스트링에 전원을 공급할 때, 4개의 비어홀(VH1 ~ VH4)을 사용해야 하므로 커넥터(CN)와의 전기적인 연결을 위해 4개의 외부배선(CL1 ~ CL4)이 요구된다. 따라서, 종래 제안된 COB 방식으로 멀티 스트링(Multi String)을 구현하면, 외부배선(CL1 ~ CL4)의 개수만큼 커넥터(CN)의 핀 수가 증가한다. (예: n 스트링 구현시 커넥터의 핀 개수 및 외부배선의 개수는 2n개가 필요함)In addition, in the conventionally proposed COB method, when supplying power to two strings, four via holes (VH1 to VH4) must be used, so four external wirings (CL1 to CL4) are required for electrical connection with the connector (CN). . Therefore, when the multi string is implemented in the conventionally proposed COB method, the number of pins of the connector CN is increased by the number of external wirings CL1 to CL4. (Example: When implementing n string, the number of pins and the number of external wiring of the connector is 2n)

도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예의 COB 방식 광원소자부는 5개의 금속판이 접합된 형태로 금속기판(181)이 이루어진다. 5개의 금속판은 4개의 절연층을 사이에 두고 접합된다.As shown in FIG. 8 (b), the metal substrate 181 is formed in a form in which five metal plates are joined in the COB type light source element portion of the first embodiment of the present invention. The five metal plates are joined with four insulating layers interposed therebetween.

이와 같은 구조에 의해, 본 발명의 제1실시예의 COB 방식 광원소자부는 외부 배선과의 전기적인 연결을 위해 제1 내지 제3비어홀(VH1 ~ VH3)만 형성되면 된다. 제1 내지 제3비어홀(VH1 ~ VH3)은 제1스트링 영역과 제2스트링 영역의 최외곽인 제1, 제4 및 제5금속판에 각각 위치한다. 즉, 본 발명의 제1실시예의 COB 방식 광원소자부는 종래 제안된 COB 방식 대비 제1스트링 영역과 제2스트링 영역 사이의 중앙영역에 위치하는 비어홀을 삭제한다. 대신, 도 4 내지 도 7과 같이 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)을 갖는 더미기판(184a)으로 제1스트링 영역과 제2스트링 영역 간의 전기적인 연결을 도모하는 브리지(Br)를 형성한다.With such a structure, only the first to third via holes VH1 to VH3 may be formed for the electrical connection with the external wiring in the COB type light source device portion of the first embodiment of the present invention. The first to third via holes VH1 to VH3 are located on the first, fourth, and fifth metal plates, respectively, that are the outermost of the first string region and the second string region. That is, the COB type light source element portion of the first embodiment of the present invention deletes the via hole located in the central region between the first string region and the second string region compared to the conventionally proposed COB method. Instead, as shown in FIGS. 4 to 7, a bridge Br that promotes electrical connection between the first string region and the second string region with the dummy substrate 184a having the first and second dummy wirings VL1 and VL2 is provided. To form.

본 발명의 제1실시예의 COB 방식 광원소자부는 제1스트링 영역과 제2스트링 영역 사이의 중앙영역에 비어홀이 미존재하므로, LED 칩을 보호하기 위한 실리콘층을 형성하기 위해 실리콘을 디스펜싱하더라도 실리콘이 누수 되지 않는다.In the COB type light source device portion of the first embodiment of the present invention, since there is no via hole in the central region between the first string region and the second string region, even if the silicon is dispensed to form a silicon layer for protecting the LED chip, This is not leaking.

또한, 본 발명의 제1실시예의 COB 방식은 2개의 스트링에 전원을 공급할 때, 2개의 비어홀(VH1, VH2)만 사용하므로 커넥터(CN)와의 전기적인 연결을 위해 2개의 외부배선(CL1 ~ CL2)만 요구된다. 이때, 제3비어홀(VH3)은 다른 스트링과의 연결시 다른 스트링과 전원을 공유하도록 사용할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제1실시예의 COB 방식으로 멀티 스트링(Multi String)을 구현하면, 외부배선(CL1, CL2)과 더불어 공유배선(VH3에 연결되는 배선)이 존재하므로 커넥터(CN)의 핀 수가 증가하지 않는다. (예: n 스트링 구현시 커넥터의 핀 개수 및 외부배선의 개수는 n+1개가 필요함)In addition, in the COB method of the first embodiment of the present invention, when supplying power to two strings, only two via holes (VH1, VH2) are used, so two external wirings (CL1 to CL2) for electrical connection with the connector (CN) ) Is only required. At this time, the third via hole VH3 may be used to share power with other strings when connecting with other strings. Accordingly, when the multi-string is implemented by the COB method of the first embodiment of the present invention, there are shared wirings (wires connected to VH3) as well as external wirings CL1 and CL2, so the number of pins of the connector CN Does not increase (Example: When implementing n string, the number of pins and the number of external wirings of the connector is n + 1)

<제2실시예><Second Example>

도 9 내지 도 11은 본 발명의 제2실시예에 따른 광원소자부의 일부를 나타낸 도면들이다. 도 9는 광원소자부의 상면을 나타내고, 도 10은 광원소자부의 하면을 나타내고, 도 11은 광원소자부의 단면을 나타낸 것이다.9 to 11 are views showing a part of the light source device according to the second embodiment of the present invention. 9 shows a top surface of the light source element portion, FIG. 10 shows a bottom surface of the light source element portion, and FIG. 11 shows a cross section of the light source element portion.

도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 광원소자부는 금속기판(181), 절연층들(182), LED들(LED), 배선들(W), 제1 내지 제3비어홀(VH1 ~ VH3), 더미기판(184b), 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2) 및 실리콘층(185)을 포함한다.9 to 11, the light source device according to the second embodiment of the present invention is a metal substrate 181, insulating layers 182, LEDs (LED), wirings (W), the first It includes a third through hole (VH1 ~ VH3), the dummy substrate 184b, the first and second pile wiring (VL1, VL2) and the silicon layer (185).

금속기판(181)은 알루미늄(Al)과 같은 금속으로 이루어진다. 금속기판(181)은 k(k는 5 이상 정수)개의 금속판들이 접합된 구조를 갖는다. 금속판들 간의 접합점에는 절연층들(182)이 존재한다. 절연층들(182)은 알루미늄이 산화되어 형성된 알루미늄 산화막(Al2O3)을 포함한다.The metal substrate 181 is made of a metal such as aluminum (Al). The metal substrate 181 has a structure in which k (k is an integer of 5 or more) metal plates are joined. Insulating layers 182 are present at the junction between the metal plates. The insulating layers 182 include an aluminum oxide film (Al2O3) formed by oxidation of aluminum.

예컨대, 금속기판(181)은 적어도 5개의 금속판들이 접합된 구조를 갖는다. 이 경우, 금속기판(181)은 제1스트링과 제2스트링 영역을 갖는다. 금속기판(181)의 제1스트링은 제1금속판, 절연층 및 제2금속판으로 이루어진다. 제1금속판에는 비어홀이 형성되고, 제2금속판에는 LED들(LED)이 형성된다. 금속기판(181)의 제2스트링은 제3금속판, 절연층, 제4금속판, 절연층 및 제5금속판으로 이루어진다. 제3금속판에는 LED들(LED)이 형성되고, 제4 및 제5금속판에는 비어홀이 각각 형성된다. 즉, 절연층들(182)은 금속기판(181)의 제1스트링의 좌측영역 및 제1스트링과 제2스트링 영역 사이에 정의된 중앙영역에 하나씩 배치되고, 제2스트링의 우측영역에 한 쌍씩 배치된다. 따라서, 금속기판(181)이 적어도 5개의 금속판으로 접합된 구조를 갖는 경우, 절연층들(182)은 이보다 1개 적은 4개로 형성된다.For example, the metal substrate 181 has a structure in which at least five metal plates are joined. In this case, the metal substrate 181 has first and second string regions. The first string of the metal substrate 181 is composed of a first metal plate, an insulating layer and a second metal plate. A via hole is formed in the first metal plate, and LEDs (LED) are formed in the second metal plate. The second string of the metal substrate 181 is composed of a third metal plate, an insulating layer, a fourth metal plate, an insulating layer and a fifth metal plate. LEDs (LEDs) are formed on the third metal plate, and via holes are formed on the fourth and fifth metal plates, respectively. That is, the insulating layers 182 are disposed one by one in the left region of the first string of the metal substrate 181 and in the central region defined between the first and second string regions, one pair in the right region of the second string. Is placed. Therefore, when the metal substrate 181 has a structure joined by at least five metal plates, the insulating layers 182 are formed by four less than one.

금속기판(181)은 리드 프레임(Lead Frame)으로 사용되기 위해 일면(상부면)에 공간(183)을 갖도록 가공된다. 금속기판(181)의 일면에 마련된 공간(183)에는 LED들(LED), 배선들(W) 및 실리콘층(185)이 형성된다. 금속기판(181)의 일면에 마련된 공간(183)은 제2 및 제3금속판에 마련된다.The metal substrate 181 is processed to have a space 183 on one surface (upper surface) for use as a lead frame. LEDs (LEDs), wirings (W), and a silicon layer 185 are formed in the space 183 provided on one surface of the metal substrate 181. The space 183 provided on one surface of the metal substrate 181 is provided on the second and third metal plates.

제1 내지 제3비어홀(VH1 ~ VH3)은 외부 배선이 연결되는 콘택부이다. 제1비어홀(VH1)은 제1금속판이 되는 금속기판(181)의 제1스트링 영역의 좌측 최외곽에 위치한다. 제2 및 제3비어홀(VH2, VH3)은 제4 및 제5금속판이 되는 금속기판(181)의 제2스트링 영역의 우측 최외곽에 상호 인접하여 위치한다. 금속기판(181)은 제1 내지 제3비어홀(VH1 ~ VH3)의 상부와 하부 간의 전기적인 전도성을 갖기 위해 은(Ag)과 같은 물질로 도금된다.The first to third via holes VH1 to VH3 are contact portions to which external wiring is connected. The first via hole VH1 is located at the outermost left side of the first string region of the metal substrate 181 that becomes the first metal plate. The second and third via holes VH2 and VH3 are positioned adjacent to the outermost right side of the second string region of the metal substrate 181 serving as the fourth and fifth metal plates. The metal substrate 181 is plated with a material such as silver (Ag) to have electrical conductivity between the upper and lower portions of the first to third via holes VH1 to VH3.

LED들(LED)은 금속기판(181)의 제1 및 제2스트링 영역에 n(n은 2 이상 정수)개씩 실장된다. LED들(LED)은 측면 발광형(Side-view Type) 또는 상부 발광형(Top-view Type)으로 선택된다. LED들(LED)은 일정 간격 이격되어 금속기판(181)의 일면에 마련된 공간(183)에 각각 실장된다. LED들(LED)은 제2 및 제3금속판에 형성된다.The LEDs (LEDs) are mounted on the first and second string regions of the metal substrate 181 by n (n is an integer of 2 or more). LEDs (LEDs) are selected as a side-view type or a top-view type. The LEDs (LEDs) are spaced apart at regular intervals and mounted on the space 183 provided on one surface of the metal substrate 181, respectively. LEDs (LEDs) are formed on the second and third metal plates.

배선들(W)은 이웃하는 LED들(LED)의 제1전극과 제2전극을 전기적으로 연결한다. 제1스트링 영역에 위치하는 배선들(W) 중 좌측 최외곽에 위치하는 배선은 제1비어홀(VH1)과 전기적으로 연결되도록 배선된다. 제2스트링 영역에 위치하는 배선들(W) 중 우측 최외곽에 위치하는 배선은 제2비어홀(VH2)과 전기적으로 연결되도록 배선된다. 그러나, 배선들(W)은 중 제2금속판과 제3금속판이 접하는 중앙영역에 위치하는 절연층을 넘지않도록 배선된다. 즉, 제1스트링 영역에 위치하는 배선들(W)과 제2스트링 영역에 위치하는 배선들(W)은 중앙영역을 기준으로 분단된다.The wirings W electrically connect the first electrode and the second electrode of neighboring LEDs. The wiring located at the outermost left side of the wirings W positioned in the first string region is wired to be electrically connected to the first via hole VH1. The wiring located at the outermost right side of the wirings W positioned in the second string region is wired to be electrically connected to the second via hole VH2. However, the wirings W are wired so as not to exceed the insulating layer located in the central region where the second and third metal plates are in contact. That is, the wirings W in the first string region and the wirings W in the second string region are divided based on the central region.

실리콘층(185)은 실리콘과 형광물질로 이루어진다. 실리콘층(185)은 금속기판(181)의 일면에 마련된 공간(183)을 채우도록 형성된다. 실리콘층(185)은 LED들(LED)과 배선들(W)을 보호함과 더불어 LED들(LED)로부터 출사된 광을 특정 파장대의 색으로 발광시키는 역할을 한다.The silicon layer 185 is made of silicon and a fluorescent material. The silicon layer 185 is formed to fill the space 183 provided on one surface of the metal substrate 181. The silicon layer 185 protects the LEDs (LED) and the wirings (W), and also serves to emit light emitted from the LEDs (LED) in a specific wavelength range.

더미기판(184b)은 절연기판(또는 절연물질)으로 이루어진다. 더미기판(184b)은 금속기판(181)의 타면(하부면)에 위치한다. 더미기판(184b)은 금속기판(181)의 크기에 대응될 수 있다. 더미기판(184b)의 타면(금속기판의 타면과 마주보지 않는 면)에는 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)이 형성된다.The dummy substrate 184b is made of an insulating substrate (or insulating material). The dummy substrate 184b is located on the other surface (lower surface) of the metal substrate 181. The dummy substrate 184b may correspond to the size of the metal substrate 181. First and second pile wirings VL1 and VL2 are formed on the other surface of the dummy substrate 184b (a surface not facing the other surface of the metal substrate).

더미기판(184b)은 금속기판(181)의 타면을 영역별로 구분하여 노출하는 제1 내지 제4콘택홀(CH1 ~ CH4)을 포함한다. 제1콘택홀(CH1)은 더미기판(184b)의 제1금속판의 타면의 일부를 노출한다. 제2콘택홀(CH2)은 더미기판(184b)의 제3금속판의 타면의 일부를 노출한다. 제3콘택홀(CH3)은 더미기판(184b)의 제2금속판의 타면의 일부를 노출한다. 제4콘택홀(CH4)은 더미기판(184b)의 제5금속판의 타면의 일부를 노출한다.The dummy substrate 184b includes first to fourth contact holes CH1 to CH4 that divide and expose the other surface of the metal substrate 181 for each region. The first contact hole CH1 exposes a part of the other surface of the first metal plate of the dummy substrate 184b. The second contact hole CH2 exposes a part of the other surface of the third metal plate of the dummy substrate 184b. The third contact hole CH3 exposes a part of the other surface of the second metal plate of the dummy substrate 184b. The fourth contact hole CH4 exposes a part of the other surface of the fifth metal plate of the dummy substrate 184b.

제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)은 더미기판(184b)의 타면에서 전기적으로 분리되도록 직선 형태로 형성된다. 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)은 금속기판(181)의 제1스트링과 제2스트링 영역 사이에 정의된 중앙영역에서 상호 이격하여 마주보도록 형성된다. 달리 설명하면, 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)은 동일 평면 상에서 상호 이격하여 중첩되는 영역을 갖도록 형성된다. 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)은 전도성 잉크와 같은 재료로 프린트된다.The first and second pile wirings VL1 and VL2 are formed in a straight line shape to be electrically separated from the other surface of the dummy substrate 184b. The first and second pile wirings VL1 and VL2 are formed to face each other in a central region defined between the first and second string regions of the metal substrate 181. In other words, the first and second pile wirings VL1 and VL2 are formed to have regions overlapping each other on the same plane. The first and second pile wirings VL1 and VL2 are printed with a material such as conductive ink.

제1더미배선(VL1)은 제1 및 제2콘택홀(CH1, CH2)을 통해 금속기판(181)의 제1스트링 영역에서 절연층에 의해 구분된 제1금속판과 제3금속판을 전기적으로 연결한다. 제2더미배선(VL1, VL2)은 제3 및 제4콘택홀(CH3, CH4)을 통해 금속기판(181)의 제2스트링 영역에서 절연층에 의해 구분된 제2금속판과 제5금속판을 전기적으로 연결한다. 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)은 전도성 잉크와 같은 재료로 프린트되므로, 금속기판(181)의 타면을 영역별로 구분하여 전기적으로 연결하는 별도의 콘택전극이 미요구된다.The first dummy wiring VL1 electrically connects the first metal plate and the third metal plate separated by the insulating layer in the first string region of the metal substrate 181 through the first and second contact holes CH1 and CH2. do. The second dummy wirings VL1 and VL2 electrically connect the second metal plate and the fifth metal plate separated by the insulating layer in the second string region of the metal substrate 181 through the third and fourth contact holes CH3 and CH4. Connect with. Since the first and second dummy wirings VL1 and VL2 are printed with a material such as a conductive ink, a separate contact electrode for electrically connecting the other surfaces of the metal substrate 181 by region is not required.

본 발명의 제2실시예에 따른 광원소자부는 본 발명의 제1실시예의 COB 방식 대비 더미기판(184b)과 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)을 구성하는 재료만 다를 뿐 본 발명의 제1실시예의 COB 방식과 동일한 효과를 갖는다.The light source element portion according to the second embodiment of the present invention differs only in the materials constituting the dummy substrate 184b and the first and second dummy wirings VL1 and VL2 compared to the COB method of the first embodiment of the present invention. It has the same effect as the COB method of the first embodiment.

<제3실시예><Example 3>

도 12 내지 도 18은 본 발명의 제2실시예에 따른 광원소자부를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.12 to 18 are views for explaining a method of manufacturing a light source device according to a second embodiment of the present invention.

도 12에 도시된 바와 같이, 알루미늄(Al)과 같은 금속으로 금속기판(181)을 형성한다. 금속기판(181)은 k(k는 5 이상 정수)개의 금속판들이 접합된 구조를 갖도록 형성한다. 금속판들 간의 접합점에는 절연층들(182)이 존재하도록 형성한다. 절연층들(182)은 알루미늄이 산화되어 형성된 알루미늄 산화막(Al2O3)을 포함한다.12, the metal substrate 181 is formed of a metal such as aluminum (Al). The metal substrate 181 is formed to have a structure in which k (k is an integer of 5 or more) metal plates are joined. The insulating layers 182 are formed at the junction between the metal plates. The insulating layers 182 include an aluminum oxide film (Al2O3) formed by oxidation of aluminum.

예컨대, 금속기판(181)은 적어도 5개의 금속판들이 접합된 구조를 갖는다. 이 경우, 금속기판(181)은 제1스트링과 제2스트링 영역을 갖는다. 금속기판(181)의 제1스트링은 제1금속판, 절연층 및 제2금속판으로 이루어진다. 금속기판(181)의 제2스트링은 제3금속판, 절연층, 제4금속판, 절연층 및 제5금속판으로 이루어진다. 따라서, 금속기판(181)이 적어도 5개의 금속판으로 접합된 구조를 갖는 경우, 절연층들(182)은 이보다 1개 적은 4개로 형성된다.For example, the metal substrate 181 has a structure in which at least five metal plates are joined. In this case, the metal substrate 181 has first and second string regions. The first string of the metal substrate 181 is composed of a first metal plate, an insulating layer and a second metal plate. The second string of the metal substrate 181 is composed of a third metal plate, an insulating layer, a fourth metal plate, an insulating layer and a fifth metal plate. Therefore, when the metal substrate 181 has a structure joined by at least five metal plates, the insulating layers 182 are formed by four less than one.

도 13에 도시된 바와 같이, 금속기판(181)을 리드 프레임(Lead Frame)으로 사용하기 위해 일면(상부면)에 공간(183)을 갖도록 가공한다. 금속기판(181)의 일면에 마련된 공간(183)은 제2 및 제3금속판에 마련된다. 금속기판(181)의 일면에 마련된 공간(183)에는 이후의 공정을 통해 LED들(LED), 배선들(W) 및 실리콘층(185)이 형성된다.As shown in FIG. 13, the metal substrate 181 is processed to have a space 183 on one surface (upper surface) for use as a lead frame. The space 183 provided on one surface of the metal substrate 181 is provided on the second and third metal plates. In the space 183 provided on one surface of the metal substrate 181, LEDs (LED), wirings (W), and a silicon layer 185 are formed through a subsequent process.

도 14에 도시된 바와 같이, 금속기판(181)에 외부 배선과 연결되는 제1 내지 제3비어홀(VH1 ~ VH3)을 형성한다. 금속기판(181)의 제1금속판에 위치하는 제1스트링 영역의 좌측 최외곽에 제1비어홀(VH1)을 형성한다. 금속기판(181)의 제4 및 제5금속판에 위치하는 제2스트링 영역의 우측 최외곽에서 상호 인접하도록 제2 및 제3비어홀(VH2, VH3)을 형성한다. 제1 내지 제3비어홀(VH1 ~ VH3)의 상부와 하부 간의 전기적인 전도성을 갖도록 금속기판(181)을 은(Ag)과 같은 물질로 도금한다.As illustrated in FIG. 14, first to third via holes VH1 to VH3 connected to external wirings are formed on the metal substrate 181. The first via hole VH1 is formed on the outermost left side of the first string region positioned on the first metal plate of the metal substrate 181. The second and third via holes VH2 and VH3 are formed to be adjacent to each other at the outermost right side of the second string regions positioned on the fourth and fifth metal plates of the metal substrate 181. The metal substrate 181 is plated with a material such as silver (Ag) to have electrical conductivity between upper and lower portions of the first to third via holes VH1 to VH3.

도 15에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)을 갖는 더미기판(184)을 마련하고, 금속기판(181)의 타면에 더미기판(184)을 형성한다. 제1 및 제2더미배선(VL1, VL2)을 갖는 더미기판(184)은 본 발명의 제1실시예와 같이 형태로 형성하거나 본 발명의 제2실시예와 같은 형태로 형성한다. 더미기판(184)을 금속기판(181)의 타면(하부면)에 위치시키고 부착한다. 더미기판(184)은 금속기판(181)의 크기에 대응될 수 있다. 제1더미배선(VL1)은 금속기판(181)의 제1스트링 영역에서 절연층에 의해 구분된 제1금속판과 제3금속판을 전기적으로 연결한다. 제2더미배선(VL1, VL2)은 금속기판(181)의 제2스트링 영역에서 절연층에 의해 구분된 제2금속판과 제5금속판을 전기적으로 연결한다.As shown in FIG. 15, a dummy substrate 184 having first and second pile wirings VL1 and VL2 is provided, and a dummy substrate 184 is formed on the other surface of the metal substrate 181. The dummy substrate 184 having the first and second dummy wirings VL1 and VL2 is formed in the same form as in the first embodiment of the present invention or in the same form as in the second embodiment of the present invention. The dummy substrate 184 is placed on the other surface (lower surface) of the metal substrate 181 and attached. The dummy substrate 184 may correspond to the size of the metal substrate 181. The first pile wiring VL1 electrically connects the first metal plate and the third metal plate separated by the insulating layer in the first string region of the metal substrate 181. The second dummy wirings VL1 and VL2 electrically connect the second metal plate and the fifth metal plate separated by the insulating layer in the second string region of the metal substrate 181.

도 16에 도시된 바와 같이, 금속기판(181)의 제1 및 제2스트링 영역에 n(n은 2 이상 정수)개씩 LED들(LED)을 실장한다. LED들(LED)은 측면 발광형(Side-view Type) 또는 상부 발광형(Top-view Type)으로 선택된다. LED들(LED)은 일정 간격 이격되어 금속기판(181)의 일면에 마련된 공간(183)에 각각 실장된다. LED들(LED)은 제2 및 제3금속판에 형성된다. LED들(LED)은 금속기판(181)의 제2 및 제3금속판에 j(j는 2 이상 정수)개의 라인을 이루도록 매트릭스 형태로 형성한다.16, n (n is an integer of 2 or more) LEDs (LEDs) are mounted on the first and second string regions of the metal substrate 181. LEDs (LEDs) are selected as a side-view type or a top-view type. The LEDs (LEDs) are spaced apart at regular intervals and mounted on the space 183 provided on one surface of the metal substrate 181, respectively. LEDs (LEDs) are formed on the second and third metal plates. The LEDs (LEDs) are formed in a matrix form to form j (j is an integer of 2 or more) lines on the second and third metal plates of the metal substrate 181.

아울러, 이웃하는 LED들(LED)의 제1전극과 제2전극이 전기적으로 연결되도록 배선들(W)을 형성한다. 제1스트링 영역에 위치하는 배선들(W) 중 좌측 최외곽에 위치하는 배선은 제1비어홀(VH1)과 전기적으로 연결되도록 배선된다. 제2스트링 영역에 위치하는 배선들(W) 중 우측 최외곽에 위치하는 배선은 제2비어홀(VH2)과 전기적으로 연결되도록 배선된다. 그러나, 배선들(W)은 중 제2금속판과 제3금속판이 접하는 중앙영역에 위치하는 절연층을 넘지않도록 배선된다. 즉, 제1스트링 영역에 위치하는 배선들(W)과 제2스트링 영역에 위치하는 배선들(W)은 중앙영역을 기준으로 분단된다.In addition, the wirings W are formed so that the first electrode and the second electrode of neighboring LEDs (LEDs) are electrically connected. The wiring located at the outermost left side of the wirings W positioned in the first string region is wired to be electrically connected to the first via hole VH1. The wiring located at the outermost right side of the wirings W positioned in the second string region is wired to be electrically connected to the second via hole VH2. However, the wirings W are wired so as not to exceed the insulating layer located in the central region where the second and third metal plates are in contact. That is, the wirings W in the first string region and the wirings W in the second string region are divided based on the central region.

도 17에 도시된 바와 같이, 금속기판(181)의 일면에 마련된 공간(183)을 채우도록 실리콘층(185)을 형성한다. 실리콘층(185)은 실리콘과 형광물질로 이루어진다. 실리콘층(185)은 LED들(LED)과 배선들(W)을 보호함과 더불어 LED들(LED)로부터 출사된 광을 특정 파장대의 색으로 발광시키는 역할을 한다.17, a silicon layer 185 is formed to fill the space 183 provided on one surface of the metal substrate 181. The silicon layer 185 is made of silicon and a fluorescent material. The silicon layer 185 protects the LEDs (LED) and the wirings (W), and also serves to emit light emitted from the LEDs (LED) in a specific wavelength range.

도 18에 도시된 바와 같이, 금속기판(181)에 정의된 절단라인(GL)을 따라 절단한다. LED들(LED)은 금속기판(181)의 제2 및 제3금속판에 j(j는 2 이상 정수)개의 라인을 이루도록 매트릭스 형태로 형성되므로, 2개의 스트링이 하나의 광원소자부를 구성하도록 절단라인(GL)을 따라 절단한다.18, the metal substrate 181 is cut along the cutting line GL. Since the LEDs (LEDs) are formed in a matrix form to form j (j is an integer greater than or equal to 2) lines on the second and third metal plates of the metal substrate 181, the two strings are cut lines to form one light source element part. Cut along (GL).

위의 설명에 따르면, 본 발명은 몸체 전체가 통전되는 금속기판(예: Al)의 특징을 이용하여 전극은 금속기판 의 가장자리에 위치시키고 LED 칩이 실장되는 면의 반대 면에 FPCB(Flexible Printed Circuit Board)를 SMT하거나 전도성 잉크를 프린팅하는 방식을 이용하여 멀티 스트링 구동이 가능하도록 구성하여, LED 칩의 실장 개수에 상관없이 얇고 긴 선광원 구현이 가능하다.According to the above description, the present invention uses the features of a metal substrate (for example, Al) through which the entire body is energized, and the electrode is positioned on the edge of the metal substrate and the FPCB (Flexible Printed Circuit) is on the opposite side of the surface where the LED chip is mounted. Board) is configured to enable multi-string driving by using SMT or printing a conductive ink, so that a thin and long line light source can be realized regardless of the number of mounting LED chips.

이상 본 발명은 실리콘 누수에 따른 재료의 손실을 방지하고, 다른 스트링과 전원을 공유할 수 있는 비어홀을 형성하여 멀티 스트링(Multi String) 구현시 커넥터의 핀 수 증가를 방지할 수 있는 백라이트유닛과 이를 이용한 액정표시장치를 제공하는 효과가 있다. 이상 본 발명은 얇고 긴 선광원 구현이 가능하므로 5” 이상의 액정표시모듈(LCM) 제품의 두께 저감 및 LED 어레이 면적당 LED 칩의 개수 증가를 통해 휘도를 향상시킬 수 있다.As described above, the present invention prevents material loss due to leakage of silicon and forms a via hole that can share power with other strings. There is an effect of providing a used liquid crystal display device. As described above, since the thin and long line light source can be implemented, the brightness can be improved by reducing the thickness of a 5 ”or more liquid crystal display (LCM) product and increasing the number of LED chips per LED array area.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the technical configuration of the present invention described above is in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention by those skilled in the art to which the present invention pertains. It will be understood that it can be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood in all respects as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the claims below, rather than the detailed description. In addition, all modifications or variations derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention.

160: 액정패널 190: 백라이트유닛
180: 광원소자부 181: 금속기판
182: 절연층들 LED: LED들
W: 배선들 VH1 ~ VH3: 제1 내지 제3비어홀
185: 실리콘층 VL1, VL2: 제1 및 제2더미배선
186: 콘택전극들 184a, 184b, 184: 더미기판160: liquid crystal panel 190: backlight unit
180: light source element portion 181: metal substrate
182: insulating layers LED: LEDs
W: Wirings VH1 to VH3: first to third via holes
185: silicon layer VL1, VL2: first and second pile wiring
186: contact electrodes 184a, 184b, 184: dummy substrate

Claims (11)

LED들을 포함하는 광원소자부; 및
상기 광원소자부로부터 출사된 광을 면광원으로 변환하는 광학시트부를 포함하되,
상기 광원소자부는
k(k는 5 이상 정수)개의 금속판들이 절연층을 사이에 두고 접합된 구조를 갖는 금속기판과,
상기 금속기판의 타면에 위치하는 더미기판과,
상기 더미기판에 위치하며 상기 금속기판을 구성하는 금속판들 간의 전기적인 연결을 도모하는 더미배선을 포함하고,
상기 더미배선은 동일 평면 상에서 상호 이격하여 중첩되는 영역을 갖는 제1 및 제2더미배선을 포함하는 백라이트유닛.A light source element part including LEDs; And
An optical sheet portion for converting the light emitted from the light source element portion to a surface light source,
The light source element portion
a metal substrate having a structure in which k (k is an integer of 5 or more) metal plates are joined with an insulating layer interposed therebetween;
A dummy substrate positioned on the other surface of the metal substrate,
It is located on the dummy substrate and includes a dummy wiring for electrical connection between the metal plates constituting the metal substrate,
The dummy wiring is a backlight unit including first and second dummy wirings having regions overlapping each other on the same plane. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 더미기판은
인쇄회로기판 또는 절연기판으로 선택되는 것을 특징으로 하는 백라이트유닛.According to claim 1,
The dummy substrate
A backlight unit, characterized in that it is selected as a printed circuit board or an insulating substrate. 제1항에 있어서,
상기 더미기판은 인쇄회로기판으로 선택되고,
상기 더미배선은 상기 금속기판과 마주보는 상기 더미기판의 일면에 형성되며,
상기 더미배선은 콘택전극에 의해 영역별로 구분되어 상기 금속판들과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 백라이트유닛.According to claim 1,
The dummy substrate is selected as a printed circuit board,
The dummy wiring is formed on one surface of the dummy substrate facing the metal substrate,
The dummy wiring is divided into regions by contact electrodes, and the backlight unit is characterized in that it is electrically connected to the metal plates. 제1항에 있어서,
상기 더미기판은 절연기판으로 선택되고,
상기 더미배선은 상기 금속기판과 마주보지 않는 상기 더미기판의 타면에 형성되며,
상기 절연기판은 상기 금속판들의 일부를 영역별로 노출하는 콘택홀을 포함하고,
상기 더미배선은 전도성 잉크로 형성되고 상기 콘택홀을 통해 상기 금속판들과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 백라이트유닛.According to claim 1,
The dummy substrate is selected as an insulating substrate,
The dummy wiring is formed on the other surface of the dummy substrate that does not face the metal substrate,
The insulating substrate includes a contact hole exposing a portion of the metal plates for each region,
The dummy wiring is formed of a conductive ink and the backlight unit characterized in that it is electrically connected to the metal plates through the contact hole. k(k는 5 이상 정수)개의 금속판들이 절연층을 사이에 두고 접합된 구조를 갖는 금속기판을 형성하는 단계;
상기 금속기판을 리드 프레임(Lead Frame)으로 사용하기 위해 일면에 공간을 갖도록 가공하는 단계;
상기 금속기판에 외부 배선과 연결되는 비어홀을 형성하는 단계;
상기 금속기판의 타면에 더미배선을 갖는 더미기판을 형성하는 단계;
상기 금속기판의 공간에 LED들을 실장하고, 상기 LED들의 제1전극과 제2전극이 전기적으로 연결되도록 배선들을 형성하는 단계; 및
상기 금속기판의 일면에 마련된 공간을 채우도록 실리콘층을 형성하는 단계를 포함하는 백라이유닛의 제조방법.forming a metal substrate having a structure in which k (k is an integer of 5 or more) metal plates are bonded with an insulating layer interposed therebetween;
Processing the metal substrate to have a space on one surface for use as a lead frame;
Forming a via hole connected to an external wiring on the metal substrate;
Forming a dummy substrate having dummy wiring on the other surface of the metal substrate;
Mounting LEDs in a space of the metal substrate, and forming wirings such that the first electrode and the second electrode of the LEDs are electrically connected; And
And forming a silicon layer to fill the space provided on one surface of the metal substrate. 제6항에 있어서,
상기 더미배선은
동일 평면 상에서 상호 이격하여 중첩되는 영역을 갖는 제1 및 제2더미배선을 포함하는 백라이유닛의 제조방법.The method of claim 6,
The dummy wiring
A method of manufacturing a back light unit including first and second pile wirings having regions overlapping each other on the same plane. LED들을 포함하는 광원소자부와, 상기 광원소자부로부터 출사된 광을 면광원으로 변환하는 광학시트부를 포함하는 백라이트유닛; 및
상기 백라이트유닛으로부터 출사된 광을 제공받는 액정패널을 포함하되,
상기 광원소자부는
k(k는 5 이상 정수)개의 금속판들이 절연층을 사이에 두고 접합된 구조를 갖는 금속기판과,
상기 금속기판의 타면에 위치하는 더미기판과,
상기 더미기판에 위치하며 상기 금속기판을 구성하는 금속판들 간의 전기적인 연결을 도모하는 더미배선을 포함하고,
상기 금속기판은
외부 배선과 연결되는 비어홀을 포함하는 액정표시장치.A backlight unit including a light source element unit including LEDs and an optical sheet unit converting light emitted from the light source element unit into a surface light source; And
It includes a liquid crystal panel receiving the light emitted from the backlight unit,
The light source element portion
a metal substrate having a structure in which k (k is an integer of 5 or more) metal plates are joined with an insulating layer interposed therebetween;
A dummy substrate positioned on the other surface of the metal substrate,
It is located on the dummy substrate and includes a dummy wiring for electrical connection between the metal plates constituting the metal substrate,
The metal substrate
A liquid crystal display device including a via hole connected to an external wiring. 제8항에 있어서,
상기 더미기판은 인쇄회로기판으로 선택되고,
상기 더미배선은 상기 금속기판과 마주보는 상기 더미기판의 일면에 형성되며,
상기 더미배선은 콘택전극에 의해 영역별로 구분되어 상기 금속판들과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The method of claim 8,
The dummy substrate is selected as a printed circuit board,
The dummy wiring is formed on one surface of the dummy substrate facing the metal substrate,
The dummy wiring is divided into regions by a contact electrode and is electrically connected to the metal plates. 제8항에 있어서,
상기 더미기판은 절연기판으로 선택되고,
상기 더미배선은 상기 금속기판과 마주보지 않는 상기 더미기판의 타면에 형성되며,
상기 절연기판은 상기 금속판들의 일부를 영역별로 노출하는 콘택홀을 포함하고,
상기 더미배선은 전도성 잉크로 형성되고 상기 콘택홀을 통해 상기 금속판들과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The method of claim 8,
The dummy substrate is selected as an insulating substrate,
The dummy wiring is formed on the other surface of the dummy substrate that does not face the metal substrate,
The insulating substrate includes a contact hole exposing a portion of the metal plates for each region,
The dummy wiring is formed of a conductive ink and the liquid crystal display device characterized in that it is electrically connected to the metal plates through the contact hole. 삭제delete
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