KR102093838B1 - Epitaxial reactor - Google Patents

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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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Abstract

고품질의 에피택셜 웨이퍼를 제작할 수 있는 에피택셜 반응기가 개시된다.
일 실시예에 따른 에피택셜 반응기는 일면에 웨이퍼를 안착하는 서셉터; 및 상기 서셉터를 지지하는 서셉터 지지부;를 포함하고, 상기 서셉터 지지부는 상기 서셉터와 접촉하며 복수 개가 이격되어 배치된 서포터 핀 및 상기 서포터 핀의 일부를 삽입하여 지지하는 서셉터 지지 샤프트를 포함하며, 상기 서포터 핀은 상기 서셉터 지지 샤프트에 삽입되는 돌출부, 상기 돌출부의 둘레에 상기 돌출부와 이격되어 위치하는 샤프트 커버를 포함한다.An epitaxial reactor capable of manufacturing high quality epitaxial wafers is disclosed.
An epitaxial reactor according to an embodiment includes a susceptor for mounting a wafer on one surface; And a susceptor support part supporting the susceptor, wherein the susceptor support part contacts the susceptor and inserts and supports a plurality of spaced apart supporter pins and a part of the supporter pins to support the susceptor support shaft. Included, the supporter pin includes a protrusion that is inserted into the susceptor support shaft, and a shaft cover spaced apart from the protrusion around the protrusion.

Description

에피택셜 반응기{EPITAXIAL REACTOR}Epitaxial reactor {EPITAXIAL REACTOR}

본 발명은 에피택셜 반응기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 에피택셜 막의 증착 공정에서 서셉터의 기울임을 방지할 수 있는 에피택셜 반응기에 관한 것이다.The present invention relates to an epitaxial reactor, and more particularly, to an epitaxial reactor capable of preventing tilting of a susceptor in a deposition process of an epitaxial film.

일반적으로 소자 공정을 위한 웨이퍼를 준비하는 공정은 실리콘 잉곳(ingot)을 제조하고, 제조된 실리콘 잉곳을 개별 실리콘 웨이퍼들로 쏘잉(sawing)한다. 그리고 쏘잉된 실리콘 웨이퍼들에 대하여 래핑(lapping), 그라인딩(griding), 에칭(etching) 및 폴리싱(polishing)을 포함하는 몇 가지 처리 공정을 거친 후 전면(front face) 또는 전면 및 후면(back face)이 거울 광택을 갖는 웨이퍼를 형성한다. 그리고 소자 공정을 위한 최종 웨이퍼를 준비하기 위하여 에피텍셜 증착 공정에 의하여 웨이퍼 표면에 실리콘 박막을 성장시킨다.In general, a process for preparing a wafer for device processing manufactures a silicon ingot, and sawing the manufactured silicon ingot into individual silicon wafers. And after being subjected to several processing processes including lapping, grinding, etching, and polishing on the sawed silicon wafers, the front face or the front and back face A wafer having this mirror gloss is formed. Then, in order to prepare a final wafer for device processing, a silicon thin film is grown on the wafer surface by an epitaxial deposition process.

일반적으로 에피텍셜 증착 공정은 두 단계로 나누어진다.In general, the epitaxial deposition process is divided into two steps.

제1 단계인 프리 베이크 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 증착 챔버에 로드(load)하여 서셉터 위로 내린다. 그리고 실리콘 웨이퍼 표면에 수소, 염화 수소, 또는 수소와 염화 수소 혼합 가스와 같은 클리닝 가스(cleaning gas)를 가한 상태에서 일정한 온도(예컨대, 1000~1150℃)에서 프리 베이크(pre-bake)하여 실리콘 웨이퍼 표면을 클리닝한다.In the first step, the pre-bake process, the silicon wafer is loaded into the deposition chamber and lowered onto the susceptor. The silicon wafer is pre-baked at a constant temperature (for example, 1000 to 1150 ° C) while a cleaning gas such as hydrogen, hydrogen chloride, or a mixture of hydrogen and hydrogen chloride is added to the silicon wafer surface. Clean the surface.

제2 단계인 에피텍셜 막 성장 공정에서는 실리콘 웨이퍼 표면에 실레인(silane)이나 트리크롤로실레인(trichlorosilane)과 같은 실리콘 기상 소스 가스(vapor source gas)를 가한 상태에서 일정한 온도(예컨대, 1000℃~1130℃)에서 웨이퍼 표면에 실리콘층을 에피택셜 성장시킨다.In the second step of the epitaxial film growth process, a silicon vapor source gas such as silane or trichlorosilane is applied to a silicon wafer surface at a constant temperature (for example, 1000 ° C). ~ 1130 ℃) epitaxially grow the silicon layer on the wafer surface.

도 1은 종래의 에피택셜 반응기를 사용하여 웨이퍼에 에피택셜 막을 성장시킬 때 발생하는 문제점을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a problem that occurs when growing an epitaxial film on a wafer using a conventional epitaxial reactor.

에피택셜 막 성장 공정에서 서셉터(12)의 일면에 웨이퍼(W)가 배치되고, 서셉터(12)는 서셉터(12)의 하부에 위치하는 서셉터 지지부(13)에 의해 지지된다.In the epitaxial film growth process, a wafer W is disposed on one surface of the susceptor 12, and the susceptor 12 is supported by a susceptor support 13 located below the susceptor 12.

서셉터 지지부(13)는 서셉터 지지 샤프트(13a)와 서포터 핀(13b)을 포함한다. 서포터 핀(13b)은 일단이 서셉터 지지 샤프트(13a)에 삽입되어 체결되고, 다른 일단은 서셉터(12)와 접촉한 상태에서 서셉터(12)를 지지한다. 서포터 핀(13b)은 복수 개가 이격되어 배치된다.The susceptor support 13 includes a susceptor support shaft 13a and a supporter pin 13b. The supporter pin 13b has one end inserted into and fastened to the susceptor support shaft 13a, and the other end supports the susceptor 12 in contact with the susceptor 12. A plurality of supporter pins 13b are spaced apart.

웨이퍼(W)에 에피택셜 막의 증착이 완료되면, 소스 가스의 공급을 중단하고 서셉터 내에 잔존하는 소스 가스를 제거하기 위하여 염화수소(HCl) 가스를 사용하여 에칭하는 과정이 진행된다. 서포터 핀(13b)은 일반적으로 탄화규소(SiC) 재질로 이루어져 있기 때문에 염화수소 가스에 의해 에칭되지 않으나, 석영 재질의 서셉터 지지 샤프트(13a)는 반복적인 증착 및 에칭 공정에 의해 일부 에칭이 이루어질 수 있다. 특히, 서셉터(12)에 인접한 부분인 서포터 핀(13b)과 접촉하는 서셉터 지지 샤프트(13a)의 부분에서 에칭이 이루어지면서 서셉터(12)가 서셉터 지지부(13)에 정상적으로 안착되지 못하고 기울어지는 문제가 발생할 수 있다.When the deposition of the epitaxial film on the wafer W is completed, an etching process is performed using hydrogen chloride (HCl) gas to stop supply of the source gas and remove the source gas remaining in the susceptor. Since the supporter pin 13b is generally made of silicon carbide (SiC) material, it is not etched by hydrogen chloride gas, but the susceptor support shaft 13a made of quartz may be partially etched by repeated deposition and etching processes. have. In particular, as the etching is performed at a portion of the susceptor support shaft 13a that is in contact with the supporter pin 13b, which is a portion adjacent to the susceptor 12, the susceptor 12 is not properly seated on the susceptor support 13 Tilting problems can occur.

도 2는 기울어진 서셉터 내에서 웨이퍼의 치우침에 따른 결함을 나타낸 이미지이다.2 is an image showing defects due to the bias of the wafer in the inclined susceptor.

서셉터(12)가 기울어지면 웨이퍼(W)가 특정 방향으로 치우치게 되고, 이로 인해 웨이퍼(W)의 에지부가 서셉터(12)에 부딪혀서 손상을 입게 된다. 손상을 입은 웨이퍼(W)에 에피택셜 막이 증착될 경우 도 2에 나타난 바와 같이 적층 결함이나 슬립(Slip)이 발생하면서 웨이퍼의 품질이 저하될 수 있다.When the susceptor 12 is inclined, the wafer W is biased in a specific direction, which causes the edge portion of the wafer W to hit the susceptor 12 and be damaged. When an epitaxial film is deposited on the damaged wafer W, as shown in FIG. 2, stacking defects or slips may occur, thereby deteriorating the quality of the wafer.

본 발명은 에피택셜 막의 증착 공정에서 서셉터의 기울임을 방지할 수 있는 에피택셜 반응기를 제공하고자 한다.The present invention is to provide an epitaxial reactor capable of preventing tilting of a susceptor in the deposition process of an epitaxial film.

일 실시예에 따른 에피택셜 반응기는 일면에 웨이퍼를 안착하는 서셉터; 및 상기 서셉터를 지지하는 서셉터 지지부;를 포함하고, 상기 서셉터 지지부는 상기 서셉터와 접촉하며 복수 개가 이격되어 배치된 서포터 핀 및 상기 서포터 핀의 일부를 삽입하여 지지하는 서셉터 지지 샤프트를 포함하며, 상기 서포터 핀은 상기 서셉터 지지 샤프트에 삽입되는 돌출부, 상기 돌출부의 둘레에 상기 돌출부와 이격되어 위치하는 샤프트 커버를 포함한다.An epitaxial reactor according to an embodiment includes a susceptor for mounting a wafer on one surface; And a susceptor support part supporting the susceptor, wherein the susceptor support part contacts the susceptor and inserts and supports a plurality of spaced apart supporter pins and a part of the supporter pins to support the susceptor support shaft. Included, the supporter pin includes a protrusion that is inserted into the susceptor support shaft, and a shaft cover spaced apart from the protrusion around the protrusion.

상기 돌출부와 상기 샤프트 커버 사이의 이격 공간에 상기 서셉터 지지 샤프트의 일부가 위치할 수 있다.A part of the susceptor support shaft may be located in a space between the protrusion and the shaft cover.

상기 샤프트 커버의 높이가 5mm 내지 25mm일 수 있다.The height of the shaft cover may be 5mm to 25mm.

상기 돌출부와 상기 샤프트 커버는 수평 단면의 형상이 서로 다를 수 있다.The protrusion and the shaft cover may have different horizontal cross-sectional shapes.

상기 샤프트 커버는 탄화규소(SiC)를 포함하여 이루어질 수 있다.The shaft cover may be made of silicon carbide (SiC).

다른 실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼는 일면에 웨이퍼를 안착하는 서셉터; 및 상기 서셉터를 지지하는 서셉터 지지부;를 포함하고, 상기 서셉터 지지부는 상기 서셉터와 접촉하며 복수 개가 이격되어 배치된 서포터 핀 및 상기 서포터 핀의 일부를 삽입하여 지지하는 서셉터 지지 샤프트를 포함하며, 상기 서포터 핀은 제1 높이를 갖고, 상기 서포터 핀의 제1 높이에 상응하는 위치에서 상기 서셉터 지지 샤프트가 외부로 노출되지 않는다.An epitaxial wafer according to another embodiment includes a susceptor for mounting the wafer on one surface; And a susceptor support part supporting the susceptor, wherein the susceptor support part contacts the susceptor and inserts and supports a plurality of spaced apart supporter pins and a part of the supporter pins to support the susceptor support shaft. Included, the supporter pin has a first height, and the susceptor support shaft is not exposed to the outside at a position corresponding to the first height of the supporter pin.

본 발명에 따르면 에피택셜 막의 증착 공정에서 서셉터의 기울임을 방지함으로써 고품질의 에피택셜 웨이퍼를 제작할 수 있다.According to the present invention, a high-quality epitaxial wafer can be manufactured by preventing the inclination of the susceptor in the deposition process of the epitaxial film.

도 1은 종래의 에피택셜 반응기를 사용하여 웨이퍼에 에피택셜 막을 성장시킬 때 발생하는 문제점을 설명하기 위한 도면.
도 2는 기울어진 서셉터 내에서 웨이퍼의 치우침에 따른 결함을 나타낸 이미지.
도 3은 실시예에 따른 에피택셜 반응기를 나타낸 측단면도.
도 4는 실시예에 따른 에피택셜 반응기에 적용된 서포터 핀의 사시도.
도 5는 실시예에 따른 에피택셜 반응기에 적용된 서포터 핀의 측단면도.
도 6은 실시예에 따른 에피택셜 반응기에 적용된 서포터 핀의 저면도.
도 7은 실시예에 따른 에피택셜 반응기에 적용된 서포터 핀이 서셉터 지지 샤프트와 체결된 상태를 나타낸 측단면도.1 is a view for explaining a problem that occurs when growing an epitaxial film on a wafer using a conventional epitaxial reactor.
Figure 2 is an image showing a defect due to the bias of the wafer in the inclined susceptor.
Figure 3 is a side cross-sectional view showing an epitaxial reactor according to the embodiment.
4 is a perspective view of a supporter pin applied to an epitaxial reactor according to an embodiment.
Figure 5 is a cross-sectional side view of the supporter pin applied to the epitaxial reactor according to the embodiment.
6 is a bottom view of the supporter pin applied to the epitaxial reactor according to the embodiment.
7 is a side cross-sectional view showing a state in which the supporter pin applied to the epitaxial reactor according to the embodiment is engaged with the susceptor support shaft.

이하, 본 발명의 기술적 과제 및 특징들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 본 발명을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, the technical problems and features of the present invention will be apparent through the description of the accompanying drawings and embodiments. Looking at the present invention in detail as follows.

도 3은 실시예에 따른 에피택셜 반응기를 나타낸 측단면도이다.3 is a side cross-sectional view showing an epitaxial reactor according to an embodiment.

도 3을 참조하면, 실시예에 따른 에피택셜 반응기(100)는 반응 용기(105), 서셉터(120), 서셉터 지지부(130)를 포함한다. 에피택셜 반응기(100)는 웨이퍼(W)를 한 장씩 처리하는 매엽식일 수 있다.Referring to Figure 3, the epitaxial reactor 100 according to the embodiment includes a reaction vessel 105, susceptor 120, susceptor support 130. The epitaxial reactor 100 may be a single sheet process in which the wafers W are processed one by one.

반응 용기(105)는 웨이퍼(W)에 에피택셜 막의 증착이 이루어지는 공간을 제공하며, 석영 재질로 이루어질 수 있다. 반응 용기(105)는 일측에 가스 공급 라인(110)과 연결되는 가스 도입구(108)가 형성되고, 타측에 가스 배출 라인(115)과 연결되는 가스 배출구(109)가 형성될 수 있으며, 하부 돔(lower dome, 103)과 상부 돔(upper dome, 104)을 포함할 수 있다.The reaction vessel 105 provides a space in which the epitaxial film is deposited on the wafer W, and may be made of a quartz material. The reaction vessel 105 may have a gas inlet 108 connected to the gas supply line 110 on one side, and a gas outlet 109 connected to the gas outlet line 115 on the other side. It may include a lower dome (103) and an upper dome (upper dome 104).

가스 공급 라인(110)으로부터 공급되는 소스 가스는 가스 도입구(108)를 통하여 반응 용기(105) 내로 도입되고, 반응 용기(105) 내부로 도입된 소스 가스는 반응 용기(105) 내부에 위치하는 웨이퍼(W, 예컨대, 실리콘 웨이퍼)의 표면을 따라 흐른 후 가스 배출구(109)를 통하여 가스 배출 라인(115)으로 배출될 수 있다.The source gas supplied from the gas supply line 110 is introduced into the reaction vessel 105 through the gas inlet 108, and the source gas introduced into the reaction vessel 105 is located inside the reaction vessel 105 After flowing along the surface of the wafer (eg, silicon wafer), it may be discharged to the gas discharge line 115 through the gas outlet 109.

하부 링(125)은 서셉터(120)를 둘러싸도록 반응 용기(105) 내에 배치되고, 상부 링(127)은 반응 용기(105) 내에서 하부 링(125)과 대향하도록 하부 링(125) 상에 배치될 수 있다. 이때 하부 링(125)과 상부 링(127)의 재료는 석영(SiO2) 또는 탄화규소(SiC)일 수 있다. 예열링(129)은 서셉터(120)에 인접하는 하부 링(125)의 내면을 따라 형성되며, 서셉터(120)를 둘러싸도록 인접 배치되어 열을 균일하게 할 수 있다. The lower ring 125 is disposed within the reaction vessel 105 to surround the susceptor 120, and the upper ring 127 is on the lower ring 125 to face the lower ring 125 within the reaction vessel 105. Can be placed on. At this time, the material of the lower ring 125 and the upper ring 127 may be quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC). The preheating ring 129 is formed along the inner surface of the lower ring 125 adjacent to the susceptor 120, and is arranged adjacent to surround the susceptor 120 to uniformize heat.

서셉터(120)는 에피텍셜 반응시 웨이퍼(W)가 장착되는 부분이다. 서셉터(120)는 카본 그래파이트(carbon graphite), 탄화규소, 또는 카본그래파이트에 탄화규소를 코팅한 형태로 이루어질 수 있다. 서셉터(120)는 반응 용기(105)의 내부에 배치되고, 그 상부 면에 웨이퍼(W)를 안착시킬 수 있다. The susceptor 120 is a portion on which the wafer W is mounted during the epitaxial reaction. The susceptor 120 may be made of carbon graphite, silicon carbide, or a form in which silicon carbide is coated on carbon graphite. The susceptor 120 is disposed inside the reaction vessel 105 and may place the wafer W on its upper surface.

서셉터(120)의 하부에 서셉터 지지부(130)가 배치된다. 서셉터 지지부(130)는 서셉터(120)를 수평으로 지지하고, 반응 용기(105) 내에서 서셉터(120)를 상하로 이동시킬 수 있다. 서셉터 지지부(130)는 서셉터 지지 샤프트(132)와 서포터 핀(136)을 포함한다. 서포터 핀(136)은 서셉터(120)와 접촉하며 복수 개가 이격되어 배치된다. 서셉터(120)가 수평으로 지지될 수 있도록 서포터 핀(136)은 서셉터(120)의 둘레를 따라 등간격으로 복수 개 배치될 수 있다. 서셉터 지지 샤프트(132)은 서포터 핀(136)의 하부에서 서포터 핀(136)의 일부를 삽입하여 지지하며, 서포터 핀(136)의 개수와 동일하도록 복수 개 구비된다. 예를 들어, 서셉터 지지 샤프트(132)와 서포터 핀(136)은 삼발이 형태로 서셉터(120)를 지지할 수 있다.The susceptor support 130 is disposed under the susceptor 120. The susceptor supporter 130 supports the susceptor 120 horizontally and moves the susceptor 120 up and down in the reaction vessel 105. The susceptor support 130 includes a susceptor support shaft 132 and a supporter pin 136. The supporter pins 136 are in contact with the susceptor 120 and a plurality of spacers are spaced apart. A plurality of supporter pins 136 may be disposed at equal intervals along the circumference of the susceptor 120 so that the susceptor 120 can be supported horizontally. The susceptor support shaft 132 is supported by inserting a part of the supporter pin 136 under the supporter pin 136, and is provided in plural to be equal to the number of supporter pins 136. For example, the susceptor support shaft 132 and the supporter pin 136 may support the susceptor 120 in a triangular shape.

서셉터(120)의 하부에 웨이퍼 리프트부(140)가 배치된다. 웨이퍼 리프트부(140)는 서셉터(120)에 안착된 웨이퍼(W)를 상부로 들어올려 서셉터(120)로부터 분리할 때 사용되며, 웨이퍼 리프트 샤프트(142)와 리프트 핀(146)을 포함한다. 리프트 핀(146)은 서셉터(120)를 관통하여 웨이퍼(W)와 접촉하며 복수 개가 이격되어 배치된다. 웨이퍼(W)가 수평으로 들어올려질 수 있도록 리프트 핀(146)은 웨이퍼(W)의 둘레를 따라 등간격으로 복수 개 배치될 수 있다. 웨이퍼 리프트 샤프트(142)는 리프트 핀(146)의 하부에서 리프트 핀(146)의 일부를 삽입하여 지지하며, 리프트 핀(146)의 개수와 동일하도록 복수 개 구비된다. 예를 들어, 웨이퍼 리프트 샤프트(142)와 리프트 핀(146)은 삼발이 형태로 웨이퍼(W)를 들어올릴 수 있다.The wafer lift part 140 is disposed under the susceptor 120. The wafer lift part 140 is used to lift the wafer W seated on the susceptor 120 upward and separate it from the susceptor 120, and includes a wafer lift shaft 142 and a lift pin 146 do. The lift pins 146 penetrate the susceptor 120 to contact the wafer W, and a plurality of lift pins 146 are spaced apart. A plurality of lift pins 146 may be disposed at equal intervals along the circumference of the wafer W so that the wafer W is lifted horizontally. The wafer lift shaft 142 is supported by inserting and supporting a part of the lift pin 146 under the lift pin 146, and a plurality of lift pins 146 are provided. For example, the wafer lift shaft 142 and the lift pin 146 may lift the wafer W in a triangular shape.

도 4는 실시예에 따른 에피택셜 반응기에 적용된 서포터 핀의 사시도이고, 도 5는 실시예에 따른 에피택셜 반응기에 적용된 서포터 핀의 측단면도이고, 도 6은 실시예에 따른 에피택셜 반응기에 적용된 서포터 핀의 저면도이고, 도 7은 실시예에 따른 에피택셜 반응기에 적용된 서포터 핀이 서셉터 지지 샤프트와 체결된 상태를 나타낸 측단면도이다.4 is a perspective view of a supporter pin applied to an epitaxial reactor according to an embodiment, FIG. 5 is a side cross-sectional view of a supporter pin applied to an epitaxial reactor according to an embodiment, and FIG. 6 is a supporter applied to an epitaxial reactor according to an embodiment It is a bottom view of the pin, and FIG. 7 is a side sectional view showing a state in which the supporter pin applied to the epitaxial reactor according to the embodiment is engaged with the susceptor support shaft.

도 4 내지 도 7을 참조하면, 서포터 핀(136)은 서셉터 지지 샤프트(132)에 삽입되는 돌출부(136-1), 상기 돌출부(136-1)의 둘레에 돌출부(136-1)와 이격되어 위치하는 샤프트 커버(136-2)를 포함한다.4 to 7, the supporter pin 136 is a protrusion 136-1 inserted into the susceptor support shaft 132 and spaced apart from the protrusion 136-1 around the protrusion 136-1. And a shaft cover 136-2 positioned thereon.

돌출부(136-1)가 서셉터 지지 샤프트(132)에 구비된 수용부 내에 삽입됨으로써 서포터 핀(136)과 서셉터 지지 샤프트(132)가 체결된다. 돌출부(136-1)의 둘레에 샤프트 커버(136-2)가 위치하므로 돌출부(136-1)의 측면은 외부에 드러나지 않는다. 돌출부(136-1)의 수평 단면의 형상은 서셉터 지지 샤프트(132)에 구비된 수용홈의 수평 단면의 형상에 따라 결정되며, 도 4 및 도 6에 나타난 바와 같이 원형일 수도 있고, 실시예에 따라 타원형 또는 다각형일 수도 있으며 이에 제한을 두지 않는다.The supporter pin 136 and the susceptor support shaft 132 are fastened by inserting the protrusion 136-1 into the accommodation portion provided in the susceptor support shaft 132. Since the shaft cover 136-2 is positioned around the protrusion 136-1, the side surface of the protrusion 136-1 is not exposed to the outside. The shape of the horizontal section of the protrusion 136-1 is determined according to the shape of the horizontal section of the receiving groove provided in the susceptor support shaft 132, and may be circular as shown in FIGS. Depending on the shape, it may be oval or polygonal, but there is no limitation.

돌출부(136-1)의 상부에 돌출부(136-1)와 동일축을 가지며 지지부(136-3)가 위치한다. 지지부(136-3)는 상면이 서셉터(120)와 접촉한 상태로 서셉터(120)를 지지한다.The upper portion of the projection 136-1 has the same axis as the projection 136-1, and a support portion 136-3 is positioned. The supporter 136-3 supports the susceptor 120 with the top surface in contact with the susceptor 120.

돌출부(136-1)와 이격되어 샤프트 커버(136-2)가 위치한다. 예외적으로, 샤프트 커버(136-2)는 지지부(136-3)의 하부에 배치된다. 사프트 커버(136-2)의 수평 단면의 형상은 서셉터 지지 샤프트(132)의 수평 단면의 형상에 따라 결정되며, 도 4 및 도 6에 도시된 바와 같이 정사각형일 수도 있고, 실시예에 따라 원형, 타원형, 다각형일 수 있으나 이에 제한을 두지 않는다. 돌출부(136-1)의 수평 단면의 형상과 샤프트 커버(136-2)의 수평 단면의 형상은 도 4 및 도 6에 도시된 바와 같이 서로 다를 수도 있고, 실시예에 따라 서로 같을 수도 있다.The shaft cover 136-2 is spaced apart from the protrusion 136-1. Exceptionally, the shaft cover 136-2 is disposed under the support 136-3. The shape of the horizontal cross-section of the shaft cover 136-2 is determined according to the shape of the horizontal cross-section of the susceptor support shaft 132, and may be square as shown in FIGS. 4 and 6, or circular according to an embodiment , Elliptical, polygonal, but is not limited thereto. The shape of the horizontal cross-section of the protrusion 136-1 and the shape of the horizontal cross-section of the shaft cover 136-2 may be different from each other as shown in FIGS.

서포터 핀(136)이 서셉터 지지 샤프트(132)와 체결된 상태에서, 돌출부(136-1)와 샤프트 커버(136-2) 사이의 이격 공간(A)에 서셉터 지지 샤프트(132)의 일부가 위치한다. 즉, 돌출부(136-1)와 샤프트 커버(136-2) 사이의 이격 공간(A)에 서셉터 지지 샤프트(132)의 단부의 일부분이 삽입되어 배치된다. 따라서, 돌출부(136-1)와 샤프트 커버(136-2) 사이의 이격 공간(A)에 위치하는 서셉터 지지 샤프트(132)의 부분은 외부로 노출되지 않는다.With the supporter pin 136 engaged with the susceptor support shaft 132, a portion of the susceptor support shaft 132 in the space A between the protrusion 136-1 and the shaft cover 136-2. Is located. That is, a part of the end of the susceptor support shaft 132 is inserted and arranged in the space A between the protrusion 136-1 and the shaft cover 136-2. Therefore, the portion of the susceptor support shaft 132 located in the space A between the protrusion 136-1 and the shaft cover 136-2 is not exposed to the outside.

웨이퍼(W)에 에피택셜 막의 증착을 완료한 후 서셉터(120) 내에 잔존하는 소스 가스를 제거하기 위하여 에칭 가스를 이용한 에칭 공정이 이루어진다. 에칭 가스로는 예를 들어 염화수소(HCl) 가스가 이용될 수 있다. 종래에는 증착 및 에칭의 반복 공정에 의해 서셉터(120)에 인접한 서셉터 지지 샤프트(132)의 부분이 에칭 가스에 의해 일부 에칭되어 서셉터(120)를 제대로 지지하지 못하면서 서셉터(120)가 기울어지는 문제점이 있었다. 실시예에 따르면 서셉터(120)에 인접한 서셉터 지지 샤프트(132) 부분을 에칭 가스에 의해 에칭이 이루어지지 않는 서포터 핀(136)의 샤프트 커버(136-2)로 감싸서 서셉터 지지 샤프트(132)가 에칭되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 서셉터(120)의 기울어짐에 의한 웨이퍼(W)의 손상을 방지할 수 있으며 고품질의 에피택셜 막이 증착된 웨이퍼(W)를 제작할 수 있다.After the deposition of the epitaxial film on the wafer W is completed, an etching process using an etching gas is performed to remove the source gas remaining in the susceptor 120. As the etching gas, for example, hydrogen chloride (HCl) gas may be used. Conventionally, a part of the susceptor support shaft 132 adjacent to the susceptor 120 is repeatedly etched by an etching gas by a repeated process of deposition and etching, so that the susceptor 120 is not properly supported. There was an inclined problem. According to an embodiment, the portion of the susceptor support shaft 132 adjacent to the susceptor 120 is wrapped with a shaft cover 136-2 of the supporter pin 136, which is not etched by an etching gas, and the susceptor support shaft 132 ) Can be prevented from being etched. Accordingly, damage to the wafer W due to the inclination of the susceptor 120 can be prevented, and a wafer W having a high-quality epitaxial film deposited thereon can be manufactured.

서포터 핀(136)은 에칭 가스, 예를 들어 염화수소(HCl) 가스에 의해 에칭되지 않는 재질로 이루어지며, 일 예로서 탄화규소(SiC)를 포함하여 이루어질 수 있다. 서셉터 지지 샤프트(132)은 일 예로서 석영을 포함하여 이루어질 수 있다. The supporter pin 136 is made of a material that is not etched by an etching gas, for example, hydrogen chloride (HCl) gas, and may be made of silicon carbide (SiC) as an example. The susceptor support shaft 132 may include quartz as an example.

서셉터 지지 샤프트(132)는 제1 바디(132a)와 상기 제1 바디(132)로부터 다른 각도로 연장되어 형성된 제2 바디(132b)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 바디(132a)는 사선 방향으로 배치되고, 제2 바디(132b)는 서셉터(120)를 향하는 방향, 즉 서포터 핀(136)과 동일축으로 배치될 수 있다. The susceptor support shaft 132 may include a first body 132a and a second body 132b formed by extending from the first body 132 at different angles. For example, the first body 132a may be disposed in a diagonal direction, and the second body 132b may be disposed in the same direction as the supporter pin 136 toward the susceptor 120.

제2 바디(132b)에는 서포터 핀(136)의 돌출부(136-1)를 수용하는 수용부가 구비되며, 서포터 핀(136)이 서셉터 지지 샤프트(132)와 체결된 상태에서, 돌출부(136-1)와 샤프트 커버(136-2) 사이의 이격 공간(A)에 제1 바디(132)가 삽입되어 배치된다. 따라서, 돌출부(136-1)와 샤프트 커버(136-2) 사이의 이격 공간(A)에 삽입된 제2 바디(132b)의 부분은 외부로 노출되지 않고, 증착 및 에칭의 반복 공정에도 에칭 가스에 의한 에칭은 이루어지지 않는다.The second body 132b is provided with an accommodating portion for accommodating the projection 136-1 of the supporter pin 136, and in the state in which the supporter pin 136 is engaged with the susceptor support shaft 132, the projection 136- 1) The first body 132 is inserted and arranged in the space A between the shaft cover 136-2. Therefore, the portion of the second body 132b inserted in the space A between the protrusion 136-1 and the shaft cover 136-2 is not exposed to the outside, and etching gas is repeated even in a repeated process of deposition and etching. Etching by is not performed.

실시예에 따라, 서포터 핀(136)의 샤프트 커버(136-2)의 높이(H1)는 5mm 내지 25mm일 수 있다. 샤프트 커버(136-2)의 높이(H1)가 5mm보다 작을 경우 서셉터(120)에 인접한 서셉터 지지 샤프트(132)의 부분이 에칭 가스에 의해 에칭이 이루어질 수 있고, 샤프트 커버(136-2)의 높이(H1)가 25mm보다 클 경우 샤프트 커버(136-2)가 서셉터 지지 샤프트(132)의 제1 바디(132a)까지 닿을 수 있어 서포터 핀(136)과 서셉터 지지 샤프트(132)의 체결이 어려울 수 있다.Depending on the embodiment, the height H 1 of the shaft cover 136-2 of the supporter pin 136 may be 5 mm to 25 mm. When the height H 1 of the shaft cover 136-2 is less than 5 mm, a portion of the susceptor support shaft 132 adjacent to the susceptor 120 may be etched by an etching gas, and the shaft cover 136- If the height (H 1 ) of 2) is greater than 25 mm, the shaft cover 136-2 can reach the first body 132a of the susceptor support shaft 132 so that the supporter pin 136 and the susceptor support shaft ( 132) can be difficult to fasten.

서포터 핀(136)의 전체 높이(H2)가 임의의 제1 높이를 가질 때, 서포터 핀(136)이 서셉터 지지 샤프트(132)에 체결된 상태에서 상기 제1 높이에 상응하는 위치에서는 서셉터 지지 샤프트(132)가 외부로 노출되지 않는다.When the overall height H 2 of the supporter pin 136 has an arbitrary first height, the supporter pin 136 is engaged at a position corresponding to the first height in a state where it is fastened to the susceptor support shaft 132. The acceptor support shaft 132 is not exposed to the outside.

실시예에 따르면 에피택셜 막의 증착 공정에서 서셉터(120)의 기울임을 방지하여 고품질의 에피택셜 웨이퍼를 제작할 수 있다.According to an embodiment, the inclination of the susceptor 120 in the deposition process of the epitaxial film may be prevented to produce a high-quality epitaxial wafer.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications and changes are possible within the scope of the present invention without departing from the technical spirit of the present invention. It will be clear to those who have the knowledge of Therefore, the technical scope of the present invention is not limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be determined by the scope of the claims.

105: 반응기 110: 가스 공급 라인
115: 가스 배출 라인 120: 서셉터
125:하부링 127: 상부링
129: 예열링 130: 서셉터 지지부
132: 서셉터 지지 샤프트 136: 서포터 핀
136-1: 돌출부 136-2: 샤프트 커버
140: 웨이퍼 리프트부 142: 웨이퍼 리프트 샤프트
146: 리프트 핀105: reactor 110: gas supply line
115: gas discharge line 120: susceptor
125: lower ring 127: upper ring
129: preheating ring 130: susceptor support
132: susceptor support shaft 136: supporter pin
136-1: protrusion 136-2: shaft cover
140: wafer lift section 142: wafer lift shaft
146: lift pin

Claims (6)

일면에 웨이퍼를 안착하는 서셉터; 및
상기 서셉터를 지지하는 서셉터 지지부;를 포함하고,
상기 서셉터 지지부는 상기 서셉터와 접촉하며 복수 개가 이격되어 배치된 서포터 핀 및 상기 서포터 핀의 일부를 삽입하여 지지하는 서셉터 지지 샤프트를 포함하며,
상기 서포터 핀은 상기 서셉터 지지 샤프트에 삽입되는 돌출부, 상기 돌출부의 둘레에 상기 돌출부와 이격되어 위치하는 샤프트 커버를 포함하는 에피택셜 반응기.A susceptor for mounting a wafer on one surface; And
Includes; susceptor support portion for supporting the susceptor,
The susceptor support portion includes a supporter pin in contact with the susceptor and a plurality of spaced apart supporters and a susceptor support shaft for inserting and supporting a part of the supporter pin,
The supporter pin is an epitaxial reactor including a protrusion inserted into the susceptor support shaft, and a shaft cover spaced apart from the protrusion around the protrusion. 제 1 항에 있어서,
상기 돌출부와 상기 샤프트 커버 사이의 이격 공간에 상기 서셉터 지지 샤프트의 일부가 위치하는 에피택셜 반응기.According to claim 1,
An epitaxial reactor in which a portion of the susceptor support shaft is positioned in a space between the protrusion and the shaft cover. 제 1 항에 있어서,
상기 샤프트 커버의 높이가 5mm 내지 25mm인 에피택셜 반응기.According to claim 1,
An epitaxial reactor having a height of the shaft cover of 5 mm to 25 mm. 제 1 항에 있어서,
상기 돌출부와 상기 샤프트 커버는 수평 단면의 형상이 서로 다른 에피택셜 반응기.According to claim 1,
The protrusion and the shaft cover are epitaxial reactors having different horizontal cross-sectional shapes. 제 1 항에 있어서,
상기 샤프트 커버는 탄화규소(SiC)를 포함하여 이루어진 에피택셜 반응기.According to claim 1,
The shaft cover is an epitaxial reactor made of silicon carbide (SiC). 삭제delete
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