KR102091813B1 - Partially heat treated miniature semiconductor burn-in test socket contact pins and mamufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a partially heat-treated miniature semiconductor burn-in test socket contact pin, and to a manufacturing method thereof. According to the present invention, the partially heat-treated miniature semiconductor burn-in test socket contact pin is manufactured by a process in which one part of the semiconductor burn-in test socket contact pin manufactured by a copper (Cu) alloy is partially and sequentially heat-treated and then is cooled. The strength can be improved more than the conventional miniature semiconductor burn-in test socket contact pin.

Description

부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀 및 그 제조방법{PARTIALLY HEAT TREATED MINIATURE SEMICONDUCTOR BURN-IN TEST SOCKET CONTACT PINS AND MAMUFACTURING METHOD THEREOF}Partial heat-treated microminiature burn-in test socket contact pin and its manufacturing method {PARTIALLY HEAT TREATED MINIATURE SEMICONDUCTOR BURN-IN TEST SOCKET CONTACT PINS AND MAMUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 구리(Cu) 합금으로 제조된 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀의 일 부분을 열처리함으로써 종래의 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀보다 강도를 개선할 수 있는 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a contact pin for a partially heat-treated ultra-small semiconductor burn-in test socket and a method for manufacturing the same, and more specifically, to heat a portion of a contact pin for a semiconductor burn-in test socket made of a copper (Cu) alloy. It relates to a partially heat-treated micro semiconductor burn-in test socket contact pin capable of improving the strength than the contact pin for a semiconductor burn-in test socket, and a manufacturing method thereof.

일반적으로 IC 장치나 IC 패키지 등과 같은 표면 실장형 반도체 장치(SMT)는 LGA(Land Grid Array), BGA(Ball Grid Array), CSP(Chip Sized Package) 타입 등으로 이루어져 있으며, 이들은 고객에게 출하되기 전에 신뢰성 확인을 위해 번인 테스트(burn-in test)를 거치게 된다.In general, surface mount semiconductor devices (SMT), such as IC devices or IC packages, consist of Land Grid Array (LGA), Ball Grid Array (BGA), and Chip Sized Package (CSP) types, before they are shipped to customers. Burn-in tests are used to verify reliability.

번인 테스트는 전술한 바와 같은 반도체 장치가 해당 전자기기에 적용되기 전에 해당 반도체 장치에 대해 평상시의 작동 조건보다 높은 온도와 전압을 가했을 경우 해당 반도체 장치가 그러한 조건을 만족시키는지 여부를 가리는 과정을 말한다. 전술한 바와 같은 반도체 장치는 고객에게 출하되기 전에 번인 테스트용 소켓에 장착되어 번인 테스트를 거친다.Burn-in test refers to a process of determining whether a semiconductor device satisfies such a condition when a temperature and voltage higher than normal operating conditions are applied to the semiconductor device before the semiconductor device as described above is applied to the electronic device. . The semiconductor device as described above is mounted on a burn-in test socket before being shipped to a customer and undergoes burn-in testing.

기존의 번인 테스트 장치의 경우 반도체 패키지가 탑재되는 베이스, 상기 베이스에 상하 이동 가능하게 결합하는 커버, 복수의 콘택 핀을 가지는 콘택 서포트, 및 상기 커버의 상하 이동에 따라 개방 및 지지 위치로 이동하는 래치를 포함하는데, 상기 콘택 서포트에 지지되는 콘택 핀의 말단을 테스트 보드에 솔더링(Soldering)을 통해 전기적으로 접속시켜 반도체 패키지의 성능을 테스트하게 된다.In the case of an existing burn-in test device, a base on which a semiconductor package is mounted, a cover movably coupled to the base, a contact support having a plurality of contact pins, and a latch moving to an open and support position according to the vertical movement of the cover Including, the end of the contact pin supported by the contact support is electrically connected to the test board through soldering to test the performance of the semiconductor package.

테스트 보드로부터 노출되는 포고 핀 타입의 콘택 핀은 PCB 테스트 기판의 전극과 접촉하여 반도체 패키지의 전기적 성질을 테스트하게 되는데, 콘택 핀과 PCB 테스트 기판의 전극과 접촉이 안정적으로 수행되어야 하고, 접촉 저항이 작아야 한다. 또한 반복적인 번인 테스트에도 불구하고 콘택 핀이 변형되지 않아야 하며, PCB 테스트 기판의 전극이 손상되지 않아야 한다.The pogo pin type contact pin exposed from the test board contacts the electrode of the PCB test board to test the electrical properties of the semiconductor package, and the contact pin and the electrode of the PCB test board must be stably performed and the contact resistance It should be small. Also, despite repeated burn-in tests, the contact pins should not deform and the electrodes on the PCB test board should not be damaged.

그러나 종래 초소형 반도체 번인 테스트 소켓에 사용되는 콘택 핀은 절곡 돌출부가 형성된 핀 타입이 많이 사용되고 있는데, 반도체 패키지가 소형화됨에 따라 외력에 저항을 하지 못하고 작은 외력에도 항복(yield)하게 되는 문제점이 있었다.However, conventional contact pins used in ultra-small semiconductor burn-in test sockets are frequently used in a pin type in which a bent protrusion is formed. As the semiconductor package is miniaturized, there is a problem in that it does not resist external force and yields even a small external force.

국내등록특허 제10-1752468호(2017년 06월 23일 등록)Domestic registered patent No. 10-1752468 (registered on June 23, 2017) 국내등록특허 제10-1669256호(2016년 10월 19일 등록)Domestic registered patent No. 10-1669256 (registered on October 19, 2016) 국내등록특허 제10-1852848호(2018년 04월 23일 등록)Domestic registered patent No. 10-1852848 (registered on April 23, 2018)

본 발명은 구리(Cu) 합금으로 제조된 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀의 일 부분을 열처리함으로써 종래의 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀보다 강도를 개선할 수 있는 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.The present invention is for a partially heat-treated ultra-small semiconductor burn-in test socket that can improve the strength than a contact pin for a conventional ultra-small semiconductor burn-in test socket by heat-treating a part of the contact pin for a semiconductor burn-in test socket made of a copper (Cu) alloy. It is to provide a contact pin and its manufacturing method.

본 발명이 해결하고자 하는 다양한 과제들은 이상에서 언급한 과제들에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Various problems to be solved by the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명에 따른 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀은 구리(Cu) 합금으로 제조된 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀의 일 부분을 레이저를 이용하여 부분적으로 순차 열처리한 후 냉각하는 과정을 거쳐 제조된다.The contact pin for a partially heat-treated semiconductor burn-in test socket according to the present invention undergoes a process of partially heat-treating a part of the contact pin for a semiconductor burn-in test socket made of a copper (Cu) alloy using a laser, followed by cooling. Is manufactured.

상기 구리 합금은 아연 43 중량%, 납 1 중량% 및 잔량의 구리로 이루어진 구리 합금이거나 알루미늄 10 중량%, 철 3 중량%, 망간 1.5 중량% 및 잔량의 구리로 이루어진 구리 합금일 수 있다.The copper alloy may be a copper alloy composed of 43% by weight of zinc, 1% by weight of lead, and the remaining amount of copper or a copper alloy composed of 10% by weight of aluminum, 3% by weight of iron, 1.5% by weight of manganese, and the remaining amount of copper.

상기 레이저의 조사는 구리 합금의 일 부분에 700 내지 1,000 와트(Watt)의 레이저로 0.5 내지 1 ㎲ 시간 및 주파수 1 내지 100,000 kHz의 범위 내에서 조사함으로써 상기 구리 합금을 가열할 수 있다.The irradiation of the laser can heat the copper alloy by irradiating a portion of the copper alloy with a laser of 700 to 1,000 Watts within a range of 0.5 to 1 kHz time and a frequency of 1 to 100,000 kHz.

상기 레이저의 열처리는 레이저를 80 내지 200mm/s의 속도로 이송하며 상기 구리 합금을 순차적으로 가열할 수 있다.The heat treatment of the laser transfers the laser at a speed of 80 to 200 mm / s and sequentially heats the copper alloy.

또한, 본 발명에 따른 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀의 제조방법은 구리 합금을 준비하고, 상기 준비된 구리 합금을 금속판 상부에 위치시키며, 상기 금속판 상부에 위치하는 구리 합금에 레이저를 조사하여 가열하고, 상기 구리 합금을 레어저로 가열함과 동시에 상기 레이저를 이동시켜 상기 구리 합금의 일 부분씩을 순차적으로 가열하되 상기 구리 합금은 아연 43 중량%, 납 1 중량% 및 잔량의 구리로 이루어진 구리 합금이거나 알루미늄 10 중량%, 철 3 중량%, 망간 1.5 중량% 및 잔량의 구리로 이루어진 구리 합금일 수 잇다.In addition, the method of manufacturing a contact pin for a partially heat-treated micro semiconductor burn-in test socket according to the present invention prepares a copper alloy, positions the prepared copper alloy on a metal plate, and irradiates a laser to the copper alloy located on the metal plate. Heating the copper alloy with a laser, and simultaneously moving the laser to sequentially heat a portion of the copper alloy, wherein the copper alloy is composed of 43% by weight of zinc, 1% by weight of lead, and the balance of copper. It can be a copper alloy or a copper alloy consisting of 10% by weight of aluminum, 3% by weight of iron, 1.5% by weight of manganese and the balance of copper.

상기 금속판은 벌크 금속인 구리로 이루어진 금속판이 이용되고, 상기 레이저의 조사는 구리 합금의 일 부분에 700 내지 1,000 와트(Watt)의 레이저로 0.5 내지 1 ㎲ 시간 및 주파수 1 내지 100,000 kHz의 범위 내에서 조사함으로써 상기 구리 합금을 가열하며, 상기 레이저의 열처리는 레이저를 80 내지 200mm/s의 속도로 이송하며 상기 구리 합금을 순차적으로 가열할 수 있다.For the metal plate, a metal plate made of copper, which is a bulk metal, is used, and the laser is irradiated with a laser of 700 to 1,000 watts on a part of the copper alloy within a range of 0.5 to 1 kHz time and a frequency of 1 to 100,000 kHz. The copper alloy is heated by irradiation, and the heat treatment of the laser transfers the laser at a speed of 80 to 200 mm / s, and the copper alloy can be sequentially heated.

기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description.

본 발명에 따라 제조된 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀은 구리(Cu) 합금으로 제조된 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀의 일 부분을 열처리함으로써 종래의 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀보다 강도를 개선할 수 있다.The contact pin for a partially heat-treated micro semiconductor burn-in test socket manufactured according to the present invention is more heat-treated than a contact pin for a conventional ultra-small semiconductor burn-in test socket by heat-treating a part of the contact pin for a semiconductor burn-in test socket made of a copper (Cu) alloy. Strength can be improved.

본 발명의 기술적 사상의 실시예는, 구체적으로 언급되지 않은 다양한 효과를 제공할 수 있다는 것이 충분히 이해될 수 있을 것이다.It will be fully understood that embodiments of the technical idea of the present invention can provide various effects not specifically mentioned.

도 1은 본 발명에 따른 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀을 제조하는 장치를 간략하게 보여주는 도면이다.1 is a view briefly showing an apparatus for manufacturing a contact pin for a partially heat-treated micro semiconductor burn-in test socket according to the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be clarified with reference to embodiments described below in detail. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed contents are thorough and complete and that the spirit of the present invention is sufficiently conveyed to those skilled in the art.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.The terms used in this application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person skilled in the art to which the present invention pertains. Terms such as those defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having meanings consistent with meanings in the context of related technologies, and should not be interpreted as ideal or excessively formal meanings unless explicitly defined in the present application. Does not.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀에 대하여 더욱 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in more detail with respect to the contact pin for a partially heat-treated micro semiconductor burn-in test socket according to the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀을 제조하는 장치를 간략하게 보여주는 도면이다.1 is a view schematically showing an apparatus for manufacturing a contact pin for a partially heat-treated micro semiconductor burn-in test socket according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀은 구리(Cu) 합금으로 제조된 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀을, 전체를 가열로 안에 넣고 처리하는 기존의 방식이 아닌, 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀의 일 부분을 레이저를 이용하여 국부적으로 열처리하는 과정을 순차적으로 반복하여 콘택 핀의 전체로 확장하는 방법에 의하여 종래의 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀보다 강도를 개선할 수 있다.Referring to FIG. 1, the contact pin for a partially heat-treated micro-semiconductor burn-in test socket according to the present invention is a conventional method of placing and processing a contact pin for a semiconductor burn-in test socket made of a copper (Cu) alloy into a heating furnace. Rather, the process of locally heat-treating a part of the contact pin for a semiconductor burn-in test socket using a laser is sequentially repeated to extend to the entire contact pin, so that the strength is higher than that of a conventional contact pin for a semiconductor burn-in test socket. Can improve.

종래의 순수 구리(Cu) 또는 구리 합금의 경우 350 HV, 로그웰 경도로 35 HRC, 109 HRB의 경도를 가지는데, 본 발명은 상기와 같은 방식을 채택함으로써, 98 HRC, 180 HRB 까지 경도를 개선할 수 있다.The conventional pure copper (Cu) or copper alloy has a hardness of 35 HRC and 109 HRB at 350 HV and a logwell hardness, and the present invention improves the hardness to 98 HRC and 180 HRB by adopting the above method. can do.

본 발명에서 이용되는 구리 합금으로는 아연, 납 및 구리의 합금이거나 알루미늄, 철, 망간 및 구리의 합금으로 이루어진 구리 합금을 이용할 수 있는데, 예를 들어, 상기 구리 합금은 아연 43 중량%, 납 1 중량% 및 잔량의 구리로 이루어진 구리 합금이거나 알루미늄 10 중량%, 철 3 중량%, 망간 1.5 중량% 및 잔량의 구리로 이루어진 구리 합금이 이용될 수 있다.As the copper alloy used in the present invention, an alloy of zinc, lead, and copper or a copper alloy made of an alloy of aluminum, iron, manganese, and copper may be used. For example, the copper alloy is 43% by weight of zinc, lead 1 A copper alloy composed of weight percent and residual copper may be used, or a copper alloy composed of 10 percent by weight aluminum, 3 percent by weight iron, 1.5 percent by weight manganese, and the residual amount of copper may be used.

또한, 본 발명에 따른 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀을 제조하기 위하여, 콘택 핀을 제조하는 구리 합금을 700 내지 1000 와트(Watt)의 레이저로 조사한 후, 열전도(conduction)에 의한 급냉을 유도함으로써 제조될 수 있다.In addition, in order to prepare a contact pin for a partially heat-treated micro semiconductor burn-in test socket according to the present invention, a copper alloy for manufacturing a contact pin is irradiated with a laser of 700 to 1000 watts (Watt), and then rapidly cooled by heat conduction. It can be prepared by inducing.

이를 위하여 열처리는 레이저 조사에 의한 경화 기구(mechanism)를 핵심 기술로 하며, 이를 위해서 먼저, 고 출력 펄스 레이저를 이용하여 높은 출력 수준(700~1,000 Watt 또는 그 이상)의 레이저를 수 마이크로 초(0.5 내지 1 ㎲, 1 내지 100,000 kHz) 이내로 금속 온도가 구리(Cu)의 용융 온도(약 1,084℃)를 넘지 않는 범위내에서 순간적으로 재료 표면을 고온으로 가열할 수 있다.To this end, heat treatment uses laser irradiation as a core technology, and for this, first, a laser with a high power level (700 to 1,000 Watt or more) is used for several microseconds (0.5 The metal surface may be instantaneously heated to a high temperature within a range in which the metal temperature does not exceed the melting temperature (about 1,084 ° C) of copper (Cu) within 1 to 1 kHz, 1 to 100,000 kHz).

또한, 조사되는 레이저는 이송 속도를 80 내지 200mm/s로 고속을 유지하여 순간적으로 가열된 구리 표면이 하부에 접촉하여 위치하는 금속판(예를 들어, 열전도가 우수한 구리로 이루어진 금속판)을 통하여 열전도에 의하여 순간적으로 냉각이 이루어 질수 있도록 할 수 있다.In addition, the irradiated laser maintains a high speed at a transfer speed of 80 to 200 mm / s, so that the instantaneously heated copper surface is in contact with the lower portion through a metal plate (for example, a metal plate made of copper having excellent thermal conductivity) to conduct heat. By doing so, it can be made to cool instantly.

본 발명에서는 상기와 같은 레이저 출력의 범위 이외, 즉, 레이저의 출력이 충분하지 못하면 하기 [표 1]의 TTT(Time Temperature Transformation)에 나타낸 바와 같이, 재료가 경화온도(Transformation Start)에 도달하기 못하여 충분한 열처리 효과를 줄수가 없게 된다.In the present invention, if the laser output is not within the range of the above, that is, when the laser output is not sufficient, as shown in Time Temperature Transformation (TTT) in Table 1 below, the material cannot reach the cure temperature (Transformation Start). It is impossible to give a sufficient heat treatment effect.

또한, 레이저 이송 속도가 느려지게 되면 하부 금속까지 가열이 이루어지기 때문에 열전도에 의한 급냉(Quenching) 효과를 거둘 수 없는 문제가 발생할 수 있다.In addition, when the laser feed rate is slowed, heating to the lower metal is performed, which may cause a problem that a quenching effect due to heat conduction cannot be obtained.

Figure 112019021837229-pat00001
Figure 112019021837229-pat00001

이하, 본 발명에 따른 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀을 제조하는 방법에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, a method for manufacturing a contact pin for a miniature semiconductor burn-in test socket partially heat-treated according to the present invention will be described in detail.

먼저, 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀을 제조하기 위한 구리 합금을 준비할 수 있다.First, a copper alloy for manufacturing a contact pin for a semiconductor burn-in test socket can be prepared.

본 발명에서 상기 구리 합금은 아연, 납 및 구리로 이루어진 구리 합금이거나, 알루미늄, 철, 망간 및 구리로 이루어진 구리 합금이 준비될 수 있는데, 예를 들어, 상기 구리 합금은 아연 43 중량%, 납 1 중량% 및 잔량의 구리로 이루어진 구리 합금이거나, 알루미늄 10 중량%, 철 3 중량%, 망간 1.5 중량% 및 잔량의 구리로 이루어진 구리 합금이 준비될 수 있다.In the present invention, the copper alloy may be a copper alloy made of zinc, lead, and copper, or a copper alloy made of aluminum, iron, manganese, and copper may be prepared. For example, the copper alloy is 43% by weight of zinc, lead 1 A copper alloy composed of weight percent and residual copper may be prepared, or a copper alloy composed of 10 percent by weight aluminum, 3 percent by weight iron, 1.5 percent by weight manganese, and the residual amount of copper.

다음으로, 상기 준비된 구리 합금을 금속판 상부에 위치할 수 있다.Next, the prepared copper alloy may be located on the top of the metal plate.

상기 금속판은 추후 공정에서 상기 구리 합금에 레이저가 조사되어 가열되는 경우, 상기 구리 합금을 냉각하기 위하여 구비될 수 있는데, 상기 금속판으로는 열전도고가 우수한 벌크 금속인 구리로 이루어진 금속판이 이용됨으로써 상기 레이저가 조사되어 가열된 구리 합금의 잔류하는 열을 빨리 방출시킬 수 있다.The metal plate may be provided to cool the copper alloy when the copper alloy is heated by irradiation with a laser in a subsequent process. As the metal plate, the metal plate made of copper, which is a bulk metal having excellent thermal conductivity, is used, so that the laser is used. Irradiated can quickly release the residual heat of the heated copper alloy.

그 다음으로, 상기 금속판 상부에 위치하는 구리 합금에 레이저를 조사하여 가열할 수 있다.Next, the copper alloy located on the metal plate may be irradiated with a laser and heated.

상기 구리 합금의 가열은 구리 합금을 700 내지 1,000 와트(Watt)의 레이저로 0.5 내지 1 ㎲ 시간 및 주파수 1 내지 100,000 kHz의 범위 내에서 조사함으로써 상기 콘택 핀을 제조하기 위한 구리 합금을 가열할 수 있다.The heating of the copper alloy may heat the copper alloy for manufacturing the contact pin by irradiating the copper alloy within a range of 0.5 to 1 kHz time and a frequency of 1 to 100,000 kHz with a laser of 700 to 1,000 Watts. .

이어서, 상기 구리 합금을 레어저로 가열함과 동시에 상기 레이저를 이동시켜 상기 구리 합금의 일 부분씩을 순차적으로 가열할 수 있다.Subsequently, while heating the copper alloy with a laser, the laser may be moved to sequentially heat a portion of the copper alloy.

본 발명에서 상기 레이저는 이송 속도를 80 내지 200mm/s로 고속을 유지하여 순간적으로 가열된 구리 표면이 하부에 접촉하여 위치하는 구리 금속판을 통하여 열전도에 의해 냉각이 이루어질 수 있도록 함으로써, 구리 합금이 부분적으로 가열됨과 동시에 냉각이 이루어지도록 할 수 있다.In the present invention, the laser maintains the transfer speed at a high speed of 80 to 200 mm / s so that the copper alloy can be partially cooled by heat conduction through a copper metal plate where the heated copper surface is placed in contact with the lower portion. It can be heated and cooled simultaneously.

본 발명은 상기와 같이 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀의 일 부분을 레이저를 이용하여 국부적으로 열처리하는 과정을 순차적으로 반복하여 콘택 핀의 전체로 확장하는 방법에 의하여 종래의 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀보다 강도를 개선할 수 있다.The present invention is a method for expanding a portion of a contact pin for a semiconductor burn-in test socket using a laser as described above by sequentially repeating a process for expanding the entire contact pin to a conventional ultra-small semiconductor burn-in test socket contact. It can improve the strength than the pin.

예를 들어, 종래의 순수 구리(Cu) 또는 구리 합금의 경우 350 HV, 로그웰 경도로 35 HRC, 109 HRB의 경도를 가지는데, 본 발명은 상기와 같이 국부적으로 열처리하는 과정을 순차적으로 반복함으로써, 98 HRC, 180 HRB 까지 경도를 개선할 수 있다.For example, the conventional pure copper (Cu) or copper alloy has a hardness of 350 HV and 35 HRC and 109 HRB with a logwell hardness, and the present invention is performed by sequentially repeating the local heat treatment process as described above. , 98 HRC, 180 HRB can improve the hardness.

이상, 본 발명의 바람직한 일 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 일 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.As described above, although a preferred embodiment of the present invention has been described, those skilled in the art to which the present invention pertains understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing its technical spirit or essential features. Will be able to. Therefore, it should be understood that one embodiment described above is illustrative in all respects and not limiting.

Claims (6)

구리(Cu) 합금으로 제조된 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀의 일 부분을 레이저를 이용하여 부분적으로 순차 열처리한 후 냉각하는 과정을 거쳐 제조됨에 있어서,
상기 구리 합금은 아연 43 중량%, 납 1 중량% 및 잔량의 구리로 이루어진 구리 합금이거나 알루미늄 10 중량%, 철 3 중량%, 망간 1.5 중량% 및 잔량의 구리로 이루어진 구리 합금인 것을 특징으로 하는 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀.
In manufacturing a part of the contact pin for a semiconductor burn-in test socket made of a copper (Cu) alloy by partially sequential heat treatment using a laser and then cooling,
The copper alloy is a part characterized by being a copper alloy consisting of 43% by weight of zinc, 1% by weight of lead and the remaining amount of copper, or 10% by weight of aluminum, 3% by weight of iron, 1.5% by weight of manganese, and a residual amount of copper. Contact pins for heat treated microminiature semiconductor burn-in test sockets.
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 레이저의 조사는 구리 합금의 일 부분에 700 내지 1,000 와트(Watt)의 레이저로 0.5 내지 1 ㎲ 시간 및 주파수 1 내지 100,000 kHz의 범위 내에서 조사함으로써 상기 구리 합금을 가열하는 것을 특징으로 하는 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀.
According to claim 1,
Partial heat treatment, wherein the laser is heated by irradiating a portion of the copper alloy with a laser of 700 to 1,000 Watts within a range of 0.5 to 1 kHz time and a frequency of 1 to 100,000 kHz. Micro semiconductor burn-in contact pin for test socket.
제 3항에 있어서,
상기 레이저의 열처리는 레이저를 80 내지 200mm/s의 속도로 이송하며 상기 구리 합금을 순차적으로 가열하는 것을 특징으로 하는 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀.
According to claim 3,
The heat treatment of the laser is a contact pin for a partially heat-treated micro semiconductor burn-in test socket characterized in that the laser is transferred at a speed of 80 to 200 mm / s and the copper alloy is sequentially heated.
구리 합금을 준비하고,
상기 준비된 구리 합금을 금속판 상부에 위치시키며,
상기 금속판 상부에 위치하는 구리 합금에 레이저를 조사하여 가열하고,
상기 구리 합금을 레어저로 가열함과 동시에 상기 레이저를 이동시켜 상기 구리 합금의 일 부분씩을 순차적으로 가열하되
상기 구리 합금은 아연 43 중량%, 납 1 중량% 및 잔량의 구리로 이루어진 구리 합금이거나 알루미늄 10 중량%, 철 3 중량%, 망간 1.5 중량% 및 잔량의 구리로 이루어진 구리 합금인 것을 특징으로 하는 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀의 제조방법.
Prepare a copper alloy,
The prepared copper alloy is placed on the top of the metal plate,
It is heated by irradiating a laser to a copper alloy located on the metal plate,
While heating the copper alloy with a laser, the laser is moved to sequentially heat each portion of the copper alloy.
The copper alloy is a part characterized by being a copper alloy consisting of 43% by weight of zinc, 1% by weight of lead and the remaining amount of copper, or 10% by weight of aluminum, 3% by weight of iron, 1.5% by weight of manganese, and a residual amount of copper. Method for manufacturing contact pins for heat-treated micro semiconductor burn-in test sockets.
제 5항에 있어서,
상기 금속판은 벌크 금속인 구리로 이루어진 금속판이 이용되고,
상기 레이저의 조사는 구리 합금의 일 부분에 700 내지 1,000 와트(Watt)의 레이저로 0.5 내지 1 ㎲ 시간 및 주파수 1 내지 100,000 kHz의 범위 내에서 조사함으로써 상기 구리 합금을 가열하며,
상기 레이저의 열처리는 레이저를 80 내지 200mm/s의 속도로 이송하며 상기 구리 합금을 순차적으로 가열하는 것을 특징으로 하는 부분 열처리된 초소형 반도체 번인 테스트 소켓용 콘택 핀의 제조방법.The method of claim 5,
The metal plate is a metal plate made of copper, which is a bulk metal,
The irradiation of the laser heats the copper alloy by irradiating a portion of the copper alloy with a laser of 700 to 1,000 watts within a range of 0.5 to 1 kHz time and a frequency of 1 to 100,000 kHz,
The heat treatment of the laser is a method of manufacturing a contact pin for a partially heat-treated micro semiconductor burn-in test socket, characterized in that the laser is transferred at a speed of 80 to 200 mm / s and the copper alloy is sequentially heated.
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