KR102086795B1 - Apparatus and method for treating a substrate - Google Patents

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Abstract

기판을 처리하는 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는 플라즈마 경계 제한 유닛을 가지며, 플라즈마 경계 제한 유닛은 기판이 출입되는 개구를 개폐하는 도어 어셈블리에 고정 결합되어 이와 함께 상하로 이동될 수 있다.An apparatus for processing a substrate is provided. The substrate processing apparatus has a plasma boundary limiting unit, and the plasma boundary limiting unit is fixedly coupled to a door assembly that opens and closes an opening through which the substrate enters and may be moved up and down.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE }Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법, 그리고 이에 사용되는 플라즈마 경계 제한 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to an apparatus and method for processing a substrate using plasma, and a plasma boundary limiting unit used therein.

일반적으로 반도체 제조 공정은 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정, 연마 공정, 그리고 세정 공정 등 다양한 종류의 공정으로 나누어진다. 이들 중 증착 공정이나 식각 공정 등은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리한다. 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치 중 일부는 공정 진행시 공정 챔버 내 플라즈마가 웨이퍼의 수직 상부 공간에 머무르도록 플라즈마를 가두어두는 컨파인먼트 링을 가질 수 있다.In general, the semiconductor manufacturing process is divided into various types of processes such as a deposition process, a photo process, an etching process, a polishing process, and a cleaning process. Among these, a deposition process or an etching process uses a plasma to process the substrate. Some of the substrate processing apparatuses using plasma may have a confinement ring that confines the plasma so that the plasma in the process chamber stays in the vertical upper space of the wafer during the process.

일반적으로 컨파인먼트 링은 기판의 수직 상부 공간을 감싸도록 제공되며 일체로 된 환형의 몸체를 가진다. 컨파인먼트 링은 복수 개가 상하 방향으로 서로 이격되게 제공된다. 컨파인먼트 링들 사이의 간격은 비교적 좁게 제공되어 이들 사이의 틈을 통해 플라즈마가 빠져나가는 것을 억제한다.In general, the confinement ring is provided to surround the vertical upper space of the substrate and has an integral annular body. A plurality of confinement rings are provided spaced apart from each other in the vertical direction. The gap between the confinement rings is provided relatively narrow to prevent the plasma from escaping through the gap between them.

그러나 컨파인먼트 링은 기판이 공정 챔버로 출입될 때 기판의 이동 경로를 간섭한다. 따라서 컨파인먼트 링은 링 구동기에 의해 기판이 공정 챔버로 출입할 때에는 기판의 이동 경로를 간섭하지 않은 대기 위치로 이동한다. However, the confinement ring interferes with the movement path of the substrate as it enters and exits the process chamber. Therefore, the confinement ring moves to the standby position without interfering with the movement path of the substrate when the substrate enters and exits the process chamber by the ring driver.

따라서 기판의 반입 또는 반출시 개구가 개방되기 전 또는 후에 컨파인먼트 링이 대기 위치로 이동하여야 하므로 많은 공정 단계가 필요하다. Therefore, when the substrate is brought in or out, a number of process steps are required because the confinement ring must be moved to the standby position before or after the opening is opened.

또한, 컨파인먼트 링의 이동을 위해 링 구동기가 제공되어야 하므로 장치 구조가 복잡하다. In addition, the device structure is complicated because a ring driver must be provided for the movement of the confinement ring.

또한, 링 구동기는 컨파인먼트 링 전체를 상하로 이동하여야 하므로, 링 구동기에 많은 부하가 걸린다. In addition, since the ring driver has to move the entire configuration ring up and down, it puts a lot of load on the ring driver.

본 발명의 실시예들은 공정 챔버로 기판을 반입 또는 반출할 때 소요되는 단계를 줄일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention are to provide a substrate processing apparatus and method that can reduce the steps required to carry in or out of the substrate into the process chamber.

또한, 본 발명의 실시예들은 공정 챔버로 기판을 반입 또는 반출할 때 소요되는 시간을 줄일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하고자 한다. In addition, embodiments of the present invention are to provide a substrate processing apparatus and method that can reduce the time required to carry in or out of the substrate into the process chamber.

또한, 본 발명의 실시예들은 컨파인먼트 링의 이동을 위해 사용되는 부품의 수를 줄일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하고자 한다.In addition, embodiments of the present invention are to provide a substrate processing apparatus and method that can reduce the number of parts used for the movement of the confinement ring.

또한, 본 발명의 실시예들은 컨파인먼트 링의 상하 이동에 소요되는 부하를 줄일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하고자 한다.In addition, embodiments of the present invention are to provide a substrate processing apparatus and method that can reduce the load required for the vertical movement of the confinement ring.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to this, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제공한다. 상기 기판 처리 장치는 기판이 출입되는 개구가 형성되고, 상기 개구를 개폐하는 도어 어셈블리를 가지는 공정 챔버와; 상기 공정 챔버 내에 위치되며 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 공정 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성 유닛과; 그리고 상기 공정 챔버 내에서 상기 지지 유닛의 상부에 위치된 방전 공간을 감싸도록 제공되어, 상기 방전 공간으로부터 플라즈마가 빠져나가는 것을 최소화하는 플라즈마 경계 제한 유닛(plasma boundary limiter unit)을 포함하되, 상기 플라즈마 경계 제한 유닛은 상기 도어 어셈블리에 결합되어, 상기 도어 어셈블리와 함께 상하 방향으로 이동된다. The present invention provides a substrate processing apparatus for processing a substrate using plasma. The substrate processing apparatus includes a process chamber having an opening through which a substrate enters and exits, and having a door assembly that opens and closes the opening; A support unit positioned in the process chamber and supporting a substrate; A gas supply unit supplying a process gas into the process chamber; A plasma generating unit that generates plasma from the process gas; And it is provided to surround the discharge space located on the upper portion of the support unit in the process chamber, including a plasma boundary limiter unit (plasma boundary limiter unit) to minimize the escape of the plasma from the discharge space, the plasma boundary The limiting unit is coupled to the door assembly, and is moved up and down along with the door assembly.

일 예에 의하면 상기 플라즈마 경계 제한 유닛은 제 1 바디와; 상기 공정 챔버 내에서 상기 제 1 바디에 대해 상하로 이동 가능하게 제공되는 제 2 바디를 포함하고, 상기 제 1 바디와 상기 제 2 바디는 서로 조합되어 링 형상을 가진다.According to an example, the plasma boundary limiting unit includes a first body; It includes a second body provided to be movable up and down relative to the first body in the process chamber, the first body and the second body are combined with each other to have a ring shape.

상기 제 1 바디와 상기 제 2 바디는 각각 상기 링의 일부로서 제공되는 링체와; 상기 링체의 일면에 제공되는 복수의 플레이트를 포함하되, 상기 방전 공간 내 가스가 인접하는 상기 플레이트들 사이에 제공된 통로를 통해 상기 방전 공간의 외부로 흐르도록 상기 복수의 플레이트들은 상기 링체의 길이 방향을 따라 서로 이격된다. 상기 제 1 바디와 상기 제 2 바디는 서로 조합되어 환형의 링 형상을 이룰 수 있다. Each of the first body and the second body includes a ring body provided as part of the ring; It includes a plurality of plates provided on one surface of the ring body, the plurality of plates so that the gas in the discharge space flows out of the discharge space through the passage provided between the adjacent plates to the plurality of plates to the longitudinal direction of the ring body Accordingly, they are separated from each other. The first body and the second body may be combined with each other to form an annular ring shape.

일 예에 의하면, 상기 플라즈마 경계 제한 유닛은 상하 방향으로 서로 이격되도록 복수 개 제공되는 복수의 플라즈마 경계 제한 링을 가진다. 상기 복수의 플라즈마 경계 제한 링들을 결합하는 브라켓을 더 구비하고, 상기 브라켓은 상기 도어 어셈블리에 결합되어 상기 도어 어셈블리와 함께 상하 이동되도록 제공될 수 있다. According to an example, the plasma boundary limiting unit has a plurality of plasma boundary limiting rings provided to be spaced apart from each other in the vertical direction. A bracket for coupling the plurality of plasma boundary restriction rings may be further provided, and the bracket may be provided to be coupled to the door assembly and moved up and down together with the door assembly.

일 예에 의하면, 상기 플라즈마 경계 제한 유닛은 도전성 재질로 제공되고, 상기 플라즈마 경계 제한 유닛은 상기 상부 전극과 전기적으로 연결되도록 상기 상부 전극에 접촉되게 설치될 수 있다. According to an example, the plasma boundary limiting unit may be provided of a conductive material, and the plasma boundary limiting unit may be installed in contact with the upper electrode so as to be electrically connected to the upper electrode.

또한, 본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 제공한다. In addition, the present invention provides a method of processing a substrate using plasma.

상기 기판 처리 방법은 링으로 제공되는 플라즈마 경계 제한 유닛을 제공하여 공정 챔버 내에 플라즈마가 방전되는 방전 공간을 제한하되, 상기 플라즈마 경계 제한 유닛은 상기 공정 챔버로 기판이 출입되는 개구를 개폐하는 도어 어셈블리와 결합되어, 상기 기판이 상기 공정 챔버로 출입시 상기 기판의 이동 경로를 방해하지 않도록 상기 도어 어셈블리의 상하 이동과 함께 상기 플라즈마 경계 제한 유닛도 상하 이동된다. The substrate processing method provides a plasma boundary limiting unit provided as a ring to limit a discharge space in which plasma is discharged in a process chamber, wherein the plasma boundary limiting unit includes a door assembly for opening and closing an opening through which the substrate enters and exits the process chamber. Combined, the plasma boundary limiting unit is moved up and down along with the vertical movement of the door assembly so that the substrate does not interfere with the movement path of the substrate when entering and exiting the process chamber.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 플라즈마 경계 제한 유닛이 도어 어셈블리에 결합되어 도어와 함께 상하로 이동되므로 도어 어셈블리의 이동을 위한 부품의 수를 줄일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, since the plasma boundary limiting unit is coupled to the door assembly and moved up and down together with the door, the number of parts for moving the door assembly can be reduced.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 공정 챔버로 기판을 반입 또는 반출할 때 소요되는 단계 및 시간을 줄일 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to reduce the steps and time required to carry in or out of the substrate into the process chamber.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 플라즈마 경계 제한 유닛이 제 1 바디와 제 2 바디로 분리되고 기판의 출입시 제 2 바디만 상하로 이동되므로, 제 2 바디의 상하 이동에 걸리는 부하를 줄일 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, since the plasma boundary limiting unit is divided into the first body and the second body, and only the second body is moved up and down when entering and exiting the substrate, the load applied to the up and down movement of the second body can be reduced. have.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 링체의 길이 방향을 따라 제공된 복수의 플레이트들을 제공함으로써 방전 공간 내 가스를 원활하게 배기할 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, by providing a plurality of plates provided along the longitudinal direction of the ring body, it is possible to smoothly exhaust gas in the discharge space.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면 플레이트들의 배치 및 형상에 따라 식각 율을 기판의 전체 영역에서 향상시키거나, 기판의 영역별 식각율을 조절할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the etch rate may be improved over the entire area of the substrate or the etch rate for each area of the substrate may be adjusted according to the arrangement and shape of the plates.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2와 도 3은 도 1의 플라즈마 경계 제한 유닛의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 1의 플라즈마 경계 제한 유닛과 도어 어셈블리와의 결합 상태를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 5 내지 도 8은 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 공정을 수행하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.
도 9 내지 도 10은 각각 도 1의 기판 처리 장치의 변형된 예를 보여주는 도면들이다.
도 11 내지 도 22는 각각 플라즈마 경계 제한 유닛의 다른 예를 보여주는 도면들이다. 1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 are perspective views showing an example of the plasma boundary limiting unit of FIG. 1.
4 is a plan view schematically showing a coupling state between the plasma boundary limiting unit of FIG. 1 and the door assembly.
5 to 8 are views sequentially showing a process of performing a process using the substrate processing apparatus of FIG. 1.
9 to 10 are views showing modified examples of the substrate processing apparatus of FIG. 1, respectively.
11 to 22 are views showing another example of a plasma boundary limit unit, respectively.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention, when it is determined that detailed descriptions of related known configurations or functions may obscure the subject matter of the present invention, detailed descriptions thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)를 나타내는 단면도이다. 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 식각하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 특징은 이에 한정되지 않으며 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 다양한 종류의 장치에 적용될 수 있다. 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 10 processes the substrate W using plasma. In an embodiment of the present invention, an apparatus for etching the substrate W using plasma will be described as an example. However, the technical features of the present invention are not limited to this and can be applied to various types of devices for processing the substrate W using plasma.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 생성 유닛(400), 그리고 플라즈마 경계 제한 유닛(500)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 includes a process chamber 100, a support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma generation unit 400, and a plasma boundary limiting unit 500. .

공정 챔버(100)는 내부에 공정 수행을 위한 공간을 가진다. 공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(103)이 형성된다. 배기홀(103)은 펌프(122)가 장착된 배기 라인(121)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(121)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 또한, 배기 과정에 의해 공정 챔버(100)의 내부공간은 소정 압력으로 감압된다. 배기홀(103)은 공정 챔버(100)에서 후술하는 플라즈마 경계 제한 유닛(500)의 외부 공간과 직접 통하는 위치에 제공된다. 일 예에 의하면, 배기홀(103)은 플라즈마 경계 제한 유닛(500)의 수직 아래 위치에 제공될 수 있다.The process chamber 100 has a space for performing the process therein. An exhaust hole 103 is formed on the bottom surface of the process chamber 100. The exhaust hole 103 is connected to the exhaust line 121 on which the pump 122 is mounted. Reaction by-products generated in the process and gas remaining inside the process chamber 100 may be discharged to the outside through the exhaust line 121. In addition, the internal space of the process chamber 100 is depressurized to a predetermined pressure by the exhaust process. The exhaust hole 103 is provided at a position directly in the process chamber 100 in direct communication with the outer space of the plasma boundary limiting unit 500 described later. According to an example, the exhaust hole 103 may be provided at a vertically lower position of the plasma boundary limiting unit 500.

공정 챔버(100)의 측벽에는 개구(104)가 형성된다. 개구(104)는 공정 챔버(100) 내부로 기판(도 6의 W)이 출입하는 통로로 기능한다. 개구(104)는 도어 어셈블리(140)에 의해 개폐된다. 일 예에 의하면, 도어 어셈블리(140)는 외측 도어(142), 내측 도어(144), 그리고 연결 부재(146)를 가진다. 외측 도어(142)는 공정 챔버(100)의 외벽에 제공된다. 내측 도어(144)는 공정 챔버(100)의 내벽에 제공된다. 외측 도어(142)와 내측 도어(144)는 연결 부재(146)에 의해 서로 고정 결합된다. 연결 부재(146)는 개구(104)를 통해 공정 챔버(100)의 내측에서 외측까지 연장되게 제공된다. 도어 구동기(148)은 외측 도어(142)를 상하 방향으로 이동시킨다. 도어 구동기(148)는 유공압 실린더나 모터를 포함할 수 있다.An opening 104 is formed on the sidewall of the process chamber 100. The opening 104 functions as a passage through which the substrate (W in FIG. 6) enters and exits the process chamber 100. The opening 104 is opened and closed by the door assembly 140. According to one example, the door assembly 140 has an outer door 142, an inner door 144, and a connecting member 146. The outer door 142 is provided on the outer wall of the process chamber 100. The inner door 144 is provided on the inner wall of the process chamber 100. The outer door 142 and the inner door 144 are fixedly coupled to each other by a connecting member 146. The connecting member 146 is provided to extend from the inside to the outside of the process chamber 100 through the opening 104. The door driver 148 moves the outer door 142 in the vertical direction. The door driver 148 may include a pneumatic cylinder or motor.

공정 챔버(100)의 내부 중 아래 영역에는 지지 유닛(200)이 위치한다. 지지 유닛(200)은 정전기력에 의해 기판(W)을 지지한다. 이와 달리 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑 등과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다. The support unit 200 is positioned in a lower region of the interior of the process chamber 100. The support unit 200 supports the substrate W by electrostatic force. Alternatively, the support unit 200 may support the substrate W in various ways, such as mechanical clamping.

지지 유닛(200)은 베이스(220), 정전 척(240), 그리고 링 어셈블리(260)를 가진다. 정전 척(240)은 정전기력에 의해 기판(W)을 그 상면에 지지한다. 정전 척(240)은 베이스(220) 상에 고정결합된다. 링 어셈블리(260)는 정전 척(240)의 둘레를 감싸도록 제공된다. 일 예에 의하면, 링 어셈블리(260)는 포커스 링(262)과 절연 링(264)을 가진다. 포커스 링(262)은 정전 척(240)을 감싸도록 제공되며 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 절연 링(264)는 포커스 링(262)을 감싸도록 제공된다. 선택적으로 링 어셈블리(260)는 플라즈마에 의해 정전 척(240)의 측면이 손상되는 것을 방지하도록 포커스 링(262)의 둘레에 밀착되게 제공되는 에지 링(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 상술한 바와 달리 링 어셈블리(260)의 구조는 다양하게 변경될 수 있다. The support unit 200 has a base 220, an electrostatic chuck 240, and a ring assembly 260. The electrostatic chuck 240 supports the substrate W on its upper surface by electrostatic force. The electrostatic chuck 240 is fixedly coupled on the base 220. The ring assembly 260 is provided to surround the circumference of the electrostatic chuck 240. According to one example, the ring assembly 260 has a focus ring 262 and an insulating ring 264. The focus ring 262 is provided to surround the electrostatic chuck 240 and concentrates the plasma to the substrate W. The insulating ring 264 is provided to surround the focus ring 262. Optionally, the ring assembly 260 may include an edge ring (not shown) provided tightly around the focus ring 262 to prevent damage to the side of the electrostatic chuck 240 by plasma. Unlike the above, the structure of the ring assembly 260 may be variously changed.

일 예에 의하면, 정전 척(240)은 세라믹 재질로 제공되고, 포커스 링(262)은 실리콘 재질로 제공되고, 절연 링(264)은 쿼츠 재질로 제공될 수 있다. 정전 척(240) 또는 베이스(220) 내에는 공정 진행 중 기판(W)을 공정 온도로 유지하도록 하는 가열 부재(282) 및 냉각 부재(284)가 제공될 수 있다. 가열 부재(282)는 열선으로 제공될 수 있다. 냉각 부재(284)는 냉매가 흐르는 냉각 라인으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 가열 부재(282)는 정전 척(240)에 제공되고, 냉각 부재(284)는 베이스(220)에 제공될 수 있다.According to an example, the electrostatic chuck 240 may be made of a ceramic material, the focus ring 262 may be made of a silicon material, and the insulating ring 264 may be made of a quartz material. A heating member 282 and a cooling member 284 may be provided in the electrostatic chuck 240 or the base 220 to maintain the substrate W at a process temperature during the process. The heating member 282 may be provided as a heating wire. The cooling member 284 may be provided as a cooling line through which refrigerant flows. According to an example, the heating member 282 may be provided to the electrostatic chuck 240, and the cooling member 284 may be provided to the base 220.

가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100) 내부로 공정가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 유입 포트(330)를 포함한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(310)와 가스 유입 포트(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(310)에 저장된 공정 가스를 가스 유입 포트(330)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 그 통로를 개폐하거나, 그 통로를 흐르는 유체의 유량을 조절하는 밸브(322)가 설치될 수 있다.The gas supply unit 300 supplies process gas into the process chamber 100. The gas supply unit 300 includes a gas storage unit 310, a gas supply line 320, and a gas inlet port 330. The gas supply line 320 connects the gas storage unit 310 and the gas inlet port 330. The gas supply line 320 supplies the process gas stored in the gas storage unit 310 to the gas inlet port 330. The gas supply line 320 may be provided with a valve 322 that opens or closes the passage or regulates the flow rate of the fluid flowing through the passage.

플라즈마 생성 유닛(400)은 방전 공간(102)에 머무르는 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시킨다. 방전 공간(102)은 공정 챔버(100) 내에서 지지 유닛(200)의 상부 영역에 해당된다. 플라즈마 생성 유닛(400)은 용량 결합형 플라즈마(capacitive coupled plasma) 소스를 가질 수 있다. The plasma generating unit 400 generates plasma from the process gas staying in the discharge space 102. The discharge space 102 corresponds to the upper region of the support unit 200 within the process chamber 100. The plasma generation unit 400 may have a capacitive coupled plasma source.

플라즈마 생성 유닛(400)은 상부 전극(420), 하부 전극(440), 그리고 고주파 전원(460)을 가진다. 상부 전극(420)과 하부 전극(440)은 서로 상하 방향으로 대향되게 제공된다. 상부 전극(420)은 샤워 헤드(422) 및 링 부재(424)를 가진다. 샤워 헤드(422)는 정전 척(240)과 대향되게 위치되고, 정전 척(240)보다 큰 직경으로 제공될 수 있다. 샤워 헤드(422)에는 가스를 분사하는 홀들(422a)이 형성된다. 링 부재(424)는 샤워 헤드(422)를 감싸도록 제공된다. 링 부재(424)는 샤워 헤드(422)와 전기적으로 연결되도록 샤워 헤드(422)에 접촉되게 제공될 수 있다. 링 부재(424)는 샤워 헤드(422)에 밀착되게 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 샤워 헤드(422)는 실리콘으로 제공될 수 있다. 선택적으로 샤워 헤드(422)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 링 부재(424)는 샤워 헤드(422)와 동일한 재질로 제공될 수 있다. 하부 전극(440)은 정전 척(240) 내에 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 상부 전극(420)은 접지(429)되고, 하부 전극(440)에는 고주파 전원(460)이 연결될 수 있다. 선택적으로 상부 전극(420)에 고주파 전원(460)이 연결되고 하부 전극(440)이 접지될 수 있다. 또한, 선택적으로 상부 전극(420) 및 하부 전극(440) 모두에 고주파 전원(460)이 연결될 수 있다. 일 예에 의하면, 고주파 전원(460)은 상부 전극(420) 또는 하부 전극(440)에 연속적으로 전력을 인가하거나 펄스로 전력을 인가할 수 있다. The plasma generating unit 400 has an upper electrode 420, a lower electrode 440, and a high frequency power supply 460. The upper electrode 420 and the lower electrode 440 are provided to face each other in the vertical direction. The upper electrode 420 has a shower head 422 and a ring member 424. The shower head 422 is positioned opposite the electrostatic chuck 240 and may be provided with a larger diameter than the electrostatic chuck 240. Holes 422a for spraying gas are formed in the shower head 422. The ring member 424 is provided to surround the shower head 422. The ring member 424 may be provided in contact with the shower head 422 to be electrically connected to the shower head 422. The ring member 424 may be provided in close contact with the shower head 422. According to an example, the shower head 422 may be made of silicon. Optionally, the shower head 422 may be made of a metal material. The ring member 424 may be made of the same material as the shower head 422. The lower electrode 440 may be provided in the electrostatic chuck 240. According to an example, the upper electrode 420 is grounded 429, and the high frequency power source 460 can be connected to the lower electrode 440. Optionally, a high frequency power source 460 is connected to the upper electrode 420 and the lower electrode 440 can be grounded. In addition, a high-frequency power source 460 may be selectively connected to both the upper electrode 420 and the lower electrode 440. According to an example, the high-frequency power source 460 may continuously apply power to the upper electrode 420 or the lower electrode 440 or may apply power with a pulse.

플라즈마 경계 제한 유닛(plasma boundary limiter unit, 500)은 링 형상을 가지며, 방전 공간(102)을 감싸도록 제공된다. 플라즈마 경계 제한 유닛(500)은 플라즈마가 방전 공간(102)에서 그 외측으로 빠져나가는 것을 억제한다. 플라즈마 경계 제한 유닛(500)은 제 1 바디(520)와 제 2 바디(540)를 가진다. The plasma boundary limiter unit 500 has a ring shape and is provided to surround the discharge space 102. The plasma boundary limiting unit 500 suppresses the plasma from escaping outward from the discharge space 102. The plasma boundary limiting unit 500 has a first body 520 and a second body 540.

도 2와 도 3은 플라즈마 경계 제한 유닛(500)의 일 예를 보여주는 사시도이다. 도 2는 제 1 바디(520)와 제 2 바디(540)가 동일 높이에 위치된 상태를 보여주고, 도 3은 제 1 바디(520)와 제 2 바디(540)가 상이한 높이에 위치된 상태를 보여준다. 도 2와 도 3을 참조하면, 제 1 바디(520)와 제 2 바디(540)는 서로 조합되어 링 형상을 가진다. 기판(W)이 원판 형상의 반도체 웨이퍼인 경우, 제 1 바디(520)와 제 2 바디(540)는 서로 조합되어 환형으로 제공될 수 있다. 공정 챔버(100) 내에서 제 2 바디(540)는 기판(W)이 출입되는 개구(104)와 대향되는 영역에 제공된다. 제 1 바디(520)와 제 2 바디(540)는 각각 호 형상을 가진다. 제 1 바디(520)는 제 2 바디(540)에 비해 중심각이 더 크게 제공된다. 2 and 3 are perspective views showing an example of the plasma boundary limiting unit 500. FIG. 2 shows a state in which the first body 520 and the second body 540 are positioned at the same height, and FIG. 3 shows a state in which the first body 520 and the second body 540 are located at different heights. Shows. 2 and 3, the first body 520 and the second body 540 are combined with each other to have a ring shape. When the substrate W is a disk-shaped semiconductor wafer, the first body 520 and the second body 540 may be combined with each other to be provided in an annular shape. The second body 540 in the process chamber 100 is provided in an area opposite to the opening 104 through which the substrate W enters and exits. The first body 520 and the second body 540 each have an arc shape. The first body 520 is provided with a larger center angle than the second body 540.

제 1 바디(520)와 상기 제 2 바디(540)는 각각 링의 일부로서 제공되는 링체(562)와 이에 결합되는 복수의 플레이트(564)를 포함한다. 링체(562)는 호 형상으로 라운드진 로드 형상을 가지며, 대체로 동일 평면 상에 제공될 수 있다. 플레이트(564)는 링체(562)의 저면에 아래 방향으로 돌출되게 제공될 수 있다. 플레이트(564)는 직사각의 얇은 판 형상을 가질 수 있다. 플레이트(564)는 길이 변(L), 폭 변(W), 그리고 높이 변(H)을 가진다. 플레이트(564)의 길이 변(L)은 대체로 링체(562)의 반경 방향에 평행하게 제공된다. 플레이트(564)의 폭 변(W)은 상부에서 바라볼 때 대체로 링체(562)의 반경 방향에 수직하게 제공된다. 플레이트(564)의 높이 변(H)은 대체로 링체(562)에 수직하게 상하 방향으로 제공된다. 플레이트(564)의 길이 변(L)은 플레이트(564)의 폭 변(W)보다 길게 제공된다. 플레이트(564)의 폭은 플레이트(564)의 길이 방향을 따라 동일하게 제공될 수 있다. The first body 520 and the second body 540 each include a ring body 562 provided as part of the ring and a plurality of plates 564 coupled thereto. The ring body 562 has a rod shape rounded in an arc shape, and may be provided on the same plane. The plate 564 may be provided to protrude downwardly on the bottom surface of the ring body 562. The plate 564 may have a rectangular thin plate shape. The plate 564 has a length side (L), a width side (W), and a height side (H). The length side L of the plate 564 is generally provided parallel to the radial direction of the ring body 562. The width side W of the plate 564 is generally provided perpendicular to the radial direction of the ring body 562 when viewed from the top. The height side H of the plate 564 is generally provided in the vertical direction perpendicular to the ring body 562. The length side L of the plate 564 is provided longer than the width side W of the plate 564. The width of the plate 564 may be provided equally along the length direction of the plate 564.

플레이트(564)는 복수 개 제공된다. 플레이트들(564)은 서로 동일한 형상 및 크기를 가진다. 플레이트들(564)은 링체(562)의 반경 방향을 따라 서로 이격되게 제공된다. 인접하는 플레이트들(564) 사이에 제공된 공간은 방전 공간(102) 내의 가스가 배출되는 통로로 제공된다. 플레이트들(564) 간의 간격은 대체로 서로 동일하게 제공될 수 있다. 플레이트들(564) 간의 간격은 방전 공간(102) 내 플라즈마가 플레이트들(564) 사이에 제공된 공간을 통해 빠져 나가는 것을 억제할 수 있는 크기로 제공될 수 있다. 본 발명의 도면들에서 플레이트들 간의 간격은 실제보다 과장되어 도시되었다. A plurality of plates 564 are provided. The plates 564 have the same shape and size as each other. The plates 564 are provided spaced apart from each other along the radial direction of the ring body 562. The space provided between adjacent plates 564 is provided as a passage through which gas in the discharge space 102 is discharged. The spacing between the plates 564 may be provided substantially equal to each other. The spacing between the plates 564 may be provided in a size that can inhibit the plasma in the discharge space 102 from escaping through the space provided between the plates 564. In the drawings of the present invention, the spacing between the plates is shown exaggerated than actual.

플레이트(564)의 하단은 지지 유닛(200)의 상면과 동일한 높이 또는 이와 인접한 높이에 위치될 수 있다. 예컨대, 플레이트(564)의 하단은 절연 링(264)의 상면과 동일한 높이 또는 이와 인접한 높이에 위치될 수 있다. 선택적으로 플레이트(564)의 하단은 지지 유닛(200)보다 높게 제공될 수 있다.The lower end of the plate 564 may be positioned at the same height as the upper surface of the support unit 200 or a height adjacent thereto. For example, the lower end of the plate 564 may be positioned at the same height as or adjacent to the upper surface of the insulating ring 264. Optionally, the lower end of the plate 564 may be provided higher than the support unit 200.

도 1의 실시예에 의하면, 인접하는 플레이트들(564) 사이의 공간은 반경 방향 및 아래 방향으로 각각 개방되어 있다. 따라서 방전 공간(102)으로부터 플레이트들(564) 사이의 공간으로 유입된 가스의 일부는 링체(562)의 반경 방향을 따라 흘러 플레이트(564) 외부로 배출된다. 또한 가스의 다른 일부는 플레이트들(564) 사이의 공간에서 아래 방향을 따라 흘러 플레이트(564) 외부로 배출될 수 있다. 따라서 복수의 링이 상하로 이격되게 적층된 일반적인 컨파인먼트 링에 비해 가스가 더 원활하게 배기될 수 있다. According to the embodiment of FIG. 1, the space between adjacent plates 564 is opened in the radial direction and the downward direction, respectively. Therefore, a part of the gas introduced into the space between the plates 564 from the discharge space 102 flows along the radial direction of the ring body 562 and is discharged to the outside of the plate 564. In addition, other portions of the gas may flow out along the downward direction in the space between the plates 564 and be discharged out of the plate 564. Therefore, the gas can be more smoothly exhausted than a general confinement ring in which a plurality of rings are spaced apart vertically.

또한, 기판(W)은 공정 챔버(100)의 외부에서 개구(104)를 통해 공정 챔버(100) 내 방전 공간(102)으로 유입되고, 승·하강 가능하게 제공된 리프트 핀(170)에 놓여진 후, 리프트 핀(170)의 하강에 의해 지지 유닛(200)에 놓인다. 제 1 바디(520)와 제 2 바디(540)는 서로 간에 결합된 상태에서 링 형상을 가지므로, 기판(W)의 이동 경로를 간섭한다. In addition, the substrate W is introduced into the discharge space 102 in the process chamber 100 through the opening 104 from the outside of the process chamber 100, and is placed on the lift pin 170 provided to be raised and lowered. , Is placed on the support unit 200 by the lowering of the lift pin 170. Since the first body 520 and the second body 540 have a ring shape while being coupled to each other, they interfere with the movement path of the substrate W.

본 실시예에서, 제 2 바디(540)와 제 1 바디(520)는 상대 높이가 변화 가능하게 제공된다. 예컨대, 제 1 바디(520)는 공정 챔버(100) 내에 고정 설치되고, 제 2 바디(540)는 상하 방향으로 이동 가능하게 제공될 수 있다. 기판(W)이 개구(104)를 통해 이동시에 도 3과 같이 제 2 바디(540)는 기판(W)의 이동 경로를 간섭하지 않도록 위치되고, 공정 진행시에는 도 2와 같이 제 1 바디(520)와 결합되도록 위치된다. In this embodiment, the second body 540 and the first body 520 are provided with a relative height changeable. For example, the first body 520 is fixedly installed in the process chamber 100, and the second body 540 may be provided to be movable in the vertical direction. When the substrate W moves through the opening 104, the second body 540 is positioned so as not to interfere with the movement path of the substrate W, as shown in FIG. 3, and when the process is in progress, the first body ( 520).

도 4는 도 1의 플라즈마 경계 제한 유닛(500)과 도어 어셈블리(140)와의 결합 상태를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 4를 참조하면, 제 2 바디(540)는 도어 어셈블리(140)에 고정 결합되어 도어 어셈블리(140)와 함께 상하 방향으로 이동될 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 바디(540)는 내측 도어(144)에 고정 결합된다. 이 경우, 제 2 바디(540)를 구동하기 위한 별도의 구동기 없이, 도어 구동기(148)에 의해 도어 어셈블리(140)와 제 2 바디(540)가 같이 이동될 수 있다. 개구(104)가 도어 어셈블리(140)에 의해 닫힌 상태에서 제 2 바디(540)는 대체로 제 1 바디(520)와 동일 높이에 위치되고, 개구(104)가 도어 어셈블리(140)에 의해 열린 상태에서 제 2 바디(540)는 제 1 바디(520)와 다른 높이에 위치된다. 예컨대, 개구(104)가 열린 상태에서 제 2 바디(540)는 제 1 바디(520)보다 낮은 높이에 위치될 수 있다.4 is a plan view schematically showing a coupling state between the plasma boundary limiting unit 500 and the door assembly 140 of FIG. 1. Referring to FIG. 4, the second body 540 is fixedly coupled to the door assembly 140 and moved together with the door assembly 140 in the vertical direction. According to an example, the second body 540 is fixedly coupled to the inner door 144. In this case, the door assembly 140 and the second body 540 may be moved together by the door driver 148 without a separate driver for driving the second body 540. With the opening 104 closed by the door assembly 140, the second body 540 is generally positioned flush with the first body 520, and the opening 104 is opened by the door assembly 140. In the second body 540 is located at a different height from the first body 520. For example, while the opening 104 is open, the second body 540 may be positioned at a lower height than the first body 520.

또한, 플라즈마 경계 제한 유닛(500)은 상부 전극(420)과 전기적으로 연결되도록 상부 전극(420)에 접촉되도록 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 제 1 바디(510)의 상면은 링 부재(424)의 하면에 접촉되도록 제공될 수 있다. 플라즈마 경계 제한 유닛(500)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면 플라즈마 경계 제한 유닛(500)은 상부 전극(420)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 플라즈마 경계 제한 유닛(500)은 실리콘 또는 금속 재질로 제공될 수 있다. 이 경우, 플라즈마 경계 제한 유닛(500)은 상부 전극(420)과 유사한 기능을 수행할 수 있다. 플라즈마 경계 제한 유닛(500)과 상부 전극(420)의 면적의 합은 하부 전극의 면적보다 더 크게 제공되므로, 하부 전극(440)과 인접한 영역에 플라즈마가 더욱 집중된다. 이로 인해 기판의 식각률이 향상된다.In addition, the plasma boundary limiting unit 500 may be provided to contact the upper electrode 420 to be electrically connected to the upper electrode 420. According to an example, the upper surface of the first body 510 may be provided to contact the lower surface of the ring member 424. The plasma boundary limiting unit 500 may be made of a conductive material. According to an example, the plasma boundary limiting unit 500 may be made of the same material as the upper electrode 420. For example, the plasma boundary limiting unit 500 may be made of silicon or metal. In this case, the plasma boundary limiting unit 500 may perform a function similar to that of the upper electrode 420. Since the sum of the areas of the plasma boundary limiting unit 500 and the upper electrode 420 is larger than the area of the lower electrode, plasma is more concentrated in an area adjacent to the lower electrode 440. This improves the etch rate of the substrate.

다른 실시예에 의하면, 플라즈마 경계 제한 유닛(500)은 절연 재질로 제공될 수 있다. 예컨대 플라즈마 경계 제한 유닛(500)은 석영(quartz)으로 제공될 수 있다. 또한, 플라즈마 경계 제한 유닛(500)은 상부 전극(420)과 이격되게 제공될 수 있다.According to another embodiment, the plasma boundary limiting unit 500 may be provided with an insulating material. For example, the plasma boundary limiting unit 500 may be provided in quartz. Also, the plasma boundary limiting unit 500 may be provided to be spaced apart from the upper electrode 420.

도 5 내지 도 8은 도 1의 기판 처리 장치(10)를 이용하여 공정을 수행하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다. 도 1의 기판 처리 장치(10)에서 기판(W)을 처리하는 방법의 일 예는 다음과 같다. 먼저, 도 5와 같이 도어 어셈블리(140)가 아래 방향으로 이동되어 공정 챔버(100)의 개구(104)가 열리면 이와 동시에 제 2 바디(540)는 제 1 바디(520)의 아래로 이동된다. 도 6과 같이 기판(W)을 반송하는 반송 부재(190)에 의해 기판(W)은 개구(104) 및 플라즈마 경계 제한 유닛(500)을 통해 방전 공간(102)으로 유입된다. 도 7과 같이 기판(W)은 지지 유닛(200)에 안착되고, 이와 함께 반송 부재(190)가 공정 챔버(100) 외부로 이동된다. 도 8과 같이 도어 어셈블리(140)가 위 방향으로 이동되어 공정 챔버(100)의 개구(104)가 닫히면, 이와 동시에 제 2 바디(540)는 제 1 바디(520)와 결합되어 플라즈마 경계 제한 유닛(500)은 전체적으로 링 형상을 이룬다. 이 상태에서, 공정 가스가 방전 공간(102) 내로 공급되고, 방전 공간(102) 내에서 플라즈마가 발생되며, 플라즈마에 의해 기판(W)이 처리된다.5 to 8 are views sequentially showing a process of performing a process using the substrate processing apparatus 10 of FIG. An example of a method of processing the substrate W in the substrate processing apparatus 10 of FIG. 1 is as follows. First, as illustrated in FIG. 5, when the door assembly 140 is moved downward and the opening 104 of the process chamber 100 is opened, at the same time, the second body 540 is moved under the first body 520. The substrate W is introduced into the discharge space 102 through the opening 104 and the plasma boundary limiting unit 500 by the conveying member 190 conveying the substrate W as shown in FIG. 6. As shown in FIG. 7, the substrate W is mounted on the support unit 200, and the transport member 190 is moved out of the process chamber 100 together with the substrate W. 8, when the door assembly 140 is moved upward and the opening 104 of the process chamber 100 is closed, at the same time, the second body 540 is combined with the first body 520 to limit the plasma boundary. 500 is a ring shape as a whole. In this state, process gas is supplied into the discharge space 102, plasma is generated in the discharge space 102, and the substrate W is processed by the plasma.

본 발명의 실시 예에 의하면, 플라즈마 경계 제한 유닛(500)이 제 1 바디(520)와 제 2 바디(540)로 분리되고 기판(W)의 출입시 제 2 바디(540)만 상하로 이동되므로 상하 이동에 걸리는 부하를 줄일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, since the plasma boundary limiting unit 500 is separated into the first body 520 and the second body 540 and only the second body 540 moves up and down when the substrate W enters and exits. The load on the vertical movement can be reduced.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 플라즈마 경계 제한 유닛(500)이 제 1 바디(520)와 제 2 바디(540)로 분리되고 제 2 바디(540)가 도어 어셈블리(140)에 결합되어 도어 어셈블리(140)와 함께 상하로 이동되므로 제 2 바디(540)의 이동을 위한 구동기를 추가로 제공할 필요가 없다. In addition, according to an embodiment of the present invention, the plasma boundary limiting unit 500 is separated into a first body 520 and a second body 540, and the second body 540 is coupled to the door assembly 140, thereby Since it is moved up and down together with the assembly 140, there is no need to additionally provide a driver for the movement of the second body 540.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 제 2 바디(540)의 이동이 도어 어셈블리(140)의 이동과 구조적으로 동시에 이루어지도록 제공되어 있으므로, 기판 처리 장치(10)의 제어가 더욱 간편하다. In addition, according to an embodiment of the present invention, since the movement of the second body 540 is provided to be performed simultaneously with the movement of the door assembly 140, the control of the substrate processing apparatus 10 is more convenient.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 개구(104)의 개폐와 제 2 바디(540)의 이동이 동시에 이루어지므로, 공정 챔버(100)로 기판(W)을 반입할 때부터 플라즈마 처리 후 공정 챔버(100)로부터 기판(W)을 반출할 때까지 소요되는 단계 또는 시간을 줄일 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, since opening and closing of the opening 104 and movement of the second body 540 are simultaneously performed, the process chamber after plasma treatment from the time the substrate W is brought into the process chamber 100 The step or time required until the substrate W is taken out from the 100 may be reduced.

도 9 내지 도 10은 각각 도 1의 기판 처리 장치(10)의 변형된 예를 보여준다. 도 9 내지 도 10의 기판 처리 장치(10a, 10b)에서 플라즈마 경계 제한 유닛(500a, 500b)은 대체로 도 1의 플라즈마 경계 제한 유닛(500)과 동일 또는 유사한 구조로 제공된다.9 to 10 show modified examples of the substrate processing apparatus 10 of FIG. 1, respectively. In the substrate processing apparatuses 10a and 10b of FIGS. 9 to 10, the plasma boundary limiting units 500a and 500b are generally provided with the same or similar structure to the plasma boundary limiting unit 500 of FIG. 1.

도 9의 기판 처리 장치(10a)에서 플라즈마 소스(400a)는 유도 결합형 플라즈마(inductively coupled plasma) 소스를 가진다. 플라즈마 소스(400a)는 공정 챔버(100a)의 외부에 배치되는 안테나(420a)를 가지고, 안테나(420a)에는 고주파 전원(460a)이 연결될 수 있다. 일 예에 의하면, 안테나(420a)는 공정 챔버(100a)의 상부에 제공될 수 있다. In the substrate processing apparatus 10a of FIG. 9, the plasma source 400a has an inductively coupled plasma source. The plasma source 400a has an antenna 420a disposed outside the process chamber 100a, and a high frequency power source 460a may be connected to the antenna 420a. According to an example, the antenna 420a may be provided on the upper portion of the process chamber 100a.

도 10의 기판 처리 장치(10b)에서 도어 어셈블리(140b)는 내측 도어 없이 외측 도어(142b) 만을 가진다. 이 경우 제 2 바디(540b)는 연결 부재(146b)에 의해 외측 도어(142b)에 직접 결합될 수 있다. In the substrate processing apparatus 10b of FIG. 10, the door assembly 140b has only the outer door 142b without the inner door. In this case, the second body 540b may be directly coupled to the outer door 142b by the connecting member 146b.

도 11 내지 도 22는 각각 플라즈마 경계 제한 유닛(500d~500j)의 다른 예를 보여주는 도면들이다. 도 11 내지 도 22의 각각의 플라즈마 경계 제한 유닛(500d~500k, 500m, 500n, 500p, 500q)은 도 1, 그리고 도 9 내지 도 10의 기판 처리 장치(500, 500a)에 제공될 수 있다. 11 to 22 are views showing another example of the plasma boundary limiting units 500d to 500j, respectively. Each plasma boundary limiting unit 500d to 500k, 500m, 500n, 500p, and 500q of FIGS. 11 to 22 may be provided to the substrate processing apparatuses 500 and 500a of FIGS. 1 and 9 to 10.

도 11의 플라즈마 경계 제한 유닛(500d)에서 플레이트(564d)는 도 1의 플레이트(564)에 비해 아래 방향으로 더 길게 제공된다. 플레이트(564d)의 하단은 지지 유닛(200d)의 상면보다 높게 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 바디(540d)가 아래 방향으로 이동된 상태에서 제 2 바디(540d)의 플레이트(564d)는 배기 홀(103)과 인접한 위치에 제공될 수 있다. 도 11의 플라즈마 경계 제한 유닛(500d) 사용시 플레이트(564d)가 높이 방향으로 길게 제공됨에 따라 플레이트들(564d) 사이에 제공된 공간 내에서 플레이트(564d)의 높이 방향을 따른 가스의 흐름이 방해되므로, 플라즈마가 플라즈마가 경계 제한 유닛의 외부로 빠져나가는 것을 더 효율적으로 방지할 수 있다.In the plasma boundary limiting unit 500d of FIG. 11, the plate 564d is provided longer in the downward direction than the plate 564 of FIG. 1. The lower end of the plate 564d may be provided higher than the upper surface of the support unit 200d. According to an example, the plate 564d of the second body 540d may be provided at a position adjacent to the exhaust hole 103 while the second body 540d is moved downward. When the plasma boundary limiting unit 500d of FIG. 11 is used, the flow of gas along the height direction of the plate 564d is hindered in the space provided between the plates 564d as the plate 564d is provided long in the height direction, Plasma can more effectively prevent the plasma from escaping out of the boundary limiting unit.

도 12의 플라즈마 경계 제한 유닛(500e)에서 제 1 바디(520e)와 제 2 바디(540e)는 각각 상하 방향으로 마주보는 2개의 링체(562e, 566e)를 가지고, 플레이트들(564e)은 링체들(562e, 566e) 사이에 제공될 수 있다. 이 경우, 방전 공간(102) 내의 플라즈마가 플레이트(564e)의 높이 방향을 따라 플라즈마 경계 제한 유닛(500e)의 외부로 빠져나가는 것을 더 효율적으로 방지할 수 있다.In the plasma boundary limiting unit 500e of FIG. 12, the first body 520e and the second body 540e each have two ring bodies 562e and 566e facing up and down, and the plates 564e are ring bodies. (562e, 566e). In this case, it is possible to more effectively prevent the plasma in the discharge space 102 from escaping out of the plasma boundary limiting unit 500e along the height direction of the plate 564e.

도 13의 플라즈마 경계 제한 유닛(500f)에서 각각의 플레이트(564f)는 높이 방향을 따라 굴곡진 형태를 가진다. 이 경우, 방전 공간(102f) 내의 플라즈마가 플레이트(564f)의 높이 방향을 따라 플라즈마 경계 제한 유닛(500f)의 외부로 빠져나가는 것을 더 효율적으로 방지할 수 있다.Each plate 564f in the plasma boundary limiting unit 500f of FIG. 13 has a curved shape along a height direction. In this case, it is possible to more effectively prevent the plasma in the discharge space 102f from escaping out of the plasma boundary limiting unit 500f along the height direction of the plate 564f.

도 14의 플라즈마 경계 제한 유닛(500g)에서 각각의 플레이트(564g)는 길이 방향을 따라 굴곡진 형태를 가진다. 이 경우, 방전 공간(102) 내의 플라즈마가 플레이트(564g)의 길이 방향을 따라 플라즈마 경계 제한 유닛(500g)의 외부로 빠져나가는 것을 더 효율적으로 방지할 수 있다.In the plasma boundary limiting unit 500g of FIG. 14, each plate 564g has a curved shape along the longitudinal direction. In this case, it is possible to more effectively prevent the plasma in the discharge space 102 from escaping out of the plasma boundary limiting unit 500g along the longitudinal direction of the plate 564g.

도 15의 플라즈마 경계 제한 유닛(500h)에서 플레이트(564h)의 폭은 플레이트(564h)의 길이 방향을 따라 방전 공간(102)에서 멀어지도록 두껍게 제공될 수 있다. 이로 인해, 인접하는 플레이트(564h)들 간의 간격은 반경 방향을 따라 동일하도록 제공된다. 이 경우, 도 1의 플라즈마 경계 제한 유닛(500)에 비해 방전 공간(102) 내의 플라즈마가 플레이트(564h)의 길이 방향을 따라 플라즈마 경계 제한 유닛(500h)의 외부로 빠져나가는 것을 더 효율적으로 방지할 수 있다.The width of the plate 564h in the plasma boundary limiting unit 500h of FIG. 15 may be provided thickly away from the discharge space 102 along the longitudinal direction of the plate 564h. Due to this, the spacing between adjacent plates 564h is provided to be equal along the radial direction. In this case, compared to the plasma boundary limiting unit 500 of FIG. 1, plasma in the discharge space 102 can be more efficiently prevented from escaping out of the plasma boundary limiting unit 500h along the longitudinal direction of the plate 564h. You can.

도 16의 플라즈마 경계 제한 유닛(500i)에서 플레이트(564i)의 폭은 플레이트(564i)의 높이에 따라 변경될 수 있다. 이로 인해 인접하는 플레이트(564i)들 간의 간격이 상하 방향으로 상이하게 제공된다. 이 경우 상부 전극(도 1의 420)과 인접한 영역과 하부 전극(도 1의 440)과 인접한 영역을 통해 방전 공간(102)으로부터 배기되는 가스의 량을 조절할 수 있다. 일 예에 의하면, 플레이트(564i)의 폭은 아래로 갈수록 점차적으로 두껍게 제공함으로써 방전 공간(102) 내 상부 영역에서 빠져나가는 플라즈마의 량을 줄일 수 있다. 선택적으로 도 17의 플라즈마 경계 제한 유닛(500j)과 같이 플레이트(564j)의 폭은 아래로 갈수록 단차지면서 두껍게 제공될 수 있다. 도 16과 도 17의 플라즈마 경계 제한 유닛(500i, 500j) 사용시, 기판(W)의 전체 영역에서 식각률을 향상시킬 수 있다. The width of the plate 564i in the plasma boundary limiting unit 500i of FIG. 16 may be changed according to the height of the plate 564i. Due to this, the gap between adjacent plates 564i is provided differently in the vertical direction. In this case, the amount of gas exhausted from the discharge space 102 may be adjusted through an area adjacent to the upper electrode (420 of FIG. 1) and an area adjacent to the lower electrode (440 of FIG. 1). According to an example, the width of the plate 564i may be gradually thickened toward the bottom, thereby reducing the amount of plasma exiting from the upper region in the discharge space 102. Optionally, as in the plasma boundary limiting unit 500j of FIG. 17, the width of the plate 564j may be provided thicker as it goes downward. When the plasma boundary limiting units 500i and 500j of FIGS. 16 and 17 are used, the etch rate can be improved in the entire region of the substrate W.

도 18의 플라즈마 경계 제한 유닛(500k)에서 원주 방향을 따라 플레이트들(564k)의 간격은 상이하게 제공될 수 있다. 이 경우, 기판(W)의 영역별로 식각률을 조절할 수 있다. 플레이트들(564k) 간의 간격이 좁게 제공된 영역과 인접한 영역에서 기판(W)의 식각률은 플레이트들(564k) 간의 간격이 상대적으로 넓게 제공된 영역과 인접한 영역에서 기판(W)의 식각률보다 높다. The spacing of the plates 564k along the circumferential direction in the plasma boundary limiting unit 500k of FIG. 18 may be provided differently. In this case, the etch rate may be adjusted for each region of the substrate W. The etch rate of the substrate W in an area adjacent to the area provided with a narrow gap between the plates 564k is higher than that of the substrate W in an area adjacent to the area provided with a relatively wide distance between the plates 564k.

도 19의 플라즈마 경계 제한 유닛(500m)에서 링체(520m)의 위치는 도 1과 상이하게 제공될 수 있다.예컨대, 도 19와 같이 링체(520m)는 플레이트들(540m)의 외측면 상단에 제공될 수 있다. 선택적으로 링체는 플레이트들의 내측면 상단에 제공될 수 있다.The position of the ring body 520m in the plasma boundary limiting unit 500m of FIG. 19 may be provided differently from that of FIG. 1. For example, as shown in FIG. 19, the ring body 520m is provided at the top of the outer surface of the plates 540m. Can be. Optionally, a ring body can be provided on top of the inner side of the plates.

도 20은 플라즈마 경계 제한 유닛(500n)에서 플레이트들을 결합시키는 결합부재는 링체 이외의 다른 구성으로 제공될 수 있다. 예컨대, 결합 부재는 인접하는 플레이트들(540n)을 연결하는 복수의 연결 로드(520n)로 제공될 수 있다. 연결 로드(520n)는 플레이트들(540n) 사이에 제공되며, 인접하는 플레이트들(540n)의 상단 영역에 결합될 수 있다.20, the coupling member for coupling the plates in the plasma boundary limiting unit 500n may be provided in a configuration other than the ring body. For example, the coupling member may be provided with a plurality of connecting rods 520n connecting adjacent plates 540n. The connecting rod 520n is provided between the plates 540n and may be coupled to the upper region of adjacent plates 540n.

도 21은 플라즈마 경계 제한 유닛(500p)의 또 다른 실시예를 보여주는 도면이다.21 is a view showing another embodiment of the plasma boundary limiting unit 500p.

도 21을 참조하면, 플라즈마 경계 제한 유닛(500p)은 복수의 플라즈마 경계 제한 링(510p) 및 브라켓(570p)을 가진다. 각각의 플라즈마 경계 제한 링(510p)은 대체로 도 3의 플라즈마 경계 제한 유닛(500)에서 링체(562)와 동일한 형상을 가진다. 즉, 각각의 플라즈마 경계 제한 링(510p)은 제 1 바디(520p)와 제 2 바디(540p)를 가지고, 도 3의 플레이트(564)는 도 21의 플라즈마 경계 제한 유닛(500p)에는 제공되지 않는다. Referring to FIG. 21, the plasma boundary limiting unit 500p has a plurality of plasma boundary limiting rings 510p and brackets 570p. Each plasma boundary limiting ring 510p generally has the same shape as the ring body 562 in the plasma boundary limiting unit 500 of FIG. 3. That is, each plasma boundary limiting ring 510p has a first body 520p and a second body 540p, and the plate 564 of FIG. 3 is not provided to the plasma boundary limiting unit 500p of FIG. 21. .

복수의 플라즈마 경계 제한 링(510p)은 대체로 서로 동일한 형상을 가진다. 복수의 플라즈마 경계 제한 링(510p)은 서로 상하 방향으로 일정 거리 이격되게 제공된다. 인접하는 플라즈마 경계 제한 링들(510p) 사이의 간격은 방전 공간(102) 내 가스가 빠져나가는 통로로서 제공된다. 일 예에 의하면 플라즈마 경계 제한 링(510p)은 3개가 제공될 수 있다. 그러나 플라즈마 경계 제한 링(510p)의 수는 이에 한정되지 않는다. 플라즈마 경계 제한 링들(510p)의 제 2 바디(540p)는 브라켓(570p)에 의해 서로 결합된다. 브라켓(570p)은 도 1과 같이 도어 어셈블리(도 1의 140)에 고정결합될 수 있다. The plurality of plasma boundary limiting rings 510p have substantially the same shape as each other. The plurality of plasma boundary limiting rings 510p are provided to be spaced apart from each other by a predetermined distance. The spacing between adjacent plasma boundary limiting rings 510p serves as a passage through which gas in the discharge space 102 escapes. According to an example, three plasma boundary limiting rings 510p may be provided. However, the number of plasma boundary limiting rings 510p is not limited thereto. The second body 540p of the plasma boundary limiting rings 510p is coupled to each other by a bracket 570p. The bracket 570p may be fixedly coupled to the door assembly (140 in FIG. 1) as shown in FIG. 1.

도 22는 플라즈마 경계 제한 유닛(500q)의 또 다른 실시예를 보여주는 도면이다. 앞의 실시예들에서 플라즈마 경계 제한 유닛의 링체는 서로 분리 가능한 제 1 바디와 제 2 바디를 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 도 22와 같이 플라즈마 경계 제한 유닛(500q)에서 링체(520q)는 일체로 제공될 수 있다. 이 경우, 플라즈마 경계 제한 유닛(500q)은 전체가 상하 방향으로 이동된다. 상하 방향으로 이동은 도 1과 같이 링체가 도어 어셈블리와 결합되어 도어 어셈블리와 함께 도어 구동기에 의해 이동될 수 있다. 또한, 도 11 내지 도 21의 플라즈마 경계 제한 유닛에서도 링체 또는 플라즈마 경계 제한 링은 제 1 바디와 제 2 바디로 분리되지 않고 일체로 제공될 수 있다.22 is a view showing another embodiment of the plasma boundary limiting unit 500q. In the above embodiments, the ring body of the plasma boundary limiting unit has been described as having a first body and a second body separable from each other. However, unlike this, as illustrated in FIG. 22, the ring body 520q may be integrally provided in the plasma boundary limiting unit 500q. In this case, the entire plasma boundary limiting unit 500q is moved in the vertical direction. As shown in FIG. 1, the vertical movement of the ring body is coupled to the door assembly, and the door assembly may move together with the door assembly. In addition, even in the plasma boundary limiting units of FIGS. 11 to 21, the ring body or the plasma boundary limiting ring may be provided integrally without being separated into a first body and a second body.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the claims below, and all technical spirits within the scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100 : 공정 챔버 140 : 도어 어셈블리
520 : 제 1 바디 540 : 제 2 바디
562 : 링체 564 : 플레이트
200 : 지지 유닛 300 : 가스 공급 유닛
400 : 플라즈마 발생 유닛 500 : 플라즈마 경계 제한 유닛100: process chamber 140: door assembly
520: first body 540: second body
562: ring body 564: plate
200: support unit 300: gas supply unit
400: plasma generation unit 500: plasma boundary limit unit

Claims (10)

기판이 출입되는 개구가 형성되고, 상기 개구를 개폐하는 도어 어셈블리를 가지는 공정 챔버와;
상기 공정 챔버 내에 위치되며 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 공정 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성 유닛과;
상기 공정 챔버 내에서 상기 지지 유닛의 상부에 위치된 방전 공간을 감싸도록 제공되어, 상기 방전 공간으로부터 플라즈마가 빠져나가는 것을 최소화하는 플라즈마 경계 제한 유닛(plasma boundary limiter unit)을 포함하되,
상기 플라즈마 경계 제한 유닛은 상기 도어 어셈블리에 결합되어, 상기 도어 어셈블리와 함께 상하 방향으로 이동되고,
상기 지지 유닛은,
공정 진행 중 기판을 공정 온도로 유지하도록 하는 가열 부재 또는 냉각 부재를 포함하고,
상기 플라즈마 경계 제한 유닛은,
제 1 바디와;
상기 공정 챔버 내에서 상기 제 1 바디에 대해 상하로 이동 가능하게 제공되는 제 2 바디를 포함하고,
상기 제 1 바디와 상기 제 2 바디는 서로 조합되어 링 형상을 가지고,
상기 제 1 바디와 상기 제 2 바디는 각각,
상기 링의 일부로서 제공되는 링체와,
상기 링체의 일면에 제공되는 복수의 플레이트를 포함하되,
상기 방전 공간 내 가스가 인접하는 상기 플레이트들 사이에 제공된 통로를 통해 상기 방전 공간의 외부로 흐르도록 상기 복수의 플레이트들은 상기 링체의 길이 방향을 따라 서로 이격되는 기판 처리 장치.A process chamber having an opening through which the substrate enters and exits, and having a door assembly that opens and closes the opening;
A support unit positioned in the process chamber and supporting a substrate;
A gas supply unit supplying a process gas into the process chamber;
A plasma generating unit that generates plasma from the process gas;
It is provided to surround the discharge space located on the upper portion of the support unit in the process chamber, including a plasma boundary limiter unit (plasma boundary limiter unit) to minimize the escape of the plasma from the discharge space,
The plasma boundary limiting unit is coupled to the door assembly, is moved in the vertical direction with the door assembly,
The support unit,
It includes a heating member or a cooling member to maintain the substrate at the process temperature during the process,
The plasma boundary limit unit,
A first body;
A second body provided to be movable up and down relative to the first body in the process chamber,
The first body and the second body are combined with each other to have a ring shape,
The first body and the second body, respectively,
A ring body provided as part of the ring,
It includes a plurality of plates provided on one surface of the ring body,
The plurality of plates are spaced apart from each other along the longitudinal direction of the ring body so that gas in the discharge space flows out of the discharge space through a passage provided between adjacent plates. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 바디와 상기 제 2 바디는 서로 조합되어 환형의 링 형상을 이루는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The substrate processing apparatus of the first body and the second body are combined with each other to form an annular ring shape. 삭제delete 삭제delete 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 플라즈마 경계 제한 유닛은 도전성 재질로 제공되고,
상기 플라즈마 경계 제한 유닛은 전력을 인가하는 고주파 전원과 연결되는 상부 전극과 전기적으로 연결되도록 상기 상부 전극에 접촉되게 설치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 4,
The plasma boundary limiting unit is made of a conductive material,
The plasma boundary limiting unit is a substrate processing apparatus installed to be in contact with the upper electrode to be electrically connected to the upper electrode connected to the high-frequency power supply for applying power. 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
링으로 제공되는 플라즈마 경계 제한 유닛을 제공하여 공정 챔버 내에 플라즈마가 방전되는 방전 공간을 제한하되
상기 플라즈마 경계 제한 유닛은 상기 공정 챔버로 기판이 출입되는 개구를 개폐하는 도어 어셈블리와 결합되어, 상기 기판이 상기 공정 챔버로 출입시 상기 기판의 이동 경로를 방해하지 않도록 상기 도어 어셈블리의 상하 이동과 함께 상기 플라즈마 경계 제한 유닛도 상하 이동되고,
상기 플라즈마 경계 제한 유닛은,
제 1 바디와;
상기 공정 챔버 내에서 상기 제 1 바디에 대해 상하로 이동 가능하게 제공되는 제 2 바디를 포함하고,
상기 도어 어셈블리는 상기 제 2 바디와 결합되고,
상기 제 1 바디와 상기 제 2 바디 각각은,
상기 링의 일부로서 제공되는 링체와,
상기 링체의 일면에 제공되는 복수의 플레이트를 포함하며,
상기 방전 공간 내 가스는 인접하는 상기 플레이트들 사이에 제공된 통로를 통해 상기 방전 공간의 외부로 흐르는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate using plasma,
A plasma boundary limiting unit provided as a ring is provided to limit the discharge space in which plasma is discharged in the process chamber.
The plasma boundary limiting unit is coupled with a door assembly that opens and closes an opening through which the substrate enters and exits the process chamber, so that when the substrate enters and exits the process chamber, the substrate assembly moves up and down so as not to interfere with the movement path of the substrate. The plasma boundary limit unit is also moved up and down,
The plasma boundary limit unit,
A first body;
A second body provided to be movable up and down relative to the first body in the process chamber,
The door assembly is coupled to the second body,
Each of the first body and the second body,
A ring body provided as part of the ring,
It includes a plurality of plates provided on one surface of the ring body,
The gas in the discharge space is a substrate processing method that flows out of the discharge space through a passage provided between adjacent plates. 제 8 항에 있어서,
상기 기판을 지지하는 지지 유닛이 가지는 냉각 부재 또는 가열 부재에 의해 공정 진행 중 상기 기판을 공정 온도로 유지하는 기판 처리 방법.The method of claim 8,
A substrate processing method for maintaining the substrate at a process temperature during a process by a cooling member or a heating member of the support unit supporting the substrate. 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9958782B2 (en) * 2016-06-29 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake
KR20190046327A (en) 2017-10-26 2019-05-07 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000030896A (en) 1998-07-10 2000-01-28 Anelva Corp Plasma confining device
KR100884414B1 (en) 2001-05-16 2009-02-19 램 리서치 코포레이션 Hollow anode plasma reactor and method
JP2012028682A (en) 2010-07-27 2012-02-09 Mitsubishi Electric Corp Plasma device and method of producing semiconductor thin film by using it

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6553932B2 (en) * 2000-05-12 2003-04-29 Applied Materials, Inc. Reduction of plasma edge effect on plasma enhanced CVD processes
KR20040107692A (en) * 2003-06-09 2004-12-23 주성엔지니어링(주) Slot Valve Assembly Having Plasma Shield
KR20050062751A (en) * 2003-12-22 2005-06-27 어댑티브프라즈마테크놀로지 주식회사 Chamber apparatus having double doors gate valve
KR100719806B1 (en) * 2005-07-04 2007-05-18 주식회사 아이피에스 Dry etcher
JP2009088298A (en) * 2007-09-29 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd Plasma treatment apparatus and plasma treatment method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000030896A (en) 1998-07-10 2000-01-28 Anelva Corp Plasma confining device
KR100884414B1 (en) 2001-05-16 2009-02-19 램 리서치 코포레이션 Hollow anode plasma reactor and method
JP2012028682A (en) 2010-07-27 2012-02-09 Mitsubishi Electric Corp Plasma device and method of producing semiconductor thin film by using it

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