KR102077402B1 - 전자식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 임피던스 매칭 회로 - Google Patents

전자식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 임피던스 매칭 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR102077402B1
KR102077402B1 KR1020180123798A KR20180123798A KR102077402B1 KR 102077402 B1 KR102077402 B1 KR 102077402B1 KR 1020180123798 A KR1020180123798 A KR 1020180123798A KR 20180123798 A KR20180123798 A KR 20180123798A KR 102077402 B1 KR102077402 B1 KR 102077402B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
variable capacitor
circuit
pin diode
switch
voltage
Prior art date
Application number
KR1020180123798A
Other languages
English (en)
Inventor
문건우
김건우
백재일
박무현
한정규
김재상
Original Assignee
한국과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술원 filed Critical 한국과학기술원
Priority to KR1020180123798A priority Critical patent/KR102077402B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102077402B1 publication Critical patent/KR102077402B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

전자식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 임피던스 매칭 회로가 제시된다. 본 발명에서 제안하는 전자식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 임피던스 매칭 회로는 제1 스위치 및 제2 스위치를 포함하는 PIN 다이오드 구동회로; 직렬 연결된 PIN 다이오드 및 가변 커패시터; 및 상기 직렬 연결된 PIN 다이오드 및 가변 커패시터와 PIN 다이오드 구동회로를 연결하는 인덕터를 포함하고, 상기 PIN 다이오드 구동회로는 전압 공급회로 및 온/오프 회로를 포함하고, 제1 스위치 및 제2 스위치를 온/오프 시켜주는 방식으로 제어된다.

Description

전자식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 임피던스 매칭 회로{Electric variable capacitor and impedance matching circuit}
본 발명은 전자식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 임피던스 매칭 회로에 관한 것이다.
반도체 공정 과정 중에 플라스마 에칭, 플라스마CVD 등의 목적을 위해 플라스마를 사용하게 된다. 플라스마는 진공 챔버에 소량의 가스를 주입하고 RF 에너지를 가해주는 방식을 통하여 생성하게 된다.
도 1은 종래기술에 따른 반도체 공정 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.
플라스마 챔버(130)의 임피던스는 가스의 양에 따라서 바뀌게 되고, RF 발생기(110)에서 플라스마 챔버로의 효율적인 파워 전달을 위해 임피던스 매칭 네트워크(120)가 요구되고 있다. 전체적인 시스템은 도 1과 같이 구성된다.
RF 발생기(110)의 시스템 임피던스는 50Ω으로 고정되어 있기 때문에 Zeq를 50Ω(50+0j)으로 맞추는 방향으로 동작하게 된다.
임피던스 매칭 회로(120)는 인덕터와 커패시터의 조합으로 이루어져 있고, 보통 가변 커패시터를 이용하여 임피던스를 조절한다. 현재 RF 매칭 네트워크에서 가장 많이 쓰이는 가변 커패시터는 VVC(Vacuum Variable Capacitor)이다. VVC는 같은 축을 가지는 2개의 금속링 사이의 거리를 조절하는 방법을 통해 커패시턴스를 조절하는 전자-기계식 가변 커패시터이다.
반도체 공정의 발달로 해가 지남에 따라 반도체 제작의 집적도가 올라가고 있다. 이에 따라 각각의 반도체 세부 공정 시간도 짧아지고 있고 현재는 5-6초 정도가 소요된다. 이 중에 VVC를 이용해 임피던스를 매칭하는데 걸리는 시간은 1-2초 정도로 상당히 많은 부분을 차지한다. VVC는 가변정보를 받아와 마이크로 프로세서를 통해 기계적으로 커패시턴스를 가변하기 때문에 커패시턴스 변화 시간을 줄이는 것에 한계가 있다. 따라서 반도체 세부 공정 시간을 짧게 만드는 것에 한계를 가져온다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 입력 커패시터에 걸리는 전압 스트레스를 감소시키고, PIN 다이오드 구동회로의 스위치 속도를 감소시기 위한 전자식 가변 커패시터 회로를 제안한다. 이러한 전자식 가변 커패시터 회로를 이용하여 커패시턴스 변화 시간을 줄임으로써 반도체 세부 공정 시간을 감소시키고자 한다.
일 측면에 있어서, 본 발명에서 제안하는 전자식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 임피던스 매칭 회로는 제1 스위치 및 제2 스위치를 포함하는 PIN 다이오드 구동회로; 직렬 연결된 PIN 다이오드 및 가변 커패시터; 및 상기 직렬 연결된 PIN 다이오드 및 가변 커패시터와 PIN 다이오드 구동회로를 연결하는 인덕터를 포함하고, 상기 PIN 다이오드 구동회로는 전압 공급회로 및 온/오프 회로를 포함하고, 제1 스위치 및 제2 스위치를 온/오프 시켜주는 방식으로 제어된다.
제1 스위치가 온 되면, PIN 다이오드를 도통 시킬 수 있도록 인덕터에 미리 정해진 크기의 DC 전류가 흐르고, 가변 커패시터에는 입력 커페시터와 동일한 전압이 걸린다.
제2 스위치가 온 되면, 인덕터와 가변 커패시터 사이의 전압이 미리 정해진 크기의 오프셋 전압을 갖는 사인 형태의 전압이 걸리고, PIN 다이오드는 오프되고, 블로킹 커패시터 역할을 하는 가변 커패시터를 지나면서 오프셋 전압이 제거되어 입력 커패시터에는 오프셋이 없는 사인 형태의 전압이 걸리게 되고 가변 커패시터 양단에는 DC 전압만이 걸린다.
PIN 다이오드를 도통 시킬 경우 등가 커패시턴스가 입력 커패시터와 가변 커패시터의 합으로 나타나고, PIN 다이오드를 단락시킬 경우 등가 커패시턴스가 입력 커패시터만으로 나타난다.
PIN 다이오드 구동회로는 스위칭 속도를 감소시키기 위해 MOSFET 스위치를 사용한다.
PIN 다이오드를 위한 전압 공급회로는 임피던스 매칭 시스템에서 주어지는 DC 전원을 이용하여 스텝-업(step-up) 컨버터로 구성된다.
RF 파워회로와 MOSFET 스위치가 분리되어 있어 노이즈를 감소시키고, 필터 사이즈의 감소가 가능하다.
본 발명의 실시예들에 따르면 입력 커패시터에 걸리는 전압 스트레스를 감소시킬 수 있고, PIN 다이오드 구동회로의 스위치 속도를 감소시킬 수 있으며, RF 파워회로와 MOSFET이 분리되어 있어 적은 노이즈로 인해 필터 사이즈를 작게 설계할 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 반도체 공정 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 종래기술에 따른 전자식 가변 커패시터 회로이다.
도 3은 종래기술에 따른 전자식 가변 커패시터 회로 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자식 가변 커패시터 회로이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자식 가변 커패시터 회로 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 캐패시턴스의 변화 시간 확인 실험 조건을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 캐패시턴스? 변화 시간 확인 실험결과이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 2는 종래기술에 따른 전자식 가변 커패시터 회로이다.
도 2에 나타낸 바와 같이 PIN 다이오드 유형(diode type) 전자식 가변 커패시터 회로는 PIN 다이오드, MOSFET, 오토커플러(optocoupler), 구동 회로, 수동 소자 등으로 구성 되어있다. PIN 다이오드는 자체적인 on/off 단자를 포함하고 있지 않기 때문에 외부에서 구동 회로를 꾸며서 동작 시켜주어야 한다. 따라서 바이어스 전압(Vbias)을 만들어 줄 수 있는 전압 공급회로와 이를 PIN 다이오드의 캐소드(cathode) 부분에 인가할지를 결정해주는 하프브리지 회로가 존재한다. PIN 다이오드는 하프 브리지 형태의 스위치 구조를 사용하여 on/off 시켜주고, 로우 사이드(low side)는 MOSFET을 사용하고 하이 사이드(high side)는 오토커플러를 사용한다.
도 3은 종래기술에 따른 전자식 가변 커패시터 회로 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 3(a)는 스위치 Q1이 턴-온 시의 등가회로이고, 도 3(b)는 스위치 Q2가 턴-온 시 등가회로이다.
도 3(a)와 같이 스위치 Q1이 켜졌을 때는 PIN 다이오드의 캐소드 부분이 -VPIN으로 연결되게 되어 PIN 다이오드가 순방향 바이어스 형태로 전압이 걸리게 되어 PIN 다이오드가 켜지게 되고, 도 3(b)와 같이 스위치 Q2가 켜졌을 때는 PIN 다이오드의 캐소드 부분에 VPIN이 인가되게 되면서 PIN 다이오드에 역방향 바이어스 형태로 전압이 걸리게 되어 PIN 다이오드가 꺼지게 된다.
이러한 기존 전자식 가변 커패시터 회로는 PIN 다이오드를 도통시킬 경우는 커패시턴스가 C1+Cvar로 보이게 되고, PIN 다이오드를 끄게 될 경우는 커패시턴스가 C1으로 보이게 동작하게 된다. 음의 방향으로도 전압을 인가하기 때문에 Q1, Q2의 전압 스트레스가 커진다는 문제점을 갖고 있다. 또한 가변 커패시터(Cvar)의 전압스트레스가 4VPIN만큼 높게 걸리므로 부피가 커질 수 있다는 단점도 갖고 있다. 오토커플러를 사용했을 경우에는 하이 사이드 게이트 드라이버가 따로 필요 없고 오토커플러를 구동할 수 있는 추가 전원이 필요하다. 오토커플러의 경우 스위칭 시간이 10us 정도로 기계식 가변 커패시터 보다는 빠른 스위칭 시간을 가지지만 MOSFET보다는 느린 스위칭 시간을 가진다는 특징을 가지고 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자식 가변 커패시터 회로이다.
제안하는 전자식 가변 커패시터 회로(410)는 도 4와 같다. 제안하는 전자식 가변 커패시터 회로(410)는 인덕터, PIN 다이오드, 가변 커패시터 그리고 PIN 다이오드 구동회로(420)로 이루어져 있다. PIN 다이오드 구동 회로 부분에서는 하이 사이드 스위치로 사용되었던 오토커플러가 MOSFET으로 바뀌었다. PIN 다이오드 구동 회로는 동일하게 전압 공급회로와 on/off회로로 나뉘어지고, 기존의 특허와 동일하게 스위치를 on/off 시켜주는 방식으로 제어하게 된다.
먼저 제1 스위치(Q1)이 켜진 경우를 살펴보면 PIN 다이오드를 항상 도통 시킬 수 있도록 인덕터(Lchoke)에 Ipeak만큼의 DC 전류가 흐르게 된다. 결과적으로 PIN 다이오드가 항상 도통될 수 있게 되고, 가변 커패시터(Cvar)에는 입력 커패시터(C1)과 동일한 전압이 걸리게 되고 결과적으로 등가 커패시턴스는 C1+Cvar이 된다.
제2 스위치(Q2)가 켜진 경우를 살펴보면 Lchoke의 voltage-second balance를 위해서 Lchoke와 Cvar 사이의 전압이 Vpeak만큼 오프셋을 갖는 사인(sine) 형태의 전압이 걸리게 된다. 따라서 PIN 다이오드의 캐소드(cathode)에 항상 양의 전압이 걸리기 때문에 PIN 다이오드가 꺼지게 된다. 블로킹(Blocking) 커패시터 역할을 하는 Cvar을 지나면서 오프셋 전압은 사라지기 때문에 C1에는 오프셋이 없는 사인 형태의 전압이 걸리게 되고 Cvar 양단에는 DC 전압만이 걸리게 된다. 결과적으로 등가 커패시턴스는 C1이 된다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자식 가변 커패시터 회로 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 5(a)는 제1 스위치(Q1)이 온일 경우를 나타내는 회로도이고, 도 5(b)는 제2 스위치(Q2)가 온일 경우를 나타내는 회로도이다.
제안하는 전자식 가변 커패시터 회로는 PIN 다이오드를 도통 시킬 경우는 커패시턴스가 C1+Cvar로 보이게 되고, PIN 다이오드를 끄게 될 경우는 커패시턴스가 C1으로 보이게 동작하게 된다. Cvar이 블로킹 커패시터로 동작하기도 하여 C1에 걸리는 전압 스트레스가 줄어든다는 장점을 가진다.
제안하는 회로는 PIN 다이오드를 구동 회로의 스위치로는 MOSFET을 사용하기 때문에 오토커플러(optocoupler)에 비해서 스위칭 속도가 빠르다는 장점을 가진다. 오토커플러가 스위칭하는데 1μs정도가 걸리는 것에 비해 MOSFET은 100ns 미만의 시간이 소요된다. 또한 VPIN를 만들기 위한 전압 공급회로는 임피던스 매칭 시스템에서 주어지는 24 VDC 전원을 이용해 스텝-업(step-up) 컨버터로 구성된다. Vbias는 도 5(b)의 V1의 피크 전압보다 높아야 하는 값으로 최대 입력 파워에 비례하여 커지게 된다. 또한 제안하는 회로는 RF 파워회로와 MOSFET이 분리되어 있기 때문에 적은 노이즈로 인해 필터 사이즈를 작게 설계할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 캐패시턴스의 변화 시간 확인 실험 조건을 설명하기 위한 도면이다.
도 6(a)는 커패시턴스의 변화시간 확인 실험을 위한 회로이고, 도 6(b)는 커패시턴스의 변화시간 중 소자 딜레이를 나타내는 도면이다.
PIN 다이오드 유형의 전자식 가변 커패시터 회로의 커패시턴스 변화 시간을 알아보기 위해 다음과 같이 실험을 진행하였다. 실험은 하나의 레그(leg)로 진행되었다. 도 6(a)는 실험을 진행한 회로를 나타낸다. 도 6(b)는 컨트롤러에서 시그널이 입력되었을 때 실제로 MOSFET이 on/off 동작을 하는 데까지 걸리는 시간을 추정한 것으로 약 10.13us가 걸린다. 커패시턴스의 가변시간은 MOSFET 턴-온으로부터 정상-상태(steady-state)에 도달하기까지 걸리는 시간이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 캐패시턴스? 변화 시간 확인 실험결과이다.
도 7(a)는 가변 커패시터가 off 에서 on 상태로 변할 때의 실험결과이고, 도 7(b)는 가변 커패시터가 on 에서 off 상태로 변할 때의 실험결과이다.
도 7(a)는 스위치를 턴-온시키는 경우이며 이때 커패시턴스의 가변시간은 약 5.7us이다. 이를 소자 딜레이까지 고려해서 생각해보면 커패시턴스의 가변시간은 5.7+10.13=15.83us이다. 또 도 7(b)에서는 스위치를 턴-오프시키는 경우이며 이때 커패시턴스의 가변시간은 7.7us이다. 이를 소자 딜레이까지 고려해서 생각해보면 커패시턴스의 가변시간은 7.7+10.13=17.83us이다.
이상에서 설명된 장치는 하드웨어 구성요소, 소프트웨어 구성요소, 및/또는 하드웨어 구성요소 및 소프트웨어 구성요소의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 실시예들에서 설명된 장치 및 구성요소는, 예를 들어, 프로세서, 콘트롤러, ALU(arithmetic logic unit), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor), 마이크로컴퓨터, FPA(field programmable array), PLU(programmable logic unit), 마이크로프로세서, 또는 명령(instruction)을 실행하고 응답할 수 있는 다른 어떠한 장치와 같이, 하나 이상의 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터를 이용하여 구현될 수 있다. 처리 장치는 운영 체제(OS) 및 상기 운영 체제 상에서 수행되는 하나 이상의 소프트웨어 애플리케이션을 수행할 수 있다.　 또한, 처리 장치는 소프트웨어의 실행에 응답하여, 데이터를 접근, 저장, 조작, 처리 및 생성할 수도 있다.　 이해의 편의를 위하여, 처리 장치는 하나가 사용되는 것으로 설명된 경우도 있지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는, 처리 장치가 복수 개의 처리 요소(processing element) 및/또는 복수 유형의 처리 요소를 포함할 수 있음을 알 수 있다.　 예를 들어, 처리 장치는 복수 개의 프로세서 또는 하나의 프로세서 및 하나의 콘트롤러를 포함할 수 있다.　 또한, 병렬 프로세서(parallel processor)와 같은, 다른 처리 구성(processing configuration)도 가능하다.
소프트웨어는 컴퓨터 프로그램(computer program), 코드(code), 명령(instruction), 또는 이들 중 하나 이상의 조합을 포함할 수 있으며, 원하는 대로 동작하도록 처리 장치를 구성하거나 독립적으로 또는 결합적으로(collectively) 처리 장치를 명령할 수 있다.　 소프트웨어 및/또는 데이터는, 처리 장치에 의하여 해석되거나 처리 장치에 명령 또는 데이터를 제공하기 위하여, 어떤 유형의 기계, 구성요소(component), 물리적 장치, 가상 장치(virtual equipment), 컴퓨터 저장 매체 또는 장치에 구체화(embody)될 수 있다.　 소프트웨어는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템 상에 분산되어서, 분산된 방법으로 저장되거나 실행될 수도 있다. 소프트웨어 및 데이터는 하나 이상의 컴퓨터 판독 가능 기록 매체에 저장될 수 있다.
실시예에 따른 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다.　 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다.　 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 실시예를 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다.　 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다.　 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다.　
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.　 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.

Claims (7)

  1. 제1 스위치 및 제2 스위치를 포함하는 PIN 다이오드 구동회로;
    직렬 연결된 PIN 다이오드 및 가변 커패시터; 및
    상기 직렬 연결된 PIN 다이오드 및 가변 커패시터와 PIN 다이오드 구동회로를 연결하는 인덕터
    를 포함하고,
    상기 PIN 다이오드 구동회로는 전압 공급회로 및 온/오프 회로를 포함하고, 제1 스위치 및 제2 스위치를 온/오프 시켜주는 방식으로 제어되고,
    제1 스위치가 온 되면, PIN 다이오드를 도통 시킬 수 있도록 인덕터에 미리 정해진 크기의 DC 전류가 흐르고, 가변 커패시터에는 입력 커페시터와 동일한 전압이 걸리는
    전자식 가변 커패시터 회로.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    제2 스위치가 온 되면, 인덕터와 가변 커패시터 사이의 전압이 미리 정해진 크기의 오프셋 전압을 갖는 사인 형태의 전압이 걸리고, PIN 다이오드는 오프되고, 블로킹 커패시터 역할을 하는 가변 커패시터를 지나면서 오프셋 전압이 제거되어 입력 커패시터에는 오프셋이 없는 사인 형태의 전압이 걸리게 되고 가변 커패시터 양단에는 DC 전압만이 걸리는
    전자식 가변 커패시터 회로.
  4. 제1항에 있어서,
    PIN 다이오드를 도통 시킬 경우 등가 커패시턴스가 입력 커패시터와 가변 커패시터의 합으로 나타나고,
    PIN 다이오드를 단락시킬 경우 등가 커패시턴스가 입력 커패시터만으로 나타나는
    전자식 가변 커패시터 회로.
  5. 제1항에 있어서,
    PIN 다이오드 구동회로는 스위칭 속도를 감소시키기 위해 MOSFET 스위치를 사용하는
    전자식 가변 커패시터 회로.
  6. 제1항에 있어서,
    PIN 다이오드를 위한 전압 공급회로는 임피던스 매칭 시스템에서 주어지는 DC 전원을 이용하여 스텝-업(step-up) 컨버터로 구성되는
    전자식 가변 커패시터 회로.
  7. 제1항에 있어서,
    RF 파워회로와 MOSFET 스위치가 분리되어 있어 노이즈를 감소시키고, 필터 사이즈의 감소가 가능한
    전자식 가변 커패시터 회로.
KR1020180123798A 2018-10-17 2018-10-17 전자식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 임피던스 매칭 회로 KR102077402B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180123798A KR102077402B1 (ko) 2018-10-17 2018-10-17 전자식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 임피던스 매칭 회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180123798A KR102077402B1 (ko) 2018-10-17 2018-10-17 전자식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 임피던스 매칭 회로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102077402B1 true KR102077402B1 (ko) 2020-02-13

Family

ID=69515248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180123798A KR102077402B1 (ko) 2018-10-17 2018-10-17 전자식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 임피던스 매칭 회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102077402B1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102346963B1 (ko) 2020-10-15 2022-01-07 전북대학교산학협력단 전자식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 반도체 공정 시스템
WO2023022489A1 (ko) * 2021-08-17 2023-02-23 전북대학교 산학협력단 전기식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 반도체 공정 시스템
WO2023128119A1 (ko) * 2021-12-29 2023-07-06 전북대학교 산학협력단 전기식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 반도체 공정 시스템
WO2023243840A1 (ko) * 2022-06-13 2023-12-21 전북대학교 산학협력단 임피던스 조정 회로
WO2024158631A1 (en) * 2023-01-25 2024-08-02 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling fast actuators in an impedance matching unit
WO2024210311A1 (ko) * 2023-04-07 2024-10-10 전북대학교산학협력단 전자식 가변 커패시터 기반의 임피던스 정합 회로 및 그를 포함하는 반도체 공정 시스템

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003532986A (ja) * 2000-04-28 2003-11-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プラズマ処理のためのパルス化されたｒｆ電力の供給
KR20160021953A (ko) * 2014-08-18 2016-02-29 주식회사 솔루엠 인덕턴스 가변 회로 및 그를 이용한 전원 공급 장치
JP2018082332A (ja) * 2016-11-17 2018-05-24 株式会社ダイヘン 駆動回路およびインピーダンス整合装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003532986A (ja) * 2000-04-28 2003-11-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プラズマ処理のためのパルス化されたｒｆ電力の供給
KR20160021953A (ko) * 2014-08-18 2016-02-29 주식회사 솔루엠 인덕턴스 가변 회로 및 그를 이용한 전원 공급 장치
JP2018082332A (ja) * 2016-11-17 2018-05-24 株式会社ダイヘン 駆動回路およびインピーダンス整合装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102346963B1 (ko) 2020-10-15 2022-01-07 전북대학교산학협력단 전자식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 반도체 공정 시스템
WO2023022489A1 (ko) * 2021-08-17 2023-02-23 전북대학교 산학협력단 전기식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 반도체 공정 시스템
KR20230026567A (ko) 2021-08-17 2023-02-27 전북대학교산학협력단 전기식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 반도체 공정 시스템
KR102706762B1 (ko) 2021-08-17 2024-09-13 전북대학교산학협력단 전기식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 반도체 공정 시스템
WO2023128119A1 (ko) * 2021-12-29 2023-07-06 전북대학교 산학협력단 전기식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 반도체 공정 시스템
KR20230101960A (ko) 2021-12-29 2023-07-07 전북대학교산학협력단 전기식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 반도체 공정 시스템
WO2023243840A1 (ko) * 2022-06-13 2023-12-21 전북대학교 산학협력단 임피던스 조정 회로
WO2024158631A1 (en) * 2023-01-25 2024-08-02 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling fast actuators in an impedance matching unit
WO2024210311A1 (ko) * 2023-04-07 2024-10-10 전북대학교산학협력단 전자식 가변 커패시터 기반의 임피던스 정합 회로 및 그를 포함하는 반도체 공정 시스템

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102077402B1 (ko) 전자식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 임피던스 매칭 회로
JP7556992B2 (ja) ナノ秒パルスを使用する任意波形の発生
JP5050062B2 (ja) インピーダンス整合特性を制御するために発生器の出力とプラズマ容器の入力との間に結合された制御されたインピーダンス・ネットワーク
US11211930B2 (en) Drive circuit and impedance matching device
JP5459884B2 (ja) イオンエネルギー分布を制御するための方法および装置
US10257889B2 (en) High-frequency heating device and method and apparatus for controlling power supply of the same
JP2006086121A (ja) Ｍｅｍｓスイッチングシステム
JP2014512765A (ja) ノーマリーオフ装置およびノーマリーオン装置を含むカスケードスイッチ並びに本スイッチを備える回路
EP3311487B1 (en) Gate drive circuit
US9509300B2 (en) Anti-shoot-through automatic multiple feedback gate drive control circuit
KR20220093161A (ko) 제어 회로, 펄스 전원 시스템 및 반도체 가공 디바이스
JP2016534690A (ja) 直流電源及びその動作方法
US9887680B2 (en) Dual-mode filtering actuator driver apparatus, systems and methods
JP2003009535A5 (ko)
KR102346963B1 (ko) 전자식 가변 커패시터 회로 및 이를 포함하는 반도체 공정 시스템
KR102220895B1 (ko) 광 송신기
JP2015190923A (ja) 試験装置及び試験方法
US11011989B2 (en) Power supply circuit and method of operation thereof
KR101861443B1 (ko) 새로운 방식의 두 스위치 벅 부스트 회로
KR101861442B1 (ko) 벅부스트 컨버터 효율 개선 회로
CN113765339A (zh) 避免并联式半导体开关中的寄生振荡的方法及对应的装置
CN109861678A (zh) 一种上电复位电路及芯片
CN108880222B (zh) 一种开关元件的保护电路及推挽输出电路
US8710917B2 (en) Method and apparatus for controlling power supply
KR20180051812A (ko) 액티브 스너버가 사용된 부스트 컨버터의 효율개선

Legal Events

Date Code Title Description
GRNT Written decision to grant