KR102066342B1 - 플라스마 발생 장치 - Google Patents
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Abstract
플라스마 발생 장치가 개시된다. 플라스마 발생 장치는 제1유로를 갖는 메인 튜브; 제2유로를 갖는 유전체 튜브; 상기 제1유로에 파우더를 공급하는 파우더 공급부; 상기 제2유로에 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급부; 및 상기 유전체 튜브에 제공된 제1전극과 제2전극을 포함하며 상기 제1유로에서 공급된 상기 파우더와 제2유로에서 공급된 상기 플라스마가 혼합되어 토출되는 토출구를 포함한다.
Description
본 발명은 플라스마 발생 장치에 관련된 것으로, 보다 상세하게는 파우더를 플라스마와 같이 공급함으로써 플라스마의 치료효과를 극대화 한 의료용 플라스마 발생 장치에 관한 것이다.
플라스마(plasma)는 물질의 상태인, 고체, 액체, 기체 외에 제4의 물질 상태를 말한다. 기체 상태의 물질에 계속 에너지를 가하면 물질은 이온화되어 이온핵과 자유전자로 이루어진 입자들의 집합체가 만들어지는데, 이러한 상태의 물질을 통상 '플라스마'라고 부른다.
플라스마는 높은 전기 전도도와 전자기장에 대한 반응성이 크다는 특징이 있으며, 이러한 특징을 이용하여 반도체, 디스플레이 소자, 각종 부품의 표면처리 등에 널리 사용되고 있다. 오늘날에는 생명공학 연구, 의료, 공기 청정, 소각로 등 응용 범위를 넓혀가고 있다. 특히, 치아미백, 암세포 사멸, 지혈, 피부미백, 살균 등의 의료 분야로의 연구가 활발히 이루어지고 있는데, 이는 종래 주로 연구되었던 레이저의 경우 열에 의한 화상 및 면적에 따른 편차가 있어서 넓은 면적을 레이저로 시술 할 경우 균일한 치료가 불가한 근본적인 단점이 있었다. 하지만, 플라스마의 경우는 처리 대상에 열 데미지가 없고, 플라스마 발생장치에 따라 넓은 면적의 처리 부위를 균일하게 치료할 수 있어 레이저와 비교 시 넓은 면적을 효과적으로 처리가 가능하다는 장점이 있다.
플라스마에서 발생하는 반응성 산소종(Reactive oxygen species), 반응성 질소종(Reactive nitrogen species) 및 전류는 인체 치료에 있어서, 세포 면역 증가, 살균, 암세포 괴사, 혈액순환 증가 등의 효과가 있고, 또한 피부 주름 개선 및 콜라겐 생성을 촉진하는 것으로 보고되고 있다. 이러한 플라스마 기기 중 플라스마 제트가 상기 목적으로 가장 널리 쓰이고 있다.
플라스마 제트 장치는 전극에 고주파 또는 고전압을 공급함으로써 공급가스의 기체를 이온화하여 플라스마를 발생하는 장치로서, 공급가스는 Ar등 불활성 기체, 일반 공기 및 이들의 혼합 가스를 사용하기도 한다.
이러한 플라스마 장치는 인체에 플라스마를 직접 조사하는데, 암세포를 포함한 세포들의 세포벽과 피부의 각질로 인해 플라스마 치료의 효율이 감소한다는 문제점이 발생되었다.
본 발명의 목적은 파우더를 플라스마와 함께 분출하여 피부 세포벽 및 각질을 화학적으로 식각하는 기능을 갖는 플라스마 발생 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명에 따른 플라스마 발생 장치는 제1유로가 형성된 메인 튜브; 제2유로가 형성된 유전체 튜브; 상기 제1유로에 파우더를 공급하는 파우더 공급부; 상기 제2유로에 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급부; 및 상기 유전체 튜브에 제공된 제1전극과 제2전극을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1전극에 전력의 인가로 상기 제2유로 내에 전계가 형성되고 상기 제2유로를 흐르는 소스 가스가 플라스마 상태로 여기될 수 있다.
또한, 상기 유전체 튜브는 상기 메인 튜브 내에 제공되고, 상기 제1유로는 상기 유전체 튜브를 에워싸을 수 있다.
또한, 상기 메인 튜브는 상기 제1유로에서 공급된 상기 파우더와 상기 제2유로에서 공급된 플라스마가 혼합하여 토출되는 토출구를 가질 수 있다.
또한, 상기 유전체 튜브의 토출구 직경은 메인 튜브의 토출구 직경보다 같거나 작을 수 있다.
또한, 제2실시 예에 의하면 상기 유전체 튜브는 상기 메인 튜브의 외측에서 상기 메인 튜브와 나란하게 배치될 수 있다.
또한, 제2실시 예에 의하면 상기 메인 튜브는 상기 파우더가 토출되는 파우더 토출구를 갖고, 상기 유전체 튜브는 상기 플라스마가 토출되는 플라스마 토출구를 가지며, 상기 파우더 토출구는 상기 플라스마 토출구의 일측에 위치할 수 있다.
또한, 제3실시 예에 의하면 내측에 유로가 형성된 유전체 튜브; 상기 유전체 튜브에 각각 제공된 제1전극과 제2전극; 상기 유로에 소스가스와 파우더가 혼합된 혼합 가스를 공급하는 혼합가스 공급부를 가질 수 있다.
또한, 제3실시 예에 의하면 유전체 튜브의 유로에 혼합 가스를 공급하는 혼합 가스 공급부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 파우더의 직경은 0.1 μm 내지 20μm을 가질 수 있다.
또한, 상기 파우더의 재질은 금속산화물 또는 탄소와 산소를 포함하는 분자량 50 내지 10,000의 고분자일 수 있다.
또한, 상기 파우더는 1eV이하의 저에너지 전자들이 둘러쌓이게 되어 파우더는 음으로 대전될 수 있다.
또한, 상기 파우더에 산소 양이온이 표면 결합을 하여 생성된 산소 원자는 피부 세포벽 및 각질을 화학적으로 식각 할 수 있다.
본 발명에 의하면, 파우더 표면에 1eV이하의 저에너지 전자들이 둘러싸게 되고 상기 전자들이 산소 양이온과 표면 결합을 통해 생성된 산소 원자가 각질 및 세포벽을 식각하여 플라스마에서 발생하는 화학물들이 피부 내부로 쉽게 침투될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시 예에 따른 플라스마 발생 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1실시 예에 따른 플라스마 발생 장치의 동작 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1실시 예에 따라 제작된 플라스마가 피부 세포벽 및 각질(500)과 접촉했을 때 식각 반응을 나타낸 그림이다.
도 4는 본 발명의 제1실시 예에 따라 제작된 플라스마를 폴리이미드에 조사한 사진이다.
도 5는 본 발명의 제2실시 예에 따른 플라스마 발생 장치를 나타내는 도면이다.
도 6은 제2실시 예에 따른 플라스마 발생 장치의 동작 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제3실시 예에 따른 플라스마 발생 장치를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제3실시 예에 따른 플라스마 발생 장치의 동작 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1실시 예에 따른 플라스마 발생 장치의 동작 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1실시 예에 따라 제작된 플라스마가 피부 세포벽 및 각질(500)과 접촉했을 때 식각 반응을 나타낸 그림이다.
도 4는 본 발명의 제1실시 예에 따라 제작된 플라스마를 폴리이미드에 조사한 사진이다.
도 5는 본 발명의 제2실시 예에 따른 플라스마 발생 장치를 나타내는 도면이다.
도 6은 제2실시 예에 따른 플라스마 발생 장치의 동작 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제3실시 예에 따른 플라스마 발생 장치를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제3실시 예에 따른 플라스마 발생 장치의 동작 과정을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 플라스마 발생 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 플라스마 발생 장치는 메인 튜브(100), 파우더 공급부(200), 및 플라스마 발생부(300)를 포함한다.
메인 튜브(100)는 소정 길이를 갖는 튜브 형상을 가지며, 내부에 제1유로(110)와 후술할 혼합유로(130)가 형성된다. 메인 튜브(100)의 전단에는 토출구(120)가 형성된다.
파우더 공급부(200)는 메인 튜브(100)의 제1유로(110)에 파우더를 공급한다. 파우더 공급부(200)는 파우더 저장부(210), 파우더 공급 라인(220) 및 파우더 공급 밸브(230)를 포함한다.
파우더 저장부는(210) 파우더를 저장한다. 파우더는 수 내지 수십 마이크로의 직경을 가질 수 있다. 파우더의 재질은 금속산화물일 수 있다. 실시 예에 의하면, 파우더의 재질은 알루미늄 산화물, 철 산화물, 구리 산화물, 니켈 산화물, 몰리브덴 산화물, 텅스텐 산화물, 크롬 산화물, 티타늄 산화물, 코발트 산화물, 그리고 망간 산화물 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 파우더의 재질은 고분자일 수 있다. 일 예에 의하면, 파우더의 재질은 탄소와 산소를 포함하는 분자량 50 내지 10,000의 고분자일 수 있다. 다른 예에 의하면, 파우더의 재질은 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스타이렌, 폴리아이소뷰틸렌, 폴리염화비닐, 폴리아세트산비닐, 테플론, 폴리아크릴나이트릴, 폴리케타크릴산메틸, 테프론, 타일론, 베이클라이트, 요소(우레아)수지, 폴리실록세인 중 어느 하나일 수 있다.
파우더 공급 라인(220)은 메인 튜브(100)와 파우더 저장부(210)를 연결하며, 파우더가 공급되는 유로를 제공한다.
파우더 공급 밸브(230)는 파우더 공급 라인(220)에 설치되며, 파우더 공급 라인(220)을 통해 공급되는 파우더의 유량을 조절한다.
도면에는 나타나지 않았지만, 파우더 저장부(210)에는 부유 가스가 공급될 수 있다. 부유 가스는 파우더 저장부(210)에 저장된 파우더를 부유시키고, 파우더와 함께 파우더 공급 라인(220)을 통해 메인 튜브(100)에 공급될 수 있다.
플라스마 발생부(300)는 소스 가스를 여기시켜 플라스마를 생성한다. 플라스마 발생부(300)는 유전체 튜브(310), 제1전극(320), 제2전극(330), 교류 전원(340) 및 소스 가스 공급부(350)를 포함한다.
유전체 튜브(310)는 소정 길이를 갖는 튜브 형상을 가지며 내부에 제2유로(311)가 형성된다. 유전체 튜브(310)의 전단에는 토출구(312)가 형성된다. 유전체 튜브(310)는 유전체 재질로 제공된다. 실시 예에 의하면, 유전체 튜브(310)는 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리카보네이트(polycarbonate) 등의 재질로 제공될 수 있다. 유전체 튜브(310)는 메인 튜브(100)의 제1유로(110)에 위치한다. 유전체 튜브(310)는 메인 튜브(100) 보다 작은 직경을 가지며 제1유로(110)에 의해 에워싸여 진다.
유전체 튜브(310)의 토출구(312)는 메인 튜브의 토출구(120)의 후방에 위치한다. 유전체 튜브(310)의 토출구(312)는 메인 튜브의 토출구(120)보다 작은 직경을 갖는다. 유전체 튜브(310)의 토출구(312)와 메인 튜브의 토출구(120)의 사이 구간에는 혼합 유로(130)가 제공된다. 혼합 유로(130)는 제1유로(110)를 통해 공급된 파우더와 제2유로(311)에서 토출된 플라스마가 혼합되어 혼합 가스를 생성하는 공간이다. 혼합 가스는 메인 튜브의 토출구(120)를 통해 외부로 토출된다.
제1전극(320)은 유전체 튜브(310)의 내측면에 제공된다. 제1전극(320)은 유전체 튜브(310)의 내측면을 따라 링 형상을 가질 수 있다.
제2전극(330)은 유전체 튜브(310)의 외측면에 제공된다. 제2전극은 유전체 튜브의 외측면을 따라 링 형상을 가질 수 있다.
교류 전원(340)은 제1전극(310)과 연결되며, 교류 전력을 인가한다.
교류 전력의 인가로 제2유로(311)에는 전계가 형성되며, 전계는 제2유로(311)를 따라 흐르는 소스가스를 플라스마 상태로 여기한다.
소스 가스 공급부(350)는 유전체 튜브(310)의 제2유로(311)에 소스 가스를 공급한다. 소스 가스 공급부(350)는 소스 가스 저장부(351), 소스 가스 공급 라인(352) 및 소스 가스 공급 밸브(353)를 포함한다.
소스 가스 저장부는(351) 소스 가스를 저장한다. 소스 가스는 공기, 헬륨 가스, 아르곤 가스, 질소 가스 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
소스 가스 공급 라인(352)은 유전체 튜브(310)와 소스 가스 저장부(351)를 연결하며, 소스 가스가 공급되는 유로를 제공한다.
소스 가스 공급 밸브(353)는 소스 가스 공급 라인(352)에 설치되며, 소스 가스 공급 라인을 통해 공급되는 소스 가스의 유량을 조절한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라스마 발생 장치의 동작 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참고하면, 소스 가스 저장부(351)에 저장되어 있던 소스 가스가 소스 가스 공급 라인(352)을 통해 제2유로(311)에 주입된다. 제2유로(311)에 소스 가스가 주입되면 교류 전원(340)이 제1전극(320)에 전력을 인가한다. 전력이 인가된 제1전극(320)은 유전체 튜브(110) 내에 강한 전기장을 형성한다. 강한 전기장은 유전체 튜브(110)내부의 소스 가스를 플라스마(410) 상태로 여기시킨다.
또한 파우더 저장부(210)에 저장되어 있던 파우더(400)가 파우더 공급 라인(220)을 통해 제1유로(110)에 주입된다. 제1유로(110)에 주입된 파우더(400)는 혼합 유로(130)에서 플라스마(410)와 혼합된다. 플라스마(410)와의 혼합으로, 파우더(400)의 표면에는 1eV이하의 낮은 에너지의 저 에너지 전자 구름(420)이 형성된다. 대전된 파우더(400)와 플라스마는 메인 튜브 토출구(120)을 통해 외부로 토출된다.
도 3은 전자 구름(420)이 형성된 파우더(400)가 피부 세포벽 및 각질(500)과 접촉했을 때 식각 반응을 나타낸 그림이다.
도 3을 참고하면, 파우더(400)가 피부 세포벽 및 각질(500)과 접촉하게 되면 전자 구름(420)의 음전하와 산소양이온이 결합하여 산소원자가 발생한다. 이 때의 반응식은 다음과 같다.
생성된 산소원자는 피부 세포벽 및 각질(500)을 식각 할 수 있다. 피부 세포벽 및 각질(500)이 식각되면, 플라스마에 포함된 라디칼들이 세포 내부로 쉽게 침투될 수 있다.
도 4의 사진(A) 및 (B)는 파우더와 플라스마가 혼합된 혼합 가스를 폴리이미드에 조사한 사진이다.
도 4의 사진(A) 및 (B)를 참조하면 음전하로 대전된 파우더가 폴리이미드 표면을 식각하는 것을 확인할 수 있다. 이를 근거로 사람의 피부에서도 피부 각질 및 세포벽 파괴가 가능할 것으로 판단된다.
도 5는 본 발명의 제2실시 예에 따른 플라스마 발생 장치를 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 도 1의 실시 예와 달리, 플라스마 발생부(300)의 유전체 튜브(310)는 메인 튜브(100)의 외측에 배치된다. 실시 예에 의하면 플라스마 발생부(300)와 메인 튜브(100)는 별도의 몸체로 분리 하나의 몸체로 결합될 수 있다. 플라스마 발생부(300)와 메인 튜브(100)가 하나의 몸체를 갖는 경우, 유전체 튜브의 토출구(312)는 메인 튜브의 토출구(120)와 나란히 위치할 수 있다.
유전체 튜브(310)의 직경은 메인 튜브(100)의 직경과 같거나 클 수 있다.
도 6은 제2실시 예에 따른 플라스마 발생 장치의 동작 과정을 설명하기 위한 도면이다. 도 6의 (A)와 (B)는 플라스마 발생 장치의 동작 과정을 순차적으로 나타낸다.
먼저 도 6의 (A)를 참고하면, 파우더(400)가 메인 튜브(100)을 통해 피부 세포벽 및 각질(500)에 뿌려진다. 배출된 파우더는 세포벽 및 각질(500)에 도포된다. 도 6의 (B)를 참고하면, 플라스마(410)가 유전체 튜브(310)로부터 분사되며, 분사된 플라스마는 파우더(400)의 표면을 대전시킨다. 대전된 파우더(400)의 표면에는 1eV이하의 낮은 에너지의 저 에너지 전자 구름(420)이 형성된다.
전자 구름은 피부 세포벽 및 각질을 식각하여 플라스마에 포함된 라디칼들이 세포 내부로 쉽게 침투될 수 있도록 돕는다.
도 7은 본 발명의 제3실시 예에 따른 플라스마 발생 장치를 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 플라스마 발생 장치는 플라스마 발생부(600), 혼합가스 공급부(700)을 포함한다.
플라스마 발생부(600)는 소스 가스를 여기시켜 플라스마를 생성한다. 플라스마 발생부(600)는 유전체 튜브(610), 제1전극(620), 제2전극(630) 및 교류 전원(640)을 포함한다.
유전체 튜브(610)는 소정 길이를 갖는 튜브 형상을 가지며 내부에 유로(611)가 형성된다. 유전체 튜브(610)의 전단에는 토출구(612)가 형성된다.
제1전극(620)은 유전체 튜브(610)의 내측면에 제공된다. 제1전극(620)은 유전체 튜브(610)의 내측면을 따라 링 형상을 가질 수 있다.
제2전극(630)은 유전체 튜브(610)의 외측면에 제공된다. 제2전극은 유전체 튜브의 외측면을 따라 링 형상을 가질 수 있다.
교류 전원(640)은 제1전극(610)과 연결되며, 교류 전력을 인가한다.
교류 전력의 인가로 유로(611)에는 전계가 형성되며, 전계는 유로(611)를 따라 흐르는 혼합 가스를 플라스마 상태로 여기한다.
혼합 가스 공급부(700)는 유전체 튜브(610)의 유로(611)에 혼합 가스를 공급한다. 혼합 가스 공급부(700)는 소스 가스 저장부(710), 소스 가스 공급 라인(720), 소스 가스 공급 밸브(730), 혼합 가스 저장부(740), 혼합 가스 공급 라인(750) 및 혼합 가스 공급 밸브(760)를 포함한다.
소스 가스 저장부(710)는 소스 가스를 저장한다.
소스 가스 공급 라인(720)은 파우더 저장부(740)와 소스 가스 저장부(710)를 연결하며, 소스 가스가 공급되는 유로를 제공한다.
소스 가스 공급 밸브(730)는 소스 가스 공급 라인(720)에 설치되며, 소스 가스 공급 라인을 통해 공급되는 소스 가스의 유량을 조절한다.
혼합 가스 저장부는(740)는 혼합 가스를 저장한다. 혼합 가스 저장부(740)내에는 소스 가스 공급 라인(720)으로부터 공급된 소스 가스에 의해 파우더가 부유된 상태로 저장될 수 있다.
혼합 가스 공급 라인(750)은 유전체 튜브(610)와 혼합 가스 저장부(740)를 연결하며, 혼합 가스가 공급되는 유로를 제공한다.
혼합 가스 공급 밸브(760)는 혼합 가스 공급 라인(750)에 설치되며, 혼합 가스 공급 라인(750)을 통해 공급되는 혼합 가스의 유량을 조절한다.
도 8은 본 발명의 제3실시 예에 따른 플라스마 발생 장치의 동작 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참고하면, 소스 가스 저장부(710)에 저장되어 있던 소스 가스가 소스 가스 공급 라인(720)을 통해 혼합가스 저장부(740)에 공급된다. 혼합가스 저장부(740)에는 소스가스에 의해 파우더(800)가 부유된 상태로 저장되며, 혼합 가스는 혼합 가스 공급라인(750)을 통해 유전체 튜브(610)의 유로(611)에 공급된다.
유전체 튜브(610)의 유로(611)에 혼합 가스가 공급되면 교류 전원(640)이 제1전극(620)에 전력을 인가한다. 전력이 인가된 제1전극(620)은 유전체 튜브(611) 내에 강한 전기장을 형성한다. 강한 전기장은 유전체 튜브(610)내부의 혼합 가스를 플라스마(810) 상태로 여기시킨다. 플라스마에 의해 파우더(800) 표면에 1eV이하의 낮은 에너지의 전자들이 둘러싸여 저 에너지 전자 구름(820)이 형성된다. 대전된 파우더(800)와 플라스마(810)는 유전체 튜브(610)의 토출구(612)를 통해 외부로 토출된다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
100: 메인 튜브 110: 제1유로
120: 메인 튜브 토출구 130: 혼합 유로
200: 파우더 공급부 210: 파우더 저장부
220: 파우더 공급 라인 230: 파우더 공급 밸브
220: 소스 가스 공급부 221: 소스 가스 저장부
222: 소스 가스 공급 밸브 300: 플라스마 발생부
310: 유전체 튜브 311: 제2유로
312: 유전체 유로 토출구 320: 제1전극
330: 제2전극 340: 교류 전원
350: 소스 가스 공급부 351: 소스 가스 저장부
352: 소스 가스 공급 라인 353: 소스 가스 밸브
400: 파우더 410: 플라스마
420: 전자 구름 500: 피부 세포벽 및 각질
600: 플라스마 발생부 610: 유전체 튜브
611: 유전체 튜브의 유로 612: 유전체 튜브의 토출구
620: 제1전극 630: 제2전극
640: 교류 전원 700: 혼합가스 공급부
710: 소스 가스 저장부 720: 소스 가스 공급 라인
730: 소스 가스 공급 밸브 740: 혼합 가스 저장부
750: 혼합 가스 공급 라인 760: 혼합 가스 공급 밸브
120: 메인 튜브 토출구 130: 혼합 유로
200: 파우더 공급부 210: 파우더 저장부
220: 파우더 공급 라인 230: 파우더 공급 밸브
220: 소스 가스 공급부 221: 소스 가스 저장부
222: 소스 가스 공급 밸브 300: 플라스마 발생부
310: 유전체 튜브 311: 제2유로
312: 유전체 유로 토출구 320: 제1전극
330: 제2전극 340: 교류 전원
350: 소스 가스 공급부 351: 소스 가스 저장부
352: 소스 가스 공급 라인 353: 소스 가스 밸브
400: 파우더 410: 플라스마
420: 전자 구름 500: 피부 세포벽 및 각질
600: 플라스마 발생부 610: 유전체 튜브
611: 유전체 튜브의 유로 612: 유전체 튜브의 토출구
620: 제1전극 630: 제2전극
640: 교류 전원 700: 혼합가스 공급부
710: 소스 가스 저장부 720: 소스 가스 공급 라인
730: 소스 가스 공급 밸브 740: 혼합 가스 저장부
750: 혼합 가스 공급 라인 760: 혼합 가스 공급 밸브
Claims (10)
- 파우더 공급부;
상기 파우더 공급부에서 공급된 파우더를 신체 피부에 분사하는 메인 튜브; 및
소스가스를 여기시켜 플라스마를 생성하고, 상기 플라스마를 상기 신체 피부에 도포된 상기 파우더에 분사하는 플라스마 발생부를 포함하되,
상기 플라스마의 분사로 상기 신체 피부에 도포된 상기 파우더의 표면이 대전되는 플라스마 발생 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 파우더의 표면에는1eV이하의 저에너지 전자 구름이 형성되는 플라스마 발생 장치.
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 플라스마 발생부는,
내측에 상기 소스가스가 이동하는 유로가 형성된 유전체 튜브; 및
상기 유전체 튜브의 내측면과 외측면에 각각 제공되는 한 쌍의 전극을 포함하고,
상기 유전체 튜브는 상기 메인 튜브의 외측에서 상기 메인 튜브와 나란하게 배치되는 플라스마 발생 장치.
- 제 5 항에 있어서,
상기 메인 튜브는 상기 파우더가 토출되는 파우더 토출구를 갖고,
상기 유전체 튜브는 상기 플라스마가 토출되는 플라스마 토출구를 가지며,
상기 파우더 토출구는 상기 플라스마 토출구의 일측에 위치하는 플라스마 발생 장치.
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항, 제2항, 제5항, 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 파우더의 직경은 0.1 μm 내지 20μm 을 갖는 플라스마 발생장치.
- 제 1 항, 제2항, 제5항, 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 파우더는 금속 산화물 또는 탄소와 산소를 포함하는 분자량 50 내지 10,000의 고분자로 이루어진 플라스마 발생장치.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220078855A (ko) | 2020-12-04 | 2022-06-13 | 주식회사 피글 | 세포활성용 플라스마 발생부의 제조방법 및 이를 통해 제조된 플라스마 발생부를 포함하는 세포활성장치 |
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-
2018
- 2018-03-23 KR KR1020180033859A patent/KR102066342B1/ko active IP Right Grant
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|---|---|---|---|---|
| KR20220078855A (ko) | 2020-12-04 | 2022-06-13 | 주식회사 피글 | 세포활성용 플라스마 발생부의 제조방법 및 이를 통해 제조된 플라스마 발생부를 포함하는 세포활성장치 |
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