KR102062367B1 - 30mm Equivalent Focal Length 1x Magnification Optical System only Used for 2D Focal Plane Array Available in Precision Sensing for 0.1 to 10 Terahertz band - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a 30 mm-equivalent focal length 1x magnification optical system only used for a 2D focal plane array to perform precision detection within a band of 0.1 to 10 terahertz that is capable of increasing inspection efficiency in a semiconductor manufacturing process. According to the present invention, the optical system comprises: a first lens including a first convex surface (R1) formed on a subject side and a first concave surface (R2) formed on an image side and having a positive refractive index; a second lens including a second convex surface (R4) formed on the subject side and a second concave surface (R5) formed on the image side and having a positive refractive index; an aperture disposed between the first and second lenses; and an image surface receiving light outputted from the second lens to form an image of a subject.

Description

0.1 내지 10 테라헤르츠 대역에 대한 정밀 감지가 가능한 2D 초점 평면 어레이 전용 30㎜ 등가 초점 거리 1x 배율 광학계{30mm Equivalent Focal Length 1x Magnification Optical System only Used for 2D Focal Plane Array Available in Precision Sensing for 0.1 to 10 Terahertz band}30mm Equivalent Focal Length 1x Magnification Optical System only Used for 2D Focal Plane Array Available in Precision Sensing for 0.1 to 10 Terahertz band}

본 발명은 0.1 내지 10 테라헤르츠 대역에 대한 정밀 감지가 가능한 2D 초점 평면 어레이 전용 30㎜ 등가 초점 거리 1x 배율 광학계에 관한 것으로, 각종 생산 공정 모니터링에 적용하여 반도체 패키지, 식품, 제약, 생체 조직 등 비금속 유전체로 구성된 다양한 소재의 내부 구조, 결함, 또는 균열 성분 분포 등의 검출이 가능한 광학계에 관한 것이다.The present invention relates to a 30 mm equivalent focal length 1x magnification optical system dedicated to 2D focal plane arrays capable of precise detection of the 0.1 to 10 terahertz band, and is applied to various production process monitoring, such as semiconductor packages, foods, pharmaceuticals, and biological tissues. The present invention relates to an optical system capable of detecting internal structures, defects, or crack component distribution of various materials composed of dielectrics.

본 발명에 적용된 테라헤르츠(THz) 파장 영역은 93㎛~104㎛ 대의 광으로서 생산 공정 모니터링에 적용이 가능하며 주로 사용되는 영역은 반도체 제조 분야이며, 기존 반도체 공정 검사에서의 영상 기술로는 어려웠던 수율 개선을 고해상도 테라헤르츠 기술을 적용하여 Crack 검출이 가능하다. The terahertz (THz) wavelength region applied to the present invention is light in the range of 93 μm to 104 μm and is applicable to the production process monitoring, and the mainly used area is the semiconductor manufacturing field, and the yield that was difficult with the imaging technique in the conventional semiconductor process inspection. Improvements are made by applying high resolution terahertz technology to enable crack detection.

본 발명에 적용된 93㎛~104㎛ 파장은 Sub-THz 영역에 비해 파장이 짧아 반도체 미세 결함 등 내부구조 관측이 가능한 테라헤르츠 광학계이다. The wavelength of 93 μm to 104 μm applied to the present invention is a terahertz optical system capable of observing internal structures such as semiconductor microscopic defects because the wavelength is shorter than that of the Sub-THz region.

0.1~10 테라헤르츠(THz)의 주파수를 가진 전자기파는 적외선과 마이크로파 사이의 파로서 빛과 전차의 중간적 특성을 가진다.Electromagnetic waves with a frequency of 0.1 to 10 terahertz (THz) are waves between infrared and microwave and have intermediate characteristics between light and chariot.

또한, 테라헤르츠 주파수를 가지는 전자기파는 X선과 달리 인체 유해성이 적으면서도 내부 관측이 가능한 특성이 있다. In addition, unlike X-rays, electromagnetic waves having a terahertz frequency have characteristics that can be observed internally while being less harmful to humans.

그러나, 종래 주파수 단위 센서로는 주사(scanning) 방식의 영상 획득에 막대한 시간이 소요되어 일부 기초연구에만 적용 가능하며, 생산 공정 등에는 적용이 곤란하였다.However, as the conventional frequency unit sensor takes a huge amount of time to acquire the image of the scanning (scanning) method, it is applicable only to some basic research, it was difficult to apply to the production process.

또한, 눈에 보이지 않아 광학 테이블 상에서 복잡한 정련 과정을 거쳐야 하기 때문에 전문 연구자들만이 사용 가능하였다.In addition, it was invisible and required to undergo a complex refining process on an optical table, so only professional researchers could use it.

또한, 테라헤르츠 관련 광학계에 대한 개발이 미진하여 수입에만 의존하는 실정이였다.In addition, the development of terahertz-related optical systems has been insufficient and only depended on imports.

이에, 93㎛~104㎛ 파장 대역의 고해상도 테라헤르츠 광학계 발명을 통해 생산 공정의 검사에 대한 효율성을 보유하도록 하는 시도가 요구되었다. Therefore, an attempt has been made to maintain the efficiency of the inspection of the production process through the invention of the high resolution terahertz optical system in the wavelength range of 93㎛ ~ 104㎛.

선행문헌 1 : 한국등록특허공보 제10-1777661호(2017.09.06)Prior Document 1: Korean Patent Publication No. 10-1777661 (2017.09.06)

본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 반도체 생산 공정에 대한 검사 효율을 높일 수 있는 0.1 내지 10 테라헤르츠 대역에 대한 정밀 감지가 가능한 2D 초점 평면 어레이 전용 30㎜ 등가 초점 거리 1x 배율 광학계를 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, an object of the present invention is dedicated to 2D focal plane array capable of precise detection of the 0.1 to 10 terahertz band that can increase the inspection efficiency for the semiconductor production process It is to provide a 30mm equivalent focal length 1x magnification optics.

또한, 본 발명의 목적은 수입에만 의존하였던 93㎛~104㎛ 파장 대역의 0.1 내지 10 테라헤르츠 대역에 대한 정밀 감지가 가능한 2D 초점 평면 어레이 전용 30㎜ 등가 초점 거리 1x 배율 광학계를 제공하는데 있다.It is also an object of the present invention to provide a 30 mm equivalent focal length 1x magnification optical system for 2D focal plane arrays capable of precise detection of 0.1 to 10 terahertz bands of 93 μm to 104 μm wavelength bands, which only depended on imports.

전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 0.1 내지 10 테라헤르츠 대역에 대한 정밀 감지가 가능한 2D 초점 평면 어레이 전용 30㎜ 등가 초점 거리 1x 배율 광학계는, 0.1~10 테라헤르츠 대역에 대한 투과가 가능한 HRFZ-Si 소재로(High Resistivity Float Zone Silicon) 이루어진 2군 2매 광학계를 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the 30 mm equivalent focal length 1x magnification optical system dedicated to 2D focal plane array capable of precise detection of 0.1 to 10 terahertz band according to the present invention is capable of transmitting to 0.1 to 10 terahertz band. It features a two-group two-sheet optical system made of HRFZ-Si material (High Resistivity Float Zone Silicon).

피사체로부터 입사되는 광은 제1 렌즈의 제1 볼록면에서 1차적으로 굴절되고, 통과한 광은 2차적으로 굴절된 제1 오목면을 통과한 후 조리개를 지나게 된다.The light incident from the subject is primarily refracted at the first convex surface of the first lens, and the light passing through the aperture is passed through the first concave surface that is secondarily refracted.

또한, 조리개를 통과한 광은 제2 렌즈의 제2 볼록면에서 3차적으로 굴절되고, 통과한 후 제2 오목면에서 마지막 4차 굴절을 통해 이미지면의 2D 초점 평면 어레이에 결상하게 된다.In addition, the light passing through the aperture is refracted in the tertiary at the second convex surface of the second lens, and after passing through, is imaged in the 2D focal plane array of the image plane through the last quaternary refraction in the second concave surface.

즉, 본 발명에 따른 광학계는 2군 2매 광학계로서 제1 렌즈와 제2 렌즈 사이에 조리개가 위치하는 구성으로 되어 있다.That is, the optical system according to the present invention has a configuration in which the diaphragm is positioned between the first lens and the second lens as a two-group two-sheet optical system.

이 경우, 상기 제1 볼록면(R1), 제1 오목면(R2), 제2 볼록면(R4) 및 제2 오목면(R5)은 아래 [식 1] 및 [표 1]의 관계에 의해 규정되는 것을 특징을 하는 0.1~10 테라헤르츠 전용 30㎜(EFL) 1x 배율 광학계로서,In this case, the first convex surface R1, the first concave surface R2, the second convex surface R4, and the second concave surface R5 are defined by the relationship shown below in [Formula 1] and [Table 1]. As 30mm (EFL) 1x magnification optical system for exclusive use of 0.1-10 terahertz characterized by being prescribed,

Figure 112019013606662-pat00001
[식 1]
Figure 112019013606662-pat00001
[Equation 1]

[표 1]TABLE 1

Figure 112019013606662-pat00002
Figure 112019013606662-pat00002

여기서, k는 원추곡면계수이고, A4, A6, A8 및 A10 는 비구면계수이며, h는 광축으로부터 각 렌즈의 오목면 또는 볼록면까지의 거리이며 c는 중심곡률을 나타낸다.Here, k is a conical surface coefficient, A4, A6, A8 and A10 are aspherical coefficients, h is a distance from the optical axis to the concave or convex surface of each lens, and c represents the center curvature.

[표 2]TABLE 2

Figure 112019013606662-pat00003
Figure 112019013606662-pat00003

여기서, 곡률반경과 면두께는 ±0.5%의 허용범위를 가질 수 있다.Here, the radius of curvature and the surface thickness may have an allowable range of ± 0.5%.

(각 렌즈의 볼록면(R1,R4)의 직경)/(각 렌즈의 오목면(R2,R5)의 직경)은 ±0.5%의 허용범위를 가질 수 있다.(Diameters of the convex surfaces R1 and R4 of each lens) / (Diameter of the concave surfaces R2 and R5 of each lens) may have a tolerance of ± 0.5%.

또한, 상기 렌즈에는, 광축과 수직방향으로 상기 각 렌즈의 볼록면(R1,R4)과 오목면(R2,R5) 사이에서 연장되는 에지부가 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the lens is characterized in that the edge portion extending between the convex surface (R1, R4) and the concave surface (R2, R5) of each lens in the direction perpendicular to the optical axis is characterized.

(각 렌즈의 볼록면(R1,R4)과 오목면(R2,R5)의 중심부 두께(TC)/직경의 평균값)은 ±0.5%의 허용범위를 가지며, (각 렌즈의 에지부 두께)/(상기 각 렌즈의 볼록면(R1,R4)과 오목면(R2,R5)의 중심부 두께(TC))는 ±0.5%의 허용범위를 가질 수 있다.(Average value of the center thickness (TC) / diameter of the convex surfaces (R1, R4) and the concave surfaces (R2, R5) of each lens) has an allowable range of ± 0.5%, and (edge thickness of each lens) / ( The convex surfaces R1 and R4 and the central thickness TC of the concave surfaces R2 and R5 of the respective lenses may have an allowable range of ± 0.5%.

또한, 본 발명에 따른 0.1~10 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 카메라는,In addition, the 0.1 ~ 10 terahertz 30mm (EFL) 1x magnification camera according to the present invention,

렌즈면 앞에 설정된 피사체부터,From the subject set in front of the lens surface,

이격되게 배치되는 제1 렌즈와 제2 렌즈;A first lens and a second lens spaced apart from each other;

상기 제1 렌즈와 제2 렌즈 사이에 배치되는 조리개; 및,An aperture disposed between the first lens and the second lens; And,

상기 제2 렌즈를 통과한 광을 통해 피사체를 결상하는 이미지면이 차례로 배치되는 것을 특징으로 한다.The image plane for forming an image of the subject through the light passing through the second lens may be sequentially disposed.

예컨대, 본 발명에 따른 카메라는, 상기 타켓(피사체)과 상기 제1 볼록면(R1) 사이의 거리는 35.6mm±0.5%, 상기 제1 볼록면(R1)과 제1 오목면(R2)의 중심부 두께(TC)는 25mm±0.5%, 상기 제1 오목면(R2)부터 조리개(R3) 사이의 거리는 12mm±0.5%, 조리개(R3)로부터 제2 볼록면(R4)까지 거리는 21mm±0.5%, 상기 제2 볼록면(R4)과 제2 오목면(R5)의 중심부 두께(TC)는 20mm±0.5%, 및 상기 제2 오목면(R5)으로부터 센서가 있는 이미지면까지의 거리는 15mm±0.5%인 것을 특징으로 한다.For example, in the camera according to the present invention, the distance between the target (subject) and the first convex surface R1 is 35.6 mm ± 0.5%, and the center of the first convex surface R1 and the first concave surface R2. The thickness TC is 25mm ± 0.5%, the distance between the first concave surface R2 and the aperture R3 is 12mm ± 0.5%, the distance from the aperture R3 to the second convex surface R4 is 21mm ± 0.5%, The center thickness TC of the second convex surface R4 and the second concave surface R5 is 20 mm ± 0.5%, and the distance from the second concave surface R5 to the image plane with the sensor is 15 mm ± 0.5%. It is characterized by that.

종래의 단위 센서로는 주사(scanning) 방식의 영상 획득에 막대한 시간이 소요되어 일부 기초연구에만 적용 가능할 뿐 생산 공정 등에는 적용이 곤란하였고, 눈에 보이지 않기 때문에 광학 테이블 상에서 복잡한 정련 과정을 거쳐야 하므로 전문 연구자들만이 사용이 가능 하였으며. 테라헤르츠(THz) 관련 광학계에 대한 개발이 미진하여 수입에만 의존하는 실정이었던데 반해, 전술한 바와 같은 구성의 본 발명에 따르면, 0.1 내지 10 테라헤르츠 대역에 대한 정밀 감지가 가능한 2D 초점 평면 어레이 전용 30㎜ 등가 초점 거리 1x 배율 광학계로서, 93㎛~104㎛ 파장 대역의 고해상도 테라헤르츠 광학계를 통해 생산 공정에 대한 검사에서 효율성을 보유하게 되었으며, 테라헤르츠 렌즈에 대한 국내 생산이 가능하게 되었다는 이점이 있다.As a conventional unit sensor takes a huge amount of time to acquire an image of a scanning method, it is only applicable to some basic researches, but it is difficult to apply to a production process. Since it is invisible, a complicated refining process is required on an optical table. Only professional researchers could use it. While the development of the terahertz (THz) related optical system has been insufficient, the present invention has a configuration as described above. However, according to the present invention having the above-described configuration, only 2D focal plane arrays capable of precise sensing in the 0.1 to 10 terahertz band are available. As a 30mm equivalent focal length 1x magnification optical system, high-resolution terahertz optics in the wavelength range of 93㎛ to 104㎛ have efficiency in the inspection of the production process, and it has the advantage that domestic production of terahertz lenses is enabled. .

도 1은 본 발명에 따른 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 광학계 구조를 나타내는 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 광학계의 광 추적 분석도이다.
도 3a는 제1 렌지의 구성예를 나타내는 측단면도이다.
도 3b는 제2 렌지의 구성예를 나타내는 측단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 광학계의 종 구면수차(longitudinal spherical abberration)를 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명에 따른 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 광학계의 비점수차(astigmatism)에 관한 수차 해석 그래프이다.
도 6은 본 발명에 따른 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 광학계의 왜곡수차(distortion)를 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명에 따른 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 광학계를 나타내는 MTF(Modulation Transfer Function)을 분석한 그래프이다.
도 8은 본 발명에 따른 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 광학계의 스폿 다이어그램(spot diagram)을 도시한 도면이다.
1 is a block diagram showing the structure of the terahertz 30mm (EFL) 1x magnification optical system according to the present invention.
Figure 2 is a light trace analysis of the terahertz 30mm (EFL) 1x magnification optical system according to the present invention.
3A is a side sectional view showing a configuration example of the first stove.
3B is a side sectional view showing a configuration example of a second stove.
4 is a graph showing the longitudinal spherical abberration of the terahertz 30mm (EFL) 1x magnification optical system according to the present invention.
5 is an aberration analysis graph of astigmatism of a terahertz 30 mm (EFL) 1 × magnification optical system according to the present invention.
6 is a graph showing distortion of a terahertz 30mm (EFL) 1x magnification optical system according to the present invention.
7 is a graph of a Modulation Transfer Function (MTF) showing a terahertz 30 mm (EFL) 1 × magnification optical system according to the present invention.
FIG. 8 shows a spot diagram of a terahertz 30 mm (EFL) 1 × magnification optics in accordance with the present invention. FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 광학계 구조를 나타내는 구성도이고, 도 2는 본 발명에 따른 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 광학계의 광 추적 분석도이고, 도 3a는 제1 렌지의 구성예를 나타내는 측단면도이고, 도 3b는 제1 렌지의 구성예를 나타내는 측단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 광학계의 종 구면수차(longitudinal spherical abberration)를 나타내는 그래프이고, 도 5는 본 발명에 따른 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 광학계의 비점수차(astigmatism)에 관한 수차 해석 그래프이고, 도 6은 본 발명에 따른 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 광학계의 왜곡수차(distortion)를 나타내는 그래프이고, 도 7은 본 발명에 따른 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 광학계를 나타내는 MTF(Modulation Transfer Function)을 분석한 그래프이고, 도 8은 본 발명에 따른 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 광학계의 스폿 다이어그램(spot diagram)을 도시한 도면이다.1 is a block diagram showing the structure of the terahertz 30mm (EFL) 1x magnification optical system according to the present invention, Figure 2 is a light trace analysis diagram of the terahertz 30mm (EFL) 1x magnification optical system according to the present invention, Figure 3a Fig. 3B is a side cross-sectional view showing a constitution example of the first range, Fig. 3B is a side cross-sectional view showing a constitution example of the first range, and Fig. 4 is a longitudinal spherical abberration of a terahertz 30 mm (EFL) 1x magnification optical system according to the present invention. 5 is an aberration analysis graph of astigmatism of the terahertz 30mm (EFL) 1x magnification optical system according to the present invention, and FIG. 6 is a terahertz 30mm (EFL) 1x magnification according to the present invention. 7 is a graph illustrating distortion aberration of an optical system, and FIG. 7 is a graph analyzing a MTF (Modulation Transfer Function) representing a terahertz 30 mm (EFL) 1x magnification optical system according to the present invention, and FIG. 8 is according to the present invention. La MHz 30mm (EFL) is a diagram showing a spot diagram (spot diagram) of the 1x magnification optical system.

도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 광학계는 0.1~10 테라헤르츠 대역에 대한 투과가 가능한 HRFZ-Si 소재로(High Resistivity Float Zone Silicon) 이루어진 레즈를 포함하며, 제1 렌즈(100)와 제2 렌즈(200)의 2군 2매 광학계로 구성된다.As shown in Figures 1 to 3, the optical system according to the present invention includes a red made of HRFZ-Si material (High Resistivity Float Zone Silicon) capable of transmitting in the 0.1 ~ 10 terahertz band, the first lens ( 100) and a second group of two optical systems of the second lens 200.

먼저, 피사체(P)로부터 입사되는 광은 제1 렌즈(100)의 제1 볼록면(R1)에서 1차적으로 굴절되고, 연속적으로 통과한 광은 제1 오목면(R2)에서 2차적으로 굴절된 후 조리개(300)를 지나게 된다.First, the light incident from the subject P is primarily refracted by the first convex surface R1 of the first lens 100, and the light that passes continuously is secondly refracted by the first concave surface R2. After passing through the aperture 300.

이와 같이, 조리개(300)를 지난 광은 제2 렌즈(200)의 제2 볼록면(R4)에서 3차적으로 굴절되어, 연속적으로 통과한 후 제2 오목면(R5)에서 마지막 4차 굴절이 이루어진 후, 이미지면(400)의 2D 초점 평면 어레이(Focal Plane Array)에 결상된다.As such, the light passing through the iris 300 is refracted in the third convex surface R4 of the second lens 200 in a third order, and after passing through the second concave surface R5 in the second concave surface R5, successively. After the image is formed, an image is formed on a 2D focal plane array of the image plane 400.

이와 같이, 본 발명에 따른 광학계는 2군 2매 광학계로 제1 렌즈(100)와 제2 렌즈(200) 사이에 조리개(300)가 배치되는 구성으로 이루어져 있다. As described above, the optical system according to the present invention has a configuration in which the diaphragm 300 is disposed between the first lens 100 and the second lens 200 as a two-group two-sheet optical system.

상기 제1 렌즈(100)와 제2 렌즈(200) 사이에 조리개(300)가 배치되어 있어 광학계에 잡광이 들어오는 것을 방지하는 기능을 수행할 뿐만 아니라 MTF 광학 성능에 유리한 특성을 가지고 있다. Since the diaphragm 300 is disposed between the first lens 100 and the second lens 200, the diaphragm 300 not only prevents light from entering the optical system, but also has advantageous properties for MTF optical performance.

상기 제1 렌즈(100)와 제2 렌즈(200)는 전체적으로 양(+)의 굴절률을 갖으며 양면은 비구면으로 이루어져 있다. The first lens 100 and the second lens 200 have a positive refractive index as a whole, and both surfaces of the first lens 100 and the second lens 200 are aspherical.

상기 제1 렌즈(100)와 제2 렌즈(200)는 몰드 Silicon 광학소재로 이루어지는 것이 바람직한데, Silicon 광학소재는 넓은 파장 대역을 바탕으로 군용 민수 분야에 다양하게 사용되고 있으며, 기존 시장에 나와 있는 소재에 비해 가격이 저렴하다는 장점을 가지고 있다.Preferably, the first lens 100 and the second lens 200 are formed of a mold silicon optical material. Silicon optical materials are widely used in military civil fields based on a wide wavelength band, and are available in the existing market. Compared to the lower price.

또한, Silicon 광학소재는 굴절율 3.41 및 소재 투과율 50% 이상이라는 광학적 특성을 배경으로, 소구경 렌즈부터 대구경 렌즈까지 다양한 광학계 구성이 가능하다.In addition, the silicon optical material is possible to configure a variety of optical system from small diameter lens to large diameter lens on the basis of the optical characteristics of refractive index 3.41 and material transmittance of 50% or more.

이러한 본 발명에 따른 광학소재로 광학계를 구성하게 되면 0.1~1.0에 해당하는 테라헤르츠용 고해상도 카메라의 제작이 가능하며, 국산화된 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 카메라 광학계를 용이하게 구성할 수 있다.When the optical system is composed of the optical material according to the present invention, it is possible to manufacture a high resolution camera for terahertz corresponding to 0.1 to 1.0, and to easily configure a localized terahertz 30mm (EFL) 1x magnification camera optical system.

또한, 이와 같은 소재의 렌즈를 채택한 본 발명의 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 카메라는 19200픽셀(센서)을 적용한 테라헤르츠용 2군 2매 광학계에 대한 설계가 가능하다.In addition, the terahertz 30mm (EFL) 1x magnification camera of the present invention employing a lens of such a material can be designed for a two-group two-layer optical system for terahertz applied 19200 pixels (sensor).

한편, 본 발명에 따른 렌즈의 상기 오목면과 볼록면은 아래 [식 1] 및 [표 1]과 [표 2]의 관계에 의해 규정되는 것을 특징을 하는 0.1~10 테라헤르츠 전용 30㎜(EFL) 1x 배율 광학계이다.On the other hand, the concave and convex surfaces of the lens according to the present invention is defined by the relationship between the following [Equation 1] and [Table 1] and [Table 2] 0.1 ~ 10 terahertz only 30mm (EFL) 1x magnification optical system.

Figure 112019013606662-pat00004
[식 1]
Figure 112019013606662-pat00004
[Equation 1]

[표 1]TABLE 1

Figure 112019013606662-pat00005
Figure 112019013606662-pat00005

여기서, k는 원추곡면계수이고, A4, A6, A8 및 A10 는 비구면계수이며, h는 광축으로부터 각 렌즈의 오목면 또는 볼록면까지의 거리이며 c는 중심곡률을 나타낸다.Here, k is a conical surface coefficient, A4, A6, A8 and A10 are aspherical coefficients, h is a distance from the optical axis to the concave or convex surface of each lens, and c represents the center curvature.

[표 2]TABLE 2

Figure 112019013606662-pat00006
Figure 112019013606662-pat00006

여기서, 곡률반경과 면두께는 ±0.5%의 허용범위를 가질 수 있다.Here, the radius of curvature and the surface thickness may have an allowable range of ± 0.5%.

이 경우, (각 렌즈의 볼록면(R1,R4)의 직경)/(각 렌즈의 오목면(R2,R5)의 직경)은 ±0.5%의 허용범위를 가질 수 있다.In this case, (diameter of convex surfaces R1 and R4 of each lens) / (diameter of concave surfaces R2 and R5 of each lens) may have a tolerance of ± 0.5%.

상기 각 렌즈(100,200)에는, 광축과 수직방향으로 상기 볼록면(R1,R4)과 오목면(R2,R5) 사이에서 연장되는 에지부(110,120)가 형성되는 것이 바람직하다.Each of the lenses 100 and 200 may have edge portions 110 and 120 extending between the convex surfaces R1 and R4 and the concave surfaces R2 and R5 in a direction perpendicular to the optical axis.

또한 본 발명에 따르면, 타켓(피사체, P)과 상기 제1 볼록면(R1) 사이의 거리는 35.6mm±0.5%, 상기 제1 볼록면(R1)과 제1 오목면(R2)의 중심부 두께(TC)는 25mm±0.5%, 상기 제1 오목면(R2)부터 조리개(R3) 사이의 거리는 12mm±0.5%, 조리개(R3)로부터 제2 볼록면(R4)까지 거리는 21mm±0.5%, 상기 제2 볼록면(R4)과 제2 오목면(R5)의 중심부 두께(TC)는 20mm±0.5%, 및 상기 제2 오목면(R5)으로부터 센서(400)의 이미지면(400)까지의 거리는 15mm±0.5%로 구성될 수 있다.In addition, according to the present invention, the distance between the target (subject, P) and the first convex surface (R1) is 35.6mm ± 0.5%, the central thickness (1) of the first convex surface (R1) and the first concave surface (R2) TC) is 25mm ± 0.5%, the distance between the first concave surface (R2) and the aperture (R3) is 12mm ± 0.5%, the distance from the aperture (R3) to the second convex surface (R4) is 21mm ± 0.5%, the first 2 The central thickness TC of the convex surface R4 and the second concave surface R5 is 20 mm ± 0.5%, and the distance from the second concave surface R5 to the image plane 400 of the sensor 400 is 15 mm. It can consist of ± 0.5%.

즉, 본 발명에 따른 0.1~10 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 카메라는, 렌즈면부터 35.6mm 앞에서 설정된 피사체(P)부터, 서로 이격되게 배치되는 제1 렌즈(100)와 제2 렌즈(200), 제1 렌즈(100)와 제2 렌즈(200) 사이에 배치되는 조리개(300), 및 제2 렌즈(200)를 통과한 광을 통해 피사체를 결상하는 이미지면(400)을 포함한다.That is, the 0.1 to 10 terahertz 30 mm (EFL) 1x magnification camera according to the present invention may be arranged to be spaced apart from each other from the subject P set in front of the lens surface 35.6 mm from the first lens 100 and the second lens 200. ), An aperture 300 disposed between the first lens 100 and the second lens 200, and an image surface 400 that forms an object through light passing through the second lens 200.

본 발명의 제1 렌즈(100)와 제2 렌즈(200)에 두께 공차를 설정하게 되면, 제작되는 렌즈의 허용공차 이내로 제작이 가능하여 일정한 광학성능을 가진 렌즈를 제작할 수 있다.When the thickness tolerance is set in the first lens 100 and the second lens 200 of the present invention, it is possible to manufacture the lens within the tolerance of the manufactured lens, thereby producing a lens having a constant optical performance.

또한, 렌즈(100,200)의 모서리 부분을 모따기 형태로 제작함으로써 광학계 조립 및 제작에 유리하게 할 수 있다. In addition, by manufacturing the corner portion of the lens (100,200) in the form of a chamfer can be advantageous to the optical system assembly and production.

한편, 상기 렌즈(100,200)의 굴절율은 3.41이고 분산율은 2421.0인 것이 적당하다.On the other hand, the refractive index of the lens (100, 200) is 3.41 and the dispersion ratio is appropriately 2421.0.

이와 같은 조건을 통해, 도 4 내지 도 8에 도시한 바와 같이, 소정의 화각이 얻어지는 동시에, 종방향 구면수차, 비점수차 및 왜곡수차를 최소화할 수 있으며, 해상도를 나타내는 MTF(Modulation Transfer Functions)의 값에서 양호한 상태를 얻을 수 있다.Through such conditions, as shown in FIGS. 4 to 8, a predetermined angle of view can be obtained, and at the same time, longitudinal spherical aberration, astigmatism, and distortion can be minimized, and MTF (Modulation Transfer Functions) representing the resolution can be obtained. A good state can be obtained from the value.

이하, 전술한 바와 같은 구성에 기초하여 본 발명에 따른 0.1~10 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 카메라의 예시적인 일 실시예를 기술한다.Hereinafter, an exemplary embodiment of a 0.1 to 10 terahertz 30 mm (EFL) 1x magnification camera according to the present invention will be described based on the configuration as described above.

먼저, 본 발명에 따른 0.1~10 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 카메라의 렌즈는 반도체 공정 검사에 적용할 수 있는 고해상도 테라헤르츠용 카메라 광학계의 렌즈로서, Silicon 광학 소재로 이루어졌으며 다이아몬드 터닝 머신(DTM : Diamond Turning Machine) 초정밀 가공기를 통해 비구면 렌즈를 제작하였다.First, the lens of the 0.1 ~ 10 terahertz 30mm (EFL) 1x magnification camera according to the present invention is a lens of a high resolution terahertz camera optical system that can be applied to semiconductor process inspection, made of silicon optical material and diamond turning machine (DTM) : Diamond Turning Machine) Aspherical lens was manufactured by ultra precision machine.

또한, 상기 제1 렌즈(100)의 제1 볼록면(R1)과 제1 오목면(R2)의 곡률반경은 각각 46.70(비구면) 및 90.14(비구면), 제1 복록면(R1)의 유효 직경(C.A.)은 50.0mm, 제1 오목면(R2)의 직경은 32.0mm로 설정하였다.In addition, the curvature radii of the first convex surface R1 and the first concave surface R2 of the first lens 100 are 46.70 (aspherical surface), 90.14 (aspherical surface), and the effective diameters of the first double convex surface R1, respectively. (CA) was 50.0 mm and the diameter of the 1st concave surface R2 was set to 32.0 mm.

상기 제1 렌즈(100)의 두께는 25.0mm로 형성하였다.The thickness of the first lens 100 was formed to 25.0mm.

장착을 위해 광축과 수직으로 상기 제1 볼록면(R1)과 제2 오목면(R2)으로부터 연장되는 모따기부가 형성되며, 이를 고려할 할 때 전체 렌즈의 직경은 55.0mm로 설정하였다. For mounting, a chamfer extending from the first convex surface R1 and the second concave surface R2 is formed to be perpendicular to the optical axis. In consideration of this, the diameter of the entire lens is set to 55.0 mm.

상기 모따기는 2.0mm로 라운드 처리되어 있으나 적절한 조정이 가능하다.The chamfer is rounded to 2.0 mm but can be adjusted appropriately.

또한, 상기 제2 렌즈(200)의 제2 볼록면(R4)과 제 오목면(R5)의 곡률반경은 각각 31.49(비구면) 및 90.14(비구면), 제2 복록면(R4)의 유효 직경은 42.0mm, 제2 오목면(R5)의 직경은 24.0mm로 설정되었다.In addition, the radiuses of curvature of the second convex surface R4 and the concave surface R5 of the second lens 200 are 31.49 (aspherical surface), 90.14 (aspherical surface), and the effective diameters of the second double convex surface R4 are The diameter of 42.0 mm and the second concave surface R5 was set to 24.0 mm.

제2 렌즈의 두께는 20.0mm로 형성하였다.The thickness of the second lens was formed to 20.0 mm.

장착을 위해 광축과 수직으로 상기 볼록면(R1)과 오목면(R2)으로부터 연장되는 모따기부가 형성되며, 이를 고려할 할 때 전체 렌즈의 직경은 46.0mm로 설정하였다. For mounting, the chamfers extending from the convex surface R1 and the concave surface R2 are formed perpendicular to the optical axis, and in consideration of this, the diameter of the entire lens is set to 46.0 mm.

상기 모따기는 2.0mm로 라운드 처리되어 있으나 적절한 조정이 가능하다.The chamfer is rounded to 2.0 mm but can be adjusted appropriately.

또한, 상기 조리개(300)는 상기 제1 오목면(R2)과 상기 제2 볼록면(R4) 사이의 배치되어 있으며, 상기 제1 오목면(R2)에서 조리개(300) 사이의 거리는 12.0mm이고, 조리개(300)로부터 상기 제2 볼록면(R4)까지의 거리는 21.0mm이다.In addition, the diaphragm 300 is disposed between the first concave surface R2 and the second convex surface R4, and the distance between the diaphragm 300 and the first concave surface R2 is 12.0 mm. The distance from the diaphragm 300 to the second convex surface R4 is 21.0 mm.

그리고, 상기 제2 오목면(R5)으로부터 센서(S)가 배치된 이미지면(400)까지의 거리는 10.759mm로 정하였다.The distance from the second concave surface R5 to the image surface 400 on which the sensor S is disposed is set to 10.759 mm.

상기 테라헤르츠 렌즈의 굴절율은 3.41이고 분산율은 2421.0인 것을 채택하였다.The terahertz lens has a refractive index of 3.41 and a dispersion of 2421.0.

또한, 상기 이미지면(400)의 센서(S)로는 160*120픽셀의 100㎛ 센서가 채택될 수 있다.In addition, a 100 μm sensor of 160 * 120 pixels may be adopted as the sensor S of the image plane 400.

이와 같은 구성의 본 발명의 0.1~10 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 카메라에 대하여 다음과 같은 실험결과를 얻을 수 있었다.The following experimental results were obtained with a 0.1 to 10 terahertz 30 mm (EFL) 1x magnification camera of the present invention having such a configuration.

본 발명에 따른 0.1~10 테라헤르츠 30mm(EFL) 1x 배율 카메라는 거의 모든 필드에서 상들의 값이 중심축에 인접하게 나타나고 있어 각종 수차의 보정 상태가 양호함을 나타내고 있음은 물론 MTF(광학적 요구성능/해상도)를 만족하고 있음을 나타내고 있다.The 0.1-10 terahertz 30mm (EFL) 1x magnification camera according to the present invention shows that the values of the images are shown adjacent to the central axis in almost all fields, indicating that the aberration correction of various aberrations is good, as well as MTF (optical requirement performance). / Resolution).

또한, 본 발명의 광학계의 주변 광량비는 1.0 Field 기준으로 90% 이상 확보되었으며, 왜곡률은 1.0 Field 기준으로 1.4% 광학계 성능이 확보된다. In addition, the peripheral light quantity ratio of the optical system of the present invention was secured 90% or more on the basis of 1.0 Field, the distortion rate is 1.4% optical system performance is secured on the basis of 1.0 Field.

따라서, 본 발명은 고해상도 테라헤르츠 광학계를 적용하여, 기존 반도체 생산 공정에 대한 검사 효율을 높일 수 있다.Therefore, the present invention can apply the high resolution terahertz optical system, it is possible to increase the inspection efficiency for the existing semiconductor production process.

또한 기존 수입에만 의존하였던 기존 테라헤르츠 광학계를 국산화할 수 있다.In addition, it is possible to localize existing terahertz optics, which depended only on existing imports.

본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위 내에서 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.Embodiments of the present invention are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible within the scope of the following claims.

100... 제1 렌즈
200... 제2 렌즈
300... 조리개
400... 이미지면
P... 피사체
S... 센서
100 ... first lens
200 ... second lens
300 ... Aperture
400 ... image plane
P ... Subject
S ... sensor

Claims (5)

광축을 따라 배치되는 광학계로서,
파사체측에 형성된 제1 볼록면(R1)과 이미지측에 형성된 제1 오목면(R2)으로 이루어지며 양의 굴절률을 가지는 제1 렌즈;
파사체측에 형성된 제2 볼록면(R4)과 이미지측에 형성된 제2 오목면(R5)으로 이루어지며 양의 굴절률을 가지는 제2 렌즈;
상기 제1 렌즈와 제2 렌즈 사이에 배치되는 조리개; 및,
상기 제2 렌즈로부터 나오는 광을 받아 피사체를 결상하는 이미지면을 포함하여 구성되되,
제1 볼록면(R1), 제1 오목면(R2), 제2 볼록면(R4) 및 제2 오목면(R5)은 아래 [식 1], [표 1] 및 [표 2]의 관계에 의해 규정되는 것을 특징을 하는 0.1~10 테라헤르츠 전용 30㎜(EFL) 1x 배율 광학계.
Figure 112019013606662-pat00007
[식 1]
[표 1]
Figure 112019013606662-pat00008

여기서, k는 원추곡면계수이고, A4, A6, A8 및 A10 는 비구면계수이며, h는 광축으로부터 각 렌즈의 오목면 또는 볼록면까지의 거리이며 c는 중심곡률을 나타냄;
[표 2]
Figure 112019013606662-pat00009

여기서, 곡률반경과 면두께는 ±0.5%의 허용범위를 가질 수 있고, (각 렌즈의 볼록면(R1,R4)의 직경)/(각 렌즈의 오목면(R2,R5)의 직경)은 ±0.5%의 허용범위를 가질 수 있음
An optical system disposed along an optical axis,
A first lens having a first convex surface R1 formed on the side of the projectile and a first concave surface R2 formed on the image side and having a positive refractive index;
A second lens having a second convex surface R4 formed on the side of the projectile and a second concave surface R5 formed on the image side and having a positive refractive index;
An aperture disposed between the first lens and the second lens; And,
It is configured to include an image plane for receiving the light from the second lens to form an image,
The first convex surface R1, the first concave surface R2, the second convex surface R4, and the second concave surface R5 are represented by the relations of Equations 1, 1, and 2 below. A 30 mm (EFL) 1x magnification optical system for 0.1-10 terahertz, characterized by what is specified by
Figure 112019013606662-pat00007
[Equation 1]
TABLE 1
Figure 112019013606662-pat00008

Where k is the conical surface coefficient, A4, A6, A8 and A10 are aspherical coefficients, h is the distance from the optical axis to the concave or convex surface of each lens and c represents the center curvature;
TABLE 2
Figure 112019013606662-pat00009

Here, the radius of curvature and the surface thickness may have a tolerance of ± 0.5%, (diameter of the convex surfaces (R1, R4) of each lens) / (diameter of the concave surfaces (R2, R5) of each lens) ± May have a tolerance of 0.5%
제1항에 있어서,
상기 제1 렌즈와 제2 렌즈에는, 광축과 수직방향으로 상기 각 렌즈의 볼록면과 오목면 사이에서 연장되는 에지부가 형성되는 것을 특징으로 하는 0.1~10 테라헤르츠 전용 30㎜(EFL) 1x 배율 광학계.
The method of claim 1,
The first lens and the second lens have an edge portion extending between the convex surface and the concave surface of each lens in a direction perpendicular to the optical axis. .
제2항에 있어서,
(상기 제1 렌즈와 제2 렌즈의 각 볼록면(R1,R4)과 오목면(R2,R5)의 중심부 두께(TC)/직경의 평균값)은 ±0.5%의 허용범위를 가지며, (상기 제1 렌즈와 제2 렌즈의 각 렌즈의 에지부 두께)/(상기 제1 렌즈와 제2 렌즈의 각 볼록면(R1,R4)과 오목면(R2,R5)의 중심부 두께(TC))는 ±0.5%의 허용범위를 가지는 것을 특징으로 하는 0.1~10 테라헤르츠 전용 30㎜(EFL) 1x 배율 광학계.
The method of claim 2,
(Average value of the center thickness TC / diameter of each of the convex surfaces R1 and R4 and the concave surfaces R2 and R5 of the first and second lenses has an allowable range of ± 0.5%. Edge thickness of each lens of the first lens and the second lens) / (center thickness TC of the convex surfaces R1 and R4 and the concave surfaces R2 and R5 of the first and second lenses) ± A 30 mm (EFL) 1x magnification optical system for 0.1-10 terahertz, characterized by a tolerance of 0.5%.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
타켓(피사체)과 상기 제1 볼록면(R1) 사이의 거리는 35.6mm±0.5%, 상기 제1 볼록면(R1)과 제1 오목면(R2)의 중심부 두께(TC)는 25mm±0.5%, 상기 제1 오목면(R2)부터 조리개(R3) 사이의 거리는 12mm±0.5%, 조리개(R3)로부터 제2 볼록면(R4)까지 거리는 21mm±0.5%, 상기 제2 볼록면(R4)과 제2 오목면(R5)의 중심부 두께(TC)는 20mm±0.5%, 및 상기 제2 오목면(R5)으로부터 센서(400)의 이미지면(400)까지의 거리는 15mm±0.5%로 구성되는 것을 것을 특징으로 하는 0.1~10 테라헤르츠 전용 30㎜(EFL) 1x 배율 광학계.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The distance between the target (subject) and the first convex surface R1 is 35.6 mm ± 0.5%, and the center thickness TC of the first convex surface R1 and the first concave surface R2 is 25 mm ± 0.5%, The distance between the first concave surface R2 and the aperture R3 is 12 mm ± 0.5%, the distance from the aperture R3 to the second convex surface R4 is 21 mm ± 0.5%, and the second convex surface R4 and the second 2, the center thickness T of the concave surface R5 is 20 mm ± 0.5%, and the distance from the second concave surface R5 to the image surface 400 of the sensor 400 is 15 mm ± 0.5%. 30mm (EFL) 1x magnification optical system for exclusive use of 0.1-10 terahertz characterized by.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 렌즈의 제1 볼록면(R1)과 제1 오목면(R2)의 곡률반경은 각각 46.70(비구면) 및 90.14(비구면), 제1 복록면(R1)의 유효 직경(C.A.)은 50.0mm, 제1 오목면(R2)의 직경은 32.0mm로 설정되고, 상기 제1 렌즈의 두께는 25.0mm로 형성되며,
상기 제2 렌즈의 제2 볼록면(R4)과 제 오목면(R5)의 곡률반경은 각각 31.49(비구면) 및 90.14(비구면), 제2 복록면(R4)의 유효 직경은 42.0mm, 제2 오목면(R5)의 직경은 24.0mm로 설정되고, 상기 제2 렌즈의 두께는 20.0mm로 형성되는 것을 특징으로 하는 0.1~10 테라헤르츠 전용 30㎜(EFL) 1x 배율 광학계.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The radius of curvature of the first convex surface R1 and the first concave surface R2 of the first lens is 46.70 (aspherical surface) and 90.14 (aspherical surface), respectively, and the effective diameter CA of the first double convex surface R1 is 50.0. mm, the diameter of the first concave surface (R2) is set to 32.0mm, the thickness of the first lens is formed to 25.0mm,
The radiuses of curvature of the second convex surface R4 and the concave surface R5 of the second lens are 31.49 (aspherical surface) and 90.14 (aspherical surface), respectively, and the effective diameters of the second double convex surface R4 are 42.0 mm and second. The diameter of the concave surface (R5) is set to 24.0mm, the thickness of the second lens is 30mm (EFL) 1x magnification optical system for 0.1 ~ 10 terahertz, characterized in that formed in 20.0mm.
KR1020190015105A 2019-02-08 2019-02-08 30mm Equivalent Focal Length 1x Magnification Optical System only Used for 2D Focal Plane Array Available in Precision Sensing for 0.1 to 10 Terahertz band KR102062367B1 (en)

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