KR102044464B1 - Solar cell and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양 전지의 제조 방법에 관한 것이다. 태양 전지의 제조 방법의 한 예는 제1 도전성 타입을 갖는 기판의 제1 면에 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖는 불순물 이온을 주입하여 불순물부를 형성하는 단계, 상기 불순물부 위에, 본체, 상기 본체에 형성된 개구부 및 상기 개구부 주변의 본체에 위치하고 전압을 인가받는 전극을 구비한 마스크를 위치시키는 단계, 상기 제2 도전성 타입을 갖는 상기 불순물 이온을 상기 마스크 위에 주입하여, 상기 본체의 하부에 위치한 상기 불순물부의 부분에 제1 불순물 부분을 형성하고, 상기 개구부를 통해 드러난 상기 불순물부의 부분에 상기 제1 불순물 부분보다 높은 불순물 주입 농도를 갖는 제2 불순물 부분을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 불순물 부분을 구비한 기판을 열처리하여, 상기 제1 불순물 부분을 제1 에미터 부분으로 형성하여 상기 제2 불순물 부분을 상기 제1 에미터 부분보다 작은 면저항값을 갖는 제2 에미터 부분으로 형성하는 단계, 그리고 상기 기판의 상기 제1 면에 위치하고 상기 제2 에미터 부분과 연결되는 제1 전극과 상기 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치하고 상기 기판의 제2 면에 위치하고 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.The present invention relates to a method of manufacturing a solar cell. An example of a method of manufacturing a solar cell includes forming an impurity portion by implanting impurity ions having a second conductivity type different from the first conductivity type into a first surface of a substrate having a first conductivity type, on the impurity portion, And positioning a mask including an opening formed in the main body and an electrode positioned in the main body around the opening and receiving a voltage, and implanting the impurity ions having the second conductivity type over the mask to form a lower portion of the main body. Forming a first impurity portion in the portion of the impurity portion located, and forming a second impurity portion having a higher impurity implantation concentration than the first impurity portion in the portion of the impurity portion exposed through the opening; 2 heat-treat the substrate having impurity portions to form the first impurity portion as a first emitter portion Forming a second impurity portion into a second emitter portion having a sheet resistance value smaller than that of the first emitter portion, and a first electrode located on the first surface of the substrate and connected to the second emitter portion; And forming a second electrode located opposite the first side of the substrate and located on the second side of the substrate and connected to the substrate.

Description

태양 전지 및 그 제조 방법{SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell and a method of manufacturing the same.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양 전지가 주목 받고 있다. With the recent prediction of the depletion of existing energy sources such as petroleum and coal, there is a growing interest in alternative energy to replace them, and accordingly, attention is being paid to solar cells that produce electrical energy from solar energy.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)에 의해 p-n 접합을 형성하는 반도체부, 그리고 서로 다른 도전성 타입의 반도체부에 각각 연결된 전극을 구비한다.A typical solar cell includes a semiconductor portion for forming a p-n junction by different conductive types such as p-type and n-type, and electrodes connected to semiconductor portions of different conductive types, respectively.

이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 광기전력 효과(photovoltaic effect)에 의해 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어, 전자는 n형 반도체부 쪽으로 이동하고 정공은 p형 반도체부 쪽으로 이동한다. 이동한 전자와 정공은 각각 p형 반도체부와 n형 반도체부에 연결된 서로 다른 전극에 의해 수집되고 이 전극들을 전선으로 연결하여 전력을 얻는다.When light is incident on the solar cell, a plurality of electron-hole pairs are generated in the semiconductor, and the generated electron-hole pairs are separated into electrons and holes charged by a photovoltaic effect, respectively, and the electrons are n-type semiconductors. The hole moves toward the negative side and the hole moves toward the p-type semiconductor portion. The moved electrons and holes are collected by different electrodes connected to the p-type semiconductor portion and the n-type semiconductor portion, respectively, and connected to the wires to obtain electric power.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 태양 전지의 효율을 향상시키기 위한 것이다. The technical problem to be achieved by the present invention is to improve the efficiency of the solar cell.

본 발명의 한 특징에 따른 태양 전지의 제조 방법은 제1 도전성 타입을 갖는 기판의 제1 면에 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖는 불순물 이온을 주입하여 불순물부를 형성하는 단계, 상기 불순물부 위에, 본체, 상기 본체에 형성된 개구부 및 상기 개구부 주변의 본체에 위치하고 전압을 인가받는 전극을 구비한 마스크를 위치시키는 단계, 상기 제2 도전성 타입을 갖는 상기 불순물 이온을 상기 마스크 위에 주입하여, 상기 본체의 하부에 위치한 상기 불순물부의 부분에 제1 불순물 부분을 형성하고, 상기 개구부를 통해 드러난 상기 불순물부의 부분에 상기 제1 불순물 부분보다 높은 불순물 주입 농도를 갖는 제2 불순물 부분을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 불순물부를 구비한 기판을 열처리하여, 상기 제1 불순물 부분을 제1 에미터 부분으로 형성하여 상기 제2 불순물 부분을 상기 제1 에미터 부분보다 작은 면저항값을 갖는 제2 에미터 부분으로 형성하는 단계, 그리고 상기 기판의 상기 제1 면에 위치하고 상기 제2 에미터 부분과 연결되는 제1 전극과 상기 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치하고 상기 기판의 제2 면에 위치하고 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다. According to one or more exemplary embodiments, a method of manufacturing a solar cell includes implanting impurity ions having a second conductivity type different from a first conductivity type into a first surface of a substrate having a first conductivity type to form an impurity portion. Positioning a mask including a main body, an opening formed in the main body, and an electrode positioned in the main body surrounding the opening and receiving a voltage, implanting the impurity ions having the second conductivity type over the mask, Forming a first impurity portion in a portion of the impurity portion located below the main body, and forming a second impurity portion having a higher impurity concentration than the first impurity portion in the portion of the impurity portion exposed through the opening; Heat-treating a substrate having first and second impurity portions to convert the first impurity portion into a first emitter portion; Forming and forming the second impurity portion into a second emitter portion having a sheet resistance value smaller than that of the first emitter portion, and being located on the first surface of the substrate and connected to the second emitter portion. And forming a first electrode and a second electrode positioned opposite the first surface of the substrate and positioned on the second surface of the substrate and connected to the substrate.

상기 전극에 인가되는 전압은 0.1keV 내지 50keV일 수 있다.The voltage applied to the electrode may be 0.1 keV to 50 keV.

상기 제2 에미터 부분의 폭은 상기 개구부의 폭보다 작은 것이 좋다. Preferably, the width of the second emitter portion is smaller than the width of the opening.

상기 제2 에미터 부분의 상기 폭은 150㎛ 내지 250㎛일 수 있다. The width of the second emitter portion may be 150 μm to 250 μm.

상기 개구부의 상기 폭은 600㎛ 내지 650㎛일 수 있다. The width of the opening may be 600 μm to 650 μm.

상기 제1 불순물 부분은 상기 개구부를 통해 드러난 상기 불순물부에 추가로 위치할 수 있다. The first impurity portion may be further located in the impurity portion exposed through the opening.

상기 불순물 이온은 10keV 내지 30keV의 가속 에너지를 가질 수 있다. The impurity ions may have an acceleration energy of 10 keV to 30 keV.

상기 전극은 100㎛ 내지 700㎛의 폭을 가질 수 있다. The electrode may have a width of 100 μm to 700 μm.

상기 전극은 은(Ag), 구리(Cu), 또는 알루미늄(Al)으로 이루어질 수 있다.The electrode may be made of silver (Ag), copper (Cu), or aluminum (Al).

본 발명의 다른 특징에 따른 태양 전지는 제1 도전성 타입을 갖는 기판, 상기 기판의 제1 면 쪽에 위치하고, 상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖고 면저항값이 서로 상이한 제1 에미터 부분과 제2 에미터 부분을 구비한 에미터부, 상기 기판의 상기 제1 면 위에 위치하고, 제2 에미터 부분과 연결되어 있는 제1 전극, 그리고 상기 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치한 상기 기판의 제2 면 위에 위치하고, 상기 기판과 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 에미터 부분의 폭은 150㎛ 내지 250㎛이다.According to another aspect of the present invention, a solar cell includes a substrate having a first conductivity type, a first emitter portion positioned on a first surface side of the substrate, and having a second conductivity type different from the first conductivity type, and having different sheet resistance values. And an emitter portion having a second emitter portion, a first electrode positioned on the first surface of the substrate and connected to a second emitter portion, and opposite the first surface of the substrate. A second electrode located on the second surface and connected to the substrate, wherein the width of the second emitter portion is 150 μm to 250 μm.

상기 제2 에미터 부분의 폭 대 상기 제1 전극의 폭의 비율은 1:0.2 내지 1:1인 것이 좋다.The ratio of the width of the second emitter portion to the width of the first electrode is preferably 1: 0.2 to 1: 1.

상기 특징에 따른 태양 전지는 상기 제1 전극과 교차하는 방향으로 뻗어 있고, 상기 제1 전극과 연결되어 있는 제1 버스바를 더 포함할 수 있다. The solar cell according to the above characteristic may further include a first bus bar extending in a direction crossing the first electrode and connected to the first electrode.

상기 제1 버스바는 상기 제1 에미터 부분과 상기 제2 에미터 부분에 연결될 수 있다. The first busbar may be connected to the first emitter portion and the second emitter portion.

상기 제1 버스바에서, 상기 제1 전극과 교차하는 상기 제1 버스바의 부분은 상기 제2 에미터 부분과 연결되어 있고, 상기 제1 전극과 교차하지 않는 상기 제1 버스바의 나머지 부분은 상기 제1 에미터 부분과 연결될 수 있다.In the first busbar, a portion of the first busbar that crosses the first electrode is connected to the second emitter portion, and the remaining portion of the first busbar that does not intersect the first electrode is It may be connected to the first emitter portion.

본 발명의 또 다른 특징에 따른 이용 주입 장치용 마스크는 본체, 상기 본체에 형성된 개구부, 그리고 상기 개구부 주변의 상기 본체 위에 위치하는 전극을 포함한다. A mask for use injection apparatus according to another aspect of the present invention includes a main body, an opening formed in the main body, and an electrode positioned on the main body around the opening.

상기 본체는 탄소 재질로 이루어져 있는 것이 좋다.The body is preferably made of a carbon material.

상기 전극은 100㎛ 내지 700㎛의 폭을 가질 수 있다. The electrode may have a width of 100 μm to 700 μm.

상기 전극은 은(Ag), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어질 수 있다.The electrode may be made of silver (Ag), copper (Cu), or aluminum (Al).

이러한 특징에 따르면, 선택적 에미터 구조를 형성할 때, 마스크에 형성된 전극에 의한 전기장의 영향으로 제2 에미터 부분을 위한 불순물 이온의 주입 폭이 개구부의 폭 보다 감소하므로, 제1 전극이 위치하지 않는 제2 에미터 부분의 면적이 감소하여, 제2 에미터 부분의 불순물로 인한 전하 손실량이 감소한다. 이로 인해, 이로 인해, 태양 전지의 효율이 향상된다. According to this feature, when forming the selective emitter structure, the implantation width of the impurity ions for the second emitter portion is reduced by the influence of the electric field by the electrode formed in the mask, so that the first electrode is not located. The area of the second emitter portion that is not reduced is reduced, so that the amount of charge loss due to impurities in the second emitter portion is reduced. For this reason, the efficiency of a solar cell improves by this.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지의 일부 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시한 태양 전지를 II-II선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따라 기판에 형성된 제1 에미터 부분과 제2 에미터 부분을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 도면이다.
도 5 및 도 6은 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 선택적 에미터 구조를 형성하기 위한 이온 주입 장치에 사용되는 마스크를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7는 본 발명의 한 실시예에 따른 이온 주입 장치에 사용되는 마스크를 이용할 경우 마스크를 통해 불순물부 내에 주입되는 이온의 방향을 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a partial perspective view of a solar cell according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the solar cell illustrated in FIG. 1 taken along the line II-II.
3 is a schematic illustration of a first emitter portion and a second emitter portion formed on a substrate in accordance with one embodiment of the present invention.
4A to 4H are views sequentially illustrating a method of manufacturing a solar cell according to one embodiment of the present invention.
5 and 6 are schematic diagrams of masks used in the ion implantation apparatus for forming the selective emitter structure, respectively, according to one embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a view schematically illustrating a direction of ions implanted into an impurity portion through a mask when using a mask used in an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 "전체적"으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면(또는 전면)에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. When a portion of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on top" of another part, this includes not only when the other part is "right over" but also when there is another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle. In addition, when a part is formed "overall" on another part, it means that not only is formed on the entire surface (or front) of the other part but also is not formed on the edge part.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지 및 그 제어 방법에 대하여 설명한다.Next, a solar cell and a control method thereof according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 1 및 도 2를 참고로 하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지에 대하여 상세하게 설명한다.First, a solar cell according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1 및 도 2를 참고로 하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지(11)는 기판(110), 빛이 입사되는 기판(110)의 면인 입사면[이하, '전면(front surface)(제1 면)'라 함]에 위치한 에미터부(emitter part)(121), 에미터부(121) 위에 위치하는 반사 방지부(130), 기판(110)의 전면에 위치하고 에미터부(121)와 연결된 전면 전극부(140), 입사면의 반대쪽 면인 기판(110)의 면[이하, '후면(back surface)(제2 면)'라 함]에 위치하는 전계부(surface field region)(172), 그리고 기판(110)의 후면에 위치하고 전계부(172) 및 기판(110)과 연결된 후면 전극부(150)를 구비한다. 1 and 2, a solar cell 11 according to an exemplary embodiment of the present invention has an incident surface (hereinafter, referred to as a 'front surface') that is a surface of a substrate 110 and a substrate 110 to which light is incident. Emitter part 121 positioned on the first surface, an anti-reflection part 130 positioned on the emitter part 121, and an emitter part 121 positioned on the front surface of the substrate 110. A front field portion 172 connected to the front electrode portion 140 connected to the incidence surface (hereinafter, referred to as a 'back surface (second surface)'). And an electric field unit 172 and a rear electrode unit 150 connected to the substrate 110.

기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 p형 도전성 타입의 실리콘(silicon)과 같은 반도체로 이루어진 반도체 기판이다. 이때, 반도체는 다결정 실리콘 또는 단결정 실리콘과 같은 결정질 반도체이다.The substrate 110 is a semiconductor substrate made of a semiconductor such as silicon of a first conductivity type, for example a p-type conductivity type. At this time, the semiconductor is a crystalline semiconductor such as polycrystalline silicon or single crystal silicon.

기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물이 기판(110)에 도핑(doping)된다. 하지만, 이와는 달리, 기판(110)은 n형 도전성 타입일 수 있고, 실리콘 이외의 다른 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 기판(110)은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물이 기판(110)에 도핑된다.When the substrate 110 has a p-type conductivity type, impurities of trivalent elements such as boron (B), gallium, indium, and the like are doped into the substrate 110. Alternatively, the substrate 110 may be of an n-type conductivity type or may be made of a semiconductor material other than silicon. When the substrate 110 has an n-type conductivity type, the substrate 110 is doped with impurities of pentavalent elements such as phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb), and the like.

이러한 기판(110)의 전면은 텍스처링(texturing)되어 복수의 돌출부와 복수의 오목부를 갖는 요철면인 텍스처링 표면(textured surface)을 가질 수 있다. 이 경우, 텍스처링 표면에 의해, 기판(110)의 표면적이 증가하여 빛의 입사 면적이 증가하고 기판(110)에 의해 반사되는 빛의 양이 감소하므로, 기판(110)으로 입사되는 빛의 양이 증가한다.The front surface of the substrate 110 may be textured to have a textured surface that is an uneven surface having a plurality of protrusions and a plurality of recesses. In this case, since the surface area of the substrate 110 increases due to the texturing surface, the incident area of light increases and the amount of light reflected by the substrate 110 decreases, so that the amount of light incident on the substrate 110 increases. Increases.

에미터부(121)는 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, n형의 도전성 타입을 갖는 불순물부로서, 기판(110)의 전면에 위치한다. 이로 인해, 에미터부(121)는 기판(110), 즉, 기판(110)의 제1 도전성 타입 부분과 p-n 접합을 이룬다.The emitter portion 121 is an impurity portion having a second conductivity type, for example, an n-type conductivity type, which is opposite to the conductivity type of the substrate 110, and is located in front of the substrate 110. As a result, the emitter portion 121 forms a p-n junction with the substrate 110, that is, the first conductivity type portion of the substrate 110.

이러한 에미터부(121)는 서로 다른 불순물 도핑 두께를 갖는 제1 에미터 부분(1211)과 제2 에미터 부분(1212)을 구비하고 있다.The emitter portion 121 includes a first emitter portion 1211 and a second emitter portion 1212 having different impurity doping thicknesses.

본 실시예에서, 제1 에미터 부분(1211)의 불순물 도핑 두께는 제2 에미터 부분(1212)의 불순물 도핑 두께보다 작고, 이로 인해, 제1 에미터 부분(1211)의 불순물 도핑 농도 역시 제2 에미터 부분(1212)의 불순물 도핑 농도보다 작다. In this embodiment, the impurity doping thickness of the first emitter portion 1211 is less than the impurity doping thickness of the second emitter portion 1212, whereby the impurity doping concentration of the first emitter portion 1211 is also zero. Less than the impurity doping concentration of the two emitter portion 1212.

이처럼, 제1 및 제2 에미터 부분(1211, 1212)의 불순물 도핑 두께가 서로 상이하므로, 기판(110)의 후면에서부터 제1 에미터 부분(1211)과 상기 기판(110)과의 p-n 접합면(제1 접합면)까지의 거리(또는 두께)(d1)와 기판(110)의 후면에서부터 제2 에미터 부분(1212)과 기판(110)과의 p-n 접합면(제2 접합면)까지의 거리(또는 두께)(d2)는 서로 상이하다. 즉, 도 1 및 도 2에 도시한 것처럼, 기판(110)의 후면에서부터 제1 접합면까지의 제1 최단 거리(d1)는 기판(110)의 후면에서부터 제2 접합면까지의 제2 최단 거리(d2)보다 길다. As such, since the impurity doping thicknesses of the first and second emitter portions 1211 and 1212 are different from each other, the pn junction surface between the first emitter portion 1211 and the substrate 110 is formed from the rear surface of the substrate 110. Distance (or thickness) d1 to the (first bonding surface) and from the back surface of the substrate 110 to the pn bonding surface (second bonding surface) between the second emitter portion 1212 and the substrate 110. The distance (or thickness) d2 is different from each other. That is, as shown in FIGS. 1 and 2, the first shortest distance d1 from the rear surface of the substrate 110 to the first bonding surface is the second shortest distance from the rear surface of the substrate 110 to the second bonding surface. longer than d2

이로 인해, 기판(110) 내에서 제1 접합면과 제2 접합면은 서로 다른 평행선 상에 위치한다. 이때 평행선은 기판(110)의 전면이나 후면에 평행한 선이다. 기판(110)이 텍스처링 표면을 가질 때, 텍스처링 표면의 각 돌출부의 높이 차이로 인한 오차 범위 내에 존재하는 서로 다른 거리는 동일한 값으로 간주한다. For this reason, the first bonding surface and the second bonding surface are positioned on different parallel lines in the substrate 110. At this time, the parallel line is a line parallel to the front or rear of the substrate 110. When the substrate 110 has a texturing surface, the different distances within the error range due to the height difference of each protrusion of the texturing surface are regarded as the same value.

또한, 제1 및 제2 에미터 부분(1211, 1212)의 불순물 도핑 두께 차이로 인해, 제1 및 제2 에미터 부분(1211, 1212)의 면저항값(sheet resistance) 역시 서로 상이하다. 일반적으로 면저항값은 불순물 도핑 두께에 반비례하므로, 불순물 도핑 두께가 얇은 제1 에미터 부분(1211)의 면저항값이 제2 에미터 부분(1212)의 면저항값보다 크다. In addition, due to the impurity doping thickness differences of the first and second emitter portions 1211 and 1212, sheet resistances of the first and second emitter portions 1211 and 1212 also differ from each other. In general, since the sheet resistance value is inversely proportional to the impurity doping thickness, the sheet resistance value of the first emitter portion 1211 having a thin impurity doping thickness is larger than the sheet resistance value of the second emitter portion 1212.

본 예에서, 제1 에미터 부분(1211)의 면저항값은 60Ω/sq. 내지 120Ω/sq. 이고, 제2 에미터 부분(1212)의 면저항값은 10Ω/sq. 내지 50Ω/sq. 일 수 있다.In this example, the sheet resistance value of the first emitter portion 1211 is 60? / Sq. To 120 Ω / sq. The sheet resistance value of the second emitter portion 1212 is 10? / Sq. To 50 Ω / sq. Can be.

이와 같이, 본 예에 따른 에미터부(121)는 서로 다른 면저항값을 갖는 제1 및 제2 에미터 부분(1211, 1212)을 구비하고 있으므로 선택적 에미터 구조(selective emitter structure)를 갖는다.As described above, the emitter part 121 according to the present example includes the first and second emitter parts 1211 and 1212 having different sheet resistance values, and thus has a selective emitter structure.

기판(110)의 전면에 불순물을 도핑하여 선택적 에미터 구조를 갖는 에미터부(121)를 형성할 때, 본 예의 태양 전지(11)는 마스크(mask)를 이용하는 이온 주입법(ion implantation)을 사용하여, 제1 및 제2 에미터 부분(1211, 1212)을 구비한 에미터부(121)를 형성한다.When the emitter portion 121 having the selective emitter structure is formed by doping impurities on the entire surface of the substrate 110, the solar cell 11 of the present example uses an ion implantation method using a mask. And emitter portion 121 having first and second emitter portions 1211 and 1212.

기판(110)과 에미터부(121) 간에 형성된 p-n 접합에 인한 내부 전위차(built-in potential difference)에 의해, 기판(110)에 입사된 빛에 의해 생성된 전하인 전자-정공 쌍 중 은 전자는 n형 쪽으로 이동하고 정공은 p형 쪽으로 이동한다. 따라서, 기판(110)이 p형이고 에미터부(121)가 n형일 경우, 전자는 에미터부(121)쪽으로 이동하고 정공은 기판(110)의 후면 쪽으로 이동한다.Due to the built-in potential difference due to the pn junction formed between the substrate 110 and the emitter portion 121, the silver electrons in the electron-hole pair, which are charges generated by light incident on the substrate 110, Move towards n-type and hole move towards p-type. Therefore, when the substrate 110 is p-type and the emitter portion 121 is n-type, electrons move toward the emitter portion 121 and holes move toward the rear surface of the substrate 110.

에미터부(121)는 기판(110)과 p-n접합을 형성하므로, 이와 달리, 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(121)는 p형의 도전성 타입을 가진다. 이 경우, 전자는 기판(110)의 후면 쪽으로 이동하고 정공은 에미터부(121) 쪽으로 이동한다.Since the emitter portion 121 forms a p-n junction with the substrate 110, when the substrate 110 has an n-type conductivity type, the emitter portion 121 has a p-type conductivity type. In this case, electrons move toward the rear surface of the substrate 110 and holes move toward the emitter portion 121.

에미터부(121)가 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(121)에는 5가 원소의 불순물이 도핑될 수 있고, 반대로 에미터부(121)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우 에미터부(121)에는 3가 원소의 불순물이 도핑될 수 있다. When the emitter portion 121 has an n-type conductivity type, impurities of the pentavalent element may be doped into the emitter portion 121. On the contrary, when the emitter portion 121 has a p-type conductivity type, the emitter portion 121 may be doped. 121) may be doped with an impurity of a trivalent element.

에미터부(121) 위에 위치한 반사 방지부(130)는 수소화된 실리콘 질화물(SiNx:H), 수소화된 산화물(SiOx:H), 또는 수소화된 실리콘 산화 질화막(SiOxNy:H) 등으로 이루어진다. The anti-reflection portion 130 disposed on the emitter portion 121 may be formed of hydrogenated silicon nitride (SiNx: H), hydrogenated oxide (SiOx: H), or hydrogenated silicon oxynitride film (SiOxNy: H).

반사 방지부(130)는 태양 전지(11)로 입사되는 빛의 반사도를 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시켜, 태양 전지(11)의 효율을 높인다. 또한 반사 방지부(130)를 형성할 때 주입된 수소(H) 등을 통해 반사 방지부(130)는 패시베이션 기능을 수행한다. 따라서 결함에 의해 기판(110)의 표면에서 손실되는 전하의 양이 감소하므로, 태양 전지(11)의 효율은 더욱더 향상된다.The anti-reflection unit 130 reduces the reflectivity of light incident on the solar cell 11 and increases the selectivity of a specific wavelength region, thereby increasing the efficiency of the solar cell 11. In addition, the anti-reflection unit 130 performs the passivation function through hydrogen (H) injected when the anti-reflection unit 130 is formed. Therefore, since the amount of electric charge lost on the surface of the substrate 110 due to the defect is reduced, the efficiency of the solar cell 11 is further improved.

본 실시예에서, 반사 방지부(130)은 단일막 구조를 갖지만 이중막과 같은 다층막 구조를 가질 수 있고, 필요에 따라 생략될 수 있다. In the present embodiment, the anti-reflection unit 130 may have a single layer structure but may have a multilayered layer structure such as a double layer, and may be omitted as necessary.

전면 전극부(140)는 복수의 전면 전극(복수의 제1 전극)(141)과 복수의 전면 전극(141)과 연결되어 있는 복수의 전면 버스바(복수의 제1 버스바)(142)를 구비한다.The front electrode part 140 includes a plurality of front electrodes (plural first electrodes) 141 and a plurality of front bus bars (plural first bus bars) 142 connected to the plurality of front electrodes 141. Equipped.

복수의 전면 전극(141)은 에미터부(121)의 제2 에미터 부분(1212)과 전기적 및 물리적으로 연결되어 있고, 서로 이격되어 정해진 방향으로 나란히 뻗어있다. 따라서, 도 1에 도시한 것처럼, 복수의 전면 전극(141)은 가로 또는 세로 방향으로 뻗어 있는 스트라이프(stripe) 형상을 갖고 있다.The plurality of front electrodes 141 are electrically and physically connected to the second emitter portion 1212 of the emitter portion 121, and are spaced apart from each other and extend in parallel in a predetermined direction. Therefore, as shown in FIG. 1, the plurality of front electrodes 141 have a stripe shape extending in the horizontal or vertical direction.

복수의 전면 버스바(142)는 복수의 전면 전극(141)과 교차하는 방향으로 나란하게 뻗어 있고, 이로 인해, 도 1에 도시한 것처럼, 복수의 전면 버스바(142)는 세로 또는 가로 방향으로 뻗어 있는 스트라이프 형상을 갖고 있다.The plurality of front busbars 142 extend side by side in a direction crossing the plurality of front electrodes 141, and as a result, as shown in FIG. 1, the plurality of front busbars 142 extend in the vertical or horizontal direction. It has an extended stripe shape.

따라서, 전면 전극부(140)는 기판(110)의 전면에 격자 형태로 위치한다.Therefore, the front electrode 140 is positioned in a lattice form on the front surface of the substrate 110.

각 전면 전극(141) 전체가 제2 에미터 부분(1212)과 전기적 및 물리적으로 연결되어 있으므로, 복수의 전면 전극(141)과 교차하는 부분을 제외한 각 전면 버스바(142) 부분은 에미터부(121)의 제1 에미터 부분(1211)과 전기적 및 물리적으로 연결되어 있다. 따라서, 복수의 전면 전극(141)과 교차하는 각 전면 버스바(142)의 나머지 부분은 에미터부(121)의 제2 에미터 부분(1212)과 연결되어 있다. Since each of the front electrodes 141 is electrically and physically connected to the second emitter portion 1212, each of the front busbars 142 except for a portion that intersects the plurality of front electrodes 141 may have an emitter portion ( Electrical and physical connection with the first emitter portion 1211 of 121. Accordingly, the remaining part of each front bus bar 142 that crosses the plurality of front electrodes 141 is connected to the second emitter part 1212 of the emitter part 121.

이로 인해, 각 전면 전극(141) 하부 전체에는 제2 에미터 부분(1212)만이 위치하여 제2 에미터 부분(1212)과 연결되어 있고, 각 전면 버스바(142) 하부에는 제1 에미터 부분(1211)과 제2 에미터 부분(1212)이 함께 위치하여 제1 에미터 부분(1211) 및 제2 에미터 부분(1212)과 연결되어 있다. As a result, only the second emitter portion 1212 is positioned in the entire lower portion of each front electrode 141 and is connected to the second emitter portion 1212, and the first emitter portion is disposed below each front bus bar 142. 1211 and second emitter portion 1212 are co-located and connected with first emitter portion 1211 and second emitter portion 1212.

이로 인해, 본 예에서, 기판(110)에 형성되고 제1 에미터 부분(1211)과 제2 에미터 부분(1212)를 구비한 에미터부(121)는 도 3에 도시한 것과 같다. For this reason, in this example, the emitter portion 121 formed on the substrate 110 and having the first emitter portion 1211 and the second emitter portion 1212 is as shown in FIG. 3.

즉, 도 3에 도시한 것처럼, 복수의 제2 에미터 부분(1212)은, 복수의 전면 전극(141)처럼, 정해진 방향[즉, 전면 전극(141)의 연장 방향)](예, X 방향)으로 끊김 없이 뻗어 있어 있는 스트라이프 형상을 갖고 있고 전면 전극(141)의 연장 방향과 교차하는 방향(예, Y 방향)으로 이격되어 있고, 에미터부(121)의 나머지 부분은 제1 에미터 부분(1211)이 된다.That is, as shown in FIG. 3, the plurality of second emitter portions 1212, like the plurality of front electrodes 141, have a predetermined direction (that is, an extension direction of the front electrode 141) (eg, the X direction). ) And have a stripe shape extending seamlessly, and are spaced apart in a direction intersecting with the extending direction of the front electrode 141 (for example, in the Y direction), and the remaining part of the emitter part 121 is the first emitter part ( 1211).

이로 인해, 하나의 전면 전극(141)에 대응하는 하나의 제2 에미터 부분(1212)은 해당 전면 전극(141) 하부에서 전면 전극(141)을 따라 길게 뻗어 있으므로, 제2 에미터 부분(1212)의 개수는 전면 전극(141)의 개수와 동일하며, 각 제2 에미터 부분(1212)의 형상은 각 전면 전극(141)의 형상과 동일한 스트라이프 형상을 갖고 있지만, 각 제2 에미터 부분(1212)의 폭(W11)은 그 위에 위치한 각 전면 전극(141)의 폭(W21)보다 크거나 같다. As a result, one second emitter portion 1212 corresponding to one front electrode 141 extends along the front electrode 141 under the front electrode 141 and thus, the second emitter portion 1212. ) Is equal to the number of front electrodes 141, and the shape of each second emitter portion 1212 has the same stripe shape as that of each front electrode 141, but each second emitter portion ( The width W11 of 1212 is greater than or equal to the width W21 of each front electrode 141 located thereon.

따라서, 각 제2 에미터 부분(1212)의 폭(W11) 대 각 전면 전극(141)의 폭(W21)의 비율은 약 1:0.2 내지 1:1일 수 있다. 한 예로서, 각 제2 에미터 부분(1212)의 폭(W11)은 약 150㎛ 내지 250㎛일 수 있고, 각 전면 전극(141)의 폭(W21)은 약 60㎛ 내지 120㎛일 수 있다. 또한 각 전면 전극(141)의 길이는 약 140㎜ 내지 160㎜일 수 있다.Accordingly, the ratio of the width W11 of each second emitter portion 1212 to the width W21 of each front electrode 141 may be about 1: 0.2 to 1: 1. As an example, the width W11 of each second emitter portion 1212 may be about 150 μm to 250 μm, and the width W21 of each front electrode 141 may be about 60 μm to 120 μm. . In addition, the length of each front electrode 141 may be about 140 mm to 160 mm.

이때, 복수의 전면 버스바(142)는 복수의 전면 전극(141)과 동일 층에 위치하여 각 전면 전극(141)과 교차하는 지점에서 해당 전면 전극(141)과 전기적 및 물리적으로 연결되어 있다. In this case, the plurality of front bus bars 142 are positioned on the same layer as the plurality of front electrodes 141 and are electrically and physically connected to the corresponding front electrodes 141 at points crossing the front electrodes 141.

복수의 전면 전극(141)은 에미터부(121) 쪽으로 이동한 전하, 예를 들면, 전자를 수집하고, 복수의 전면 버스바(142)는 접촉된 에미터부(121)의 제1 에미터 부분(1211)으로부터 이동하는 전하뿐만 아니라 복수의 전면 전극(141)에 의해 수집되어 이동하는 전하를 수집한다. The plurality of front electrodes 141 collect charges, for example, electrons that move toward the emitter portion 121, and the plurality of front busbars 142 may include the first emitter portion of the emitter portion 121 in contact with each other. In addition to the charges moving from 1211, the charges collected and moved by the plurality of front electrodes 141 are collected.

각 전면 버스바(142)는 교차하는 복수의 전면 전극(141)에 의해 수집된 전하를 모아서 원하는 방향으로 이동시켜야 하므로, 각 전면 버스바(142)의 폭은 각 전면 전극(141)의 폭보다 크다.Since each front busbar 142 must collect charges collected by the plurality of front electrodes 141 that cross each other and move them in a desired direction, the width of each front busbar 142 is greater than the width of each front electrode 141. Big.

예를 들어, 각 전면 전극(141)의 폭은 약 60㎛ 내지 120㎛이고, 각 전면 버스바(142)의 폭은 약 1㎜ 내지 2㎜일 수 있다. For example, the width of each front electrode 141 may be about 60 μm to 120 μm, and the width of each front bus bar 142 may be about 1 mm to 2 mm.

복수의 전면 버스바(142)는 외부 장치와 연결되어 수집된 전하(예, 전자)를 외부 장치로 출력된다.The plurality of front busbars 142 are connected to an external device and output the collected charges (eg, electrons) to the external device.

복수의 전면 전극(141)과 복수의 전면 버스바(142)를 구비한 전면 전극부(140)는 은(Ag)과 같은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있다. The front electrode part 140 including the plurality of front electrodes 141 and the plurality of front bus bars 142 is made of at least one conductive material such as silver (Ag).

이처럼, 에미터부(121)가 제1 및 제2 에미터 부분(1211, 1212)을 구비한 선택적 에미터 구조를 갖고 있으므로, 전면 전극(141)으로의 전하 이동이 주로 행해지는 제1 에미터 부분(1211)은 낮은 불순물 도핑 농도를 갖고, 전면 전극(141)과 접해 있는 제2 에미터 부분(1212)은 높은 불순물 농도를 갖고 있다.As such, since the emitter portion 121 has a selective emitter structure including the first and second emitter portions 1211 and 1212, the first emitter portion mainly in which charge transfer to the front electrode 141 is performed. 1211 has a low impurity doping concentration, and the second emitter portion 1212 in contact with the front electrode 141 has a high impurity concentration.

따라서, 전면 전극(141)으로의 전하 이동이 행해지는 제1 에미터 부분(1211)의 낮은 불순물 도핑 농도로 인해, 제1 에미터 부분(1211)에서 인접한 전면 전극(141)으로 전하[캐리어(carrier)(예, 전자)]의 이동이 행해질 때 불순물로 인한 전하의 손실량이 크게 감소한다. 또한, 불순물의 도핑 농도가 증가할수록 전도도가 증가하므로, 전면 전극(141)과 접해 있는 제2 에미터 부분(1212)의 전도도는 전하의 이동이 행해지는 제1 에미터 부분(1211)의 전도도보다 증가한다. 이로 인해, 전면 전극(141)과 제2 에미터 부분(1212)과의 접촉 저항이 감소하므로, 제2 에미터 부분(1212)에서 전면 전극(141)으로 이동하는 전하의 양이 증가한다. 이로 인해, 선택적 에미터 구조를 갖는 태양 전지(11)의 효율은 크게 향상된다.Therefore, due to the low impurity doping concentration of the first emitter portion 1211 where charge transfer to the front electrode 141 is performed, charge (carrier) from the first emitter portion 1211 to the adjacent front electrode 141 is reduced. carrier) (e.g., electrons)], the amount of charge loss due to impurities is greatly reduced. In addition, since the conductivity increases as the doping concentration of the impurities increases, the conductivity of the second emitter portion 1212 in contact with the front electrode 141 is higher than that of the first emitter portion 1211 in which charge transfer is performed. Increases. As a result, the contact resistance between the front electrode 141 and the second emitter portion 1212 is reduced, thereby increasing the amount of charge that moves from the second emitter portion 1212 to the front electrode 141. For this reason, the efficiency of the solar cell 11 which has a selective emitter structure improves significantly.

이미 설명한 것처럼, 본 예에 따른 각 제2 에미터 부분(1212)의 폭(W11)은 종래의 각 에미터 부분(1212)의 폭(예, 약 600㎛ 내지 약 650㎛)보다 훨씬 작은 약 150㎛ 내지 250㎛이다. 이로 인해, 각 제2 에미터 부분(1212)의 표면 위에 각 전면 전극(141)이 위치하는 비율이 종래에 비해 크게 증가하고, 이로 인해, 각 제2 에미터 부분(1212)의 표면 위에 각 전면 전극(141)이 위치하지 않은 부분이 종래에 비해 크게 감소하게 된다.As already described, the width W11 of each second emitter portion 1212 according to this example is about 150 much smaller than the width of each conventional emitter portion 1212 (eg, about 600 μm to about 650 μm). Μm to 250 μm. As a result, the ratio of the position of each front electrode 141 on the surface of each second emitter portion 1212 is greatly increased as compared to the prior art, whereby each front surface on the surface of each second emitter portion 1212 is increased. The portion where the electrode 141 is not located is greatly reduced in comparison with the related art.

이미 설명한 것처럼, 에미터부(121)에 함유된 불순물은 전하(예, 전자)의 이동을 방해하거나 전하를 손실시켜, 전하의 이동에 악영항을 미치게 된다. 이로 인해, 불순물로 인한 전하의 손실을 방지하기 위해, 에미터부(121)에서 상대적으로 고농도의 불순물 도핑 농도를 갖는 제2 에미터 부분(1212)은 가능하면 전면 전극(141)과 접합되는 부분에만 위치하는 것이다. As described above, the impurities contained in the emitter unit 121 interfere with the movement of the charge (for example, electrons) or lose the charge, thereby adversely affecting the movement of the charge. For this reason, in order to prevent loss of charge due to impurities, the second emitter portion 1212 having a relatively high impurity doping concentration in the emitter portion 121 may be limited to only the portion that is joined to the front electrode 141 if possible. To be located.

따라서, 본 예의 경우, 각 제2 에미터 부분(1212)의 폭(W11)이 종래보다 크게 감소하므로, 고농도의 불순물 도핑 영역인 제2 에미터 부분(1212)으로 인한 전하의 손실량은 크게 줄어들어, 에미터부(121)에서 전면 전극부(140)로 이동하는 전하의 양은 증가한다. Thus, in the present example, since the width W11 of each second emitter portion 1212 is greatly reduced than before, the amount of charge loss due to the second emitter portion 1212, which is a high concentration impurity doped region, is greatly reduced, The amount of charge that moves from the emitter portion 121 to the front electrode portion 140 increases.

본 예에서, 제2 에미터 부분(1212)의 폭(W11)이 약 150㎛ 이상일 경우, 제2 에미터 부분(1212) 위에 각 전면 전극(141)이 좀더 용이하게 안정적으로 위치하며, 제2 에미터 부분(1212)의 폭(W11)이 약 250㎛ 이하일 경우, 전면 전극(141)이 위치하지 않는 제2 에미터 부분(1212)의 표면 면적을 감소시켜 고농도의 불순물 도핑 영역인 제2 에미터 부분(1212)에 의한 전하의 손실이 좀더 줄어든다.In this example, when the width W11 of the second emitter portion 1212 is about 150 μm or more, each front electrode 141 is more easily and stably positioned on the second emitter portion 1212. When the width W11 of the emitter portion 1212 is about 250 μm or less, the surface area of the second emitter portion 1212 in which the front electrode 141 is not located is reduced to increase the concentration of impurity doped regions in the second emission. The loss of charge by the rotor portion 1212 is further reduced.

도 1에서, 기판(110)에 위치하는 전면 전극(141)과 전면 버스바(142)의 개수는 한 예에 불과하고, 경우에 따라 변경 가능하다.In FIG. 1, the number of front electrodes 141 and front busbars 142 disposed on the substrate 110 is only one example, and may be changed in some cases.

전계부(172)는 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(110)보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, p+ 영역이다. The electric field unit 172 is a region in which impurities of the same conductivity type as the substrate 110 are doped at a higher concentration than the substrate 110, for example, a p + region.

이러한 기판(110)의 제1 도전성 영역과 전계부(172)간의 불순물 농도 차이로 인해 전위 장벽이 형성되고, 이로 인해, 정공의 이동 방향인 전계부(172) 쪽으로 전자 이동을 방해하는 반면, 전계부(172) 쪽으로의 정공 이동을 용이하게 한다. 따라서, 기판(110)의 후면 및 그 부근에서 전자와 정공의 재결합으로 손실되는 전하의 양을 감소시키고 원하는 전하(예, 정공)의 이동을 가속화시켜 후면 전극부(150)로의 전하 이동량을 증가시킨다.The potential barrier is formed due to the difference in the impurity concentration between the first conductive region of the substrate 110 and the electric field portion 172, thereby preventing electrons from moving toward the electric field portion 172 in the direction of movement of holes. It facilitates the hole movement toward the step 172. Therefore, the amount of charge lost due to the recombination of electrons and holes in the rear surface and the vicinity of the substrate 110 is reduced and the movement of the desired charge (eg, holes) is accelerated to increase the amount of charge transfer to the rear electrode portion 150. .

후면 전극부(150)는 후면 전극(제2 전극)(151)과 후면 전극(151)과 연결되어 있는 복수의 후면 버스바(복수의 제2 버스바)(152)를 구비한다.The rear electrode unit 150 includes a rear electrode (second electrode) 151 and a plurality of rear bus bars (plural second bus bars) 152 connected to the rear electrode 151.

후면 전극(151)은 기판(110)의 후면에 위치한 전계부(172)와 접촉하고 있다. 후면 전극(151)은 후면 버스바(152)가 위치한 부분을 제외한 기판(110)의 후면 전체에 위치하지만, 대안적인 예에서, 후면 버스바(152)가 위치한 부분 이외에 기판(110)의 후면 가장 자리 부분을 제외한 실질적으로 기판(110)의 후면 전체에 위치할 수 있다.The back electrode 151 is in contact with the electric field unit 172 located on the back of the substrate 110. The rear electrode 151 is positioned over the entire rear of the substrate 110 except for the portion where the rear busbar 152 is located, but in an alternative example, the rearmost edge of the substrate 110 is positioned in addition to the portion where the rear busbar 152 is located. It may be located substantially over the entire rear surface of the substrate 110 except for the seat portion.

후면 전극(151)은 알루미늄(Al)과 같은 도전성 물질을 함유하고 있다. The rear electrode 151 contains a conductive material such as aluminum (Al).

이러한 후면 전극(151)은 전계부(172)쪽으로부터 이동하는 전하, 예를 들어 정공을 수집한다.The back electrode 151 collects charge, for example, holes, moving from the electric field 172 side.

이때, 후면 전극(151)이 기판(110)보다 높은 불순물 도핑 농도를 갖는 전계부(172)와 접촉하고 있으므로, 전계부(172)의 전도도 증가로 인해, 기판(110), 즉 전계부(172)와 후면 전극(151) 간의 접촉 저항이 감소하여 기판(110)으로부터 후면 전극(151)으로의 전하 전송 효율이 향상된다.At this time, since the back electrode 151 is in contact with the electric field unit 172 having a higher impurity doping concentration than the substrate 110, the substrate 110, that is, the electric field unit 172 is increased due to the increased conductivity of the electric field unit 172. ) And the contact resistance between the rear electrode 151 is reduced, thereby improving charge transfer efficiency from the substrate 110 to the rear electrode 151.

복수의 후면 버스바(152)는 후면 전극(151)이 위치하지 않는 기판(110)의 후면 위에 위치하며 인접한 후면 전극(151)과 연결되어 있다. The plurality of rear bus bars 152 are positioned on the rear surface of the substrate 110 where the rear electrode 151 is not located and are connected to the adjacent rear electrode 151.

또한, 복수의 후면 버스바(152)는 기판(110)을 중심으로 복수의 전면 버스바(142)와 대응되게 마주본다.In addition, the plurality of rear bus bars 152 may face the plurality of front bus bars 142 with respect to the substrate 110.

복수의 후면 버스바(152)는 복수의 전면 버스바(142)와 유사하게, 후면 전극(151)으로부터 전달되는 전하를 수집한다.The plurality of rear busbars 152 collects charges transferred from the rear electrode 151, similar to the plurality of front busbars 142.

복수의 후면 버스바(152) 역시 외부 장치와 연결되어, 복수의 후면 버스바(152)에 의해 수집된 전하(예, 정공)는 외부 장치로 출력된다. The plurality of rear busbars 152 are also connected to an external device, and the charges (eg, holes) collected by the plurality of rear busbars 152 are output to the external device.

이러한 복수의 후면 버스바(152)는 후면 전극(151)보다 양호한 전도도를 갖는 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 은(Ag)과 같은 적어도 하나의 도전성 물질을 함유한다.The plurality of rear busbars 152 may be made of a material having better conductivity than the rear electrode 151, and contain at least one conductive material such as silver (Ag), for example.

대안적인 예에서, 후면 전극(151)은 기판(110)의 후면 전체에 위치할 수 있고, 이 경우, 복수의 후면 버스바(152)는 기판(110)을 중심으로 복수의 전면 버스바(142)와 대응되게 마주보며 후면 전극(151) 위에 위치한다. 이때, 경우에 따라 후면 전극(151)은 후면의 가장 자리 부분을 제외한 실질적인 후면 전체 면에 위치할 수 있다. In an alternative example, the back electrode 151 may be located throughout the back side of the substrate 110, in which case the plurality of back busbars 152 may include a plurality of front busbars 142 about the substrate 110. ) And are located on the rear electrode 151 to face each other. In this case, in some cases, the rear electrode 151 may be located on the entire rear surface of the rear surface except for the edge portion of the rear surface.

이와 같은 구조를 갖는 본 실시예에 따른 태양 전지(11)의 동작은 다음과 같다.The operation of the solar cell 11 according to the present embodiment having such a structure is as follows.

태양 전지(11)로 빛이 조사되어 반사 방지부(130)를 통해 기판(110)으로 입사되면 빛 에너지에 의해 반도체부에서 전자와 전공이 발생한다. 이때, 반사 방지부(130)에 의해 기판(110)으로 입사되는 빛의 반사 손실이 줄어들어 기판(110)으로 입사되는 빛의 양이 증가한다. When light is irradiated onto the solar cell 11 and incident on the substrate 110 through the anti-reflection unit 130, electrons and holes are generated in the semiconductor unit by light energy. At this time, the reflection loss of the light incident on the substrate 110 by the anti-reflection unit 130 is reduced, so that the amount of light incident on the substrate 110 increases.

이들 전자와 정공은 기판(110)과 에미터부(121)의 p-n 접합에 의해 n형의 도전성 타입을 갖는 에미터부(121)와 p형의 도전성 타입을 갖는 기판(110) 쪽으로 각각 이동한다. 이처럼, 에미터부(121) 쪽으로 이동한 전자는 복수의 전면 전극(141)과 복수의 전면 버스바(142)에 의해 수집되어 복수의 전면 버스바(142)를 따라 이동하고, 기판(110) 쪽으로 이동한 정공은 인접한 후면 전극(151)와 복수의 후면 버스바(152)에 의해 수집되어 복수의 후면 버스바(152)를 따라 이동한다. 이러한 전면 버스바(142)와 후면 버스바(152)를 도선으로 연결하면 전류가 흐르게 되고, 이를 외부에서 전력으로 이용하게 된다.These electrons and holes move toward the emitter portion 121 having an n-type conductivity type and the substrate 110 having a p-type conductivity type, respectively, by the p-n junction between the substrate 110 and the emitter portion 121. As such, the electrons moved toward the emitter unit 121 are collected by the plurality of front electrodes 141 and the plurality of front busbars 142, move along the plurality of front busbars 142, and toward the substrate 110. The moved holes are collected by the adjacent rear electrode 151 and the plurality of rear busbars 152 and move along the plurality of rear busbars 152. When the front bus bar 142 and the rear bus bar 152 are connected with a conductive wire, a current flows, which is used as power from the outside.

이때, 에미터부(121)가 선택적 에미터 구조를 갖는 에미터부(121)에 의해, 전하의 손실량은 감소하여, 전면 전극(141)로 이동하는 전하의 양은 증가하여, 태양 전지(11)의 효율은 크게 향상된다.At this time, the emitter portion 121 has the selective emitter structure, the emitter portion 121, the amount of charge loss is reduced, the amount of charge to move to the front electrode 141 is increased, the efficiency of the solar cell 11 Is greatly improved.

다음, 도 4a 내지 도 4h를 참고로 하여 본 실시예에 따른 태양 전지(11)의 제조 방법을 설명한다. Next, a method of manufacturing the solar cell 11 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 4A to 4H.

먼저, 도 4a 및 도 4b에 도시한 것처럼, p형과 같은 제1 도전성 타입을 갖는 단결정 실리콘과 같은 결정질 반도체로 이루어진 기판(110)의 한 면(예, 전면) 에 이온 주입 장치를 사용하여 기판(110)의 제1 도전성 타입(예, p형)과 반대인 제2 도전성 타입(예, n형)을 갖는 양(+)의 이온(ion)을 주입하여, 기판(110)의 전면 쪽에 불순물부(120)를 형성한다. 이때, 불순물부(120)는 기판(110)의 전면 전체에 형성되거나 또는 기판(110)의 전면 전체에서 가장 자리 부분을 제외한 기판(110)의 전면에 형성될 수 있다.First, as shown in FIGS. 4A and 4B, a substrate is formed by using an ion implantation apparatus on one side (eg, front side) of a substrate 110 made of a crystalline semiconductor such as single crystal silicon having a first conductivity type such as p-type. Impurities are implanted into the front side of the substrate 110 by implanting positive ions having a second conductivity type (e.g., n-type) opposite to the first conductivity type (e.g., p-type) of (110). Form the portion 120. In this case, the impurity part 120 may be formed on the entire front surface of the substrate 110 or may be formed on the entire surface of the substrate 110 except for the edge portion of the entire front surface of the substrate 110.

그런 다음, 다시 도 4c 및 도 4d에 도시한 것처럼, 기판(110)의 전면 쪽에 형성된 불순물부(120) 위에 마스크(mask)(200)를 위치시킨 후, 이온 주입 장치를 이용하여 마스크(200)를 통해 노출된 불순물부(120) 부분에 제2 도전성 타입(예, n형)을 갖는 양(+)의 이온(ion)을 다시 주입한다. 그런 다음, 기판(110)의 전면에서 마스크(200)를 제거한다. 이때, 마스크(200)는 이온 주입 장치에 부착되어 있어, 이온 주입 장치의 제어에 의해 기판(110) 위에 위치하거나 기판(110) 위에서 제거될 수 있다. Then, as shown in FIGS. 4C and 4D, the mask 200 is positioned on the impurity portion 120 formed on the front side of the substrate 110, and then the mask 200 is formed using an ion implantation apparatus. A positive ion having a second conductivity type (eg, n-type) is re-injected into the impurity portion 120 exposed through the second conductive type. Then, the mask 200 is removed from the front surface of the substrate 110. In this case, the mask 200 is attached to the ion implantation device, and may be positioned on the substrate 110 or removed from the substrate 110 by the control of the ion implantation device.

이로 인해, 마스크(200)를 통해 노출된 불순물부(120)는 제2 불순물 부분(1202)이 되고 나머지 불순물부(120)는 제1 불순물 부분(1201)이 된다. As a result, the impurity portion 120 exposed through the mask 200 becomes the second impurity portion 1202 and the remaining impurity portion 120 becomes the first impurity portion 1201.

제2 불순물 부분(1202)은 두 번의 이온 주입 공정이 행해진 부분이고, 제1 불순물 부분(1201)은 불순물부(120)와 동일하게 한번의 이온 주입 공정이 행해진 부분이므로, 제1 불순물 부분(1201)의 특성(즉, 이온 주입 깊이와 이온 주입 농도)은 불순물부(120)와 동일하고, 제2 불순물 부분(1202)은 제1 불순물 부분(1201)보다 큰 이온 주입 깊이와 이온 주입 농도를 갖고 있다. Since the second impurity portion 1202 is a portion in which two ion implantation processes have been performed, and the first impurity portion 1201 is a portion in which one ion implantation process is performed in the same manner as the impurity portion 120, the first impurity portion 1201 ) Characteristics (ie, ion implantation depth and ion implantation concentration) are the same as the impurity portion 120, and the second impurity portion 1202 has a larger ion implantation depth and ion implantation concentration than the first impurity portion 1201 have.

이때, 사용되는 마스크(200)는, 도 4c 및 도 5에 도시한 것처럼, 탄소(C) 재질[예, 흑연(graphite)]로 이루어진 본체(201), 복수의 개구부(202) 및 각 개구부(202) 주위 위에 위치하고 도전성 물질로 이루어진 전극(203)을 구비한다. 이때, 전극(203)은 약 0.1kV 내지 50kV의 전압을 인가 받을 수 있다. In this case, the mask 200 to be used includes a main body 201 made of a carbon (C) material (eg, graphite), a plurality of openings 202, and respective openings (as shown in FIGS. 4C and 5). 202 is provided on the periphery and has an electrode 203 made of a conductive material. At this time, the electrode 203 may receive a voltage of about 0.1kV to 50kV.

각 개구부(202)의 형성 위치와 형상은 제1 및 제2 에미터 부분을 구비한 선택적 에미터 구조 중에서 불순물의 도핑 농도가 높은 에미터 부분, 예를 들어, 제2 에미터 부분의 형성 위치와 형상에 대응한다. The position and shape of formation of each opening 202 may be determined by the position of formation of an emitter portion having a high doping concentration of impurities, for example, a second emitter portion, among the selective emitter structures including the first and second emitter portions. Corresponds to the shape.

이때, 각 개구부(202)의 폭(W3)은 약 600㎛ 내지 약 650㎛일 수 있고, 각 개구부(202)의 길이(L1)은 약 40㎜ 내지 60㎜일 수 있다.In this case, the width W3 of each opening 202 may be about 600 μm to about 650 μm, and the length L1 of each opening 202 may be about 40 mm to 60 mm.

또한, 마스크(200)에 형성된 전극(203)은 각 개구부(202)와 접해 있는 본체(201) 위에 정해진 폭(W4)으로 형성된다. 이때, 본 예에서, 전극(203)은 각 개구부(202)의 상부 측면에 인접하게 위치한 제1 부분(3a), 각 개구부(202)의 하부 측면에 인접하게 위치한 제2 부분(3b) 그리고 각 개구부(202)의 좌측면과 우측면에 인접하게 각 위치한 제3 부분(3c)을 구비하고 있고, 각 개구부(202) 주변에 위치한 제1 내지 제3 부분(3a-3c)은 서로 연결되어 있어, 각 개구부(202)를 에워싸고 있는 고리 형상을 갖고 있다.In addition, the electrode 203 formed in the mask 200 is formed to have a predetermined width W4 on the main body 201 in contact with each of the openings 202. In this example, in this example, the electrode 203 includes a first portion 3a positioned adjacent to an upper side of each opening 202, a second portion 3b positioned adjacent to a lower side of each opening 202, and an angle. 3rd parts 3c which are respectively located adjacent to the left side and the right side of the opening part 202, and the 1st thru | or 3rd parts 3a-3c located around each opening part 202 are mutually connected, Each opening 202 has an annular shape.

또한, 인접한 두 개구부(202)를 에워싸고 있는 전극(203)은 각 개구부(202)의 제1 부분(3a)이 인접한 개구부(202) 쪽으로 연장되어 서로 연결되어 있다. 이로 인해, 마스크(200)에 형성된 제1 부분(3a)은 각 개구부(202)의 상부 측면에 인접하게 마스크(200)의 상부 측면 또는 하부 측면에 나란한 방향(예, X 방향)으로 길게 뻗어 있다. 따라서, 마스크(200)의 제1 부분(3a)은 상부 가장자리부 전체에 형성될 수 있다. 이로 인해, 복수의 개구부(202) 주변에 형성된 전극(203)은 제1 부분(3a)에 의해 서로 연결되어 있고, 빗살(comb) 형상을 갖고 있다. In addition, the electrodes 203 surrounding two adjacent openings 202 are connected to each other by the first portion 3a of each opening 202 extending toward the adjacent opening 202. As a result, the first portion 3a formed in the mask 200 extends in a direction parallel to the upper side or the lower side of the mask 200 (eg, the X direction) adjacent to the upper side of each opening 202. . Thus, the first portion 3a of the mask 200 may be formed over the entire upper edge portion. For this reason, the electrodes 203 formed around the plurality of openings 202 are connected to each other by the first portion 3a, and have a comb shape.

이때, 전극(203)의 제2 부분(3b) 및 제3 부분(3c)은 동일한 폭(W4)을 갖는다.At this time, the second portion 3b and the third portion 3c of the electrode 203 have the same width W4.

또한, 도 5에 도시한 것처럼, 제1 부분(3a)의 양 단부(3a1)를 통해 전압을 인가 받을 수 있다. 이때, 양 단부(3a1)인 전압 인가부(3a1)는 제1 부분(3a)의 연장 방향과 같은 방향으로 연장되어 마스크(200)의 끝단까지 형성될 수 있고, 이 단부(3a1)의 폭(W5)은 전극(203)의 다른 부분의 폭보다 넓을 수 있다. 이로 인해, 전극(203)에 인가되는 전압이 좀더 용이하게 안정적으로 인가된다.In addition, as shown in FIG. 5, a voltage may be applied through both ends 3a1 of the first portion 3a. At this time, the voltage applying portion 3a1 which is both ends 3a1 may extend in the same direction as the extending direction of the first portion 3a to be formed up to the end of the mask 200, and the width of the end 3a1 may be W5) may be wider than the width of another portion of electrode 203. For this reason, the voltage applied to the electrode 203 is more easily and stably applied.

도 6에 도시한 것처럼, 전압 인가부(3a1)는 마스크(200)의 좌측과 우측 가장 자리부분에서, 제2 부분(3b)까지 Y 방향으로 길게 연장될 수 있다. 따라서, 전극(203)에 인가되는 전압은 마스크(200)의 좌측 가장자리부와 우측 가장자리부에 형성된 전압 인가부(3a1)를 통해 안정하게 인가 받을 수 있다. As illustrated in FIG. 6, the voltage applying unit 3a1 may extend in the Y direction from the left and right edges of the mask 200 to the second part 3b. Therefore, the voltage applied to the electrode 203 can be stably applied through the voltage applying unit 3a1 formed at the left and right edges of the mask 200.

일반적으로 이온 주입 장치는 플라즈마 발생기, 이 플라즈마 발생기에 연결된 이온 가속 및 출력부, 마스크(200), 그리고 이들과 연결된 제어부를 구비하고 있다.In general, an ion implantation apparatus includes a plasma generator, an ion acceleration and output unit connected to the plasma generator, a mask 200, and a control unit connected thereto.

따라서, 원하는 도전상 타입에 해당하는 소스 가스(source gas)가 플라즈마 발생기로 입력되어 양 이온이 발생하면, 이 양이온은 이온 가속 및 출력부로 인가되어 해당하는 가속 에너지, 예를 들어, 약 10keV 내지 30keV로 기판(110)쪽으로 출력된다. 이때, 제어부의 동작에 따라 마스크(200)의 위치가 제어된다. 이러한 동작에 의해 이온 주입 장치로부터 기판(110) 쪽으로 양(+)의 이온이 출력되면, 전극(203)에 인가되는 전압의 크기는 이러한 가속 에너지를 갖고 기판(110) 쪽으로 인가되는 양의 이온을 전극(203)에서 발생하는 전기장의 척력을 이용하여 이온의 경로를 변경한다.Therefore, when a source gas corresponding to the desired conductive phase type is input to the plasma generator and positive ions are generated, the positive ions are applied to the ion acceleration and output unit so that the corresponding acceleration energy, for example, about 10 keV to 30 keV The furnace is output toward the substrate 110. At this time, the position of the mask 200 is controlled according to the operation of the controller. When positive (+) ions are output from the ion implantation device toward the substrate 110 by this operation, the magnitude of the voltage applied to the electrode 203 has this acceleration energy and the positive ions applied to the substrate 110. The path of the ions is changed by using the repulsive force of the electric field generated by the electrode 203.

따라서 전극(203)에 인가되는 전압의 크기가 약 0.1kV 이상일 경우, 이온의 경로는 원하는 방향으로 안정적으로 변경되고, 전극(203)에 인가되는 전압의 크기가 약 50kV 이하일 경우, 원하는 위치로 이온의 경로를 적절히 조절하여 각 개구부(202) 내의 원하는 위치에 이온 주입이 안정적으로 행해진다.Therefore, when the magnitude of the voltage applied to the electrode 203 is about 0.1 kV or more, the path of the ions is stably changed in a desired direction, and when the magnitude of the voltage applied to the electrode 203 is about 50 kV or less, the ion is moved to a desired position. By appropriately adjusting the path of ions, ion implantation is stably performed at a desired position in each opening 202.

이러한 마스크(200)에 전극(203)을 형성하는 방법의 한 예는 다음과 같다.An example of a method of forming the electrode 203 in the mask 200 is as follows.

먼저, 미리 정해진 패턴을 이용하여, 탄소 재질로 이루어진 본체(201)에 복수의 개구부(202)가 형성된다. 이때, 개구부(202)의 개수, 형성 위치, 간격, 선폭 및 길이 등은 복수의 전면 전극(141)의 개수, 형성 위치, 간격, 선 폭 및 길이 등을 기초하여 정해진다.First, a plurality of openings 202 are formed in the body 201 made of a carbon material using a predetermined pattern. In this case, the number, formation positions, spacings, line widths and lengths of the openings 202 are determined based on the number, formation positions, spacing, line widths and lengths of the plurality of front electrodes 141.

그런 다음, 본체(201)의 한 면 일부 위에 실리콘 산화막 등을 적층하여 복수의 개구부(202) 주변의 일부를 노출하는 증착 방지막을 형성한다.Then, a silicon oxide film or the like is laminated on a portion of one surface of the main body 201 to form a deposition preventing film exposing a portion of the periphery of the plurality of openings 202.

그런 다음, 증착 방지막이 형성된 본체(201) 위에 스퍼터링법(sputtering)이나 이-빔 증착법(electron-beam evaporation) 등을 이용하여 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al)과 같은 도전성 물질을 노출된 본체(201) 위에 적층한다.Then, a conductive material such as silver (Ag), copper (Cu), or aluminum (Al) using sputtering, electron-beam evaporation, or the like on the main body 201 on which the deposition prevention film is formed. Stacked on the exposed body 201.

따라서, 각 개구부(202)의 주변 위에 원하는 패턴을 갖는 전극(203)이 형성된다. 개구부(202) 주변에 형성되는 전극(203)의 폭(W4)은 인접한 전면 전극(141)의 간격[즉, 인접한 두 전면 전극(141) 사이의 간격]에 따라 정해질 수 있고, 예를 들어, 약 100㎛ 내지 700㎛일 수 있다. Thus, electrodes 203 having a desired pattern are formed on the periphery of each opening 202. The width W4 of the electrode 203 formed around the opening 202 may be determined according to the spacing of the adjacent front electrode 141 (ie, the spacing between two adjacent front electrodes 141), for example. , About 100 μm to 700 μm.

전극(203)의 폭(W4)이 약 100㎛ 이상일 경우, 전극(203)이 좀더 용이하고 안정적으로 형성되며, 전극(203)의 폭(W4)이 약 700㎛ 이하일 경우, 전극(203)은 인접한 개구부(202) 주변에 형성된 전극(203)간의 접촉 없이 용이하고 안정적으로 형성된다. When the width W4 of the electrode 203 is about 100 μm or more, the electrode 203 is more easily and stably formed. When the width W4 of the electrode 203 is about 700 μm or less, the electrode 203 is It is easily and stably formed without contact between the electrodes 203 formed around the adjacent openings 202.

전압 인가부(3a1)를 통해 0.1keV 내지 50keV의 크기를 갖는 양(+)의 전압이 전극(203)에 인가되면, 전극(203)의 주변에는 양(+)의 전기장이 발생하게 된다.When a positive voltage having a magnitude of 0.1 keV to 50 keV is applied to the electrode 203 through the voltage applying unit 3a1, a positive electric field is generated around the electrode 203.

이와 같이, 기판(110)의 위에 위치한 마스크(200)의 전극(203)에 정해진 크기의 양(+)의 전압이 인가된 상태에서, 제2 도전성 타입을 갖는 양(+)의 이온[예, 붕소(B)나 인(P)의 이온인 B+ 또는 P+]이 기판(110)의 전면 쪽[즉, 불순물부(120) 쪽]으로 출력되어 불순물부(120)의 일부를 제2 불순물 부분(1202)으로 형성하게 된다.As described above, in the state where a positive voltage of a predetermined magnitude is applied to the electrode 203 of the mask 200 positioned on the substrate 110, positive ions having a second conductivity type (eg, B + or P +, which is an ion of boron (B) or phosphorus (P), is output to the front side of the substrate 110 (that is, the impurity portion 120 side), and a part of the impurity portion 120 is transferred to the second impurity portion ( 1202).

이미 설명한 것처럼, 전극(203)은 양(+)의 전압을 인가 받으므로, 도 7에 같이, 전극(203) 주위에는 양(+)의 전기장이 발생한다. 이러한 상태에서, 이온 주입 동작에 의해 양(+)의 불순물 이온이 기판(110)으로 주입될 때, 전극(203) 주변에 형성된 양(+)의 전기장과 양(+)의 불순물 이온 간의 반발력(척력)에 의해 불순물 이온은 전극(203)에 발생하는 전기장의 영향이 미치지 않는 개구부(202)의 가운데 부분으로 경로를 변경하여 불순물부(120) 속에 주입된다.As described above, since the electrode 203 is applied with a positive voltage, a positive electric field is generated around the electrode 203 as shown in FIG. 7. In this state, when positive impurity ions are implanted into the substrate 110 by an ion implantation operation, the repulsive force between the positive electric field formed around the electrode 203 and the positive impurity ions ( The impurity ions are injected into the impurity portion 120 by changing the path to the center portion of the opening 202 which is not affected by the electric field generated in the electrode 203.

이로 인해, 개구부(202)에 의해 노출된 불순물부(120)의 부분 중에서도, 전극(203)의 주변 부분, 즉 전극(203)에서 발생하는 전기장 범위 하부에 위치한 불순물부(120)의 부분은 그렇지 않은 불순물부(120)의 부분보다 낮은 불순물 주입 농도와 주입 깊이를 갖게 된다. As a result, even among the portions of the impurity portion 120 exposed by the opening 202, the portions of the impurity portion 120 located below the electric field range generated in the peripheral portion of the electrode 203, that is, the electrode 203, are not. The impurity implantation concentration and implantation depth are lower than that of the non-impurity portion 120.

이로 인해, 제1 불순물 부분(1201)은 마스크(200)의 본체(201) 하부에 위치한 불순물부(120)의 부분뿐만 아니라 개구부(202) 내에 위치한 불순물부(120)의 부분 중에서 전극(203)과 인접한 곳에 위치한 불순물부(120)의 일부에도 위치하고, 제2 불순물 부분(1202)은 개구부(202) 내에 위치한 불순물부(120)의 부분 중에서 개구부(202)의 가운데 부분에 위치한 불순물부(120)의 부분에 위치한다. 이때, 제2 불순물 부분(1202)의 폭은 약 50㎜ 내지 110㎜일 수 있다.As a result, the first impurity portion 1201 may be formed of the electrode 203 among the impurity portion 120 disposed in the opening 202 as well as the impurity portion 120 positioned below the main body 201 of the mask 200. The second impurity portion 1202 is also located in a portion of the impurity portion 120 located adjacent to the second impurity portion 1202. The impurity portion 120 is positioned at the center of the opening portion 202 among the portions of the impurity portion 120 positioned in the opening 202. Is located in the part of. In this case, the width of the second impurity portion 1202 may be about 50 mm to 110 mm.

이로 인해, 각 개구부(202)를 통해 노출된 불순물부(120) 부분에는 제1 불순물 부분(1201)과 제2 불순물 부분(1202)이 모두 존재하게 된다.As a result, both the first impurity portion 1201 and the second impurity portion 1202 are present in the portion of the impurity portion 120 exposed through each opening 202.

따라서, 도 7에 도시한 것처럼, 개구부(202)를 통해 노출된 불순물부(120)의 불순물 주입 농도는 개구부(202)의 가운데 부분에 위치한 제2 불순물 부분(1202)이 가장 높고, 제2 불순물 부분(1202) 주변에 위치한 제1 불순물 부분(1201)은 제2 불순물 부분(1202)보다 낮다.Therefore, as shown in FIG. 7, the impurity implantation concentration of the impurity portion 120 exposed through the opening 202 is highest in the second impurity portion 1202 positioned in the center of the opening 202, and the second impurity is in the second impurity portion 1202. The first impurity portion 1201 located around the portion 1202 is lower than the second impurity portion 1202.

이온 주입법을 이용하여 불순물의 주입 농도와 주입 깊이가 서로 상이한 제1 및 제2 불순물 부분(1201, 1202)을 형성하기 전에, 반응성 이온 식각법(reaction ion etching, RIE) 등과 같은 건식 식각법이나 습식 식각법을 이용하여 평탄면인 기판(110)의 전면에 복수의 돌출부와 복수의 오목부를 갖는 텍스처링 표면을 형성할 수 있다. Before using the ion implantation method to form the first and second impurity portions 1201 and 1202 having different implantation concentrations and implantation depths, dry etching or wet etching such as reactive ion etching (RIE) or the like is performed. The etching method may form a texturing surface having a plurality of protrusions and a plurality of recesses on the entire surface of the substrate 110, which is a flat surface.

본 예에서, n형의 도전성 타입을 갖는 불순물 이온을 생성하기 위해 플라즈마 발생기에 인가되는 된 소스 가스는 PH3 가스일 수 있고, p형의 도전성 타입을 갖는 불순물 이온을 생성하기 위해 플라즈마 발생기에 인가되는 소스 가스는 BF3 가스일 수 있다.In this example, the source gas applied to the plasma generator to produce the impurity ions having the n-type conductivity type may be a PH 3 gas, and applied to the plasma generator to generate the impurity ions having the p-type conductivity type. The source gas being may be a BF 3 gas.

이미 기술한 것처럼, 각 개구부(202)의 길이(L)는 각 전면 전극의 길이보다 짧은 약 40㎜ 내지 60㎜이므로, 마스크(200) 하부에 위치한 기판(110))을 직선 방향(예, Y 방향)으로 전방 또는 후방으로 이동시키면서 이온 주입 동작을 실시한다. 이로 인해, 복수의 개구부(202)를 통해 형성된 각 제2 불순물 부분(1202)의 길이는 대략 각 전면 전극의 길이와 대응되는 길이를 갖게 된다. 하지만, 개구부(202)의 길이(즉, 장축 길이)를 변경하여 기판(110)의 추가 이동 없이 한번의 이온 주입 동작으로 원하는 길이를 갖는 제2 불순물 부분(1202)을 형성할 수 있다.As already described, the length L of each opening 202 is about 40 mm to 60 mm shorter than the length of each front electrode, so that the substrate 110 positioned under the mask 200 is in a straight direction (eg, Y). Direction) to carry out the ion implantation operation. As a result, the length of each second impurity portion 1202 formed through the plurality of openings 202 has a length approximately corresponding to the length of each front electrode. However, the length of the opening 202 (ie, the long axis length) may be changed to form the second impurity portion 1202 having the desired length in one ion implantation operation without further movement of the substrate 110.

그런 다음, 도 4e에 도시한 것처럼, 질소(N2) 분위기에서 기판(110)을 열처리하여, 기판(110) 내에 형성된 제1 및 제2 불순물 부분(1201, 1202)을 활성화시켜 서로 다른 불순물 도핑 농도, 도핑 깊이 및 면저항값을 갖는 제1 및 제2 에미터 부분(1211, 1212)을 구비한 에미터부(121)를 형성한다. 이때 제1 불순물 부분(1201)은 제1 에미터 부분(1211)이 되고, 제2 불순물 부분(1202)은 제2 에미터 부분(1212)이 된다. Then, as illustrated in FIG. 4E, the substrate 110 is heat-treated in a nitrogen (N 2 ) atmosphere to activate the first and second impurity portions 1201 and 1202 formed in the substrate 110 to do different impurity doping. An emitter portion 121 having first and second emitter portions 1211 and 1212 having a concentration, a doping depth and a sheet resistance value is formed. At this time, the first impurity portion 1201 becomes the first emitter portion 1211 and the second impurity portion 1202 becomes the second emitter portion 1212.

즉, 열처리로 인한 활성화 공정에 의해, 제1 및 제2 불순물 부분(1201, 1202)에 침입형 상태(interstitial sate)로 기판(110) 속에 주입된 양의 불순물 이온이 치환형 상태(substitutional state)로 바뀌어 실리콘과 불순물 이온의 재배열이 이루어져, 제1 및 제2 불순물 부분(1201, 1202)은 p형 또는 n형의 에미터부로 기능하게 된다.That is, the impurity ions implanted into the substrate 110 in the interstitial sate into the first and second impurity portions 1201 and 1202 by the activation process due to the heat treatment are in a substitutional state. And rearrangement of silicon and impurity ions is performed, so that the first and second impurity portions 1201 and 1202 function as emitter portions of p-type or n-type.

이때, 열처리 공정으로 인해, 제1 및 제2 불순물 부분(1201, 1202)에 함유된 불순물 이온이 좀더 기판(110) 속으로 확산되므로 활성화된 불순물부인 에미터부(121)의 제1 및 제2 에미터 부분(1211, 1212)의 두께(즉, 깊이), 즉 불순물 도핑 두께, 폭 및 길이는 제1 및 제2 불순물 부분(1201, 1202)보다 각각 증가한다. In this case, since the impurity ions contained in the first and second impurity portions 1201 and 1202 are further diffused into the substrate 110, the first and second emitters of the emitter portion 121, which are activated impurity portions, are further diffused into the substrate 110. The thickness (ie, depth), i.e., the impurity doping thickness, width, and length of the trench portions 1211 and 1212 is increased than the first and second impurity portions 1201 and 1202, respectively.

이때, 제1 및 제2 불순물 부분(1201, 1202)를 활성화하기 위한 열처리 온도는 약 800℃ 내지 1100℃일 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 불순물 부분(1201, 1202)이 n형[예, 인(P)]일 때 약 800℃ 내지 1100℃이고, 제1 및 제2 불순물 부분(1201, 1202)이 p형[예, 붕소(B))일 때 약 900℃ 내지 1100℃일 수 있다.In this case, the heat treatment temperature for activating the first and second impurity portions 1201 and 1202 may be about 800 ° C to 1100 ° C. For example, when the first and second impurity portions 1201 and 1202 are n-type (eg, phosphorus (P)), they are about 800 ° C. to 1100 ° C., and the first and second impurity portions 1201 and 1202 are When the p-type (eg, boron (B)) may be about 900 ℃ to 1100 ℃.

제1 및 제2 불순물 부분(1201, 1202)을 활성화하기 위한 열처리 공정 중에, 실리콘(Si)의 재결정화 온도에서 실리콘(Si)의 재결정화가 행해질 수 있다. 따라서, 실리콘 재결정화가 발생할 경우, 불순물 이온이 기판(110)으로 주입될 때, 기판(110) 표면에서의 이온 충돌에 의해 기판(110)의 정상적인 실리콘 결합 등이 손상되어 발생하는 손상부의 손상된 실리콘 격자는 안정한 실리콘 격자로 재정렬되어 손상된 실리콘 격자가 치유된다.During the heat treatment process for activating the first and second impurity portions 1201 and 1202, recrystallization of silicon (Si) may be performed at a recrystallization temperature of silicon (Si). Therefore, when silicon recrystallization occurs, when the impurity ions are implanted into the substrate 110, the damaged silicon lattice of the damaged portion caused by damage of normal silicon bonds of the substrate 110 due to ion collision on the surface of the substrate 110. The rearranged to a stable silicon lattice to heal the damaged silicon lattice.

이로 인해, 각 개구부(202)는 각 제2 에미터 부분(1212)의 형성 위치에 대응되게 형성된다.As a result, each opening 202 is formed corresponding to the formation position of each second emitter portion 1212.

이와 같이, 제1 및 제2 에미터 부분(1211, 1212)를 구비한 에미터부(121)가 완성된 후, 도 4f에 도시한 것처럼, 플라즈마 화학 기상 증착법(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 등을 이용하여 기판(110)의 전면에 형성된 에미터부(121) 위에 반사 방지부(130)를 형성한다. 이때, 반사 방지부(130)는 수소화된 실리콘 질화물이나 수소화된 실리콘 산화물 등으로 이루어질 수 있다.In this manner, after the emitter portion 121 including the first and second emitter portions 1211 and 1212 is completed, as shown in FIG. 4F, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), etc. The anti-reflection portion 130 is formed on the emitter portion 121 formed on the front surface of the substrate 110 by using the C-type. In this case, the anti-reflection unit 130 may be made of hydrogenated silicon nitride, hydrogenated silicon oxide, or the like.

다음, 도 4g에 도시한 것처럼, 스크린 인쇄법을 이용하여, 반사 방지부(130)의 해당 부분에 은(Ag)을 포함한 페이스트를 인쇄한 후 건조시켜, 전면전극부 패턴(40)을 형성한다. Next, as illustrated in FIG. 4G, a paste containing silver (Ag) is printed on the corresponding portion of the anti-reflection portion 130 by screen printing and then dried to form the front electrode portion pattern 40. .

이때, 전면전극부 패턴(40)은 전면전극 패턴(41)과 전면 버스바 패턴(42)을 구비하고 있다.In this case, the front electrode part pattern 40 includes the front electrode pattern 41 and the front bus bar pattern 42.

다음, 도 4h에 도시한 것처럼, 기판(110)의 후면에 알루미늄(Al)을 함유하는 페이스트(paste)를 스크린 인쇄법으로 인쇄한 후 건조시켜 기판(110)의 후면에 부분적으로 또는 선택적으로 위치하는 후면 전극 패턴(51)을 형성하고, 후면 전극 패턴(51)이 위치하지 않은 기판(110)의 후면에 은(Ag)을 함유하는 페이스트를 스크린 인쇄법으로 인쇄한 후 건조시켜 기판(110)의 후면 위에 후면 버스바 패턴(52)을 형성하여 후면전극부 패턴(50)을 완성한다. 복수의 후면 버스바 패턴(52)은 기판(110)의 전면 위에 위치하는 복수의 전면 버스바 패턴(42)과 기판(110)을 중심으로 마주한다.Next, as shown in FIG. 4H, a paste containing aluminum (Al) on the rear surface of the substrate 110 is printed by screen printing and then dried to be partially or selectively positioned on the rear surface of the substrate 110. Forming a rear electrode pattern 51 and printing a paste containing silver (Ag) on the rear surface of the substrate 110 on which the rear electrode pattern 51 is not located by screen printing and then drying the substrate 110. The rear bus bar pattern 52 is formed on the rear surface of the rear electrode part pattern 50 to complete. The plurality of rear bus bar patterns 52 face the substrate 110 and the plurality of front bus bar patterns 42 positioned on the front surface of the substrate 110.

이때, 이들 패턴(40, 50)의 건조 온도는 약 120℃ 내지 약 200℃일 수 있고, 패턴(40, 50)의 형성 순서는 변경 가능하다.In this case, the drying temperature of the patterns 40 and 50 may be about 120 ° C. to about 200 ° C., and the order of forming the patterns 40 and 50 may be changed.

그런 다음, 전면전극부 패턴(40)과 후면전극부 패턴(50)이 형성된 기판(110)을 약 750℃ 내지 약 800℃의 온도에서 열처리 공정을 시행한다.Then, the substrate 110 on which the front electrode part pattern 40 and the back electrode part pattern 50 are formed is subjected to a heat treatment process at a temperature of about 750 ° C to about 800 ° C.

이로 인해, 에미터부(121)에 전기적 및 물리적으로 연결되는 복수의 전면 전극(141)과 복수의 전면 버스바(142)를 구비한 전면 전극부(140), 후면 전극 패턴(51)이 위치한 기판(110)의 후면에 위치한 전계부(172), 그리고 전계부(172)를 통해 기판(110)과 전기적으로 연결되는 후면 전극(151)과 기판(110)과 후면 전극(151)에 전기적 및/또는 물리적으로 연결되는 복수의 후면 버스바(152)를 구비한 후면 전극부(150) 를 형성하여 태양 전지(11)를 완성한다(도 1 및 도 2).As a result, the substrate on which the front electrode 140 and the rear electrode pattern 51 including the plurality of front electrodes 141 and the plurality of front busbars 142 that are electrically and physically connected to the emitter unit 121 is located. The electric field unit 172 located at the rear side of the 110 and the rear electrode 151 and the substrate 110 and the rear electrode 151 electrically connected to the substrate 110 through the electric field unit 172. Alternatively, the solar cell 11 is completed by forming the rear electrode 150 having a plurality of physically connected rear bus bars 152 (FIGS. 1 and 2).

즉, 열처리 공정에 의해, 전면전극부 패턴(40)에 함유된 식각 물질인 납을 함유한 물질(PbO) 등에 의해, 전면전극부 패턴(40)은 접촉 부위의 반사 방지부(130)를 관통하여 하부에 위치하는 에미터부(121)와 접촉하는 복수의 전면 전극(141)과 복수의 전면 버스바(142)가 형성되어 전면 전극부(140)가 완성된다.That is, by the heat treatment process, the front electrode portion pattern 40 penetrates the anti-reflection portion 130 at the contact portion by a lead-containing material (PbO) or the like which is an etching material contained in the front electrode portion pattern 40. Thus, a plurality of front electrodes 141 and a plurality of front busbars 142 are formed to contact the emitter unit 121 positioned below, thereby completing the front electrode 140.

이때, 전면전극부 패턴(40)의 전면전극 패턴(41)은 복수의 전면 전극(141)이 되고, 전면버스바 패턴(42)은 복수의 전면전극용 버스바(142)가 된다. In this case, the front electrode pattern 41 of the front electrode part pattern 40 is a plurality of front electrodes 141, and the front bus bar pattern 42 is a plurality of front electrode bus bars 142.

또한, 열처리 공정에 의해, 후면전극부 패턴(50)의 후면 전극 패턴(51)과 후면버스바 패턴(52)은 각각 후면 전극(151)과 복수의 후면 버스바(152)로 형성되고, 후면전극부 패턴(50)의 후면 전극 패턴(51)에 포함된 알루미늄(Al)이 기판(110)으로 확산되어 기판(110) 내부에 기판(110)보다 높은 불순물 농도를 갖는 불순물부인 전계부(172)가 형성된다. 이때, 후면 전극 패턴(51)과 후면 버스바 패턴(52)에는 식각 물질이 함유하고 있지 않거나, 식각 물질이 함유되어 있더라도 후면 전극 패턴(51)과 후면 버스바 패턴(52)에 접해 있는 하부의 물질(예, 기판)의 식각에 영향을 미치지 않은 정도의 식각 물질이 함유되어 있다. 따라서, 전면 전극부 패턴(40)과 달리, 후면 전극 패넌(51)과 후면 버스바 패턴(52)에 접해 있는 기판(110)의 부분에는 식각 동작이 이루어지지 않는다. 이로 인해, 후면 전극(151)은 전계부(172)와 접촉하여 기판(110)과 전기적으로 연결된다. In addition, by the heat treatment process, the rear electrode pattern 51 and the rear bus bar pattern 52 of the rear electrode part pattern 50 are formed of the rear electrode 151 and the plurality of rear bus bars 152, respectively, The aluminum (Al) included in the rear electrode pattern 51 of the electrode part pattern 50 diffuses into the substrate 110, and the electric field part 172 is an impurity part having a higher impurity concentration than the substrate 110 inside the substrate 110. ) Is formed. At this time, the rear electrode pattern 51 and the rear busbar pattern 52 do not contain an etching material, or even if the etching material contains a lower portion of the lower electrode contacting the rear electrode pattern 51 and the rear busbar pattern 52. Etching material is contained that does not affect the etching of the material (eg substrate). Therefore, unlike the front electrode pattern 40, the etching operation is not performed on the portion of the substrate 110 that is in contact with the rear electrode pann 51 and the rear bus bar pattern 52. As a result, the rear electrode 151 contacts the electric field unit 172 and is electrically connected to the substrate 110.

이때, 이온 주입 장치를 이용한 이온 주입법을 통해 기판(110)의 전면에만 에미터부(121)가 위치하므로, 기판(110)의 후면에 별도의 에미터부(121)가 형성되지 않아 전계부(172)의 물리적인 특성이 향상된다.In this case, since the emitter unit 121 is positioned only on the front surface of the substrate 110 through an ion implantation method using an ion implantation apparatus, an additional emitter unit 121 is not formed on the rear surface of the substrate 110. Its physical properties are improved.

즉, 기판(110)의 후면에 기판(110)과 다른 도전성 타입을 갖는 에미터부가 존재할 경우, 기판(110)과 동일한 도전성 타입을 갖는 전계부(172)에는 전계부(172)와 다른 도전성 타입을 갖는 불순물, 즉 에미터부(121)에 함유된 제2 도전성 타입의 불순물이 혼합되어, 전계부(172)의 전계 특성을 약화시켜, 전계부(172)에 의한 전계 효과를 감소시킨다.That is, when the emitter part having a different conductivity type from the substrate 110 exists on the back surface of the substrate 110, the electric field part 172 having the same conductivity type as the substrate 110 has a different conductivity type from the electric field part 172. Impurities having, i.e., impurities of the second conductivity type contained in the emitter portion 121 are mixed to weaken the electric field characteristics of the electric field portion 172, thereby reducing the electric field effect by the electric field portion 172.

하지만, 본 예의 경우, 전계부(172)에는 에미터부의 제2 도전성 타입의 불순물이 혼합되지 않으므로, 전계부(172)의 특성이 향상되어 전계부(172)의 전계 효과는 더욱 향상된다. 따라서, 기판(110)의 후면으로 이동하는 전하의 양이 증가하여 태양 전지(11)의 효율이 향상된다.However, in the present example, since the impurities of the second conductivity type of the emitter part are not mixed in the electric field part 172, the characteristics of the electric field part 172 are improved, and the electric field effect of the electric field part 172 is further improved. Therefore, the amount of charge that moves to the rear surface of the substrate 110 is increased to improve the efficiency of the solar cell 11.

또한, 열처리 공정 시, 패턴(40, 50)에 함유된 금속 성분과 각 접촉하는 층(121, 110)과의 화학적 결합으로 접촉 저항이 감소하여 전하의 전송 효율이 향상되어 전류 흐름이 증가된다.In addition, during the heat treatment process, the contact resistance is reduced by chemical coupling between the metal components contained in the patterns 40 and 50 and the layers 121 and 110 in contact with each other, thereby improving charge transfer efficiency and increasing current flow.

이와 같이, 이온 주입법을 이용하여 기판(110)의 전면에만 에미터부(121)이 형성된다. 따라서, 본 예의 경우, 기판(110)의 후면에 위치하는 에미터부와의 전기적인 연결을 차단하는 측면 분리 공정(edge isolation)이나 기판(110)의 후면에 형성된 에미터부를 제거하기 위한 별도의 공정이 필요하지 않다. 따라서, 태양 전지(11)의 제조 시간이 단축되어, 태양 전지(11)의 생산성이 향상되고 제조 비용이 줄어든다. As such, the emitter part 121 is formed only on the front surface of the substrate 110 by using the ion implantation method. Therefore, in the present example, the side isolation process of cutting off the electrical connection with the emitter portion located on the rear surface of the substrate 110 or the separate process for removing the emitter portion formed on the rear surface of the substrate 110. This is not necessary. Therefore, manufacturing time of the solar cell 11 is shortened, productivity of the solar cell 11 is improved, and manufacturing cost is reduced.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

Claims (18)

제1 도전성 타입을 갖는 기판의 제1 면에 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖는 불순물 이온을 주입하여 불순물부를 형성하는 단계,
상기 불순물부 위에, 본체, 상기 본체에 형성된 개구부 및 상기 개구부 주변의 본체에 위치하고 전압을 인가 받는 전극을 구비한 마스크를 위치시키는 단계,
상기 제2 도전성 타입을 갖는 상기 불순물 이온을 상기 마스크 위에 주입하여, 상기 본체의 하부에 위치한 상기 불순물부의 부분에 제1 불순물 부분을 형성하고, 상기 개구부를 통해 드러난 상기 불순물부의 부분에 상기 제1 불순물 부분보다 높은 불순물 주입 농도를 갖는 제2 불순물 부분을 형성하는 단계,
상기 제1 및 제2 불순물 부분을 구비한 기판을 열처리하여, 상기 제1 불순물 부분을 제1 에미터 부분으로 형성하여 상기 제2 불순물 부분을 상기 제1 에미터 부분보다 작은 면저항값을 갖는 제2 에미터 부분으로 형성하는 단계, 그리고
상기 기판의 상기 제1 면에 위치하고 상기 제2 에미터 부분과 연결되는 제1 전극과 상기 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치하고 상기 기판의 제2 면에 위치하고 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.Implanting impurity portions on the first surface of the substrate having the first conductivity type by implanting impurity ions having a second conductivity type different from the first conductivity type,
Positioning a mask on the impurity portion, the mask including a main body, an opening formed in the main body, and an electrode disposed in the main body surrounding the opening and receiving a voltage;
Implanting the impurity ions having the second conductivity type over the mask to form a first impurity portion in a portion of the impurity portion located below the main body, and in the portion of the impurity portion exposed through the opening, the first impurity Forming a second impurity portion having a higher impurity implantation concentration than the portion,
Heat-treating the substrate having the first and second impurity portions to form the first impurity portion as a first emitter portion to form the second impurity portion having a sheet resistance value smaller than that of the first emitter portion; Forming into an emitter portion, and
A first electrode disposed on the first surface of the substrate and connected to the second emitter portion, and a second electrode disposed on the second surface of the substrate and opposite to the first surface of the substrate; Forming steps
Method for manufacturing a solar cell comprising a. 제1항에서,
상기 전극에 인가되는 전압은 0.1keV 내지 50keV인 태양 전지의 제조 방법.In claim 1,
The voltage applied to the electrode is a method of manufacturing a solar cell is 0.1keV to 50keV. 제1항에서,
상기 제2 에미터 부분의 폭은 상기 개구부의 폭보다 작은 태양 전지의 제조 방법.In claim 1,
And the width of the second emitter portion is smaller than the width of the opening. 제3항에서,
상기 제2 에미터 부분의 상기 폭은 150㎛ 내지 250㎛인 태양 전지의 제조 방법.In claim 3,
Wherein said width of said second emitter portion is between 150 μm and 250 μm. 제3항 또는 제4항에서,
상기 개구부의 상기 폭은 600㎛ 내지 650㎛인 태양 전지의 제조 방법.The method of claim 3 or 4,
The width of the opening is a manufacturing method of the solar cell is 600㎛ to 650㎛. 제1항에서,
상기 제1 불순물 부분은 상기 개구부를 통해 드러난 상기 불순물부에 추가로 위치하는 태양 전지의 제조 방법.In claim 1,
And the first impurity portion is further located in the impurity portion exposed through the opening. 제1항에서,
상기 불순물 이온은 10keV 내지 30keV의 가속 에너지를 갖는 태양 전지의 제조 방법.In claim 1,
The impurity ion is a method of manufacturing a solar cell having an acceleration energy of 10keV to 30keV. 제1항에서,
상기 전극은 100㎛ 내지 700㎛의 폭을 갖고 있는 태양 전지의 제조 방법.In claim 1,
The electrode has a width of 100㎛ to 700㎛ manufacturing method of a solar cell. 제1항에서,
상기 전극은 은(Ag), 구리(Cu), 또는 알루미늄(Al)으로 이루어져 있는 태양 전지의 제조 방법.In claim 1,
The electrode is a manufacturing method of a solar cell consisting of silver (Ag), copper (Cu), or aluminum (Al). 제1 도전성 타입을 갖는 기판,
상기 기판의 제1 면 쪽에 위치하고, 상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖고 면저항값이 서로 상이한 제1 에미터 부분과 제2 에미터 부분을 구비한 에미터부,
상기 기판의 상기 제1 면 위에 위치하고, 제2 에미터 부분과 연결되어 있는 제1 전극,
상기 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치한 상기 기판의 제2 면 위에 위치하고, 상기 기판과 연결되어 있는 제2 전극, 그리고
상기 제1 전극과 교차하는 방향으로 이어지며 상기 제1 전극과 연결되어 있는 제1 버스바
를 포함하고,
상기 제2 에미터 부분의 폭은 150㎛ 내지 250㎛이고,
상기 제2 에미터 부분은 상기 제1 전극과 평행한 방향으로 길게 이어지며 서로 이격되는 복수의 제2 에미터 부분을 포함하고,
상기 제1 버스바에서 상기 제1 전극과 교차하는 상기 제1 버스바의 부분은 상기 제2 에미터 부분과 연결되고 상기 제1 전극과 교차하지 않는 상기 제1 버스바의 나머지 부분은 상기 제1 에미터 부분과 접촉하여, 상기 제1 버스바의 길이 방향에서 상기 제1 에미터 부분과 상기 제2 에미터 부분이 교번하여 상기 제1 버스바에 연결되는 태양 전지.A substrate having a first conductivity type,
An emitter portion disposed on the first surface side of the substrate, the emitter portion having a second conductivity type different from the first conductivity type and having a first emitter portion and a second emitter portion different from each other;
A first electrode on the first surface of the substrate and connected to a second emitter portion;
A second electrode located on the second side of the substrate opposite the first side of the substrate and connected to the substrate, and
A first bus bar extending in a direction crossing the first electrode and connected to the first electrode
Including,
The width of the second emitter portion is 150 μm to 250 μm,
The second emitter portion includes a plurality of second emitter portions that are elongated in a direction parallel to the first electrode and spaced apart from each other,
The portion of the first busbar that crosses the first electrode in the first busbar is connected to the second emitter portion and the remaining portion of the first busbar that does not intersect the first electrode is the first portion. In contact with the emitter portion, wherein the first emitter portion and the second emitter portion are alternately connected to the first busbar in the longitudinal direction of the first busbar. 제10항에서,
상기 제2 에미터 부분의 폭 대 상기 제1 전극의 폭의 비율은 1:0.2 내지 1:1인 태양 전지.In claim 10,
The ratio of the width of the second emitter portion to the width of the first electrode is from 1: 0.2 to 1: 1. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 탄소 재질로 구성된 본체 위로 형성된 복수의 개구부를 포함하여, 상기 복수의 개구부를 통해 선택적으로 이온을 주입하는 장치용 마스크에 관한 것으로,
상기 이온이 주입되는 방향의 상기 본체 위로 상기 복수의 개구부 각각을 둘러싼 영역에 국부적으로 형성되고, 소정높이를 가지며 이온 주입 시 이온 경로를 변경하는 전압이 인가되는 금속 전극,
을 포함한 이온 주입 장치용 마스크.A mask for a device for selectively implanting ions through the plurality of openings, including a plurality of openings formed on the body made of a carbon material,
A metal electrode formed locally in the area surrounding each of the plurality of openings on the main body in a direction in which the ions are implanted, and having a predetermined height and to which a voltage for changing an ion path is applied during ion implantation;
Mask for ion implantation device including. 삭제delete 제15항에서,
상기 금속 전극은 100㎛ 내지 700㎛의 폭을 갖고 있는 이온 주입 장치용 마스크.The method of claim 15,
The metal electrode is a mask for an ion implantation device having a width of 100㎛ to 700㎛. 제15항에서,
상기 금속 전극은 은(Ag), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어져 있는 이온 주입 장치용 마스크.The method of claim 15,
The metal electrode is a mask for an ion implantation device consisting of silver (Ag), copper (Cu) or aluminum (Al).
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