KR102035164B1 - 형광체 조성물 - Google Patents
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Abstract
실시예는 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광장치에 관한 것이다.
실시예에 따른 형광체 조성물은 A3- zC5O12:REz 의 조성식(단, 0＜z≤0.5)으로 표현되며, A는 Y, Sc, Gd 및 Lu 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하고, C는 B(Boron), Al, 및 Ga 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하고, RE는 Eu, Ce, Sm, Yb, Dy, Gd, Tm 및 Lu 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 형광체 조성물은 A3- zC5O12:REz 의 조성식(단, 0＜z≤0.5)으로 표현되며, A는 Y, Sc, Gd 및 Lu 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하고, C는 B(Boron), Al, 및 Ga 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하고, RE는 Eu, Ce, Sm, Yb, Dy, Gd, Tm 및 Lu 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함할 수 있다.
Description
실시예는 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광장치에 관한 것이다. 상기 발광장치는 발광소자 패키지, 조명 유닛 또는 백라이트 유닛 등을 포함할 수 있다.
발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 소자로서, 예를 들어, LED는 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
백색광을 방출하는 LED는 형광체를 도포하여 형광체로부터 발광하는 2차 광원을 이용하는 방법으로서, 청색 LED에 황색을 내는 YAG:Ce 형광체를 도포하여 백색광을 얻는 방식이 일반적이다.
그러나, 상기 방법은 2차광을 이용하면서 발생하는 양자결손(quantum deficits) 및 재방사 효율에 기인한 효율감소가 수반되고, 색 렌더링(Color rendering)이 용이하지 않다는 단점이 있다.
따라서, 종래의 백색 LED 백라이트는 청색 LED칩과 황색 형광체를 조합한 것으로서, 녹색과 적색 성분이 결여되어 부자연스러운 색상을 표현할 수밖에 없어 휴대 전화, 노트북 PC의 화면에 이용하는 정도로 한정되어 적용되고 있다. 그럼에도, 구동이 용이하고 가격이 현저히 저렴하다는 이점 때문에 널리 상용화되어 있다.
일반적으로 형광체는 모체 재료에 규산염(Silicate), 인산염, 알루민산염 또는 황화물을 사용하고, 발광 중심에 천이 금속 또는 희토류 금속을 사용한 것이 널리 알려져 있다. 예를 들어, 규산염(Silicate) 형광체는 BLU, 조명용으로 사용 중에 있는데, 규산염 형광체는 수분에 취약하여 타 형광체 대비 신뢰성 특성이 저조한 문제가 있다.
한편, 최근 백색 LED에 관해서 자외선 또는 청색광 등의 높은 에너지를 갖는 여기원에 의해 여기되어 가시광선을 발광하는 형광체에 대한 개발이 주류를 이루어왔으나, 종래 형광체는 여기원에 노출되면, 형광체의 휘도가 저하되는 문제가 있다.
실시예는 신뢰성 향상되고, 휘도가 높은 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광장치를 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 발광세기가 높은 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광장치를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 형광체 조성물은 A3- zC5O12:REz 의 조성식(단, 0＜z≤0.5)으로 표현되며, A는 Y, Sc, Gd 및 Lu 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하고, C는 B(Boron), Al, 및 Ga 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하고, RE는 Eu, Ce, Sm, Yb, Dy, Gd, Tm 및 Lu 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함할 수 있다.
실시예에 의하면, 신뢰성 향상되고, 휘도가 높은 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광장치를 제공할 수 있다.
또한, 실시예는 발광세기가 높은 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광장치를 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 형광체 조성물을 포함하는 발광소자 패키지의 단면도.
도 2는 실시예에 따른 형광체 조성물을 포함하는 발광소자에서 B와 Al의 비율에 따른 여기파장 특성 데이터.
도 3은 실시예에 따른 형광체 조성물을 포함하는 발광소자에서 B와 Al의 비율에 따른 발광파장 특성 데이터.
도 4는 실시예에 따른 형광체 조성물을 포함하는 발광소자에서 Ce의 비율에 따른 여기파장 특성 데이터.
도 5는 실시예에 따른 형광체 조성물을 포함하는 발광소자에서 Ce의 비율에 따른 발광파장 특성 데이터.
도 6은 실시예에 따른 형광체 조성물을 포함하는 발광장치의 분해 사시도.
도 2는 실시예에 따른 형광체 조성물을 포함하는 발광소자에서 B와 Al의 비율에 따른 여기파장 특성 데이터.
도 3은 실시예에 따른 형광체 조성물을 포함하는 발광소자에서 B와 Al의 비율에 따른 발광파장 특성 데이터.
도 4는 실시예에 따른 형광체 조성물을 포함하는 발광소자에서 Ce의 비율에 따른 여기파장 특성 데이터.
도 5는 실시예에 따른 형광체 조성물을 포함하는 발광소자에서 Ce의 비율에 따른 발광파장 특성 데이터.
도 6은 실시예에 따른 형광체 조성물을 포함하는 발광장치의 분해 사시도.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
(실시예)
도 1은 실시예에 따른 형광체 조성물을 포함하는 발광소자 패키지(200)의 단면도이며, 패키지 구조는 이에 한정되지 않고, 투컵 패키지(two cup package) 형태 등에도 실시예의 적용이 가능하다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체부(205)와, 상기 패키지 몸체부(205) 상에 발광소자 칩(100) 및 상기 발광소자 칩(100) 상에 형광체 조성물(232)을 포함하는 몰딩부재(230)를 포함할 수 있다.
상기 형광체 조성물(232)은 A3- zC5O12:REz 의 조성식(단, 0＜z≤0.5)으로 표현되며, A는 Y, Sc, Gd 및 Lu 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하고, C는 B(Boron), Al, 및 Ga 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하고, RE는 Eu, Ce, Sm, Yb, Dy, Gd, Tm 및 Lu 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함할 수 있다.
실시예의 상기 형광체 조성물(232)은 Y3(B5- xAlx)O12:Ce의 조성식(단, 0≤x＜5)을 포함할 수 있다.
또한, 실시예의 상기 형광체 조성물(232)은 (Y, Gd)3-z(B,Al)5O12:Cez 의 조성식을 포함할 수 있다.
실시예의 형광체 조성물(232)은 420nm 내지 500nm 영역의 여기 파장에 대해, 559nm 내지 567nm 영역의 발광 파장을 가질 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체부(205)와, 상기 패키지 몸체부(205)에 설치된 제1 전극층(213) 및 제2 전극층(214)과, 상기 패키지 몸체부(205)에 설치되어 상기 제1 전극층(213) 및 제2 전극층(214)과 전기적으로 연결되는 발광소자 칩(100)과, 상기 발광소자 칩(100)을 포위하는 몰딩부재(230)를 포함할 수 있다.
상기 패키지 몸체부(205)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광소자 칩(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
상기 제1 전극층(213) 및 제2 전극층(214)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자 칩(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 상기 제1 전극층(213) 및 제2 전극층(214)은 상기 발광소자 칩(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 상기 발광소자 칩(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광소자 칩(100)은 수평형 타입의 발광 소자가 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 수직형 발광소자, 플립칩 형 발광소자도 적용될 수 있다.
상기 발광소자 칩(100)은 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자 칩(100)은 GaN, GaAs, GaAsP, GaP 등의 물질을 포함할 수 있다.
상기 발광소자 칩(100)은 제1 도전형 반도체층(미도시), 활성층(미도시) 및 제2 도전형 반도체층(미도시)을 포함하는 발광구조물을 포함할 수 있다.
실시예에서 상기 제1 도전형 반도체층은 n형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층은 p형 반도체층으로 구현할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또한 상기 제2 도전형 반도체층 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
상기 발광소자(100) 칩은 상기 패키지 몸체부(205) 상에 배치되거나 상기 제1 전극층(213) 또는 제2 전극층(214) 상에 배치될 수 있다.
상기 발광소자 칩(100)은 상기 제1 전극층(213) 및/또는 제2 전극층(214)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 실시예에서는 상기 발광소자 칩(100)이 상기 제1 전극층(213)과 제1 와이어를 통해 전기적으로 연결되고 상기 제2 전극층(214)이 제2 와이어를 통해 전기적으로 연결된 것이 예시되고 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 몰딩부재(230)는 상기 발광소자 칩(100)을 포위하여 상기 발광소자 칩(100)을 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(230)에는 형광체 조성물(232)이 포함되어 상기 발광소자 칩(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
실시예의 형광체 조성물(232)의 경우 황색영역에 발광 영역을 가지고 있어 백색 LED를 구현하는 용도로 응용할 수 있다.
예를 들어, 실시예의 형광체 조성물(232)은 여기 광원이 420nm 내지 500nm 영역까지 여기 파장을 가지고 있으며 이 흡수 영역에 따른 559nm 내지 567nm 영역의 황색의 발광 파장을 가질 수 있다.
실시예의 황색 형광체 조성물(232)의 경우 UV-LED용 및 Blue LED용으로 응용 및 활용이 가능하다
예를 들어, 일반적으로 Blue LED칩을 이용하여 백색의 LED를 구현하는 방법으로 Blue LED칩과 황색형광체 조성물, Blue LED칩 위에 녹색과 적색 형광체 조성물(232)을 도포하는 방법, Blue LED칩 위에 녹색,적색,황색을 도포하는 방법을 사용하는데 실시예의 형광체 조성물는 황색 발광을 하는 형광체 조성물로 백색 LED을 구현하는데 이용될 수 있는 형광체 조성물이다.
실시예에서 UV-Chip에 녹색, 적색, 청색의 형광체 조성물를 사용하여 백색의 LED를 구현할수 있으며, 이에 황색형광체 조성물를 추가적으로 도포시 연색지수를 향상시킬 수 있다.
실시예의 형광체 조성물(232)을 이용하여 백색 LED를 구현하면, 모바일, 자동차, 조명, BLU, 의학용 등의 분야에 백색 LED 사용이 가능하다.
이하, 실시예에 따른 형광체 조성물의 제조공정을 설명하면서 실시예의 특징을 좀 더 상세히 설명한다.
실시예의 형광체 조성물(232)은 A3- zC5O12:REz 의 조성식(단, 0＜z≤0.5)으로 표현되며, A는 Y, Sc, Gd 및 Lu 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하고, C는 B(Boron), Al, 및 Ga 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하고, RE는 Eu, Ce, Sm, Yb, Dy, Gd, Tm 및 Lu 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 실시예의 형광체 조성물(232)은 Y3(B5- xAlx)O12:Ce의 조성식(단, 0≤x＜5)을 포함할 수 있다.
실시예에 따른 형광체 조성물(232)의 경우 안정한 출발물질을 이용한 고상 반응법으로 제조가 용이한 장점이 있다.
예를 들어, Y2O3, Al2O3, B2O3, CeO2, NH4Cl의 원료를 Y3B5 - xAlxO12:Ce의 조성비에 맞게 계량한 후 용매를 이용하여 마노 유발에 원료를 혼합한다.
이때 x의 범위는 0≤x＜5로 B와 Al의 비율 변화에 따른 조성으로 원료를 혼합할 수 있다.
또는, 제2 실시예의 형광체 조성물(232)은 (Y, Gd)3-z(B,Al)5O12:Cez 의 조성식을 포함할 수 있다.
예를 들어, (Y, Gd)3-z(B,Al)5O12:Cez의 기본 조성에서 Ce의 비율 변화에 따라 원료를 혼합할 수 있다. z의 비율범위는 0.1≤z≤0.3으로 할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
합성분위기는 약 1300℃ 내지 약 1500℃의 합성 온도에서 가스(gas) 유량은 분당 400cc 내지 2,000cc으로 하며, 환원가스로 H2, N2, NH3 등을 사용할 수 있다.
이때 H2/N2 혼합 가스 비율은 5%/95% 내지 20%/80%로 변화시키며 형광체 조성물(232)을 합성할 수 있다.
예를 들어, 실시예의 형광체 조성물(232)의 경우 약 1400℃에서 약 6시간 동안, 유량(gas flow)은 1000cc/min에서 환원가스 비율은 H2-20%/N2-80%의 조건으로 합성하였으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이후, 소성이 완료된 형광체 조성물(232)은 지르코니아 및 유리 볼을 이용하여 볼밀 과정 및 세정 과정을 거친 후 건조시킬 수 있다.
실시예의 형광체 조성물(232)은 크기가 약 10㎛으로 불규칙한 형상을 가지는 입자를 SEM데이터를 통해 확인할 수 있었으며, EDX(Energy Dispersive X-ray analyzer)를 통해 합성된 형광체 조성물(232)의 성분을 확인할 수 있었다.
건조된 형광체 조성물(232)은 도 2 및 도 3과 같이 PL분석을 통해 여기 발광 특성을 분석 할 수 있으며, 조건 변화에 따른 Y3B5 - xAlxO12:Ce, (Y,Gd)3-z(B,Al)5O12:Cez의 경우 559nm~567nm영역의 발광파장을 가지는 황색 형광체 조성물(232)임을 알 수 있다.
도 2는 실시예에 따른 형광체 조성물(232)을 포함하는 발광소자에서 B와 Al의 비율에 따른 여기파장 특성 데이터이다.
도 3은 실시예에 따른 형광체 조성물(232)을 포함하는 발광소자에서 B와 Al의 비율에 따른 발광파장 특성 데이터이다.
| 실험예 | B와 Al의 비율 | 조성 | 상대 세기 | 중심파장(nm) |
| 실험예1(Spl 1) | B=5, Al=0 | Y3B5O12:Ce | 100 | 560 |
| 실험예2(Spl 2) | B=4, Al=1 | Y3B4Al1O12:Ce | 124.8 | 563 |
| 실험예3(Spl 3) | B=3, Al=2 | Y3B3Al2O12:Ce | 137.5 | 559 |
| 실험예4(Spl 4) | B=2, Al=3 | Y3B2Al3O12:Ce | 162.4 | 561 |
| 실험예5(Spl 5) | B=1, Al=4 | Y3B1Al4O12:Ce | 150.1 | 560 |
실시예에 의하면 Y3(B5- xAlx)O12:Ce의 조성식 중 Al의 조성(x)은 1≤x≤4인 경우에 Y3B5O12:Ce에 비해 신뢰성도 높고 휘도도 높아 최적의 발광세기를 나타내었다. 예를 들어, 위의 표 1과 같이 실험예4의 경우가 발광 세기가 가장 높은 것을 확인할 수 있으나 실시예가 실험예 제4에 한정되는 것은 아니다.
도 4는 실시예에 따른 형광체 조성물(232)을 포함하는 발광소자에서 Ce의 비율에 따른 여기파장 특성 데이터이다.
도 5는 실시예에 따른 형광체 조성물(232)을 포함하는 발광소자에서 Ce의 비율에 따른 발광파장 특성 데이터이다.
| 실험예 | Ce의 비율 | 조성 | 상대 세기 | 중심파장(nm) |
| 실험예9(Spl 9) | 0.1 | (Y, Gd)3(B,Al)5O12:Ce0 .1 | 100 | 559 |
| 실험예10(Spl 10) | 0.2 | (Y, Gd)3(B,Al)5O12:Ce0 .2 | 129.9 | 560 |
| 실험예11(Spl 11) | 0.3 | (Y, Gd)3(B,Al)5O12:Ce0 .3 | 103.9 | 564 |
표 2는 실시예에 따른 형광체 조성물(232)을 포함하는 발광소자에서 Ce의 비율의 따른 발광 특성 실험예이다.
실시예에 의하면 상기 A3- zC5O12:REz 의 조성식 중 RE의 조성(z)는 0.1≤z≤0.3인 경우 종래기술에 비해 높은 발광세기를 나타내었으며, 특히 표 2에서 나타난 결과와 같이 Ce의 비율이 0.2일때(실험예 10) 최대 발광세기를 나타내는 것을 확인하였으나 실시예가 실험예10에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 의하면, 신뢰성 향상되고, 휘도가 높은 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광장치를 제공할 수 있다.
또한, 실시예는 발광세기가 높은 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광장치를 제공할 수 있다.
도 6은 실시예에 따른 형광체 조성물을 포함하는 발광장치의 분해 사시도이다.
실시예에 따른 조명장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합되고, 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
상기 커버(2100)의 내면에는 확산재를 갖는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 이러한 유백색 재료를 이용하여 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛을 산란 및 확산되어 외부로 방출시킬 수 있다.
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 발광 소자(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 조명소자(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 조명소자(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.
상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)는 전선을 통해 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
실시예에 의하면, 신뢰성 향상되고, 휘도가 높은 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광장치를 제공할 수 있다.
또한, 실시예는 발광세기가 높은 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광장치를 제공할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
205: 패키지 몸체부, 100: 발광소자 칩
232: 형광체 조성물, 230: 몰딩부재
232: 형광체 조성물, 230: 몰딩부재
Claims (7)
- A3-zC5O12:REz 의 조성식(단, 0＜z≤0.5)으로 표현되는 형광체 조성물에 있어서,
상기 형광체 조성물은,
(Y, Gd)3-z(B,Al)5O12:Cez 의 조성식을 포함하며,
Ce의 조성(z)은 0.1≤z≤0.3인 형광체 조성물. - 삭제
- 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 형광체 조성물은,
420nm 내지 500nm 영역의 여기 파장에 대해, 559nm 내지 567nm 영역의 발광 파장을 가지는 형광체 조성물. - 제1 항에 있어서,
상기 형광체 조성물은
(Y, Gd)3(B,Al)5O12:Ce0.1인 형광체 조성물. - 제1 항에 있어서,
상기 형광체 조성물은
(Y, Gd)3(B,Al)5O12:Ce0.2인 형광체 조성물. - 제1 항에 있어서,
상기 형광체 조성물은
(Y, Gd)3(B,Al)5O12:Ce0.3인 형광체 조성물.
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