KR102033804B1 - 웨이퍼-형상의 물품을 처리하기 위한 디바이스 및 방법 - Google Patents

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Abstract

단힌 프로세스 챔버를 포함하는 웨이퍼-형상의 물품 처리를 위한 방법 및 디바이스. 회전 척은 프로세스 챔버 내부에 위치되고, 회전 척 상의 웨이퍼 형상의 물품을 고정하도록 되어있다. 내부 유체 분배 링은 회전 척 위에 위치되고, 내부 유체 분배 링의 방사상 내측 에지에서 방사상 외측 에지로 하향 경사진 환형 표면을 포함한다. 적어도 하나의 유체 분배 노즐은 물품을 챔버 내부로 확장되고, 유체 분배 링의 환형 표면상으로 유체를 방출하도록 위치된다.

Description

웨이퍼-형상의 물품을 처리하기 위한 디바이스 및 방법{DEVICE AND METHOD FOR TREATING WAFER-SHAPED ARTICLES}
본 발명은 반도체 웨이퍼와 같은 웨이퍼-형상의 물품의 표면을 처리하기 위한 장치에 관한 것이며, 하나 이상의 처리 유체가 닫힌 프로세스 챔버 내로 도입된다.
반도체 웨이퍼는 에칭, 세정, 연마 및 재료 증착과 같은 다양한 표면 처리 프로세스를 받게된다. 이러한 프로세스를 수용하도록, 예를 들어 미국 특허 번호 제 4,903,717, 및 제 5,513,668 에서 설명된 바와 같이 단일 웨이퍼는 하나 이상의 처리 유체 노즐에 대하여 회전가능한 캐리어와 연관된 척에 의해 지지될 수 있다.
대안적으로, 웨이퍼를 지지하도록 구성된 링 로터 (rotor) 형태의 척은 국제 공개 번호 제 WO 2007/101764 및 미국 특허 번호 제 6,485,531 에 의해 예를 들어 설명되는 바와 같이, 닫힌 프로세스 챔버 내에 위치되고 능동 자기 베어링을 통해 물리적 접촉 없이 동작 될 수도 있다. 원심작용에 의해 회전하는 웨이퍼의 에지로부터 외측으로 구동되는 처리 유체는 폐기를 위하여 공통 배수관으로 전달된다.
많은 구성들에 있어서, 닫힌 프로세스 챔버는 소정의 프로세스 개시 전이나 연속적인 프로세스 사이에, 오존이나 질소와 같은 불활성 가스로 퍼징 (purge) 될 필요가 있다. 부가적으로, 많은 구성들에 있어서, 프로세스 챔버 역시 예를 들어 탈 이온수로 린싱하는 것에 의해 세정될 필요가 있다. 그러나 특히 웨이퍼가 능동 자기 베어링을 통해 구동되는 링 로터에 의해 지지되는 종래의 닫힌 프로세스 챔버에서, 퍼지 및/또는 헹굼 액체의 도입을 위한 공간적 제한이 가능한 흐름 레이트를 제한하고 불리하게 긴 퍼징 및 린싱 시간을 야기한다.
본 발명의 일 양태는 웨이퍼-형상의 물품을 처리하기 위한 프로세스 챔버 및 프로세스 챔버 내의 회전 척을 포함하는 디바이스에 관한 것이다. 회전 척은 회전 척 상의 웨이퍼 형상의 물품을 홀드하도록 구성된다. 내부 유체 분배 링은 회전 척 위에 위치되고, 유체 분배링은 유체 분배링의 방사상 내측 에지로부터 방사상 외측 에지로 하향 경사진 환형 표면을 포함한다. 적어도 하나의 유체 분배 노즐은 물품을 챔버 내부로 확장되고, 유체 분배 링의 환형 표면으로 유체를 방출하도록 배치된다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 회전 척은 자기 베어링을 통해 물리적 접촉 없이 구동되도록 구성된다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 자기 베어링은 물품을 챔버 외부에 위치한 고정자 (stator) 를 포함한다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 자기 베어링은 능동 자기 베어링 이다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 프로세스 챔버는 기밀시일을 제공하는 하우징을 포함한다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 유체 분배 링은 하향 경사진 환형 표면을 덮는 환형 플랜지, 및 하향 경사진 환형 표면 위에 배치된 배출 개구부를 갖고 환형 플랜지를 관통하는 적어도 하나의 유체 분배 노즐을 더 포함한다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 하향 경사진 환형 표면은 프로세스 챔버의 내부 표면에 인접하는 에지에 방사상 외측으로 종단된다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 하향 경사진 환형 표면은 프로세스 챔버의 내부 표면으로부터 일정거리 이격된 에지에 방사상 외측으로 종단된다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 적어도 하나의 유체 분배 노즐은 유체 분배링 외주에 대해 분산된 적어도 세 개의 유체 분배 노즐을 포함한다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 프로세스 챔버는 프로세스 챔버 내에 위치된 내부 덮개를 포함한다. 내부 덮개는 회전 척이 프로세스 챔버의 외벽과 연결할 수 있는 제 1 위치와 내부 덮개가 기밀 내부 프로세스 챔버를 정의하기 위한 회전 척에 인접한 프로세스 챔버 내부 표면에 대한 시일을 하는 제 2 위치 사이를 이동할 수 있다. 바람직하게는, 상기 제 1 위치와 제 2 위치 사이의 움직임은 회전 척의 회전축을 따라 축 방향 이동이다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 프로세스 챔버는 반도체 웨이퍼의 단일 습식 처리를 위한 스테이션의 모듈이다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 프로세스 챔버는 PFA (perfluoroalkoxy) 수지 코팅 알루미늄으로 만들어진다.
본 발명의 다른 양태는 웨이퍼-형태의 물품 처리를 위한 방법으로, 프로세스 챔버에 가스를 공급하는 단계를 포함한다. 회전 척은 프로세스 챔버 내에 위치하고, 회전 척 상의 웨이퍼 형상의 물품을 홀드한다. 가스는 유체 분배 링의 위쪽으로 향하는 환형 표면상 및 프로세스 챔버 내로 연장하는 적어도 하나의 유체 분배 노즐을 통해 방출한다. 위쪽으로 향하는 환형 표면은 위쪽으로 향하는 환형 표면의 방사상 내측 에지로 부터 방사상 외측 에지로 하향 경사진다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 유체 분배 링의 환형 표면은 프로세스 챔버의 내부 표면에 인접하게 배치된 방사상 외측 에지에서 종단되고, 상기 방법은 환형 갭을 린싱 하도록 방사상 외측 에지와 내부 표면 사이의 환형 갭으로 탈 이온수 (deionized water) 를 도입하는 단계를 더 포함한다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 가스는 오존이고, 상기 방법은 환형 갭으로 탈 이온수를 도입한 이후에 환형 갭으로 질소를 도입하는 단계를 더 포함한다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 회전 척은 자기 베어링을 통해 물리적 접촉 없이 구동된다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 유체 분배 링은 하향 경사진 환형 표면을 덮는 환형 플랜지, 및 하향 경사진 환형 표면 위에 위치된 배출 개구부를 갖고 환형 플랜지를 관통하는 적어도 하나의 유체 분배 노즐을 포함한다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 하향 경사진 환형 표면은 프로세스 챔버의 내벽에 인접하는 에지에 방사상 외측으로 종단된다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 하향 경사진 환형 표면은 상기 프로세스 챔버의 내부 표면으로부터 일정거리 이격된 에지에 방사상 외측으로 종단된다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시예에서, 적어도 하나의 유체 분배 노즐은 유체 분배링 외주에 대해 분산된 적어도 세 개의 유체 분배 노즐을 포함한다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 아래의 본 발명의 바람직한 실시예의 상세한 설명을 읽은 후 명백해질 것이다.
도 1 은 프로세스 챔버의 제 1 위치에 도시된 내부 덮개를 갖는 발명의 제 1 실시예에 따른 설명을 위한 프로세스 챔버의 측 단면도이다.
도 2 는 프로세스 챔버의 제 2 위치에 나타난 내부 덮개를 갖는 발명의 제 1 실시예에 따른 설명을 위한 프로세스 챔버의 측 단면도이다.
도 3 은 도 1 의 세부 사항 III의 확대도이다.
도 4 는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 분배 링의 사시도이다.
도 5 는 도 4 의 V-V 선에 따른 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼-형상의 물품의 표면 처리를 위한 장치는 바람직하게는 PFA (perfluoroalkoxy) 수지로 코팅된 알루미늄으로 만들어진 외측 프로세스 챔버 (1) 를 포함한다. 본 실시예의 챔버는 메인 원통형 벽 (10) , 하부 파트 (12) 및 상부 파트 (15) 을 갖는다. 상부 파트 (15) 에서부터 리드 (lid)(36) 에 의해 닫힌 더좁은 원통형 벽 (34) 이 확장된다.
회전 척 (30) 은 챔버 (1) 의 상부에 배치되고 원통형 벽 (34) 에 의해 둘러싸인다. 회전 척 (30) 은 장치의 사용 도중 웨이퍼 (W) 를 회전가능하게 지지한다. 회전 척 (30) 은 웨이퍼 (W) 의 주변 에지를 선택적으로 접촉하고 릴리즈하기 위한 복수의 편심으로 이동 가능한 그립핑 부재 (eccentrically movable gripping members) 를 구동하고 인게이지하는 링 기어 (38) 를 포함하는 회전 구동부를 통합한다.
본 실시예에서, 회전 척 (30) 은 원통형 벽 (34) 의 내면에 인접하게 제공된 링 로터이다. 고정자 (32) 는 원통형 벽 (34) 의 외면에 인접한 링 로터의 반대편에 제공된다. 로터 (30) 및 고정자 (34) 는 링 로터 (30) (및 로터에 의해 지지된 웨이퍼 (W)) 가 능동 자기 베어링을 통해 회전할 수도 있어 모터로서 역할을 한다. 예를 들어, 고정자 (34) 는 로터 상에 제공된 대응하는 영구 자석을 통해 회전 척 (30) 을 회전 가능하게 능동적으로 제어된 복수의 전자기 코일이나 권선 (winding) 을 포함할 수 있다. 회전 척 (30) 의 축 및 방사상 베어링은 영구자석에 의하거나 고정자의 능동 제어에 의해 달성될 수도 있다. 따라서, 회전 척 (30) 은 부양되고 기계적 접촉 없이 회전 구동될 수도 있다. 대안적으로, 로터의 자석이 챔버 밖의 외측 로터 상에서 원주를 따라 배열된 대응하는 HTS-자석 (high-temperature-superconducting magnets) 에 의해 홀딩되는 수동 베어링에 의해 로터는 홀딩될 수도 있다. 이러한 대안적인 실시예에서 링 로터의 각각의 자석은 외측 로터의 대응 HTS-자석에 고정된다. 따라서 내부 로터는 물리적 접촉 없이 외부 로터와 동일한 운동을 한다.
본 실시예에서 웨이퍼 (W) 는 회전 척 (30) 으로부터 하향으로 달려있고, 그립핑 (gripping) 부재 (member) 에 의해 지지되는 것이 주목될 것이다. 이 경우 웨이퍼 (30) 는 예를 들어 300mm 또는 450mm 직경의 반도체 웨이퍼이고, 웨이퍼 (W) 의 위로 향하는 측면은 웨이퍼 (W) 의 디바이스 측 또는 반대 측면일 수 있으며, 이것은 웨이퍼가 어떻게 회전 척 (30) 상에서 위치되는지에 의해 결정되며, 그 위치는 챔버 (1) 내에서 수행되는 특정 프로세스에 의해 차례로 지정된다.
도 1 의 장치는 프로세스 챔버 (1) 에 대해 이동가능한 내부 커버 (2) 를 더 포함한다. 내부 덮개 (2) 는 회전 척 (30) 이 챔버 (1) 의 외측 원통형 벽 (10) 과 통하는 제 1 위치 또는 개방 위치로 도 1 에 도시된다. 본 실시예에서 커버 (2) 는 일반적으로 컵-형태이고, 직립 원통형 벽 (21) 에 의해 둘러싸인 베이스 (20) 를 포함한다. 커버 (2) 는 베이스 (20) 를 지지하는 중공축 (hollow shaft)(22) 을 더 포함하고, 챔버 (1) 의 하부 벽 (14) 을 통과한다.
중공축 (22) 은 주 챔버 (1) 에 형성된 보스 (boss)(12) 에 의해 둘러싸이며, 이러한 엘리먼트 (element) 는 챔버 (1) 로 기밀시일을 유지하는 동안 중공축 (22) 이 보스 (12) 에 대하여 변위되도록 허용하는 동적 시일을 통해 연결된다.
원통형 벽 (21) 의 상단에서 환형 디플렉터 (deflector) 부재 (24) 가 부착되고, 환형 디플렉터 부재 (24) 의 위로 향하는 면상에 가스켓 (26) 을 갖는다. 커버 (2) 는 바람직하게 처리 유체 및 린싱 액체가 웨이퍼 (W) 의 아래로 향하는 표면 상에서 챔버 내부로 도입될 수 있도록, 베이스 (20) 를 관통하는 유체 매체 유입부 (28) 를 포함한다.
커버 (2) 는 배출관 (25) 으로 개방된 처리 액체 배출개구 (23) 를 더 포함한다. 배관 (25) 이 커버 (2) 의 베이스 (20) 에 견고하게 장착되는 반면, 기밀 시일을 유지하면서 하단 벽 (14) 에 대하여 축 방향으로 슬라이딩 할 수도 있도록 배관 (25) 는 동적 시일 (17) 을 통하여 챔버 (1) 의 하단 벽 (14) 을 관통한다.
배출개구 (16) 는 챔버 (1) 의 벽 (10) 를 관통하고, 반면 별개의 배출개구 (미도시) 가 회전 척 (30) 의 내부 표면 근방 리드 (36) 를 관통하도록 선택적으로 제공될 수도 있다. 배출개구 각각은 바람직하게는 독립적으로 배출 디바이스 및 벨브 각각을 통해 제어되는 적합한 배출 도관 (미도시) 에 연결된다.
도 1 에 도시된 위치는 웨이퍼 (W) 의 로딩 또는 언로딩에 대응한다. 특히, 웨이퍼 (W) 는 리드 (36) 를 통하거나 또는 더 바람직하게는 챔버 벽 (10) 의 측 도어 (미도시) 를 통해 회전 척 (30) 상에 로드될 수 있다. 그러나 리드 (36) 이 제 위치에 있고 어떤 측면 도어가 닫혀 있는 경우, 챔버 (1) 는 기밀되고 정의된 내부 압력을 유지할 수 있다.
도 2 에서, 내부 덮개 (2) 는 웨이퍼 (W) 의 처리에 대응하는, 덮개의 제 2 또는 닫힌 위치로 이동되었다. 즉, 웨이퍼 (W) 가 회전 척 (30) 상에 로드된 후에, 덮개 (2) 가 중공축 (22) 위에서 작동하는 적합한 모터 (미도시) 에 의해, 챔버 (1) 에 대해 위측으로 이동한다. 디플렉터 부재 (24) 가 챔버 (1) 의 상부 파트 (15) 의 내부 표면에 접촉할 때까지 내부 커버 (2) 의 상향 이동은 계속된다. 특히, 디플렉터 (24) 에 의해 지지되는 가스켓 (26) 이 상부 파트 (15) 의 하측면에 대항하여 시일하고, 한편 상부 파트 (15) 에 의해 지지되는 가스켓 (18) 은 디플렉터 (24) 의 상부면에 대항하여 시일한다.
도 1 및 2 에서 도시된 디바이스는 도 3 내지 5 에서 보다 상세히 도시되는 바와 같이 유체 분배 링 (50) 을 더 포함한다.
유체 분배 링 (50) 은 특히 프로세스 챔버 내로 질소 또는 오존을 도입하는데 사용되는 경우에, 리드 (36) 의 중심에 근접하게 위치한 단일 가스 유입구에 대하여 상당한 이점을 제공한다. 이 가스들은 부식을 피하거나 웨이퍼 상의 에칭을 지원하도록 웨이퍼 주위의 규정된 분위기를 생성하는데 사용된다. 그러나 공간적 제약으로, 단일 중앙 노즐의 사용하는 경우 가능한 흐름 레이트는 상당히 낮을 수 있으며, 현저히 긴 퍼지 시간을 야기한다.
유체 분배 링 (50) 은 처치 챔버의 리드 어셈블리에 환형 갭을 제공한다. 이 갭은 높은 가스 볼륨이 챔버 내로 도입되는 것을 가능하게 하고, 따라서 보다 짧은 퍼지 시간을 가능하게 한다. 짧은 퍼지 시간은 처리 시간을 줄이고, 생산량을 증대시킨다. 또한, 환형 갭 각각은 탈 이온수 및 질소 가스로 챔버 상부 부분 및 척을 린싱하고 건조하는데 사용될 수 있다.
도 3 을 참조하면, 유체 분배 링 (50) 은 기밀 방식으로 가스켓 (54) 에 의해 리드 (36) 에 대하여 시일되고, 가스켓 (52) 에 의해 챔버 벽 (34) 에 대하여 시일됨을 알 수 있다. 링 (50) 은 상부 환형 표면의 방사상 내측 에지로부터 방사상 외측 에지로 하향 경사진 상부 환형 표면을 갖는 노즐 (60) 의 방출 유출부에 대하여 존재하는 테이퍼된 플랜지 (56) 를 포함한다.
링 (50) 은 챔버 (1) 의 사용상 처리 조건에 화학적 열적 내성을 가진 임의의 적합한 금속으로 형성될 수도 있다. 적합한 금속은 예를 들어 PEEK (polyetheretherketone) 및 PTFE (polytetrafluoroethylene) 를 포함한다.
링 (50) 은 노즐 (60) 을 통하여 도입된 처리 가스 및 액체에 의하여 실질적 하향 디플렉터에 저항하기에 충분히 강성이 되도록 구성될 수도 있다. 이 경우, 링 (60) 은 미리 결정된 폭의 환형 갭 (64) 이 챔버 벽 (34) 의 내부 및 테이퍼된 플랜지 (56) 의 방사상 최외각 에지 사이에 존재하도록 챔버 벽 (34) 에 상대적으로 치수된다. 갭 (64) 은 예를 들어 0.1 ~ 5mm, 바람직하게는 0.5 ~ 3mm, 더 바람직하게는 1 ~ 2mm 의 방사상 범위에 있다.
대안적으로, 링 (50) 은 상대적으로 탄성을 갖도록 특히 테이퍼된 플랜지 (56) 은 노즐 (60) 을 통해 도입된 처리 가스 및 액채에 의해 하향으로 디플렉터되도록 구성될 수도 있다. 이 경우, 테이퍼된 플랜지 (56) 의 방사상 최외각 에지가 노즐 (60) 을 통해 유체 흐름이 결여된 내부 표면 (34) 에 인접하게 링 (60) 은 챔버 벽 (34) 에 관련되게 치수가 정해지고, 노즐 (60) 을 통해 유체 흐름이 개시되면 갭 (64) 을 능동적으로 생성된다.
도 4 및 5 에서 알 수 있는 바와 같이, 링 (50) 은 본 실시예에서, 리드 (36) 의 하측면에 링 (50) 을 고정하기 위한 장착 구멍 (43) 뿐만 아니라 유체 분배 노즐 (60) 의 통과를 허용하는 개구부 (55) 와 함께 제동되는 상부 플랜지 (57) 를 포함한다. 본 실시예에서 네 개의 개구부 (55) 와 그에 따른 네 개의 노즐 (60) 이 있다. 바람직하게는 링 (60) 위에 즉 약 120°간격으로 균등하게 분포되는, 적어도 세 개의 노즐 (60) 이 있으나 노즐의 수는 실시예에서 하나 만큼 적을 수 있고 원하는만큼 많을 수도 있다.
링 (60) 은 전술된 가스켓 (52) 을 받기 위한 채널 (66) 을 더 포함한다.
사용시에, 오존과 같은 프로세스 가스는 링 (50) 덕에 더 쉽게 챔버 (1) 의 상부 파트 내로 도입될 수 있고, 질소과 같은 비 산화 가스를 사용하여 갭 (64) 으로부터 보다 쉽게 퍼지될 수 있다. 링 (50) 및 노즐 (60) 의 설계는 예를 들어 탈이온수를 사용하여 갭 (64) 의 세정을 용이하게 한다. 이러한 점에서, 동일한 노즐 (60) 이 처리 가스 및 탈 이온수를 대안적으로 공급할 수도 있고; 또는 특정한 하나의 노즐 (60) 이 단 하나의 처리 유체를 전용으로 공급하고, 다른 하나의 노즐 (60) 이 다른 각각의 처리 유체를 전용으로 공급할 수도 있다.

Claims (15)

  1. 프로세스 챔버;
    상기 프로세스 챔버 내에 위치되는 회전 척으로서, 상기 회전 척 상에 웨이퍼 형상의 물품을 홀드 (hold) 하도록 구성된 상기 회전 척;
    상기 회전 척 위에 위치된 내부 유체 분배 링 (interior fluid distribution ring) 으로서, 상기 내부 유체 분배 링은 방사상 내측 에지로부터 방사상 외측 에지로 하향 경사진 환형 표면을 포함하는, 상기 내부 유체 분배 링; 및
    닫힌 상기 프로세스 챔버 내로 연장하고 상기 유체 분배 링의 상기 환형 표면 상으로 유체를 방출하도록 위치된 적어도 하나의 유체 분배 노즐을 포함하는, 웨이퍼 형상의 물품을 처리하는 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 회전 척은 자기 베어링을 통해 물리적으로 접촉하지 않고 구동되도록 구성되는, 웨이퍼 형상의 물품을 처리하는 디바이스.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버는 기밀 인클로져 (gas-tight enclosure) 를 제공하는 하우징을 포함하는, 웨이퍼 형상의 물품을 처리하는 디바이스.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체 분배 링은 상기 하향 경사진 환형 표면을 덮는 (overlying) 환형 플랜지 (flange) 를 포함하고, 상기 적어도 하나의 상기 유체 분배 노즐은 상기 하향 경사진 환형 표면 위에 위치된 배출 개구부를 가지며, 상기 환형 플랜지를 통과하는, 웨이퍼 형상의 물품을 처리하는 디바이스.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 하향 경사진 환형 표면은 상기 프로세스 챔버의 내부 표면에 인접하는 에지의 방사상 외측에서 끝나는(terminate), 웨이퍼 형상의 물품을 처리하는 디바이스.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 하향 경사진 환형 표면은 상기 프로세스 챔버의 내벽으로부터 미리결정된 거리로 이격된 에지의 방사상 외측에서 끝나는, 웨이퍼 형상의 물품을 처리하는 디바이스.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유체 분배 노즐은 상기 유체 분배링 외주 (periphery) 주위에 분산된 적어도 세 개의 유체 분배 노즐을 포함하는, 웨이퍼 형상의 물품을 처리하는 디바이스.
  8. 프로세스 챔버 내에 위치된 회전 척을 갖는 프로세스 챔버로 가스를 공급하는 단계를 포함하고,
    상기 회전 척은 상기 회전 척 상에 웨이퍼 형상의 물품을 홀드하고, 상기 가스는 유체 분배 링의 위로 향하는 환형 표면상에서 그리고 상기 프로세스 챔버 내로 연장하는 적어도 하나의 유체 분배 노즐을 통해 방출되고, 상기 위로 향하는 환형 표면은 방사상 내측 에지로부터 방사상 외측 에지로 하향 경사지는, 웨이퍼 형상의 물품을 처리하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 유체 분배 링의 상기 환형 표면은 상기 프로세스 챔버의 내부 표면에 인접하게 위치된 방사상 외측 에지에서 종단되고, 상기 방법은 환형 갭을 린스 (rinse) 하도록 상기 방사상 외측 에지와 내벽 사이의 상기 환형 갭으로 탈 이온수 (deionized water) 를 도입하는 단계를 더 포함하는, 웨이퍼 형상의 물품을 처리하는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 가스는 오존이고,
    상기 환형 갭으로 탈 이온수를 도입한 후에 상기 환형 갭으로 질소를 도입하는 단계를 더 포함하는, 웨이퍼 형상의 물품을 처리하는 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    자기 베어링을 통해 물리적 접촉 없이 상기 회전 척을 구동하는 단계를 더 포함하는, 웨이퍼 형상의 물품을 처리하는 방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 유체 분배 링은 상기 하향 경사진 환형 표면을 덮는 환형 플랜지를 더 포함하고, 상기 적어도 하나의 유체 분배 노즐은 상기 하향 경사진 환형 표면 위에 위치된 방출 개구부를 가지며, 상기 환형 플랜지를 통과하는, 웨이퍼 형상의 물품을 처리하는 방법.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 하향 경사진 환형 표면은 상기 프로세스 챔버의 내벽에 인접하는 에지의 방사상 외측에서 끝나는, 웨이퍼 형상의 물품을 처리하는 방법.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 하향 경사진 환형 표면은 상기 프로세스 챔버의 내벽으로부터 미리 결정된 거리로 이격된 에지의 방사상 외측에서 끝나는, 웨이퍼 형상의 물품을 처리하는 방법.
  15. 제 8 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유체 분배 노즐은 상기 유체 분배 링의 외주 주위에 분산된 적어도 세 개의 유체 분배 노즐을 포함하는, 웨이퍼 형상의 물품을 처리하는 방법.
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