KR102031717B1 - Compact surface acoustic wave filter - Google Patents

Compact surface acoustic wave filter

Info

Publication number
KR102031717B1
KR102031717B1 KR1020170140983A KR20170140983A KR102031717B1 KR 102031717 B1 KR102031717 B1 KR 102031717B1 KR 1020170140983 A KR1020170140983 A KR 1020170140983A KR 20170140983 A KR20170140983 A KR 20170140983A KR 102031717 B1 KR102031717 B1 KR 102031717B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrodes
idts
single channel
grating reflector
grating
Prior art date
Application number
KR1020170140983A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190047282A (en
Inventor
김남준
강덕식
Original Assignee
주식회사 쏘닉스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 쏘닉스 filed Critical 주식회사 쏘닉스
Priority to KR1020170140983A priority Critical patent/KR102031717B1/en
Publication of KR20190047282A publication Critical patent/KR20190047282A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102031717B1 publication Critical patent/KR102031717B1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 압전기판상에 배치된 적어도 두 개 이상의 IDT(Interdigital Transducer)들, 그리고 두 개의 동일한 제1 단일 채널 그레이팅 반사기 및 제2 단일 채널 그레이팅 반사기를 포함하고, 상기 IDT들 및 상기 단일 채널 그레이팅 반사기들은 하나의 탄성 채널에 배치되고, 상기 IDT들은 상기 제1 단일 채널 그레이팅 반사기와 상기 제2 단일 채널 그레이팅 반사기의 사이에서 일렬로 배치되고, 상기 IDT들의 전극들과 상기 단일 채널 그레이팅 반사기들의 전극들은 두께가 동일하고 서로 일정한 간격으로 평행하게 배치되는, 컴팩트 표면탄성파 필터를 제공한다.An embodiment of the invention includes at least two or more Interdigital Transducers (IDTs) disposed on a piezoelectric plate, and two identical first single channel grating reflectors and a second single channel grating reflector, wherein the IDTs and the Single channel grating reflectors are disposed in one elastic channel, and the IDTs are arranged in line between the first single channel grating reflector and the second single channel grating reflector, the electrodes of the IDTs and the single channel grating reflector These electrodes provide a compact surface acoustic wave filter, having the same thickness and arranged in parallel with each other at regular intervals.

Description

컴팩트 표면탄성파 필터 {COMPACT SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER}Compact Surface Acoustic Wave Filter {COMPACT SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER}

본 발명은 컴팩트 표면탄성파 필터(Surface Acoustic Wave Filter, 이하 SAW 필터라 함)에 관한 것으로서, 특히 적은 입력 손실을 갖도록 작은 크기를 갖는 컴팩트 표면탄성파 필터에 관한 것이다.The present invention relates to a surface acoustic wave filter (hereinafter referred to as a SAW filter), and more particularly to a compact surface acoustic wave filter having a small size to have a small input loss.

일반적으로 SAW 소자는 압전성을 가진 기판에 금속 전극으로 빗살무늬 형태의 변환기를 형성하고 전계를 걸어 전자기파를 지연시키거나 특정 주파수 신호만을 통과시키는 필터로 이용된다.In general, a SAW device is used as a filter that forms a comb-shaped transducer with a metal electrode on a piezoelectric substrate and passes an electric field to delay electromagnetic waves or pass only a specific frequency signal.

이러한 SAW 필터는 인터 디지털 트랜스듀서(interdigital transducer, 이하 IDT라고 함)가 입력단 및 출력단에 각각 설치되어 있어 입력단에서 압전 물체에 전기적 신호가 인가되면 이를 기계적 신호로 변환하고, 다시 출력단에서 이를 전기적 신호로 변환 출력하게 됨으로써 특정 주파수 대역은 통과시키고 나머지 주파수 대역은 저지시키게 된다.The SAW filter has an interdigital transducer (IDT) installed at each of the input terminal and the output terminal. When an electrical signal is applied to the piezoelectric object at the input terminal, the SAW filter is converted into a mechanical signal. By converting the output, a specific frequency band is passed and the remaining frequency bands are blocked.

이때, SAW 필터의 성능 중 특히 중요한 것은, 통과대역 내에서 적은 삽입손실을 갖고, 통과내역 이외에서 높은 감쇠도를 갖는 것이다. 따라서, 동일한 통과대역을 갖더라도 삽입손실이 적을수록 성능이 좋은 필터가 되므로, 삽입손실을 줄이는 것이 중요하다.At this time, particularly important among the performance of the SAW filter is to have a small insertion loss in the passband, and to have a high attenuation outside the passband. Therefore, even if they have the same passband, the smaller the insertion loss, the better the performance of the filter. Therefore, it is important to reduce the insertion loss.

전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출을 위해 보유하고 있었거나, 본 발명의 도출 과정에서 습득한 기술 정보로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에게 공개된 공지기술이라할 수는 없다.The background art described above is technical information possessed by the inventors for the derivation of the present invention or acquired in the derivation process of the present invention, and is not necessarily known technology disclosed to the general public before the present application.

국내 공개특허공보 제10-2005-0091552호Korean Unexamined Patent Publication No. 10-2005-0091552

본 발명의 목적은 결합 공진 필터(CRF; Coupled Resonator Filter)를 이용하여 낮은 입력 손실을 갖는 컴팩트 탄성표면파 필터를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a compact surface acoustic wave filter having a low input loss using a coupled resonator filter (CRF).

본 발명의 일 실시예는, 압전기판상에 배치된 적어도 두 개 이상의 IDT(Interdigital Transducer)들, 그리고 두 개의 동일한 제1 단일 채널 그레이팅 반사기 및 제2 단일 채널 그레이팅 반사기를 포함하고, 상기 IDT들 및 상기 단일 채널 그레이팅 반사기들은 하나의 탄성 채널에 배치되고, 상기 IDT들은 상기 제1 단일 채널 그레이팅 반사기와 상기 제2 단일 채널 그레이팅 반사기의 사이에서 일렬로 배치되고, 상기 IDT들의 전극들과 상기 단일 채널 그레이팅 반사기들의 전극들은 두께가 동일하고 서로 일정한 간격으로 평행하게 배치되는, 컴팩트 표면탄성파 필터를 제공한다.An embodiment of the invention includes at least two or more Interdigital Transducers (IDTs) disposed on a piezoelectric plate, and two identical first single channel grating reflectors and a second single channel grating reflector, wherein the IDTs and the Single channel grating reflectors are disposed in one elastic channel, and the IDTs are arranged in line between the first single channel grating reflector and the second single channel grating reflector, the electrodes of the IDTs and the single channel grating reflector These electrodes provide a compact surface acoustic wave filter, having the same thickness and arranged in parallel with each other at regular intervals.

이때, 상기 IDT들은 각각 2개의 버스바들을 포함하고, 상기 버스바들은 상기 IDT들의 전극들과 수직이고, 상기 탄성 채널의 밖에 위치할 수 있다.In this case, each of the IDTs includes two busbars, and the busbars may be perpendicular to the electrodes of the IDTs and may be located outside the elastic channel.

이때, 상기 단일 채널 그레이팅 반사기들은 2개 이상의 전극들을 포함하고, 상기 IDT들의 전극들은 서로 길이가 동일하고, 상기 단일 채널 그레이팅 반사기들의 전극들은 서로 길이가 동일하며 상기 IDT들의 전극들보다 길이가 긴 것일 수 있다.In this case, the single channel grating reflectors include two or more electrodes, the electrodes of the IDTs are equal in length to each other, the electrodes of the single channel grating reflectors are the same in length and longer than the electrodes of the IDTs. Can be.

이때, 상기 압전기판상에서 상기 단일 채널에 배치된 중간 그레이팅 반사기를 더 포함하고, 상기 중간 그레이팅 반사기의 전극들은 상기 단일 채널 그레이팅 반사기들의 전극들과 두께가 동일하고 서로 평행하게 배치되는 것일 수 있다.The intermediate grating reflector may further include an intermediate grating reflector disposed on the single channel on the piezoelectric plate, and the electrodes of the intermediate grating reflector may have the same thickness as those of the electrodes of the single channel grating reflectors and be disposed in parallel with each other.

이때, 상기 IDT들은 동일한 제1 서브 IDT 세트와 제2 서브 IDT 세트로 구성되고, 상기 서브 IDT 세트들은 각각 2개 이상의 IDT들을 포함하고, 상기 중간 그레이팅 반사기는 상기 서브 IDT 세트들의 사이에 일렬로 배치될 수 있다.In this case, the IDTs are configured of the same first sub IDT set and the second sub IDT set, each of the sub IDT sets includes two or more IDTs, and the intermediate grating reflector is disposed in a line between the sub IDT sets. Can be.

이때, 상기 IDT들의 전극들과 상기 단일 채널 그레이팅 반사기들의 전극들과 상기 중간 그레이팅 반사기의 전극들은 서로 일정한 간격으로 배치될 수 있다.In this case, the electrodes of the IDTs, the electrodes of the single channel grating reflectors and the electrodes of the intermediate grating reflector may be disposed at regular intervals from each other.

이때, 상기 중간 그레이팅 반사기는 그레이팅 반사 계수의 역수보다 큰 수만큼의 전극들을 포함할 수 있다.In this case, the intermediate grating reflector may include as many electrodes as the inverse of the grating reflection coefficient.

이때, 상기 버스바들은 상기 IDT들의 전극들, 상기 중간 그레이팅 반사기의 전극들 및 상기 단일 채널 그레이팅 반사기들의 전극들보다 금속 박막의 두께가 두꺼운 것일 수 있다.In this case, the busbars may be thicker than the electrodes of the IDTs, the electrodes of the intermediate grating reflector and the electrodes of the single channel grating reflectors.

이때, 상기 탄성 채널을 기준으로 동일한 측면에 위치한 버스바들 중에서 중심축으로부터 대칭되어 위치하는 두 개의 버스바들이 입력 단자와 연결되고, 상기 중심축은 상기 탄성 채널과 수직이며 상기 제1 단일 채널 그레이팅 반사기 및 상기 제2 단일 채널 그레이팅 반사기로부터 동일한 거리를 가질 수 있다.In this case, two bus bars positioned symmetrically from a central axis among the bus bars positioned on the same side with respect to the elastic channel are connected to an input terminal, and the central axis is perpendicular to the elastic channel, and the first single channel grating reflector and It may have the same distance from the second single channel grating reflector.

이때, 상기 탄성 채널의 소망 공진 주파수 대역은 452MHz를 포함할 수 있다.At this time, the desired resonant frequency band of the elastic channel may include 452MHz.

본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 공진기는 단순히 CRF들을 연결하는 것보다 크기를 줄임으로써 입력 손실을 줄일 수 있다.The compact surface acoustic wave resonator according to an embodiment of the present invention can reduce the input loss by reducing the size rather than simply connecting the CRFs.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 결합 공진 필터(CRF; Coupled Resonator Filter)의 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 결합 공진 필터 두 개를 전기적으로 병렬 연결한 표면탄성파 필터의 구조를 나타낸 도면이다.
도 3은 두 개의 결합 공진 필터들을 전기적으로 병렬 연결한 표면탄성파 필터의 입력 손실을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 4는 도 3에 도시된 그래프에서 통과 대역 인근을 확대한 그래프이다.
도 5는 두 개의 결합 공진 필터들을 전기적으로 병렬 연결한 표면탄성파 필터의 입력 손실을 그레이팅 반사기의 전극 수에 따라 시뮬레이션한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 6은 도 5에 도시된 그래프에서 통과 대역 인근을 확대한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터의 구조를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터의 구조를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터의 구조를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터의 입력 손실을 측정한 결과와 시뮬레이션한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터의 구조를 나타낸 도면이다.
1 is a diagram illustrating a structure of a coupled resonator filter (CRF) according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a structure of a surface acoustic wave filter in which two coupling resonance filters shown in FIG. 1 are electrically connected in parallel.
3 is a graph illustrating a simulation result of input loss of a surface acoustic wave filter in which two coupling resonance filters are electrically connected in parallel.
4 is an enlarged graph of a neighborhood of a pass band in the graph illustrated in FIG. 3.
5 is a graph illustrating simulation results of input loss of a surface acoustic wave filter in which two coupling resonance filters are electrically connected in parallel according to the number of electrodes of a grating reflector.
6 is an enlarged graph of a neighborhood of a pass band in the graph illustrated in FIG. 5.
7 is a view showing the structure of a compact surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention.
8 is a view showing the structure of a compact surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention.
9 is a view showing the structure of a compact surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention.
10 is a graph showing the results of measuring the input loss and the simulation results of the compact surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention.
11 is a view showing the structure of a compact surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 여기서, 반복되는 설명, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능, 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 본 발명의 실시형태는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다. As the invention allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the written description. Effects and features of the present invention, and methods of achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the drawings. Here, the repeated description, well-known functions and configurations that may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, and detailed description of the configuration will be omitted. Embodiments of the present invention are provided to more completely describe the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity.

그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성되어 다양한 형태로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는한 복수의 표현을 포함한다. 또한, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms by selectively combining all or some of the embodiments. In the following embodiments, the terms first, second, etc. are used for the purpose of distinguishing one component from other components rather than a restrictive meaning. In addition, singular forms also include plural forms unless the context clearly indicates otherwise. In addition, the terms including or have means that the features or components described in the specification are present, and does not preclude the possibility of adding one or more other features or components.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면 부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or corresponding components will be denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 결합 공진 필터(CRF; Coupled Resonator Filter, 100)의 구조를 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a structure of a coupled resonator filter (CRF) 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 2 포트 결합 공진 필터(100)는 2 개의 IDT들(101, 102) 및 동일한 2 개의 단일 채널 그레이팅 반사기들(103, 104)이 압전기판(piezoelectric substrate)에 배치된다. 여기서, IDT들(101, 102) 및 단일 채널 그레이팅 반사기들(103, 104)은 하나의 탄성 채널(acoustic channel)에 배치된다. Referring to FIG. 1, a two-port coupled resonance filter 100 according to an embodiment of the present invention includes two IDTs 101 and 102 and two identical single channel grating reflectors 103 and 104. piezoelectric substrate). Here, the IDTs 101, 102 and the single channel grating reflectors 103, 104 are arranged in one elastic channel.

이때, 단일 채널 그레이팅 반사기들(103, 104)은 2개 이상의 전극들을 포함할 수 있다. In this case, the single channel grating reflectors 103 and 104 may include two or more electrodes.

이때, IDT들(101, 102)의 전극들과 단일 채널 그레이팅 반사기들(103, 104)의 전극들은 서로 동일한 두께를 가지며, 서로 평행하고, 서로 동일한 간격으로 배치될 수 있다.In this case, the electrodes of the IDTs 101 and 102 and the electrodes of the single channel grating reflectors 103 and 104 have the same thickness, are parallel to each other, and may be disposed at the same interval from each other.

이때, IDT들(101, 102)의 전극들은 서로 길이가 같고, 단일 채널 그레이팅 반사기들(103, 104)의 전극들은 서로 길이가 같으며 IDT들(101, 102)의 전극들보다 그 길이가 길 수 있다.In this case, the electrodes of the IDTs 101 and 102 have the same length, and the electrodes of the single channel grating reflectors 103 and 104 have the same length and are longer than the electrodes of the IDTs 101 and 102. Can be.

이때, IDT들(101, 102)의 버스바들은 IDT 전극들과 수직하며, 그 두께가 IDT 전극들보다 두꺼울 수 있다.At this time, the busbars of the IDTs 101 and 102 may be perpendicular to the IDT electrodes, and may be thicker than the IDT electrodes.

이때, 탄성 채널을 가로질러 대각선 방향으로 위치한 2 개의 버스바들에 입력 단자(105)와 출력 단자(106)가 연결될 수 있다. 그리고, 나머지 2 개의 버스바들은 접지될 수 있다.At this time, the input terminal 105 and the output terminal 106 may be connected to two bus bars diagonally across the elastic channel. The remaining two busbars may be grounded.

통상적으로 결합 공진 필터(100)는 크기가 작으나 고전력 레벨에서의 응용에는 적합하지 않을 수 있다.Typically, the coupling resonant filter 100 is small in size but may not be suitable for applications at high power levels.

도 2는 도 1에 도시된 결합 공진 필터 두 개를 전기적으로 병렬 연결한 표면탄성파 필터(200)의 구조를 나타낸 도면이다.2 is a diagram illustrating a structure of the surface acoustic wave filter 200 in which two coupling resonance filters shown in FIG. 1 are electrically connected in parallel.

도 2를 참조하면, 도 1에 도시된 결합 공진 필터 두 개를 전기적으로 병렬 연결한 표면탄성파 필터(200)는 4 개의 IDT들(201, 202, 203, 204) 및 동일한 4 개의 단일 채널 그레이팅 반사기들(205, 206, 207, 208)이 압전기판에 배치된다. 여기서, IDT들(201, 202, 203, 204) 및 단일 채널 그레이팅 반사기들(205, 206, 207, 208)은 하나의 탄성 채널(211)에 배치된다.Referring to FIG. 2, the surface acoustic wave filter 200 electrically connecting two coupled resonance filters shown in FIG. 1 to four IDTs 201, 202, 203, and 204 and the same four single channel grating reflectors may be used. 205, 206, 207, and 208 are disposed on the piezoelectric plate. Here, IDTs 201, 202, 203, 204 and single channel grating reflectors 205, 206, 207, 208 are disposed in one elastic channel 211.

여기서, 도 2는 단순히 2 개의 결합 공진 필터들을 전기적으로 병렬 연결하였지만, 입력 손실을 줄이기 위하여 더 많은 결합 공진 필터들을 하나의 탄성 채널에 병렬로 연결할 수 있다.Here, although FIG. 2 merely electrically connects the two coupling resonance filters in parallel, more coupling resonance filters may be connected in parallel to one elastic channel in order to reduce input loss.

이때, 단일 채널 그레이팅 반사기들(205, 206, 207, 208)은 2개 이상의 전극들을 포함할 수 있다.In this case, the single channel grating reflectors 205, 206, 207, and 208 may include two or more electrodes.

이때, IDT들(201, 202, 203, 204)의 전극들은 서로 길이가 같고, 단일 채널 그레이팅 반사기들(205, 206, 207, 208)의 전극들은 서로 길이가 같으며 IDT들(201, 202, 203, 204)의 전극들보다 그 길이가 길 수 있다.In this case, the electrodes of the IDTs 201, 202, 203, and 204 have the same length, and the electrodes of the single channel grating reflectors 205, 206, 207, and 208 have the same length, and the IDTs 201, 202, The length may be longer than the electrodes of 203 and 204.

이때, IDT들(201, 202, 203, 204)의 전극들과 단일 채널 그레이팅 반사기들(205, 206, 207, 208)의 전극들은 서로 동일한 두께를 가지며, 서로 평행하게 배치될 수 있다.In this case, the electrodes of the IDTs 201, 202, 203, and 204 and the electrodes of the single channel grating reflectors 205, 206, 207, and 208 have the same thickness and may be disposed in parallel to each other.

이때, IDT들(201, 202, 203, 204)의 사이에 위치한 2 개의 단일 채널 그레이팅 반사기들(206, 207)은 서로 일정 거리의 갭(gap)을 갖게 배치될 수 있다. 그리고, 단일 채널 그레이팅 반사기들(206, 207) 사이의 갭을 제외하면, IDT들(201, 202, 203, 204)의 전극들과 단일 채널 그레이팅 반사기들(205, 206, 207, 208)의 전극들은 서로 동일한 간격으로 배치될 수 있다.In this case, the two single channel grating reflectors 206 and 207 positioned between the IDTs 201, 202, 203 and 204 may be disposed to have a gap of a predetermined distance from each other. And the electrodes of the IDTs 201, 202, 203, 204 and the electrodes of the single channel grating reflectors 205, 206, 207, 208 except for the gap between the single channel grating reflectors 206, 207. They may be arranged at equal intervals from each other.

이때, IDT들(201, 202, 203, 204)의 버스바들은 IDT 전극들과 수직하며, 그 두께가 IDT 전극들보다 두꺼울 수 있다.In this case, the busbars of the IDTs 201, 202, 203, and 204 may be perpendicular to the IDT electrodes, and may be thicker than the IDT electrodes.

이때, 탄성 채널(211)을 기준으로 동일한 측면에 위치한 버스바들 중에서 두 개의 내측 버스바들이 입력 단자(209)와 연결되고, 반대 측면에 위치한 버스바들 중에서 두 개의 외측 버스바들이 출력 단자(210)와 연결될 수 있다. 그리고, 나머지 버스바들은 접지될 수 있다. 여기서, 내측 버스바들은 IDT들 사이에 위치하는 단일 채널 그레이팅 반사기들(206, 207)에 인접한 버스바들이며, 외측 버스바들은 IDT들 외측에 위치하는 단일 채널 그레이팅 반사기들(205, 208)에 인접한 버스바를 의미할 수 있다.At this time, two inner busbars of the busbars located on the same side with respect to the elastic channel 211 are connected to the input terminal 209, and two outer busbars of the busbars located on the opposite side thereof are output terminals 210. It can be connected with. The remaining busbars can then be grounded. Here, the inner busbars are adjacent to the single channel grating reflectors 206 and 207 located between the IDTs, and the outer busbars are adjacent to the single channel grating reflectors 205 and 208 located outside the IDTs. It can mean a bus bar.

이와 같이, 단순히 두 개의 결합 공진 필터들을 전기적으로 병렬 연결하는 경우에는 결합 공진 필터들 간의 간격으로 인하여 부피가 커지게 된다.As such, when two coupling resonance filters are electrically connected in parallel, the volume becomes large due to the distance between the coupling resonance filters.

도 3은 두 개의 결합 공진 필터들을 전기적으로 병렬 연결한 표면탄성파 필터의 입력 손실을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 그래프이다.3 is a graph illustrating a simulation result of input loss of a surface acoustic wave filter in which two coupling resonance filters are electrically connected in parallel.

도 3을 참조하면, 두 개의 결합 공진 필터들을 전기적으로 병렬 연결한 표면탄성파 필터는 통과 대역이 약 885MHz이다. 그리고, 어쿠스틱 상호작용(acoustic interaction)이 일어나는 경우(일점쇄선)가 어쿠스틱 상호작용이 일어나지 않는 경우(실선)보다 입력 손실이 더 크다.Referring to FIG. 3, the surface acoustic wave filter in which two coupling resonance filters are electrically connected in parallel has a pass band of about 885 MHz. And, the loss of input is greater when acoustic interaction occurs (dotted and dashed lines) than when acoustic interaction does not occur (solid lines).

이때, 결합 공진 필터들 간의 어쿠스틱 상호작용은 그레이팅 반사기들의 전극 수가 많아질수록 작아진다. 특히, 그레이팅 반사기들의 전극 수가 그레이팅 반사 계수(κ)의 역수보다 크면 어쿠스틱 상호작용이 작아진다. 여기서, 그레이팅 반사 계수는 그레이팅 반사기의 단일 전극에 대한 반사율을 나타낸다.In this case, the acoustic interaction between the coupling resonance filters becomes smaller as the number of electrodes of the grating reflectors increases. In particular, the acoustic interaction becomes small when the number of electrodes of the grating reflectors is larger than the inverse of the grating reflection coefficient κ. Here, the grating reflection coefficient represents the reflectance for a single electrode of the grating reflector.

따라서, 어쿠스틱 상호작용을 줄이거나 없앰으로써 표면탄성파 필터의 입력 손실을 줄이는 것이 요구된다.Therefore, it is desired to reduce the input loss of the surface acoustic wave filter by reducing or eliminating acoustic interaction.

도 4는 도 3에 도시된 그래프에서 통과 대역 인근을 확대한 그래프이다.4 is an enlarged graph of a neighborhood of a pass band in the graph illustrated in FIG. 3.

도 4를 참조하면, 마찬가지로 통과 대역 인근인 약 875MHz~900MHz에서 어쿠스틱 상호작용이 일어나는 경우(일점쇄선)가 어쿠스틱 상호작용이 일어나지 않는 경우(실선)보다 입력 손실이 더 크다.Referring to FIG. 4, the input loss is greater in the case where acoustic interaction takes place at about 875 MHz to 900 MHz that is near the pass band (dotted and dashed lines) than in the case where no acoustic interaction occurs (solid line).

따라서, 어쿠스틱 상호작용을 줄이거나 없앰으로써 표면탄성파 필터의 입력 손실을 줄이는 것이 요구된다.Therefore, it is desired to reduce the input loss of the surface acoustic wave filter by reducing or eliminating acoustic interaction.

도 5는 두 개의 결합 공진 필터들을 전기적으로 병렬 연결한 표면탄성파 필터의 입력 손실을 그레이팅 반사기의 전극 수에 따라 시뮬레이션한 결과를 나타낸 그래프이다.FIG. 5 is a graph illustrating simulation results of input loss of a surface acoustic wave filter in which two coupling resonance filters are electrically connected in parallel, according to the number of electrodes of a grating reflector.

도 5를 참조하면, 두 개의 결합 공진 필터들을 전기적으로 병렬 연결한 표면탄성파 필터는 통과 대역이 약 885MHz이다. 그리고, 일점쇄선은 그레이팅 반사기의 전극이 40개인 경우에 대하여 입력 손실을 시뮬레이션한 결과를 나타내며, 실선은 그레이팅 반사기가 4개인 경우에 대하여 입력 손실을 시뮬레이션한 결과를 나타낸다.Referring to FIG. 5, the surface acoustic wave filter in which two coupling resonance filters are electrically connected in parallel has a pass band of about 885 MHz. In addition, the dashed-dotted line shows the result of simulating input loss in the case of 40 electrodes of a grating reflector, and the solid line shows the result of simulating input loss in the case of four grating reflectors.

이때, 그레이팅 반사 계수가 0.1일 때, 그레이팅 반사기의 전극이 40개인 경우(일점쇄선)가 그레이팅 반사기의 전극이 4개인 경우(실선)보다 입력 손실이 대역 내외에서 모두 작다. 즉, 그레이팅 반사 계수의 역수는 10이므로, 그레이팅 반사기의 전극이 40개인 경우에는 어쿠스틱 상호작용이 작아 입력 손실이 작다. 반면에, 그레이팅 반사기의 전극이 4개인 경우에는 어쿠스틱 상호작용이 커서 입력 손실이 크다. 즉, 그레이팅 반사기의 전극이 적은 경우에는 표면탄성파 에너지의 많은 부분이 결합 공진 필터들로부터 외부로 손실되는 것이고, 그레이팅 반사기의 전극이 많은 경우에는 이웃한 결합 공진 필터가 효율적인 반사기로서 작용하여 표면탄성파 에너지의 손실이 적어지는 것이다.At this time, when the grating reflection coefficient is 0.1, the input loss is smaller in and out of the band than when the electrode of the grating reflector is 40 (one dashed line) and when the electrode of the grating reflector is 4 (solid line). That is, since the inverse of the grating reflection coefficient is 10, in the case of 40 electrodes of the grating reflector, the acoustic interaction is small and the input loss is small. On the other hand, in the case of four electrodes of the grating reflector, the acoustic interaction is large and the input loss is large. That is, when there are few electrodes of the grating reflector, a large part of the surface acoustic wave energy is lost to the outside from the coupling resonant filters, and when there are many electrodes of the grating reflector, the adjacent coupling resonant filter acts as an efficient reflector so that the surface acoustic wave energy The loss of less.

따라서, 그레이팅 반사기의 전극을 늘림으로써 어쿠스틱 상호작용을 줄여 표면탄성파 필터의 입력 손실을 줄일 수 있다.Thus, by increasing the electrodes of the grating reflector, the acoustic interaction can be reduced, thereby reducing the input loss of the surface acoustic wave filter.

도 6은 도 5에 도시된 그래프에서 통과 대역 인근을 확대한 그래프이다.6 is an enlarged graph of a neighborhood of a pass band in the graph illustrated in FIG. 5.

도 6을 참조하면, 마찬가지로 통과 대역 인근인 약 875MHz~900MHz에서 그레이팅 반사기의 전극이 40개인 경우(일점쇄선)가 그레이팅 반사기의 전극이 4개인 경우(실선)보다 입력 손실이 더 작다.Referring to FIG. 6, the input loss is smaller when the grating reflector has 40 electrodes (one dashed line) at about 875 MHz to 900 MHz near the pass band as compared with the 4 electrodes of the grating reflector (solid line).

따라서, 그레이팅 반사기의 전극을 늘림으로써 어쿠스틱 상호작용을 줄여 표면탄성파 필터의 입력 손실을 줄일 수 있다.Thus, by increasing the electrodes of the grating reflector, the acoustic interaction can be reduced, thereby reducing the input loss of the surface acoustic wave filter.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터(700)의 구조를 나타낸 도면이다.7 is a view showing the structure of a compact surface acoustic wave filter 700 according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터(700)는 4 개의 IDT들(701, 702, 703, 704), 동일한 2 개의 단일 채널 그레이팅 반사기들(705, 707) 및 중간 그레이팅 반사기(706)가 압전기판에 배치된다. 여기서, IDT들(701, 702, 703, 704), 단일 채널 그레이팅 반사기들(705, 707) 및 중간 그레이팅 반사기(706)은 하나의 탄성 채널(710)에 배치된다.Referring to FIG. 7, the compact surface acoustic wave filter 700 according to an embodiment of the present invention may include four IDTs 701, 702, 703, and 704, two identical single channel grating reflectors 705, and 707. An intermediate grating reflector 706 is disposed on the piezoelectric plate. Here, IDTs 701, 702, 703, 704, single channel grating reflectors 705, 707 and intermediate grating reflector 706 are disposed in one elastic channel 710.

이때, IDT들(701, 702, 703, 704)은 서로 동일한 2 개의 서브 IDT 세트들로 구성될 수 있다. 즉, 첫 번째 서브 IDT 세트에 포함된 IDT는 2개의 IDT들(701, 702)이고, 두 번째 서브 IDT 세트에 포함된 IDT는 2개의 IDT들(703, 704)일 수 있다. 그리고, 이 경우 IDT(701)와 IDT(703)는 서로 동일하며, IDT(702)와 IDT(704)는 서로 동일하다. 그리고, 서브 IDT 세트는 2 개 이상의 IDT들로 구성될 수 있다. 예컨대, 각 서브 IDT 세트에는 2, 3, 5개 혹은 그 이상의 IDT들이 포함될 수 있다.In this case, the IDTs 701, 702, 703, and 704 may be configured of two sub IDT sets that are identical to each other. That is, the IDTs included in the first sub IDT set may be two IDTs 701 and 702, and the IDTs included in the second sub IDT set may be two IDTs 703 and 704. In this case, the IDT 701 and the IDT 703 are the same, and the IDT 702 and the IDT 704 are the same. And, the sub IDT set may be composed of two or more IDTs. For example, each sub IDT set may include 2, 3, 5 or more IDTs.

이때, 중간 그레이팅 반사기(706)는 서브 IDT 세트들의 사이에 일렬로 연결되어 배치될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터(700)는 “단일 채널 그레이팅 반사기(705) - 서브 IDT 세트 - 중간 그레이팅 반사기(706) - 서브 IDT 세트 - 단일 채널 그레이팅 반사기(707)”의 구조 또는 “단일 채널 그레이팅 반사기(705) - IDT들(701, 702) - 중간 그레이팅 반사기(706) - IDT들(703, 704) - 단일 채널 그레이팅 반사기(707)”로 일렬 연결되어 구성될 수 있다.In this case, the intermediate grating reflectors 706 may be arranged in series between the sub IDT sets. That is, the compact surface acoustic wave filter 700 according to an embodiment of the present invention is a “single channel grating reflector 705-sub IDT set-intermediate grating reflector 706-sub IDT set-single channel grating reflector 707”. Structure or “single channel grating reflector 705-IDTs 701, 702-intermediate grating reflector 706-IDTs 703, 704-single channel grating reflector 707” in series. have.

여기서, 도 7의 컴팩트 표면탄성파 필터(700)는 단순히 4 개의 IDT들을 포함하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 더 많은 숫자의 IDT들을 포함할 수 있다. 또한, 도 7의 컴팩트 표면탄성파 필터(700)는 중간 그레이팅 반사기(706)을 포함하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 중간 그레이팅 반사기(706) 대신 IDT를 포함할 수 있다.Here, although the compact surface acoustic wave filter 700 of FIG. 7 simply includes four IDTs, the present invention is not limited thereto and may include a larger number of IDTs. In addition, although the compact surface acoustic wave filter 700 of FIG. 7 includes an intermediate grating reflector 706, the present invention is not limited thereto and may include an IDT instead of the intermediate grating reflector 706.

그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터(700)는 도 2와 비교하면, IDT들 사이에 위치한 단일 채널 그레이팅 반사기들(도 2의 206, 207 참조)이 연결되어 하나의 중간 그레이팅 반사기(706)를 이루는 것으로 볼 수 있다. 이 경우, 컴팩트 표면탄성파 필터(700)는 도 2의 표면탄성파 필터(200)와 비교하여 두 단일 채널 그레이팅 반사기들(도 2의 206, 207) 사이의 갭만큼 그 크기가 작아진다.In addition, in the compact surface acoustic wave filter 700 according to the exemplary embodiment of the present invention, single channel grating reflectors (see 206 and 207 of FIG. 2) located between IDTs are connected to one intermediate grating. It can be seen as forming a reflector 706. In this case, the compact surface acoustic wave filter 700 is smaller in size by the gap between two single channel grating reflectors (206 and 207 of FIG. 2) compared to the surface acoustic wave filter 200 of FIG. 2.

이때, 단일 채널 그레이팅 반사기들(705, 707)은 2개 이상의 전극들을 포함할 수 있다.In this case, the single channel grating reflectors 705 and 707 may include two or more electrodes.

이때, 중간 그레이팅 반사기(706)는 2개 이상의 전극들을 포함할 수 있다. 특히, 중간 그레이팅 반사기(706)는 그레이팅 반사 계수(κ)의 역수보다 큰 수만큼의 전극들을 포함할 수 있다. 이 경우, 본 발명의 일 실시예에 따른 2 개의 결합 공진 필터들을 전기적으로 병렬 연결한 컴팩트 표면탄성파 필터(700)의 임피던스 행렬(Y)는 각 결합 공진 필터의 임피던스 행렬(y)의 2배와 같다. 즉, “단일 채널 그레이팅 반사기 - 서브 IDT 세트 - 중간 그레이팅 반사기 - 서브 IDT 세트 - 단일 채널 그레이팅 반사기”로 구성된 필터의 임피던스 행렬(Y)는 “단일 채널 그레이팅 반사기 - 서브 IDT 세트 - 중간 그레이팅 반사기”로 구성된 필터의 임피던스 행렬(y)와 하기 수학식 1의 관계를 만족한다.In this case, the intermediate grating reflector 706 may include two or more electrodes. In particular, the intermediate grating reflector 706 may include as many electrodes as the inverse of the grating reflection coefficient κ. In this case, the impedance matrix Y of the compact surface acoustic wave filter 700 which is electrically connected in parallel with the two coupling resonance filters according to the embodiment of the present invention is equal to twice the impedance matrix y of each coupling resonance filter. same. That is, the impedance matrix (Y) of a filter consisting of "single channel grating reflector-sub IDT set-middle grating reflector-sub IDT set-single channel grating reflector" is referred to as "single channel grating reflector-sub IDT set-middle grating reflector". The relationship between the impedance matrix y of the configured filter and Equation 1 below is satisfied.

[수학식 1][Equation 1]

이때, IDT들(701, 702, 703, 704)의 전극들은 서로 길이가 같고, 단일 채널 그레이팅 반사기들(705, 707)의 전극들과 중간 그레이팅 반사기(706)의 전극들은 서로 길이가 같으며 IDT들(701, 702, 703, 704)의 전극들보다 그 길이가 길 수 있다.In this case, the electrodes of the IDTs 701, 702, 703, and 704 are the same in length, the electrodes of the single channel grating reflectors 705 and 707 and the electrodes of the intermediate grating reflector 706 are equal in length to each other. The length may be longer than the electrodes of fields 701, 702, 703, 704.

이때, IDT들(701, 702, 703, 704)의 전극들과 단일 채널 그레이팅 반사기들(705, 707)의 전극들과 중간 그레이팅 반사기(706)의 전극들은 서로 동일한 두께를 가지며, 서로 평행하게 배치될 수 있다.At this time, the electrodes of the IDTs 701, 702, 703, 704, the electrodes of the single channel grating reflectors 705, 707 and the electrodes of the intermediate grating reflector 706 have the same thickness and are arranged in parallel with each other. Can be.

이때, IDT들(701, 702, 703, 704)의 전극들과 단일 채널 그레이팅 반사기들(705, 707)의 전극들과 중간 그레이팅 반사기(706)의 전극들은 서로 동일한 간격으로 배치될 수 있다.In this case, the electrodes of the IDTs 701, 702, 703, and 704, the electrodes of the single channel grating reflectors 705 and 707, and the electrodes of the intermediate grating reflector 706 may be disposed at the same distance from each other.

이때, IDT들(701, 702, 703, 704)의 버스바들은 IDT 전극들과 수직하며, 그 두께가 IDT 전극들보다 두꺼울 수 있다.At this time, the bus bars of the IDTs 701, 702, 703, and 704 are perpendicular to the IDT electrodes, and may have a thickness greater than that of the IDT electrodes.

이때, 탄성 채널(710)을 기준으로 동일한 측면에 위치한 버스바들 중에서 두 개의 내측 버스바들이 입력 단자(708)와 연결되고, 반대 측면에 위치한 버스바들 중에서 두 개의 외측 버스바들이 출력 단자(709)와 연결될 수 있다. 그리고, 나머지 버스바들은 접지될 수 있다. 여기서, 내측 버스바들은 IDT들 사이에 위치하는 중간 그레이팅 반사기(706)에 인접한 버스바들이며, 외측 버스바들은 IDT들 외측에 위치하는 단일 채널 그레이팅 반사기들(705, 707)에 인접한 버스바를 의미할 수 있다. 또는, 탄성 채널(710)을 기준으로 동일한 측면에 위치한 버스바들 중에서 중심축으로부터 대칭되어 위치하는 두 개의 버스바들이 입력 단자(708)와 연결되고, 반대 측면에 위치하는 버스바들 중에서 중심축으로부터 대칭되어 위치하는 두 개의 버스바들이 출력 단자(709)와 연결될 수 있다. 여기서, 중심축은 탄성 채널(710)과 수직이며 제1 단일 채널 그레이팅 반사기(705) 및 제2 단일 채널 그레이팅 반사기(707)로부터 동일한 거리를 갖는 축을 의미할 수 있다.At this time, two inner busbars of the busbars located on the same side with respect to the elastic channel 710 are connected to the input terminal 708, and two outer busbars of the busbars located on the opposite side thereof are output terminals 709. It can be connected with. The remaining busbars can then be grounded. Here, the inner busbars are busbars adjacent to the intermediate grating reflector 706 located between the IDTs, and the outer busbars will mean busbars adjacent to the single channel grating reflectors 705 and 707 located outside the IDTs. Can be. Alternatively, two busbars symmetrically located from the center axis among the busbars located on the same side with respect to the elastic channel 710 are connected to the input terminal 708 and symmetrical from the center axis among the busbars located on the opposite side thereof. Two busbars may be connected to the output terminal 709. Here, the central axis may mean an axis perpendicular to the elastic channel 710 and having the same distance from the first single channel grating reflector 705 and the second single channel grating reflector 707.

이때, 탄성 채널(710)의 소망 공진 주파수 대역은 452MHz를 포함할 수 있다.At this time, the desired resonant frequency band of the elastic channel 710 may include 452MHz.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터(800)의 구조를 나타낸 도면이다.8 is a view showing the structure of a compact surface acoustic wave filter 800 according to an embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터(800)는 4 개의 IDT들(801, 802, 803, 804), 동일한 2 개의 단일 채널 그레이팅 반사기들(805, 807) 및 중간 그레이팅 반사기(806)가 압전기판에 배치된다. 여기서, IDT들(801, 802, 803, 804), 단일 채널 그레이팅 반사기들(805, 807) 및 중간 그레이팅 반사기(806)은 하나의 탄성 채널(810)에 배치된다. 그리고, 이는 “단일 채널 그레이팅 반사기(805) - IDT들(801, 802) - 중간 그레이팅 반사기(806) - IDT들(803, 804) - 단일 채널 그레이팅 반사기(807)”의 구조로 일렬 연결되어 구성될 수 있다. Referring to FIG. 8, the compact surface acoustic wave filter 800 according to an embodiment of the present invention includes four IDTs 801, 802, 803, and 804, two identical single channel grating reflectors 805, 807, and An intermediate grating reflector 806 is disposed on the piezoelectric plate. Here, IDTs 801, 802, 803, 804, single channel grating reflectors 805, 807 and intermediate grating reflector 806 are disposed in one elastic channel 810. And, it is configured in line with the structure of "single channel grating reflector 805-IDTs 801, 802-intermediate grating reflector 806-IDTs 803, 804-single channel grating reflector 807." Can be.

이때, IDT들(801, 802, 803, 804)의 전극들과 단일 채널 그레이팅 반사기들(805, 807)의 전극들과 중간 그레이팅 반사기(806)의 전극들은 서로 동일한 간격으로 배치될 수 있다.In this case, the electrodes of the IDTs 801, 802, 803, and 804, the electrodes of the single channel grating reflectors 805 and 807 and the electrodes of the intermediate grating reflector 806 may be disposed at the same interval from each other.

도 8에 도시된 컴팩트 표면탄성파 필터(800)는 도 7에 도시된 컴팩트 표면탄성파 필터(700)와 비교하였을 때, 중간 그레이팅 반사기(806)의 전극 수가 상이하고 그 이외의 구성은 동일하다. 즉, 도 7의 입력 단자(708)는 도 8의 입력 단자(808)와 대응되고, 도 7의 출력 단자(709)는 도 8의 출력 단자(809)에 대응된다. 여기서, 도 8에 도시된 컴팩트 표면탄성파 필터(800)는 중간 그레이팅 반사기(806)의 전극 수가 6개로 늘어남으로써, 도 7에 도시된 컴팩트 표면탄성파 필터(700)에 비해 입력 손실이 작다.The compact surface acoustic wave filter 800 shown in FIG. 8 is different from the number of electrodes of the intermediate grating reflector 806 when compared with the compact surface acoustic wave filter 700 shown in FIG. 7. That is, the input terminal 708 of FIG. 7 corresponds to the input terminal 808 of FIG. 8, and the output terminal 709 of FIG. 7 corresponds to the output terminal 809 of FIG. 8. Here, the compact surface acoustic wave filter 800 shown in FIG. 8 increases the number of electrodes of the intermediate grating reflector 806 to 6, thereby reducing input loss compared to the compact surface acoustic wave filter 700 shown in FIG.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터(900)의 구조를 나타낸 도면이다.9 is a view showing the structure of a compact surface acoustic wave filter 900 according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터(900)는 5 개의 IDT들(901, 902, 903, 904, 905) 및 동일한 2 개의 단일 채널 그레이팅 반사기들(906, 907)이 압전기판에 배치된다. 여기서, IDT들(901, 902, 903, 904, 905) 및 단일 채널 그레이팅 반사기들(906, 907)은 하나의 탄성 채널(910)에 배치된다. 그리고, 이는 “단일 채널 그레이팅 반사기(906) - IDT들(901, 902, 903, 904, 905) - 단일 채널 그레이팅 반사기(907)”의 구조로 일렬 연결되어 구성될 수 있다. 9, a compact surface acoustic wave filter 900 according to an embodiment of the present invention includes five IDTs 901, 902, 903, 904, 905 and two identical single channel grating reflectors 906, 907. ) Is placed on the piezoelectric plate. Here, IDTs 901, 902, 903, 904, 905 and single channel grating reflectors 906, 907 are disposed in one elastic channel 910. And, it may be configured to be connected in series in the structure of "single channel grating reflector 906-IDTs 901, 902, 903, 904, 905-single channel grating reflector 907".

도 9에 도시된 컴팩트 표면탄성파 필터(900)는 도 7에 도시된 컴팩트 표면탄성파 필터(700)와 비교하였을 때, 중간 그레이팅 반사기(706) 대신에 IDT(903)이 포함되고 그 이외의 구성은 동일하다. 즉, 도 7의 입력 단자(708)은 도 9의 입력 단자(908)와 대응되고, 도 7의 출력 단자(709)는 도 9의 출력 단자(909)에 대응된다.The compact surface acoustic wave filter 900 shown in FIG. 9 includes an IDT 903 instead of the intermediate grating reflector 706 when compared to the compact surface acoustic wave filter 700 shown in FIG. same. That is, the input terminal 708 of FIG. 7 corresponds to the input terminal 908 of FIG. 9, and the output terminal 709 of FIG. 7 corresponds to the output terminal 909 of FIG. 9.

이 경우에도 마찬가지로, IDT들(901, 902, 903, 904, 905)의 전극들과 단일 채널 그레이팅 반사기들(906, 907)의 전극들은 서로 평행하고 일정한 간격으로 배치되어 있다.In this case as well, the electrodes of the IDTs 901, 902, 903, 904, 905 and the electrodes of the single channel grating reflectors 906, 907 are parallel to one another and are arranged at regular intervals.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터의 입력 손실을 측정한 결과와 시뮬레이션한 결과를 나타낸 그래프이다.10 is a graph showing the results of measuring the input loss and the simulation results of the compact surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention.

상세히, 도 10은 탄성 채널의 소망 주파수가 452MHz인 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터에 대한 입력 손실 그래프이다. 실측을 위해 3x3mm 표면 실장 소자(SMD; Surface-Mount Device) 패키지의 컴팩트 표면탄성파 필터를 사용하였다. 그리고, 이 컴팩트 표면탄성파 필터는 5개의 IDT들로 구성된 결합 공진 필터 2개를 전기적으로 병렬 연결한 것이다.In detail, FIG. 10 is a graph of an input loss for a compact surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention in which a desired frequency of an elastic channel is 452 MHz. For the measurement, a compact surface acoustic wave filter in a 3x3 mm Surface-Mount Device (SMD) package was used. The compact surface acoustic wave filter is an electrically parallel connection of two coupled resonance filters consisting of five IDTs.

도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터에 대한 입력 손실의 시뮬레이션 결과(실선)와 입력 손실의 측정 결과(점선)은 전체적으로 맞아 떨어짐을 알 수 있다. 특히, 통과 대역에서의 입력 손실은 시뮬레이션 결과(실선)과 측정 결과(점선)이 차이가 거의 없다. 따라서, 본 발명에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터는 시뮬레이션 결과와 실측 결과의 비교를 통하여 그 효과가 충분히 확인되었음을 알 수 있다.Referring to FIG. 10, it can be seen that a simulation result of input loss (solid line) and a measurement result of input loss (dashed line) of the compact surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention are entirely in agreement. In particular, the input loss in the pass band shows little difference between the simulation result (solid line) and the measurement result (dotted line). Therefore, the compact surface acoustic wave filter according to the present invention can be seen that the effect is sufficiently confirmed by comparing the simulation results and the measurement results.

따라서, 위에서 서술한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터는 두 개 이상의 결합 공진 필터를 결합하면서 그 크기를 줄임으로써 입력 손실을 줄일 수 있다.Therefore, as described above, the compact surface acoustic wave filter according to the embodiment of the present invention can reduce the input loss by combining two or more coupling resonance filters and reducing the size thereof.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 컴팩트 표면탄성파 필터(1100)의 구조를 나타낸 도면이다.11 is a view showing the structure of a compact surface acoustic wave filter 1100 according to an embodiment of the present invention.

도 11에서 빨간 점들(1101, 1102)는 각각 입력 단자 및 출력 단자와 연결됨을 의미하며, 그 순서는 서로 바뀔 수 있다. 그리고, 파란 점들(1103)은 접지됨을 의미한다.In FIG. 11, the red dots 1101 and 1102 are connected to the input terminal and the output terminal, respectively, and the order thereof may be changed. The blue dots 1103 mean that they are grounded.

본 발명에서 설명하는 특정 실행들은 실시예들로서, 어떠한 방법으로도 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다. 명세서의 간결함을 위하여, 종래 전자적인 구성들, 제어시스템들, 소프트웨어, 상기 시스템들의 다른 기능적인 측면들의 기재는 생략될 수 있다. 또한, 도면에 도시된 구성 요소들 간의 선들의 연결 또는 연결 부재들은 기능적인 연결 및/또는 물리적 또는 회로적 연결들을 예시적으로 나타낸 것으로서, 실제 장치에서는 대체 가능하거나 추가의 다양한 기능적인 연결, 물리적인 연결, 또는 회로 연결들로서 나타내어질 수 있다. 또한, “필수적인”, “중요하게” 등과 같이 구체적인 언급이 없다면 본 발명의 적용을 위하여 반드시 필요한 구성 요소가 아닐 수 있다.Particular implementations described in the present invention are examples, which in no way limit the scope of the present invention. For brevity of description, descriptions of conventional electronic configurations, control systems, software, and other functional aspects of the systems may be omitted. In addition, the connection or connection members of the lines between the components shown in the drawings are illustrative of the functional connection and / or physical or circuit connections as an example, in the actual device replaceable or additional various functional connections, physical It may be represented as a connection, or circuit connections. In addition, unless specifically mentioned, such as "essential", "important" may not be a necessary component for the application of the present invention.

따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 또는 이로부터 등가적으로 변경된 모든 범위는 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, and the scope of the spirit of the present invention is defined not only in the claims below, but also in the ranges equivalent to or equivalent to those of the claims. Will belong to.

100: 결합 공진 필터
101, 102: IDT 103, 104: 그레이팅 반사기
200: 표면탄성파 필터
201, 202, 203, 204: IDT 205, 206, 207, 208: 그레이팅 반사기
211: 탄성 채널
700: 컴팩트 표면탄성파 필터
701, 702, 703, 704: IDT 705, 707: 단일 채널 그레이팅 반사기
706: 중간 그레이팅 반사기 710: 탄성 채널
800: 컴팩트 표면탄성파 필터
801, 802, 803, 804: IDT 805, 807: 단일 채널 그레이팅 반사기
806: 중간 그레이팅 반사기 810: 탄성 채널
900: 컴팩트 표면탄성파 필터
901, 902, 903, 904, 905: IDT 906, 907: 단일 채널 그레이팅 반사기
910: 탄성 채널
1100: 컴팩트 표면탄성파 필터
100: coupled resonance filter
101, 102: IDT 103, 104: grating reflector
200: surface acoustic wave filter
201, 202, 203, 204: IDT 205, 206, 207, 208: grating reflector
211: elastic channel
700: compact surface acoustic wave filter
701, 702, 703, 704: IDT 705, 707: single channel grating reflectors
706: intermediate grating reflector 710: elastic channel
800: compact surface acoustic wave filter
801, 802, 803, 804: IDT 805, 807: single channel grating reflector
806: intermediate grating reflector 810: elastic channel
900: compact surface acoustic wave filter
901, 902, 903, 904, 905: IDT 906, 907: single channel grating reflector
910: elastic channel
1100: compact surface acoustic wave filter

Claims (10)

압전기판상에 배치된 적어도 두 개 이상의 IDT(Interdigital Transducer)들, 그리고 제1 단일 채널 그레이팅 반사기, 제2 단일 채널 그레이팅 반사기 및 중간 그레이팅 반사기를 포함하고,
상기 IDT들 및 상기 단일 채널 그레이팅 반사기들은 상기 압전기판상에 어느 하나의 방향을 향해 배치되고,
상기 IDT들은 상기 제1 단일 채널 그레이팅 반사기와 상기 제2 단일 채널 그레이팅 반사기의 사이에서 일렬로 배치되고,
상기 IDT들의 전극들과 상기 단일 채널 그레이팅 반사기들의 전극들은 두께가 동일하고 서로 일정한 간격으로 평행하게 배치되고,
상기 중간 그레이팅 반사기는 그레이팅 반사 계수의 역수보다 큰 수만큼의 전극들을 포함하는 것인, 컴팩트 표면탄성파 필터.
At least two or more interdigital transducers (IDTs) disposed on the piezoelectric plate, and a first single channel grating reflector, a second single channel grating reflector, and an intermediate grating reflector,
The IDTs and the single channel grating reflectors are disposed on the piezoelectric plate in either direction,
The IDTs are arranged in line between the first single channel grating reflector and the second single channel grating reflector,
The electrodes of the IDTs and the electrodes of the single channel grating reflectors are equal in thickness and are arranged parallel to each other at regular intervals,
And the intermediate grating reflector comprises as many electrodes as an inverse of the grating reflection coefficient.
청구항 1에 있어서,
상기 IDT들은 각각 2개의 버스바들을 포함하고,
상기 버스바들은 상기 IDT들의 전극들과 수직인 것인, 컴팩트 표면탄성파 필터.
The method according to claim 1,
The IDTs each comprising two busbars,
And said busbars are perpendicular to the electrodes of said IDTs.
청구항 2에 있어서,
상기 단일 채널 그레이팅 반사기들은 2개 이상의 전극들을 포함하고,
상기 IDT들의 전극들은 서로 길이가 동일하고,
상기 단일 채널 그레이팅 반사기들의 전극들은 서로 길이가 동일하며 상기 IDT들의 전극들보다 길이가 긴 것인, 컴팩트 표면탄성파 필터.
The method according to claim 2,
The single channel grating reflectors comprise two or more electrodes,
The electrodes of the IDTs are equal in length to each other,
And the electrodes of the single channel grating reflectors are equal in length to each other and longer in length than the electrodes of the IDTs.
청구항 3에 있어서,
상기 중간 그레이팅 반사기의 전극들은 상기 단일 채널 그레이팅 반사기들의 전극들과 두께가 동일하고 서로 평행하게 배치되는 것인, 컴팩트 표면탄성파 필터.
The method according to claim 3,
And the electrodes of the intermediate grating reflector are the same thickness as the electrodes of the single channel grating reflectors and are arranged parallel to each other.
청구항 4에 있어서,
상기 IDT들은 동일한 제1 서브 IDT 세트와 제2 서브 IDT 세트로 구성되고,
상기 서브 IDT 세트들은 각각 2개 이상의 IDT들을 포함하고,
상기 중간 그레이팅 반사기는 상기 제1 서브 IDT 세트와 제2 서브 IDT 세트 사이에 배치되는 것인, 컴팩트 표면탄성파 필터.
The method according to claim 4,
The IDTs are composed of the same first sub IDT set and the second sub IDT set,
The sub IDT sets each include two or more IDTs,
And said intermediate grating reflector is disposed between said first sub IDT set and said second sub IDT set.
청구항 5에 있어서,
상기 IDT들의 전극들과 상기 단일 채널 그레이팅 반사기들의 전극들과 상기 중간 그레이팅 반사기의 전극들은 서로 일정한 간격으로 배치되는 것인, 컴팩트 표면탄성파 필터.
The method according to claim 5,
And the electrodes of the IDTs, the electrodes of the single channel grating reflectors and the electrodes of the intermediate grating reflector are arranged at regular intervals from each other.
삭제delete 청구항 6에 있어서,
상기 버스바들은 상기 IDT들의 전극들, 상기 중간 그레이팅 반사기의 전극들 및 상기 단일 채널 그레이팅 반사기들의 전극들보다 금속 박막의 두께가 두꺼운 것인, 컴팩트 표면탄성파 필터.
The method according to claim 6,
And the busbars are thicker in the thickness of the metal film than the electrodes of the IDTs, the electrodes of the intermediate grating reflector and the electrodes of the single channel grating reflectors.
청구항 8에 있어서,
상기 압전기판상의 탄성 채널을 기준으로 동일한 측면에 위치한 버스바들 중에서 중심축으로부터 대칭되어 위치하는 두 개의 버스바들이 입력 단자와 연결되고,
상기 중심축은 상기 탄성 채널과 수직이며 상기 제1 단일 채널 그레이팅 반사기 및 상기 제2 단일 채널 그레이팅 반사기로부터 동일한 거리를 갖는 것인, 컴팩트 표면탄성파 필터.
The method according to claim 8,
Two busbars symmetrically located from the central axis among the busbars located on the same side with respect to the elastic channel on the piezoelectric plate are connected to the input terminal
Wherein said central axis is perpendicular to said elastic channel and has the same distance from said first single channel grating reflector and said second single channel grating reflector.
청구항 9에 있어서,
상기 탄성 채널의 공진 주파수 대역은 452MHz를 포함하는 것인, 컴팩트 표면탄성파 필터.
The method according to claim 9,
The resonant frequency band of the elastic channel comprises a 452MHz, compact surface acoustic wave filter.
KR1020170140983A 2017-10-27 2017-10-27 Compact surface acoustic wave filter KR102031717B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170140983A KR102031717B1 (en) 2017-10-27 2017-10-27 Compact surface acoustic wave filter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170140983A KR102031717B1 (en) 2017-10-27 2017-10-27 Compact surface acoustic wave filter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190047282A KR20190047282A (en) 2019-05-08
KR102031717B1 true KR102031717B1 (en) 2019-10-14

Family

ID=66580146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170140983A KR102031717B1 (en) 2017-10-27 2017-10-27 Compact surface acoustic wave filter

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102031717B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006186433A (en) * 2004-12-24 2006-07-13 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Surface acoustic wave filter

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050091552A (en) 2004-03-12 2005-09-15 삼성전기주식회사 Balanced surface acoustic wave filter

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006186433A (en) * 2004-12-24 2006-07-13 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Surface acoustic wave filter

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190047282A (en) 2019-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3191473B2 (en) Surface acoustic wave filter
US7646266B2 (en) Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave filter using the same
US9847770B2 (en) Elastic wave resonator, elastic wave filter apparatus, and duplexer
US7211925B2 (en) Surface acoustic wave device and branching filter
CN108631746B (en) Surface acoustic wave filter
JPH01260911A (en) Composite filter for surface acoustic wave resonator
CN109787579B (en) SAW resonator with reduce spurious function
WO2018145383A1 (en) Surface acoustic wave filter
JP6801797B2 (en) SAW filter
US9013251B2 (en) Acoustic wave device
WO2018142794A1 (en) Acoustic wave device, duplexer, and filter device
JP5784217B2 (en) Elastic wave device
TW466826B (en) Surface acoustic wave device
CN101924532B (en) Surface acoustic wave device
US9680447B2 (en) Saw filter having ground terminals separated
KR102031717B1 (en) Compact surface acoustic wave filter
KR970706652A (en) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
US9197193B2 (en) Signal separation apparatus
KR100491018B1 (en) Surface acoustic wave filter device
JP2006042398A (en) Multi-mode surface acoustic wave filter and demultiplexer
CN106877838B (en) Surface acoustic wave filter
JP3117021B2 (en) Surface acoustic wave filter
JP3327433B2 (en) Surface acoustic wave filter
JP2000151355A (en) Ladder-type saw filter
JPH10261936A (en) Surface acoustic wave filter

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant