KR102025838B1 - Pressure control valve apparatus equipped with power switch in gas chamber for semiconductor manufacturing process - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치에 관한 것으로서, 그 전원스위치가 장착된 압력 제어 밸브 장치는 전면판넬, 제어장치 및 플래퍼 또는 버퍼플라이 밸브로 이루어지는, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어 밸브 장치에 있어서, 압력제어 밸브 장치의 전원 공급을 위한 메인 전원과 가스 챔버의 압력을 감지하는 압력계의 전원 공급을 위한 두 개의 압력계전원을 받아들여, 두 개의 메인전원과 제1압력계전원 및 제2압력계전원을 출력하는 전원 입력 커넥터; 전면판넬에 설치되며, 전원 입력 커넥터에서 출력되는 두 개의 메인 전원 중 제1메인 전원을 온/오프 하는 메인 스위치; 메인 스위치의 온/오프 상태에 따라 전원 입력 커넥터에서 출력되는 제2 메인 전원을 온/오프하고, 온/오프 되어 출력되는 제2 메인 전원이 압력제어 밸브 장치의 전원으로 공급되게 하는 메인전원 릴레이; 메인 스위치의 온/오프 상태에 따라 전원 입력 커넥터에서 출력되는 제1압력계전원이 온/오프되고, 온/오프 되어 출력되는 제1압력계전원이 압력계의 제1전원으로 공급되게 하는 제1 압력계전원 릴레이; 및 메인 스위치의 온/오프 상태에 따라 전원 커넥터에서 출력되는 제2압력계전원이 온/오프되고, 온/오프 되어 출력되는 제2압력계전원이 압력계의 제2전원으로 공급되게 하는 제2 압력계전원 릴레이를 포함한다.The present invention relates to a pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process equipped with a power switch, wherein the pressure control valve device equipped with the power switch comprises a front panel, a control device, and a flapper or buffer fly valve. In the pressure control valve device of a gas chamber for a manufacturing process, the main power supply for power supply of the pressure control valve device and the two pressure gauge power supply for power supply of the pressure gauge for sensing the pressure of the gas chamber, the two main power supply A power input connector configured to output a first pressure gauge power supply and a second pressure gauge power supply; A main switch installed on the front panel and configured to turn on / off a first main power of two main powers output from a power input connector; A main power relay for turning on / off the second main power output from the power input connector according to the on / off state of the main switch, and for supplying the second main power output on / off to the power of the pressure control valve device; The first pressure gauge power relay for turning on / off the first pressure gauge power output from the power input connector according to the on / off state of the main switch, and for supplying the first pressure gauge power output on and off to the first power source of the pressure gauge. ; And a second pressure gauge power relay configured to turn on / off the second pressure gauge power output from the power connector according to the on / off state of the main switch, and supply the second pressure gauge power output on and off to be supplied to the second power source of the pressure gauge. It includes.
Description
본 발명은 압력 제어 밸브에 관한 것으로서, 특히 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치 중에 전원스위치가 설치됨으로써 압력 제어 밸브 장치의 안전과 운용을 개선하는, 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
반도체 제조 공정용 가스 챔버 장비의 설치는 장비 교체 수준의 설치가 될 수도 있다. 장비를 설치할 때는 시스템의 각부의 개별 정상 동작 여부를 우선 점검하며 문제가 없을 경우는 장치들을 연결해 가면서 동작을 시켜준다. 일반적인 장비 적용 설치 방법은 장비를 설치한 후 전원을 연결하여 장비를 동작시킨다. Installation of gas chamber equipment for semiconductor manufacturing processes may be at the equipment replacement level. When installing the equipment, check the individual operation of each part of the system first. If there is no problem, connect the devices and operate them. The general installation method of equipment is to install the equipment and connect the power to operate the equipment.
종래의 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치는 전원연결부, 즉 전원을 연결한 커넥터를 삽입 혹은 해체를 통하여 연결을 해주게 된다. 이 경우 전원 연결 부분 커넥터의 결선이 잘못될 경우에는 압력 제어 밸브 장치에 직접 전원이 인가되어 1차 및 2차 사고가 동시 다발적으로 발생할 수 있다.The pressure control valve device of the gas chamber for a conventional semiconductor manufacturing process is connected to the power connection, that is, by inserting or dismantling a connector connecting the power. In this case, if the wiring of the power connection part connector is incorrect, power may be directly applied to the pressure control valve device, and the first and second accidents may occur simultaneously.
1차 사고 및 2차 사고가 동시에 발생하므로 시스템이 안전 및 보호 규격을 맞춘 경우에는 시스템 전원 및 브레이커들이 동작하여 자동적으로 절체 된다. 그러나 1차 적인 결선 문제에 의하여 발생을 하였는지 2차적으로 압력 제어 밸브 장치의 문제에 인한 것인지는 알 수 없다. Since the first and second accidents occur at the same time, when the system meets the safety and protection standards, the system power supply and breakers operate and automatically switch over. However, it is not known whether it is caused by a primary wiring problem or a secondary pressure control valve device.
또한 반도체 제조 공정용 가스 챔버 장비를 설치할 때는 모든 커넥터의 체결 또한 실행을 하므로 장비 설치 시부터 전원 커넥터는 완벽한 체결이 되어서 비상시에는 커넥터를 압력 제어 밸브 장치로부터 해체할 수 없으며 이 경우 시스템의 주 전원 전체를 절체할 수 밖에 없다.In addition, when installing gas chamber equipment for semiconductor manufacturing process, all connectors are also fastened, so the power connector is fully tightened from the installation of the equipment, so in case of emergency, the connector can not be removed from the pressure control valve device. There is no choice but to switch.
또한 장비 운영 시에도 위와 같은 사항이 발생하게 되며 장비의 이상 동작 시 문제가 발생할 경우에는 시스템 전원을 절체 시켜야 하는 동일한 경우가 발생 하게 된다. In addition, the above occurs when operating the equipment, and if the problem occurs during the operation of the equipment, the same case that requires switching the system power occurs.
이상에서 종래의 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치들은 전원 스위치를 장착하지 않고 있으므로 설치 및 설치 테스트 운영상에 많은 불편이 있고 사고가 발생될 때는 큰 문제가 발생할 소지가 있다. Since the pressure control valve devices of the gas chamber for the semiconductor manufacturing process of the prior art are not equipped with a power switch, there are many inconveniences in installation and installation test operation, and there is a possibility that a big problem occurs when an accident occurs.
일반적으로 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브들의 전원스위치, 전원 연결 구성 및 방법은 다음과 같이 이루어진다. 도 1은 종래의 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치의 전원 연결을 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 종래의 압력 제어 밸브 장치에 전원 스위치 자체가 장착되어 있지 않다. 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치의 전원 커넥터에 전원케이블을 연결하고 외부에서 전원을 인가하면 압력제어 밸브 장치에는 자동적으로 전원이 인가되어 압력 제어 밸브 장치가 동작을 시작하게 되는 방식이다.In general, the power switch, power connection configuration and method of the pressure control valves of the gas chamber for the semiconductor manufacturing process is performed as follows. 1 is a view showing a power connection of a pressure control valve device of a gas chamber for a conventional semiconductor manufacturing process. Referring to Figure 1, the conventional pressure control valve device is not equipped with the power switch itself. When the power cable is connected to the power connector of the pressure control valve device of the gas chamber for the semiconductor manufacturing process and the power is applied from the outside, the pressure control valve device is automatically applied to start the operation of the pressure control valve device.
반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치의 종속 장치들의 연결 또한 이에 부가 하여 종래의 압력 제어 밸브 장치에 부착 될 수 있는 2차 종속 장치들의 전원 연결 방식은 다음과 같다. 도 2는 종래의 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치의 종속 장치에 전원을 공급하는 방식을 나타내고 있다. Connection of the slave devices of the pressure control valve device of the gas chamber for the semiconductor manufacturing process In addition to this, the power supply method of the secondary slave devices that can be attached to the conventional pressure control valve device is as follows. 2 illustrates a method of supplying power to a dependent device of a pressure control valve device of a gas chamber for a conventional semiconductor manufacturing process.
도 2에 도시된 종래의 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치의 종속 장치의 전원 공급에서 볼 수 있는 바와 같이, 압력 제어 밸브 장치의 종속 장치인 센서(200)은 전원 공급 장치에 연결된 전원 연결 DB-9 커넥터에 체결됨과 동시에 무조건 센서(200)로 연결되게 되어 있다. 이러한 전원 스위치 미장착 장치들은 위에서 열거한 많은 문제점들을 보여 주고 있다.As can be seen in the power supply of the slave device of the pressure control valve device of the gas chamber for the conventional semiconductor manufacturing process shown in FIG. 2, the
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상술한 전원스위치가 없는 압력제어 밸브 장치의 불편함을 해결하기 위해 창출된 것으로서, 압력 제어 밸브 장치의 안전과 운용을 개선하기 위해, 전원 스위치를 장착한 압력 제어 밸브 장치를 개발하여 반도체 장비 및 일반 장비의 표준 규격인 MIL-STD-454을 압력 제어 밸브 장치에 적용할 수 있는, 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention was created to solve the inconvenience of the pressure control valve device without the power switch described above, in order to improve the safety and operation of the pressure control valve device, a pressure control valve equipped with a power switch It is to provide a pressure control valve device for a gas chamber for semiconductor manufacturing process equipped with a power switch to develop the device and apply MIL-STD-454, which is a standard standard for semiconductor equipment and general equipment, to a pressure control valve device. .
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치는, 전면판넬, 제어장치 및 상기 제어장치에 의해 구동되는 플래퍼 또는 버퍼플라이 밸브로 이루어지는, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어 밸브 장치에 있어서, 상기 압력제어 밸브 장치의 전원 공급을 위한 메인 전원과 상기 가스 챔버의 압력을 감지하는 압력계의 전원 공급을 위한 두 개의 압력계전원을 받아들여, 두 개의 메인전원과 제1압력계전원 및 제2압력계전원을 출력하는 전원 입력 커넥터; 상기 전면판넬에 설치되며, 상기 전원 입력 커넥터에서 출력되는 두 개의 메인 전원 중 제1메인 전원을 온/오프 하는 메인 스위치; 상기 메인 스위치의 온/오프 상태에 따라 상기 전원 입력 커넥터에서 출력되는 제2 메인 전원을 온/오프하고, 상기 온/오프 되어 출력되는 상기 제2 메인 전원이 상기 압력제어 밸브 장치의 전원으로 공급되게 하는 메인전원 릴레이; 상기 메인 스위치의 온/오프 상태에 따라 상기 전원 입력 커넥터에서 출력되는 제1압력계전원이 온/오프되고, 상기 온/오프 되어 출력되는 제1압력계전원이 상기 압력계의 제1전원으로 공급되게 하는 제1 압력계전원 릴레이; 및 상기 메인 스위치의 온/오프 상태에 따라 상기 전원 입력 커넥터에서 출력되는 제2압력계전원이 온/오프되고, 상기 온/오프 되어 출력되는 제2압력계전원이 상기 압력계의 제2전원으로 공급되게 하는 제2 압력계전원 릴레이를 포함한다.The pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process, equipped with a power switch according to the present invention for achieving the above technical problem, consists of a front panel, a control device and a flapper or buffer fly valve driven by the control device, A pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process comprising: a main power supply for power supply of the pressure control valve device and two pressure gauge power supplies for power supply of a pressure gauge for sensing pressure in the gas chamber; A power input connector for outputting two main power sources, a first pressure gauge power source and a second pressure gauge power source; A main switch installed on the front panel and configured to turn on / off a first main power of two main powers output from the power input connector; The second main power output from the power input connector is turned on / off according to the on / off state of the main switch, and the second main power output being turned on / off is supplied to the power of the pressure control valve device. Main power relay; A first pressure gauge power output from the power input connector is turned on / off according to an on / off state of the main switch, and a first pressure gauge power output from the on / off output is supplied to the first power source of the pressure gauge; 1 pressure gauge power relay; And a second pressure gauge power output from the power input connector is turned on / off according to the on / off state of the main switch, and the second pressure gauge power output from the on / off output is supplied to the second power source of the pressure gauge. And a second pressure gauge power supply relay.
본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치는, 상기 제1압력계전원 릴레이 및 제2압력계전원 릴레이로부터 출력되는 제1압력계전원 및 제2압력계전원을 받아들여 상기 압력계의 전원으로 출력하는 압력계 전원 연결 커넥터를 더 포함한다. 상기 메인스위치는 상기 메인스위치가 온(ON) 인지 오프(OFF)인지를 나타내는 전원 지시등; 및 상기 메인스위치를 덮어 보호하는 메인 스위치 커버를 구비하는 것을 특징으로 한다.The pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process equipped with the power switch by this invention receives the 1st pressure gauge power supply and the 2nd pressure gauge power supply which are output from the said 1st pressure gauge power supply relay and the 2nd pressure gauge power supply relay. It further comprises a pressure gauge power supply connector for outputting the power of the pressure gauge. The main switch may include: a power indicator indicating whether the main switch is on or off; And a main switch cover covering and protecting the main switch.
본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치는, 상기 메인 스위치의 단락이나 개폐 시에 발생하는 아크(arc)로 인한 스위치 접점의 고장이나 오손을 방지하는 스위치보호부를 더 포함한다.The pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process equipped with the power switch of this invention is a switch which prevents the malfunction or the damage of a switch contact by the arc which arises at the time of the short circuit of the said main switch, or opening and closing. It further includes a protection unit.
본 발명에 의한 전원스위치가 장착된 압력 제어 밸브 장치는, 상기 메인 스위치의 출력 전원을 받아들여, 상기 제1 압력계전원 릴레이 및 상기 제2 압력계전원 릴레이로 출력하며, 릴레이 코일의 단락이나 개폐 시에 발생하는 역전압을 감소시키거나 지연회로를 통해 바이패스(bypass) 되게 하는 릴레이 보호부를 더 포함한다.The pressure control valve device equipped with the power switch according to the present invention receives the output power of the main switch and outputs it to the first pressure gauge power supply relay and the second pressure gauge power supply relay, and when the relay coil is shorted or opened or closed. A relay protection unit may be further included to reduce a generated reverse voltage or to bypass the delay circuit.
본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치는, 상기 메인전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력제어밸브 장치에 과전류가 유입되는 것을 방지하는 제1전류제한부; 상기 메인전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력제어장치에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮추는 제1과전압 보호부; 및 상기 메인전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking)하여 압력제어 밸브 장치의 손상을 막는 제1역전압보호부 중 적어도 하나를 더 포함한다.The pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process, equipped with the power switch according to the present invention, is located at an input terminal or an output terminal of the main power relay, and has a first to prevent an overcurrent from flowing into the pressure control valve device. Current limiting unit; A first overvoltage protection unit located at an input terminal or an output terminal of the main power relay and blocking a voltage above a reference value when the voltage applied to the pressure control device is higher than a reference value, and lowering the voltage to a reference voltage when a voltage above the reference value occurs; And a first reverse voltage protection unit positioned at an input terminal or an output terminal of the main power relay and blocking the reverse voltage when the reverse voltage is applied to prevent the damage of the pressure control valve device when the reverse voltage is applied. It includes one more.
본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치는, 상기 제1압력계 전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력계에 과전류가 유입되는 것을 막는 압력계 제2전류제한부; 상기 제1압력계 전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력계에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮추는 제2과전압 보호부; 및 상기 제1 압력계전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking) 하여 상기 압력계의 손상을 막는 제2역전압 보호부 중 적어도 하나를 더 포함한다.The pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process, equipped with the power switch according to the present invention, is located at an input terminal or an output terminal of the first pressure gauge power relay, and a pressure gauge second current which prevents overcurrent from flowing into the pressure gauge. Restriction; A second overvoltage protection unit positioned at an input terminal or an output terminal of the first pressure gauge power relay and preventing a voltage above a reference value when the voltage applied to the pressure gauge is higher than a reference value, and lowering the voltage to a reference voltage when a voltage above the reference value occurs; And a second reverse voltage protection unit positioned at an input terminal or an output terminal of the first pressure gauge power supply relay, and blocking the reverse voltage when the reverse voltage is applied to prevent the damage of the pressure gauge. It includes one more.
본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치는, 상기 제2압력계 전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력계에 과전류가 유입되는 것을 막는 압력계 제3전류제한부; 상기 제2압력계 전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력계에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮추는 제3과전압 보호부; 및 상기 제2 압력계전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking) 하여 상기 압력계의 손상을 막는 제3역전압 보호부 중 적어도 하나를 더 포함한다.The pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process, equipped with the power switch according to the present invention, is located at an input terminal or an output terminal of the second pressure gauge power relay, and a pressure gauge third current which prevents overcurrent from flowing into the pressure gauge. Restriction; A third overvoltage protection unit positioned at an input terminal or an output terminal of the second pressure gauge power relay and preventing a voltage above a reference value when the voltage applied to the pressure gauge is higher than a reference value, and lowering the voltage to a reference voltage when a voltage above the reference value occurs; And a third reverse voltage protection unit positioned at an input terminal or an output terminal of the second pressure gauge power supply relay, and blocking the reverse voltage when the reverse voltage is applied to prevent the damage of the pressure gauge. It includes one more.
본 발명에 따른 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치에 의하면, 압력 제어 밸브 장치의 안전과 운용을 개선할 수 있다. 또한 전원 스위치를 장착한 압력 제어 밸브 장치를 개발함으로써 반도체 장비 및 일반 장비의 표준 규격인 MIL-STD-454을 압력 제어 밸브 장치에 적용할 수 있다.According to the pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process equipped with the power switch which concerns on this invention, the safety and operation of a pressure control valve device can be improved. In addition, by developing a pressure control valve device with a power switch, MIL-STD-454, a standard for semiconductor equipment and general equipment, can be applied to pressure control valve devices.
도 1은 종래의 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치의 전원 연결을 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치의 종속 장치에 전원을 공급하는 방식을 나타내고 있다.
도 3은 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어 밸브장치의 일실시예에 대한 사시도를 나타낸 사진이다.
도 4는 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어 밸브장치의 전면 판넬의 평면도를 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로 구성에 대한 일실시예를 블록도로 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어밸브 장치의 전면판넬에 설치될 수 있는 전원스위치의 일예로서 토글 스위치를 나타낸 것이다.
도 7은 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어밸브 장치의 전면판넬에 설치될 수 있는 전원스위치의 다른 예로서 푸시 버튼 스위치를 나타낸 것이다.
도 8은 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어밸브 장치의 전면판넬에 설치될 수 있는 전원스위치 투명커버의 일예를 나타낸 것이다.1 is a view showing a power connection of a pressure control valve device of a gas chamber for a conventional semiconductor manufacturing process.
2 illustrates a method of supplying power to a dependent device of a pressure control valve device of a gas chamber for a conventional semiconductor manufacturing process.
Figure 3 is a photograph showing a perspective view of one embodiment of a pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, equipped with a power switch according to the present invention.
Figure 4 shows a plan view of the front panel of the pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process, equipped with a power switch according to the present invention.
FIG. 5 is a block diagram illustrating an embodiment of a power switch circuit configuration of a pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process equipped with a power switch according to the present invention.
Figure 6 shows a toggle switch as an example of a power switch that can be installed on the front panel of the pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process, equipped with the power switch according to the present invention.
Figure 7 shows a push button switch as another example of a power switch that can be installed on the front panel of the pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process, equipped with the power switch according to the present invention.
Figure 8 shows an example of a power switch transparent cover that can be installed on the front panel of the pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process, equipped with a power switch according to the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원 시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Configurations shown in the embodiments and drawings described herein are only one preferred embodiment of the present invention, and do not represent all of the technical spirit of the present invention, various equivalents that may be substituted for them at the time of the present application It should be understood that there may be variations and variations.
도 3은 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어 밸브장치의 일실시예에 대한 사시도를 나타낸 사진이다. 본 발명에 의한 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어 밸브장치의 일실시예는 전면판넬(310), 제어장치(320) 및 플래퍼(330)를 포함하여 이루어진다. 전면판넬(310)에는 전원스위치(메인스위치, 300)가 포함되어 있다. 플래퍼(330) 대신 버퍼플라이 밸브가 사용될 수 있다.Figure 3 is a photograph showing a perspective view of one embodiment of a pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, equipped with a power switch according to the present invention. One embodiment of the pressure control valve device of the gas chamber for a semiconductor manufacturing process according to the present invention comprises a front panel 310, a control device 320 and a flapper 330. The front panel 310 includes a power switch (main switch, 300). A buffer valve may be used instead of the flapper 330.
도 4는 전면판넬(310)의 평면도를 나타낸 것이다. 전면판넬(400)에는 전원지시등(410), 전원스위치 명판(420), 전원스위치(메인스위치, 430) 및 전원스위치 투명커버(440)를 포함하여 이루어진다. 전원스위치(430)는 전원을 온/오프(ON/OFF) 한다. 도 6은 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어밸브 장치의 전면판넬에 설치될 수 있는 전원스위치(430)의 일 예로서 토글 스위치를 나타낸 것이다. 상기 토글스위치는 보호커버(610), 토글스위칭부(620) 및 개폐 지시등(630)을 포함한다.4 illustrates a plan view of the front panel 310. The front panel 400 includes a power indicator 410, a power switch name plate 420, a power switch (main switch, 430) and a power switch transparent cover 440. The power switch 430 turns on / off the power. Figure 6 shows a toggle switch as an example of the power switch 430 that can be installed on the front panel of the pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process, equipped with the power switch according to the present invention. The toggle switch includes a
도 7은 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어밸브 장치의 전면판넬에 설치될 수 있는 전원스위치(430)의 다른 예로서 푸시 버튼 스위치를 나타낸 것이다. 상기 푸시 버튼 스위치는 누름 조명등이 내장될 수 있는 푸시버튼 스위칭부(710) 및 안전보호부(720)를 포함한다. Figure 7 shows a push button switch as another example of the power switch 430 that can be installed on the front panel of the pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process, equipped with the power switch according to the present invention. The push button switch includes a
전원스위치 명판(420)은 전원 스위치(410) 임을 알려 주고, 전원지시등(410)은 전원스위치(430)가 켜져 있는지 꺼져 있는지를 지시등으로 표시한다. The power switch name plate 420 indicates that the power switch 410, the power indicator 410 indicates whether the power switch 430 is turned on or off as an indicator.
전원스위치 투명커버(440)는 압력제어밸브 장치를 작동시키는 사용자가 전원스위치(430) 조작을 부주의하게 잘못 조작하는 것을 방지하는 커버이다. 도 8은 본 발명에 의한 압력제어밸브 장치의 전면판넬에 설치될 수 있는 전원스위치 투명커버(440)의 일예를 나타낸 것이다. 전원스위치 투명커버(440)는 안전 및 보호 커버(810) 및 잠금장치(820)를 포함한다.The power switch transparent cover 440 is a cover for preventing a user who operates the pressure control valve device from inadvertently mishandling the power switch 430. Figure 8 shows an example of a power switch transparent cover 440 that can be installed on the front panel of the pressure control valve device according to the present invention. The power switch transparent cover 440 includes a safety and
도 5는 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로 구성에 대한 일실시예를 블록도로 나타낸 것이다. 본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로(50)는 전원입력커넥터(500), 메인스위치(510), 메인전원릴레이(525), 제1압력계전원 릴레이(545) 및 제2압력계전원 릴레이(565)를 포함하여 이루어진다. 본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로(50)는 압력계 전원연결 커넥터(505)를 더 포함할 수 있다. 본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로(50)는 스위치보호부(515)를 더 포함할 수 있다. 또한 본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로(50)는 릴레이 보호부(520)를 더 포함할 수 있다. FIG. 5 is a block diagram illustrating an embodiment of a power switch circuit configuration of a pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process equipped with a power switch according to the present invention. The
또한 본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로(50)는 메인전원 릴레이(525)의 입력단 또는 출력단에 제1전류제한부(530), 제1과전압보호부(535) 및 제1역전압 보호부(540) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.In addition, the
본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로(50)는 제1압력계 전원 릴레이(545)의 입력단 또는 출력단에 제2전류제한부(550), 제2과전압보호부(555) 및 제2역전압 보호부(560) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.The
본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로(50)는 제2압력계 전원 릴레이(565)의 입력단 또는 출력단에 제3전류제한부(570), 제3과전압보호부(575) 및 제3역전압 보호부(570) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.The
본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로(50)는 압력제어 밸브 장치의 전원을 공급함과 동시에 압력제어 밸브 장치에서 챔버 압력을 센싱하는 압력계에 전원을 공급한다. 전원스위치 회로의 메인 스위치(510)는 직접 전원을 차단/연결 시키는 것이 아니라 전원 단의 보호를 위하여 부가적으로 릴레이(525, 545, 565)를 거쳐서 전원을 차단/연결 한다. 여러 가지 방식으로 스위치를 이용하여 전원 연결 차단을 할 수 있지만, 장비 전원의 보호 등 여러가지 문제점을 고려하여 2 스텝(step) 방식을 적용하여 전원스위치 회로의 메인 스위치(510)가 릴레이(525, 545, 565)를 개폐하여 공급되는 전원들을 차단/연결 할 수 있도록 구성할 수 있다.The
전원 입력 커넥터(500)는 상기 압력제어 밸브 장치의 전원 공급을 위한 메인 전원(52)과 상기 가스 챔버의 압력을 감지하는 압력계의 전원 공급을 위한 두 개의 압력계전원(54, 56)을 받아들여, 두 개의 메인전원(502, 504)과 제1압력계전원(506) 및 제2압력계전원(508)을 출력한다. 예를 들어, 본 발명에서는 압력제어 밸브 장치 전원은 산업용 장치의 제어 및 동작 전원으로, 통상적으로 +24VDV를 사용할 수 있다. 그리고 압력계에 공급되는 두 개의 압력계 전원(54, 56)은 아날로그 압력계의 경우에는 +15 VDC 와 -15 VDC의 양방향 전원을 사용하여 안날로그 신호를 처리한다.The
메인 스위치(510)는 전면판넬(310, 400)에 설치되며, 전원입력 커넥터(500)에서 출력되는 두 개의 메인 전원 중 제1메인 전원(504)을 온/오프 한다. 메인스위치(510)는 메인스위치가 온(ON) 인지 오프(OFF)인지를 나타내는 전원 지시등(미도시) 및 상기 메인스위치를 덮어 보호하는 메인 스위치 커버(미도시)를 구비한다.The
메인전원 릴레이(525)는 메인 스위치(510)의 온/오프 상태에 따라 전원입력 커넥터(500)에서 출력되는 제2 메인 전원(502)을 온/오프하고, 상기 온/오프 되어 출력되는 상기 제2 메인 전원(527)이 상기 압력제어 밸브 장치의 전원으로 공급되게 한다.The
제1 압력계전원 릴레이(545)는 메인 스위치(510)의 온/오프 상태에 따라 전원입력 커넥터(500)에서 출력되는 제1압력계전원(506)이 온/오프되고, 상기 온/오프 되어 출력되는 제1압력계전원(547)이 상기 압력계의 제1전원으로 공급되게 한다.The first pressure gauge
제2 압력계전원 릴레이(565)는 메인 스위치(510)의 온/오프 상태에 따라 상기 전원 입력 커넥터에서 출력되는 제2압력계전원(508)이 온/오프되고, 상기 온/오프 되어 출력되는 제2압력계전원(567)이 상기 압력계의 제2전원으로 공급되게 한다.The second pressure gauge
압력계 전원 연결 커넥터(505)는 제1압력계전원 릴레이(545) 및 제2압력계 전원 릴레이(565)로부터 출력되는 제1압력계전원(547) 및 제2압력계전원(567)을 받아들여 상기 압력계의 전원으로 출력한다. The pressure gauge
스위치보호부(515)는 메인 스위치(510)의 단락이나 개폐 시에 발생하는 아크(arc)로 인한 스위치 접점의 고장이나 오손을 방지한다.The
릴레이 보호부(520)는 메인 스위치(510)의 출력 전원을 받아들여, 제1압력계 전원 릴레이(545) 및 제2압력계 전원 릴레이(565)로 출력하며, 릴레이 코일의 단락이나 개폐 시에 발생하는 역전압을 감소시키거나 지연회로를 통해 전원부로 바이패스(bypass) 되게 한다. The
제1전류제한부(530)는 메인전원 릴레이(525)의 입력단에 위치하며, 상기 압력제어밸브 장치에 과전류가 유입되는 것을 방지한다. 제1전류제한부(530)로 퓨즈가 사용될 수 있으며, 응답 속도에 따라 급속 용단(Fast Blow), 저속 용단 (Slow Blow), 지연용단(Time Lag Blow) 퓨즈 등의 종류가 있으며, 일회용과 여러 번 사용할 수 있는 Resettable Fuse가 있다. 제1전류제한부(530)는 메인전원 릴레이(525)의 출력단에 위치할 수도 있다.The first current limiting
제1과전압 보호부(535)는 메인전원 릴레이(525)의 입력단에 위치하며, 상기 압력제어밸브 장치에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮춘다. 제1과전압 보호부(535)는 메인전원 릴레이(525)의 출력단에 위치할 수도 있다.The first
제1역전압보호부(540)는 메인전원 릴레이(525)의 입력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking)하여 압력제어 밸브 장치의 손상을 막는다. 제1역전압 보호부(540)는 메인전원 릴레이(525)의 출력단에 위치할 수도 있다.The first reverse
제2전류제한부(550)는 제1압력계 전원 릴레이(545)의 입력단에 위치하며, 상기 압력계에 과전류가 유입되는 것을 막는다.The second current limiting
제2과전압 보호부(555)는 제1압력계 전원 릴레이(545)의 입력단에 위치하며, 상기 압력제어장치에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮춘다. The second
제1역전압보호부(540)는 제1압력계 전원 릴레이(545)의 입력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking)하여 압력제어 밸브 장치의 손상을 막는다. The first reverse
제2전류제한부(550), 제2과전압 보호부(555) 및 제2역전압 보호부(560)는 재1압력계 전원 릴레이(545)의 출력단에 위치할 수도 있다.The second current limiting
제3전류제한부(570)는 제2압력계 전원 릴레이(565)의 입력단에 위치하며, 상기 압력계에 과전류가 유입되는 것을 막는다.The third current limiting
제3과전압 보호부(575)는 제2압력계 전원 릴레이(565)의 입력단에 위치하며, 상기 압력제어장치에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮춘다. The third
제3역전압보호부(580)는 제2압력계 전원 릴레이(565)의 입력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking)하여 압력제어 밸브 장치의 손상을 막는다. The third reverse
제3전류제한부(570), 제3과전압 보호부(575) 및 제3역전압 보호부(580)는 제2압력계 전원 릴레이(565)의 출력단에 위치할 수도 있다.The third current limiting
한편, 압력계(585)의 압력계전원 커넥터(590)는 압력제어 밸브 장치로부터 압력계(585)에 전원을 공급하기 위한 연결 커넥터이다.On the other hand, the pressure gauge power supply connector 590 of the
본 발명에 따른 반도체 장비 내에 설치되는 압력 제어 밸브 장치는 MIL-STD-454 규격 및 일반 산업용 규격에 맞추어 장착 가능하며, 압력 제어 밸브 장치에 전원 스위치 회로를 장착함으로써 제어장치를 안전하고 신뢰성 있게 운영할 수 있다.The pressure control valve device installed in the semiconductor equipment according to the present invention can be mounted in accordance with MIL-STD-454 standard and general industrial standard, and the control device can be safely and reliably operated by mounting a power switch circuit in the pressure control valve device. Can be.
본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원 스위치 회로는 장비의 전체 혹은 일부 부품의 설치, 교환을 위해 장착될 수 있다. 이는 MIL-STD-454 규격에 의해 정의되어 있는 규정으로 장비의 전체 혹은 일부 부품의 설치, 교환을 위해 장착될 수 있다. 또한, 장착되는 전원 스위치 회로는 전기 전원의 인터페이스에 적용되는 규정과 요구 사항을 만족시킬 수 있다.The power switch circuit of the pressure control valve device according to the present invention can be mounted for installation or replacement of all or part of the equipment. It is a regulation defined by the MIL-STD-454 standard and can be fitted for installation or replacement of all or part of the equipment. In addition, the mounted power switch circuit can satisfy the regulations and requirements that apply to the interface of the electrical power source.
압력제어 밸브장치의 메인전원 스위치 회로가 설치되어 있는 경우는 MIL-STD-454 규격을 만족시키기 위해서는 명확하게 전원 스위치임을 표시하여야 하며, 장비 전체의 전원 절체를 해 주어야 하는데, 본 발명은 MIL-STD-454 규격을 만족시킬 수 있다.When the main power switch circuit of the pressure control valve device is installed, it must clearly indicate that it is a power switch in order to satisfy the MIL-STD-454 standard, and the power supply of the entire equipment should be switched. Can satisfy the -454 specification.
압력제어 밸브장치 전원 스위치 회로의 메인스위치 입력 측과 전원 라인의 연결부는 우연한 물리적인 접촉에 의한 물리적인 보호를 해 주어야 한다. 이 또한 MIL-STD-454 규격에 정의되어 있는 내용이다. 또한 반도체 장비의 설치 및 운영 규격이다. 본 발명은 MIL-STD-454 규격 및 반도체 장비의 설치 및 운영 규격을 만족시킬 수 있다.The connection between the main switch input side and the power line of the pressure control valve device power switch circuit shall provide physical protection by accidental physical contact. This is also defined in the MIL-STD-454 specification. It is also the installation and operation standard for semiconductor equipment. The present invention can satisfy the MIL-STD-454 standard and the installation and operation standard of semiconductor equipment.
본 발명에서는 압력제어 밸브장치의 우연한 물리적인 접촉에 의한 전원 스위치 회로의 메인스위치 단락을 보호하기 위한 여러 가지 방안을 구현할 수 있다. 첫째, 전원스위치 회로의 메인스위치를 덮개를 통해 보호할 수 있다. 전원 스위치 회로의 메인 스위치가 우연한 접촉으로 단락/개폐가 될 경우에는 실행중인 반도체 공정 중에 막대한 피해가 발생을 할 우려가 있다. 물론 시스템 모니터링으로 추가적인 피해는 방지할 수 있으나 큰 문제가 될 수 있다. 반도체 공정 장비의 전원 단락/개폐 스위치의 경우는 덮개를 통하여 보호를 해주는 것이 일반적으로 요구되는 기본 규격이다. 본 발명에서는 투명한 덮개를 통하여 메인 스위치를 볼 수 있으며 메인 스위치를 개폐시킬 경우에는 덮개를 완전히 젖힌 상태에서 작업자의 손가락으로 스위치를 동작시킬 수 있도록 메인 스위치 커버를 제공한다. In the present invention, various methods for protecting the main switch short circuit of the power switch circuit due to accidental physical contact of the pressure control valve device can be implemented. First, the main switch of the power switch circuit can be protected by the cover. If the main switch of the power switch circuit is shorted / opened by accidental contact, there is a risk of enormous damage during the running semiconductor process. Of course, additional damage can be prevented by system monitoring, but it can be a big problem. In the case of power short / open switch in semiconductor process equipment, protection through cover is the basic standard that is generally required. In the present invention, the main switch can be seen through the transparent cover, and when the main switch is opened and closed, the main switch cover is provided so that the switch can be operated with the operator's finger while the cover is completely folded.
본 발명에서 제공하는 메인 스위치 덮개는 원형 혹은 사각형 형태를 가지며 몸체와 열 수 있는 뚜껑을 가지고 있다. 덮개는 개폐를 시킬 경우 몸체에서 힌지로 지지되어 개폐된다. The main switch cover provided in the present invention has a circular or rectangular shape and has a body and a lid open. When the cover is opened and closed, the body is supported by a hinge to open and close.
본 발명에서는 메인 스위치에 투명 커버를 채택함으로써 즉, 커버는 투명한 뚜껑을 가지고 있으므로 사용자가 스위치의 온/오프 상태 등을 판단하는데 많은 도움을 준다.In the present invention, by adopting a transparent cover in the main switch, that is, the cover has a transparent lid, so that the user can help a lot in determining the on / off state of the switch and the like.
본 발명에서 제공하는 메인 스위치 커버는 도 8에 도시된 바와 같이 닫힐 경우에는 반 고정 방식으로 잠금이 되며 커버를 열 경우에는 힘을 가볍게 주어서 잠금을 풀고 열 수 있다.When the main switch cover provided in the present invention is closed as shown in FIG. 8, the main switch cover is locked in a semi-fixed manner.
본 발명에서 압력제어 밸브 장치의 전면 판넬에 설치되는 전원 스위치 회로의 메인 스위치 위치는 장비의 운영을 담당하지 않는 작업자들에 의한 우연한 접촉이 발생하지 않는 위치에 설치되고 스위치 종류를 선택하여야 한다. 전원 스위치 회로의 메인스위치는 장비 조작을 할 수 있는 조작부에 위치하여 작업 중 쉽게 조작 및 감시할 수 있는 위치에 설치할 수 있다. 그리고 전원 스위치 회로의 메인 스위치는 조명/비조명 푸시 버튼 스위치, 로커 스위치, 로터리 스위치 및 토글 스위치 등을 사용을 할 수 있다. 푸시 버튼 스위치는 스위치 자체에 보호 덮개를 가질 수 있으며 토글 스위치는 젖힐 수 있는 보호 덮개를 가질 수 있다. In the present invention, the main switch position of the power switch circuit installed in the front panel of the pressure control valve device is installed at a position where no accidental contact by workers not in charge of the operation of the equipment occurs and the switch type should be selected. The main switch of the power switch circuit is located in the control panel where the equipment can be operated, and can be installed in a location that can be easily operated and monitored during the operation. In addition, the main switch of the power switch circuit may use an illuminated / non-illuminated push button switch, a rocker switch, a rotary switch, and a toggle switch. The push button switch can have a protective cover on the switch itself and the toggle switch can have a protective cover that can be flipped over.
본 발명에서 사용되는 메인 스위치가 비 조명 스위치일 경우에는 별도의 지시등을 가질 수 있다. 지시등은 전원 스위치의 동작에 따라서 동작되는 등이며 이는 램프 혹은 LED 등의 표시 장치를 사용할 수 있다. 푸시 버튼 스위치는 일체형 램프 버튼을 가질 수 있다.When the main switch used in the present invention is a non-lighting switch may have a separate indicator light. The indicator lamp is operated according to the operation of the power switch, which may use a display device such as a lamp or an LED. The push button switch may have an integrated lamp button.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.
100 : 전원커넥터 200 : 센서
300 : 전원 스위치 310 : 전면 판넬
320 : 제어장치 330 : 플래퍼
400 : 전면판넬 410 : 전원지시등
420 : 전원 스위치 명판 430 : 전원 스위치
440 : 전원 스위치 투명커버 50 : 전원스위치 회로
500 : 전원입력커넥터 502 : 제2메인전원
504 : 제1메인전원 505 : 압력계 전원연결 커넥터
506 : 제1압력계전원 508 : 제2압력계 전원
510 : 메인 스위치 515 : 스위치 보호부
520 : 릴레이 보호부 525 : 메인전원 릴레이
530 : 제1전류제한부 535 : 제1과전압 보호부
540 : 제1역전압 보호부 545 : 제1압력계 전원릴레이
550 : 제2전류제한부 555 : 제2과전압 보호부
560 : 제2역전압 보호부 565 : 제2압력계 전원릴레이
570 : 제3전류제한부 575 : 제3과전압 보호부
580 : 제3역전압 보호부 585 : 압력계
585 : 압력계 전원 커넥터100: power connector 200: sensor
300: power switch 310: front panel
320: control device 330: flapper
400: Front panel 410: Power indicator
420: power switch nameplate 430: power switch
440: power switch transparent cover 50: power switch circuit
500: power input connector 502: second main power
504: first main power source 505: pressure gauge power supply connector
506: first pressure gauge power supply 508: second pressure gauge power supply
510: main switch 515: switch protection unit
520: relay protection unit 525: main power relay
530: first current limiting unit 535: first overvoltage protection unit
540: first reverse voltage protection unit 545: first pressure gauge power supply relay
550: second current limiting unit 555: second overvoltage protection unit
560: second reverse voltage protection unit 565: second pressure gauge power supply relay
570: third current limiting unit 575: third overvoltage protection unit
580: third reverse voltage protection unit 585: pressure gauge
585: pressure gauge power connector
Claims (8)
상기 압력제어 밸브 장치의 전원 공급을 위한 메인 전원과 상기 가스 챔버의 압력을 감지하는 압력계의 전원 공급을 위한 두 개의 압력계전원을 받아들여, 두 개의 메인전원과 제1압력계전원 및 제2압력계전원을 출력하는 전원 입력 커넥터;
상기 전면판넬에 설치되며, 상기 전원 입력 커넥터에서 출력되는 두 개의 메인 전원 중 제1메인 전원을 온/오프 하는 메인 스위치;
상기 메인 스위치의 온/오프 상태에 따라 상기 전원 입력 커넥터에서 출력되는 제2 메인 전원을 온/오프하고, 상기 온/오프 되어 출력되는 상기 제2 메인 전원이 상기 압력제어 밸브 장치의 전원으로 공급되게 하는 메인전원 릴레이;
상기 메인 스위치의 온/오프 상태에 따라 상기 전원 입력 커넥터에서 출력되는 제1압력계전원이 온/오프되고, 상기 온/오프 되어 출력되는 제1압력계전원이 상기 압력계의 제1전원으로 공급되게 하는 제1 압력계전원 릴레이; 및
상기 메인 스위치의 온/오프 상태에 따라 상기 전원 입력 커넥터에서 출력되는 제2압력계전원이 온/오프되고, 상기 온/오프 되어 출력되는 제2압력계전원이 상기 압력계의 제2전원으로 공급되게 하는 제2 압력계전원 릴레이를 포함하는, 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치.A pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, comprising a front panel, a control device, and a flapper or a buffer fly valve driven by the control device.
The main power supply for the power supply of the pressure control valve device and the two pressure gauge power supply for power supply of the pressure gauge for sensing the pressure of the gas chamber, the two main power supply, the first pressure gauge power supply and the second pressure gauge power supply. An output power input connector;
A main switch installed on the front panel and configured to turn on / off a first main power of two main powers output from the power input connector;
The second main power output from the power input connector is turned on / off according to the on / off state of the main switch, and the second main power output being turned on / off is supplied to the power of the pressure control valve device. Main power relay;
A first pressure gauge power output from the power input connector is turned on / off according to an on / off state of the main switch, and a first pressure gauge power output from the on / off output is supplied to the first power source of the pressure gauge; 1 pressure gauge power relay; And
A second pressure gauge power output from the power input connector according to the on / off state of the main switch is turned on / off, and the second pressure gauge power output from the on / off output is supplied to the second power source of the pressure gauge; 2. A pressure control valve device for a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, comprising a power switch, comprising a pressure gauge relay.
상기 제1압력계전원 릴레이 및 제2압력계전원 릴레이로부터 출력되는 제1압력계전원 및 제2압력계전원을 받아들여 상기 압력계의 전원으로 출력하는 압력계 전원 연결 커넥터를 더 포함하는 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치.The method of claim 1,
The semiconductor manufacturing apparatus is equipped with a power switch further comprising a pressure gauge power connection connector that receives the first pressure gauge power and the second pressure gauge power output from the first pressure gauge power supply relay and the second pressure gauge power supply relay and outputs the power to the pressure gauge. Pressure control valve device in process gas chamber.
상기 메인스위치가 온(ON) 인지 오프(OFF)인지를 나타내는 전원 지시등; 및
상기 메인스위치를 덮어 보호하는 메인 스위치 커버를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치.The method of claim 1, wherein the main switch
A power indicator indicating whether the main switch is ON or OFF; And
And a main switch cover which covers and protects the main switch. A pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process equipped with a power switch.
상기 메인 스위치의 단락이나 개폐 시에 발생하는 아크(arc)로 인한 스위치 접점의 고장이나 오손을 방지하는 스위치보호부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치.The method of claim 1,
The pressure of the gas chamber for a semiconductor manufacturing process equipped with a power switch, characterized in that it further comprises a switch protection unit for preventing failure or damage of the switch contact due to the arc (arc) generated when the main switch short-circuit or open and close Control valve device.
상기 메인 스위치의 출력 전원을 받아들여, 상기 제1 압력계전원 릴레이 및 상기 제2 압력계전원 릴레이로 출력하며, 릴레이 코일의 단락이나 개폐 시에 발생하는 역전압을 감소시키거나 지연회로를 통해 바이패스(bypass) 되게 하는 릴레이 보호부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치.The method of claim 1,
The output power of the main switch is received and output to the first pressure gauge power supply relay and the second pressure gauge power supply relay, and the reverse voltage generated when the relay coil is shorted or opened or closed is reduced or bypassed through a delay circuit ( The pressure control valve device of the gas chamber for a semiconductor manufacturing process, characterized in that it further comprises a relay protection portion to bypass).
상기 메인전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력제어밸브 장치에 과전류가 유입되는 것을 방지하는 제1전류제한부;
상기 메인전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력제어밸브장치에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮추는 제1과전압 보호부; 및
상기 메인전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking)하여 압력제어 밸브 장치의 손상을 막는 제1역전압보호부 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치.The method of claim 1,
A first current limiting unit positioned at an input end or an output end of the main power relay and preventing an overcurrent from flowing into the pressure control valve device;
A first overvoltage protection unit located at an input terminal or an output terminal of the main power relay and preventing a voltage above a reference value when the voltage applied to the pressure control valve device is higher than a reference value, and lowering the voltage to a reference voltage when a voltage above the reference value occurs; And
At least one of the first reverse voltage protection unit located at an input terminal or an output terminal of the main power relay and blocking the reverse voltage when the reverse voltage is applied to prevent the damage of the pressure control valve device when the reverse voltage is applied. Equipped with a power switch, characterized in that further comprising a pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process.
상기 제1압력계전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력계에 과전류가 유입되는 것을 막는 압력계 제2전류제한부;
상기 제1압력계전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력계에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮추는 제2과전압 보호부; 및
상기 제1압력계전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking) 하여 상기 압력계의 손상을 막는 제2역전압 보호부 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치.The method of claim 1,
A pressure gauge second current limiter positioned at an input terminal or an output terminal of the first pressure gauge power supply relay and preventing an overcurrent from flowing into the pressure gauge;
A second overvoltage protection unit positioned at an input terminal or an output terminal of the first pressure gauge power supply relay and preventing a voltage above a reference value when the voltage applied to the pressure gauge is higher than a reference value and lowering the voltage to a reference voltage when a voltage above the reference value occurs; And
At least one of a second reverse voltage protection unit positioned at an input terminal or an output terminal of the first pressure gauge power supply relay and blocking a reverse voltage when the reverse voltage is applied and the reverse voltage is applied to prevent the damage of the pressure gauge; Equipped with a power switch, characterized in that further comprising a pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process.
상기 제2압력계전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력계에 과전류가 유입되는 것을 막는 압력계 제3전류제한부;
상기 제2압력계전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력계에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮추는 제3과전압 보호부; 및
상기 제2압력계전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking) 하여 상기 압력계의 손상을 막는 제3역전압 보호부 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치.
The method of claim 1,
A pressure gauge third current limiter positioned at an input end or an output end of the second pressure gauge power supply relay and preventing overcurrent from flowing into the pressure gauge;
A third overvoltage protection unit positioned at an input terminal or an output terminal of the second pressure gauge power supply relay, and preventing a voltage above a reference value when the voltage applied to the pressure gauge is higher than a reference value, and lowering the voltage to a reference voltage when a voltage above the reference value occurs; And
At least one of a third reverse voltage protection unit located at an input terminal or an output terminal of the second pressure gauge power supply relay and blocking a reverse voltage when the reverse voltage is applied and the reverse voltage is applied to prevent the damage of the pressure gauge; Equipped with a power switch, characterized in that further comprising a pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process.
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