KR102005570B1 - Solar cell module - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈은, 제1 방향으로 배열된 복수의 태양 전지들을 전기적으로 연결하여 형성한 스트링(string)을 복수개 구비하는 태양 전지 패널; 스트링 내에서 복수의 태양 전지들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터; 및 복수의 태양 전지들에서 생상된 전력을 수집하는 정션박스(junction box); 인터커넥터의 한쪽 단부와 전극부를 서로 전기적으로 연결하는 리드선; 리드선과 정션박스의 전극부 사이에 위치하는 도전성 접합부를 포함하고, 도전성 접합부와 접촉하는 상기 리드선의 한쪽 단부는 적어도 하나의 홀을 갖는다.
The present invention relates to a solar cell module.
A solar cell module according to an embodiment of the present invention includes: a solar cell panel having a plurality of strings formed by electrically connecting a plurality of solar cells arranged in a first direction; An interconnect for electrically connecting a plurality of solar cells within a string; And a junction box for collecting power generated in the plurality of solar cells; A lead wire electrically connecting one end of the interconnector and the electrode portion to each other; And a conductive joint portion positioned between the lead wire and the electrode portion of the junction box, wherein one end of the lead wire contacting the conductive joint portion has at least one hole.

Description

태양전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}Solar cell module {SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양전지 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell module.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지면서, 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양전지가 주목 받고 있다.
태양광 발전 시스템은 복수의 태양전지 모듈을 직렬 또는 병렬로 연결하여 형성된 것으로, 각각의 태양전지 모듈은 복수의 스트링(string)으로 배열된 복수의 태양전지를 구비한다. 여기에서, 스트링은 일렬로 배열된 복수의 태양전지들을 직렬 연결하여 형성한 것을 말한다.
각각의 태양전지 모듈은 복수의 태양전지에서 생산된 전력을 외부 시스템으로 인출하기 위한 분기장치, 예컨대 정션박스(junction box)이 구비되며, 정션박스에 연결된 케이블에 의해 이웃하는 태양전지 모듈과 직렬 또는 병렬로 연결된다.
스트링과 정션 박스 사이는 리드선에 의해 전기적으로 연결되는데, 리드선의 한쪽 끝은 스트링에 연결되어 있고, 다른 끝은 정션 박스의 전극부에 솔더링(soldering)됨으로써 스트링과 정션 박스 사이가 전기적으로 연결될 수 있다.
그런데, 리드선을 정션 박스에 솔더링할 때, 솔더가 전극부와 리드선 사이에 샌드위치된 상태에서 솔더링이 이뤄지기 때문에 접촉 면적이 작아 접촉 저항이 커지고, 전극부와 리드선 사이가 충분히 접합되지 않아 신뢰성이 떨어지는 문제가 있다.
Recently, as energy resources such as petroleum and coal are expected to be depleted, interest in alternative energy to replace them is increasing, and solar cells that produce electric energy from solar energy are attracting attention.
The solar power generation system is formed by connecting a plurality of solar cell modules in series or in parallel, and each solar cell module has a plurality of solar cells arranged in a plurality of strings. Here, the string is formed by connecting a plurality of solar cells arranged in a line in series.
Each of the solar cell modules is provided with a branching device, for example, a junction box for taking out electric power generated from a plurality of solar cells to an external system, and is connected in series with a neighboring solar cell module by a cable connected to the junction box They are connected in parallel.
The string and the junction box are electrically connected by a lead wire where one end of the lead wire is connected to the string and the other end is soldered to the electrode portion of the junction box so that the string and the junction box can be electrically connected .
However, when soldering the lead wire to the junction box, soldering is performed in a state in which the solder is sandwiched between the electrode part and the lead wire, the contact area is small and the contact resistance is large, the electrode part and the lead wire are not sufficiently bonded, there is a problem.

등록특허공보 제10-1077504호 (공개일: 2011.10.28.)
일본 공개특허공보 특개2004-281800호 (공개일: 2004.10.07.)
공개특허공보 제10-2013-0012134호 (공개일: 2013.02.01.)
Patent Registration No. 10-1077504 (published on October 28, 2011)
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-281800 (published on October 10, 2004)
Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2013-0012134 (Publication date: 2013.02.01.)

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 효율이 향상된 태양 전지 모듈을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a solar cell module with improved efficiency.

본 발명의 실시예에 따르면, 태양 전지 모듈은 제1 방향으로 배열된 복수의 태양 전지들을 전기적으로 연결하여 형성한 스트링(string)을 복수개 구비하는 태양 전지 패널; 각 스트링 내에서 복수의 태양 전지들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터; 및 복수의 태양 전지들에서 생상된 전력을 수집하는 정션박스(junction box); 인터커넥터의 한쪽 단부와 전극부를 서로 전기적으로 연결하는 리드선; 리드선과 정션박스의 전극부 사이에 위치하는 도전성 접합부를 포함하고, 도전성 접합부와 접촉하는 리드선의 한쪽 단부는 적어도 하나의 홀을 가질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a solar cell module includes: a solar cell panel having a plurality of strings formed by electrically connecting a plurality of solar cells arranged in a first direction; An interconnect for electrically connecting a plurality of solar cells within each string; And a junction box for collecting power generated in the plurality of solar cells; A lead wire electrically connecting one end of the interconnector and the electrode portion to each other; And a conductive joint portion positioned between the lead wire and the electrode portion of the junction box, and one end of the lead wire contacting the conductive joint portion may have at least one hole.

여기서, 적어도 하나의 홀의 최대 지름은 2mm이고, 리드선의 최대 폭은 5mm일 수 있다.Here, the maximum diameter of at least one hole is 2 mm, and the maximum width of the lead wire may be 5 mm.

또한, 도전성 접합부는 적어도 하나의 홀, 적어도 하나의 홀을 관통하여 리드선의 한쪽 단부 위에 위치할 수 있다. 이대, 적어도 하나의 홀은 복수개일 수 있다.The conductive joint may also be located on one end of the lead wire through at least one hole, at least one hole. At least one hole may be a plurality of holes.

또한, 도전성 접합부에 함유된 제1 도전성 물질의 용융점은 리드선에 함유된 제2 도전성 물질의 용융점보다 낮으며, 제1 도전성 물질의 용융점은 약 200℃이상이고, 제2 도전성 물질의 용융점은 약 1000℃이상일 수 있다.Also, the melting point of the first conductive material contained in the conductive joint is lower than the melting point of the second conductive material contained in the lead wire, the melting point of the first conductive material is at least about 200 ° C, and the melting point of the second conductive material is about 1000 Lt; / RTI >

그리고, 도전성 접합부는 리드선의 상부면의 전체 또는 상부면의 일부분에 위치할 수 있다.And, the conductive joint may be located on the entire upper surface of the lead wire or on a part of the upper surface.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지와 정션박스를 전기적으로 접속하는 리드선에 홀을 구비함으로써, 홀을 이용한 솔더링 공정을 통해 정션박스와 리드선 사이의 결합력이 향상되고 접촉 저항이 감소되어 태양 전지의 효율을 극대화 할 수 있다. 이에 따라, 태양전지 모듈의 신뢰성을 확보할 수 있다.The solar cell module according to the present invention has a hole in a lead wire for electrically connecting a plurality of solar cells and a junction box so that the bonding force between the junction box and the lead wire is improved and the contact resistance is reduced through the soldering process using holes, The efficiency of the battery can be maximized. Thus, the reliability of the solar cell module can be secured.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 태양전지 패널의 분해 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시한 태양전지 패널의 후면도이다.
도 4는 도 3에 도시한 리드선들과 정션박스 간의 연결 구조를 나타내는 주요부 확대도이다.
도 5는 도 1에 도시한 정션박스의 내부 구성을 나타내는 개략도이다.
도 6a 및 도 6b는 도 5에 도시한 정션박스와 리드선의 접속 전의 상태를 보여주기 위한 사시도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시예에 따른 도 5에 도시한 정션박스와 리드선의 접속 후의 상태를 보여주기 위한 사시도이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 5에 도시한 정션박스와 리드선의 접속 후의 상태를 보여주기 위한 사시도이다.
도 9a 및 도 9b는 도 5에 도시한 정션박스와 리드선의 접속 후의 상태를 보여주기 위한 상세 단면도이다.
도 10은 도 1에 도시한 태양전지의 주요부 사시도이다.
1 is a plan view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view of the solar cell panel shown in Fig.
3 is a rear view of the solar cell panel shown in Fig.
4 is an enlarged view of a main part showing the connection structure between the lead wires and the junction box shown in Fig.
5 is a schematic view showing the internal configuration of the junction box shown in Fig.
6A and 6B are perspective views for showing a state before the junction box and the lead wire shown in Fig. 5 are connected to each other.
7A and 7B are perspective views showing a state after connection of the junction box and the lead wire shown in FIG. 5 according to the embodiment of the present invention.
8A and 8B are perspective views showing a state after connection of the junction box and the lead wire shown in FIG. 5 according to another embodiment of the present invention.
Figs. 9A and 9B are detailed sectional views showing the state after connection of the junction box and the lead wire shown in Fig. 5; Fig.
10 is a perspective view of the main part of the solar cell shown in Fig.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 "전체적"으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. When a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case directly above another portion but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle. Further, when a certain portion is formed as "whole" on another portion, it means not only that it is formed on the entire surface of the other portion but also that it is not formed on the edge portion.

이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be one surface of the semiconductor substrate to which the direct light is incident, and the rear surface may be the opposite surface of the semiconductor substrate in which direct light is not incident, or reflected light other than direct light may be incident.

아울러, 이하의 설명에서, 서로 다른 두 구성 요소의 길이나 폭이 동일하다는 의미는 10%의 오차 범위 이내에서 서로 동일한 것을 의미한다.In the following description, the meaning of two different components having the same length or width means that they are equal to each other within an error range of 10%.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Embodiments of the present invention will now be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지 모듈의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 태양전지 패널의 분해 사시도이며, 도 3은 도 1에 도시한 태양전지 패널의 후면도이고, 도 10은 도 1에 도시한 태양전지의 주요부 사시도이다.FIG. 1 is a plan view of a solar cell module according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view of the solar cell panel shown in FIG. 1, FIG. 3 is a rear view of the solar cell panel shown in FIG. 1 And FIG. 10 is a perspective view of the main part of the solar cell shown in FIG.

도면을 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈(100)은 태양전지 패널(200)을 포함할 수 있다.Referring to the drawings, a solar cell module 100 according to an embodiment of the present invention may include a solar cell panel 200.

태양전지 패널(200)은 복수의 태양전지(210)들, 인접한 태양전지(210)들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터(220), 태양전지(210)들을 보호하는 보호막(EVA: Ethylene Vinyl Acetate)(230), 태양전지(210)들의 수광면 쪽으로 보호막(230) 위에 배치되는 투명 부재(240), 및 수광면 반대 쪽으로 보호막(230)의 하부에 배치되는 불투명 재질의 후면 시트(back sheet)(250)를 포함할 수 있다.The solar cell panel 200 includes a plurality of solar cells 210, an interconnector 220 for electrically connecting the adjacent solar cells 210, a protective film (EVA: Ethylene Vinyl Acetate) for protecting the solar cells 210 A transparent member 240 disposed on the protective film 230 toward the light receiving surface of the solar cells 210 and an opaque back sheet 250 disposed on the lower side of the protective film 230 opposite to the light receiving surface. ).

그리고 태양전지 모듈(100)은 라미네이션 공정에 의해 일체화 된 상기 부품들을 수납하는 프레임(400) 및 태양전지(210)들에서 생산된 전력을 수집하는 정션박스(junction box, 300)을 포함할 수 있다.The solar cell module 100 may include a frame 400 for receiving the components integrated by the lamination process and a junction box 300 for collecting power generated from the solar cells 210 .

후면 시트(250)는 태양전지 모듈(100)의 후면에서 습기가 침투하는 것을 방지하여 태양전지(210)를 외부 환경으로부터 보호한다. 이러한 후면 시트(250)는 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층, 절연 특성을 갖는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다.The rear sheet 250 protects the solar cell 210 from the external environment by preventing moisture from penetrating the rear surface of the solar cell module 100. Such a backsheet 250 may have a multi-layer structure such as a layer preventing moisture and oxygen penetration, a layer preventing chemical corrosion, and a layer having an insulating property.

보호막(230)은 태양전지(210)들의 상부 및 하부에 각각 배치된 상태에서 라미네이션 공정에 의해 태양전지(210)들과 일체화 되는 것으로, 습기 침투로 인한 부식을 방지하고 태양전지(210)를 충격으로부터 보호한다. 이러한 보호막(230)은 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate)와 같은 물질로 이루어질 수 있다.The protective film 230 is integrated with the solar cells 210 by a lamination process in a state in which the protection films 230 are disposed on the upper and lower portions of the solar cells 210 to prevent corrosion due to moisture penetration, . The protective film 230 may be made of a material such as ethylene vinyl acetate (EVA).

보호막(230) 위에 위치하는 투명 부재(240)는 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 이루어져 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저 철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다. 이러한 투명 부재(240)는 빛의 산란 효과를 높이기 위해서 내측면이 엠보싱(embossing) 처리될 수 있다.The transparent member 240 positioned on the protective film 230 is made of tempered glass or the like having a high transmittance and excellent breakage prevention function. At this time, the tempered glass may be a low iron tempered glass having a low iron content. The transparent member 240 may be embossed on the inner side to enhance the light scattering effect.

본 실시예의 태양전지 패널(200)에 구비된 태양전지(210)는 도 10에 도시한 바와 같이, 기판(211), 빛이 입사되는 기판(211)의 수광면에 위치하는 에미터부(212), 에미터부(212) 위에 위치하는 복수의 제1 전극(213), 제1 전극(213)과 교차하는 방향으로 에미터부(212) 위에 위치하는 적어도 하나의 제1 집전부(214), 제1 전극(213) 및 제1 집전부(214)가 위치하지 않는 에미터부(212) 위에 위치하는 반사방지막(215), 수광면의 반대쪽 면에 위치하는 제2 전극(216) 및 제2 집전부(217)를 포함할 수 있다.10, the solar cell 210 provided in the solar cell panel 200 of the present embodiment includes a substrate 211, an emitter 212 positioned on the light-receiving surface of the substrate 211 on which light is incident, A plurality of first electrodes 213 located on the emitter section 212, at least one first collector section 214 located on the emitter section 212 in a direction intersecting the first electrode 213, The antireflection film 215 located on the emitter section 212 where the electrode 213 and the first current collector 214 are not located, the second electrode 216 and the second current collector section 216 located on the opposite side of the light- 217).

태양전지(210)는 제2 전극(216)과 기판(211) 사이에 형성되는 후면 전계(back surface field, BSF)부를 더 포함할 수 있다. 후면 전계부는 기판(211)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(211)보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, p+ 영역이다.The solar cell 210 may further include a back surface field (BSF) portion formed between the second electrode 216 and the substrate 211. The rear electric field portion is a region in which impurities of the same conductivity type as that of the substrate 211 are doped at a higher concentration than the substrate 211, for example, a p + region.

이러한 후면 전계부는 기판(211)의 후면에서 전위 장벽으로 작용하게 된다. 따라서, 기판(211)의 후면 쪽에서 전자와 정공이 재결합하여 소멸되는 것이 감소되므로 태양전지의 효율이 향상될 수 있다.This rear surface electric field portion acts as a potential barrier at the rear surface of the substrate 211. [ Therefore, the efficiency of the solar cell can be improved because the recombination of electrons and holes at the rear side of the substrate 211 and the disappearance thereof are reduced.

기판(211)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 p형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판이다. 이때, 실리콘은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘일 수 있다. 기판(211)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 함유한다.The substrate 211 is a semiconductor substrate made of silicon of the first conductivity type, for example, p-type conductivity type. The silicon may be monocrystalline silicon, polycrystalline silicon or amorphous silicon. When the substrate 211 has a p-type conductivity type, it contains an impurity of a trivalent element such as boron (B), gallium (Ga), indium (In), or the like.

기판(211)의 표면을 텍스처링 표면(texturing surface)으로 형성하기 위해 상기 기판(211)은 텍스처링(texturing) 처리될 수 있다. 기판(211)의 표면이 텍스처링 표면으로 형성되면 기판(211)의 수광면에서의 빛 반사도가 감소하고, 텍스처링 표면에서 입사와 반사 동작이 이루어져 태양전지 내부에 빛이 갇히게 되어 빛의 흡수율이 증가된다. 따라서, 태양전지(110)의 효율이 향상된다.The substrate 211 may be textured to form the surface of the substrate 211 as a texturing surface. When the surface of the substrate 211 is formed as a textured surface, the light reflection on the light receiving surface of the substrate 211 is reduced, and the incidence and reflection operations are performed on the textured surface, so that light is trapped inside the solar cell, . Therefore, the efficiency of the solar cell 110 is improved.

에미터부(212)는 기판(211)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, n형의 도전성 타입을 구비하고 있는 불순물이 도핑(doping)된 영역으로서, 기판(211)과 p-n 접합을 이룬다. 에미터부(212)가 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(212)는 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 기판(211)에 도핑하여 형성될 수 있다.The emitter portion 212 is a region doped with an impurity having a second conductivity type opposite to the conductivity type of the substrate 211, for example, an n-type conductivity type. The substrate 211 and the pn Junction. When the emitter section 212 has an n-type conductivity type, the emitter section 212 dopes an impurity of a pentavalent element such as phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb) .

이에 따라, 기판(211)에 입사된 빛에 의해 반도체 내부의 전자가 에너지를 받으면 전자는 n형 반도체 쪽으로 이동하고 정공은 p형 반도체 쪽으로 이동한다. 따라서, 기판(211)이 p형이고 에미터부(212)가 n형일 경우, 분리된 정공은 기판(211)쪽으로 이동하고 분리된 전자는 에미터부(212)쪽으로 이동한다.Accordingly, when electrons in the semiconductor are energized by the light incident on the substrate 211, the electrons move toward the n-type semiconductor and the holes move toward the p-type semiconductor. Therefore, when the substrate 211 is p-type and the emitter portion 212 is n-type, the separated holes move toward the substrate 211, and the separated electrons move toward the emitter portion 212.

이와는 반대로, 기판(211)은 n형 도전성 타입일 수 있고, 실리콘 이외의 다른 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 기판(211)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 기판(211)은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 함유할 수 있다.Conversely, the substrate 211 may be of the n-type conductivity type and may be made of a semiconductor material other than silicon. When the substrate 211 has an n-type conductivity type, the substrate 211 may contain impurities of pentavalent elements such as phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb)

에미터부(212)는 기판(11)과 p-n 접합을 형성하게 되므로, 기판(211)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우 에미터부(212)는 p형의 도전성 타입을 가진다. 이 경우, 분리된 전자는 기판(211)쪽으로 이동하고 분리된 정공은 에미터부(212)쪽으로 이동한다.The emitter portion 212 forms a p-n junction with the substrate 11, so that when the substrate 211 has an n-type conductivity type, the emitter portion 212 has a p-type conductivity type. In this case, the separated electrons move toward the substrate 211, and the separated holes move toward the emitter 212.

에미터부(212)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(212)는 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 기판(211)에 도핑하여 형성할 수 있다.When the emitter section 212 has a p-type conductivity type, the emitter section 212 dopes an impurity of a trivalent element such as boron (B), gallium (Ga), indium (In) .

기판(211)의 에미터부(212) 위에는 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiO2), 및 이산화티탄(TiO2) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 반사방지막(215)이 형성되어 있다. 반사방지막(215)은 태양전지(210)로 입사되는 빛의 반사도를 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시켜 태양전지(210)의 효율을 높인다. 이러한 반사 방지막(215)은 약 70㎚ 내지 80㎚ 의 두께를 가질 수 있으며, 필요에 따라 생략될 수 있다.An antireflection film 215 made of at least one material selected from the group consisting of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiO 2 ), and titanium dioxide (TiO 2 ) is formed on the emitter 212 of the substrate 211. The antireflection film 215 reduces the reflectivity of light incident on the solar cell 210 and increases the selectivity of a specific wavelength region to increase the efficiency of the solar cell 210. The antireflection film 215 may have a thickness of about 70 nm to 80 nm and may be omitted if necessary.

복수의 제1 전극(213)은 에미터부(212) 위에 형성되어 에미터부(212)와 전기적으로 연결되고, 인접하는 제1 전극(213)과 서로 이격된 상태로 어느 한 방향으로 형성될 수 있다. 각각의 제1 전극(213)은 에미터부(212) 쪽으로 이동한 전하, 예를 들면 전자를 수집하여 해당 제1 집전부(214)로 전달할 수 있다.The plurality of first electrodes 213 may be formed on the emitter layer 212 and electrically connected to the emitter layer 212 to be spaced apart from the adjacent first electrodes 213 . Each of the first electrodes 213 may collect electrons, for example, electrons, which have migrated toward the emitter section 212, and may transfer the collected electrons to the first current collector 214.

복수의 제1 전극(213)은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있고, 이들 도전성 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다.The plurality of first electrodes 213 may be formed of at least one conductive material such as Ni, Cu, Ag, Al, Sn, Zn ), Indium (In), titanium (Ti), gold (Au), and combinations thereof, but may be made of other conductive metal materials.

에미터부(212) 위에는 복수의 제1 집전부(214)가 위치할 수 있다. 버스 바(bus bar)라고도 불리는 제1 집전부(214)는 제1 전극(213)과 교차하는 방향으로 형성된다. 따라서, 제1 전극(213)과 제1 집전부(214)는 에미터부(212) 위에 교차하는 형태로 배치될 수 있다.A plurality of first current collectors 214 may be disposed on the emitter layer 212. A first current collector 214, also referred to as a bus bar, is formed in a direction crossing the first electrode 213. Accordingly, the first electrode 213 and the first current collector 214 may be disposed to cross the emitter layer 212.

제1 집전부(214)는 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있고, 에미터부(212) 및 제1 전극(213)과 연결될 수 있다. 따라서, 제1 집전부(214)는 제1 전극(213)으로부터 전달되는 전하, 예를 들면 전자를 외부 장치로 출력할 수 있다.The first current collector 214 may be formed of at least one conductive material and may be connected to the emitter 212 and the first electrode 213. Therefore, the first current collector 214 can output a charge, for example, electrons, transmitted from the first electrode 213 to an external device.

제1 집전부(214)를 구성하는 도전성 금속 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다. 본 실시예에서, 복수의 제1 집전부(214)는 제1 전극(213)과 동일한 물질을 포함하지만, 제1 전극과는 다른 물질을 포함할 수 있다.The conductive metal material constituting the first current collector 214 may be at least one selected from the group consisting of Ni, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, (Ti), gold (Au), and combinations thereof, but may be made of other conductive metal materials. In this embodiment, the plurality of first current collectors 214 includes the same material as the first electrode 213, but may include a material different from that of the first electrode 213.

제1 전극(213) 및 제1 집전부(214)는 도전성 금속 물질을 반사방지막(215) 위에 도포한 후 패터닝하고, 이를 소성하는 과정에서 상기 도전성 금속 물질에 포함된 식각 성분, 예를 들어 글라스 프릿(glass frit)에 의해 반사방지막이 식각되는 것에 따라 에미터부(212)와 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode 213 and the first current collector 214 are formed by applying a conductive metal material on the antireflection film 215 and then patterning the conductive metal material. In the process of firing the conductive metal material, the etchant, And may be electrically connected to the emitter section 212 as the antireflection film is etched by a glass frit.

제2 전극(216)은 기판(211)의 수광면 반대쪽, 즉 기판(211)의 후면에 형성되며, 기판(211) 쪽으로 이동하는 전하, 예를 들어 정공을 수집한다.The second electrode 216 is formed on the opposite side of the light-receiving surface of the substrate 211, that is, on the rear surface of the substrate 211, and collects charge, for example, holes moving toward the substrate 211.

제2 전극(216)은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어진다. 도전성 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 물질로 이루어질 수 있다.The second electrode 216 is made of at least one conductive material. The conductive material may be at least one selected from the group consisting of Ni, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, In, Ti, Au, And combinations thereof, but may be made of other conductive materials.

제2 전극(216)과 동일한 면에는 복수의 제2 집전부(217)가 위치하고 있다. 제2 집전부(217)는 제1 전극(213)과 교차하는 방향, 즉 제1 집전부(214)와 평행한 방향으로 형성된다.A plurality of second current collectors 217 are located on the same plane as the second electrode 216. The second current collector 217 is formed in a direction intersecting the first electrode 213, that is, in a direction parallel to the first current collector 214.

제2 집전부(217)는 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어지고, 제2 전극(216)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 제2 집전부(217)는 제2 전극(216)으로부터 전달되는 전하, 예를 들면 정공을 외부 장치로 출력한다.The second current collector 217 is made of at least one conductive material and is electrically connected to the second electrode 216. Accordingly, the second current collector 217 outputs a charge, for example, a hole, transmitted from the second electrode 216 to an external device.

제2 집전부(217)를 구성하는 도전성 금속 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다.The conductive metal material constituting the second current collector 217 may be at least one selected from the group consisting of Ni, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, (Ti), gold (Au), and combinations thereof, but may be made of other conductive metal materials.

이하, 태양전지 패널(200)의 전기적 연결 구조에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, the electrical connection structure of the solar cell panel 200 will be described in detail.

태양전지 패널(200)은 복수의 태양전지(210)가 위치하는 제1 영역(A1)과 제1 영역(A1)의 테두리에 위치하는 제2 영역(A2)을 포함하며, 제1 영역(A1)에는 복수의 태양전지(210)가 복수의 스트링(string) 형태로 배열된다. The solar cell panel 200 includes a first region A1 in which a plurality of solar cells 210 are located and a second region A2 located in a rim of the first region A1 and a first region A1 A plurality of solar cells 210 are arranged in a plurality of strings.

여기에서, 스트링은 복수의 태양전지(210)들이 일렬로 배열된 상태에서 전기적으로 연결된 최소 직렬군을 말한다. Here, the string refers to a minimum series group in which a plurality of solar cells 210 are arranged in a line and are electrically connected.

따라서, 도 1 및 도 3에 도시한 태양전지 모듈(100)은 6개의 스트링, 예컨대 제1 스트링 내지 제6 스트링(S1 내지 S6)을 가질 수 있다.Accordingly, the solar cell module 100 shown in Figs. 1 and 3 may have six strings, for example, first to sixth strings S1 to S6.

이하에서는 일정한 간격을 두고 이격되어 태양전지 패널(200)의 양쪽 외측에 각각 위치하는 스트링(S1, S6)을 각각 제1 외부 스트링(S1) 및 제2 외부 스트링(S6)이라 하며, 제1 외부 스트링(S1)과 제2 외부 스트링(S6) 사이에 위치하는 스트링들(S2 내지 S5)을 각각 제1 내부 스트링(S2), 제2 내부 스트링(S3), 제3 내부 스트링(S4) 및 제4 내부 스트링(S5)이라 한다.Hereinafter, the strings S1 and S6 spaced apart from each other by a predetermined distance and located on both sides of the solar cell panel 200 are referred to as a first outer string S1 and a second outer string S6, The strings S2 to S5 located between the string S1 and the second external string S6 are referred to as a first internal string S2, a second internal string S3, a third internal string S4, 4 Internal string (S5).

각각의 스트링(S1 내지 S6)에 배열된 복수의 태양전지(210)들은 인터커넥터(220)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.The plurality of solar cells 210 arranged in the strings S1 to S6 may be electrically connected by the interconnector 220. [

보다 구체적, 하나의 스트링, 예를 들어 제1 외부 스트링(S1) 내에서 세로 방향으로 서로 인접 배치된 복수의 태양전지(210)들 중 어느 한 태양전지의 제1 집전부(도 10 참조, 214)는 인접한 태양전지의 제2 집전부(도 10 참조, 217)와 인터커넥터(220a)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.More specifically, a first current collecting portion (see Fig. 10, 214) of any one of a plurality of solar cells 210 arranged adjacent to each other longitudinally in one string, for example, the first external string S1 May be electrically connected to the second current collecting part (see FIG. 10, 217) of the adjacent solar cell by the interconnector 220a.

그리고 제1 외부 스트링(S1)의 하부 쪽에 위치하는 인터커넥터(220a)는 다른 인터커넥터(222)에 의해 제1 내부 스트링(S2)의 하부 쪽에 위치하는 인터커넥터(220b)와 접속되고, 제2 내부 스트링(S3)의 하부 쪽에 위치하는 인터커넥터(220c)는 인터커넥터(222)에 의해 제3 내부 스트링(S4)의 하부 쪽에 위치하는 인터커넥터(220d)와 접속되며, 제4 내부 스트링(S5)의 하부 쪽에 위치하는 인터커넥터(220e)는 인터커넥터(222)에 의해 제2 외부 스트링(S6)의 하부 쪽에 위치하는 인터커넥터(220f)와 접속될 수 있다.The inter connecter 220a located on the lower side of the first outer string S1 is connected to the inter connector 220b located on the lower side of the first inner string S2 by the other inter connecter 222, The inter connecter 220c located below the inner string S3 is connected to the inter connector 220d located below the third inner string S4 by the inter connector 222 and the fourth inner string S5 The inter connecter 220e located at the lower side of the second outer string S6 may be connected to the inter connecter 220f located below the second outer string S6 by the inter connector 222. [

그리고 각 스트링(S1-S6)의 상부 쪽에 위치하는 인터커넥터(220a, 220b, 220c, 220d, 220c, 220f)에는 리드선(lead wire, LW)들이 연결될 수 있다.Lead wires (LW) may be connected to the interconnectors 220a, 220b, 220c, 220d, 220c, and 220f positioned on the upper side of the strings S1 to S6.

이하의 설명에서는 제1 외부 스트링(S1)의 상부 쪽에 위치한 인터커넥터(220a)에 연결되는 리드선을 제1 리드선(LW1)이라 하고, 제2 외부 스트링(S6)의 상부 쪽에 위치한 인터커넥터(220f)에 연결되는 리드선을 제2 리드선(LW2)이라 한다.The lead wire connected to the interconnector 220a located on the upper side of the first outer string S1 is referred to as a first lead wire LW1 and the interconnector 220f located on the upper side of the second outer string S6, Is referred to as a second lead wire (LW2).

그리고 제1 내부 스트링(S2) 및 제2 내부 스트링(S3)의 인터커넥터(220b, 220c)에 연결되는 리드선을 제3 리드선(LW3)이라 하고, 제3 내부 스트링(S4) 및 제4 내부 스트링(S5)의 인터커넥터(220d, 220e)에 연결되는 리드선을 제4 리드선(LW4)이라 한다.The leads connected to the interconnectors 220b and 220c of the first internal string S2 and the second internal string S3 are referred to as a third lead LW3 and the third internal string S4 and the fourth internal string S4, And the lead wire connected to the interconnectors 220d and 220e in the step S5 is referred to as a fourth lead wire LW4.

본 발명의 특징에 따르면, 제1 리드선 내지 제4 리드선(LW1 내지 LW4)은 태양전지 패널의 제2 영역(A2)에 위치하며, 인터커넥터 접속부(ICP, interconnector connection part) 및 정션박스 접속부(JCP, Junction box connection part)를 각각 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the first lead wire to the fourth lead wire LW1 to LW4 are located in the second area A2 of the solar cell panel and include an ICP (interconnector connection part) , And a junction box connection part, respectively.

그리고 제1 리드선 내지 제4 리드선(LW1 내지 LW4)은 서로 중첩하지 않으며, 제1 리드선 내지 제4 리드선(LW1 내지 LW4)의 인터커넥터 접속부(ICP)들은 복수의 스트링들(S1 내지 S6)과 교차하는 방향, 즉 인터커넥터(220a-220f)와 교차하는 방향으로 각각 배열될 수 있다.The first to fourth lead lines LW1 to LW4 do not overlap each other and the interconnecting connection portions ICP of the first to fourth lead lines LW1 to LW4 intersect with the plurality of strings S1 to S6, Respectively, that is, in directions intersecting with the interconnectors 220a-220f.

따라서, 리드선들(LW1 내지 LW4)을 태양전지들과 절연하기 위한 절연 튜브 또는 절연 필름을 사용할 필요가 없으므로, 절연 튜브 또는 절연 필름의 손상으로 인한 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.Therefore, since it is not necessary to use an insulating tube or an insulating film for insulating the lead wires LW1 to LW4 from the solar cells, the reliability of the insulating tube or the insulating film can be prevented from deteriorating.

이때, 리드선들(LW1 내지 LW4)은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있고, 이들 도전성 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au), 납(Pb) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다. 본실시예에서, 리드선들(LW1 내지 LW4)은 주석(Sn)의 함량이 약 60 중량%이고, 납(Pb)의 함량이 약 40 중량%이며 용융점이 약 229℃인 도전성 물질 또는 구리(Cu)의 함량이 약 99.9 중량%이고 용융점이 약 1083℃인 도전성 물질로 이루어질 수 있다.The lead wires LW1 to LW4 are made of at least one conductive material and may be formed of at least one selected from the group consisting of Ni, Cu, Ag, Al, Sn, (Zn), indium (In), titanium (Ti), gold (Au), lead (Pb) and combinations thereof but may be made of other conductive metal materials. In this embodiment, the lead wires LW1 to LW4 are made of a conductive material having a tin (Sn) content of about 60 wt%, a lead (Pb) content of about 40 wt% and a melting point of about 229 DEG C, ) Of about 99.9% by weight and a melting point of about 1083 ° C.

한편, 제1 내지 제4 리드선들(LW1 내지 LW4)은 각각 1개의 정션박스 접속부(JCP)를 구비할 수 있다. 그리고 제1 리드선 내지 제4 리드선(LW1 내지 LW4)의 정션박스 접속부(JCP)들은 인터커넥터(220a-220f)와 평행한 방향으로 배열되는 부분과 인터커넥터(220a-220f)와 교차하는 방향으로 배열되는 부분을 포함할 수 있다. 이러한 구성에 따른 제1 리드선 내지 제4 리드선(LW1 내지 LW4)의 정션박스 접속부(JCP)들은 계단 형상으로 형성될 수 있다.Meanwhile, each of the first through fourth lead wires LW1 through LW4 may include one junction box junction (JCP). The junction box junctions JCP of the first to fourth lead lines LW1 to LW4 are arranged in a direction parallel to the interconnectors 220a to 220f and in a direction intersecting the interconnectors 220a to 220f And < / RTI > The junction box junctions JCP of the first lead wire to the fourth lead wire LW1 to LW4 according to such a configuration may be formed in a stepped shape.

이하, 리드선들(LW1 내지 LW4)과 정션박스(300) 간의 연결 구조에 대해 설명한다.Hereinafter, a connection structure between the lead wires LW1 to LW4 and the junction box 300 will be described.

도 4는 도 3에 도시한 리드선들과 정션박스 간의 연결 구조를 나타내는 주요부 확대도이고, 도 5는 도 1에 도시한 정션박스의 내부 구성을 나타내는 개략도이다.FIG. 4 is an enlarged view of a main part showing the connection structure between the lead wires and the junction box shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a schematic view showing the internal structure of the junction box shown in FIG.

태양전지 패널(200)의 제2 영역(A2)으로 후면 시트의 후면에는 하나의 정션박스(300)이 위치할 수 있다.One junction box 300 may be located in the second area A2 of the solar panel 200 on the rear surface of the rear sheet.

정션박스(300)는 제1 외부 스트링(S1)과 제1 내부 스트링(S2)의 중간 지점에 위치한다. 이때, 정션박스(300)는 3개의 바이패스 다이오드(BD)와 연결되는 복수의 단자판(310)을 구비할 수 있다.The junction box 300 is located midway between the first outer string S1 and the first inner string S2. At this time, the junction box 300 may include a plurality of terminal boards 310 connected to three bypass diodes BD.

제1 리드선(LW1)의 인터커넥터 접속부(ICP)는 제1 외부 스트링(S1)에 구비된 인터커넥터(220a)를 연결하며, 인터커넥터 접속부(ICP)와 연결된 정션박스 접속부(JCP)는 정션박스(300)에 구비된 단자판(310)의 한쪽 단자와 접속된다.The junction connector ICP of the first lead wire LW1 connects the inter connecter 220a of the first external string S1 and the junction box connector JCP connected to the inter connector connector ICP is connected to the junction box And is connected to one terminal of the terminal plate 310 provided in the connector 300.

이와 마찬가지로, 제2 리드선(LW2)의 인터커넥터 접속부(ICP)는 제2 외부 스트링(S6)에 구비된 인터커넥터(220f)를 연결하며, 인터커넥터 접속부(ICP)와 연결된 정션박스 접속부(JCP)는 정션박스(300)에 구비된 단자판(310)의 한쪽 단자와 접속될 수 있다.Likewise, the interconnector ICP of the second lead LW2 connects the interconnector 220f provided in the second external string S6 and the junction box connector JCP connected to the interconnector ICP, May be connected to one terminal of the terminal plate 310 provided in the junction box 300. [

그리고 제3 리드선(LW3)의 인터커넥터 접속부(ICP)는 제1 내부 스트링(S2)과 제2 내부 스트링(S3)에 구비된 인터커넥터들(220b, 220c)을 연결하며, 인터커넥터 접속부(ICP)와 정션박스 접속부(JCP)는 정션박스(300)에 구비된 단자판(310)의 한쪽 단자와 접속될 수 있다.The interconnection ICP of the third lead LW3 connects the first internal string S2 and the inter connectors 220b and 220c provided in the second internal string S3, And the junction box connection unit JCP may be connected to one terminal of the terminal plate 310 provided in the junction box 300. [

이와 마찬가지로, 제4 리드선(LW4)의 인터커넥터 접속부(ICP)는 제3 내부 스트링(S4)과 제4 내부 스트링(S5)에 구비된 인터커넥터들(220d, 220e)을 연결하며, 인터커넥터 접속부(ICP)와 연결된 정션박스 접속부(JCP)는 정션박스(300)에 구비된 단자판(310)의 한쪽 단자와 접속될 수 있다.Likewise, the interconnecting connector ICP of the fourth lead LW4 connects the interconnects 220d and 220e provided in the third internal string S4 and the fourth internal string S5, (JCP) connected to the junction box (ICP) may be connected to one terminal of a terminal plate (310) provided in the junction box (300).

따라서, 정션박스(300)에서는 제1 전류, 예컨대 양(+)의 전류가 수집되고, 제2 전류, 예컨대 음(-)의 전류가 수집될 수 있다.Thus, in the junction box 300, a first current, e.g., a positive current, may be collected and a second current, e.g., a negative current, may be collected.

이에 따라, 그리고 단자판(310)의 한쪽 단자에는 케이블(CB)이 각각 접속되며, 각각의 케이블(CB)을 이웃하는 태양전지 모듈의 케이블과 전기적으로 연결될 수 있다.Accordingly, a cable CB is connected to one terminal of the terminal board 310, and each cable CB can be electrically connected to a cable of a neighboring solar cell module.

이하, 리드선(LW)과 정션박스(300)의 전기적 연결 구조 및 연결 방법에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the electrical connection structure and connection method of the lead wire LW and the junction box 300 will be described in detail.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 실시예에 따른 도 5에 도시한 정션박스와 리드선의 접속 전의 상태를 보여주기 위한 사시도이고, 도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시예에 따른 도 5에 도시한 정션박스와 리드선의 접속 후의 상태를 보여주기 위한 사시도이며, 도 8a 및 도 8b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 5에 도시한 정션박스와 리드선의 접속 후의 상태를 보여주기 위한 사시도이다.FIGS. 6A and 6B are perspective views showing a state before the connection of the junction box and the lead wire shown in FIG. 5 according to the embodiment of the present invention, and FIGS. 7A and 7B are cross- 8A and 8B are perspective views showing a state after connection of the junction box and the lead wire shown in FIG. 5 according to another embodiment of the present invention. FIG. 8A and FIG. 8B are perspective views showing a state after connection of a junction box and lead wires.

도 6a에 도시한 바와 같이, 정션박스(300)는 인터커넥터(220)의 한쪽 단부 즉, 리드선(LW)과 연결되는 전극부(311)를 구비할 수 있다.6A, the junction box 300 may include an electrode portion 311 connected to one end of the interconnector 220, that is, the lead wire LW.

이에, 리드선(LW)과 전극부(311)는 도전성 접합부(51)를 통해 전기적 및 물리적으로 연결될 수 있다. 이때, 리드선(LW)은 적어도 하나의 홀(H)을 포함할 수 있다.Thus, the lead wire LW and the electrode portion 311 can be electrically and physically connected through the conductive joint portion 51. At this time, the lead wire LW may include at least one hole H.

본 실시예에서, 리드선(LW)의 폭은 홀(H)의 지름보다 크게 형성될 수 있다. 예를 들어, 리드선(LW)의 최대 폭(W2)은 약 5mm이고, 홀(H)의 최대 지름(W1)은 약 2mm일 수 있다.In this embodiment, the width of the lead wire LW may be formed larger than the diameter of the hole H. [ For example, the maximum width W2 of the lead wire LW may be about 5 mm, and the maximum diameter W1 of the hole H may be about 2 mm.

한편, 본 실시예에서는 홀(H)이 한 개의 단수로 형성되었지만, 이에 한정되지 않고 도 8a 및 도 8b에 도시한 바와 같이, 홀(H)이 복수개로 형성될 수도 있다.In the present embodiment, the holes H are formed in a single number, but the present invention is not limited thereto. As shown in FIGS. 8A and 8B, a plurality of holes H may be formed.

도 7a 및 도 7b에 도시한 바와 같이, 도전성 접합부(51)는 리드선(LW)과 전극부(311) 사이에 위치하는 제1 도전성 접합부(510)와 리드선(LW)의 홀(H)을 통해 리드선(LW)의 상부에 덮여서 위치하는 제2 도전성 접합부(512)를 포함할 수 있다. 이때, 제2 도전성 접합부(512)는 리드선(LW)의 상부 전체면 또는 일부면에 위치할 수 있다.7A and 7B, the conductive joint portion 51 is electrically connected to the first conductive joint portion 510 located between the lead wire LW and the electrode portion 311 and the hole H of the lead wire LW And a second conductive bonding portion 512 that is covered and positioned on the top of the lead wire LW. At this time, the second conductive connection part 512 may be located on the entire upper surface or a part of the surface of the lead wire LW.

이때, 도전성 접합부(51)는 리드선(LW)과 동일한 도전성 물질 또는 서로 상이한 물질로 이루어 질 수 있다. 예를 들어, 도전성 접합부(51)는 주석(Sn)의 함량이 약 99.3 중량%이고, 구리(Cu)의 함량이 약 0.7 중량%이며 용융점이 약 229℃인 도전성 물질로 이루어질 수 있고, 리드선(LW)은 주석(Sn)의 함량이 약 60 중량%이고, 납(Pb)의 함량이 약 40 중량%이며 용융점이 약 229℃인 도전성 물질 또는 구리(Cu)의 함량이 약 99.9 중량%이고 용융점이 약 1083℃인 도전성 물질로 이루어질 수 있다.At this time, the conductive joints 51 may be made of the same conductive material or different materials as the lead wires LW. For example, the conductive joint 51 may be made of a conductive material having a tin (Sn) content of about 99.3 wt%, a copper (Cu) content of about 0.7 wt% and a melting point of about 229 DEG C, LW) has a content of tin (Sn) of about 60 wt%, a content of lead (Pb) of about 40 wt% and a melting point of about 229 DEG C or copper (Cu) of about 99.9 wt% Lt; RTI ID = 0.0 > 1083 C. < / RTI >

한편, 도전성 접합부(51)에 함유된 도전성 물질의 용융점은 리드선(LW)에 함유된 도전성 물질의 용융점보다 높을 수 있다. 이는, 리드선(LW)과 전극부(311)를 접속시키기 위해 솔더링 공정을 수행할 때 가해지는 열에 의해 리드선(LW)은 용융되지 않고 금속 솔더(50)만 용융되어 리드선(LW)과 전극부(311) 및 리드선(LW)의 홀(H)을 통해 리드선(LW)의 상부에 도전성 접합부(51)가 위치할 수 있다.On the other hand, the melting point of the conductive material contained in the conductive joint portion 51 may be higher than the melting point of the conductive material contained in the lead wire LW. This is because the lead wire LW is not melted and only the metal solder 50 is melted by the heat applied when performing the soldering process to connect the lead wire LW and the electrode portion 311 to form the lead wire LW and the electrode portion 311 and the hole H of the lead wire LW so that the conductive joint portion 51 can be located on the lead wire LW.

이에 따라, 리드선(LW)의 홀(H)을 도전성 접합부(51)가 리드선(LW)과 전극부(311) 및 리드선(LW)의 상부면에 위치함으로써 리드선(LW)과 전극부(311) 사이의 결합력이 향상되고, 접촉 저항이 감소될 수 있다. 이에, 태양 전지 모듈(100)의 효율이 증가할 수 있다.The hole H of the lead wire LW is positioned on the upper surface of the lead wire LW and the electrode portion 311 and the lead wire LW so that the lead wire LW and the electrode portion 311 are electrically connected, And the contact resistance can be reduced. Thus, the efficiency of the solar cell module 100 can be increased.

종래에는 정션박스의 전극부 위에 위치하는 솔더를 용융시켜 리드선과 정션박스를 전기적으로 연결하기 위해 리드선에 직접 열을 가했다. 즉, 리드선과 전극부를 연결하기 위해 리드선에 직접 열을 가해서 전극부 위에 위치하는 솔더를 용융시킴으로써, 리드선과 전극부를 전기적 및 물리적으로 연결할 수 있었다. 이에 따라, 전극부 위에 위치하는 솔더에 열을 전달하기 위해 리드선 상부를 직접 가열함으로써 솔더까지 열이 전달되는데 어려움이 발생하여 솔더의 용융이 원활히 이루어지지 않아 리드선과 전극부 사이의 결합력이 다소 감소하는 문제점이 발생할 수 있었다. 더욱이, 용융된 솔더가 리드선과 전극부 사이에만 위치할 수 있음으로써, 리드선과 전극부 사이의 결합력이 더욱 감소할 수 있다.Conventionally, the solder located on the electrode portion of the junction box is melted and directly heated to the lead wire to electrically connect the lead wire to the junction box. That is, by directly heating the lead wire to connect the lead wire and the electrode portion, the lead wire and the electrode portion can be electrically and physically connected by melting the solder located on the electrode portion. Accordingly, it is difficult to transfer heat to the solder by directly heating the upper portion of the lead wire in order to transmit heat to the solder located on the electrode portion, so that the solder is not melted smoothly and the bonding force between the lead wire and the electrode portion is somewhat reduced Problems could arise. Moreover, since the molten solder can be positioned only between the lead wire and the electrode portion, the bonding force between the lead wire and the electrode portion can be further reduced.

하지만, 본 실시예와 같이 리드선(LW)이 적어도 하나의 홀(H)을 포함함으로써, 적어도 하나의 홀(H)을 통해 리드선(LW)과 전극부(311) 사이에 위치하는 솔더(50)에만 열을 직접 전달함으로써, 열 전달 장애 없이 솔더(50)가 용이하게 용융되어 리드선(LW)과 전극부(311) 사이의 결합력을 증가시킬 수 있다. 더욱이, 리드선(LW)의 적어도 하나의 홀(H)을 통해 용융된 솔더(50)가 리드선(LW)의 상부 전체면 또는 일부면에 위치함으로써, 리드선(LW)과 전극부(311) 사이의 결합력은 더욱 더 향상될 수 있다.However, since the lead wire LW includes at least one hole H as in the present embodiment, the solder 50 positioned between the lead wire LW and the electrode portion 311 through the at least one hole H, The solder 50 can be easily melted without heat transfer hindrance to increase the bonding force between the lead wire LW and the electrode portion 311. [ The solder 50 melted through the at least one hole H of the lead wire LW is located on the entire upper surface or a part of the upper surface of the lead wire LW so that the distance between the lead wire LW and the electrode portion 311 The bonding force can be further improved.

앞서 설명한 도전성 접합부(51)는 솔더링 공정에 의해 형성될 수 있다.The conductive bonding portion 51 described above can be formed by a soldering process.

구체적으로, 도 6a 및 도 6b에 도시한 것처럼, 인터커넥터(220)와 정션박스(300)를 전기적으로 연결하기 위해 전극부(311) 위에 금속 솔더(50)를 도포하고, 금속 솔더(50) 위에 홀(H)을 구비한 리드선(LW)을 위치시킬 수 있다.6A and 6B, the metal solder 50 is coated on the electrode portion 311 to electrically connect the interconnector 220 and the junction box 300, and the metal solder 50 is coated on the electrode portion 311, The lead wire LW having the hole H can be positioned thereon.

이때, 금속 솔더(50)는 용융점이 약 200℃ 이상인 도전성 물질로서 고체 상태로 이루어질 수 있다. 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 도전성 물질로 이루어 질 수 있다. At this time, the metal solder 50 is a conductive material having a melting point of about 200 ° C or higher and can be made into a solid state. (Au), or a combination of these materials, for example, nickel (Ni), copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), tin (Sn), zinc (Zn), indium And may be made of a conductive material.

그리고, 리드선(LW)은 용융점이 약 1000℃ 이상인 도전성 물질로서, 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au), 납(Pb) 및 이들의 조합으로 이루어진 도전성 물질로 이루어 질 수 있다. The lead wire LW is a conductive material having a melting point of about 1000 ° C or higher and is made of at least one selected from the group consisting of Ni, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, ), Titanium (Ti), gold (Au), lead (Pb), and combinations thereof.

본 실시예에서, 금속 솔더(50)는 주석(Sn)의 함량이 약 99.3 중량%이고, 구리(Cu)의 함량이 약 0.7 중량%이며 용융점이 약 229℃일 수 있고, 리드선(LW)은 주석(Sn)의 함량이 약 60 중량%이고, 납(Pb)의 함량이 약 40 중량%이며 용융점이 약 229℃인 도전성 물질 또는 구리(Cu)의 함량이 약 99.9 중량%이고 용융점이 약 1083℃인 도전성 물질로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the metal solder 50 may have a tin (Sn) content of about 99.3 wt%, a copper (Cu) content of about 0.7 wt% and a melting point of about 229 DEG C, The conductive material or copper (Cu) having a tin (Sn) content of about 60 wt%, a lead (Pb) content of about 40 wt% and a melting point of about 229 DEG C is about 99.9 wt% Lt; 0 > C.

다음으로, 도 7a 및 도 7b에 도시한 것처럼, 인두기(미도시)를 이용하여 360에서 금속 솔더(50)를 열처리하여 용융시켜 도전성 접합부(51)를 형성할 수 있다.Next, as shown in FIGS. 7A and 7B, the metal solder 50 is heat-treated at 360 by using a soldering iron (not shown) and melted to form the conductive joint portion 51.

도전성 접합부(51)는 리드선(LW)과 전극부(311) 사이 및 리드선(LW)의 홀(H)을 통해 리드선(LW)의 상부에 위치하는 도전성 접합부(51)를 포함할 수 있다. 이때, 제2 도전성 접합부(512)는 리드선(LW)의 상부 전체면 또는 일부면에 위치할 수 있다.The conductive bonding portion 51 may include a conductive bonding portion 51 located between the lead wire LW and the electrode portion 311 and over the lead wire LW through the hole H of the lead wire LW. At this time, the second conductive connection part 512 may be located on the entire upper surface or a part of the surface of the lead wire LW.

한편, 앞서 살펴본 바와 같이, 리드선(LW)의 홀(H)은 도 8a 및 도 8b에 도시한 바와 같이, 홀(H)이 복수개로 형성될 수도 있다.As described above, the holes H of the lead wire LW may be formed in a plurality of holes H, as shown in FIGS. 8A and 8B.

도전성 접합부(51a)는 리드선(LW)과 전극부(311) 사이에 위치하는 제1 도전성 접합부(510a)와 리드선(LW)의 복수개의 홀(H)을 통해 리드선(LW)의 상부에 덮여서 위치하는 제2 도전성 접합부(512a)를 포함할 수 있다. 이때, 제2 도전성 접합부(512a)는 리드선(LW)의 상부 전체면 또는 일부면에 위치할 수 있다.The conductive joint portion 51a is covered on the upper portion of the lead wire LW through the first conductive joint portion 510a located between the lead wire LW and the electrode portion 311 and the plurality of holes H of the lead wire LW And a second conductive connection 512a positioned therein. At this time, the second conductive connection part 512a may be located on the entire upper surface or a part of the surface of the lead wire LW.

이와 같이 홀(H)이 복수개로 형성됨으로써, 하나의 홀(H)로 형성될 때보다 정션박스(300)와 리드선(LW) 사이의 결합력이 더욱 향상될 수 있다. 이에 따라, 정션박스(300)와 리드선(LW)사이의 접촉 저항이 감소하여 태양 전지의 효율이 극대화 될 수 있다.Since the plurality of holes H are formed in this manner, the coupling force between the junction box 300 and the lead wire LW can be further improved as compared with when the holes H are formed by one hole H. Accordingly, the contact resistance between the junction box 300 and the lead wire LW is reduced, thereby maximizing the efficiency of the solar cell.

본 실시예에서, 도전성 접합부(51)는 인두기(미도시)를 이용한 솔더링 공정에 의해 형성될 수 있다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 다른 열발생기를 이용하여 솔더링 공정일 수행될 수 있다.In this embodiment, the conductive joint portion 51 can be formed by a soldering process using a soldering iron (not shown). However, the present invention is not limited to this and can be performed by a soldering process using another heat generator.

이때, 금속 솔더(50)는 인두기에 의해서 용융되고, 리드선(LW)은 인두기에 의해 용융되지 않도록 금속 솔더(50)에 함유된 도전성 물질의 용융점은 리드선(LW)에 함유된 도전성 물질의 용융점보다 높을 수 있다.At this time, the melting point of the conductive material contained in the metal solder 50 is set to be higher than the melting point of the conductive material contained in the lead wire LW so that the metal solder 50 is melted by the soldering iron and the lead wire LW is not melted by the soldering iron Can be high.

이하, 정션박스(300)와 리드선(LW)의 접속 상태를 상세히 설명한다.Hereinafter, the connection state of the junction box 300 and the lead wire LW will be described in detail.

단자판(310)의 구체적인 구성은 도 9a 및 도 9b에 보다 상세히 도시되어 있다.The specific configuration of the terminal board 310 is shown in more detail in Figs. 9A and 9B.

도 9a 및 도 9b에 도시한 바와 같이, 단자판(310)은 태양 전지 모듈(100)의 리드선(LW)이 접속되는 전극부(311) 및 리드선 접속부(312), 다이오드(BD)가 접속되는 다이오드 접속부(313), 케이블(CB)이 접속되는 외부 케이블 접속부(314)를 포함할 수 있다.9A and 9B, the terminal plate 310 includes an electrode portion 311 and a lead wire connecting portion 312 to which the lead wire LW of the solar cell module 100 is connected, a diode connected to the diode BD, A connection portion 313, and an external cable connection portion 314 to which the cable CB is connected.

전극부(311)는 리드선(LW)의 폭을 수용할 수 있도록 형성될 수 있다.The electrode portion 311 may be formed to accommodate the width of the lead wire LW.

리드선 접속부(312)는 리드선(LW)의 길이 방향을 따라 형성되며 리드선(LW)이 원활히 접속될 수 있도록 탄성을 갖질 수 있다.The lead wire connecting portion 312 is formed along the longitudinal direction of the lead wire LW and can have elasticity so that the lead wire LW can be smoothly connected.

다이오드 접속부(313)는 단자판(310)의 길이 방향을 따라 형성되며, 다이오드(DB)가 연결되는 홈을 포함할 수 있다.The diode connection portion 313 is formed along the longitudinal direction of the terminal plate 310 and may include a groove to which the diode DB is connected.

외부 케이블 접속부(314)는 체결 볼트(미도시)가 삽입될 수 있는 너트 구멍이 형성되어 있으며, 너트 구멍을 통해 케이블(CB)을 연결할 수 있다.The external cable connection part 314 is formed with a nut hole into which a fastening bolt (not shown) can be inserted, and can connect the cable CB through the nut hole.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 않으며, 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

100: 태양전지 모듈 200: 태양전지 패널
210: 태양전지 220: 인터커넥터
230: 보호막 240: 투명 부재
250: 후면 시트 260: 절연 필름
300: 정션박스 310: 단자판
400: 프레임 BD: 바이패스 다이오드
LW1-LW4: 제1-제4 리드선 50: 금속 솔더
51: 도전성 접합부
100: solar cell module 200: solar cell panel
210: solar cell 220: interconnect connector
230: protective film 240: transparent member
250: rear sheet 260: insulating film
300: junction box 310: terminal board
400: frame BD: bypass diode
LW1-LW4: first-fourth lead wire 50: metal solder
51: Conductive joint

Claims (21)

제1 방향으로 배열된 복수의 태양 전지들을 전기적으로 연결하여 형성한 스트링(string)을 복수개 구비하는 태양 전지 패널;
각 스트링 내에서 복수의 태양 전지들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터; 및
상기 복수의 태양 전지들에서 생성된 전력을 수집하는 정션박스(junction box);
상기 인터커넥터의 한쪽 단부와 상기 정션박스의 전극부를 서로 전기적으로 연결하는 리드선;
상기 리드선과 상기 전극부 사이에 위치하는 도전성 접합부를 포함하고,
상기 도전성 접합부와 접촉하는 상기 리드선의 한쪽 단부는 적어도 하나의 홀을 가지며,
상기 도전성 접합부는 상기 적어도 하나의 홀의 내부를 채우며, 상기 리드선의 상부면 전체를 덮고 있고,
상기 적어도 하나의 홀의 최대 지름은 2mm인 태양 전지 모듈.
A solar cell panel comprising: a plurality of strings formed by electrically connecting a plurality of solar cells arranged in a first direction;
An interconnect for electrically connecting a plurality of solar cells within each string; And
A junction box for collecting power generated in the plurality of solar cells;
A lead wire electrically connecting one end of the interconnector to an electrode of the junction box;
And a conductive joint portion positioned between the lead wire and the electrode portion,
One end of the lead wire contacting the conductive joint has at least one hole,
The conductive joint fills the interior of the at least one hole and covers the entire upper surface of the lead wire,
And the maximum diameter of the at least one hole is 2 mm.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 적어도 하나의 홀은 복수개인 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the at least one hole has a plurality of holes.
제1항에 있어서,
상기 리드선의 최대 폭은 5mm인 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
And the maximum width of the lead wire is 5 mm.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 도전성 접합부와 상기 리드선은 서로 동일한 물질로 이루어지는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the conductive joint and the lead wire are made of the same material.
제9항에 있어서,
상기 도전성 접합부에 함유된 제1 도전성 물질의 용융점은 상기 리드선에 함유된 제2 도전성 물질의 용융점보다 낮은 태양 전지 모듈.
10. The method of claim 9,
Wherein a melting point of the first conductive material contained in the conductive joint is lower than a melting point of the second conductive material contained in the lead wire.
제10항에 있어서,
상기 제1 도전성 물질의 용융점은 200℃이상인 태양 전지 모듈.
11. The method of claim 10,
Wherein the first conductive material has a melting point of 200 ° C or higher.
제10항에 있어서,
상기 제2 도전성 물질의 용융점은 1000℃이상인 태양 전지 모듈.
11. The method of claim 10,
And the second conductive material has a melting point of 1000 ° C or higher.
제1항에 있어서,
상기 도전성 접합부와 상기 리드선은 서로 상이한 도전성 물질로 이루어지는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the conductive connection portion and the lead wire are made of a conductive material different from each other.
제13항에 있어서,
상기 도전성 접합부에 함유된 제1 도전성 물질의 용융점은 상기 리드선에 함유된 제2 도전성 물질의 용융점보다 낮은 태양 전지 모듈.
14. The method of claim 13,
Wherein a melting point of the first conductive material contained in the conductive joint is lower than a melting point of the second conductive material contained in the lead wire.
제14항에 있어서,
상기 제1 도전성 물질의 용융점은 200℃이상인 태양 전지 모듈.
15. The method of claim 14,
Wherein the first conductive material has a melting point of 200 ° C or higher.
제14항에 있어서,
상기 제2 도전성 물질의 용융점은 1000℃이상인 태양 전지 모듈.
15. The method of claim 14,
And the second conductive material has a melting point of 1000 ° C or higher.
제1항에 있어서,
상기 리드선은
상기 스트링의 일측 끝단에 위치하는 제1 외부 태양 전지의 인터커넥터와 상기 정션박스를 전기적으로 연결하는 제1 리드선과,
상기 스트링의 타측 끝단에 위치하는 제2 외부 태양 전지의 인터커넥터와 상기 정션박스를 전기적으로 연결하는 제2 리드선과,
상기 스트링의 가운데 위치하는 제1 내부 태양 전지의 인터커넥터와 상기 정션박스를 전기적으로 연결하는 제3 리드선과,
상기 스트링의 가운데 위치하는 제2내부 태양 전지의 인터커넥터와 상기 정션박스를 전기적으로 연결하는 제4 리드선을 포함하는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
The lead wire
A first lead wire electrically connecting the junction box of the first external solar cell located at one end of the string to the junction box,
A second lead wire electrically connecting the junction box of the second external solar cell located at the other end of the string to the junction box,
A third lead line for electrically connecting the junction box of the first internal solar cell located at the center of the string with the junction box,
And a fourth lead wire electrically connecting the junction box of the second internal solar cell located at the center of the string with the junction box.
제17항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 리드선을 서로 중첩하지 않는 태양 전지 모듈.
18. The method of claim 17,
Wherein the first to fourth leads are not overlapped with each other.
제17항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 리드선은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 뻗어 있는 인터커넥터 접속부와, 상기 인터커넥터 접속부와 연결되며 상기 제1 방향으로 뻗어 있는 정션박스 접속부를 포함하는 태양 전지 모듈.
18. The method of claim 17,
Wherein the first through fourth lead wires extend in a second direction intersecting with the first direction and a junction box connecting portion connected to the inter connector connecting portion and extending in the first direction.
제1항에 있어서,
상기 태양 전지 패널은 상기 복수의 스트링이 위치하는 제1 영역 및 상기 제1 영역의 테두리에 위치하는 제2 영역을 포함하는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the solar cell panel includes a first region where the plurality of strings are located and a second region located at a rim of the first region.
제20항에 있어서,
상기 정션박스는 상기 제2 영역에 위치하는 태양 전지 모듈.
21. The method of claim 20,
And the junction box is located in the second region.
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