KR101999597B1 - Organic Light Emitting diode display and methods of manufacturing and driving the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 대응되는 화소의 구동소자 특성을 검출하기 위한 다수의 센싱배선을 포함하는 유기발광패널을 제조하는 단계와; 정전용량검출부를 사용하여 상기 센싱배선 별 정전용량을 검출하는 단계를 포함하고, 상기 센싱배선 별 정전용량을 검출하는 단계는, 상기 센싱배선에 프리차지전압을 인가하는 단계와; 상기 프리차지전압이 인가된 후, 정전류를 흘려 상기 센싱배선의 전압을 방전하는 단계와; 상기 방전된 센싱배선의 전압을 센싱하는 단계와; 상기 프리차지전압 및 센싱된 전압과, 상기 정전류와, 상기 프리차지전압 인가 시간과 상기 센싱된 전압의 센싱 시간을 사용하여, 상기 센싱배선의 정전용량을 연산하는 단계를 포함하는 유기발광소자표시장치 제조방법을 제공한다.The present invention provides a method of manufacturing an organic light emitting display, comprising: fabricating an organic luminescent panel including a plurality of sensing lines for detecting driving characteristics of a corresponding pixel; Detecting a capacitance of each sensing wiring by using a capacitance detection unit, wherein the step of detecting the capacitance of each sensing wiring includes the steps of: applying a precharge voltage to the sensing wiring; Discharging a voltage of the sensing wiring by flowing a constant current after the precharge voltage is applied; Sensing a voltage of the discharged sensing wiring; Calculating the capacitance of the sensing wiring using the pre-charge voltage and the sensed voltage, the constant current, the pre-charge voltage application time, and the sensing time of the sensed voltage, And a manufacturing method thereof.
Description
본 발명은 유기발광소자표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 유기발광소자표시장치 및 그 제조방법과 구동방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD : liquid crystal display), 플라즈마표시장치(PDP : plasma display panel), 유기발광소자표시장치 (OLED : organic light emitting diode display)와 같은 여러가지 평판표시장치(flat display device)가 활용되고 있다.2. Description of the Related Art [0002] As an information-oriented society develops, demands for a display device for displaying an image have increased in various forms. Recently, a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP) Various flat display devices such as organic light emitting diode (OLED) display devices have been utilized.
이들 평판표시장치 중에서, 유기발광소자표시장치는 소형화, 경량화, 박형화, 저전력 구동의 장점을 가지고 있어, 최근에 널리 사용되고 있다. Of these flat panel display devices, organic light emitting element display devices have recently been widely used because they have advantages of miniaturization, weight reduction, thinness, and low power driving.
유기발광소자표시장치로서는, 매트릭스형태로 배치된 화소 각각에 스위칭트랜지스터가 형성된 액티브매트릭스 타입(active matrix type)의 유기발광소자표시장치가 현재 보편적으로 사용되고 있다.As an organic light emitting diode display device, an active matrix type organic light emitting diode display device in which a switching transistor is formed in each of pixels arranged in a matrix form is widely used.
유기발광소자표시장치는, 구동트랜지스터에 인가된 데이터전압에 따라 발광전류가 발생되어 유기발광다이오드에 인가됨에 따라 발광하게 된다. In the organic light emitting diode display, a light emitting current is generated according to the data voltage applied to the driving transistor, and the organic light emitting diode emits light as it is applied to the organic light emitting diode.
유기발광소자표시장치는 여러가지 요인에 의해 트랜지스터나 유기발광다이오드와 같은 소자 특성에 편차가 발생할 수 있다. 이를 보상하기 위해, 외부보상 화소가 제안되었다. In the organic light emitting diode display device, variations in device characteristics such as transistors and organic light emitting diodes may occur due to various factors. To compensate for this, an external compensation pixel has been proposed.
이를 위해, 제조된 유기발광패널에 있어, 열라인 별로 데이터배선이나 별도의 센싱배선을 사용하여 소자 특성을 센싱하게 된다. 그런데, 이와 같은 센싱 과정에서 배선의 정전용량 편차로 인해, 보상 성능이 감소하게 된다. For this purpose, in the manufactured organic light emitting panel, device characteristics are sensed using data lines or separate sensing lines for each line. However, due to the capacitance variation of the wiring in the sensing process, the compensation performance is reduced.
이와 관련하여 데이터배선을 센싱배선으로 사용하는 경우를 예를 들면, 비표시영역에서 데이터IC와 연결되는 데이터배선부분 즉 링크부는 전원배선 등의 여타 배선과 중첩되어, 이들 사이에 정전용량이 발생하게 된다. 그런데, 데이터배선의 위치에 따라 중첩 면적이 상이하여, 정전용량의 편차가 유발될 수 있게 된다. 또한, 공정상 요인 등에 의해, 데이터배선 사이에도 정전용량의 차이가 발생하게 된다.In this case, for example, when the data wiring is used as the sensing wiring, the data wiring portion connected to the data IC in the non-display region, that is, the link portion is overlapped with other wiring such as power supply wiring, do. However, the overlapping area differs depending on the position of the data line, so that a variation in the capacitance can be caused. In addition, due to factors such as the process, there is also a difference in capacitance between the data wirings.
이와 관련하여 도 1을 참조할 수 있는데, 도 1은 유기발광소자표시장치에서 데이터배선 사이의 정전용량 편차를 나타낸 도면이다. 도 1에서는 다수의 데이터IC(D-IC1 내지 D-IC3)를 사용한 경우를 예로 들어 도시하였다.In this regard, FIG. 1 can be referred to FIG. 1, which shows a capacitance variation between data lines in an OLED display. In FIG. 1, a case where a plurality of data ICs (D-IC1 to D-IC3) are used is shown as an example.
이와 같은 정전용량의 편차에 의해 소자 특성 센싱값에 편차가 발생하게 되어, 소자 특성 보상시 세로띠 형태의 휘도 불균일이 발생하게 된다.
Such variations in the capacitance cause variation in the device characteristic sensing value, resulting in luminance unevenness in the form of a vertical band when the device characteristics are compensated.
본 발명은, 유기발광소자표시장치에서 데이터배선의 정전용량 편차를 보상하여 화질을 개선할 수 있는 방안을 제공하는 데 과제가 있다.
Disclosure of the Invention Problems to be Solved by the Invention The present invention has a problem to provide a method for compensating a capacitance variation of a data line in an organic light emitting diode display device to improve image quality.
전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 대응되는 화소의 구동소자 특성을 검출하기 위한 다수의 센싱배선을 포함하는 유기발광패널을 제조하는 단계와; 정전용량검출부를 사용하여 상기 센싱배선 별 정전용량을 검출하는 단계를 포함하고, 상기 센싱배선 별 정전용량을 검출하는 단계는, 상기 센싱배선에 프리차지전압을 인가하는 단계와; 상기 프리차지전압이 인가된 후, 정전류를 흘려 상기 센싱배선의 전압을 방전하는 단계와; 상기 방전된 센싱배선의 전압을 센싱하는 단계와; 상기 프리차지전압 및 센싱된 전압과, 상기 정전류와, 상기 프리차지전압 인가 시간과 상기 센싱된 전압의 센싱 시간을 사용하여, 상기 센싱배선의 정전용량을 연산하는 단계를 포함하는 유기발광소자표시장치 제조방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display comprising: an organic light emitting panel including a plurality of sensing wirings for detecting a driving element characteristic of a corresponding pixel; Detecting a capacitance of each sensing wiring by using a capacitance detection unit, wherein the step of detecting the capacitance of each sensing wiring includes the steps of: applying a precharge voltage to the sensing wiring; Discharging a voltage of the sensing wiring by flowing a constant current after the precharge voltage is applied; Sensing a voltage of the discharged sensing wiring; Calculating the capacitance of the sensing wiring using the pre-charge voltage and the sensed voltage, the constant current, the pre-charge voltage application time, and the sensing time of the sensed voltage, And a manufacturing method thereof.
여기서, 상기 정전용량검출부는, 상기 프리차지전압을 출력하는 디지털-아날로그변환기와; 상기 센싱배선의 전압을 센싱하는 아날로그-디지털변환기를 포함할 수 있다.Here, the electrostatic capacitance detecting unit may include a digital-to-analog converter for outputting the pre-charge voltage; And an analog-to-digital converter for sensing the voltage of the sensing wiring.
상기 정전용량검출부는, 상기 디지털-아날로그변환기와 상기 센싱배선 사이에 연결된 제1스위치와; 상기 아날로그-디지털변환기와 상기 센싱배선 사이에 연결된 제2스위치를 포함할 수 있다.The electrostatic capacitance detecting unit includes: a first switch connected between the digital-analog converter and the sensing line; And a second switch connected between the analog-digital converter and the sensing wiring.
상기 정전용량검출부는, 상기 아날로그-디지털변환기와 병렬 형태로 연결되며 상기 정전류를 발생하는 정전류원을 포함할 수 있다.The electrostatic capacity detecting unit may include a constant current source connected in parallel with the analog-to-digital converter and generating the constant current.
상기 센싱배선으로 데이터배선이 사용될 수 있다.The data wiring may be used as the sensing wiring.
다른 측면에서, 본 발명은 유기발광소자표시장치의 구동방법에 있어서, 다수의 센싱배선에 각각 연결된 화소의 구동소자 특성을 보상하는 보상계수를, 상기 센싱배선 별 보정값에 따라 보정하는 단계와; 상기 센싱배선 별로 보정된 보상계수를 사용하여 영상신호를 보상하는 단계를 포함하고, 상기 센싱배선 별 보정값은 상기 센싱배선 별 정전용량에 따라 산출된 값인 유기발광소자표시장치의 구동방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of driving an OLED display device, comprising: correcting a compensation coefficient for compensating a driving device characteristic of a pixel connected to each of a plurality of sensing wirings, according to the correction value for each sensing wiring; And compensating the image signal using the compensation coefficient corrected for each sensing wiring, wherein the correction value for each sensing wiring is a value calculated according to the capacitance of each sensing wiring, thereby providing a driving method of the OLED display .
여기서, 상기 센싱배선 별 정전용량은, 상기 센싱배선에 프리차지전압(Vpre)을 인가하고; 상기 프리차지전압이 인가된 후, 정전류를 흘려 상기 센싱배선의 전압을 방전하고; 상기 방전된 센싱배선의 전압(Vsen)을 센싱하고; 상기 프리차지전압 및 센싱된 전압과, 상기 정전류와, 상기 프리차지전압 인가 시간과 상기 센싱된 전압의 센싱 시간을 사용하여, 상기 센싱배선의 정전용량을 연산함으로써 검출될 수 있다.Here, the capacitance of each sensing wiring may be determined by: applying a precharge voltage Vpre to the sensing wiring; Discharging the voltage of the sensing wiring by flowing a constant current after the precharge voltage is applied; Sensing a voltage (Vsen) of the discharged sensing wiring; The precharge voltage application time, the precharge voltage and the sensed voltage, the constant current, the precharge voltage application time, and the sensing time of the sensed voltage.
또 다른 측면에서, 본 발명은 대응되는 화소의 구동소자 특성을 검출하기 위한 다수의 센싱배선을 포함하는 유기발광패널과; 상기 화소의 구동소자 특성을 반영하는 보상계수를 사용하여 영상신호를 보상하는 보상부를 포함하는 구동회로를 포함하고, 상기 보상계수는 상기 센싱배선 별 보정값에 따라 보정되고, 상기 센싱배선 별 보정값은 상기 센싱배선 별 정전용량에 따라 산출된 값인 유기발광소자표시장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display comprising: an organic light emitting panel including a plurality of sensing lines for detecting a driving element characteristic of a corresponding pixel; And a compensation unit for compensating for a video signal using a compensation coefficient that reflects a driving device characteristic of the pixel, wherein the compensation coefficient is corrected according to the correction value for each sensing wiring, Is a value calculated according to the capacitance of each sensing wiring.
여기서, 상기 구동회로는, 상기 센싱배선 별 보정값을 저장하는 저장부를 포함할 수 있다.Here, the driving circuit may include a storage unit for storing the correction value for each sensing wiring.
상기 센싱배선 별 정전용량은, 상기 센싱배선에 프리차지전압(Vpre)을 인가하고; 상기 프리차지전압이 인가된 후, 정전류를 흘려 상기 센싱배선의 전압을 방전하고; 상기 방전된 센싱배선의 전압(Vsen)을 센싱하고; 상기 프리차지전압 및 센싱된 전압과, 상기 정전류와, 상기 프리차지전압 인가 시간과 상기 센싱된 전압의 센싱 시간을 사용하여, 상기 센싱배선의 정전용량을 연산함으로써 검출될 수 있다.The capacitance of each sensing wiring is obtained by applying a precharge voltage (Vpre) to the sensing wiring; Discharging the voltage of the sensing wiring by flowing a constant current after the precharge voltage is applied; Sensing a voltage (Vsen) of the discharged sensing wiring; The precharge voltage application time, the precharge voltage and the sensed voltage, the constant current, the precharge voltage application time, and the sensing time of the sensed voltage.
또 다른 측면에서, 본 발명은 다수의 게이트배선을 포함하는 유기발광패널과; 상기 게이트배선을 사용하여 검출된 정전용량에 따라, 상기 게이트배선 별로 출력되는 게이트신호를 보상하는 보상부를 포함하는 구동회로를 포함하는 유기발광소자표시장치를 제공한다.
In another aspect, the present invention provides a light emitting display comprising: an organic luminescent panel including a plurality of gate lines; And a compensator that compensates a gate signal output for each gate line in accordance with the capacitance detected using the gate line.
본 발명에 따르면, 데이터배선 별로 정전용량을 산출하며, 이와 같이 산출된 정전용량을 반영하여 영상신호의 보상계수를 보정하여 영상신호를 보상할 수 있게 된다.According to the present invention, the electrostatic capacitance is calculated for each data line, and the compensation coefficient of the video signal is corrected by reflecting the calculated electrostatic capacitance to compensate the video signal.
따라서, 영상표시 구동시, 데이터배선 별 정전용량 편차에 기인한 화질저하를 방지할 수 있게 된다.
Therefore, it is possible to prevent a deterioration in image quality caused by a capacitance variation in each data line when driving a video display.
도 1은 유기발광소자표시장치에서 데이터배선 사이의 정전용량 편차를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광패널과 검출부를 개략적으로 도시한 블럭도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광패널의 화소 구조의 일예를 도시한 회로도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 정전용량검출부의 구성을 개략적으로 도시한 블럭도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 정전용량검출부의 전압센싱부와 이와 연결된 데이터배선을 개략적으로 도시한 등가 회로도.
도 6은 도 5의 전압센싱부를 제어하는 제어신호를 나타낸 파형도.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 정전용량 검출 방법을 나타낸 흐름도.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자표시장치를 개략적으로 도시한 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram showing a capacitance variation between data lines in an OLED display. Fig.
2 is a block diagram schematically illustrating an organic luminescent panel and a detection unit according to an embodiment of the present invention.
3 is a circuit diagram showing an example of a pixel structure of an organic luminescent panel according to an embodiment of the present invention.
4 is a block diagram schematically showing a configuration of a capacitance detection unit according to an embodiment of the present invention.
5 is an equivalent circuit diagram schematically illustrating a voltage sensing unit of a capacitance detection unit and a data line connected thereto according to an embodiment of the present invention.
6 is a waveform diagram showing a control signal for controlling the voltage sensing unit of FIG. 5;
7 is a flowchart illustrating a capacitance detection method according to an embodiment of the present invention.
8 is a view schematically showing an OLED display according to an embodiment of the present invention.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광패널과 검출부를 개략적으로 도시한 블럭도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광패널의 화소 구조의 일예를 도시한 회로도이다.FIG. 2 is a block diagram schematically showing an organic light emitting panel and a detection unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a pixel structure of an organic light emitting panel according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광패널(110)은 다수의 화소(P)가 매트릭스 형태로 배치되어 영상을 표시하는 표시영역(AA)과 표시영역 주변의 비표시영역(NA)이 정의되어 있다. 2, the organic
표시영역(AA)에 형성된 다수의 화소(P)는, 행방향을 따라 연장된 다수의 게이트배선과(GL)과 열방향을 따라 연장된 다수의 데이터배선(DL)에 의해 정의된다.A plurality of pixels P formed in the display area AA are defined by a plurality of gate lines GL extending in the row direction and a plurality of data lines DL extending in the column direction.
도 3을 참조하면, 각 화소(P)에는 다수의 구동소자가 구성되는데, 예를 들면, 다수의 트랜지스터(T1, T2)와, 유기발광다이오드(OD)가 구성될 수 있다.Referring to FIG. 3, each pixel P includes a plurality of driving elements. For example, a plurality of transistors T1 and T2 and an organic light emitting diode (OD) may be formed.
다수의 트랜지스터(T1, T2)는, 예를 들면 스위칭트랜지스터(T1)와, 구동트랜지스터(T2)를 포함할 수 있다. 이들 트랜지스터(T1, T2)로서는, 예를 들면 저온결정화공정 등을 통해 결정화된 실리콘을 사용한 결정질 실리콘 트랜지스터, 비정질 실리콘 실리콘 트랜지스터, 산화물(oxide) 트랜지스터 등이 사용될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.The plurality of transistors T1 and T2 may include, for example, a switching transistor T1 and a driving transistor T2. As the transistors T1 and T2, a crystalline silicon transistor using an amorphous silicon silicon transistor, an oxide transistor, or the like crystallized through a low-temperature crystallization process or the like may be used, but the present invention is not limited thereto.
스위칭트랜지스터(T1)는 대응되는 게이트배선 및 데이터배선(GL, DL)과 연결된다. 구동트랜지스터(T2)는 스위칭트랜지스터(T1)와 연결된다. The switching transistor Tl is connected to the corresponding gate wiring and data lines GL and DL. The driving transistor T2 is connected to the switching transistor T1.
한편, 구동트랜지스터(T2)의 게이트단자와 하이전원전압(Vdd)원 사이에 연결된 커패시터(C)가 화소(P)에 구성되어 스토리지 커패시터로서 기능할 수 있다.On the other hand, a capacitor C connected between the gate terminal of the driving transistor T2 and the source of the high power supply voltage (Vdd) is formed in the pixel P and can function as a storage capacitor.
구동트랜지스터(T2)의 드레인단자에는 유기발광다이오드(OD)가 연결된다. 유기발광다이오드(OD)에는 구동트랜지스터(T2)의 게이트단자에 인가된 데이터전압에 따라 발생된 발광전류가 인가되고, 이에 따라 대응되는 휘도를 갖는 빛이 출사된다.An organic light emitting diode OD is connected to a drain terminal of the driving transistor T2. A light emission current generated in accordance with the data voltage applied to the gate terminal of the driving transistor T2 is applied to the organic light emitting diode OD, and thus light having a corresponding luminance is emitted.
전술한 바와 같은 화소(P)의 구동소자 특성은, 여러가지 요인으로 인해 편차가 발생할 수 있다. 예를 들면, 구동트랜지스터(T2)의 문턱전압이나 유기발광다이오드(OD)의 특성 등에 편차가 발생할 수 있다. Variations may occur in the driving element characteristics of the pixel P as described above due to various factors. For example, the threshold voltage of the driving transistor T2 and the characteristics of the organic light emitting diode OD may vary.
이와 같은 편차를 보상하기 위해, 구동소자의 특성을 센싱하기 위한 센싱배선이 사용될 수 있다. 이와 같은 센싱배선으로서 데이터배선(DL)이 사용되거나, 데이터배선(DL)에 평행하게 이격되며 화소(P)와 연결된 별도의 센싱배선이 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, 데이터배선(DL)을 센싱배선으로 사용하는 경우를 예로 든다.
In order to compensate for such a deviation, a sensing wiring for sensing the characteristics of the driving element can be used. A data line DL may be used as such a sensing wiring, or a separate sensing wiring connected to the pixel P may be formed in parallel to the data line DL. In the embodiment of the present invention, for convenience of explanation, a case where the data line DL is used as the sensing wiring is taken as an example.
한편, 데이터배선 및 게이트배선(DL, GL)은 유기발광패널(110)의 비표시영역(NA)으로 연장되어 있다. On the other hand, the data lines and the gate lines DL and GL extend to the non-display area NA of the organic
여기서, 비표시영역(NA)에 형성된 게이트배선(GL) 부분은 게이트링크부로서, 표시영역(AA)에 위치한 게이트배선(GL) 부분과 게이트구동회로를 연결하게 된다. 비표시영역(NA)에 형성된 데이터배선(DL) 부분은 데이터링크부로서, 표시영역(AA)에 위치한 데이터배선(DL) 부분과 데이터구동회로를 연결하게 된다.Here, the portion of the gate wiring GL formed in the non-display area NA is a gate link portion, which connects the portion of the gate wiring GL located in the display region AA with the gate driving circuit. The portion of the data line DL formed in the non-display region NA is a data link portion and connects the portion of the data line DL located in the display region AA to the data driver circuit.
그리고, 도시하지는 않았지만, 표시패널(AA)의 비표시영역(NA)에는 화소(P)를 구동하는 전원전압을 공급하기 위한 전원공급배선이 형성되어 있다. 예를 들면, 하이전원전압(Vdd) 공급배선, 로우전원전압(Vss) 공급배선 등이 비표시영역(NA)을 따라 형성되어 있으며, 이와 같은 공급배선으로부터 연장된 배선을 통해, 각 화소(P)에 구동전압이 공급될 수 있게 된다. Although not shown, a power supply wiring for supplying a power supply voltage for driving the pixel P is formed in the non-display area NA of the display panel AA. For example, a high power supply voltage (Vdd) supply wiring, a low power supply voltage (Vss) supply wiring, and the like are formed along the non-display area NA, So that the driving voltage can be supplied.
또한, 비표시영역(NA)에는 그 외의 여러 배선 패턴이 형성되어 있다.In addition, various other wiring patterns are formed in the non-display area NA.
그런데, 종래기술과 관련하여 언급한 바와 같이, 전원공급배선이나 배선 패턴은 데이터링크부와 중첩되어 정전용량을 발생시키게 된다. 특히, 데이터링크부의 위치에 따라 중첩 면적이 달라져, 발생되는 정전용량의 차이가 발생하게 된다. However, as mentioned in connection with the related art, the power supply wiring and the wiring pattern are overlapped with the data link portion to generate the capacitance. Particularly, the overlapping area varies depending on the position of the data link portion, resulting in a difference in generated capacitance.
또한, 제조공정상 여러 요인에 의해, 데이터배선(DL) 사이에도 정전용량의 차이가 발생하게 된다.Further, due to various factors in the manufacturing process, there is a difference in capacitance between the data lines DL.
이처럼, 열라인 사이에 정전용량의 편차가 발생하게 되면, 화소(P)의 구동소자 특성을 센싱함에 있어, 센싱값에 편차가 발생할 수 있게 된다. 이는, 결과적으로 화소(P)에 인가되는 영상신호를 보상하기 위한 보상데이터의 편차를 유발한다. 따라서, 열방향을 따라 세로띠가 발생하게 된다.As described above, when a capacitance variation occurs between the open lines, a sensing value variation may occur in sensing the driving device characteristics of the pixel P. This results in a deviation of the compensation data for compensating the video signal applied to the pixel P as a result. Therefore, vertical stripes are generated along the column direction.
본 발명의 실시예에서는, 위와 같은 화질 저하를 유발하는 정전용량의 편차를 보정하기 위해, 정전용량검출부(200)를 사용하여 열라인 별로 정전용량을 검출하게 된다. 이에 대해, 도 4 내지 7을 더욱 참조하여 보다 상세하게 설명한다.In the embodiment of the present invention, the electrostatic
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 정전용량검출부의 구성을 개략적으로 도시한 블럭도이고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 정전용량검출부의 전압센싱부와 이와 연결된 데이터배선을 개략적으로 도시한 등가 회로도이고, 도 6은 도 5의 전압센싱부를 제어하는 제어신호를 나타낸 파형도이고, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 정전용량 검출 방법을 나타낸 흐름도이다. 4 is a block diagram schematically showing a configuration of a capacitance detection unit according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 schematically shows a voltage sensing unit of a capacitance detection unit and a data line connected thereto according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a waveform diagram showing a control signal for controlling the voltage sensing unit of FIG. 5, and FIG. 7 is a flowchart illustrating a capacitance detection method according to an embodiment of the present invention.
예를 들면, 전술한 바와 같은 구성을 갖는 유기발광패널(110)을 제조한 후 제품 출하 전에, 정전용량 검출을 위해, 정전용량검출부(200)를 유기발광패널(110)의 센싱배선 즉 데이터배선(DL)에 연결하게 된다. For example, after the organic
정전용량검출부(200)는 전압센싱부(210)와 연산부(220)를 포함할 수 있다.The
전압센싱부(210)는, 화소(P)의 구동소자 특성을 검출하는데 사용되는 각 센싱배선 즉 데이터배선(DL)에 연결된다. The
전압입출력부(210)는, 전압인가수단으로서 예를 들면 디지털-아날로그변환기(DAC)와, 전압센싱수단으로서 예를 들면 아날로그-디지털변환기(ADC)와, 정전류원(CS)과, 스위치로서 예를 들면 제1 및 2스위치(S1, S2)를 포함할 수 있다.The voltage input /
디지털-아날로그변환기(DAC)는, 디지털신호를 아날로그신호 즉 전압으로 변환하는 구성으로서, 예를 들면 연산부(220)로부터 출력된 디지털신호를 변환하여 이에 대응되는 전압 즉 프리차지(pre-charge)전압(Vpre)을 데이터배선(DL)에 출력하는 구성에 해당된다. The digital-analog converter (DAC) converts a digital signal into an analog signal, that is, a voltage. For example, the digital-analog converter DAC converts a digital signal output from the
아날로그-디지털변환기(ADC)는, 아날로그신호 즉 전압을 디지털신호로 변환하는 구성으로서, 설정된 시간(t1)에서 데이터배선(DL)의 전압(Vsen)을 센싱하여 이에 대응되는 디지털신호를 연산부(220)에 출력하게 된다.The analog-to-digital converter ADC is a configuration for converting an analog signal, that is, a voltage into a digital signal. The analog-to-digital converter ADC senses the voltage Vsen of the data line DL at the set time t1, .
정전류원(CS)은, 데이터배선(DL)에 프리차지전압(Vpre)이 인가된 후, 데이터배선(DL)의 전압을 설정된 시간 구간 동안(즉, t1-t0 동안) 방전시키게 된다.The constant current source CS discharges the voltage of the data line DL for a set time period (i.e., during t1-t0) after the precharge voltage Vpre is applied to the data line DL.
제1 및 2스위치(S1, S2)는 각각, 병렬 배치된 디지털-아날로그변환기(DAC) 및 아날로그-디지털변환기(ADC)와 데이터배선(DL) 사이에 연결되어 있다. 여기서, 제1 및 2스위치(S1, S2)의 온(on) 타이밍은 서로 중첩되지 않도록 구성된다. The first and second switches S1 and S2 are connected between the data line DL and a parallel-arranged digital-to-analog converter (DAC) and an analog-to-digital converter (ADC), respectively. Here, the on timings of the first and second switches S1 and S2 are configured so as not to overlap with each other.
이에 따라, 디지털-아날로그변환기(DAC)로부터 프리차지전압(Vpre)이 데이터배선(DL)에 출력되는 동안에는, 제1스위치(S1)는 온되고 제2스위치(S2)는 오프(off)된다. 이와 같은 상태에서, 데이터배선(DL)은 프리차지전압(Vpre)으로 충전된다.Thus, while the precharge voltage Vpre is output from the digital-analog converter DAC to the data line DL, the first switch S1 is turned on and the second switch S2 is turned off. In this state, the data line DL is charged with the pre-charge voltage Vpre.
한편, 프리차지전압(Vpre)의 출력이 완료된 후에는, 제1스위치(S1)는 오프되고 제2스위치(S2)는 온된다. 이에 따라, 데이터배선(DL)은 정전류원(CS)에 연결되어, 데이터배선(DL)의 전압은 방전된다. 이때, 설정된 시간(t1)에서, 아날로그-디지털변환기(ADC)에 의해 데이터배선(DL)의 전압(Vsen)을 센싱하게 된다.On the other hand, after the output of the precharge voltage Vpre is completed, the first switch S1 is turned off and the second switch S2 is turned on. Thus, the data line DL is connected to the constant current source CS, and the voltage of the data line DL is discharged. At this time, the voltage Vsen of the data line DL is sensed by the analog-to-digital converter ADC at the set time t1.
연산부(220)는, 프리차지전압(Vpre)과 센싱된 전압(Vsen)과, 정전류원(CS)의 전류(Ic)와, 프리차지전압(Vpre)의 출력과 센싱전압(Vsen) 센싱까지의 시간 구간(t1-t0)을 통해, 각 데이터배선(DL)의 정전용량(Ctot)을 산출하게 된다. 여기서, 연산부(220)의 연산 과정은 전술한 바와 같은 신호들의 디지털값을 사용할 수 있다.The
데이터배선(DL)의 정전용량 산출과 관련하여 예를 들면, Q=Ctot*V의 수식을 사용하게 된다. 여기서, Ctot는 데이터배선(DL)의 정전용량의 총합으로서, 데이터링크부가 구성된 링크영역(LA)에서의 정전용량(Cla)와 표시영역(AA)에서의 정전용량(Caa)의 합에 해당된다.With respect to the capacitance calculation of the data line DL, for example, the equation of Q = Ctot * V is used. Here, Ctot is the sum of the electrostatic capacitances of the data lines DL and corresponds to the sum of the electrostatic capacitances Cla in the link region LA and the electrostatic capacitances Caa in the display region AA in which the data link section is configured .
위 수식에 대해 미분을 하게 되면, I=Ctot*(dV/dt)이다. 여기서, I는 정전류원의 전류 Ic이며, dV는 (Vsen - Vpre)이고 dt는 (t1 - t0)이다. 따라서, Ctot = Ic/((Vsen - Vpre)/(t1 - t0))이다.If we differentiate the above equation, I = Ctot * (dV / dt). Here, I is the current Ic of the constant current source, dV is (Vsen - Vpre), and dt is (t1 - t0). Therefore, Ctot = Ic / ((Vsen - Vpre) / (t1 - t0)).
이처럼, 본 발명의 실시예에 따르게 되면, 각 데이터배선(DL) 즉 센싱배선의 정전용량(Ctot)을 검출할 수 있게 된다.As described above, according to the embodiment of the present invention, it becomes possible to detect the capacitance (Ctot) of each data line DL, that is, the sensing wiring.
이하, 도 7을 더욱 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 정전용량 검출 방법을 설명한다.Hereinafter, a capacitance detection method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
먼저, 제1스위치(S1)을 온하고, 프리차지전압(Vpre)을 데이터배선(DL)에 인가한다 (st1). 여기서, 데이터배선(DL)의 출력은 설정된 t0 시간에 종료될 수 있다.First, the first switch S1 is turned on, and the precharge voltage Vpre is applied to the data line DL (st1). Here, the output of the data line DL can be completed at the set time t0.
다음으로, 제1스위치(S1)을 오프하고 제2스위치(S2)를 온하여, 정전류원(CS)을 데이터배선(DL)에 연결시켜, 데이터배선(DL)의 전압을 방전하게 된다 (st2). 여기서, 본 발명의 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, 정전류원(CS)의 전류 방향이 접지를 향하는 경우를 예로 들었으며, 이와 같은 경우에 프리차지전압(Vpre)은 접지전압 보다 높은 전압을 갖게 된다.Next, the first switch S1 is turned off, the second switch S2 is turned on, the constant current source CS is connected to the data line DL, and the voltage of the data line DL is discharged (st2 ). Here, in the embodiment of the present invention, for convenience of explanation, the case where the current direction of the constant current source CS faces the ground is taken as an example. In this case, the precharge voltage Vpre is higher than the ground voltage .
다음으로, 제2스위치(S2)가 온 상태인 구간 중 설정된 시간인 t1 시간에서 데이터배선(DL)의 전압(Vsen)을 센싱한다 (st3). Next, the voltage Vsen of the data line DL is sensed (st3) at the time t1 which is the set time in the section in which the second switch S2 is on.
다음으로, 전술한 바와 같은 전압 및 정전류와 시간(t0, t1)을 사용하여, 데이터배선(DL)의 정전용량(Ctot)를 산출한다 (st4). Next, the electrostatic capacitance Ctot of the data line DL is calculated (st4) by using the voltage and the constant current and the time t0, t1 as described above.
한편, 정전용량(Ctot) 정확도를 높이기 위해, 전술한 바와 같은 과정을 다수회 실시할 수 있다. 이를 위해, st4 단계 후에, 연산 시행 횟수가 1회인지 여부를 판단하는 과정(st5)이 수행될 수 있다.Meanwhile, in order to increase the capacitance (Ctot) accuracy, the above-described process can be performed a plurality of times. To this end, a process (st5) for determining whether the number of times of calculation execution is once after the step st4 may be performed.
위와 같은 과정을 통해, 각 데이터배선(DL)의 정전용량(Ctot)를 검출할 수 있게 된다.
The electrostatic capacitance Ctot of each data line DL can be detected through the above process.
전술한 바와 같이 검출된 데이터배선 별 정전용량(Ctot)에 대해, 그 분포를 분석하여, 영상신호를 보상하기 위한 보상데이터 즉 보상계수를 데이터배선 별로 보정할 수 있게 된다.As described above, the distribution of the detected capacitance Ctot for each data line is analyzed, and compensation data for compensating the video signal, that is, compensation coefficient can be corrected for each data line.
이와 관련하여, 도 8을 더욱 참조하여 설명한다. 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자표시장치를 개략적으로 도시한 도면이다.In this regard, FIG. 8 will be further described with reference to FIG. FIG. 8 is a schematic view illustrating an OLED display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
본 발명의 유기발광소자표시장치(100)는, 유기발광패널(110)과 구동회로(120)를 포함할 수 있다. 구동회로(120)는, 유기발광패널(110)에 입력되는 영상신호(D)를 보상하는 보상부(130)와, 보상부(130)의 보상계수를 보정하기 위한 보정값이 저장된 저장부(140)를 포함할 수 있다.The
보상부(130)는, 센싱배선 즉 데이터배선(DL)을 통해 화소(P)의 구동소자 특성을 검출하고, 검출된 구동소자 특성을 보상할 수 있는 보상계수를 설정하며, 설정된 보상계수에 따라 입력된 영상신호(D)를 보상하여 보상된 영상신호(Dc)를 데이터배선(DL)에 출력할 수 있게 된다. The
여기서, 보상부(130)는 디지털 형태의 영상신호(D)를 보상하거나, 아날로그 형태의 영상신호(D)를 보상하도록 구성될 수 있다. Here, the
이와 관련하여 예를 들면, 보상부(130)는 외부로부터 입력된 디지털 영상신호(D)에 대해, 이를 보상계수를 적용하여 보상할 수 있다. 이와 같은 경우에 보상된 디지털 영상신호(Dc)를 아날로그-디지털변환기와 같은 소자를 사용하여 대응되는 아날로그 전압으로 변환하여, 해당 데이터배선(DL)에 출력할 수 있게 된다.In this regard, for example, the
다른 예로서, 보상부(130)는 아날로그 형태의 전압으로 변환된 영상신호(D)에 대해, 보정계수를 적용하여 보상할 수 있으며, 이와 같이 보상된 영상신호(Dc)가 데이터배선(DL)에 출력될 수 있게 된다.As another example, the
한편, 보상부(130)는 저장부(140)에 저장된 보정값에 의해, 데이터배선 별로 보상계수를 보정하게 된다. On the other hand, the
이와 같은 보정값은, 전술한 바와 같이 데이터배선 별로 검출된 정전용량(Ctot)에 따라 결정된다. 즉, 정전용량 검출 과정에서 데이터배선 별로 산출된 정전용량(Ctot)에 의해, 대응되는 보정값이 산출될 수 있게 된다. 이와 같이 산출된 보정값은, 유기발광소자표시장치(100)의 저장부(140)에 저장되며, 유기발광소자표시장치(100)의 영상표시 구동시에 보상부(130)로 전달되어 데이터배선 별로 보상계수를 보정할 수 있게 된다.Such a correction value is determined according to the electrostatic capacitance Ctot detected for each data line as described above. That is, the corresponding correction value can be calculated by the capacitance Ctot calculated for each data line in the capacitance detection process. The correction value thus calculated is stored in the
이에 따라, 보상부(130)는, 정전용량의 편차가 반영된 보상계수를 사용하여 영상신호(D)를 보상할 수 있게 된다. 따라서, 정전용량의 편차에 따른 화질저하를 방지할 수 있게 된다.
Accordingly, the
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 데이터배선 별로 정전용량을 산출하며, 이와 같이 산출된 정전용량을 반영하여 영상신호의 보상계수를 보정하여 영상신호를 보상할 수 있게 된다. As described above, according to the embodiment of the present invention, the electrostatic capacity is calculated for each data line, and the compensation coefficient of the video signal is corrected in accordance with the calculated electrostatic capacity to compensate the video signal.
따라서, 영상표시 구동시, 데이터배선 별 정전용량 편차에 기인한 화질저하를 방지할 수 있게 된다.
Therefore, it is possible to prevent a deterioration in image quality caused by a capacitance variation in each data line when driving a video display.
한편, 전술한 바에서는, 화소의 구동소자 특성을 검출하는 데이터배선이나 센싱배선의 정전용량을 검출하여, 해당 배선 별로 영상신호를 보상하는 경우를 예로 들었다.On the other hand, in the above-mentioned example, the capacitance of the data wiring or the sensing wiring for detecting the driving element characteristics of the pixel is detected and the video signal is compensated for each wiring.
이와 같은 본 발명의 특징은, 행라인을 따라 출력되는 게이트신호의 보상에 대해서도 적용될 수 있다. 예를 들면, 전술한 바에서와 유사한 방법을 사용하여 게이트배선 별로 정전용량을 검출하고, 검출된 정전용량에 따라 게이트배선 별로 출력되는 게이트신호의 출력 레벨을 조절할 수 있게 된다. The characteristics of the present invention can also be applied to compensation of a gate signal output along a row line. For example, the capacitance can be detected for each gate line by using a method similar to that described above, and the output level of the gate signal output for each gate line can be adjusted according to the detected capacitance.
여기서, 게이트신호의 출력 레벨 조절은, 게이트신호를 출력하는 구동회로에 보상부를 구성하고, 보상부의 보상계수 즉 출력계수를 조절함으로써 이루어질 수 있게 된다.
Here, the adjustment of the output level of the gate signal can be performed by configuring the compensation unit in the driving circuit for outputting the gate signal, and adjusting the compensation coefficient of the compensation unit, that is, the output coefficient.
전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
The embodiment of the present invention described above is an example of the present invention, and variations are possible within the spirit of the present invention. Accordingly, the invention includes modifications of the invention within the scope of the appended claims and equivalents thereof.
210: 전압센싱부 DAC: 디지털-아날로그변환기
ADC: 아날로그-디지털변환기 S1, S2: 제1 및 2스위치
CS: 정전류원 DL: 데이터라인
LA: 링크영역 AA: 표시영역
Cla: 링크영역의 정전용량 Caa: 표시영역의 정전용량210: voltage sensing unit DAC: digital-to-analog converter
ADC: analog-to-digital converter S1, S2: first and second switches
CS: constant current source DL: data line
LA: Link area AA: Display area
Cla: capacitance of the link region Caa: capacitance of the display region
Claims (15)
정전용량검출부를 사용하여 상기 센싱배선 별 정전용량을 검출하는 단계를 포함하고,
상기 센싱배선 별 정전용량을 검출하는 단계는,
상기 센싱배선에 프리차지전압을 인가하는 단계와;
상기 프리차지전압의 인가가 종료된 후, 정전류를 흘려 상기 센싱배선의 전압을 방전하는 단계와;
상기 방전된 센싱배선의 전압을 센싱하는 단계와;
상기 프리차지전압 및 센싱된 전압과, 상기 정전류와, 상기 프리차지전압의 인가 종료 시간과 상기 센싱된 전압의 센싱 시간을 사용하여, 상기 센싱배선의 정전용량을 연산하는 단계를 포함하고,
상기 정전용량검출부는,
상기 프리차지전압을 출력하는 디지털-아날로그변환기와;
상기 센싱배선의 전압을 센싱하는 아날로그-디지털변환기와;
상기 디지털-아날로그변환기와 상기 센싱배선 사이에 연결되고, 상기 센싱배선에 상기 프리차지전압을 인가하는 동안 온되는 제1스위치와;
상기 아날로그-디지털변환기와 상기 센싱배선 사이에 연결되고, 상기 정전류를 흘려 상기 센싱배선의 전압을 방전하고 상기 방전된 센싱배선의 전압을 센싱하는 동안 온되는 제2스위치와;
상기 아날로그-디지털변환기와 병렬 형태로 연결되며 상기 정전류를 발생하는 정전류원을 포함하는
유기발광소자표시장치 제조방법.
A plurality of sensing wirings for detecting the threshold voltage characteristics of the driving transistor and the characteristics of the organic light emitting diodes as drive element characteristics of the corresponding pixels, and a data wiring for transferring a video voltage to the pixels, The method comprising the steps of:
Detecting capacitance of each sensing wiring using a capacitance detection unit,
The step of detecting the capacitance of each sensing wiring may include:
Applying a pre-charge voltage to the sensing wiring;
Discharging a voltage of the sensing wiring by flowing a constant current after the application of the pre-charge voltage is completed;
Sensing a voltage of the discharged sensing wiring;
Calculating a capacitance of the sensing wiring using the precharge voltage and the sensed voltage, the constant current, the application end time of the precharge voltage, and the sensing time of the sensed voltage,
Wherein the electrostatic capacity detection unit comprises:
A digital-to-analog converter for outputting the pre-charge voltage;
An analog-to-digital converter for sensing a voltage of the sensing wiring;
A first switch connected between the digital-analog converter and the sensing line, the first switch being turned on while applying the pre-charge voltage to the sensing line;
A second switch connected between the analog-to-digital converter and the sensing line, for turning on the constant current to discharge the voltage of the sensing line and sensing a voltage of the discharged sensing line;
A constant current source connected in parallel with the analog-to-digital converter and generating the constant current;
A method of manufacturing an organic light emitting diode display device.
상기 센싱배선의 정전용량은, Ctot = Ic/((Vsen - Vpre)/(t1 - t0))에 의해 산출되며,
Ctot는 상기 센싱배선의 정전용량, Ic는 상기 정전류, Vsen은 상기 센싱된 전압, Vpre는 상기 프리차지전압, t0는 상기 프리차지전압의 인가 종료 시간, t1은 상기 센싱된 전압의 센싱 시간인
유기발광소자표시장치 제조방법.The method according to claim 1,
The capacitance of the sensing wiring is calculated by Ctot = Ic / ((Vsen - Vpre) / (t1 - t0)),
Ctot is the capacitance of the sensing wiring, Ic is the constant current, Vsen is the sensed voltage, Vpre is the precharge voltage, t0 is the application end time of the precharge voltage, t1 is the sensing time of the sensed voltage
A method of manufacturing an organic light emitting diode display device.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |