KR101998687B1

KR101998687B1 - 입체영상표시장치

Info

Publication number: KR101998687B1
Application number: KR1020120095603A
Authority: KR
Inventors: 손현호
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2012-08-30
Filing date: 2012-08-30
Publication date: 2019-07-10
Also published as: KR20140028704A

Abstract

본 발명의 실시예는, 하부전극과 상부전극 사이에 위치하는 발광층으로 구성된 서브픽셀들을 포함하는 표시패널; 및 표시패널의 표시면에 부착되며 표시패널이 3D 영상을 표시하면 좌안영상과 우안영상을 분리하는 3D 필터패널을 포함하되, 하부전극과 상부전극 중 적어도 하나는 서브픽셀들의 개구영역 내에서 N(N은 2 이상 정수)개로 분할된 것을 특징으로 하는 입체영상표시장치를 제공한다.

Description

입체영상표시장치{Stereoscopic Image Display Device}

본 발명의 실시예는 입체영상표시장치에 관한 것이다.

입체영상표시장치는 양안시차방식(stereoscopic technique)과 복합시차지각방식(autostereoscopic technique)으로 나누어진다. 양안시차방식은 입체 효과가 큰 좌우 눈의 시차 영상을 이용한다. 양안시차방식에는 안경방식과 무안경방식이 있고 현재 두 방식 모두 실용화되고 있다.

안경방식은 직시형 표시소자나 프로젝터에 좌우 시차 영상의 편광을 바꿔서 표시하고 편광안경을 사용하여 입체영상을 구현하거나, 좌우 시차 영상을 시분할방식으로 표시하고 셔터안경을 사용하여 입체영상을 구현한다. 무안경방식은 일반적으로 패럴렉스 배리어, 렌티큘러 시트 등을 사용하여 좌우시차 영상의 광축을 분리하여 입체영상을 구현한다.

예컨대, 종래 무안경방식은 해상도가 높은 패널을 이용하여 7 뷰 포인트(View Point)에서 3D 시청이 가능하도록 8개의 서브픽셀당 하나의 렌즈를 적용한 렌티큘라 어레이(Lenticular array)를 사용한다. 이때 각 서브픽셀은 각 뷰에 해당하는 영상을 입력받게 되므로 해당 시야각에서 멀티 뷰(Multi view)의 시청이 가능해진다. 그러나, 종래 무안경방식은 위와 같은 구조를 구현하기 위해 3D 단안 해상도 * 뷰의 수를 갖는 2D 해상도의 표시패널이 필요하다.

그러므로, 종래 무안경방식은 시청영역 확대 및 해상도의 제약이 존재하므로 이를 개선할 수 있는 방안이 모색되어야 할 것이다.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 시청영역 확대 및 해상도의 제약 문제를 개선할 수 있는 입체영상표시장치를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 시청자의 위치에 따라 서브픽셀 내의 개별 블록의 발광특성을 제어하여 해상도를 증가시키지 않으면서도 멀티 뷰(Multi-view) 특성을 나타낼 수 있는 입체영상표시장치를 제공하는 것이다.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 실시예는, 하부전극과 상부전극 사이에 위치하는 발광층으로 구성된 서브픽셀들을 포함하는 표시패널; 및 표시패널의 표시면에 부착되며 표시패널이 3D 영상을 표시하면 좌안영상과 우안영상을 분리하는 3D 필터패널을 포함하되, 하부전극과 상부전극 중 적어도 하나는 서브픽셀들의 개구영역 내에서 N(N은 2 이상 정수)개로 분할된 것을 특징으로 하는 입체영상표시장치를 제공한다.

하부전극과 상부전극 중 적어도 하나는 제1측에 위치하는 제1전극영역, 제2측에 위치하는 제2전극영역, 제3측에 위치하는 제3전극영역 및 제4측에 위치하는 제4전극영역으로 분할되며, 제1전극영역 내지 제4전극영역은 표시패널의 표시 모드를 변경하는 영상 모드 신호에 따라 전기적인 접속 관계가 변할 수 있다.

표시패널이 2D 영상을 표시하면 제1전극영역 내지 제4전극영역은 발광영역이 되고, 표시패널이 3D 영상을 표시하면 제1전극영역 내지 제4전극영역 중 선택된 영역만 발광영역이 되고 비선택된 영역은 비발광영역이 될 수 있다.

표시패널이 2D 영상을 표시하면 제1전극영역 내지 제4전극영역은 동일한 단자에 접속되고, 표시패널이 3D 영상을 표시하면 제1전극영역 내지 제4전극영역은 적어도 하나가 다른 단자에 접속될 수 있다.

표시패널이 2D 영상을 표시하면 제1전극영역 내지 제4전극영역은 저전위전압라인에 접속되고, 표시패널이 3D 영상을 표시하면 제1전극영역 내지 제4전극영역 중 선택된 영역은 고전위전압라인에 접속되고 비선택된 영역은 저전위전압라인에 접속될 수 있다.

서브픽셀들은 하부전극과 상부전극 중 하나만 분할되거나 둘다 분할될 수 있다.

제1전극영역 내지 제4전극영역의 분할된 면적 비율은 같을 수 있다.

서브픽셀들은 하부전극과 상부전극 중 적어도 하나를 분할하는 격벽을 포함할 수 있다.

제1전극영역 내지 제4전극영역으로 분할된 전극이 상부전극인 경우, 격벽은 발광층부터 상부전극까지 분할하도록 형성되거나, 하부전극 이후부터 상부전극까지 분할하도록 형성될 수 있다.

제1전극영역 내지 제4전극영역으로 분할된 전극이 하부전극인 경우, 격벽은 하부전극부터 발광층까지 분할하도록 형성되거나, 하부전극부터 상부전극 전까지 분할하도록 형성될 수 있다.

본 발명은 유기발광다이오드의 발광특성을 이용하여 하나의 서브픽셀 내에 N개의 개별 블록을 만들고 이를 제어할 수 있으므로 시청영역 확대 및 해상도의 제약 문제를 개선할 수 있는 입체영상표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 시청자의 위치에 따라 서브픽셀 내의 개별 블록의 발광특성을 제어하여 해상도를 증가시키지 않으면서도 멀티 뷰(Multi-view) 특성을 나타낼 수 있는 입체영상표시장치를 제공하는 효과가 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 입체영상표시장치의 개략적인 구성도.
도 2는 도 1에 도시된 표시패널의 개략적인 발광 특성을 설명하기 위한 도면.
도 3은 도 1에 도시된 3D 필터패널을 개략적으로 설명하기 위한 도면.
도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 입체영상표시장치의 구동 개념을 설명하기 위한 개략적인 구성도.
도 6은 2D 모드로 동작하는 표시패널의 서브픽셀을 나타낸 단면도.
도 7은 3D 모드로 동작하는 표시패널의 서브픽셀을 나타낸 단면도.
도 8은 유기발광다이오드의 분할된 형태를 나타낸 제1예시도.
도 9는 유기발광다이오드의 분할된 형태를 나타낸 제2예시도.
도 10은 유기발광다이오드의 영역을 격벽으로 분리한 방법을 설명하기 위한 도면.
도 11은 유기발광다이오드의 영역을 레이저 등으로 분리한 방법을 설명하기 위한 도면.
도 12는 서브픽셀의 레이아웃 구조를 개략적으로 나타낸 도면.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 서브픽셀의 회로구성 예시도.
도 14는 도 13에 도시된 보상회로의 예시도.
도 15는 유기발광다이오드의 분할된 형태를 나타낸 제3예시도.
도 16은 유기발광다이오드의 분할된 형태를 나타낸 제4예시도.
도 17은 본 발명의 실시예에 따른 입체영상표시장치를 구현하기 위한 설계 방식을 설명하기 위한 도면.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 입체영상표시장치의 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 표시패널의 개략적인 발광 특성을 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 도 1에 도시된 3D 필터패널을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 입체영상표시장치에는 영상 공급부(SBD), 타이밍 제어부(TCN), 구동부(DRV), 표시패널(OLED), 렌즈패널 구동부(LEND) 및 렌즈패널(LEN)이 포함된다.

영상 공급부(SBD)는 이차원 모드(2D 모드)에서는 2D 영상 프레임 데이터를 생성하고, 삼차원 모드(3D 모드)에서는 3D 영상 프레임 데이터를 생성한다. 영상 공급부(SBD)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블신호(DE) 및 메인 클럭(Main Clock) 등의 타이밍 신호와 영상 프레임 데이터를 타이밍 제어부(TCN)에 공급한다.

영상 공급부(SBD)는 유저 인터페이스를 통해 입력되는 사용자 선택에 따라 2D 또는 3D 모드로 선택되어 이에 대응되는 영상 프레임 데이터 등을 생성하고 이를 타이밍 제어부(TCN)에 공급한다. 유저 인터페이스는 OSD(On screen display), 리모콘(Remote controller), 키보드, 마우스 등의 사용자 입력 수단을 포함한다.

타이밍 제어부(TCN)는 영상 공급부(SBD)로부터 좌안영상 프레임 데이터와 우안영상 프레임 데이터를 포함하는 3D 영상 프레임 데이터를 공급받는다. 타이밍 제어부(TCN)는 120Hz 이상의 프레임 주파수로 좌안영상 프레임 데이터와 우안영상 프레임 데이터를 구동부(DRV)에 교번하여 공급한다. 또한, 타이밍 제어부(TCN)는 영상 프레임 데이터에 대응되는 제어신호를 구동부(DRV)에 공급한다.

구동부(DRV)는 데이터라인들에 연결되어 데이터신호를 공급하는 데이터 구동부와, 스캔라인들에 연결되어 스캔신호를 공급하는 스캔 구동부를 포함한다. 구동부(DRV)는 타이밍 제어부(TCN)의 제어하에 디지털 형태의 좌안 및 우안영상 프레임 데이터를 아날로그 형태의 좌안 및 우안영상 프레임 데이터로 변환하여 이를 데이터라인들에 공급한다. 또한, 구동부(DRV)는 타이밍 제어부(TCN)의 제어하에 스캔라인들에 스캔신호를 순차적으로 공급한다.

표시패널(OLED)은 구동부(DRV)로부터 스캔신호 및 데이터신호를 공급받고 이에 대응하여 2D 영상 또는 3D 영상을 표시한다. 표시패널(OLED)은 제1기판(110)과 제2기판(170) 사이에 위치하는 유기발광다이오드(D)를 포함하는 서브픽셀(P)로 이루어진다. 서브픽셀(P)은 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 및 백색(W) 등의 색을 발광할 수 있다. 예컨대, 표시패널(OLED)은 RGB 서브픽셀(P)로 구성되거나 RGBW 서브픽셀(P)로 구성된다. RGBW 서브픽셀(P)로 이루어진 표시패널(OLED)의 경우, 백색을 발광하는 서브픽셀과 백색을 RGB로 변환하는 컬러필터층로 구성될 수 있다. 이때, 백색 서브픽셀은 발광된 백색을 그대로 투과시키면 되므로 해당 영역에는 컬러필터가 미형성된다.

유기발광다이오드(D)는 하부전극(140)과 상부전극(160) 사이에 형성된 유기발광층(151 ~ 155)을 포함한다. 유기발광층(151 ~ 155)은 정공주입층(151), 정공수송층(152), 발광층(153), 전자수송층(154) 및 전자주입층(155)을 포함한다. 발광층(153)은 정공(h+)과 전자(e-)가 만나 실질적인 발광을 이루는 층이고 나머지는 효율적인 발광을 돕기 위한 기능층들이다. 도면에 도시되어 있진 않지만 기능층들에는 전공 또는 전자의 이동도 등을 저하시키거나 차단하는 블록층과 같이 다양한 층들이 더 포함되거나 도시된 층 중 적어도 하나가 생략될 수도 있다.

하부전극(140)과 상부전극(160)은 유기발광다이오드(D)의 구조에 따라 애노드전극(Anode)과 캐소드전극(Cathode)(또는 이와 반대로)으로 형성된다. 애노드전극(Anode)은 ITO와 같은 산화물전극 등이 사용될 수 있고, 캐소드전극(Cathode)은 알루미늄(Al)이나 은(Ag)과 같은 금속전극 등이 사용될 수 있다. 통상 유기발광다이오드(D)의 하부전극(140)과 상부전극(160)은 고전위전압(VDD)과 저전위전압(GND)에 접속된 것을 일례로 나타낼 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 유기발광다이오드(D)는 고전위전압(VDD)과 저전위전압(GND) 사이에 형성된 전류(Current)의 양에 대응하여 발광한다. 유기발광다이오드(D)는 구조에 따라 상부발광, 하부발광, 양면발광 등을 할 수 있다.

렌즈패널 구동부(LEND)는 영상 공급부(SBD)로부터 공급된 영상 모드 신호 및 3D 영상 프레임 데이터에 대응하여 렌즈패널(LEN)을 구동한다. 렌즈패널 구동부(LEND)는 영상 모드 신호 및 3D 영상 프레임 데이터가 공급되면 룩업테이블에 저장된 데이터를 이용하여 렌즈패널(LEN)에 구현되는 렌즈 형상의 위치, 폭, 굴절률 등을 조절하는 구동전압을 생성한다. 렌즈패널 구동부(LEND)는 렌즈패널(LEN)의 하부 분할전극(EL1) 및 상부 전면전극(EL2)에 연결된 신호라인을 통해 구동전압을 공급한다.

렌즈패널(LEN)은 표시패널(OLED)의 표시면에 부착된다. 렌즈패널(LEN)에는 제1필름(FL1)과, 제2필름(FL2), 하부 분할전극(EL1), 상부 전면전극(EL2) 및 액정 렌즈층(LS)이 포함된다. 표시패널(OLED)이 3D 영상을 표시할 때, 렌즈패널(LEN)은 렌즈패널 구동부(LEND)로부터 공급된 구동전압에 의해 하부 분할전극(EL1)과 상부 전면전극(EL2)의 전계가 변하게 된다. 여기서, 하부 분할전극(EL1)에는 블록별로 각기 상이한 구동전압이 공급된다. 이때, 액정 렌즈층(LS)은 하부 분할전극(EL1)과 상부 전면전극(EL2)의 전계의 변화로 렌티큘러 렌즈 형상을 이루게 된다.

액정 렌즈층(LS)은 하부 분할전극(EL1)과 상부 전면전극(EL2)에 공급된 구동전압에 따라 투과율이나 굴절률이 달라질 수도 있다. 즉, 렌즈패널(LEN)은 렌즈 형상을 이루는 액정 렌즈층(LS)으로 표시패널(OLED)에 표시된 좌우시차 영상이 각기 다른 뷰 포인트에 형성되도록 광축을 분리하는 역할을 한다. 렌즈패널(LEN)은 효율적인 뷰 포인트로 영상을 투과시키기 위해 상하로 배치된 두 개의 서브픽셀들(P1, P2) 마다 하나의 렌즈 형상이 대응되도록 구현될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 한편, 표시패널(OLED)이 2D 영상을 표시할 경우 렌즈패널(LEN)은 표시패널(OLED)에 표시된 영상을 모두 투과시키도록 렌즈 형상을 이루지 않는다. 한편, 위의 설명에서 렌즈패널(LEN)의 하부 분할전극(EL1)과 상부 전면전극(EL2)의 위치는 바뀔 수도 있다.

위와 같은 구성에 의해 본 발명의 실시예는 렌즈패널(LEN)을 통해 3D를 시감할 수 있는 무안경방식 입체영상표시장치로 구현된다. 한편, 본 발명에서는 표시패널(OLED)에 표시된 좌우시차 영상의 광축을 분리하는 3D 필터패널의 예로 렌즈패널을 예시하였다. 그러나, 3D 필터패널는 패럴렉스 배리어, 스위쳐블 배리어, 렌티큘러 시트 등으로 다양하게 선택될 수 있다.

도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 입체영상표시장치의 구동 개념을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 입체영상표시장치는 렌즈패널(LEN)의 렌즈 형상과 표시패널(OLED)의 서브픽셀이 1 : 2로 대응되도록 구성된다. 즉, 하나의 렌즈 형상에 두 개의 서브픽셀들(P1, P2)이 포함되도록 구성된다. 그리고 두 개의 서브픽셀들(P1, P2)은 발광영역과 비발광영이 N(N은 2 이상 정수)개로 분할된다. 실시예에서는 서브픽셀들(P1, P2)이 각각 4개의 블록(4 Block)(또는 4개의 영역)으로 분할된 것을 일례로 도시한다.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 입체영상표시장치는 시청자의 뷰 포인트가 VPa에서 VPb로 이동할 경우, 서브픽셀 내의 어떠한 블록(또는 영역)을 발광시키거나 비발광시켜야 할지 결정될 수 있다. 즉, 실시예는 시청자의 위치 정보를 토대로 서브픽셀 내의 어떠한 블록(또는 영역)을 발광시키거나 비발광시킬 수 있다. 이를 위해, 실시예는 아이 트래킹(Eye Tracking) 방법 등을 이용할 수 있으나, 이는 하나의 예시일 뿐 서브픽셀 내에 분할된 블록을 발광시키거나 비발광시키는 방법은 안면이식 방법 등과 같이 다양한 방법이 채택될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 입체영상표시장치는 사용자의 위치 즉, 뷰 포인트(VP, VPa, VPb)에 따라 서브픽셀 내의 특정 블록을 발광시켜줌으로써 각 뷰 포인트(VP, VPa, VPb)에 맞는 3D 영상을 구현한다. 도시된 도면에서 E_Block은 발광된 블록이고 나머지는 비발광된 블록을 의미한다. 한편, 서브픽셀 내의 특정 블록을 발광시켜 준다는 것은 그 특정 블록에 영상을 표시하는 것을 의미한다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 입체영상표시장치는 뷰 포인트(VP, VPa, VPb)에 맞는 영상을 표시하기 위해 특정 블록을 발광시키거나 비발광시키는 방식으로 3D 멀티 뷰(multi-view)를 구현한다.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 입체영상표시장치의 요부를 설명한다.

도 6은 2D 모드로 동작하는 표시패널의 서브픽셀을 나타낸 단면도이고, 도 7은 3D 모드로 동작하는 표시패널의 서브픽셀을 나타낸 단면도이다.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 서브픽셀을 구성하는 유기발광다이오드(D)의 상부전극(160a ~ 160d)은 개구영역 내에서 제1전극영역(160a) 내지 제4전극영역(160d)으로 분할된다. 여기서, 상부전극(160a ~ 160d)은 캐소드전극으로 선택된 것을 일례로 한다. 상부전극(160a ~ 160d)이 캐소드전극으로 선택된 경우, 유기발광다이오드(D)는 상부전극(160a ~ 160d)이 저전위전압라인에 연결되어야만 빛을 발광할 수 있다.

표시패널이 도 6과 같이 2D 영상을 표시하면(2D mode), 유기발광다이오드(D)의 제1전극영역(160a) 내지 제4전극영역(160d)은 발광영역이 된다. 반면, 표시패널이 3D 영상을 표시하면(3D mode), 제1전극영역(160a) 내지 제4전극영역(160d) 중 선택된 영역은 발광영역이 되고 비선택된 영역은 비발광영역이 된다. 예컨대, 제1 내지 제3전극영역(160a ~ 160c)은 비발광영역(A1 ~ A3)이 되고 제4전극영역(160d)은 발광영역(A4)이 된다.

표시패널의 서브픽셀을 구성하는 유기발광다이오드(D)가 위와 같은 동작을 수행하기 위한 상부전극(160a ~ 160d)의 전기적인 접속 관계를 설명하면 다음과 같다.

표시패널이 2D 영상을 표시하면(2D mode), 제1전극영역(160a) 내지 제4전극영역(160d)은 동일한 단자에 접속되고, 표시패널이 3D 영상을 표시하면(3D mode), 제1전극영역(160a) 내지 제4전극영역(160d) 중 적어도 하나는 다른 단자에 접속된다. 예컨대, 표시패널이 2D 영상을 표시하면(2D mode), 제1전극영역(160a) 내지 제4전극영역(160d)은 저전위전압라인(GND)에 접속된다. 반면, 표시패널이 3D 영상을 표시하면(3D mode), 제1 내지 제3전극영역(160a ~ 160c)은 고전위전압라인(VDD)에 접속되고 제4전극영역(160d)은 저전위전압라인(GND)에 접속된다. 여기서, 유기발광다이오드(D)의 상부전극(160a ~ 160d)은 캐소드전극으로 선택되므로, 저전위전압라인(GND)에 접속된 영역은 빛을 발광하지만 고전위전압라인(VDD)에 접속된 영역은 빛을 비발광하게 된다.

표시패널의 서브픽셀을 구성하는 유기발광다이오드(D)가 위와 같은 동작을 수행하기 위한 상부전극(160a ~ 160d)의 구조적인 형태 관계를 설명하면 다음과 같다.

서브픽셀은 유기발광다이오드(D)의 상부전극(160a ~ 160d)을 제1전극영역(160a) 내지 제4전극영역(160d)으로 각각 분할하는 격벽(180)을 포함한다. 여기서, 격벽(180)은 상부전극(160a ~ 160d)만 제1전극영역(160a) 내지 제4전극영역(160d)으로 각각 분할하도록 유기발광층(151 ~ 155)의 최상층인 전자주입층(155) 상에 형성된 것을 일례로 하였다.

이하, 격벽(180)이 형성된 위치에 따른 유기발광다이오드(D)의 분할된 형태에 대해 다양한 예를 설명한다.

도 8은 유기발광다이오드의 분할된 형태를 나타낸 제1예시도이고, 도 9는 유기발광다이오드의 분할된 형태를 나타낸 제2예시도이다.

도 8에 도시된 바와 같이, 유기발광다이오드(D)는 정공수송층(152) 상에 형성된 격벽(180)에 의해 발광층(153a ~ 153d), 전자수송층(154a ~ 154d), 전자주입층(155a ~ 155d) 및 상부전극(160a ~ 160d)이 분할된다. 격벽(180)에 의해 제1 내지 제4발광층(153a ~ 153d), 제1 내지 제4전자수송층(154a ~ 154d), 제1 내지 제4전자주입층(155a ~ 155d) 및 제1 내지 제4상부전극(160a ~ 160d)은 각각 제1 내지 제4영역(A1 ~ A4)으로 정의된다.

앞서 설명한 구조는 표시패널이 3D 영상을 표시하면, 제1 내지 제3영역(A1 ~ A3)은 비발광영역이 되고 제4영역(A4)은 발광영역이 된다. 여기서, 비발광영역 또는 발광영역은 이들 중 하나 이상이 될 수도 있다.

도 9에 도시된 바와 같이, 유기발광다이오드(D)는 하부전극(140) 상에 형성된 격벽(180)에 의해 정공주입층(151a ~ 151d), 정공수송층(152a ~ 152d), 발광층(153a ~ 153d), 전자수송층(154a ~ 154d), 전자주입층(155a ~ 155d) 및 상부전극(160a ~ 160d)이 분할된다. 격벽(180)에 의해 제1 내지 제4정공주입층(151a ~ 151d), 제1 내지 제4정공수송층(152a ~ 152d), 제1 내지 제4발광층(153a ~ 153d), 제1 내지 제4전자수송층(154a ~ 154d), 제1 내지 제4전자주입층(155a ~ 155d) 및 제1 내지 제4상부전극(160a ~ 160d)은 각각 제1 내지 제4영역(A1 ~ A4)으로 정의된다.

도 8 및 도 9에서는 단편적인 예시로 격벽(180)이 정공수송층(152) 이후부터 상부전극(160a ~ 160d)까지 분할하도록 형성되거나, 하부전극(140) 이후부터 상부전극(160a ~ 160d)까지 분할하도록 형성된 것을 일례로 하였다. 그러나, 격벽(180)은 유기발광다이오드(D)를 구성하는 모든 전극과 층에 형성될 수 있음은 물론이다. 즉, 서브픽셀들은 하부전극과 상부전극 중 하나만 분할되거나 둘다 분할될 수 있다.

한편, 앞서 설명한 구조에서는 하부전극(140)이 애노드전극으로 선택되고 상부전극(160a ~ 160d)이 캐소드전극으로 선택된 것을 일례로 하였다. 그러나 하부전극(140)이 캐소드전극으로 선택되고 상부전극(160a ~ 160b)이 애노드전극으로 선택될 수도 있다. 이 경우, 유기 발광층(151a ~ 155d)의 위치와 분할되는 영역의 위치는 변경될 수 있다.

이하, 유기발광다이오드(D)의 영역을 분리하는 방법에 대해 설명한다.

도 10은 유기발광다이오드의 영역을 격벽으로 분리한 방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 11은 유기발광다이오드의 영역을 레이저 등으로 분리한 방법을 설명하기 위한 도면이다.

도 10에 도시된 바와 같이, 제1기판(110) 상에 하부전극(140)을 형성한다. 그리고 하부전극(140)의 일정 영역 상에 역테이퍼 형상의 격벽(180)을 형성한다. 그리고 역테이퍼 형상의 격벽(180)을 이용하여 정공주입층(151a ~ 151d)부터 상부전극(160a ~ 160d)까지 형성한다.

역테이퍼 형상의 격벽(180)을 이용하면 하부전극(140) 이후의 층들은 증착 공정을 통해 제1영역(A1) 내지 제4영역(A4)으로 분리된다. 한편, 역테이퍼 형상의 격벽(180)은 유기발광다이오드의 영역을 제1측 내지 제4측에 위치하는 제1 내지 제4영역(A1 ~ A4)으로 분할하기 위해 세로 방향(서브픽셀의 장축 방향)으로 형성된다. 여기서, 역테이퍼 형상의 격벽(180)의 위치는 일례일 뿐 이에 한정되지 않는다.

도 11에 도시된 바와 같이, 제1기판(110) 상에 하부전극(140)을 형성한다. 그리고 하부전극(140) 상에 정공주입층(151a ~ 151d)부터 상부전극(160a ~ 160d)까지 형성한다. 그리고 상부전극(160a ~ 160d)의 일정 영역에 레이저 조사 장치(LZ)를 얼라인 시키고 레이저(L)를 조사한다.

레이저(L)를 조사하는 공정을 이용하면 하부전극(140) 이후의 층들은 제1영역(A1) 내지 제4영역(A4)으로 분리된다. 한편, 레이저(L)는 유기발광다이오드의 영역을 제1측 내지 제4측에 위치하는 제1 내지 제4영역(A1 ~ A4)으로 분할하기 위해 세로 방향(서브픽셀의 장축 방향)으로 조사된다. 여기서, 제1영역(A1) 내지 제4영역(A4) 사이에는 이들 간의 쇼트를 방지하기 위해 절연물질을 형성할 수도 있다.

위의 설명에서는 격벽이나 레이저를 이용하여 서브픽셀의 전극 등을 분리하는 것을 일례로 설명하였다. 그러나, 서브픽셀의 전극 등을 세로 방향으로 분리하는 방법은 마스크를 이용하는 방법 등 다양하게 선택될 수 있다. 또한, 위의 설명에서는 서브픽셀의 전극 등이 4개로 분할된 것을 일례로 하였으나 이는 2개, 3개 등과 같이 N(N은 2 이상 정수)개로 분할될 수도 있다. 여기서, 전극 등을 분리한다는 것은 미시적인 의미이고 거시적인 의미에서는 개구영역에 포함된 층들을 분리하는 것을 의미한다.

이하, 유기발광다이오드를 포함하는 서브픽셀의 레이아웃 구조를 통해 분할된 위치에 대해 설명한다.

도 12는 서브픽셀의 레이아웃 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.

도 12에 도시된 바와 같이, 서브픽셀(P)은 데이터라인(Data)과 스캔라인(Scan) 그리고 데이터라인과 이격하여 평행하는 고전위전압라인(VDD)에 의해 정의된다.

서브픽셀(P)에는 스위칭 트랜지스터(SW), 스토리지 커패시터(Cst), 구동 트랜지스터(DR) 및 유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)가 포함된다. 스위칭 트랜지스터(SW), 스토리지 커패시터(Cst) 및 구동 트랜지스터(DR)가 형성된 영역은 비개구영역으로 정의되고, 유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)가 형성된 영역은 개구영역으로 정의된다.

스위칭 트랜지스터(SW)는 스캔라인(Scan)을 통해 공급된 스캔신호에 대응하여 스위칭 동작하는 역할을 한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터라인(Data)을 통해 공급된 데이터신호를 데이터전압으로 저장하는 역할을 한다. 구동 트랜지스터(DR)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 데이터전압에 대응하여 구동전류를 생성하는 역할을 한다. 유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)는 구동 트랜지스터(DR)에 의해 생성된 구동전류에 대응하여 빛을 발광하는 역할을 한다.

서브픽셀(P)의 유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)는 서브픽셀의 가로 방향(x)(또는 단축 방향)을 기준으로 제1측 내지 제4측에 위치하는 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)로 분할된다. 이때, 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)는 서브픽셀(p)의 세로 방향(y)(또는 장축 방향)으로 형성된 격벽(180) 등에 의해 분리될 수 있다.

표시패널이 2D 영상을 표시하면, 서브픽셀(P)의 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)는 발광영역이 된다. 이때, 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)의 애노드전극과 캐소드전극은 각기 고전위전압라인(VDD)과 저전위전압라인(GND)에 접속된 상태이므로 정상적인 구동전류를 공급받을 수 있게 된다. 따라서, 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)는 모두 정상적인 빛을 발광하게 된다.

그러나, 표시패널이 3D 영상을 표시하면, 서브픽셀(P)의 제1 내지 제3유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A3)는 비발광영역이 되고 제4유기발광다이오드(D_A4)는 발광영역이 된다. 이때, 제4유기발광다이오드(D_A4)의 애노드전극과 캐소드전극은 고전위전압라인(VDD)과 저전위전압라인(GND)에 접속된 상태이므로 정상적인 구동전류를 공급받는다. 하지만, 제1 내지 제3유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A3)의 애노드전극과 캐소드전극은 고전위전압라인(VDD)과 고전위전압라인(VDD)(또는 플로팅된 상태)에 접속된 상태이므로 정상적인 구동전류를 공급받을 수 없게 된다. 따라서, 제4유기발광다이오드(D_A4)는 정상적인 빛을 발광하게 되는 반면 제1 내지 제3유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A3)는 빛을 비발광(블랙 표시)하게 된다. 달리 설명하면, 제1 내지 제3유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A3)의 하부전극과 상부전극은 동일한 전압이 걸리므로 정공과 전자의 이동이 미 발생하게 된다.

한편, 서브픽셀(P)은 앞서 설명된 2T(Transistor) 1C(Capacitor)와 같은 통상적인 구조뿐만 아니라 기타 다른 기능 트랜지스터나 커패시터가 더 포함된 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T2C 등과 같은 보상 구조로 형성될 수 있다.

서브픽셀(P)의 보상 구조에는 유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)의 발광 시간을 제어하는 발광제어 트랜지스터, 특정 노드 또는 소자(트랜지스터나 커패시터)에 대해 초기화를 수행하거나 참조전압을 공급하는 보조 트랜지스터, 구동 트랜지스터(DR)의 문턱전압을 센싱하는 센싱 트랜지스터 등과 같이 다양하다.

이하, 앞서 설명된 서브픽셀의 구조를 회로의 구성으로 설명을 구체화한다.

도 13은 본 발명의 실시예에 따른 서브픽셀의 회로구성 예시도이고, 도 14는 도 13에 도시된 보상회로의 예시도이다.

도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 서브픽셀(P)에는 스위칭 트랜지스터(SW), 스토리지 커패시터(Cst), 보상 회로(CC), 구동 트랜지스터(DR), 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)가 포함된다.

스위칭 트랜지스터(SW)는 스캔라인(Scan)에 게이트전극이 연결되고 데이터라인(Data)에 제1전극이 연결되며 보상회로(CC)에 제2전극이 연결된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 트랜지스터(SW)의 제2전극에 일단이 연결되고 보상회로(CC)에 타단이 연결된다. 구동 트랜지스터(DR)는 보상회로(CC)에 게이트전극이 연결되고 고전위전압라인(VDD)에 제1전극이 연결되며 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다.

위의 설명에서 제1전극 및 제2전극은 트랜지스터가 n 타입인지 또는 p 타입인지의 여부에 따라 트랜지스터의 소오스전극 및 드레인전극 중 하나로 결정될 수 있다. 한편, 위의 설명에서 트랜지스터는 폴리 실리콘 트랜지스터, 아몰포스 실리콘 트랜지스터, 산화물 트랜지스터 또는 유기물 트랜지스터 중 하나로 결정될 수 있다.

보상회로(CC)에는 도 14와 같이 제1커패시터(C1), 제2커패시터(C2), 제1트랜지스터(T1), 제2트랜지스터(T2), 제3 및 제4트랜지스터(T3, T4)가 포함된다. 제1트랜지스터(T1)는 발광제어신호(Em)에 의해 스위칭 동작한다. 제2트랜지스터(T2)는 센싱신호(Sense)에 의해 스위칭 동작한다. 제3 및 제4트랜지스터(T3, T4)는 리셋신호(Reset)에 의해 스위칭 동작한다. 제2 및 제3트랜지스터(T2, T3)는 동작 상태에 따라 참조전압(Vref)을 특정 노드에 전달하고 제4트랜지스터(T4)는 동작 상태에 따라 초기화전압(Vini)을 특정 노드에 전달한다. 도 14에 도시된 보상회로(CC)는 설명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐 본 발명에 적용될 수 있는 보상회로(CC)는 이에 한정되지 않는다.

제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)의 애노드전극은 구동 트랜지스터(DR)의 제2전극에 연결되지만 캐소드전극은 저전위전압라인(GND) 또는 고전위전압라인(VDD)에 선택적으로 연결된다.

앞서 설명하였듯이, 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)는 제1전극영역 내지 제4전극영역이 분할됨으로써 물리적 및 전기적으로 분리된 상태이다.

표시패널이 2D 영상을 표시하면(2D mode), 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)의 캐소드전극은 저전위전압라인(GND)에 연결된다. 이때, 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)는 모두 발광하게 된다.

반면, 표시패널이 3D 영상을 표시하면(3D mode), 제4유기발광다이오드(D_A4)의 캐소드전극은 저전위전압라인(GND)에 연결되는 반면 제1 내지 제3유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A3)의 캐소드전극은 고전위전압라인(VDD)에 연결되거나 전기적으로 플로팅(Floating)된 상태가 된다. 이와 달리, 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4) 중 선택된 캐소드전극은 저전위전압라인(GND)에 연결되는 반면 비선택된 캐소드전극은 고전위전압라인(VDD)에 연결되거나 전기적으로 플로팅(Floating)된 상태가 된다.

서브픽셀에 포함된 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)가 이와 같은 동작을 수행할 수 있는 이유는 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)의 캐소드전극과 전압라인(GND 또는 VDD) 사이에 전기적인 신호로 모드를 변경할 수 있는 모드 변경 스위치(MSW)가 위치하기 때문이다. 모드 변경 스위치(MSW)는 표시패널의 표시 모드를 변경하는 영상 모드 신호(mode)에 따라 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)의 전기적인 접속 관계를 가변한다.

영상 모드 신호(mode)는 영상 공급부(SBD)로부터 공급될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 영상 모드 신호(mode)는 사용자의 수동 입력을 기반으로 생성되거나 아이 트래킹 등의 방법을 기반으로 생성될 수 있다.

서브픽셀의 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)가 위와 같이 동작할 수 있는 이유는 애노드전극 또는 캐소드전극이 전기적으로 분리되어 있기 때문이다. 전기적으로 분리 형성된 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)의 애노드전극 또는 캐소드전극을 표시패널의 베젤영역에 형성된 모드 변경 스위치(MSW)에 구분하여 연결하면 위와 같은 동작이 가능하다. 이때, 제1 내지 제4유기발광다이오드(D_A1 ~ D_A4)의 애노드전극 또는 캐소드전극과 모드 변경 스위치(MSW)가 접속되는 영역은 베젤영역이 될 수 있다. 그러나 이는 일례일 뿐 각 서브픽셀 또는 선택된 서브픽셀 내에 모드 변경 스위치(MSW)를 형성하는 등 다양하게 설계 변경될 수 있다.

이하, 본 발명의 다른 실시예에 대해 설명한다.

도 15는 유기발광다이오드의 분할된 형태를 나타낸 제3예시도이고, 도 16은 유기발광다이오드의 분할된 형태를 나타낸 제4예시도이다.

도 15에 도시된 바와 같이, 유기발광다이오드(D)는 제1기판(110)(바람직하게는 구동 트랜지스터의 제1 또는 제2전극) 상에 형성된 격벽(180)에 의해 제1 내지 제4하부전극(140a ~ 140d)이 분할된다. 격벽(180)에 의해 제1 내지 제4하부전극(140a ~ 140b)은 제1 내지 제4영역(A1 ~ A4)으로 정의된다. 여기서, 제1 내지 제4하부전극(140a ~ 140d)은 애노드전극으로 선택된 것을 일례로 한다.

제1 내지 제4하부전극(140a ~ 140d)이 애노드전극으로 선택된 경우, 유기발광다이오드(D)는 제1 내지 제4하부전극(140a, 140b)이 고전위전압라인에 연결되어야만 빛을 발광할 수 있다.

앞서 설명한 구조는 표시패널이 3D 영상을 표시하면, 제1 내지 제3영역(A1 ~ A3)은 비발광영역이 되고 제4영역(A4)은 발광영역(또는 이와 다른 형태로)이 된다.

도 16에 도시된 바와 같이, 유기발광다이오드(D)는 제1기판(110)(바람직하게는 구동 트랜지스터의 제1 또는 제2전극) 상에 형성된 격벽(180)에 의해 하부전극(140a ~ 140d), 정공주입층(151a ~ 151d), 정공수송층(152a ~ 152d), 발광층(153a ~ 153d), 전자수송층(154a ~ 154d) 및 전자주입층(155a ~ 155d)이 분할된다.

격벽(180)에 의해 제1 내지 제4하부전극(140a ~ 140d), 제1 내지 제4정공주입층(151a ~ 151d), 제1 내지 제4정공수송층(152a ~ 152d), 제1 내지 제4발광층(153a ~ 153d), 제1 내지 제4전자수송층(154a ~ 154d) 및 제1 내지 제4전자주입층(155a ~ 155d)은 각각 제1 내지 제4영역(A1 ~ A4)으로 정의된다.

도 15 및 도 16에서는 단편적인 예시로 격벽(180)이 하부전극(140a ~ 140d)만 분할하도록 형성되거나, 하부전극(140a ~ 140d)부터 전자주입층(155a ~ 155d)까지 분할하도록 형성된 것을 일례로 하였다. 그러나, 격벽(180)은 유기발광다이오드(D)를 구성하는 전극들과 층에 선택적으로 형성될 수 있다. 즉, 서브픽셀들은 하부전극과 상부전극 중 하나만 분할되거나 둘다 분할될 수 있다.

한편, 앞서 설명한 구조에서는 하부전극(140a ~ 140d)이 애노드전극으로 선택되고 상부전극(160)이 캐소드전극으로 선택된 것을 일례로 하였다. 그러나 하부전극(140a ~ 140d)이 캐소드전극으로 선택되고 상부전극(160)이 애노드전극으로 선택될 수도 있다. 이 경우, 유기 발광층의 위치와 분할되는 영역의 위치는 변경될 수 있다.

한편, 본 발명의 설계 방식은 예컨대, 2개의 서브픽셀이 4개의 블록들로 분할된 구조를 갖는다. 이 경우, 최적 시청거리는 렌즈의 비례식에서부터 하기와 같이 설명된다.

도 17은 본 발명의 실시예에 따른 입체영상표시장치를 구현하기 위한 설계 방식을 설명하기 위한 도면이다.

도 17에서 P는 서브픽셀 간의 피치이고, B는 블록(또는 개구영역의 크기, N은 블록의 개수(또는 뷰의 개수)(또는 분할된 영역의 개수), S는 서브픽셀과 렌즈패널 간의 거리, D는 시청 거리, E는 양안 거리이며, f는 굴절거리이다.

(수학식 1)

수학식 1에서, i는 렌즈로부터 출사된 상이 맺히는 거리 D에 대응되고, y는 양안 거리 E에 대응되며, o는 서브픽셀과 렌즈패널 간의 거리 S에 대응되고, x는 서브픽셀 간의 피치 P에 대응된다.

위의 수학식 1은 렌즈의 비례식이다. 따라서, 수학식 1을 실시예에 적용하기 위해 정리하면 다음의 수학식 2로 표현될 수 있다.

(수학식 2)

위의 수학식 1 및 2를 이용하면 렌즈(Lens)상 형성 조건을 알아낼 수 있는데, 이는 하기 수학식 3으로 표현될 수 있다.

(수학식 3)

실시예는 종래 구조와 같은 조건으로 동일한 시청거리를 유지하기 위해 서브픽셀의 개별 블록이 서브픽셀처럼 동작해야 한다. 때문에 서브픽셀의 크기는 2P/B = 2/N가 된다.

이하, 종래 구조 대비 본 발명의 개선점에 대해 설명한다.

종래 구조는 총 8개의 뷰(view) 영상을 제공하기 위해서 하나의 렌즈 영역 내에 총 8개의 서브픽셀이 필요로 하였다. 그러나, 본 발명에서는 유기발광다이오드의 블록별(또는 영역별) 개별 발광 특성을 이용하므로 하나의 렌즈 영역 내에 2개의 서브픽셀만 배치하고도 종래 구조 대비 4배의 해상도 개선이 가능하다.

더욱이, 종래 구조는 이웃 서브픽셀 과의 중첩 특성에 의해 시청자의 위치에 따른 크로스토크(Crosstalk)가 유발되나 본 발명의 경우 뷰 영상을 제공하지 않는 블록은 비발광되므로 크로스토크 문제를 개선할 수 있다. 한편, 본 발명의 실시예에서는 렌즈패널을 일례로 하였으나 이는 스위쳐블 배리어 등으로 대체가 가능하다.

이상 본 발명은 유기발광다이오드의 발광특성을 이용하여 하나의 서브픽셀 내에 N개의 개별 블록을 만들고 이를 제어할 수 있는 입체영상표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 시청자의 위치에 따라 서브픽셀 내의 개별 블록의 발광특성을 제어하여 해상도를 증가시키지 않으면서도 멀티 뷰(Multi-view) 특성을 나타낼 수 있는 입체영상표시장치를 제공하는 효과가 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

SBD: 영상 공급부 TCN: 타이밍 제어부
DRV: 구동부 OLED: 표시패널
LEND: 렌즈패널 구동부 LEN: 렌즈패널
D: 유기발광다이오드 160a ~ 160d: 상부전극
140a ~ 140d: 하부전극 180: 격벽
A1 ~ A4: 제1 내지 제4영역 D_A1 ~ D_A4: 제1 내지 제4유기발광다이오드
SW: 스위칭 트랜지스터 Cst: 스토리지 커패시터
CC: 보상 회로 DR: 구동 트랜지스터

Claims

하부전극과 상부전극 사이에 위치하는 발광층을 갖는 서브 픽셀들을 포함하는 표시패널; 및
상기 표시패널의 표시면에 부착되며 상기 표시패널이 3D 영상을 표시하면 좌안영상과 우안영상을 분리하는 3D 필터패널을 포함하되,
상기 하부전극과 상기 상부전극 중 적어도 하나는 하나의 서브 픽셀을 정의하는 개구영역 내에서 N(N은 2 이상 정수)개로 분할된 발광다이오드를 포함하고,
상기 N개로 분할된 발광다이오드는 상기 표시패널이 3D 영상을 표시하면 적어도 하나가 비발광하는 것을 특징으로 하는 입체영상표시장치.
제1항에 있어서,
상기 하부전극과 상기 상부전극 중 적어도 하나는
제1측에 위치하는 제1전극영역, 제2측에 위치하는 제2전극영역, 제3측에 위치하는 제3전극영역 및 제4측에 위치하는 제4전극영역으로 분할된 것을 특징으로 하는 입체영상표시장치.
제2항에 있어서,
상기 표시패널이 2D 영상을 표시하면 상기 제1전극영역 내지 상기 제4전극영역은 발광영역이 되고,
상기 표시패널이 3D 영상을 표시하면 상기 제1전극영역 내지 상기 제4전극영역 중 선택된 영역만 발광영역이 되고 비선택된 영역은 비발광영역이 되는 것을 특징으로 하는 입체영상표시장치.
제2항에 있어서,
상기 표시패널이 2D 영상을 표시하면 상기 제1전극영역 내지 상기 제4전극영역은 동일한 단자에 접속되고,
상기 표시패널이 3D 영상을 표시하면 상기 제1전극영역 내지 상기 제4전극영역은 적어도 하나가 다른 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 입체영상표시장치.
제2항에 있어서,
상기 표시패널이 2D 영상을 표시하면 상기 제1전극영역 내지 상기 제4전극영역은 저전위전압라인에 접속되고,
상기 표시패널이 3D 영상을 표시하면 상기 제1전극영역 내지 상기 제4전극영역 중 선택된 영역은 고전위전압라인에 접속되고 비선택된 영역은 저전위전압라인에 접속되는 것을 특징으로 하는 입체영상표시장치.
제1항에 있어서,
상기 서브픽셀들은
상기 하부전극과 상기 상부전극 중 하나만 분할되거나 둘다 분할된 것을 특징으로 하는 입체영상표시장치.
제2항에 있어서,
상기 제1전극영역 내지 상기 제4전극영역의 분할된 면적 비율은
같은 것을 특징으로 하는 입체영상표시장치.
제2항에 있어서,
상기 서브픽셀들은
상기 하부전극과 상기 상부전극 중 적어도 하나를 분할하는 격벽을 포함하는 입체영상표시장치.
제8항에 있어서,
상기 제1전극영역 내지 상기 제4전극영역으로 분할된 전극이 상기 상부전극인 경우,
상기 격벽은
상기 발광층부터 상기 상부전극까지 분할하도록 형성되거나, 상기 하부전극 이후부터 상기 상부전극까지 분할하도록 형성된 것을 특징으로 하는 입체영상표시장치.
제8항에 있어서,
상기 제1전극영역 내지 상기 제4전극영역으로 분할된 전극이 상기 하부전극인 경우,
상기 격벽은
상기 하부전극부터 상기 발광층까지 분할하도록 형성되거나, 상기 하부전극부터 상기 상부전극 전까지 분할하도록 형성된 것을 특징으로 하는 입체영상표시장치.
제1항에 있어서,
상기 하부전극과 상기 상부전극 중 적어도 하나는
상기 표시패널에 배치된 데이터라인의 방향을 따라 분할된 것을 특징으로 하는 입체영상표시장치.