KR101998648B1 - 슈퍼커패시터용 금속-실리사이드 나노선 기반 전극, 이 전극의 제조 방법, 이 전극을 사용한 슈퍼커패시터 및 이 슈퍼커패시터의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 슈퍼커패시터용 금속-실리사이드 나노선 기반 전극에 관한 것으로, 전극 표면의 전해질에 형성된 전기 이중층에 의해서 전기 에너지를 저장하는 슈퍼커패시터에 사용되는 전극으로서, 실리콘 기판; 및 상기 실리콘 기판의 표면에 직접성장된 금속-실리사이드 나노선층으로 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 실리콘 기반의 반도체 디바이스 및 공정과의 호환성이 높은 금속 실리사이드 나노선이 실리콘 기판에 직접 성장한 전극을 제공함으로써, 별도의 도전재나 바인더 물질을 사용하지 않고도 전기에너지 저장효율 및 수명이 뛰어난 전극 및 슈퍼커패시터를 제공할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은, 실리콘 기반의 반도체 디바이스 및 공정과의 호환성이 높은 금속 실리사이드 나노선이 실리콘 기판에 직접 성장한 전극을 제공함으로써, 별도의 도전재나 바인더 물질을 사용하지 않고도 전기에너지 저장효율 및 수명이 뛰어난 전극 및 슈퍼커패시터를 제공할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 수퍼커패시터의 전극에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 금속-실리사이드 나노선을 기반으로 한 새로운 전극에 관한 것이다.
종래의 배터리는 원통형, 각형, 파우치형 등으로 정형화된 형태를 가지고 있고 에너지 저장용량의 집적화에 한계가 있어 웨어러블 디바이스나 고집적화가 필요한 마이크로 소자 등 초소형 소자에 적용하는데 큰 어려움이 있다. 최근 웨어러블 디바이스 및 마이크로 소자용 차세대 에너지변환소자로 리튬박막전지 개발이 활발히 이루어지고 있으나, 기존의 리튬박막전지는 마이크로미터 두께의 얇은 필름형태로 집적시킨 박막형태의 리튬전지로 리튬을 포함하는 특성상 선천적 위험성을 내포하고 있으며, 사이클 수명이 낮다는 단점이 있다.
한편, 종래의 화학전지와 달리, 전극 표면의 전해질에 형성된 전기 이중층에 의해서 전기 에너지를 저장하는 슈퍼커패시터(전기이중층 커패시터, 전기화학 커패시터)는 높은 출력밀도, 장수명, 빠른 충전 시간 및 안전성 등의 장점이 있어 전자기기, 전기차, 웨어러블 디바이스 전원장치 등 다양한 분야에 응용 가능하다. 최근에는 리튬전지의 선천적인 위험성을 극복하고자, 그래핀, 탄소나노튜브, CDC(carbide-derived carbon) 등 탄소 나노소재를 전극물질로 사용하여 박막형의 마이크로 수퍼커패시터를 개발하기 위한 연구들이 활발히 진행되고 있다. 또한, 마이크로 수퍼커패시터의 용량 증대를 위하여 금속 산화물, 금속 질화물, 전도성 고분자 등과 같은 유사커패시터 개발이 진행되고 있다.
하지만 그래핀, 탄소나노튜브, CDC 등 탄소 나노소재는 마이크로 전자기기에 흔히 사용되는 실리콘 기반의 반도체 디바이스에 직접적으로 통합시키는데 어려움이 있으며, 금속 산화물, 질화물, 전도성 고분자의 경우에는 낮은 전도성으로 인하여 전극물질로 사용하는데 많은 제약이 있다.
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 실리콘 기반의 반도체 디바이스 및 공정과의 호환성이 높은 금속 실리사이드 나노선 기반의 전극 및 이를 이용한 슈퍼커패시터를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 슈퍼커패시터용 금속-실리사이드 나노선 기반 전극은, 전극 표면의 전해질에 형성된 전기 이중층에 의해서 전기 에너지를 저장하는 슈퍼커패시터에 사용되는 전극으로서, 실리콘 기판; 및 상기 실리콘 기판의 표면에 직접성장된 금속-실리사이드 나노선층으로 구성된 것을 특징으로 한다.
금속 실리사이드(metal silicide) 소재는 실리콘과의 호환성이 뛰어나 실리콘 기반의 반도체 디바이스 및 공정에 적용 가능하며, 고전도성과 고안전성 등 우수한 특성을 보인다. 더욱이, 나노선이나 나노벨트와 같이 1차원 나노구조 형태의 전극 소재는 이온과 전자의 이동 거리를 최소화할 수 있으며, 고집적이 가능하여 고출력과 고용량 특성 모두를 구현할 수 있는 장점을 지니고 있다.
본 발명은 실리콘 기반의 반도체 디바이스 및 공정과의 호환성이 높은 금속 실리사이드 나노선이 실리콘 기판에 직접 성장한 전극을 사용하여 슈퍼커패시터의 효율이 향상되는 효과가 있다.
이때, 실리콘 기판의 금속-실리사이드 나노선층이 형성된 반대면에 전도성 재질의 집전체가 부착된 구조일 수 있고, 집전체와 실리콘 기판이 전도성 접착제로 접착될 수 있다. 본 발명의 전극은 금속 실리사이드 나노선이 실리콘 기판에 직접 성장한 구조이기 때문에, 실리콘 기판에 전도성 접착제로 집전체를 부착하여 집전체가 포함된 전극을 용이하게 구성할 수 있다.
그리고 금속-실리사이드가 코발트-실리사이드인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 형태에 의한 슈퍼커패시터용 금속-실리사이드 나노선 기반 전극의 제조 방법은, 상기한 슈퍼커패시터용 전극을 제조하는 방법으로서, 금속 선구체 물질을 가열하여 기화시키는 증기 생성 단계; 기화된 금속 선구체 물질의 증기를 실리콘 기판의 표면으로 이송하는 이송 단계; 및 이송된 금속 선구체 물질의 증기와 실리콘 기판의 표면이 반응하여 금속-실리사이드 나노선을 실리콘 기판의 표면에 직접 형성하는 나노선 형성 단계를 포함하여 구성되며, 상기 나노선 형성 단계가 금속 선구체 물질의 증기가 분해되면서 그에 포함된 금속이 실리콘 기판 표면의 실리콘과 반응이 수행되는 온도로 가열하여 수행되는 것을 특징으로 한다.
이때, 이송단계가 이송가스를 흘려보내서 금속 선구체 물질의 증기를 움직이는 것이 좋으며, 이송가스는 불활성 기체인 것이 바람직하다. 실리콘 기판을 기준으로 금속 선구체 물질과 반대편에 위치하는 진공펌프를 가동하여 이송가스가 실리콘 기판 쪽으로 흐르도록 하는 것이 가능하다.
또한, 나노선 형성 단계 이후에, 금속-실리사이드 나노선층이 형성된 반대면에 전도성 재질의 집전체를 부착하는 집전체 부착 단계를 더 포함할 수 있으며, 집전체 부착 단계가, 전도성 접착제로 집전체와 실리콘 기판을 접착하여 수행될 수 있다.
본 발명의 또 다른 형태에 의한 슈퍼커패시터는, 분리막; 상기 분리막을 사이에 두고 배치된 양극과 음극; 및 상기 양극과 상기 음극에 접하는 전해질을 포함하여 구성되어, 전극의 표면에 형성된 전기 이중층에 의해서 전기 에너지를 저장하는 슈퍼커패시터로서, 양극과 음극 중에 적어도 어느 하나가, 실리콘 기판과 상기 실리콘 기판의 표면에 직접성장된 금속-실리사이드 나노선층으로 구성된 것을 특징으로 한다.
이때, 실리콘 기판의 금속-실리사이드 나노선층이 형성된 반대면에 전도성 재질의 집전체가 부착된 구조일 수 있고, 집전체와 실리콘 기판이 전도성 접착제로 접착될 수 있다. 본 발명의 전극은 금속 실리사이드 나노선이 실리콘 기판에 직접 성장한 구조이기 때문에, 실리콘 기판에 전도성 접착제로 집전체를 부착하여 집전체가 포함된 전극을 용이하게 구성할 수 있다. 그리고 금속-실리사이드가 코발트-실리사이드인 것이 바람직하다.
본 발명의 마지막 형태에 의한 슈퍼커패시터의 제조 방법은, 상기한 구조의 슈퍼커패시터를 제조하는 방법으로서, 실리콘 기판과 상기 실리콘 기판의 표면에 직접성장된 금속-실리사이드 나노선층으로 구성된 양극 또는 음극을 제조하는 과정이, 금속 선구체 물질을 가열하여 기화시키는 증기 생성 단계; 기화된 금속 선구체 물질의 증기를 실리콘 기판의 표면으로 이송하는 이송 단계; 및 이송된 금속 선구체 물질의 증기와 실리콘 기판의 표면이 반응하여 금속-실리사이드 나노선을 실리콘 기판의 표면에 직접 형성하는 나노선 형성 단계를 포함하여 구성되며, 상기 나노선 형성 단계가 금속 선구체 물질의 증기가 분해되면서 그에 포함된 금속이 실리콘 기판 표면의 실리콘과 반응이 수행되는 온도로 가열하여 수행되는 것을 특징으로 한다.
이때, 이송단계가 이송가스를 흘려보내서 금속 선구체 물질의 증기를 움직이는 것이 좋으며, 이송가스는 불활성 기체인 것이 바람직하다. 실리콘 기판을 기준으로 금속 선구체 물질과 반대편에 위치하는 진공펌프를 가동하여 이송가스가 실리콘 기판 쪽으로 흐르도록 하는 것이 가능하다.
또한, 나노선 형성 단계 이후에, 금속-실리사이드 나노선층이 형성된 반대면에 전도성 재질의 집전체를 부착하는 집전체 부착 단계를 더 포함할 수 있으며, 집전체 부착 단계가, 전도성 접착제로 집전체와 실리콘 기판을 접착하여 수행될 수 있다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명은, 실리콘 기반의 반도체 디바이스 및 공정과의 호환성이 높은 금속 실리사이드 나노선이 실리콘 기판에 직접 성장한 전극을 제공함으로써, 별도의 도전재나 바인더 물질을 사용하지 않고도 전기에너지 저장효율 및 수명이 뛰어난 전극 및 슈퍼커패시터를 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 금속 실리사이드 나노선이 실리콘 기판에 직접 성장한 구조로 인하여, 집전체를 실리콘 기판에 부착하는 방식으로 간단하게 전극을 구성할 수 있으며, 결국 슈퍼커패시터의 제조공정이 간편해지는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 슈퍼커패시터용 전극을 제조하기 위한 장치를 설명하는 모식도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 전극을 제조는 과정에서 형성된 나노선을 촬영한 주사 전자현미경 사진이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 전극을 제조는 과정에서 형성된 나노선에 대한 투과 전자현미경 X-선 분광분석 결과이다.
도 4는 본 실시예의 슈퍼커패시터에 대하여 다양한 주사속도(5~50 mV/s) 조건 하에서 측정한 순환전압전류 곡선이다.
도 5는 본 실시예의 슈퍼커패시터에 대하여 사이클 수에 따른 용량 유지율 비교 및 사이클 테스트 이후의 CV 결과를 비교한 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 전극을 제조는 과정에서 형성된 나노선을 촬영한 주사 전자현미경 사진이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 전극을 제조는 과정에서 형성된 나노선에 대한 투과 전자현미경 X-선 분광분석 결과이다.
도 4는 본 실시예의 슈퍼커패시터에 대하여 다양한 주사속도(5~50 mV/s) 조건 하에서 측정한 순환전압전류 곡선이다.
도 5는 본 실시예의 슈퍼커패시터에 대하여 사이클 수에 따른 용량 유지율 비교 및 사이클 테스트 이후의 CV 결과를 비교한 그래프이다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
전극 제조
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 슈퍼커패시터용 전극을 제조하기 위한 장치를 설명하는 모식도이다.
도시된 것과 같이, 본 실시예에 따른 슈퍼커패시터용 전극을 제조하기 위하여, 2개의 가열부(310, 320)를 구비한 반응로(300)를 준비하였으며, 내부에 반응이 수행되는 직경이 1인치이고 길이가 60cm인 쿼츠 튜브(100)를 위치시켰다. 쿼츠 튜브(100) 내부에 화살표 방향으로 공기의 흐름이 발생하도록 공기의 흐름 하류 측에 진공 펌프(미도시)를 설치하여 가동하였다.
공기 흐름의 상류 측에 위치하는 가열부(310)에 의해서 가열되는 위치에 코발트 선구체 물질(210)을 담기 위한 알루미나 재질의 보트형 용기(200)를 배치하였고, 공기 흐름의 하류 측에 위치하는 가열부(320)에 의해서 가열되는 위치에는 실리콘 기판(400)을 배치하였다.
코발트 선구체 물질(210)은 무수화 이염화코발트(anhydrous CoCl2)를 0.05g 사용하였으며, 실리콘 기판(400)은 자연 산화막이 형성되어 있는 5 mm × 5 mm 규격으로 준비하였다. 보트형 용기(200)와 실리콘 기판(400) 사이의 간격(d)은 10.5 cm이며, 쿼츠튜브의 내부에 200 sccm의 아르곤 기체를 흘려주어 반응로 전단부에서 후단부로 아르곤 기체 흐름을 형성하였고, 진공 펌프로 쿼츠 튜브 내부의 압력은 약 250 torr로 유지하였다.
먼저 하류의 가열부(320)를 약 29 ℃/min의 승온 속도로 먼저 가열하기 시작하여 900 ℃까지 가열한 뒤에 온도를 유지하였다. 하류의 가열부(320)가 약 600 ℃ 도달한 시점에 상류의 가열부(310)를 약 23 ℃/min의 승온 속도로 가열하기 시작하고, 상류의 가열부(310)가 720 ℃에 도달한 시점부터 10분 동안 반응을 진행하였다. 아르곤 기체는 720℃의 상류의 가열부(310)에서 생성된 염화코발트 증기를 900 ℃로 유지된 하류의 가열부(320) 영역으로 이동시키며, 하류의 가열부(320)에서 가열된 실리콘 기판 상에서 분해된 코발트가 실리콘 기판 표면에 증착되는 동시에 실리콘과 반응하여 코발트 실리사이드 나노선이 제조된다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 전극을 제조는 과정에서 형성된 나노선을 촬영한 주사 전자현미경 사진이고, 도 3은 이에 대한 투과 전자현미경 X-선 분광분석 결과이다.
도시된 것과 같이, 제조된 나노선은 직경이 약 30~70 nm이고, 나노선의 성분 분석결과 코발트와 실리콘 성분으로 구성된 코발트-실리사이드인 것을 확인할 수 있다.
결국, 본 실시예의 제조방법으로 제조된 전극은, 직경이 약 30~70 nm인 코발트-실리사이드 나노선이 실리콘 기판의 표면에 직접성장된 구조임을 확인할 수 있다.
슈퍼커패시터 제조
상기한 과정으로 제조된 전극을 사용하여 슈퍼커패시터를 제조하였다.
양극과 음극 모두에 상기한 과정으로 제조되어 코발트-실리사이드 나노선이 실리콘 기판에 직접 성장된 전극을 사용하였으며, 추가적인 도전재나 바인더를 사용하지 않았다. 이때, 전극에 집전체로서 스테인리스 스틸 재질의 호일을 전극의 실리콘 기판에 부착하였으며, 전도성 접착제인 Ag 페이스트를 사용하여 집전체를 실리콘 기판에 부착하였다. 이때, 전도성 접착제가 전해질에 노출되지 않도록 에폭시로 잘 밀봉해준다.
슈퍼커패시터의 형태는 양극과 음극이 분리막을 사이에 두고 마주보는 형태인 샌드위치 형태로 제조하였으며, 분리막은 Celgard 3501(polypore, CELGARD, LLC, USA)을 사용하였고, 전해질은 1M H2SO4를 사용하였다.
본 실시예의 전극 및 이를 이용한 슈퍼커패시터는 실리콘 기판에 코발트-실리사이드 나노선이 직접성장하고 있기 때문에, 나노선 고정을 위하여 별도의 바인더를 사용할 필요가 없고, 집전체를 실리콘 기판에 직접 부착하기 때문에 전극 및 슈퍼커패시터의 제조 공정이 매우 간편해지는 뛰어난 효과가 있다.
상기한 형태로 제조된 본 실시예의 슈퍼커패시터에 대하여, 전기화학적 특성을 평가하였다.
다채널을 가지고 있는 일정전위기(VSP potentiostat/galvanostat/EIS, BioLogic) 장비를 사용하였으며, 순환 전압 전류 시험(cyclic voltammetry, CV)을 이용하여 측정하였다. 0V에서 0.5V까지의 전압 범위에서 사이클 안정화를 시킨 뒤 5-50 mV/s으로 주사 속도(scan rate)를 변화시키며 순환 전압 전류 시험(CV)을 수행하였다. 전극의 수명을 평가하기 위하여, 사이클 특성을 관찰하였으며 100 mV/s의 주사 속도 조건하에서 1800 cycle을 진행하여 1800 cycle 이후의 용량 변화에 대하여 관찰하였다.
비축전 용량값(specific areal capacitance)은 아래의 식을 이용하여 계산하였다.
여기서 Csp는 단일 전극 기준 비축전 용량 (F/cm2), I는 방전 전류(A), 
는 방전에 따른 전압 변화, A는 전극의 면적(cm2), v는 주사 속도(dV/dt)이다.
도 4는 본 실시예의 슈퍼커패시터에 대하여 다양한 주사속도(5~50 mV/s) 조건 하에서 측정한 순환전압전류 곡선이고, 도 5는 본 실시예의 슈퍼커패시터에 대하여 사이클 수에 따른 용량 유지율 비교 및 사이클 테스트 이후의 CV 결과를 비교한 그래프이다.
도 4에 도시된 것과 같이, 본 실시예에 따른 전극의 면적당 비축전 용량값은 5 mV/s의 주사 속도에서 약 3.3 mF/cm2이고, 10 mV/s의 주사 속도에서 약 2.9 mF/cm2으로 측정되었다. 이는 기존에 보고된 그래핀 기반 마이크로 수퍼커패시터의 면적당 용량값인 322.8 ㎌/cm2 와 실리콘 나노선 기반 마이크로 수퍼커패시터의 면적당 용량값인 440 ㎌/cm2 보다 더 높은 면적당 비축전 용량값을 나타낸 것이다.
도 5는 나노선 전극의 사이클 수에 따른 용량 유지율을 보여주며, 1800 번째 사이클에서 초기 용량 대비 약 100 %의 용량 유지율을 보였으며, 본 실시예에 따라 제조된 전극 및 이를 이용한 슈퍼커패시터의 안정성이 매우 우수함을 확인할 수 있다.
이상에서 살펴본 것과 같이, 본 실시예에 따른 전극과 이를 사용한 슈퍼커패시터는 별도의 도전재를 사용하지 않고도 매우 뛰어난 특성을 나타내며, 반복 사용에 따른 안정성도 높은 것을 확인할 수 있다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 통하여 설명하였는데, 상술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화가 가능함은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 특정 실시예가 아니라 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상도 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 쿼츠 튜브
200: 보트형 용기
210: 코발트 선구체 물질
300: 반응로
310, 320: 가열부
400: 실리콘 기판
200: 보트형 용기
210: 코발트 선구체 물질
300: 반응로
310, 320: 가열부
400: 실리콘 기판
Claims (20)
- 분리막;
상기 분리막을 사이에 두고 배치된 양극과 음극; 및
상기 양극과 상기 음극에 접하는 전해질을 포함하여 구성되어, 전극의 표면에 형성된 전기 이중층에 의해서 전기 에너지를 저장하는 슈퍼커패시터로서,
양극과 음극 중에 적어도 어느 하나가, 실리콘 기판과 상기 실리콘 기판의 표면에 직접성장된 금속-실리사이드 나노선층으로 구성되며,
상기 전해질이 전극을 구성하는 금속-실리사이드 나노선층에 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터.
- 청구항 1에 있어서,
상기 실리콘 기판의 금속-실리사이드 나노선층이 형성된 반대면에 전도성 재질의 집전체가 부착된 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터.
- 청구항 2에 있어서,
상기 집전체와 상기 실리콘 기판이 전도성 접착제로 접착된 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터.
- 청구항 1에 있어서,
상기 금속-실리사이드가 코발트-실리사이드인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터.
- 청구항 1의 슈퍼커패시터를 제조하는 방법으로서,
실리콘 기판과 상기 실리콘 기판의 표면에 직접성장된 금속-실리사이드 나노선층으로 구성된 양극 또는 음극을 제조하는 과정이,
금속 선구체 물질을 가열하여 기화시키는 증기 생성 단계;
기화된 금속 선구체 물질의 증기를 실리콘 기판의 표면으로 이송하는 이송 단계; 및
이송된 금속 선구체 물질의 증기와 실리콘 기판의 표면이 반응하여 금속-실리사이드 나노선을 실리콘 기판의 표면에 직접 형성하는 나노선 형성 단계를 포함하여 구성되며,
상기 나노선 형성 단계가 금속 선구체 물질의 증기가 분해되면서 그에 포함된 금속이 실리콘 기판 표면의 실리콘과 반응이 수행되는 온도로 가열하여 수행되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조 방법.
- 청구항 5에 있어서,
상기 이송 단계가 이송가스를 흘려보내서 금속 선구체 물질의 증기를 움직이는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조 방법.
- ◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈청구항 6에 있어서,
상기 이송가스가 불활성 기체인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조 방법.
- 청구항 6에 있어서,
상기 실리콘 기판을 기준으로 상기 금속 선구체 물질과 반대편에 위치하는 진공펌프를 가동하여 이송가스가 실리콘 기판 쪽으로 흐르도록 하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조 방법.
- 청구항 5에 있어서,
상기 나노선 형성 단계 이후에, 금속-실리사이드 나노선층이 형성된 반대면에 전도성 재질의 집전체를 부착하는 집전체 부착 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조 방법.
- ◈청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈청구항 9에 있어서,
상기 집전체 부착 단계가, 전도성 접착제로 상기 집전체와 상기 실리콘 기판을 접착하여 수행되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조 방법.
- 분리막, 상기 분리막을 사이에 두고 배치된 양극과 음극 및 상기 양극과 상기 음극에 접하는 전해질을 포함하여 구성되어, 전극의 표면에 형성된 전기 이중층에 의해서 전기 에너지를 저장하는 슈퍼커패시터에 사용되어, 상기 전해질이 직접 접촉하는 전극으로서,
실리콘 기판; 및
상기 실리콘 기판의 표면에 직접성장된 금속-실리사이드 나노선층으로 구성되며,
상기 전해질이 금속-실리사이드 나노선층에 직접 접촉되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 금속-실리사이드 나노선 기반 전극.
- 청구항 11에 있어서,
상기 실리콘 기판의 금속-실리사이드 나노선층이 형성된 반대면에 전도성 재질의 집전체가 부착된 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 금속-실리사이드 나노선 기반 전극.
- 청구항 12에 있어서,
상기 집전체와 상기 실리콘 기판이 전도성 접착제로 접착된 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 금속-실리사이드 나노선 기반 전극.
- 청구항 11에 있어서,
상기 금속-실리사이드가 코발트-실리사이드인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 금속-실리사이드 나노선 기반 전극.
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