KR101993515B1 - Double side polishing apparatus of the wafer - Google Patents
Double side polishing apparatus of the wafer Download PDFInfo
- Publication number
- KR101993515B1 KR101993515B1 KR1020170058459A KR20170058459A KR101993515B1 KR 101993515 B1 KR101993515 B1 KR 101993515B1 KR 1020170058459 A KR1020170058459 A KR 1020170058459A KR 20170058459 A KR20170058459 A KR 20170058459A KR 101993515 B1 KR101993515 B1 KR 101993515B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- drum
- groove
- width
- grooves
- projection
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
Abstract
본 발명은 드레싱 공정 시에 상정반을 드럼의 일정 높이에 고정시킬 수 있는 웨이퍼의 양면 연마장치에 관한 것이다.
본 발명은 회전 가능하게 설치된 축 형상의 드럼; 상기 드럼의 외주면에 결합되고, 상기 드럼과 같이 회전 가능하게 설치된 상정반; 상기 드럼의 외주면 중 서로 대향되는 위치에 수직 방향으로 관통되고, 서로 비대칭 형상인 제1,2홈; 및 상기 상정반의 내주면 중 서로 대향되는 위치에 돌출되고, 상기 제1,2홈을 따라 수직 방향으로 이동될 수 있는 서로 비대칭 형상인 제1,2돌기;를 포함하고, 드레싱 공정 시 상기 상정반을 설정 각도 회전시켜 상기 드럼에 거치하면, 상기 제1돌기가 상기 제2홈 내부의 일정 높이에 걸쳐지고, 상기 제2돌기가 상기 제1홈 내부의 일정 높이에 걸쳐지도록 구성되는 웨이퍼의 양면 연마장치를 제공한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a double-side polishing apparatus for a wafer capable of fixing an anticipated half to a certain height of a drum during a dressing process.
The present invention relates to a drum type rotary drum, An outer drum coupled to an outer circumferential surface of the drum and rotatably provided with the drum; First and second grooves penetrating in a vertical direction at positions opposed to each other on the outer circumferential surface of the drum and having an asymmetrical shape; And first and second protrusions protruding at positions opposed to each other in the inner circumferential surface of the supposition half and being asymmetrical in shape to each other so as to be vertically movable along the first and second grooves, Wherein the first projections extend over a predetermined height in the second grooves and the second projections extend over a predetermined height in the first grooves. Lt; / RTI >
Description
본 발명은 드레싱 공정 시에 상정반을 드럼의 일정 높이에 고정시킬 수 있는 웨이퍼의 양면 연마장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a double-side polishing apparatus for a wafer capable of fixing an anticipated half to a certain height of a drum during a dressing process.
일반적으로 반도체 소자 제조용 재료로 광범위하게 사용되고 있는 웨이퍼(wafer)는 다결정의 실리콘을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말한다.In general, a wafer widely used as a material for manufacturing semiconductor devices refers to a single crystal silicon thin plate made of polycrystalline silicon as a raw material.
이러한 웨이퍼는, 다결정의 실리콘을 단결정 실리콘 잉곳(ingot)으로 성장시킨 다음, 실리콘 잉곳을 웨이퍼의 형태로 자르는 슬라이싱(slicing) 공정과, 웨이퍼의 두께를 균일화하여 평면화하는 래핑(lapping) 공정과, 기계적인 연마에 의하여 발생한 손상을 제거 또는 완화하는 에칭(etching) 공정과, 웨이퍼 표면을 경면화하는 폴리싱(polishing) 공정과, 웨이퍼를 세정하는 세정 공정(cleaning) 등을 거쳐 제조된다.Such wafers include a slicing process of growing polycrystalline silicon into a single crystal silicon ingot and then cutting the silicon ingot into a wafer form, a lapping process of flattening the wafer by making the thickness uniform, An etching process for removing or alleviating damage caused by polishing, a polishing process for mirror-polishing the surface of the wafer, and a cleaning process for cleaning the wafer.
그런데, 웨이퍼의 상/하면을 동시에 연마시키는 양면 연마 공정(Double Side Polishing : DSP)이 많이 적용되는데, 이러한 양면 연마 공정에 사용되는 DSP 장비는 슬러리(slurry)를 연마제로 사용하여 정반 가압 하에 연마 패드(pad)와 웨이퍼의 마찰을 통하여 연마를 수행하도록 구성된다.[0003] However, a DSP (Double Side Polishing) process for simultaneously polishing upper and lower surfaces of a wafer is often applied. DSP equipment used in the double side polishing process uses a slurry as an abrasive, and to perform polishing through the friction of the wafer with the pad.
물론, 연마 패드는 연마 성능을 높이기 위하여 소정의 표면 거칠기를 가지도록 구성되는데, 연마 공정이 진행됨에 따라 연마 패드의 표면에 연마 부산물 및 슬러리 등이 잔존하기 때문에 연마 성능을 향상시키기 위하여 연마 패드의 불순물을 긁어내는 별도의 드레싱 공정이 진행된다.Of course, the polishing pad is configured to have a predetermined surface roughness in order to improve the polishing performance. Since the polishing by-product and the slurry remain on the surface of the polishing pad as the polishing process proceeds, impurities in the polishing pad A separate dressing process is carried out.
종래 기술에 따르면, 웨이퍼의 양면 연마장치에 적용되는 드레싱 공정은 작업자가 별도의 드레서를 상/하정반 사이에 넣고, 상/하정반을 회전시키면서 연마패드의 표면에 불순물을 긁어내도록 진행된다.According to the prior art, the dressing process applied to the double-side polishing apparatus of the wafer proceeds so that the operator inserts a separate dresser between the upper and lower halves and scrapes impurities on the surface of the polishing pad while rotating the upper / lower half.
도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼의 양면 연마장치가 드레싱 공정을 수행하는 상태가 도시된 측단면도이다.1 is a side sectional view showing a state in which a conventional double-side polishing apparatus for a wafer performs a dressing process.
종래 기술에 따르면, 도 1에 도시된 바와 같이 상정반(10)의 하면에 상부 연마패드(P1)가 부착되고, 하정반(20)의 상면에 하부 연마패드(P2)가 부착되며, 상기 상정반(10)은 회전 구동 가능한 드럼(30)에 거치된다.1, an upper polishing pad P1 is attached to the lower surface of the
이때, 상기 상정반(10)의 내주면에 한 쌍의 돌기(11,12)가 구비되고, 상기 드럼(30)의 외주면에 길이 방향으로 길게 한 쌍의 홈(31,32)이 구비되며, 상기 상정반(10)의 돌기들(11,12)이 상기 드럼(30)의 홈들(31,32)에 끼워진 상태에서 길이 방향으로 이동 가능하게 설치된다.At this time, a pair of
따라서, 상기 상/하부 연마패드(P1,P2) 사이에 웨이퍼를 위치시킨 다음, 상기 상/하정반(10,20)을 반대 방향으로 회전시키는 동시에 슬러리를 공급하면서 폴리싱 공정을 진행한다.Accordingly, the wafer is positioned between the upper and lower polishing pads P1 and P2, and then the polishing process is performed while rotating the upper and
물론, 상기와 같은 폴리싱 공정이 진행될수록 상기 상/하부 연마패드(P1,P2)의 표면에 불순물이 적층되고, 이와 같이 상기 상/하부 연마패드(P1,P2)에 적층된 불순물을 제거하기 위하여 별도의 드레싱 공정을 주기적으로 진행한다.Of course, impurities are deposited on the surfaces of the upper and lower polishing pads P1 and P2 as the polishing process proceeds, and in order to remove the impurities deposited on the upper and lower polishing pads P1 and P2, A separate dressing process is performed periodically.
그런데, 드레싱 공정을 위하여 상기 상/하정반(10,20) 사이에 드레서(40)를 삽입하면, 도 1에 도시된 바와 같이 상기 드레서(40)가 삽입되는 방향에 위치한 상기 상정반(10)의 일단이 상측으로 밀어 올려지고, 그에 따라 상기 드레서(40)와 반대 방향에 위치한 상기 상정반(10)의 타단이 하측으로 기울어지게 된다.1, when the
상기와 같이, 종래 기술에 따르면, 상정반(10)의 돌기들(11,12)이 드럼(30)의 홈들(31,32)을 따라 길이 방향으로 이동 가능하게 설치되기 때문에 드레싱 공정 중에 상정반(10)이 상하 방향으로 요동침에 따라 연마패드(P1,P2)를 평탄하게 드레싱하기 어렵고, 이후에 폴리싱 공정 중 연마패드(P1,P2)의 연마면이 불균일함에 따라 웨이퍼의 평탄도를 악화시키는 문제점이 있다.As described above, according to the conventional art, since the
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 드레싱 공정 시에 상정반을 드럼의 일정 높이에 고정시킬 수 있는 웨이퍼의 양면 연마장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a double-sided polishing apparatus for a wafer, which is capable of fixing an assumed half to a predetermined height of a drum during a dressing process.
본 발명은 회전 가능하게 설치된 축 형상의 드럼; 상기 드럼의 외주면에 결합되고, 상기 드럼과 같이 회전 가능하게 설치된 상정반; 상기 드럼의 외주면 중 서로 대향되는 위치에 수직 방향으로 관통되고, 서로 비대칭 형상인 제1,2홈; 및 상기 상정반의 내주면 중 서로 대향되는 위치에 돌출되고, 상기 제1,2홈을 따라 수직 방향으로 이동될 수 있는 서로 비대칭 형상인 제1,2돌기;를 포함하고, 드레싱 공정 시 상기 상정반을 설정 각도 회전시켜 상기 드럼에 거치하면, 상기 제1돌기가 상기 제2홈 내부의 일정 높이에 걸쳐지고, 상기 제2돌기가 상기 제1홈 내부의 일정 높이에 걸쳐지도록 구성되는 웨이퍼의 양면 연마장치를 제공한다.The present invention relates to a drum type rotary drum, An outer drum coupled to an outer circumferential surface of the drum and rotatably provided with the drum; First and second grooves penetrating in a vertical direction at positions opposed to each other on the outer circumferential surface of the drum and having an asymmetrical shape; And first and second protrusions protruding at positions opposed to each other in the inner circumferential surface of the supposition half and being asymmetrical in shape to each other so as to be vertically movable along the first and second grooves, Wherein the first projections extend over a predetermined height in the second grooves and the second projections extend over a predetermined height in the first grooves. Lt; / RTI >
본 발명에 따른 웨이퍼의 양면 연마장치는 폴리싱 공정 시에 상정반의 제1,2돌기가 드럼의 제1,2홈에 장착되지만, 상정반을 설정 각도 회전시켜 드럼에 거치하면, 드레싱 공정 시에 상정반의 제1,2돌기가 드럼의 제1,2홈 내부에 일정 높이에 걸쳐지도록 하여 상정반을 드럼의 특정 높이에 고정시킬 수 있다.In the apparatus for polishing both surfaces of a wafer according to the present invention, the first and second protrusions of the first half are mounted on the first and second grooves of the drum during the polishing process. However, The first and second protrusions of the half are allowed to extend over a predetermined height in the first and second grooves of the drum so that the half of the half can be fixed to a specific height of the drum.
따라서, 상정반을 드럼의 특정 높이에 고정시킨 상태에서 드레싱 공정을 진행함으로써, 연마패드를 평탄하게 드레싱할 수 있고, 이후에 폴리싱 공정을 진행하더라도 평탄도를 개선할 수 있는 이점이 있다.Therefore, the polishing pad can be dressed smoothly by proceeding the dressing process while the supposition plate is fixed at a specific height of the drum, and there is an advantage that the flatness can be improved even if the polishing process is subsequently carried out.
도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼의 양면 연마장치가 드레싱 공정을 수행하는 상태가 도시된 측단면도.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼의 양면 연마장치가 드레싱 공정을 수행하는 상태가 도시된 측단면도.
도 3 및 도 4는 도 2에 적용된 제1실시예의 상정반과 드럼이 폴리싱 공정 및 드레싱 공정을 위하여 각각 장착된 상태가 도시된 단면도.
도 5 및 도 6은 도 2에 적용된 제2실시예의 상정반과 드럼이 폴리싱 공정 및 드레싱 공정을 위하여 각각 장착된 상태가 도시된 단면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a side cross-sectional view showing a state in which a double-side polishing apparatus for a wafer according to the prior art performs a dressing process.
2 is a side sectional view showing a state in which a double-side polishing apparatus for a wafer according to the present invention performs a dressing process.
Figs. 3 and 4 are cross-sectional views showing the assumption half of the first embodiment applied to Fig. 2 and the state where the drum is mounted for the polishing process and the dressing process, respectively.
Figs. 5 and 6 are sectional views showing the assumption half of the second embodiment applied to Fig. 2 and the state in which the drum is mounted for the polishing process and the dressing process, respectively.
이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다. Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the scope of the inventive concept of the present embodiment can be determined from the matters disclosed in the present embodiment, and the spirit of the present invention possessed by the present embodiment is not limited to the embodiments in which addition, Variations.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼의 양면 연마장치가 드레싱 공정을 수행하는 상태가 도시된 측단면도이다.2 is a side cross-sectional view showing a state in which a double-side polishing apparatus for a wafer according to the present invention performs a dressing process.
본 발명에 따른 웨이퍼의 양면 연마장치는 도 2에 도시된 바와 같이 회전 가능하게 구비된 상정반(110)과, 상기 상정반(110) 하측에 회전 가능하게 구비된 하정반(120)과, 상기 상정반(110)을 회전 구동시키는 드럼(130)을 포함하는데, 상기 상정반(110)의 내주면에 비대칭 형상인 제1,2돌기(111,112)가 구비되고, 상기 제1,2돌기(111,112)가 장착될 수 있도록 상기 드럼(130)의 외주면에 비대칭 형상인 제1,2홈(131,132)이 구비된다.2, the apparatus for polishing both surfaces of a wafer according to the present invention includes an upper polishing table 110 rotatably provided as shown in FIG. 2, a lower polishing table 120 rotatably disposed below the upper polishing table 110, The first and
상기 상정반(110)은 소정 두께의 링 판 형상으로서, 그 하면에 상부 연마패드(P1)가 접착되고, 그 중심에 위치한 상기 드럼(130)에 의해 회전 구동된다.The upper surface of the
또한, 상기 제1,2돌기(111,112)는 상기 상정반(110)의 내주면 중 서로 대향되는 위치에 비대칭 형상으로 구비되는데, 적어도 하기에서 설명될 드럼(130)의 수직 방향 길이만큼 길게 형성되며, 자세한 형상을 하기의 실시예를 통하여 설명하기로 한다.The first and
상기 하정반(120)은 상기 상정반(110)과 마찬가지로 소정 두께의 링 판 형상으로서, 그 상면에 하부 연마패드(P2)가 접착되고, 그 하측에 구비된 별도의 구동부(미도시)에 의해 회전 가능하게 설치된다.The lower polishing pad P2 is attached to the upper surface of the
상기 드럼(130)은 회전 가능하게 설치된 축 형상으로서, 상기 상정반(110)의 중심에 위치되어 상기 상정반(110)을 회전 구동시킨다.The
또한, 상기 제1,2홈(131,132)은 상기 드럼(130)의 외주면 중 서로 대향되는 위치에 비대칭 형상으로 구비되는데, 상기 드럼(130)의 외주면을 따라 수직 방향으로 관통되게 형성되며, 자세한 형상을 하기의 실시예를 통하여 설명하기로 한다.The first and
상기와 같이, 상기 상정반(110)과 드럼(130) 사이에 회전력을 전달시키기 위하여 상기 상정반(110)의 제1,2돌기(111,112)가 상기 드럼(130)의 제1,2홈(131,132)에 장착되도록 구성되는데, 폴리싱 공정을 위하여 상기 제1,2돌기(111,112)가 상기 제1,2홈(131,132)을 따라 수직 방향으로 이동 가능하게 장착되지만, 드레싱 공정을 위하여 상기 제1,2돌기(111,112)가 상기 제1,2홈(131,132) 내부의 일정 높이에 걸쳐지도록 장착되도록 구성되어야 하며, 이를 위하여 하기에서 한정된 실시예를 참조하여 설명하기로 한다. The first and
도 3 및 도 4는 도 2에 적용된 제1실시예의 상정반과 드럼이 폴리싱 공정 및 드레싱 공정을 위하여 각각 장착된 상태가 도시된 단면도로서, 상정반과 드럼의 장착 상태가 원주 방향을 따라 자른 단면 형상이다.FIGS. 3 and 4 are cross-sectional views showing the assumption of the first embodiment applied to FIG. 2 and the state in which the drum is mounted for the polishing process and the dressing process, respectively, wherein the assumption half and the mounting state of the drum are cut along the circumferential direction .
본 발명의 제1실시예에 따르면, 상정반(110 : 도 2에 도시)의 내주면에는 모양은 같지만 두께가 서로 다른 사각 형상의 제1,2돌기(111,112)가 구비되고, 드럼(130 : 도 2에 도시)의 외주면에는 모양은 같지만 두께가 서로 다른 단차진 형상의 제1,2홈(131,132)이 구비된다.According to the first embodiment of the present invention, the first and
상세하게, 상기 제1,2돌기(111,112)는 직사각 형상으로 구성되고, 상기 제2돌기(112)의 폭은 상기 제1돌기(111)의 폭보다 큰 폭으로 구성되어 있다. In detail, the first and
물론, 상기 제1,2돌기(111,112)는 상기 상정반의 내주면에 서로 대향되는 위치에 구비되고, 상기 제1,2돌기(111,112)의 형상은 다양하게 구성될 수 있으며, 한정되지 아니한다.Of course, the first and
한편, 상기 제1홈(131)은 상기 제1돌기(111)의 폭을 가진 사각 형상의 하부 홈(131a)과 상기 제2돌기(112)의 폭보다 더 큰 폭을 가진 사각 형상의 상부 홈(131b)이 일측에서 단차진 형상으로 상하 방향으로 관통되게 구성된다.The
또한, 상기 제2홈(132)은 상기 제2돌기(112)의 폭을 가진 사각 형상의 하부 홈(132a)과 상기 제1,2돌기(111,112)의 폭을 합한 값 이하의 폭을 가진 사각 형상의 상부 홈(132b)이 일측에서 단차진 형상으로 상하 방향으로 관통되게 구성된다.The
마찬가지로, 상기 제1,2홈(131,132)은 상기 드럼(130 : 도 2에 도시)의 외주면 서로 대향되는 위치에 구비되고, 상기 제1,2홈(131,132)의 형상은 상기 제1,2돌기(111,112)의 형상을 고려하여 다양하게 구성될 수 있으며, 한정되지 아니한다.Similarly, the first and
상기와 같이 구성된 제1실시예에 따르면, 도 3에 도시된 바와 같이 폴리싱 공정을 진행하기 위하여 상기 제1,2돌기(111,112)를 상기 제1,2홈(131,132) 위에 위치시킨 다음, 상기 상정반(110 : 도 2에 도시)을 상기 드럼(130 : 도 2에 도시)의 상측에서 하향 이동시키면, 상기 제1,2돌기(111,112)가 상기 제1,2홈(131,132)을 따라 끼워진다.According to the first embodiment, as shown in FIG. 3, the first and
즉, 상기 제1돌기(111)는 상기 제1홈의 하부 홈(131a)까지 이동되고, 상기 제2돌기(112)도 상기 제2홈의 하부 홈(132a)까지 이동되며, 상기 상정반(110 : 도 2에 도시)이 상기 하정반(120 : 도 2에 도시) 위에 놓인 웨이퍼와 밀착된 상태에서 상기 드럼(130 : 도 2에 도시)과 같은 방향으로 회전 가능하게 설치된다.That is, the
한편, 도 4에 도시된 바와 같이 드레싱 공정을 진행하기 위하여 상기 상정반(110 : 도 2에 도시)을 상기 드럼(130 : 도 2에 도시)의 상측에서 설정 각도로 회전시켜 상기 제1,2돌기(111,112)를 상기 제2,1홈(132,131) 상측에 위치시킨 다음, 상기 상정반(110 : 도 2에 도시)을 상기 드럼(130 : 도 2에 도시)의 상측에서 하향 이동시키면, 상기 제1,2돌기(111,112)가 상기 제1,2홈(131,132) 내부의 단차진 부분에 걸쳐진다.Meanwhile, as shown in FIG. 4, in order to advance the dressing process, the supposing unit 110 (shown in FIG. 2) is rotated at a predetermined angle from the upper side of the drum 130 (shown in FIG. 2) When the
즉, 상기 제1돌기(111)는 상기 제2홈의 상부 홈(132b)에 걸쳐지고, 상기 제2돌기(112)도 상기 제1홈의 상부 홈(131b)에 걸쳐지며, 상기 상정반(110 : 도 2에 도시)이 상기 하정반(120 : 도 2에 도시)과 일정 간격을 유지하도록 상기 드럼(130 : 도 2에 도시)의 일정 높이에 손쉽게 고정된다.That is, the
물론, 상기 상정반(110 : 도 2에 도시)의 제1,2돌기(111,112)가 상기 드럼(130 : 도 2에 도시)의 제1,2홈(131,132)과 적어도 일측면이 서로 맞물리도록 하여 회전력이 안정적으로 전달될 수 있다.Of course, the first and
따라서, 드레싱 공정을 진행하더라도 상정반(110 : 도 2에 도시)을 드럼(130 : 도 2에 도시)의 특정 높이에 고정하여 상하 방향으로 요동되는 것을 방지할 수 있고, 연마패드(P1,P2 : 도 2에 도시)의 표면을 평탄하게 드레싱할 수 있다.2) can be fixed to a specific height of the drum 130 (shown in Fig. 2) to prevent it from swinging in the vertical direction, and even when the polishing pad P1, P2 : As shown in Fig. 2) can be evenly dressed.
도 5 및 도 6은 도 2에 적용된 제2실시예의 상정반과 드럼이 폴리싱 공정 및 드레싱 공정을 위하여 각각 장착된 상태가 도시된 단면도로서, 상정반과 드럼의 장착 상태가 원주 방향을 따라 자른 단면 형상이다.5 and 6 are cross-sectional views showing the assumption part of the second embodiment applied to FIG. 2 and the state in which the drum is mounted for the polishing process and the dressing process, respectively, wherein the assumption half and the mounting state of the drum are cut along the circumferential direction .
본 발명의 제2실시예에 따르면, 상정반(110 : 도 2에 도시)의 내주면에는 높이는 같지만 모양이 서로 다른 제1,2돌기(111,112)가 구비되고, 드럼(130 : 도 2에 도시)의 외주면에는 높이는 같지만 역시 모양이 서로 다른 제1,2홈(131,132)이 구비된다.According to the second embodiment of the present invention, the first and
상세하게, 상기 제1돌기(111)는 직사각 형상이고, 상기 제2돌기(112)는 상기 제1돌기(111)의 폭보다 긴 상부 폭과 상기 제1돌기(111)의 폭보다 짧은 하부 폭을 가진 사다리꼴 형상으로 구성되며, 상기 제1,2돌기(111,112)는 상기 상정반(110 : 도 2에 도시)의 내주면에 서로 대향되는 위치에 상하 방향으로 길게 돌출되게 구비된다.The
또한, 상기 제1홈(131)은 상기 제1돌기(111)와 대응되는 직사각 형상이고, 상기 제2홈(132)은 상기 제2돌기(112)와 대응되는 사다리꼴 형상으로 구성되며, 상기 제1,2홈(131,132)은 상기 드럼(130 : 도 2에 도시)의 내주면 서로 대향되는 위치에 상하 방향으로 관통되게 구비된다.The
물론, 상기 제1,2돌기(111,112)와 제1,2홈(131,132)은 그 모양이 서로 다른 형태의 비대칭 형상으로 다양하게 구성될 수 있으며, 한정되지 아니한다.Of course, the first and
상기와 같이 구성된 제2실시예에 따르면, 도 5에 도시된 바와 같이 폴리싱 공정을 진행하기 위하여 상기 제1,2돌기(111,112)를 상기 제1,2홈(131,132) 위에 위치시킨 다음, 상기 상정반(110 : 도 2에 도시)을 상기 드럼(130 : 도 2에 도시)의 상측에서 하향 이동시키면, 상기 제1,2돌기(111,112)가 상기 제1,2홈(131,132)을 따라 끼워지고, 상기 상정반(110 : 도 2에 도시)이 상기 하정반(120 : 도 2에 도시) 위에 놓인 웨이퍼와 밀착된 상태에서 상기 드럼(130 : 도 2에 도시)과 같은 방향으로 회전 가능하게 설치된다.According to the second embodiment, as shown in FIG. 5, the first and
한편, 도 6에 도시된 바와 같이 드레싱 공정을 진행하기 위하여 상기 상정반(110 : 도 2에 도시)을 상기 드럼(130 : 도 2에 도시)의 상측에서 설정 각도로 회전시켜 상기 제1,2돌기(111,112)를 상기 제2,1홈(132,131) 상측에 위치시킨 다음, 상기 상정반(110 : 도 2에 도시)을 상기 드럼(130 : 도 2에 도시)의 상측에서 하향 이동시키면, 상기 제1,2돌기(111,112)의 하부가 상기 제1,2홈(131,132) 내부의 양측면에 걸쳐지고, 상기 상정반(110 : 도 2에 도시)이 상기 하정반(120 : 도 2에 도시)과 일정 간격을 유지하도록 상기 드럼(130 : 도 2에 도시)의 일정 높이에 손쉽게 고정된다.On the other hand, as shown in FIG. 6, in order to advance the dressing process, the supposing unit 110 (shown in FIG. 2) is rotated at a predetermined angle from the upper side of the
물론, 상기 상정반(110 : 도 2에 도시)의 제1,2돌기(111,112) 하부 모서리가 상기 드럼(130 : 도 2에 도시)의 제1,2홈(131,132) 내측면에 지지되어 회전력이 안정적으로 전달될 수 있다.Of course, the lower edges of the first and
따라서, 드레싱 공정을 진행하더라도 상정반(110 : 도 2에 도시)을 드럼(130 : 도 2에 도시)의 특정 높이에 고정하여 상하 방향으로 요동되는 것을 방지할 수 있고, 연마패드(P1,P2 : 도 2에 도시)의 표면을 평탄하게 드레싱할 수 있다.2) can be fixed to a specific height of the drum 130 (shown in Fig. 2) to prevent it from swinging in the vertical direction, and even when the polishing pad P1, P2 : As shown in Fig. 2) can be evenly dressed.
110 : 상정반 111,112 : 제1,2돌기
120 : 하정반 130 : 드럼
131,132 : 제1,2홈110:
120: Lower and upper half 130: Drums
131, 132:
Claims (7)
상기 드럼의 외주면에 결합되고, 상기 드럼과 같이 회전 가능하게 설치된 상정반;
상기 상정반의 내주면 중 서로 대향되는 위치에 돌출되고, 원주 방향의 폭이 서로 다른 제1,2돌기; 및
상기 드럼의 외주면 중 서로 대향되는 위치에 수직 방향으로 관통되고, 상기 제1,2돌기가 수용될 수 있도록 원주 방향의 폭이 서로 다른 제1,2홈;을 포함하고,
상기 제1홈은,
하부 홈과 상부 홈이 일측에서 단차진 형상으로 상하 연통되도록 구성되고,
상기 제2홈은,
하부 홈과 상부 홈이 일측에서 단차진 형상으로 상하 연통되도록 구성되며,
드레싱 공정 시 상기 상정반을 설정 각도 회전시켜 상기 드럼에 거치하면,
상기 제1돌기가 상기 제2홈의 상부 홈에 걸쳐지고,
상기 제2돌기가 상기 제1홈의 상부 홈에 걸쳐지는 웨이퍼의 양면 연마장치.A shaft-shaped drum rotatably installed;
An outer drum coupled to an outer circumferential surface of the drum and rotatably provided with the drum;
First and second protrusions protruding at positions opposed to each other in the inner circumferential surface of the hypothetical half and having different widths in the circumferential direction; And
And first and second grooves penetrating in a direction perpendicular to the outer circumferential surfaces of the drum and having different widths in the circumferential direction so that the first and second protrusions can be received,
The first groove
The lower groove and the upper groove are vertically communicated in a stepped shape from one side,
The second groove
The lower groove and the upper groove are vertically communicated in a stepped shape from one side,
When the dressing process is performed,
Wherein the first projection extends over the upper groove of the second groove,
And the second projection extends over the upper groove of the first groove.
상기 제1돌기의 폭은 상기 제2돌기의 폭 보다 작게 구성되는 웨이퍼의 양면 연마장치.The method according to claim 1,
Wherein the width of the first projection is smaller than the width of the second projection.
상기 제1,2돌기는 직사각 형상으로 구성되는 웨이퍼의 양면 연마장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first and second protrusions are formed in a rectangular shape.
상기 제1홈은,
상기 제1돌기의 폭을 가진 사각 형상의 하부 홈과 상기 제2돌기의 폭 이상의 폭을 가진 사각 형상의 상부 홈으로 구성되고,
상기 제2홈은,
상기 제2돌기의 폭을 가진 사각 형상의 하부 홈과 상기 제1,2돌기의 폭을 합한 값 이하의 폭을 가진 사각 형상의 상부 홈으로 구성되는 웨이퍼의 양면 연마장치.The method of claim 3,
The first groove
A rectangular protrusion having a width equal to or greater than the width of the second protrusion,
The second groove
Wherein the upper groove has a rectangular shape having a width equal to the width of the second projection and a width equal to or smaller than a sum of the widths of the first and second projections.
상기 드럼의 외주면에 결합되고, 상기 드럼과 같이 회전 가능하게 설치된 상정반;
상기 상정반의 내주면 중 서로 대향되는 위치에 돌출되고, 원주 방향의 폭이 일정한 제1돌기 및 원주 방향의 폭이 상측에서 하측으로 갈수록 좁아지는 다른 제2돌기; 및
상기 드럼의 외주면 중 서로 대향되는 위치에 수직 방향으로 관통되고, 상기 제1돌기와 대응되는 형상의 제1홈 및 상기 제2돌기와 대응되는 형상의 제2홈;을 포함하고,
상기 제2돌기는,
상기 제1돌기의 폭보다 긴 상부 폭과 상기 제1돌기의 폭 보다 짧은 하부 폭을 가지는 형상으로 구성되며,
드레싱 공정 시 상기 상정반을 설정 각도 회전시켜 상기 드럼에 거치하면,
상기 제1돌기의 하부가 상기 제2홈의 중간부에 걸쳐지고,
상기 제2돌기의 중간부가 상기 제1홈의 상부에 걸쳐지는 웨이퍼의 양면 연마장치. A shaft-shaped drum rotatably installed;
An outer drum coupled to an outer circumferential surface of the drum and rotatably provided with the drum;
First protrusions protruding in positions opposite to each other in the inner circumferential surface of the supposition half and having a constant width in the circumferential direction and second protrusions protruding in the circumferential direction from the upper side to the lower side; And
A first groove having a shape corresponding to the first projection and a second groove having a shape corresponding to the second projection, the second groove being perpendicular to the first and second projections,
The second projection
Wherein the first protrusion has a top width that is longer than a width of the first protrusion and a bottom width that is shorter than a width of the first protrusion,
When the dressing process is performed,
A lower portion of the first projection extends over an intermediate portion of the second groove,
And an intermediate portion of the second projection extends over an upper portion of the first groove.
상기 제1돌기는 직사각 형상이고,
상기 제2돌기는 상부 폭 보다 하부 폭이 짧은 사다리꼴 형상으로 구성되는 웨이퍼의 양면 연마장치.6. The method of claim 5,
Wherein the first projection has a rectangular shape,
Wherein the second projections are formed in a trapezoidal shape having a bottom width shorter than an upper width.
상기 제1,2돌기의 높이는,
상기 상정반의 높이 또는 상기 제1,2홈의 높이와 동일하게 구성되는 웨이퍼의 양면 연마장치.The method according to claim 6,
The height of the first and second projections
And the height of the first half or the height of the first and second grooves.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170058459A KR101993515B1 (en) | 2017-05-11 | 2017-05-11 | Double side polishing apparatus of the wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170058459A KR101993515B1 (en) | 2017-05-11 | 2017-05-11 | Double side polishing apparatus of the wafer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180124257A KR20180124257A (en) | 2018-11-21 |
KR101993515B1 true KR101993515B1 (en) | 2019-06-26 |
Family
ID=64602396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170058459A KR101993515B1 (en) | 2017-05-11 | 2017-05-11 | Double side polishing apparatus of the wafer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101993515B1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008036770A (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Speedfam Co Ltd | Double-face polishing device |
JP2017001151A (en) * | 2015-06-12 | 2017-01-05 | 信越半導体株式会社 | Processing device of workpiece |
-
2017
- 2017-05-11 KR KR1020170058459A patent/KR101993515B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008036770A (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Speedfam Co Ltd | Double-face polishing device |
JP2017001151A (en) * | 2015-06-12 | 2017-01-05 | 信越半導体株式会社 | Processing device of workpiece |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180124257A (en) | 2018-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101846926B1 (en) | Method for polishing both surfaces of wafer | |
EP1306891A1 (en) | Mirror chamfered wafer, mirror chamfering polishing cloth, and mirror chamfering polishing machine and method | |
US20130023188A1 (en) | Apparatus for Wafer Grinding | |
WO2005070619A1 (en) | Method of grinding wafer and wafer | |
KR101993515B1 (en) | Double side polishing apparatus of the wafer | |
KR101941768B1 (en) | Double side polishing apparatus of the wafer | |
WO2014057894A1 (en) | Elastic grindstone dressing method | |
KR100746373B1 (en) | Structure of carrier plate of double side polishing apparatus | |
JP3845215B2 (en) | Mirror polishing method for surface ground wafer | |
KR101079468B1 (en) | Carrier for double side polishing apparatus and double side polishing method using the same | |
KR101941769B1 (en) | Double side polishing apparatus of the wafer | |
TWI634967B (en) | Double-side polishing device and method | |
KR101292227B1 (en) | Apparatus for dressing pads for polishing wafer | |
KR101443459B1 (en) | Niddle dresser and wafer double side poliching apparatus with it | |
KR20190041635A (en) | Wafer Lapping Apparatus | |
KR101206922B1 (en) | Apparatus for grinding wafer | |
KR20180060034A (en) | Apparatus for polishing a wafer | |
KR101572094B1 (en) | Apparatus for dressing grinding wheel | |
KR100886603B1 (en) | Apparatus for polishing wafer and process for polishing wafer | |
KR101292224B1 (en) | Apparatus and method for dressing pad for polishing wafer | |
KR101506875B1 (en) | Dressing unit | |
KR101455919B1 (en) | Structure of Lapping Plate in Double Side Lapping Apparatus For Silicon Wafer | |
WO2017134914A1 (en) | Method for polishing both surfaces of wafer | |
KR20140028287A (en) | Apparatus for polishing wafer | |
KR20190010156A (en) | Wafer polishing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |