KR101079468B1 - Carrier for double side polishing apparatus and double side polishing method using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 양면 연마장치용 캐리어 및 이를 이용한 양면 연마방법에 관한 것이다. 본 발명의 양면 연마장치용 캐리어는, 양면 연마장치의 상정반과 하정반 사이에 설치되어 선기어와 인터널기어에 의하여 회전되고, 웨이퍼를 장착하기 위한 장착홀 및 연마액을 배출하기 위한 복수의 배출홀이 형성된 캐리어 플레이트; 및 배출홀에 삽입되어 설치되고, 캐리어 플레이트가 회전됨에 따라 상판의 패드와 하판의 패드를 연마하는 드레싱 블럭;을 포함한다.The present invention relates to a carrier for a double-side polishing apparatus and a double-side polishing method using the same. The carrier for a double-side polishing apparatus of the present invention is installed between the upper and lower plates of the double-side polishing apparatus, rotated by a sun gear and an internal gear, a mounting hole for mounting a wafer, and a plurality of discharge holes for discharging the polishing liquid. Formed carrier plate; And a dressing block inserted into the discharge hole, the dressing block polishing the pad of the upper plate and the pad of the lower plate as the carrier plate is rotated.
캐리어, 양면 연마장치, 선기어, 인터널기어, 드레싱 블럭 Carrier, Double Side Grinding Machine, Sun Gear, Internal Gear, Dressing Block
Description
본 발명은 양면 연마장치용 캐리어 및 이를 이용한 양면 연마방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼의 양면 연마 중 웨이퍼와 마찰되는 패드의 평탄도를 개선하는 양면 연마장치용 캐리어 및 이를 이용한 양면 연마방법에 관한 것이다.The present invention relates to a carrier for a double-side polishing apparatus and a double-side polishing method using the same, and more particularly, to a carrier for a double-side polishing apparatus and a double-side polishing method using the same to improve the flatness of the pad friction with the wafer during double-side polishing of the wafer. It is about.
반도체 소자 등을 제조하는 원재료인 단결정 실리콘 웨이퍼 등의 웨이퍼는 크게, 쉐이핑(shaping) 공정, 연마(polishing) 공정, 세정(cleaning) 공정을 거쳐 제조되며, 에피택셜층을 성장시키는 공정을 선택적으로 더 수행할 수 있다. 쉐이핑 공정은 다시, 잉곳(ingot) 형태의 단결정을 웨이퍼 형태로 자르는 슬라이싱(slicing) 공정, 슬라이싱 공정에 기인하는 결함을 제거하고 두께를 제어하기 위해 웨이퍼를 기계적으로 연마하는 래핑(lapping) 공정, 래핑 공정에 기인하는 결함을 화학적으로 제거하는 에칭(etching) 공정, 에칭 공정에 기인하는 결함을 제거하는 연삭(grinding) 공정으로 세분할 수 있다. 또한, 연마 공정은 약 10㎛ 내지 20㎛ 정도의 두께를 연마함으로써 쉐이핑 공정에 기인하는 표면 결함을 제거하고 웨 이퍼의 평탄도를 좋게 하는 양면 연마(DSP : double side polishing) 공정과, 약 1㎛ 내외의 두께를 미세하게 연마하여 거칠기(roughness)를 개선함으로써 경면화하는 최종 연마(final polishing) 공정으로 나눌 수 있다.Wafers, such as single crystal silicon wafers, which are raw materials for manufacturing semiconductor devices, etc., are largely manufactured through a shaping process, a polishing process, and a cleaning process, and further selectively grow the epitaxial layer. Can be done. The shaping process is again a slicing process in which single crystals of ingot form are cut into wafer forms, a lapping process in which a wafer is mechanically polished to remove defects caused by the slicing process and to control thickness. It can be subdivided into the etching process which chemically removes the defect resulting from a process, and the grinding process which removes the defect resulting from an etching process. In addition, the polishing process is a double side polishing (DSP) process that removes surface defects caused by the shaping process and improves the flatness of the wafer by polishing a thickness of about 10 to 20 µm, and about 1 µm. It can be divided into a final polishing process in which the internal and external thickness is finely polished to improve roughness, thereby mirroring.
여기서, 상기 연마 공정은 통상적으로 양면 연마장치를 사용하여 웨이퍼의 양면을 연마한다. 상기 양면 연마장치는 패드가 상면에 부착된 하정반과 패드가 상면에 부착된 상정반 및, 상정반과 하정반 사이에 설치되고 웨이퍼가 장착되는 캐리어를 포함한다.Here, the polishing process typically uses a double side polishing apparatus to polish both sides of the wafer. The double-sided polishing apparatus includes a lower plate having a pad attached to the upper surface, an upper plate attached to the upper surface of the pad, and a carrier installed between the upper plate and the lower plate and mounted with a wafer.
보다 구체적으로, 하정반의 외주에는 인터널기어(internal gear)가 마련되고, 상정반의 중심부에 선기어(sun gear)가 설치된다. 인터널기어와 선기어는 상정반과 하정반이 서로 반대방향으로 회전됨에 따라 각각 서로 반대방향으로 회전된다.More specifically, an internal gear is provided on the outer circumference of the lower plate, and a sun gear is installed at the center of the upper plate. The internal gear and the sun gear rotate in opposite directions as the upper and lower plates rotate in opposite directions.
캐리어는 대략 원판 형상으로 이루어지고, 선기어와 인터널기어에 맞물리게 놓여진다. 캐리어에는 웨이퍼를 장착하기 위한 장착홀이 형성된다. 따라서, 웨이퍼는 캐리어에 장착된 상태에서 상정반의 패드 및 하정반의 패드와 그 표면이 밀착된다. 이때, 패드와 밀착된 웨이퍼는 상대 운동에 의한 마찰력과 연마입자와 각종 첨가물을 혼합한 슬러리(slurry)(이하 '연마액'이라 함)에 의하여 기계적, 화학적 연마가 이루어진다.The carrier has a substantially disc shape and is placed in engagement with the sun gear and the internal gear. In the carrier, a mounting hole for mounting the wafer is formed. Therefore, the surface of the wafer is in close contact with the pad of the upper plate and the pad of the lower plate in the state of being mounted on the carrier. At this time, the wafer in close contact with the pad is mechanically and chemically polished by a slurry (hereinafter, referred to as a “polishing liquid”) in which frictional force due to relative motion and a mixture of abrasive particles and various additives are mixed.
즉, 양면연마장치를 작동시키면, 하정반과 상정반은 서로 반대 방향으로 회전되고, 인터널기어와 선기어도 이에 연동하여 서로 반대방향으로 회전된다. 인터널기어와 선기어의 회전에 의하여 캐리어는 자전과 공전을 하면서 연마액 및 고압의 가공 압력에 의하여 웨이퍼를 연마시킨다.That is, when the double-sided polishing device is operated, the lower platen and the upper platen are rotated in opposite directions to each other, and the internal gear and the sun gear are also rotated in the opposite directions in association with each other. By rotating the internal gear and the sun gear, the carrier rotates and rotates to polish the wafer by the polishing liquid and the high pressure processing pressure.
한편, 웨이퍼를 연마하는 패드는 연마액 및 웨이퍼의 연마를 위해 압력이 가해짐에 따라 웨이퍼의 연마 시간이 증가될수록 패드 표면이 불균일화되어 웨이퍼의 평단도를 악화시키는 원인이 발생하게 된다.On the other hand, in the pad for polishing the wafer, as pressure is applied for polishing the polishing liquid and the wafer, as the polishing time of the wafer increases, the surface of the pad becomes uneven and causes flatness of the wafer.
이에, 양면 연마장치에서는 상정반과 하정반에 설치된 패드를 교환한 후에 패드의 평탄화를 위한 작업이 진행된다. 즉, 패드를 교환하고 나서 소정 횟수(回數) 예를 들어 40 내지 60런(run) 정도의 더미 런(dummy run) 또는 테스트 런(test run)(이하 '패드 컨디션닝'이라 함)을 실시한 후, 연마된 웨이퍼의 평탄도를 측정하여 측정된 평탄도가 기준치를 만족하면 프라임 웨이퍼(prime wafer) 작업을 진행한다. 만약, 측정된 평탄도가 기준치에 미달하면 평탄도가 기준치에 도달할 때까지 패드 컨디셔닝 작업을 수행한다.Thus, in the double-side polishing apparatus, after replacing the pads installed on the upper and lower plates, the operation for flattening the pads is performed. That is, after a pad is replaced, a dummy run or a test run (hereinafter referred to as 'pad conditioning') for a predetermined number of times, for example, about 40 to 60 runs is performed. After that, the flatness of the polished wafer is measured, and if the measured flatness satisfies the reference value, a prime wafer operation is performed. If the measured flatness does not meet the reference value, the pad conditioning operation is performed until the flatness reaches the reference value.
이러한 패드 컨디셔닝의 작업 즉, 패드의 평탄화 작업에는 연마 공정에 따른 시간의 30% 이상을 차지하게 된다. 즉, 패드의 사용 기간은 6일 정도인데, 패드 평탄화 작업에 하루 반 정도의 시간이 소용되기 때문에 패드 평탄화 작업은 웨이퍼의 생산성에 매우 큰 지장을 주게 된다.This pad conditioning operation, that is, planarization of the pad takes up more than 30% of the time according to the polishing process. That is, the use period of the pad is about six days, and since the half and half of the time is required for the pad flattening operation, the pad flattening operation greatly affects the productivity of the wafer.
또한, 패드 컨디셔닝 작업은 일반적으로 컨디셔닝 직후에 더미 웨이퍼를 이용한 품질 검증 작업이 필요하고, 작업자에 의한 수정 작업이 수시로 발생함에 따라 웨이퍼의 품질 악화 및 생산성 저하 요인이 되고 있다.In addition, the pad conditioning operation generally requires a quality verification operation using a dummy wafer immediately after conditioning, and as a result of frequent modifications by the operator, deterioration of the wafer quality and productivity are caused.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 웨이퍼의 양면을 연마하는 동시에 웨이퍼를 연마하는 패드의 평탄도를 개선함으로써 웨이퍼를 생산하기 위한 준비시간이 단축되도록 하는 양면 연마장치용 캐리어 및 이를 이용한 양면 연마방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and the carrier for a double-side polishing apparatus to reduce the preparation time for producing a wafer by improving the flatness of the pad for polishing the wafer while polishing both sides of the wafer and The purpose is to provide a double-sided polishing method using the same.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 양면 연마장치용 캐리어는, 양면 연마장치의 상정반과 하정반 사이에 설치되어 선기어와 인터널기어에 의하여 회전되고, 웨이퍼를 장착하기 위한 장착홀 및 연마액을 배출하기 위한 복수의 배출홀이 형성된 캐리어 플레이트; 및 배출홀에 삽입되어 설치되고, 캐리어 플레이트가 회전됨에 따라 상판의 패드와 하판의 패드를 연마하는 드레싱 블럭;을 포함한다.In order to achieve the above object, the carrier for a double-side polishing apparatus of the present invention is installed between the upper and lower plates of the double-side polishing apparatus, rotated by the sun gear and the internal gear, and the mounting hole and the polishing liquid for mounting the wafer. A carrier plate having a plurality of discharge holes for discharging; And a dressing block inserted into the discharge hole, the dressing block polishing the pad of the upper plate and the pad of the lower plate as the carrier plate is rotated.
드레싱 블럭은 중심부가 관통된 형상으로 이루어진 것이 바람직하다.Dressing block is preferably made of a shape through the center.
이때, 드레싱 블럭은 연마액이 원활히 배출되도록 캐리어 플레이트의 두께와 대응되는 두께를 갖도록 이루어지거나 캐리어 플레이트의 두께보다 소정 간격만큼 작은 두께를 갖도록 이루어진 것이 바람직하다.In this case, the dressing block is preferably made to have a thickness corresponding to the thickness of the carrier plate so as to smoothly discharge the polishing liquid or made to have a thickness smaller by a predetermined interval than the thickness of the carrier plate.
또한, 드레싱 블럭은 다이아몬드인 것이 바람직하다.In addition, the dressing block is preferably diamond.
한편, 드레싱 블럭은 모든 배출홀에 설치되거나 적어도 어느 하나의 배출홀에 설치된 것이 바람직하다.On the other hand, the dressing block is preferably installed in all discharge holes or at least one discharge hole.
바람직하게, 드레싱 블럭이 모든 배출홀에 설치될 경우 본딩처리되어 캐리어 플레이트에 일체로 부착된다.Preferably, when the dressing block is installed in all the discharge holes, it is bonded and integrally attached to the carrier plate.
바람직하게, 드레싱 블럭 및 배출홀이 맞물리도록 기어형상으로 이루어져 드레싱 블럭이 선택적으로 탈착가능하게 이루어진다.Preferably, the dressing block and the discharge hole is geared to engage the dressing block is selectively removable.
본 발명의 다른 측면인 양면 연마장치용 캐리어를 이용한 연마방법은, (a) 양면 연마장치의 상정반과 하정반 사이에 상기 양면 연마장치용 캐리어 중 어느 하나를 설치하는 단계; 및 (b) 양면 연마장치를 작동시켜 웨이퍼의 양면을 연마함과 동시에 캐리어에 의하여 상정반의 패드와 하정반의 패드가 평탄하게 연마되도록 하는 단계;를 포함한다.A polishing method using a carrier for a double-side polishing apparatus, which is another aspect of the present invention, includes: (a) installing any one of the carriers for the double-side polishing apparatus between the upper and lower plates of the double-side polishing apparatus; And (b) operating the double-side polishing apparatus to polish both sides of the wafer and to simultaneously polish the pads of the upper and lower plates by the carrier.
본 발명에 따른 양면 연마장치용 캐리어 및 이를 이용한 양면 연마방법은 다음과 같은 효과를 가진다.The carrier for a double-side polishing apparatus according to the present invention and the double-side polishing method using the same have the following effects.
첫째, 웨이퍼를 양면 연마함과 동시에 웨이퍼를 연마하는 패드의 평탄도를 개선함에 따라 웨이퍼의 품질 향상은 물론, 웨이퍼를 생산하기 위한 준비 시간이 크게 단축되도록 한다.First, as the wafer is double-sided polished and the flatness of the pad for polishing the wafer is improved, not only the quality of the wafer but also the preparation time for producing the wafer is greatly shortened.
둘째, 패드에 대한 별도의 컨디셔닝 작업을 하지 않으므로써 생산량이 증가한다.Secondly, production is increased by not having to condition the pads separately.
셋째, 안정적인 패드의 평탄도 유지에 따른 패드의 사용시간이 증가하고, 이에 패드의 원가를 절감할 수 있다.Third, the use time of the pad increases according to maintaining the flatness of the stable pad, thereby reducing the cost of the pad.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms or words used in the specification and claims should not be construed as having a conventional or dictionary meaning, and the inventors should properly explain the concept of terms in order to best explain their own invention. Based on the principle that can be defined, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 양면 연마장치용 캐리어를 나타내는 평면도이고, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 양면 연마장치를 나타내는 부분 절개 사시도이며, 도 3은 상기 양면 연마장치의 단면도이다.1 is a plan view showing a carrier for a double-side polishing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 2 is a partial cutaway perspective view showing a double-side polishing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 3 is a It is a cross section.
도면을 참조하면, 양면 연장장치용 캐리어(100)는 양면 연마장치(200)에 장착되어 사용된다. 상기 양면 연마장치(200)는 패드(212)가 하면에 부착된 상정반(210), 상정반(210)과 대향되게 설치되고 패드(232)가 상면에 부착된 하정반(230), 하정반(230)의 외주에 설치되어 회전되는 인터널기어(240), 상정반(210)의 중심부에 설치되어 인터널기어(240)와 반대 방향으로 회전되는 선기어(220) 및, 상정반(210)과 하정반(230) 사이에 설치되어 선기어(220)와 인터널기어(240)에 의하여 회전되는 양면 연마장치용 캐리어(100)를 구비한다.Referring to the drawings, the carrier for the double-sided
상정반(210)의 상부에는 연마액을 공급하는 노즐(미도시)이 설치되고, 상정반(210)에는 노즐을 통하여 공급된 연마액이 하정반(230) 측으로 유입되도록 관통 된 유입구(미도시)가 형성되어 있다. 즉, 웨이퍼(W)를 연마시 유입구를 통해 연마액이 공급된다.A nozzle (not shown) for supplying a polishing liquid is installed at an upper portion of the
상기 상정반(210)과 하정반(230)의 사이에 설치된 양면 연마장치용 캐리어(100)에는 웨이퍼(W)가 설치되고, 이 웨이퍼(W)는 상정반(210)과 하정반(230)에 부착된 패드(212)(232)와 마찰되도록 이루어진다. 이에, 웨이퍼(W)의 양면이 연마된다. 즉, 웨이퍼가 마찰되어 연마되는 것은, 상기 상정반(210)의 패드(212) 및 하정반(230)의 패드(232)가 서로 반대되는 방향으로 회전함에 따라 이루어진다.The wafer W is installed in the
선기어(220)의 외주면에 형성된 기어부 및 인터널기어(240)의 내부면에 형성된 기어부는 양면 연마장치용 캐리어(100)의 외주면에 형성된 기어(121)와 서로 치합된다. 이에, 상정반(210) 및 하정반(230)이 구동원(미도시)에 의해 회전됨에 따라, 양면 연마장치용 캐리어(100)는 자전 및 공전하게 된다.The gear portion formed on the outer circumferential surface of the
이러한 양면 연마장치용 캐리어(100)는 상정반(210)과 하정반(230)에 의해 연마되는 웨이퍼(W)를 지지하고, 웨이퍼(W)를 연마하는 상정반(210) 및 하정반(230)의 패드(212)(232)의 평탄화를 유지시키는 역할을 한다.The
보다 구체적으로, 양면 연마장치용 캐리어(100)는 상정반(210)과 하정반(230) 사이에 설치되는 캐리어 플레이트(120) 및, 캐리어 플레이트(120)에 설치된 드레싱 블럭(140)을 구비한다.More specifically, the
상기 캐리어 플레이트(120)는 그 외주면에 선기어(220)와 인터널기어(240)와 치합되도록 기어(121)가 형성된다. 또한, 캐리어 플레이트(120)에는 웨이퍼(W)를 장착하기 위한 장착홀(122)과 연마액을 배출하기 위한 복수의 배출홀(124)이 형성 된다.The
상기 장착홀(122)에는 웨이퍼(W)가 설치되는데, 장착홀(122)의 내주에는 웨이퍼(W)의 에지(edge)부에 손상이 없도록 하기 위한 보지(保持)부(123)가 설치될 수 있다. 예컨대, 보지부(123)는 아라미드 수지로 이루어져 웨이퍼(W)의 면취부를 손상시키지 않게 보호한다.A wafer W is installed in the
상기 복수의 배출홀(124)은 연마액을 배출하기 위하여 캐리어 플레이트(120)를 관통하여 형성된다. 이에, 연마액은 웨이퍼(W)의 상면 및 배출홀(124)을 통해 웨이퍼(W)의 하면 즉, 하정반(230)의 패드(232)로 공급된다.The plurality of
드레싱 블럭(140)은 배출홀(124)에 설치된다. 보다 구체적으로, 드레싱 블럭(140)은 중심부가 관통된 형상으로 이루어져 연마액이 흘러내리도록 형성되며, 배출홀(124)에 삽입되어 설치된다. 예컨대, 드레싱 블럭(140)은 양면 연마장치용 캐리어(100)를 제조시 본딩처리되어 설치되거나, 이미 제조된 캐리어 플레이트(120)의 배출홀(124)에 선택적으로 끼워져 설치될 수 있다.The
드레싱 블럭(140)이 캐리어 플레이트(120)의 제조시 일체로 형성될 경우 드레싱 블럭(140)은 복수의 배출홀(124)에 전부 설치되는 것이 바람직하다.When the
또한, 선택적으로 드레싱 블럭(140)이 배출홀(124)에 끼워질 경우, 즉 선택적으로 탈부착가능하게 설치될 경우 드레싱 블럭(140)은 복수의 배출홀(124) 중 적어도 어느 하나의 배출홀(124)에 설치되는 것이 바람직하다. 비록 도시되지는 않았지만, 드레싱 블럭(140)을 배출홀(124)에 탈부착시 캐리어 플레이트(120)의 배출홀(124) 내주면과 및 드레싱 블럭(140)의 외주면은 기어형상으로 이루어져 서로 맞 물리도록 형성된다. 이에, 드레싱 블럭(140)이 배출홀(124)에 용이하게 탈부착되며 캐리어 플레이트(120)의 회전시 드레싱 블럭(140)이 배출홀(124)의 기어와 맞물려 회전된다.In addition, when the
아울러, 드레싱 블럭(140)은 다이아몬드로 이루어진 것이 바람직하다. 상기 드레싱 블럭(140)이 다이아몬드 재질로 이루어진 것은 패드(212)(232)를 용이하기 연마하기 위한 것으로서, 이는 통상적으로 사용되는 것이므로 상세한 설명은 생략하기로 한다. In addition, the
한편, 도면에는 복수의 배출홀(124)에 각각 드레싱 블럭(140)이 설치된 것으로 도시되었으나, 드레싱 블럭(140)의 설치 개수는 필요한 연마의 정도, 주어진 연마 시간 등을 고려하여 적절하게 증감될 수 있다.On the other hand, although the
이러한 드레싱 블럭(140)은 배출홀(124)에 설치시 캐리어 플레이트(120)와 동일한 두께 또는 캐리어 플레이트(120)의 두께 보다 소정 간격 작은 두께를 갖도록 설치된다. 이에, 웨이퍼(W) 연마시 공급되는 연마액이 배출홀(124)을 통해 하정반(230) 패드(232)로 원활히 공급된다. 또한, 드레싱 블럭(140)은 양면 연마 장치(200)의 상정반(210)과 하정반(230)의 가공 압력에 의한 패드(212)(232)의 압축 범위를 고려하여 캐리어 플레이트(120)의 두께와 동일하거나 소정 간격만큼 작은 두께로 이루어진 것이다. 여기서, 소정 간격만큼 작은 두께는 패드(212)(232)의 압축범위 및 패드의 연마 정도에 따라 패드(212)(232)가 웨이퍼(W)를 연마하며 평탄도를 유지하도록 가공될 수 있는 상태의 범위인 것으로 이해되어야 한다.The
따라서, 양면 연마장치용 캐리어(100)에 설치된 웨이퍼(W)와 드레싱 블 럭(140)이 상정반(210) 및 하정반(230)의 패드(212)(232)가 접촉됨으로써 웨이퍼(W)의 연마와 함께 패드(212)(232)의 평탄화 공정인 컨디셔닝 작업이 동시에 이루어진다.Therefore, the wafer W and the
한편, 미설명된 참조부호 '110'은 양면 연마장치용 캐리어(100)를 설치하기 위한 캐리어 홀더이다.Meanwhile, reference numeral '110', which is not described, is a carrier holder for installing the
그러면, 상기와 같은 구조로 이루어진 양면 연마장치용 캐리어(100)를 이용하여 연마하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.Next, a method of polishing using the
먼저, 양면 연마장치(200)의 상정반(210)과 하정반(230) 사이에 양면 연마장치용 캐리어(100)를 설치한다. 이때, 캐리어(100)의 외주면에 형성된 기어(121)는 선기어(220)와 인터널기어(240)와 맞물리도록 설치한다.First, a
양면 연마장치용 캐리어(100)를 설치한 후 상정반(210)과 하정반(230)을 각가 회전시킨다. 상정반(210)과 하정반(230)은 서로 반대 방향으로 회전되고, 이에 따라 선기어(220)와 인터널기어(240)도 서로 반대방향으로 회전되기 때문에 양면 연마장치용 캐리어(100)는 자전과 공전을 동시에 하면서 패드(212)(232)를 연마하고, 패드(212)(232)에 의하여 웨이퍼(W)가 연마된다.After installing the
결과적으로, 상기 웨이퍼(W)를 연마함과 동시에 패드(212)(232)의 컨디셔닝 작업을 함께 수행함으로써 패드(212)(232)의 사용 기간이 향상됨은 물론, 웨이퍼(W)의 생산성 및 품질이 향상된다.As a result, by grinding the wafer W and simultaneously conditioning the
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지 식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.As described above, although the present invention has been described by way of limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto, and the technical spirit of the present invention and the following will be understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. Various modifications and variations are possible, of course, within the scope of equivalents of the claims to be described.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 양면 연마장치용 캐리어를 나타내는 평면도.1 is a plan view showing a carrier for a double-side polishing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 양면 연마장치를 나타내는 부분 절개 사시도.Figure 2 is a partially cut perspective view showing a double-side polishing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 양면 연마장치를 나타내는 단면도.3 is a cross-sectional view showing a double-side polishing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100 : 캐리어 120 : 캐리어 플레이트100
140 : 드레싱 블럭 200 : 양면 연마장치140: dressing block 200: double-sided polishing apparatus
210 : 상정반 230 : 하정반210: upper plate 230: lower plate
220 : 선기어 240 : 인터널기어220: sun gear 240: internal gear
212, 232 : 패드 W : 웨이퍼212, 232: Pad W: Wafer
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