KR101986548B1 - Method for manufacturing GaN light-emitting diodes and GaN light-emitting diodes manufactured by the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 n형 질화갈륨층 및 p형 질화갈륨층에 은(Ag)계 물질이 증착된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드를 제공한다.
또한, 본 발명은 질소 분위기하에 300 내지 500℃에서 열처리하여 은(Ag)계 물질을 동시에 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층에 증착하는 단계 및 상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 노출하기 위해 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법을 제공한다.The present invention provides a gallium nitride based light emitting diode characterized in that a silver (Ag) based material is deposited on an n-type gallium nitride layer and a p-type gallium nitride layer.
The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: depositing a silver (Ag) based material simultaneously on an n-type gallium nitride layer and a p-type gallium nitride layer by heat treatment at 300 to 500 ° C in a nitrogen atmosphere; Type gallium nitride layer, and etching the exposed gallium nitride layer to expose the gallium nitride layer.
Description
본 발명은 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층의 반사 전극을 모두 은(Ag)계 물질로 하여 동시에 증착하여 경제성, 발광다이오드 전기적 특성 및 광학적 특성을 효과적으로 향상시킨 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법 및 이에 의한 질화갈륨계 발광다이오드에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a method of manufacturing a gallium nitride based light emitting diode, and more particularly, to a method of manufacturing a gallium nitride based light emitting diode, The present invention relates to a gallium nitride-based light emitting diode having improved characteristics and optical characteristics, and a gallium nitride-based light emitting diode.
LED는 전기 에너지를 빛으로 변환시키는 고체 소자의 일종으로서, 일반적으로 2개의 상반된 도핑층 사이에 개재된 반도체 재료의 활성층을 포함한다. 2개의 도핑층 양단에 바이어스가 인가되면, 정공과 전자가 활성층으로 주입된 후 그곳에서 재결합되어 빛이 발생되며, 활성층에서 발생된 빛은 모든 방향으로 방출되어 모든 노출 표면을 통해 반도체 칩밖으로 방출되게 된다.LEDs are a type of solid element that converts electrical energy into light and typically includes an active layer of semiconductor material interposed between two opposing doping layers. When a bias is applied to both ends of the two doped layers, holes and electrons are injected into the active layer and then recombined to generate light. Light emitted from the active layer is emitted in all directions and emitted to the outside of the semiconductor chip through all exposed surfaces do.
통상적인 질화갈륨계 발광다이오드의 구조는 서브스트레이트 기판상에 순차적으로 형성된 버퍼층, n형 질화갈륨층, 다중양자우물구조인 활성층 및 p형 질화갈륨층을 포함하며, 상기 p형 질화갈륨층과 활성층은 그 일부 영역을 식각 등의 공정으로 제거하여 n형 질화갈륨층의 일부 상면이 노출된 구조를 갖는다. 상기 노출된 n형 질화물 반도체층 상에는 n형 전극이 형성되고 p형 질화물 반도체층 상에는 오믹접촉을 형성하기 위하여 투명 전극층이 형성된 후에, p형 본딩 전극을 형성하는데 이는 광출력을 약화시키는 문제점이 있다. A typical structure of a gallium nitride based light emitting diode includes a buffer layer sequentially formed on a substrate, an n-type gallium nitride layer, an active layer of a multiple quantum well structure, and a p-type gallium nitride layer, Has a structure in which a part of the upper surface of the n-type gallium nitride layer is exposed by removing a part of the region by a process such as etching. Type electrode is formed on the exposed n-type nitride semiconductor layer and a transparent electrode layer is formed on the p-type nitride semiconductor layer in order to form an ohmic contact, and then a p-type bonding electrode is formed.
최근 소자에서의 발광 효율과 열처리 기술을 개선하기 위한 질화갈륨계 반도체 기반의 flip chip이나 수직 구조를 갖는 소자가 활발히 연구되고 있으나, 최근까지 p형 질화갈륨층과 은(Ag)계 물질과의 접촉에서 거의 존재하지 않는 전위 장벽 등의 이유로 오믹 형성이 매우 잘 되어 당연하게 n형 질화갈륨층에서의 오믹 전극은 적합하지 못한 것으로 여겨왔다.In recent years, gallium nitride semiconductor based flip chip or vertical structure devices have been actively studied to improve the light emitting efficiency and heat treatment technique in devices, but until now, the contact between p-type gallium nitride layer and silver (Ag) The ohmic electrode in the n-type gallium nitride layer is considered to be unsuitable because of the very good formation of the ohmic due to the non-existent dislocation barrier and the like.
또한, 4.35 eV의 낮은 은(Ag)의 일함수로 인하여 이론적으로 p형 질화갈륨층에서보다 n형 질화갈륨층에서의 은(Ag)계 오믹 접촉 형성이 원활함에도 불구하고, 쇼트키 접합 형성의 어려움과 최근까지도 안정되지 못한 열처리 기술에 대한 조건으로 인하여 이에 대한 연구가 아직 미비한 상황이다.In addition, although the work function of silver (Ag) as low as 4.35 eV theoretically facilitates the formation of silver (Ag) based ohmic contact in the n-type gallium nitride layer than in the p-type gallium nitride layer, Due to the difficulties and the conditions for the recently unstable heat treatment technology, research on this has not been done yet.
따라서, p-GaN 뿐만 아니라 n-GaN에서도 오믹접촉 형성이 가능한 질화갈륨계 발광다이오드에 관한 기술이 필요한 실정이다.Therefore, there is a need for a technique for a gallium nitride-based light emitting diode capable of forming an ohmic contact not only with p-GaN but also with n-GaN.
따라서, 본 발명은 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층에 동시에 은(Ag)계 물질을 증착하여 완벽한 오믹 접촉을 형성하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법 및 이에 의한 질화갈륨계 발광다이오드를 제공하고자 한다.Accordingly, the present invention provides a method for manufacturing a gallium nitride-based light-emitting diode in which a silver (Ag) -based material is simultaneously deposited on an n-type gallium nitride layer and a p-type gallium nitride layer to form a perfect ohmic contact and a gallium nitride- I want to.
전술한 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 노출된 n형 질화갈륨층 및 상기 n형 질화갈륨층 상에 형성된 p형 질화갈륨층에 대하여, 질소 분위기하에 300 내지 500℃에서 열처리하여 은(Ag)계 물질을 동시에 상기 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층에 증착하는 단계 및 상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 노출하기 위해 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법을 제공한다.In order to solve the above-described problems, the present invention provides a method of manufacturing a p-type gallium nitride layer on an exposed n-type gallium nitride layer and a p-type gallium nitride layer formed on the n-type gallium nitride layer by annealing at 300 to 500 ° C under a nitrogen atmosphere, Type material to the n-type gallium nitride layer and the p-type gallium nitride layer at the same time, and etching the n-type gallium nitride layer to expose the deposited n-type gallium nitride layer. A gallium nitride-based light emitting diode manufacturing method is provided.
상기 은(Ag)계 물질의 두께는 80 내지 200nm일 수 있다.The thickness of the silver (Ag) based material may be 80 to 200 nm.
상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 노출하기 위해 식각하는 단계는 0.2 내지 2㎛ 두께로 건식 식각할 수 있다.The step of etching to expose the n-type gallium nitride layer on which the silver (Ag) based material is deposited may be dry-etched to a thickness of 0.2 to 2 탆.
상기 노출된 질화갈륨층의 캐리어 농도가 5×108cm-3 이하일 수 있다.The carrier density of the exposed GaN layer 5 × 10 8 cm -3 or less.
또한, 본 발명은 상술한 방법에 따라 제조된 질화갈륨계 발광다이오드를 제공할 수 있다.Further, the present invention can provide a gallium nitride-based light emitting diode manufactured according to the above-described method.
본 발명에 따르는 질화갈륨계 발광다이오드는 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층의 반사 전극을 모두 은(Ag)계 물질로 하여 동시에 증착하여 종래 기술보다 2단계 이상의 공정을 줄여 가격 경쟁력을 향상시킬 수 있고, 발광다이오드 전기적 특성 및 광학적 특성 또한 효과적으로 향상시킬 수 있다. The gallium nitride based light emitting diode according to the present invention can be used for both the n-type gallium nitride layer and the p-type gallium nitride layer as a silver (Ag) And the light emitting diode electrical characteristics and optical characteristics can be effectively improved.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화갈륨 발광다이오드 제조방법의 단계를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화갈륨 발광다이오드의 단면도를 나타낸 것이다.
도 3은 실시예와 비교예의 n형 질화갈륨층의 오믹접촉 관련 전기적 특성을 나타낸 것이다.
도 4는 실시예 1 내지 3의 접촉 저항 및 반사도 특성을 나타낸 것이다.
도 5는 실시예 3과 비교예의 광학적 특성을 나타낸 것이다.
도 6은 실시예 3과 비교예의 p형 질화갈륨층의 오믹접촉 관련 전기적 특성을 나타낸 것이다.
도 7은 실시예 3과 비교예의 광 출력을 나타낸 것이다.FIG. 1 shows steps of a method of manufacturing a gallium nitride light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a gallium nitride light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 shows electrical characteristics relating to ohmic contact of the n-type gallium nitride layer of the example and the comparative example.
Fig. 4 shows contact resistance and reflectance characteristics of Examples 1 to 3. Fig.
5 shows the optical characteristics of Example 3 and Comparative Example.
Fig. 6 shows electrical characteristics relating to ohmic contact of the p-type gallium nitride layer of Example 3 and the comparative example.
7 shows the light output of Example 3 and Comparative Example.
본 발명은 노출된 n형 질화갈륨층 및 상기 n형 질화갈륨층 상에 형성된 p형 질화갈륨층에 대하여, 질소 분위기하에 300 내지 500℃에서 열처리하여 은(Ag)계 물질을 동시에 상기 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층에 증착하는 단계 및 상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 노출하기 위해 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법을 제공한다(도 1).Type gallium nitride layer formed on the exposed n-type gallium nitride layer and the p-type gallium nitride layer formed on the n-type gallium nitride layer at a temperature of 300 to 500 DEG C in a nitrogen atmosphere to simultaneously form the n-type nitride Gallium layer and a p-type gallium nitride layer; and etching the gallium nitride layer to expose the n-type gallium nitride layer on which the silver (Ag) based material is deposited. (Fig. 1).
상기 질소 분위기하에 열처리하여 은(Ag)계 물질을 동시에 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층에 증착하는 단계는 일반적으로 양산에 이용하는 기본적인 발광다이오드를 사용하며, 상기 발광다이오드의 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층에 80 내지 200nm 두께의 은(Ag)계 물질을 300 내지 500℃의 온도에서 동시에 30초 내지 90초 동안 열처리하여 증착하는 것이 바람직하다. The step of depositing the silver (Ag) based material simultaneously on the n-type gallium nitride layer and the p-type gallium nitride layer by heat treatment under the nitrogen atmosphere generally uses a basic light-emitting diode used for mass production, and the n-type gallium nitride Layer and a p-type gallium nitride layer at a temperature of 300 to 500 DEG C for 30 seconds to 90 seconds at a temperature of 80 to 200 nm.
상기 은(Ag)계 물질층의 두께가 80nm 미만이면, 반사도가 감소할 수 있고, 200nm를 초과하면, 상기 발광다이오드의 기계적 물성이 감소할 수 있다.If the thickness of the silver (Ag) based material layer is less than 80 nm, the reflectivity may be reduced. If the thickness is more than 200 nm, the mechanical properties of the light emitting diode may be decreased.
상기 열처리 온도가 300℃ 미만이면, 증착이 제대로 이루어지지 않을 수 있으며, 500℃를 초과할 경우, 상기 질화갈륨계 발광다이오드의 물성이 감소할 수 있다.. If the heat treatment temperature is less than 300 ° C, deposition may not be performed properly, and if it exceeds 500 ° C, the physical properties of the gallium nitride-based light emitting diode may decrease. .
상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 노출하기 위해 식각하는 단계는 0.2 내지 2.0㎛ 두께로 건식 식각할 수 있으며, 특히, 0.5 내지 1.0㎛의 두께로 식각하는 것이 바람직하다. 상기 식각 두께가 0.1㎛ 미만은 상기 n형 질화갈륨층이 노출되기엔 부족한 식각 두께이며, 2.0㎛를 초과하면, 캐리어 재결합을 위해 모이는 캐리어 이동 길이가 길어져 상기 질화갈륨계 발광다이오드의 효율이 감소할 수 있다.The step of etching to expose the n-type gallium nitride layer on which the silver (Ag) based material is deposited may be dry-etched to a thickness of 0.2 to 2.0 탆, and particularly preferably to a thickness of 0.5 to 1.0 탆. If the etch thickness is less than 0.1 탆, the n-type gallium nitride layer is insufficient to be exposed. If the etch depth is more than 2.0 탆, the carrier movement length for the carrier recombination becomes long and the efficiency of the gallium nitride- .
상기 노출된 질화갈륨층의 캐리어 농도가 5×1019cm-3 이하일 수 있다.The carrier concentration of the exposed gallium nitride layer may be 5 x 10 19 cm -3 or less.
또한, 본 발명은 상술한 방법에 따라 제조된 질화갈륨계 발광다이오드를 제공할 수 있다. Further, the present invention can provide a gallium nitride-based light emitting diode manufactured according to the above-described method.
상기 질화갈륨계 발광다이오드는 n형 질화갈륨층, 상기 n형 질화갈륨층의 상부면 한쪽에 다중 발광 우물 구조층(Multi Quantum Wells, MQW), 알루미나질화갈륨층 및 p형 질화갈륨층이 순차적으로 적층되는 일반적으로 양산되는 종래의 발광다이오드의 상기 n형 질화갈륨층 상부면의 다른 쪽과 상기 p형 질화갈륨층에 은(Ag)계 물질을 동시에 증착하여 오믹 접촉을 형성할 수 있다(도 2).The gallium nitride-based light emitting diode includes an n-type gallium nitride layer, a multi-quantum well (MQW) layer, a gallium aluminate layer, and a p-type gallium nitride layer sequentially on one side of the n-type gallium nitride layer An Ag (Ag) -based material may be deposited simultaneously on the other side of the upper surface of the n-type gallium nitride layer and the p-type gallium nitride layer of a conventional light emitting diode to be laminated to form ohmic contact ).
상기 n형 질화갈륨층의 두께는 1×103 내지 4.3×103nm인 것이 바람직하다.The thickness of the n-type gallium nitride layer is preferably 1 x 10 3 to 4.3 x 10 3 nm.
상기 다중 발광 우물 구조층(Multi Quantum Wells, MQW) 80 내지 100nm이 적층되는 것이 바람직하며, 상기 다중 발광 우물 구조층의 발광층 및 베리어층은 각각 InGaN과 GaN을 이용하여 성장시킬 수 있다. The multi-luminescence well structure layer (Multi Quantum Wells, MQW) of 80 to 100 nm is preferably laminated, and the light emitting layer and the barrier layer of the multiple luminescence well structure layer may be grown using InGaN and GaN, respectively.
상기 알루미나질화갈륨층 30 내지 50nm이 적층되는 것이 바람직하며, 상기 p형 질화갈륨층 60 내지 80nm을 적층하는 것이 바람직하다. It is preferable that the above-described gallium aluminate layer is laminated with 30 to 50 nm, and it is preferable that the above-described p-type gallium nitride layer is laminated with 60 to 80 nm .
상기 n형 질화갈륨층 상부면의 다른 쪽 및 상기 p형 질화갈륨층에 은(Ag)계 물질 80 내지 200nm를 동시에 증착하여 오믹접촉을 형성하는 것이 바람직하며, 특히, 상기 은계 물질 100nm를 증착하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 은(Ag)계 물질층의 두께가 80nm 미만이면, 반사도가 감소할 수 있고, 200nm를 초과하면, 상기 발광다이오드의 기계적 물성이 감소할 수 있다.It is preferable that 80 to 200 nm of a silver (Ag) material is simultaneously deposited on the other side of the upper surface of the n-type gallium nitride layer and the p-type gallium nitride layer to form ohmic contact. Particularly, Is more preferable. If the thickness of the silver (Ag) based material layer is less than 80 nm, the reflectivity may be reduced. If the thickness is more than 200 nm, the mechanical properties of the light emitting diode may be decreased.
상기 식각 두께가 0.2㎛ 미만은 상기 n형 질화갈륨층이 노출되기엔 부족한 식각 두께이며, 2㎛를 초과하면, 상기 질화갈륨계 발광다이오드의 효율이 감소할 수 있다.If the etching thickness is less than 0.2 탆, the n-type gallium nitride layer is insufficient to be exposed. If the etching thickness is more than 2 탆, the efficiency of the gallium nitride-based light emitting diode may decrease.
상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 0.2 내지 2㎛ 두께로 건식 식각하여 노출할 수 있으며, 특히, 0.5 내지 1.0㎛의 두께로 식각하는 것이 바람직하다. The n-type gallium nitride layer on which the silver (Ag) based material is deposited may be exposed by dry etching to a thickness of 0.2 to 2 탆, and it is particularly preferable to etch the n-type gallium nitride layer to a thickness of 0.5 to 1.0 탆.
상술한 바와 같이, 본 발명은 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층의 반사전극을 모두 Ag로 하여 동시에 증착 가능하므로 종래 기술보다 2단계 이상의 공정을 줄여 가격 경쟁력을 향상시킬 수 있고, 발광다이오드 효율 또한 효과적으로 향상킬 수 있다.As described above, since the n-type gallium nitride layer and the p-type gallium nitride layer can be deposited at the same time using Ag as the reflective electrode, the cost competitiveness can be improved by reducing the number of steps of two or more steps compared with the prior art, Efficiency can also be improved effectively.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.
(실시예)(Example)
기존의 LED 구조의 n층과 p층에 Ag층을 N2 분위기하에 각각 300℃, 400℃, 500℃의 조건으로 동시에 증착한 후, 0.5㎛ 두께로 건식 식각하여 실시예 1 내지 3을 제조하였다.The Ag layer was simultaneously deposited on the n-layer and the p-layer of the conventional LED structure under the conditions of 300 ° C, 400 ° C and 500 ° C under
(비교예)(Comparative Example)
비교예로 기존 양산 수준의 전형적인 LED 웨이퍼를 사용하였으며, 메사 에칭 후 30nm/80nm의 Ti/Al을 n층에 증착 후 N2 분위기하에 550℃에서 1분간의 열처리를 진행하였으며, Ag층은 p층에 증착하여 O2 분위기하에 500℃에서 열처리하여 제조하였다.As a comparative example, a typical LED wafer having a conventional mass production level was used. After the mesa etching, Ti / Al of 30 nm / 80 nm was deposited on the n layer and annealed at 550 ° C for 1 minute under N 2 atmosphere. And then heat-treated at 500 ° C under an atmosphere of O 2 .
(실험예 1) n형 질화갈륨층과 Ag층의 접촉으로 인한 전기적 특성(Experimental Example 1) Electrical characteristics due to contact between the n-type gallium nitride layer and the Ag layer
LED 칩 아래에 설치된 매개 변수 분석기(HP4156A)와 포토 다이오드(883-UV)로 이루어진 웨이퍼 테스트 구조를 사용하여 실시예 1 내지 3 및 비교예의 n형 질화갈륨층과 Ag층의 접촉으로 인한 전기적 특성을 측정한 후, 그 결과를 도 3에 나타내었다.Using the wafer test structure consisting of the parameter analyzer (HP4156A) and the photodiode (883-UV) installed under the LED chip, the electrical characteristics due to the contact between the n-type gallium nitride layer and the Ag layer in Examples 1 to 3 and Comparative Example After measurement, the results are shown in Fig.
상기 도 3은 실시예와 비교예의 오믹접촉 관련 전기적 특성을 나타낸 그래프로, 실시예 3이 가장 linear하며, 기울기도 steep한 것으로 보아 최적의 오믹이 형성된 것을 알 수 있다.FIG. 3 is a graph showing the electrical characteristics related to the ohmic contact of the embodiment and the comparative example. It can be seen that the embodiment 3 is the most linear and the slope is steep, and the optimum ohmic is formed.
(실험예 2) Ag층의 광학적 특성(Experimental Example 2) Optical properties of the Ag layer
LED 칩 아래에 설치된 매개 변수 분석기(HP4156A)와 포토 다이오드(883-UV)로 이루어진 웨이퍼 테스트 구조를 사용하여 실시예 1 내지 3의 광학적 특성을 측정한 후, 그 결과를 도 4에 나타내었으며, 실시예 3과 비교예의 광학적 특성을 비교한 결과를 도 5에 나타내었다.The optical properties of Examples 1 to 3 were measured using a wafer test structure consisting of a parameter analyzer (HP4156A) and a photodiode (883-UV) installed under the LED chip, and the results are shown in FIG. 4 The results of comparing the optical properties of Example 3 and Comparative Example are shown in Fig.
상기 도 4는 실시예 1 내지 3의 접촉 저항 및 반사도 특성을 나타낸 그래프로, 90%의 반사도를 보임으로써 더욱 최적화된 Ag 반사 전극을 확보한 것을 확인할 수 있다.FIG. 4 is a graph showing the contact resistance and reflectivity characteristics of Examples 1 to 3, and it is confirmed that the Ag reflection electrode is further optimized by showing a reflectivity of 90%.
상기 도 5는 실시예 3과 비교예의 광학적 특성을 나타낸 그래프로, 광학 현미경을 통한 열처리 후의 이미지이다. 상기 도 5를 참조하면, 실시예 3의 표면이 더 매끈하고 밝은 것으로 보아 비교예보다 더욱 효과적으로 빛을 반사할 수 있음을 확인할 수 있다.FIG. 5 is a graph showing the optical characteristics of Example 3 and Comparative Example, and is an image after heat treatment through an optical microscope. Referring to FIG. 5, it can be seen that the surface of Example 3 is smoother and lighter, so that light can be reflected more effectively than the comparative example.
(실험예 3) p형 질화갈륨층과 Ag층의 접촉으로 인한 전기적 특성(Experimental Example 3) Electrical characteristics due to contact between p-type gallium nitride layer and Ag layer
실시예 3과 비교예의 p형 질화갈륨층과 Ag층의 접촉으로 인한 전기적 특성을 측정한 후, 그 결과를 도 6에 나타내었다.The electrical properties of the p-type gallium nitride layer and the Ag layer in Example 3 and Comparative Example were measured. The results are shown in Fig.
상기 도 6을 참조하면, 실시예 3이 비교예보다 낮은 전류의 흐름을 보이나, 커브가 linear하고 접촉 저항 역시 10-4 이하인 것으로 보아 오믹 접촉이 성공적으로 형성되었음을 알 수 있다.Referring to FIG. 6, although the current of Example 3 is lower than that of Comparative Example, it can be seen that the curve is linear and the contact resistance is 10 -4 or less, indicating that the ohmic contact is successfully formed.
(실험예 4) 발광다이오드의 광 출력(Experimental Example 4) The light output of the light emitting diode
실시예 3과 비교예의 광 출력을 측정한 후, 그 결과를 도 7에 나타내었다.The light outputs of Example 3 and Comparative Example were measured, and the results are shown in Fig.
상기 도 7을 참조하면, 실시예 3의 광 출력이 비교예의 광 출력보다 30% 이상 증가하였으며, 이는 실시예 3의 발광다이오드 특성이 비교예의 발광다이오드 특성보다 더욱 우수한 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 7, the light output of the third embodiment is increased by 30% or more than that of the comparative example, which means that the light emitting diode characteristics of the third embodiment are superior to those of the comparative example.
Claims (5)
상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 노출하기 위해 0.5㎛의 두께로 건식식각하는 단계;를 포함하며,
상기 은(Ag)계물질은 n형 질화갈륨층 및 상기 p형 질화갈륨층과 직접 오믹접촉을 형성함과 동시에 반사전극을 형성하고,
상기 p형 질화갈륨층과 은계물질간의 접촉저항은 10-4Ω㎠이하인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법.The exposed n-type gallium nitride layer and the p-type gallium nitride layer formed on the n-type gallium nitride layer were heat-treated at 500 ° C in a nitrogen atmosphere to simultaneously form the n-type gallium nitride layer and the p- Depositing on a gallium nitride layer; And
And dry etching the silver (Ag) based material to a thickness of 0.5 탆 to expose the deposited n-type gallium nitride layer,
Wherein the silver (Ag) -based material forms a direct ohmic contact with the n-type gallium nitride layer and the p-type gallium nitride layer and forms a reflective electrode,
Wherein the contact resistance between the p-type gallium nitride layer and the silver material is not more than 10 -4? Cm 2 .
상기 은(Ag)계 물질의 두께는 80 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the silver (Ag) based material has a thickness of 80 to 200 nm.
상기 노출된 질화갈륨층의 캐리어 농도가 5×1019cm-3 이하인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the exposed gallium nitride layer has a carrier concentration of 5 x 10 < 19 > cm < -3 > or less.
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