KR101984422B1 - Temperature sensor and fabricating method of the same - Google Patents

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KR101984422B1
KR101984422B1 KR1020180002916A KR20180002916A KR101984422B1 KR 101984422 B1 KR101984422 B1 KR 101984422B1 KR 1020180002916 A KR1020180002916 A KR 1020180002916A KR 20180002916 A KR20180002916 A KR 20180002916A KR 101984422 B1 KR101984422 B1 KR 101984422B1
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김태환
전영표
박동현
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한양대학교 산학협력단
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    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys

Abstract

온도 센서가 제공된다. 상기 온도 센서는, 온도 전달층, 상기 온도 전달층 상에 배치되고, 지연형광물질을 포함하는 활성층, 상기 활성층 상에 배치되는 제1 전극층, 상기 활성층 상에 배치되고, 상기 제1 전극층과 이격된 제2 전극층, 및 상기 제1 및 제2 전극층 상에, 상기 활성층과 마주보도록 배치되는 보호층을 포함할 수 있다. A temperature sensor is provided. The temperature sensor includes a temperature transfer layer, an active layer disposed on the temperature transfer layer, the active layer including a retarded fluorescent material, a first electrode layer disposed on the active layer, a second electrode layer disposed on the active layer, A second electrode layer, and a protective layer disposed on the first and second electrode layers so as to face the active layer.

Description

온도 센서 및 그 제조 방법 {Temperature sensor and fabricating method of the same}[0001] Temperature sensor and fabricating method of the same [

본 발명은 온도 센서 및 그 제조 방법에 관련된 것으로서, 지연형광물질을 이용한 온도 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a temperature sensor and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a temperature sensor using a retardation fluorescent material and a method of manufacturing the same.

급속도로 성장하는 국내 기술력으로 인해 우수한 성능을 보유한 휴대폰, 테블릿PC, 노트북 및 각종 전자 제품들이 널리 보급화 되고 있다. 하지만 우수한 성능대비 전자기기의 폭발 사고가 계속적으로 증가하면서 안전성문제가 끊임없이 제기 되고 있는 실정이다. 이러한 전자제품들의 안전성문제를 해결하기 위해서는 미세한 온도변화에도 빠르게 반응할 수 있는 온도센서가 반드시 필요하다. 또한 휴대전자기기들의 flexible화가 가속화 되는 현시점에서 휘어지는 특성을 구현할 수 있는 유기물을 사용한 온도센서 또한 개발되어야만 한다. Mobile phones, tablet PCs, notebooks and various electronic products with superior performance are becoming popular due to the rapid growth of domestic technology. However, safety problems are constantly being raised as the explosion of electronic devices continues to increase against excellent performance. In order to solve the safety problem of such electronic products, a temperature sensor capable of quickly responding to minute temperature changes is indispensable. In addition, a temperature sensor using an organic material capable of realizing a bending characteristic at the present time in which the flexibleization of portable electronic devices is accelerated must be developed.

이에 따라, 온도 센서와 관련된 다양한 기술들이 개발되고 있다. 예를 들어, 대한 민국 특허 공개 번호 10-2008-0061449(출원번호: 10-2006-0135990, 출원인: 동부일렉트로닉스 주식회사)에는, 반도체 기판에 소자 분리 공정을 진행하여 소자의 활성 영역과 소자분리영역을 구분하는 적어도 셋 이상의 소자 분리막을 형성하고, 반도체 기판 전면에 게이트 도전막을 증착한 후 패터닝 및 식각 공정을 진행하여 각각의 소자 분리막 사이에서 서로 다른 CD를 갖는 적어도 둘 이상의 게이트 전극을 형성하는 것을 특징으로하는 온도센서 및 그 제조 방법이 제공된다. Accordingly, various technologies related to temperature sensors are being developed. For example, Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2008-0061449 (Application No. 10-2006-0135990, filed by Dongbu Electronics Co., Ltd.) discloses a method in which a device isolation process is performed on a semiconductor substrate, Forming a gate conductive film on the entire surface of the semiconductor substrate and then performing a patterning and etching process so that at least two or more gate electrodes having different CD's are formed between the respective device isolation films, And a method of manufacturing the same.

이 밖에도, 미세 패턴을 형성하기 위한 다양한 기술들이 지속적으로 연구 개발되고 있다. In addition, various techniques for forming fine patterns are continuously being researched and developed.

대한민국 특허 공개 번호 10-2008-0061449Korean Patent Publication No. 10-2008-0061449

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 간단한 방법으로 온도 변화를 측정할 수 있는 온도 센서 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a temperature sensor capable of measuring a temperature change by a simple method and a method of manufacturing the same.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 전류 변화의 측정으로 온도 변화를 측정할 수 있는 온도 센서 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide a temperature sensor capable of measuring a temperature change by measurement of current change and a method of manufacturing the same.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 간단한 방법으로 제조 가능한 온도 센서 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. It is another object of the present invention to provide a temperature sensor which can be manufactured by a simple method and a method of manufacturing the same.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다. The technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above.

상술된 기술적 과제들을 해결하기 위해 본 발명은 온도 센서를 제공한다. In order to solve the above-mentioned technical problems, the present invention provides a temperature sensor.

일 실시 예에 따르면, 상기 온도 센서는, 온도 전달층, 상기 온도 전달층 상에 배치되고, 지연형광물질을 포함하는 활성층, 상기 활성층 상에 배치되는 제1 전극층, 상기 활성층 상에 배치되고, 상기 제1 전극층과 이격된 제2 전극층, 및 상기 제1 및 제2 전극층 상에, 상기 활성층과 마주보도록 배치되는 보호층을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the temperature sensor includes a temperature transfer layer, an active layer disposed on the temperature transfer layer and including a retarded fluorescent material, a first electrode layer disposed on the active layer, A second electrode layer spaced apart from the first electrode layer, and a protective layer disposed on the first and second electrode layers so as to face the active layer.

일 실시 예에 따르면, 상기 온도 센서는, 외부 온도가 상기 온도 전달층을 통해, 상기 활성층으로 전달되고, 상기 온도 전달층에 의해 전달된 온도에 따라서, 상기 활성층을 통해 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 사이에 흐르는 전류 값이 조절되는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the temperature sensor is configured such that an external temperature is transferred to the active layer through the temperature transfer layer, and the temperature of the first electrode layer and the second electrode layer And adjusting the value of the current flowing between the two electrode layers.

일 실시 예에 따르면, 상기 활성층은, 호스트(host) 물질 및 상기 지연형광물질을 포함하는 도펀트(dopant) 물질로 이루어지되, 상기 호스트 물질 및 상기 도펀트 물질이 갖는 에너지 준위 사이의 전자 이동에 따라, 전류의 차이가 발생하는 것을 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment, the active layer may include a host material and a dopant material including the retardation material. In accordance with an electron movement between an energy level of the host material and the dopant material, A difference in current may occur.

일 실시 예에 따르면, 상기 호스트 물질 및 상기 도펀트 물질이 갖는 에너지 준위 사이의 전자 이동 경로는, 상기 온도 전달층을 통해 상기 활성층으로 전달되는 온도에 따라 변경되는 것을 포함According to one embodiment, the electron migration path between the host material and the energy level of the dopant material is changed depending on the temperature transferred to the active layer through the temperature transfer layer

일 실시 예에 따르면, 제1 온도가 전달된 상기 활성층에서, 상기 전자는, 상기 호스트 물질의 S0 준위에서 상기 호스트 물질의 S1 준위로 이동하는 제1 경로, 상기 호스트 물질의 S1 준위에서 상기 도펀트 물질의 T1 준위로 이동하는 제2 경로, 및 상기 도펀트 물질의 T1 준위에서 상기 호스트 물질의 S1 준위로 이동하는 제3 경로를 순차적으로 이동하는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, in the active layer to which a first temperature is delivered, the electrons have a first path from the S 0 level of the host material to the S 1 level of the host material, a first path at the S 1 level of the host material A second path moving to the T 1 level of the dopant material, and a third path moving to the S 1 level of the host material at the T 1 level of the dopant material.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도가 전달된 상기 활성층에서, 상기 전자는, 상기 호스트 물질의 S0 준위에서 상기 호스트 물질의 S1 준위로 이동하는 제1 경로, 상기 호스트 물질의 S1 준위에서 상기 도펀트 물질의 T1 준위로 이동하는 제2 경로, 및 상기 도펀트 물질의 T1 준위에서 상기 도펀트 물질의 S1 준위로 이동하는 제4 경로를 순차적으로 이동하는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, in the active layer to which a second temperature higher than the first temperature is delivered, the electrons have a first path to move from the S 0 level of the host material to the S 1 level of the host material, in S 1 level of the material in the second path, and the T 1 level of the dopant material to move to the T 1 level of the dopant material include moving the fourth path to go to S 1 level of the dopant material in order .

일 실시 예에 따르면, 상게 활성층과 상기 보호층은 이격되어, 상기 활성층과 상기 보호층 사이에 빈 공간(empty space)가 제공되는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the upper active layer and the protective layer may be separated from each other to provide an empty space between the active layer and the protective layer.

일 실시 예에 따르면, 상기 온도 센서는, 상기 활성층 및 상기 제1 전극층 사이에 배치되는 전자 수송층, 상기 활성층 및 상기 제2 전극층 사이에 배치되는 전공 수송층을 더 포함할 수 있다. According to one embodiment, the temperature sensor may further include an electron transport layer disposed between the active layer and the first electrode layer, and a major transport layer disposed between the active layer and the second electrode layer.

상술된 기술적 과제들을 해결하기 위해 본 발명은 온도 센서의 제조 방법을 제공한다. In order to solve the above-mentioned technical problems, the present invention provides a method of manufacturing a temperature sensor.

일 실시 예에 따르면, 상기 온도 센서의 제조 방법은, 온도 전달층을 준비하는 단계, 상기 온도 전달층 상에, 지연형광물질을 포함하는 활성층을 형성하는 단계, 상기 활성층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계, 상기 활성층 상에 상기 제1 전극층과 이격된 제2 전극층을 형성하는 단계, 및 상기 제1 및 제2 전극층 상에 상기 활성층과 마주보는 보호층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. According to one embodiment, a method of manufacturing the temperature sensor includes the steps of preparing a temperature transfer layer, forming an active layer including a retardation fluorescent material on the temperature transmission layer, forming a first electrode layer on the active layer Forming a second electrode layer on the active layer, the second electrode layer being spaced apart from the first electrode layer; and forming a protective layer on the first and second electrode layers facing the active layer.

일 실시 예에 따르면, 상기 활성층과 마주보는 상기 보호층을 형성하는 단계는, 상기 제1 및 제2 전극층 상에 상기 보호층이 형성되어, 상기 활성층과 상기 보호층 사이에 빈 공간이 형성되는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the step of forming the protective layer facing the active layer may include forming the protective layer on the first and second electrode layers to form a void space between the active layer and the protective layer .

본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서는, 온도 전달층, 상기 온도 전달층 상에 배치되고, 지연형광물질을 포함하는 활성층, 상기 활성층 상에 배치되는 제1 전극층, 상기 활성층 상에 배치되고, 상기 제1 전극층과 이격된 제2 전극층, 및 상기 제1 및 제2 전극층 상에, 상기 활성층과 마주보도록 배치되는 보호층을 포함할 수 있다. A temperature sensor according to an embodiment of the present invention includes a temperature transfer layer, an active layer disposed on the temperature transfer layer and including a retarded fluorescent material, a first electrode layer disposed on the active layer, A second electrode layer spaced apart from the first electrode layer, and a protective layer disposed on the first and second electrode layers so as to face the active layer.

또한, 상기 실시 예에 따른 온도 센서는, 외부 온도가 상기 온도 전달층을 통해, 상기 활성층으로 전달되고, 상기 온도 전달층에 의해 전달된 온도에 따라서, 상기 활성층을 통해 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 사이에 흐르는 전류 값이 조절되는 것을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 온도 센서는, 상기 활성층의 전류 값 변화를 측정하는 간단한 방법으로 온도 변화를 측정할 수 있다. Further, the temperature sensor according to the above embodiment is characterized in that an external temperature is transmitted to the active layer through the temperature transfer layer, and the temperature of the first electrode layer and the electrode And adjusting the value of the current flowing between the two electrode layers. Accordingly, the temperature sensor can measure the temperature change by a simple method of measuring the change in the current value of the active layer.

도 1 은 본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서의 제조 방법을 설명하는 순서도이다.
도 2 는 본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서가 포함하는 온도 전달층 및 활성층의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서가 포함하는 활성층에서 발생하는 전류 값이 조절되는 메커니즘을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서가 포함하는 전극의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서가 포함하는 보호층을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서의 특성 평가 그래프이다. 1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a temperature sensor according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a process of manufacturing a temperature transfer layer and an active layer included in a temperature sensor according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 and FIG. 4 are views showing a mechanism for controlling a current value generated in an active layer included in a temperature sensor according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing a manufacturing process of an electrode included in a temperature sensor according to an embodiment of the present invention.
6 is a view illustrating a protective layer included in a temperature sensor according to an embodiment of the present invention.
7 is a characteristic evaluation graph of a temperature sensor according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In this specification, when an element is referred to as being on another element, it may be directly formed on another element, or a third element may be interposed therebetween. Further, in the drawings, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for an effective explanation of the technical content.

또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Also, while the terms first, second, third, etc. in the various embodiments of the present disclosure are used to describe various components, these components should not be limited by these terms. These terms have only been used to distinguish one component from another. Thus, what is referred to as a first component in any one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment. Each embodiment described and exemplified herein also includes its complementary embodiment. Also, in this specification, 'and / or' are used to include at least one of the front and rear components.

명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.The singular forms "a", "an", and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. It is also to be understood that the terms such as " comprises " or " having " are intended to specify the presence of stated features, integers, Should not be understood to exclude the presence or addition of one or more other elements, elements, or combinations thereof. Also, in this specification, the term " connection " is used to include both indirectly connecting and directly connecting a plurality of components.

또한, 본 명세서에서 S 준위는 전자가 일중항(singlet) 상태에 있는 것을 의미하고, T 준위는 전자가 삼중항(triplet) 상태에 있는 것을 의미한다. 또한, S0 준위는 바닥 상태(ground state)를 의미하고, S1 및 T1 준위는 여기 상태(excited state)를 의미한다. In this specification, the S level means that the former is in a singlet state, and the T level means that the former is in a triplet state. In addition, the S 0 level means a ground state, and the S 1 and T 1 levels mean an excited state.

또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1 은 본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서의 제조 방법을 설명하는 순서도이고, 도 2 는 본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서가 포함하는 온도 전달층 및 활성층의 제조 공정을 나타내는 도면이다. FIG. 1 is a flow chart for explaining a method of manufacturing a temperature sensor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view illustrating a manufacturing process of a temperature transfer layer and an active layer included in a temperature sensor according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 온도 전달층(100)이 준비된다(S100). 상기 온도 전달층(100)은, 외부 온도를 후술되는 활성층(200)으로 전달할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 온도 전달층(100)은 유기물 기판, 금속 기판, 탄소 결합 소재 기판 등이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 유기물 기판은 PET(polyethylene terephthalate), PS(polystyrene), PI(polyimide), PVC(polyvinyl chloride), PEN(polyethylene naphthalate), PVP(polyvinylpyrrolidone), 및 PE(polyethylene) 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 기판은 Al, Au, Ag, Cu, Pt, W, Ni, Zn, Ti, Zr, Hf, Cd, 및 Pd 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 탄소 결합 소재 기판은 그래핀, 및 그래파이트 등을 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 2, a temperature transfer layer 100 is prepared (S100). The temperature transfer layer 100 may transmit the external temperature to the active layer 200 to be described later. According to one embodiment, the temperature transfer layer 100 may be an organic substrate, a metal substrate, a carbon-bonded substrate, or the like. For example, the organic material substrate may include polyethylene terephthalate (PET), polystyrene (PS), polyimide (PI), polyvinyl chloride (PVC), polyethylene naphthalate (PEN), polyvinylpyrrolidone (PVP) . For example, the metal substrate may include Al, Au, Ag, Cu, Pt, W, Ni, Zn, Ti, Zr, Hf, Cd and Pd. For example, the carbon-bonded material substrate may include graphene, graphite, and the like.

상기 온도 전달층(100) 상에 활성층(200)이 형성될 수 있다(200). 상기 활성층(200)은 지연형광(delayed fluorescence)물질을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 활성층(200)은 호스트(host) 물질 및 상기 지연형광물질을 포함하는 도펀트(dopant)물질로 이루어질 수 있다. The active layer 200 may be formed on the temperature transfer layer 100 (200). The active layer 200 may include a delayed fluorescence material. According to one embodiment, the active layer 200 may include a host material and a dopant material including the retarded fluorescent material.

일 실시 예에 따르면, 상기 호스트(host) 물질은, 형광 유기 발광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 형광 발광 물질은, Alq3, ADN, TBADN, TDAF, MADN, BSBF, TSBF, BDAF, TPB3, BPPF, TPBA, Spiro-Pye, p-Bpye, m-Bpye, DBpenta, DNP, DOPPP, DMPPP, TPyPA, BANE, 4P-NPB, BUBH-3, DBP, BAnFPye, BAnF6Pye, Coumarin 6, C545T, DMQA, TTPA, TPA, BA-TTB, BA-TAD, BA-NPB, BCzVBi, Perylene, TBPe, BCzVB, DPAVBi, DPAVB, FIrPic, BDAVBi, BNP3FL, MDP3FL, N-BDAVBi, Spiro-BDAVBi, DBzA, DSA-Ph, BCzSB, DPASN, Bepp2, FIrN4, DCM, DCM2, DCJT, DCJTB, Rubrene, N-DPAVBi-CN, PO-01, 및 DCQTB 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 지연형광물질은, SnF2-Copro III, SnF2-Meso IX, SnF2-Hemato IX, SnF2-Proto IX, SnF2-OEP, SnF2-Etiol, 2CzPN, 4CzIPN, 4CzPN, 4CzTPN, 4CzTPN-Me, 4CzTPN-Ph, PXZ-OXD, 2PXZ-OXD, PXZ-TAZ, 및 2PXZ-TAZ 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the host material may comprise a fluorescent organic light emitting material. For example, the fluorescent luminescent material may be selected from the group consisting of Alq3, ADN, TBADN, TDAF, MADN, BSBF, TSBF, BDAF, TPB3, BPPF, TPBA, Spiro- Pye, p- DTPPP, TPyPA, BANE, 4P-NPB, BUBH-3, DBP, BAnFPye, BAnF6Pye, Coumarin 6, C545T, DMQA, TTPA, TPA, BA-TTB, BA-TAD, BA-NPB, BCzVBi, Perylene, TBPe, BCzVB DPAVB, DPAVB, FIrPic, BDAVBi, BNP3FL, MDP3FL, N-BDAVBi, Spiro-BDAVBi, DBzA, DSA-Ph, BCzSB, DPASN, Bepp2, FIrN4, DCM, DCM2, DCJT, DCJTB, Rubrene, , PO-01, and DCQTB. For example, the delayed fluorescent material may be selected from the group consisting of SnF2-Copro III, SnF2-Meso IX, SnF2-Hemato IX, SnF2-Proto IX, SnF2-OEP, SnF2-Etiol, 2CzPN, 4CzIPN, 4CzPN, 4CzTPN, 4CzTPN-Ph, PXZ-OXD, 2PXZ-OXD, PXZ-TAZ, and 2PXZ-TAZ.

상기 활성층(200)은, 상기 온도 전달층(100)에 의해 전달된 온도에 따라서, 상기 활성층(200)을 통해 후술되는 제1 전극층 및 제2 전극층 사이에 흐르는 전류 값이 조절될 수 있다. 즉, 상기 활성층(200)은, 상기 온도 전달층(100)에 의해 전달된 온도에 따라서, 상기 활성층(200) 내에 흐르는 전류 값이 변화될 수 있다. 이하, 상기 활성층(200) 내의 전류 값이 조절되는 메커니즘이 도 3 및 도 4를 참조하여 설명된다. The current value flowing through the active layer 200 between the first electrode layer and the second electrode layer, which will be described later, can be adjusted according to the temperature transferred by the temperature transfer layer 100. That is, in the active layer 200, the current value flowing in the active layer 200 may be changed according to the temperature transferred by the temperature transfer layer 100. Hereinafter, a mechanism for controlling the current value in the active layer 200 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG.

도 3 및 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서가 포함하는 활성층에서 발생하는 전류 값이 조절되는 메커니즘을 나타내는 도면이다. FIG. 3 and FIG. 4 are views showing a mechanism for controlling a current value generated in an active layer included in a temperature sensor according to an embodiment of the present invention.

도 3및 도 4를 참조하면, 상기 활성층(200)은 상기 호스트 물질 및 상기 도펀트 물질이 갖는 에너지 준위 사이의 전자 이동에 따라, 전류의 차이가 발생할 수 있다. 상기 호스트 물질 및 상기 도펀트 물질이 갖는 에너지 준위 사이의 전자 이동 경로는, 상기 온도 전달층(100)을 통해 상기 활성층(200)으로 전달되는 온도에 따라 변경될 수 있다. Referring to FIGS. 3 and 4, current difference may occur in the active layer 200 due to electron movement between energy levels of the host material and the dopant material. The electron transfer path between the host material and the dopant material may be changed according to the temperature transferred to the active layer 200 through the temperature transfer layer 100.

일 실시 예에 따르면, 상기 온도 전달층(100)에 의해 상기 활성층(200)으로 제1 온도가 전달되는 경우, 상기 전자는, 도 3에 도시된 바와 같이 제1 경로(①), 제2 경로(②) 및 제3 경로(③)를 순차적으로 이동할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 온도는 상온(room temperature)일 수 있다. According to one embodiment, when the first temperature is transferred to the active layer 200 by the temperature transfer layer 100, the electrons may flow through the first path (1), the second path (2) and the third path (3). For example, the first temperature may be room temperature.

예를 들어, 상기 제1 경로(①)는, 전자가 상기 호스트 물질의 S0 준위에서 상기 호스트 물질의 S1 준위(S1 H)로 이동하는 경로일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 경로(②)는, 전자가 상기 호스트 물질의 S1 준위(S1 H)에서 상기 도펀트 물질의 T1 준위(T1 D)로 이동하는 경로일 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 경로(③)는, 전자가 상기 도펀트 물질의 T1 준위(T1 D)에서 상기 호스트 물질의 S1 준위(S1 H)로 이동하는 경로일 수 있다. 상기 호스트 물질의 S1 준위(S1 H)의 에너지 준위는, 상기 도펀트 물질의 T1 준위(T1 D)보다 높을 수 있다. For example, the first path (1) may be a path where electrons move from the S 0 level of the host material to the S 1 level (S 1 H ) of the host material. For example, the second path (2) may be a path where electrons move from the S 1 level (S 1 H ) of the host material to the T 1 level (T 1 D ) of the dopant material. For example, the third path (3) may be a path where electrons move from the T 1 level (T 1 D ) of the dopant material to the S 1 level (S 1 H ) of the host material. The energy level of the S 1 level (S 1 H ) of the host material may be higher than the T 1 level (T 1 D ) of the dopant material.

즉, 상기 제1 온도가 상기 활성층(200)에 전달되는 경우, 상기 활성층(200) 내의 전자는, 상기 호스트 물질의 S0 준위에서 여기되어, 상기 호스트 물질의 S1 준위로 이동되고, 계간전이(intersystem crossing)에 의해 상기 도펀트 물질의 T1 준위로 이동된다. 이후, 재계간전이(re-intersystem crossing)에 의해 다시 상기 호스트 물질의 S1 준위로 이동될 수 있다. That is, when the first temperature is transferred to the active layer 200, electrons in the active layer 200 are excited at the S 0 level of the host material, moved to the S 1 level of the host material, by (intersystem crossing) it is moved to the T 1 level of the dopant material. And then moved back to the S 1 level of the host material by re-intersystem crossing.

일 실시 예에 따르면, 상기 온도 전달층(100)에 의해 상기 활성층(200)으로 제2 온도가 전달되는 경우, 상기 전자는, 도 4에 도시된 바와 같이 제1 경로(①), 제2 경로(②) 및 제4 경로(④)를 순차적으로 이동할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 높은 온도일 수 있다.According to one embodiment, when the second temperature is transferred to the active layer 200 by the temperature transfer layer 100, the electrons are injected through the first path (1), the second path (2) and the fourth path (4). For example, the second temperature may be a temperature higher than the first temperature.

예를 들어, 상기 제1 경로(①) 및 상기 제2 경로(②)는 도 3을 참조하여 설명된, 상기 활성층(200)으로 상기 제1 온도가 전달되는 경우, 전자가 이동하는 상기 제1 경로(①) 및 상기 제2 경로(②)와 같을 수 있다. 예를 들어, 상기 제4 경로(④)는, 전자가 상기 도펀트 물질의 T1 준위(T1 D)에서 상기 도펀트 물질의 S1 준위(S1 D)로 이동하는 경로일 수 있다. 상기 호스트 물질의 S1 준위(S1 H)의 에너지 준위는, 상기 도펀트 물질의 T1 준위(T1 D)보다 높을 수 있다. 또한, 상기 도펀트 물질의 S1 준위(S1 D)의 에너지 준위는, 상기 호스트 물질의 S1 준위(S1 H)보다 높을 수 있다. For example, the first path (1) and the second path (2) are the same as the first path (1) and the second path (2) May be the same as the path (1) and the second path (2). For example, the fourth path (4) may be a path in which electrons move from the T 1 level (T 1 D ) of the dopant material to the S 1 level (S 1 D ) of the dopant material. The energy level of the S 1 level (S 1 H ) of the host material may be higher than the T 1 level (T 1 D ) of the dopant material. In addition, the energy level of the S 1 level (S 1 D ) of the dopant material may be higher than the S 1 level (S 1 H ) of the host material.

즉, 상기 제2 온도가 상기 활성층(200)에 전달되는 경우, 상기 활성층(200) 내의 전자는, 상기 호스트 물질의 S0 준위에서 여기되어, 상기 호스트 물질의 S1 준위로 이동되고, 계간전이(intersystem crossing)에 의해 상기 도펀트 물질의 T1 준위로 이동된다. 이후, 재계간전이(re-intersystem crossing)에 의해 상기 도펀트 물질의 S1 준위로 이동될 수 있다. That is, when the second temperature is transferred to the active layer 200, the electrons in the active layer 200 are excited at the S 0 level of the host material, moved to the S 1 level of the host material, by (intersystem crossing) it is moved to the T 1 level of the dopant material. Then, it can be moved to the S 1 level of the dopant material by re-intersystem crossing.

상술된 바와 같이, 상기 활성층(200)은, 상기 온도 전달층(100)을 통해 상기 활성층(200)으로 전달되는 외부 온도가 다른 경우, 전자의 이동 경로가 달라질 수 있다. 이에 따라, 상기 활성층(200)에서 측정되는 전류 값이 달라질 수 있다. 결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서는, 상기 활성층(200)의 전류 값 변화를 측정하는 간단한 공정으로 온도 변화를 측정할 수 있다. As described above, in the active layer 200, when the external temperature transmitted to the active layer 200 through the temperature transfer layer 100 is different, the path of electrons may be changed. Accordingly, a current value measured in the active layer 200 can be varied. As a result, the temperature sensor according to the embodiment of the present invention can measure the temperature change by a simple process of measuring a change in the current value of the active layer 200.

계속해서, 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서의 제조 공정이 설명된다. Next, a manufacturing process of the temperature sensor according to the embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 5 and 6. Fig.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서가 포함하는 전극의 제조 공정을 나타내는 도면이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서가 포함하는 보호층을 나타내는 도면이다. FIG. 5 is a view illustrating a manufacturing process of an electrode included in a temperature sensor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a view illustrating a protective layer included in a temperature sensor according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 5를 참조하면, 상기 활성층(200) 상에 제1 전극층(310)이 형성될 수 있다(S300). 또한, 상기 활성층(200) 상에 제2 전극층(320)이 형성될 수 있다(S400). 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 전극층(310) 및 상기 제2 전극층(320)은 상기 활성층(200) 상에 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극층(310)은 상기 활성층(200) 일단에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극층(320)은 상기 활성층(200) 타단에 배치될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 5, a first electrode layer 310 may be formed on the active layer 200 (S300). Also, a second electrode layer 320 may be formed on the active layer 200 (S400). According to one embodiment, the first electrode layer 310 and the second electrode layer 320 may be disposed on the active layer 200. For example, the first electrode layer 310 may be disposed at one end of the active layer 200. For example, the second electrode layer 320 may be disposed at the other end of the active layer 200.

예를 들어, 상기 제1 전극층(310) 및 상기 제2 전극층(320)은 ITO, Al-doped ZnO (AZO), Ga-doped ZnO (GZO), In,Ga-doped ZnO (IGZO), Mg-doped ZnO (MZO), Mo-doped ZnO, Al-doped MgO, Ga-doped MgO, F-doped SnO2, Nb-doped TiO2 및 CuAlO2, Al, Au, Ag, Cu, Pt, W, Ni, Zn, Ti, Zr, Hf, Cd, Pd, 그래핀, Ag 나노 와이어, CNT 및 C60, CuAlO2/Ag/CuAlO2, ITO/Ag/ITO, ZnO/Ag/ZnO, ZnS/Ag/ZnS, TiO2/Ag/TiO2, ITO/Au/ITO, WO3/Ag/WO3, 및 MoO3/Ag/MoO3 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. For example, the first electrode layer 310 and the second electrode layer 320 may be formed of ITO, Al-doped ZnO, Ga-doped ZnO, In, Ga-doped ZnO (IGZO) doped ZnO, Mo-doped ZnO, Al-doped MgO, Ga-doped MgO, F-doped SnO2, Nb-doped TiO2 and CuAlO2, Al, Au, Ag, Cu, Pt, Ag / ZnO, TiO2 / Ag / TiO2, ZnO / Ag / ZnO, Zr, Hf, Cd, Pd, graphene, Ag nanowire, CNT and C60, CuAlO2 / Ag / CuAlO2, ITO / Ag / ITO, ITO / Au / ITO, WO3 / Ag / WO3, and MoO3 / Ag / MoO3.

일 실시 예에 따르면, 상기 활성층(200) 및 상기 제1 전극층(310) 사이에 전자 수송층(미도시)이 더 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 활성층(200) 및 상기 제2 전극층(320) 사이에 정공 수송층(미도시)이 더 형성될 수 있다. According to one embodiment, an electron transport layer (not shown) may be further formed between the active layer 200 and the first electrode layer 310. According to one embodiment, a hole transport layer (not shown) may be further formed between the active layer 200 and the second electrode layer 320.

예를 들어, 상기 전자 수송층은, C60, C70, PCBM(C60), PCBM(C70), PCBM(C75), PCBM(C80), Liq, TPBi, PBD, BCP, Bphen, BAlq, Bpy-OXD, BP-OXD-Bpy, TAZ, NTAZ, NBphen, Bpy-FOXD, OXD-7l, 3TPYMB, 2-NPIP, PADN, HNBphen, POPy2, BP4mPy, TmPyPB, BTB 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. For example, the electron transport layer may be formed of at least one selected from the group consisting of C60, C70, C60, PCBM, C75, PCBM, C80, Liq, TPBi, PBD, BCP, Bphen, BAlq, Bpy- At least one of -OXD-Bpy, TAZ, NTAZ, NBphen, Bpy-FOXD, OXD-7l, 3TPYMB, 2-NPIP, PADN, HNBphen, POPy2, BP4mPy, TmPyPB and BTB.

예를 들어, 상기 정공 수송층은, NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, DMFL-TPD, DMFL-NPB, DPFL-TPD, DPFL-NPB, α-NPD, Spiro-TAD, BPAPF, NPAPF, NPBAPF, Spiro-2NPB, PAPB, 2,2'-Spiro-DBP, Spiro-BPA, TAPC, Spiro-TTB, β-TNB, HMTPD, α, β-TNB, α-TNB, β- NPP, PEDOT: PSS, PVK, WO3, NiO2, Mo, MoO3 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. For example, the hole transport layer may be formed of at least one selected from the group consisting of NPB, beta -NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, DMFL-TPD, DMFL-NPB, DPFL-TPD, DPFL- , NPAPF, NPBAPF, Spiro-2NPB, PAPB, 2,2'-Spiro-DBP, Spiro-BPA, TAPC, Spiro-TTB,? -TNB, HMTPD,?, PEDOT: PSS, PVK, WO3, NiO2, Mo, and MoO3.

도 1 및 도 6을 참조하면, 상기 제1 전극층(310) 및 상기 제2 전극층(320) 상에 보호층(400)이 형성될 수 있다. 상기 보호층(400)은 상기 활성층(200)과 마주보도록 배치될 수 있다. 상기 보호층(400)은, 외부 물리적화학적 오염으로부터 상기 활성층(200)을 보호할 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(400)은, 반사 유리, 압축 유리, 코팅 유리, 강화 유리, SiOx, SiNx, PET, PS, Pi, PVC, PEN, PVP, 및 PE 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 6, a protective layer 400 may be formed on the first electrode layer 310 and the second electrode layer 320. The protective layer 400 may be disposed to face the active layer 200. The protective layer 400 may protect the active layer 200 from external physical and chemical contamination. For example, the protective layer 400, a reflective glass, compressed glass, coated glass, tempered glass, SiO x, SiN x, PET, PS, Pi, PVC, PEN, PVP, and at least one of PE can do.

상기 보호층(400)은, 상기 활성층(200)과 이격되어, 상기 활성층(200)과 상기 보호층(400) 사이에 빈 공간(empty space, S)이 형성될 수 있다. 즉, 상기 보호층(400)은, 상기 제1 전극층(310) 및 상기 제2 전극층(320) 상에 배치되되, 상기 활성층(200)과 마주보도록 배치됨에 따라, 상기 활성층(200)과 상기 보호층(400) 사이에 상기 빈 공간(S)이 형성될 수 있다. The protective layer 400 may be spaced apart from the active layer 200 and may have an empty space S formed between the active layer 200 and the protective layer 400. That is, the protective layer 400 is disposed on the first electrode layer 310 and the second electrode layer 320, and is arranged to face the active layer 200, so that the active layer 200 and the protection The void space S may be formed between the layers 400. [

상기 빈 공간(S)은, 외부 온도가 상기 보호층(400)으로부터 상기 활성층(200)으로 전달되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 외부 온도가 상기 온도 전달층(100)으로부터 상기 활성층(200)으로 더욱 용이하게 전달될 수 있다. The empty space S may prevent an external temperature from being transmitted from the passivation layer 400 to the active layer 200. Accordingly, an external temperature can be more easily transferred from the temperature transfer layer 100 to the active layer 200. [

본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서는, 상기 온도 전달층(100), 상기 온도 전달층(100) 상에 배치되고, 지연형광물질을 포함하는 상기 활성층(200), 상기 활성층(200) 상에 배치되는 상기 제1 전극층(310), 상기 활성층(200) 상에 배치되고, 상기 제1 전극층(310)과 이격된 상기 제2 전극층(320), 및 상기 제1 및 제2 전극층 (310, 320)상에, 상기 활성층(200)과 마주보도록 배치되는 상기 보호층(400)을 포함할 수 있다. A temperature sensor according to an embodiment of the present invention includes a temperature transfer layer 100, an active layer 200 disposed on the temperature transfer layer 100 and including a retardation fluorescent material, The second electrode layer 320 disposed on the active layer 200 and spaced apart from the first electrode layer 310 and the first and second electrode layers 310 and 320 The protective layer 400 may be disposed on the active layer 200 to face the active layer 200.

또한, 상기 실시 예에 따른 온도 센서는, 외부 온도가 상기 온도 전달층(100)을 통해, 상기 활성층(200)으로 전달되고, 상기 온도 전달층(100)에 의해 전달된 온도에 따라서, 상기 활성층(200)을 통해 상기 제1 전극층(310) 및 상기 제2 전극층(320) 사이에 흐르는 전류 값이 조절되는 것을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 활성층(200)의 전류 값 변화를 측정하는 간단한 방법으로 온도 변화를 측정할 수 있다. The temperature sensor according to the above embodiment is characterized in that an external temperature is transmitted to the active layer 200 through the temperature transfer layer 100 and the temperature of the active layer 200, The current value flowing between the first electrode layer 310 and the second electrode layer 320 may be controlled through the second electrode layer 200. Accordingly, the temperature change can be measured by a simple method of measuring the change in the current value of the active layer 200.

이하, 본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서의 구체적인 실험 예 및 특성 평과 결과가 설명된다. Hereinafter, specific experimental examples and characteristics evaluation results of the temperature sensor according to the embodiment of the present invention will be described.

실험 예에 따른 온도 센서 제조Manufacturing the temperature sensor according to the experimental example

유리 기판이 준비된다. 상기 유리 기판 상에 100nm의 두께를 갖는 TADF(Thermally Activated Delayed Fluorescence) 유기 박막을 증착하였다. 이후, TADF 유기 박막 상에 ITO 전극 및 LiF/Al 전극을 서로 이격되도록 형성하여, 실시 예에 따른 온도 센서를 제조하였다. A glass substrate is prepared. An organic thin film of TADF (Thermally Activated Delayed Fluorescence) having a thickness of 100 nm was deposited on the glass substrate. Then, an ITO electrode and a LiF / Al electrode were formed on the TADF organic thin film so as to be spaced apart from each other, thereby manufacturing a temperature sensor according to an embodiment.

도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서의 특성 평가 그래프이다. 7 is a characteristic evaluation graph of a temperature sensor according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 상기 실시 예에 따른 온도 센서를, 상온(reference)인 경우, 100℃의 온도에서 10분의 시간 동안 열처리한 경우, 200℃의 온도에서 20분의 시간 동안 열처리한 경우에 대해 각각 전압(V)에 따른 전류 밀도(mA/cm2)를 나타내었다. Referring to FIG. 7, when the temperature sensor according to the embodiment is subjected to a heat treatment at a temperature of 100 ° C. for 10 minutes, a heat treatment at a temperature of 200 ° C. for a time of 20 minutes, (MA / cm < 2 >) according to the voltage (V).

도 7에서 알 수 있듯이, 상기 실시 예에 따른 온도 센서는, 상기 온도 센서에 가해지는 온도가 높아질수록 측정되는 전류 밀도의 값이 증가되는 것을 확인할 수 있었다. 상온인 경우와 100℃의 온도에서 10분의 시간 동안 열처리한 경우의 전류 밀도 값 비교(1), 100℃의 온도에서 10분의 시간 동안 열처리한 경우와 200℃의 온도에서 20분의 시간 동안 열처리한 경우의 전류 밀도 값 비교(2), 상온인 경우와 200℃의 온도에서 20분의 시간 동안 열처리한 경우의 전류 밀도 값 비교(3)가 아래 <표 1>을 통하여 정리된다. As can be seen from FIG. 7, the temperature sensor according to the embodiment increases the value of the measured current density as the temperature applied to the temperature sensor increases. The comparison of the current density values when heat treatment was carried out at room temperature and at a temperature of 100 ° C for 10 minutes (1), the case of heat treatment at a temperature of 100 ° C for 10 minutes and the case of 20 minutes at a temperature of 200 ° C Comparison of the current density values in the case of the heat treatment (2), comparison of the current density values in the case of the normal temperature and the case of the heat treatment at the temperature of 200 占 폚 for 20 minutes are summarized in Table 1 below.

구분division Initial current density
(mA/cm2)Initial current density
(mA / cm 2 ) Increased current density
(mA/cm2)Increased current density
(mA / cm 2 ) Ratio of increase
(%)Ratio of increase
(%) 1One 0.00280.0028 2.31602.3160 8261482614 22 2.31602.3160 4405.17254405.1725 190106190106 33 0.00280.0028 4405.17254405.1725 157327417157327417

도 7 및 <표 1>을 통해, 본 발명의 실시 예에 따른 온도 센서는, 온도 변화에 따라 측정되는 전류의 값이 변화되는 것을 알 수 있다. 7 and Table 1, it can be seen that the value of the current measured according to the temperature change is changed in the temperature sensor according to the embodiment of the present invention.

이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will also be appreciated that many modifications and variations will be apparent to those skilled in the art without departing from the scope of the present invention.

100: 온도 전달층
200: 활성층
310, 320: 제1 전극, 제2 전극
400: 보호층100: temperature transfer layer
200: active layer
310, 320: a first electrode, a second electrode
400: protective layer

Claims (10)

온도 전달층;
상기 온도 전달층 상에 배치되고, 지연형광물질을 포함하는 활성층;
상기 활성층 상에 배치되는 제1 전극층;
상기 활성층 상에 배치되고, 상기 제1 전극층과 이격된 제2 전극층; 및
상기 제1 및 제2 전극층 상에, 상기 활성층과 마주보도록 배치되는 보호층을 포함하되,
상기 활성층은, 호스트(host) 물질 및 상기 지연형광물질을 포함하는 도펀트(dopant) 물질로 이루어지되, 상기 호스트 물질 및 상기 도펀트 물질이 갖는 에너지 준위 사이의 전자 이동에 따라, 전류의 차이가 발생하고,
제1 온도가 전달된 상기 활성층에서, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도가 상기 활성층으로 전달되는 경우, 상기 전자는, 상기 호스트 물질의 S0 준위에서 상기 호스트 물질의 S1 준위로 이동하는 제1 경로, 상기 호스트 물질의 S1 준위에서 상기 도펀트 물질의 T1 준위로 이동하는 제2 경로, 및 상기 도펀트 물질의 T1 준위에서 상기 도펀트 물질의 S1 준위로 이동하는 제4 경로를 순차적으로 이동하는 것을 포함하는 온도 센서.
A temperature transfer layer;
An active layer disposed on the temperature transmission layer and including a retardation fluorescent material;
A first electrode layer disposed on the active layer;
A second electrode layer disposed on the active layer and spaced apart from the first electrode layer; And
And a protective layer disposed on the first and second electrode layers so as to face the active layer,
The active layer is made of a host material and a dopant material including the retardation fluorescent material, and a difference in electric current occurs due to an electron movement between energy levels of the host material and the dopant material ,
In the active layer to which the first temperature is transferred, when the second temperature higher than the first temperature is transferred to the active layer, the electrons are injected into the active layer through the first path , A second path moving from the S1 level of the host material to the T1 level of the dopant material and a fourth path moving from the T1 level of the dopant material to the S1 level of the dopant material, sensor.
제1 항에 있어서,
외부 온도가 상기 온도 전달층을 통해, 상기 활성층으로 전달되고,
상기 온도 전달층에 의해 전달된 온도에 따라서, 상기 활성층을 통해 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 사이에 흐르는 전류 값이 조절되는 것을 포함하는 온도 센서.
The method according to claim 1,
An external temperature is transmitted to the active layer through the temperature-transmitting layer,
And controlling a current value flowing between the first electrode layer and the second electrode layer through the active layer according to a temperature transferred by the temperature transfer layer.
제1 항에 있어서,
상기 온도 전달층은, 유기물 기판, 금속 기판, 또는 탄소 결합 소재 중에서 어느 하나를 포함하는 온도 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the temperature transfer layer comprises any one of an organic substrate, a metal substrate, and a carbon bond material.
제1 항에 있어서,
상기 호스트 물질은 형광 유기 발광 물질을 포함하는 온도 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the host material comprises a fluorescent organic light emitting material.
제1 항에 있어서,
상기 제1 온도가 전달된 상기 활성층에서, 상기 전자는,
상기 호스트 물질의 S0 준위에서 상기 호스트 물질의 S1 준위로 이동하는 상기 제1 경로;
상기 호스트 물질의 S1 준위에서 상기 도펀트 물질의 T1 준위로 이동하는 상기 제2 경로; 및
상기 도펀트 물질의 T1 준위에서 상기 호스트 물질의 S1 준위로 이동하는 제3 경로를 순차적으로 이동하는 것을 포함하는 온도 센서.
The method according to claim 1,
In the active layer to which the first temperature is transferred,
The first path moving from the S0 level of the host material to the S1 level of the host material;
The second path moving from the S1 state of the host material to the T1 state of the dopant material; And
And a third path that moves from the T1 level of the dopant material to the S1 level of the host material.
제1 항에 있어서,
상게 활성층과 상기 보호층은 이격되어, 상기 활성층과 상기 보호층 사이에 빈 공간(empty space)이 제공되는 것을 포함하는 온도 센서
The method according to claim 1,
Wherein the upper active layer and the protective layer are spaced apart to provide an empty space between the active layer and the passivation layer,
제6 항에 있어서,
상기 빈 공간은, 상기 활성층과 상기 보호층 사이, 및 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 사이에 정의되는 것을 포함하는 온도 센서.
The method according to claim 6,
Wherein the void space is defined between the active layer and the protective layer and between the first electrode layer and the second electrode layer.
제1 항에 있어서,
상기 활성층 및 상기 제1 전극층 사이에 배치되는 전자 수송층,
상기 활성층 및 상기 제2 전극층 사이에 배치되는 전공 수송층을 더 포함하는 온도 센서.
The method according to claim 1,
An electron transport layer disposed between the active layer and the first electrode layer,
And a pore-transferring layer disposed between the active layer and the second electrode layer.
온도 전달층을 준비하는 단계;
상기 온도 전달층 상에, 지연형광물질을 포함하는 활성층을 형성하는 단계;
상기 활성층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계;
상기 활성층 상에 상기 제1 전극층과 이격된 제2 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 및 제2 전극층 상에 상기 활성층과 마주보는 보호층을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 활성층은, 호스트(host) 물질 및 상기 지연형광물질을 포함하는 도펀트(dopant) 물질로 이루어지되, 상기 호스트 물질 및 상기 도펀트 물질이 갖는 에너지 준위 사이의 전자 이동에 따라, 전류의 차이가 발생하고,
제1 온도가 전달된 상기 활성층에서, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도가 상기 활성층으로 전달되는 경우, 상기 전자는, 상기 호스트 물질의 S0 준위에서 상기 호스트 물질의 S1 준위로 이동하는 제1 경로, 상기 호스트 물질의 S1 준위에서 상기 도펀트 물질의 T1 준위로 이동하는 제2 경로, 및 상기 도펀트 물질의 T1 준위에서 상기 도펀트 물질의 S1 준위로 이동하는 제4 경로를 순차적으로 이동하는 것을 포함하는 온도 센서의 제조 방법.
Preparing a temperature transfer layer;
Forming an active layer including a retardation fluorescent material on the temperature transmission layer;
Forming a first electrode layer on the active layer;
Forming a second electrode layer on the active layer, the second electrode layer being spaced apart from the first electrode layer; And
Forming a protective layer facing the active layer on the first and second electrode layers,
The active layer is made of a host material and a dopant material including the retardation fluorescent material, and a difference in electric current occurs due to an electron movement between energy levels of the host material and the dopant material ,
In the active layer to which the first temperature is transferred, when the second temperature higher than the first temperature is transferred to the active layer, the electrons are injected into the active layer through the first path , A second path moving from the S1 level of the host material to the T1 level of the dopant material and a fourth path moving from the T1 level of the dopant material to the S1 level of the dopant material, A method of manufacturing a sensor.
제9 항에 있어서,
상기 활성층과 마주보는 상기 보호층을 형성하는 단계는,
상기 제1 및 제2 전극층 상에 상기 보호층이 형성되어, 상기 활성층과 상기 보호층 사이에 빈 공간이 형성되는 것을 포함하는 온도 센서의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein forming the protective layer facing the active layer comprises:
Wherein the protective layer is formed on the first and second electrode layers, and a void space is formed between the active layer and the protective layer.
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