KR101978798B1 - Organic light-emitting diode display device including temperature conpensation circuit - Google Patents
Organic light-emitting diode display device including temperature conpensation circuit Download PDFInfo
- Publication number
- KR101978798B1 KR101978798B1 KR1020120141449A KR20120141449A KR101978798B1 KR 101978798 B1 KR101978798 B1 KR 101978798B1 KR 1020120141449 A KR1020120141449 A KR 1020120141449A KR 20120141449 A KR20120141449 A KR 20120141449A KR 101978798 B1 KR101978798 B1 KR 101978798B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- voltage
- signal
- reference voltage
- node
- thin film
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
- G09G2320/041—Temperature compensation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
본 발명은 유기발광 표시장치를 공개한다. 보다 상세하게는, 본 발명은 문턱전압 보상구조의 화소를 구비한 표시패널의 온도변화에 따른 휘도저하 문제를 개선한 온도보상회로를 포함하는 유기발광 표시장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 표시패널과, 이에 스캔신호를 공급하는 스캔구동부 및 데이터신호를 공급하는 데이터구동부와, 표시패널에 제어신호를 공급하는 제어신호 공급부와, 표시패널에 기준전압을 공급하는 기준전압 공급부, 그리고, 표시패널의 온도변화에 대응하여 제1 기준전압 또는 데이터신호 중, 어느 하나에 대한 전압레벨을 보상하는 보상회로부를 포함한다.
이에 따라, 본 발명은 표시패널의 온도 변화를 감지하고 각 화소에 공급되는 기준전압 또는 데이터신호를 보상하는 보상회로를 구비함으로서, 온도 변화에 의한 화질저하 문제를 개선할 수 있는 효과가 있다.The present invention discloses an organic light emitting display. More particularly, the present invention relates to an organic light emitting diode display including a temperature compensation circuit which solves a luminance lowering problem caused by a temperature change of a display panel having a pixel having a threshold voltage compensating structure.
The OLED display includes a display panel, a scan driver for supplying a scan signal to the display panel, a data driver for supplying a data signal, a control signal supplier for supplying a control signal to the display panel, And a compensation circuit for compensating for a voltage level of either the first reference voltage or the data signal corresponding to the temperature change of the display panel.
Accordingly, the present invention provides a compensation circuit for detecting a change in temperature of a display panel and compensating for a reference voltage or a data signal supplied to each pixel, thereby improving the image quality degradation due to a temperature change.
Description
본 발명은 유기발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 문턱전압 보상구조의 화소를 구비한 표시패널의 온도변화에 따른 휘도저하 문제를 개선한 온도보상회로를 포함하는 유기발광 표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display, and more particularly, to an organic light emitting diode (OLED) display device including a temperature compensating circuit in which a luminance lowering problem caused by a temperature change of a display panel having pixels having a threshold voltage compensating structure is improved.
유기발광 표시장치 Organic Light-Emitting Diode Display device)는, 표시패널에 구비되는 유기전계 발광다이오드가 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 가지며, 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 표시장치의 구현이 가능하다는 장점이 있어 차세대 표시장치로 각광받고 있다. An organic light emitting diode (OLED) display device has a high brightness and low operating voltage characteristics and a self-emission type that emits light by itself, Sized display device can be realized, which is attracting attention as a next-generation display device.
도 1은 종래의 유기발광 표시장치의 일 화소에 대한 등가 회로도를 나타낸 도면이다.1 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a conventional OLED display.
도시된 바와 같이, 유기발광 표시장치는 스캔신호(SCAN)배선 및 데이터 신호(VDATA)배선이 교차 형성되고, 이와 소정간격 이격되어 전원전압(ELVDD)를 공급하는 배선이 형성되어, 하나의 화소(PX)을 정의한다.As shown in the figure, the organic light emitting display includes a scan line SCAN and a data line VDATA formed in a crossing manner, and a wiring for supplying the power source voltage ELVDD is formed at a predetermined distance therebetween, PX).
또한, 스캔신호(SCAN)에 대응하여 데이터 신호(VDATA)를 제1 노드(N1)에 인가하는 스위칭 박막트랜지스터(SWT)와, 소스전극에 구동전압(ELVDD)을 인가받으며, 제1 노드(N1)에 인가된 전압에 따라 드레인 전류를 유기전계 발광다이오드(Organic Light-Emitting Diode)(EL)에 인가하는 구동 박막트랜지스터(DT)와, 구동 박막트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 인가되는 전압을 1 프레임동안 유지시키는 캐패시터(C1)를 포함한다. The switching TFT SWT applies a data signal VDATA to the first node N1 in response to the scan signal SCAN. The switching TFT SWT applies a driving voltage ELVDD to the source electrode, A driving thin film transistor DT for applying a drain current to an organic light-emitting diode EL according to a voltage applied to the driving thin film transistor DT, Lt; RTI ID = 0.0 > C1 < / RTI >
그리고, 유기전계 발광다이오드(EL)는 구동 박막트랜지스터(DT)의 드레인전극에 애노드전극이 접속되며, 캐소드전극이 접지(ELVSS)되며, 캐소드전극과 애노드전극사이에 형성되는 유기발광층을 포함한다. 전술한 유기발광층은 정공수송층, 발광층 및 전자수송층으로 구성될 수 있다.The organic light emitting diode EL includes an organic light emitting layer formed between the cathode electrode and the anode electrode, the anode electrode connected to the drain electrode of the driving thin film transistor DT, the cathode electrode grounded (ELVSS). The above-described organic luminescent layer may be composed of a hole transporting layer, a luminescent layer and an electron transporting layer.
전술한 유기발광 표시장치는 구동 트랜지스터(DT)에 의해 유기전계 발광다이오드에 흐르는 전류의 양을 조절하여 영상의 계조를 표시하는 것으로, 구동 박막트랜지스터(DT)의 특성에 의해 화질이 결정된다.The organic light emitting display device displays the gray level of an image by adjusting the amount of current flowing in the organic light emitting diode by the driving transistor DT, and the image quality is determined by the characteristics of the driving thin film transistor DT.
그러나, 하나의 표시패널 내에서도 각 화소간 구동 박막트랜지스터간 문턱전압의 특성이 다르며, 각 유기전계 발광다이오드(EL)들에 흐르는 전류량에 편차가 있어 화상의 품질이 저하되는 문제가 발생하게 된다. 이러한 문제를 개선하기 위해, 도 2에 도시된 바와 같이 기준전압(Vref)을 인가하는 하나이상의 샘플링 박막트랜지스터(SPT)를 추가하여 구동 박막트랜지스터의 문턱전압을 센싱하고, 구동 트랜지스터의 드레인 전류에 센싱된 문턱전압 성분을 제거함으로서 문턱전압 편차를 보상하는 화소구조가 제안되었다.However, even in a single display panel, the threshold voltage characteristics between the respective pixel-to-pixel thin film transistors are different, and the amount of current flowing in each organic light emitting diode (EL) varies. In order to solve this problem, as shown in FIG. 2, one or more sampling thin film transistors (SPT) for applying a reference voltage (Vref) are added to sense the threshold voltage of the driving thin film transistor, A pixel structure for compensating the threshold voltage deviation by removing the threshold voltage component has been proposed.
그러나, 전술한 전압보상 구조는 화소들간 문턱전압의 편차만을 보상할 뿐, 표시패널의 온도변화에 따른 휘도 및 구동효율 저하문제를 해결할 수 없다는 한계가 있다.However, the above-described voltage compensation structure has a limitation in that it solves only the deviation of the threshold voltage between pixels, and can not solve the luminance and driving efficiency lowering problem due to the temperature change of the display panel.
도 3a 및 도 3b는 종래의 유기발광 표시장치의 온도에 따른 휘도 변화 및 구동효율 변화를 그래프로 나타낸 도면이다.FIGS. 3A and 3B are graphs illustrating changes in luminance and driving efficiency according to temperature of a conventional OLED display device. Referring to FIG.
도시된 바와 같이, 종래의 유기발광 표시장치는 각 R,G,B,W 색상별로 온도에 따른 서로 다른 휘도변화 특성을 가지며, 또한 온도에 따라 유기전계 발광다이오드에 흐르는 전류당 휘도값도 서로 다른 특성을 갖게 된다. 통상적으로 표시패널의 온도가 올라갈수록 그 면적당 휘도가 저하된다. 일 예로서, 적색화소(R)의 경우 25℃ 에서 약 36 cd/m2 의 밝기를 가지며, 온도 상승에 따라 45℃ 에서는 약 30 cd/m2 의 밝기를 구현하게 된다. 또한, 적색화소(R)의 구동효율은 25℃ 에서 약 9 cd/A 의 밝기를 가지며, 45℃ 에서는 약 8 cd/A 가 된다. As shown in the drawing, the conventional organic light emitting display device has different luminance change characteristics depending on the respective colors of R, G, B, and W colors, and luminance values per current flowing in the organic light emitting diodes . Normally, as the temperature of the display panel increases, the luminance per area decreases. As an example, the red pixel (R) has a brightness of about 36 cd / m 2 at 25 ° C and a brightness of about 30 cd / m 2 at 45 ° C due to the temperature rise. Also, the driving efficiency of the red pixel R has a brightness of about 9 cd / A at 25 ° C and about 8 cd / A at 45 ° C.
따라서, 표시패널의 온도변화는 화상의 품질을 떨어뜨리는 주요한 원인이 된다. Therefore, the temperature change of the display panel is a main cause of deteriorating the image quality.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 유기전계 발광다이오드를 구비하는 유기발광 표시장치의 온도 변화에 따른 화질저하 문제를 개선하는 데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to improve the image quality degradation due to temperature changes of an organic light emitting diode display device having an organic light emitting diode.
전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 복수의 화소가 정의된 표시패널; 상기 표시패널에 스캔신호를 공급하는 스캔구동부 및 데이터신호를 공급하는 데이터구동부; 상기 표시패널에 제어신호를 공급하는 제어신호 공급부; 상기 표시패널에 기준전압을 공급하는 기준전압 공급부; 및 상기 표시패널의 온도변화에 대응하여, 상기 제1 기준전압 또는 상기 데이터신호 중, 어느 하나에 대한 전압레벨을 보상하는 보상회로부를 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display comprising: a display panel having a plurality of pixels defined therein; A scan driver for supplying a scan signal to the display panel, and a data driver for supplying a data signal; A control signal supply unit for supplying a control signal to the display panel; A reference voltage supply unit for supplying a reference voltage to the display panel; And a compensation circuit for compensating for a voltage level of either the first reference voltage or the data signal corresponding to the temperature change of the display panel.
상기 보상회로부는, 상기 제1 기준전압 또는 데이터신호의 전압원에 연결되는 써미스터 및 상기 써미스터와 연결되는 접지된 풀-다운 저항을 포함하고, 상기 써미스터 및 풀-다운 저항 사이의 분압된 전압을 보상된 제1 기준전압 또는 데이터신호로서 상기 표시패널에 출력하는 것을 특징으로 한다. Wherein the compensation circuitry includes a thermistor coupled to the voltage source of the first reference voltage or data signal and a grounded pull-down resistor coupled to the thermistor, wherein the compensated circuit portion is configured to compensate the divided voltage between the thermistor and the pull- And outputs it to the display panel as a first reference voltage or a data signal.
상기 보상회로부는, 상기 제1 기준전압 또는 데이터신호의 전압원에 연결되는 풀-업 저항 및 상기 풀-업 저항과 연결되는 접지된 써미스터를 포함하고, 상기 풀-업 저항 및 써미스터 사이의 분압된 전압을 보상된 제1 기준전압 또는 데이터신호로서 상기 표시패널에 출력하는 것을 특징으로 한다. Wherein the compensation circuitry includes a pull-up resistor coupled to the voltage source of the first reference voltage or data signal and a grounded thermistor coupled to the pull-up resistor, wherein the pull-up resistor and the divided voltage To the display panel as a compensated first reference voltage or a data signal.
상기 써미스터는, 포지티브 형 또는 네가티브 형 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다. The thermistor is characterized by being either a positive type or a negative type.
상기 제어신호는, 적어도 제1 초기화신호, 제2 초기화신호, EM신호 및 SEN 신호를 포함하는 것을 특징으로 한다. The control signal includes at least a first initialization signal, a second initialization signal, an EM signal, and an SEN signal.
상기 복수의 화소는, 유기전계 발광다이오드; 게이트 전극에 상기 제1 초기화 신호가 인가되고, 소스 전극에 상기 제1 기준전압이 인가되며, 드레인 전극이 제1 노드에 연결되는 제1 박막 트랜지스터; 게이트 전극에 상기 제2 초기화 신호가 인가되고, 소스전극에 상기 제2 기준전압이 인가되며, 드레인 전극이 제2 노드와 연결되는 제2 박막 트랜지스터; 게이트 전극에 상기 SEN신호가 인가되고, 소스 및 드레인전극이 각각 제3 노드 및 상기 제2 노드에 연결되는 제3 박막 트랜지스터; 게이트 전극에 상기 스캔신호가 인가되고, 소스전극에 데이터신호가 인가되며, 드레인 전극이 상기 제1 노드에 연결되는 제4 박막트랜지스터; 게이트 전극에 상기 EM신호가 인가되고, 소스전극이 상기 제3 노드에 연결되며, 드레인전극이 상기 유기전계 발광다이오드에 연결되는 제5 박막트랜지스터; 게이트 전극이 상기 제2 노드에 연결되고, 소스전극에 전원전압이 인가되며, 드레인 전극이 상기 제3 노드와 연결되는 구동 박막트랜지스터; 양 전극이 각각 상기 제1 노드 및 제2 노드에 연결되는 제1 캐패시터; 및 일 전극이 상기 제1 노드에 연결되고, 타 전극에 전원전압이 인가되는 제2 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 한다. The plurality of pixels may include an organic light emitting diode; A first thin film transistor in which the first initialization signal is applied to a gate electrode, the first reference voltage is applied to a source electrode, and the drain electrode is connected to a first node; A second thin film transistor in which the second initialization signal is applied to the gate electrode, the second reference voltage is applied to the source electrode, and the drain electrode is connected to the second node; A third thin film transistor to which the SEN signal is applied to the gate electrode and the source and drain electrodes are respectively connected to the third node and the second node; A fourth thin film transistor to which the scan signal is applied to the gate electrode, a data signal is applied to the source electrode, and a drain electrode is connected to the first node; A fifth thin film transistor in which the EM signal is applied to the gate electrode, the source electrode is connected to the third node, and the drain electrode is connected to the organic light emitting diode; A driving thin film transistor having a gate electrode connected to the second node, a source electrode connected to a power supply voltage, and a drain electrode connected to the third node; A first capacitor having both electrodes connected to the first node and the second node, respectively; And a second capacitor having one electrode connected to the first node and a power voltage applied to the other electrode.
상기 유기전계 발광다이오드에 흐르는 전류 IOLED는, 상기 구동 박막트랜지스터의 게이트-소스간 전압을 Vgs, 문턱전압을 Vth, 특성값을 K = u × Cox × W/L 이라 하고, 전원전압을 ELVDD, 데이터신호를 VDATA, 제1 기준전압을 Vref1 이라 할 때, 이하의 수학식,The current IOLED flowing through the organic light emitting diode may be expressed as Vgs, Vth, and K = u x Cox x W / L, and the power supply voltage may be ELVDD, data When the signal is VDATA and the first reference voltage is Vref1,
상기 보상회로부는, 상기 기준전압 공급부 또는 상기 데이터 구동부 중, 어느 하나에 실장되는 것을 특징으로 한다. And the compensation circuit section is mounted on any one of the reference voltage supply section and the data driver section.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 표시패널의 온도 변화를 감지하고 각 화소에 공급되는 기준전압 또는 데이터신호를 보상하는 보상회로를 구비함으로서, 온도 변화에 의한 화질저하 문제를 개선할 수 있는 효과가 있다. The organic light emitting display according to the embodiment of the present invention includes a compensation circuit for detecting a temperature change of the display panel and compensating for a reference voltage or a data signal supplied to each pixel, There is an effect.
도 1은 종래의 유기발광 표시장치의 일 화소에 대한 등가 회로도를 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 전압보상 구조 유기발광 표시장치의 일 화소에 대한 등가 회로도를 나타낸 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 종래의 유기발광 표시장치의 온도에 따른 휘도 변화 및 구동효율 변화를 그래프로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 전체 구조를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 일 화소에 대한 등가회로도 및 이와 연결되는 보상회로부의 구조를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 일 화소에 대한 등가회로도 및 이와 연결되는 보상회로부의 구조를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치에서 임의의 일 시점에 인가되는 신호들의 파형을 나타낸 도면이다.
도 8a 내지 8c는 신호인가에 따른 각 박막트랜지스터의 전기적 연결상태를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 의한 유기발광 표시장치의 온도에 따른 휘도 변화를 그래프로 나타낸 도면이다.1 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a conventional OLED display.
2 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a conventional voltage-compensated structure organic light emitting diode display.
FIGS. 3A and 3B are graphs illustrating changes in luminance and driving efficiency according to temperature of a conventional OLED display device. Referring to FIG.
4 is a diagram illustrating an overall structure of an OLED display according to an embodiment of the present invention.
5 is an equivalent circuit diagram of one pixel of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention and a structure of a compensation circuit connected thereto.
6 is an equivalent circuit diagram of one pixel of the organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention and a structure of a compensation circuit connected thereto.
7 is a waveform diagram of signals applied at an arbitrary point in time in the OLED display according to the first and second embodiments of the present invention.
8A to 8C are diagrams showing electrical connection states of respective thin film transistors according to signal application.
9 is a graph illustrating a change in luminance according to temperature of an OLED display according to embodiments of the present invention.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 구동방법을 설명한다. 참고로, 이하의 설명에서는 유기발광 표시장치의 화소 및 구동부는 모두 P-MOS 트랜지스터를 기준으로 설명하였으며, 따라서, 트랜지스터가 턴-온되는 인에이블(enable)전압은 적어도 접지전압(GND)보다 낮거나 인접한 로우레벨(low-level)의 전압을 가리키고, 트랜지스터가 턴-오프되는 디스에이블(disable)전압은 적어도 접지전압(GND)보다 높은 하이레벨(high-level)의 전압을 가리킨다. 따라서, 화소 및 구동부가 N-MOS 트랜지스터로 구현되는 경우, 인에이블 전압 및 디스에이블 전압은 이와 반대인 각각 하이레벨 및 로우레벨이 된다.Hereinafter, a driving method of an OLED display according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the pixel and the driving unit of the organic light emitting diode display are all described on the basis of the P-MOS transistor. Therefore, the enable voltage at which the transistor is turned on is at least lower than the ground voltage GND Or an adjacent low-level voltage, and the disable voltage at which the transistor is turned off indicates a high-level voltage at least higher than the ground voltage GND. Therefore, when the pixel and the driver are implemented with N-MOS transistors, the enable voltage and the disable voltage are respectively high and low, which are opposite to each other.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 전체 구조를 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating an overall structure of an OLED display according to an embodiment of the present invention.
도시된 바와 같이, 본 발명의 유기발광 표시장치는 다수의 화소가 정의되는 표시패널(100)와, 표시패널(100)과 연결되는 각종 구동부 및 신호공급부(110, 120, 130, 140)와, 보상 회로부(150)를 포함한다.The organic light emitting display according to the present invention includes a
표시패널(100)은 플라스틱 기판상에 서로 교차되도록 복수의 스캔배선(SL), 제어신호 공급배선(CL), 전압공급배선(VL), 기준전압 공급배선(RL) 및 데이터 배선(DL)이 형성되고, 스캔배선(SL) 및 데이터 배선(DL)이 교차하는 지점에 각각 적(R), 녹(G) 및 청(B) 에 해당하는 화소(PX)들이 정의된다.The
여기서, 제어배선(CL)은 도시하지는 않았지만 EM신호, SEN신호, 제1초기화신호(INT H) 및 제2 초기화신호(INT G)를 각각 서로 다른 타이밍에 출력하는 복수의 배선으로 이루어진다.Here, the control wiring CL is composed of a plurality of wirings (not shown) which output the EM signal, the SEN signal, the first initialization signal INT H and the second initialization signal INT G at different timings, respectively.
또한, 전압공급배선(VL)은 도시하지는 않았지만 적어도 구동을 위한 전원전압(ELVDD) 및 접지전압(ELVSS)를 화소에 공급하도록 두 개의 배선으로 이루어진다.Further, although not shown, the voltage supply wiring VL is composed of two wirings so as to supply at least the power supply voltage ELVDD and the ground voltage ELVSS for driving to the pixels.
표시패널(100)의 각 배선들은 표시패널(100)의 외곽에 형성되며 스캔배선(SL)들에 스캔신호를 인가하는 스캔 구동부(110)와, 제어배선(CL)들에 제어신호들을 인가하는 제어신호 공급부(120), 그리고 데이터 배선(DL)들에 데이터신호를 인가하는 데이터 구동부(130)와 연결된다. 여기서, 스캔 구동부(110) 및 제어신호 공급부(110, 120)는 박막트랜지스터로 구현되어 표시패널(100)내에 실장될 수 있다.Each of the wirings of the
또한, 도시하지는 않았지만 상기 화소(PX)들은 적어도 하나의 유기전계 발광다이오드, 캐패시터, 복수의 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함한다. 여기서, 유기발광다이오드는 제 1 전극(정공주입 전극)과 유기 화합물층 및 제 2 전극(전자주입 전극)로 이루어질 수 있다.Also, although not shown, the pixels PX include at least one organic light emitting diode, a capacitor, a plurality of switching transistors, and a driving transistor. Here, the organic light emitting diode may include a first electrode (hole injection electrode), an organic compound layer, and a second electrode (electron injection electrode).
유기 화합물층은 실제 발광이 이루어지는 발광층 이외에 정공 또는 전자의 캐리어를 발광층까지 효율적으로 전달하기 위한 다양한 유기층들을 더 포함할 수 있다. 이러한 유기층들은 제 1 전극과 발광층 사이에 위치하는 정공주입층 및 정공수송층, 제 2 전극과 발광층 사이에 위치하는 전자주입층 및 전자수송층일 수 있다.The organic compound layer may further include various organic layers for efficiently transporting carriers of holes or electrons to the light-emitting layer in addition to the light-emitting layer in which light is actually emitted. These organic layers may be a hole injecting layer and a hole transporting layer positioned between the first electrode and the light emitting layer, an electron injecting layer and an electron transporting layer positioned between the second electrode and the light emitting layer.
또한, 박막트랜지스터들은 스캔배선(SL) 및 제어신호 공급배선(CL)과 데이터배선(DL)에 연결되고, 스캔배선(SL)에 입력되는 스캔신호에 따라 데이터배선(DL)에 입력되는 데이터 신호를 구동 박막트랜지스터로 전송한다. 캐패시터는 박막트랜지스터와 전원 배선에 사이에 연결되며, 박막트랜지스터로부터 전송되는 데이터신호와 기준전압을 통해 샘플링된 구동 박막트랜지스터의 문턱전압이 제거된 전압과의 차에 비례하는 전압을 저장한다.The thin film transistors are connected to the scan lines SL and the control signal supply lines CL and the data lines DL and are connected to the data lines DL in accordance with the scan signals inputted to the scan lines SL. To the driving thin film transistor. The capacitor is connected between the thin film transistor and the power supply wiring and stores a voltage proportional to a difference between a data signal transmitted from the thin film transistor and a voltage obtained by removing a threshold voltage of the driving thin film transistor sampled through the reference voltage.
또한, 상기 박막트랜지스터는 복수개가 구비되어 인가되는 기준전압을 통해 후술하는 구동 박막트랜지스터의 문턱전압을 샘플링하여 구동 박막트랜지스터를 통해 흐르는 전류에 문턱전압 성분을 제거하는 역할도 한다.In addition, a plurality of the thin film transistors are provided to sample a threshold voltage of a driving thin film transistor to be described later through an applied reference voltage to remove a threshold voltage component from a current flowing through the driving thin film transistor.
그리고, 구동 박막트랜지스터는 전원공급배선과 캐패시터에 연결되어 게이트-소스간 전압에 대응하는 드레인 전류를 유기전계 발광다이오드로 공급하고, 유기전계 발광다이오드는 드레인 전류에 의해 발광하게 된다. 여기서, 구동 트랜지스터는 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극을 포함하며, 유기전계 발광다이오드의 애노드 전극은 구동 트랜지스터의 드레인전극에 연결된다. The driving thin film transistor is connected to the power supply wiring and the capacitor to supply the drain current corresponding to the gate-source voltage to the organic light emitting diode, and the organic light emitting diode emits light by the drain current. Here, the driving transistor includes a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, and an anode electrode of the organic electroluminescent diode is connected to a drain electrode of the driving transistor.
전술한 복수의 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터의 연결구조에 대한 상세한 설명은 후술하도록 한다.The connection structure of the plurality of thin film transistors and the driving thin film transistors will be described in detail later.
그리고, 스캔 구동부(110) 및 제어신호 공급부(120)는 각 화소(PX)에 스캔신호 및 제어신호들을 하나의 수평선단위씩 순차적으로 인가한다. 이러한 스캔 구동부(110) 및 제어신호 공급부(120)는 다수의 스테이지를 갖는 쉬프트 레지스터로 구현될 수 있다.The
데이터 구동부(130)는 내장된 타이밍 콘트롤 회로가 외부시스템으로부터 인가되는 화상데이터를 입력받아 화소(PX)가 처리할 수 있는 아날로그 전압형태의 데이터신호로 변환하고, 또한 외부로부터 입력되는 타이밍 신호에 대응하여 데이터 배선(DL)을 통해 각 화소(PX)에 변환된 데이터신호를 공급한다. 또한, 데이터 공급부(130)는 화소 구동에 필요한 전원전압, 접지전압 등을 전원공급배선(VL)을 통해 각 화소(PX)에 공급한다.The
기준전압 공급부(140)는 화소(PX)에 포함되는 다수의 박막트랜지스터 중, 유기전계 발광다이오드에 흐르는 전류의 양을 제어하는 구동 박막트랜지스터의 문턱전압을 샘플링하기 위한 기준전압을 공급하는 것으로, 기준전압은 서로 다른 레벨의 하나이상의 신호일 수 있으며, 기준전압배선(RL)을 통해 각 화소(PX)로 공급된다.The reference
보상회로부(150)는 소정의 온도센서를 구비하여 유기발광 표시장치의 온도 변화를 감지하고, 그 감지결과에 따라 표시패널에 인가되는 다수의 전압 중, 어느 하나를 보상하는 역할을 한다. 이러한 보상회로부(150)는 표시패널에 형성된 다수의 신호배선 중, 어느 하나와 전압원(미도시)사이에 연결되는 서미스터 및 저항(미도시)로 구현될 수 있다. The
특히, 본 발명의 제1 실시예에서는 보상 회로부(150)가 신호배선 중, 기준전압 공급배선(RL)과 연결되어 온도에 따라 기준전압을 보상하는 구조로서, 기준전압 공급부(140)에 내장된 구조를 개시하고 있으며, 도시되어 있지는 않지만 제2 실시예에서는 기준전압 공급배선(RL)은 기준전압 공급부(140)에 연결되어 있고, 보상 회로부(150)가 데이터 구동부(130)내에 실장되어 데이터배선(DL)과 연결되고 온도에 따라 데이터신호를 보상하는 구조를 갖는다.Particularly, in the first embodiment of the present invention, the
즉, 본 발명의 실시예들은 유기발광 표시장치의 온도 변화에 따라, 기준전압 또는 데이터신호를 보상하는 보상회로부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 구조 및 구동방법을 설명한다. That is, embodiments of the present invention include a compensation circuit unit for compensating a reference voltage or a data signal according to a temperature change of the organic light emitting display. Hereinafter, a structure and a driving method of an OLED display according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 일 화소에 대한 등가회로도 및 이와 연결되는 보상회로부의 구조를 나타낸 도면이다.5 is an equivalent circuit diagram of one pixel of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention and a structure of a compensation circuit connected thereto.
도시된 바와 같이, 본 발명의 유기발광 표시장치의 일 화소는 6개의 박막트랜지스터와 두 개의 캐패시터 및 유기전계 발광다이오드로 구성된다.As shown in the figure, one pixel of the organic light emitting diode display of the present invention is composed of six thin film transistors, two capacitors, and an organic light emitting diode.
제1 박막 트랜지스터(T1)는 게이트 전극에 제1 초기화 신호(INT H)가 인가되고, 소스 전극에 제1 기준전압(Vref1)이 인가된다. 또한, 드레인 전극이 제1 노드(N1)에 연결된다. 특히, 제1 박막 트랜지스터(T1)에 인가되는 제1 기준전압(Vref1)은 보상회로부(150)에 의해 온도에 의한 전압레벨이 보상된 신호이다.In the first thin film transistor T1, the first initialization signal INT H is applied to the gate electrode, and the first reference voltage Vref1 is applied to the source electrode. Further, the drain electrode is connected to the first node N1. In particular, the first reference voltage Vref1 applied to the first thin film transistor T1 is a signal obtained by compensating the voltage level of the temperature by the
제2 박막 트랜지스터(T2)는 게이트 전극에 제2 초기화 신호(INT G)가 인가되고, 소스전극에 제2 기준전압(Vref2)이 인가되며, 드레인 전극이 제2 노드(N2)와 연결된다. In the second thin film transistor T2, the second initialization signal INT G is applied to the gate electrode, the second reference voltage Vref2 is applied to the source electrode, and the drain electrode is connected to the second node N2.
제3 박막 트랜지스터(T3)는 게이트 전극에 SEN신호(SEN)가 인가되고, 소스 및 드레인전극이 각각 제3 노드(N3) 및 제2 노드(N2)에 연결된다.In the third thin film transistor T3, the SEN signal SEN is applied to the gate electrode, and the source and drain electrodes are connected to the third node N3 and the second node N2, respectively.
제4 박막트랜지스터(T4)는 게이트 전극에 스캔신호(SCAN)가 인가되고, 소스전극에 데이터신호(VDATA)가 인가되며, 드레인 전극이 제1 노드(N1)에 연결된다.The fourth thin film transistor T4 has a gate electrode to which a scan signal SCAN is applied, a source electrode to which a data signal VDATA is applied, and a drain electrode to the first node N1.
제5 박막트랜지스터(T5)는 게이트 전극에 EM신호(EM)가 인가되고, 소스전극이 제3 노드(N3)에 연결되며, 드레인전극이 유기전계 발광다이오드(EL)에 연결된다. The fifth thin film transistor T5 has a gate electrode to which an EM signal EM is applied, a source electrode connected to the third node N3, and a drain electrode connected to the organic light emitting diode EL.
구동 박막트랜지스터(DT)는 게이트 전극이 제2 노드(N2)에 연결되고, 소스전극에 전원전압(ELVDD)이 인가되며, 드레인 전극이 제3 노드(N3)와 연결된다. 따라서, 구동 박막트랜지스터(DT)는 게이트 전극 및 드레인 전극이 각각 제3 박막트랜지스터(T3)의 소스 및 드레인전극에 연결되게 된다. The driving thin film transistor DT has a gate electrode connected to the second node N2, a source voltage ELVDD applied to the source electrode, and a drain electrode connected to the third node N3. Therefore, in the driving thin film transistor DT, the gate electrode and the drain electrode are respectively connected to the source and drain electrodes of the third thin film transistor T3.
제1 캐패시터(C1)는 양 전극이 각각 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)에 연결되고, 제2 캐패시터(C2)는 일 전극이 제1 노드(N1)에 연결되고, 타 전극에 전원전압(ELVDD)이 인가된다.The first capacitor C1 is connected to the first node N1 and the second node N2 respectively and the second capacitor C2 has one electrode connected to the first node N1, The power supply voltage ELVDD is applied.
그리고, 유기전계 발광다이오드(EL)는 애노드 전극과 제5 트랜지스터(T5)의 드레인전극이 연결되며, 캐소드전극이 접지(ELVSS)된다. 또한 캐소드전극과 애노드전극사이에 형성되는 유기발광층을 포함한다. 상기 유기발광층은 정공수송층, 발광층 및 전자수송층으로 구성될 수 있다.In the organic light emitting diode EL, the anode electrode is connected to the drain electrode of the fifth transistor T5, and the cathode electrode is grounded (ELVSS). And an organic light emitting layer formed between the cathode electrode and the anode electrode. The organic light emitting layer may include a hole transporting layer, a light emitting layer, and an electron transporting layer.
또한, 보상회로부(150)는 제1 박막트랜지스터(T1)의 소스전극과 접속된 배선을 통해 제1 기준전압(Vref1)을 화소에 공급한다. 이러한 보상회로부(150)는 보상전 원 레벨의 전압(VIN), 즉 기준전압을 온도에 따라 전압강하 하는 서미스터 소자(Th)와 접지된 풀-다운 저항(R1)으로 이루어지며, 이에 따라 써미스터 소자(Th)와 풀-다운 저항(R1)간의 분압을 통해 제1 기준전압(Vref1)을 생성하여 제1 박막트랜지스터(T1)에 인가하게 된다. In addition, the
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 일 화소에 대한 등가회로도 및 이와 연결되는 보상회로부의 구조를 나타낸 도면이다.6 is an equivalent circuit diagram of one pixel of the organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention and a structure of a compensation circuit connected thereto.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에서는 유기발광 표시장치의 일 화소의 구조는 종래와 동일하나, 보상 회로부가 제1 박막트랜지스터(T1)가 아닌 제4 박막트랜지스터(T4)와 전기적으로 연결되는 차이점이 있다.As shown in the figure, in the second embodiment of the present invention, the structure of one pixel of the organic light emitting display device is the same as that of the related art, except that the compensation circuit portion is electrically connected to the fourth thin film transistor T4 other than the first thin film transistor T1 There are differences connected.
즉, 본 발명의 제2 실시예에서는 제1 박막트랜지스터(T1)의 소스전극에는 온도변화에 따른 보상값이 적용되지 않은 원 전압레벨의 제1 기준전압이 인가되며, 스캔신호(Scan)의 전압레벨에 따라 데이터신호(VDATA)를 제1 노드(N1)에 인가하는 제4 박막트랜지스터(T4)의 소스전극에 보상회로부(152)가 연결된다. That is, in the second embodiment of the present invention, the first reference voltage of the original voltage level, to which the compensation value according to the temperature change is not applied, is applied to the source electrode of the first thin film transistor T1, The
따라서, 제4 박막트랜지스터(T4)는 게이트 전극에 스캔신호(SCAN)가 인가되고, 소스전극에 보상된 데이터신호(VDATA)가 인가되며, 드레인 전극이 제1 노드(N1)에 연결되게 된다. Therefore, in the fourth thin film transistor T4, the scan signal SCAN is applied to the gate electrode, the compensated data signal VDATA is applied to the source electrode, and the drain electrode is connected to the first node N1.
특히, 제2 실시예에 따른 보상회로부(142)는 데이터 배선(도 4의 DL)을 통해 보상된 데이터신호(VDATA)를 인가하는 것으로, 보상회로부(152)가 데이터 구동부(도 4의 130)내에 실장되며, 보상회로부(152)는 보상전 전압 (VIN), 즉 데이터신호를 온도에 따라 전압강하 하는 서미스터 소자(Th)와 접지된 풀-다운 저항(R1)으로 이루어진다. 따라서, 써미스터 소자(Th)와 풀-다운 저항(R1)간의 분압을 통해 보상된 데이터신호(VDATA)를 생성하여 제4 박막트랜지스터(T4)에 인가하게 된다. In particular, the compensation circuit 142 according to the second embodiment applies the compensated data signal VDATA through the data line (DL in FIG. 4) And the
이하, 전술한 제1 및 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 구동방법을 표시장치에 인가되는 신호파형을 참조하여 설명한다.Hereinafter, the driving method of the OLED display according to the first and second embodiments will be described with reference to a signal waveform applied to the display device.
도 7은 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치에서 임의의 일 시점에 인가되는 신호들의 파형을 나타낸 도면이고, 도 8a 내지 8c는 신호인가에 따른 각 박막트랜지스터의 전기적 연결상태를 나타내는 도면이다. 7A and 7B are waveforms of signals applied at an arbitrary point in time in the organic light emitting display according to the first and second embodiments of the present invention, Fig.
도 7 및 도 8a 내지 도 8c를 참조하면, 본 발명의 유기발광 표시장치는 초기 구간(Initial period), 샘플링 구간(Sampling period), 라이팅 구간(Writing period) 및 방출 구간(emission)으로 구분되어 동작하게 된다.Referring to FIGS. 7 and 8A to 8C, the OLED display of the present invention is divided into an initial period, a sampling period, a writing period, and an emission period, .
먼저, 도 5 내지 7 및 도 8a를 참조하면, 초기구간(initial period)에서는 로우레벨의 제1 초기화신호(INT H) 및 제2 초기화신호(INT G)가 인가되어 제1 및 제2 박막트랜지스터(T1, T2)가 턴-온 된다. 이에 따라, 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)에 각각 제1 기준전압(Vref1) 및 제2 기준전압(Vref2)이 각각 인가된다. 또한 초기구간(initial period) 진입단계에서 로우레벨 상태인 EM신호(EM)가 하이레벨로 인가됨에 따라, 제5 박막트랜지스터(T5)는 턴-오프 된다. Referring to FIGS. 5 to 7 and 8A, in the initial period, a first initialization signal INT H and a second initialization signal INT G of a low level are applied to the first and second thin film transistors (T1, T2) are turned on. Accordingly, the first reference voltage Vref1 and the second reference voltage Vref2 are applied to the first node N1 and the second node N2, respectively. Also, the fifth thin film transistor T5 is turned off as the low level EM signal EM is applied to the high level in the initial period.
여기서, 제1 기준전압(Vref1)은 0 V ~ 13.5 V 로 설정되며, 제2 기준전압(Vref2)은 0 V 또는 접지전압(ELVSS)로 설정된다. 또한, 전원전압(ELVDD)는 12 V 로 설정된다. 특히, 제1 실시예의 경우, 서미스터(Th)와 풀-다운 저항(R1)에 의해 보상된 제1 기준전압(Vref1)이 인가된다. Here, the first reference voltage Vref1 is set to 0 V to 13.5 V, and the second reference voltage Vref2 is set to 0 V or the ground voltage ELVSS. Further, the power supply voltage ELVDD is set to 12V. In particular, in the case of the first embodiment, the first reference voltage Vref1 compensated by the thermistor Th and the pull-down resistor R1 is applied.
따라서, 제1 노드(N1)에는 전원전압(ELVDD)보다 낮은 제1 기준전압(Vref1)이 충전되고, 제2 노드(N2)에는 0 V의 제2 기준전압(ELVSS)이 충전된다.Therefore, the first node N1 is charged with the first reference voltage Vref1 lower than the power supply voltage ELVDD and the second node N2 is charged with the second reference voltage ELVSS of 0V.
다음으로, 도 5 내지 7 및 도 8b를 참조하면, 샘플링 구간(sampling period)에서는 제1 초기화 신호(INT G)가 하이레벨로 인가되어 제2 박막트랜지스터(T2)는 턴-오프 되고, 제2 초기화 신호(INT H)는 로우레벨 상태를 유지한다. 또한, SEN신호(SEN)가 로우레벨로 인가되어 제3 박막트랜지스터(T3)가 턴-온 된다. 이에 따라, 제3 노드(N3)를 거쳐 제2 노드(N2)에는 이하의 수학식 1 에 의한 전원전압(ELVDD)과 구동 박막트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)의 절대값의 차가 충전된다. Next, referring to FIGS. 5 to 7 and 8B, in a sampling period, the first initialization signal INT G is applied at a high level to turn off the second thin film transistor T2, The initialization signal INT H maintains a low level state. Also, the SEN signal SEN is applied at a low level, and the third thin film transistor T3 is turned on. The difference between the power supply voltage ELVDD and the absolute value of the threshold voltage Vth of the driving thin film transistor DT is charged to the second node N2 via the third node N3 .
이어서, 도 5 내지 7 및 도 8c를 참조하면, 라이팅 구간(writing period)에서는 제2 초기화 신호(INT H) 및 SEN 신호(SEN)가 하이레벨로 인가되어, 제1 박막트랜지스터(T1) 및 제3 박막트랜지스터(T3)가 턴-오프 된다. 또한, 스캔신호(SCAN)가 하이레벨로 인가되어 제4 박막트랜지스터(T4)가 턴-온 된다. 따라서, 라이팅 구간(writing period)에서는 제4 박막트랜지스터(T4)을 제외한 박막트랜지스터(T1~T4, T5)가 턴-오프상태가 된다.5 to 7 and 8C, in the writing period, the second initialization signal INT H and the SEN signal SEN are applied at a high level to turn on the first thin film transistor T 1 and the second thin film transistor T 1. The third thin film transistor T3 is turned off. In addition, the scan signal SCAN is applied to the high level, and the fourth thin film transistor T4 is turned on. Therefore, in the writing period, the thin film transistors T1 to T4 and T5 except for the fourth thin film transistor T4 are turned off.
이에 따라, 데이터배선(도 4의 DL)을 통해 데이터신호(VDATA)가 제1 노드(N1)에 인가된다. 여기서, 제2 실시예의 경우, 서미스터(Th)와 풀-다운 저항(R1)에 의해 보상된 데이터신호(VDATA)이 인가된다. 이때, 제1 노드(N1)에는 제1 기준전압(Vref1)이 충전되어 있는 상태이므로, 제1 노드(N1)의 전압레벨은 제1 기준전압(Vref1)에서 데이터신호(VDATA)의 차로 천이되며, 제1 캐패시터(C1)의 커플링(coupling)에 따라, 제2 노드(N2)의 전압레벨이 부스팅(boosting)되어 제2 노드(N2)에는 이하의 수학식 2에 따른 전압이 충전된다.Thus, the data signal VDATA is applied to the first node N1 through the data line (DL in Fig. 4). Here, in the case of the second embodiment, the data signal VDATA compensated by the thermistor Th and the pull-down resistor R1 is applied. At this time, since the first node N1 is charged with the first reference voltage Vref1, the voltage level of the first node N1 transitions from the first reference voltage Vref1 to the difference of the data signal VDATA The voltage level of the second node N2 is boosted by the coupling of the first capacitor C1 and the voltage according to the following Equation 2 is charged to the second node N2.
다음으로, 도 5 내지 7을 참조하면, 방출 구간(emission period)에서는 스캔신호(SCAN)가 하이레벨로 인가되고, EM신호(EM)가 로우레벨로 인가되어 제4 박막트랜지스터(T4)가 턴-오프되고, 제5 박막트랜지스터(T5)가 턴-온된다. 이때, 전술한 라이팅 단계에서, 제2 노드(N2)에는 VDD-|Vth|-Vref1-VDATA가 충전되어 있으므로, 구동 박막트랜지스터(DT)의 게이트 전극에도 동일레벨의 전압이 인가되고, 결국 구동 박막트랜지스터(DT) 및 제5 박막트랜지스터(T5)를 통해 유기전계 발광다이오드(EL)에 흐르는 전류(IOLED)는 이하의 수학식 3과 같다.5 to 7, in the emission period, the scan signal SCAN is applied to the high level, the EM signal EM is applied to the low level, and the fourth thin film transistor T4 is turned on - off, and the fifth thin film transistor T5 is turned on. At this time, since VDD- | Vth | -Vref1-VDATA is charged in the second node N2 in the above-described writing step, the same level voltage is applied to the gate electrode of the driving thin film transistor DT, The current IOLED flowing through the organic light emitting diode EL through the transistor DT and the fifth thin film transistor T5 is expressed by the following equation (3).
상기의 수학식 3 에서 Vgs 는 구동 박막트랜지스터(DT)의 게이트-소스간 전압이고, Vth 는 구동 박막트랜지스터(DT)의 문턱전압이다. 또한, K 는 구동 박막트랜지스터(DT)의 특성값으로, K = u × Cox × W/L 이다.In Equation (3), Vgs is the gate-source voltage of the driving thin film transistor DT, and Vth is the threshold voltage of the driving thin film transistor DT. K is a characteristic value of the driving thin film transistor DT, and K = u x Cox x W / L.
따라서, 유기전계 발광다이오드(EL)에 흐르는 전류(IOLED)는 데이터신호(VDATA)과 제1 기준전압(Vref1)에 대한 함수로 전환됨으로서 문턱전압이 보상되게 된다. 즉, 캐패시터(C1)에 걸리는 전압에 문턱전압(Vth) 성분을 제거하여 전압보상을 수행한다. 이에 따라 구동 박막트랜지스터(DT)의 드레인 전류에 의해 유기전계 발광다이오드(EL)는 발광하게 된다.Therefore, the current IOLED flowing through the organic light emitting diode EL is converted into a function of the data signal VDATA and the first reference voltage Vref1, so that the threshold voltage is compensated. That is, voltage compensation is performed by removing the threshold voltage (Vth) component from the voltage applied to the capacitor (C1). Accordingly, the organic light emitting diode EL emits light by the drain current of the driving thin film transistor DT.
특히, 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따라, 보상회로부(150, 152)에 의해 제1 기준전압(Vref1) 또는 데이터신호(VDATA) 중 어느 하나가 온도 변화에 따라 전압값이 보상되어 있으므로, 유기전계 발광다이오드에 흐르는 전류량도 이에 대응하여 조절되어 온도변화에 따른 휘도변동이 보상된다. Particularly, according to the first and second embodiments of the present invention, either the first reference voltage Vref1 or the data signal VDATA is compensated by the compensating
도 9는 본 발명의 실시예들에 의한 유기발광 표시장치의 온도에 따른 휘도 변화를 그래프로 나타낸 도면으로서, 도시된 바와 같이, 각 R,G,B 색상별로 온도 차에도 불구하고 원래의 휘도값을 유지하는 것을 확인할 수 있다. 또한, R,G,B 색상의 휘도값이 동일함에 따라, 도시되어 있지는 않지만 화이트 색상도 온도별 휘도값이 동일한 것을 알 수 있다. 9 is a graph illustrating changes in luminance according to temperature of an organic light emitting display according to embodiments of the present invention. As shown in FIG. 9, As shown in Fig. Also, since the R, G, and B hue values are the same, it can be seen that the white hue and the brightness value for each temperature are the same although not shown.
또한, 전술한 실시예들에서는 써미스터 소자와 풀-다운 저항을 이용하여 기준전압 또는 데이터신호의 전압보상을 수행하는 일 예를 개시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 보상전 원 전압원에 연결된 풀-업 저항과, 접지된 써미스터 사이의 분압된 전압을 이용하여 기준전압 또는 데이터신호를 보상하는 구조도 적용가능하다.Also, in the above-described embodiments, the voltage compensation of the reference voltage or the data signal is performed using the thermistor element and the pull-down resistor. However, the present invention is not limited thereto, A structure in which the reference voltage or the data signal is compensated using the divided voltage between the up resistor and the grounded thermistor is also applicable.
상세하게는, 온도가 증가할 때 휘도가 증가하는 경우, 보상회로부는 전압원과 연결된 온도에 따라 저항값이 커지는 포지티브 써미스터(positive thermistor)와 풀-다운 저항으로 구성되거나, 또는 접지단에 연결된 온도에 따라 저항값이 작아지는 네가티브 써미스터(negative thermistor)와 풀-업 저항으로 구성될 수 있다.Specifically, when the luminance increases when the temperature increases, the compensation circuit portion may be constituted by a positive thermistor and a pull-down resistor having a large resistance value depending on the temperature connected to the voltage source, And may be constituted of a negative thermistor and a pull-up resistor which decrease in resistance value.
또한, 온도가 증가할 때 휘도가 감소하는 경우, 보상회로부는 전압원과 연결되며 온도에 따라 저항값이 낮아지는 네가티브 써미스터와 풀-다운 저항으로 구성되거나, 또는 접지단에 연결되며 온도에 따라 저항값이 커지는 포지티브 써미스터와 풀-업 저항으로 구성될 수 있다.Further, when the brightness decreases when the temperature increases, the compensation circuit portion is composed of a negative thermistor and a pull-down resistor connected to the voltage source and having a lower resistance value according to temperature, or connected to the ground terminal, Can be composed of a positive thermistor and a pull-up resistor.
전술한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서, 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.While a number of embodiments have been described in detail above, it should be construed as being illustrative of preferred embodiments rather than limiting the scope of the invention. Accordingly, the invention is not to be determined by the embodiments described, but should be determined by equivalents to the claims and the appended claims.
T1 ~ T5 : 박막트랜지스터 DT : 구동 박막트랜지스터
C1, C2 : 제1 및 제2 캐패시터 EL : 유기전계 발광다이오드
SCAN : 스캔신호 SEN : SEN신호
INITH : 제1 초기화 신호 INTG : 제2 초기화 신호
Vref1 : 제1 기준전압 Vref2 : 제2 기준전압
EM : EM신호 ELVDD : 전원전압
ELVSS : 접지전압 VDATA : 데이터신호
VIN : 전압원 Th : 써미스터
R1 : 풀-다운 저항 130 : 보상회로부T1 to T5: thin film transistor DT: driving thin film transistor
C1, C2: first and second capacitors EL: organic electroluminescent diode
SCAN: Scan signal SEN: SEN signal
INITH: first initialization signal INTG: second initialization signal
Vref1: first reference voltage Vref2: second reference voltage
EM: EM signal ELVDD: Power supply voltage
ELVSS: Ground voltage VDATA: Data signal
VIN: voltage source Th: thermistor
R1: full-down resistor 130: compensation circuit
Claims (8)
상기 표시패널에 스캔신호를 공급하는 스캔구동부 및 데이터신호를 공급하는 데이터구동부;
상기 표시패널에 제어신호를 공급하는 제어신호 공급부;
상기 표시패널에 제 1 기준전압 및 제 2 기준전압을 공급하는 기준전압 공급부; 및
상기 표시패널의 온도변화에 대응하여, 상기 제1 기준전압 또는 상기 데이터신호 중, 어느 하나에 대한 전압레벨을 보상하는 보상회로부를 포함하고,
상기 제어신호는 적어도 제1초기화 신호, 제2초기화 신호, EM신호 및 SEN 신호를 포함하며, 상기 제1초기화 신호는 초기 구간 및 샘플링 구간 동안 인가되는 유기발광 표시장치.A display panel on which a plurality of pixels are defined;
A scan driver for supplying a scan signal to the display panel, and a data driver for supplying a data signal;
A control signal supply unit for supplying a control signal to the display panel;
A reference voltage supplier for supplying a first reference voltage and a second reference voltage to the display panel; And
And a compensation circuit for compensating for a voltage level of either the first reference voltage or the data signal corresponding to the temperature change of the display panel,
Wherein the control signal includes at least a first initialization signal, a second initialization signal, an EM signal, and an SEN signal, wherein the first initialization signal is applied during an initial period and a sampling period.
상기 보상회로부는,
상기 제1 기준전압 또는 데이터신호의 전압원에 연결되는 써미스터 및
상기 써미스터와 연결되는 접지된 풀-다운 저항을 포함하고,
상기 써미스터 및 풀-다운 저항 사이의 분압된 전압을 보상된 제1 기준전압 또는 데이터신호로서 상기 표시패널에 출력하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the compensation circuit section comprises:
A thermistor connected to a voltage source of the first reference voltage or data signal,
And a grounded pull-down resistor coupled to the thermistor,
And outputs the divided voltage between the thermistor and the pull-down resistor to the display panel as a compensated first reference voltage or a data signal.
상기 보상회로부는,
상기 제1 기준전압 또는 데이터신호의 전압원에 연결되는 풀-업 저항 및
상기 풀-업 저항과 연결되는 접지된 써미스터를 포함하고,
상기 풀-업 저항 및 써미스터 사이의 분압된 전압을 보상된 제1 기준전압 또는 데이터신호로서 상기 표시패널에 출력하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the compensation circuit section comprises:
A pull-up resistor coupled to a voltage source of the first reference voltage or data signal,
And a grounded thermistor coupled to the pull-up resistor,
And outputs the divided voltage between the pull-up resistor and the thermistor to the display panel as a compensated first reference voltage or a data signal.
상기 써미스터는, 포지티브 형 또는 네가티브 형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.4. The method according to any one of claims 2 and 3,
Wherein the thermistor is one of a positive type and a negative type.
상기 복수의 화소는,
유기전계 발광다이오드;
게이트 전극에 상기 제1 초기화 신호가 인가되고, 소스 전극에 상기 제1 기준전압이 인가되며, 드레인 전극이 제1 노드에 연결되는 제1 박막 트랜지스터;
게이트 전극에 상기 제2 초기화 신호가 인가되고, 소스전극에 상기 제2 기준전압이 인가되며, 드레인 전극이 제2 노드와 연결되는 제2 박막 트랜지스터;
게이트 전극에 상기 SEN신호가 인가되고, 소스 및 드레인전극이 각각 제3 노드 및 상기 제2 노드에 연결되는 제3 박막 트랜지스터;
게이트 전극에 상기 스캔신호가 인가되고, 소스전극에 데이터신호가 인가되며, 드레인 전극이 상기 제1 노드에 연결되는 제4 박막트랜지스터;
게이트 전극에 상기 EM신호가 인가되고, 소스전극이 상기 제3 노드에 연결되며, 드레인전극이 상기 유기전계 발광다이오드에 연결되는 제5 박막트랜지스터;
게이트 전극이 상기 제2 노드에 연결되고, 소스전극에 전원전압이 인가되며, 드레인 전극이 상기 제3 노드와 연결되는 구동 박막트랜지스터;
양 전극이 각각 상기 제1 노드 및 제2 노드에 연결되는 제1 캐패시터; 및
일 전극이 상기 제1 노드에 연결되고, 타 전극에 전원전압이 인가되는 제2 캐패시터
를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of pixels include:
An organic light emitting diode;
A first thin film transistor in which the first initialization signal is applied to a gate electrode, the first reference voltage is applied to a source electrode, and the drain electrode is connected to a first node;
A second thin film transistor in which the second initialization signal is applied to the gate electrode, the second reference voltage is applied to the source electrode, and the drain electrode is connected to the second node;
A third thin film transistor to which the SEN signal is applied to the gate electrode and the source and drain electrodes are respectively connected to the third node and the second node;
A fourth thin film transistor to which the scan signal is applied to the gate electrode, a data signal is applied to the source electrode, and a drain electrode is connected to the first node;
A fifth thin film transistor in which the EM signal is applied to the gate electrode, the source electrode is connected to the third node, and the drain electrode is connected to the organic light emitting diode;
A driving thin film transistor having a gate electrode connected to the second node, a source electrode connected to a power supply voltage, and a drain electrode connected to the third node;
A first capacitor having both electrodes connected to the first node and the second node, respectively; And
One electrode of which is connected to the first node, and a second capacitor
And an organic light emitting diode (OLED).
상기 유기전계 발광다이오드에 흐르는 전류 IOLED는,
상기 구동 박막트랜지스터의 게이트-소스간 전압을 Vgs, 문턱전압을 Vth, 특성값을 K = u × Cox × W/L 이라 하고, 전원전압을 ELVDD, 데이터신호를 VDATA, 제1 기준전압을 Vref1 이라 할 때,
이하의 수학식,
을 만족하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.The method according to claim 6,
The current IOLED flowing in the organic light emitting diode is a current IOLED,
The gate-to-source voltage of the driving thin film transistor is set to Vgs, the threshold voltage is set to Vth, and the characteristic value is set to K = u x Cox x W / L. The power source voltage is set to ELVDD, the data signal to VDATA, when doing,
The following equation,
Lt; RTI ID = 0.0 > 1, < / RTI >
상기 보상회로부는,
상기 기준전압 공급부 또는 상기 데이터 구동부 중, 어느 하나에 실장되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the compensation circuit section comprises:
Wherein the organic light emitting diode is mounted on one of the reference voltage supply unit and the data driver.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120141449A KR101978798B1 (en) | 2012-12-06 | 2012-12-06 | Organic light-emitting diode display device including temperature conpensation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120141449A KR101978798B1 (en) | 2012-12-06 | 2012-12-06 | Organic light-emitting diode display device including temperature conpensation circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140073322A KR20140073322A (en) | 2014-06-16 |
| KR101978798B1 true KR101978798B1 (en) | 2019-05-15 |
Family
ID=51126901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120141449A KR101978798B1 (en) | 2012-12-06 | 2012-12-06 | Organic light-emitting diode display device including temperature conpensation circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101978798B1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11263976B2 (en) | 2020-02-06 | 2022-03-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of driving the same |
| US11721293B2 (en) | 2020-12-16 | 2023-08-08 | Lx Semicon Co., Ltd. | Source driver integrated circuit and display driving device |
| US11961474B2 (en) | 2022-03-25 | 2024-04-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102195863B1 (en) * | 2014-09-15 | 2020-12-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | Pixel circuit and display apparatus comprising the same |
| KR102389581B1 (en) | 2016-01-18 | 2022-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | Pixel of an organic light emitting display device and organic light emitting display device |
| US10453432B2 (en) * | 2016-09-24 | 2019-10-22 | Apple Inc. | Display adjustment |
| KR102424857B1 (en) | 2018-02-28 | 2022-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and driving method of the same |
| CN109036290B (en) * | 2018-09-04 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel driving circuit, driving method and display device |
| KR102627269B1 (en) * | 2018-09-28 | 2024-01-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Display having a Compensation Circuit for Driving Characteristic |
| CN112951156B (en) * | 2021-01-28 | 2023-02-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | Display compensation method, display compensation device and display device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009080252A (en) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Sony Corp | Display device and display driving method |
| KR100902245B1 (en) * | 2008-01-18 | 2009-06-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Organic light emitting display and driving method thereof |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110078387A (en) * | 2009-12-31 | 2011-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device and method of driving the same |
-
2012
- 2012-12-06 KR KR1020120141449A patent/KR101978798B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009080252A (en) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Sony Corp | Display device and display driving method |
| KR100902245B1 (en) * | 2008-01-18 | 2009-06-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Organic light emitting display and driving method thereof |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11263976B2 (en) | 2020-02-06 | 2022-03-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of driving the same |
| US11640794B2 (en) | 2020-02-06 | 2023-05-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of driving the same |
| US11721293B2 (en) | 2020-12-16 | 2023-08-08 | Lx Semicon Co., Ltd. | Source driver integrated circuit and display driving device |
| US11990099B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-05-21 | Lx Semicon Co., Ltd. | Source driver integrated circuit and display driving device |
| US11961474B2 (en) | 2022-03-25 | 2024-04-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140073322A (en) | 2014-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101978798B1 (en) | Organic light-emitting diode display device including temperature conpensation circuit | |
| US10217412B2 (en) | OLED display device drive system and OLED display drive method | |
| KR102234021B1 (en) | Organic light emitting display | |
| TWI424412B (en) | Pixel driving circuit of an organic light emitting diode | |
| KR102056784B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| US20170263187A1 (en) | Organic light-emitting pixel driving circuit, driving method thereof, and organic light-emitting display panel | |
| KR101859474B1 (en) | Pixel circuit of organic light emitting diode display device | |
| WO2016119304A1 (en) | Amoled pixel drive circuit and pixel drive method | |
| KR101794648B1 (en) | Organic light emitting diode display device | |
| US11410605B2 (en) | Organic light emitting display device having improved pixel structure configuration | |
| US20190221162A1 (en) | Pixel driver circuit and driving method thereof | |
| TW201503084A (en) | Pixel of organic light emitting display device | |
| KR101920492B1 (en) | Organic light emitting diode display device | |
| KR20120009887A (en) | Organic Light Emitting Diode Display And Driving Method Thereof | |
| US8723843B2 (en) | Pixel driving circuit with capacitor having threshold voltages information storing function, pixel driving method and light emitting display device | |
| US10475385B2 (en) | AMOLED pixel driving circuit and driving method capable of ensuring uniform brightness of the organic light emitting diode and improving the display effect of the pictures | |
| US10891898B2 (en) | Pixel circuit for top-emitting AMOLED panel and driving method thereof | |
| KR101153349B1 (en) | Organic Elecroluminescence Device and driving method of the same | |
| KR101968116B1 (en) | Organic electroluminescent display device and method of driving the same | |
| KR20150141368A (en) | Apparatuse and method for compensation luminance difference of organic light-emitting display device | |
| KR101689323B1 (en) | Organic Light Emitting Display and Driving Method Thereof | |
| KR20140030455A (en) | Organic light emitting diode display and driving method thereof | |
| KR20210085628A (en) | Organic Light Emitting Diode Display Device And Method Of Driving Thereof | |
| KR20140114930A (en) | Organic Light Emitting Display Device and Driving Method thereof | |
| KR102033756B1 (en) | Organic Light Emitting Display Device and Driving Method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |