KR101977473B1 - Flux diffusion is improved probe pin and method of manufacturing the same - Google Patents

Flux diffusion is improved probe pin and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR101977473B1
KR101977473B1 KR1020170095081A KR20170095081A KR101977473B1 KR 101977473 B1 KR101977473 B1 KR 101977473B1 KR 1020170095081 A KR1020170095081 A KR 1020170095081A KR 20170095081 A KR20170095081 A KR 20170095081A KR 101977473 B1 KR101977473 B1 KR 101977473B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flux
pin
probe
mask
layer
Prior art date
Application number
KR1020170095081A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190012338A (en
Inventor
이재환
윤민환
Original Assignee
주식회사 기가레인
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 기가레인 filed Critical 주식회사 기가레인
Priority to KR1020170095081A priority Critical patent/KR101977473B1/en
Priority to CN201780091039.0A priority patent/CN110662970B/en
Priority to PCT/KR2017/008075 priority patent/WO2019022272A1/en
Publication of KR20190012338A publication Critical patent/KR20190012338A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101977473B1 publication Critical patent/KR101977473B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06733—Geometry aspects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
    • G01R1/07378—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate adapter, e.g. space transformers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

본 발명은 프로브 카드용 프로브핀에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 프로브핀을 공간 변환기의 전극에 부착 시 플럭스가 프로브핀을 타고 확산되는 것을 방지하는 플럭스 확산이 개선된 프로브핀 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
이를 위하여, 본 발명은 핀 몸체부; 상기 핀 몸체부로부터 탄성을 갖도록 연장 형성되는 핀 탄성부; 및 상기 핀 탄성부의 타측에 형성되는 핀 접촉부; 를 포함하되, 상기 핀 몸체부에는 플럭스를 가두어 플럭스가 상기 핀 몸체부를 타고 확산되는 것을 방지하기 위한 홈 형상으로 형성되는 플럭스 방지부; 를 더 포함한다.The present invention relates to a probe pin for a probe card, and more particularly, to a probe pin having improved flux diffusion preventing a flux from diffusing on a probe pin when the probe pin is attached to an electrode of a space converter, and a method of manufacturing the probe pin. will be.
To this end, the present invention provides a semiconductor device comprising: a pin body portion; A pin elastic portion extending from the pin body portion to have elasticity; And a pin contact portion formed on the other side of the pin elastic portion; Wherein the pin body portion is formed in a groove shape to prevent diffusion of the flux through the pin body portion by clogging the flux, .

Description

플럭스 확산이 개선된 프로브핀 및 이의 제조 방법 {FLUX DIFFUSION IS IMPROVED PROBE PIN AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a probe pin having improved flux diffusion and a method of manufacturing the probe pin.

본 발명은 프로브 카드용 프로브핀에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 프로브핀을 공간 변환기의 전극에 부착 시 플럭스가 프로브핀을 타고 확산되는 것을 방지하는 플럭스 확산이 개선된 프로브핀 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a probe pin for a probe card, and more particularly, to a probe pin having improved flux diffusion preventing a flux from diffusing on a probe pin when the probe pin is attached to an electrode of a space converter, and a method of manufacturing the probe pin. will be.

일반적으로, 반도체를 제작하기 위한 패키지(package) 이전 단계인 웨이퍼 단계에서 웨이퍼의 이상유무를 검사하기위해 프로브 카드가 사용된다.Generally, a probe card is used to check whether or not a wafer is abnormal in a wafer stage, which is a stage before a package for manufacturing a semiconductor.

이러한 프로브 카드는 웨이퍼에 접촉하여 신호를 전달받는 프로브핀과 프로브핀으로 부터 신호를 전달받아 테스터(tester)에 신호를 전달하는 PCB 및 프로브핀과 PCB 사이에서 신호를 전달하는 공간 변환기(space transformer)를 포함한다.The probe card includes a probe pin that receives signals from the wafer, a PCB that receives signals from the probe pins and transmits signals to the tester, and a space transformer that transfers signals between the probe pins and the PCB. .

이러한 프로브핀은 공간 변환기에 부착되며, 도 1과 같이, 일반적으로 솔더(solder)(5)가 발라진 프로브핀(10)을 위치 고정 암(20)이 공간 변환기의 전극(30)에 안착하고 레이져(L)로 솔더(5)를 녹여 공간 변환기의 전극(30)에 부착한다.Such a probe pin is attached to a space converter and a probe pin 10 in which a solder 5 is generally applied is placed on the electrode 30 of the space changer 20 as shown in FIG. The solder 5 is melted with the solder paste L and attached to the electrode 30 of the space converter.

이때, 공간 변환기의 전극(30)에 부착하기 위한 프로브핀(10)에 발라진 솔더(5)는 플럭스(flux)를 포함하고 있어, 레이져(L)로 열을 받으면, 프로브핀(10)을 타고 프로브핀(10)을 공간 변환기의 전극(30)에 안착하는 위치 고정 암(20)까지 확산되는 문제점이 있다.At this time, the solder 5 applied to the probe pin 10 for attaching to the electrode 30 of the space converter includes a flux. When the probe receives the heat by the laser L, There is a problem that the probe pin 10 is diffused to the position fixing arm 20 which seats the probe pin 10 on the electrode 30 of the space converter.

이때, 플럭스의 끈적한 성질이 프로브핀과 위치 고정 암의 분리에 영향을 주므로 분리를 위해 필요 이상의 힘을 가하는 경우 프로브핀이 파손되는 문제점이 있다.At this time, since the stickiness of the flux affects the separation of the probe pin and the position fixing arm, there is a problem that the probe pin is broken when a force is applied more than necessary for separation.

또한, 플럭스가 프로브핀의 탄성부에 잔류하여 경화되면, 프로브핀의 탄성이 제대로 이루어 지지 않아 웨이퍼에 프로브핀의 접촉이 정상적으로 이루어 지지 않는 문제점이 있다.Further, if the flux remains in the elastic part of the probe pin and hardens, the probe pin may not be properly resilient and contact of the probe pin with the wafer may not be normally performed.

특허문헌 0001_한국등록특허 제10-1399537호Patent Document 0001_ Korean Patent No. 10-1399537 특허문헌 0002_한국등록특허 제10-1748583호Patent Document 0002_ Korean Patent No. 10-1748583 특허문헌 0003_한국등록특허 제10-0974563호[Patent Document] 0003_ Korean Patent No. 10-0974563

상기와 같은 종래 기술들은 전술한 바와 같은 문제점이 있으며, 이러한 문제점을 해결하고자 하는 것이 본 발명의 과제이다.The above-described prior arts have a problem as described above, and it is an object of the present invention to solve such a problem.

따라서 본 발명은 프로브핀을 공간 변환기의 전극에 부착 시 플럭스가 프로브핀을 타고 확산되는 것을 방지하는 플럭스 확산이 개선된 프로브핀 및 이의 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a probe pin with improved flux diffusion that prevents flux from spreading on a probe pin when the probe pin is attached to an electrode of a space converter, and a method of manufacturing the probe pin.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있으며, 본 발명의 실시 예에 의해 보다 분명하게 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects and advantages of the present invention which are not mentioned can be understood by the following description, and will be more clearly understood by the embodiments of the present invention. It will also be readily apparent that the objects and advantages of the invention may be realized and attained by means of the instrumentalities and combinations particularly pointed out in the appended claims.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀은, 핀 몸체부; 상기 핀 몸체부로부터 탄성을 갖도록 연장 형성되는 핀 탄성부; 및 상기 핀 탄성부의 타측에 형성되는 핀 접촉부; 를 포함하되, 상기 핀 몸체부에는 플럭스를 가두어 플럭스가 상기 핀 몸체부를 타고 확산되는 것을 방지하기 위한 홈 형상으로 형성되는 플럭스 방지부; 를 더 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a probe pin having improved flux diffusion, comprising: a fin body; A pin elastic portion extending from the pin body portion to have elasticity; And a pin contact portion formed on the other side of the pin elastic portion; Wherein the pin body portion is formed in a groove shape to prevent diffusion of the flux through the pin body portion by clogging the flux, .

상기 플럭스 방지부가 형성된 영역에는 상기 핀 몸체부를 관통하는 홀 형상으로 형성되는 플럭스 관통부; 를 더 포함한다.A flux penetrating portion formed in a hole shape passing through the pin body portion in an area where the flux preventing portion is formed; .

상기 플럭스 방지부의 크기는 상기 플럭스 관통부의 크기보다 큰 것을 특징으로 한다.The size of the flux blocking portion is larger than that of the flux penetrating portion.

상기 플럭스 방지부는 상기 플럭스 관통부를 중심으로 상기 핀 몸체부의 양면에 형성되는 것을 특징으로 한다.And the flux preventing portion is formed on both surfaces of the pin body portion with the flux penetrating portion as a center.

상기 플럭스 관통부는 둘 이상의 홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.And the flux penetrating portion includes at least two holes.

상기 핀 몸체부는 공간 변환기의 전극에 부착되는 핀 부착부; 및 상기 핀 부착부에서 수직방향으로 연장되고, 연장된 일측면에서 상기 핀 탄성부가 상기 핀 부착부와 이격되도록 수평방향으로 연장되는 핀 지지부; 를 더 포함하되, 상기 플럭스 방지부는 핀 부착부 및 핀 지지부의 경계면에 걸쳐져 형성되는 것을 특징으로 한다.The pin body portion includes a pin attaching portion attached to an electrode of the space converter; And a pin supporting portion extending in the vertical direction in the pin attaching portion and extending in a horizontal direction so that the pin elastic portion is spaced apart from the pin attaching portion on an extended side; Wherein the flux preventing portion is formed across the interface between the fin attachment portion and the pin support portion.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀은, 핀 몸체부; 상기 핀 몸체부로부터 탄성을 갖도록 연장 형성되는 핀 탄성부; 및 상기 핀 탄성부의 타단에 형성되는 핀 접촉부; 를 포함하되, 상기 핀 몸체부에는 플럭스를 가두어 플럭스가 몸체부를 타고 확산되는 것을 방지하기 위한 관통하는 홀 형상으로 형성되는 플럭스 관통부; 및 상기 플럭스 관통부가 관통하는 상기 핀 몸체부의 양면 사이에는 상기 플럭스 관통부의 크기보다 크게 형성된 플럭스 방지부; 를 더 포함한다.
상기 플럭스 방지부의 크기는 상기 플럭스 관통부의 크기보다 큰 것을 특징으로 한다.
상기 플럭스 관통부는 둘 이상의 홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 핀 몸체부는 공간 변환기의 전극에 부착되는 핀 부착부; 및 상기 핀 부착부에서 수직방향으로 연장되고, 연장된 일측면에서 상기 핀 탄성부가 상기 핀 부착부와 이격되도록 수평방향으로 연장되는 핀 지지부; 를 더 포함하되, 상기 플럭스 방지부는 핀 부착부 및 핀 지지부의 경계면에 걸쳐져 형성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a probe pin having improved flux diffusion, comprising: a fin body; A pin elastic portion extending from the pin body portion to have elasticity; And a pin contact portion formed at the other end of the pin elastic portion; Wherein the pin body portion includes a flux penetrating portion formed in a hole shape for penetrating the flux to prevent the flux from diffusing on the body portion; And a flux preventing portion formed between both surfaces of the pin body portion passing through the flux penetrating portion, the flux preventing portion being formed larger than the size of the flux penetrating portion; .
The size of the flux blocking portion is larger than that of the flux penetrating portion.
And the flux penetrating portion includes at least two holes.
The pin body portion includes a pin attaching portion attached to an electrode of the space converter; And a pin supporting portion extending in the vertical direction in the pin attaching portion and extending in a horizontal direction so that the pin elastic portion is spaced apart from the pin attaching portion on an extended side; Wherein the flux preventing portion is formed across the interface between the fin attachment portion and the pin support portion.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 제조 방법은, 반도체 공정으로 웨이퍼 상에 제1 프로브핀 층 및 제2 프로브핀 층이 적층되어 형성된 프로브핀을 제조하는 방법에 있어서, (1) 제1 프로브핀 층 및 플럭스 방지부를 형성하기 위한 제1 마스크를 웨이퍼 상에 형성하는 단계; (2) 상기 제1 마스크의 상기 제1 프로브핀 층을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 상기 제1 프로브핀 층을 형성하는 단계; (3) 상기 제1 마스크를 제거하여 상기 플럭스 방지부를 형성하는 단계; (4) 제2 프로브핀 층 및 플럭스 관통부를 형성하기 위한 제2 마스크를 제1 프로브핀 층의 높이보다 높게 형성하는 단계; (5) 상기 제2 마스크의 상기 제2 프로브핀 층을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 상기 제2 프로브핀 층을 형성하는 단계; (6) 상기 제2 마스크를 제거하여 상기 플럭스 관통부를 형성하는 단계; 를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a probe pin having improved flux diffusion, the method including: fabricating a probe pin having a first probe pin layer and a second probe pin layer stacked on a wafer, (1) forming on a wafer a first mask for forming a first probe pinned layer and an anti-flux portion; (2) forming the first probe pinned layer by plating an open region of the first mask to form the first probe pinned layer; (3) removing the first mask to form the flux preventing portion; (4) forming a second mask for forming the second probe pin layer and the flux penetrating portion higher than the height of the first probe pin layer; (5) plating the open region of the second mask to form the second probe pin layer to form the second probe pin layer; (6) removing the second mask to form the flux penetration portion; .

상기 제6 단계 이후 단계에 있어서, (7) 제3 프로브핀 층 및 플럭스 방지부를 형성하기 위한 제3 마스크를 제2 프로브핀 층의 높이보다 높게 형성하는 단계; (8) 상기 제3 마스크의 상기 제3 프로브핀 층을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 상기 제3 프로브핀 층을 형성하는 단계; (9) 상기 제3 마스크를 제거하여 상기 플럭스 방지부를 형성하는 단계; 를 더 포함한다.(7) forming a third probe pin layer and a third mask for forming a flux preventive part higher than a height of the second probe pin layer; (8) forming the third probe pinned layer by plating an open region to form the third probe pinned layer of the third mask; (9) removing the third mask to form the anti-flux portion; .

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 제조 방법은, 반도체 공정으로 웨이퍼 상에 제1 프로브핀 층 및 제2 프로브핀 층이 적층되어 형성된 프로브핀을 제조하는 방법에 있어서, (1) 제1 프로브핀 층 및 플럭스 관통부를 형성하기 위한 제1 마스크를 웨이퍼 상에 형성하는 단계; (2) 상기 제1 마스크의 상기 제1 프로브핀 층을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 상기 제1 프로브핀 층을 형성하는 단계; (3) 상기 제1 마스크를 제거하여 상기 플럭스 관통부를 형성하는 단계; (4) 제2 프로브핀 층 및 플럭스 방지부를 형성하기 위한 제2 마스크를 제1 프로브핀 층의 높이보다 높게 형성하는 단계; (5) 상기 제2 마스크의 상기 제2 프로브핀 층을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 상기 제2 프로브핀 층을 형성하는 단계; (6) 상기 제2 마스크를 제거하여 상기 플럭스 방지부를 형성하는 단계; 를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a probe pin having improved flux diffusion, the method including: fabricating a probe pin having a first probe pin layer and a second probe pin layer stacked on a wafer, (1) forming a first mask on a wafer to form a first probe pinned layer and a flux penetrating portion; (2) forming the first probe pinned layer by plating an open region of the first mask to form the first probe pinned layer; (3) removing the first mask to form the flux penetrating portion; (4) forming a second probe pin layer and a second mask for forming the flux preventive portion higher than the height of the first probe pin layer; (5) plating the open region of the second mask to form the second probe pin layer to form the second probe pin layer; (6) removing the second mask to form the flux preventing portion; .

상기 제6 단계 이후 단계에 있어서, (7) 제3 프로브핀 층 및 플럭스 관통부를 형성하기 위한 제3 마스크를 제2 프로브핀 층의 높이보다 높게 형성하는 단계; (8) 상기 제3 마스크의 상기 제3 프로브핀 층을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 상기 제3 프로브핀 층을 형성하는 단계; (9) 상기 제3 마스크를 제거하여 상기 플럭스 관통부를 형성하는 단계; 를 더 포함한다.(7) forming a third probe pin layer and a third mask for forming a flux penetration portion higher than a height of the second probe pin layer; (8) forming the third probe pinned layer by plating an open region to form the third probe pinned layer of the third mask; (9) removing the third mask to form the flux penetration portion; .

상기와 같은 본 발명은, 플럭스 확산이 개선된 프로브핀이 공간 변환기의 전극에 부착 시 플럭스가 확산되는 것을 방지하는 효과가 있다.The present invention has the effect of preventing the diffusion of flux when the probe pin having improved flux diffusion is attached to the electrode of the space converter.

이러한 효과는 나아가 위치 고정 암까지 플럭스가 유입되는 것을 방지하여 프로브 핀과 위치 고정 암의 분리를 원할하게 하며, 프로브핀의 탄성부에 플럭스가 잔류하지 않아 프로브핀의 웨이퍼 접촉을 방해하지 않는 추가적인 효과가 있다.This effect further prevents separation of the probe pin and the position fixing arm by preventing the flux from flowing into the position fixing arm. Further, since the flux does not remain in the elastic part of the probe pin, .

도 1은 종래의 프로브핀을 설명하기 위한 도면,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀를 설명하기 위한 도면,
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 일면을 설명하기 위한 도면,
도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 타면을 설명하기 위한 도면,
도 3c는 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 단면을 설명하기 위한 도면,
도 4a는 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 일면을 설명하기 위한 도면,
도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 타면을 설명하기 위한 도면,
도 4c는 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 단면을 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 플럭스 관통부를 설명하기 위한 도면,
도 6 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 제조 방법을 설명하기 위한 도면,
도 9a는 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 일면을 설명하기 위한 도면,
도 9b는 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 타면을 설명하기 위한 도면,
도 9c는 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 단면을 설명하기 위한 도면,
도 10 내지 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a conventional probe pin,
FIG. 2 is a view for explaining a probe pin with improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention; FIG.
3A is a view for explaining one surface of a probe pin with improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention,
FIG. 3B is a view for explaining another surface of a probe pin with improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 3C is a view for explaining a cross-section of a probe pin having improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 4A is a view for explaining one surface of a probe pin with improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention, FIG.
FIG. 4B is a view for explaining another surface of a probe pin with improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention;
4C is a cross-sectional view of a probe pin having improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention.
5 is a view for explaining a flux penetration portion of a probe pin with improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention;
FIGS. 6 to 8 are views for explaining a method of manufacturing a probe pin with improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention; FIGS.
9A is a view for explaining one surface of a probe pin with improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention,
9B is a view for explaining another surface of a probe pin with improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention,
FIG. 9C is a view for explaining a cross section of a probe pin with improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention, FIG.
10 to 12 are views for explaining a method of manufacturing a probe pin with improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention.

상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되어 있는 상세한 설명을 통하여 보다 명확해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the present invention when taken in conjunction with the accompanying drawings, It can be easily carried out. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.

그리고 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 또는 "구비"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함하거나 구비할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체의 기재에 있어서 일부 구성요소들을 단수형으로 기재하였다고 해서, 본 발명이 그에 국한되는 것은 아니며, 해당 구성요소가 복수 개로 이루어질 수 있음을 알 것이다.And throughout the specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another part in between. Also, when a component is referred to as " comprising " or " comprising ", it does not exclude other components unless specifically stated to the contrary . In addition, in the description of the entire specification, it should be understood that the description of some elements in a singular form does not limit the present invention, and that a plurality of the constituent elements may be formed.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀은, 핀 몸체부(100), 핀 몸체부(100)로부터 탄성을 갖도록 연장 형성되는 핀 탄성부(200) 및 핀 탄성부(200)의 타측에 형성되는 핀 접촉부(300)를 포함하되, 핀 몸체부(100)에는 플럭스를 가두어 플럭스가 핀 몸체부(100)를 타고 확산되는 것을 방지하기 위한 홈 형상으로 형성되는 플럭스 방지부(400)를 더 포함한다.2, the probe pin having improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention includes a pin body 100, a pin elastic part 200 extended from the pin body 100 to have elasticity, And a pin contact portion 300 formed on the other side of the pin resilient portion 200. The pin body portion 100 has a groove shape for preventing the flux from spreading on the pin body portion 100, And a flux preventing portion 400 formed on the surface of the substrate.

플럭스 방지부(400)가 형성된 핀 몸체부(400)의 영역과 플럭 방지부(400)가 형성되지 않은 핀 몸체부(100)의 영역은 단차지게 형성되며, 이러한 단차를 이용하여 플럭스가 확산되는 것을 방지하는 역할을 한다.The area of the pin body 400 where the flux preventer 400 is formed and the area of the pin body 100 where the flux preventer 400 is not formed are formed stepwise and the flux is diffused .

또한, 플럭스 방지부(400)가 형성된 영역에는 상기 핀 몸체부를 관통하는 홀 형상으로 형성되는 플럭스 관통부(500)를 더 포함할 수 있다.In addition, the region where the flux preventer 400 is formed may further include a flux penetrating portion 500 formed in a hole shape passing through the pin body portion.

이때, 플럭스 방지부(400)의 크기는 플럭스 관통부(500)의 크기보다 큰 것이 바람직하며, 플럭스 방지부(400)가 형성된 영역과 플럭스 관통부(500)가 형성된 영역이 단차지게 형성되어 플럭스가 확산되는 것을 방지하는 효과를 더욱 향상시킬 수 있다.At this time, it is preferable that the size of the flux preventing part 400 is larger than the size of the flux penetrating part 500. The area where the flux preventing part 400 is formed and the area where the flux penetrating part 500 is formed are stepped, It is possible to further improve the effect of preventing diffusion.

도 3에 도시된 바와 같이, 핀 몸체부(100)의 일면에는 플럭스 방지부(400)가 형성되고, 타면에는 플럭스 관통부(500)가 형성되도록 플럭스 방지부(400)가 핀 몸체부(100)의 단면에 형성될 수 있다.3, the flux preventing portion 400 is formed on one surface of the pin body 100 and the flux blocking portion 500 is formed on the other surface of the pin body 100 As shown in Fig.

또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 플럭스 방지부(400)가 플럭스 관통부(500)를 중심으로 핀 몸체부(100)의 양면에 형성될 수 있다.4, the flux preventing portion 400 may be formed on both sides of the pin body 100 with the flux penetrating portion 500 as a center.

도 5a에 도시된 바와 같이, 플럭스 관통부(500)는 하나의 홀을 포함할 수 있고, 도 5b에 도시된 바와 같이, 플럭스 관통부(500)는 둘 이상의 홀을 포함할 수 있으며, 도 5c에 도시된 바와 같이, 도 5a와 도 5b의 플럭스 관통부(500)의 형상이 복합적으로 형성될 수 있다.5A, the flux penetration portion 500 may include one hole, and as shown in FIG. 5B, the flux penetration portion 500 may include two or more holes, and FIG. 5C The shape of the flux penetrating portion 500 of FIGS. 5A and 5B can be formed in a complex manner, as shown in FIG.

플럭스 방지부(400)가 형성된 위치와 관련하여, 핀 몸체부(100)는 공간 변환기의 전극에 부착되는 핀 부착부(110) 및 핀 부착부(110)에서 수직방향으로 연장되고, 연장된 일측면에서 핀 탄성부(200)가 핀 부착부(110)와 이격되도록 수평방향으로 연장되는 핀 지지부(120)를 더 포함하되, 플럭스 방지부(400)는 핀 부착부(110) 및 핀 지지부(120)의 경계면에 걸쳐져 형성되는 것을 특징으로 한다.With respect to the position where the flux preventer 400 is formed, the pin body 100 includes a pin attaching portion 110 attached to the electrode of the space changer and a pin attaching portion 110 extending vertically in the pin attaching portion 110, And a pin support portion 120 extending in the horizontal direction so that the pin elastic portion 200 is spaced apart from the pin attachment portion 110. The flux prevention portion 400 includes a pin attachment portion 110 and a pin support portion 120).

도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 제조 방법은, 반도체 공정으로 웨이퍼(W) 상에 제1 프로브핀 층(600), 제2 프로브핀 층(700) 및 제3 프로브핀 층(700)이 적층되어 형성된다.6 to 8, a method of fabricating a probe pin with improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention includes: forming a first probe pin layer 600 on a wafer W by a semiconductor process, A probe pin layer 700 and a third probe pin layer 700 are laminated.

먼저, 제1 프로브핀 층(600)의 적층 방법은, 도 6a에 도시된 바와 같이, 제1 프로브핀 층(600) 및 플럭스 방지부(400)를 형성하기 위한 제1 마스크(610)를 웨이퍼(W) 상에 형성한다.6A, a first mask fin 610 for forming the first probe pin layer 600 and the flux preventer 400 is formed on the wafer 300, (W).

도 6b에 도시된 바와 같이, 제1 마스크(610)의 제1 프로브핀 층을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 제1 프로브핀 층(600)을 형성한다.As shown in FIG. 6B, the first probe pin layer 600 is formed by plating an open region to form a first probe pin layer of the first mask 610.

도 6c에 도시된 바와 같이, 제1 마스크(610)를 제거하여 플럭스 방지부(400)를 형성한다.As shown in FIG. 6C, the first mask 610 is removed to form the flux preventing portion 400.

제2 프로브핀 층(700)의 적층 방법은, 도 7a에 도시된 바와 같이, 제2 프로브핀 층(700) 및 플럭스 관통부(500)를 형성하기 위한 제2 마스크(710)를 제1 프로브핀 층(600)의 높이보다 높게 형성한다.7A, a second probe pin layer 700 and a second mask 710 for forming the flux penetration portion 500 are formed on the first probe pin layer 700. [ Is formed higher than the height of the pin layer (600).

도 7b에 도시된 바와 같이, 제2 마스크(710)의 제2 프로브핀 층(700)을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 제2 프로브핀 층(700)을 형성한다.As shown in FIG. 7B, the second probe pin layer 700 is formed by plating the open region to form the second probe pin layer 700 of the second mask 710.

도 7c에 도시된 바와 같이, 제2 마스크(710)를 제거하여 플럭스 관통부(500)를 형성한다.7C, the second mask 710 is removed to form the flux penetration portion 500. [

이와 같이, 앞서 언급한 제조 공정을 통해 핀 몸체부(100) 단면에 플럭스 방지부(400)가 형성된 플럭스 확산이 개선된 프로브핀이 제조가 되며, 나아가 핀 몸체부(100) 양면에 플럭스 방지부(400)가 형성된 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 제조 방법은, 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 프로브핀 층(700) 상부에 제3 프로브핀 층(800)이 더 적층된다.As described above, the probe pin having an improved flux diffusion in which the flux preventing portion 400 is formed on the end face of the fin body 100 is manufactured through the above-described manufacturing process. Further, on both sides of the fin body 100, The third probe pin layer 800 is further stacked on the second probe pin layer 700, as shown in FIG. 8, in the method of manufacturing a probe pin having improved flux diffusion.

도 8a에 도시된 바와 같이, 제3 프로브핀 층(800) 및 플럭스 방지부(400)를 형성하기 위한 제3 마스크(810)를 제2 프로브핀 층(700)의 높이보다 높게 형성한다.8A, a third mask 810 for forming the third probe pin layer 800 and the flux preventer 400 is formed higher than the height of the second probe pin layer 700.

도 8b에 도시된 바와 같이, 제3 마스크(810)의 제3 프로브핀 층(800)을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 제3 프로브핀 층(800)을 형성한다.As shown in FIG. 8B, the third probe pin layer 800 is formed by plating the open region to form the third probe pin layer 800 of the third mask 810.

도 8c에 도시된 바와 같이, 제3 마스크(810)를 제거하여 플럭스 방지부(400)를 형성한다.As shown in FIG. 8C, the third mask 810 is removed to form the flux preventing portion 400.

이와 같이, 앞서 언급한 제조 공정을 통해 핀 몸체부(100) 양면에 플럭스 방지부(400)가 형성된 플럭스 확산이 개선된 프로브핀이 제조가 된다.As described above, the probe pin having improved flux diffusion with the flux preventing portion 400 formed on both surfaces of the pin body 100 is manufactured through the above-described manufacturing process.

도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀은, 핀 몸체부(100), 핀 몸체부(100)로부터 탄성을 갖도록 연장 형성되는 핀 탄성부(200) 및 핀 탄성부(200)의 타단에 형성되는 핀 접촉부(300)를 포함하되, 핀 몸체부(100)에는 플럭스를 가두어 플럭스가 몸체부를 타고 확산되는 것을 방지하기 위한 관통하는 홀 형상으로 형성되는 플럭스 관통부(500) 및 플럭스 관통부(500)가 관통하는 핀 몸체부(100)의 양면 사이에는 플럭스 관통부(500)의 크기보다 크게 형성된 플럭스 방지부(400)를 더 포함한다.9, the probe pin having improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention includes a pin body 100, a pin elastic portion 200 extended from the pin body 100 to have elasticity, And a pin contact portion 300 formed at the other end of the pin resilient portion 200. The pin body portion 100 is formed with a through hole for blocking the flux and preventing the flux from diffusing through the body portion, The flux preventing part 400 further includes a flux preventing part 400 formed between both surfaces of the penetrating part 500 and the pin body 100 through which the flux penetrating part 500 penetrates, the flux preventing part 400 being larger than the flux penetrating part 500.

도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 제조 방법은, 반도체 공정으로 웨이퍼(W) 상에 제1 프로브핀 층(600), 제2 프로브핀 층(700) 및 제3 프로브핀 층(700)이 적층되어 형성된다.10 to 12, a method of fabricating a probe fin with improved flux diffusion according to an embodiment of the present invention includes a first probe pin layer 600 on a wafer W by a semiconductor process, A probe pin layer 700 and a third probe pin layer 700 are laminated.

먼저, 제1 프로브핀 층(600)의 적층 방법은, 도 10a에 도시된 바와 같이, 제1 프로브핀 층(600) 및 플럭스 관통부(500)를 형성하기 위한 제1 마스크(610)를 웨이퍼(W) 상에 형성한다.10A, a first mask 610 for forming the first probe pin layer 600 and the flux penetration part 500 is formed on the wafer 100. [ (W).

도 10b에 도시된 바와 같이, 제1 마스크(610)의 제1 프로브핀 층을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 제1 프로브핀 층(600)을 형성한다.As shown in FIG. 10B, the first probe pin layer 600 is formed by plating the open region to form the first probe pin layer of the first mask 610.

도 10c에 도시된 바와 같이, 제1 마스크(610)를 제거하여 플럭스 관통부(500)를 형성한다.As shown in FIG. 10C, the first mask 610 is removed to form the flux penetration part 500. [

제2 프로브핀 층(700)의 적층 방법은, 도 11a에 도시된 바와 같이, 제2 프로브핀 층(700) 및 플럭스 방지부(400)를 형성하기 위한 제2 마스크(710)를 제1 프로브핀 층(600)의 높이보다 높게 형성한다.11A, a second probe pin layer 700 and a second mask 710 for forming the flux preventer 400 are formed on the first probe pin layer 700, Is formed higher than the height of the pin layer (600).

도 11b에 도시된 바와 같이, 제2 마스크(710)의 제2 프로브핀 층을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 제2 프로브핀 층(700)을 형성한다.As shown in FIG. 11B, the second probe pin layer 700 is formed by plating the open region to form the second probe pin layer of the second mask 710. [

도 11c에 도시된 바와 같이, 제2 마스크(710)를 제거하여 플럭스 방지부(400)를 형성한다.As shown in FIG. 11C, the second mask 710 is removed to form the flux preventing portion 400.

이와 같이, 앞서 언급한 제조 공정을 통해 핀 몸체부(100) 단면에 플럭스 관통부(500)가 형성된 플럭스 확산이 개선된 프로브핀이 제조가 되며, 나아가 핀 몸체부(100) 양면에 플럭스 관통부(500)가 형성된 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 제조 방법은, 도 12에 도시된 바와 같이, 제2 프로브핀 층(700) 상부에 제3 프로브핀 층(800)이 더 적층된다.As described above, the probe pin having improved flux diffusion, in which the flux penetration portion 500 is formed on the end surface of the fin body 100, is manufactured through the above-described manufacturing process. Further, The third probe pin layer 800 is further stacked on the second probe pin layer 700, as shown in FIG. 12, in the method of manufacturing the probe pin with improved flux diffusion.

도 12a에 도시된 바와 같이, 제3 프로브핀 층(800) 및 플럭스 관통부(500)를 형성하기 위한 제3 마스크(810)를 제2 프로브핀 층(700)의 높이보다 높게 형성한다.12A, a third mask 810 for forming the third probe pin layer 800 and the flux penetration portion 500 is formed to have a height higher than that of the second probe pin layer 700. As shown in FIG.

도 12b에 도시된 바와 같이, 제3 마스크(810)의 제3 프로브핀 층(800)을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 제3 프로브핀 층(800)을 형성한다.As shown in FIG. 12B, the third probe pin layer 800 is formed by plating the open area to form the third probe pin layer 800 of the third mask 810.

도 12c에 도시된 바와 같이, 제3 마스크(810)를 제거하여 플럭스 관통부(500)를 형성한다.12C, the third mask 810 is removed to form the flux penetration portion 500. [

이와 같이, 앞서 언급한 제조 공정을 통해 핀 몸체부(100) 양면에 플럭스 관통부(500)가 형성된 플럭스 확산이 개선된 프로브핀이 제조가 된다.As described above, the probe pin having improved flux diffusion with the flux penetration part 500 formed on both surfaces of the pin body 100 is manufactured through the above-described manufacturing process.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 치환, 변형 및 변경이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, Various permutations, modifications and variations are possible without departing from the spirit of the invention.

그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described, but should be determined by the scope of the appended claims, as well as the appended claims.

핀 몸체부 100 핀 탄성부 200
핀 접촉부 300 플럭스 방지부 400
플럭스 관통부 500Pin body portion 100-pin elastic portion 200
Pin contact portion 300 flux preventing portion 400
The flux penetration part 500

Claims (11)

핀 몸체부;
상기 핀 몸체부로부터 탄성을 갖도록 연장 형성되는 핀 탄성부; 및
상기 핀 탄성부의 타측에 형성되는 핀 접촉부; 를 포함하되,
상기 핀 몸체부에는 플럭스를 가두어 플럭스가 상기 핀 몸체부를 타고 확산되는 것을 방지하기 위한 홈 형상으로 형성되는 플럭스 방지부; 및
상기 플럭스 방지부가 형성된 영역에는 상기 핀 몸체부를 관통하는 홀 형상으로 형성되는 플럭스 관통부; 를 더 포함하는 플럭스 확산이 개선된 프로브핀.
Pin body portion;
A pin elastic portion extending from the pin body portion to have elasticity; And
A pin contact portion formed on the other side of the pin elastic portion; , ≪ / RTI &
Wherein the pin body portion is formed in a groove shape to prevent diffusion of the flux through the pin body portion by blocking the flux; And
A flux penetrating portion formed in a hole shape passing through the pin body portion in an area where the flux preventing portion is formed; Wherein the probe tip has an improved flux diffusion.
제 1항에 있어서,
상기 플럭스 방지부는 상기 플럭스 관통부를 중심으로 상기 핀 몸체부의 양면에 형성되는 것을 특징으로 하는 플럭스 확산이 개선된 프로브핀.
The method according to claim 1,
Wherein the flux preventing portion is formed on both surfaces of the pin body portion with the flux penetrating portion as a center.
핀 몸체부;
상기 핀 몸체부로부터 탄성을 갖도록 연장 형성되는 핀 탄성부; 및
상기 핀 탄성부의 타단에 형성되는 핀 접촉부; 를 포함하되,
상기 핀 몸체부에는 플럭스를 가두어 플럭스가 몸체부를 타고 확산되는 것을 방지하기 위한 관통하는 홀 형상으로 형성되는 플럭스 관통부; 및
상기 플럭스 관통부가 관통하는 상기 핀 몸체부의 양면 사이에는 상기 플럭스 관통부의 크기보다 크게 형성된 플럭스 방지부; 를 더 포함하는 플럭스 확산이 개선된 프로브핀.
Pin body portion;
A pin elastic portion extending from the pin body portion to have elasticity; And
A pin contact portion formed at the other end of the pin elastic portion; , ≪ / RTI &
A flux penetrating portion formed in the pin body portion in a hole shape for penetrating the flux to prevent the flux from diffusing on the body portion; And
A flux preventing portion formed between both surfaces of the pin body portion penetrating through the flux penetrating portion, the flux preventing portion being larger than the flux penetrating portion; Wherein the probe tip has an improved flux diffusion.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한항에 있어서,
상기 플럭스 방지부의 크기는 상기 플럭스 관통부의 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 플럭스 확산이 개선된 프로브핀.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein a size of the flux blocking portion is larger than a size of the flux penetrating portion.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한항에 있어서,
상기 플럭스 관통부는 둘 이상의 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 플럭스 확산이 개선된 프로브핀.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the flux penetrating portion includes at least two holes.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한항에 있어서,
상기 핀 몸체부는 공간 변환기의 전극에 부착되는 핀 부착부; 및
상기 핀 부착부에서 수직방향으로 연장되고, 연장된 일측면에서 상기 핀 탄성부가 상기 핀 부착부와 이격되도록 수평방향으로 연장되는 핀 지지부; 를 더 포함하되,
상기 플럭스 방지부는 핀 부착부 및 핀 지지부의 경계면에 걸쳐져 형성되는 것을 특징으로 하는 플럭스 확산이 개선된 프로브핀.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The pin body portion includes a pin attaching portion attached to an electrode of the space converter; And
A pin supporting portion extending in the vertical direction in the pin attaching portion and extending in a horizontal direction so that the pin elastic portion is spaced apart from the pin attaching portion on an extended side; Further comprising:
Wherein the flux preventing portion is formed across the interface between the fin attachment portion and the pin support portion.
(1) 제1 프로브핀 층 및 플럭스 방지부를 형성하기 위한 제1 마스크를 웨이퍼 상에 형성하는 단계;
(2) 상기 제1 마스크의 상기 제1 프로브핀 층을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 상기 제1 프로브핀 층을 형성하는 단계;
(3) 상기 제1 마스크를 제거하여 상기 플럭스 방지부를 형성하는 단계;
(4) 제2 프로브핀 층 및 플럭스 관통부를 형성하기 위한 제2 마스크를 제1 프로브핀 층의 높이보다 높게 형성하는 단계;
(5) 상기 제2 마스크의 상기 제2 프로브핀 층을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 상기 제2 프로브핀 층을 형성하는 단계;
(6) 상기 제2 마스크를 제거하여 상기 플럭스 관통부를 형성하는 단계; 를 포함하는 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 제조 방법.
(1) forming a first mask on a wafer to form a first probe pinned layer and a flux inhibiting portion;
(2) forming the first probe pinned layer by plating an open region of the first mask to form the first probe pinned layer;
(3) removing the first mask to form the flux preventing portion;
(4) forming a second mask for forming the second probe pin layer and the flux penetrating portion higher than the height of the first probe pin layer;
(5) plating the open region of the second mask to form the second probe pin layer to form the second probe pin layer;
(6) removing the second mask to form the flux penetration portion; Wherein the flux diffusion is improved.
제 7항에 있어서,
상기 제6 단계 이후 단계에 있어서,
(7) 제3 프로브핀 층 및 플럭스 방지부를 형성하기 위한 제3 마스크를 제2 프로브핀 층의 높이보다 높게 형성하는 단계;
(8) 상기 제3 마스크의 상기 제3 프로브핀 층을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 상기 제3 프로브핀 층을 형성하는 단계;
(9) 상기 제3 마스크를 제거하여 상기 플럭스 방지부를 형성하는 단계; 를 더 포함하는 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 제조 방법.
8. The method of claim 7,
In the steps after the sixth step,
(7) forming a third probe pin layer and a third mask for forming the flux preventive portion higher than the height of the second probe pin layer;
(8) forming the third probe pinned layer by plating an open region to form the third probe pinned layer of the third mask;
(9) removing the third mask to form the anti-flux portion; Wherein the flux diffusion is improved.
(1) 제1 프로브핀 층 및 플럭스 관통부를 형성하기 위한 제1 마스크를 웨이퍼 상에 형성하는 단계;
(2) 상기 제1 마스크의 상기 제1 프로브핀 층을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 상기 제1 프로브핀 층을 형성하는 단계;
(3) 상기 제1 마스크를 제거하여 상기 플럭스 관통부를 형성하는 단계;
(4) 제2 프로브핀 층 및 플럭스 방지부를 형성하기 위한 제2 마스크를 제1 프로브핀 층의 높이보다 높게 형성하는 단계;
(5) 상기 제2 마스크의 상기 제2 프로브핀 층을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 상기 제2 프로브핀 층을 형성하는 단계;
(6) 상기 제2 마스크를 제거하여 상기 플럭스 방지부를 형성하는 단계; 를 포함하는 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 제조 방법.
(1) forming a first mask on the wafer to form a first probe pin layer and a flux penetration;
(2) forming the first probe pinned layer by plating an open region of the first mask to form the first probe pinned layer;
(3) removing the first mask to form the flux penetrating portion;
(4) forming a second probe pin layer and a second mask for forming the flux preventive portion higher than the height of the first probe pin layer;
(5) plating the open region of the second mask to form the second probe pin layer to form the second probe pin layer;
(6) removing the second mask to form the flux preventing portion; Wherein the flux diffusion is improved.
제 9항에 있어서,
상기 제6 단계 이후 단계에 있어서,
(7) 제3 프로브핀 층 및 플럭스 관통부를 형성하기 위한 제3 마스크를 제2 프로브핀 층의 높이보다 높게 형성하는 단계;
(8) 상기 제3 마스크의 상기 제3 프로브핀 층을 형성하기 위해 개구된 영역을 도금하여 상기 제3 프로브핀 층을 형성하는 단계;
(9) 상기 제3 마스크를 제거하여 상기 플럭스 관통부를 형성하는 단계; 를 더 포함하는 플럭스 확산이 개선된 프로브핀의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
In the steps after the sixth step,
(7) forming a third mask for forming the third probe pin layer and the flux penetrating portion higher than the height of the second probe pin layer;
(8) forming the third probe pinned layer by plating an open region to form the third probe pinned layer of the third mask;
(9) removing the third mask to form the flux penetration portion; Wherein the flux diffusion is improved.
삭제delete
KR1020170095081A 2017-07-27 2017-07-27 Flux diffusion is improved probe pin and method of manufacturing the same KR101977473B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170095081A KR101977473B1 (en) 2017-07-27 2017-07-27 Flux diffusion is improved probe pin and method of manufacturing the same
CN201780091039.0A CN110662970B (en) 2017-07-27 2017-08-24 Probe for improving flux diffusion and manufacturing method thereof
PCT/KR2017/008075 WO2019022272A1 (en) 2017-07-27 2017-08-24 Probe pin with reduced flux diffusion and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170095081A KR101977473B1 (en) 2017-07-27 2017-07-27 Flux diffusion is improved probe pin and method of manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190012338A KR20190012338A (en) 2019-02-11
KR101977473B1 true KR101977473B1 (en) 2019-05-10

Family

ID=65040939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170095081A KR101977473B1 (en) 2017-07-27 2017-07-27 Flux diffusion is improved probe pin and method of manufacturing the same

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101977473B1 (en)
CN (1) CN110662970B (en)
WO (1) WO2019022272A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102088205B1 (en) * 2019-08-30 2020-03-16 주식회사 프로이천 Probe pin for testing display panel

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003177144A (en) 1994-11-15 2003-06-27 Formfactor Inc Probe card assembly and kit, and method for using them
KR101059409B1 (en) 2007-08-09 2011-08-29 히로세덴끼 가부시끼가이샤 Board-Mount Connectors
KR101195355B1 (en) * 2007-12-20 2012-12-26 몰렉스 인코포레이티드 Anti-wicking terminal and connector
KR101399537B1 (en) * 2007-10-22 2014-05-28 주식회사 코리아 인스트루먼트 Method for manufacturing probe card

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3426801B2 (en) * 1995-08-15 2003-07-14 株式会社ミツバ Electronic components
CN2277585Y (en) * 1996-11-19 1998-04-01 鸿海精密工业股份有限公司 Socket connector
JP5060965B2 (en) 2006-01-25 2012-10-31 株式会社日本マイクロニクス Probe for energization test, probe assembly and manufacturing method thereof
KR100960437B1 (en) * 2008-01-30 2010-05-28 송광석 Electric Conduction pin, method of manufacturing the Electric conduction pin
CN101581757B (en) * 2008-05-12 2011-07-20 纬创资通股份有限公司 Test system and test method
JP2010169417A (en) * 2009-01-20 2010-08-05 Denso Corp Inspection probe and inspection device for printed board
US20120319268A1 (en) * 2010-01-29 2012-12-20 Tomohiro Kagimoto Conductive connection sheet, method for connecting terminals, method for forming connection terminal, semiconductor device, and electronic device
KR101748583B1 (en) 2015-08-04 2017-06-21 크루셜머신즈 주식회사 Probe pin bonding device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003177144A (en) 1994-11-15 2003-06-27 Formfactor Inc Probe card assembly and kit, and method for using them
KR101059409B1 (en) 2007-08-09 2011-08-29 히로세덴끼 가부시끼가이샤 Board-Mount Connectors
KR101399537B1 (en) * 2007-10-22 2014-05-28 주식회사 코리아 인스트루먼트 Method for manufacturing probe card
KR101195355B1 (en) * 2007-12-20 2012-12-26 몰렉스 인코포레이티드 Anti-wicking terminal and connector

Also Published As

Publication number Publication date
CN110662970B (en) 2022-05-10
CN110662970A (en) 2020-01-07
KR20190012338A (en) 2019-02-11
WO2019022272A1 (en) 2019-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI502662B (en) System and method for increased stand-off height in stud bumping process
US8252630B2 (en) Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, flip chip package having the semiconductor device and method of manufacturing the flip chip package
TWI590404B (en) Electronic device
US20150228581A1 (en) Integrated circuit package fabrication
JP2006344621A (en) Wiring board having lead pin, and lead pin
US7955973B2 (en) Method and apparatus for improvements in chip manufacture and design
JP2002359269A (en) Method for fitting spring element onto semiconductor device and for testing wafer level
US20160148876A1 (en) Flat no-leads package with improved contact pins
TWI726929B (en) Probe head receiver and probe card assembly having the same
CN104659000B (en) Substrate, semiconductor package body and manufacturing method with ball bonding pad
JP2006294976A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
KR101977473B1 (en) Flux diffusion is improved probe pin and method of manufacturing the same
KR20010078779A (en) Semiconductor device using a BGA package and method of producing the same
KR20080037681A (en) Semiconductor chip, method of manufacturing semiconductor chip, and semiconductor device
US9559076B2 (en) Package having substrate with embedded metal trace overlapped by landing pad
JP2006324635A (en) Semiconductor device and method for producing the same
TWI675443B (en) Semiconductor module
TWI666746B (en) Flip-chip package substrate, flip-chip package and manufacturing method thereof
JP4454792B2 (en) Semiconductor device
JP2007300000A (en) Bump structure, its formation method, and semiconductor device using same
CN105845656B (en) Semiconductor device with a plurality of semiconductor chips
KR102279465B1 (en) Thin film resistor for probe card
JP6920611B2 (en) Semiconductor devices and their manufacturing methods
JP2008511979A (en) Chip with at least one test contact structure
US8193530B2 (en) Semiconductor device having pairs of pads

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right