KR101976600B1 - Silicon carbide epi wafer and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 에피 웨이퍼는 서셉터 내에 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 웨이퍼 상에 에피층을 성장하는 단계를 포함하고, 상기 웨이퍼 상에 에피층을 성장하는 단계는, 상기 서셉터 내에 복수의 단계로 원료를 투입하는 단계; 및 상기 웨이퍼와 상기 원료가 반응하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 탄화규소 에피 웨이퍼는 1㎚ 미만의 표면 조도를 가진다.An epitaxial wafer according to an embodiment includes: preparing a wafer in a susceptor; Growing an epitaxial layer on the wafer, wherein growing the epitaxial layer on the wafer comprises: introducing the source material into the susceptor in a plurality of steps; And reacting the wafer with the raw material.
The silicon carbide epitaxial wafer according to the embodiment has a surface roughness of less than 1 nm.

Description

탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법{SILICON CARBIDE EPI WAFER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a silicon carbide epitaxial wafer and a method for manufacturing the silicon carbide epitaxial wafer.

실시예는 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments relate to silicon carbide epitaxial wafers and methods for their manufacture.

일반적으로 기판 또는 웨이퍼(wafer)상에 다양한 박막을 형성하는 기술 중에 화학 기상 증착 방법(Chemical Vapor Deposition; CVD)이 많이 사용되고 있다. 화학 기상 증착 방법은 화학 반응을 수반하는 증착 기술로, 소스 물질의 화학 반응을 이용하여 웨이퍼 표면상에 반도체 박막이나 절연막 등을 형성한다.In general, chemical vapor deposition (CVD) is widely used as a technique for forming various thin films on a substrate or a wafer. The chemical vapor deposition method is a deposition technique involving a chemical reaction, which uses a chemical reaction of a source material to form a semiconductor thin film, an insulating film, and the like on the wafer surface.

이러한 화학 기상 증착 방법 및 증착 장치는 최근 반도체 소자의 미세화와 고효율, 고출력 LED 개발 등으로 박막 형성 기술 중 매우 중요한 기술로 주목받고 있다. 현재 웨이퍼 상에 규소 막, 산화물 막, 질화규소 막 또는 산질화규소 막, 텅스텐 막 등과 같은 다양한 박막들을 증착하기 위해 이용되고 있다.Such a chemical vapor deposition method and a vapor deposition apparatus have recently attracted attention as a very important technology among thin film forming techniques due to miniaturization of semiconductor devices and development of high efficiency and high output LED. And is currently being used for depositing various thin films on a wafer such as a silicon film, an oxide film, a silicon nitride film or a silicon oxynitride film, a tungsten film, and the like.

일례로, 기판 또는 웨이퍼 상에 탄화규소 박막을 증착하기 위해서는, 웨이퍼와 반응할 수 있는 반응 가스가 투입되어야 한다. 종래에는 원료로서, 표준전구체인 실란(SiH4), 에틸렌(C2H4)과 같은 기상 원료 또는, 메틸트리클로로실레인(methyltrichlorosilane;MTS)과 같은 액상 원료를 투입하고, 상기 원료를 가열하여 CH3, SiClx 등의 중간 화합물을 생성한 후, 이러한 중간 화합물이 증착부에 투입되어 서셉터 내에 위치하는 웨이퍼와 반응하여 탄화규소 에피층을 증착하였다.For example, in order to deposit a silicon carbide thin film on a substrate or a wafer, a reactive gas capable of reacting with the wafer must be introduced. Conventionally, as a raw material, a vapor phase raw material such as silane (SiH 4 ) or ethylene (C 2 H 4 ) which is a standard precursor or a liquid raw material such as methyltrichlorosilane (MTS) is charged and the raw material is heated CH 3 , SiCl x, and the like. Then, the intermediate compound is injected into the deposition portion and reacted with the wafer positioned in the susceptor to deposit the silicon carbide epilayer.

그러나, 상기 탄화규소 상에 에피층을 증착시에는 에피층 표면에 발생할 수 있는 결함(defect) 또는 표면 조도 등의 문제점이 발생할 수 있다. 상기 에피 웨이퍼의 결함 또는 표면 조도는 상기 탄화규소 에피 웨이퍼의 품질을 저하시킬 수 있다.However, when depositing an epi layer on the silicon carbide, problems such as defects or surface roughness that may occur on the surface of the epi layer may occur. Defects or surface roughness of the epitaxial wafer may deteriorate the quality of the silicon carbide epitaxial wafer.

이에 따라, 상기 결함 또는 표면 조도와 같은 문제점을 해결할 수 있는 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법의 필요성이 대두된다.Accordingly, there is a need for a silicon carbide epitaxial wafer capable of solving such problems as defects or surface roughness, and a manufacturing method thereof.

실시예는 웨이퍼의 표면 결함 및/또는 표면 조도를 감소시켜 고품질의 탄화규소 에피 웨이퍼를 제조할 수 있는 에피 웨이퍼 제조 방법 및 에피 웨이퍼를 제공하고자 한다.The embodiment intends to provide an epitaxial wafer manufacturing method and an epitaxial wafer capable of producing a silicon carbide epitaxial wafer of high quality by reducing surface defects and / or surface roughness of wafers.

실시예에 따른 에피 웨이퍼는 서셉터 내에 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 웨이퍼 상에 에피층을 성장하는 단계를 포함하고, 상기 웨이퍼 상에 에피층을 성장하는 단계는, 상기 서셉터 내에 복수의 단계로 원료를 투입하는 단계; 및 상기 웨이퍼와 상기 원료가 반응하는 단계를 포함한다.An epitaxial wafer according to an embodiment includes: preparing a wafer in a susceptor; Growing an epitaxial layer on the wafer, wherein growing the epitaxial layer on the wafer comprises: introducing the source material into the susceptor in a plurality of steps; And reacting the wafer with the raw material.

실시예에 따른 탄화규소 에피 웨이퍼는 1㎚ 미만의 표면 조도를 가진다.The silicon carbide epitaxial wafer according to the embodiment has a surface roughness of less than 1 nm.

실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법은, 상기 원료를 상기 서셉터 내에 투입하는 단계를 복수의 단계로 세분화하여 투입한다. 즉, 초기 유량으로부터 시작하여 상기 성장 유량까지 점차적으로 유량을 증가시켜 원료를 투입한다.In the method of manufacturing an epitaxial wafer according to the embodiment, the step of injecting the raw material into the susceptor is subdivided into a plurality of steps. That is, the flow rate is gradually increased from the initial flow rate to the growth flow rate, and the raw material is introduced.

이에 따라, 실시예는 원료의 초기 유량을 성장 유량의 1/2 이하로 조절하여 투입한 후, 단계적으로 원료를 투입하여 최종적으로는 성장 유량으로 원료를 투입하게 된다. 따라서, 상기 원료는 상기 서셉터 내에 투입되어 상기 웨이퍼와 단계적으로 반응하게 되어 상기 웨이퍼 상에 형성되는 에피층의 번칭(bunching)을 감소하고 표면 조도를 감소시킬 수 있다.Accordingly, in the embodiment, after the initial flow rate of the raw material is adjusted to be ½ or less of the growth flow rate, the raw material is charged step by step, and finally the raw material is fed at the growth flow rate. Accordingly, the raw material is injected into the susceptor and reacts with the wafer in a stepwise manner, so that bunching of the epi layer formed on the wafer can be reduced and surface roughness can be reduced.

따라서, 실시예에 따라 제조되는 탄화규소 에피 웨이퍼는 에피층의 표면 조도를 감소시킬 수 있다. 자세하게, 실시예에 따라 제조되는 탄화규소 에피 웨이퍼는 상기 에피층의 표면 조도를 약 1㎚ 이하로 감소시킬 수 있다.Therefore, the silicon carbide epitaxial wafer produced according to the embodiment can reduce the surface roughness of the epi layer. In detail, the silicon carbide epitaxial wafer produced according to the embodiment can reduce the surface roughness of the epi layer to about 1 nm or less.

도 1은 실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 2 내지 도 4는 실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법을 설명하기 위한 서셉터의 분해 사시도, 사시도 및 단면도로서, 도 2는 실시예에 따른 증착 장치를 분해한 분해사시도이고, 도 3은 실시예에 따른 증착 장치를 도시한 사시도이며, 도 4는 도 3에서 I-I'를 따라서 절단한 단면도의 일부이다.1 is a process flow chart for explaining an epitaxial wafer manufacturing method according to an embodiment.
2 to 4 are exploded perspective views, perspective views, and cross-sectional views of a susceptor for explaining an epitaxial wafer manufacturing method according to an embodiment, wherein FIG. 2 is an exploded perspective view of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a partial cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 3. FIG.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; includes all that is formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하. 도 1 내지 도 4를 참조하여 실시예에 따른 에피 웨이퍼 및 에피 웨이퍼 제조 방법을 설명한다.Below. An epi wafer and an epi wafer manufacturing method according to an embodiment will be described with reference to Figs. 1 to 4. Fig.

도 1은 실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이고, 도 2 내지 도 4는 실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법을 설명하기 위한 서셉터의 분해 사시도, 사시도 및 단면도를 도시한 도면이다.FIG. 1 is a process flow chart for explaining an epitaxial wafer manufacturing method according to an embodiment, and FIGS. 2 to 4 are exploded perspective views, perspective views and sectional views of a susceptor for explaining an epitaxial wafer manufacturing method according to an embodiment to be.

도 1을 참조하면 실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법은, 서셉터 내에 웨이퍼를 준비하는 단계(ST10); 및 웨이퍼 상에 에피층을 성장시키는 단계(ST20)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a method of manufacturing an epitaxial wafer according to an embodiment includes preparing a wafer in a susceptor (ST10); And growing an epitaxial layer on the wafer (ST20).

상기 서셉터 내에 웨이퍼를 준비하는 단계(ST10)에서는, 챔버 내에 위치하는 상기 서셉터 내에 상기 웨이퍼를 위치시킬 수 있다. 이때, 상기 웨이퍼는 탄화규소 웨이퍼일 수 있다. 즉, 실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법은 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법일 수 있다.In the step (ST10) of preparing the wafer in the susceptor, the wafer can be placed in the susceptor located in the chamber. At this time, the wafer may be a silicon carbide wafer. That is, the method for manufacturing an epitaxial wafer according to the embodiment may be a method for manufacturing a silicon carbide epitaxial wafer.

이어서, 상기 웨이퍼 상에 에피층을 성장시키는 단계(ST20)에서는, 상기 서셉터 내에 원료를 투입하여 상기 웨이퍼 상에 탄화규소 에피층을 성장시킬 수 있다.Subsequently, in step (ST20) of growing an epitaxial layer on the wafer, a silicon carbide epitaxial layer can be grown on the wafer by injecting a raw material into the susceptor.

상기 웨이퍼 상에 에피층을 성장시키는 단계(ST20)는, 상기 서셉터 내에 복수의 단계로 원료를 투입하는 단계; 및 상기 웨이퍼와 상기 원료가 반응하는 단계를 포함한다.The step of growing an epitaxial layer on the wafer (ST20) comprises the steps of: injecting a raw material into the susceptor in a plurality of stages; And reacting the wafer with the raw material.

상기 복수의 단계로 원료를 투입하는 단계는, 제 1 유량으로 원료를 투입하는 제 1 공정; 제 2 유량으로 원료를 투입하는 제 2 공정; 및 제 3 유량으로 원료를 투입하는 제 3 공정을 포함한다.The step of injecting the raw material into the plurality of steps may include: a first step of injecting a raw material at a first flow rate; A second step of feeding the raw material at a second flow rate; And a third step of feeding the raw material at a third flow rate.

상기 복수의 단계로 원료를 투입하는 단계는 초기 유량을 투입하는 단계와 성장 유량으로 투입하는 단계로 구분될 수 있다. 상기 성장 유량은 상기 웨이퍼와 상기 원료가 반응하는 이론적인 성장 유량을 의미한다. 즉, 상기 복수의 단계는 제 1 유량, 제 2 유량 및 제 3 유량으로 원료를 투입하는 단계를 포함할 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고 더 많은 단계로 상기 원료를 투입할 수 있다.The step of inputting the raw material into the plurality of steps may be divided into a step of inputting an initial flow rate and a step of inputting a raw material at a growth flow rate. The growth flow rate means a theoretical growth flow rate at which the wafer reacts with the raw material. That is, the plurality of steps may include the step of inputting the raw material at the first flow rate, the second flow rate and the third flow rate. However, the embodiment is not limited to this, and the raw material can be input in more steps.

여기서, 상기 제 1 유량은 초기 유량이며, 상기 제 3 유량은 성장 유량일 수 있다. 또한, 상기 제 2 유량은 상기 제 1 유량에서 상기 제 3 유량의 중간 유량을 가질 수 있다. 즉, 상기 제 2 공정은 상기 제 1 유량인 초기 유량에서 상기 제 3 유량인 성장 유량으로 점차적으로 증가되는 중간 단계일 수 있다. 필요에 따라, 상기 제 2 유량으로 원료를 투입하는 상기 제 2 공정은 또다시 복수의 단계로 나누어질 수 있다.Here, the first flow rate may be an initial flow rate, and the third flow rate may be a growth flow rate. In addition, the second flow rate may have an intermediate flow rate of the third flow rate at the first flow rate. That is, the second step may be an intermediate step, which is gradually increased from the initial flow rate at the first flow rate to the growth flow rate at the third flow rate. If necessary, the second step of feeding the raw material at the second flow rate may be further divided into a plurality of steps.

상기 제 1 유량 내지 상기 제 3 유량은 순차적으로 진행될 수 있다. 또한, 상기 제 2 유량은 상기 제 1 유량보다 크고, 상기 제 3 유량은 상기 제 2 유량보다 클 수 있다. 즉, 상기 제 1 유량을 투입하는 단계에서 상기 제 3 유량을 투입하는 단계로 진행되면서 상기 원료의 유량은 점차적으로 증가할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 유량을 증가하는 단계에서 상기 제 3 유량을 투입하는 단계로 진행하면서, 상기 원료 유량은 초기 유량에서 성장 유량으로 맞추어질 수 있다.The first flow rate to the third flow rate may be sequentially performed. Further, the second flow rate may be larger than the first flow rate, and the third flow rate may be larger than the second flow rate. That is, the flow rate of the raw material may gradually increase as the process proceeds to the step of inputting the third flow rate in the step of inputting the first flow rate. In detail, in the step of increasing the first flow rate, the raw material flow rate can be adjusted to the growth flow rate at the initial flow rate, while proceeding to the step of inputting the third flow rate.

이때, 초기 유량인 상기 제 1 유량은 성장 유량인 상기 제 3 유량의 1/2 이하일 수 있다. 즉, 상기 제 1 유량은 상기 제 3 유량에 대해 1/2 이하일 수 있다. 즉, 상기 제 1 공정 내지 제 3 공정은, 제 1 공정에서 상기 제 3 공정의 원료 유량의 1/2 이하로 투입한 후, 상기 제 2 공정에서는 점차적으로 유량을 증가시켜, 최종적으로는 상기 서셉터 내에 성장 유량으로 투입할 수 있다.At this time, the first flow rate as the initial flow rate may be equal to or less than a half of the third flow rate as the growth flow rate. That is, the first flow rate may be 1/2 or less with respect to the third flow rate. That is, in the first to third steps, the flow rate is gradually increased in the second step after the amount of the raw material is reduced to 1/2 or less of the flow rate of the raw material in the third step in the first step, It can be put into the susceptor at the growth flow rate.

상기 제 1 유량 내지 상기 제 3 유량을 투입하는 단계는 연속적으로 진행될 수 있다. 즉, 상기 복수의 단계로 원료를 투입하는 단계인 제 1 공정 내지 상기 제 3 공정은 서로 분리되는 공정이 아닌 연속적으로 진행될 수 있다.The step of inputting the first flow rate to the third flow rate may be continuously performed. That is, the first step to the third step, which are the steps of injecting the raw material into the plurality of steps, may be performed continuously, not separate from each other.

상기 서셉터 내에 투입되는 원료는 탄소, 규소, 염소 및 수소를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 연료는 탄소와 규소를 포함하는 액상, 기상 또는 고상 원료를 포함할 수 있다. 상기 액상 원료는 메틸트리크로로실란(methyltrichlorosilane, MTS) 또는 트리클로로실란(trichlorosilane, TCS)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 기상 원료는 실란(SiH4), 에틸렌(C2H4) 및 염화수소(HCl) 또는 실란, 프로판(C3H8) 및 염화수소를 포함할 수 있다. 또한, 캐리어 가스로서 수소(H2)를 더 포함할 수 있다.
The material to be introduced into the susceptor may include carbon, silicon, chlorine, and hydrogen. In detail, the fuel may comprise liquid, gaseous or solid feedstock comprising carbon and silicon. The liquid raw material may include methyltrichlorosilane (MTS) or trichlorosilane (TCS). The vapor phase raw material may include silane (SiH 4 ), ethylene (C 2 H 4 ) and hydrogen chloride (HCl) or silane, propane (C 3 H 8 ) and hydrogen chloride. Further, hydrogen (H 2 ) may be further included as a carrier gas.

실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법은 상기 원료를 상기 서셉터 내에 투입하는 단계를 복수의 단계로 세분화하여 투입한다. 즉, 초기 유량으로부터 시작하여 상기 성장 유량까지 점차적으로 유량을 증가시켜 원료를 투입한다.In the method of manufacturing an epitaxial wafer according to the embodiment, the step of injecting the raw material into the susceptor is subdivided into a plurality of steps. That is, the flow rate is gradually increased from the initial flow rate to the growth flow rate, and the raw material is introduced.

일반적으로, 탄화규소 에피 웨이퍼를 제조시에는, 소스 가스 즉, 원료의 초기 유량에 의해 웨이퍼 상에 형성되는 에피층의 표면 조도가 달라지게 된다. 즉, 상기 원료의 유량은 에피층의 표면 조도 값을 결정하는 일종의 변수가 될 수 있다.Generally, when manufacturing a silicon carbide epitaxial wafer, the surface roughness of the epitaxial layer formed on the wafer varies depending on the source gas, that is, the initial flow rate of the raw material. That is, the flow rate of the raw material can be a kind of parameter for determining the surface roughness value of the epi layer.

이에 따라, 실시예는 원료의 초기 유량을 성장 유량의 1/2 이하로 조절하여 투입한 후, 단계적으로 원료를 투입하여 최종적으로는 성장 유량으로 원료를 투입하게 된다. 따라서, 상기 원료는 상기 서셉터 내에 투입되어 상기 웨이퍼와 단계적으로 반응하게 되어 상기 웨이퍼 상에 형성되는 에피층의 번칭(bunching)을 감소하고 표면 조도를 감소시킬 수 있다.Accordingly, in the embodiment, after the initial flow rate of the raw material is adjusted to be ½ or less of the growth flow rate, the raw material is charged step by step, and finally the raw material is fed at the growth flow rate. Accordingly, the raw material is injected into the susceptor and reacts with the wafer in a stepwise manner, so that bunching of the epi layer formed on the wafer can be reduced and surface roughness can be reduced.

따라서, 실시예에 따라 제조되는 탄화규소 에피 웨이퍼는 에피층의 표면 조도를 감소시킬 수 있다. 자세하게, 실시예에 따라 제조되는 탄화규소 에피 웨이퍼는 상기 에피층의 표면 조도를 약 1㎚ 이하로 감소시킬 수 있다.
Therefore, the silicon carbide epitaxial wafer produced according to the embodiment can reduce the surface roughness of the epi layer. In detail, the silicon carbide epitaxial wafer produced according to the embodiment can reduce the surface roughness of the epi layer to about 1 nm or less.

이하, 도 2 내지 도 4를 참조하여 상기 웨이퍼와 상기 원료가 반응하는 단계를 상세하게 설명한다.Hereinafter, the step of reacting the wafer with the raw material will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4. FIG.

도 2 내지 도 4는 실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법을 설명하기 위한 서셉터의 분해 사시도, 사시도 및 단면도를 도시한 도면이다.FIGS. 2 to 4 are exploded perspective views, perspective views, and cross-sectional views of a susceptor for explaining an epitaxial wafer manufacturing method according to an embodiment.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 상기 증착 장치는, 챔버(10), 서셉터(20), 소스 기체 라인(40), 웨이퍼 홀더(30) 및 유도 코일(50)을 포함한다.2 to 4, the deposition apparatus includes a chamber 10, a susceptor 20, a source gas line 40, a wafer holder 30, and an induction coil 50.

상기 챔버(10)는 원통형 튜브 형상을 가질 수 있다. 이와는 다르게, 상기 챔버(10)는 사각 박스 형상을 가질 수 있다. 상기 챔버(10)는 상기 서셉터(20), 상기 소스 기체 라인(40) 및 상기 웨이퍼 홀더(30)를 수용할 수 있다.The chamber 10 may have a cylindrical tube shape. Alternatively, the chamber 10 may have a rectangular box shape. The chamber 10 may receive the susceptor 20, the source gas line 40, and the wafer holder 30.

또한, 상기 챔버(10)의 양 끝단들은 밀폐되고, 상기 챔버(10)는 외부의 기체유입을 막고 진공도를 유지할 수 있다. 상기 챔버(10)는 기계적 강도가 높고, 화학적 내구성이 우수한 석영(quartz)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 챔버(10)는 향상된 내열성을 가진다.In addition, both ends of the chamber 10 are sealed, and the chamber 10 can prevent external inflow of gas and maintain a vacuum degree. The chamber 10 may include a quartz having high mechanical strength and excellent chemical durability. In addition, the chamber 10 has improved heat resistance.

또한, 상기 챔버(10) 내에 단열부(60)가 더 구비될 수 있다. 상기 단열부(60)는 상기 챔버(10) 내의 열을 보존하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 단열부로 사용되는 물질의 예로서는 질화물 세라믹, 탄화물 세라믹 또는 흑연 등을 들 수 있다.Further, the chamber 10 may further include a heat insulating portion 60. The heat insulating portion 60 may function to preserve the heat in the chamber 10. Examples of the material used as the heat insulating portion include nitride ceramics, carbide ceramics, and graphite.

상기 서셉터(20)는 상기 챔버(10) 내에 배치된다. 상기 서셉터(20)는 상기 소스 기체 라인(40) 및 상기 웨이퍼 홀더(30)를 수용한다. 또한, 상기 서셉터(20)는 상기 웨이퍼(W) 등과 같은 기판을 수용한다. 또한, 상기 소스 기체 라인(40)을 통하여, 상기 서셉터(20) 내부로 상기 반응 기체가 유입된다.The susceptor 20 is disposed in the chamber 10. The susceptor 20 receives the source gas line 40 and the wafer holder 30. In addition, the susceptor 20 accommodates a substrate such as the wafer W or the like. Further, the reactive gas flows into the susceptor 20 through the source gas line 40.

도 2에 도시된 바와 같이, 상기 서셉터(20)는 서셉터 상판(21), 서셉터 하판(22) 및 서셉터 측판(23)들을 포함할 수 있다. 또한, 서셉터 상판(21)과 서셉터 하판(22)은 서로 마주보며 위치한다.2, the susceptor 20 may include a susceptor upper plate 21, a susceptor lower plate 22, and a susceptor side plate 23. As shown in FIG. Further, the susceptor upper plate 21 and the susceptor lower plate 22 are opposed to each other.

상기 서셉터(20)는 상기 서셉터 상판(21)과 상기 서셉터 하판(22)을 위치시키고 양 옆에 상기 서셉터 측판(23)들을 위치시킨 후 합착하여 제조할 수 있다.The susceptor 20 may be manufactured by positioning the susceptor upper plate 21 and the susceptor lower plate 22 and positioning the susceptor side plates 23 on both sides and then cementing them.

그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니므로, 직육면체의 서셉터(20)에 가스 통로를 위한 공간을 내어 제조할 수 있다.However, the embodiment is not limited to this, and a space for the gas passage can be produced in the rectangular parallelepiped susceptor 20.

상기 서셉터(20)는 고온 등의 조건에서 견딜 수 있도록 내열성이 높고 가공이 용이한 흑연(graphite)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 서셉터(20)는 흑연 몸체에 탄화규소가 코팅된 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 서셉터(20)는 자체로 유도가열될 수 있다.The susceptor 20 may include graphite which has high heat resistance and is easy to process so that the susceptor 20 can withstand high temperature conditions. In addition, the susceptor 20 may have a structure in which silicon carbide is coated on the graphite body. Further, the susceptor 20 can be induction-heated itself.

상기 서셉터(20)에 공급되는 연료 즉, 반응 기체는 열에 의해서, 중간 화합물로 분해되고, 이 상태에서, 상기 웨이퍼(W) 등에 증착될 수 있다. 예를 들어, 상기 연료는 탄소와 규소를 포함하는 액상, 기상 또는 고상 원료를 포함할 수 있다. 상기 액상 원료는 메틸트리크로로실란(methyltrichlorosilane, MTS) 또는 트리클로로실란(trichlorosilane, TCS)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 기상 원료는 실란(SiH4), 에틸렌(C2H4) 및 염화수소(HCl) 또는 실란, 프로판(C3H8) 및 염화수소를 포함할 수 있다. 또한, 캐리어 가스로서 수소(H2)를 더 포함할 수 있다.The fuel supplied to the susceptor 20, that is, the reactive gas, is decomposed into an intermediate compound by heat, and in this state, it can be deposited on the wafer W or the like. For example, the fuel may comprise a liquid, gaseous or solid feedstock comprising carbon and silicon. The liquid raw material may include methyltrichlorosilane (MTS) or trichlorosilane (TCS). The vapor phase raw material may include silane (SiH 4 ), ethylene (C 2 H 4 ) and hydrogen chloride (HCl) or silane, propane (C 3 H 8 ) and hydrogen chloride. Further, hydrogen (H 2 ) may be further included as a carrier gas.

상기 원료는 규소, 탄소 또는 염소를 포함하는 라디칼로 분해되고, 상기 웨이퍼(W) 상에는 탄화규소 에피층이 성장될 수 있다. 더 자세하게, 상기 라디칼은 CH3·, SiCl·, SiCl2·, SiHCl·, SiHCl2·등을 포함하는 CHx·(1≤x<4) 또는 SiClx·(1≤x<4) 일 수 있다.The raw material is decomposed into radicals containing silicon, carbon or chlorine, and a silicon carbide epilayers can be grown on the wafer W. More specifically, the radical may be CH x (1? X <4) or SiCl x (1? X <4) containing CH 3. , SiCl 2 , SiCl 2 , SiHCl 2 , SiHCl 2 , have.

상기 소스 기체 라인(40)은 사각 튜브 형상을 가질 수 있다. 상기 소스 기체 라인(40)으로 사용되는 물질의 예로서는 석영 등을 들 수 있다.The source gas line 40 may have a rectangular tube shape. Examples of the material used as the source gas line 40 include quartz and the like.

상기 웨이퍼 홀더(30)는 상기 서셉터(20) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 웨이퍼 홀더(30)는 상기 소스 기체가 흐르는 방향을 기준으로, 상기 서셉터(20)의 후미에 배치될 수 있다. 상기 웨이퍼 홀더(30)는 상기 웨이퍼(W)를 지지한다. 상기 웨이퍼 홀더(30)로 사용되는 물질의 예로서는 탄화규소 또는 흑연 등을 들 수 있다.The wafer holder 30 is disposed within the susceptor 20. More specifically, the wafer holder 30 can be disposed at the rear of the susceptor 20 with respect to the direction in which the source gas flows. The wafer holder 30 supports the wafer W. Examples of the material used for the wafer holder 30 include silicon carbide and graphite.

상기 유도 코일(50)은 상기 챔버(10) 외측에 배치된다. 더 자세하게, 상기 유도 코일(50)은 상기 챔버(10)의 외주면을 둘러쌀 수 있다. 상기 유도 코일(50)은 전자기 유도를 통하여, 상기 서셉터(20)를 유도 발열시킬 수 있다. 상기 유도 코일(50)은 상기 챔버(10)의 외주면을 감을 수 있다.The induction coil 50 is disposed outside the chamber 10. More specifically, the induction coil 50 may surround the outer circumferential surface of the chamber 10. The induction coil 50 can induce and heat the susceptor 20 through electromagnetic induction. The induction coil 50 may wind the outer peripheral surface of the chamber 10.

상기 서셉터(20)는 상기 유도 코일(50)에 의해서, 약 1500℃ 내지 약 1700℃의 온도로 가열될 수 있다. 즉, 상기 서셉터(20)는 상기 유도 코일(50)에 의해 에피층 성장 온도까지 가열할 수 있다. 이후, 1500℃ 내지 1700℃의 온도에서 상기 소스 기체는 중간 화합물로 분해되고, 상기 서셉터 내부로 유입되어 상기 웨이퍼(W)에 분사된다. 상기 웨이퍼(W)에 분사된 라디칼에 의해서, 상기 웨이퍼(W) 상에 탄화규소 에피층이 형성된다.The susceptor 20 can be heated by the induction coil 50 to a temperature of about 1500 ° C to about 1700 ° C. That is, the susceptor 20 can be heated to the epilayer growth temperature by the induction coil 50. Then, at a temperature of 1500 to 1700 占 폚, the source gas decomposes into an intermediate compound, flows into the susceptor, and is injected onto the wafer W. A silicon carbide epilayer is formed on the wafer W by the radicals injected onto the wafer W.

이와 같이, 실시예에 따른 탄화규소 에피층 성장장치는 상기 웨이퍼(W) 등의 기판 상에 상기 에피층과 같은 박막을 형성하고, 남은 기체는 상기 서셉터(20)의 끝단에 배치되는 배출 라인을 통하여, 외부로 배출될 수 있다.As described above, the silicon carbide epitaxial growth apparatus according to the embodiment forms a thin film such as the epitaxial layer on the substrate such as the wafer W, and the remaining gas is discharged to the discharge line To the outside.

앞서 설명하였듯이, 실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법은, 상기 원료를 상기 서셉터 내에 투입하는 단계를 복수의 단계로 세분화하여 투입한다. 즉, 초기 유량으로부터 시작하여 상기 성장 유량까지 점차적으로 유량을 증가시켜 원료를 투입한다.As described above, in the method of manufacturing an epitaxial wafer according to the embodiment, the step of injecting the raw material into the susceptor is subdivided into a plurality of steps. That is, the flow rate is gradually increased from the initial flow rate to the growth flow rate, and the raw material is introduced.

이에 따라, 실시예는 원료의 초기 유량을 성장 유량의 1/2 이하로 조절하여 투입한 후, 단계적으로 원료를 투입하여 최종적으로는 성장 유량으로 원료를 투입하게 된다. 따라서, 상기 원료는 상기 서셉터 내에 투입되어 상기 웨이퍼와 단계적으로 반응하게 되어 상기 웨이퍼 상에 형성되는 에피층의 번칭(bunching)을 감소하고 표면 조도를 감소시킬 수 있다.Accordingly, in the embodiment, after the initial flow rate of the raw material is adjusted to be ½ or less of the growth flow rate, the raw material is charged step by step, and finally the raw material is fed at the growth flow rate. Accordingly, the raw material is injected into the susceptor and reacts with the wafer in a stepwise manner, so that bunching of the epi layer formed on the wafer can be reduced and surface roughness can be reduced.

따라서, 실시예에 따라 제조되는 탄화규소 에피 웨이퍼는 에피층의 표면 조도를 감소시킬 수 있다. 자세하게, 실시예에 따라 제조되는 탄화규소 에피 웨이퍼는 상기 에피층의 표면 조도를 약 1㎚ 미만으로 감소시킬 수 있다.Therefore, the silicon carbide epitaxial wafer produced according to the embodiment can reduce the surface roughness of the epi layer. In detail, the silicon carbide epitaxial wafer produced according to the embodiment can reduce the surface roughness of the epilayer to less than about 1 nm.

따라서, 실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법에 따라 제조되는 최종적으로 제조되는 탄화규소 에피 웨이퍼는 표면 결함을 감소하여 고품질의 탄화규소 에피 웨이퍼를 제조할 수 있으므로, 이를 적용한 금속 접합 및 소자를 제작시 수율 및 공정 효과를 향상시킬 수 있다.
Therefore, the finally produced silicon carbide epitaxial wafer manufactured according to the method of manufacturing the epitaxial wafer according to the embodiment can reduce surface defects and can produce a high quality silicon carbide epitaxial wafer. Therefore, And the process effect can be improved.

이하, 실시예들 및 비교예들에 따른 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법을 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 제조예는 본 발명을 좀더 상세하게 설명하기 위하여 예시로 제시한 것에 불과하다. 따라서 본 발명이 이러한 제조예에 한정되는 것은 아니다.
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the method for producing silicon carbide epitaxial wafers according to the embodiments and the comparative examples. Such a preparation example is merely an example for illustrating the present invention in more detail. Therefore, the present invention is not limited to these production examples.

실시예Example

서셉터 내에 탄화규소 웨이퍼를 배치시킨 후, 상기 서셉터 내에 소스가스로서, 실란, 프로판, 염화수소 및 수소를 투입하였다. 상기 소스 가스는 초기 유량에서 시작하여 성장 유량까지 단계적 및 연속적으로 투입하였다.Silicon carbide wafers were placed in the susceptor, and silane, propane, hydrogen chloride, and hydrogen were then introduced as source gases into the susceptor. The source gas was introduced stepwise and continuously starting from the initial flow rate to the growth flow rate.

이때, 성장온도 및 성장 압력은 약 1500℃ 내지 1700℃의 온도 및 50mbar 내지 300mbar의 압력에서 진행하여 에피 웨이퍼를 제조하였다.At this time, the growth temperature and the growth pressure were carried out at a temperature of about 1500 캜 to 1700 캜 and a pressure of 50 mbar to 300 mbar to prepare an epitaxial wafer.

또한, 상기 초기 유량은 유량은 상기 성장 유량의 유량의 1/2 이하였다.
Also, the initial flow rate was not more than 1/2 of the flow rate of the growth flow rate.

비교예Comparative Example

상기 소스 가스를 단계적 및 연속적으로 투입하지 않고 한번에 성장 유량으로 투입하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 탄화규소 에피 웨이퍼를 제조하였다.
A silicon carbide epitaxial wafer was produced in the same manner as in Example 1, except that the source gas was introduced at one time at a growth flow rate, without introducing the source gas stepwise and continuously.

구분division 표면 조도(㎚)Surface roughness (nm) 실시예Example 1 미만Less than 1 비교예Comparative Example 1 초과Greater than 1

표 1을 참조하면, 비교예에 따른 탄화규소 에피 웨이퍼에 비해 실시예에 따른 탄화규소 에피 웨이퍼의 표면 조도가 더 낮은 것을 알 수 있다. 즉, 실시예에 따른 탄화규소 에피 웨이퍼는 상기 탄화규소 에피 웨이퍼의 표면에 존재하는 표면 조도는 1㎚ 미만이었다.Referring to Table 1, it can be seen that the surface roughness of the silicon carbide epitaxial wafer according to the embodiment is lower than that of the silicon carbide epitaxial wafer according to the comparative example. That is, in the silicon carbide epitaxial wafer according to the embodiment, the surface roughness existing on the surface of the silicon carbide epitaxial wafer was less than 1 nm.

즉, 실시예에 따른 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법 및 이에 의해 제조되는 탄화규소 에피 웨이퍼는 제조시, 원료 유량을 단계적으로 투입하여 상기 웨이퍼 상에 존재하는 표면 결함을 감소시킨 후, 상기 웨이퍼 상에 에피층을 성장시키므로, 최종적으로 제조되는 탄화규소 에피 웨이퍼는 표면 조도가 약 1㎚ 미만을 가지므로 고품질 및 고효율을 가질 수 있다.
That is, in the silicon carbide epitaxial wafer manufacturing method and the silicon carbide epitaxial wafer manufactured by the method according to the embodiment, surface roughening on the wafer is reduced by gradually injecting a raw material flow rate during manufacturing, Layer, silicon carbide epitaxial wafers finally produced have a surface roughness of less than about 1 nm, and thus can have high quality and high efficiency.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (10)

서셉터 내에 탄화규소 웨이퍼를 준비하는 단계; 및
상기 탄화규소 웨이퍼 상에 탄화규소 에피층을 성장하는 단계를 포함하고,
상기 탄화규소 웨이퍼 상에 상기 탄화규소 에피층을 성장하는 단계는,
상기 서셉터 내에 원료의 유량을 달리하여 복수의 단계로 상기 원료를 투입하는 단계; 및
상기 탄화규소 웨이퍼와 상기 원료가 반응하는 단계를 포함하고,
상기 서셉터 내에 복수의 단계로 원료를 투입하는 단계는,
제 1 유량으로 원료를 투입하는 제 1 공정;
제 2 유량으로 원료를 투입하는 제 2 공정; 및
제 3 유량으로 원료를 투입하는 제 3 공정을 포함하고,
상기 제 2 유량은 상기 제 1 유량보다 크고,
상기 제 3 유량은 상기 제 2 유량보다 크고,
상기 제 1 유량은 상기 제 3 유량의 1/2 이하이고,
상기 제 1 공정 내지 상기 제 3 공정은 순차적으로 진행되고,
상기 제 3 유량은 상기 탄화규소 웨이퍼와 상기 원료가 반응하는 성장 유량이고,
상기 탄화규소 웨이퍼 상에는 1층의 탄화규소 에피층이 성장하는 에피 웨이퍼 제조 방법.Preparing a silicon carbide wafer in the susceptor; And
And growing a silicon carbide epilayer on the silicon carbide wafer,
Wherein growing the silicon carbide epilayers on the silicon carbide wafer comprises:
Introducing the raw material into the susceptor in a plurality of stages at different flow rates of the raw materials; And
Reacting the silicon carbide wafer with the raw material,
Wherein the step of introducing the raw material into the susceptor in a plurality of steps comprises:
A first step of feeding a raw material at a first flow rate;
A second step of feeding the raw material at a second flow rate; And
And a third step of feeding the raw material at a third flow rate,
The second flow rate is greater than the first flow rate,
Wherein the third flow rate is greater than the second flow rate,
The first flow rate is 1/2 or less of the third flow rate,
The first process to the third process are sequentially performed,
Wherein the third flow rate is a growth flow rate at which the silicon carbide wafer reacts with the raw material,
And a single-layer silicon carbide epitaxial layer is grown on the silicon carbide wafer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 서셉터 내에 복수의 단계로 원료를 투입하는 단계는 연속적으로 진행하는 에피 웨이퍼 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of introducing the raw material into the susceptor in a plurality of stages is continuously performed. 제 1항에 있어서,
상기 원료는 탄소(C) 및 규소(Si)를 포함하는 에피 웨이퍼 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the raw material comprises carbon (C) and silicon (Si). 제 1항에 있어서,
상기 탄화규소 웨이퍼와 상기 원료가 반응하는 단계는,
상기 서셉터 내에 원료를 투입하여 중간 화합물을 생성하는 단계; 및
상기 원료와 상기 탄화규소 웨이퍼가 반응하여 상기 탄화규소 웨이퍼 상에 탄화규소 에피층을 형성하는 단계를 포함하는 에피 웨이퍼 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of reacting the silicon carbide wafer with the raw material comprises:
Introducing a raw material into the susceptor to produce an intermediate compound; And
And reacting the raw material and the silicon carbide wafer to form a silicon carbide epilayer on the silicon carbide wafer. 제 7항에 있어서,
상기 중간 화합물은 CHx·(1≤x<4) 또는 SiClx·(1≤x<4)를 포함하는 에피 웨이퍼 제조 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the intermediate compound comprises CH x (1? X <4) or SiCl x (1? X <4). 삭제delete 삭제delete
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011225421A (en) * 2010-03-29 2011-11-10 Air Water Inc METHOD FOR PRODUCING SINGLE-CRYSTAL 3C-SiC SUBSTRATE, AND RESULTING SINGLE-CRYSTAL 3C-SiC SUBSTRATE

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6333752A (en) * 1986-07-29 1988-02-13 Fuji Xerox Co Ltd Toner for electronic printing
EP0449951B1 (en) * 1988-12-14 1995-03-15 Cree Research, Inc. Ultra-fast high temperature rectifying diode formed in silicon carbide
JPH07315967A (en) * 1994-05-23 1995-12-05 Komatsu Electron Metals Co Ltd Formation of silicon carbide film on carbon parts
EP1491662B1 (en) * 2002-03-19 2012-02-22 Central Research Institute of Electric Power Industry METHOD FOR PREPARING SiC CRYSTAL
US20110278596A1 (en) * 2009-01-30 2011-11-17 Takashi Aigo Epitaxial silicon carbide monocrystalline substrate and method of production of same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011225421A (en) * 2010-03-29 2011-11-10 Air Water Inc METHOD FOR PRODUCING SINGLE-CRYSTAL 3C-SiC SUBSTRATE, AND RESULTING SINGLE-CRYSTAL 3C-SiC SUBSTRATE

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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