KR101972665B1 - Metal foil hole processing method using electrolytic processing - Google Patents

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이은상
최웅걸
김성현
최승건
문기창
송우재
박태원
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인하대학교 산학협력단
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Abstract

Provided is a method for processing a hole on a metal thin plate using an electrolytic processing, wherein a dimple is formed corresponding to a hole processing position on the surface of a metal thin plate, before a PDMS-masking is formed at the dimple. An exposed portion on the metal thin plate at which the PDMS-masking is not formed undergoes a passivation processing. After the PDMS-masking is removed from the dimple, a hole is formed at the dimple through an electrolytic processing. Therefore, an undercut phenomenon is significantly reduced, such that a hole size and the undercut of the entire processed area can be uniformly controlled. Moreover, a hole processing of the entire processed area is uniformly performed, thereby preventing processing precision from deteriorating.

Description

전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법{Metal foil hole processing method using electrolytic processing}[0001] The present invention relates to a metal foil hole processing method using electrolytic processing,

본 발명은 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 대면적 전해가공으로 금속 박판에 홀을 가공할 시, 딤플 형성 및 부동태화로 가공부위 전체의 홀 사이즈 및 언더컷을 균일하게 제어하여, 가공 정밀도 저하를 막을 수 있는 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of machining a metal foil hole using electrolytic machining, and more particularly, to a method of machining a metal foil hole using electrolytic machining, To a metal foil hole machining method using an electrolytic process capable of preventing a reduction in machining accuracy.

일반적으로, 금속 박판의 에칭가공은 자재절단-전처리(전해 탈지)-라미네이션-노광-현상-에칭-박리-검사단계가 포함되는데, 자재절단공정은 원자재를 제품에 맞게 절단하고, 전처리공정은 재료에 전착된 유지성분 및 이물질을 제거하며, 라미네이션공정은 재료의 표면에 드라이 필름(DRY FILM RESIST DFR "드라이필름" )을 도포하고, 노광공정은 드라이 필름이 접착 완료된 자재를 아트워크에서 제작된 워킹마스크 사이에 삽입한 후 자외선빛(UV)으로 드라이필름을 광반응시켜 제품의 상을 형성시킨다.In general, the etching process of a metal thin plate includes a material cutting-pretreatment (electrolytic degreasing) -laminating-exposure-developing-etching-peeling-inspection step wherein the material cutting process cuts the raw material according to the product, (DRY FILM RESIST DFR " dry film ") is applied to the surface of the material, and the exposure process is performed by moving the material to which the dry film is adhered, After inserting between the masks, the dry film is photo-reacted with ultraviolet light (UV) to form a product image.

그리고 현상공정은 노광시 자외선과 반응하지 않는 드라이필름을 제거하고, 에칭공정은 부식성이 강한 염화제이철 및 기타 부식약품으로 부식시켜 제품의 형상을 두각 시키며, 박리공정은 재료의 표면에 완전히 밀착/경화된 드라이 필름을 알칼리성 약품인 박리액으로 제거한다.In the development process, the dry film which does not react with ultraviolet rays during exposure is removed, and the etching process is corroded with ferrous chloride and other corrosive chemicals which are highly corrosive, so that the shape of the product is distinguished. In the peeling process, The dried film is removed with a peeling solution which is an alkaline agent.

그러나 상기한 일련의 에칭가공과정에서 특히, 0.025mm 이하의 금속박판 소재의 가공시에 압연 및 후처리 시 발생하는 표면상의 유기물 및 산화 피막으로 인하여 가공시 미 에칭 및 미도금이 발생하는 문제가 생긴다.However, in the above-described series of etching processes, there is a problem that micro-etching and non-plating occur during processing due to organic substances and oxidized films on the surface, which are generated during rolling and post- .

또한, 에칭가공의 특성상 액을 사용하여 에칭가공을 진행하게 되는데 이때 장비 내부의 롤러를 사용하여 자재를 이동시킨다. In addition, due to the characteristics of the etching process, the etching process is carried out using the liquid. At this time, the material is moved by using the roller inside the equipment.

그러나 금속 박판의 자중의 가벼움으로 인해 롤러에 의한 진행시 액 분사 압력에 의해 금속 박판이 롤러 사이로 빠지거나 롤러 상에서 평탄을 유지하지 못하여 불균일 가공 및 변형이 생기는 문제점이 있었다.However, due to the lightness of the weight of the thin metal plate, there is a problem that uneven processing and deformation may occur due to the thin metal plate falling out of the rollers due to the liquid injection pressure during the progress due to the rollers or failing to maintain flatness on the rollers.

상기한 문제점을 해소하기 위해 공개특허 10-2011-0038891(2012.06.08)에서는 지그를 이용한 금속박판 에칭공법을 제공하였다.In order to solve the above-described problem, a metal thin plate etching method using a jig is provided.

그리고 전해가공으로 금속 박판을 가공할 시, 전해가공은 가공물에 양의 전압을 인하하고, 전극에 음의 전압을 인가하여 전해액을 흘려주면서 가공물을 가공하는데, 상기한 전해가공은 여러 가지 요소의 영향으로 인하여 가공물의 부피가 변화하고, 언더컷 현상이 발생하는 문제점이 있다. In electrolytic processing, when a positive voltage is applied to a workpiece and a negative voltage is applied to the electrode, an electrolytic solution is flowed to process the workpiece. In the above electrolytic processing, the influence of various factors There is a problem that the volume of the workpiece changes and an undercut phenomenon occurs.

본 발명은 금속 박판의 표면 중 홀 가공위치에 대응하여 딤플을 형성하고, 상기 딤플에 마스킹(Masking)을 형성한 후, 금속 박판 중 피디엠에스-마스킹이 형성되지 않은 노출된 부분은 부동태화 처리를 하며, 상기 딤플에서 피디엠에스-마스킹 제거 후, 전해가공으로 상기 딤플에 홀을 형성하면, 언더컷 현상이 현저하게 감소하여, 가공부위 전체의 홀 사이즈 및 언더컷을 균일하게 제어할 수 있고, 전체 가공영역의 홀가공을 균일하게 진행함으로써 가공 정밀도 저하를 막을 수 있는 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention forms a dimple corresponding to a hole machining position in a surface of a thin metal plate and forms a masking on the dimple and then an exposed portion of the thin metal plate on which no PDMS masking is formed is subjected to passivation treatment And the hole is formed in the dimple by electrolytic processing after removing the PDMS-masking from the dimple, the undercut phenomenon is remarkably reduced and the hole size and the undercut can be uniformly controlled over the entire machining area, And a method for machining a metal foil hole using an electrolytic process capable of preventing a reduction in processing accuracy by uniformly advancing the hole machining of the metal foil.

본 발명에 따른 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법은 a)금속 박판 상면 중, 홀 가공위치와 대응하는 부분에 딤플을 형성하는 단계와, b)상기 금속 박판의 상면에 형성된 딤플에 마스킹(Masking)을 형성하면서 상기 딤플을 제외한 부분에 부동태화 처리하는 단계와, c)상기 딤플에 형성된 마스킹(Masking)을 제거하는 단계, 및 d)상기 딤플에 제2전해가공을 실시하여, 상기 금속 박판에 홀을 형성하는 단계를 포함한다.A method of processing a metal foil hole using electrolytic processing according to the present invention comprises the steps of: a) forming a dimple on a portion of the upper surface of the metal foil corresponding to a hole machining position; b) forming a dimple on the dimple formed on the upper surface of the metal foil (C) removing masking formed on the dimples; and d) performing a second electrolytic processing on the dimples to form a thin metal film on the thin metal plate, And forming a hole.

이때 본 발명에 따른 상기 a)단계인 금속 박판 상면 중, 홀 가공위치와 대응하는 부분에 딤플을 형성하는 단계는 a-1)금속 박판을 준비하는 단계와, a-2)준비된 금속 박판의 상면에 포토레지스트(Photoresist)를 라미네이팅하는 단계와, a-3)상기 포토레지스트에 리소그래피를 실시하여, 홀 형성위치에 대응하는 지점에 관통공이 형성된 드라이 필름을 형성하는 단계와, a-4)상기 드라이 필름의 관통공을 통해 제1전해가공을 실시하여, 금속 박판의 상면 중, 홀 형성위치에 대응하는 부분에 딤플을 형성하는 단계를 포함한다.At this time, the step of forming the dimples on the portion corresponding to the hole machining position of the upper surface of the metal thin plate, which is the step a) according to the present invention, includes the steps of a-1) preparing a metal thin plate, a-2) A-3) performing lithography on the photoresist to form a dry film having a through-hole formed at a position corresponding to the hole-forming position; and a-4) And performing a first electrolytic processing through the through holes of the film to form dimples on the upper surface of the thin metal plate corresponding to the hole forming positions.

그리고 본 발명에 따른 상기 b)단계인 상기 금속 박판의 상면에 형성된 딤플에 마스킹(Masking)을 형성하면서 상기 딤플을 제외한 부분에 부동태화 처리하는 단계는, b-1)상기 드라이 필름의 관통홀에 피디엠에스(PDMS: polydimethylsiloxane)을 충진하여 마스킹(Masking)을 형성하는 단계와, b-2)상기 금속 박판의 상면에 형성된 드라이 필름을 제거하는 단계와, b-3)상기 드라이 필름을 제거하면서 노출된 금속 박판의 상면을 부동태화 처리하는 단계를 포함한다.The step of forming a mask on the dimple formed on the upper surface of the metal thin plate, which is the step b), of the present invention, on the part excluding the dimple, comprises the steps of: b-1) B-2) removing the dry film formed on the upper surface of the metal thin plate; b-3) removing the dry film while removing the dry film; b) And passivating the upper surface of the thinned metal foil.

본 발명의 일 실시예에 따른 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법은 금속 박판의 표면 중 홀 가공위치에 대응하여 딤플을 형성하고, 상기 딤플에 마스킹(PDMS-Masking)을 형성한 후, 금속 박판 중 마스킹이 형성되지 않은 노출된 부분은 부동태화 처리를 하며, 상기 딤플에서 마스킹 제거 후, 전해가공으로 상기 딤플에 홀을 형성하면, 언더컷 현상이 현저하게 감소하여, 가공부위 전체의 홀 사이즈 및 언더컷을 균일하게 제어할 수 있고, 전체 가공영역의 홀가공을 균일하게 진행함으로써 가공 정밀도 저하를 막을 수 있는 효과를 가진다.According to an embodiment of the present invention, a method of processing a metal foil hole using electrolytic processing includes the steps of forming a dimple corresponding to a hole machining position in a surface of a metal thin plate, forming a masking (PDMS-masking) on the dimple, When the holes are formed in the dimples by electrolytic processing after the masking is removed from the dimples, the undercut phenomenon is remarkably reduced, and the hole size and the undercut It is possible to uniformly control the hole machining of the entire machining area and uniformly advance the hole machining of the entire machining area, thereby preventing the machining accuracy from being lowered.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법을 단계별로 간략하게 보인 예시도이다.FIG. 1 is a schematic view illustrating a method of manufacturing a metal foil hole using an electrolytic process according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary terms, and the inventor should appropriately interpret the concepts of the terms appropriately The present invention should be construed in accordance with the meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 실시 예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들은 대체할 수 있는 균등한 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely the most preferred embodiments of the present invention, and not all of the technical ideas of the present invention are described. Therefore, at the time of the present application, It should be understood that variations can be made.

본 발명은 대면적 전해가공으로 금속 박판에 홀을 가공할 시, 홀 가공위치에 대응하여 딤플을 형성하고, 상기 딤플을 형성하지 않은 금속 박판 표면에는 부동태화 처리를 실시하여, 전해가공으로 상기 딤플에 홀을 형성하면, 언더컷 현상이 현저하게 감소되고, 가공부위 전체의 홀 사이즈 및 언더컷을 균일하게 제어할 수 있어, 전체 가공영역의 홀가공을 균일하게 진행함으로써 가공 정밀도 저하를 막을 수 있는 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법에 관한 것으로 도면을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.In the present invention, dimples are formed in correspondence with a hole machining position when a hole is machined on a thin metal plate by a large area electrolytic machining, passivation treatment is applied to the surface of the thin metal plate on which the dimple is not formed, The undercut phenomenon is remarkably reduced and the hole size and undercut in the entire machining area can be uniformly controlled so that the hole machining of the entire machining area can be uniformly performed and the electrolytic machining And a method of processing a metal foil hole using the same.

도 1을 참조한 본 발명의 일 실시에 따른 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법은 a)금속 박판(10) 상면 중, 홀 가공위치와 대응하는 부분에 딤플(11)을 형성하는 단계와, b)상기 금속 박판(10)의 상면에 형성된 딤플(11)에 마스킹(Masking: 30)을 형성하면서 상기 딤플(11)을 제외한 부분에 부동태화 처리하는 단계와, c)상기 딤플(11)에 형성된 마스킹(30)을 제거하는 단계, 및 d)상기 딤플(11)에 제2전해가공을 실시하여, 상기 금속 박판(10)에 홀(12)을 형성하는 단계를 포함한다.1, a method of manufacturing a metal foil hole using electrolytic processing according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: a) forming a dimple 11 on a top surface of a thin metal plate 10 at a portion corresponding to a hole machining position; ) Forming a masking (30) on a dimple (11) formed on an upper surface of the thin metal plate (10) and passivating the dimple (11) except for the dimple (11) Removing the masking 30 and d) subjecting the dimple 11 to a second electrolytic processing to form the hole 12 in the thin metal plate 10. [

이때 a)단계인 금속 박판(10) 상면 중, 홀 가공위치와 대응하는 부분에 딤플(11)을 형성하는 단계를 보다 상세하게 살펴보면 다음의 세부과정을 포함한다.The step of forming the dimples 11 in the portion corresponding to the hole machining position in the upper surface of the thin metal plate 10, which is the step a), will be described in more detail as follows.

먼저, a-1)단계로 금속 박판(10)을 준비한다.First, the thin metal plate 10 is prepared in step a-1).

여기서 준비되는 금속 박판(10)은 전해가공을 실시할 수 있는 재질로 이루어지고, 수 마이크로의 두께를 가지는 것이 바람직하다. The metal thin plate 10 to be prepared here is made of a material capable of electrolytic processing, and preferably has a thickness of several micrometers.

다음은 a-2)단계로, 상기 a-1)단계에 의해 준비된 금속 박판(10)의 상면에 포토레지스트(Photoresist)를 라미네이팅 한다.Next, in step a-2), a photoresist is laminated on the upper surface of the thin metal plate 10 prepared in step a-1).

이때 상기 금속 박판(10)의 상면에 라이네이팅되는 포토레지스트(Photoresist)는 자외선에 노출되면 경화되는 것으로, 상기 금속 박판(10)의 상면 전체에 고른 두께로 라미네이팅되기 위해 스핀코터 (spin-coater) 방식으로 라미네이팅될 수 있다.The photoresist laminating on the upper surface of the thin metal plate 10 is cured when exposed to ultraviolet rays. In order to laminate the upper surface of the thin metal plate 10 with a uniform thickness, a spin-coater Lt; / RTI >

다음은 a-3)단계로, 상기 포토레지스트에 리소그래피를 실시하여, 홀 형성위치에 대응하는 지점에 관통공(21)이 형성된 드라이 필름(20)을 형성한다.Next, in step a-3), lithography is performed on the photoresist to form a dry film 20 having a through hole 21 formed at a position corresponding to the hole forming position.

이때 상기 리소그래피는 감광성 수지인 포토레지스트에 포토마스크를 통해 자외선을 조사하면 포토마스크에 새겨진 패턴이 포토레지스트가 자외선에 전사되고, 이를 현상하여 포토마스크에 대응하는 형상이 형성되는 것으로, 상기 금속 박판(10)의 상면에 라미네이팅된 상기 포토레지스트는 리소그래피에 의해 부분적으로 경화되는데, 상기 리소그래피 과정은 먼저, 상기 포토레지스트의 상부에 상기 금속 박판(11)의 상면 중, 홀 형성위치에 대응하는 부분을 제외한 부분이 관통된 포토마스크를 위치한 후, 상기 포토마스크에 자외선을 조사하여, 홀 형성위치에 대응하는 부분을 제외한 부분이 자외선 노광에 의해 경화(광학적 중합: Polymerization)되고, 현상액으로 형상하면, 상기 금속 박판(10) 상면에 홀 형성위치에 대응하는 지점에 관통공(21)이 형성된 드라이 필름(20)이 형성된다.When the ultraviolet rays are irradiated to the photoresist, which is a photosensitive resin, the photoresist is transferred to the ultraviolet ray by the pattern engraved in the photomask, and the photoresist is developed to form a shape corresponding to the photomask. The photoresist laminated on the upper surface of the thin metal plate 11 is partially cured by lithography. The lithography process is performed by firstly forming, on the upper surface of the photoresist, a portion of the upper surface of the thin metal plate 11, (Photopolymerization) is performed by ultraviolet ray exposure, and when the photomask is shaped into a developer, ultraviolet rays are irradiated to the photomask to remove the portion corresponding to the hole forming position, A through hole 21 is formed in the upper surface of the thin plate 10 at a position corresponding to the hole forming position The Rai film 20 is formed.

다음은 a-4)단계로, 상기 드라이 필름(20)의 관통공(21)을 통해 제1전해가공을 실시하여, 금속 박판(10)의 상면 중, 홀 형성위치에 대응하는 부분에 딤플(11)을 형성한다.Next, the first electrolytic processing is performed through the through holes 21 of the dry film 20 in the step a-4) to form dimples (not shown) on portions of the upper surface of the thin metal plate 10 corresponding to the hole forming positions 11).

이때 실시되는 제1전해가공은 상기 딤플(11)을 가공할 시 전해액으로 염화나트륨, 질산나트륨 용액을 사용하고, 상기 딤플(11)만 금속 박막(10)의 표면에 생길 뿐 언더컷 현상이 생기지 않는 조건으로 전해가공을 진행하는 것이 바람직하다.In the first electrolytic processing performed at this time, sodium chloride and sodium nitrate solution are used as an electrolytic solution when the dimples 11 are processed, and under the condition that only the dimples 11 are formed on the surface of the metal thin film 10 but the undercut phenomenon does not occur It is preferable to carry out electrolytic processing.

또한, 전해가공 중에 전극과 금속 박판의 간극을 일정하게 유지하여 균일한 깊이의 딤플(11) 가공이 진행되도록 하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to maintain the gap between the electrode and the thin metal plate constant during the electrolytic processing so that the dimple 11 having a uniform depth is processed.

따라서 상기한 과정으로, a)단계인 금속 박판(10) 상면 중, 홀 가공위치와 대응하는 부분에 딤플(11)을 형성하는 단계가 달성된다.Accordingly, the step of forming the dimples 11 in the portion corresponding to the hole machining position in the upper surface of the thin metal plate 10, which is the step a), is achieved by the above-described process.

그리고 b)단계인 상기 금속 박판(10)의 상면에 형성된 딤플(11)에 피디엠에스-마스킹(PDMS-Masking)을 형성하면서 상기 딤플(11)을 제외한 부분에 부동태화 처리하는 단계를 살펴보면, 먼저 b-1)단계로, 상기 드라이 필름(20)의 관통홀(21)에 피디엠에스(PDMS: polydimethylsiloxane)을 충진하여 피디엠에스-마스킹(PDMS-Masking: 30)을 형성한다.In the step of forming the PDMS masking on the dimple 11 formed on the upper surface of the thin metal plate 10 in the step b), the passivation treatment is performed on the part excluding the dimples 11 (PDMS-masking) 30 is formed by filling a through hole 21 of the dry film 20 with PDMS (polydimethylsiloxane) in the step b-1).

다음은 b-2)단계로, 상기 금속 박판(10)의 상면에 형성된 드라이 필름(20)을 제거한다.Next, in step b-2), the dry film 20 formed on the upper surface of the thin metal plate 10 is removed.

이때 상기 드라이 필름(20)의 제거는 현상액으로 용해 시켜 제거하게 되는데, 상기 금속 박판(10)의 상면에 형성된 딤플(11)의 상면에 피디엠에스-마스킹(30)만 존재하게 된다.At this time, the removal of the dry film 20 is dissolved by developing solution, and only the PDMS masking 30 is present on the upper surface of the dimple 11 formed on the upper surface of the thin metal plate 10.

다음은 b-3)단계로, 상기 드라이 필름(20)을 제거하면서 노출된 금속 박판(10)의 상면을 부동태화 처리한다.Next, in step b-3), the upper surface of the exposed thin metal plate 10 is passivated while the dry film 20 is removed.

이때 상기 드라이 필름(20)의 용해 두께를 제어하여, 상기 드라이 필름(20)이 제거됨에 따라 노출되는 금속 박판(10)의 상면이 부동태화 처리되도록 한다.At this time, the dissolution thickness of the dry film (20) is controlled so that the upper surface of the thin metal plate (10) exposed as the dry film (20) is removed is passivated.

여기서 상기 부동태화 처리는 PDMS의 충진과 드라이 필름 제거가 완료된 금속 박판(10)을 산성 용액에 침지시키면서, 전압장치의 양극에 상기 금속 박판(10)을 연결하고, 음극에는 메탈 재질의 전극을 연결하여 전류를 흘려줌으로써, 상기 드라이 필름(20) 제거로 노출된 금속 박판(10)의 표면에 부동태화 처리가 진행된다.In the passivation treatment, the thin metal plate 10, which has been filled with PDMS and removed the dry film, is immersed in an acidic solution, the thin metal plate 10 is connected to the positive electrode of the voltage device, and a metal electrode is connected to the negative electrode The passivation treatment is performed on the surface of the thin metal plate 10 exposed by the removal of the dry film 20.

따라서 상기한 과정으로, b)단계인 상기 금속 박판(10)의 상면에 형성된 딤플(11)에 피디엠에스-마스킹(PDMS-Masking)을 형성하면서 상기 딤플(11)을 제외한 부분에 부동태화 처리하는 단계가 달성된다.Accordingly, the PDMS-masking is formed on the dimple 11 formed on the upper surface of the metal thin plate 10, which is the step b), and the passivation treatment is performed on the portion except the dimple 11 Step is achieved.

그리고 c)단계인 상기 딤플(11)에 형성된 피디엠에스-마스킹(30)을 제거하는 단계를 실시한다.And removing the PDMS masking (30) formed on the dimples (11) as step c).

이때 제거되는 피디엠에스-마스킹(30)은 물리적으로 제거하여, 상기 딤플(11)이 노출된다.At this time, the removed PDMS mask 30 is physically removed, and the dimples 11 are exposed.

그리고 d)단계인 상기 딤플(11)에 제2전해가공을 실시하여, 상기 금속 박판(10)에 홀을 형성한다.Then, a second electrolytic processing is performed on the dimples 11 as steps d) to form holes in the thin metal plate 10.

이때 제2전해가공은 전해액으로 염화나트륨, 질산나트륨 용액을 사용하고, 부동태화 처리가 된 상기 금속 박판(10) 부분이 전해 가공이 진행되지 않는 작은 전류를 이용하여, 가공을 진행하는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the second electrolytic processing uses sodium chloride and sodium nitrate solution as the electrolytic solution, and the processing is performed using a small electric current in which the portion of the metal thin plate 10 subjected to the passivation treatment does not progress electrolytic processing.

또한, 가공 중에 전극과 금속 박판(10)의 간극을 일정하게 유지하여 가공에서 용출된 메탈 이온과 기포의 제거가 원활하여 균일한 가공이 진행되도록 한다. In addition, during machining, the gap between the electrode and the thin metal plate 10 is kept constant, so that the removal of metal ions and bubbles released during machining is smooth and uniform machining proceeds.

상기한 제2전해가공의 실시로 딤플에 형성되는 홀은 부동태화 처리를 진행하지 않은 전해가공과 비교하였을 때 언더컷 현상이 현저하게 감소하여 원하는 홀 크기를 제어하기에 용이하다. The hole formed in the dimple by the above-described second electrolytic processing is significantly easier to control the desired hole size when the undercut phenomenon is significantly reduced when compared with electrolytic processing in which the passivation treatment is not performed.

그리고 부동태화 처리를 진행하지 않고 전해가공 홀 가공을 진행할 시, 가공깊이의 증가에 따라 언더컷이 증가하였으나, 상기 드라이 필름 제거 시, 실시되는 부동태화 처리로 제2전해가공에 대한 언더컷 현상이 현저히 줄어, 홀 사이즈 및 언더컷을 균일하게 제어하여 전체 가공영역의 가공이 균일하게 진행될 수 있다.When the electrolytic machining hole is processed without proceeding with the passivation treatment, the undercut is increased with the increase of the machining depth. However, when the dry film is removed, the undercut phenomenon for the second electrolytic machining is significantly reduced , The hole size and the undercut are uniformly controlled, so that the machining of the entire machining area can proceed uniformly.

본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

10: 금속 박판
11: 딤플
12: 홀
20: 드라이 필름
21: 관통홀
30: 피디엠에스-마스킹(PDMS-Masking)10: metal sheet
11: dimple
12: Hall
20: Dry film
21: Through hole
30: PDMS-Masking (PDMS-Masking)

Claims (4)

a)금속 박판 상면 중, 홀 가공위치와 대응하는 부분에 딤플을 형성하는 단계;
b)상기 금속 박판의 상면에 형성된 딤플에 마스킹(Masking)을 형성하면서 상기 딤플을 제외한 부분에 부동태화 처리하는 단계;
c)상기 딤플에 형성된 마스킹(Masking)을 제거하는 단계; 및
d)상기 딤플에 제2전해가공을 실시하여, 상기 금속 박판에 홀을 형성하는 단계;를 포함하는 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법.
a) forming a dimple on a portion of the upper surface of the thin metal plate corresponding to the hole machining position;
b) forming a mask on the dimple formed on the upper surface of the thin metal plate, and passivating the thin metal plate except for the dimple;
c) removing masking formed on the dimples; And
and d) subjecting the dimples to a second electrolytic processing to form holes in the thin metal plate.
청구항 1에 있어서,
상기 a)단계인 금속 박판 상면 중, 홀 가공위치와 대응하는 부분에 딤플을 형성하는 단계는,
a-1)금속 박판을 준비하는 단계와;
a-2)준비된 금속 박판의 상면에 포토레지스트(Photoresist)를 라미네이팅하는 단계와;
a-3)상기 포토레지스트에 리소그래피를 실시하여, 홀 형성위치에 대응하는 지점에 관통공이 형성된 드라이 필름을 형성하는 단계와;
a-4)상기 드라이 필름의 관통공을 통해 제1전해가공을 실시하여, 금속 박판의 상면 중, 홀 형성위치에 대응하는 부분에 딤플을 형성하는 단계;를 포함하는 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법.
The method according to claim 1,
The step of forming the dimples in the portion corresponding to the hole machining position of the upper surface of the metal thin plate,
a-1) preparing a thin metal plate;
a-2) laminating a photoresist on the upper surface of the prepared metal thin plate;
a-3) performing lithography on the photoresist to form a dry film having a through-hole formed at a position corresponding to the hole-forming position;
a) forming a dimple on a portion of the upper surface of the thin metal plate corresponding to the hole forming position by performing a first electrolytic processing through the through hole of the dry film; Processing method.
청구항 2에 있어서,
상기 b)단계의 상기 금속 박판의 상면에 형성된 딤플에 피디엠에스-마스킹(PDMS-Masking)을 형성하면서 상기 딤플을 제외한 부분에 부동태화 처리하는 단계는,
b-1)상기 드라이 필름의 관통홀에 피디엠에스(PDMS: polydimethylsiloxane)을 충진하여 마스킹(Masking)을 형성하는 단계와;
b-2)상기 금속 박판의 상면에 형성된 드라이 필름을 제거하는 단계와;
b-3)상기 드라이 필름을 제거하면서 노출된 금속 박판의 상면을 부동태화 처리하는 단계를 포함하는 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법.
The method of claim 2,
The step of forming the PDMS-masking on the dimple formed on the upper surface of the thin metal plate in the step b), while passivating the part except the dimple,
b-1) filling the through holes of the dry film with polydimethylsiloxane (PDMS) to form masking;
b-2) removing the dry film formed on the upper surface of the metal thin plate;
b-3) Passively treating the exposed upper surface of the thin metal plate while removing the dry film.
청구항 3에 있어서,
상기 부동태화 처리는
상기 드라이 필름이 제거된 금속 박판의 일측에 전압장치의 양극을 연결하고, 산성용액에 침지시키면서 상기 전압장치의 음극을 메탈 재질로 이루어진 전극에 연결한 후, 전류를 흘려 처리하는 것을 특징으로 하는 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법.The method of claim 3,
The passivation process
Connecting the anode of the voltage device to one side of the thin metal plate from which the dry film has been removed, and connecting the cathode of the voltage device to the electrode made of a metal material while immersing it in an acidic solution, A method of machining a metal foil hole by machining.
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