KR101969024B1 - 섬광체 구조 및 그 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 엑스선 영상 검출기 - Google Patents

섬광체 구조 및 그 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 엑스선 영상 검출기 Download PDF

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Abstract

복수의 이미지 센서 픽셀을 포함하는 이미지 센서 어레이를 구비하는 엑스선 영상 검출기의 섬광체 구조는, 상기 이미지 센서 어레이 상의 공간이 상기 개별 이미지 센서 픽셀 별로 구획되어 복수의 섬광체 셀을 형성하도록 상기 이미지 센서 픽셀들의 경계 영역을 따라 형성되는 격벽, 그리고 상기 개별 섬광체 셀에 각각 채워지는 섬광체를 포함한다.

Description

섬광체 구조 및 그 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 엑스선 영상 검출기{Scintillator structure, method for forming same, and X-ray imaging detector including same}
본 발명은 엑스선(X-ray) 영상 검출기에 사용되는 섬광체 구조 및 그 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 엑스선 영상 검출기에 관한 것이다.
엑스선 영상 검출기는 엑스선의 투과 성질을 이용하여 신체나 물체 내부의 영상을 검출하는 장치이며, 의료용 영상 및 비파괴 검사용 영상 등의 검출을 위해 널리 사용되고 있다.
과거에 필름 방식의 엑스선 영상 검출기가 많이 사용되었으나, 최근에는 디지털 엑스선 영상 검출기가 많이 사용되고 있다. 디지털 엑스선 영상 검출기는 간접방식과 직접방식으로 구분될 수 있는데, 간접방식의 엑스선 영상 검출기는 엑스선을 흡수하여 가시광선을 생성하는 섬광체(scintillator)와 이 섬광체에 의해 발생한 가시광선을 전기적인 신호로 변환하는 이미지 센서를 포함한다. 반면, 직접방식의 엑스선 영상 검출기는 엑스선을 가시광선으로 변환하지 않고 광도전체(PCL)에 의해 생성되는 전하를 감지하는 이미지 센서를 포함한다.
엑스선이 피검체를 통과하는 과정 및 가시광선이 생성되는 과정에서 필연적으로 퍼짐 현상이 발생하며 이러한 엑스선에 의해 검출되는 영상의 선명도가 저하될 수 있고 정확한 영상이 검출되지 못할 수도 있다.
광 퍼짐을 줄이기 위한 한 방법으로 엑스선 그리드를 사용하는 방법이 소개되었다. 일반적으로 엑스선 그리드는 엑스선을 흡수하는 물질로 된 흡수 스트립과 엑스선을 투과시키는 물질로 된 투과 스트립이 교대로 배치된 격자 모양의 평판 구조를 가진다. 이러한 엑스선 그리드를 섬광체의 전방에 배치함으로써 광 퍼짐을 방지한다. 그런데 이러한 방식에서는 엑스선 그리드가 섬광체와 분리되어 있기 때문에, 엑스선 그리드를 통과한 엑스선이 공기 중에서 손실될 수 있는 문제가 있었다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 대한민국 공개특허공보 제10-2014-0046939호에서는 엑스선 그리드와 섬광체를 일체형으로 형성하는 방식이 소개되었다. 이 방식에서는 엑스선을 흡수하는 물질로 형성되는 플레이트에 복수의 관통공을 형성하고 이 관통공에 섬광체를 형성하였다. 그러나 이러한 방식은 섬광체를 플레이트 형태로 별도로 제조한 후 센서 어레이 기판에 접합하는 방식을 취하기 때문에, 접합되는 기판 간의 온도 특성의 차이에 의해 셀 간 매칭이 어려워 센서 어레이의 셀의 크기보다 작은 간격으로 격벽을 만들어야 하므로 대형화가 어렵고 광 퍼짐이 발생할 수 있는 여지가 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2014-0046939호(공개일: 2014년04월21일) 대한민국 공개특허공보 제10-2014-0012728호(공개일: 2014년02월03일) 대한민국 등록특허공보 제10-1621387호(공고일: 2016년05월10일)
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 대형화가 용이하고 광 퍼짐을 보다 효과적으로 방지할 수 있는 섬광체 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 의한 복수의 이미지 센서 픽셀을 포함하는 이미지 센서 어레이를 구비하는 엑스선 영상 검출기의 섬광체 구조는, 상기 이미지 센서 어레이 상의 공간이 상기 개별 이미지 센서 픽셀 별로 구획되어 복수의 섬광체 셀을 형성하도록 상기 이미지 센서 픽셀들의 경계 영역을 따라 형성되는 격벽, 그리고 상기 개별 섬광체 셀에 각각 채워지는 섬광체를 포함한다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 엑스선 영상 검출기는 엑스선을 발산하는 엑스선원, 상기 엑스선원에서 발산된 후 피검체를 통과한 엑스선을 가시광선으로 변환하는 섬광체 구조, 그리고 복수의 이미지 센서 픽셀을 포함하며 상기 섬광체 구조에서 출력되는 가시광선을 수신하여 해당하는 전기 신호를 생성하는 이미지 센서 어레이를 포함한다. 상기 섬광체 구조는 상기 이미지 센서 어레이 상의 공간이 상기 개별 이미지 센서 픽셀 별로 구획되어 복수의 섬광체 셀을 형성하도록 상기 이미지 센서 픽셀들의 경계 영역을 따라 형성되는 격벽, 그리고 상기 개별 섬광체 셀에 각각 채워지는 섬광체를 포함한다.
상기 격벽은 가시광선을 투과시키지 않는 재질로 형성될 수 있다.
상기 격벽의 표면에는 가시광선을 반사시키는 반사 막이 형성될 수 있다.
상기 격벽은 가시광선을 반사시키는 안료가 혼합된 수지 재질로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 섬광체 구조는 상기 섬광체의 상면을 덮도록 형성되며 엑스선을 통과시키고 가시광선을 반사시키는 재질로 형성되는 반사 층을 더 포함할 수 있다.
상기 격벽은 상기 이미지 센서 어레이에서 멀어지는 쪽으로 갈수록 폭이 점차 감소하도록 형성될 수 있다.
상기 격벽은 상기 이미지 센서 어레이의 상면을 덮는 수지 층을 식각하여 형성될 수 있다.
상기 섬광체는 상기 섬광체 셀을 채우고 상기 격벽의 상부를 덮도록 형성될 수 있다.
상기 격벽은 이웃하는 섬광체 셀을 연통시키는 연결 통로를 형성할 수 있다. 상기 연결 통로는 상기 격벽의 상단에서 하단까지 부분적으로 제거되어 형성될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 복수의 이미지 센서 픽셀을 포함하는 이미지 센서 어레이를 구비하는 엑스선 영상 검출기의 섬광체 구조를 형성하는 방법은, 상기 이미지 센서 어레이 상에 수지 층을 형성하는 단계, 상기 수지 층을 부분적으로 제거하여 상기 이미지 센서 어레이 상의 공간이 상기 개별 이미지 센서 픽셀 별로 구획되어 복수의 섬광체 셀을 형성하는 격벽을 형성하는 단계, 그리고 상기 복수의 섬광체 셀에 섬광체를 각각 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 섬광체 형성 방법은 상기 격벽의 표면에 가시광선을 반사시키는 반사 막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 섬광체 형성 방법은 엑스선을 투과시키고 가시광선을 반사시키는 반사 층을 상기 섬광체의 표면에 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 이미지 센서 어레이는 기판, 상기 기판 상에 형성되는 이미지 센서 어레이 및 포토 다이오드, 상기 이미지 센서 어레이 및 상기 포토 다이오드를 덮는 제1 절연 층, 상기 제1 절연 층을 덮어 평탄화시키는 제1 평탄화 층, 상기 제1 평탄화 층의 상부에 형성되는 신호선, 상기 신호선을 덮는 제2 절연 층, 그리고 상기 제2 절연 층을 덮어 평탄화시키는 제2 평탄화 층을 포함할 수 있으며, 이때 상기 수지 층은 상기 제2 평탄화 층 상에 형성될 수 있다.
한편, 다른 실시예에 따르면, 상기 이미지 센서 어레이는 기판, 상기 기판 상에 형성되는 이미지 센서 어레이 및 포토 다이오드, 상기 이미지 센서 어레이 및 상기 포토 다이오드를 덮는 제1 절연 층, 상기 제1 절연 층을 덮어 평탄화시키는 제1 평탄화 층, 상기 제1 평탄화 층의 상부에 형성되는 신호선, 그리고 상기 신호선을 덮는 제2 절연 층을 포함할 수 있으며, 이때 상기 수지 층은 상기 제2 절연 층 상에 형성될 수 있다.
본 발명에 의하면, 격벽에 의해 이미지 센서 어레이의 개벽 이미지 센서 픽셀에 대응하는 섬광체 셀이 형성되고 이 섬광체 셀에 섬광체가 각각 형성됨으로써, 엑스선 및 가시광선의 퍼짐에 의한 부작용이 방지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 섬광체 구조가 적용된 엑스선 영상 검출기의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 엑스선 영상 검출기의 이미지 센서 어레이와 섬광체 구조의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 섬광체 구조의 격벽을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 섬광체 구조를 형성하기 위한 과정을 차례로 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 섬광체 구조의 격벽을 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 엑스선 영상 검출기의 이미지 센서 어레이와 섬광체 구조의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 엑스선 영상 검출기의 이미지 센서 어레이와 섬광체 구조의 단면도이다.
도 8은 도 7의 섬광체 구조를 형성하기 위한 과정을 차례로 보여주는 도면이다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 엑스선 영상 검출기는 엑스선원(10), 섬광체 구조(20) 그리고 이미지 센서 어레이(30)를 포함한다.
엑스선원(10)은 엑스선을 발생시키며, 섬광체 구조(20)는 엑스선원(10)에서 발산되어 피검체(100)를 통과한 엑스선을 흡수하여 가시광선을 발생시킨다. 이미지 센서 어레이(30)는 섬광체 구조(20)에서 방출되는 가시광선을 흡수하여 해당하는 전기 신호를 생성한다. 한편, 도면에는 도시되지 않았으나, 이미지 센서 어레이(30)의 전기 신호를 처리하여 영상을 획득하는 신호처리장치가 더 구비될 수 있다.
이미지 센서 어레이(30)는 복수의 이미지 센서 픽셀로 이루어지며, 도 2는 이미지 센서 어레이(30)를 구성하는 복수의 이미지 센서 픽셀 중 하나의 이미지 센서 픽셀을 보여준다. 각 이미지 센서 픽셀은 가시광선을 전기 신호로 변환하는 포토 다이오드(31) 및 이에 연결되어 전기 신호를 생성하는 박막 트랜지스터(32)를 포함할 수 있다. 또한 박막 트랜지스터(32)의 전기 신호의 전송을 위한 데이터 라인과 게이트 라인이 구비될 수 있다. 이러한 박막 트랜지스터(32)의 구조는 액정 표시 장치에 사용되는 박막 트랜지스터 구조와 동일하게 구성될 수 있다.
예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 유리 재질의 기판(33) 상에 박막 트랜지스터(32)와 포토 다이오드(31)가 차례로 형성될 수 있으며, 박막 트랜지스터(32)와 포토 다이오드(31)를 덮는 수지 층(34)이 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 섬광체 구조(20)가 별도의 부재로 형성되어 이미지 센서 어레이(30) 상에 부착되는 것이 아니라 식각 등의 공정을 통해 이미지 센서 어레이(30) 상에 직접 일체로 형성된다.
섬광체 구조(20)는 격벽(21)과 섬광체(22)를 포함한다. 격벽(21)은 이미지 센서 어레이(30)의 이미지 센서 픽셀들의 경계 영역을 따라 형성된다. 예를 들어, 복수의 이미지 센서 픽셀들은 가로 및 세로 방향으로 일정 간격을 두고 격자 형태로 배열될 수 있으며, 이웃하는 이미지 센서 픽셀들 사이의 간격에 의해 형성되는 경계 영역에 격벽(21)이 형성된다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 각 이미지 센서 픽셀은 사각형의 형상을 가질 수 있으며, 격벽(21)은 사각형의 이미지 센서 픽셀 위의 공간을 둘러싸는 형태로 형성될 수 있다. 이때, 도 2에 도시된 바와 같이, 격벽(21)은 이미지 센서 어레이(30) 상에 일정한 높이를 갖도록 형성될 수 있다.
구체적으로, 이미지 센서 어레이(30)는 박막 트랜지스터(32)와 포토 다이오드(31)의 덮는 제1 절연 층(34), 그리고 제1 절연 층(34)의 상면을 덮어 평탄화하는 제1 평탄화 층(35)을 포함할 수 있다. 나아가 이미지 센서 어레이(30)는 포토 다이오드(31)에 연결되어 전원을 인가할 수 있도록 구성되는 바이어스 라인(bias line)(36), 그리고 박막 트랜지스터(32)의 상부에 배치되어 박막 트랜지스터(32)로 가시광선이 바로 유입되는 것을 차단하는 차폐 막(39)을 더 포함할 수 있다. 바이어스 라인(36)과 차폐 막(39)을 제1 평탄화 층(35)를 관통하거나 그 위에 형성될 수 있다. 그리고 이미지 센서 어레이(30)는 바이어스 라인(36)과 차폐 막(36)을 덮는 제2 절연 층(37), 그리고 제2 절연 층(37)의 상면을 덮어 평탄화하는 제2 평탄화 층(38)을 포함할 수 있다. 이때, 도 2에 도시된 바와 같이, 격벽(21)은 제2 평탄화 층(38) 상에 형성될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 섬광체(22)는 격벽(21)에 의해 형성되는 섬광체 셀(25)을 채우도록 형성된다. 이에 의해 섬광체(22)로 흡수된 엑스선을 가시광선으로 변환된 후 이미지 센서 어레이(30)의 포토 다이오드(31)로 유입된다. 예를 들어, 섬광체(22)는 엑스선을 흡수하여 가시광선을 생성하는 종래에 알려진 유기/무기 물질로 형성될 수 있다.
격벽(21)은 가시광선을 투과시키지 않는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 불소수지로 형성될 수 있다. 예를 들어, 격벽(21)은 이미지 센서 어레이(30) 상면에 형성되는 수지 층을 식각하여 형성될 수 있으며, 이에 대해서는 뒤에서 다시 설명한다. 이미지 센서 어레이(30)의 개별 이미지 센서 픽셀 상의 공간을 격벽(21)에 의해 개별 섬광체 셀로 구획하고 여기에 개별 섬광체(22)가 채워지기 때문에, 각 섬광체 셀에 형성된 섬광체(22)에 의해 발생된 가시광선이 개별 이미지 센서 픽셀 상의 공간 별로 분리되어 반사 및 진행하게 된다.
도 2를 참조하면, 격벽(21)은 이미지 센서 어레이(30)에서 멀어지는 쪽(즉, 도 2에서 상단 쪽)으로 갈수록 폭이 점차 감소하도록 형성될 수 있다. 이에 의해 엑스선이 유입되는 쪽의 격벽(21)의 폭이 감소하므로, 엑스선이 유입되는 섬광체(22)의 표면의 면적이 증가할 수 있다.
격벽(21)의 표면에는 가시광선을 반사시키는 반사 막(23)이 형성될 수 있다. 또한 섬광체(22)의 상면을 덮는 반사 층(24)이 형성될 수 있다. 반사 층(24)은 가시광선을 반사하고 엑스선을 투과시키는 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 반사 층(24)은 막이나 시트의 형태를 가질 수 있고, 알루미늄 또는 카본으로 형성될 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 실시예에서는 격벽의 표면에 반사 막을 형성하는 대신에 격벽을 형성하는 수지에 가시광선의 반사를 위한 백색 안료를 혼합한 물질로 형성할 수 있으며, 이에 의해 격벽에 의한 가시광선의 반사 기능을 달성될 수 있다.
이러한 구성에 의해, 각 섬광체 셀에 채워지는 섬광체(22)에 의해 발생된 가시광선이 그 아래에 위치하는 이미지 센서 어레이(30)의 개별 픽셀로 모두 유입될 수 있다.
이하에서 첨부된 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 섬광체 구조를 형성하는 방법에 대해 설명한다.
도 4의 (a)는 이미지 센서 어레이(30)를 보여주며, 먼저 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이 이미지 센서 어레이(30)의 제2 평탄화 층(38) 위에 격벽(21)을 형성하기 위한 수지 층(210)이 형성된다. 그리고 나서 수지 층(210)을 부분적으로 식각하여 도 4의 (c)에 도시된 바와 같은 격벽(21)을 형성한다. 그리고 나서, 도 4의 (d)에 도시된 바와 같이, 격벽(21)의 표면에 반사 막(23)을 형성한다. 예를 들어, 반사 막(23)을 형성하기 위한 금속 층을 격벽(21) 및 제2 평탄화 층(38)의 노출된 상면 전체에 형성한 후 금속 층을 부분적으로 제거하여 격벽(21)의 표면에 반사 막(23)을 형성할 수 있다. 그리고 나서 도 4의 (e)에 도시된 바와 같이 격벽(21)에 의해 형성된 섬광체 셀에 섬광체(22)를 형성한다. 그리고 나서 도 4의 (f)에 도시된 바와 같이 섬광체(22)의 상면에 반사 층(24)을 형성한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 섬광체 구조의 격벽을 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 격벽(121)은 이웃하는 섬광체 셀을 연결하는 연결 통로(122)를 형성한다. 도면에 도시된 바와 같이, 연결 통로(122)는 격벽(121)의 상단에서 하단까지 부분적으로 제거되어 형성될 수 있다. 격벽(121)의 일부가 제거되어 연결 통로(122)를 형성하기 때문에, 섬광체(22)를 형성하는 과정에서 섬광체를 형성하기 위한 용융 상태의 물질이 연결 통로(122)를 통하여 이동할 수 있게 때문에, 섬광체(22)를 형성이 용이해진다. 또한 평판 상태의 이미지 센서 어레이(30)와 그에 형성된 섬광체 구조(20)를 휘어서 곡면 형태의 엑스선 영상 검출기를 형성하는 경우, 격벽(22)의 제거된 부분이 존재하기 때문에 보다 쉽게 휘어질 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 엑스선 영상 검출기의 이미지 센서 어레이와 섬광체 구조를 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 앞에서 설명된 실시예와는 달리 섬광체(122)가 격벽(21)의 상단과 동일한 높이로 채워지는 것이 아니라, 격벽(21)에 의해 형성되는 섬광체 셀을 채우고 다시 격벽(21)의 상부를 덮도록 형성된다. 이러한 구조에 의해 격벽(21)의 상부에도 섬광체(22)가 존재하기 때문에, 엑스선의 유입 면적이 최대로 확대될 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 엑스선 영상 검출기의 이미지 센서 어레이와 섬광체 구조를 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 도 2의 실시예와는 달리, 제2 절연 층(37)을 덮는 제2 평탄화 층이 없고 제2 절연 층(37) 상에 격벽(21)이 바로 형성된다.
첨부된 도 8을 참조하여 도 7의 섬광체 구조를 형성하는 방법에 대해 설명한다. 도 8의 (a)는 이미지 센서 어레이(30)를 보여주며, 이때, 제2 절연 층(37)이 최상부에 노출되어 있다. 먼저, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이 이미지 센서 어레이(30)의 제2 절연 층(37) 위에 격벽(21)을 형성하기 위한 수지 층(210)이 형성된다. 그리고 나서 수지 층(210)을 부분적으로 식각하여 도 8의 (c)에 도시된 바와 같은 격벽(21)을 형성한다. 그리고 나서, 도 8의 (d)에 도시된 바와 같이, 격벽(21)의 표면에 반사 막(23)을 형성한다. 예를 들어, 반사 막(23)을 형성하기 위한 금속 층을 격벽(21) 및 제2 절연 층(37)의 노출된 상면 전체에 형성한 후 금속 층을 부분적으로 제거하여 격벽(21)의 표면에 반사 막(23)을 형성할 수 있다. 그리고 나서 도 8의 (e)에 도시된 바와 같이 격벽(21)에 의해 형성된 섬광체 셀에 섬광체(22)를 형성한다. 그리고 나서 도 8의 (f)에 도시된 바와 같이 섬광체(22)의 상면에 반사 층(24)을 형성한다.
이상에서 본 발명의 실시예를 설명하였으나, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 아니하며 본 발명의 실시예로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 용이하게 변경되어 균등한 것으로 인정되는 범위의 모든 변경 및 수정을 포함한다.
10: 엑스선원
20: 섬광체 구조
21, 121: 격벽
122: 연결 통로
22, 222: 섬광체
23: 반사 막
24: 반사 층
30: 이미지 센서 어레이
31: 포토 다이오드
32: 박막 트랜지스터
33: 기판
34: 제1 절연 층
35: 제1 평탄화 층
36: 신호선
37: 제2 절연 층
38: 제2 평탄화 층

Claims (29)

  1. 복수의 이미지 센서 픽셀을 포함하는 이미지 센서 어레이를 구비하는 엑스선 영상 검출기의 섬광체 구조로서,
    상기 이미지 센서 어레이 상의 공간이 상기 개별 이미지 센서 픽셀 별로 구획되어 복수의 섬광체 셀을 형성하도록 상기 이미지 센서 픽셀들의 경계 영역을 따라 형성되는 격벽, 그리고
    상기 개별 섬광체 셀에 각각 채워지는 섬광체를 포함하고,
    상기 섬광체는 상기 섬광체 셀을 채우고 상기 격벽의 상부를 덮도록 형성되는 섬광체 구조.
  2. 제1항에서,
    상기 격벽은 가시광선을 투과시키지 않는 재질로 형성되는 섬광체 구조.
  3. 제2항에서,
    상기 격벽의 표면에는 가시광선을 반사시키는 반사 막이 형성되는 섬광체 구조.
  4. 제2항에서,
    상기 격벽은 가시광선을 반사시키는 안료가 혼합된 수지 재질로 형성되는 섬광체 구조.
  5. 제1항에서,
    상기 섬광체의 상면을 덮도록 형성되며 엑스선을 통과시키고 가시광선을 반사시키는 재질로 형성되는 반사 층을 더 포함하는 섬광체 구조.
  6. 제1항에서,
    상기 격벽은 상기 이미지 센서 어레이에서 멀어지는 쪽으로 갈수록 폭이 점차 감소하도록 형성되는 섬광체 구조.
  7. 제1항에서,
    상기 격벽은 상기 이미지 센서 어레이의 상면을 덮는 수지 층을 식각하여 형성되는 섬광체 구조.
  8. 삭제
  9. 복수의 이미지 센서 픽셀을 포함하는 이미지 센서 어레이를 구비하는 엑스선 영상 검출기의 섬광체 구조로서,
    상기 이미지 센서 어레이 상의 공간이 상기 개별 이미지 센서 픽셀 별로 구획되어 복수의 섬광체 셀을 형성하도록 상기 이미지 센서 픽셀들의 경계 영역을 따라 형성되는 격벽, 그리고
    상기 개별 섬광체 셀에 각각 채워지는 섬광체를 포함하고,
    상기 격벽은 이웃하는 섬광체 셀을 연통시키는 연결 통로를 형성하는 섬광체 구조.
  10. 제9항에서,
    상기 연결 통로는 상기 격벽의 상단에서 하단까지 부분적으로 제거되어 형성되는 섬광체 구조.
  11. 엑스선을 발산하는 엑스선원,
    상기 엑스선원에서 발산된 후 피검체를 통과한 엑스선을 가시광선으로 변환하는 섬광체 구조, 그리고
    복수의 이미지 센서 픽셀을 포함하며 상기 섬광체 구조에서 출력되는 가시광선을 수신하여 해당하는 전기 신호를 생성하는 이미지 센서 어레이를 포함하며,
    상기 섬광체 구조는
    상기 이미지 센서 어레이 상의 공간이 상기 개별 이미지 센서 픽셀 별로 구획되어 복수의 섬광체 셀을 형성하도록 상기 이미지 센서 픽셀들의 경계 영역을 따라 형성되는 격벽, 그리고
    상기 개별 섬광체 셀에 각각 채워지는 섬광체를 포함하고,
    상기 섬광체는 상기 섬광체 셀을 채우고 상기 격벽의 상부를 덮도록 형성되는
    엑스선 영상 검출기.
  12. 제11항에서,
    상기 격벽은 가시광선을 투과시키지 않는 재질로 형성되는 엑스선 영상 검출기.
  13. 제12항에서,
    상기 격벽의 표면에는 가시광선을 반사시키는 반사 막이 형성되는 엑스선 영상 검출기.
  14. 제12항에서,
    상기 격벽은 가시광선을 반사시키는 안료가 혼합된 수지 재질로 형성되는 엑스선 영상 검출기.
  15. 제11항에서,
    상기 섬광체 구조는 상기 섬광체의 상면을 덮도록 형성되며 엑스선을 통과시키고 가시광선을 반사시키는 재질로 형성되는 반사 층을 더 포함하는 엑스선 영상 검출기.
  16. 제11항에서,
    상기 격벽은 상기 이미지 센서 어레이에서 멀어지는 쪽으로 갈수록 폭이 점차 감소하도록 형성되는 엑스선 영상 검출기.
  17. 제11항에서,
    상기 격벽은 상기 이미지 센서 어레이의 상면을 덮는 수지 층을 식각하여 형성되는 엑스선 영상 검출기.
  18. 삭제
  19. 엑스선을 발산하는 엑스선원,
    상기 엑스선원에서 발산된 후 피검체를 통과한 엑스선을 가시광선으로 변환하는 섬광체 구조, 그리고
    복수의 이미지 센서 픽셀을 포함하며 상기 섬광체 구조에서 출력되는 가시광선을 수신하여 해당하는 전기 신호를 생성하는 이미지 센서 어레이를 포함하며,
    상기 섬광체 구조는
    상기 이미지 센서 어레이 상의 공간이 상기 개별 이미지 센서 픽셀 별로 구획되어 복수의 섬광체 셀을 형성하도록 상기 이미지 센서 픽셀들의 경계 영역을 따라 형성되는 격벽, 그리고
    상기 개별 섬광체 셀에 각각 채워지는 섬광체를 포함하며,
    상기 격벽은 이웃하는 섬광체 셀을 연통시키는 연결 통로를 형성하는 엑스선 영상 검출기.
  20. 제19항에서,
    상기 연결 통로는 상기 격벽의 상단에서 하단까지 부분적으로 제거되어 형성되는 엑스선 영상 검출기.
  21. 복수의 이미지 센서 픽셀을 포함하는 이미지 센서 어레이를 구비하는 엑스선 영상 검출기의 섬광체 구조를 형성하는 방법으로서,
    상기 이미지 센서 어레이 상에 수지 층을 형성하는 단계,
    상기 수지 층을 부분적으로 제거하여 상기 이미지 센서 어레이 상의 공간이 상기 개별 이미지 센서 픽셀 별로 구획되어 복수의 섬광체 셀을 형성하는 격벽을 형성하는 단계, 그리고
    상기 복수의 섬광체 셀에 섬광체를 각각 형성하는 단계
    를 포함하며,
    상기 섬광체는 상기 섬광체 셀을 채우고 상기 격벽의 상부를 덮도록 형성되는 섬광체 구조 형성 방법.
  22. 제21항에서,
    상기 격벽의 표면에 가시광선을 반사시키는 반사 막을 형성하는 단계를 더 포함하는 섬광체 구조 형성 방법.
  23. 제21항에서,
    엑스선을 투과시키고 가시광선을 반사시키는 반사 층을 상기 섬광체의 표면에 형성하는 단계를 더 포함하는 섬광체 구조 형성 방법.
  24. 제21항에서,
    상기 격벽을 가시광선을 투과시키지 않는 수지 재질로 형성되는 섬광체 구조 형성 방법.
  25. 제24항에서,
    상기 수지 재질은 가시광선을 반사시키기 위한 안료를 함유하는 섬광체 구조 형성 방법.
  26. 복수의 이미지 센서 픽셀을 포함하는 이미지 센서 어레이를 구비하는 엑스선 영상 검출기의 섬광체 구조를 형성하는 방법으로서,
    상기 이미지 센서 어레이 상에 수지 층을 형성하는 단계,
    상기 수지 층을 부분적으로 제거하여 상기 이미지 센서 어레이 상의 공간이 상기 개별 이미지 센서 픽셀 별로 구획되어 복수의 섬광체 셀을 형성하는 격벽을 형성하는 단계, 그리고
    상기 복수의 섬광체 셀에 섬광체를 각각 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 격벽은 이웃하는 섬광체 셀을 연통시키는 연결 통로를 구비하는 섬광체 구조 형성 방법.
  27. 삭제
  28. 제21항에서,
    상기 이미지 센서 어레이는
    기판,
    상기 기판 상에 형성되는 이미지 센서 어레이 및 포토 다이오드,
    상기 이미지 센서 어레이 및 상기 포토 다이오드를 덮는 제1 절연 층,
    상기 제1 절연 층을 덮어 평탄화시키는 제1 평탄화 층,
    상기 제1 평탄화 층의 상부에 형성되는 신호선,
    상기 신호선을 덮는 제2 절연 층, 그리고
    상기 제2 절연 층을 덮어 평탄화시키는 제2 평탄화 층을 포함하고,
    상기 수지 층은 상기 제2 평탄화 층 상에 형성되는 섬광체 구조 형성 방법.
  29. 제21항에서,
    상기 이미지 센서 어레이는
    기판,
    상기 기판 상에 형성되는 이미지 센서 어레이 및 포토 다이오드,
    상기 이미지 센서 어레이 및 상기 포토 다이오드를 덮는 제1 절연 층,
    상기 제1 절연 층을 덮어 평탄화시키는 제1 평탄화 층,
    상기 제1 평탄화 층의 상부에 형성되는 신호선, 그리고
    상기 신호선을 덮는 제2 절연 층을 포함하고,
    상기 수지 층은 상기 제2 절연 층 상에 형성되는 섬광체 구조 형성 방법.
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