KR101966809B1 - Substrate polishing apparatus and substrate polishing method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치는 연마 패드를 갖는 플레이튼; 기판을 흡착하고, 상기 연마 패드에 대해 기판을 가압하는 캐리어 헤드 어셈블리; 및 상기 기판으로 상기 기판 가열을 위한 레이저를 조사하는 레이저 조사기를 포함한다.The present invention relates to a substrate polishing apparatus and a substrate polishing method. Substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention is platen having a polishing pad; A carrier head assembly for adsorbing a substrate and forcing the substrate against the polishing pad; And a laser irradiator for irradiating a laser for heating the substrate onto the substrate.

Description

기판 연마 장치 및 기판 연마 방법{Substrate polishing apparatus and substrate polishing method}Substrate polishing apparatus and substrate polishing method

본 발명은 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate polishing apparatus and a substrate polishing method.

반도체 소자 제조 공정은 웨이퍼 상에 박막층을 형성하는 증착공정과 그 박막층상에 미세한 회로패턴을 형성하기 위한 식각공정을 포함한다. 웨이퍼상에 요구되는 회로패턴이 형성될 때까지 이들 공정은 반복되고, 회로패턴이 형성된 후 웨이퍼의 표면에는 매우 많은 굴곡이 생긴다. 최근 반도체 소자는 고집적화에 따라 그 구조가 다층화되며, 웨이퍼 표면의 굴곡의 수와 이들 사이의 단차는 증가하고 있다. 그러나 웨이퍼 표면의 비평탄화는 포토리소그래피 공정에서 디포커스등의 문제를 발생하므로 웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위해 주기적으로 연마하여야 한다.The semiconductor device manufacturing process includes a deposition process for forming a thin film layer on a wafer and an etching process for forming a fine circuit pattern on the thin film layer. These processes are repeated until the required circuit pattern is formed on the wafer, and after the circuit pattern is formed, a great deal of bending occurs on the surface of the wafer. In recent years, as semiconductor devices become highly integrated, their structures are multilayered, and the number of bends on the surface of the wafer and the steps between them are increasing. However, since unplanarization of the wafer surface causes problems such as defocus in the photolithography process, it is necessary to periodically polish the surface of the wafer to planarize it.

웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위해 다양한 표면 평탄화 기술이 있다. 이중 좁은 영역뿐만 아니라 넓은 영역의 평탄화에 있어서도 우수한 평탄도를 얻을 수 있는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing) 장치가 주로 사용 된다. 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing) 장치는 웨이퍼를 지지한 상태로 연마 패드에 대해 가압하는 캐리어 헤드를 포함한다.There are various surface planarization techniques to planarize the surface of the wafer. Among them, a chemical mechanical polishing apparatus that can obtain excellent flatness not only in narrow areas but also in wide areas is mainly used. Chemical Mechanical Polishing apparatus includes a carrier head that presses against a polishing pad while supporting a wafer.

본 발명은 기판을 효율적으로 연마하는 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate polishing apparatus and a substrate polishing method for efficiently polishing a substrate.

또한, 본 발명은 기판의 연마 처리 공정 시간이 단축되는 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법을 제공하기 위한 것이다.Moreover, this invention is providing the board | substrate grinding apparatus and board | substrate grinding | polishing method which shorten the processing time of a board | substrate polishing process.

본 발명의 일 측면에 따르면, 연마 패드를 갖는 플레이튼; 기판을 흡착하고, 상기 연마 패드에 대해 기판을 가압하는 캐리어 헤드 어셈블리; 및 상기 기판으로 상기 기판 가열을 위한 레이저를 조사하는 레이저 조사기를 포함하는 기판 연마 장치가 제공될 수 있다.According to one aspect of the invention, a platen having a polishing pad; A carrier head assembly for adsorbing a substrate and forcing the substrate against the polishing pad; And a substrate polishing apparatus including a laser irradiator for irradiating a laser for heating the substrate to the substrate can be provided.

또한, 상기 플레이튼은, 상면에 상기 연마 패드가 위치되고, 상기 연마 패드의 아래쪽에 설정 체적의 공간이 형성된 바디를 포함하고, 상기 레이저 조사기는 상기 바디에 형성된 상기 공간에 위치될 수 있다.The platen may include a body having a polishing pad disposed on an upper surface thereof, and a body having a space having a set volume formed below the polishing pad, wherein the laser irradiator may be located at the space formed in the body.

또한, 상기 플레이튼은 회전 가능하게 제공되고, 상기 레이저 조사기는, 상기 플레이튼가 회전될 때, 상기 플레이튼의 회전에 영향을 받지 않고 독립적으로 위치되도록 제공될 수 있다.In addition, the platen may be provided to be rotatable, and the laser irradiator may be provided to be independently positioned without being affected by the rotation of the platen when the platen is rotated.

또한, 상기 레이저 조사기는 길이 방향이 상기 기판의 반경 방향을 향하고 설정 길이 및 설정 폭을 갖는 선형의 레이저를 조사할 수 있다.In addition, the laser irradiator may irradiate a linear laser having a set length and a set width in a longitudinal direction of the substrate.

또한, 상기 기판에 조사된 상기 레이저는 상기 기판의 반경 이상의 길이를 가지고, 일단이 상기 기판의 중심에 위치될 수 있다.In addition, the laser irradiated to the substrate has a length greater than the radius of the substrate, one end may be located in the center of the substrate.

또한, 상기 기판에 조사된 상기 레이저는 상기 기판의 지름 이상의 길이를 가지고, 지름 방향 전체에 걸쳐 위치될 수 있다.In addition, the laser irradiated onto the substrate has a length equal to or greater than the diameter of the substrate and may be located throughout the radial direction.

또한, 상기 레이저는 상기 연마 패드보다 상기 기판의 막질에서의 흡수도가 더 높은 파장을 가질 수 있다.In addition, the laser may have a wavelength of higher absorption in the film quality of the substrate than the polishing pad.

또한, 상기 레이저는 300nm 내지 1070nm의 파장을 가질 수 있다.In addition, the laser may have a wavelength of 300nm to 1070nm.

또한, 상기 레이저 조사기는, 위쪽 방향으로 레이저를 조사하는 조사부; 및 상기 조사부에 결합되고 상기 공간에서 이동 가능하게 제공되는 운동부를 포함할 수 있다.In addition, the laser irradiator, the irradiation unit for irradiating the laser in the upward direction; And an exercise unit coupled to the irradiation unit and provided to be movable in the space.

또한, 상기 연마 패드에 대한 상기 캐리어 헤드 어셈블리의 위치와 상기 레이저 조사기의 위치를 제어하되, 상기 레이저가 조사될 때 상기 조사기와 상기 기판이 상하 방향으로 서로 마주 보도록 하는 제어기를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a controller for controlling the position of the carrier head assembly and the position of the laser irradiator with respect to the polishing pad, wherein the irradiator and the substrate face each other in the vertical direction when the laser is irradiated.

또한, 상기 연마 패드로 세리아를 포함한 슬러리를 공급하는 슬러리 공급 아암을 더 포함할 수 있다.In addition, the polishing pad may further include a slurry supply arm for supplying a slurry including ceria.

또한, 상기 연마 패드는 투명한 재질로 제공될 수 있다.In addition, the polishing pad may be provided of a transparent material.

또한, 상기 기판에 제공되는 연마 대상물은 구리이고, 상기 레이저는 300nm ~ 600nm의 파장을 가질 수 있다.In addition, the polishing object provided on the substrate is copper, the laser may have a wavelength of 300nm ~ 600nm.

또한, 상기 기판에 제공되는 연마 대상물은 실리콘 산화물이고, 상기 레이저는 300nm~1070nm 의 파장을 가질 수 있다.In addition, the polishing target provided to the substrate is silicon oxide, the laser may have a wavelength of 300nm ~ 1070nm.

또한, 상기 기판에 제공되는 연마 대상물은 폴리 실리콘 또는 알루미늄이고, 상기 레이저는 300nm~808nm 의 파장을 가질 수 있다.In addition, the polishing object provided on the substrate is polysilicon or aluminum, the laser may have a wavelength of 300nm ~ 808nm.

또한, 상기 캐리어 헤드 어셈블리의 내측에 위치되어, 상기 기판의 상면으로 상기 기판 가열을 위한 레이저를 조사하는 상부 레이저 조사기를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include an upper laser irradiator positioned inside the carrier head assembly to irradiate a laser for heating the substrate to an upper surface of the substrate.

또한, 상기 연마 패드의 온도를 조절하는 패드 상태 조절기; 및 제어기를 더 포함할 수 있다.In addition, a pad state controller for controlling the temperature of the polishing pad; And a controller.

또한, 상기 기판은 연마 대상이 되는 막질로 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제어기는, 상기 패드 상태 조절기가 상기 연마 패드를 냉각시켜, 상기 연마 패드의 온도가 상기 기판 보다 낮은 설정 온도로 유지되도록 할 수 있다.In addition, the substrate may include silicon oxide as a film to be polished, and the controller may allow the pad state controller to cool the polishing pad so that the temperature of the polishing pad is maintained at a lower set temperature than the substrate. have.

또한, 상기 기판은 연마 대상이 되는 막질로 금속을 포함하고, 상기 제어기는, 상기 연마 패드의 온도가 상기 기판의 막질의 온도와 인접한 범위를 유지하도록, 상기 상태 조절기를 제어할 수 있다.The substrate may include a metal as a film to be polished, and the controller may control the condition controller so that the temperature of the polishing pad is maintained in a range adjacent to the temperature of the film of the substrate.

또한, 상기 패드 상태 조절기는 상기 연마 패드의 아래쪽에 형성된 온도조절 유로로 제공되고, 상기 온도조절 유로에 연결되는 유체 공급기를 더 포함할 수 있다.In addition, the pad condition controller may be provided in a temperature control flow path formed under the polishing pad, and may further include a fluid supply connected to the temperature control flow path.

또한, 상기 연마 패드로 슬러리를 공급하는 슬러리 공급 아암; 상기 슬러리 공급 아암에 연결되어 상기 슬리러가 유동하는 슬러리 라인; 및 상기 슬러리의 온도를 조절하는 온도 조절기를 더 포함할 수 있다.Also, a slurry supply arm for supplying a slurry to the polishing pad; A slurry line connected to said slurry feed arm through which said slurry flows; And it may further comprise a temperature controller for adjusting the temperature of the slurry.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 연마 패드를 갖는 플레이튼; 기판을 흡착하고, 상기 연마 패드에 대해 기판을 가압하는 캐리어 헤드 어셈블리; 및 상기 캐리어 헤드 어셈블리의 내측에 위치되어, 상기 기판의 상면으로 상기 기판 가열을 위한 레이저를 조사하는 상부 레이저 조사기를 포함하는 기판 연마 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the invention, a platen having a polishing pad; A carrier head assembly for adsorbing a substrate and forcing the substrate against the polishing pad; And an upper laser irradiator positioned inside the carrier head assembly and irradiating a laser for heating the substrate to an upper surface of the substrate.

또한, 상기 상부 레이저 조사기는 길이 방향이 상기 기판의 반경 방향을 향하고 설정 길이 및 설정 폭을 갖는 선형의 레이저를 조사할 수 있다.The upper laser irradiator may irradiate a linear laser having a set length and a set width in a longitudinal direction of the substrate.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 기판을 슬러리가 공급된 상태의 연마 패드와 접하도록 위치 시킨 상태로 상기 기판을 상기 연마 패드에 대해 회전 시켜 상기 기판을 연마하되, 상기 기판이 연마될 때 상기 기판 방향으로 레이저를 조사하여 상기 기판을 가열하는 기판 연마 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, the substrate is rotated with respect to the polishing pad in a state in which the substrate is in contact with the polishing pad in a slurry-supplied state, thereby polishing the substrate, when the substrate is polished. A substrate polishing method for heating the substrate by irradiating a laser in a direction may be provided.

또한, 상기 레이저는 설정 길이 및 설정 폭을 갖는 선형으로 제공될 수 있다.The laser can also be provided linearly with a set length and a set width.

또한, 상기 기판에 조사된 상기 레이저는 길이 방향이 상기 기판의 반경 방향을 향할 수 있다.In addition, the laser beam irradiated to the substrate may have a longitudinal direction toward the radial direction of the substrate.

또한, 상기 기판에 조사된 상기 레이저는 상기 기판의 반경 이상의 길이를 가지고, 일단이 상기 기판의 중심에 위치될 수 있다.In addition, the laser irradiated to the substrate has a length greater than the radius of the substrate, one end may be located in the center of the substrate.

또한, 상기 기판에 조사된 상기 레이저는 상기 기판의 지름 이상의 길이를 가지고, 지름 방향 전체에 걸쳐 위치될 수 있다.In addition, the laser irradiated onto the substrate has a length equal to or greater than the diameter of the substrate and may be located throughout the radial direction.

또한, 상기 레이저는 상기 연마 패드의 아래쪽에서 상기 기판을 향해 조사될 수 있다.In addition, the laser may be irradiated toward the substrate from below the polishing pad.

또한, 상기 레이저는 상기 연마 패드보다 상기 기판의 막질에서의 흡수도가 더 높은 파장을 가질 수 있다.In addition, the laser may have a wavelength of higher absorption in the film quality of the substrate than the polishing pad.

또한, 상기 연마 패드가 회전될 때, 상기 레이저의 아래쪽에서 상기 레이저를 조사하는 레이저 조사기의 위치는 상기 연마 패드의 회전과는 독립적으로 조절될 수 있다.In addition, when the polishing pad is rotated, the position of the laser irradiator irradiating the laser from below the laser may be adjusted independently of the rotation of the polishing pad.

또한, 상기 레이저는 300nm 내지 1070nm의 파장을 가질 수 있다.In addition, the laser may have a wavelength of 300nm to 1070nm.

또한, 상기 기판에 제공되는 연마 대상물은 실리콘 산화물, 구리, 폴리 실리콘 및 알루미늄 중 하나일 수 있다.In addition, the polishing object provided on the substrate may be one of silicon oxide, copper, polysilicon, and aluminum.

또한, 상기 슬러리는 세리아를 포함하고, 상기 레이저는 527nm 내지 537nm의 파장을 가질 수 있다.In addition, the slurry may include ceria, and the laser may have a wavelength of 527 nm to 537 nm.

또한, 상기 레이저는 상기 기판의 위쪽에서 상기 기판의 상면을 향해 조사될 수 있다.In addition, the laser may be irradiated from the upper side of the substrate toward the upper surface of the substrate.

또한, 상기 기판에 형성되어 연마 대상이 되는 막질은 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 연마 패드는 냉각되어, 상기 기판 보다 낮은 설정 온도로 유지될 수 있다.In addition, the film quality formed on the substrate to be polished may include silicon oxide, and the polishing pad may be cooled to be maintained at a lower set temperature than the substrate.

또한, 상기 기판에 형성되어 연마 대상이 되는 막질은 금속을 포함하고, 상기 연마 패드는 상기 기판의 막질의 온도와 인접한 범위의 온도를 유지하도록 조절될 수 있다.In addition, the film quality formed on the substrate to be polished may include a metal, and the polishing pad may be adjusted to maintain a temperature in a range adjacent to the temperature of the film quality of the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate polishing apparatus and a substrate polishing method capable of efficiently processing a substrate may be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 연마 처리 공정 시간이 단축되는 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법이 제공될 수 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, a substrate polishing apparatus and a substrate polishing method for shortening the substrate polishing process time may be provided.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 플레이튼의 측 단면도이다.
도 3은 기판 연마 장치의 일부 제어 관계를 나타내는 도면이다.
도 4는 연마 공정이 진행되는 상태의 평면도이다.
도 5는 레이저가 조사된 기판의 저면을 나타내는 도면이다.
도 6은 다른 실시 예에 따라 레이저가 조사된 기판의 저면을 나타내는 도면이다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 캐리어 헤드 어셈블리의 단면도이다.
도 8은 도 7의 캐리어 헤드 어셈블리의 제어 관계를 나타내는 도면이다.
도 9는 다른 실시 예에 따른 기판 연마 장치의 일부 제어 관계를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a side cross-sectional view of the platen.
3 is a view showing a part of the control relationship of the substrate polishing apparatus.
4 is a plan view of a state in which the polishing process is in progress.
5 is a view showing the bottom of the substrate irradiated with a laser.
6 is a diagram illustrating a bottom surface of a substrate to which a laser is irradiated according to another exemplary embodiment.
7 is a cross-sectional view of a carrier head assembly according to another embodiment.
8 is a view showing a control relationship of the carrier head assembly of FIG.
9 is a view showing a part of the control relationship of the substrate polishing apparatus according to another embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 연마 장치(10)는 베이스(100, base), 플레이튼(200, platen) 및 캐리어 헤드(510) 어셈블리(500, carrier head assembly)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate polishing apparatus 10 includes a base 100, a platen 200, a platen, and a carrier head assembly 500.

베이스(100)는 기판 연마 장치(10)의 하부 구조를 제공한다. 플레이튼(200)은 베이스(100)의 상부에 회전 가능하게 연결된다. 예를 들어, 플레이튼(200)은 베이스(100)에 제공되는 모터에 연결될 수 있다. 연마 패드(210)는 플레이튼(200)에 의해 지지되도록 플레이튼(200)의 상면에 위치되어, 공정 진행 중 플레이튼(200)과 함께 회전될 수 있다. 연마 패드(210)는 일정 두께를 갖는 평판으로 제공된다. 연마 패드(210)는 기판(도 5, 6의 S)과 직접 접촉하여 기판(S)를 기계적으로 연마하는 부분으로 거친 표면을 가진다.The base 100 provides a lower structure of the substrate polishing apparatus 10. The platen 200 is rotatably connected to the upper portion of the base 100. For example, the platen 200 may be connected to a motor provided to the base 100. The polishing pad 210 may be positioned on the upper surface of the platen 200 to be supported by the platen 200, and may be rotated together with the platen 200 during the process. The polishing pad 210 is provided as a flat plate having a predetermined thickness. The polishing pad 210 is in direct contact with the substrate (S in FIGS. 5 and 6) to mechanically polish the substrate S and has a rough surface.

베이스(100)에는 플레이튼(200)에 인접한 곳에 슬러리 공급 아암(300)이 제공된다. 슬러리 공급 아암(300)은 반응제, 마모 입자 및 화학 반응 촉매제 등을 포함할 수 있는 슬러리를 연마 패드(210)의 표면에 공급한다. 일 예로, 슬러리는 세리아를 포함할 수 있다. 반응제는 산화 연마용 탈이온수가 사용될 수 있다. 마모 입자는 산화 연마용 이산화규소가 사용될 수 있다. 화학 반응 촉매제는 산화 연마용 수산화칼륨이 사용될 수 있다.Base 100 is provided with slurry feed arm 300 adjacent to platen 200. The slurry supply arm 300 supplies a slurry to the surface of the polishing pad 210, which may include reactants, wear particles, chemical reaction catalysts, and the like. In one example, the slurry may comprise ceria. The reactant may be used for deionized water for oxidative polishing. As the wear particles, silicon dioxide for oxidative polishing may be used. As the chemical reaction catalyst, potassium hydroxide for oxidizing polishing may be used.

베이스(100)에는 플레이튼(200)에 인접한 곳에 패드 컨디셔너(400)가 제공된다. 패드 컨디셔너(400)는 연마 공정이 수행되는 동안 기판(S)이 효과적으로 연마되도록 연마 패드(210)의 상태를 유지시킨다.The base 100 is provided with a pad conditioner 400 adjacent the platen 200. The pad conditioner 400 maintains the state of the polishing pad 210 so that the substrate S is effectively polished during the polishing process.

캐리어 헤드 어셈블리(500)는 캐리어 헤드(510), 구동축(540) 및 구동기(550)를 포함한다.The carrier head assembly 500 includes a carrier head 510, a drive shaft 540, and a driver 550.

캐리어 헤드 어셈블리(500)는 플레이튼(200)의 위쪽에 위치된다. 캐리어 헤드(510)는 기판(S)의 연마면이 연마 패드(210)를 향하도록 기판(S)를 흡착 고정하고, 공정 진행 중에 연마 패드(210)에 대하여 기판(S)를 가압한다. 구동기(550)는 공정 진행 중에 캐리어 헤드(510)를 회전 시키는 동력을 제공한다. 구동기(550)와 캐리어 헤드(510)는 구동축(540)에 의해 연결된다.The carrier head assembly 500 is located above the platen 200. The carrier head 510 sucks and fixes the substrate S such that the polishing surface of the substrate S faces the polishing pad 210, and presses the substrate S against the polishing pad 210 during the process. The driver 550 provides power to rotate the carrier head 510 during the process. The driver 550 and the carrier head 510 are connected by the drive shaft 540.

도 2는 도 1의 플레이튼의 측 단면도이다.2 is a side cross-sectional view of the platen of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 플레이튼(200)은 바디(220b) 및 연마 패드(210)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the platen 200 includes a body 220b and a polishing pad 210.

바디(220b)는 플레이튼(200)의 전체적인 골격을 제공한다. 바디(220b)의 상부는 설정 두께를 갖는 원판형상으로 제공될 수 있다. Body 220b provides the overall skeleton of platen 200. The upper portion of the body 220b may be provided in a disc shape having a set thickness.

바디(220b)에는 패트 상태 조절기(221b)가 제공된다. 패드 상태 조절기(221b)는 공정 처리되는 기판의 종류에 따라 연마 패드(210)의 온도를 조절한다. 패드 상태 조절기(221b)는 바디(220b)에 형성된 온도조절 유로(221b)로 제공될 수 있다. 온도조절 유로(221b)는 유체 공급기(222b)와 연결된다. 유체 공급기(222b)는 설정 온도로 조절된 유체를 온도조절 유로(221b)로 공급한다. 또한, 유체 공급기(222b)는 온도조절 유로(221b)에 유체를 공급 및 회수 가능하게 제공되어, 설정 온도로 조절된 유체가 온도조절 유로(221b)와 유체 공급기(222b) 사이에 순환되도록 할 수 있다. 유체 공급기(222b)가 공급하는 유체는 액체 또는 기체일 수 있다. 또한, 유체 공급기(222b)가 기체를 공급할 때, 유체 공급기(222b)가 공급하는 기체는 질소 등과 같은 불활성 가스일 수 있다. 온도조절 유로(221b)의 유체는 연마 패드(210)와 열교환 가능하게 제공된다. 일 예로, 온도조절 유로(221b)의 상부는 연마 패드(210)에 의해 차폐될 수 있다. 또한, 온도조절 유로(221b)와 연마 패드(210)의 하면 사이에는 열전달 및 광 투과성을 갖는 소재로 제공되는 격벽이 형성될 수 도 있다.The body 220b is provided with a pad state regulator 221b. The pad condition controller 221b adjusts the temperature of the polishing pad 210 according to the type of substrate to be processed. The pad condition controller 221b may be provided as a temperature control passage 221b formed in the body 220b. The temperature control passage 221b is connected to the fluid supply 222b. The fluid supplier 222b supplies the fluid adjusted to the set temperature to the temperature control channel 221b. In addition, the fluid supply 222b may be provided to supply and recover the fluid to the temperature control flow path 221b so that the fluid adjusted to the set temperature may be circulated between the temperature control flow path 221b and the fluid supply 222b. have. The fluid supplied by the fluid supply 222b may be a liquid or a gas. In addition, when the fluid supply 222b supplies gas, the gas supplied by the fluid supply 222b may be an inert gas such as nitrogen. The fluid of the temperature control passage 221b is provided to be heat-exchangeable with the polishing pad 210. For example, the upper portion of the temperature control passage 221b may be shielded by the polishing pad 210. In addition, a partition wall formed of a material having heat transfer and light transmittance may be formed between the temperature control channel 221b and the lower surface of the polishing pad 210.

온도조절 유로(221b)의 아래쪽에는 조사 공간(225)이 형성된다. 조사 공간(225)과 온도조절 유로(221b)는 광 투과성을 갖는 격벽(223)에 의해 구획된다. 격벽(223)은 쿼츠일 수 있다.An irradiation space 225 is formed below the temperature control passage 221b. The irradiation space 225 and the temperature control passage 221b are partitioned by the partition wall 223 having light transmittance. The partition 223 may be quartz.

레이저 조사기(600)는 바디(220b)의 내측에 형성된 조사 공간(225)에 위치된다. 레이저 조사기(600)는 위쪽 방향으로 레이저(도 6, 7의 L)를 조사한다. 레이저 조사기(600)는 조사부(610) 및 운동부(620)를 포함한다. 조사부(610)는 설정 대역의 파장을 갖는 레이저(L)를 조사한다. 조사부(610)는 바디(220b)의 내측에 형성된 조사 공간(225)에 위치된다.The laser irradiator 600 is located in the irradiation space 225 formed inside the body 220b. The laser irradiator 600 irradiates a laser (L in FIGS. 6 and 7) in the upward direction. The laser irradiator 600 includes an irradiator 610 and a movement unit 620. The irradiation unit 610 irradiates the laser L having a wavelength of a predetermined band. The irradiation part 610 is located in the irradiation space 225 formed inside the body 220b.

조사부(610)에서 조사되는 레이저(L)는 설정 폭 및 설정 길이를 갖는 선형으로 제공된다. 조사부(610)는 연결 라인(611)과 연결되어, 연결 라인(611)이 제공하는 에너지를 통해 레이저(L)를 조사한다. 일 예로, 조사부(610)는 폴리머 소재의 패드로 제공될 수 있다. 폴리머 소재는 레이저(L)가 조사되는 부분이 투명한 형태로 제공될 수 있다. 그리고, 연결 라인(611)은 조사부(610)로 레이저(L)를 안내하는 광 섬유로 제공될 수 있다. 따라서, 외부에서 발생된 레이저(L)는 연결 라인(611)을 통해 조사부(610)로 안내된 후, 조사부(610)의 투명한 부분에 의해 기판(S)을 향해 조사될 수 있다. 또한, 연결 라인(611)은 전력을 제공하기 위한 도선으로 제공되고, 조사부(610)는 공급된 전력을 통해 레이저(L)를 조사하는 발광 장치로, 다이오드 레이저 등으로 제공될 수 도 있다. 조사부(610)에서 조사되는 레이저(L)는 캐리어 헤드(510) 또는 기판(S)이 위치되는 상방을 향하도록 제공된다. 일 예로, 조사부(610)에서 조사되는 레이저(L)는 수직 상향을 향해 조사될 수 있다.The laser L irradiated from the irradiator 610 is provided linearly with a set width and a set length. The irradiator 610 is connected to the connection line 611 to irradiate the laser L through energy provided by the connection line 611. For example, the irradiator 610 may be provided as a pad made of a polymer material. The polymer material may be provided in a form in which the portion to which the laser L is irradiated is transparent. In addition, the connection line 611 may be provided as an optical fiber for guiding the laser L to the irradiation unit 610. Therefore, the laser L generated from the outside may be guided to the irradiator 610 through the connection line 611 and then irradiated toward the substrate S by the transparent portion of the irradiator 610. In addition, the connection line 611 is provided as a conductive wire for providing power, and the irradiation unit 610 is a light emitting device that irradiates the laser L through the supplied power, and may be provided as a diode laser or the like. The laser L irradiated from the irradiator 610 is provided to face upward where the carrier head 510 or the substrate S is located. For example, the laser L irradiated from the irradiator 610 may be irradiated vertically upward.

운동부(620)는 조사부(610)에 결합되고 바디(220b)의 내측에서 이동 가능하게 제공되어, 레이저 조사기(600)의 위치는 바디(220b)의 내측 조사 공간(225)에서 조절되도록 한다. 운동부(620)에 의해 조사부(610)의 위치가 가변 됨에 따라, 레이저(L)가 조사되는 위치가 조절된다.The movement unit 620 is coupled to the irradiator 610 and provided to be movable inside the body 220b, so that the position of the laser irradiator 600 is adjusted in the inner irradiation space 225 of the body 220b. As the position of the irradiator 610 is changed by the moving unit 620, the position at which the laser L is irradiated is adjusted.

레이저 조사기(600)는, 레이저 조사기(600)의 위치가 플레이튼(200)의 회전에 영향을 받지 않도록 제공된다. 일 예로, 운동부(620)는 반경 운동부(621) 및 지지부(622)를 포함할 수 있다. 지지부(622)의 하부에는 조사 공간(225)과 연결되고 하부로 연장되는 연결 공간(226)이 형성될 수 있다. 연결 공간(226)은 플레이튼(200)의 회전 중심을 지나고 상하방향을 향하는 회전축을 수용하도록 제공될 수 있다. 지지부(622)의 하부는 하부 조사 공간(225)에 위치되고, 지지부(622)의 상부는 플레이튼(200) 내측의 조사 공간(225)에서 반경 방향으로 설정 길이를 가지도록 제공될 수 있다. 지지부(622)는 바디(220b)의 회전에 영향을 받지 않도록 제공된다. 반경 운동부(621)는 지지부(622)의 상부에서 반경방향으로 위치조절 가능하게 제공될 수 있다. 또한, 반경 운동부(621)는 지지부(622)에서 원주 방향으로 위치조절 가능하게 제공되거나, 지지부(622)가 회전 가능하게 제공될 수 있다. 따라서, 조사부(610)는 플레이튼(200)의 회전에 영향을 받지 않고, 캐리어 헤드(510)에 위치된 기판(S)과 상하로 마주보도록 위치가 조절될 수 있다.The laser irradiator 600 is provided so that the position of the laser irradiator 600 is not affected by the rotation of the platen 200. For example, the exercise unit 620 may include a radial exercise unit 621 and a support unit 622. A connection space 226 connected to the irradiation space 225 and extending downward may be formed below the support 622. The connection space 226 may be provided to receive a rotation axis passing in the vertical direction and passing through the rotation center of the platen 200. The lower portion of the support 622 is located in the lower irradiation space 225, the upper portion of the support 622 may be provided to have a set length in the radial direction in the irradiation space 225 inside the platen 200. The support 622 is provided so as not to be affected by the rotation of the body 220b. The radial movement unit 621 may be provided to be adjustable in the radial direction from the top of the support 622. In addition, the radial movement unit 621 may be provided to be adjustable in the circumferential direction in the support 622, or the support 622 may be provided to be rotatable. Accordingly, the irradiator 610 may be adjusted to face up and down with the substrate S positioned in the carrier head 510 without being affected by the rotation of the platen 200.

도 3은 도 1의 슬러리 공급 아암의 배관 관계를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a diagram showing a piping relationship of the slurry supply arm of FIG. 1. FIG.

도 3을 참조하면, 슬러리 공급 아암(300)은 슬러리 라인(301)에 연결되어, 슬러리 라인(301)을 통해 공급되는 슬러리를 토출한다. 슬러리 라인(301)에 위치되는 온도 조절기(310)는 슬러리 공급 아암(300)으로 공급되는 슬러리의 온도를 조절한다.Referring to FIG. 3, the slurry supply arm 300 is connected to the slurry line 301 to discharge the slurry supplied through the slurry line 301. Temperature regulator 310 located in slurry line 301 controls the temperature of the slurry fed to slurry feed arm 300.

도 4는 기판 연마 장치의 일부 제어 관계를 나타내는 도면이고, 도 5는 연마 공정이 진행되는 상태의 평면도이다.4 is a view showing a part of the control relationship of the substrate polishing apparatus, and FIG. 5 is a plan view of a state in which the polishing process is performed.

도 4 및 도 5를 참조하면, 플레이튼(200) 및 하면에 기판(S)을 지지한 캐리어 헤드(510)가 회전 하면서 연마 공정이 수행된다. 제어기(700)는 기판 연마 장치(10)의 구성 요소들을 제어한다.4 and 5, the polishing process is performed while the carrier head 510 supporting the substrate S on the platen 200 and the lower surface is rotated. The controller 700 controls the components of the substrate polishing apparatus 10.

캐리어 헤드(510)는 기판(S)을 연마 패드(210b)에 대해 가압하면서 회전한다. 캐리어 헤드(510)는 플레이튼(200)의 회전 방향과 동일한 방향으로 회전 될 수 있다. 또한, 연마 공정 진행 중, 캐리어 헤드(510)는 연마 패드(210b)의 상면에 대한 위치가 변경될 수 있다. 예를 들어, 캐리어 헤드(510)는 연마 패드(210b)의 반경 방향으로 설정 구간을 반복 이동하거나, 원주 방향으로 이동될 수 있다.The carrier head 510 rotates while pressing the substrate S against the polishing pad 210b. The carrier head 510 may be rotated in the same direction as the rotation direction of the platen 200. In addition, during the polishing process, the position of the carrier head 510 with respect to the top surface of the polishing pad 210b may be changed. For example, the carrier head 510 may repeatedly move the set section in the radial direction of the polishing pad 210b or may move in the circumferential direction.

슬러리 공급 아암(300)은 캐리어 헤드(510)와 이격된 지점에서 연마 패드(210b)의 상면으로 슬러리를 공급한다. 슬러리는 플레이튼(200)의 회전에 따라 캐리어 헤드(510)에 고정된 기판(S)으로 공급된다. 또한, 패드 컨디셔너(400)는 캐리어 헤드(510)와 이격된 지점에서 연마 패드(210b)의 상태를 유지시킨다. 패드 컨디셔너(400)는 위치가 조절되면서 연마 패드(210b)의 상태 유지 작업을 수행 할 수 있다.The slurry supply arm 300 supplies the slurry to the top surface of the polishing pad 210b at a point spaced apart from the carrier head 510. The slurry is supplied to the substrate S fixed to the carrier head 510 as the platen 200 rotates. In addition, the pad conditioner 400 maintains the state of the polishing pad 210b at a point spaced apart from the carrier head 510. The pad conditioner 400 may perform a state maintaining operation of the polishing pad 210b while the position is adjusted.

도 6은 레이저가 조사된 기판의 저면을 나타내는 도면이다.6 is a view showing the bottom of the substrate to which the laser is irradiated.

도 6을 참조하면, 레이저 조사기(600)는 기판(S)의 저면으로 레이저(L)를 조사한다. 기판(S)에 조사된 레이저(L)는 길이 방향이 기판(S)의 반경 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 기판(S)에 조사된 레이저(L)는 기판(S)의 반지름 이상의 길이를 가지고, 일단은 기판(S)의 중심에 위치될 수 있다. 따라서, 캐리어 헤드(510)가 기판(S)을 회전 시키면, 레이저(L)는 기판(S)의 저면 전체에 조사될 수 있다.Referring to FIG. 6, the laser irradiator 600 irradiates the laser L to the bottom surface of the substrate S. FIG. The laser L irradiated onto the substrate S may be provided such that the longitudinal direction thereof faces the radial direction of the substrate S. FIG. The laser (L) irradiated to the substrate (S) has a length or more than the radius of the substrate (S), one end may be located in the center of the substrate (S). Therefore, when the carrier head 510 rotates the substrate S, the laser L may be irradiated on the entire bottom surface of the substrate S. FIG.

제어기(700)는 캐리어 헤드(510)의 위치와 레이저 조사기(600)의 위치가 서로 연동되도록 한다. 구체적으로 제어기(700)는 캐리어 헤드(510)의 위치 변경과 레이저 조사기(600)의 위치 변경이 동일하게 이루어 지도록, 캐리어 헤드 어셈블리(500)와 레이저 조사기(600)를 제어한다. 따라서, 공정 진행 중 캐리어 헤드(510)의 위치가 변경되어도, 기판(S)에 조사되는 레이저(L)의 위치는 동일하게 되도록 제어된다.The controller 700 allows the position of the carrier head 510 and the position of the laser irradiator 600 to interlock with each other. Specifically, the controller 700 controls the carrier head assembly 500 and the laser irradiator 600 so that the position change of the carrier head 510 and the position change of the laser irradiator 600 are the same. Therefore, even if the position of the carrier head 510 is changed during the process, the position of the laser L irradiated onto the substrate S is controlled to be the same.

레이저 조사기(600)는 300nm 내지 1070nm의 파장을 갖는 레이저(L)를 조사할 수 있다. 기판(S)에는 실리콘 산화물, 구리, 폴리 실리콘 및 알루미늄 중 하나의 재료 막이 형성된 후, 기판(S) 연마 공정에 제공될 수 있다. 연마 대상 물질에 따라, 레이저의 파장에 따른 흡수율이 상이하다. 구리는 300nm ~ 600nm의 파장에 높은 흡수율을 갖는다. 실리콘 산화물은 300nm~1070nm 의 파장에 높은 흡수율을 갖는다. 폴리 실리콘 또는 알루미늄은 300nm~808nm의 파장에 높은 흡수율을 갖는다. 따라서, 레이저는 연마 대상에 따라, 연마 물질의 흡수도가 높은 파장의 레이저를 조사할 수 있다.The laser irradiator 600 may irradiate a laser L having a wavelength of 300 nm to 1070 nm. The substrate S may be formed of a material film of one of silicon oxide, copper, polysilicon, and aluminum, and then provided to the substrate S polishing process. Depending on the material to be polished, the absorption rate according to the wavelength of the laser is different. Copper has high absorption at wavelengths of 300 nm to 600 nm. Silicon oxide has a high absorption at a wavelength of 300 nm to 1070 nm. Polysilicon or aluminum has a high absorption at a wavelength of 300 nm to 808 nm. Therefore, the laser can irradiate a laser having a high absorption of the abrasive material depending on the polishing target.

527nm 내지 537nm의 파장을 갖는 레이저(L)는 세리아에 대해 높은 투과율을 가진다. 따라서, 레이저 조사기(600)는 527nm 내지 537nm의 파장을 갖는 레이저(L)를 조사하여, 레이저(L)가 세리아를 포함한 슬러리에 흡수되는 것이 최소화 된 상태에서 기판(S)에 도달 되도록 할 수 이다.The laser L having a wavelength of 527 nm to 537 nm has a high transmittance for ceria. Accordingly, the laser irradiator 600 may irradiate the laser L having a wavelength of 527 nm to 537 nm so that the laser L reaches the substrate S while minimizing absorption of the laser L into the slurry containing ceria. .

제어기(700)는 연마가 이루어 지는 물질의 특성에 맞추어, 유체 공급기(222b)와 온도 조절기(310)를 제어한다.The controller 700 controls the fluid supply 222b and the temperature controller 310 in accordance with the characteristics of the material to be polished.

연마가 수행되는 기판의 일면에는 실리콘 산화물에 의해 박막 또는 패턴이 형성된 상태일 수 있다. 실리콘 산화물은 폴리 실리콘 등에 비해 경도가 높다. 따라서, 기판에서 실리콘 산화물을 연마할 때, 기판과 연마 패드(210)와의 마찰에 의해 연마 패드(210)의 온도가 상승될 수 있다. 연마 패드(210)의 온도가 상승되면, 연마 패드(210)는 경도가 낮아지고, 연마 패드(210)의 평편도가 낮아진다. 연마 패드(210)의 평편도가 낮아지면, 연마 패드(210)에 의한 기판의 연마율이 저하되고, 연마 품질이 저하된다. 따라서, 연마면에 실리콘 산화물이 형성된 기판을 연마할 때, 제어기(700)는 연마 패드(210)의 온도 보다 낮은 온도의 유체가 온도조절 유로(221b)로 공급되도록, 유체 공급기(222b)를 제어한다. 따라서, 연마가 수행되는 동안, 연마 패드(210)는 유체와의 열교환을 통해 냉각되어, 설정 온도 이상으로 온도가 상승되는 것이 방지된다. 제어기(700)는 연마 패드(210)의 온도에 연동하여, 공급되는 슬러리의 온도가 조절되도록 온도 조절기(310)를 제어한다. 일 예로, 온도 조절기(310)는 유체와의 열 교환에 의해 설정 온도, 또는 설정 온도 범위로 유지되는 연마 패드(210)의 온도와 동일한 온도의 슬러리가 연마 패드(210)로 토출 되도록 온도 조절기(310)를 제어한다. 따라서, 슬러리는 연마 패드(210)의 온도가 설정 온도 또는 설정 범위의 온도를 유지 하는데 기여할 수 있다.One surface of the substrate on which polishing is performed may be in a state in which a thin film or a pattern is formed of silicon oxide. Silicon oxide has a higher hardness than polysilicon or the like. Therefore, when polishing the silicon oxide on the substrate, the temperature of the polishing pad 210 may be increased by friction between the substrate and the polishing pad 210. When the temperature of the polishing pad 210 is raised, the polishing pad 210 has a low hardness and a flatness of the polishing pad 210 is low. When the flatness of the polishing pad 210 is lowered, the polishing rate of the substrate by the polishing pad 210 is lowered, and the polishing quality is lowered. Therefore, when polishing the substrate on which the silicon oxide is formed on the polishing surface, the controller 700 controls the fluid supply 222b such that a fluid having a temperature lower than the temperature of the polishing pad 210 is supplied to the temperature control passage 221b. do. Thus, while polishing is performed, the polishing pad 210 is cooled through heat exchange with the fluid, thereby preventing the temperature from rising above the set temperature. The controller 700 controls the temperature controller 310 so that the temperature of the slurry supplied is adjusted in conjunction with the temperature of the polishing pad 210. For example, the temperature controller 310 may be configured to discharge the slurry having a temperature equal to the temperature of the polishing pad 210 maintained at the set temperature or the set temperature range by heat exchange with the fluid to the polishing pad 210. 310). Thus, the slurry may contribute to maintaining the temperature of the polishing pad 210 at a set temperature or a set range.

연마가 수행되는 기판의 일면에는 구리, 알루미늄 등과 같은 금속에 의해 박막 또는 패턴이 형성된 상태일 수 있다. 연마 대상물이 금속인 경우, 연마 품질은 기판과 연마 패드(210)의 온도 차에 영향을 받는 것으로 확인 되었다. 연마가 개시되어 기판과 연마 패드(210) 사이에 마찰이 발생되면, 기판과 연마 패드(210)는 온도가 상승된다. 기판에 형성된 막질, 연마 패드(210)는 열용량, 열전도도 등의 차이로 인해 마찰로 인한 온도 변화 정도가 상이할 수 있다. 그리고, 이에 따라 기판의 막질과 연마 패드(210) 사이에는 온도 차가 발생할 수 있다. 기판의 금속 막질과 연마 패드(210)의 온도 차가 증가하면, 금속 막질은 균일하게 연마되지 않고 긁힌 모양으로 연마되는 현상이 관찰되었다.One surface of the substrate on which polishing is performed may be in a state in which a thin film or a pattern is formed of a metal such as copper or aluminum. When the object to be polished is a metal, the polishing quality was confirmed to be affected by the temperature difference between the substrate and the polishing pad 210. When polishing starts and friction occurs between the substrate and the polishing pad 210, the substrate and the polishing pad 210 are raised in temperature. The film quality formed on the substrate and the polishing pad 210 may have different degrees of temperature change due to friction due to differences in heat capacity and thermal conductivity. As a result, a temperature difference may occur between the film quality of the substrate and the polishing pad 210. When the temperature difference between the metal film of the substrate and the polishing pad 210 increases, the phenomenon that the metal film is not polished uniformly but polished in a scratched shape is observed.

제어기(700)는 기판의 막질의 온도에 대응하여, 설정 온도로 가열된 유체가 온도조절 유로(221b)로 공급되도록 유체 공급기(222b)를 제어한다. 따라서, 연마 패드(210)는 유체와의 열 교환을 통해, 기판의 금속 막질과 동일 온도 또는 기판의 금속 막질과의 온도 차가 설정 범위 내를 유지하도록 온도가 조절된다. 연마 개시된 후 설정 시간 까지는 기판 막질의 온도는 상승하고, 이 후 기판의 막질의 온도는 설정 온도 또는 설정 범위의 온도를 유지할 수 있다. 이에 따라, 제어기(700)는 기판 막질의 온도에 대응하여, 연마가 개시된 후 설정 시간 까지는 공급되는 유체의 온도가 증가되고, 이 후 공급되는 유체의 온도는 설정 온도 또는 설정 범위의 온도가 되도록 유체 공급기(222b)를 제어할 수 있다. 제어기(700)는 연마 패드(210)의 온도에 연동하여, 공급되는 슬러리의 온도가 조절되도록 온도 조절기(310)를 제어한다. 일 예로, 온도 조절기(310)는 유체와의 열 교환에 의해 설정 온도, 또는 설정 온도 범위로 유지되는 연마 패드(210)의 온도와 동일한 온도의 슬러리가 연마 패드(210)로 토출되도록 조절기를 제어한다. 따라서, 슬러리는 연마 패드(210)의 온도가 설정 온도 또는 설정 범위의 온도를 유지 하는데 기여할 수 있다.The controller 700 controls the fluid supply 222b so that the fluid heated to the set temperature is supplied to the temperature control passage 221b in response to the temperature of the film quality of the substrate. Therefore, the polishing pad 210 is adjusted in temperature by heat exchange with the fluid so that the temperature at the same temperature as the metal film of the substrate or the temperature difference from the metal film of the substrate is kept within a setting range. The temperature of the film quality of the substrate is increased until the set time after the polishing is started, and the temperature of the film quality of the substrate can then be maintained at a set temperature or a set range. Accordingly, the controller 700 corresponds to the temperature of the substrate film quality, so that the temperature of the supplied fluid is increased until the set time after the polishing is started, and the temperature of the supplied fluid is a set temperature or a set range temperature. The feeder 222b can be controlled. The controller 700 controls the temperature controller 310 so that the temperature of the slurry supplied is adjusted in conjunction with the temperature of the polishing pad 210. For example, the temperature controller 310 controls the controller to discharge the slurry having a temperature equal to the temperature of the polishing pad 210 maintained at the set temperature or the set temperature range by heat exchange with the fluid to the polishing pad 210. do. Thus, the slurry may contribute to maintaining the temperature of the polishing pad 210 at a set temperature or a set range.

도 7은 다른 실시 예에 따라 레이저가 조사된 기판의 저면을 나타내는 도면이다.7 is a diagram illustrating a bottom surface of a substrate to which a laser is irradiated according to another exemplary embodiment.

도 7을 참조하면, 레이저 조사기(600)는 기판(S)의 저면으로 레이저(L)를 조사한다. 기판(S)에 조사된 레이저(L)는 길이 방향이 기판(S)의 반경 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 기판(S)에 조사된 레이저(L)는 기판(S)의 지름 이상의 길이를 가지고, 기판(S)의 지름 전체에 걸쳐 위치될 수 있다. 따라서, 캐리어 헤드(510)가 기판(S)을 회전 시키면, 레이저(L)는 기판(S)의 저면 전체에 조사될 수 있다.Referring to FIG. 7, the laser irradiator 600 irradiates the laser L to the bottom surface of the substrate S. FIG. The laser L irradiated onto the substrate S may be provided such that the longitudinal direction thereof faces the radial direction of the substrate S. FIG. The laser L irradiated onto the substrate S may have a length equal to or greater than the diameter of the substrate S and may be located over the entire diameter of the substrate S. FIG. Therefore, when the carrier head 510 rotates the substrate S, the laser L may be irradiated on the entire bottom surface of the substrate S. FIG.

제어기(700)는 캐리어 헤드(510)의 위치와 레이저 조사기(600)의 위치가 서로 연동되도록 한다. 구체적으로 제어기(700)는 캐리어 헤드(510)의 위치 변경과 레이저 조사기(600)의 위치 변경이 동일하게 이루어 지도록, 캐리어 헤드 어셈블리(500)와 레이저 조사기(600)를 제어한다. 따라서, 공정 진행 중 캐리어 헤드(510)의 위치가 변경되어도, 기판(S)에 조사되는 레이저(L)의 위치는 동일하게 되도록 제어된다.The controller 700 allows the position of the carrier head 510 and the position of the laser irradiator 600 to interlock with each other. Specifically, the controller 700 controls the carrier head assembly 500 and the laser irradiator 600 so that the position change of the carrier head 510 and the position change of the laser irradiator 600 are the same. Therefore, even if the position of the carrier head 510 is changed during the process, the position of the laser L irradiated onto the substrate S is controlled to be the same.

도 8은 다른 실시 예에 따른 캐리어 헤드 어셈블리의 단면도이고, 도 9는 제어 관계를 나타내는 도면이다.8 is a cross-sectional view of a carrier head assembly according to another embodiment, and FIG. 9 is a diagram illustrating a control relationship.

도 8 및 도 9를 참조하면, 구동축(541) 및 캐리어 헤드(511)의 내측에는 공간(514)이 형성된다. 캐리어 헤드(511)의 내측에 형성된 공간(514)은 원판 형상으로 제공될 수 있다. 구동축(541) 및 캐리어 헤드(511)의 내측 공간(514)에는 상부 레이저 조사기(800)가 위치된다. 상부 레이저 조사기(800)는 아래쪽 방향으로 레이저를 조사한다.8 and 9, a space 514 is formed inside the driving shaft 541 and the carrier head 511. The space 514 formed inside the carrier head 511 may be provided in a disc shape. The upper laser irradiator 800 is positioned in the inner space 514 of the drive shaft 541 and the carrier head 511. The upper laser irradiator 800 irradiates the laser in the downward direction.

상부 레이저 조사기(800)는 상부 조사부(810) 및 상부 지지부(820)를 포함한다.The upper laser irradiator 800 includes an upper irradiator 810 and an upper support 820.

상부 조사부(810)는 설정 대역의 파장을 갖는 레이저를 조사한다. 상부 레이저 조사기(800)는 300nm 내지 1070nm의 파장을 갖는 레이저를 조사할 수 있다. 상부 레이저 조사기(800)는, 레이저 조사기(600)와 유사하게, 연마 대상에 따라, 연마 물질의 흡수도가 높은 파장의 레이저를 조사할 수 있다. 상부 조사부(810)는 캐리어 헤드(511)의 내측에 형성된 공간(514)에 위치된다. 상부 조사부(810)에서 조사되는 레이저는 설정 폭 및 설정 길이를 갖는 선형으로 제공된다. 일 예로, 조사부(610)는 폴리머 소재의 패드로 제공될 수 있다. 폴리머 소재는 레이저가 조사되는 부분이 투명한 형태로 제공될 수 있다. 그리고, 레이저를 안내하는 광 섬유와 연결되어 외부에서 발생된 레이저는 상부 조사부(810)로 안내된 후, 상부 조사부(810)에서 조사될 수 있다. 또한, 상부 조사부(810)는 공급된 전력을 통해 레이저를 조사하는 발광 장치로, 다이오드 레이저 등으로 제공될 수 도 있다. 상부 조사부(810)에서 조사되는 레이저는 기판(S)이 위치되는 하방을 향하도록 제공된다. 일 예로, 상부 조사부(810)에서 조사되는 레이저는 수직 하방을 향해 조사될 수 있다. 상부 조사부(810)의 아래쪽에 위치되는 캐리어 헤드(511)의 구성(513) 및 기판(S)흡착을 위한 막(512)은 광 투과성 소재로 제공된다. 도 5와 유사하게 상부 조사부(810)에 의해 기판(S)에 조사된 레이저는 길이 방향이 기판(S)의 반경 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 기판(S)에 조사된 레이저는 기판(S)의 반지름 이상의 길이를 가지고, 일단은 기판(S)의 중심에 위치될 수 있다. 또한, 도 6과 유사하게 상부 조사부(810)에 의해 기판(S)에 조사된 레이저는 기판(S)에 조사된 레이저는 길이 방향이 기판(S)의 반경 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 기판(S)에 조사된 레이저는 기판(S)의 지름 이상의 길이를 가지고, 기판(S)의 지름 전체에 걸쳐 위치될 수 있다.The upper irradiator 810 irradiates a laser having a wavelength of a predetermined band. The upper laser irradiator 800 may irradiate a laser having a wavelength of 300 nm to 1070 nm. Similar to the laser irradiator 600, the upper laser irradiator 800 may irradiate a laser having a high absorption rate of the abrasive material according to the polishing target. The upper irradiator 810 is located in the space 514 formed inside the carrier head 511. The laser irradiated from the upper irradiator 810 is provided linearly with a set width and a set length. For example, the irradiator 610 may be provided as a pad made of a polymer material. The polymer material may be provided in a form where the portion to which the laser is irradiated is transparent. In addition, the laser generated externally in connection with the optical fiber guiding the laser may be guided to the upper irradiator 810 and then irradiated from the upper irradiator 810. In addition, the upper irradiation unit 810 is a light emitting device for irradiating a laser through the supplied power, it may be provided as a diode laser. The laser irradiated from the upper irradiator 810 is provided to face downward where the substrate S is located. For example, the laser irradiated from the upper irradiator 810 may be irradiated vertically downward. The configuration 513 of the carrier head 511 positioned below the upper irradiation part 810 and the film 512 for adsorbing the substrate S are provided as a light transmissive material. Similar to FIG. 5, the laser beam irradiated onto the substrate S by the upper irradiator 810 may be provided such that the longitudinal direction thereof is directed toward the radial direction of the substrate S. FIG. The laser irradiated onto the substrate S may have a length greater than or equal to the radius of the substrate S, and one end may be positioned at the center of the substrate S. In addition, similar to FIG. 6, the laser irradiated onto the substrate S by the upper irradiator 810 may be provided such that the laser beam irradiated onto the substrate S faces the longitudinal direction of the substrate S. The laser irradiated onto the substrate S may have a length equal to or greater than the diameter of the substrate S, and may be located over the entire diameter of the substrate S. FIG.

상부 지지부(820)는 상부 조사부(810)를 지지한다. 상부 지지부(820)는 상하 방향으로 구동축(541) 및 캐리어 헤드(511)의 내측에 형성된 공간(514)에 위치된다. 상부 지지부(820)는 구동축(541) 및 캐리어 헤드(511)의 회전에 영향을 받지 않도록 제공된다. 일 예로, 상부 지지부(820)의 상부는 구동기(550)에 연결되되, 구동기(550)는 상부 지지부(820)는 고정된 상태로 구동축(541) 만을 회전 시키도록 제공될 수 있다. 따라서, 레이저가 조사되는 상태에서 구동축(541)이 회전되면, 레이저는 기판(S)의 상면 전체에 조사될 수 있다.The upper support part 820 supports the upper irradiation part 810. The upper support part 820 is located in the space 514 formed inside the drive shaft 541 and the carrier head 511 in the vertical direction. The upper support 820 is provided so as not to be affected by the rotation of the drive shaft 541 and the carrier head 511. For example, an upper portion of the upper support 820 may be connected to the driver 550, and the driver 550 may be provided to rotate only the drive shaft 541 with the upper support 820 fixed. Therefore, when the driving shaft 541 is rotated while the laser is being irradiated, the laser can be irradiated to the entire upper surface of the substrate S.

또한, 상부 지지부(820)의 상부는 구동기(550)에 연결되되, 구동기(550)는 상부 지지부(820)와 구동축(541)을 각각 개별적으로 회전 시키도록 제공될 수도 있다. 따라서, 공정 중 기판(S)을 파지한 캐리어 헤드(511)가 일 방향으로 회전 될 때, 상부 지지부(820)는 캐어리 헤드와 상이한 속력으로 회전되거나, 캐리어 헤드(511)와 반대 방향으로 회전 될 수 있다. 따라서, 레이저가 조사되는 상태에서 구동축(541)이 회전되면, 레이저는 기판(S)의 상면 전체에 조사될 수 있다. 상부 지지부(820)의 하부는 상부 조사부(810)와 결합된다. In addition, the upper portion of the upper support 820 is connected to the driver 550, the driver 550 may be provided to rotate the upper support 820 and the drive shaft 541, respectively. Therefore, when the carrier head 511 holding the substrate S is rotated in one direction during the process, the upper support part 820 rotates at a different speed from the carry head or rotates in a direction opposite to the carrier head 511. Can be. Therefore, when the driving shaft 541 is rotated in the state where the laser is irradiated, the laser can be irradiated on the entire upper surface of the substrate (S). The lower part of the upper support part 820 is coupled with the upper irradiation part 810.

제어기(700)는 캐리어 헤드 어셈블리(510a)가 기판(S)을 지지한 상태로, 기판(S)에 레이저가 조사되도록 캐리어 헤드 어셈블리(510a)와 상부 레이저 조사기(800)를 제어한다.The controller 700 controls the carrier head assembly 510a and the upper laser irradiator 800 such that the laser is irradiated onto the substrate S while the carrier head assembly 510a supports the substrate S.

또한, 제어기(700)는 도 4 내지 도 6에서 설명된 방식과 동일 또는 유사한 방식으로 유체 공급기(222b) 및 온도 조절기(310)를 제어한다. 따라서, 기판(S)이 기판 가열기(800)에 의해 가열된 상태로 공정이 수행되어도, 기판(S)에 형성된 막질의 종류에 따라 연마 패드(210) 및 공급되는 슬러리의 온도를 제어한다.The controller 700 also controls the fluid supply 222b and the temperature regulator 310 in the same or similar manner as described in FIGS. 4-6. Therefore, even when the process is performed while the substrate S is heated by the substrate heater 800, the temperature of the polishing pad 210 and the slurry to be supplied are controlled according to the type of film formed on the substrate S.

도 10은 다른 실시 예에 따른 기판 연마 장치의 일부 제어 관계를 나타내는 도면이다.10 is a view showing a part of the control relationship of the substrate polishing apparatus according to another embodiment.

도 10을 참조하면, 기판(S)은 플레이튼(200)에 위치되는 레이저 조사기(600b)가 저면에 조사하는 레이저 및 상부 레이저 조사기(800b)에 의해 상면에 조사하는 레이저에 의해 가열될 수 있다. 레이저 조사기(600b)의 구성, 제어기(700)의 제어 방법은 도 2 내지 도 6에서 설명된 레이저 조사기(600)와 동일 또는 유사할 수 있다. 상부 레이저 조사기(800b)의 구성, 제어기(700)의 제어 방법은 도 8 내지 도 9에서 설명된 상부 레이저 조사기(800b)와 동일 또는 유사할 수 있다.Referring to FIG. 10, the substrate S may be heated by the laser irradiated to the bottom by the laser irradiator 600b positioned on the platen 200 and the laser irradiated on the top by the upper laser irradiator 800b. . The configuration of the laser irradiator 600b and the control method of the controller 700 may be the same as or similar to the laser irradiator 600 described with reference to FIGS. 2 to 6. The configuration of the upper laser irradiator 800b and the control method of the controller 700 may be the same as or similar to the upper laser irradiator 800b described with reference to FIGS. 8 to 9.

또한, 제어기(700)는 도 4 내지 도 6에서 설명된 방식과 동일 또는 유사한 방식으로 유체 공급기(222b) 및 온도 조절기(310)를 제어할 수 있다. 따라서, 기판(S)이 레이저 조사기(600b)와 상부 레이저 조사기(800b)에 의해 가열된 상태로 공정이 수행되어도, 기판(S)에 형성된 막질의 종류에 따라 연마 패드(210) 및 공급되는 슬러리의 온도를 제어될 수 있다.In addition, the controller 700 may control the fluid supply 222b and the thermostat 310 in the same or similar manner as described in FIGS. 4-6. Therefore, even when the process is performed while the substrate S is heated by the laser irradiator 600b and the upper laser irradiator 800b, the polishing pad 210 and the slurry supplied according to the type of film formed on the substrate S are thus supplied. The temperature of can be controlled.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the above-mentioned contents show preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosures described above, and / or the skill or knowledge in the art. The described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required in the specific application field and use of the present invention are possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

100: 베이스 200: 플레이튼
210: 연마 패드 300: 슬러리 공급 아암
400: 패드 컨디셔너 500: 캐리어 헤드 어셈블리
600: 레이저 조사기100: base 200: platen
210: polishing pad 300: slurry supply arm
400: pad conditioner 500: carrier head assembly
600: laser irradiator

Claims (36)

연마 패드를 갖는 플레이튼;
기판을 흡착하고, 상기 연마 패드에 대해 기판을 가압하는 캐리어 헤드 어셈블리; 및
상기 기판으로 상기 기판 가열을 위한 레이저를 조사하는 레이저 조사기를 포함하고,
상기 플레이튼은,
상면에 상기 연마 패드가 위치되고, 상기 연마 패드의 아래쪽에 설정 체적의 공간이 형성된 바디를 포함하고,
상기 레이저 조사기는 상기 바디에 형성된 상기 공간에 위치되고,
상기 레이저는 상기 연마 패드에서의 흡수도보다 상기 기판의 막질에서의 흡수도가 더 높은 파장을 갖는 기판 연마 장치.Platens with polishing pads;
A carrier head assembly for adsorbing a substrate and forcing the substrate against the polishing pad; And
It includes a laser irradiator for irradiating a laser for heating the substrate to the substrate,
The platen,
A polishing pad is positioned on an upper surface of the polishing pad, and a body having a set volume of space below the polishing pad;
The laser irradiator is located in the space formed in the body,
And the laser has a wavelength at which the absorbance in the film quality of the substrate is higher than the absorbance at the polishing pad. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 플레이튼은 회전 가능하게 제공되고,
상기 레이저 조사기는, 상기 플레이튼가 회전될 때, 상기 플레이튼의 회전에 영향을 받지 않고 독립적으로 위치되도록 제공되는 기판 연마 장치.The method of claim 1,
The platen is rotatably provided,
And the laser irradiator is provided so that when the platen is rotated, it is independently positioned without being affected by the rotation of the platen. 제1항에 있어서,
상기 레이저 조사기는 길이 방향이 상기 기판의 반경 방향을 향하고 설정 길이 및 설정 폭을 갖는 선형의 레이저를 조사하는 기판 연마 장치.The method of claim 1,
And the laser irradiator irradiates a linear laser having a set length and a set width in a longitudinal direction of the substrate. 제4항에 있어서,
상기 기판에 조사된 상기 레이저는 상기 기판의 반경 이상의 길이를 가지고, 일단이 상기 기판의 중심에 위치되는 기판 연마 장치.The method of claim 4, wherein
And the laser beam irradiated onto the substrate has a length equal to or greater than a radius of the substrate, and one end is positioned at the center of the substrate. 제4항에 있어서,
상기 기판에 조사된 상기 레이저는 상기 기판의 지름 이상의 길이를 가지고, 지름 방향 전체에 걸쳐 위치되는 기판 연마 장치.The method of claim 4, wherein
The laser beam irradiated to the said board | substrate has the length beyond the diameter of the said board | substrate, and is located across the radial direction. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 레이저는 300nm 내지 1070nm의 파장을 갖는 기판 연마 장치.The method of claim 1,
The laser beam polishing apparatus having a wavelength of 300nm to 1070nm. 제1항에 있어서,
상기 레이저 조사기는,
위쪽 방향으로 레이저를 조사하는 조사부; 및
상기 조사부에 결합되고 상기 공간에서 이동 가능하게 제공되는 운동부를 포함하는 기판 연마 장치.The method of claim 1,
The laser irradiator,
Irradiation unit for irradiating the laser in the upward direction; And
And a moving part coupled to the irradiating part and movably provided in the space. 연마 패드를 갖는 플레이튼;
기판을 흡착하고, 상기 연마 패드에 대해 기판을 가압하는 캐리어 헤드 어셈블리; 및
상기 기판으로 상기 기판 가열을 위한 레이저를 조사하는 레이저 조사기를 포함하고,
상기 플레이튼은,
상면에 상기 연마 패드가 위치되고, 상기 연마 패드의 아래쪽에 설정 체적의 공간이 형성된 바디를 포함하고,
상기 레이저 조사기는 상기 바디에 형성된 상기 공간에 위치되고,
상기 연마 패드에 대한 상기 캐리어 헤드 어셈블리의 위치와 상기 레이저 조사기의 위치를 제어하되, 상기 레이저가 조사될 때 상기 조사기와 상기 기판이 상하 방향으로 서로 마주 보도록 상기 캐리어 헤드 어셈블리와 상기 레이저 조사기의 위치를 제어하는 제어기를 더 포함하는 기판 연마 장치.Platens with polishing pads;
A carrier head assembly for adsorbing a substrate and forcing the substrate against the polishing pad; And
It includes a laser irradiator for irradiating a laser for heating the substrate to the substrate,
The platen,
A polishing pad is positioned on an upper surface of the polishing pad, and a body having a set volume of space below the polishing pad;
The laser irradiator is located in the space formed in the body,
The position of the carrier head assembly and the position of the laser irradiator with respect to the polishing pad is controlled, and the position of the carrier head assembly and the laser irradiator is positioned so that the irradiator and the substrate face each other in the vertical direction when the laser is irradiated. And a controller for controlling the substrate. 제1항에 있어서,
상기 연마 패드로 세리아를 포함한 슬러리를 공급하는 슬러리 공급 아암을 더 포함하는 기판 연마 장치.The method of claim 1,
And a slurry supply arm for supplying a slurry including ceria to the polishing pad. 제1항에 있어서,
상기 연마 패드는 투명한 재질로 제공되는 기판 연마 장치.The method of claim 1,
The polishing pad is a substrate polishing apparatus provided with a transparent material. 제1항에 있어서,
상기 기판에 제공되는 연마 대상물은 구리이고,
상기 레이저는 300nm ~ 600nm의 파장을 갖는 기판 연마 장치.The method of claim 1,
The polishing object provided on the substrate is copper,
The laser is a substrate polishing apparatus having a wavelength of 300nm ~ 600nm. 제1항에 있어서,
상기 기판에 제공되는 연마 대상물은 실리콘 산화물이고,
상기 레이저는 300nm~1070nm 의 파장을 갖는 기판 연마 장치.The method of claim 1,
The polishing object provided on the substrate is silicon oxide,
The laser is a substrate polishing apparatus having a wavelength of 300nm ~ 1070nm. 제1항에 있어서,
상기 기판에 제공되는 연마 대상물은 폴리 실리콘 또는 알루미늄이고,
상기 레이저는 300nm~808nm 의 파장을 갖는 기판 연마 장치.The method of claim 1,
The polishing object provided on the substrate is polysilicon or aluminum,
The laser is a substrate polishing apparatus having a wavelength of 300nm ~ 808nm. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 연마 패드의 온도를 조절하는 패드 상태 조절기; 및
제어기를 더 포함하는 기판 연마 장치.The method of claim 1,
A pad condition controller for controlling a temperature of the polishing pad; And
Substrate polishing apparatus further comprising a controller. 제17항에 있어서,
상기 기판은 연마 대상이 되는 막질로 실리콘 산화물을 포함하고,
상기 제어기는, 상기 패드 상태 조절기가 상기 연마 패드를 냉각시켜, 상기 연마 패드의 온도가 상기 기판 보다 낮은 설정 온도로 유지되도록 하는 기판 연마 장치.The method of claim 17,
The substrate includes silicon oxide as a film to be polished,
And the controller is configured such that the pad conditioner cools the polishing pad such that the temperature of the polishing pad is maintained at a set temperature lower than the substrate. 제17항에 있어서,
상기 기판은 연마 대상이 되는 막질로 금속을 포함하고,
상기 제어기는, 상기 연마 패드의 온도가 상기 기판의 막질의 온도와 인접한 범위를 유지하도록, 상기 상태 조절기를 제어하는 기판 연마 장치.The method of claim 17,
The substrate includes a metal as a film to be polished,
And the controller controls the condition controller so that the temperature of the polishing pad is within a range adjacent to the film quality of the substrate. 제17항에 있어서,
상기 패드 상태 조절기는 상기 연마 패드의 아래쪽에 형성된 온도조절 유로로 제공되고,
상기 온도조절 유로에 연결되는 유체 공급기를 더 포함하는 기판 연마 장치.The method of claim 17,
The pad condition controller is provided in a temperature control passage formed below the polishing pad,
And a fluid supply connected to the temperature control passage. 제1항에 있어서,
상기 연마 패드로 슬러리를 공급하는 슬러리 공급 아암;
상기 슬러리 공급 아암에 연결되어 상기 슬러리가 유동하는 슬러리 라인; 및
상기 슬러리의 온도를 조절하는 온도 조절기를 더 포함하는 기판 연마 장치.The method of claim 1,
A slurry supply arm for supplying a slurry to the polishing pad;
A slurry line connected to said slurry feed arm through which said slurry flows; And
And a temperature controller for controlling the temperature of the slurry. 삭제delete 삭제delete 기판을 슬러리가 공급된 상태의 연마 패드와 접하도록 위치 시킨 상태로 상기 기판을 상기 연마 패드에 대해 회전 시켜 상기 기판을 연마하되, 상기 기판이 연마될 때 상기 기판 방향으로 레이저를 조사하여 상기 기판을 가열하고,
상기 레이저는,
상기 연마 패드의 아래쪽에서 상기 기판을 향해 조사되고,
상기 연마 패드에서의 흡수도보다 상기 기판의 막질에서의 흡수도가 더 높은 파장을 갖는 기판 연마 방법.The substrate is polished by rotating the substrate with respect to the polishing pad while the substrate is placed in contact with the polishing pad in a slurry-supplied state, and the substrate is irradiated with a laser toward the substrate when the substrate is polished. Heating,
The laser,
Irradiated from below the polishing pad toward the substrate,
And a wavelength having a higher absorbance in the film quality of the substrate than that in the polishing pad. 제24항에 있어서,
상기 레이저는 설정 길이 및 설정 폭을 갖는 선형으로 제공되는 기판 연마 방법.The method of claim 24,
And the laser is provided linearly with a set length and a set width. 제25항에 있어서,
상기 기판에 조사된 상기 레이저는 길이 방향이 상기 기판의 반경 방향을 향하는 기판 연마 방법.The method of claim 25,
And said laser beam irradiated to said substrate has a longitudinal direction in a radial direction of said substrate. 제25항에 있어서,
상기 기판에 조사된 상기 레이저는 상기 기판의 반경 이상의 길이를 가지고, 일단이 상기 기판의 중심에 위치되는 기판 연마 방법.The method of claim 25,
The laser beam irradiated to the substrate has a length greater than the radius of the substrate, one end is located in the center of the substrate. 제25항에 있어서,
상기 기판에 조사된 상기 레이저는 상기 기판의 지름 이상의 길이를 가지고, 지름 방향 전체에 걸쳐 위치되는 기판 연마 방법.The method of claim 25,
And the laser beam irradiated to the substrate has a length equal to or greater than the diameter of the substrate and is located throughout the radial direction. 삭제delete 삭제delete 제24항에 있어서,
상기 연마 패드가 회전될 때, 상기 레이저의 아래쪽에서 상기 레이저를 조사하는 레이저 조사기의 위치는 상기 연마 패드의 회전과는 독립적으로 조절되는 기판 연마 방법.The method of claim 24,
And when the polishing pad is rotated, the position of the laser irradiator irradiating the laser from below the laser is adjusted independently of the rotation of the polishing pad. 제24항에 있어서,
상기 레이저는 300nm 내지 1070nm의 파장을 갖는 기판 연마 방법.The method of claim 24,
The laser having a wavelength of 300 nm to 1070 nm. 제24항에 있어서,
상기 기판에 제공되는 연마 대상물은 실리콘 산화물, 구리, 폴리 실리콘 및 알루미늄 중 하나인 기판 연마 방법.The method of claim 24,
A substrate polishing method provided on the substrate is one of silicon oxide, copper, polysilicon and aluminum. 제24항에 있어서,
상기 슬러리는 세리아를 포함하고, 상기 레이저는 527nm 내지 537nm의 파장을 갖는 기판 연마 방법.The method of claim 24,
Wherein said slurry comprises ceria and said laser has a wavelength of 527 nm to 537 nm. 제24항에 있어서,
상기 기판에 형성되어 연마 대상이 되는 막질은 실리콘 산화물을 포함하고,
상기 연마 패드는 냉각되어, 상기 기판 보다 낮은 설정 온도로 유지되는 기판 연마 방법.The method of claim 24,
The film quality formed on the substrate to be polished includes silicon oxide,
And the polishing pad is cooled to maintain a lower set temperature than the substrate. 제24항에 있어서,
상기 기판에 형성되어 연마 대상이 되는 막질은 금속을 포함하고,
상기 연마 패드는 상기 기판의 막질의 온도와 인접한 범위의 온도를 유지하도록 조절되는 기판 연마 방법.The method of claim 24,
The film quality formed on the substrate to be polished includes a metal,
And the polishing pad is adjusted to maintain a temperature in a range adjacent to the film quality of the substrate.
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