KR101953784B1 - Structure for preventing counterfet, falsification or resue, and method for discriminating counterfet, falsification or resue using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 금속층; 금속층 상에 형성된 복수 개의 업-컨버팅 나노입자(up-converting nanoparticle)를 포함하는 광변환 패턴층; 금속층과 광변환 패턴층 상에 배치된 금속 패턴층; 및 금속 패턴층상에 배치된 점착성 필름;을 포함하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체에 관한 것이다. 이에 의하여, 본 발명의 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체는 적외선 조사를 통해 육안으로 진품을 표시하는 패턴을 용이하게 확인할 수 있고, 포장용기의 해체 등으로 인한 구조체의 변형 후 원천적으로 재조립이 불가능하여 위조, 변조 또는 재사용을 방지할 수 있다.The present invention relates to a metal layer; A photo-conversion pattern layer comprising a plurality of up-converting nanoparticles formed on a metal layer; A metal pattern layer disposed on the metal layer and the photo-conversion pattern layer; And a tacky film disposed on the metal pattern layer. [0002] The present invention relates to a structure for preventing falsification, modulation, or reuse. Accordingly, the structure for preventing falsification, modulation, or re-use of the present invention can easily confirm a pattern for displaying an authentic product with the naked eye through infrared irradiation, and can not be reassembled after the structure is deformed due to disassembly of the packaging container Falsification, modulation, or reuse.

Description

위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체, 및 그를 이용한 위조, 변조 또는 재사용 진위 판별방법{STRUCTURE FOR PREVENTING COUNTERFET, FALSIFICATION OR RESUE, AND METHOD FOR DISCRIMINATING COUNTERFET, FALSIFICATION OR RESUE USING THE SAME}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a structure for preventing falsification, modulation, or reuse, and a falsification, modulation, or reuse authenticity determination method using the same,

본 발명은 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 위조, 변조, 또는 재사용 진위 판별방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 업-컨버팅(up-converting) 물질과 사이에서 갭 플라즈몬 폴라리톤(gap plasmon polariton)을 이용한 본 발명은 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 위조, 변조, 또는 재사용 진위 판별방법에 관한 것이다.The present invention relates to a structure for preventing forgery, modulation, or re-use, a method for manufacturing the same, and a falsification, modulation, or reuse authenticity determination method using the same, and more particularly, The present invention relates to a structure for preventing falsification, modulation, or reuse, a method of manufacturing the same, and a method for identifying falsification, modulation, or reuse using the apparatus.

현재, 위조품(counterfeits)의 판매는 사업 전반에 걸쳐 나날이 증가하고 있는 추세이다. 이를 방지하고, 재사용하지 못하도록 하기 위해 점자나 홀로그램 또는 특수잉크를 사용하는 다양한 위조 및 변조 방지기술들이 개발되었다.Currently, sales of counterfeits are increasing day by day throughout the business. Various anti-counterfeiting and anti-tamper technologies have been developed that use a dot, hologram, or special ink to prevent and prevent reuse.

그러나 이러한 기술들은 여전히 위조전문가를 통해 위조 또는 변조되고 있으며, 사용자가 위조 또는 변조 여부를 감별하기가 어렵기 때문에 근절하기가 어려운 실정이다. 게다가, 이러한 점자나 홀로그램 또는 이를 부착한 포장 박스, 용기가 재사용과 같은 제품들이 재사용되는 문제도 발생하고 있어 위조품을 근절이 더욱 어려워 졌다.However, these technologies are still being falsified or tampered with by counterfeit professionals and it is difficult to eradicate them because it is difficult for the user to distinguish between falsification or alteration. In addition, the problem of reusing products such as these points, holograms or packaging boxes and containers with the holograms and reusing them has also become a problem, making it more difficult to eradicate counterfeits.

이에 따라, 적외선을 흡수하여 가시광을 발광하는 up-conversion(UC) 물질을 금속 나노선과 금속 필름 사이에 위치시켜 플라즈모닉 증폭 현상을 이용한 위조방지 구조체가 선행적으로 발표된 바 있다.(Adv. Funct. Meter. 2016, 26,7836). 그러나 이와 같은 구조체는 재사용을 방지하는 구조적 방법이 있으나 이를 위해 별도의 오염물질을 사용해야 하는 문제가 있고, 별도의 암호화가 없어 재현적 시도가 이루어 질 수 있는 문제점이 있었다.Accordingly, anti-falsification structures using plasmonic amplification phenomenon by locating an up-conversion (UC) material absorbing infrared rays and emitting visible light between metal nanowires and metal films have been proactively announced (Adv. Funct Meter, 2016, 26, 7836). However, there is a structural method for preventing reuse of such a structure, but there is a problem in that it requires the use of a separate pollutant and there is a problem that reproducible attempts can be made because there is no separate encryption.

따라서 상기 여러 가지 문제점을 고려하여 재사용을 방지하면서도 패턴을 암호화하여 재현적 시도가 이루어질 수 없어 재사용을 방지할 수 있고, 이를 쉽게 판별할 수 있으며, 가격이 저렴하고 제조가 용이한 위조 방지 기술에 대한 개발이 요구되고 있다. Therefore, in consideration of the above-mentioned problems, it is possible to prevent the reuse and prevent the reuse by preventing the reuse attempt by encrypting the pattern while preventing the reuse, and it is possible to easily identify the reuse, Development is required.

한국공개특허공보 제10-2012-0116635호Korean Patent Laid-Open No. 10-2012-0116635 한국공개특허공보 제10-2011-0045194호Korean Patent Publication No. 10-2011-0045194

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 적외선 조사를 통해 육안으로 진품을 표시하는 패턴을 용이하게 확인할 수 있는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a structure for preventing forgery, modulation, or reuse, which can easily confirm a pattern for displaying an authentic product with naked eyes through infrared irradiation.

본 발명의 다른 목적은 상기 구조체의 변형 후 원천적으로 재조립이 불가능하여 위조, 변조 또는 재사용을 방지하도록 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a structure for preventing forgery, modulation, or reuse, which prevents forgery, alteration or reuse after the deformation of the structure can not be originally reassembled.

본 발명의 일 측면에 따르면,According to an aspect of the present invention,

금속층; 상기 금속층 상에 형성된 복수 개의 업-컨버팅 나노입자(up-converting nanoparticle)를 포함하는 광변환 패턴층; 상기 금속층과 광변환 패턴층 상에 배치된 금속 패턴층; 및 상기 금속 패턴층상에 배치된 점착성 필름;을 포함하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체가 제공된다.A metal layer; A photo-conversion pattern layer comprising a plurality of up-converting nanoparticles formed on the metal layer; A metal pattern layer disposed on the metal layer and the photo-conversion pattern layer; And a tacky film disposed on the metal pattern layer. The structure for preventing falsification, modulation, or reuse is provided.

상기 금속 패턴층은 고립된 금속 나노입자(islanded metal nanoparticle)들에 의해 형성된 것일 수 있다.The metal pattern layer may be formed by islanded metal nanoparticles.

상기 금속층과 금속 패턴층 사이에서 갭 플라즈몬 폴라리톤(gap plasmon polariton) 현상이 일어날 수 있다.A gap plasmon polariton phenomenon may occur between the metal layer and the metal pattern layer.

상기 광변환 패턴층은 제2 암호화 패턴을 형성하고, 상기 금속 패턴층은 제1 암호화 패턴을 형성하며, 상기 제1 암호화 패턴과 제2 암호화 패턴의 중첩부에서 적외선 인가에 따른 광변환 증폭 현상이 일어나는 가시적 패턴 영역이 형성될 수 있다.Wherein the photo-conversion pattern layer forms a second encryption pattern, the metal pattern layer forms a first encryption pattern, and a photo-conversion amplification phenomenon caused by the application of infrared rays at the overlapping portion of the first encryption pattern and the second encryption pattern A visible visible pattern region can be formed.

상기 금속층과 금속 패턴층은 각각 독립적으로 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크로뮴(Cr), ITO(Indium Tin Oxide), AZO(Aluminum-doped zinc oxide) 및 FTO(Fluorine-doped tin oxide) 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.The metal layer and the metal pattern layer may be formed of a metal such as gold, silver, copper, aluminum, titanium, chromium, indium tin oxide, -doped zinc oxide, and FTO (fluorine-doped tin oxide).

상기 업-컨버팅 나노입자의 평균 직경은 5 내지 100㎚ 일 수 있다.The average diameter of the up-converting nanoparticles may be between 5 and 100 nm.

상기 업-컨버팅 나노입자는 이터븀(Yb), 어븀(Er), 툴륨(Tm), 이트륨(Y) 또는 이들을 포함하는 혼합물이 도핑된 할라이드, 칼코게나이드 및 금속 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다.Wherein the upconverting nanoparticles are selected from the group consisting of halides, chalcogenides and metal oxides doped with ytterbium (Yb), erbium (Er), thulium (Tm), yttrium (Y) It can be one.

상기 점착성 필름은 외력이나 열에 의해 상기 금속 패턴층으로부터 분리될 수 있다.The viscous film may be separated from the metal pattern layer by external force or heat.

단계 (b)의 상기 점착성 필름은 점착 테이프 또는 열분리 테이프(thermal release tape) 일 수 있다.The viscous film of step (b) may be an adhesive tape or a thermal release tape.

본 발명의 다른 하나의 측면에 따르면,According to another aspect of the present invention,

(a) 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 단계; (b) 상기 금속 패턴을 점착성 필름으로 전사시켜 금속 패턴층이 형성된 점착성 필름을 제조하는 단계; (c) 금속 기판을 준비하는 단계; (d) 상기 금속 기판상에 업-컨버팅 나노입자를 포함하는 광변환 패턴을 형성하여 광변환 패턴층이 형성된 기판을 제조하는 단계; 및 (e) 상기 광변환 패턴층이 형성된 기판 상에 상기 금속 패턴층이 형성된 점착필름을 배치함으로써, 상기 광변환 패턴층과 금속 패턴층의 중첩부인 가시적 패턴영역을 형성하는 단계;를 포함하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법이 제공된다.(a) forming a metal pattern on a substrate; (b) transferring the metal pattern to a pressure-sensitive adhesive film to produce a pressure-sensitive adhesive film having a metal pattern layer; (c) preparing a metal substrate; (d) forming a photo-conversion pattern including up-converting nanoparticles on the metal substrate to produce a substrate having the photo-conversion pattern layer; And (e) forming a visible pattern region which is an overlapping portion of the photo-conversion pattern layer and the metal pattern layer by disposing an adhesive film having the metal pattern layer formed on the substrate on which the photo-conversion pattern layer is formed, , A method of manufacturing a structure for preventing modulation or reuse is provided.

상기 금속 기판과 상기 금속 패턴 사이에서 갭 플라즈몬 폴라리톤(gap plasmon polariton) 현상이 일어날 수 있다.A gap plasmon polariton phenomenon may occur between the metal substrate and the metal pattern.

단계 (e)의 상기 가시적 패턴 영역에서 적외선 인가에 따른 광변환 증폭 현상이 일어날 수 있다.The photo-conversion amplification phenomenon may occur due to the application of infrared rays in the visible pattern region of step (e).

단계 (a)의 상기 기판은 그래핀, 전이 금속 디칼코제나이드(transition metal dichalcogenide materials, TMDCs), 그라파이트, SiC, SiNx, AlN 및 다이아몬드 중에서 선택된 어느 하나의 층이 형성된 기판일 수 있다.The substrate of step (a) may be a substrate on which any one layer selected from graphene, transition metal dichalcogenide materials (TMDCs), graphite, SiC, SiNx, AlN and diamond is formed.

단계 (a)의 상기 금속 패턴은 포토 리소그래피, 전자빔 리소그래피, 엑스선 리소그래피, 이온빔 리소그래피 및 소프트 리소그래피 중에서 선택된 어느 하나의 방법에 따라 형성할 수 있다.The metal pattern of step (a) may be formed according to any one of the methods selected from photolithography, electron beam lithography, x-ray lithography, ion beam lithography and soft lithography.

단계 (a)에서 상기 금속 패턴은 소정의 위치에 별도로 정렬 키(align key)를 형성하여, 단계 (b)에서 상기 점착성 필름에 상기 정렬 키에 상응하는 패턴이 함께 전사될 수 있다.In step (a), the metal pattern may form an align key separately at a predetermined position, and a pattern corresponding to the alignment key may be transferred to the adhesive film in step (b).

단계 (c)의 상기 금속 기판은 상기 점착성 필름에 형성된 정렬 키에 상응하는 각인이 형성된 것일 수 있다.The metal substrate of step (c) may be stamped corresponding to the alignment key formed on the adhesive film.

단계 (d)의 상기 광변환 패턴은 상기 정렬 키에 상응하는 각인에 맞추어 패터닝함으로써 상기 금속 패턴과의 중첩부가 형성될 수 있다.The light conversion pattern of step (d) may be formed by overlapping with the metal pattern by patterning according to the imprint corresponding to the alignment key.

단계 (e)에서 상기 정렬 키에 상응하는 각인에 맞추어 상기 점착필름 금속 패턴과 금속패턴의 중첩 이후, 상기 점착성 필름의 정렬 키에 상응하는 패턴이 전사된 부분을 제거하는 단계를 추가로 수행할 수 있다.The step of removing the pattern transferred portion corresponding to the alignment key of the adhesive film after the overlapping of the adhesive metal pattern and the metal pattern in accordance with the mark corresponding to the alignment key in the step (e) have.

상기 광변환 패턴은 포토 리소그래피, 전자빔 리소그래피, 엑스선 리소그래피, 이온빔 리소그래피 및 소프트 리소그래피 중에서 선택된 어느 하나의 방법에 따라 형성할 수 있다.The photoconversion pattern may be formed by any one of photolithography, electron beam lithography, x-ray lithography, ion beam lithography, and soft lithography.

단계 (a)의 금속 패턴은 2 내지 15nm의 두께로 형성할 수 있다.The metal pattern of step (a) may be formed to a thickness of 2 to 15 nm.

단계 (a) 이후, 상기 금속 패턴은 200 내지 1000℃로 가열하는 드웨팅(dewetting) 공정을 수행하여 고립된 금속 나노입자(islanded metal nanparticle)들에 의해 형성되도록 할 수 있다.After step (a), the metal pattern may be formed by islanded metal nanoparticles by performing a dewetting process of heating to 200 to 1000 ° C.

단계 (b) 이후, 상기 금속 패턴층이 형성된 점착 필름에 전사된 그래핀을 제거하는 단계를 추가로 수행할 수 있다.After step (b), the step of removing the graphene transferred to the adhesive film on which the metal pattern layer is formed may be further performed.

본 발명의 다른 또 하나의 측면에 따르면,According to another aspect of the present invention,

상기 구조체를 포함하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 포장 박스 또는 용기가 제공된다.There is provided a packaging box or container for preventing falsification, modulation, or reuse including the above structure.

상기 구조체는 상기 포장 박스 또는 용기의 표면 또는 개폐구에 장착될 수 있다.The structure may be mounted on the surface of the packaging box or container or an opening / closing port.

본 발명의 다른 또 하나의 측면에 따르면,According to another aspect of the present invention,

(1) 외부의 빛을 차단한 상태에서 제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 구조체에 적외선을 인가하는 단계; 및 (2) 상기 적외선이 인가된 구조체에서 나타나는 발광 패턴을 확인하여 상기 구조체의 위조, 변조 또는 재사용 진위 여부를 확인하는 단계;를 포함하는 위조, 변조 또는 재사용 진위 여부를 판별하는 방법이 제공된다.(1) applying infrared rays to the structure of any one of claims 1 to 8 in a state of blocking external light; And (2) confirming whether the structure is falsified, altered, or reused by confirming a light emission pattern appearing in the structure to which the infrared ray is applied, and then determining whether the structure is falsified, altered, or reused.

단계 (2)는 육안 또는 가시광 검출 장치로 발광 패턴을 확인할 수 있다.Step (2) can confirm the light emission pattern with the naked eye or the visible light detection device.

본 발명의 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체는 적외선 조사를 통해 육안으로 진품을 표시하는 패턴을 용이하게 확인할 수 있다.The structure for preventing falsification, modulation, or reuse of the present invention can easily identify a pattern for displaying an authentic product with naked eyes through infrared irradiation.

또한, 본 발명의 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체는 포장용기의 해체 등으로 인한 구조체의 변형 후 원천적으로 재조립이 불가능하여 위조, 변조 또는 재사용을 방지할 수 있다.In addition, the structure for preventing forgery, modulation, or reuse of the present invention can not be reassembled after the structure is deformed due to disassembly of the packaging container, thereby preventing forgery, modulation, or reuse.

도 1은 본 발명의 플라즈모닉 필름을 위조방지에 적용하기 위한 암호화 패턴 예를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법을 나타낸 공정도이다.
도 3은 완성된 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체를 인위적으로 분리한 후, 재부착시 패턴의 불일치로 구조체를 재사용될 수 없음을 나타낸 것이다.
도 4는 플라즈모닉 특성을 가지는 필름의 제조 공정과 이를 디바이스에 적용하는 공정을 나타낸 것이다.
도 5는 그래핀 기판 상에 형성된 Ag 나노입자와 점착 테이프로 전사 후의 그래핀 기판의 표면의 SEM 이미지이다.
도 6은 금속 나노입자로 이루어진 금속 패턴층이 형성된 점착성 필름의 제조와 이를 디바이스에 적용한 방법에 대한 공정을 나타낸 것이다.
도 7은 본 발명의 실시예 1의 금속패턴, 광변환 패턴 및 가시적 패턴을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 8은 실시예 1에 따라 제조된 위변조 방지용 구조체의 적외선 조사 전 후의 사진을 나타낸 것이다.
도 9는 실시예 1, 및 비교예 1 내지 3에 따라 제조된 구조체 각각에 적외선을 인가하였을 때, 발광 세기를 측정한 결과 그래프이다.
1 shows an example of an encryption pattern for applying the plasmonic film of the present invention to anti-counterfeiting.
2 is a process diagram showing a manufacturing method of a structure for preventing falsification, modulation, or reuse of the present invention.
Figure 3 shows that the structure can not be reused due to pattern mismatches upon reattachment after artificially separating the completed falsification, modulation or reuse prevention structure.
FIG. 4 shows a process of manufacturing a film having plasmonic characteristics and a process of applying the film to a device.
5 is an SEM image of the surface of the graphene substrate after transferring the Ag nanoparticles formed on the graphene substrate and the adhesive tape.
FIG. 6 shows a process for manufacturing a pressure-sensitive adhesive film having a metal pattern layer made of metal nanoparticles and a method for applying the pressure-sensitive adhesive film to a device.
7 schematically shows a metal pattern, a light conversion pattern, and a visible pattern according to Example 1 of the present invention.
8 is a photograph of the structure for preventing forgery-inhibition produced according to Example 1 before and after irradiation with infrared rays.
FIG. 9 is a graph showing a result of measurement of luminescence intensity when infrared rays are applied to each of the structures manufactured according to Example 1 and Comparative Examples 1 to 3. FIG.

이하에서, 본 발명의 여러 측면 및 다양한 구현예에 대해 더욱 구체적으로 설명한다.In the following, various aspects and various embodiments of the present invention will be described in more detail.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.

그러나, 이하의 설명은 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.However, the following description does not limit the present invention to specific embodiments. In the following description of the present invention, detailed description of related arts will be omitted if it is determined that the gist of the present invention may be blurred .

본원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises ",or" having ", and the like, specify that the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, or combinations thereof, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, or combinations thereof.

도 1은 본 발명의 플라즈모닉 필름을 위조방지에 적용하기 위한 암호화 패턴의 예를 나타낸 것이다. 이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체에 대해 설명하도록 한다. 본 발명의 구조체는 금속층; 광변환 패턴층; 금속 패턴층; 및 점착성 필름;을 포함한다.Fig. 1 shows an example of an encryption pattern for applying the plasmonic film of the present invention to anti-counterfeiting. Hereinafter, a structure for preventing falsification, modulation, or reuse of the present invention will be described with reference to FIG. The structure of the present invention includes a metal layer; A light conversion pattern layer; A metal pattern layer; And an adhesive film.

상기 금속층은 2차원 금속 박막 형태일 수 있고, 금속 자체의 흡수 손실이 작은 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu)와 같은 귀금속 물질에서 선택된 하나 이상의 금속 또는 하나 이상의 금속을 주성분으로 포함하는 합금인 것이 바람직하나, 본 발명의 범위가 여기에 한정되지 않으며 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크로뮴(Cr), ITO(Indium Tin Oxide), AZO(Aluminum-doped zinc oxide), FTO(Fluorine-doped tin oxide) 등 플라즈몬을 여기시킬 수 있는 가능한 모든 물질이 적용될 수 있다.The metal layer may be in the form of a two-dimensional metal thin film, and may include at least one metal selected from gold (Au), silver (Ag), and copper (Cu) (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), indium tin oxide (ITO), aluminum-doped zinc oxide (AZO), FTO Fluorine-doped tin oxide) can be applied.

상기 금속층의 두께는 충분한 갭 플라즈몬 폴라리톤 효과를 얻으면서도, 가시광의 투과를 막을 수 있는 50㎚이상인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 100㎚ 이상일 수 있다. The thickness of the metal layer is preferably 50 nm or more, more preferably 100 nm or more, which can prevent transmission of visible light while obtaining a sufficient gap-plasmon polariton effect.

상기 광변환 패턴층은 상기 금속층 상에 형성된 복수 개의 업-컨버팅 나노입자(up-converting nanoparticle)에 의해 형성된 것일 수 있다.The photo-conversion pattern layer may be formed of a plurality of up-converting nanoparticles formed on the metal layer.

상기 업-컨버팅 나노입자는 이터븀(Yb), 어븀(Er), 툴륨(Tm), 이트륨(Y) 또는 이들을 포함하는 혼합물이 도핑된 할라이드, 칼코게나이드 및 금속 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있으나, 본 발명의 범위가 여기에 한정되지 않으며, 업-컨버팅을 발생시킬 수 있는 나노입자는 모두 적용될 수 있다.Wherein the upconverting nanoparticles are selected from the group consisting of halides, chalcogenides and metal oxides doped with ytterbium (Yb), erbium (Er), thulium (Tm), yttrium (Y) But the scope of the present invention is not limited thereto, and all the nanoparticles capable of causing up-conversion can be applied.

상기 업-컨버팅 나노입자의 평균직경은 상기 금속층과 금속 패턴층의 이격거리와 밀접하게 관련이 있고, 갭 플라즈몬 폴라리톤 효과를 가지기 위해 요구되는 상기 이격거리는 상기 금속층과 금속 패턴층의 금속 종류에 따라 적절히 선택될 수 있는데, 바람직하게는 5 내지 100㎚일 수 있고, 상기 하한치와 상한치를 벗어날 경우 갭 플라즈몬 폴라리톤 효과가 나타나지 않을 수 있다. 따라서, 상기 업-컨버팅 나노입자의 평균 직경은 5 내지 100㎚인 것이 바람직하다. The average diameter of the up-converting nanoparticles is closely related to the spacing distance between the metal layer and the metal pattern layer, and the spacing distance required for the gap plasmon polariton effect depends on the metal type of the metal layer and the metal pattern layer May be appropriately selected, preferably from 5 to 100 nm, and when the lower limit and the upper limit are exceeded, the gap plasmon polariton effect may not be exhibited. Thus, the average diameter of the up-converting nanoparticles is preferably 5 to 100 nm.

일례로, 상기 금속층과 금속 패턴층의 소재가 은(Ag)일 경우, 상기 업-컨버팅 나노입자의 평균직경은 5 내지 100㎚인 것이 바람직하다. 상기 업-컨버팅 나노입자의 평균 직경이 5㎚ 미만이면 갭 플라즈몬 폴라리톤 효과가 나타나지 않고, 100㎚를 초과할 경우에는 상기 금속층과 금속 패턴층 간의 이격거리가 커지므로 갭 플라즈몬 폴라리톤 효과가 나타나지 않아 적외선을 조사하여도 가시광이 발생하지 않을 수 있다. 다시 말해, 상기 업-컨버팅 나노입자의 평균 직경이 5㎚ 미만이거나 100㎚를 초과할 경우, 780-2000㎚ 파장의 적외선에 대해서 갭 플라즈몬 폴라리톤 효과를 일으키기에 유효한 이격거리를 벗어나게 된다는 것이다.For example, when the material of the metal layer and the metal pattern layer is silver (Ag), the average diameter of the up-converting nanoparticles is preferably 5 to 100 nm. When the average diameter of the up-converting nanoparticles is less than 5 nm, the gap plasmon polariton effect does not appear. When the average diameter of the up-converting nanoparticles exceeds 100 nm, the gap distance between the metal layer and the metal pattern layer increases, Visible light may not be generated even when infrared rays are irradiated. In other words, when the average diameter of the up-converting nanoparticles is less than 5 nm or exceeds 100 nm, the distance away from the effective distance for generating a gap plasmon polariton effect for infrared rays of 780-2000 nm wavelength is deviated.

따라서, 상기 광변환 패턴층의 두께는 코팅된 업-컨버팅 나노입자의 평균 직경에 따라 조절할 수 있다.Thus, the thickness of the photo-conversion pattern layer can be controlled according to the average diameter of the coated up-converting nanoparticles.

상기 금속 패턴층은 상기 금속층과 광변환 패턴층 상에 배치된다. 이에 따라 상기 광변환 패턴층과 금속 패턴층은 서로 겹치는 중첩부가 형성되고, 이 부분은 갭 플라즈몬 폴라리톤 효과에 따라 가시적인 패턴 영역을 형성할 수 있다.The metal pattern layer is disposed on the metal layer and the photoconversion pattern layer. Accordingly, a superimposed portion overlapping the photo-conversion pattern layer and the metal pattern layer is formed, and this portion can form a visible pattern region in accordance with the gap plasmon polariton effect.

상기 금속 패턴층은 드웨팅(dewetting) 공정에 따라 고립된 금속 나노입자(islanded metal nanoparticle)들에 의해 형성될 수 있다.The metal pattern layer may be formed by isolated metal nanoparticles according to a dewetting process.

상기 점착성 필름은 상기 금속 패턴층상에 배치될 수 있다.The adhesive film may be disposed on the metal pattern layer.

상기 점착성 필름은 외력이나 열에 의해 상기 금속 패턴층으로부터 용이하게 분리되는 것일 수 있으며, 점착 테이프 또는 열분리 테이프(thermal release tape)일 수 있다. 상기 점착성 필름은 그 자체로 구조체를 캡핑(capping)할 수 있으며, 탈착하여 별도의 캡핑 구조를 형성할 수도 있다.The tacky film may be easily separated from the metal pattern layer by external force or heat, and may be an adhesive tape or a thermal release tape. The adhesive film may itself cap the structure and may be detached to form a separate capping structure.

상기 금속 패턴층은 금속 자체의 흡수 손실이 작은 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu)와 같은 귀금속 물질에서 선택된 하나 이상의 금속 또는 하나 이상의 금속을 주성분으로 포함하는 합금인 것이 바람직하나, 본 발명의 범위가 여기에 한정되지 않으며 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크로뮴(Cr), ITO(Indium Tin Oxide), AZO(Aluminum-doped zinc oxide), FTO(Fluorine-doped tin oxide) 등 플라즈몬을 여기시킬 수 있는 가능한 모든 물질이 적용될 수 있다.The metal pattern layer is preferably an alloy containing at least one metal selected from the group consisting of gold (Au), silver (Ag), and copper (Cu) The scope of the present invention is not limited thereto and aluminum, aluminum, titanium, chromium, indium tin oxide (ITO), aluminum-doped zinc oxide (AZO), fluorine-doped tin oxide Any material capable of exciting plasmons can be applied.

이에 따라, 본 발명의 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체에서, 상기 금속 패턴층은 제1 암호화 패턴(패턴 A에 해당)을 형성하고, 상기 광변환 패턴층은 제2 암호화 패턴(패턴 B에 해당)을 형성하며, 상기 제1 암호화 패턴과 제2 암호화 패턴이 마이크로 또는 나노 수준의 영역에서 정렬된 중첩부에서 적외선 인가에 따른 광변환 증폭 현상이 일어나는 가시적 패턴 영역이 형성될 수 있다.
Thus, in the structure for preventing forgery, modulation, or reuse of the present invention, the metal pattern layer forms a first encryption pattern (corresponding to the pattern A), and the light conversion pattern layer forms a second encryption pattern (corresponding to the pattern B) And a visible pattern region in which a photo-conversion amplification phenomenon occurs when an infrared ray is applied in an overlapped portion in which the first encryption pattern and the second encryption pattern are aligned in a micro or nano level region may be formed.

도 2는 본 발명의 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법을 나타낸 공정도이다. 이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법에 대해 설명하도록 한다.2 is a process diagram showing a manufacturing method of a structure for preventing falsification, modulation, or reuse of the present invention. Hereinafter, a method of manufacturing a structure for preventing falsification, modulation, or reuse of the present invention will be described with reference to FIG.

먼저, first, 기판 상에On the substrate 금속 패턴을 형성한다(단계 a). To form a metal pattern (step a).

상기 기판은 그래핀층이 형성된 기판인 것이 바람직하고, 상기 금속 패턴(패턴 A에 해당)은 상기 그래핀층 상에 형성하는 것이 바람직하다. 그러나 본 발명의 범위가 그래핀층에 한정되는 것은 아니고, 상기 기판상에 100nm 이하의 두께로 층을 형성할 수 있는 전이 금속 디칼코제나이드(transition metal dichalcogenide materials, TMDCs)과 같은 2차원 물질, 그라파이트, SiC, SiNx, AlN, 다이아몬드 등의 층이 형성된 기판인 것을 특징으로 등의 모든 물질을 적용할 수 있다.The substrate is preferably a substrate having a graphene layer formed thereon, and the metal pattern (corresponding to the pattern A) is preferably formed on the graphene layer. However, the scope of the present invention is not limited to the graphene layer. It is also possible to use a two-dimensional material such as transition metal dichalcogenide materials (TMDCs) capable of forming a layer with a thickness of 100 nm or less on the substrate, SiC, SiNx, AlN, diamond, or the like is formed on the substrate.

상기 금속 패턴은 포토 리소그래피, 전자빔 리소그래피, 엑스선 리소그래피, 이온빔 리소그래피, 소프트 리소그래피 등의 방법에 따라 형성될 수 있으나, 본 발명의 범위가 여기에 한정되지 않는다.The metal pattern may be formed by a method such as photolithography, electron beam lithography, x-ray lithography, ion beam lithography, or soft lithography, but the scope of the present invention is not limited thereto.

상기 금속 패턴은 금속 박막을 2 내지 15nm의 두께로 증착한 후, 200 내지 1000℃로 가열하는 드웨팅(dewetting) 공정을 수행하여 고립된 금속 나노입자(islanded metal nanoparticle)들에 의해 형성되도록 할 수 있다.The metal pattern may be formed by islanded metal nanoparticles by performing a dewetting process in which a metal thin film is deposited to a thickness of 2 to 15 nm and then heated to 200 to 1000 ° C. have.

상기 증착은 스핀코팅, 스프레이코팅, 딥핑(dipping)코팅, 드롭(drop)코팅 등의 방법으로 수행할 수 있다.The deposition may be performed by a method such as spin coating, spray coating, dipping coating, or drop coating.

상기 금속 패턴은 암호화 패턴 외에 소정의 위치에 별도로 정렬 키(align key)를 형성하여, 이후 형성될 광변환 패턴과 정렬을 용이하게 하도록 할 수 있다.The metal pattern may have an align key separately formed at a predetermined position in addition to the encryption pattern so as to facilitate alignment with the light conversion pattern to be formed thereafter.

다음으로, 상기 금속 패턴을 점착성 필름으로 전사시켜 금속 Next, the metal pattern is transferred to a pressure-sensitive adhesive film, 패턴층이The pattern layer 형성된 점착성 필름을 제조한다(단계 b). To form a formed tacky film (step b).

상기 점착성 필름은 외력이나 열에 의해 상기 금속 패턴층으로부터 용이하게 분리되는 것일 수 있으며, 점착 테이프 또는 열분리 테이프(thermal release tape)일 수 있다. 상기 점착성 필름은 그 자체로 구조체를 캡핑(capping)할 수 있으며, 탈착하여 별도의 캡핑 구조를 형성할 수도 있다.The tacky film may be easily separated from the metal pattern layer by external force or heat, and may be an adhesive tape or a thermal release tape. The adhesive film may itself cap the structure and may be detached to form a separate capping structure.

상기 점착성 필름에 단계 (a)에서 형성된 상기 정렬 키(align key)에 상응하는 패턴이 함께 전사되도록 하여, 이후 형성될 광변환 패턴과의 정렬이 용이하게 이루어질 수 있도록 할 수 있다.A pattern corresponding to the align key formed in step (a) may be transferred to the adhesive film so that alignment with the light conversion pattern to be formed thereafter can be facilitated.

상기 금속 패턴층이 형성된 점착 필름에 전사된 그래핀을 제거하는 단계를 추가로 수행할 수 있다.The step of removing the graphene transferred to the adhesive film on which the metal pattern layer is formed may be further performed.

금속 패턴층이 형성된 점착성 필름은 이 자체로서 플라즈모닉 효과를 가지는 점착 필름으로 사용될 수 있다. 따라서 적용이 필요한 소자에 금속 패턴층을 전사시키고, 필요에 따라 점착성 필름만을 떼어낼 수도 있다.The adhesive film on which the metal pattern layer is formed can be used as an adhesive film having a plasmonic effect as such. Therefore, it is also possible to transfer the metal pattern layer to a device which needs to be applied, and to peel off only the adhesive film as necessary.

이후, 금속 기판을 준비한다(단계 c).Thereafter, a metal substrate is prepared (step c).

상기 금속 기판은 상기 점착성 필름에 형성된 정렬 키에 상응하는 각인이 형성된 것일 수 있다.The metal substrate may have a stamp corresponding to an alignment key formed on the adhesive film.

상기 금속 기판은 2차원 금속 박막 형태일 수 있고, 금속 자체의 흡수 손실이 작은 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu)와 같은 귀금속 물질에서 선택된 하나 이상의 금속 또는 하나 이상의 금속을 주성분으로 포함하는 합금일 수 있다.The metal substrate may be in the form of a two-dimensional metal thin film, and may be formed of at least one metal selected from gold (Au), silver (Ag) and copper (Cu) Containing alloy.

상기 금속 기판의 두께는 충분한 갭 플라즈몬 폴라리톤 효과를 얻으면서도, 가시광의 투과를 막을 수 있는 100㎚이상인 것이 바람직하다. It is preferable that the thickness of the metal substrate is 100 nm or more, which can prevent transmission of visible light while obtaining a sufficient gap-plasmon polariton effect.

다음으로, 상기 금속 기판상에 업-Next, on the metal substrate, 컨버팅Converting 나노입자를 포함하는  Containing nanoparticles 광변환Photoconversion 패턴을 형성하여  By forming a pattern 광변환Photoconversion 패턴층이The pattern layer 형성된 기판을 제조한다(단계 d). To form a formed substrate (step d).

상기 광변환 패턴(패턴 B에 해당)은 상기 금속 기판상의 정렬 키에 상응하는 각인에 맞추어 패터닝함으로써 상기 금속 패턴과의 중첩부가 형성되도록 할 수 있다.The light conversion pattern (corresponding to the pattern B) may be patterned according to an imprint corresponding to the alignment key on the metal substrate, thereby forming an overlapped portion with the metal pattern.

상기 광변환 패턴은 포토 리소그래피, 전자빔 리소그래피, 엑스선 리소그래피, 이온빔 리소그래피, 소프트 리소그래피 등에 따라 형성될 수 있으나, 본 발명의 범위가 여기에 한정되지 않는다. The light conversion pattern may be formed by photolithography, electron beam lithography, x-ray lithography, ion beam lithography, soft lithography, etc., but the scope of the present invention is not limited thereto.

상기 금속 기판과 상기 금속 패턴 사이에서 갭 플라즈몬 폴라리톤(gap plasmon polariton) 현상이 일어날 수 있다.A gap plasmon polariton phenomenon may occur between the metal substrate and the metal pattern.

마지막으로, 상기 Finally, 광변환Photoconversion 패턴층이The pattern layer 형성된  Formed 기판 상에On the substrate 상기 금속  The metal 패턴층이The pattern layer 형성된 점착필름을 배치함으로써, 상기  By disposing the formed pressure sensitive adhesive film, 광변환Photoconversion 패턴층과Pattern layer 금속  metal 패턴층의Pattern layer 중첩부인 가시 패턴영역(패턴 C에 해당)을 형성한다(단계 e). (Corresponding to the pattern C) (step e).

상기 가시적 패턴 영역에서 적외선 인가에 따른 광변환 증폭 현상이 일어날 수 있다.A photoconversion amplification phenomenon may occur due to the application of infrared rays in the visible pattern region.

이후, 상기 점착성 필름의 정렬 키에 상응하는 패턴이 전사된 부분을 제거하는 단계를 추가로 수행하는 것이 바람직하다. 정렬 키가 제거되면 구조체의 변형이 이루어진 경우 재조립이 사실상 불가능하여 구조체의 재사용을 방지할 수 있다.Thereafter, it is preferable to further perform a step of removing the transferred portion corresponding to the alignment key of the adhesive film. If the alignment key is removed, reformation of the structure can be practically impossible and reuse of the structure can be prevented.

도 3은 완성된 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체를 인위적으로 분리한 후, 재부착시 패턴의 불일치로 구조체를 재사용될 수 없음을 나타낸 것이다.
Figure 3 shows that the structure can not be reused due to pattern mismatches upon reattachment after artificially separating the completed falsification, modulation or reuse prevention structure.

본 발명은 상기 구조체를 포함하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 포장 박스 또는 용기를 제공한다.The present invention provides a packaging box or container for preventing forgery, modulation, or reuse comprising the structure.

상기 구조체는 상기 포장 박스 또는 용기의 표면 또는 개폐구에 장착될 수 있다.
The structure may be mounted on the surface of the packaging box or container or an opening / closing port.

본 발명은 위조, 변조 또는 재사용 진위여부를 판별하는 방법을 제공한다.The present invention provides a method for determining whether or not a counterfeit, modulated, or reused authenticity is true.

구체적으로, 먼저 외부의 빛을 차단한 상태에서 본 발명의 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체에 적외선을 인가한다(단계 1).Specifically, first, infrared rays are applied to the structure for preventing falsification, modulation, or reuse of the present invention in a state where external light is blocked (step 1).

다음으로, 상기 적외선이 인가된 구조체에서 나타나는 발광 패턴을 확인하여 상기 구조체의 위조, 변조 또는 재사용 진위여부를 확인한다(단계 2).Next, a light emission pattern appearing in the structure to which the infrared ray is applied is checked to confirm whether the structure is forged, modulated or reused (Step 2).

상기 진위여부의 확인은 육안 또는 가시광 검출 장치로 발광 패턴(도 1의 패턴 C에 해당)을 확인하는 것으로 이루어질 수 있다.The confirmation of the authenticity may be made by confirming a light emission pattern (corresponding to the pattern C in Fig. 1) with a naked eye or a visible light detection device.

본 발명에 따른 위조, 변조 또는 재사용 진위여부를 판별하는 방법은 용도에 따라 선택적으로 사용되어야 한다. 즉, 위조 변조 및 재사용 진위여부를 보다 면밀히 정밀하게 판별하기 위해서는 가시광 검출 장치를 사용하여 가시광 발광세기 및 나타나는 스펙트럼의 형태를 비교하여 분석하는 방법을 사용할 수 있다.
The method for discriminating the authenticity of forgery, modulation or reuse according to the present invention should be selectively used depending on the use. That is, in order to more precisely discriminate whether or not the authenticity of the forgery modulation and the reuse is true, a method of analyzing the visible light emission intensity and the appearance of the spectrum by using the visible light detection apparatus can be used.

이하에서 실시예 등을 통해 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 하며, 다만 이하에 실시예 등에 의해 본 발명의 범위와 내용이 축소되거나 제한되어 해석될 수 없다. 또한, 이하의 실시예를 포함한 본 발명의 개시 내용에 기초한다면, 구체적으로 실험 결과가 제시되지 않은 본 발명을 통상의 기술자가 용이하게 실시할 수 있음은 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연하다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and the like, but the scope and content of the present invention can not be construed to be limited or limited by the following Examples. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the following claims. It is natural that it belongs to the claims.

또한 이하에서 제시되는 실험 결과는 상기 실시예 및 비교예의 대표적인 실험 결과만을 기재한 것이며, 아래에서 명시적으로 제시하지 않은 본 발명의 여러 구현예의 각각의 효과는 해당 부분에서 구체적으로 기재하도록 한다.
In addition, the experimental results presented below only show representative experimental results of the embodiments and the comparative examples, and the respective effects of various embodiments of the present invention which are not explicitly described below will be specifically described in the corresponding part.

[실시예][Example]

제조예Manufacturing example 1:  One: 플라즈모닉Plasmonics 필름의 제조 Production of film

도 4는 플라즈모닉 특성을 가지는 필름의 제조 공정과 이를 디바이스에 적용하는 공정을 나타낸 것이다. 이에 따르면, 먼저 그래핀이 전사된 SiO2 기판을 준비한 다음 은(Ag) 박막을 약 10nm 두께로 증착하였다. 증착된 Ag 박막은 퍼니스 장비에서 450℃에서 열처리 함으로써 드웨팅(dewetting)된 Ag의 고립된 나노입자(islanded nanoparticle)가 그래핀층 상에 형성되도록 하였다. 이렇게 형성된 Ag 나노입자 상에 점착 테이프를 붙였다. 붙인 접착 테이프는 기포가 발생되지 않게 밀착되도록 눌러주었다. 이후, 별도의 화학적 처리없이 바로 기판에서 테이프를 떼어내어 그래핀과 함께 Ag 나노입자가 테이프 점착면으로 붙게 된다. 이 자체로써 테이프는 고 헤이즈 및 플라즈모닉 효과를 가지는 점착 필름으로서 역할을 할 수 있다. 그래핀 기판 상에 형성된 Ag 나노입자와 점착 테이프로 전사 후의 그래핀 기판의 표면의 SEM 이미지를 도 5에 나타내었다.FIG. 4 shows a process of manufacturing a film having plasmonic characteristics and a process of applying the film to a device. According to this, an SiO 2 substrate on which graphene was transferred was first prepared, and then an (Ag) thin film was deposited to a thickness of about 10 nm. The deposited Ag thin films were annealed at 450 ° C in furnace equipment to allow the formation of dewetted Aged islanded nanoparticles on the graphene layer. The Ag nanoparticles thus formed were adhered with an adhesive tape. The adhesive tape thus adhered was pressed so as not to bubble. Then, the tape is peeled off from the substrate without any chemical treatment, and the Ag nanoparticles are adhered to the tape adhering surface together with the graphene. By itself, the tape can act as an adhesive film having a high haze and plasmonic effect. An SEM image of the surface of the graphene substrate after transferring the Ag nanoparticles formed on the graphene substrate and the adhesive tape is shown in Fig.

이때, 그래핀에 의한 소자의 악영향을 막기 위해서는 그래핀 위로 O2 플라즈마 표면처리를 수초 시행함으로써 그래핀이 제거될 수 있다. 또한, 점착 테이프 대신 열분리 테이프(thermal release tape)을 사용한 경우 적용하고자 하는 소자에 Ag 나노입자만을 전사할 수 있게 된다. 열분리 테이프의 통상 적용온도는 100℃ 내외이며, 이 전사 방법을 이용하게 되면 화학적 처리를 피해야 하거나 고온처리가 힘든 고분자 소자에 적용하기에 유리하다.
At this time, in order to prevent the adverse effect of the device by graphene, graphene can be removed by performing O 2 plasma surface treatment on graphene in a few seconds. In addition, when a thermal release tape is used in place of the adhesive tape, only the Ag nanoparticles can be transferred to the device to be applied. The normal application temperature of the heat separation tape is about 100 占 폚. If this transfer method is used, it is advantageous to apply it to a polymer device which must avoid chemical treatment or is difficult to treat at high temperature.

제조예Manufacturing example 2: 금속  2: Metal 패턴층이The pattern layer 형성된 점착성 필름의 제조 Preparation of formed adhesive film

도 6은 금속 나노입자로 이루어진 금속 패턴층이 형성된 점착성 필름의 제조와 이를 디바이스에 적용한 방법에 대한 공정을 나타낸 것이다. 이에 따르면, 고분자 나노 패터닝 방법은 이미 임프린팅 기법과 같은 어레이를 이루는 연구가 활발이 진행되고 있으며, 많은 성공 사례가 이어지고 있으나, 소자 전극을 이루기 위해서는 케미컬 및 산소와의 접촉을 피하기 위하여 하부전극 패터닝을 선택하여야 하는 제한적 요소가 있다. 하지만 패터닝 전사 방법을 통하여 소자를 이루면 이러한 제한적 요소가 해소될 수 있다. FIG. 6 shows a process for manufacturing a pressure-sensitive adhesive film having a metal pattern layer made of metal nanoparticles and a method for applying the pressure-sensitive adhesive film to a device. According to this, in the polymer nano patterning method, an array like the imprinting technique has been actively researched, and many successful cases have been made. In order to form the device electrode, patterning of the lower electrode is performed to avoid contact with chemical and oxygen There are limited factors to choose from. However, when the device is formed through the patterning transfer method, such a limiting factor can be solved.

먼저, 그래핀이 전사된 SiO2 기판을 준비한 다음 전자빔(e-beam) 리소그래피법을 통하여 메탈 전극 패턴을 그래핀 상에 형성하였다. 형성된 메탈 패턴 위로 열분리 테이프(thermal release tape)을 부착 후 떼어내어 메탈 패턴을 테이프면으로 전사 시켰다. 이때, 불필요한 그래핀 부분은 O2 플라즈마 표면처리를 수초 시행함으로써 제거하였다. 이후, 적용하고자 하는 고분자 어레이 상에 얼라인먼트를 시행 후 부착하고자 하는 위치에 맞게 부착하였다. 여기서, 이 상태로 열분리 테이프(thermal release tape)로 캡핑(capping)할 수 있고, 이 경우에는 별도의 실링(sealing) 공정을 생략할 수 있다. 또는 필요시 약한 열을 가하여 열분리 테이프를 분리하고 별도의 실링 공정을 수행할 수도 있다.
First, a graft-transferred SiO 2 substrate was prepared, and then a metal electrode pattern was formed on the graphene through an e-beam lithography method. A thermal release tape was attached to the formed metal pattern, and then the metal pattern was transferred to the tape surface. At this time, unnecessary graphene portions were removed by performing O 2 plasma surface treatment for several seconds. Thereafter, alignment was performed on the polymer array to be applied, and then attached to the desired position. In this case, capping can be performed with a thermal release tape. In this case, a separate sealing process can be omitted. Or if necessary, weak heat may be applied to separate the heat separation tape and perform a separate sealing process.

실시예Example 1: 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체 제조 1: Fabrication of structures for preventing forgery, modulation or reuse

도 7은 본 발명의 실시예 1의 금속패턴, 광변환 패턴 및 가시적 패턴을 개략적으로 나타낸 것이고, 도 8은 실시예 1에 따라 제조된 위변조 방지용 구조체의 적외선 조사 전 후의 사진을 나타낸 것이다. 이하, 도 7 및 도 8을 참조하여 실시예 1을 설명하도록 한다.sFig. 7 is a schematic view showing a metal pattern, a light conversion pattern and a visible pattern of Example 1 of the present invention, and Fig. 8 is a photograph of a structure for preventing forgery-inhibition produced according to Example 1 before and after irradiation with infrared rays. Hereinafter, the first embodiment will be described with reference to FIG. 7 and FIG.

pattern A는 제조예 2에서와 같이, 그래핀/SiO2 상에 패터닝을 통하여 10nm 두께의 은(Ag) 패턴 필름을 형성 후, 제조예 1에서와 같이 드웨팅(dewetting) 공정을 거치고, 공정을 마친 은(Ag) 나노 파티클 패턴은 점착 테이프로 전사시켜 은 패턴이 형성된 점착 필름을 제조하였다.Pattern A was formed by patterning graphene / SiO 2 on a graphene / SiO 2 film to form a 10-nm-thick silver (Ag) pattern film, followed by dewetting as in Production Example 1, The finished silver (Ag) nanoparticle pattern was transferred with an adhesive tape to produce an adhesive film having a silver pattern formed thereon.

pattern B는 정렬 키(align key)(미도시) 모양으로 음각이 되어있는 Ag 박막 기판을 준비하였다. Ag 박막은 실리콘 기판 상에 접착층인 Ti을 20㎚ 두께로 형성한 후, Ag를 증착하여 기판으로부터 Ag 박막이 분리되지 않도록 하였다. Ag 박막 위에 pattern B 모양의 음각 포토레지스트(PR;SU-8) 패턴을 정렬 키에 맞추어 패터닝 후, 20㎚ 평균 직경을 가지는 업-컨버팅 나노입자(β-NaYF4:Yb3 +/Er3 +)를 도포하고, 3000rpm에서 30초간 스핀코팅하여 일정한 두께를 가지는 업컨버전 나노입자 단층으로 이루어진 패턴층을 제작하였다. 이때, 업컨버전 나노입자의 도포과정에서 사용되는 용매인 클로로포름은 스핀코팅과정 중 모두 휘발되므로 별도의 건조과정을 거치지 않았다.Pattern B was prepared with an Ag thin film substrate having an engraved shape with an align key (not shown). The Ag thin film was formed on the silicon substrate to a Ti thickness of 20 nm as an adhesive layer, and then Ag was deposited to prevent the Ag thin film from being separated from the substrate. Converting nanoparticles (β-NaYF 4 : Yb 3 + / Er 3 +) having an average diameter of 20 nm were patterned by patterning an intaglio photoresist (PR (SU-8) ), And spin-coated at 3000 rpm for 30 seconds to prepare a pattern layer composed of a single layer of an up-converted nano-particle having a constant thickness. At this time, chloroform, which is a solvent used in the process of applying the upconversion nanoparticles, was not volatilized during the spin coating process, so that no drying process was performed.

리프트-오프(lift-off) 공정을 완료하고 나면 약 20nm 사이즈의 업-컨버팅 물질의 pattern B는 육안으로 확인할 수 없으며, 현미경 상으로도 그 패턴을 식별하기는 매우 힘들다. Once the lift-off process is complete, the pattern B of the upconverting material of about 20 nm in size can not be visually identified, and it is very difficult to identify the pattern even microscopically.

이렇게 준비된 pattern A가 형성된 금속 패턴층이 형성된 전사 테이프와 pattern B가 형성된 업-컨버팅 패턴이 형성된 은 기판은 정렬 키(align key)에 맞추어 얼라인먼트를 시행하면 real pattern C의 위치에서만 메탈 파티클-업 컨버팅 물질-메탈 필름의 플라즈모닉 구조체를 이루어 업-컨버팅 발광이 증폭되며, 그 외에는 업-컨버팅-메탈 필름 구조체를 이루어 발광이 저하되거나 메탈 파티클-메탈 필름 구조체를 이루어 발광물질의 부재로 발광을 하지 못한다.When the alignment mark is aligned with the transfer tape on which the pattern A having the prepared pattern A is formed and the silver substrate on which the up-converting pattern formed with the pattern B is formed, only the metal particle-up conversion The up-converting light emission is amplified due to the plasmonic structure of the material-metal film. Otherwise, the up-converting-metal film structure is deteriorated in luminescence or the metal particle-metal film structure is formed, .

이때, 테이프 상단의 정렬 키(align key)를 제거해주면 구조체를 파손시킨 후 재부착시에도 얼라인먼트가 힘들게 된다. 또한 재부착을 시도하는 과정에서 탈부착이 반복적으로 이루어질 경우 업-컨버팅 물질이 테이프의 점착제에 의해 2차 훼손이 이루어져 회복이 더욱 어려워 질 수 있다.
At this time, if the alignment key on the tape is removed, the alignment becomes difficult even after the structure is broken and reattached. Also, if detachment is repeatedly performed in the process of attempting reattachment, the upconverting material may be secondarily damaged by the adhesive of the tape, thereby making recovery more difficult.

비교예Comparative Example 1:  One: AgNPAgNP // UCUC // glassglass

금속 기판을 은(Ag) 박막 대신에 유리기판을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 구조체를 제조하였다.
A structure was prepared in the same manner as in Example 1 except that a glass substrate was used instead of the silver (Ag) thin film as the metal substrate.

비교예Comparative Example 2:  2: UCUC // glassglass

금속 기판을 은(Ag) 박막 대신에 유리기판을 사용하여 업-컨버팅 패턴을 형성하고, 은 나노 패턴이 형성된 점착 테이프를 접착하는 과정을 생략한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 구조체를 제조하였다.
A metal substrate was formed in the same manner as in Example 1, except that an up-converting pattern was formed using a glass substrate instead of a silver (Ag) thin film, and the process of adhering the silver nano patterned adhesive tape was omitted, .

비교예Comparative Example 3:  3: UCUC // AgAg filmfilm

은 나노 패턴이 형성된 점착 테이프를 접착하는 과정을 생략한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 구조체를 제조하였다.
A structure was prepared in the same manner as in Example 1, except that the process of adhering the adhesive tape on which the nanopattern was formed was omitted.

[시험예] [Test Example]

근적외선Near infrared (980(980 nmnm ) 업-) Up- 컨버팅Converting (( 광변환Photoconversion ) 발광 스펙트럼() Emission spectrum ( PLPL spectraspectra ) 분석) analysis

도 9는 실시예 1, 및 비교예 1 내지 3에 따라 제조된 구조체 각각에 적외선을 인가하였을 때, 발광 세기를 측정한 결과 그래프이다.FIG. 9 is a graph showing a result of measurement of luminescence intensity when infrared rays are applied to each of the structures manufactured according to Example 1 and Comparative Examples 1 to 3. FIG.

도 9에 따르면, 실시예 1에 따라 제조된 구조체는 520-560 ㎚와 640-680 ㎚ 파장영역에서 비교예 1의 구조체보다 30 내지 40 배 이상의 높은 발광 세기를 나타내는 것을 확인할 수 있었다.9, it was confirmed that the structure prepared according to Example 1 exhibited a luminescence intensity 30 to 40 times higher than that of the structure of Comparative Example 1 in the 520-560 nm and 640-680 nm wavelength regions.

아울러, 비교예 3의 구조체는 퀀칭 효과(quenching ettect)에 의해서 오히려 발광 세기가 감소됨을 확인할 수 있다.In addition, it can be confirmed that the light emitting intensity of the structure of Comparative Example 3 is reduced by the quenching effect.

또한, 비교예 2의 구조체는 금속 패턴층이 존재하기 때문에 표면 플라즈몬 효과를 가짐에도 불구하고, 금속 기판을 생략한 구조이므로 비교예 3과 구조체와 유사한 발광세기를 나타내었다.In addition, although the structure of Comparative Example 2 has a surface plasmon effect due to the presence of the metal pattern layer, the metal substrate is omitted, so that the luminescence intensity is similar to that of the structure of Comparative Example 3.

즉, 본 발명에 따른 구조체에서 적외선을 인가하였을 때, 육안으로 확인될 정도로 가시광이 발광하는 것은, 금속 패턴층과 금속 기판의 간격에 의해 발생하는 갭 플라즈몬 폴라리톤 효과에 의한 것임을 알 수 있다.That is, when the infrared ray is applied to the structure according to the present invention, visible light is visible to the naked eye because of the gap plasmon polariton effect caused by the interval between the metal pattern layer and the metal substrate.

결국, 본 발명에 따른 구조체는 암호화된 두 패턴이 분리되면, 발광하는 가시광의 세기가 현저히 낮아져 육안으로 상기 구조체의 가시적 패턴이 식별되지 않음을 알 수 있고, 이를 통해 본 발명에 따른 구조체가 위조 변조 및 재사용되었는지 여부를 확인할 수 있다.
As a result, the structure according to the present invention shows that when the two encrypted patterns are separated, the intensity of the visible light emitted is remarkably low, so that the visible pattern of the structure is not visually recognized, And whether it has been reused.

이상, 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, many modifications and changes may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. The present invention can be variously modified and changed by those skilled in the art, and it is also within the scope of the present invention.

Claims (19)

금속층;
상기 금속층 상에 형성된 복수 개의 업-컨버팅 나노입자(up-converting nanoparticle)를 포함하는 광변환 패턴층;
상기 금속층과 광변환 패턴층 상에 배치된 금속 패턴층; 및
상기 금속 패턴층상에 배치된 점착성 필름;을 포함하고,
상기 광변환 패턴층은 제2 암호화 패턴을 형성하고,
상기 금속 패턴층은 제1 암호화 패턴을 형성하며,
상기 제1 암호화 패턴과 제2 암호화 패턴의 중첩부에서 적외선 인가에 따른 광변환 증폭 현상이 일어나는 가시적 패턴 영역이 형성되는 것을 특징으로 하는, 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체.
A metal layer;
A photo-conversion pattern layer comprising a plurality of up-converting nanoparticles formed on the metal layer;
A metal pattern layer disposed on the metal layer and the photo-conversion pattern layer; And
And a pressure-sensitive adhesive film disposed on the metal pattern layer,
Wherein the photo-conversion pattern layer forms a second encryption pattern,
Wherein the metal pattern layer forms a first encryption pattern,
Wherein a visible pattern region is formed in the overlapping portion of the first encryption pattern and the second encryption pattern in which a photo-conversion amplification phenomenon occurs due to the application of infrared rays.
제1항에 있어서,
상기 금속 패턴층은 고립된 금속 나노입자(islanded metal nanoparticle)들에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체.
The method according to claim 1,
Wherein the metal pattern layer is formed by isolated metal nanoparticles. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
제1항에 있어서,
상기 금속층과 금속 패턴층 사이에서 갭 플라즈몬 폴라리톤(gap plasmon polariton) 현상이 일어나는 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체.
The method according to claim 1,
Wherein a gap plasmon polariton phenomenon occurs between the metal layer and the metal pattern layer.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 금속층과 금속 패턴층은 각각 독립적으로 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크로뮴(Cr), ITO(Indium Tin Oxide), AZO(Aluminum-doped zinc oxide) 및 FTO(Fluorine-doped tin oxide) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체.
The method according to claim 1,
The metal layer and the metal pattern layer may be formed of a metal such as gold, silver, copper, aluminum, titanium, chromium, indium tin oxide, -doped zinc oxide, and FTO (fluorine-doped tin oxide).
제1항에 있어서,
상기 업-컨버팅 나노입자의 평균 직경은 5 내지 100㎚인 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체.
The method according to claim 1,
Wherein the average diameter of the up-converting nanoparticles is 5 to 100 nm.
제1항에 있어서,
상기 업-컨버팅 나노입자는 이터븀(Yb), 어븀(Er), 툴륨(Tm), 이트륨(Y) 또는 이들을 포함하는 혼합물이 도핑된 할라이드, 칼코게나이드 및 금속 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체.
The method according to claim 1,
Wherein the upconverting nanoparticles are selected from the group consisting of halides, chalcogenides and metal oxides doped with ytterbium (Yb), erbium (Er), thulium (Tm), yttrium (Y) Wherein the structure for preventing forgery, modulation, or reuse is one.
(a) 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 단계;
(b) 상기 금속 패턴을 점착성 필름으로 전사시켜 금속 패턴층이 형성된 점착성 필름을 제조하는 단계;
(c) 금속 기판을 준비하는 단계;
(d) 상기 금속 기판상에 업-컨버팅 나노입자를 포함하는 광변환 패턴을 형성하여 광변환 패턴층이 형성된 기판을 제조하는 단계; 및
(e) 상기 광변환 패턴층이 형성된 기판 상에 상기 금속 패턴층이 형성된 점착필름을 배치함으로써, 상기 광변환 패턴층과 금속 패턴층의 중첩부인 가시적 패턴영역을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 광변환 패턴층은 제2 암호화 패턴을 형성하고,
상기 금속 패턴층은 제1 암호화 패턴을 형성하며,
상기 가시적 패턴영역은 상기 제1 암호화 패턴과 제2 암호화 패턴의 중첩부에서 적외선 인가에 따른 광변환 증폭 현상이 일어나는 것을 특징으로 하는, 제1항의 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법.
(a) forming a metal pattern on a substrate;
(b) transferring the metal pattern to a pressure-sensitive adhesive film to produce a pressure-sensitive adhesive film having a metal pattern layer;
(c) preparing a metal substrate;
(d) forming a photo-conversion pattern including up-converting nanoparticles on the metal substrate to produce a substrate having the photo-conversion pattern layer; And
(e) forming a visible pattern region, which is an overlapping portion of the photo-conversion pattern layer and the metal pattern layer, by disposing an adhesive film on which the metal pattern layer is formed on the substrate on which the photo-conversion pattern layer is formed,
Wherein the photo-conversion pattern layer forms a second encryption pattern,
Wherein the metal pattern layer forms a first encryption pattern,
The method of claim 1, wherein the visible pattern region has a photo-conversion amplification phenomenon caused by application of infrared rays at an overlapping portion of the first encryption pattern and the second encryption pattern.
제8항에 있어서,
단계 (a)의 상기 기판은 그래핀, 전이 금속 디칼코제나이드(transition metal dichalcogenide materials, TMDCs), 그라파이트, SiC, SiNx, AlN 및 다이아몬드 중에서 선택된 어느 하나의 층이 형성된 기판인 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the substrate of step (a) is a substrate on which any one layer selected from graphene, transition metal dichalcogenide materials (TMDCs), graphite, SiC, SiNx, AlN and diamond is formed. A method for manufacturing a structure for preventing modulation or reuse.
제8항에 있어서,
단계 (a)에서 상기 금속 패턴은 소정의 위치에 별도로 정렬 키(align key)를 형성하여, 단계 (b)에서 상기 점착성 필름에 상기 정렬 키에 상응하는 패턴이 함께 전사되는 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the metal pattern is separately formed in a predetermined position in step (a), and a pattern corresponding to the alignment key is transferred to the adhesive film in step (b) A method for manufacturing a structure for preventing modulation or reuse.
제10항에 있어서,
단계 (c)의 상기 금속 기판은 상기 점착성 필름에 형성된 정렬 키에 상응하는 각인이 형성된 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the metallic substrate of step (c) is formed with a stamp corresponding to an alignment key formed on the adhesive film.
제11항에 있어서,
단계 (e) 이후, 상기 점착성 필름의 정렬 키에 상응하는 패턴이 전사된 부분을 제거하는 단계를 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법.
12. The method of claim 11,
Further comprising the step of, after step (e), removing the transferred portion of the pattern corresponding to the alignment key of the adhesive film.
제11항에 있어서,
단계 (d)의 상기 광변환 패턴은 상기 정렬 키에 상응하는 각인에 맞추어 패터닝함으로써 상기 금속 패턴과의 중첩부가 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the light conversion pattern of step (d) is patterned according to an imprint corresponding to the alignment key to form an overlapping part with the metal pattern.
제8항에 있어서,
단계 (a)의 금속 패턴은 2 내지 15nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the metal pattern of step (a) is formed to a thickness of 2 to 15 nm.
제8항에 있어서,
단계 (a) 이후,
상기 금속 패턴은 200 내지 1000℃로 가열하는 드웨팅(dewetting) 공정을 수행하여 고립된 금속 나노입자(islanded metal nanparticle)들에 의해 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법.
9. The method of claim 8,
After step (a)
Wherein the metal pattern is formed by islanded metal nanoparticles by performing a dewetting process of heating the metal pattern to 200 to 1000 ° C. .
제8항에 있어서,
단계 (b) 이후, 상기 금속 패턴층이 형성된 점착 필름에 전사된 그래핀을 제거하는 단계를 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the step (b) further comprises the step of removing the graphene transferred to the adhesive film on which the metal pattern layer is formed.
제1항 내지 제3항, 및 제5항 내지 제7항 중에서 선택된 어느 하나의 구조체를 포함하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 포장 박스.A packaging box for preventing forgery, alteration or reuse, which comprises any one structure selected from the group consisting of the items 1 to 3, and 5 to 7. (1) 외부의 빛을 차단한 상태에서 제1항 내지 제3항, 및 제5항 내지 제7항 중 어느 하나의 구조체에 적외선을 인가하는 단계; 및
(2) 상기 적외선이 인가된 구조체에서 나타나는 발광 패턴을 확인하여 상기 구조체의 위조, 변조 또는 재사용 진위여부를 확인하는 단계;를 포함하는 위조, 변조 또는 재사용 진위여부를 판별하는 방법.
(1) applying infrared rays to the structure of any one of claims 1 to 3 and 5 to 7 while blocking external light; And
(2) confirming whether the structure is falsified, modulated or reused by confirming a light emission pattern appearing in the infrared ray applied structure, and determining whether the structure is falsified, modulated or reused.
제18항에 있어서,
단계 (2)는 육안 또는 가시광 검출 장치로 발광 패턴을 확인하는 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 진위여부를 판별하는 방법.
19. The method of claim 18,
And the step (2) identifies the light emission pattern with a naked eye or a visible light detection device.
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