KR101943755B1 - 우주구조물의 가변형 안테나용 형상 기억 고분자 필름 - Google Patents

우주구조물의 가변형 안테나용 형상 기억 고분자 필름 Download PDF

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Abstract

본 발명은 우주구조물의 가변형 안테나용 형상 기억 고분자 필름에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 에폭시 수지 100 중량부를 기준으로, 경화제로서 방향족 디아민 15 내지 22 중량부 및 첨가제로서 폴리옥시프로필렌(polyoxypropylene)기를 포함하는 폴리에테르아민(polyeheramine) 1 내지 10 중량부를 포함한 조성물을 가교 결합하여 형성된 형상 기억 고분자 필름으로써, 충격강도, 신율 및 원래 형태로 복귀되는 회복률이 우수하여, 우주구조물의 가변형 안테나의 형상 기억 부재로서 유용하게 사용할 수 있는 우주구조물의 가변형 안테나용 형상 기억 고분자 필름에 관한 것이다.

Description

우주구조물의 가변형 안테나용 형상 기억 고분자 필름{A SHAPE MEMORY POLYMER FILM USED FOR A DEPLOYABLE ANTENNA OF A SPACE STRUCTURE}
본 발명은 우주구조물의 가변형 안테나용 형상 기억 고분자 필름에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 충격강도 및 신율과 같은 기계적인 물성이 우수하고 일정수준 이상의 형상 회복률로 우주구조물의 가변형 안테나에 사용할 수 있는 형상 기억 고분자 필름에 관한 것이다.
우주구조물은 인공위성, 우주 비행선, 우주왕복선 또는 우주정거장 등과 같이 지상에서 발사되는 발사체를 통해 우주 공간으로 도달하여 정해진 임무를 수행하는 구조물을 의미한다.
우주구조물은 발사체에 탑재되는 우주구조물의 무게와 부피가 커질수록 발사 비용이 증가하고 기술적으로 어려워진다는 점이 있어 우주구조물에 사용되는 부품은 무게와 부피를 최소화해야 한다고 알려져 있다.
특히, 최근 들어서는 우주 궤도에서 스스로 전개되는 가변형 안테나 기술에 대한 관심이 높아지고 있다. 우주구조물과 지상 관제소의 통신을 가능하게 하는 안테나는 도 1에 나타낸 바와 같다.
도 1의 (a)처럼 가변형 안테나는 우주로 운반 시에 우주구조물에 접혀진 상태로 부착, 보관되어 있다가, 안테나로서 사용될 때에는 도 1의 (b) 내지 (d) 순서로 넓게 펼쳐서 사용된다.
이러한 가변형 안테나의 전개 방식으로서 기계적인 전개 방식을 채용할 경우 별도의 무거운 전개장치를 구비해야 한다. 따라서 최근에는 형상 기억 부재를 이용하여 가변형의 접이식 안테나를 제조하는 방법이 각광을 받고 있다. 즉, 접혀진 상태로 우주 구조물에 구비되어 우주로 운반된 안테나는 공급되는 소정의 열에 의해 형상 기억 부재가 원래의 형상으로 돌아와서 안테나가 펼쳐지게 된다. 그러나 형상 기억 부재로서 형상 기억 합금을 이용하는 경우 금속 재질로 인해 무게가 많이 나가고 접혀 있더라도 부피를 많이 차지하는 등의 문제점이 있다.
이러한 문제점을 개선하기 위하여 형상 기억 부재로서 형상 기억 고분자로 된 필름을 이용하는 방법이 제안되었다. 형상 기억 고분자는 형상 기억 합금보다 가볍고 접이성이 양호하므로 우주구조물의 가변형 안테나용 형상 기억 부재로서 매우 유용하다. 다만, 우주환경에서 가변형 안테나로서 효율적으로 구동될 수 있도록 많은 개선이 필요한 상황이다.
형상 기억 성능을 나타내는 형상 기억 고분자는 폴리우레탄(Polyurethane), 에폭시 수지 등 다양한 폴리머들이 있을 수 있다. 형상 기억 고분자 소재에 있어서 100℃ 이상에서 견디는 고분자 선정은 어려우며, 이 중에서 에폭시 수지의 경우, 기계적 물성, 내화학성 및 치수 안전성이 우수한 고분자로 형상 기억 소재로 사용하는 데에 있어서 적합하다.
형상 기억 고분자로서 일반적인 에폭시 수지는 형상 기억 특성을 나타내는 것은 아니며 특정 조성의 수지가 조합될 때, 형상 기억 특성을 발현할 수 있다. 그러므로 에폭시 수지가 형상 기억 특성이 구현될 수 있도록 특정 조성으로 에폭시 수지는 조합하는 것이 중요하다.
한국공개특허공보 제10-2013-0057986호
이에 상기와 같은 점을 감안하여 본 발명에서 해결하고자 하는 기술적 과제는 에폭시 수지에 경화제 및 첨가제의 함량을 최적화함으로써 우주에서는 별도의 열공급 장치를 구비하지 않고도 우주환경에서 조사되는 태양빛에 의해 원래의 형상으로 회복되는 회복률뿐만 아니라 우주환경에서 태양빛의 조사 방향에 따른 온도차로 인하여 전개과정이나 전개 후에 필름이 깨지지 않는 양호한 충격 강도와 우주구조물을 우주로 발사하기 전에 필름을 접는 과정에서 소성변형이 생기지 않고 잘 접히도록 충분한 신율이 요구되는 우조구조물의 가변형 안테나로서 사용될 수 있는 새로운 형상 기억 고분자 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 형상 기억 고분자 필름은 에폭시 수지 100 중량부를 기준으로, 경화제로서 방향족 디아민 15 내지 22 중량부 및 첨가제로서 폴리에테르아민(polyeheramine) 1 내지 10 중량부를 포함하는 조성물이 가교결합되어 형성된 가교 에폭시 수지 필름이다.
상기 에폭시 수지로는 비스페놀 A의 디글리시딜 에테르(Di-glycidyl Ether of Bisphenol-A, DGEBA), 비스페놀 F의 디글리시딜 에테르(Di-glycidyl Ether of Bisphenol-F, DGEBF) 및 비스페놀 S의 디글리시딜 에테르(Di-glycidyl Ether of Bisphenol-S, DGEBS)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 사용할 수 있으며, 이중 가장 바람직하게는 비스페놀 A의 디글리시딜 에테르를 사용할 수 있다. 그러나 에폭시 수지는 이에 한정되지 않고 이 기술 분야에서 공지되어 있는 다양한 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
상기 경화제로서 사용되는 방향족 디아민은 4,4'-디아미노디페닐메탄(4,4'-diaminodiphenylmethane), 메타-페닐렌디아민(m-phenylenediamine) 및 디아미노디페닐술폰(diaminodiphenylsulfone)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 사용할 수 있으며, 이중 가장 바람직하게는 4,4'-디아미노디페닐메탄을 사용할 수 있다. 여기서 방향족 디아민은 이에 한정되지 않고 이 기술 분야에서 공지되어 있는 다양한 방향족 디아민을 사용할 수 있다.
상기 방향족 디아민은 형상 기억 고분자 필름의 유리전이온도를 소정 온도 이상으로 유지하는데 기여한다. 그러므로 방향족 디아민은 일정 모양으로 접혀진 형상 기억 고분자 필름이 적절한 온도에서 원래 형상으로 회복되도록 하는 형성기억 특성을 발휘하도록 하는 역할을 한다.
이와 같은 상기 방향족 디아민은 에폭시 수지 100 중량부를 기준으로 15 내지 22 중량부를 사용하는 것이 바람직하다. 만약 에폭시 수지 100 중량부를 기준으로 방향족 디아민의 함량이 15 중량부 미만이면 유리전이온도가 지나치게 낮아질 수 있고, 23 중량부를 초과하면 유리전이온도가 지나치게 높아질 수 있다.
상기 첨가제로 사용하는 폴리에테르아민(polyetheramine)은 폴리옥시프로필렌(polyoxypropylene)기를 포함하는 아민 구조체를 사용하는 것이 바람직하며, 구체적으로 하기 화학식 1로 표시되는 폴리(프로필렌 글리콜)비스(2-아미노프로필 에테르)(Poly(propylene glycol)bis(2-aminopropyl ether) 또는 하기 화학식 2로 표시되는 트리메틸올프로판 트리스[폴리(프로필렌 글리콜), 아민 터미네이티드]에테르(Trimethylolpropane tris[poly(propylene glycol),amine terminated]ether)를 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
[화학식 1]
Figure 112017110199508-pat00001
상기 화학식 1에서 n은 1 내지 30의 정수이다.
[화학식 2]
Figure 112017110199508-pat00002
상기 화학식 2에서 n은 1 내지 30의 정수이다.
상기 폴리에테르아민(polyetheramine)은 가교 에폭시 수지 필름의 충격강도 및 신율을 개선하는 목적으로 사용하며, 에폭시 수지 100 중량부를 기준으로 폴리에테르아민은 1 내지 10 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 만약 폴리에테르아민의 함량이 1 중량부 미만이면 충격강도 및 신율의 개선 효과가 없으며, 이와 반대로 10 중량부를 초과하면 충격강도는 향상되나 유리전이온도가 지나치게 높아지거나, 형상 기억 특성이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
이와 같은 조성으로 구성된 형상 기억 고분자 필름은 유리전이온도가 80 내지 130℃이고, ASTM D256 규격에 준하여 측정한 충격강도가 30J/m 이상이고, 120℃에서의 신율은 20 내지 50%이며, 회복률이 80% 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 형상 기억 고분자 필름의 유리전이온도, 충격강도 및 신율 값을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
형상 기억 소재에 있어서 형성 기억 특성을 발휘하는 전이온도는 일반적으로 유리전이온도(glass transition temperature, Tg) 혹은 용융온도(melting temperature, Tm) 이상의 온도에서 고무상과 같은 탄성을 가지므로, 형상 기억 특성을 발휘하는 전이온도 범위를 아는 것이 중요하다.
본 발명에서 형상기억 특성을 발휘하는 전이온도(transition temperature)는 형상 기억 소재의 유리전이온도(glass transition temperature, Tg)이며, 일반적으로 유리전이온도는 시차주사 열량계(differential scanning calorimeter, DSC)나 동적기계분석기(dynamic mechanical analyzer, DMA)와 같은 열분석 장비를 이용하여 측정할 수 있다.
본 발명에서 형상 기억 고분자 필름의 유리전이온도는 5℃/min의 승온 속도로 동적기계분석기(dynamic mechanical analyzer, DMA)를 이용하여 측정한 유리전이온도가 80 내지 130℃인 것이 바람직하다. 만약 유리전이온도가 80℃ 미만이면 우주에서 형태 유지성이 저하되는 문제점이 발생할 수 있고, 유리전이온도가 130℃를 초과하면 접혀진 가변형 안테나가 펼쳐지지 않는 문제점이 발생할 수 있다.
또한, 본 발명의 형상 기억 고분자 필름은 ASTM D256 규격에 의거하여 25℃에서 측정한 충격강도가 30J/m 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직한 충격강도의 범위는 30 내지 100J/m이다. 여기서 충격강도가 30 J/m 미만이면 우주환경에서 태양빛의 조사 방향에 따른 온도차가 크게 차이가 나타나므로 형상 기억 고분자 필름이 원래 형상으로 복원되는 과정이나 복원 후 필름이 깨질 수 있다.
또한, 본 발명의 형상 기억 고분자 필름은 만능시험기(Universal Test Mashine, UTM)을 이용하여 측정온도 120℃에서 측정한 신율이 측정온도 120℃에서 20% 이상인 것이 바람직하며, 보다 바람직한 신율의 범위는 20 내지 50%이다. 만약 신율이 20% 미만이면, 우주구조물을 우주로 발사하기 전에 안테나를 접는 과정에서 잘 접히지 않으며 소성변형이 생기는 우려가 있다. 그리고 신율이 50%를 초과하면 형상 기억 고분자 필름의 늘어남은 증가되나 오히려 필름의 커팅에 대한 저항성이 커지므로 공정상에 더 이상의 이득은 없으므로, 상기 제시된 범위를 만족하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 형상 기억 고분자 필름은 만능시험기Universal Test Mashine, UTM)를 이용하여 측정한 회복률이 80% 이상일 수 있다.
형상 기억 소재의 성능 평가에 있어서 형상 기억 소재가 일정 수준 이상의 회복률을 갖는 것이 매우 중요하다. 형상 기억 소재를 일정온도 이상으로 상승시켜 변형을 가한 후, 냉각하면 변형된 상태로 소재 형상이 고정되며, 이를 다시 승온시키면 형상 기억 특성을 발휘하는 전이온도(Ttr)이상에서 일반적으로 회복이 일어난다. 소재의 구성에 따라 회복되는 정도, 회복률이 달라질 수 있으며, 회복률이 높은 소재가 형상 기억 고분자 소재로서의 가치가 있다.
전술한 바와 같은 조성물을 가교결합시켜 형성된 본 발명의 형상 기억 고분자 필름은 우수한 유리전이온도, 충격강도 및 신율의 기계적 특성을 가지며, 아울러 형상 기억 특성으로서 회복률도 우수하므로, 우주구조물의 가변형 안테나의 형상 기억 부재의 용도로 사용할 수 있다.
본 발명의 우주구조물의 가변형 안테나용 형상 기억 고분자 필름은 일정 수준 이상의 회복률을 가지므로, 우주로 운반시에는 접혀진 상태를 유지하며 우주에서는 별도의 열공급 장치를 구비하지 않고도 우주환경에서 조사되는 태양빛에 의해 원래의 형상으로 회복될 수 있는 형상 기억 특성을 갖는다.
또한, 본 발명의 우주구조물의 가변형 안테나용 형상 기억 고분자 필름은 충격 강도가 우수하여 우주 환경에서 태양빛의 조사 방향에 따른 온도차로 인해 가변형 안테나의 전개과정이나 전개 후 필름이 깨지지 않으며, 신율(elongation)이 우수하여 소성변형이 생기지 않고 원래 형상으로 회복될 수 있다.
도 1은 형상 기억 부재를 구비한 우주구조물의 가변형 안테나의 전개과정을 개략적으로 나타낸 도면이다.
이하 실시예 및 비교예를 이용하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로, 본 발명은 하기 실시예 및 비교예에 의해 한정되지 않고 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변경 및 변형이 가능하다.
본 발명의 실시예와 비교예에서 사용되는 구성 성분으로 에폭시 수지는 아래 화학식 3과 같이 표시되는 비스페놀 A의 디글리시딜 에테르(Di-glycidyl Ether of Bisphenol-A)로 국도화학사의 YD-128 제품을 사용하였고, 경화제로 하기 화학식 4와 같이 표시되는 4,4'-디아미노디페닐메탄(4,4'-diaminodiphenylmethane, DDM)을 사용하였다. 폴리에테르아민(polyetheramine)으로는 상기 화학식 1과 같이 표시되는 폴리(프로필렌 글리콜)비스(2-아미노프로필 에테르)(Poly(propylene glycol)bis(2-aminopropyl ether) 및 상기 화학식 2와 같이 표시되는 트리메틸올프로판 트리스[폴리(프로필렌 글리콜),아민 터미네이티드]에테르(Trimethylolpropane tris[poly(propylene glycol),amine terminated]ether)을 사용하되, 폴리(프로필렌 글리콜)비스(2-아미노프로필 에테르)는 Sigma Aldrich 사의 분자량(Mn) 230g/mol인 제품과 430g/mol인 제품을 사용하고, 트리메틸올프로판 트리스[폴리(프로필렌 글리콜),아민 터미네이티드]에테르는 Sigma Aldrich 사의 분자량(Mn) 430g/mol인 제품을 사용하였다.
[화학식 3]
Figure 112017110199508-pat00003
[화학식 4]
Figure 112017110199508-pat00004
본 발명에 따른 실시예 1 내지 실시예 5는 에폭시 수지로 비스페놀 A의 디글리시딜 에테르에 첨가제로서 폴리에테르아민(polyetheramine)을 일정량 투입하고 교반기를 이용하여 약 20 내지 30℃ 정도의 상온에서 2시간 동안 균일하게 혼합한다. 이어서 경화제로서 4,4'-디아미노디페닐메탄(DDM)을 첨가한 후, 약 90℃에서 15분 정도 균일하게 혼합하여 혼합물을 제조한다. 이와 같이 제조된 혼합물을 진공오븐에 넣어서 충분히 탈포시킨 후, 150℃ 정도로 미리 가열된 테프론(Teflon) 몰드에 부어 150℃에서 2시간 경화한 다음, 180℃에서 1시간 동안 경화하여 형상 기억 고분자 필름을 제조한다.
비교예 1 내지 비교예 5는 상기 실시예 1 내지 실시예 5의 조성에서 첨가제로 폴리에테르아민만을 제외하고 동일한 방법으로 형상 기억 고분자 필름을 제조한다.
또한, 비교예 6과 비교예 7은 상기 실시예 1 내지 실시예 5와 동일한 방법으로 제조하되, 폴리에테르아민의 함량을 에폭시 수지 100 중량부 기준으로, 10 중량부 이상 첨가한다.
구체적으로 실시예 1 내지 실시예 5 및 비교예 1 내지 7의 형상 기억 고분자 필름은 아래 표 1에 기재된 조성으로 제조한다.
여기서 표 1에 기재된 성분의 함량 단위는 에폭시 수지 100 중량부를 기준으로 첨가되는 중량부를 나타낸 것이며, 또한 'Epoxy'는 에폭시 수지, 'DDM'은 4,4'-디아미노디페닐메탄을 의미한다.
구분 Epoxy DDM Polyetheramine Polyetheramine 종류
실시예 1 100 18 5 Poly(propylene glycol)bis(2-aminopropyl ether), Mn~230g/mol
실시예 2 100 18 5 Trimethylolpropane tris[poly(propylene glycol),amine terminated]ether, Mn~440g/mol
실시예 3 100 17 3 Poly(propylene glycol)bis(2-aminopropyl ether), Mn~400g/mol
실시예 4 100 17 6 Poly(propylene glycol)bis(2-aminopropyl ether), Mn~400g/mol
실시예 5 100 17 9 Poly(propylene glycol)bis(2-aminopropyl ether), Mn~400g/mol
비교예 1 100 16 0 -
비교예 2 100 17 0 -
비교예 3 100 18 0 -
비교예 4 100 19 0 -
비교예 5 100 23 0 -
비교예 6 100 17 12 Poly(propylene glycol)bis(2-aminopropyl ether), Mn~400g/mol
비교예 7 100 17 15 Poly(propylene glycol)bis(2-aminopropyl ether), Mn~400g/mol
상기 실시예 1 내지 5, 비교예 1 내지 7의 조성에 따라 제조한 형상 기억 고분자 필름 각 각을 유리전이온도, 충격강도, 신율 및 회복률 측정법에서 제시한 시편으로 제조한 후, 다음에서 설명하는 방법으로 물성을 측정한다.
유리전이온도의 측정 방법은 동적기계분석기(dynamic mechanical analyzer, DMA)를 이용하여 5℃/min의 승온속도로 측정하였다.
충격강도 측정방법은 ASTM D256(Standard Test Methods for Determining the Izod Pendulum Impact Resistance of Plastics) 규격에 의거하여 형상 기억 고분자 필름을 두께 4mm, 가로 12.7mm, 세로 63mm의 크기로 측정용 시편을 만들어 아이조드 충격기(Izod impact tester)를 이용하여 측정온도 25℃조건하에서 충격강도(J/m)를 측정하였다.
신율의 측정방법은 형상 기억 고분자 필름을 두께 1mm, 가로 10mm, 세로 50mm의 크기로 측정용 시편을 만들어 만능시험기(Universal Test Mashine, UTM)를 이용하여 측정온도 120℃ 조건하에서 시료의 파단 시 신율(%)를 측정하였다.
회복률 측정방법은 평상기억고분자 필름을 두께 1mm, 가로 50mm, 세로 10mm의 크기로 측정용 시편을 만들어 만능시험기(UTM)를 이용하여 측정하되, 챔버의 온도를 소정의 측정온도(유리전이온도(Tg)+10℃)로 맞춘 후 온도가 변하지 않을 때까지 안정화시켜준 후, 3mm/min의 속도로 1분 동안 측정용 시편을 당긴다. 그 상태로 5분 동안 유지 후 10℃/min의 속도로 온도를 유리전이온도(Tg) -50℃까지 내린다. 로드(load)를 제거한 후 시편을 유리전이온도(Tg) +10℃로 승온하여 다시 원래 상태로 되돌아오는 길이에 대한 측정용 시편의 원래 길이의 백분율로 회복률을 평가하였다.
이와 같은 측정방법을 통해 측정한 실시예 1 내지 5, 비교예 1 내지 7의 유리전이온도, 충격강도, 신율 및 회복률을 측정한 결과 값은 아래 표 2에 나타내었다.
구분 유리전이온도
(℃)		 충격강도
(J/m)		 신율
(%)		 회복률
(%)
실시예 1 129.8 57.1 42.5 89.5
실시예 2 128.9 56.7 40.0 81.8
실시예 3 112.0 48.53 33.6 99.8
실시예 4 114.3 60.71 32.8 85.7
실시예 5 118.6 63.24 27.5 80.0
비교예 1 103.4 - - 86.5
비교예 2 104.5 27.14 47.9 99.9
비교예 3 113.3 28.6 29.8 94.5
비교예 4 125.1 - - 98.7
비교예 5 154.2 - - 94
비교예 6 122.5 63.45 26.2 68.4
비교예 7 128.4 61.68 22.9 68.5
표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 실시예 5에서처럼 폴리에테르아민을 첨가로 인하여 폴리에테르아민을 사용하지 않은 비교예 2와 비교예 3에 비해 충격강도 향상에 있어 효과적임을 알 수 있다.
또한, 비교예 6과 비교예 7에서와 같이 폴리에테르아민의 함량이 에폭시 수지 100 중량부를 기준으로 10 중량부를 초과하는 경우, 회복률이 각각 68.4%와 68.7%로 실시예 1 내지 실시예 5 대비 회복률이 저하되고, 유리전이온도는 증가하는 것을 확인할 수 있다.
또한, 비교예 2 내지 비교예 4에서의 에폭시 수지와 경화제인 4,4'-디아미노디페닐메탄(DDM)의 중량 비율이 100:17 내지 100:19일 때의 회복률이 전부 90% 이상 높은 수준으로 나타났으며, 이때, 유리전이온도(Tg)가 약 100 내지 130℃ 온도로 나타났다. 즉, 에폭시 수지와 경화제로서 방향족 디아민은 방향족 디아민 15 내지 22 중량부의 함량으로 형상 기억 고분자 필름의 구성에 효과적임을 확인할 수 있었다.

Claims (6)

  1. 에폭시 수지로서 비스페놀 A의 디글리시딜 에테르(Di-glycidyl Ether of Bisphenol-A) 100 중량부를 기준으로,
    경화제로서 방향족 디아민인 4,4'-디아미노디페닐메탄(4,4'-diaminodiphenylmethane) 17 내지 18 중량부; 및
    첨가제로서 폴리옥시프로필렌(polyoxypropylene)기를 포함하는 하기 화학식 1로 표시되는 폴리(프로필렌 글리콜)비스(2-아미노프로필 에테르)(Poly(propylene glycol)bis(2-aminopropyl ether) 또는 하기 화학식 2로 표시되는 트리메틸올프로판 트리스[폴리(프로필렌 글리콜),아민 터미네이티드]에테르(Trimethylolpropane tris[poly(propylene glycol),amine terminated]ether)인 폴리에테르아민(polyeheramine) 3 내지 9 중량부;를 포함하며,
    유리전이온도가 80 내지 130℃이고, ASTM D256 규격에 준하여 측정한 충격강도가 30J/m 이상이고, 120℃에서의 신율이 20 내지 50%이며, 회복률이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 형상 기억 고분자 필름.
    [화학식 1]
    Figure 112019004468523-pat00008

    (상기 화학식 1에서, n은 1 내지 10의 정수이다)
    [화학식 2]
    Figure 112019004468523-pat00009

    (상기 화학식 2에서, n은 1 내지 10의 정수이다)
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 따른 형상 기억 고분자 필름은 우주구조물의 가변형 안테나용 형상 기억 고분자 필름인 것을 특징으로 하는 형상 기억 고분자 필름.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080262188A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-23 Gm Global Technology Operations, Inc. Shape memory epoxy polymers
KR20130057986A (ko) 2010-03-26 2013-06-03 시카 테크놀러지 아게 구조 접착제를 기초로 한 형상기억물질

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