KR101941524B1 - 기판 열처리 장치의 구동방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 구동방법은 내부에 열처리 공간이 형성되는 하우징, 상기 열처리 공간에 기판을 로딩 및 지지하는 보트, 상기 하우징의 일측면에 위치하여 상기 기판이 로딩되는 셔터, 상기 하우징의 상면과 하면을 커버하는 상부 및 하부 윈도우, 상기 하우징 내부에 형성되어 열을 제공하는 열원 및 상기 하우징과 상기 절연판 사이에 배치되어, 상기 하우징의 측면의 온도를 냉각시키는 냉각부를 포함하는 기판 열처리 장치에 있어서, 상기 보트에 기판을 로딩하여 상기 하우징 내에 제공하는 단계, 상기 열원을 구동하여 상기 기판을 열처리 하는 단계 및 상기 하우징의 내부 온도를 모니터하여 특정 온도에 도달하면 상기 냉각부의 밸브를 오픈하여 상기 하우징의 측면의 온도를 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

기판 열처리 장치의 구동방법{DRIVING METHOD OF DEVICE FOR HEAT TREATMENT OF SUBSTRATE}
본 발명은 챔버의 구동방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기판 열처리 장치의 구동방법에 관한 것이다.
반도체, 평판 디스플레이 및 태양전지 제조에 사용되는 기판 열처리(annealing) 장치는 실리콘 웨이퍼나 글래스와 같은 기판 상에 증착되어 있는 소정의 필름(유기물 및 무기물)에 대하여 결정화, 상 변이 등의 공정을 위하여 필수적인 열처리를 수행하는 장치이다.
대표적인 기판 열처리 장치로는 액정 디스플레이 또는 박막형 결정질 실리콘 태양전지를 제조하는 경우 글래스 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장치가 있고, 플렉서블한 플라스틱 기판을 제조하는 경우, 글래스 기판 상에 폴리이미드를 소성하는 장치가 있다. 이와 같은 열처리 공정을 수행하기 위해서는 일정 박막이 형성된 기판에 열을 가하는 열처리 장치가 있어야 한다. 예를 들어, 폴리이미드의 소성을 위해서는 약 500℃ 내외의 온도가 필요하다.
통상적으로 열처리 장치에는 기판이 열처리되는 챔버 내부의 온도와 챔버 측면의 온도 차이가 발생하게 된다. 특히, 폴리이미드의 소성 공정 중 폴리이미드에서 연기와 같은 흄(fume)이 발생한다. 흄이 외부로 배출이 잘 되지 않으면 상대적으로 온도가 낮은 챔버 측면과의 온도차이에 의해 얼룩이 발생하게 된다. 따라서, 얼룩에 의해 기판 열처리의 열 효율이 감소하게 되고, 기판 열처리 장치의 열효율을 유지하기 위해서는 얼룩을 제거해야 하므로 흄 세정에 따른 공정 시간 및 비용이 증가하는 문제점이 있다.
본 발명의 기판 열처리 장치의 구동방법은 기판의 열처리 공정에서 발생되는 흄에 의해 얼룩이 발생하는 것을 방지하여, 챔버의 열 효율을 유지하고 얼룩의 세정 공정이 불필요한 기판 열처리 장치의 구동방법을 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 구동방법은 내부에 열처리 공간이 형성되는 하우징, 상기 열처리 공간에 기판을 로딩 및 지지하는 보트, 상기 하우징의 일측면에 위치하여 상기 기판이 로딩되는 셔터, 상기 하우징의 상면과 하면을 커버하는 상부 및 하부 윈도우, 상기 하우징 내부에 형성되어 열을 제공하는 열원 및 상기 하우징과 상기 절연판 사이에 배치되어, 상기 하우징의 측면의 온도를 냉각시키는 냉각부를 포함하는 기판 열처리 장치에 있어서, 상기 보트에 기판을 로딩하여 상기 하우징 내에 제공하는 단계, 상기 열원을 구동하여 상기 기판을 열처리 하는 단계 및 상기 하우징의 내부 온도를 모니터하여 특정 온도에 도달하면 상기 냉각부의 밸브를 오픈하여 상기 하우징의 측면의 온도를 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 냉각부는 상기 하우징의 일측에 위치하는 급기부, 상기 급기부와 마주보게 위치하는 배기부 및 상기 하우징의 후면에 위치하는 리어부가 직렬 연결되어 냉각수 공급관에 연결된 직렬부와, 상기 셔터에 위치하되 상기 직렬부와 개별적으로 상기 냉각수 공급관에 연결된 프론트부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 프론트부는 상기 열처리 공정 시 항상 냉각수가 순환되는 것을 특징으로 한다.
상기 밸브는 상기 직렬부와 상기 냉각수 공급관 사이에 형성되며, 상기 하우징의 내부 온도가 180℃에 도달하면 상기 밸브가 오픈되어 상기 직렬부에 냉각수가 순환되는 것을 특징으로 한다.
상기 직렬부에서 상기 냉각수는 상기 급기부, 상기 배기부 및 상기 리어부 순으로 순환하는 것을 특징으로 한다.
상기 하우징의 특정 온도는 상기 180℃인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 구동방법은 기판의 열처리에 의해 발생하는 흄에 의한 얼룩이 발생되지 않으므로, 열처리 장치의 열 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 흄에 의한 얼룩의 세정이 불필요하므로 전체 공정 시간과 비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치를 나타낸 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 분해 사시도.
도 3은 도 1의 I-I'에 따라 절취한 단면도.
도 4는 본 발명의 냉각부를 나타낸 모식도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 구동방법에 따른 플로우차트를 도시한 도면.
도 6은 기판 열처리 장치의 내부 온도에 따른 밸브의 오픈/클로즈 구동을 나타낸 그래프.
도 7은 본 발명의 비교예에 따라 흄에 의한 얼룩이 발생한 기판 열처리 장치를 나타낸 도면.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 흄에 의한 얼룩이 발생하지 않은 기판 열처리 장치를 나타낸 도면.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치를 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 분해 사시도이고 도 3은 도 1의 I-I'에 따라 절취한 단면도이며, 도 4는 본 발명의 냉각부를 나타낸 모식도이다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 기판 열처리 장치(100)는 내부에 기판(10)의 열처리 공간(heat process space: 172)을 형성하도록 제공되는 하우징(170), 상기 열처리 공간(172)에 기판(10)을 로딩 및 지지하는 보트(120), 상기 하우징(170)의 일측면에 위치하여 상기 기판(10)이 로딩되는 셔터(115), 상기 하우징(170)의 상측 및 하측에 구비되는 상부 및 하부 윈도우(174a, 174b) 및 상기 하우징(170), 상기 상부 및 하부 윈도우(174a, 174b) 사이에 각각 제공되는 복수의 열원(도 3 참조) 및 상기 하우징(170)의 측면의 온도를 냉각시키는 냉각부(180)을 포함한다.
전술한 본 발명의 실시예에서는 기판 열처리용 챔버(100)에서 상기 기판(10)이 1개 또는 2개가 사용된다. 왜냐하면 복수의 열원이 열처리 공간(172)의 외부에 제공되므로 열처리 공간(172) 내에 기판(10)이 3개 이상 사용되는 경우, 상부 기판과 하부 기판 사이에 존재하는 하나 이상의 중간 기판에는 열원의 열에너지가 충분히 전달되지 못하여 열처리가 제대로 이루어지지 않기 때문이다. 따라서, 도면의 실시예에서는 2개의 기판(10)이 사용되는 것으로 예시되어 있지만, 당업자라면 1개의 기판(10)이 사용될 수 있다는 것을 충분히 이해할 수 있을 것이다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(100)의 구체적인 구성 및 동작에 대해 상세히 기술하기로 한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(100)는 하우징(170)을 포함한다. 하우징(170)은 내부에 기판(10)의 열처리 공간(172)을 형성한다. 상기 열처리 공간(172) 내에는 기판(10)을 로딩 및 지지하는 보트(120)가 위치한다. 또한, 하우징(170)의 상측에는 상부 윈도우(174a)가 위치하고 하우징(170)의 하측에는 하부 윈도우(174b)가 각각 위치한다. 상부 및 하부 윈도우(174a, 174b)는 각각 쿼츠(quartz) 또는 네오 세라믹(neo ceramic) 재질로 구성된다.
상기 하우징(170)의 내측면에는 단열재(baffle)(160)가 위치하여 열처리 공간(172)의 열이 하우징(170)의 외부로 빠져나가는 것을 방지한다. 단열재(160)는 하우징(170)의 셔터(115)가 위치한 측면을 제외한 세 측면에 위치할 수 있다. 또한, 하우징(170)의 내측면과 단열재(160) 사이에는 절연판(165)이 위치한다. 절연판(165)은 상기 단열재(160)와 동일하게 열처리 공간(172)의 열이 하우징(170)의 외부로 빠져나가는 것을 방지함과 아울러 전기가 도전되는 것을 방지한다.
상기 하우징(170)과, 상부 및 하부 윈도우(174a, 174b) 사이에는 각각 복수의 상부 및 하부 열원(110a, 110b)이 제공되어 있다. 하우징(170)은 알루미늄(Al) 재질로 이루어질 수 있으며, 복수의 상부 및 하부 열원(110a, 110b)은 각각 근적외선 램프 히터로 구현될 수 있다. 이 경우, 근적외선 램프 히터는 실리콘 산화막(SiO2) 재질의 기판(10) 및 기판(10) 상에 도포된 필름(미도시)을 가열하여 건조 및 소성하기에 적합한 대략 1 내지 5㎛ 범위의 파장 대역의 원적외선을 방출하는 것이 바람직하다. 또한, 각각 근적외선 램프 히터로 구현될 수 있는 복수의 상부 및 하부 열원(110a, 110b)의 출력 파워(output power)는 개별적으로 제어되거나 그룹 방식으로 제어될 수 있다. 여기서 그룹 방식이란 예를 들어 복수의 상부 열원(110a)을 제1 열원 그룹으로 하여 동시에 제어하고, 복수의 하부 열원(110b)을 제2 열원 그룹으로 하여 동시에 제어하는 방식일 수 있다. 이러한 복수의 상부 및 하부 열원(110a, 110b)의 출력 파워의 개별 제어 또는 그룹 방식 제어에 의해 기판(10)의 온도를 균일하게 제어하는 것이 가능하다. 따라서, 기판(10)의 온도 균일도가 향상되므로 궁극적으로 기판(10)의 불량 발생 가능성이 크게 감소된다.
상기 상부 및 하부 윈도우(174a, 174b)는 예를 들어 근적외선 램프 히터로 구현되는 복수의 상부 및 하부 열원(110a, 110b)에서 방출되는 대략 1 내지 5㎛ 범위의 파장 대역의 원적외선은 통과시키는 반면에 상기 파장 대역 이외의 대역은 컷오프(cut-off)시킨다. 그에 따라, 복수의 상부 및 하부 열원(110a, 110b)은 각각 상부 및 하부 윈도우(174a, 174b)를 통해 기판(10) 상으로 열 에너지를 복사 방식으로 직접 전달하여 기판(10) 및 기판(10) 상부에 도포된 필름(미도시)(예를 들어, 폴리이미드(PI))을 열처리한다.
또한, 상기 하우징(170)은 복수의 상부 및 하부 열원(110a, 110b)의 배면에 제공되는 복수의 상부 및 하부 반사부(112a, 112b)를 구비한다. 복수의 상부 및 하부 반사부(112a, 112b)는 복수의 상부 및 하부 열원(110a, 110b)으로부터 방출되는 열 에너지를 반사하여 상부 및 하부 윈도우(174a, 174b)를 통해 상기 기판(10)으로 상기 열 에너지를 복사 방식으로 전달한다. 좀 더 구체적으로, 복수의 상부 및 하부 열원(110a, 110b)은 그 배면에 제공되는 복수의 상부 및 하부 반사부(112a, 112b)를 이용하여 복사 방식으로 기판(10)을 직접 가열하여 열처리한다. 따라서, 종래 기술의 전도 또는 대류 방식에 비해 기판(10)의 열처리 전달 효율이 우수할 뿐만 아니라, 기판(10)에 균일한 열전달이 상대적으로 용이하다.
상기 기판 열처리용 챔버(100)에서는, 기판(10) 주변에 제공되며, 기판(10)과 동일 또는 유사한 재질 내에 하나 이상의 열전대(thermo couple)를 구비한 온도 센서(178a, 178b)에 의해 기판(10)의 미리 설정된 열처리 온도의 균일성 여부가 직접적으로 확인될 수 있다. 또한, 이러한 온도 센서(178a, 178b)에 의한 기판(10)의 열처리 온도가 미리 설정된 초기 열처리 온도와 불일치하는 경우, 복수의 상부 및 하부 열원(110a, 110b)의 열처리 온도는 수동 또는 자동으로 미리 설정된 초기 열처리 온도와 일치하도록 개별적으로 조정되거나 또는 그룹 방식으로 조정될 수 있다.
상기 하우징(170)의 일측면 예를 들어 전면에는 셔터(115)가 구비된다. 셔터(115)는 하우징(170)의 열처리 공간(172)으로 기판(10)을 로딩하기 위한 트랜스퍼 암과 같은 기판 로딩 장치(미도시)를 이용하여 기판(10)을 로딩하거나 열처리가 종료된 기판(10)을 언로딩하기 위해 개방 또는 폐쇄될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 기판 열처리 장치(100)는 하우징(170)의 측면에 냉각부(180)를 구비한다. 냉각부(180)는 기판 열처리 공정 중, 열처리 공간(172)의 온도가 수 백도로 상승하게 되면 하우징(170) 측면의 온도가 동시에 상승되기 때문에 이를 냉각시키는 역할을 한다.
보다 자세하게 도 2 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 냉각부(180)는 하우징(170)의 측면을 둘러싸는 형태로 구비된다. 냉각부(180)는 상기 하우징(170)의 일측에 위치하는 급기부(183), 상기 급기부(183)와 마주보게 위치하는 배기부(184) 및 상기 하우징(170)의 후면에 위치하는 리어부(185)가 직렬 연결되어 냉각수 공급관(181)에 연결된 직렬부(DP)와, 상기 셔터(115)에 위치하되 상기 직렬부(DP)와 개별적으로 상기 냉각수 공급관(181)에 연결된 프론트부(FP)를 포함한다.
상기 직렬부(DP)는 하우징(170)의 셔터(115)를 기준으로 좌측면에 위치하는 급기부(183), 우측면에 위치하는 배기부(184) 및 셔터(115)와 마주보는 리어부(185)가 직렬 연결되어 있다. 이에 따라, 냉각수 공급관(181)으로부터 공급된 냉각수가 급기부(183)를 순환하고 배기부(184)로 공급되고, 배기부(184)를 순환한 냉각수는 리어부(185)로 공급되어 리어부(185)를 순환한 후 냉각수 배출관(182)으로 배출된다. 상기 직렬부(DP)의 냉각수 순환은 냉각수 공급관(181)과 급기부(183) 사이에 형성된 밸브(187)의 온/오프에 따라 조절된다.
상기 프론트부(FP)는 하우징(170)의 셔터(115)에 위치한다. 상기 직렬부(DP)와는 독립적으로 냉각수 공급관(181)으로부터 냉각수가 공급되어 프론트부(FP)를 순환하여 냉각수 배출관(182)으로 배출된다. 상기 프론트부(FP)는 상기 직렬부(DP)와 같이 밸브(187)를 통해 냉각수의 순환이 조절되지 않고 열 처리 공정 중에 항상 냉각수가 순환한다.
한편, 상기 직렬부(DP)에 구비된 상기 밸브(187)는 상기 하우징(170)의 내부 온도가 180℃에 도달하면 상기 밸브(187)가 오픈되어 상기 직렬부(DP)에 냉각수가 순환된다. 보다 자세하게, 앞서 도 3에서 설명한 온도센서(178a, 178b)가 하우징(170) 내부에 구비되어 있기 때문에, 하우징(170) 내부의 열처리 공간의 온도를 측정할 수 있다. 여기서, 기판 열처리 장치(100)에는 하우징(170) 내부의 온도가 180℃에 도달하면 밸브가 오픈되도록 설정되어 있다. 이는 하우징(170) 내부의 온도에 따른 하우징(170) 측면의 온도를 측정하여, 하우징(170) 내부의 온도가 특정 온도에 도달하였을 때 냉각부(180)를 구동하면 하우징(170)의 측면의 온도를 일정 온도로 유지할 수 있기 때문이다. 이에 따라, 하우징(170)의 측면 온도를 흄에 의한 얼룩이 발생하지 않도록 유지할 수 있다. 보다 자세한 냉각부(180)의 구동에 대한 설명은 후술하기로 한다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(100)는 기판의 열처리에 의해 발생하는 흄에 의한 얼룩이 발생되지 않으므로, 열처리 장치의 열 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 흄에 의한 얼룩의 세정이 불필요하므로 전체 공정 시간과 비용을 절감할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 구동방법에 따른 플로우차트를 도시한 도면이고, 도 6은 기판 열처리 장치의 내부 온도에 따른 밸브의 오픈/클로즈 구동을 나타낸 그래프이다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 구동방법은 기판(10)의 열처리 공간(172)이 마련된 하우징(170) 내에 제공되는 보트(120) 상에 상기 기판(10)을 제공하는 단계(S300), 기판 열처리 장치(100) 내에서 열처리 공간(172)에 구비된 복수의 상부 및 하부 열원(110a, 110b)을 구동하여 열처리 공간(172) 내의 기판(10)을 열처리하는 단계(S310), 및 하우징(170) 내부 온도를 모니터하여 특정 온도에 도달하면 냉각부(180)의 밸브(187)를 오픈하여 하우징(170) 측면을 냉각시키는 단계(S320)를 포함한다.
보다 자세하게, 상기 기판(10)의 열처리 공간(172)이 마련된 하우징(170) 내에 제공되는 보트(120) 상에 상기 기판(10)을 제공하는 단계(S300)에서는, 하우징(170)의 셔터(115)가 오픈되고, 폴리이미드와 같은 필름이 형성된 기판(10)을 로봇 암으로 이송하여 셔터(115)를 통해 하우징(170) 내에 로딩하여 지지한다.
상기 기판 열처리 장치(100) 내에서 열처리 공간(172)에 구비된 복수의 상부 및 하부 열원(110a, 110b)을 구동하여 열처리 공간(172) 내의 기판(10)을 열처리하는 단계(S310)에서는, 하우징(170) 내에 구비된 복수의 상부 및 하부 열원(110a, 110b)을 구동하여 기판(10) 상으로 열 에너지를 전달한다. 이때, 하우징(170)의 상부 및 하부 윈도우(174a, 174b)를 통해 열 에너지가 복사 방식으로 기판(10)에 직접 전달되어 상기 기판(10) 및 상기 기판(10) 상부에 도포된 폴리이미드 필름(미도시)을 열처리한다.
상기 하우징(170) 내부 온도를 모니터하여 특정 온도에 도달하면 냉각부(180)의 밸브(187)를 오픈하여 하우징(170) 측면을 냉각시키는 단계(S320)에서는, 기판(10) 주변에 구비된 온도 센서(178a, 178b)를 이용하여 하우징(170) 내부의 온도가 미리 설정된 온도에 도달하면, 냉각부(180)의 밸브(187)를 오픈하여 직렬부(DP)에 냉각수가 순환되도록 한다. 그리고, 프론트부(FP)의 경우 열처리 공정이 시작할 때부터 냉각수가 항상 순환되도록 구동한다.
도 6을 참조하면, 기판의 열처리 공정이 시작되면, 하우징(170) 내부의 온도가 계속 상승하게 된다. 열처리 공정의 시작부터 냉각부(180)의 프론트부(FP)에는 냉각수의 순환이 시작되고, 직렬부(DP)의 밸브(187)는 클로즈된 상태로 직렬부(DP)에 냉각수의 순환을 차단한다. 이후, 하우징(170) 내부의 온도가 180℃에 도달하면 직렬부(DP)의 밸브(187)를 오픈하여 직렬부(DP)에 냉각수를 순환시킨다. 이에 따라, 하우징(170)의 측면을 둘러싸는 측면의 온도가 더 이상 상승하지 않고 약 100℃ 근처의 온도로 일정하게 유지될 수 있다.
도 7은 본 발명의 비교예에 따라 흄에 의한 얼룩이 발생한 기판 열처리 장치를 나타낸 도면이고, 도 8은 본 발명의 실시예에 따라 흄에 의한 얼룩이 발생하지 않은 기판 열처리 장치를 나타낸 도면이다.
먼저, 기판의 열처리 공정이 시작할 때부터 냉각부의 직렬부와 프론트부에 냉각수를 순환시켜 기판의 열처리 공정을 수행하였다. 도 7에 나타나는 바와 같이, 하우징 내부와 하우징 측면의 온도 차이에 의해 흄이 응축되어 얼룩이 발생한 것을 확인하였다. 반면, 기판의 열처리 공정이 시작할 때에는 냉각부의 직렬부의 밸브를 클로즈 한 상태에서 프론트부에만 냉각수를 순환시키고, 공정 중 하우징 내부의 온도가 180℃에 도달하였을 때부터 직렬부의 밸브를 오픈하여 하우징의 측면을 냉각하였다. 도 8에 나타나는 바와 같이, 하우징 내부와 흄이 응축된 얼룩이 나타나지 않은 것을 확인하였다.
상기와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 구동방법은 기판의 열처리에 의해 발생하는 흄에 의한 얼룩이 발생되지 않으므로, 열처리 장치의 열 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 흄에 의한 얼룩의 세정이 불필요하므로 전체 공정 시간과 비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10 : 기판 100 : 열처리 장치
115 : 셔터 120 : 보트
160 : 단열재 165 : 절연판
170 : 하우징 172 : 열처리 공간
174a, 174b : 상부 및 하부 윈도우
180 : 냉각부

Claims (6)

  1. 내부에 열처리 공간이 형성되는 하우징, 상기 열처리 공간에 기판을 로딩 및 지지하는 보트, 상기 하우징의 일측면에 위치하여 상기 기판이 로딩되는 셔터, 상기 하우징의 상면과 하면을 커버하는 상부 및 하부 윈도우, 상기 하우징 내부에 형성되어 열을 제공하는 열원, 및 상기 하우징의 측면에 배치되어, 상기 하우징의 측면의 온도를 냉각시키는 냉각부를 포함하는 기판 열처리 장치에 있어서,
    상기 보트에 기판을 로딩하여 상기 하우징 내에 제공하는 단계;
    상기 열원을 구동하여 상기 기판을 열처리 하는 단계; 및
    상기 하우징의 내부 온도를 모니터하여 특정 온도에 도달하면 상기 냉각부의 밸브를 오픈하여 상기 하우징의 측면의 온도를 냉각시키는 단계를 포함하며,
    상기 냉각부는 상기 하우징의 일측에 위치하는 급기부, 상기 급기부와 마주보게 위치하는 배기부 및 상기 하우징의 후면에 위치하는 리어부가 직렬 연결되어 냉각수 공급관에 연결된 직렬부와, 상기 셔터에 위치하되 상기 직렬부와 개별적으로 상기 냉각수 공급관에 연결된 프론트부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치의 구동방법.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 프론트부는 상기 열처리 공정 시 항상 냉각수가 순환되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치의 구동방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 밸브는 상기 직렬부와 상기 냉각수 공급관 사이에 형성되며, 상기 하우징의 내부 온도가 180℃에 도달하면 상기 밸브가 오픈되어 상기 직렬부에 냉각수가 순환되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치의 구동방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 직렬부에서 상기 냉각수는 상기 급기부, 상기 배기부 및 상기 리어부 순으로 순환하는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치의 구동방법.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 하우징의 특정 온도는 상기 180℃인 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치의 구동방법.
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