KR101940748B1 - 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치 - Google Patents

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전성란
송영호
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Abstract

본 발명은 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치에 관한 것으로, 외부 캐버티에 형성된 단일 양자점을 통하여 단일 광자 소스를 방출하기 위한 것이다. 본 발명은 상온에서의 전원 공급에 의해 상부면으로 광을 출력하는 외부 캐버티 구조의 발광 소자; 및 발광 소자의 상부면에 형성되며 발광 소자에서 방출되는 광에 의해 여기되어 단일 광자 소스를 방출하는 단일 양자 방출 구조층을 포함하는 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치를 제공한다.

Description

외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치{A single photon source emitting device having an external cavity}
본 발명은 단일 광자 소스 방출 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 외부 캐버티에 형성된 단일 양자점을 통하여 단일 광자 소스를 방출하는 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치에 관한 것이다.
4차 산업 혁명 시대의 다양한 전자기기 간의 정보전달을 구현하는 스마트폰, 드론, 자율주행차 등 사물인터넷에서는 정보 보안이 필요하다. 더욱이 금융 및 개인 신용정보가 오가는 금융망, 각종 개인 정보가 오가는 의료망, 국방행정 등 주요 정보가 오가는 국가기간망에서도 정보 보안이 필요하다.
이러한 정보 보안의 요구에 따라서, 외부로부터 해킹 없이 정보를 정확히 전달하기 위한 정보 보안 통신에 광자 소스를 이용한 양자 통신이 사용되고 있다. 광자 소스는 양자 특성을 지님으로서 양자가 가지는 고유의 성질로 인하여 해킹이 불가능한 것으로 알려져 있다.
이러한 양자 통신에 광원으로 레이저 다이오드(Laser Diode; LD)에서 출력되는 레이저를 사용하고 있다. 하지만 레이저는 다수의 광자를 발생하는 특성으로 인하여 정보 전달시 유사 단일 광자를 얻기 위해 복잡한 구조의 시스템이 필요하며, 정보 전달 시 정보의 해킹 우려가 발생할 수 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해서는, 양자 통신에 단일 광자 소스(single photon source)를 사용할 필요가 있다. 지금까지 개발된 단일 광자 소스는 양자점(quantum dot), 나노와이어(nanowire) 등 저차원 반도체로 구현되었다. 예컨대 CdSe/ZnS, InAs/GaAs 등의 Ⅱ-Ⅳ 및 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체를 이용한 양자점 구조를 갖는 단일 광자 소스가 보고 되고 있다.
이러한 단일 광자 소스는 복잡한 구성을 갖는 광 펌핑(optical pumping)을 이용한 저온 구동을 위주로 연구 개발이 진행되고 있다.
한국등록특허 제10-1734465호 (2017.05.02. 등록)
하지만 일반적인 환경 아래에서 양자 통신에 사용하기 위해서는 상온 및 전기적 구동을 갖는 단일 광자 소스가 반드시 필요하다.
따라서 본 발명의 목적은 상온 및 전기적 구동이 가능한 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 외부 캐버티에 형성된 단일 양자점을 통하여 단일 광자 소스를 방출하는 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치를 제공한다.
본 발명은 상온에서의 전원 공급에 의해 상부면으로 광을 출력하는 외부 캐버티 구조의 발광 소자; 및 상기 발광 소자의 상부면에 형성되며, 상기 발광 소자에서 방출되는 광에 의해 여기되어 단일 광자 소스를 방출하는 단일 양자 방출 구조층;을 포함하는 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치를 제공한다.
상기 발광 소자는 LED 및 LD 중에 하나 일 수 있다.
상기 발광 소자는, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 위에 형성된 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 위에 형성되며 광을 출력하는 활성층; 및 상기 활성층 위에 형성되며, 상부에 상기 단일 양자 방출 구조층이 형성되는 제2 반도체층;을 포함할 수 있다.
상기 단일 양자 방출 구조층은, 상기 발광 소자의 상부면에 형성되며, 내부에 광 출력 구멍이 형성된 스크린층; 및 상기 스크린층의 광 출력 구멍에 형성된 단일 양자점을 구비하는 단일 양자점층;을 포함할 수 있다.
상기 스크린층은 실리콘산화막 또는 실리콘질화막 일 수 있다.
상기 단일 양자점층의 단일 양자점은 코어 구조 또는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다.
상기 단일 양자점층의 단일 양자점은 갈륨나이트라이드(GaN), 갈륨인듐나이트라이드(GaInN), 갈륨알루미늄나이트라이드(GaAlN), 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴설파이드(CdS), 카드뮴텔레라이드(CdTd), 징크셀레나이드(ZnSe), 징크텔레라이드(ZnTe), 징크설파이드(ZnS), 인듐아세나이드(InAs), 인듐갈륨포스파이드(InGaP) 또는 인듐포스파이드(InP)를 포함할 수 있다.
그리고 상기 발광 소자에서 출력되는 광의 파장 보다 상기 단일 양자 방출 구조층에서 방출되는 단일 광자 소스의 파장이 길다.
본 발명에 따른 단일 광자 소스 방출 장치는 상온에서 전원 공급에 의해 캐버티 내부 구조의 발광 소자에서 방출되는 광을 이용하여 캐버티 외부에 형성된 단일 양자점을 여기시켜 단일 광자 소스를 방출시킬 수 있다.
캐버티 내부 구조의 발광 소자로 일반적으로 알려진 LED 또는 LD 구조를 채용함으로써, 본 발명에 따른 단일 광자 소스 방출 장치를 간단한 구조로 구현할 수 있다.
본 발명에 따른 단일 광자 소스 방출 장치는 단일 양자점이 외부에 형성되기 때문에, 다양한 크기 및 모양으로 쉽게 구현할 수 있다.
본 발명에 따른 단일 광자 소스 방출 장치는 단일 양자점에 형광체를 포함시킴으로써, 단일 양자점에 포함되는 형광체에 따라서 다양한 파장의 단일 광자 소스를 방출시킬 수 있다.
그리고 본 발명에 따른 단일 광자 소스 방출 장치는 단일 양자 방출 구조층에 정의된 광 출력 구멍을 통해서만 단일 광자 소스가 출력되기 때문에, 보다 쉽게 단일 광자 소스를 취급할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치를 보여주는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 단일 양자 방출 구조층을 보여주는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치의 단일 양자 방출 구조층을 보여주는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치의 단일 양자 방출 구조층을 보여주는 평면도이다.
하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않는 범위에서 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.
이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명에 따른 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치를 보여주는 개략도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 단일 광자 소스 방출 장치(100)는 외부 캐버티 구조의 발광 소자(10)와 단일 양자 방출 구조층(20)을 포함한다. 발광 소자(10)는 상온에서의 전원 공급에 의해 상부면으로 광을 출력한다. 그리고 단일 양자 방출 구조층(20)은 발광 소자(10)의 상부면에 형성되며, 발광 소자(10)로 방출되는 광에 의해 여기되어 단일 광자 소스를 방출한다.
여기서 발광 소자(10)로는 상온에서의 전원 공급에 의해 상부면으로 광을 출력하는 광원으로서, 예컨대 LED(Light Emitting Diode) 또는 LD(Laser Diode) 소자가 사용될 수 있다.
발광 소자(10)가 외부 캐버티 구조를 갖는다고 표현한 것은 발광 소자(10) 외부에 단일 양자 방출 구조층(20)이 형성되기 때문이다. 반대로 발광 소자(10)의 내부에 단일 양자 방출 구조층(20)이 형성되는 경우 내부 캐버티 구조라 할 수 있다. 예컨대 발광 소자(10)가 LED 소자이고, 내부 캐버티 구조를 갖는 경우, 활성층을 양자점 구조층으로 형성할 수 있다.
이와 같이 내부 캐버티 구조로 단일 광자 소스 방출 장치(100)를 구현할 수도 있지만, 활성층에서 양자점을 조절을 통해서 단일 양자 방출 구조층(20)으로 형성하는 것이 쉽지 않다. 더욱이 활성층의 어느 영역에서 단일 광자 소스가 출력될지 알 수 없기 때문에, 불규칙하게 출력되는 단일 광자 소스를 취급하는 것 또한 쉽지 않다.
그리고 단일 양자 방출 구조층(20)은 스크린층(21)과 단일 양자점층(25)을 포함한다. 스크린층(21)은 발광 소자(10)의 상부면에 형성되며, 내부에 광 출력 구멍(23)이 형성된다. 그리고 단일 양자점층(25)은 스크린층(21)의 광 출력 구멍(23)에 형성되며, 단일 양자점을 구비한다.
여기서 스크린층(21)의 광 출력 구멍(23)은 조리개(aperture)의 기능을 수행한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치(100a)를 보여주는 단면도이다. 도 3은 도 2의 단일 양자 방출 구조층(20)을 보여주는 평면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 실시예에 따른 단일 광자 소스 방출 장치(100a)는 발광 소자(10)로서 LED 소자가 사용된 예를 개시하였다.
발광 소자(10)는 베이스 기판(11), 제1 반도체층(12), 활성층(13) 및 제2 반도체층(14)을 포함하며, 제1 전극(15) 및 제2 전극(16)을 포함할 수 있다.
베이스 기판(11)은 질화물계 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 소재로 이루어질 수 있다. 이때 베이스 기판(11)은 사파이어, 실리콘(Si), 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 갈륨 비소(GaAs), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 산화 마그네슘(MgO) 등의 원소 혹은 화합물로 제조될 수 있다.
제1 반도체층(12)은 베이스 기판(11) 위에 형성된다. 예컨대 제1 반도체층(12)은 p형 반도체층일 수 있다. 이 경우 제1 반도체층(12)은 Mg, Zn, Be등과 같은 p형 도전형 불순물이 도핑된 질화물계 소재의 반도체층이다. 제1 반도체층(12)은 p형 AlGaN계로 형성될 수 있다.
활성층(13)은 제1 반도체층(12) 위에 형성되며 광을 출력한다. 활성층(13)은 MOCVD, HVPE, MBE 등의 방법을 이용하여 양자우물구조로 형성될 수 있다. 활성층(13)에서는 제1 반도체층(12)을 통하여 흐르는 정공과 제2 반도체층(14)을 통하여 흐르는 전자가 결합됨으로써 광이 발생되는데, 이때 양자우물의 여기 준위 또는 에너지 밴드갭 차이에 해당되는 에너지의 광이 출력된다.
이때 제1 반도체층(12)의 일부는 활성층(13) 밖으로 노출되어 있다.
제2 반도체층(14)은 활성층(13) 위에 형성되며, 상부에 단일 양자 방출 구조층(20)이 형성된다. 이때 제2 반도체층(14)은 n형 반도체층일 수 있다. 이 경우 제2 반도체층(14)은 AlGaN계로 형성되며, n형으로 도핑을 하기 위해 실리콘이 도핑 된다.
제1 전극(15)은 활성층(13) 밖으로 노출된 제1 반도체층(12) 위에 형성된다.
그리고 제2 전극(16) 제2 반도체층(14) 위에 형성된다. 제2 전극(16)이 제2 반도체층(14)의 가장자리 부분에 형성될 수 있다. 예컨대 한 쌍의 제2 전극(16)이 제2 반도체층(14)의 마주보는 양쪽 가장자리 부분에 형성될 수 있다.
단일 양자 방출 구조층(20)은 제2 반도체층(14) 위에 형성된다. 즉 한 쌍의 제2 전극(16) 사이에 단일 양자 방출 구조층(20)이 형성된다. 스크린층(21)은 한 쌍의 제2 전극(16) 사이의 제2 반도체층(14)을 덮도록 형성되며, 내부에 광 출력 구멍(23)을 형성한다. 광 출력 구멍(23)을 통하여 제2 반도체층(14)의 상부면이 노출된다.
여기서 스크린층(21)은 기본적으로 활성층(13)에서 제2 반도체층(14)으로 출력되는 광을 차단한다. 스크린층(21)은 광 출력 구멍(23)을 통하여 활성층(13)에서 제2 반도체층(14)으로 출력되는 광이 방출될 수 있도록 한다. 스크린층(21)의 소재로는 실리콘산화막 또는 실리콘질화막이 사용될 수 있다.
제1 실시예에서는 광 출력 구멍(23)이 원형으로 형성된 예를 개시하였다. 광 출력 구멍(23)의 크기는 광 출력 구멍(23)에 형성되는 단일 양자점층(25)의 단일 양자점의 크기에 따라서 결정될 수 있다. 물론 광 출력 구멍(23)은 단일 양자점을 포함할 수 있는 크기로 형성된다.
그리고 단일 양자점층(25)이 스크린층(21)의 광 출력 구멍(23)에 충전되게 형성된다. 단일 양자점층(25)은 단일 양자점을 구비한다. 단일 양자점층(25)은 코팅이나 인쇄 방식으로 형성될 수 있다. 단일 양자점은 코어 구조 또는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다.
단일 양자점으로는 Ⅱ-Ⅳ 및 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체를 이용한 양자점이 사용될 수 있다. 단일 양자점의 소재는 Ⅲ-N 물질을 포함할 수 있다. 예컨대 단일 양자점으로는 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴설파이드(CdS), 카드뮴텔레라이드(CdTd), 징크셀레나이드(ZnSe), 징크텔레라이드(ZnTe), 징크설파이드(ZnS), 인듐아세나이드(InAs), 인듐갈륨포스파이드(InGaP) 또는 인듐포스파이드(InP)가 사용될 수 있다.
단일 양자점은 청색을 출력할 수 있도록, 2~10 nm 크기의 Ⅱ-Ⅳ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족의 반도체 입자(CdSe, CdTe, InP 등)로 이루어진 코어와, ZnS으로 이루어진 쉘층을 포함하며, 쉘층의 표면에 무기물(SiO2) 또는 고분자 등으로 10~15 nm의 코팅층을 형성할 수 있다.
그리고 단일 양자 방출 구조층(20)은 발광 소자(10)에서 출력된 광에 의해 여기되어 단일 광자 소스를 출력할 수 있도록, 발광 소자(10)에서 출력되는 광의 파장 보다 단일 양자 방출 구조층(20)에서 방출되는 단일 광자 소스의 파장이 길다.
이와 같이 제1 실시예에 따른 단일 광자 소스 방출 장치(100a)는 상온에서 전원 공급에 의해 캐버티 구조의 발광 소자(10)로 방출되는 광을 이용하여 캐버티 외부에 형성된 단일 양자점을 여기시켜 단일 광자 소스를 방출시킬 수 있다.
캐버티 구조의 발광 소자(10)로 일반적으로 알려진 LED 소자를 채용함으로써, 제1 실시예에 따른 단일 광자 소스 방출 장치(100a)를 간단한 구조로 구현할 수 있다.
제1 실시예에 따른 단일 광자 소스 방출 장치(100a)는 단일 양자점이 외부에 형성되기 때문에, 다양한 크기 및 모양으로 쉽게 구현할 수 있다.
제1 실시예에 따른 단일 광자 소스 방출 장치(100a)는 단일 양자점에 형광체를 포함시킴으로써, 단일 양자점에 포함되는 형광체에 따라서 다양한 파장의 단일 광자 소스를 방출시킬 수 있다.
그리고 제1 실시예에 따른 단일 광자 소스 방출 장치(100a)는 단일 양자 방출 구조층(20)에 정의된 광 출력 구멍(23)을 통해서만 단일 광자 소스가 출력되기 때문에, 보다 쉽게 단일 광자 소스를 취급할 수 있는 이점이 있다.
한편 제1 실시예에서는 발광 소자(10)로 LED 소자를 사용하는 예를 개시하였지만, 전술된 바와 같이 발광 소자(10)로 LD 소자를 사용할 수 있음은 물론이다.
그리고 제1 실시예에서는 광 출력 구멍(23)이 원형으로 형성된 예를 개시하였지만 이것에 한정되는 것은 아니다.
예컨대 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 실시예에 따른 단일 양자 방출 구조층(120)은 광 출력 구멍(123)을 구비하는 스크린층(121)과 단일 양자점층(125)을 포함한다. 광 출력 구멍(123)은 사각형으로 형성될 수 있다. 여기서 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치의 단일 양자 방출 구조층(120)을 보여주는 평면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제3 실시예에 따른 단일 양자 방출 구조층(220)은 광 출력 구멍(223)을 구비하는 스크린층(221)과 단일 양자점층(225)을 포함한다. 광 출력 구멍(223)은 삼각형으로 형성될 수 있다. 여기서 도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치의 단일 양자 방출 구조층(220)을 보여주는 평면도이다.
그 외 광 출력 구멍은 타원형이나 다각형으로 형성될 수 있고, 단일 양자점의 크기에 따라서 다양한 크기로 형성될 수 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.
10 : 발광 소자
11 : 베이스 기판
12 : 제1 반도체층
13 : 활성층
14 : 제2 반도체층
15 : 제1 전극
16 : 제2 전극
20, 120, 220 : 단일 양자 방출 구조층
21, 121, 221 : 스크린층
23, 123, 223 : 광 출력 구멍
25, 125, 225 : 단일 양자점층
100, 100a : 단일 광자 소스 방출 장치

Claims (8)

  1. 상온에서의 전원 공급에 의해 상부면으로 광을 출력하는 외부 캐버티 구조의 발광 소자;
    상기 발광 소자의 상부면에 형성되며, 상기 발광 소자에서 방출되는 광에 의해 여기되어 단일 광자 소스를 방출하는 단일 양자 방출 구조층;을 포함하고,
    상기 발광 소자는,
    베이스 기판;
    상기 베이스 기판 위에 형성된 제1 반도체층;
    상기 제1 반도체층 위에 형성되며 광을 출력하는 활성층;
    상기 활성층 위에 형성되며, 상부에 상기 단일 양자 방출 구조층이 형성되는 제2 반도체층;
    상기 활성층 밖으로 노출된 상기 제1 반도체층 위에 형성되는 제1 전극; 및
    상기 제2 반도체층 위에 일정 간격을 두고 양쪽에 형성되는 한 쌍의 제2 전극;을 포함하고,
    상기 단일 양자 방출 구조층은,
    상기 한 쌍의 제2 전극 사이의 제2 반도체층 위에 형성되며, 내부에 상기 제2 반도체층이 노출되는 광 출력 구멍이 형성된 스크린층; 및
    상기 스크린층의 광 출력 구멍에 충전되게 형성되어 상기 광 출력 구멍으로 노출된 상기 제2 반도체층 위에 형성되는 단일 양자점을 구비하는 단일 양자점층;
    을 포함하는 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 발광 소자는 LED 및 LD 중에 하나인 것을 특징으로 하는 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 단일 양자점은 2~10 nm 크기의 Ⅱ-Ⅳ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족의 반도체 입자로 이루어진 코어와, 상기 코어를 감싸하는 ZnS으로 이루어진 쉘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 단일 양자점은 상기 쉘층의 표면에 무기물 또는 고분자가 10~15 nm의 두께로 형성된 코팅층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 스크린층은 실리콘산화막 또는 실리콘질화막인 것을 특징으로 하는 외부 캐버티를 갖는 것을 특징으로 하는 단일 광자 소스 방출 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 단일 양자점층의 단일 양자점은 코어 구조 또는 코어-쉘 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 단일 양자점층의 단일 양자점은 갈륨나이트라이드(GaN), 갈륨인듐나이트라이드(GaInN), 갈륨알루미늄나이트라이드(GaAlN), 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴설파이드(CdS), 카드뮴텔레라이드(CdTd), 징크셀레나이드(ZnSe), 징크텔레라이드(ZnTe), 징크설파이드(ZnS), 인듐아세나이드(InAs), 인듐갈륨포스파이드(InGaP) 또는 인듐포스파이드(InP)를 포함하는 것을 특징으로 하는 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자에서 출력되는 광의 파장 보다 상기 단일 양자 방출 구조층에서 방출되는 단일 광자 소스의 파장이 긴 것을 특징으로 하는 외부 캐버티를 갖는 단일 광자 소스 방출 장치.
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