KR101938000B1 - Liquid crystal display device and manufacturing method of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 위치하는 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판, 상기 제2 기판의 일면에 위치하는 블랙 매트릭스 및 컬러필터, 상기 컬러필터를 덮으며, 도전성입자와 고분자로 이루어진 공통전극, 상기 공통전극 상에 위치하는 절연층 및 상기 화소 전극과 상기 절연층 사이에 개재된 액정층 및 스페이서를 포함할 수 있다.A liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate, a thin film transistor located on the first substrate, a pixel electrode connected to the thin film transistor, a second substrate facing the first substrate, A common electrode made of conductive particles and a polymer, an insulating layer disposed on the common electrode, and a liquid crystal layer interposed between the pixel electrode and the insulating layer, And spacers.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same,

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

근래에 핸드폰, PDA, 노트북과 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 경량박형의 평판표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display : LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP), 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diode : OLED) 등이 활발히 연구되고 있으며, 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현이 용이한 액정표시장치가 각광을 받고 있다.2. Description of the Related Art Recently, various portable electronic devices such as a mobile phone, a PDA, and a notebook computer have been developed. Accordingly, a demand for a lightweight thin flat panel display device is increasing. As such flat panel display devices, a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP) and an organic light emitting diode (OLED) have been actively studied. A liquid crystal display device in which the ease of driving means and the realization of a high image quality are easily spotlighted.

이러한 액정표시장치는 광원, 박막 트랜지스터와 화소 전극을 포함하는 제1 기판, 컬러필터, 블랙 매트릭스 및 이를 덮는 오버코트층과 공통전극을 포함하는 제2 기판, 및 제1 기판과 제2 기판 사이에 위치하는 액정층으로 구성될 수 있다. 따라서, 박막 트랜지스터의 온/오프 동작에 따라 화소 전극과 공통전극 사이의 전계가 변화하고, 이러한 전계에 변화에 따라 액정층의 액정 배열이 변화한다. 그리고, 광원으로부터 출사하는 빛은 액정층을 지나 컬러필터를 통해 적색, 녹색 및 청색을 표시함으로써 풀컬러를 구현할 수 있다.Such a liquid crystal display device includes a first substrate including a light source, a thin film transistor and a pixel electrode, a color filter, a black matrix and a second substrate including an overcoat layer and a common electrode covering the first substrate, And a liquid crystal layer. Accordingly, the electric field between the pixel electrode and the common electrode changes in accordance with the on / off operation of the thin film transistor, and the liquid crystal arrangement of the liquid crystal layer changes in accordance with the change in the electric field. The light emitted from the light source passes through the liquid crystal layer and displays red, green, and blue through a color filter, thereby realizing full color.

상기 액정표시장치는 화소 전극이 형성된 제1 기판과 공통전극이 형성된 제2 기판을 합착한 후, 액정층을 주입하는데, 제1 기판과 제2 기판의 합착하는 공정에서 이물이 침투되곤 한다. 이때, 액정층을 사이에 두고 화소 전극과 공통전극이 대면하고 있는데, 이물에 침투되면 이물에 의해 화소 전극과 공통전극이 쇼트되어, 암점 불량이 발생하는 문제점이 있다.In the liquid crystal display device, a liquid crystal layer is injected after a first substrate on which pixel electrodes are formed and a second substrate on which a common electrode is formed, and then the liquid crystal layer is injected. At this time, the pixel electrode and the common electrode face each other with the liquid crystal layer interposed therebetween. When the foreign matter penetrates into the foreign object, the pixel electrode and the common electrode are short-circuited by the foreign object, thereby causing a defect in the defect of a dark spot.

또한, 컬러필터 상에 오버코트층을 형성하고, 공통전극을 형성하는 공정이 수행되야 하기 때문에 제조비용이 증가되는 문제점이 있다.
In addition, since the overcoat layer is formed on the color filter and the common electrode is formed, the manufacturing cost is increased.

본 발명은 제조비용을 감소시키고 공정을 용이하게 하며, 암점 불량을 방지할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공한다.
The present invention provides a liquid crystal display device capable of reducing manufacturing cost, facilitating a process, and preventing a defect in a dark spot, and a method of manufacturing the same.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 위치하는 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판, 상기 제2 기판의 일면에 위치하는 블랙 매트릭스 및 컬러필터, 상기 컬러필터를 덮으며, 도전성입자와 고분자로 이루어진 공통전극, 상기 공통전극 상에 위치하는 절연층 및 상기 화소 전극과 상기 절연층 사이에 개재된 액정층 및 스페이서를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including a first substrate, a thin film transistor disposed on the first substrate, and a pixel electrode connected to the thin film transistor, A second substrate, a black matrix and a color filter disposed on one surface of the second substrate, a common electrode formed of conductive particles and a polymer covering the color filter, an insulating layer disposed on the common electrode, A liquid crystal layer interposed between the insulating layers, and a spacer.

상기 공통전극은 상기 컬러필터와 상기 절연층에 직접 콘택할 수 있다.The common electrode may directly contact the color filter and the insulating layer.

상기 도전성입자는 ITO 나노입자, IZO 나노입자, 전도성 고분자 및 Ag 나노와이어로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.The conductive particles may be any one selected from the group consisting of ITO nanoparticles, IZO nanoparticles, conductive polymers, and Ag nanowires.

상기 고분자는 소수성 기능기를 포함하는 고분자, 아크릴계 고분자, 광반응성 고분자 및 광개시제를 포함할 수 있다.The polymer may include a polymer including a hydrophobic functional group, an acrylic polymer, a photoreactive polymer, and a photoinitiator.

상기 소수성 기능기를 포함하는 고분자는 불소계 에폭시 및 실록산계 화합물을 포함할 수 있다.The polymer containing the hydrophobic functional group may include a fluorinated epoxy and a siloxane-based compound.

상기 광반응성 고분자는 에틸렌 불포화 이중결합을 포함하는 모노머일 수 있다.The photoreactive polymer may be a monomer containing an ethylenically unsaturated double bond.

상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 접착하며, 상기 공통전극과 연결된 도전실을 더 포함할 수 있다.The first substrate and the second substrate may be bonded to each other, and the conductive seal may be connected to the common electrode.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법은 제1 기판 상에 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 기판 상에 스페이서를 형성하는 단계, 제2 기판의 일면에 블랙 매트릭스 및 컬러필터를 형성하는 단계, 상기 컬러필터 상에 도전성입자와 고분자가 혼합된 공통전극 페이스트를 도포하는 단계, 상기 공통전극 페이스트가 도포된 상기 제2 기판을 소프트-베이킹한 후, UV 노광 및 현상하여 공통전극 및 절연층을 형성하는 단계 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 합착하여 액정층을 주입하는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device including forming a thin film transistor and a pixel electrode on a first substrate, forming a spacer on the first substrate, A method of manufacturing a color filter, comprising the steps of: forming a black matrix and a color filter; applying a common electrode paste in which conductive particles and a polymer are mixed on the color filter; soft-baking the second substrate coated with the common electrode paste; And developing the liquid crystal layer to form a common electrode and an insulating layer, and injecting the liquid crystal layer by cementing the first substrate and the second substrate.

상기 도전성입자는 ITO 나노입자, IZO 나노입자, 전도성 고분자 및 Ag 나노와이어로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.The conductive particles may be any one selected from the group consisting of ITO nanoparticles, IZO nanoparticles, conductive polymers, and Ag nanowires.

상기 고분자는 소수성 기능기를 포함하는 고분자, 아크릴계 고분자, 광반응성 고분자 및 광개시제를 포함할 수 있다.The polymer may include a polymer including a hydrophobic functional group, an acrylic polymer, a photoreactive polymer, and a photoinitiator.

상기 소수성 기능기를 포함하는 고분자는 불소계 에폭시 및 실록산계 화합물을 포함할 수 있다.The polymer containing the hydrophobic functional group may include a fluorinated epoxy and a siloxane-based compound.

상기 광반응성 고분자는 에틸렌 불포화 이중결합을 포함하는 모노머일 수 있다.The photoreactive polymer may be a monomer containing an ethylenically unsaturated double bond.

상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 합착하는 단계는, 상기 제1 기판의 상기 공통전극과 콘택하도록 도전실을 도포하고, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 접착할 수 있다.
The step of bonding the first substrate and the second substrate may include applying a conductive film to contact the common electrode of the first substrate and bonding the first substrate and the second substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치는 종래 오버코트층의 역할을 동시에 수행하는 공통 전극을 구비하여 제조비용 및 제조공정을 간소화할 수 있는 이점이 있다. 또한, 공통 전극 상에 절연층을 구비하여 공통 전극과 화소 전극이 이물에 의해 쇼트되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
The liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention has a common electrode that simultaneously performs a role of a conventional overcoat layer, which is advantageous in that manufacturing cost and manufacturing process can be simplified. Further, there is an advantage that an insulating layer is provided on the common electrode so that the common electrode and the pixel electrode can be prevented from being shorted by foreign matter.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 액정표시장치를 나타낸 도면.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 공통 전극의 막 두께별 면저항을 측정하여 나타낸 그래프.
도 4는 본 발명의 실시예 및 비교예에 따라 제조된 공통 전극의 파장대별 투과율을 측정하여 나타낸 그래프.
1 is a view illustrating a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2A to 2E are views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a graph illustrating the sheet resistance of a common electrode according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a graph showing the transmittance of the common electrode according to the wavelength band of the common electrode manufactured according to the embodiment of the present invention and the comparative example.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 액정표시장치를 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치(100)는 제1 기판(110), 상기 제1 기판(110)과 대향하며 합착된 제2 기판(160) 및 상기 제1 기판(110)과 상기 제2 기판(160) 사이에 형성된 액정층(190)을 포함한다.1, a liquid crystal display 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate 110, a second substrate 160 facing and bonded to the first substrate 110, And a liquid crystal layer 190 formed between the substrate 110 and the second substrate 160.

제1 기판(110)은 제1 기판(110) 상에 형성된 박막 트랜지스터(TFT), 박막 트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결된 화소 전극(145), 박막 트랜지스터(TFT)와 화소 전극(145) 사이에 형성된 패시베이션막(140)을 포함한다.The first substrate 110 includes a thin film transistor (TFT) formed on the first substrate 110, a pixel electrode 145 electrically connected to the thin film transistor (TFT), a thin film transistor And a passivation film 140 formed thereon.

보다 자세하게는, 제1 기판(110) 상에 게이트 전극(115)이 위치한다. 게이트 전극(115) 상에 게이트 절연막(120)이 위치한다. 게이트 절연막(120) 상에 반도체층(125)이 위치한다. 반도체층(125)은 p형 또는 n형의 불순물이 주입된 것일 수 있다. 반도체층(125)은 불순물을 포함함으로써 소스 영역 및 드레인 영역이 형성될 수 있으며, 상기 소스 영역 및 드레인 영역 이외의 채널 영역을 포함할 수 있다.More specifically, the gate electrode 115 is located on the first substrate 110. The gate insulating film 120 is located on the gate electrode 115. A semiconductor layer 125 is located on the gate insulating film 120. The semiconductor layer 125 may be doped with a p-type or n-type impurity. The semiconductor layer 125 may include an impurity to form a source region and a drain region, and may include a channel region other than the source region and the drain region.

반도체층(125) 상에 소스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b)이 위치한다. 보다 자세하게는, 반도체층(125)의 소스 영역에는 소스 전극(135a)이 위치하고, 반도체층(125)의 드레인 영역에는 드레인 전극(135b)이 위치하게 된다. 반도체층(125)과 소스 전극(135a) 사이 및 반도체층(125)과 드레인 전극(135b) 사이에는 소스 전극(135a)과 드레인 전극(135b)이 각각 반도체층(125)과 오믹콘택을 이루도록 오믹콘택층(미도시)이 더 형성될 수도 있다. 따라서, 제1 기판(110) 상에 게이트 전극(115), 반도체층(125), 소스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b)을 포함하는 박막 트랜지스터(TTF)가 위치한다. 박막 트랜지스터(TFT)와 이격된 영역에는 데이터 라인(135c)이 위치한다. A source electrode 135a and a drain electrode 135b are located on the semiconductor layer 125. [ More specifically, the source electrode 135a is located in the source region of the semiconductor layer 125, and the drain electrode 135b is located in the drain region of the semiconductor layer 125. [ A source electrode 135a and a drain electrode 135b are formed between the semiconductor layer 125 and the source electrode 135a and between the semiconductor layer 125 and the drain electrode 135b to form ohmic contact with the semiconductor layer 125, A contact layer (not shown) may be further formed. The thin film transistor TTF including the gate electrode 115, the semiconductor layer 125, the source electrode 135a and the drain electrode 135b is located on the first substrate 110. [ A data line 135c is located in a region spaced apart from the thin film transistor (TFT).

박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 제1 기판(110) 상에 패시베이션막(140)이 위치한다. 패시베이션막(140) 상에 화소 전극(145)이 위치한다. 화소 전극(145)은 패시베이션막(140)에 의해 노출된 드레인 전극(135b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트선으로부터 게이트 온/오프 전압에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 전압을 화소 전극(145)에 공급하고, 공급된 데이터 전압은 화소 전극(145)을 통해 액정층(190)에 인가된다. A passivation film 140 is disposed on a first substrate 110 including a thin film transistor TFT. The pixel electrode 145 is located on the passivation film 140. The pixel electrode 145 may be electrically connected to the drain electrode 135b exposed by the passivation film 140. [ The thin film transistor TFT supplies the data voltage from the data line to the pixel electrode 145 in response to the gate on / off voltage from the gate line, and the supplied data voltage is applied to the liquid crystal layer 190 through the pixel electrode 145. [ .

그리고, 박막 트랜지스터(TFT)와 화소 전극(145)이 형성된 제1 기판(110)의 외곽에는 공통 배선(147)이 위치한다. 공통 배선(147)은 추후 설명될 제2 기판(160)의 공통 전극(180)에 공통 전압을 인가하는 역할을 한다. 상기 데이터 라인(135c)의 위치에 대응되는 영역에는 스페이서(197)가 위치하여 추후 합착되는 제2 기판(160)과의 셀갭을 유지하는 역할을 한다.A common wiring 147 is located outside the first substrate 110 on which the thin film transistor TFT and the pixel electrode 145 are formed. The common wiring 147 serves to apply a common voltage to the common electrode 180 of the second substrate 160 to be described later. The spacer 197 is positioned in a region corresponding to the position of the data line 135c and serves to maintain a cell gap with the second substrate 160 to be attached later.

한편, 제2 기판(160)은 제2 기판(160) 상에 색구현을 위해 형성된 컬러 필터(170), 컬러 필터(170) 사이에 형성된 블랙 매트릭스(165), 컬러 필터(170)를 덮는 공통 전극(180) 및 공통 전극(180) 상에 형성된 절연층(185)을 포함한다.On the other hand, the second substrate 160 includes a color filter 170 formed for color implementation on the second substrate 160, a black matrix 165 formed between the color filters 170, And an insulating layer 185 formed on the electrode 180 and the common electrode 180.

블랙 매트릭스(165)는 컬러 필터(170) 사이의 빛을 차단하여 해상도를 향상시키는 역할을 하는 것으로, 카본 블랙이나 흑색 수지 등으로 이루어진다. 컬러 필터(170)는 색을 구현하기 위해 적색, 녹색 및 청색 컬러 필터로 이루어질 수 있다.The black matrix 165 serves to improve the resolution by blocking light between the color filters 170, and is made of carbon black, black resin, or the like. The color filter 170 may comprise red, green, and blue color filters to implement color.

컬러 필터(170) 상에 공통 전극(180)이 위치한다. 공통 전극(180)은 화소 전극(145)과 더불어 액정층(190)에 공통 전압을 인가하는 역할과, 컬러 필터(170)를 보호하며 컬러 필터(170)에 의한 단차를 평탄화하는 역할을 한다. 공통 전극(180)은 도전성입자와 고분자를 포함하며, 도전성입자는 ITO 나노입자, IZO 나노입자, 전도성 고분자 및 Ag 나노와이어로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어진다. 여기서 전도성 고분자로는 예를 들어, PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))일 수 있다. 고분자는 소수성 기능기를 포함하는 고분자, 아크릴계 고분자, 광반응성 고분자 및 광개시제를 포함한다. A common electrode 180 is located on the color filter 170. The common electrode 180 serves to apply a common voltage to the liquid crystal layer 190 together with the pixel electrode 145 and to protect the color filter 170 and to flatten the stepped portion by the color filter 170. The common electrode 180 includes conductive particles and a polymer, and the conductive particles include any one selected from the group consisting of ITO nanoparticles, IZO nanoparticles, conductive polymers, and Ag nanowires. The conductive polymer may be, for example, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT). The polymer includes a polymer containing a hydrophobic functional group, an acrylic polymer, a photoreactive polymer, and a photoinitiator.

공통 전극(180) 상에 절연층(185)이 위치한다. 절연층(185)은 공통 전극(180)과 화소 전극(145)이 이물에 의해 쇼트가 발생하는 것을 방지하기 위한 것으로, 소수기를 포함하는 고분자로 이루어진다. 상기 공통 전극(180)과 절연층(185)에 대한 자세한 설명은 후술하기로 한다.An insulating layer 185 is located on the common electrode 180. The insulating layer 185 is formed of a polymer including a hydrophobic group to prevent the common electrode 180 and the pixel electrode 145 from being short-circuited by foreign matter. The common electrode 180 and the insulating layer 185 will be described later in detail.

그리고, 제1 기판(110)과 제2 기판(160) 사이에 도전실(195)이 형성되어, 제1 기판(110)과 제2 기판(160)이 합착된다. 도전실(195)은 제1 기판(110)의 공통배선(147)과 콘택되고, 제2 기판(160)의 공통 전극(180)과 콘택된다. 따라서, 도전실(195)은 공통배선(147)을 통해 인가되는 공통전압을 공통 전극(180)에 인가하게 된다. 그리고, 제1 기판(110)과 제2 기판(160) 사이에 액정층(190)이 형성되어 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 구성한다. A conductive chamber 195 is formed between the first substrate 110 and the second substrate 160 to bond the first substrate 110 and the second substrate 160 together. The conductive chamber 195 is in contact with the common wiring 147 of the first substrate 110 and is in contact with the common electrode 180 of the second substrate 160. Therefore, the conductive chamber 195 applies a common voltage applied to the common electrode 180 through the common wiring 147. A liquid crystal layer 190 is formed between the first substrate 110 and the second substrate 160 to constitute a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

전술한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치는 종래 오버코트층의 역할을 동시에 수행하는 공통 전극을 구비하여 제조비용 및 제조공정을 간소화할 수 있는 이점이 있다. 또한, 공통 전극 상에 절연층을 구비하여 공통 전극과 화소 전극이 이물에 의해 쇼트되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다. The liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention has a common electrode that simultaneously performs a role of a conventional overcoat layer, which is advantageous in that manufacturing cost and manufacturing process can be simplified. Further, there is an advantage that an insulating layer is provided on the common electrode so that the common electrode and the pixel electrode can be prevented from being shorted by foreign matter.

이하, 전술한 액정표시장치에 구비된 공통 전극 및 절연층에 대해 보다 자세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, the common electrode and the insulating layer provided in the above-described liquid crystal display device will be described in more detail.

본 발명의 일 실시예에 따른 공통 전극 및 절연층을 형성하는 공통 전극 페이스트는 도전성입자 및 고분자를 포함한다. 도전성입자는 ITO 나노입자, IZO 나노입자, 전도성 고분자 및 Ag 나노와이어로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어진다. 여기서 전도성 고분자로는 예를 들어, PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))일 수 있다. The common electrode paste for forming the common electrode and the insulating layer according to an embodiment of the present invention includes conductive particles and a polymer. The conductive particles are composed of any one selected from the group consisting of ITO nanoparticles, IZO nanoparticles, conductive polymers, and Ag nanowires. The conductive polymer may be, for example, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT).

고분자는 소수성 기능기를 포함하는 고분자, 아크릴계 고분자, 광반응성 고분자 및 광개시제를 포함한다. 소수성 기능기를 포함하는 고분자로는 불소계 에폭시 및 실록산계 화합물을 포함하며, 실록산계 화합물은 예를 들어, TEOS(tetraethylorthosilicate)일 수 있다. The polymer includes a polymer containing a hydrophobic functional group, an acrylic polymer, a photoreactive polymer, and a photoinitiator. The polymer containing a hydrophobic functional group includes a fluorinated epoxy and a siloxane-based compound, and the siloxane-based compound may be, for example, tetraethylorthosilicate (TEOS).

상기 아크릴계 고분자는 바인더의 역할을 하는 것으로, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,3-부탄디올디아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디올디아크릴레이트, 트리메틸롤트리아크릴레이트, 트리메틸롤 프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 솔비톨트리아크릴레이트, 솔비톨테트라크릴레이트, 솔비톨펜타크릴레이트, 솔비톨헥사크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리메틸올에탄트리메타크릴레이트, 1,3-부탄디올디메타크릴레이트, 펜타에리트리톨디메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨디메타크릴레이트, 펜타에리트리톨트리메타크릴레이트, 비스[p-(3-메타크릴옥시-2-히드록시-프로폭시)페닐]디메틸메탄, 비스[p-(메타크릴록시-에폭시)페닐]디메틸메탄, 솔비톨트리메타크릴레이트, 솔비톨테트라메타크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시프로필아크릴레이트, 디메틸아미노에틸아크릴레이트, 디에틸아미노에틸아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, n-비닐피롤리돈, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 펜타에리트리톨디아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사크릴레이트, 테트라히드로퍼푸릴메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 비닐아세테이트, 트리알릴시아누레이트 등을 사용할 수 있으며, 이들 모노머 이외에 이량체 및 삼량체와 같은 프리폴리머도 효과적으로 사용할 수 있다.The acrylic polymer serves as a binder. Examples of the acrylic polymer include ethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, 1,3-butanediol diacrylate, tetramethylene glycol diacrylate, propylene glycol diacrylate, 1,4- Cyclohexanediol diacrylate, trimethylol propane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, dipentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol tetraacrylate, Sorbitol triacrylate, sorbitol tetracrylate, sorbitol pentacrilate, sorbitol hexacrylate, tetramethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, ethylene glycol dimethacrylate , Trimethylol ethane trime Pentaerythritol dimethacrylate, dipentaerythritol dimethacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, bis [p- (3-methacryloxy-2 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, Hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, dimethylaminoethyl acrylate, diethylaminoethyl acrylate, isobornyl acrylate, n-vinyl pyrrolidone, 1,4-butylene glycol diacrylate, , 6-hexanediol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, tripropylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, pentaerythritol diacrylate There may be used, in addition to these monomers, dimethylacetyl trimethacrylate, dipentaerythritol hexacrylate, tetrahydroperfuryl methacrylate, glycidyl acrylate, pentaerythritol tetraacrylate, vinyl acetate and triallyl cyanurate. And prepolymers such as trimers can also be effectively used.

상기 광반응성 고분자는 에틸렌 불포화 이중 결합을 가지는 모노머이다. 에틸렌 불포화 이중 결합을 가지는 모노머는 예를 들어, 헥사에디올 트리아크릴산염(hexanediol triacylate), 트리프로필렌 글리콜트리아크릴산염(tripropylene glycoltriacrylate), 트리메틸올프로판(trimethylolpropane) 트리아크릴산염, 스테아릴 아크릴산염(stearyl acrylate), 테트라하이드로푸르푸릴 아크릴산염(tetrahydrofurfuryl acrylate), 라우릴 아크릴산염(lauryl acrylate), 2-페녹시에틸 아크릴산염(2-phenoxyethyl acrylate), 이소데실 아크릴산염, 이소옥틸 아크릴산염, 트리데실 아크릴산염, 카프로락톤 아크릴산염, 에톡실레이트 노닐페놀 아크릴산염(ethoxylated nonylphenol acrylate), 1,3-부탄디올디아크릴산염(1,3-butanediol diacrylate), 1,4-부탄디올 디아크릴산염, 디에틸렌 글리콜 디아크릴산염, 테트라에틸렌 글리콜 디아크릴산염, 트리에틸렌 글리콜 디아크릴산염, 에톡실레이트 비스페놀 A 디아크릴산염(ethoxylated bisphenol A diacrylate), 프로폭실레이트 네오펜틸 글리콜 디아크릴산염(propoxylated neopentyl glycol diacrylate), 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트 트리아크릴산염(tirs(2-hydroxyethyl)isocyanurate triacrylate), 에톡실레이트 트리메틸올프로판 트리아크릴산염, 펜타에리트리톨 트리아크릴산염(pentaerythritol triacrylate), 프로폭실레이트 트리에틸올프로판 트 리아크릴산염(propoxylated triethylolpropane triacrylate), 프로폭실레이트 글리세릴트리아크릴산, 펜타에리트리톨 테트라아크릴산염(pentaerythritol tetraacrylate), 디트리메틸올프로판 테트라아크릴산염, 디펜타에리트리톨 히드록시펜타아크릴산염(dipentaerythritol hyroxypentaacrlate), 에톡실레이트 펜타에리트리톨 테트라아크릴산염, 테트라히드로푸르푸릴 메타크릴산염, 시클로헥실 메타크릴산염,이소데실 메타크릴산염, 라우릴 메타크릴산염, 트리에틸렌 글리콜 디메타크릴산염, 에틸렌 글리콜 디메타크릴산염, 테트라에틸렌 글리콜 디메타크릴산염, 1,4-부탄디올 디메타크릴산염, 디에틸렌 글리콜 디메타크릴산염, 1,6-헥산디올 디메타크릴산염, 네오펜틸 글리콜 디메타크릴산염, 1,3-부틸렌 글리콜 디메타크릴산염, 에톡시에이트 비스페놀 A 디메타크릴산염, 트리메틸올프로판 메타크릴산염등과 같은 것을 포함한다.The photoreactive polymer is a monomer having an ethylenically unsaturated double bond. Monomers having an ethylenically unsaturated double bond include, for example, hexanediol triacylate, tripropylene glycol triacrylate, trimethylolpropane triacrylate, stearyl acrylate, stearyl acrylate, acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, lauryl acrylate, 2-phenoxyethyl acrylate, isodecyl acrylate, isooctyl acrylate, tridecyl acrylate, Ethoxylated nonylphenol acrylate, 1,3-butanediol diacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, Acrylate, tetraethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, ethoxylate bisphenol A Propoxylated neopentyl glycol diacrylate, tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate triacrylate, ethoxylated bisphenol A diacrylate, tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate triacrylate, , Ethoxylate trimethylol propane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, propoxylated triethylolpropane triacrylate, propoxylated glyceryl triacrylate, pentaerythritol triacrylate, But are not limited to, pentaerythritol tetraacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, dipentaerythritol hyroxypentaacrlate, ethoxylate pentaerythritol tetraacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, cyclohexyl Methacrylate, isodecyl methacrylate Diethylene glycol dimethacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, Hexanediol dimethacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, 1,3-butylene glycol dimethacrylate, ethoxyate bisphenol A dimethacrylate, trimethylolpropane methacrylate and the like .

상기 광개시제로는 예를 들어, 벤조인(benzoin), 벤조인 에틸 에테르, 벤조인이소부틸 에테르(benzoin isobutyl ether), 벤조페논, 벤조일벤조산, 메틸벤조일 벤조산염, 4-벤조일-4'-메틸디페닐황화물, 벤질 디메틸케탈, 2-n-부톡시-4-디메틸 아미노벤조산염, 2-클로로티옥산돈, 2,4-디에틸티옥산돈, 2,4-디이소프로필티옥산돈, 이소프로필티옥산돈, 2-디메틸아미노에틸 벤조산염, 에틸 p-디메틸아미노벤조산염, 이소아밀p-디메틸아미노산염, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논, 2,4-디메틸티옥산돈, 1-(4-도데실페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-one, 2,2'-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-one, 히드록시시클로 헥실페닐 케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-one, 1-[4-(2-히드록시에톡시)-페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-one, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-one, 메틸벤조일 포름산염, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐) 옥심, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논,비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스파인 옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스파인 옥사이드같은 것을 포함한다.Examples of the photoinitiator include benzoin, benzoin ethyl ether, benzoin isobutyl ether, benzophenone, benzoyl benzoic acid, methyl benzoyl benzoate, 4-benzoyl-4'-methyl di Phenyl sulfide, benzyl dimethyl ketal, 2-n-butoxy-4-dimethylaminobenzoic acid salt, 2-chlorothioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4- Propylthioxanthone, 2-dimethylaminoethylbenzoate, ethyl p-dimethylaminobenzoate, isoamyl p-dimethylamino acid salt, 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone, 2,4- 1-one, 2,2'-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, hydroxycyclohexyl Methyl-1-phenylpropane-1-one, 1- [4- (2-hydroxyethoxy) -phenyl] -2-hydroxy- -1-one, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane- (2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -1-butanone , Bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide, and bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide.

또한, 공통 전극 페이스트는 유기 용매를 더 포함하며, 유기 용매는 예를 들어, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(dipropylene glycol monmethyl ether) 등과 같은 알코올 및 에틸카르비톨 아세테이트(ethylcarbitol acetate) 등과 같은 알콜 아세트산염이 사용될 수 있다. The common electrode paste further includes an organic solvent. Examples of the organic solvent include alcohols such as dipropylene glycol monomethyl ether, and alcohol acetic acid salts such as ethylcarbitol acetate. Can be used.

이하, 전술한 공통 전극 페이스트를 이용하여 본 발명의 액정표시장치의 제조방법에 대해 설명하면 다음과 같다. 도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면이다. Hereinafter, a method for manufacturing the liquid crystal display device of the present invention will be described using the above-described common electrode paste. FIGS. 2A to 2E are views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

먼저, 도 2a를 참조하면, 제1 기판(210) 상에 게이트 전극(215)을 형성한다. 게이트 전극(215)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 게이트 전극(215)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(215)은 몰리브덴(Mo)/알루미늄-네오디뮴(AlNd) 또는 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)의 2중층일 수 있다.First, referring to FIG. 2A, a gate electrode 215 is formed on a first substrate 210. The gate electrode 215 is formed of a material selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper Any one of them or an alloy thereof. The gate electrode 215 may be formed of a material selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Ne, Or an alloy of any one selected from the above. For example, the gate electrode 215 may be a double layer of molybdenum (Mo) / aluminum-neodymium (AlNd) or molybdenum (Mo) / aluminum (Al).

이어, 게이트 전극(215) 상에 게이트 절연막(220)을 형성한다. 게이트 절연막(220)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다. 다음, 게이트 절연막(220) 상에 반도체층(225)을 형성한다. 반도체층(225)은 비정질 실리콘 또는 비정질 실리콘을 결정화한 다결정 실리콘을 포함하는 무기물로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 반도체층(225)은 p형 또는 n형의 불순물이 주입될 수도 있다. 반도체층(225)이 불순물을 포함하면, 소스 영역 및 드레인 영역이 형성될 수 있으며, 상기 소스 영역 및 드레인 영역 이외의 채널 영역을 포함할 수 있다.Next, a gate insulating film 220 is formed on the gate electrode 215. The gate insulating layer 220 may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof. Next, a semiconductor layer 225 is formed on the gate insulating film 220. The semiconductor layer 225 may be formed of amorphous silicon or an inorganic material including polycrystalline silicon obtained by crystallizing amorphous silicon, but is not limited thereto. The semiconductor layer 225 may be doped with p-type or n-type impurities. If the semiconductor layer 225 contains an impurity, a source region and a drain region may be formed, and a channel region other than the source region and the drain region may be included.

이어, 반도체층(225) 상에 소스 전극(235a), 드레인 전극(235b) 및 데이터 라인(235c)을 형성한다. 이때, 반도체층(225)의 소스 영역에는 소스 전극(235a)이 형성되고, 반도체층(225)의 드레인 영역에는 드레인 전극(235b)이 형성된다. 그리고, 데이터 라인(235c)은 반도체층(225)과 이격되어 형성된다. 여기서, 소스 전극(235a) 및 드레인 전극(235b)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 소스 전극(235a) 및 드레인 전극(235b)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.Next, a source electrode 235a, a drain electrode 235b, and a data line 235c are formed on the semiconductor layer 225. Then, At this time, a source electrode 235a is formed in the source region of the semiconductor layer 225, and a drain electrode 235b is formed in the drain region of the semiconductor layer 225. The data line 235c is formed apart from the semiconductor layer 225. [ The source electrode 235a and the drain electrode 235b may be formed of a single layer or a multilayer and may be formed of a metal such as molybdenum (Mo), aluminum (Al), aluminum And may be made of any one selected from the group consisting of chrome (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu)

또한, 소스 전극(235a) 및 드레인 전극(235b)이 다중층일 경우에는 몰리브덴(Mo)/알루미늄-네오디뮴(AlNd)의 2중층, 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴(Mo)/알루미늄-네오디뮴(AlNd)/몰리브덴(Mo)의 3중층으로 이루어질 수 있다. 도시하지 않았지만, 반도체층(225)과 소스 전극(235a) 사이 및 반도체층(225)과 드레인 전극(235b) 사이에는 소스 전극(235a)과 드레인 전극(235b)이 각각 반도체층(225)과 오믹콘택을 이루도록 오믹콘택층(미도시)이 더 형성될 수도 있다. 따라서, 제1 기판(210) 상에 게이트 전극(215), 반도체층(225), 소스 전극(235a) 및 드레인 전극(235b)을 포함하는 박막 트랜지스터(TTF)가 형성된다.When the source electrode 235a and the drain electrode 235b are multilayered, a double layer of molybdenum (Mo) / aluminum-neodymium (AlNd), a layer of titanium (Ti) / aluminum (Al) / titanium Mo) / aluminum (Al) / molybdenum (Mo) or molybdenum (Mo) / aluminum-neodymium (AlNd) / molybdenum (Mo). A source electrode 235a and a drain electrode 235b are formed between the semiconductor layer 225 and the source electrode 235a and between the semiconductor layer 225 and the drain electrode 235b, An ohmic contact layer (not shown) may be further formed to form a contact. A thin film transistor TTF including a gate electrode 215, a semiconductor layer 225, a source electrode 235a and a drain electrode 235b is formed on the first substrate 210. [

이어, 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 제1 기판(210) 상에 패시베이션막(240)을 형성한다. 패시베이션막(240)은 게이트 절연막(220)과 동일하게 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.Next, a passivation film 240 is formed on the first substrate 210 including the thin film transistor (TFT). The passivation film 240 may be a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multilayer thereof, similar to the gate insulating film 220.

다음, 패시베이션막(240) 상에 화소 전극(245) 및 공통배선(247)을 형성한다. 화소 전극(245)은 패시베이션막(240)에 의해 노출된 드레인 전극(235b)과 전기적으로 연결된다. 화소 전극(245)과 공통배선(247)은 은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 인듐 징크 옥사이드(IZO) 등과 같은 투명한 금속으로 형성된다. 그리고, 데이터 라인(235c)과 대응되는 영역에 추후 제2 기판(260)과의 셀갭을 유지하기 위한 스페이서(297)를 형성한다.Next, the pixel electrode 245 and the common wiring 247 are formed on the passivation film 240. The pixel electrode 245 is electrically connected to the drain electrode 235b exposed by the passivation film 240. [ The pixel electrode 245 and the common wiring 247 are formed of a transparent metal such as silver indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. A spacer 297 is formed in a region corresponding to the data line 235c to maintain a cell gap with the second substrate 260 later.

다음, 도 2b를 참조하면, 제2 기판(260)을 준비하고, 제2 기판(260) 상에 블랙 매트릭스(265)를 형성한다. 블랙 매트릭스(265)는 카본 블랙이나 흑색 수지 등을 도포하고 패터닝하여 형성한다. 이어, 블랙 매트릭스(265)가 형성된 제2 기판(260) 상에 컬러 필터(270)를 형성한다. 컬러 필터(270)는 적색, 녹색 및 청색의 안료나 염료를 포함하는 수지로 이루어진다. Next, referring to FIG. 2B, a second substrate 260 is prepared, and a black matrix 265 is formed on the second substrate 260. The black matrix 265 is formed by coating and patterning carbon black or black resin. Next, a color filter 270 is formed on the second substrate 260 on which the black matrix 265 is formed. The color filter 270 is made of a resin including red, green, and blue pigments or dyes.

다음, 컬러 필터(270)가 형성된 제2 기판(260) 상에 전술한 공통 전극 페이스트(300)를 도포한다. 공통 전극 페이스트(300)는 도전성입자(320)와 고분자(330)를 포함하며, 특히, 고분자(330)는 소수성 기능기(310)를 포함한다. 공통 전극 페이스트(300)에 대해서는 앞에서 자세히 설명하였으므로, 그 설명을 생략한다.Next, the above-described common electrode paste 300 is applied onto the second substrate 260 on which the color filter 270 is formed. The common electrode paste 300 includes the conductive particles 320 and the polymer 330 and in particular the polymer 330 includes the hydrophobic functional group 310. Since the common electrode paste 300 has been described in detail in the foregoing, description thereof will be omitted.

이어, 도 2c를 참조하면, 상기 공통 전극 페이스트(300)가 도포된 제2 기판(260)을 소프트-베이킹한다. 이때, 소프트-베이킹은 80 내지 130도의 온도 하에 약 수 분 정도 수행된다. 소프트-베이킹이 수행되면, 공통 전극 페이스트(300) 내의 소수성 기능기(310)가 고분자(300)와 상분리되어 공통 전극 페이스트(300)의 상부 표면에 정렬된다. 이때, 공통 전극 페이스트(300) 내에 분산되어 있는 도전성입자(320)들도 고분자(300)와 함께 분리된다.Next, referring to FIG. 2C, the second substrate 260 on which the common electrode paste 300 is coated is soft-baked. At this time, the soft-bake is performed for about several minutes at a temperature of 80 to 130 degrees. When the soft-baking is performed, the hydrophobic functional group 310 in the common electrode paste 300 is phase-separated with the polymer 300 and aligned on the upper surface of the common electrode paste 300. At this time, the conductive particles 320 dispersed in the common electrode paste 300 are also separated together with the polymer 300.

이어, 도 2d를 참조하면, 상기 소프트-베이킹된 공통 전극 페이스트(300)에 UV를 조사하여 노광한 후, 현상하고 하드 베이킹한다. 이때, 공통 전극 페이스트(300)에는 광개시제와 광반응성 고분자가 포함되어 있어, UV 노광에 의해 현상된다. 그리고, 하드 베이킹을 통해 소수성 기능기(310)가 포함된 고분자는 바인더로 사용되는 아크릴계 수지와 가교 결합되어, 소수성 기능기(310)가 포함된 고분자의 용출 현상을 방지한다. Next, referring to FIG. 2D, the soft-baked common electrode paste 300 is exposed to UV light, developed, and then hard baked. At this time, the common electrode paste 300 contains a photoinitiator and a photoreactive polymer, and is developed by UV exposure. The polymer including the hydrophobic functional group 310 through hard baking is crosslinked with the acrylic resin used as a binder to prevent the polymer containing the hydrophobic functional group 310 from being dissolved.

공통 전극 페이스트(300)는 하드 베이킹을 통해 견고하게 경화된다. 경화된 공통 전극 페이스트(300)는 상분리에 따라 도전성입자(320)가 분포된 고분자 영역이 공통 전극(280)으로 형성되고, 소수성 기능기(310)가 표면에 정렬된 고분자 영역이 절연층(285)으로 형성된다. 따라서, 공통 전극 페이스트(300)를 이용하여 공통 전극(280)과 절연층(285)이 동시에 형성된다.The common electrode paste 300 hardens through hard baking. The cured common electrode paste 300 is formed such that the polymer region in which the conductive particles 320 are distributed according to the phase separation is formed of the common electrode 280 and the polymer region in which the hydrophobic functional group 310 is aligned on the surface is the insulating layer 285 . Therefore, the common electrode 280 and the insulating layer 285 are simultaneously formed by using the common electrode paste 300. [

마지막으로, 도 2e를 참조하면, 제2 기판(260)에 도전실(295)을 도포하고, 앞서 제조된 제1 기판(210)과 합착한 후, 액정층(290)을 형성한다. 이때, 도전실(295)은 제2 기판(260)의 공통 전극(280)과 콘택하고 제1 기판(210)의 공통배선(247)과 콘택하도록 형성한다. 따라서, 본 발명의 액정표시장치가 제조된다.Finally, referring to FIG. 2E, a conductive chamber 295 is coated on the second substrate 260, and the liquid crystal layer 290 is formed after bonding the first substrate 210 with the previously prepared conductive substrate. At this time, the conductive chamber 295 is in contact with the common electrode 280 of the second substrate 260 and is in contact with the common wiring 247 of the first substrate 210. Therefore, the liquid crystal display device of the present invention is manufactured.

전술한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치는 종래 오버코트층의 역할을 동시에 수행하는 공통 전극을 구비하여 제조비용 및 제조공정을 간소화할 수 있는 이점이 있다. 또한, 공통 전극 상에 절연층을 구비하여 공통 전극과 화소 전극이 이물에 의해 쇼트되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다. The liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention has a common electrode that simultaneously performs a role of a conventional overcoat layer, which is advantageous in that manufacturing cost and manufacturing process can be simplified. Further, there is an advantage that an insulating layer is provided on the common electrode so that the common electrode and the pixel electrode can be prevented from being shorted by foreign matter.

이하, 본 발명의 공통 전극 페이스트를 이용하여 제조된 공통 전극에 관하여 하기 실시예에서 상술하기로 한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the common electrode manufactured using the common electrode paste of the present invention will be described in detail in the following examples. However, the following examples are illustrative of the present invention, but the present invention is not limited to the following examples.

실시예Example

60 중량부의 ITO 나노입자, 10 중량부의 TEOS, 10 중량부의 아크릴 수지 바인더, 10 중량부의 헥사에디올 트리아크릴산염, 3 중량부의 벤조인 및 7 중량부의 톨루엔을 혼합한 후, 기판 상에 도포하여, 소프트-베이킹, 노광, 현상 및 하드-베이킹하여, 공통 전극 및 절연층을 형성하였다.
60 parts by weight of ITO nanoparticles, 10 parts by weight of TEOS, 10 parts by weight of an acrylic resin binder, 10 parts by weight of hexaediol triacrylate, 3 parts by weight of benzoin and 7 parts by weight of toluene were mixed and then coated on a substrate, Soft-baking, exposure, developing and hard-baking to form a common electrode and an insulating layer.

비교예Comparative Example

기판 상에 ITO를 증착하여 공통 전극을 형성하였다.
ITO was deposited on the substrate to form a common electrode.

전술한, 실시예에 따라 제조된 공통 전극의 막 두께별 면저항을 측정하여 도 3에 나타내었고, 실시예 및 비교예에 따라 제조된 공통 전극의 파장대별 투과율을 측정하여 도 4 및 표 1에 나타내었다.3, and the transmittance of the common electrode according to the examples and the comparative examples was measured to determine the transmittance of the common electrode according to the wavelengths of the common electrodes according to Examples and Table 1 .

파장대Wavelength band 비교예Comparative Example 실시예Example 400nm400 nm 92.192.1 94.994.9 550nm550 nm 81.281.2 82.582.5 700nm700 nm 96.296.2 99.099.0 평균Average 91.391.3 95.095.0

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 공통 전극의 경우, 액정표시장치에 사용되는 1500Å의 두께에서 약 42(Ω/□)로 나타나 ITO 막보다 약 3배 이상 우수한 면저항 특성을 나타내었다. 또한, 도 4 및 표 1을 참조하면, 파장대별 투과율의 경우, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 공통 전극이 약 2~3% 정도 우수한 것을 알 수 있었다.Referring to FIG. 3, in the case of the common electrode manufactured according to the embodiment of the present invention, the sheet resistance is about 42 (Ω / □) at a thickness of 1500 Å used in a liquid crystal display device, Respectively. Referring to FIG. 4 and Table 1, it can be seen that the transmittance of each wavelength band is about 2 to 3% higher than that of the common electrode manufactured according to the embodiment of the present invention.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

100 : 액정표시장치 110 : 제1 기판
120 : 게이트 절연막 140 : 패시베이션막
145 : 화소 전극 160 : 제2 기판
165 : 블랙 매트릭스 170 : 컬러 필터
180 : 공통 전극 185 : 절연층
195 : 도전실 197 : 스페이서
100: liquid crystal display device 110: first substrate
120: gate insulating film 140: passivation film
145: pixel electrode 160: second substrate
165: black matrix 170: color filter
180: common electrode 185: insulating layer
195: Challenge chamber 197: Spacer

Claims (17)

제1 기판;
상기 제1 기판 상에 위치하는 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극;
상기 제 1 기판 상에서 상기 박막 트랜지스터 및 상기 화소 전극의 외측에 위치하는 공통배선;
상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판;
상기 제2 기판의 일면에 위치하는 블랙 매트릭스 및 컬러필터;
상기 컬러필터를 덮는 일면을 구비하며, 도전성입자와 고분자로 이루어진 공통전극;
상기 공통전극의 타면에 위치하는 절연층;
상기 화소 전극과 상기 절연층 사이에 개재된 액정층 및 스페이서; 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 합착하며, 상기 공통배선과 상기 공통전극을 연결하는 도전실을 포함하는 액정표시장치.
A first substrate;
A thin film transistor positioned on the first substrate and a pixel electrode connected to the thin film transistor;
A common wiring located on the first substrate outside the thin film transistor and the pixel electrode;
A second substrate facing the first substrate;
A black matrix and a color filter disposed on one surface of the second substrate;
A common electrode having a surface covering the color filter and made of conductive particles and a polymer;
An insulating layer located on the other surface of the common electrode;
A liquid crystal layer and a spacer interposed between the pixel electrode and the insulating layer; And
And a conductive chamber for bonding the first substrate and the second substrate together and connecting the common wiring and the common electrode.
제1 항에 있어서,
상기 공통전극은 상기 컬러필터와 상기 절연층에 직접 콘택하는 액정표시장치.
The method according to claim 1,
And the common electrode directly contacts the color filter and the insulating layer.
제1 항에 있어서,
상기 도전성입자는 ITO 나노입자, IZO 나노입자, 전도성 고분자 및 Ag 나노와이어로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the conductive particles are any one selected from the group consisting of ITO nanoparticles, IZO nanoparticles, conductive polymers, and Ag nanowires.
제1 항에 있어서,
상기 고분자는 소수성 기능기를 포함하는 고분자, 아크릴계 고분자, 광반응성 고분자 및 광개시제를 포함하는 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the polymer comprises a polymer including a hydrophobic functional group, an acrylic polymer, a photoreactive polymer, and a photoinitiator.
제4 항에 있어서,
상기 소수성 기능기를 포함하는 고분자는 불소계 에폭시 및 실록산계 화합물을 포함하는 액정표시장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the polymer comprising the hydrophobic functional group comprises a fluorinated epoxy and a siloxane-based compound.
제4 항에 있어서,
상기 광반응성 고분자는 에틸렌 불포화 이중결합을 포함하는 모노머인 액정표시장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the photoreactive polymer is a monomer containing an ethylenically unsaturated double bond.
삭제delete 제1 기판 상에, 박막 트랜지스터 및 화소 전극과, 공통배선을 상기 공통배선이 상기 박막 트랜지스터 및 상기 화소 전극 외측에 위치하도록 형성하는 단계;
상기 제1 기판 상에 스페이서를 형성하는 단계;
제2 기판의 일면에 블랙 매트릭스 및 컬러필터를 형성하는 단계;
상기 컬러필터 상에 도전성입자와 고분자가 혼합된 공통전극 페이스트를 도포하는 단계;
상기 공통전극 페이스트가 도포된 상기 제2 기판을 소프트-베이킹한 후, UV 노광 및 현상하여 상기 컬러필터와 접촉하는 일면을 갖는 공통전극 및 상기 공통전극의 타면과 접촉하는 절연층을 동시에 형성하는 단계; 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 합착하여 액정층을 주입하는 단계를 포함하며,
상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 합착하는 단계는,
상기 제1 기판의 상기 공통배선 및 상기 공통전극과 콘택하도록 도전실을 도포하고, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 합착하는 액정표시장치의 제조방법.
Forming a thin film transistor, a pixel electrode, and a common wiring on the first substrate so that the common wiring is located outside the thin film transistor and the pixel electrode;
Forming a spacer on the first substrate;
Forming a black matrix and a color filter on one surface of a second substrate;
Applying a common electrode paste in which conductive particles and a polymer are mixed on the color filter;
Baking the second substrate to which the common electrode paste is applied, UV exposure and development to form a common electrode having one side in contact with the color filter and an insulating layer in contact with the other side of the common electrode at the same time ; And
And bonding the first substrate and the second substrate to each other to inject a liquid crystal layer,
Wherein the step of bonding the first substrate and the second substrate comprises:
A conductive film is applied to contact the common wiring of the first substrate and the common electrode, and the first substrate and the second substrate are bonded together.
제8 항에 있어서,
상기 도전성입자는 ITO 나노입자, IZO 나노입자, 전도성 고분자 및 Ag 나노와이어로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 액정표시장치의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the conductive particles are any one selected from the group consisting of ITO nanoparticles, IZO nanoparticles, conductive polymers, and Ag nanowires.
제8 항에 있어서,
상기 고분자는 소수성 기능기를 포함하는 고분자, 아크릴계 고분자, 광반응성 고분자 및 광개시제를 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the polymer comprises a polymer containing a hydrophobic functional group, an acrylic polymer, a photoreactive polymer, and a photoinitiator.
제10 항에 있어서,
상기 소수성 기능기를 포함하는 고분자는 불소계 에폭시 및 실록산계 화합물을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the polymer containing the hydrophobic functional group comprises a fluorine-based epoxy and a siloxane-based compound.
제10 항에 있어서,
상기 광반응성 고분자는 에틸렌 불포화 이중결합을 포함하는 모노머인 액정표시장치의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the photoreactive polymer is a monomer containing an ethylenically unsaturated double bond.
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 공통배선과 상기 화소전극은 동일 층에 배치되는 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the common wiring and the pixel electrode are disposed on the same layer.
제8 항에 있어서,
상기 공통배선과 상기 화소전극은 동일 층에 배치되는 액정표시장치의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the common wiring and the pixel electrode are disposed on the same layer.
제1 항에 있어서,
상기 화소전극은 데이터 전압을 공급받고, 상기 공통전극은 상기 공통배선을 통해 공통전압을 공급받으며, 상기 액정층에는 상기 화소전극과 상기 공통전극에 의해 형성되는 전계가 인가되는 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the pixel electrode receives a data voltage, the common electrode receives a common voltage through the common wiring, and an electric field formed by the pixel electrode and the common electrode is applied to the liquid crystal layer.
제8 항에 있어서,
상기 화소전극은 데이터 전압을 공급받고, 상기 공통전극은 상기 공통배선을 통해 공통전압을 공급받으며, 상기 액정층에는 상기 화소전극과 상기 공통전극에 의해 형성되는 전계가 인가되는 액정표시장치의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the pixel electrode is supplied with a data voltage, the common electrode receives a common voltage through the common wiring, and an electric field formed by the pixel electrode and the common electrode is applied to the liquid crystal layer .
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