KR101936368B1 - Display device and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 표시장치 및 그 제조방법은 내로우 베젤(narrow bezel)을 위한 듀얼 링크(dual link) 구조에 있어, 링크 배선이 경사지게 배치되는 경사 배선부의 선폭을 각 링크 배선의 비저항에 따라 서로 다르게 설계함으로써 베젤 사이즈를 증가시키지 않으면서 이웃하는 링크 배선들 사이의 저항차이로 인한 화상불량을 개선하기 위한 것으로, 표시영역 및 상기 표시영역 주위에 배치되는 비표시영역으로 구분되는 제 1 기판; 상기 표시영역에 매트릭스 형태로 배치되며, 복수의 데이터라인과 게이트라인이 교차하여 정의되는 복수의 서브 픽셀; 상기 비표시영역에 배치되며, 상기 서브 픽셀의 데이터라인 및 게이트라인을 구동하는 데이터구동부 및 게이트구동부; 상기 비표시영역에 배치되며, 상기 데이터라인과 수직한 방향으로 배치되는 수직 배선부 및 상기 수직 배선부에서 데이터라인 쪽으로 연장되어 경사지게 배치되는 경사 배선부로 구분되는 링크부; 상기 비표시영역의 링크부에 형성되며, 상기 데이터구동부를 통해 상기 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하되, 상기 데이터라인과 동일한 층에 형성된 제 1 데이터 링크 배선 및 상기 게이트라인과 동일한 층에 형성된 제 2 데이터 링크 배선으로 구분되는 데이터 링크 배선; 및 상기 제 1 기판과 합착하는 제 2 기판을 포함하며, 상기 제 1 데이터 링크 배선과 제 2 데이터 링크 배선은 각각의 선폭을 상기 경사 배선부에서 상기 수직 배선부와 달리하는 것을 특징으로 한다.The display device and the method of manufacturing the same according to the present invention are designed in a dual link structure for a narrow bezel so that the line width of the inclined wiring portion in which the link wiring is inclined is designed differently according to the specific resistance of each link wiring A first substrate divided into a display region and a non-display region disposed around the display region for improving image defects due to a resistance difference between neighboring link wirings without increasing the size of the bezel; A plurality of subpixels arranged in a matrix form in the display region and defined by intersecting a plurality of data lines and gate lines; A data driver and a gate driver arranged in the non-display area to drive data lines and gate lines of the subpixels; A link portion disposed in the non-display region, the link portion being divided into a vertical wiring portion arranged in a direction perpendicular to the data line and a sloped wiring portion extending from the vertical wiring portion toward a data line and inclined; A first data link line formed in the same layer as the data line and a second data link line formed in the same layer as the gate line; A data link wiring line formed by a second data link line formed; And a second substrate bonded to the first substrate, wherein the first data link wiring and the second data link wiring each have a different line width from the sloped wiring part to the vertical wiring part.

Description

표시장치 및 그 제조방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same.

본 발명은 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 내로우 베젤(narrow bezel)을 구현하기 위해 듀얼 링크(dual link) 구조를 적용한 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a display device using a dual link structure for implementing a narrow bezel and a method of manufacturing the same.

정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Display: OLED) 및 전기영동 표시장치(Electrophoretic display; EPD) 등과 같은 표시장치의 사용이 증가하고 있다.As the information technology is developed, the market of display devices, which is a connection medium between users and information, is getting larger. Accordingly, the use of display devices such as a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting display (OLED), and an electrophoretic display (EPD) has been increasing.

이와 같은 표시장치는 텔레비전(TV)이나 비디오 등의 가전분야에서 노트북(Note book)과 같은 컴퓨터나 핸드폰 등과 같은 산업분야 등에서 다양한 용도로 사용되고 있다.Such a display device is used in various fields such as a computer such as a notebook computer, a cellular phone, and the like in the field of consumer electronics such as a television (TV) and a video.

이하, 상기의 표시장치에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the display device will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 일반적인 표시장치를 개략적으로 나타내는 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a general display device.

도면을 참조하면, 앞서 설명한 표시장치(10)는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀(미도시)이 형성되는 표시영역(20)과 상기 표시영역(20) 주위에 배치되어 상기 서브 픽셀을 구동하는 구동부가 위치하는 비표시영역으로 구분할 수 있다.Referring to the drawings, the display device 10 described above includes a display region 20 in which a plurality of subpixels (not shown) arranged in a matrix are formed, and a display region 20 disposed around the display region 20, A non-display area in which the driving unit is located.

상기 구동부에는 타이밍구동부(미도시)와 데이터구동부(31) 및 게이트구동부(32) 등이 포함된다. 이때, 상기 데이터구동부(31)와 게이트구동부(32)는 표시장치(10)의 패널 상에 형성되고, 상기 타이밍구동부는 패널과 연결되는 연성회로기판(미도시) 등에 형성된다.The driving unit includes a timing driver (not shown), a data driver 31 and a gate driver 32. At this time, the data driver 31 and the gate driver 32 are formed on a panel of the display device 10, and the timing driver is formed on a flexible circuit board (not shown) connected to the panel.

이와 같이 구성되는 일반적인 표시장치(10)의 구조는 화면의 가로방향의 폭이 세로방향의 높이보다 큰 가로표시모드(landscape display mode)에 적용하는데는 적합하나, 최근 핸드폰, e-북 등의 모바일 기기의 사용 중에 많은 정보를 표시하여야 하는 작업 등, 예를 들어 다수의 텍스트 파일을 열어서 작업하는 경우인 세로표시모드(portrait display mode)에 적용하는데는 적합하지 못한 것으로 여겨지고 있다.The structure of the general display device 10 configured as above is suitable for application to a landscape display mode in which the width of the screen in the horizontal direction is larger than the height in the vertical direction. However, It is considered that it is not suitable to apply to a portrait display mode in which a lot of information is displayed during use of the apparatus, for example, when a plurality of text files are opened and worked.

또한, 상기 일반적인 표시장치(10)는 데이터구동부(31)를 예를 들면, 복수의 서브 픽셀의 각 데이터라인(미도시)에 데이터신호를 인가하기 위해서 상기 데이터라인에 대응하는 수만큼의 데이터 링크 배선(26)이 필요하게 된다. 이로 인해, 일반적인 표시장치(10)는 해상도의 증가에 따라 필요한 데이터라인의 수만큼 데이터 링크 배선(26)이 증가하게 되고, 이와 더불어 표시장치(10)의 베젤 폭(w0)이 증가하게 되므로 이를 개선하기 위한 방안이 모색되어야 할 것이다.The general display device 10 includes a data driver 31 for applying a data signal to each data line (not shown) of a plurality of subpixels, Wiring 26 is required. As a result, the number of the data link wiring lines 26 is increased by the number of data lines required as the resolution increases, and the bezel width w0 of the display device 10 is increased. There is a need to find ways to improve.

도면부호 27은 복수의 서브 픽셀의 각 게이트라인에 게이트신호를 인가하기 위한 게이트 링크 배선을 나타내며, 동일한 방식으로 해상도의 증가에 따라 필요한 게이트라인의 수만큼 게이트 링크 배선(27)이 증가하게 된다.Reference numeral 27 denotes a gate link wiring for applying a gate signal to each gate line of a plurality of subpixels. In the same manner, the number of gate line wirings 27 is increased by the number of necessary gate lines as the resolution increases.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 세로표시모드에 적합한 구조를 구현하는 동시에 듀얼 링크(dual link) 구조를 적용하여 내로우 베젤(narrow bezel)을 구현하도록 한 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a display device which realizes a structure suitable for a vertical display mode and implements a narrow bezel by applying a dual link structure, The purpose is to provide.

본 발명의 다른 목적은 듀얼 링크 설계 시, 이웃하는 링크 배선들 사이의 저항차이를 완화하도록 한 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a display device and a method of manufacturing the display device in which the resistance difference between neighboring link wirings is reduced in the dual link design.

기타, 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.Other objects and features of the present invention will be described in the following description of the invention and the claims.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 표시장치는 표시영역 및 상기 표시영역 주위에 배치되는 비표시영역으로 구분되는 제 1 기판; 상기 표시영역에 매트릭스 형태로 배치되며, 복수의 데이터라인과 게이트라인이 교차하여 정의되는 복수의 서브 픽셀; 상기 비표시영역에 배치되며, 상기 서브 픽셀의 데이터라인 및 게이트라인을 구동하는 데이터구동부 및 게이트구동부; 상기 비표시영역에 배치되며, 상기 데이터라인과 수직한 방향으로 배치되는 수직 배선부 및 상기 수직 배선부에서 데이터라인 쪽으로 연장되어 경사지게 배치되는 경사 배선부로 구분되는 링크부; 상기 비표시영역의 링크부에 형성되며, 상기 데이터구동부를 통해 상기 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하되, 상기 데이터라인과 동일한 층에 형성된 제 1 데이터 링크 배선 및 상기 게이트라인과 동일한 층에 형성된 제 2 데이터 링크 배선으로 구분되는 데이터 링크 배선; 및 상기 제 1 기판과 합착하는 제 2 기판을 포함하며, 상기 제 1 데이터 링크 배선과 제 2 데이터 링크 배선은 각각의 선폭을 상기 경사 배선부에서 상기 수직 배선부와 달리하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display device including a first substrate divided into a display region and a non-display region disposed around the display region; A plurality of subpixels arranged in a matrix form in the display region and defined by intersecting a plurality of data lines and gate lines; A data driver and a gate driver arranged in the non-display area to drive data lines and gate lines of the subpixels; A link portion disposed in the non-display region, the link portion being divided into a vertical wiring portion arranged in a direction perpendicular to the data line and a sloped wiring portion extending from the vertical wiring portion toward a data line and inclined; A first data link line formed in the same layer as the data line and a second data link line formed in the same layer as the gate line; A data link wiring line formed by a second data link line formed; And a second substrate bonded to the first substrate, wherein the first data link wiring and the second data link wiring each have a different line width from the sloped wiring part to the vertical wiring part.

이때, 상기 제 1 데이터 링크 배선 및 제 2 데이터 링크 배선은 상기 데이터라인의 순서에 따라 교대로 배치되는 것을 특징으로 한다.In this case, the first data link wiring and the second data link wiring are alternately arranged according to the order of the data lines.

상기 제 1 데이터 링크 배선과 제 2 데이터 링크 배선 사이의 비저항 차이를 고려하여 상기 제 1 데이터 링크 배선과 제 2 데이터 링크 배선 각각의 선폭을 결정하는 것을 특징으로 한다.The line width of each of the first data link wiring and the second data link wiring is determined in consideration of a difference in resistivity between the first data link wiring and the second data link wiring.

이때, 상기 제 2 데이터 링크 배선의 비저항이 상기 제 1 데이터 링크 배선의 비저항보다 크다면, 상기 제 2 데이터 링크 배선은 상기 제 1 데이터 링크 배선에 비해 큰 선폭을 가지는 것을 특징으로 한다.In this case, if the specific resistance of the second data link wiring is larger than the specific resistance of the first data link wiring, the second data link wiring has a larger line width than the first data link wiring.

이때, 상기 제 2 데이터 링크 배선은 상기 수직 배선부에서는 상기 제 1 데이터 링크 배선과 동일한 선폭을 가지나, 상기 경사 배선부에서는 상기 제 1 데이터 링크 배선에 비해 큰 선폭을 가지는 것을 특징으로 한다.In this case, the second data link wiring has a line width equal to that of the first data link wiring in the vertical wiring portion, but has a line width larger than that of the first data link wiring in the inclined wiring portion.

상기 서브 픽셀은 상기 표시영역의 상, 하부에 각각 위치하는 상부 서브 픽셀과 하부 서브 픽셀로 구분되며, 상기 데이터구동부는 우측 데이터 링크 배선을 통해 상기 상부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하는 우측 데이터구동부와 좌측 데이터 링크 배선을 통해 상기 하부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하는 좌측 데이터구동부로 구분되는 것을 특징으로 한다.The sub-pixel is divided into an upper sub-pixel and a lower sub-pixel located at the upper and lower portions of the display region, respectively. The data driver supplies data signals to the data lines of the upper sub- And a left data driver for applying a data signal to a data line of the lower sub-pixel through a data driver and a left data link wiring line.

이때, 상기 좌, 우측 데이터구동부 및 게이트구동부는 상기 표시영역 하측의 구동부에 배치되는 것을 특징으로 한다.In this case, the left and right data driver and gate driver are disposed in the driver on the lower side of the display area.

이때, 상기 좌, 우측 데이터 링크 배선은 상기 데이터라인과 동일한 층에 형성된 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선 및 상기 게이트라인과 동일한 층에 형성된 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선으로 구분되는 것을 특징으로 한다.The left and right data link lines are divided into first left and right data link lines formed on the same layer as the data lines and second left and right data link lines formed on the same layer as the gate lines .

이때, 상기 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선의 비저항이 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선의 비저항보다 크다면, 상기 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선은 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선에 비해 큰 선폭을 가지는 것을 특징으로 한다.If the resistances of the second left and right data link wires are larger than the resistances of the first left and right data link wires, the second left and right data link wires are connected to the first left and right data link wires And has a large line width.

이때, 상기 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선은 상기 수직 배선부에서는 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선과 동일한 선폭을 가지나, 상기 경사 배선부에서는 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선에 비해 큰 선폭을 가지는 것을 특징으로 한다.At this time, the second left and right data link wirings have the same line width as the first left and right data link wirings in the vertical wiring portion, while the sloped wiring portions have a larger line width than the first left and right data link wirings .

본 발명의 표시장치의 제조방법은 표시영역 및 상기 표시영역 주위에 배치되는 비표시영역으로 구분되는 제 1 기판을 제공하는 단계; 상기 표시영역에 매트릭스 형태로 형성하되, 복수의 데이터라인과 게이트라인이 교차하여 정의되는 복수의 서브 픽셀을 형성하는 단계; 상기 비표시영역에 형성하되, 상기 서브 픽셀의 데이터라인 및 게이트라인을 구동하는 데이터구동부 및 게이트구동부를 형성하는 단계; 상기 비표시영역에 형성하되, 상기 데이터라인과 수직한 방향으로 배치되는 수직 배선부 및 상기 수직 배선부에서 데이터라인 쪽으로 연장되어 경사지게 배치되는 경사 배선부로 구분되는 링크부를 형성하는 단계; 상기 비표시영역에 형성하되, 상기 데이터구동부를 통해 상기 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하며, 상기 데이터라인과 동일한 층에 형성된 제 1 데이터 링크 배선 및 상기 게이트라인과 동일한 층에 형성된 제 2 데이터 링크 배선으로 구분되는 데이터 링크 배선을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 데이터 링크 배선과 제 2 데이터 링크 배선은 각각의 선폭을 상기 경사 배선부에서 상기 수직 배선부와 달리하여 형성하는 것을 특징으로 한다.A manufacturing method of a display device of the present invention includes: providing a first substrate divided into a display area and a non-display area disposed around the display area; Forming a plurality of subpixels in a matrix form in the display area, the plurality of subpixels defining a plurality of data lines and gate lines crossing each other; Forming a data driver and a gate driver for driving the data lines and the gate lines of the subpixel in the non-display area; Forming a vertical wiring part formed in the non-display area in a direction perpendicular to the data line, and a link part extending in a vertical direction to the data line and separated from the vertical wiring part by a sloped wiring part arranged obliquely; A first data link line formed in the same layer as the data line and a second data line line formed in the same layer as the gate line and a second data link line formed in the same layer as the data line, Forming a data link wiring that is divided into data link wiring; And bonding the first substrate and the second substrate, wherein the first data link wiring and the second data link wiring each have a line width different from that of the vertical wiring portion in the inclined wiring portion .

이때, 상기 제 1 데이터 링크 배선 및 제 2 데이터 링크 배선은 상기 데이터라인의 순서에 따라 교대로 형성되는 것을 특징으로 한다.In this case, the first data link wiring and the second data link wiring are alternately formed in the order of the data lines.

이때, 상기 제 1 데이터 링크 배선과 제 2 데이터 링크 배선 사이의 비저항 차이를 고려하여 상기 제 1 데이터 링크 배선과 제 2 데이터 링크 배선 각각의 선폭을 결정하여 형성하는 것을 특징으로 한다.At this time, the line width of each of the first data link wiring and the second data link wiring is determined in consideration of a difference in resistivity between the first data link wiring and the second data link wiring.

이때, 상기 제 2 데이터 링크 배선의 비저항이 상기 제 1 데이터 링크 배선의 비저항보다 크다면, 상기 제 2 데이터 링크 배선은 상기 제 1 데이터 링크 배선에 비해 큰 선폭을 가지도록 형성하는 것을 특징으로 한다.In this case, if the specific resistance of the second data link wiring is larger than the specific resistance of the first data link wiring, the second data link wiring is formed to have a larger line width than the first data link wiring.

이때, 상기 제 2 데이터 링크 배선은 상기 수직 배선부에서는 상기 제 1 데이터 링크 배선과 동일한 선폭을 가지나, 상기 경사 배선부에서는 상기 제 1 데이터 링크 배선에 비해 큰 선폭을 가지도록 형성하는 것을 특징으로 한다.In this case, the second data link wiring is formed to have a line width equal to that of the first data link wiring in the vertical wiring portion, but to have a larger line width in the inclined wiring portion than the first data link wiring .

상기 서브 픽셀은 상기 표시영역의 상, 하부에 각각 위치하는 상부 서브 픽셀과 하부 서브 픽셀로 구분되며, 상기 데이터구동부는 우측 데이터 링크 배선을 통해 상기 상부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하는 우측 데이터구동부와 좌측 데이터 링크 배선을 통해 상기 하부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하는 좌측 데이터구동부로 구분되는 것을 특징으로 한다.The sub-pixel is divided into an upper sub-pixel and a lower sub-pixel located at the upper and lower portions of the display region, respectively. The data driver supplies data signals to the data lines of the upper sub- And a left data driver for applying a data signal to a data line of the lower sub-pixel through a data driver and a left data link wiring line.

이때, 상기 좌, 우측 데이터구동부 및 게이트구동부는 상기 표시영역 하측의 구동부에 형성하는 것을 특징으로 한다.In this case, the left and right data driver and gate driver are formed in the driver on the lower side of the display area.

이때, 상기 좌, 우측 데이터 링크 배선은 상기 데이터라인과 동일한 층에 형성된 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선 및 상기 게이트라인과 동일한 층에 형성된 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선으로 구분되도록 형성하는 것을 특징으로 한다.In this case, the left and right data link lines are formed so as to be divided into first left and right data link lines formed in the same layer as the data line, and second left and right data link lines formed in the same layer as the gate line .

이때, 상기 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선의 비저항이 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선의 비저항보다 크다면, 상기 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선은 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선에 비해 큰 선폭을 가지도록 형성하는 것을 특징으로 한다.If the resistances of the second left and right data link wires are larger than the resistances of the first left and right data link wires, the second left and right data link wires are connected to the first left and right data link wires And has a large line width.

이때, 상기 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선은 상기 수직 배선부에서는 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선과 동일한 선폭을 가지나, 상기 경사 배선부에서는 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선에 비해 큰 선폭을 가지도록 형성하는 것을 특징으로 한다.At this time, the second left and right data link wirings have the same line width as the first left and right data link wirings in the vertical wiring portion, while the sloped wiring portions have a larger line width than the first left and right data link wirings Is formed.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 표시장치 및 그 제조방법은 내로우 베젤을 위한 듀얼 링크 구조에 있어, 링크 배선이 경사지게 배치되는 경사 배선부의 선폭을 각 링크 배선의 비저항에 따라 서로 다르게 설계함으로써 베젤 사이즈를 증가시키지 않으면서 이웃하는 링크 배선들 사이의 저항차이로 인한 화상불량을 개선할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, according to the display device and the manufacturing method thereof according to the present invention, in the dual-link structure for the inner bezel, the line width of the inclined wiring portion in which the link wiring is inclined is designed differently according to the specific resistance of each link wiring, It is possible to improve the image defect due to the resistance difference between the neighboring link wirings without increasing the size.

도 1은 일반적인 표시장치를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 3은 상기 도 2에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 표시장치에 있어, A-A선에 따른 링크부의 단면 일부를 개략적으로 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 5는 상기 도 4에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시장치에 있어, B-B선에 따른 링크부의 단면 일부를 개략적으로 나타내는 도면.
도 6a 및 도 6b는 상기 도 4에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시장치에 있어, 링크부의 일부를 확대하여 나타내는 평면도.
도 7은 상기 도 4에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시장치에 있어, 수직 배선부와 경사 배선부에서의 링크 배선의 일부를 확대하여 나타내는 평면도.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 9a 및 도 9b는 상기 도 8에 도시된 본 발명의 제 3 실시예에 따른 다른 표시장치에 있어, 링크부의 일부를 확대하여 나타내는 평면도.
도 10은 상기 도 8에 도시된 본 발명의 제 3 실시예에 따른 다른 표시장치에 있어, 수직 배선부와 경사 배선부에서의 링크 배선의 일부를 확대하여 나타내는 평면도.
도 11a 내지 도 11e는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 다른 표시장치의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 12는 본 발명에 따른 액정표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 13은 본 발명에 따른 전기영동 표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도.
1 is a plan view schematically showing a general display device;
2 is a plan view schematically showing a display device according to a first embodiment of the present invention;
FIG. 3 is a schematic view showing a part of a cross section of a link portion according to an AA line in the display device according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 2;
4 is a plan view schematically showing a display device according to a second embodiment of the present invention.
5 is a view schematically showing a part of a cross section of a link portion according to a BB line in the display device according to the second embodiment of the present invention shown in FIG.
FIGS. 6A and 6B are enlarged plan views of a part of a link portion in the display device according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 4; FIG.
7 is an enlarged plan view showing a part of a link wiring in a vertical wiring portion and a sloped wiring portion in the display device according to the second embodiment of the present invention shown in FIG.
8 is a plan view schematically showing a display device according to a third embodiment of the present invention.
FIGS. 9A and 9B are enlarged plan views of a part of a link portion in another display device according to a third embodiment of the present invention shown in FIG. 8; FIG.
10 is an enlarged plan view showing a part of a link wiring in a vertical wiring portion and a sloped wiring portion in another display device according to the third embodiment of the present invention shown in FIG.
11A to 11E are sectional views sequentially showing a manufacturing process of another display device according to the third embodiment of the present invention;
12 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a liquid crystal display device according to the present invention.
13 is a cross-sectional view schematically showing a structure of an electrophoretic display device according to the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 표시장치 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of a display device and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 나타내는 평면도이다.2 is a plan view schematically showing a display device according to a first embodiment of the present invention.

또한, 도 3은 상기 도 2에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 표시장치에 있어, A-A선에 따른 링크부의 단면 일부를 개략적으로 나타내는 도면이다.3 is a view schematically showing a part of a cross section of a link portion taken along the line A-A in the display device according to the first embodiment of the present invention shown in FIG.

상기 도면들을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 표시장치(100)는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀(미도시)이 형성되는 표시영역(120)과 상기 표시영역(120) 주위에 배치되어 상기 서브 픽셀을 구동하는 구동부가 위치하는 비표시영역으로 구분할 수 있다.The display device 100 according to the first embodiment of the present invention includes a display region 120 in which a plurality of subpixels (not shown) are arranged in a matrix, And a non-display region in which a driving unit for driving the sub-pixel is located.

이때, 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 표시장치(100)는 화면의 세로방향의 높이가 가로방향의 폭보다 큰 세로표시모드(portrait display mode)에 적용하는데 적합한 구조로 설계된 것을 특징으로 한다. 상기 세로표시모드는 핸드폰, e-북 등의 모바일 기기의 사용 중에 많은 정보를 표시하여야 하는 작업 등, 예를 들어 다수의 텍스트 파일을 열어서 작업하는 경우에 적합하다.The display device 100 according to the first embodiment of the present invention is designed to have a structure suitable for application to a portrait display mode in which the vertical height of the screen is larger than the width of the horizontal direction . The vertical display mode is suitable for a case where a large number of text files are opened and operated, for example, a job requiring a large amount of information to be displayed during use of a mobile device such as a cellular phone or an e-book.

상기 구동부에는 타이밍구동부(미도시)와 데이터구동부(131L, 131R) 및 게이트구동부(132) 등이 포함된다. 이때, 상기 데이터구동부(131L, 131R)와 게이트구동부(132)는 표시장치(100)의 패널 상에 형성되고, 상기 타이밍구동부는 패널과 연결되는 연성회로기판(미도시) 등에 형성될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The driving unit includes a timing driver (not shown), data drivers 131L and 131R, a gate driver 132, and the like. The data drivers 131L and 131R and the gate driver 132 may be formed on a panel of the display device 100 and the timing driver may be formed on a flexible circuit board (not shown) connected to the panel. However, the present invention is not limited thereto.

상기 데이터구동부(131L, 131R)는 화소부(120)의 중앙을 기준으로 하부의 서브 픽셀에 데이터신호를 인가하기 위한 좌측 데이터구동부(131L)와 상부의 서브 픽셀에 데이터신호를 인가하기 위한 우측 데이터구동부(131R)로 구분할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 좌측 데이터구동부(131L)는 상부의 서브 픽셀에 데이터신호를 인가하는 한편, 상기 우측 데이터구동부(131R)는 하부의 서브 픽셀에 데이터신호를 인가하도록 구성할 수도 있다. 또한, 본 발명은 하나의 데이터구동부를 구비하여 상기 데이터구동부를 통해 화소부의 모든 서브 픽셀에 차례대로 데이터신호를 인가하도록 구성할 수도 있다.The data drivers 131L and 131R include a left data driver 131L for applying a data signal to a lower sub pixel based on the center of the pixel part 120 and a right data driver 131L for applying a data signal to the upper sub pixel, And a driving unit 131R. However, the present invention is not limited thereto. The left data driver 131L may apply a data signal to the upper sub-pixel and the right data driver 131R may apply a data signal to the lower sub-pixel. In addition, the present invention may include one data driver to apply a data signal sequentially to all the sub-pixels of the pixel portion through the data driver.

이때, 상기 표시장치(100)는 예를 들어, 액정표시장치나 유기전계발광표시장치, 전기영동 표시장치와 같은 평판표시장치를 포함한다.At this time, the display device 100 includes a flat panel display device such as a liquid crystal display device, an organic light emitting display device, and an electrophoretic display device.

상기 표시장치(100)로 액정표시장치를 예로 드는 경우, 도면에는 자세히 도시하지 않았지만, 상기 표시장치(100)의 패널은 크게 제 1 기판인 컬러필터 기판과 제 2 기판인 어레이 기판(110) 및 상기 컬러필터 기판과 어레이 기판(110) 사이에 형성된 액정층으로 구성될 수 있다.Although not shown in detail in the drawings, the panel of the display device 100 includes a color filter substrate, which is a first substrate, and an array substrate 110, which is a second substrate, And a liquid crystal layer formed between the color filter substrate and the array substrate 110.

이때, 상기 컬러필터 기판은 적, 녹 및 청색의 서브컬러필터로 구성되는 컬러필터와 상기 서브컬러필터 사이를 구분하고 상기 액정층을 투과하는 광을 차단하는 블랙매트릭스, 그리고 상기 컬러필터와 블랙매트릭스 상부에 형성된 오버코트층으로 이루어진다.At this time, the color filter substrate may include a black matrix for separating the sub-color filter from the color filter composed of red, green, and blue sub-color filters and blocking light transmitted through the liquid crystal layer, And an overcoat layer formed on the top.

상기 어레이 기판(110)에는 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인과 데이터라인이 형성되어 있으며, 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역, 즉 TFT 영역에는 스위칭소자인 박막 트랜지스터가 형성되어 있다.A gate line and a data line are vertically and horizontally arranged on the array substrate 110 to define a pixel region. A thin film transistor, which is a switching element, is formed in a crossing region of the gate line and the data line, that is, in a TFT region.

이때, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트라인에 연결된 게이트전극, 상기 데이터라인에 연결된 소오스전극 및 화소전극에 연결된 드레인전극으로 구성된다. 또한, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트전극과 소오스/드레인전극 사이의 절연을 위한 게이트절연막(115a) 및 상기 게이트전극에 공급되는 게이트전압에 의해 상기 소오스전극과 드레인전극 사이에 전도채널(conductive channel)을 형성하는 액티브층을 포함한다. 또한, 상기 박막 트랜지스터는 상기 소오스/드레인전극과 화소전극 사이의 절연을 위한 보호막(115b)을 포함한다.The thin film transistor includes a gate electrode connected to the gate line, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode connected to the pixel electrode. The thin film transistor includes a gate insulating film 115a for insulation between the gate electrode and the source / drain electrode, and a conductive channel between the source electrode and the drain electrode by a gate voltage supplied to the gate electrode Lt; / RTI > In addition, the thin film transistor includes a protective film 115b for insulation between the source / drain electrode and the pixel electrode.

이와 같이 구성되는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 표시장치(100)는 복수의 서브 픽셀의 각 데이터라인에 데이터신호를 인가하기 위해서 상기 데이터라인에 대응하는 수만큼의 데이터 링크 배선(126L, 126R)이 필요하게 된다. 또한, 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 표시장치(100)는 복수의 서브 픽셀의 각 게이트라인에 게이트신호를 인가하기 위해서 상기 게이트라인에 대응하는 수만큼의 게이트 링크 배선(127)이 필요하다.The display device 100 according to the first embodiment of the present invention configured as described above includes a plurality of data link wirings 126L and 126R corresponding to the data lines for applying data signals to the respective data lines of the plurality of subpixels ). In addition, the display device 100 according to the first embodiment of the present invention requires a number of gate link wirings 127 corresponding to the gate lines in order to apply a gate signal to each gate line of a plurality of subpixels Do.

여기서, 상기 데이터 링크 배선(126L, 126R)과 게이트 링크 배선(127)은 각각 데이터구동부(131L, 131R)와 게이트구동부(132)로부터 화소부(120)의 데이터라인과 게이트라인까지 신호를 연결하는 배선을 의미하며, 상기 화소부(120)의 외곽에 배치되어 베젤 폭(w1)을 결정한다.The data link wirings 126L and 126R and the gate link wirings 127 connect signals from the data drivers 131L and 131R and the gate driver 132 to the data lines and the gate lines of the display unit 120 And is disposed at an outer periphery of the pixel portion 120 to determine a bezel width w1.

이때, 상기 데이터 링크 배선(126L, 126R)은 상기 좌측 데이터구동부(131L)를 통해 하부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하기 위한 좌측 데이터 링크 배선(126L)과 상기 우측 데이터구동부(131R)를 통해 상부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하기 위한 우측 데이터 링크 배선(126R)으로 구분할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 좌측 데이터 링크 배선(126L)은 상기 좌측 데이터구동부(131L)를 통해 상부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하는 한편, 상기 우측 데이터 링크 배선(126R)은 상기 우측 데이터구동부(131R)를 통해 하부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하도록 구성할 수도 있다. 또한, 일 예로 전술한 바와 같이 하나의 데이터구동부를 구비하는 경우, 상기 데이터 링크 배선은 패널의 일측에만 배치될 수 있으며, 이때 상기 데이터 링크 배선은 상기 데이터구동부를 통해 화소부의 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하게 된다.At this time, the data link lines 126L and 126R are connected to the left data link line 126L and the right data driver 131R for applying a data signal to the data line of the lower sub-pixel through the left data driver 131L, And a right data link wiring 126R for applying a data signal to the data line of the upper sub-pixel. However, the present invention is not limited thereto. The left data link line 126L applies a data signal to the data line of the upper sub pixel through the left data driver 131L while the right data link line 126R applies the data signal to the data line of the upper sub pixel through the right data driver 131R And to apply the data signal to the data line of the lower sub-pixel. For example, when one data driver is provided as described above, the data link line may be disposed only on one side of the panel, and the data link line may be connected to the data line of the sub pixel of the pixel unit through the data driver. The data signal is applied.

이와 같이 구성되는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 표시장치(100)는 데이터구동부(131L, 131R)와 게이트구동부(132)를 동일한 위치, 일 예로 도시된 바와 같이 화소부(120)의 하측에 배치함으로써 패널 좌, 우측의 베젤 폭(w1)이 기존의 경우에 비해 줄어드는 한편, 상기 좌, 우측의 베젤이 실질적으로 동일한 폭을 가짐에 따라 전술한 세로표시모드에 적합하게 된다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.In the display device 100 according to the first embodiment of the present invention configured as described above, the data drivers 131L and 131R and the gate driver 132 are disposed at the same positions, for example, below the pixel portion 120 The bezel width w1 on the left and right sides of the panel is reduced as compared with the conventional case while the bezels on the left and right sides have substantially the same width. However, the present invention is not limited thereto.

다만, 해상도의 증가에 따라 필요한 데이터라인의 수만큼 데이터 링크 배선이 증가하게 되는데, 상기 본 발명의 제 1 실시예의 경우에는 이를 근본적으로 해소하는 데는 미흡하다. 즉, 슬림(slim)한 패널을 제작하기 위해서는 동일한 해상도에 좁은 베젤 폭을 구현하여야 하는데, 데이터 링크 배선은 보통 한 개의 층에 형성하며, 이때 데이터 링크 배선 한 개가 차지하는 최소 공간(line pitch)(p)은 TFT 공정능력에 따라 결정된다.However, as the resolution increases, the number of data link lines increases by the number of data lines required. However, in the case of the first embodiment of the present invention, it is insufficient to fundamentally solve the problem. That is, in order to manufacture a slim panel, a narrow bezel width should be realized with the same resolution. Data link wiring is usually formed in one layer, and the minimum line pitch (p ) Is determined according to the TFT process capability.

이에 데이터배선 층(데이터 배선이 형성되는 층)뿐만 아니라 게이트배선 층(게이트 배선이 형성되는 층)에 데이터 링크 배선을 형성한 듀얼 링크 구조를 적용함에 따라 동일한 수의 데이터 링크 배선을 기존보다 적은 폭의 링크부에 설계할 수 있어 표시장치의 베젤 폭을 획기적으로 감소시킬 수 있게 되는데, 이를 다음의 본 발명의 제 2 실시예를 통해 상세히 설명한다.Thus, by applying the dual link structure in which the data link wiring is formed not only in the data wiring layer (the layer where the data wiring is formed) but also in the gate wiring layer (the layer in which the gate wiring is formed), the same number of data- The width of the bezel of the display device can be drastically reduced. The second embodiment of the present invention will now be described in detail.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 나타내는 평면도이다.4 is a plan view schematically showing a display device according to a second embodiment of the present invention.

도 5는 상기 도 4에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시장치에 있어, B-B선에 따른 링크부의 단면 일부를 개략적으로 나타내는 도면이다.5 is a view schematically showing a part of a cross section of a link portion along a line B-B in the display device according to the second embodiment of the present invention shown in FIG.

이때, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시장치는 데이터 링크 배선을 듀얼 링크 구조로 구성한 것을 제외하고는 상기 본 발명의 제 1 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소로 이루어져 있다.At this time, the display device according to the second embodiment of the present invention has substantially the same constituent elements as those of the first embodiment of the present invention, except that the data link wiring has a dual link structure.

또한, 도 6a 및 도 6b는 상기 도 4에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시장치에 있어, 링크부의 일부를 확대하여 나타내는 평면도이다. 이때, 상기 도 6a는 패널의 좌측에 위치하는 링크부의 일부(L)를 확대하여 나타내고 있으며, 상기 도 6b는 패널의 우측에 위치하는 링크부의 일부(R)를 확대하여 나타내고 있다.6A and 6B are enlarged plan views of a portion of the link portion in the display device according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 6A is an enlarged view of a portion L of the link portion located on the left side of the panel, and FIG. 6B is an enlarged view of a portion R of the link portion located on the right side of the panel.

도 7은 상기 도 4에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시장치에 있어, 수직 배선부와 경사 배선부에서의 링크 배선의 일부를 확대하여 나타내는 평면도이다.7 is an enlarged plan view showing a part of a link wiring in the vertical wiring portion and the inclined wiring portion in the display device according to the second embodiment of the present invention shown in FIG.

이때, 상기 수직 배선부는 데이터 링크 배선이 데이터구동부에 대해 수직한 방향으로 배치되는 링크부 영역을 나타내며, 상기 경사 배선부는 상기 수직 배선부의 데이터 링크 배선이 화소부 쪽으로 연장되어 경사지게 배치되는 링크부 영역을 나타낸다.In this case, the vertical wiring part indicates a link part area in which the data link wiring is arranged in a direction perpendicular to the data driver, and the inclined wiring part has a link part area in which the data link wiring of the vertical wiring part extends toward the pixel part and is inclined .

상기 도면들을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시장치(200)는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀(미도시)이 형성되는 표시영역(220)과 상기 표시영역(220) 주위에 배치되어 상기 서브 픽셀을 구동하는 구동부가 위치하는 비표시영역으로 구분할 수 있다.The display device 200 according to the second embodiment of the present invention includes a display area 220 in which a plurality of sub pixels (not shown) are arranged in a matrix, And a non-display region in which a driving unit for driving the sub-pixel is located.

이때, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시장치(200)는 전술한 본 발명의 제 1 실시예의 표시장치와 동일하게 세로표시모드에 적용하는데 적합한 구조로 설계된 것을 특징으로 한다.Here, the display device 200 according to the second embodiment of the present invention is designed to have a structure suitable for application to the vertical display mode in the same manner as the display device according to the first embodiment of the present invention described above.

상기 구동부에는 타이밍구동부(미도시)와 데이터구동부(231L, 231R) 및 게이트구동부(232) 등이 포함된다. 이때, 상기 데이터구동부(231L, 231R)와 게이트구동부(232)는 표시장치(200)의 패널 상에 형성되고, 상기 타이밍구동부는 패널과 연결되는 연성회로기판(미도시) 등에 형성될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The driving unit includes a timing driver (not shown), data drivers 231L and 231R, a gate driver 232, and the like. The data drivers 231L and 231R and the gate driver 232 may be formed on a panel of the display device 200 and the timing driver may be formed on a flexible circuit board (not shown) connected to the panel. However, the present invention is not limited thereto.

상기 데이터구동부(231L, 231R)는 화소부(220)의 중앙을 기준으로 하부의 서브 픽셀에 데이터신호를 인가하기 위한 좌측 데이터구동부(231L)와 상부의 서브 픽셀에 데이터신호를 인가하기 위한 우측 데이터구동부(231R)로 구분할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 좌측 데이터구동부(231L)는 상부의 서브 픽셀에 데이터신호를 인가하는 한편, 상기 우측 데이터구동부(231R)는 하부의 서브 픽셀에 데이터신호를 인가하도록 구성할 수도 있다. 또한, 본 발명은 하나의 데이터구동부를 구비하여 상기 데이터구동부를 통해 화소부의 모든 서브 픽셀에 차례대로 데이터신호를 인가하도록 구성할 수도 있다.The data drivers 231L and 231R include a left data driver 231L for applying a data signal to the lower sub-pixel with reference to the center of the pixel unit 220 and a right data driver 231L for applying a data signal to the upper sub- And a driving unit 231R. However, the present invention is not limited thereto. The left data driver 231L applies a data signal to the upper sub-pixel while the right data driver 231R applies a data signal to the lower sub-pixel. In addition, the present invention may include one data driver to apply a data signal sequentially to all the sub-pixels of the pixel portion through the data driver.

이때, 상기 표시장치(200)는 예를 들어, 액정표시장치나 유기전계발광표시장치, 전기영동 표시장치와 같은 평판표시장치를 포함한다.At this time, the display device 200 includes a flat panel display device such as a liquid crystal display device, an organic light emitting display device, and an electrophoretic display device.

상기 표시장치(200)로 액정표시장치를 예로 드는 경우, 도면에는 자세히 도시하지 않았지만, 상기 표시장치(200)의 패널은 크게 제 1 기판인 컬러필터 기판과 제 2 기판인 어레이 기판(210) 및 상기 컬러필터 기판과 어레이 기판(210) 사이에 형성된 액정층으로 구성될 수 있다.Although not shown in detail in the drawings, the panel of the display device 200 includes a color filter substrate, which is a first substrate, and an array substrate 210, which is a second substrate, And a liquid crystal layer formed between the color filter substrate and the array substrate 210.

이때, 상기 컬러필터 기판은 적, 녹 및 청색의 서브컬러필터로 구성되는 컬러필터와 상기 서브컬러필터 사이를 구분하고 상기 액정층을 투과하는 광을 차단하는 블랙매트릭스, 그리고 상기 컬러필터와 블랙매트릭스 상부에 형성된 오버코트층으로 이루어진다.At this time, the color filter substrate may include a black matrix for separating the sub-color filter from the color filter composed of red, green, and blue sub-color filters and blocking light transmitted through the liquid crystal layer, And an overcoat layer formed on the top.

상기 어레이 기판(210)에는 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인과 데이터라인이 형성되어 있으며, 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역, 즉 TFT 영역에는 스위칭소자인 박막 트랜지스터가 형성되어 있다.A gate line and a data line are vertically and horizontally arranged on the array substrate 210 to define a pixel region. A thin film transistor, which is a switching element, is formed in a crossing region of the gate line and the data line, that is, a TFT region.

이때, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트라인에 연결된 게이트전극, 상기 데이터라인에 연결된 소오스전극 및 화소전극에 연결된 드레인전극으로 구성된다. 또한, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트전극과 소오스/드레인전극 사이의 절연을 위한 게이트절연막(215a) 및 상기 게이트전극에 공급되는 게이트전압에 의해 상기 소오스전극과 드레인전극 사이에 전도채널을 형성하는 액티브층을 포함한다. 또한, 상기 박막 트랜지스터는 상기 소오스/드레인전극과 화소전극 사이의 절연을 위한 보호막(215b)을 포함한다.The thin film transistor includes a gate electrode connected to the gate line, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode connected to the pixel electrode. The thin film transistor includes a gate insulating layer 215a for insulation between the gate electrode and the source / drain electrode, and an active layer 215b for forming a conduction channel between the source electrode and the drain electrode by a gate voltage supplied to the gate electrode. . In addition, the thin film transistor includes a protective film 215b for insulation between the source / drain electrode and the pixel electrode.

이와 같이 구성되는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시장치(200)는 복수의 서브 픽셀의 각 데이터라인에 데이터신호를 인가하기 위해서 상기 데이터라인에 대응하는 수만큼의 데이터 링크 배선(226L',226L", 226R',226R")이 필요하게 된다. 또한, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시장치(200)는 복수의 서브 픽셀의 각 게이트라인에 게이트신호를 인가하기 위해서 상기 게이트라인에 대응하는 수만큼의 게이트 링크 배선(227)이 필요하다.The display device 200 according to the second embodiment of the present invention has the same number of data link lines 226L ', 226L', and 226L 'corresponding to the data lines in order to apply data signals to the respective data lines of the plurality of sub- 226L ", 226R ', 226R " In addition, in the display device 200 according to the second embodiment of the present invention, in order to apply a gate signal to each gate line of a plurality of sub-pixels, gate line wiring lines 227 corresponding to the number of gate lines are required Do.

이때, 상기 데이터 링크 배선(226L',226L", 226R',226R")은 상기 좌측 데이터구동부(231L)를 통해 하부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하기 위한 좌측 데이터 링크 배선(226L', 226L")과 상기 우측 데이터구동부(231R)를 통해 상부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하기 위한 우측 데이터 링크 배선(226R', 226R")으로 구분할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 좌측 데이터 링크 배선(226L', 226L")은 상기 좌측 데이터구동부(231L)를 통해 상부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하는 한편, 상기 우측 데이터 링크 배선(226R', 226R")은 상기 우측 데이터구동부(231R)를 통해 하부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하도록 구성할 수도 있다. 또한, 일 예로 전술한 바와 같이 하나의 데이터구동부를 구비하는 경우, 상기 데이터 링크 배선은 패널의 일측에만 배치될 수 있으며, 이때 상기 데이터 링크 배선은 상기 데이터구동부를 통해 화소부의 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하게 된다.The data link lines 226L ', 226L ", 226R', and 226R" are connected to the left data link lines 226L 'and 226L' for applying data signals to the data lines of the lower sub-pixels through the left data driver 231L, 226L "for applying data signals to the data lines of the upper sub-pixel through the right data driver 231R, and right data link lines 226R ', 226R" for applying data signals to the data lines of the upper sub-pixel through the right data driver 231R. However, the present invention is not limited thereto. The left data link lines 226L 'and 226L "apply data signals to the data lines of the upper sub-pixel through the left data driver 231L while the right data link lines 226R' and 226R" And the data signal may be applied to the data line of the lower sub-pixel through the right data driver 231R. For example, when one data driver is provided as described above, the data link line may be disposed only on one side of the panel, and the data link line may be connected to the data line of the sub pixel of the pixel unit through the data driver. The data signal is applied.

또한, 상기 좌측 데이터 링크 배선(226L', 226L")은 데이터배선(즉, 소오스전극과 드레인전극 및 데이터라인 등)이 형성되는 데이터배선 층에 형성되는 제 1 좌측 데이터 링크 배선(226L')과 게이트배선(즉, 게이트전극과 게이트라인 등)이 형성되는 게이트배선 층에 형성되는 제 2 좌측 데이터 링크 배선(226L")으로 구분할 수 있다. 또한, 상기 우측 데이터 링크 배선(226R', 226R")은 상기 데이터배선 층에 형성되는 제 1 우측 데이터 링크 배선(226R')과 상기 게이트배선 층에 형성되는 제 2 우측 데이터 링크 배선(226R")으로 구분할 수 있다.The left data link wirings 226L 'and 226L "include first left data link wirings 226L' formed in a data wiring layer in which data wirings (i.e., source electrodes, drain electrodes, data lines, And a second left data link wiring 226L "formed in a gate wiring layer on which gate wirings (i.e., gate electrodes and gate lines, etc.) are formed. The right data link wirings 226R 'and 226R "are connected to the first right data link wirings 226R' formed on the data wiring layer and the second right data link wirings 226R" .

이와 같이 구성되는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시장치(200)는 데이터구동부(231L, 231R)와 게이트구동부(232)를 동일한 위치, 일 예로 도시된 바와 같이 화소부(220)의 하측에 배치함으로써 패널 좌, 우측의 베젤 폭(w2)이 기존의 경우에 비해 줄어드는 한편, 상기 좌, 우측의 베젤이 실질적으로 동일한 폭을 가짐에 따라 전술한 본 발명의 제 1 실시예와 동일하게 세로표시모드에 적합하게 된다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.In the display device 200 according to the second embodiment of the present invention, the data drivers 231L and 231R and the gate driver 232 are disposed at the same positions, for example, on the lower side of the pixel portion 220 The bezel width w2 on the left and right sides of the panel is reduced as compared with the conventional case while the bezels on the left and right sides have substantially the same width, Mode. However, the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 표시장치(200)는 데이터배선 층뿐만 아니라 게이트배선 층에 데이터 링크 배선(226L',226L", 226R',226R")을 형성한 듀얼 링크 구조를 적용함에 따라 동일한 수의 데이터 링크 배선(226L',226L", 226R',226R")을 기존보다 적은 폭의 링크부에 설계할 수 있어 베젤 폭(w2)이 전술한 본 발명의 제 1 실시예에 비해 줄어들게 된다. 즉, 본 발명의 제 2 실시예의 경우에는 한 개의 층에 데이터 링크 배선을 형성한 상기 본 발명의 제 1 실시예의 경우에 비해 서로 다른 층, 구체적으로 데이터배선 층과 게이트배선 층에 각각 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(226L', 226R')과 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(226L", 226R")을 형성함에 따라 한 개의 데이터 링크 배선(226L',226L", 226R',226R")이 차지하는 최소 공간(p)을 줄일 수 있어 동일한 수의 데이터 링크 배선(226L',226L", 226R',226R")을 기존보다 적은 폭의 링크부에 설계할 수 있게 된다.In addition, the display device 200 according to the second embodiment of the present invention has a dual-link structure in which not only a data wiring layer but also a data wiring wiring 226L ', 226L ", 226R', 226R" The same number of data link wires 226L ', 226L ", 226R', and 226R" can be designed in a link portion having a width smaller than that of the conventional one, so that the bezel width w2 is smaller than the bezel width w2 in the first embodiment . In other words, in the case of the second embodiment of the present invention, compared with the case of the first embodiment of the present invention in which the data link wiring is formed in one layer, different layers, specifically the data wiring layer and the gate wiring layer, 226L ", 226R ', 226R" by forming right data link wires 226L', 226R 'and second left and right data link wires 226L ", 226R" And the same number of data link wires 226L ', 226L ", 226R', and 226R "can be designed in a link portion having a width smaller than that of the conventional one.

다만, 이와 같은 2개의 층을 이용한 듀얼 링크 구조는 2개의 층간, 즉 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(226L', 226R')과 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(226L", 226R")간 저항차이를 고려하여 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(226L', 226R')과 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(226L", 226R") 각각의 배선 폭을 결정하여야 한다.However, the dual link structure using the two layers has a problem in that the distance between the two layers, that is, the first left and right data link wires 226L 'and 226R' and the second left and right data link wires 226L " The wiring widths of the first left and right data link wirings 226L 'and 226R' and the second left and right data link wirings 226L 'and 226R' should be determined in consideration of the resistance difference.

이는 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(226L', 226R')과 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(226L", 226R")간 저항 차이가 클 경우 신호에 왜곡이 발생하여 화상에 문제가 발생하기 때문이다. 특히, 상기 2개의 층을 구성하는 도전물질이 서로 다른 종류의 물질일 경우 비저항이 서로 다르기 때문에 동일 선폭으로 설계할 경우 신호 왜곡이 더 크게 발생한다.This is because when the difference in resistance between the first left and right data link wires 226L 'and 226R' and the second left and right data link wires 226L "and 226R" is large, distortion occurs in the signal, . Particularly, when the conductive materials constituting the two layers are different kinds of materials, the resistivities are different from each other. Therefore, when the same line width is designed, the signal distortion is larger.

이러한 문제를 피하기 위해 본 발명의 제 2 실시예의 경우에는 두 물질간 비저항의 비율만큼 선폭을 조절하게 되는데, 예를 들어 게이트배선 층의 도전물질, 즉, 상기 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(226L", 226R")의 비저항이 데이터배선 층의 도전물질, 즉 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(226L', 226R')의 비저항보다 크다면, 도시된 바와 같이 상기 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(226L", 226R")은 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(226L', 226R')에 비해 큰 선폭을 가지도록 설계하게 된다.In order to avoid such a problem, in the case of the second embodiment of the present invention, the linewidth is controlled by the ratio of the resistances between the two materials. For example, the conductive material of the gate wiring layer, that is, the second left and right data link wires 226L 226R ") is greater than the resistivity of the conductive material of the data wiring layer, i.e., the first left and right data link wiring lines 226L 'and 226R', the second left and right data link The wiring lines 226L "and 226R" are designed to have a larger line width than the first left and right data link wiring lines 226L 'and 226R'.

이때, 일 예로 상기 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(226L", 226R")은 링크부 전체, 즉 경사 배선부뿐만 아니라 수직 배선부에서도 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(226L', 226R')에 비해 큰 선폭을 가지도록 설계할 수 있다. 다만, 이 경우에는 수직 배선부에서의 상기 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(226L", 226R")의 선폭 증가만큼 베젤 폭이 증가하게 된다.At this time, for example, the second left and right data link wires 226L " and 226R "are connected to the first left and right data link wires 226L 'and 226R' It is possible to design such that the line width is larger than the line width. However, in this case, the width of the bezel is increased by an increase in the line width of the second left and right data link wires 226L "and 226R" in the vertical wiring portion.

다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 베젤 폭을 결정하는 수직 배선부에서는 데이터 링크 배선의 선폭을 동일하게 설계하는 한편, 베젤 폭에 영향이 없는 경사 배선부에서는 비저항이 큰 데이터 링크 배선의 선폭을 보다 크게 설계하여 전체 데이터 링크 배선의 저항을 보상할 수 있으며, 이를 다음의 본 발명의 제 3 실시예를 통해 상세히 설명한다.However, the present invention is not limited to this. In the vertical wiring portion for determining the bezel width, the line width of the data link wiring is designed to be the same, and in the sloped wiring portion having no influence on the bezel width, So that the resistance of the entire data link wiring can be compensated. This will be described in detail in the following third embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 나타내는 평면도이다.8 is a plan view schematically showing a display device according to a third embodiment of the present invention.

이때, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 표시장치는 데이터 링크 배선의 구성을 제외하고는 상기 본 발명의 제 2 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소로 이루어져 있다.The display device according to the third embodiment of the present invention is substantially the same as the second embodiment of the present invention except for the configuration of the data link wiring.

또한, 도 9a 및 도 9b는 상기 도 8에 도시된 본 발명의 제 3 실시예에 따른 표시장치에 있어, 링크부의 일부를 확대하여 나타내는 평면도이다. 이때, 전술한 본 발명의 제 2 실시예와 동일하게 상기 도 8a는 패널의 좌측에 위치하는 링크부의 일부를 확대하여 나타내고 있으며, 상기 도 8b는 패널의 우측에 위치하는 링크부의 일부를 확대하여 나타내고 있다.9A and 9B are enlarged plan views showing a part of the link portion in the display device according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. 8A is an enlarged view of a portion of the link portion located on the left side of the panel, and FIG. 8B is an enlarged view of a portion of the link portion located on the right side of the panel, have.

도 10은 상기 도 8에 도시된 본 발명의 제 3 실시예에 따른 표시장치에 있어, 수직 배선부와 경사 배선부에서의 링크 배선의 일부를 확대하여 나타내는 평면도이다. 이때, 전술한 바와 같이 상기 수직 배선부는 데이터 링크 배선이 데이터구동부에 대해 수직한 방향으로 배치되는 링크부 영역을 나타내며, 상기 경사 배선부는 상기 수직 배선부의 데이터 링크 배선이 화소부 쪽으로 연장되어 경사지게 배치되는 링크부 영역을 나타낸다.10 is an enlarged plan view showing a part of the link wiring in the vertical wiring portion and the inclined wiring portion in the display device according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. In this case, as described above, the vertical wiring part indicates a link part area where the data link wiring is arranged in a direction perpendicular to the data driver, and the inclined wiring part is arranged such that the data link wiring of the vertical wiring part extends toward the pixel part and is inclined Indicates a link sub area.

상기 도면들을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 표시장치(300)는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀(미도시)이 형성되는 표시영역(320)과 상기 표시영역(320) 주위에 배치되어 상기 서브 픽셀을 구동하는 구동부가 위치하는 비표시영역으로 구분할 수 있다.The display device 300 according to the third embodiment of the present invention includes a display region 320 in which a plurality of subpixels (not shown) are arranged in a matrix, And a non-display region in which a driving unit for driving the sub-pixel is located.

이때, 상기 본 발명의 제 3 실시예에 따른 표시장치(300)는 전술한 본 발명의 제 1, 제 2 실시예의 표시장치와 동일하게 세로표시모드에 적용하는데 적합한 구조로 설계된 것을 특징으로 한다.In this case, the display device 300 according to the third embodiment of the present invention is designed to have a structure suitable for application to the vertical display mode in the same manner as the display devices according to the first and second embodiments of the present invention.

상기 구동부에는 타이밍구동부(미도시), 데이터구동부(331L, 331R), 게이트구동부(332) 및 레벨시프터(level shifter)(미도시) 등이 포함된다. 이때, 상기 데이터구동부(331L, 331R)와 게이트구동부(332)는 표시장치(300)의 패널 상에 형성되고, 상기 타이밍구동부는 패널과 연결되는 연성회로기판(미도시) 상에 형성되거나 연성회로기판과 연결되는 외부시스템 기판 등에 형성될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 타이밍구동부는 상기 데이터구동부(331L, 331R) 내에 함께 형성될 수 있다.The driving unit includes a timing driver (not shown), data drivers 331L and 331R, a gate driver 332, and a level shifter (not shown). The data drivers 331L and 331R and the gate driver 332 are formed on a panel of the display device 300. The timing driver may be formed on a flexible circuit board (not shown) An external system substrate connected to the substrate, or the like. However, the present invention is not limited thereto, and the timing driver may be formed together in the data drivers 331L and 331R.

구동부는 집적회로(Integrated Circuit; IC) 형태로 패널 상에 실장되고 패널에는 연성회로기판이 부착된다. 이때, 상기 패널과 연성회로기판은 이방성도전필름(Anisotropy Conductive Film; ACF)에 의해 부착될 수 있다.The driving unit is mounted on a panel in the form of an integrated circuit (IC), and a flexible circuit board is attached to the panel. At this time, the panel and the flexible circuit board may be attached by an anisotropic conductive film (ACF).

전술한 본 발명의 제 2 실시예와 동일하게 상기 데이터구동부(331L, 331R)는 화소부(320)의 중앙을 기준으로 하부의 서브 픽셀에 데이터신호를 인가하기 위한 좌측 데이터구동부(331L)와 상부의 서브 픽셀에 데이터신호를 인가하기 위한 우측 데이터구동부(331R)로 구분할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 좌측 데이터구동부(331L)는 상부의 서브 픽셀에 데이터신호를 인가하는 한편, 상기 우측 데이터구동부(331R)는 하부의 서브 픽셀에 데이터신호를 인가하도록 구성할 수도 있다. 또한, 본 발명은 하나의 데이터구동부를 구비하여 상기 데이터구동부를 통해 화소부의 모든 서브 픽셀에 차례대로 데이터신호를 인가하도록 구성할 수도 있다.The data driver 331L and 331R may include a left data driver 331L for applying a data signal to the lower sub-pixel with reference to the center of the pixel portion 320, And a right data driver 331R for applying a data signal to sub-pixels of the sub-pixel. However, the present invention is not limited thereto. The left data driver 331L may apply a data signal to the upper sub-pixel and the right data driver 331R may apply a data signal to the lower sub-pixel. In addition, the present invention may include one data driver to apply a data signal sequentially to all the sub-pixels of the pixel portion through the data driver.

이때, 상기 표시장치(300)는 예를 들어, 액정표시장치나 유기전계발광표시장치, 전기영동 표시장치와 같은 평판표시장치를 포함한다.At this time, the display device 300 includes a flat panel display device such as a liquid crystal display device, an organic light emitting display device, and an electrophoretic display device.

상기 표시장치(300)로 액정표시장치를 예로 드는 경우, 도면에는 자세히 도시하지 않았지만, 상기 표시장치(300)의 패널은 크게 제 1 기판인 컬러필터 기판과 제 2 기판인 어레이 기판(310) 및 상기 컬러필터 기판과 어레이 기판(310) 사이에 형성된 액정층으로 구성될 수 있다.Although not shown in detail in the drawings, the panel of the display device 300 includes a color filter substrate, which is a first substrate, and an array substrate 310, which is a second substrate, And a liquid crystal layer formed between the color filter substrate and the array substrate 310.

이때, 상기 컬러필터 기판은 적, 녹 및 청색의 서브컬러필터로 구성되는 컬러필터와 상기 서브컬러필터 사이를 구분하고 상기 액정층을 투과하는 광을 차단하는 블랙매트릭스, 그리고 상기 컬러필터와 블랙매트릭스 상부에 형성된 오버코트층으로 이루어진다.At this time, the color filter substrate may include a black matrix for separating the sub-color filter from the color filter composed of red, green, and blue sub-color filters and blocking light transmitted through the liquid crystal layer, And an overcoat layer formed on the top.

상기 어레이 기판(310)에는 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인과 데이터라인이 형성되어 있으며, 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역, 즉 TFT 영역에는 스위칭소자인 박막 트랜지스터가 형성되어 있다.A gate line and a data line are vertically and horizontally arranged on the array substrate 310 to define a pixel region. A thin film transistor, which is a switching element, is formed in a crossing region of the gate line and the data line, that is, a TFT region.

이와 같이 구성되는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 표시장치(300)는 복수의 서브 픽셀의 각 데이터라인에 데이터신호를 인가하기 위해서 상기 데이터라인에 대응하는 수만큼의 데이터 링크 배선(326L',326L", 326R',326R")이 필요하게 된다. 또한, 상기 본 발명의 제 3 실시예에 따른 표시장치(300)는 복수의 서브 픽셀의 각 게이트라인에 게이트신호를 인가하기 위해서 상기 게이트라인에 대응하는 수만큼의 게이트 링크 배선(327)이 필요하다.In order to apply a data signal to each data line of a plurality of subpixels, the display device 300 according to the third embodiment of the present invention has the same number of data link lines 326L ' 326L ", 326R ", and 326R " In addition, in the display device 300 according to the third embodiment of the present invention, in order to apply a gate signal to each gate line of a plurality of sub-pixels, gate line wirings 327 corresponding to the number of gate lines are required Do.

이때, 전술한 본 발명의 제 2 실시예와 동일하게 상기 데이터 링크 배선(326L',326L", 326R',326R")은 상기 좌측 데이터구동부(331L)를 통해 하부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하기 위한 좌측 데이터 링크 배선(326L', 326L")과 상기 우측 데이터구동부(331R)를 통해 상부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하기 위한 우측 데이터 링크 배선(326R', 326R")으로 구분할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 좌측 데이터 링크 배선(326L', 326L")은 상기 좌측 데이터구동부(331L)를 통해 상부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하는 한편, 상기 우측 데이터 링크 배선(326R', 326R")은 상기 우측 데이터구동부(331R)를 통해 하부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하도록 구성할 수도 있다. 또한, 일 예로 전술한 바와 같이 하나의 데이터구동부를 구비하는 경우, 상기 데이터 링크 배선은 패널의 일측에만 배치될 수 있으며, 이때 상기 데이터 링크 배선은 상기 데이터구동부를 통해 화소부의 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하게 된다.The data link lines 326L ', 326L ", 326R', and 326R" are connected to the data lines of the lower sub-pixels through the left data driver 331L in the same manner as in the second embodiment of the present invention, 326L "for applying a data signal to the data line of the upper sub-pixel through the right data driver 331R and the left data link lines 326L 'and 326L " . However, the present invention is not limited thereto. The left data link lines 326L 'and 326L "apply data signals to the data lines of the upper sub-pixel through the left data driver 331L while the right data link lines 326R' and 326R" And the data signal may be applied to the data line of the lower sub-pixel through the right data driver 331R. For example, when one data driver is provided as described above, the data link line may be disposed only on one side of the panel, and the data link line may be connected to the data line of the sub pixel of the pixel unit through the data driver. The data signal is applied.

또한, 상기 좌측 데이터 링크 배선(326L', 326L")은 데이터배선(즉, 소오스전극과 드레인전극 및 데이터라인 등)이 형성되는 데이터배선 층에 형성되는 제 1 좌측 데이터 링크 배선(326L')과 게이트배선(즉, 게이트전극과 게이트라인 등)이 형성되는 게이트배선 층에 형성되는 제 2 좌측 데이터 링크 배선(326L")으로 구분할 수 있다. 또한, 상기 우측 데이터 링크 배선(326R', 326R")은 상기 데이터배선 층에 형성되는 제 1 우측 데이터 링크 배선(326R')과 상기 게이트배선 층에 형성되는 제 2 우측 데이터 링크 배선(326R")으로 구분할 수 있다.The left data link wirings 326L 'and 326L "include first left data link wirings 326L' formed in a data wiring layer in which data wirings (i.e., source electrodes, drain electrodes, data lines, And a second left data link wiring 326L "formed in the gate wiring layer in which the gate wiring (that is, the gate electrode and the gate line and the like) is formed. The right data link lines 326R 'and 326R' 'are connected to the first right data link line 326R' formed in the data line layer and the second right data line line 326R '' formed in the gate line layer. .

이와 같이 구성되는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 표시장치(200)는 전술한 본 발명의 제 2 실시예와 동일하게 데이터구동부(331L, 331R)와 게이트구동부(332)를 동일한 위치, 일 예로 도시된 바와 같이 화소부(320)의 하측에 배치함으로써 패널 좌, 우측의 베젤 폭(w3)이 기존의 경우에 비해 줄어드는 한편, 상기 좌, 우측의 베젤이 실질적으로 동일한 폭을 가짐에 따라 전술한 본 발명의 제 1, 제 2 실시예와 동일하게 세로표시모드에 적합하게 된다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.In the display device 200 according to the third embodiment of the present invention, the data drivers 331L and 331R and the gate driver 332 are disposed at the same positions, for example, in the same manner as the second embodiment of the present invention The bezel width w3 at the left and right sides of the panel is reduced as compared with the conventional case by disposing the bezel on the lower side of the pixel portion 320 as shown in the figure, It is suitable for the vertical display mode as in the first and second embodiments of the present invention. However, the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 본 발명의 제 3 실시예에 따른 표시장치(300)는 전술한 본 발명의 제 2 실시예와 동일하게 데이터배선 층뿐만 아니라 게이트배선 층에 데이터 링크 배선(326L',326L", 326R',326R")을 형성한 듀얼 링크 구조를 적용함에 따라 동일한 수의 데이터 링크 배선(326L',326L", 326R',326R")을 기존보다 적은 폭의 링크부에 설계할 수 있어 베젤 폭(w3)이 전술한 본 발명의 제 1 실시예에 비해 줄어들게 된다. 즉, 본 발명의 제 3 실시예의 경우에는 한 개의 층에 데이터 링크 배선을 형성한 상기 본 발명의 제 1 실시예의 경우에 비해 서로 다른 층, 구체적으로 데이터배선 층과 게이트배선 층에 각각 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L', 326R')과 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L", 326R")을 형성함에 따라 한 개의 데이터 링크 배선(326L',326L", 326R',326R")이 차지하는 최소 공간을 줄일 수 있어 동일한 수의 데이터 링크 배선(326L',326L", 326R',326R")을 기존보다 적은 폭의 링크부에 설계할 수 있게 된다.In addition, the display device 300 according to the third embodiment of the present invention includes the data wiring lines 326L ', 326L', 326R 326L ", 326R ', 326R") can be designed in a link portion having a width smaller than that of the conventional one, so that the width of the bezel (326R', 326R ' w3 are reduced compared to the first embodiment of the present invention. In other words, in the case of the third embodiment of the present invention, compared with the case of the first embodiment of the present invention in which the data link wiring is formed in one layer, different layers, specifically the data wiring layer and the gate wiring layer, 326L ", 326R ', 326R" by forming right data link wires 326L', 326R 'and second left and right data link wires 326L ", 326R" So that the same number of data link wires 326L ', 326L ", 326R', and 326R" can be designed in a link portion having a width smaller than that of the conventional one.

다만, 이와 같은 2개의 층을 이용한 듀얼 링크 구조는 2개의 층간, 즉 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L', 326R')과 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L", 326R")간 저항차이를 고려하여 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L', 326R')과 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L", 326R") 각각의 배선 폭을 결정하여야 한다.However, the dual-link structure using the two layers has a problem in that the distance between the two layers, that is, the first left and right data link wires 326L 'and 326R' and the second left and right data link wires 326L " The wiring widths of the first left and right data link wirings 326L 'and 326R' and the second left and right data link wirings 326L 'and 326R' should be determined in consideration of the resistance difference.

이는 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L', 326R')과 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L", 326R")간 저항 차이가 클 경우 신호에 왜곡이 발생하여 화상에 문제가 발생하기 때문이다. 특히, 상기 2개의 층을 구성하는 도전물질이 서로 다른 종류의 물질일 경우 비저항이 서로 다르기 때문에 동일 선폭으로 설계할 경우 신호 왜곡이 더 크게 발생한다.This is because when the resistance difference between the first left and right data link wires 326L 'and 326R' and the second left and right data link wires 326L "and 326R" is large, distortion occurs in the signal, . Particularly, when the conductive materials constituting the two layers are different kinds of materials, the resistivities are different from each other. Therefore, when the same line width is designed, the signal distortion is larger.

이러한 문제를 피하기 위해 본 발명의 제 3 실시예의 경우에는 두 물질간 비저항의 비율만큼 선폭을 조절하게 되는데, 예를 들어 게이트배선 층의 도전물질, 즉, 상기 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L", 326R")의 비저항이 데이터배선 층의 도전물질, 즉 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L', 326R')의 비저항보다 크다면, 도시된 바와 같이 상기 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L", 326R")은 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L', 326R')에 비해 큰 선폭을 가지도록 설계하게 된다.In order to avoid such a problem, in the case of the third embodiment of the present invention, the linewidth is controlled by the ratio of the resistances between two materials. For example, the conductive material of the gate wiring layer, that is, the second left and right data link wires 326L 326R ") is greater than the resistivity of the conductive material of the data wiring layer, that is, the first left and right data link wires 326L 'and 326R', the second left and right data links The wiring lines 326L "and 326R" are designed to have a larger line width than the first left and right data link wiring lines 326L 'and 326R'.

이때, 상기 본 발명의 제 3 실시예의 경우에는 전술한 본 발명의 제 2 실시예와는 다르게 베젤 폭에 영향이 없는 경사 배선부에서만 상기 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L", 326R")을 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L', 326R')에 비해 큰 선폭을 가지도록 설계하는 한편, 베젤 폭을 결정하는 수직 배선부에서는 데이터 링크 배선(326L',326L", 326R',326R")의 선폭을 동일하게 설계하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라 한 개의 데이터 링크 배선(326L',326L", 326R',326R")이 차지하는 최소 공간을 전술한 본 발명의 제 2 실시예의 경우보다 더 줄일 수 있어 동일한 수의 데이터 링크 배선(326L',326L", 326R',326R")을 더 적은 폭의 링크부에 설계할 수 있게 된다.In the case of the third embodiment of the present invention, the second left and right data link wires 326L "and 326R" are formed only in the oblique wiring portions which do not affect the bezel width, unlike the second embodiment of the present invention described above. 326L ", 326R ', and 326R' in the vertical wiring portion for determining the bezel width while the data wiring wirings 326L 'and 326R' are designed to have a larger width than the first left and right data link wirings 326L 'and 326R' Quot;) are designed to have the same line width. Accordingly, the minimum space occupied by one data link wiring 326L ', 326L ", 326R', and 326R '' can be reduced more than that of the second embodiment of the present invention described above, so that the same number of data link wiring lines 326L ' 326L ", 326R ', and 326R ") can be designed in a link portion having a smaller width.

한편, 상기 실시예들에서는 데이터 링크 배선에 대해서만 설명하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 게이트 링크 배선이 듀얼 링크 구조를 가지는 경우에도 적용 가능하며, 이 경우 제 2 좌, 우측 게이트 링크 배선의 비저항이 제 1 좌, 우측 게이트 링크 배선의 비저항보다 크다면, 경사 배선부에서만 제 2 좌, 우측 게이트 링크 배선을 제 1 좌, 우측 게이트 링크 배선에 비해 큰 선폭을 가지도록 설계할 수 있다.In the above embodiments, only the data link wiring is described, but the present invention is not limited thereto. In this case, if the resistivity of the second left and right gate link wiring is larger than the resistivity of the first left and right gate link wiring, then the present invention is applicable to a case where the gate wiring wiring has a dual- The left and right gate link wirings can be designed to have a larger line width than the first left and right gate link wirings.

이하, 상기와 같이 구성되는 표시장치의 제조방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a manufacturing method of the display device constructed as above will be described in detail with reference to the drawings.

도 11a 내지 도 11e는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 표시장치의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도로써, 화소부의 TFT 영역 및 링크부의 수직 배선부와 경사 배선부의 액정표시장치용 어레이 기판의 제조공정을 예를 들어 나타내고 있다.FIGS. 11A to 11E are cross-sectional views sequentially showing a manufacturing process of a display device according to a third embodiment of the present invention. In FIGS. 11A to 11E, the steps of manufacturing the array substrate for a liquid crystal display of the vertical wiring portion and the sloped wiring portion of the TFT region and the link portion of the pixel portion For example.

이때, 설명의 편의를 위해 상기 도 11a 내지 도 11e는 패널 좌측에 위치하는 링크부의 수직 배선부와 경사 배선부의 액정표시장치용 어레이 기판의 제조공정을 예를 들어 나타내고 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 패널의 일측에만 데이터 링크 배선이 형성된 경우에도 적용 가능하다.Here, for convenience of explanation, FIGS. 11A to 11E show the steps of manufacturing the vertical wiring portion and the inclined wiring portion of the link portion located on the left side of the panel, for example, the array substrate for a liquid crystal display device. However, the present invention is not limited thereto, and the present invention is also applicable to a case where a data link wiring is formed only on one side of a panel.

도 11a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연물질로 이루어진 어레이 기판(310)의 화소부에 게이트전극(321)과 게이트라인(미도시)을 형성하며, 상기 어레이 기판(310)의 구동부에 게이트배선 층의 제 2 좌측 데이터 링크 배선(326L')과 제 2 우측 데이터 링크 배선(미도시)을 형성한다.A gate electrode 321 and a gate line (not shown) are formed in a pixel portion of an array substrate 310 made of a transparent insulating material such as glass, The second left data link wiring 326L 'and the second right data link wiring (not shown) of the gate wiring layer are formed.

이때, 상기 게이트전극(321), 게이트라인, 제 2 좌측 데이터 링크 배선(326L') 및 제 2 우측 데이터 링크 배선은 제 1 도전막을 상기 어레이 기판(310) 전면에 차례대로 증착한 후 포토리소그래피공정(제 1 마스크공정)을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성하게 된다.In this case, the gate electrode 321, the gate line, the second left data link wiring 326L 'and the second right data link wiring are formed by sequentially depositing a first conductive film on the entire surface of the array substrate 310 and then performing a photolithography process (A first mask process).

여기서, 상기 제 1 도전막은 알루미늄(aluminium; Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(tungsten; W), 구리(copper; Cu), 크롬(chromium; Cr), 몰리브덴(molybdenum; Mo) 및 몰리브덴 합금 등과 같은 저저항 불투명 도전물질로 형성할 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전막은 상기 저저항 도전물질이 2가지 이상 적층된 다층구조로 형성할 수 있다.The first conductive layer may include at least one selected from the group consisting of aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), molybdenum Or a low-resistance opaque conductive material such as an alloy or the like. The first conductive layer may have a multi-layer structure in which two or more low-resistance conductive materials are stacked.

다음으로, 도 11b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(221), 게이트라인, 제 2 좌측 데이터 링크 배선(326L') 및 제 2 우측 데이터 링크 배선이 형성된 어레이 기판(310) 전면에 게이트절연막(315a)과 비정질 실리콘 박막 및 n+ 비정질 실리콘 박막을 형성한다.11B, a gate insulating film (not shown) is formed on the entire surface of the array substrate 310 on which the gate electrode 221, the gate line, the second left data link wiring 326L 'and the second right data link wiring are formed, 315a, amorphous silicon thin film and n + amorphous silicon thin film are formed.

이후, 포토리소그래피공정(제 2 마스크공정)을 통해 상기 비정질 실리콘 박막과 n+ 비정질 실리콘 박막을 선택적으로 제거함으로써 상기 어레이 기판(310)의 TFT 영역에 상기 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 액티브층(324)을 형성한다.Thereafter, the amorphous silicon thin film and the n + amorphous silicon thin film are selectively removed through a photolithography process (second mask process) to form an active layer 324 made of the amorphous silicon thin film in the TFT region of the array substrate 310 do.

이때, 상기 액티브층(324) 위에는 상기 액티브층(324)과 실질적으로 동일한 형태로 패터닝된 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(325)이 형성되게 된다.At this time, an n + amorphous silicon thin film pattern 325 patterned in substantially the same shape as the active layer 324 is formed on the active layer 324.

다음으로, 도 11c에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층(324)과 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(325)이 형성된 어레이 기판(310) 전면에 제 2 도전막을 형성한다. 이때, 상기 제 2 도전막은 알루미늄, 알루미늄 합금, 텅스텐, 구리, 크롬, 몰리브덴 및 몰리브덴 합금 등과 같은 저저항 불투명 도전물질로 형성할 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전막은 상기 저저항 도전물질이 2가지 이상 적층된 다층구조로 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 11C, a second conductive layer is formed on the entire surface of the array substrate 310 on which the active layer 324 and the n + amorphous silicon thin film pattern 325 are formed. The second conductive layer may be formed of a low-resistance opaque conductive material such as aluminum, an aluminum alloy, tungsten, copper, chromium, molybdenum, or a molybdenum alloy. The first conductive layer may have a multi-layer structure in which two or more low-resistance conductive materials are stacked.

이후, 포토리소그래피공정(제 3 마스크공정)을 통해 상기 n+ 비정질 실리콘 박막 및 제 2 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 액티브층(324) 상부에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 소오스전극(322)과 드레인전극(323)을 형성한다.Thereafter, the n + amorphous silicon thin film and the second conductive film are selectively removed through a photolithography process (a third mask process), thereby forming the source electrode 322 and the drain electrode 322, which are the second conductive film, on the active layer 324, (323).

이때, 상기 제 3 마스크공정을 통해 상기 어레이 기판(310)의 데이터라인 영역에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 데이터라인(미도시)을 형성하는 동시에 상기 어레이 기판(310)의 링크부에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 데이터배선 층의 제 1 좌측 데이터 링크 배선(326L")과 제 1 우측 데이터 링크 배선(미도시)을 형성하게 된다.At this time, a data line (not shown) made of the second conductive film is formed in the data line region of the array substrate 310 through the third mask process, and a data line The first left data link wiring 326L "and the first right data link wiring (not shown) of the data wiring layer made of the conductive film are formed.

상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L')과 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L")은 데이터라인의 순서에 따라 교대로 형성되게 되는데, 이 경우 예를 들어 홀수 번째 데이터라인은 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L')과 연결되고 짝수 번째 데이터라인은 상기 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L")과 연결될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 홀수 번째 데이터라인은 상기 제 2 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L")과 연결되고, 짝수 번째 데이터라인은 상기 제 1 좌, 우측 데이터 링크 배선(326L')과 연결될 수도 있다. 또한, 상기 홀수 번째 데이터라인은 상기 제 1 좌측 데이터 링크 배선(326L')과 제 2 우측 데이터 링크 배선과 연결되고, 상기 짝수 번째 데이터라인은 상기 제 2 좌측 데이터 링크 배선(326L")과 제 1 우측 데이터 링크 배선과 연결될 수도 있다.The first left and right data link wirings 326L 'and the second left and right data link wirings 326L "are formed alternately in the order of the data lines. In this case, for example, And the even-numbered data lines may be connected to the first left and right data link wirings 326L '. The odd-numbered data lines are connected to the second left and right data link wirings 326L ", and the even-numbered data lines are connected to the first left and right data link wirings 326L ' Numbered data line is connected to the first left data link line 326L 'and the second right data link line, and the even-numbered data line is connected to the second left data line line 326L ") and the first right data link wiring.

이때, 상기 액티브층(324) 상부에는 상기 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어지며 상기 액티브층(324)의 소오스/드레인영역과 상기 소오스/드레인전극(322, 323) 사이를 오믹-콘택시키는 오믹-콘택층(325n)이 형성되게 된다.At this time, on the active layer 324, an ohmic contact layer 322 is formed of the n + amorphous silicon thin film and ohmic-contacted between the source / drain region of the active layer 324 and the source / drain electrodes 322 and 323. (325n) is formed.

여기서 상기 액티브층(324)과 데이터배선, 즉 소오스전극(322), 드레인전극(323), 데이터라인, 제 1 좌측 데이터 링크 배선(326L") 및 제 1 우측 데이터 링크 배선은 2번의 마스크공정을 통해 개별적으로 형성한 경우를 예를 들어 설명하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 액티브층(324)과 데이터배선은 회절노광이나 하프-톤(half tone) 노광을 이용함으로써 한번의 마스크공정을 통해 형성할 수 있다.Here, the active layer 324 and the data lines, that is, the source electrode 322, the drain electrode 323, the data line, the first left data link wiring 326L "and the first right data link wiring are subjected to two mask processes However, the present invention is not limited thereto. The active layer 324 and the data line may be formed by a single mask (not shown) by using diffraction exposure or half tone exposure, And the like.

다음으로, 도 11d에 도시된 바와 같이, 상기 소오스/드레인전극(322, 323), 데이터라인, 제 1 좌측 데이터 링크 배선(326L") 및 제 1 우측 데이터 링크 배선이 형성된 어레이 기판(310) 전면에 보호막(315b)을 형성한다.11D, the front surface of the array substrate 310 on which the source / drain electrodes 322 and 323, the data line, the first left data link wiring 326L "and the first right data link wiring are formed is formed A protective film 315b is formed.

그리고, 포토리소그래피공정(제 4 마스크공정)을 통해 상기 보호막(315b)을 선택적으로 제거함으로써 상기 어레이 기판(310)의 화소부에 상기 드레인전극(323)의 일부를 노출시키는 콘택홀(340)을 형성하게 된다.Then, the protective film 315b is selectively removed through a photolithography process (a fourth mask process) to form a contact hole 340 for exposing a part of the drain electrode 323 to the pixel portion of the array substrate 310 Respectively.

다음으로, 도 11e에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(315b)이 형성된 어레이 기판(310) 전면에 투명한 도전물질로 이루어진 제 3 도전막을 형성한 후, 포토리소그래피공정(제 5 마스크공정)을 이용하여 선택적으로 패터닝함으로써 상기 어레이 기판(310)의 화소부에 상기 콘택홀(340)을 통해 상기 드레인전극(323)과 전기적으로 접속하는 화소전극(318)을 형성하게 된다.Next, as shown in FIG. 11E, a third conductive film made of a transparent conductive material is formed on the entire surface of the array substrate 310 on which the protective film 315b is formed, and then, using a photolithography process (fifth mask process) A pixel electrode 318 electrically connected to the drain electrode 323 through the contact hole 340 is formed in the pixel portion of the array substrate 310. [

이와 같이 구성된 상기 어레이 기판(310)은 화상표시 영역의 외곽에 형성된 실런트에 의해 컬러필터 기판(미도시)과 대향하여 합착되게 되는데, 이때 상기 컬러필터 기판에는 상기 박막 트랜지스터와 게이트라인 및 데이터라인으로 빛이 새는 것을 방지하는 블랙매트릭스와 적, 녹 및 청색의 컬러를 구현하기 위한 컬러필터가 형성되어 있다.The array substrate 310 configured as described above is adhered to the color filter substrate (not shown) by a sealant formed on the outer periphery of the image display region. At this time, the color filter substrate is provided with the thin film transistor, the gate line, A black matrix for preventing light from leaking, and a color filter for realizing red, green and blue colors are formed.

이때, 상기 컬러필터 기판과 어레이 기판(310)의 합착은 상기 컬러필터 기판 또는 어레이 기판에 형성된 합착키를 통해 이루어진다.At this time, the color filter substrate and the array substrate 310 are attached to each other through a cemented key formed on the color filter substrate or the array substrate.

전술한 바와 같이 본 발명은 액정표시장치뿐만 아니라 박막 트랜지스터를 이용하여 제작하는 다른 표시장치, 예를 들면 유기전계발광표시장치나 전기영동 표시장치에도 이용될 수 있다.As described above, the present invention can be applied not only to liquid crystal display devices but also to other display devices manufactured using thin film transistors, for example, organic light emitting display devices and electrophoretic display devices.

도 12는 본 발명에 따른 액정표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.12 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a liquid crystal display device according to the present invention.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치(400)는 어레이 기판(460)과 컬러필터 기판(480) 및 이들 사이에 개재된 액정층(490)으로 구성된다.As shown in the figure, a liquid crystal display device 400 according to the present invention includes an array substrate 460, a color filter substrate 480, and a liquid crystal layer 490 interposed therebetween.

어레이 기판(460)은 하부 기판(410) 상에 게이트절연막(415a)을 사이에 두고 교차하게 형성된 게이트라인(미도시) 및 데이터라인(미도시), 게이트라인과 데이터라인의 교차 영역에 형성된 박막 트랜지스터(TFT) 및 게이트라인과 데이터라인의 교차 영역에 정의되는 단위 화소에 형성되며, 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결되는 화소전극(418)을 구비한다.The array substrate 460 includes a gate line (not shown) and a data line (not shown) formed on the lower substrate 410 so as to cross each other with the gate insulating film 415a therebetween, a thin film And a pixel electrode 418 formed in a unit pixel defined in a crossing region of the transistor TFT and the gate line and the data line and electrically connected to the thin film transistor TFT.

이때, 상기 하부 기판(410)은 유연한 성질을 가진 플라스틱으로 이루어질 수 있으며 예를 들어, 폴리아크릴레이트, 폴리에틸렌에테르프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰 및 폴리이미드로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.At this time, the lower substrate 410 may be made of plastic having flexibility properties, and may be formed of, for example, polyacrylate, polyethylene ether phthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyarylate, polyetherimide, And the like.

박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 신호가 공급되는 게이트전극(421), 데이터라인에 접속된 소오스전극(422), 화소전극(418)에 접속된 드레인전극(423) 및 게이트전극(421)과 중첩되고 소오스전극(422)과 드레인전극(423) 사이에 채널을 형성하는 반도체층(424)을 포함할 수 있다.The thin film transistor TFT is superimposed on the gate electrode 421 to which the gate signal is supplied, the source electrode 422 connected to the data line, the drain electrode 423 connected to the pixel electrode 418, and the gate electrode 421 And a semiconductor layer 424 which forms a channel between the source electrode 422 and the drain electrode 423. [

반도체층(424)은 소오스전극(422) 및 드레인전극(423)과 중첩되게 형성되고 소오스전극(422)과 드레인전극(423) 사이의 채널부를 더 포함한다. 반도체층(424) 위에는 소오스전극(422) 및 드레인전극(423)과 오믹콘택을 위한 오믹-콘택층(425n)이 더 형성된다.The semiconductor layer 424 is formed to overlap with the source electrode 422 and the drain electrode 423 and further includes a channel portion between the source electrode 422 and the drain electrode 423. [ A source electrode 422 and a drain electrode 423 are formed on the semiconductor layer 424 and an ohmic contact layer 425n is formed for the ohmic contact.

화소전극(418)은 박막 트랜지스터(TFT)를 보호하는 보호막(415b)을 관통하여 드레인전극(423)을 노출시키는 콘택홀을 통해 드레인전극(423)과 접촉된다.The pixel electrode 418 is in contact with the drain electrode 423 through the contact hole that exposes the drain electrode 423 through the protective film 415b protecting the thin film transistor TFT.

한편, 어레이 기판(460)과 대향 배치되는 컬러필터 기판(480)은 상부 기판(401) 블랙 매트릭스(407), 블랙 매트릭스(407) 사이에 위치하는 컬러필터(406), 블랙 매트릭스(407)와 컬러필터(406)를 덮는 오버코트층(405) 및 오버코트층(405) 상에 위치하는 공통전극(408)을 포함할 수 있다.The color filter substrate 480 disposed opposite to the array substrate 460 includes a black matrix 407 on the upper substrate 401, a color filter 406 located between the black matrix 407, a black matrix 407, An overcoat layer 405 covering the color filter 406 and a common electrode 408 located on the overcoat layer 405. [

이때, 상부 기판(401)은 전술한 하부 기판(410)과 동일하게 유연한 플라스틱으로 이루어질 수 있다.At this time, the upper substrate 401 may be made of a flexible plastic like the lower substrate 410 described above.

블랙 매트릭스(407)는 액정층(490)을 제어할 수 없는 영역을 통해 광이 투과되는 것을 막기 위해 불투명한 유기물질 또는 불투명한 금속으로 이루어질 수 있다.The black matrix 407 may be made of an opaque organic material or an opaque metal to prevent light from being transmitted through an area where the liquid crystal layer 490 can not be controlled.

그리고, 오버코트층(405)은 컬러필터(406)를 보호하며 공통전극(408)의 양호한 스텝 커버리지를 위해 투명한 유기물질로 형성될 수 있다. 공통전극(408)은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 인듐-징크-옥사이드(IZO) 등과 같은 투명한 금속으로 형성되며, 공통 전압을 액정층(490)에 인가하는 역할을 한다.The overcoat layer 405 may be formed of a transparent organic material for protecting the color filter 406 and for good step coverage of the common electrode 408. The common electrode 408 is formed of a transparent metal such as indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO) or the like and functions to apply a common voltage to the liquid crystal layer 490.

그리고, 전술한 표시장치 어레이 기판(460)과 컬러필터 기판(480)이 합착된 사이에는 액정층(490)이 위치할 수 있다.The liquid crystal layer 490 may be positioned between the display device array substrate 460 and the color filter substrate 480 as described above.

도 13은 본 발명에 따른 전기영동 표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.13 is a cross-sectional view schematically showing the structure of an electrophoretic display device according to the present invention.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전기영동 표시장치(500)는 어레이 기판(560)과 대향 기판(580)으로 구성된다.As shown in the figure, an electrophoretic display device 500 according to the present invention includes an array substrate 560 and an opposite substrate 580.

어레이 기판(560)은 하부 기판(510) 상에 게이트절연막(515a)을 사이에 두고 교차하게 형성된 게이트라인(미도시) 및 데이터라인(미도시), 게이트라인과 데이터라인의 교차 영역에 형성된 박막 트랜지스터(TFT) 및 게이트라인과 데이터라인의 교차 영역에 정의되는 단위 화소에 형성되며, 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결되는 화소전극(518)을 구비한다.The array substrate 560 includes a gate line (not shown) and a data line (not shown) formed on the lower substrate 510 so as to cross each other with a gate insulating film 515 interposed therebetween, a thin film And a pixel electrode 518 formed in a unit pixel defined in a crossing region of the gate line and the data line and electrically connected to the thin film transistor TFT.

이때, 하부 기판(510)은 유연한 성질을 가진 플라스틱으로 이루어질 수 있으며 예를 들어, 폴리아크릴레이트, 폴리에틸렌에테르프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰 및 폴리이미드로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.At this time, the lower substrate 510 may be made of plastic having a flexible nature, and may be formed of, for example, polyacrylate, polyethylene ether phthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyarylate, polyetherimide, polyether sulfone, , And the like.

박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 신호가 공급되는 게이트전극(521), 데이터라인에 접속된 소오스전극(522), 화소전극(518)에 접속된 드레인전극(523) 및 게이트전극(521)과 중첩되고 소오스전극(522)과 드레인전극(523) 사이에 채널을 형성하는 반도체층(524)을 포함할 수 있다.The thin film transistor TFT is overlapped with the gate electrode 521 to which the gate signal is supplied, the source electrode 522 connected to the data line, the drain electrode 523 connected to the pixel electrode 518, and the gate electrode 521 And a semiconductor layer 524 that forms a channel between the source electrode 522 and the drain electrode 523. [

여기서, 게이트전극(521)은 예를 들면, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금 등으로 이루어질 수 있다.Here, the gate electrode 521 may be formed of, for example, aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium (Ti), tantalum And the like.

또한, 게이트전극(521)은 물리적 성질이 다른 2개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 이중막 구조를 가질 수 있다. 이 중 하나의 도전막은 게이트전극(521)의 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄(또는 그 합금), 은(또는 그 합금), 구리(또는 그 합금) 등으로 이루어질 수 있다. 다른 도전막은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 등과 접촉 특성이 우수한 물질, 예를 들면 몰리브덴, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 또는 이들의 합금 등으로 이루어질 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 게이트전극(521)은 다양한 여러 가지 금속과 도전체로 만들어질 수 있다. 또한 이중막 구조로 제한되지 않으며, 삼중막 이상의 다층 구조를 가질 수 있다.In addition, the gate electrode 521 may have a double-layer structure including two conductive films (not shown) having different physical properties. One of the conductive films may be formed of a metal having a low resistivity such as aluminum (or an alloy thereof), silver (or an alloy thereof), copper (or an alloy thereof), or the like, so as to reduce signal delay or voltage drop of the gate electrode 521. [ Alloy) or the like. The other conductive film may be made of a material having excellent contact properties with indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like, for example, molybdenum, chromium, titanium, tantalum, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and the gate electrode 521 may be made of various metals and conductors. It is not limited to a bilayer structure, and may have a multilayer structure of three or more layers.

게이트전극(521) 위에는 게이트절연막(515a)이 형성되어 있다. 이때, 게이트절연막(515a)은 실리콘질화막(SiNx), 실리콘산화막(SiO2)과 같은 무기절연막 또는 하프늄(hafnium; Hf) 옥사이드, 알루미늄 옥사이드와 같은 고유전성 산화막으로 이루어질 수 있다.On the gate electrode 521, a gate insulating film 515a is formed. At this time, the gate insulating film 515a may be formed of an inorganic insulating film such as a silicon nitride film (SiNx), a silicon oxide film (SiO 2 ), or a high dielectric oxide film such as hafnium (Hf) oxide or aluminum oxide.

소오스전극(522) 및 드레인전극(523)은 예를 들면, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 소오스전극(522) 및 드레인전극(523)은 물리적 성질이 다른 2개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 이중막 또는 삼중막의 구조를 가질 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 소오스전극(522) 및 드레인전극(523)은 다양한 여러 가지 금속과 도전체로 이루어진 다층 구조일 수 있다.The source electrode 522 and the drain electrode 523 may be formed of a material such as Al, Cu, Ag, Mo, Cr, Ti, Or alloys thereof, and the like. The source electrode 522 and the drain electrode 523 may have a double-layer structure or a triple-layer structure including two conductive layers (not shown) having different physical properties. However, the present invention is not limited thereto, and the source electrode 522 and the drain electrode 523 may have a multi-layer structure including various metals and conductors.

반도체층(524)은 소오스전극(522) 및 드레인전극(523)과 중첩되게 형성되고 소오스전극(522) 및 드레인전극(523) 사이의 채널부를 더 포함한다. 반도체층(524) 위에는 소오스전극(522) 및 드레인전극(523)과 오믹콘택을 위한 오믹-콘택층(525n)이 더 형성될 수 있다.The semiconductor layer 524 is formed so as to overlap with the source electrode 522 and the drain electrode 523 and further includes a channel portion between the source electrode 522 and the drain electrode 523. [ A source electrode 522 and a drain electrode 523 may be formed on the semiconductor layer 524 and an ohmic contact layer 525n may be further formed for ohmic contact.

화소전극(518)은 박막 트랜지스터(TFT)를 보호하는 보호막(515b)을 관통하여 드레인전극(523)을 노출시키는 콘택홀을 통해 드레인전극(523)과 접촉된다.The pixel electrode 518 is in contact with the drain electrode 523 through the contact hole that exposes the drain electrode 523 through the protective film 515b protecting the thin film transistor TFT.

한편, 어레이 기판(560)과 대향 배치되는 대향 기판(580)은 상부 기판(501) 상에 형성된 공통전극(508), 공통전극(508) 상에 위치하는 전기영동필름(590)을 포함한다.The counter substrate 580 disposed opposite to the array substrate 560 includes a common electrode 508 formed on the upper substrate 501 and an electrophoretic film 590 disposed on the common electrode 508.

이때, 상부 기판(501)은 전술한 하부 기판(510)과 동일하게 유연한 플라스틱으로 이루어질 수 있다.At this time, the upper substrate 501 may be made of a flexible plastic like the lower substrate 510 described above.

전기영동필름(590)은 하전 염료 입자(charge pigment particle)를 포함하는 캡슐(592), 캡슐(592)의 상하에 위치하는 상부 및 하부 보호층(509, 519)으로 구성됨과 아울러 캡슐(592)과 하부 보호층(519) 사이에 컬러필터(516)를 포함할 수 있다.The electrophoretic film 590 is composed of a capsule 592 containing charge pigment particles and upper and lower protective layers 509 and 519 located above and below the capsule 592 and a capsule 592, And a color filter 516 between the upper protective layer 519 and the lower protective layer 519.

캡슐(592)에는 정극성 전압에 반응하는 블랙 염료 입자(592a), 부극성 전압에 반응하는 화이트 염료 입자(592b) 및 솔벤트(592c)가 포함된다.Capsule 592 includes black dye particles 592a responsive to a positive voltage, white dye particles 592b responsive to a negative voltage, and solvent 592c.

상부 및 하부 보호층(509, 519)은 구형의 캡슐(592)의 유동을 차단함과 아울러 캡슐(592)을 보호하는 역할을 한다. 이러한, 상부 및 하부 보호층(509, 519)은 유연성을 가지는 플라스틱, 쉽게 구부러지는 베이스 필름, 또는 유연성을 가지는 금속 등이 이용될 수 있다.The upper and lower protective layers 509 and 519 serve to block the flow of the spherical capsule 592 and to protect the capsule 592. The upper and lower protective layers 509 and 519 may be made of flexible plastic, easily bendable base film, or metal having flexibility.

이러한, 구성을 가지는 전기영동 표시장치는 컬러필터(516)를 구비하여 컬러를 구현할 수 있게 된다. 또한, 평판 디스플레이 패널에서의 상부 유리 기판이 아닌 유연성을 가지는 상부 기판(501)을 이용함으로써 유연성을 유지할 수 있게 된다.The electrophoretic display device having such a configuration can be provided with a color filter 516 to realize color. In addition, flexibility can be maintained by using the upper substrate 501 having flexibility, which is not an upper glass substrate in the flat panel display panel.

그리고, 점착제(515c)를 이용한 라미네이션 공정에 의해 어레이 기판(560)과 대향 기판(580)이 합착된다.Then, the array substrate 560 and the counter substrate 580 are bonded together by the lamination process using the adhesive 515c.

상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.While a great many are described in the foregoing description, it should be construed as an example of preferred embodiments rather than limiting the scope of the invention. Therefore, the invention should not be construed as limited to the embodiments described, but should be determined by equivalents to the appended claims and the claims.

100,200,300 : 표시장치 110,210,310 : 어레이 기판
120,220,320 : 화소부
126L,226L',326L" : 좌측 데이터 링크 배선
126R,226R',226R" : 우측 데이터 링크 배선
131L,231L,331L, 131R,231R,331R : 데이터구동부
132,232,332 : 게이트구동부
100, 200, 300: Display device 110, 210, 310:
120, 220,
126L, 226L ', 326L ": Left data link wiring
126R, 226R ', 226R ": Right data link wiring
131L, 231L, 331L, 131R, 231R, 331R:
132, 232,

Claims (21)

표시영역 및 상기 표시영역 주위에 배치되는 비표시영역으로 구분되는 제 1 기판;
상기 표시영역에 매트릭스 형태로 배치되며, 복수의 데이터라인과 게이트라인이 교차하여 정의되는 복수의 서브 픽셀;
상기 비표시영역에 배치되며, 상기 서브 픽셀의 데이터라인 및 게이트라인을 구동하는 데이터구동부 및 게이트구동부;
상기 비표시영역에 배치되며, 상기 데이터라인과 수직한 방향으로 배치되는 수직 배선부 및 상기 수직 배선부에서 데이터라인 쪽으로 연장되어 경사지게 배치되는 경사 배선부로 구분되는 링크부;
상기 비표시영역의 링크부에 형성되며, 상기 데이터구동부를 통해 상기 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하되, 상기 데이터라인과 동일한 층에 형성된 제 1 데이터 링크 배선 및 상기 게이트라인과 동일한 층에 형성된 제 2 데이터 링크 배선으로 구분되는 데이터 링크 배선; 및
상기 제 1 기판과 합착하는 제 2 기판을 포함하며,
상기 제 2 데이터 링크 배선은 상기 경사 배선부에서 상기 수직 배선부보다 큰 선폭을 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치.
A first substrate divided into a display region and a non-display region disposed around the display region;
A plurality of subpixels arranged in a matrix form in the display region and defined by intersecting a plurality of data lines and gate lines;
A data driver and a gate driver arranged in the non-display area to drive data lines and gate lines of the subpixels;
A link portion disposed in the non-display region, the link portion being divided into a vertical wiring portion arranged in a direction perpendicular to the data line and a sloped wiring portion extending from the vertical wiring portion toward a data line and inclined;
A first data link line formed in the same layer as the data line and a second data link line formed in the same layer as the gate line; A data link wiring line formed by a second data link line formed; And
And a second substrate bonded to the first substrate,
And the second data link wiring has a line width larger than that of the vertical wiring portion in the inclined wiring portion.
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 데이터 링크 배선 및 제 2 데이터 링크 배선은 상기 데이터라인의 순서에 따라 교대로 배치되는 것을 특징으로 하는 표시장치.The display device according to claim 1, wherein the first data link wiring and the second data link wiring are alternately arranged in the order of the data lines. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 데이터 링크 배선과 제 2 데이터 링크 배선 사이의 비저항 차이를 고려하여 상기 제 1 데이터 링크 배선과 제 2 데이터 링크 배선 각각의 선폭을 결정하는 것을 특징으로 하는 표시장치.The display device according to claim 1, wherein a line width of each of the first data link wiring and the second data link wiring is determined in consideration of a difference in resistivity between the first data link wiring and the second data link wiring. 제 3 항에 있어서, 상기 경사 배선부에서, 상기 제 2 데이터 링크 배선은 상기 제 1 데이터 링크 배선에 비해 큰 선폭을 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.The display device according to claim 3, wherein, in the inclined wiring portion, the second data link wiring has a larger line width than the first data link wiring. 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 데이터 링크 배선은 상기 수직 배선부에서는 상기 제 1 데이터 링크 배선과 동일한 선폭을 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.The display device according to claim 4, wherein the second data link wiring has the same line width as the first data link wiring in the vertical wiring part. 제 1 항에 있어서, 상기 서브 픽셀은 상기 표시영역의 상, 하부에 각각 위치하는 상부 서브 픽셀과 하부 서브 픽셀로 구분되며, 상기 데이터구동부는 우측 데이터 링크 배선을 통해 상기 상부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하는 우측 데이터구동부와 좌측 데이터 링크 배선을 통해 상기 하부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하는 좌측 데이터구동부로 구분되는 것을 특징으로 하는 표시장치.The display device according to claim 1, wherein the subpixel is divided into an upper subpixel and a lower subpixel located at upper and lower portions of the display region, and the data driver is connected to the data line of the upper subpixel And a left data driver for applying a data signal to a data line of the lower sub-pixel through a left data link line and a right data driver for applying a data signal. 제 6 항에 있어서, 상기 좌, 우측 데이터구동부 및 게이트구동부는 상기 표시영역 하측의 구동부에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시장치.7. The display device according to claim 6, wherein the left and right data drivers and the gate driver are disposed in a driver on a lower side of the display area. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 표시영역 및 상기 표시영역 주위에 배치되는 비표시영역으로 구분되는 제 1 기판을 제공하는 단계;
상기 표시영역에 매트릭스 형태로 형성하되, 복수의 데이터라인과 게이트라인이 교차하여 정의되는 복수의 서브 픽셀을 형성하는 단계;
상기 비표시영역에 형성하되, 상기 서브 픽셀의 데이터라인 및 게이트라인을 구동하는 데이터구동부 및 게이트구동부를 형성하는 단계;
상기 비표시영역에 형성하되, 상기 데이터구동부를 통해 상기 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하며, 상기 데이터라인과 동일한 층에 형성된 제 1 데이터 링크 배선 및 상기 게이트라인과 동일한 층에 형성된 제 2 데이터 링크 배선으로 구분되는 데이터 링크 배선을 형성하는 단계; 및
상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며,
상기 제 2 데이터 링크 배선은 상기 데이터라인과 수직한 방향으로 배치되는 수직 배선부와 상기 수직 배선부에서 데이터라인 쪽으로 연장되어 경사지게 배치되는 경사 배선부를 포함하고,
상기 제 2 데이터 링크 배선은 상기 경사 배선부에서 상기 수직 배선부보다 큰 선폭을 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
Providing a first substrate, the first substrate being divided into a display region and a non-display region disposed around the display region;
Forming a plurality of subpixels in a matrix form in the display area, the plurality of subpixels defining a plurality of data lines and gate lines crossing each other;
Forming a data driver and a gate driver for driving the data lines and the gate lines of the subpixel in the non-display area;
A first data link line formed in the same layer as the data line and a second data line line formed in the same layer as the gate line and a second data link line formed in the same layer as the data line, Forming a data link wiring that is divided into data link wiring; And
And bonding the first substrate and the second substrate,
Wherein the second data link wiring includes a vertical wiring portion arranged in a direction perpendicular to the data line and a sloped wiring portion extending from the vertical wiring portion toward a data line and inclined,
And the second data link wiring has a line width larger than that of the vertical wiring portion in the inclined wiring portion.
제 11 항에 있어서, 상기 제 1 데이터 링크 배선 및 제 2 데이터 링크 배선은 상기 데이터라인의 순서에 따라 교대로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.12. The method according to claim 11, wherein the first data link wiring and the second data link wiring are alternately formed in the order of the data lines. 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 데이터 링크 배선과 제 2 데이터 링크 배선 사이의 비저항 차이를 고려하여 상기 제 1 데이터 링크 배선과 제 2 데이터 링크 배선 각각의 선폭을 결정하여 형성하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.The display device according to claim 12, characterized in that a line width of each of the first data link wiring and the second data link wiring is determined in consideration of a difference in resistivity between the first data link wiring and the second data link wiring ≪ / RTI > 제 13 항에 있어서, 상기 경사 배선부에서, 상기 제 2 데이터 링크 배선은 상기 제 1 데이터 링크 배선에 비해 큰 선폭을 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.14. The manufacturing method of a display device according to claim 13, wherein in the inclined wiring portion, the second data link wiring is formed to have a larger line width than the first data link wiring. 제 14 항에 있어서, 상기 제 2 데이터 링크 배선은 상기 수직 배선부에서는 상기 제 1 데이터 링크 배선과 동일한 선폭을 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.15. The manufacturing method of a display device according to claim 14, wherein the second data link wiring is formed so as to have the same line width as the first data link wiring in the vertical wiring part. 제 11 항에 있어서, 상기 서브 픽셀은 상기 표시영역의 상, 하부에 각각 위치하는 상부 서브 픽셀과 하부 서브 픽셀로 구분되며, 상기 데이터구동부는 우측 데이터 링크 배선을 통해 상기 상부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하는 우측 데이터구동부와 좌측 데이터 링크 배선을 통해 상기 하부 서브 픽셀의 데이터라인에 데이터신호를 인가하는 좌측 데이터구동부로 구분되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.The display device according to claim 11, wherein the subpixel is divided into an upper subpixel and a lower subpixel located at upper and lower portions of the display region, and the data driver is connected to the data line of the upper subpixel And a left data driver for applying a data signal to a data line of the lower sub-pixel through a left data link wiring and a right data driver for applying a data signal. 제 16 항에 있어서, 상기 좌, 우측 데이터구동부 및 게이트구동부는 상기 표시영역 하측의 구동부에 형성하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.The method of manufacturing a display device according to claim 16, wherein the left and right data driver and gate driver are formed in a driver on a lower side of the display area. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 표시영역과 상기 표시영역의 인접한 두 측면 주위에 배치되는 제 1 및 제 2 비표시영역으로 구분되는 기판과;
상기 표시영역에 배치되며 서로 교차하여 복수의 서브 픽셀을 정의하는 다수의 제 1 신호라인 및 다수의 제 2 신호라인과;
상기 제 1 비표시영역에 배치되며 상기 제 1 및 제 2 신호라인 각각에 연결되는 제 1 및 제 2 구동부와;
상기 제 1 구동부에 연결되며 각각이 상기 제 2 비표시영역으로 연장되는 수직 배선부와 상기 수직 배선부에서 상기 표시영역으로 연장되어 상기 제 1 신호라인 중 둘에 각각 연결되는 경사 배선부를 포함하는 제 1 및 제 2 링크 배선을 포함하며,
상기 수직 배선부에서 상기 제 1 및 제 2 링크 배선의 선폭은 같고, 상기 경사 배선부에서 상기 제 1 및 제 2 링크 배선의 선폭은 서로 다른 것을 특징으로 하는 표시장치용 어레이 기판.
A substrate divided into a display area and first and second non-display areas arranged around two adjacent sides of the display area;
A plurality of first signal lines and a plurality of second signal lines arranged in the display region and intersecting with each other to define a plurality of subpixels;
A first and a second driver arranged in the first non-display area and connected to the first and second signal lines, respectively;
And a sloped wiring part connected to the first driving part and each extending to the second non-display area and a sloped wiring part extending from the vertical wiring part to the display area and connected to two of the first signal lines, respectively 1 and a second link wiring,
Wherein the line widths of the first and second link wirings in the vertical wiring portion are the same and the line widths of the first and second link wirings in the inclined wiring portion are different from each other.
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