KR101932126B1 - Touch-type organic light-emitting diode display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다수의 화소영역을 포함하는 베이스 기판과; 상기 다수의 화소영역 각각에 형성되는 애노드와; 상기 화소영역의 경계에 형성되며 상기 다수의 화소영역에 대응하여 개구부를 갖는 뱅크와; 상기 개구부에 위치하는 유기발광층과; 상기 유기발광층 상에 위치하며 상기 화소영역에 형성되는 캐소드와; 상기 뱅크 상에 위치하며 상기 캐소드와 이격된 제 1 센싱 전극과; 상기 제 1 센싱 전극과 중첩하는 제 2 센싱 전극과; 상기 캐소드를 덮는 인캡슐레이션 기판을 포함하는 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다.The present invention provides a display device comprising: a base substrate including a plurality of pixel regions; An anode formed in each of the plurality of pixel regions; A bank formed at a boundary of the pixel region and having an opening corresponding to the plurality of pixel regions; An organic light emitting layer disposed in the opening; A cathode formed on the organic light emitting layer and formed in the pixel region; A first sensing electrode on the bank and spaced apart from the cathode; A second sensing electrode overlapping the first sensing electrode; And an encapsulation substrate for covering the cathode.

Description

터치 타입 유기발광다이오드 표시장치{Touch-type organic light-emitting diode display device}[0001] The present invention relates to a touch-type organic light-emitting diode display device,

본 발명은 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로, 특히 별도의 터치 패널을 필요로 하지 않아 개구율이 향상되고 얇은 두께를 갖는 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a touch-type organic light emitting diode (OLED) display device, and more particularly, to a touch-type OLED display device having an improved aperture ratio and a thin thickness without requiring a separate touch panel.

근래에 들어 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 최근에는 특히 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 평판표시장치가 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 대체하고 있다. In recent years, the display field for processing and displaying a large amount of information has been rapidly developed as society has entered into a full-fledged information age. In recent years, flat panel display devices having excellent performance such as thinning, light weight, It replaces the existing cathode ray tube (CRT).

평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display Device) 중 하나인 유기발광다이오드(organic light-emitting diode, OLED) 표시장치는 자체발광형이기 때문에 액정표시장치에 비해 시야각, 콘트라스트 등이 우수하며 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 그리고, 직류저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부충격에 강하고 사용온도 범위도 넓으며 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다.
An organic light-emitting diode (OLED) display device, which is one of flat panel display devices (FPDs), has a better viewing angle and contrast than a liquid crystal display device because it is self-emitting type, Therefore, it is possible to make a light-weight thin type, and it is also advantageous in terms of power consumption. Also, because it can be driven by DC low voltage, has a fast response speed, and is solid, it is resistant to external impact, has a wide temperature range, and is especially advantageous in terms of manufacturing cost.

한편, 영상표시장치의 화면을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있는 터치 타입의 표시장치가 널리 이용되고 있다.On the other hand, a touch-type display device capable of selecting a screen of a video display device as a human hand or an object and inputting a user command is widely used.

이를 위해, 터치 타입의 표시장치는 영상표시장치의 전면(前面)에 터치 패널을 구비하여 사람의 손 또는 물체에 직접 접촉된 위치를 전기적 신호로 변환하게 된다. 이에 따라, 접촉 위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 공급된다.To this end, a touch-type display device is provided with a touch panel on a front surface of a video display device, and converts a position directly touching a human hand or an object into an electrical signal. Thus, the instruction content selected at the contact position is supplied as an input signal.

이와 같은 터치 패널을 구현하는 방식으로는 저항막 방식, 광감지 방식 및 정전용량 방식 등이 알려져 있다. 이중 전정용량 방식의 터치 패널은 사람의 손 또는 물체가 접촉될 때 도전성 감지패턴이 주변의 다른 감지 패턴 등과 형성하는 정전용량의 변화를 감지하게 된다.As a method of implementing such a touch panel, a resistive type, a light sensing type, and a capacitive type are known. The dual volumetric capacitive touch panel senses the change in capacitance that the conductive sensing pattern forms with other surrounding sensing patterns when a human hand or object is touched.

도 1a 및 도 1b는 터치 패널의 원리를 설명하기 위한 도면이다.1A and 1B are views for explaining the principle of a touch panel.

도 1a에서와 같이, 유전체층(10)을 사이에 두고 제 1 센싱 전극(20)과 제 2 센싱 전극(30)이 중첩하여 상호 정전용량(mutual capacitance)을 형성하는 캐패시터가 구성된다.As shown in FIG. 1A, a first sensing electrode 20 and a second sensing electrode 30 overlap each other with a dielectric layer 10 interposed therebetween to form a mutual capacitance.

도 1b에서와 같이, 손가락(40) 또는 펜(미도시)과 같은 소정의 입력 수단으로 어느 한 지점에 접촉하게 되면, 제 1 센싱 전극(20)과 제 2 센싱 전극(30) 사이의 상호 정전용량이 변화되며 이에 따라 접촉된 위치 좌표를 찾을 수 있다.As shown in FIG. 1B, when a touch is made at a certain position by a predetermined input means such as a finger 40 or a pen (not shown), mutual interruption between the first sensing electrode 20 and the second sensing electrode 30 The capacitance is changed and thus the contacted position coordinates can be found.

이와 같은 터치 패널은 영상표시장치의 외면에 부착되는 것이 일반적이다. 그러나, 터치 패널을 영상표시장치의 외면에 부착하는 경우 터치 패널을 부착하기 위한 접착층을 필요로 하고 부착하기 위한 공정이 요구되므로 공정시간 및 공정 비용이 증가한다.Such a touch panel is generally attached to the outer surface of the image display device. However, when attaching the touch panel to the outer surface of the image display device, an adhesive layer for attaching the touch panel is required and a process for attaching the touch panel is required, which increases the processing time and the process cost.

또한, 터치 패널이 부착됨에 따라, 표시장치의 두께가 증가하여 박형 표시장치의 요구에 반하는 문제가 발생한다.Further, as the touch panel is attached, the thickness of the display device increases, which causes a problem against the demand of the thin display device.

또한, 터치 패널에 의해 투과율이 저하되는 문제가 발생한다.
In addition, there is a problem that the transmittance is lowered by the touch panel.

본 발명은 터치 패널의 기능을 유기발광다이오드 표시장치 내에 구현함으로써, 터치 패널을 영상표시장치의 외면에 부착함에 따라 발생하는 공정시간, 공정비용, 표시장치 두께 증가의 문제를 해결하고자 한다.The present invention realizes the function of the touch panel in the organic light emitting diode display device, thereby solving the problems of process time, process cost, and display device thickness increase caused by attaching the touch panel to the external surface of the image display device.

또한, 터치 패널에 의해 투과율이 저하되는 문제를 방지하고자 한다.
It is also intended to prevent the problem that the transmittance is lowered by the touch panel.

위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은 다수의 화소영역을 포함하는 베이스 기판과; 상기 다수의 화소영역 각각에 형성되는 애노드와; 상기 화소영역의 경계에 형성되며 상기 다수의 화소영역에 대응하여 개구부를 갖는 뱅크와; 상기 개구부에 위치하는 유기발광층과; 상기 유기발광층 상에 위치하며 상기 화소영역에 형성되는 캐소드와; 상기 뱅크 상에 위치하며 상기 캐소드와 이격된 제 1 센싱 전극과; 상기 제 1 센싱 전극과 중첩하는 제 2 센싱 전극과; 상기 캐소드를 덮는 인캡슐레이션 기판을 포함하는 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a liquid crystal display comprising: a base substrate including a plurality of pixel regions; An anode formed in each of the plurality of pixel regions; A bank formed at a boundary of the pixel region and having an opening corresponding to the plurality of pixel regions; An organic light emitting layer disposed in the opening; A cathode formed on the organic light emitting layer and formed in the pixel region; A first sensing electrode on the bank and spaced apart from the cathode; A second sensing electrode overlapping the first sensing electrode; And an encapsulation substrate for covering the cathode.

본 발명의 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 상기 제 2 센싱 전극은 상기 애노드와 동일층에 위치하고, 상기 제 1 센싱 전극과 상기 제 2 센싱 전극 사이에는 상기 뱅크가 위치하는 것을 특징으로 한다.In the touch-type organic light emitting diode display of the present invention, the second sensing electrode is located on the same layer as the anode, and the bank is located between the first sensing electrode and the second sensing electrode.

본 발명의 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 상기 제 2 센싱 전극은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the touch-type organic light-emitting diode display of the present invention, the second sensing electrode may be any one of indium-tin-oxide (ITO) and indium-zinc-oxide (IZO) .

본 발명의 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 상기 인캡슐레이션 기판에 부착되는 편광필름을 포함하고, 상기 제 1 센싱 전극은 상기 인캡슐레이션 기판과 상기 편광필름 사이에 위치하는 것을 특징으로 한다.The touch type organic light emitting diode display device of the present invention includes a polarizing film attached to the encapsulation substrate, wherein the first sensing electrode is located between the encapsulation substrate and the polarizing film .

본 발명의 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 상기 제 1 센싱 전극은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the touch-type organic light-emitting diode display of the present invention, the first sensing electrode may be formed of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) .

본 발명의 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 상기 캐소드는 은 또는 은-마그네슘 합금으로 이루어지고, 상기 제 1 센싱 전극은 상기 캐소드와 동일물질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the touch-type organic light emitting diode display device of the present invention, the cathode may be formed of silver or silver-magnesium alloy, and the first sensing electrode may be formed of the same material as the cathode.

본 발명의 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 상기 화소영역의 경계를 따라 일방향으로 연장되는 게이트 배선과; 상기 게이트 배선과 교차하여 상기 화소영역을 정의하는 데이터 배선을 포함하고, 상기 제 1 센싱 전극은 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선 중 어느 하나와 평행하게 연장되고, 상기 제 2 센싱 전극은 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선 중 다른 하나와 평행하게 연장되는 것을 특징으로 한다.In the touch type organic light emitting diode display device of the present invention, a gate wiring line extending in one direction along a boundary of the pixel region; Wherein the first sensing electrode extends in parallel with any one of the gate wiring and the data wiring and the second sensing electrode extends in parallel with the gate wiring and the data wiring, And extends in parallel with the other of the data lines.

본 발명의 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선에 연결되는 스위칭 박막트랜지스터와; 상기 스위칭 박막트랜지스터에 연결되는 구동 박막트랜지스터를 포함하고, 상기 애노드는 상기 구동 박막트랜지스터에 연결되는 것을 특징으로 한다.
In the touch-type organic light emitting diode display device of the present invention, a switching thin film transistor connected to the gate wiring and the data wiring; And a driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor, wherein the anode is connected to the driving thin film transistor.

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에서 각 화소의 경계에 형성되는 뱅크와 중첩하도록 터치 센싱부를 형성함으로써, 개구율의 저하가 없는 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치를 제공하게 된다.The present invention provides a touch-sensitive organic light emitting diode display device in which the aperture ratio is not reduced by forming the touch sensing portion so as to overlap a bank formed at the boundary of each pixel in the organic light emitting diode display device.

또한, 유기발광다이오드 표시장치의 캐소드와 동일한 층에 캐소드와 이격된 상태로 형성되는 터치 전극을 이용함으로써, 캐소드를 터치 전극으로 이용하는 경우의 분할 구동에 따른 휘도 저하 및 구동 안정성 저하의 문제를 해결하는 효과를 갖는다.Further, by using the touch electrode formed in the same layer as the cathode of the organic light emitting diode display device in a state of being spaced apart from the cathode, it is possible to solve the problems of reduction in luminance and decrease in driving stability due to division drive in the case of using the cathode as a touch electrode Effect.

또한, 전면 발광 방식의 유기발광다이오드 표시장치에서 터치 전극을 인캡슐레이션 기판과 편광판 사이에 형성함으로써, 외광 반사를 줄일 수 있는 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치를 제공하는 효과를 갖는다.
Further, there is an effect of providing a touch-type organic light emitting diode display device capable of reducing external light reflection by forming a touch electrode between an encapsulation substrate and a polarizing plate in an organic light emitting diode display device of a top emission type.

도 1a 및 도 1b는 터치 패널의 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 2 및 제 3 실시예에 따른 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3의 절단선 IV-VI을 따라 절단한 부분에 대한 제 2 실시예에 따른 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 3의 절단선 IV-VI을 따라 절단한 부분에 대한 제 3 실시예에 따른 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 단면도이다.1A and 1B are views for explaining the principle of a touch panel.
2 is a schematic cross-sectional view of a touch-type organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
3 is a schematic plan view of a touch-type organic light emitting diode display device according to the second and third embodiments of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view of a touch-type organic light emitting diode display device according to a second embodiment with respect to a portion cut along the cutting line IV-VI in FIG.
5 is a schematic cross-sectional view of a touch-type organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the portion cut along the cutting line IV-VI of FIG.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of a touch-type organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치는 베이스 기판(101)과, 상기 베이스 기판(101)과 마주하는 인캡슐레이션 기판(184)과, 상기 베이스 기판(101)과 상기 인캡슐레이션 기판(184) 사이에 위치하는 발광다이오드(E)와 터치 센싱부(TCH)를 포함한다.2, the touch-type organic light emitting diode display device includes a base substrate 101, an encapsulation substrate 184 facing the base substrate 101, (E) and a touch sensing unit (TCH) positioned between the encapsulation substrate (184).

상기 베이스 기판(101) 상에는 일방향으로 연장하는 게이트 배선(미도시)과 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(130)이 형성된다. 또한, 상기 게이트 배선(미도시) 또는 상기 데이터 배선(130)과 평행하게 이격하는 전원배선(미도시)이 형성된다.On the base substrate 101, a gate wiring (not shown) extending in one direction and a data wiring 130 defining a pixel region P intersecting the gate wiring (not shown) are formed. Further, a power supply line (not shown) spaced apart from the gate line (not shown) or parallel to the data line 130 is formed.

상기 화소영역(P)에는 상기 발광다이오드(E)의 구동을 위한 구동 박막트랜지스터(DTr)와 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)를 스위칭하기 위해 이에 연결되는 스위칭 박막트랜지스터(미도시)가 위치한다.A driving thin film transistor DTr for driving the light emitting diode E and a switching thin film transistor (not shown) connected to the driving thin film transistor DTr are disposed in the pixel region P.

상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 상기 게이트 배선(미도시) 및 상기 데이터 배선(130)에 연결되며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시), 상기 전원배선(미도시) 및 상기 발광다이오드(E)에 연결된다.The switching thin film transistor (not shown) is connected to the gate wiring (not shown) and the data wiring 130, and the driving thin film transistor DTr is connected to the switching thin film transistor (not shown) ) And the light emitting diode (E).

상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 순수 폴리실리콘으로 이루어지는제 1 영역(114)과 상기 제 1 영역(114)의 양측에 위치하며 불순물이 도핑된 제 2 및 제 3 영역(116, 118)을 포함하는 반도체층(112)과, 상기 반도체층(112)을 덮는 게이트 절연막(120), 상기 게이트 절연막(120) 상에 위치하며 상기 반도체층(112)의 제 1 영역(114)과 중첩하는 게이트 전극(124), 상기 게이트 전극(124)을 덮는 층간 절연막(126) 및 상기 층간 절연막(126) 상에 위치하며 상기 반도체층(112)의 제 2 영역(116)과 접촉하는 소스 전극(132) 및 상기 소스 전극(132)과 이격하고 상기 반도체층(112)의 제 3 영역(118)과 접촉하는 드레인 전극(134)을 포함한다. 상기 층간절연막(126)과 상기 게이트 절연막(120)에는 상기 반도체층(112)의 제 2 및 제 3 영역(116, 118)을 각각 노출하는 제 1 및 제 2 콘택홀(128, 129)가 형성되며, 상기 소스 전극(132) 및 상기 드레인 전극(134) 각각은 상기 제 1 및 제 2 콘택홀(128, 129)을 통해 상기 반도체층(112)의 상기 제 2 및 제 3 영역(116, 118)과 접촉한다.The driving thin film transistor DTr includes a first region 114 made of pure polysilicon and second and third regions 116 and 118 located on both sides of the first region 114 and doped with impurities A gate insulating layer 120 covering the semiconductor layer 112; a gate electrode layer 120 formed on the gate insulating layer 120 and overlapping the first region 114 of the semiconductor layer 112; An interlayer insulating layer 126 covering the gate electrode 124 and a source electrode 132 located on the interlayer insulating layer 126 and contacting the second region 116 of the semiconductor layer 112; And a drain electrode 134 spaced apart from the source electrode 132 and in contact with the third region 118 of the semiconductor layer 112. First and second contact holes 128 and 129 are formed in the interlayer insulating layer 126 and the gate insulating layer 120 to expose the second and third regions 116 and 118 of the semiconductor layer 112, And the source electrode 132 and the drain electrode 134 are electrically connected to the second and third regions 116 and 118 of the semiconductor layer 112 through the first and second contact holes 128 and 129, ).

도시하지 않았으나, 상기 스위칭 박막트랜지스터는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 유사한 구조를 갖는다.Although not shown, the switching thin film transistor has a structure similar to the driving thin film transistor DTr.

한편, 폴리실리콘을 이용하는 구동 박막트랜지스터(DTr)를 보이고 있으나, 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)가 비정질 실리콘을 이용하여 형성될 수 있음은 당연하다.On the other hand, although the driving thin film transistor DTr using polysilicon is shown, it is natural that the driving thin film transistor DTr and the switching thin film transistor (not shown) can be formed using amorphous silicon.

상기 게이트 배선(미도시)은 상기 게이트 전극(124)과 동일층에 위치하며, 상기 데이터 배선(130)은 상기 소스 전극(132)과 동일층에 위치한다.The gate wiring (not shown) is located on the same layer as the gate electrode 124, and the data wiring 130 is located on the same layer as the source electrode 132.

상기 구동박막트랜지스터(DTr), 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 상기 소스 전극(132)을 덮고 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(134)을 노출하는 제 3 콘택홀(142)을 갖는 보호층(140)이 위치한다.And a third contact hole 142 covering the driving thin film transistor DTr, the switching thin film transistor (not shown) and the source electrode 132 and exposing the drain electrode 134 of the driving thin film transistor DTr A protective layer 140 is located.

상기 보호층(140) 상에는 상기 제 3 콘택홀(142)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(134)에 연결되는 애노드(150)가 위치한다.An anode 150 connected to the drain electrode 134 of the driving TFT DTr is disposed on the passivation layer 140 through the third contact hole 142.

상기 애노드(150)는 일함수 값이 비교적 높은 물질로 이루어진다. 예를 들어, 상기 애노드(150)는 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진다.The anode 150 is made of a material having a relatively high work function value. For example, the anode 150 is made of a transparent conductive material such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO).

도시하지 않았으나, 상기 애노드(150)는 상기 투명 도전성 물질로 이루어지는 상부층과 그 하부에 위치하며 반사 특성을 갖는 금속물질로 이루어지는 하부층의 이중층 구조를 가질 수 있다.Although not shown, the anode 150 may have a bilayer structure of an upper layer made of the transparent conductive material and a lower layer formed of a metallic material having a reflective property located below the upper layer.

또한, 상기 애노드(150)와 이격하여 상기 데이터 배선(130)과 중첩하는 제 1 센싱 전극(152)이 상기 보호층(140) 상에 위치한다. 상기 제 1 센싱 전극(152)은 상기 애노드(150)와 동일물질로 이루어질 수 있다. A first sensing electrode 152, which overlaps the data line 130 and is spaced apart from the anode 150, is positioned on the protection layer 140. The first sensing electrode 152 may be formed of the same material as the anode 150.

또한, 상기 보호층(140) 상에는 상기 게이트 배선(미도시), 상기 전원배선(미도시), 상기 데이터 배선(130)을 덮는 뱅크(160)가 위치한다. 즉, 상기 뱅크(160)는 상기 게이트 배선(미도시), 상기 전원배선(미도시), 상기 데이터 배선(130)과 같은 비표시영역에 위치하며, 상기 화소영역(P)에 대하여 개구부를 가짐으로써 상기 애노드(150)를 노출시킨다.A bank 160 covering the gate wiring (not shown), the power supply wiring (not shown) and the data wiring 130 is located on the protective layer 140. That is, the bank 160 is located in a non-display region such as the gate wiring (not shown), the power supply wiring (not shown), and the data wiring 130, and has an opening portion with respect to the pixel region P To expose the anode (150).

상기 뱅크(160)가 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)을 덮는 것이 보여지고 있으나, 이와 달리 구동 박막트랜지스터(DTr) 상부의 뱅크(160)은 생략될 수 있다. Although the bank 160 is shown covering the driving thin film transistor DTr, the bank 160 above the driving thin film transistor DTr may be omitted.

상기 뱅크(160)에 의해 노출된 상기 애노드(150) 상에는 유기발광층(170)이 위치하며, 상기 뱅크(160)와 상기 유기발광층(170) 상에는 상기 베이스 기판(101) 전면에 대응하여 캐소드(180)가 위치한다. 즉, 상기 캐소드(180)는 이웃한 화소영역(P)에 대하여 일체로 형성된다. 상기 캐소드(180)는 일함수 값이 비교적 낮은 물질로 이루어진다. 예를 들어, 상기 캐소드(180)는 은 또는 은-마그네슘 합금으로 이루어질 수 있다. 은 또는 은-마그네슘 합금은 열증착이 가능하므로, 유기발광층(170)에 대한 손상 없이 캐소드(180)의 증착이 가능하다.An organic light emitting layer 170 is disposed on the anode 150 exposed by the bank 160. A cathode 180 is formed on the bank 160 and the organic light emitting layer 170 to correspond to the entire surface of the base substrate 101. [ ). That is, the cathode 180 is formed integrally with the neighboring pixel region P. The cathode 180 is made of a material having a relatively low work function value. For example, the cathode 180 may be formed of a silver or silver-magnesium alloy. Since the silver or silver-magnesium alloy can be thermally deposited, the deposition of the cathode 180 is possible without damaging the organic light emitting layer 170.

상기 애노드(150), 상기 유기발광층(170) 및 상기 캐소드(180)는 발광다이오드(E)를 구성한다.The anode 150, the organic light emitting layer 170, and the cathode 180 constitute a light emitting diode E.

상기 인캡슐레이션 기판(184)가 상기 발광다이오드(E)를 덮도록 형성됨으로써, 유기발광다이오드 표시장치가 완성된다. 이때, 상기 캐소드(180)는 비교적 얇은 두께, 예를 들어 200Å의 두께로 형성되어 반투과특성을 갖게 된다. 따라서, 상기 유기발광층(170)에서 발광된 빛은 상기 캐소드(180)를 통과하여 영상을 구현하는 상부 발광(top emission) 방식이 되며, 상기 애노드(150)가 반사특성의 하부층을 포함함으로써 상기 유기발광층(170)의 빛을 반사시켜 광효율을 증가시킬 수 있다.The encapsulation substrate 184 is formed to cover the light emitting diode E, thereby completing the organic light emitting diode display device. At this time, the cathode 180 is formed to have a relatively thin thickness, for example, a thickness of 200 ANGSTROM to have a transflective characteristic. Accordingly, the light emitted from the organic light emitting layer 170 passes through the cathode 180 and emits light through the top emission, and the anode 150 includes a lower layer of the reflection characteristic, The light efficiency of the light emitting layer 170 can be increased by reflecting the light.

이와 같은 구성의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 상기 캐소드(180)은 상기 베이스 기판(101)의 전면에 형성되기 때문에, 상기 캐소드(180)의 일부는 상기 제 1 센싱 전극(152)과 중첩하게 되며 제 2 센싱 전극(182)의 기능을 한다.In the organic light emitting diode display device having such a structure, since the cathode 180 is formed on the front surface of the base substrate 101, a part of the cathode 180 overlaps with the first sensing electrode 152 And functions as a second sensing electrode 182.

따라서, 상기 제 1 센싱 전극(152)과 상기 제 2 센싱 전극(182) 사이의 상기 뱅크(160)가 유전체층 역할을 하여, 상기 제 1 센싱 전극(152)과 상기 제 2 센싱 전극(182) 및 상기 뱅크(160)는 터치 센싱부(TCH)를 구성한다.Accordingly, the bank 160 between the first sensing electrode 152 and the second sensing electrode 182 serves as a dielectric layer, and the first sensing electrode 152, the second sensing electrode 182, The bank 160 constitutes a touch sensing unit (TCH).

즉, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치는 애노드(150)와 동일층에 제 1 센싱 전극(152)을 형성하고, 상기 제 1 센싱 전극(152)과 중첩하는 캐소드(180)의 일부를 제 2 센싱 전극(154)으로 이용함으로써, 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치가 된다.That is, in the touch-type organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention, the first sensing electrode 152 is formed on the same layer as the anode 150, and the cathode overlapping the first sensing electrode 152 Type organic light emitting diode display device by using a part of the first sensing electrode 180 as the second sensing electrode 154. [

따라서, 터치 패널을 영상표시장치의 외면에 부착함에 따라 발생하는 공정시간, 공정비용, 표시장치 두께 증가의 문제를 방지할 수 있다.Therefore, it is possible to prevent the problem of the process time, the process cost, and the thickness of the display device which are caused by attaching the touch panel to the outer surface of the image display device.

또한, 터치 센싱부(TCH)는 뱅크(160)가 형성되는 비표시 영역에 위치하므로, 터치 패널 형성에 따른 개구율 저하의 문제를 방지할 수 있다.
Further, since the touch sensing portion TCH is located in the non-display region where the bank 160 is formed, it is possible to prevent the problem of lowering the aperture ratio due to the formation of the touch panel.

이와 같은 제 1 실시예의 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치는 일 프레임을 영상 구현을 위한 제 1 서브-프레임과 터치 센싱부의 구동을 위한 제 2 서브-프레임으로 나누어 이루어지는 분할 구동 방식에 의해 구동되어야 한다.The touch-sensitive organic light emitting diode display of the first embodiment is driven by a divided driving method in which one frame is divided into a first sub-frame for image realization and a second sub-frame for driving the touch sensing unit.

이에 따라, 영상 구현을 위한 시간이 줄어들어 휘도가 감소하게 된다. 또한, 줄어든 시간 안에 구동이 되어야 하므로 빠른 응답속도가 요구되기 때문에 구동 안정성이 저하되는 문제가 있다.
As a result, the time for image implementation is reduced and the luminance is reduced. In addition, since the driving must be performed in a reduced time, a fast response speed is required, which causes a problem that the driving stability is deteriorated.

이러한 문제를 개선하기 위한 제 2 및 제 3 실시예에 따른 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치에 대해 설명한다.The touch type organic light emitting diode display device according to the second and third embodiments for solving such problems will be described.

도 3은 본 발명의 제 2 및 제 3 실시예에 따른 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 평면도이다.3 is a schematic plan view of a touch-type organic light emitting diode display device according to the second and third embodiments of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치는 서로 마주하는 베이스 기판(미도시) 및 인캡슐레이션 기판(미도시)과, 상기 베이스 기판(미도시) 및 인캡슐레이션 기판(미도시) 사이에 각 화소영역(P)에 대응하여 위치하는 발광다이오드(E)와, 상기 화소영역(P)의 경계에 뱅크(260, 360)와, 상기 뱅크(260, 360)가 형성된 비표시 영역에 위치하는 터치 센싱부(TCH)를 포함한다.3, the touch-type organic light emitting diode display device includes a base substrate (not shown) and an encapsulation substrate (not shown) facing each other, a base substrate (not shown) and an encapsulation substrate And the banks 260 and 360 and the banks 260 and 360 are formed at the boundaries between the pixel regions P and between the pixel regions P and the non- And a touch sensing unit (TCH) located in the area.

상기 화소영역(P)의 경계에는, 게이트 배선(222, 322)이 일방향을 따라 연장되어 있으며, 데이터 배선(230, 330)이 상기 게이트 배선(222, 322)과 교차하도록 연장되어 있다. 또한, 상기 게이트 배선(222, 322) 또는 상기 데이터 배선(230, 330)과 평행하게 이격하는 전원배선(미도시)이 형성된다.Gate wirings 222 and 322 extend in one direction at the boundary of the pixel region P and data wirings 230 and 330 extend so as to intersect with the gate wirings 222 and 322. Power lines (not shown) spaced apart in parallel to the gate lines 222 and 322 or the data lines 230 and 330 are formed.

또한, 상기 게이트 배선(222, 322) 및 상기 데이터 배선(230, 330)에 연결되는 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시), 상기 전원 배선(미도시) 및 상기 발광다이오드(E)에 연결되는 구동박막트랜지스터(미도시)가 형성된다.In addition, a switching thin film transistor (not shown) connected to the gate lines 222 and 322 and the data lines 230 and 330 and the switching thin film transistor (not shown), the power line (not shown) A driving thin film transistor (not shown) connected to the pixel electrode E is formed.

상기 발광다이오드(E)는 상기 구동 박막트랜지스터(Tr)에 연결되는 애노드(미도시)와 상기 애노드(미도시)와 마주하는 캐소드(미도시) 및 상기 애노드(미도시)와 상기 캐소드(미도시) 사이에 위치하는 유기발광층(미도시)을 포함한다.The light emitting diode E includes an anode (not shown) connected to the driving thin film transistor Tr, a cathode (not shown) facing the anode (not shown), and an anode (not shown) Emitting layer (not shown) positioned between the anode and the cathode.

또한, 상기 뱅크(260, 360)은 상기 화소영역(P)의 경계에 형성된다. 즉, 상기 뱅크(260, 360)은 상기 게이트 배선(미도시), 상기 데이터 배선(미도시) 및 상기 전원 배선(미도시)의 비표시 영역에 위치한다.In addition, the banks 260 and 360 are formed at the boundary of the pixel region P. [ That is, the banks 260 and 360 are located in the non-display region of the gate wiring (not shown), the data wiring (not shown) and the power wiring (not shown).

또한, 상기 뱅크(260, 360)가 형성된 비표시 영역에는 제 1 센싱 전극(252, 352)과 제 2 센싱 전극(282, 382)을 포함하는 터치 센싱부(TCH)가 구성되며, 손가락이나 펜 등의 접촉에 의한 센싱 전극(252, 352)과 제 2 센싱 전극(282, 382) 사이의 상호 정전용량 변화를 감지하게 된다. 상기 제 1 센싱 전극(252, 352)는 상기 게이트 배선(222, 322) 및 상기 데이터 배선(230, 330) 중 어느 하나와 평행하게 연장되고, 상기 제 2 센싱 전극(282, 382)는 상기 게이트 배선(222, 322) 및 상기 데이터 배선(230, 330) 중 다른 하나와 평행하게 연장된다.A touch sensing unit (TCH) including first sensing electrodes 252 and 352 and second sensing electrodes 282 and 382 is formed in a non-display area where the banks 260 and 360 are formed. And sensing the mutual capacitance change between the sensing electrodes 252 and 352 and the second sensing electrodes 282 and 382 due to the contact of the electrodes. The first sensing electrodes 252 and 352 extend in parallel with the gate lines 222 and 322 and the data lines 230 and 330 and the second sensing electrodes 282 and 382 extend in parallel with the gate Extends in parallel to the other of the wirings (222, 322) and the data lines (230, 330).

상기 제 2 센싱 전극(282, 382)은 상기 캐소드(미도시)와 동일층에 형성되며 상기 캐소드(미도시)로부터 이격되는 것이 특징이다. 즉, 제 1 실시예와 달리, 제 2 센싱 전극(282, 382)이 캐소드(미도시)와 연결되지 않기 때문에, 분할구동에 의하지 않고 발광다이오드(E)와 터치 센싱부(TCH)의 독립적인 구동이 가능하다.The second sensing electrodes 282 and 382 are formed on the same layer as the cathode (not shown) and separated from the cathode (not shown). In other words, since the second sensing electrodes 282 and 382 are not connected to the cathode (not shown) unlike the first embodiment, independent of the light emitting diode E and the touch sensing unit TCH It is possible to drive.

따라서, 본 발명의 제 2 및 제3 실시예에 따른 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치는 제 2 센싱 전극(282, 382)를 캐소드와 동일층에 형성하면서 이와 이격되도록 함으로써, 분할구동에 의한 휘도 저하 및 구동 안정성 저하의 문제를 방지할 수 있는 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치가 된다.Therefore, in the touch-type organic light emitting diode display device according to the second and third embodiments of the present invention, the second sensing electrodes 282 and 382 are formed on the same layer as the cathode while being spaced therefrom, Type organic light emitting diode display device capable of preventing the problem of deterioration in driving stability.

따라서, 고휘도 특성 및 향상된 구동 안정성을 가지며, 터치 패널을 영상표시장치의 외면에 부착함에 따라 발생하는 공정시간, 공정비용, 표시장치 두께 증가의 문제를 방지할 수 있다.Accordingly, it is possible to prevent the problem of process time, process cost, and thickness of the display device, which are caused by attaching the touch panel to the outer surface of the image display device, having high luminance characteristics and improved driving stability.

또한, 터치 센싱부(TCH)는 뱅크가 형성되는 비표시 영역에 위치하므로, 터치 패널 형성에 따른 개구율 저하의 문제를 방지할 수 있다.
Further, since the touch sensing portion TCH is located in the non-display region where the bank is formed, it is possible to prevent the problem of lowering the aperture ratio due to the formation of the touch panel.

이하, 제 2 및 제 3 실시예에 따른 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치의 단면 구조에 대하여 설명한다.Hereinafter, a cross-sectional structure of the touch-type organic light emitting diode display device according to the second and third embodiments will be described.

도 4는 도 3의 절단선 IV-VI을 따라 절단한 부분에 대한 제 2 실시예에 따른 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view of a touch-type organic light emitting diode display device according to a second embodiment with respect to a portion cut along the cutting line IV-VI in FIG.

도 4에 도시된 바와 같이, 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치는 베이스 기판(201)과, 상기 베이스 기판(201)과 마주하는 인캡슐레이션 기판(284)과, 상기 베이스 기판(201)과 상기 인캡슐레이션 기판(284) 사이에 위치하는 발광다이오드(E)와 터치 센싱부(TCH)를 포함한다.4, the touch-type organic light emitting diode display includes a base substrate 201, an encapsulation substrate 284 facing the base substrate 201, (E) and a touch sensing unit (TCH) located between the encapsulation substrate (284).

상기 베이스 기판(201) 상에는 일방향으로 연장하는 게이트 배선(222)과 상기 게이트 배선(222)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(230)이 형성된다. 또한, 상기 게이트 배선(222) 또는 상기 데이터 배선(230)과 평행하게 이격하는 전원배선(미도시)이 형성된다.A gate wiring 222 extending in one direction and a data wiring 230 defining a pixel region P intersecting the gate wiring 222 are formed on the base substrate 201. Further, power supply wiring (not shown) spaced apart from the gate wiring 222 or the data wiring 230 is formed.

상기 화소영역(P)에는 상기 발광다이오드(E)의 구동을 위한 구동 박막트랜지스터(DTr)와 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)를 스위칭하기 위해 이에 연결되는 스위칭 박막트랜지스터(미도시)가 위치한다.A driving thin film transistor DTr for driving the light emitting diode E and a switching thin film transistor (not shown) connected to the driving thin film transistor DTr are disposed in the pixel region P.

상기 구동박막트랜지스터(DTr), 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)를 덮는 보호층(240)이 위치한다. 상기 보호층(240)에는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(미도시)을 노출하는 콘택홀(미도시)이 형성된다.And a protective layer 240 covering the driving thin film transistor DTr and the switching thin film transistor (not shown). A contact hole (not shown) exposing a drain electrode (not shown) of the driving thin film transistor DTr is formed in the passivation layer 240.

상기 보호층(240) 상에는 애노드(250)가 위치한다. 상기 애노드(250)는 상기 보호층(240)에 형성된 콘택홀(미도시)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(미도시)에 연결된다.An anode 250 is disposed on the passivation layer 240. The anode 250 is connected to a drain electrode (not shown) of the driving thin film transistor DTr through a contact hole (not shown) formed in the passivation layer 240.

전술한 바와 같이, 상기 애노드(250)는 일함수 값이 비교적 높은 물질, 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 유기발광층(270)으로부터 발광된 빛의 반사를 위해 반사 특성을 갖는 금속층을 더 포함할 수 있다.As described above, the anode 250 may be formed of a material having a relatively high work function value such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (ITO) IZO). ≪ / RTI > The organic light emitting layer 270 may further include a metal layer having a reflection characteristic for reflecting light emitted therefrom.

또한, 상기 애노드(250)와 이격하여 상기 데이터 배선(230)과 중첩하는 제 1 센싱 전극(252)이 상기 보호층(240) 상에 위치한다. 상기 제 1 센싱 전극(252)은 상기 애노드(250)와 동일물질로 이루어질 수 있다.A first sensing electrode 252, which overlaps the data line 230 and is spaced apart from the anode 250, is positioned on the protection layer 240. The first sensing electrode 252 may be formed of the same material as the anode 250.

또한, 상기 보호층(240) 상에는 상기 게이트 배선(222), 상기 전원배선(미도시), 상기 데이터 배선(230)을 덮는 뱅크(260)가 위치한다. 즉, 상기 뱅크(260)는 상기 게이트 배선(222), 상기 전원배선(미도시), 상기 데이터 배선(230)과 같은 비표시영역에 위치하며, 상기 애노드(250)를 노출시킨다.A bank 260 covering the gate wiring 222, the power supply wiring (not shown) and the data wiring 230 is located on the protective layer 240. That is, the bank 260 is located in a non-display area such as the gate wiring 222, the power supply wiring (not shown), and the data wiring 230, and exposes the anode 250.

상기 뱅크(260)에 의해 노출된 상기 애노드(250) 상에는 유기발광층(270)이 위치하며, 상기 유기발광층(270) 상에는 상기 애노드(250)에 대응하여 캐소드(280)가 위치한다. 상기 캐소드(280)는 일함수 값이 비교적 낮은 물질, 예를 들어, 은 또는 은-마그네슘 합금으로 이루어질 수 있다.An organic light emitting layer 270 is disposed on the anode 250 exposed by the bank 260 and a cathode 280 is disposed on the organic light emitting layer 270 in correspondence with the anode 250. The cathode 280 may be made of a material having a relatively low work function value, for example, a silver or silver-magnesium alloy.

상기 애노드(250), 상기 유기발광층(270) 및 상기 캐소드(280)는 발광다이오드(E)를 구성한다. 이때, 상기 캐소드(280)는 비교적 얇은 두께, 예를 들어 200Å의 두께로 형성되어 반투과특성을 갖게 된다. 따라서, 상기 유기발광층(270)에서 발광된 빛은 상기 캐소드(280)를 통과하여 영상을 구현하는 상부 발광(top emission) 방식이 되며, 상기 애노드(250)가 반사특성의 하부층을 포함함으로써 상기 유기발광층(270)의 빛을 반사시켜 광효율을 증가시킬 수 있다.The anode 250, the organic light emitting layer 270, and the cathode 280 constitute a light emitting diode E. At this time, the cathode 280 is formed to have a relatively small thickness, for example, a thickness of 200 ANGSTROM to have a transflective property. Accordingly, the light emitted from the organic light emitting layer 270 passes through the cathode 280 to emit a top emission, and the anode 250 includes a lower layer of the reflection characteristic, The light efficiency of the light emitting layer 270 can be increased by reflecting the light.

또한, 상기 뱅크(260) 상에는 상기 캐소드(280)와 이격하는 제 2 센싱 전극(282)이 위치한다. 상기 제 2 센싱 전극(282)은 상기 캐소드(280)와 동일 물질로 이루어질 있다. 한편, 이와 달리, 외부광의 반사를 최소화하기 위해 상기 제 2 센싱 전극(282)을 ITO, IZO와 같은 투명 도전성 물질로 형성할 수도 있다.A second sensing electrode 282 spaced apart from the cathode 280 is disposed on the bank 260. The second sensing electrode 282 may be formed of the same material as the cathode 280. Alternatively, the second sensing electrode 282 may be formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO in order to minimize reflection of external light.

따라서, 상기 제 1 센싱 전극(252)과 상기 제 2 센싱 전극(282) 사이의 상기 뱅크(260)가 유전체층 역할을 하여, 상기 제 1 센싱 전극(252)과 상기 제 2 센싱 전극(282) 및 상기 뱅크(260)는 터치 센싱부(TCH)를 구성한다.Accordingly, the bank 260 between the first sensing electrode 252 and the second sensing electrode 282 serves as a dielectric layer, and the first sensing electrode 252, the second sensing electrode 282, The bank 260 constitutes a touch sensing unit (TCH).

전술한 바와 같이, 제 2 센싱 전극(282)이 캐소드(280)과 이격되기 때문에, 터치 구동을 위한 분할 구동을 필요로 하지 않는다. 따라서, 제 1 실시예의 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치에서 발생하는 휘도 저하 및 구동 안정성 저하의 문제를 방지할 수 있다.
As described above, since the second sensing electrode 282 is separated from the cathode 280, division driving for touch driving is not required. Therefore, it is possible to prevent a problem of a decrease in luminance and a decrease in driving stability caused in the touch-type organic light emitting diode display device of the first embodiment.

도 5는 도 3의 절단선 IV-VI을 따라 절단한 부분에 대한 제 3 실시예에 따른 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치의 개략적인 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view of a touch-type organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the portion cut along the cutting line IV-VI of FIG.

도 5에 도시된 바와 같이, 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치는 베이스 기판(301)과, 상기 베이스 기판(301)과 마주하는 인캡슐레이션 기판(384)과, 상기 베이스 기판(301)과 상기 인캡슐레이션 기판(384) 사이에 위치하는 발광다이오드(E)와 터치 센싱부(TCH)를 포함한다.5, the touch-type organic light emitting diode display device includes a base substrate 301, an encapsulation substrate 384 facing the base substrate 301, (E) and a touch sensing unit (TCH) positioned between the encapsulation substrate (384).

상기 베이스 기판(301) 상에는 일방향으로 연장하는 게이트 배선(322)과 상기 게이트 배선(322)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(330)이 형성된다. 또한, 상기 게이트 배선(322) 또는 상기 데이터 배선(330)과 평행하게 이격하는 전원배선(미도시)이 형성된다.A gate wiring 322 extending in one direction and a data wiring 330 defining a pixel region P intersecting the gate wiring 322 are formed on the base substrate 301. Further, a power supply line (not shown) spaced apart from the gate line 322 or the data line 330 is formed.

상기 화소영역(P)에는 상기 발광다이오드(E)의 구동을 위한 구동 박막트랜지스터(DTr)와 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)를 스위칭하기 위해 이에 연결되는 스위칭 박막트랜지스터(미도시)가 위치한다.A driving thin film transistor DTr for driving the light emitting diode E and a switching thin film transistor (not shown) connected to the driving thin film transistor DTr are disposed in the pixel region P.

상기 구동박막트랜지스터(DTr), 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)를 덮는 보호층(340)이 위치한다. 상기 보호층(340)에는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(미도시)을 노출하는 콘택홀(미도시)이 형성된다.And a protective layer 340 covering the driving thin film transistor DTr and the switching thin film transistor (not shown). A contact hole (not shown) exposing a drain electrode (not shown) of the driving thin film transistor DTr is formed in the passivation layer 340.

상기 보호층(340) 상에는 애노드(350)가 위치한다. 상기 애노드(350)는 상기 보호층(340)에 형성된 콘택홀(미도시)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(미도시)에 연결된다.An anode 350 is disposed on the protective layer 340. The anode 350 is connected to a drain electrode (not shown) of the driving TFT DTr through a contact hole (not shown) formed in the passivation layer 340.

전술한 바와 같이, 상기 애노드(350)는 일함수 값이 비교적 높은 물질, 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 유기발광층(370)으로부터 발광된 빛의 반사를 위해 반사 특성을 갖는 금속층을 더 포함할 수 있다.As described above, the anode 350 may be formed of a material having a relatively high work function value, such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide IZO). ≪ / RTI > The organic light emitting layer 370 may further include a metal layer having a reflection characteristic for reflecting light emitted therefrom.

또한, 상기 보호층(340) 상에는 상기 게이트 배선(322), 상기 전원배선(미도시), 상기 데이터 배선(330)을 덮는 뱅크(360)가 위치한다. 즉, 상기 뱅크(360)는 상기 게이트 배선(322), 상기 전원배선(미도시), 상기 데이터 배선(330)과 같은 비표시영역에 위치하며, 상기 애노드(350)를 노출시킨다.A bank 360 covering the gate wiring 322, the power supply wiring (not shown), and the data wiring 330 is located on the protective layer 340. That is, the bank 360 is located in a non-display area such as the gate wiring 322, the power supply wiring (not shown), and the data wiring 330 to expose the anode 350.

상기 뱅크(360)에 의해 노출된 상기 애노드(350) 상에는 유기발광층(370)이 위치하며, 상기 유기발광층(370) 상에는 상기 애노드(350)에 대응하여 캐소드(380)가 위치한다. 상기 캐소드(380)는 일함수 값이 비교적 낮은 물질, 예를 들어, 은 또는 은-마그네슘 합금으로 이루어질 수 있다.An organic light emitting layer 370 is disposed on the anode 350 exposed by the bank 360 and a cathode 380 is disposed on the organic light emitting layer 370 in correspondence with the anode 350. The cathode 380 may be made of a material having a relatively low work function value, for example, a silver or silver-magnesium alloy.

상기 애노드(350), 상기 유기발광층(370) 및 상기 캐소드(380)는 발광다이오드(E)를 구성한다. 이때, 상기 캐소드(380)는 비교적 얇은 두께, 예를 들어 200Å의 두께로 형성되어 반투과특성을 갖게 된다. 따라서, 상기 유기발광층(370)에서 발광된 빛은 상기 캐소드(380)를 통과하여 영상을 구현하는 상부 발광(top emission) 방식이 되며, 상기 애노드(350)가 반사특성의 하부층을 포함함으로써 상기 유기발광층(370)의 빛을 반사시켜 광효율을 증가시킬 수 있다.The anode 350, the organic light emitting layer 370, and the cathode 380 constitute a light emitting diode E. At this time, the cathode 380 is formed to have a relatively thin thickness, for example, a thickness of 200 ANGSTROM to have a transflective characteristic. Accordingly, the light emitted from the organic light emitting layer 370 passes through the cathode 380 to emit a top emission, and the anode 350 includes a lower layer of the reflection characteristic, The light efficiency of the light emitting layer 370 can be increased by reflecting the light.

또한, 상기 뱅크(360) 상에는 상기 캐소드(380)와 이격하는 제 2 센싱 전극(382)이 위치한다. 상기 제 2 센싱 전극(382)은 상기 캐소드(380)와 동일 물질로 이루어질 있다. 한편, 이와 달리, 외부광의 반사를 최소화하기 위해 상기 제 2 센싱 전극(382)을 ITO, IZO와 같은 투명 도전성 물질로 형성할 수도 있다.A second sensing electrode 382 spaced apart from the cathode 380 is disposed on the bank 360. The second sensing electrode 382 may be formed of the same material as the cathode 380. Alternatively, the second sensing electrode 382 may be formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO to minimize reflection of external light.

상기 캐소드(380), 상기 제 2 센싱 전극(382) 및 상기 뱅크(360)를 덮으며 인캡슐레이션 기판(384)이 형성되고, 상기 인캡슐레이션 기판(384) 상에는 편광필름(390)이 부착된다.An encapsulation substrate 384 is formed to cover the cathode 380, the second sensing electrode 382 and the bank 360. A polarizing film 390 is attached to the encapsulation substrate 384 do.

전술한 바와 같이, 상기 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치는 전면 발광 방식으로 상기 캐소드(380)는 은 또는 은-마그네슘 합금으로 이루어져 반투과 특성을 갖게 된다. 이러한 경우, 외부광이 상기 캐소드(380)에 반사되어 명암비가 저하되는 문제를 발생시킨다.As described above, the touch type organic light emitting diode display device is a top emission type, and the cathode 380 is made of silver or a silver-magnesium alloy and has a transflective property. In this case, external light is reflected to the cathode 380, which causes a problem that the contrast ratio is lowered.

이러한 문제를 해결하기 위해 평관필름(390)을 부착하게 되며, 제 3 실시예에 있어서 상기 편광필름(390)과 상기 인캡슐레이션 기판(384) 사이에 제 1 센싱 전극(352)을 상기 제 2 센싱 전극(382)과 중첩하도록 형성한다.In order to solve such a problem, a flat film 390 is attached. In the third embodiment, a first sensing electrode 352 is provided between the polarizing film 390 and the encapsulation substrate 384, And is formed to overlap with the sensing electrode 382.

따라서, 상기 제 1 센싱 전극(352)과 상기 제 2 센싱 전극(382) 사이에 위치하는 상기 인캡슐레이션 기판(384)가 유전체층 역할을 하며, 상기 제 1 센싱 전극(352), 상기 제 2 센싱 전극(382) 및 상기 인캡슐레이션 기판(384)이 터치 센싱부(TCH)를 구성하게 된다.Accordingly, the encapsulation substrate 384 positioned between the first sensing electrode 352 and the second sensing electrode 382 serves as a dielectric layer, and the first sensing electrode 352, The electrode 382 and the encapsulation substrate 384 constitute a touch sensing unit (TCH).

상기 제 1 센싱 전극(352)을 상기 편광필름(390)에 형성한 후, 상기 편광필름(390)을 상기 제 1 센싱 전극(352)이 상기 인캡슐레이션 기판(384)을 향하도록 부착할 수 있다. 한편, 상기 인캡슐레이션 기판(384)에 상기 제 1 센싱 전극(352)을 형성한 후, 상기 편광필름(390)을 부착할 수도 있다.After the first sensing electrode 352 is formed on the polarizing film 390, the polarizing film 390 may be attached to the encapsulation substrate 384 such that the first sensing electrode 352 faces the encapsulation substrate 384. [ have. Meanwhile, after the first sensing electrode 352 is formed on the encapsulation substrate 384, the polarizing film 390 may be attached.

전술한 바와 같이, 제 2 센싱 전극(382)이 캐소드(380)과 이격되기 때문에, 터치 구동을 위한 분할 구동을 필요로 하지 않는다. 따라서, 제 1 실시예의 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치에서 발생하는 휘도 저하 및 구동 안정성 저하의 문제를 방지할 수 있다.As described above, since the second sensing electrode 382 is separated from the cathode 380, division driving for touch driving is not required. Therefore, it is possible to prevent a problem of a decrease in luminance and a decrease in driving stability caused in the touch-type organic light emitting diode display device of the first embodiment.

또한, 편광필름(390)을 부착하여 외부광 반사를 줄일 수 있는 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치를 제공하게 된다.
Further, a touch-type organic light emitting diode display device capable of reducing external light reflection by attaching the polarizing film 390 is provided.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It can be understood that

101, 201, 301: 베이스 기판　　　　　　　　　　　　　150, 250, 350: 애노드
160, 260, 360: 뱅크 170, 270, 370: 유기발광층
180, 280, 380: 캐소드 152, 252, 352: 제 1 센싱 전극
182, 282, 382: 제 2 센싱 전극
184, 284, 384: 인캡슐레이션 기판 390: 편광필름101, 201, 301: base substrate 150, 250, 350: anode
160, 260, 360: bank 170, 270, 370: organic light emitting layer
180, 280, 380: cathodes 152, 252, 352: first sensing electrodes
182, 282, 382: a second sensing electrode
184, 284, 384: encapsulation substrate 390: polarizing film

Claims (8)

다수의 화소영역을 포함하는 베이스 기판과;
상기 화소영역의 경계를 따라 일방향으로 연장되는 게이트 배선과;
상기 게이트 배선과 교차하여 상기 화소영역을 정의하는 데이터 배선과;
상기 다수의 화소영역 각각에 형성되는 애노드와;
상기 화소영역의 경계에 형성되며 상기 다수의 화소영역에 대응하여 개구부를 갖는 뱅크와;
상기 개구부에 위치하는 유기발광층과;
상기 유기발광층 상에 위치하며 상기 화소영역에 형성되는 캐소드와;
상기 뱅크 상에 위치하며 상기 캐소드와 이격되고 상기 캐소드와 동일층에 위치하는 제 1 센싱 전극과;
상기 제 1 센싱 전극과 중첩하는 제 2 센싱 전극과;
상기 캐소드를 덮는 인캡슐레이션 기판을 포함하며,
상기 제 1 센싱 전극은 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선 중 어느 하나와 평행하게 연장되고, 상기 제 2 센싱 전극은 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선 중 다른 하나와 평행하게 연장되는 것을 특징으로 하는 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치.
A base substrate including a plurality of pixel regions;
A gate wiring extending in one direction along a boundary of the pixel region;
A data line crossing the gate line and defining the pixel region;
An anode formed in each of the plurality of pixel regions;
A bank formed at a boundary of the pixel region and having an opening corresponding to the plurality of pixel regions;
An organic light emitting layer disposed in the opening;
A cathode formed on the organic light emitting layer and formed in the pixel region;
A first sensing electrode positioned on the bank and spaced apart from the cathode and positioned on the same layer as the cathode;
A second sensing electrode overlapping the first sensing electrode;
And an encapsulation substrate covering the cathode,
Wherein the first sensing electrode extends parallel to any one of the gate wiring and the data wiring and the second sensing electrode extends parallel to the other of the gate wiring and the data wiring. Light emitting diode display.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 센싱 전극은 상기 애노드와 동일층에 위치하고, 상기 제 1 센싱 전극과 상기 제 2 센싱 전극 사이에는 상기 뱅크가 위치하는 것을 특징으로 하는 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the second sensing electrode is located on the same layer as the anode, and the bank is located between the first sensing electrode and the second sensing electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 센싱 전극은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the second sensing electrode is formed of any one of indium-tin-oxide (ITO) and indium-zinc-oxide (IZO) .
제 1 항에 있어서,
상기 인캡슐레이션 기판에 부착되는 편광필름을 포함하고, 상기 제 2 센싱 전극은 상기 인캡슐레이션 기판과 상기 편광필름 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
And a polarizing film attached to the encapsulation substrate, wherein the second sensing electrode is positioned between the encapsulation substrate and the polarizing film.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 센싱 전극은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first sensing electrode is formed of any one of indium-tin-oxide (ITO) and indium-zinc-oxide (IZO) .
제 1 항에 있어서,
상기 캐소드는 은 또는 은-마그네슘 합금으로 이루어지고, 상기 제 1 센싱 전극은 상기 캐소드와 동일물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치.

The method according to claim 1,
Wherein the cathode is made of silver or a silver-magnesium alloy, and the first sensing electrode is made of the same material as the cathode.

삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선에 연결되는 스위칭 박막트랜지스터와;
상기 스위칭 박막트랜지스터에 연결되는 구동 박막트랜지스터를 포함하고,
상기 애노드는 상기 구동 박막트랜지스터에 연결되는 것을 특징으로 하는 터치 타입 유기발광다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
A switching thin film transistor connected to the gate wiring and the data wiring;
And a driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor,
And the anode is connected to the driving thin film transistor.
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