KR101924143B1 - Magnet structure, magent unit and sputtering apparatus having the same - Google Patents

Magnet structure, magent unit and sputtering apparatus having the same Download PDF

Info

Publication number
KR101924143B1
KR101924143B1 KR1020170042238A KR20170042238A KR101924143B1 KR 101924143 B1 KR101924143 B1 KR 101924143B1 KR 1020170042238 A KR1020170042238 A KR 1020170042238A KR 20170042238 A KR20170042238 A KR 20170042238A KR 101924143 B1 KR101924143 B1 KR 101924143B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magnet
magnetron sputtering
wire
sputtering device
unit
Prior art date
Application number
KR1020170042238A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180111366A (en
Inventor
김정건
소병호
김선영
우창원
조성기
Original Assignee
한국알박(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국알박(주) filed Critical 한국알박(주)
Priority to KR1020170042238A priority Critical patent/KR101924143B1/en
Priority to CN201880005034.6A priority patent/CN110073464B/en
Priority to JP2019536079A priority patent/JP7084932B2/en
Priority to PCT/KR2018/001672 priority patent/WO2018182167A1/en
Priority to TW107109528A priority patent/TWI741165B/en
Publication of KR20180111366A publication Critical patent/KR20180111366A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101924143B1 publication Critical patent/KR101924143B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F7/00—Magnets
    • H01F7/02—Permanent magnets [PM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F7/00—Magnets
    • H01F7/02—Permanent magnets [PM]
    • H01F7/0205—Magnetic circuits with PM in general
    • H01F7/021—Construction of PM
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F7/00—Magnets
    • H01F7/06—Electromagnets; Actuators including electromagnets
    • H01F7/08—Electromagnets; Actuators including electromagnets with armatures
    • H01F7/121—Guiding or setting position of armatures, e.g. retaining armatures in their end position
    • H01F7/122—Guiding or setting position of armatures, e.g. retaining armatures in their end position by permanent magnets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3452—Magnet distribution

Abstract

본 발명은 본 발명은 마그네트론 스퍼터링 장치에 이용할 수 있는 자석 등에 관한 것으로, 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 구조체는, 영구 자석; 및 상기 영구 자석을 감싸도록 구비된 와이어;를 포함한다.The present invention relates to a magnet usable in a magnetron sputtering apparatus, and a magnet structure of a magnetron sputtering apparatus of the present invention includes: a permanent magnet; And wires for surrounding the permanent magnets.

Description

자석 구조체, 자석 유닛 및 이를 포함하는 마그네트론 스퍼터링 장치{MAGNET STRUCTURE, MAGENT UNIT AND SPUTTERING APPARATUS HAVING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a magnet structure, a magnet unit, and a magnetron sputtering apparatus including the magnet structure,

본 발명은 마그네트론 스퍼터링 장치에 이용할 수 있는 자석 구조체 등에 관한 것으로, 특히 스퍼터링 공정시 균일도를 향상시킬 수 있는 자석 구조체, 자석 유닛 및 이를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a magnet structure that can be used in a magnetron sputtering apparatus, and more particularly, to a magnet structure, a magnet unit, and a magnetron sputtering apparatus having the same capable of improving uniformity in a sputtering process.

스퍼터링 장치는 반도체, FPD(LCD, OLED 등) 또는 태양 전지 제조시 기판 상에 박막을 증착하는 장치이다. 또한, 스퍼터링 장치는 롤투롤(roll to roll) 장치에도 이용될 수 있다. 스퍼터링 장치 중 하나인, 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering) 장치는 진공 상태의 챔버(chamber) 내로 가스를 주입하여 플라즈마를 생성시키고, 이온화된 가스 입자를 증착하고자 하는 타겟(target) 물질과 충돌시킨 후 충돌에 의해 스퍼터된 입자를 기판에 증착시키는 기술을 이용한다. 이 때, 타겟에 자기력선을 형성하기 위해 자석 유닛이 기판에 대향하여 타겟 후면에 배치된다. 즉, 타겟 전면에 기판이 마련되며 타겟 후면에 자석 유닛이 마련되는 배치를 형성한다. The sputtering apparatus is a device for depositing a thin film on a substrate in the manufacture of semiconductor, FPD (LCD, OLED, etc.) or solar cell. The sputtering apparatus can also be used in a roll to roll apparatus. A magnetron sputtering device, one of the sputtering devices, injects a gas into a chamber in a vacuum state to generate a plasma, collides the ionized gas particles with a target material to be deposited, Thereby depositing the sputtered particles on the substrate. At this time, the magnet unit is disposed on the rear surface of the target to face the substrate to form a magnetic field line on the target. That is, a substrate is provided on the front surface of the target and a magnet unit is provided on the rear surface of the target.

이러한 마그네트론 스퍼터링 장치는 상대적으로 저온에서 박막을 제조할 수 있고, 전기장에 의해 가속된 이온들이 기판에 치밀하게 증착되고 증착 속도가 빠르다는 장점을 갖기 때문에 널리 사용되고 있다.Such a magnetron sputtering apparatus is widely used because it can produce a thin film at a relatively low temperature and ions accelerated by an electric field are densely deposited on a substrate and have a high deposition rate.

한편, 대면적의 기판 상에 박막을 증착하기 위해 인라인 또는 클러스터 시스템을 이용한다. 인라인 및 클러스터 시스템은 로드 챔버와 언로드 챔버 사이에 복수개의 처리 챔버가 마련되어 로드 챔버로 로딩된 기판이 복수개의 처리 챔버를 통과하면서 연속된 공정을 진행하게 된다. 이러한 인라인 및 클러스터 시스템에서 스퍼터링 장치는 적어도 하나의 처리 챔버 내에 마련되며, 자석 유닛이 일정 간격을 두고 설치된다.On the other hand, in-line or cluster systems are used to deposit thin films on large-area substrates. In the inline and cluster systems, a plurality of process chambers are provided between the load chamber and the unload chamber, so that the substrate loaded with the load chamber is passed through the plurality of process chambers while continuing the process. In such inline and cluster systems, the sputtering apparatus is provided in at least one processing chamber and the magnet units are installed at regular intervals.

그런데, 자석 유닛에 의한 고정적인 자기장이 존재하기 때문에 타겟 표면의 침식은 전기장 및 자기장에 의한 플라즈마 밀도에 의해 결정된다. 특히, 자석 유닛은 가장자리, 즉 길이 방향의 적어도 일 단부에 그라운드 전위가 집중되기 때문에 기판의 가장자리의 플라즈마 밀도가 다른 영역에 비해 크고, 그에 따라 타겟의 가장자리가 다른 영역에 비해 스퍼터링 속도가 빠르게 된다. 따라서, 기판 상에 증착되는 박막의 두께 분포가 균일하지 못해 막질 분포 저하 문제를 발생시키고, 플라즈마 밀도 차이에 의한 타겟의 특정 부분의 과도 침식에 의한 타겟 사용 효율 감소 문제를 발생시킨다.However, since there is a fixed magnetic field by the magnet unit, the erosion of the target surface is determined by the plasma density due to the electric field and the magnetic field. In particular, since the ground potential is concentrated at the edge of the magnet unit, that is, at least one end in the longitudinal direction, the plasma density at the edge of the substrate is larger than that of the other regions, and the sputtering speed of the edge of the target is faster than the other regions. Therefore, the thickness distribution of the thin film deposited on the substrate is not uniform, causing a problem of deterioration of film quality distribution, and a problem of reduction of target use efficiency due to over-erosion of a specific portion of the target due to plasma density difference.

이러한 문제를 해결하기 위해, 가장자리의 두께가 중앙부의 두께보다 두꺼운 타겟을 이용하는 방법이 있다. 이러한 타겟을 제조하기 위해서는 평면 타겟의 중앙부를 연마하여 두께를 얇게 하는 등 추가적인 공정을 이용하여 평면 타겟을 필히 가공해야 한다. 그러나, 이는 평면 타겟을 가공함으로써 재료의 손실이 발생되고, 추가적인 공정에 의한 비용이 발생하는 문제가 있다. 또한, 타겟을 가공하는 과정에서 타겟이 손상되는 등의 문제도 발생할 수 있다.In order to solve such a problem, there is a method using a target in which the thickness of the edge is thicker than the thickness of the center portion. In order to manufacture such a target, it is necessary to further process the planar target by using an additional process such as polishing the center portion of the planar target and reducing the thickness. However, this results in a loss of material due to the processing of the planar target, and there is a problem in that a cost is incurred by an additional process. In addition, there is a possibility that the target is damaged during the process of processing the target.

문제 해결의 다른 방법으로, 션트(shunt) 등을 이용하여 타겟 표면의 자기장의 강도를 조절하는 방법, 자석의 가장자리에 라이너를 이용하여 거리를 조절하는 방법, 또는 자석의 가장자리 위치에 Z축 모터를 추가하는 방법 등이 있다. 그러나, 이러한 방법들은 모두 제조 비용이 증가하며, 수작업으로 자기장의 강도를 조절해야 하고, 자기장 강도의 조정이 국소적으로 이루어지지 않기 때문에 수회의 반복 작업이 필요하여 작업 시간이 많이 소요하는 등의 문제가 있다.As another method of solving the problem, there is a method of adjusting the intensity of the magnetic field of the target surface by using a shunt or the like, a method of adjusting the distance by using the liner on the edge of the magnet, And the like. However, all of these methods increase manufacturing costs, require manual adjustment of the strength of the magnetic field, and that the adjustment of the magnetic field intensity is not performed locally, .

본 발명의 목적은 타겟의 국부적인 과도 침식을 방지할 수 있고 면내 분포를 개선할 수 있는 자석 구조체 및 그를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a magnet structure capable of preventing local over-erosion of the target and improving the in-plane distribution, and a magnetron sputtering apparatus having the magnet structure.

본 발명의 목적은 전체적으로 균일한 자기장을 발생시키며, 추가적인 공정이나 수작업의 수고 없이도 국부적인 자기장의 조절이 가능한 자석 구조체 및 그를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a magnet structure capable of generating a uniform magnetic field as a whole and capable of controlling a local magnetic field without requiring additional processing or manual work, and a magnetron sputtering apparatus having the magnet structure.

또한, 본 발명의 목적은 마그네트론 스퍼터링 장치의 진공도를 유지하면서, 챔버의 개방없이 자기장 강도를 조절하는 것이다. 본 발명은 큰 폭으로 자기장을 변화시킬 수 있고 그 변화를 쉽게 제어 가능할 수 있는 자석 구조체 및 이를 구비하는 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to control the magnetic field strength without opening the chamber while maintaining the vacuum degree of the magnetron sputtering apparatus. An object of the present invention is to provide a magnet structure and a magnetron sputtering apparatus having the magnet structure capable of changing a magnetic field with a large width and easily controlling the change.

본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 구조체는, 영구 자석; 및 상기 영구 자석을 감싸도록 구비된 와이어;를 포함한다.A magnet structure of a magnetron sputtering apparatus of the present invention includes: a permanent magnet; And wires for surrounding the permanent magnets.

본 발명의 일 실시예에 따르는 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 구조체는, 상기 와이어에 가해지는 전압 및 전류 중 하나 이상을 조절하여 자석 구조체의 자기장의 세기 제어가 가능할 수 있다.The magnet structure of the magnetron sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention can control the intensity of the magnetic field of the magnet structure by adjusting at least one of a voltage and a current applied to the wire.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 영구 자석은, 수직 방향으로 연장 형성되어 상기 와이어가 권취되는 제1 부분; 및 상기 제1 부분의 상단 및 하단 중 하나 이상으로부터 수평 방향으로 연장 형성되고, 상기 와이어가 권취되지 않는 제2 부분;을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the permanent magnet includes: a first portion extending in the vertical direction and wound with the wire; And a second portion extending in a horizontal direction from at least one of an upper end and a lower end of the first portion, wherein the wire is not wound.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 부분의 수평 방향 길이는, 상기 제1 부분 단면의 수평 방향 길이 및 상기 와이어 단면의 총 두께의 합보다 큰 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the horizontal length of the second portion may be larger than the sum of the horizontal length of the first partial cross-section and the total thickness of the wire cross-section.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 부분은 수직 방향으로 연장 형성되는 하나 이상의 가지부를 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the second portion may include one or more branches extending in the vertical direction.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 영구 자석은 T 형상 구조체, I 형상 구조체, E 형상 구조체 및 F 형상 구조체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the permanent magnet may be any one selected from the group consisting of a T-shaped structure, an I-shaped structure, an E-shaped structure, and an F-shaped structure.

본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 유닛은, 요크; 및 상기 요크 상에 구비된 복수 개의 본 발명의 일 실시예에 따르는 자석 구조체;를 포함하고, 상기 복수 개의 자석 구조체는, 서로 직렬 구조, 병렬 구조 또는 둘 다를 포함하는 구조로 연결 배치 되는 것일 수 있다.A magnet unit of a magnetron sputtering apparatus of the present invention comprises: a yoke; And a plurality of magnet structures according to an embodiment of the present invention provided on the yokes, wherein the plurality of magnet structures may be connected in a structure including a series structure, a parallel structure, or both .

본 발명의 일 실시예에 따르는 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 유닛은, 상기 자석 구조체 각각의 와이어에 가해지는 전압 및 전류 중 하나 이상을 조절하여 상기 자석 유닛의 적어도 일 영역이 타 영역과 다른 자기장의 세기를 갖도록 제어 가 가능한 것일 수 있다.The magnet unit of the magnetron sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention adjusts at least one of a voltage and a current applied to a wire of each of the magnet structures so that at least one region of the magnet unit has different intensity Or the like.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 복수 개의 자석 구조체는, N극, 또는 S극 중 선택된 하나의 자극을 갖는 제1 자석군; 및 N극, 또는 S극 중 상기 제1 자석 군과 다른 자극을 갖는 제2 자석군;을 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the plurality of magnet structures may include: a first magnet group having a magnetic pole of a selected one of an N pole and an S pole; And a second magnet group having N poles or S poles different from those of the first magnet group.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 자석군은 상기 제1 자석군 외측에 배치된 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the second magnet group may be disposed outside the first magnet group.

본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치는, 기판이 안착되는 기판 안착부; 상기 기판 안착부와 대향되고 소정 간격 이격되어 구비되는 하나 이상의 자석부; 및 상기 기판 안착부와 자석부 사이에 설치되는 하나 이상의 타겟부;를 포함하고, 상기 자석부는 본 발명의 일 실시예에 따르는 자석 유닛을 하나 이상 포함하는 것일 수 있다.A magnetron sputtering apparatus of the present invention includes: a substrate seating part on which a substrate is placed; At least one magnet portion facing the substrate seating portion and spaced apart at a predetermined interval; And at least one target portion provided between the substrate seating portion and the magnet portion, and the magnet portion may include at least one magnet unit according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 자석 유닛의 영구 자석 상면과 상기 타겟부 상면 간의 거리는 30 mm 내지 90 mm 인 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the distance between the upper surface of the permanent magnet of the magnet unit and the upper surface of the target portion may be 30 mm to 90 mm.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 자석부는, 상기 자석 구조체의 적어도 일 측에 마련된 냉각 수단을 더 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the magnet portion may further include cooling means provided on at least one side of the magnet structure.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 자석부는, 상기 요크, 상기 자석 구조체 및 상기 냉각 수단을 단위 모듈화하는 몰딩부를 더 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the magnet unit may further include a molding unit for unit-modulating the yoke, the magnet structure, and the cooling unit.

본 발명의 실시예에서 제공하는 자석 구조체 및 자석 유닛을 이용할 경우, 마그네트론 스퍼터링 장치에서 타겟의 국부적인 과도 침식을 방지할 수 있고 면내 분포를 개선할 수 있다.When using the magnet structure and the magnet unit provided in the embodiment of the present invention, the local over-erosion of the target in the magnetron sputtering apparatus can be prevented and the in-plane distribution can be improved.

또한 본 발명의 실시예에서 따르는 마그네트론 스퍼터링 장치는 균일한 자기장을 발생시키며, 추가적인 공정이나 수작업의 수고 없이도 국부적인 자기장의 조절이 가능한 효과가 있다.In addition, the magnetron sputtering apparatus according to the embodiment of the present invention generates a uniform magnetic field, and it is possible to control a local magnetic field without additional processing or manual labor.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 권취된 와이어에 인가되는 전압 및 전류 등을 이용하여 자기장의 세기를 조절할 수 있다. 특히, 외부 제어 장치를 통해 자석 일부 영역의 자기장의 세기를 국부적으로 조절하거나, 자석 전체 영역의 자기장의 세기를 조절할 수도 있다. 즉, 스퍼터링 장치 내부의 진공을 유지하면서도 장치 외부에서 간단한 방법으로 형성되는 자기장의 세기를 조절할 수 있는 효과가 있다.  Also, according to an embodiment of the present invention, the intensity of the magnetic field can be adjusted by using voltage and current applied to the wound wire. Particularly, it is possible to locally control the intensity of the magnetic field in some areas of the magnet or adjust the intensity of the magnetic field in the entire area of the magnet through the external control device. That is, the intensity of the magnetic field formed by a simple method outside the apparatus can be controlled while maintaining the vacuum inside the sputtering apparatus.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따르는 각각의 자석 구조체의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따르는 자석 유닛의 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따르는 각각의 자석 유닛을 x축 방향에서 바라본 구조의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따르는 마그네트론 스퍼터링 장치의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따르는 마그네트론 스퍼터링 장치에 포함되는 자석 유닛을 y축 방향에서 바라본 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 to 3 are sectional views schematically showing the structure of each magnet structure according to an embodiment of the present invention.
4 and 5 are plan views schematically showing a structure of a magnet unit according to an embodiment of the present invention.
6 to 8 are cross-sectional views schematically showing a part of a structure of each magnet unit according to an embodiment of the present invention viewed from the x-axis direction.
9 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a magnetron sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a magnet unit included in a magnetron sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention, viewed from the y-axis direction.

이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.In the following, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference symbols in the drawings denote like elements.

아래 설명하는 실시예들에는 다양한 변경이 가해질 수 있다. 아래 설명하는 실시예들은 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 이들에 대한 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Various modifications may be made to the embodiments described below. It is to be understood that the embodiments described below are not intended to limit the embodiments, but include all modifications, equivalents, and alternatives to them.

실시예에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 실시예를 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the examples are used only to illustrate specific embodiments and are not intended to limit the embodiments. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, the terms "comprises" or "having" and the like refer to the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this embodiment belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 실시예의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.In the following description of the present invention with reference to the accompanying drawings, the same components are denoted by the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant explanations thereof will be omitted. In the following description of the embodiments, a detailed description of related arts will be omitted if it is determined that the gist of the embodiments may be unnecessarily blurred.

자석 구조체 Magnet structure

본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 구조체는, 영구 자석; 및 상기 영구 자석을 감싸도록 구비된 와이어;를 포함한다.A magnet structure of a magnetron sputtering apparatus of the present invention includes: a permanent magnet; And wires for surrounding the permanent magnets.

상기 자석 구조체는 영구 자석 및 영구 자석에 권취된 와이어를 포함하는 것일 수 있다. 이 때, 상기 영구 자석에 권취된 와이어의 권취 수 및 와이어의 재질(즉 저항) 등과 와이어에 인가되는 전압, 전류 등에 의해 자기장이 결정될 수 있다. The magnet structure may include a permanent magnet and a wire wound around the permanent magnet. At this time, the magnetic field can be determined by the number of windings of the wire wound around the permanent magnet, the material (resistance) of the wire, the voltage applied to the wire, and the like.

영구 자석은 예를 들면 네오듐, 철 및 붕소를 주성분으로 하는 이방성 또는 등방성 소결 자석, 사마륨 코발트 자석, 페라이트계 소재로 형성될 수 있다. 한편, 이러한 영구 자석의 표면 일부에는 부식 방지용 재질 또는 절연성 재질이 코팅될 수도 있고, 전체가 절연성 재질로 코팅될 수도 있다.The permanent magnet may be formed of an anisotropic or isotropic sintered magnet mainly composed of, for example, neodymium, iron and boron, a samarium cobalt magnet, and a ferrite-based material. On the other hand, a part of the surface of the permanent magnet may be coated with an anti-corrosive material or an insulating material, or the whole may be coated with an insulating material.

본 발명에서 제공하는 자석 구조체의 일 실시예에 따르면, 영구 자석에 직접적으로 와이어를 감는 방법을 사용한다. 본 발명의 특징을 쉽게 파악하기 위하여 한 가지 비교예를 제안할 수 있다. 본 발명과 대비할 수 있는 유사한 자석 구조체에 관한 비교예로서, 보빈에 와이어를 감은 전자석을 영구 자석 위에 배치 형성하는 방법이 있다. 본 발명의 자석 구조체를 형성하는 방법은 상기 비교예의 방법에 비하면, 영구 자석과 타겟 간의 거리가 가까워지는 장점이 있다. 이로써 상기 비교예의 방법에 비해 형성되는 자기장의 세기를 강화할 수 있는 이점이 있다. 또한, 와이어를 감을 수 있는 권취부 높이가 길어지는 효과가 있고, 자기장의 변화율을 향상시킬 수 있는 효과도 있다.According to one embodiment of the magnet structure provided in the present invention, a method of directly winding a wire to a permanent magnet is used. To facilitate understanding of the features of the present invention, one comparative example can be suggested. As a comparative example of a similar magnet structure that can be compared with the present invention, there is a method of arranging an electromagnet having a wire wound around a bobbin on a permanent magnet. The method of forming the magnet structure of the present invention is advantageous in that the distance between the permanent magnet and the target is closer to that of the comparative example. This has the advantage that the strength of the magnetic field formed can be enhanced compared to the method of the comparative example. In addition, there is an effect that the height of the winding section where the wire can be wound is lengthened, and the rate of change of the magnetic field is also improved.

본 발명의 일 실시예에 따르는 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 구조체는, 상기 와이어에 가해지는 전압 및 전류 중 하나 이상을 조절하여 자석 구조체의 자기장의 세기 제어가 가능할 수 있다.The magnet structure of the magnetron sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention can control the intensity of the magnetic field of the magnet structure by adjusting at least one of a voltage and a current applied to the wire.

와이어의 권취 수 및 와이어의 재질은 최초 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 유닛 설계 시에 고정적으로 결정되는 변수이며, 인가되는 전압, 전류 등은 마그네트론 스퍼터링 장치를 구동하는 과정에서 유동적으로 조절할 수 있는 파라미터이다. 따라서, 본 발명에서 제공하는 자석 구조체는 와이어에 가해지는 전압 및 전류를 외부 전원 공급 장치에서 조절함으로써 진공 챔버 내에서 자기장의 세기 제어가 의도한대로 가능해질 수 있다.The number of windings of the wire and the material of the wire are variables that are fixedly determined at the time of designing the magnet unit of the magnetron sputtering apparatus for the first time, and the applied voltage, current and the like are parameters that can be flexibly adjusted in the course of driving the magnetron sputtering apparatus. Therefore, the magnet structure provided in the present invention can be controlled as intended by controlling the intensity of the magnetic field in the vacuum chamber by controlling the voltage and current applied to the wire by the external power supply.

또한 본 발명의 자석 구조체는 영구 자석에 전자석과 같이 와이어를 직접 권취함으로써, 기존의 영구 자석만 이용하는 경우에 자기장의 세기 조절이 가능해지고 보다 강한 자기장을 생성할 수 있다. 영구 자석에 권취 와이어 구조를 형성함으로써 전체적으로 균일한 자기장을 생성할 수 있다. 즉, 기존의 영구 자석만을 이용하는 경우 자기장의 세기가 균일하지 못해 타겟의 가장자리 부근의 침식을 크게 하였지만, 영구 자석에 권취 와이어 구조를 결합함으로써 국부적인 자기장 세기를 조절 할 수 있고, 그에 따라 타겟의 국부적인 침식을 방지할 수 있다.Further, in the magnet structure of the present invention, by directly winding a wire like an electromagnet in a permanent magnet, the strength of a magnetic field can be adjusted and a stronger magnetic field can be generated when using only a conventional permanent magnet. By forming the winding wire structure on the permanent magnet, a uniform magnetic field as a whole can be generated. That is, when only the existing permanent magnet is used, the intensity of the magnetic field is not uniform and the erosion near the edge of the target is increased. However, the local magnetic field strength can be controlled by combining the winding wire structure with the permanent magnet, It is possible to prevent erosion.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따르는 각각의 자석 구조체의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다. 이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 각 도면에 도시된 각각의 자석 구조체의 구조 및 기능에 대해 상세히 설명한다.1 to 3 are sectional views schematically showing the structure of each magnet structure according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, the structure and function of each magnet structure shown in each drawing will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3. FIG.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 영구 자석(100)은, 수직 방향으로 연장 형성되어 상기 와이어(200)가 권취되는 제1 부분(110); 및 상기 제1 부분의 상단 및 하단 중 하나 이상으로부터 수평 방향으로 연장 형성되고, 상기 와이어가 권취되지 않는 제2 부분(120);을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the permanent magnet 100 includes a first portion 110 extending in a vertical direction and wound with the wire 200; And a second portion (120) extending in the horizontal direction from at least one of the upper and lower ends of the first portion, wherein the wire is not wound.

본 발명의 영구 자석은 와이어가 권취되는 부분과, 와이어가 권취되지 않는 부분으로 나누어진다. 본 발명을 설명하기 위하여 영구 자석 중, 와이어가 권취되는 부분을 포함하는 영역을 제1 부분, 제1 부분을 제외한 와이어가 권취되지 않는 나머지 부분을 포함하는 영역을 제2 부분이라고 지칭한다. The permanent magnet of the present invention is divided into a portion where the wire is wound and a portion where the wire is not wound. In order to explain the present invention, the region including the portion where the wire is wound is referred to as a first portion, and the region including the remaining portion except for the first portion is not referred to as a second portion.

제1 부분은 수직 방향으로 연장 형성되는 기둥과 같은 구조로 형성될 수 있다. 제1 부분에는 와이어가 접촉되어 권취된다. 와이어는 적어도 1회 이상 기둥을 권취할 수 있다. 즉, 와이어는 수직 기둥 구조에 접촉되어 기둥을 감싸도록 둘러 감길 수 있다. 따라서 제1 부분의 수직 방향 길이에 따라 권취되는 와이어의 높이가 결정될 수 있다.The first portion may be formed in the same structure as the column extending in the vertical direction. A wire is wound around the first portion. The wire can be wound at least one time. That is, the wire may be wrapped around the column to contact the vertical column structure. Therefore, the height of the wire wound along the vertical length of the first portion can be determined.

이 때, 상기 기둥의 평단면은 원, 사각형, 오각형 또는 육각형 구조일 수 있으며, 와이어가 권취될 수 있는 기둥의 형상이라면 본 발명에서 그 형상을 특별히 한정하지 아니한다. 이러한 수직 방향으로 연장 형성된 제1 부분의 적어도 일부에 와이어가 권취된다.At this time, the flat cross section of the column may be a circle, a rectangle, a pentagon, or a hexagonal structure, and the shape of the column is not particularly limited in the present invention as long as it is a column in which the wire can be wound. The wire is wound on at least a part of the first portion extending in the vertical direction.

제2 부분은 상기 제1 부분의 상단, 하단 또는 둘 다로부터 수평 방향으로 연장 형성될 수 있다. 제2 부분은 수평 방향으로 연장 형성되어, 복수 개의 자석 구조체가 연결되어 형성되는 자석 유닛을 제조하는 과정에서, 인접하는 자석 구조체와의 관계에서 쇼트를 방지하기 위한 절연체 기능을 할 수 있다. 인접하는 자석 구조체 또한 전류가 흐르는 와이어가 구비될 것이므로, 제2 부분이 수평 방향으로 연장 형성되어, 와이어와 와이어 간 직접적으로 맞닿아 발생하는 문제를 방지할 수 있다.The second portion may extend horizontally from the top, bottom or both of the first portions. The second portion extends in the horizontal direction and can function as an insulator for preventing a short circuit in relation to an adjacent magnet structure in the process of manufacturing a magnet unit in which a plurality of magnet structures are connected and formed. It is possible to prevent the problem that the second portion is extended in the horizontal direction and is caused to directly contact the wire and the wire because the adjacent magnet structure will also be equipped with the current-carrying wire.

제2 부분은 제1 부분의 수평방향 양쪽으로 연장 형성되는 것일 수 있다. 제1 부분의 상단, 하단 또는 둘 다로부터 양쪽으로 연장 형성되는 제2 부분의 길이가 동일한 것일 수 있다. 일 예로서 제1 부분은 제2 부분의 중심에 위치하는 것일 수 있다. 또한, 설계에 따라 양쪽으로 연장 형성되는 제2 부분의 길이는 서로 상이한 것일 수도 있다. 이 때, 제1 부분은 제2 부분의 중심에 위치하지 않는 것일 수 있다.The second portion may be formed to extend in both the horizontal direction of the first portion. The length of the second portion extending from the top, bottom or both of the first portions may be the same. As an example, the first portion may be located at the center of the second portion. In addition, the lengths of the second portions extended to both sides according to the design may be different from each other. At this time, the first portion may not be located at the center of the second portion.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 부분의 수평 방향 길이(도 1(a)의 Ⅰ)는, 상기 제1 부분 단면의 수평 방향 길이(도 1(a)의 Ⅱ) 및 상기 와이어 단면의 총 두께(도 1(a)의 Ⅲ+Ⅲ')의 합보다 큰 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the horizontal length (I in Fig. 1 (a) of the second portion) is determined by the length in the horizontal direction of the first partial section (II in Fig. (III + III 'in Fig. 1 (a)).

상기 제2 부분의 수평 방향 길이가 상기 제1 부분 단면의 수평 방향 길이 및 와이어 단면의 총 두께의 합보다 커짐으로써, 복수 개의 자석 구조체가 배열될 때 상기 자석 구조체의 와이어(200)가 인접하는 자석 구조체의 와이어와 맞닿지 않도록 될 수 있다. 이로써 전류가 흐르는 와이어와 와이어가 서로 맞닿아 쇼트가 발생하는 위험 등을 방지하는 효과가 있다. 이와 같이 제2 부분의 수평 방향 길이를 제1 부분 단면의 수평 방향 길이 및 와이어 단면의 총 두께의 합보다 크게 형성함으로써, 본 발명의 자석 구조체를 복수 개 연결하여 이용할 경우에도 복수 개 자석 구조체 간의 절연이 이루어 질 수 있다. The horizontal length of the second portion is greater than the sum of the horizontal length of the first section and the total thickness of the wire section so that when the plurality of magnet structures are arranged, It can be prevented from coming into contact with the wires of the structure. This has the effect of preventing the risk that short-circuiting occurs due to the contact of the current-carrying wire and wire. By thus forming the second portion in the horizontal direction longer than the sum of the horizontal length of the first partial cross section and the total thickness of the wire cross section, even when a plurality of the magnet structures of the present invention are connected and used, Can be achieved.

한편, 제1 부분의 수직 방향 길이가 길고, 제2 부분의 수평 방향 길이가 길 수록 와이어의 권취 횟수가 증가할 수 있다. 이는 제1 부분의 수직 방향이 길수록 와이어가 권취 될 수 있는 제1 부분의 면적이 넓어질 수 있기 때문이다. 또한, 이는 제2 부분의 수평 방향 길이가 길수록 와이어가 권취되어 형성되는 와이어 단면의 총 두께가 두껍게 형성될 수 있기 때문이다. On the other hand, the longer the length of the first part in the vertical direction and the longer the length of the second part in the horizontal direction, the greater the number of times the wire is wound. This is because the longer the vertical direction of the first part, the wider the area of the first part where the wire can be wound. This is because the longer the horizontal length of the second portion, the greater the total thickness of the wire cross-section formed by winding the wire.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 부분(120)은 수직 방향으로 연장 형성되는 하나 이상의 가지부(122)를 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the second portion 120 may include one or more branches 122 extending in the vertical direction.

한편, 제2 부분은 도 2 및 도 3과 같이 수직 방향으로 연장 형성되는 하나 이상의 가지부가 형성될 수 있다. 가지부는 수평 방향으로 연장 형성된 제2 부분의 양 말단에서 도 2과 같이 연결되어 형성될 수 있다. 제2 부분의 양 말단에서 가지부가 연장 형성될 경우 90도 눕혀놓은 E 형상과 같은 구조체를 형성하게 될 수 있다.On the other hand, the second portion may be formed with one or more branches extended in the vertical direction as shown in Figs. The branches may be formed at both ends of the second portion extending in the horizontal direction as shown in FIG. When the branch portions are extended at both ends of the second portion, a structure such as an E shape lying down by 90 degrees may be formed.

또한, 가지부는 수평 방향으로 연장 형성된 제2 부분의 일 말단에서만 도 3과 같이 연결되어 형성될 수 있다. 제2 부분의 일 말단에서 가지부가 연장 형성될 경우 90도 눕혀놓은 F 형상과 같은 구조체를 형성하게 될 수 있다.Also, the branches may be formed as shown in FIG. 3 only at one end of the second portion extending in the horizontal direction. And if the branch portion is extended at one end of the second portion, a structure such as an F-shape that is laid down at 90 degrees may be formed.

한편, 상기 가지부는 제2 부분의 일부에서 연장 형성되면 족하며 반드시 제2 부분의 말단에서 형성되어야 하는 것은 아니다. 또한 가지부는 반드시 한 개 또는 두 개만 형성되어야 하는 것도 아니다. 이 때, 상기 가지부의 수직 방향 길이는 도 2 및 도 3과 같이 제1 부분(110)의 수직 방향 길이와 동일하게 형성될 수 있다. 상기 가지부의 수직 방향 길이는 설계상의 편의에 따라 다양하게 변형하여 제1 부분의 수직 방향 길이보다 길거나 짧게 형성될 수도 있다.On the other hand, the branches may be formed to extend from a part of the second part, and it is not necessarily formed at the end of the second part. Also, the branch must not necessarily have only one or two branches. In this case, the vertical length of the branch portion may be the same as the vertical length of the first portion 110, as shown in FIGS. The length in the vertical direction of the branch portions may be variously modified according to design convenience, and may be longer or shorter than the vertical length of the first portion.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 영구 자석은 T 형상 구조체, I 형상 구조체, E 형상 구조체 및 F 형상 구조체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the permanent magnet may be any one selected from the group consisting of a T-shaped structure, an I-shaped structure, an E-shaped structure, and an F-shaped structure.

제2 부분은 도 1(a)와 같이 제1 부분의 상단으로부터 연장 형성되는 구조일 수 있다. 이 경우 상기 영구 자석은 T와 같은 형상 구조체를 이루게 될 수 있다. The second portion may be a structure extending from the top of the first portion as shown in Fig. 1 (a). In this case, the permanent magnet may form a shape structure such as T.

또한, 제2 부분은 설계상의 필요에 따라 도 1(b)와 같이 제1 부분의 상단 및 하단으로부터 모두 연장 형성되는 구조일 수 있으며, 이 경우 상기 영구 자석은 I와 같은 형상 구조체를 이루게 될 수 있다. 이 때, 제2 부분(120)의 상부 및 하부 구조체는 서로 동일 길이 및 폭을 가질 수 있다. 또한 상기 상부 및 하부 구조체(도 1(b)의 120)은 하나가 나머지 하나 보다 긴 길이 또는 짧은 길이, 넓은 폭 또는 좁은 폭으로 마련될 수도 있다. In addition, the second portion may be a structure that is extended from the upper end and the lower end of the first portion as shown in FIG. 1 (b) according to design needs. In this case, the permanent magnet may be formed into a shape structure such as I have. At this time, the upper and lower structures of the second portion 120 may have the same length and width as each other. Also, the upper and lower structures (120 in Fig. 1 (b)) may be provided with one longer than the other, or a shorter width, a larger width, or a narrower width.

또한, 제2 부분은 설계상의 필요에 따라 도 1(c)와 같이 제1 부분의 하단으로부터만 연장 형성되는 구조일 수도 있다. 이 경우 영구 자석은 뒤집어 놓은 T 형상 구조체, 즉 ㅗ와 같은 형상의 구조체를 형성할 수 있다. In addition, the second portion may have a structure extending from the lower end of the first portion as shown in Fig. 1 (c), depending on design needs. In this case, the permanent magnet can form an inverted T-shaped structure, that is, a structure having a shape such as..

본 발명의 와이어는, 도전성 재질로 이루어질 수 있다. 와이어(200)는 소정의 굵기를 갖는 알루미늄, 구리 등의 도전성 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 와이어는 표면에 절연성 물질이 코팅될 수 있다. 예를 들어, 에나멜, 폴리머 등이 도전성 와이어의 표면에 코팅될 수 있다. 와이어는 영구 자석의 제1 부분을 감도록 소정의 횟수로 권취될 수 있다. 이러한 와이어의 권취 수, 굵기 및 재질(즉 저항), 영구 자석의 재질 및 형상 등은 본 발명의 자석 구조체가 형성하는 자기장 세기를 결정하는 1차적인 요인이 된다. 그리고 권취 후 와이어에 인가되는 전압 및 전류 등을 조절함으로써 자석 구조체의 자기장의 세기를 제어할 수도 있으며 이는 본 발명의 자석 구조체가 형성하는 자기장 세기를 결정하는 2차적인 요인이 된다. 따라서 상기 1차적 요인과 2차적 요인을 종합적으로 제어함으로써 원하는 세기의 자기장을 구현할 수 있다.The wire of the present invention may be made of a conductive material. The wire 200 may be made of a conductive material such as aluminum or copper having a predetermined thickness. Further, the wire may be coated with an insulating material on its surface. For example, enamel, polymer, or the like may be coated on the surface of the conductive wire. The wire may be wound a predetermined number of times to wind the first portion of the permanent magnet. The winding number, thickness, material (i.e., resistance) of the wire, material and shape of the permanent magnet, etc. are primary factors for determining the magnetic field strength formed by the magnet structure of the present invention. The magnitude of the magnetic field of the magnet structure can be controlled by adjusting the voltage and current applied to the wire after winding. This is a secondary factor for determining the strength of the magnetic field formed by the magnet structure of the present invention. Therefore, a magnetic field of a desired intensity can be realized by controlling the primary factor and the secondary factor in a comprehensive manner.

한편, 와이어는 단일 층으로 이루어져 영구 자석을 권취할 수 있고, 적어도 둘 이상의 층을 형성하여 영구 자석을 권취할 수 있다.On the other hand, the wire is made of a single layer to wind the permanent magnet, and at least two layers can be formed to wind the permanent magnet.

도 1 에 도시된 자석 구조체는, 영구 자석의 제1 부분(110)을 와이어(200)가 세 바퀴 감은 구조가 도시되어 있다. 즉, 상기 제1 부분에 와이어가 세 겹의 층으로 권취되어 있다. The magnet structure shown in Fig. 1 has a structure in which the first portion 110 of the permanent magnet is wound around the wire 200 three times. That is, the first portion is wound with a three-layered wire.

자석 유닛Magnet unit

아래에서는 상술했던 자석 구조체를 요크 상에 복수 개 포함하도록 형성되는 자석 유닛에 대해 설명한다. 아래의 자석 유닛은 일종의 자석 단위체로서, 형성된 자석 유닛이 낱개로서 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석부로 이용될 수 있지만, 복수 개 구비되어 다양하게 배치된 형태로 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석부를 형성할 수도 있다. Hereinafter, a magnet unit formed to include a plurality of the above-described magnet structural bodies on a yoke will be described. The magnet unit shown below may be used as a magnet unit of the magnetron sputtering apparatus as a single magnet unit unit. However, a plurality of magnet units may be arranged in various arrangements to form a magnet unit of the magnetron sputtering apparatus.

도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따르는 자석 유닛의 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다. 아래에서는 도 4 및 도 5를 참조하여 자석 유닛 및 자석 유닛의 요크 상에 형성되는 제1 자석군 및 제2 자석군을 설명한다. 아래의 제1 자석군 및 제2 자석군은 복수 개의 자석 구조체가 연결되어 형성되는 것이다.4 and 5 are plan views schematically showing a structure of a magnet unit according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, the first magnet group and the second magnet group formed on the yokes of the magnet unit and the magnet unit will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. The first and second magnet groups are formed by connecting a plurality of magnet structures.

요크(310)는 평판 또는 원통형 형상일 수 있다. 요크(310)는 예를 들면 페라이트계의 스테인레스 등을 이용할 수 있다. 요크(310)의 일면 또는 표면 상에는 제1 자석군(20) 및 제2 자석군(30)이 설치되어 자석 유닛을 형성할 수 있다. 즉, 평판형 요크(310)의 일면 상에 제1 자석군 및 제2 자석군이 설치되거나, 원통형 요크의 표면에 제1 자석군 및 제2 자석군이 설치될 수 있다. 이 때, 형성된 자석 유닛은 제1 자석군 및 제2 자석군을 포함할 수 있고, 도 4 및 도 5에 도시된 자석 유닛의 형태 중 하나와 같이 배치될 수 있다. 또한, 도 4 및 도 5에 도시된 자석 유닛의 형태 중 둘 이상이 복수 개 연결되어 배치된 것일 수도 있다. 한편, 도 4 및 도 5에 도시된 자석 유닛의 형태들과는 또 다른 형태로 자석 유닛이 배치될 수도 있다. The yoke 310 may be in a flat or cylindrical shape. The yoke 310 may be made of, for example, ferritic stainless steel. A first magnet group 20 and a second magnet group 30 are provided on one surface or surface of the yoke 310 to form a magnet unit. That is, the first magnet group and the second magnet group may be provided on one surface of the plate yoke 310, or the first magnet group and the second magnet group may be provided on the surface of the cylindrical yoke. At this time, the formed magnet unit may include the first magnet group and the second magnet group, and may be arranged as one of the shapes of the magnet units shown in Figs. 4 and 5. In addition, two or more of the shapes of the magnet units shown in Figs. 4 and 5 may be connected and arranged. On the other hand, the magnet unit may be arranged in a form different from the forms of the magnet unit shown in Figs.

제1 자석군과 제2 자석군의 배치에 대해 상세히 설명하면, 제 1 자석군(20)은 요크(310)의 중앙부에 고정되고, 제2 자석군(30)은 제1 자석군과 이격되어 제1 자석군의 외측 주변에 고정될 수 있다. 여기서, 제1 자석군 및 제2 자석군의 높이 및 폭은 동일할 수 있다. 그러나, 제1 자석군의 폭이 제2 자석군보다 넓거나 좁을 수도 있고, 제1 자석군의 높이가 제2 자석군의 높이보다 높거나 낮을 수도 있는 등 설계상의 필요에 따라 상기 폭과 높이는 다양하게 변형이 가능하다.The first magnet group 20 is fixed to the center of the yoke 310 and the second magnet group 30 is spaced apart from the first magnet group And can be fixed to the outer periphery of the first magnet group. Here, the height and width of the first magnet group and the second magnet group may be the same. However, the width of the first group of magnets may be wider or narrower than that of the second group of magnets, and the height of the first group of magnets may be higher or lower than the height of the second group of magnets. .

제1 자석군은 요크의 일 면으로부터 소정의 높이로 형성되며 직선 형태 또는 폐루프(closed loop) 형상으로 마련될 수도 있다. 즉, 제1 자석군은 도 4에 도시된 바와 같이 소정의 길이 및 폭을 갖는 직선 형태로 마련될 수도 있고, 도 5에 도시된 바와 같이 폐루프 형태로 마련될 수도 있다. 직선 형태의 경우 즉 x축 방향으로 소정의 폭을 갖고 이와 직교하는 y축 방향으로 소정의 길이를 갖는 대략 바(bar) 형상으로 마련될 수 있다. 이때, x축 방향은 마그네트론 스퍼터링 장치에서 기판의 이동 방향과 동일한 것일 수 있다. 폐루프 형태의 제1 자석군(20)은 도 5에 도시된 바와 같이 서로 소정 간격 이격되며 동일 길이의 제1 장변부 및 제2 장변부(22a, 22b)와 제1 장변부 및 제2 장변부의 가장자리에 제1 장변부 및 제2 장변부 사이를 연결하도록 형성된 제1 단변부 및 제2 단변부(24a, 24b)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 단변부 및 제2 단변부는 직선 형태로 마련되어 제1 장변부 및 제2 장변부의 가장자리를 연결할 수 있다. 따라서, 제1 자석군(20)은 장변부 및 단변부가 직사각형의 형상을 이루도록 마련될 수 있다. 그러나, 제1 자석군은 직사각형의 형상뿐 만 아니라 원형 또는 폐루프 형상을 갖는 다양한 형상으로 마련될 수 있다. 예를 들어, 장변부와 단변부가 만나는 모서리 부분이 라운드 하게 형성될 수도 있다. 또한, 제1 자석군의 장변부는 요크의 중앙부로부터 소정 간격 이격되어 마련될 수 있다.The first magnet group is formed at a predetermined height from one surface of the yoke and may be provided in a linear shape or a closed loop shape. That is, the first magnet group may be provided in a straight line shape having a predetermined length and width as shown in FIG. 4, or may be provided in a closed loop shape as shown in FIG. And may be provided in a substantially bar shape having a predetermined width in the x-axis direction and a predetermined length in the y-axis direction orthogonal to the x-axis direction. At this time, the x-axis direction may be the same as the moving direction of the substrate in the magnetron sputtering apparatus. The first group of magnets 20 in the form of a closed loop has a first long side portion and a second long side portion 22a, 22b which are spaced apart from each other by a predetermined distance and have the same length, a first long side portion and a second long side portion And a first short side portion and a second short side portion 24a, 24b formed so as to connect between the first long side portion and the second long side portion at the edge of the portion. Here, the first short side and the second short side may be provided in a straight line to connect the edges of the first long side and the second long side. Accordingly, the first magnet group 20 may be provided such that the long side portion and the short side portion have a rectangular shape. However, the first magnet group may be provided in various shapes having a circular or closed loop shape as well as a rectangular shape. For example, the corner portion where the long side portion and the short side portion meet may be rounded. The long side of the first magnet group may be spaced apart from the center of the yoke by a predetermined distance.

제2 자석군(30)은 제1 자석군(20)과 소정 간격 이격되며, 제1 자석군(20)의 외측에 마련될 수 있다. 본 발명의 일 예에서, 제2 자석군(30)은 직선 형상 또는 폐루프 형상을 형성하는 제1 자석군(20)의 외측에 마련될 수 있다. 이러한 제2 자석군은 제1 자석군과 상이한 형상 또는 유사한 형상으로 마련될 수 있다. 제2 자석군은 폐루프 형상으로 마련될 수 있다. 폐루프 형상의 제2 자석군은 도 5에 도시된 바와 같이 제1 자석군의 제1 장변부 및 제2 장변부(22a, 22b)와 소정 간격 이격되고 이보다 길게 제3 장변부 및 제4 장변부(32a, 32b)가 마련될 수 있고, 제3 장변부 및 제4 장변부의 가장자리에서 제3 장변부 및 제4 장변부를 서로 연결하도록 제3 단변부 및 제4 단변부(34a, 34b)가 마련될 수 있다. 따라서, 제2 자석군(30)은 장변부(32a, 32b) 및 단변부(34a, 34b)가 직사각형의 형상을 이루면서 제1 자석군(20)을 둘러싸도록 마련될 수 있다. 그러나, 제2 자석군(30)은 직사각형의 형상뿐만 아니라 폐루프 형상을 갖는 다양한 형상으로 마련될 수 있다. 예를 들어, 장변부와 단변부 가 만나는 모서리 부분이 라운드 하게 형성될 수도 있다.The second magnet group 30 is spaced apart from the first magnet group 20 by a predetermined distance and may be provided outside the first magnet group 20. In one example of the present invention, the second magnet group 30 may be provided outside the first magnet group 20 forming a linear shape or a closed loop shape. The second magnet group may be provided in a shape different from or similar to the first magnet group. The second magnet group may be provided in a closed loop shape. As shown in Fig. 5, the second magnet group of the closed loop shape is spaced apart from the first long side portion and the second long side portions 22a, 22b of the first magnet group by a predetermined distance, and the third long side portion and the fourth long side And third and fourth short side portions 34a and 34b are formed so as to connect the third long side portion and the fourth long side portion to each other at the edges of the third long side portion and the fourth long side portion . Accordingly, the second magnet group 30 may be provided so as to surround the first magnet group 20 while the long side portions 32a and 32b and the short side portions 34a and 34b have a rectangular shape. However, the second magnet group 30 may be provided in various shapes having a closed loop shape as well as a rectangular shape. For example, the corner portion where the long side portion and the short side portion meet may be rounded.

한편, 상기 제1 자석군과 제2 자석군을 형성하는 자석 구조체들은, 각각 서로 다른 극성을 갖도록 형성될 수 있다. 즉, 제1 자석군을 형성하는 영구 자석이 N극을 갖는다면 제2 자석군을 형성하는 영구 자석은 S극을 갖고, 제1 자석군의 영구 자석이 S극을 갖는다면 제2 자석군의 영구 자석은 N극을 가질 수 있다. Meanwhile, the magnet structures forming the first magnet group and the second magnet group may be formed to have different polarities from each other. That is, if the permanent magnet forming the first magnet group has the N pole, the permanent magnet forming the second magnet group has the S pole, and if the permanent magnet of the first magnet group has the S pole, The permanent magnet may have N poles.

따라서, 제1 자석군(20)이 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 일자 형태를 가지면 자석 유닛의 영구 자석은 S-N-S의배열을 갖거나 N-S-N의 배열을 가질 수 있다. 또한, 제1 자석군이 도 6에 도시된 바와 같이 폐루프 형태를 가지면 자석 유닛의 영구 자석은 S-N-N-S의 배열을 갖거나 N-S-S-N의 배열을 가질 수 있다. 그러나, 본 발명은 극성이 다른 두 자석으로 이루어진 자석 유닛이 복수 마련되는 경우 뿐만 아니라 복수의 자석이 극성이 다르게 배열되는 경우도 포함될 수 있으므로 N-S-...-S-N로 자석의 배열이 이루어질 수도 있다. Therefore, if the first magnet group 20 has a linear shape as shown in FIGS. 4 and 5, the permanent magnet of the magnet unit may have an arrangement of S-N-S or an arrangement of N-S-N. Further, if the first magnet group has a closed loop shape as shown in FIG. 6, the permanent magnet of the magnet unit may have an arrangement of S-N-N-S or an arrangement of N-S-S-N. However, since the present invention can include not only a case where a plurality of magnet units including two magnets of different polarities are provided but also a case where a plurality of magnets are arranged with different polarities, the arrangement of magnets may be made of NS -...- SN .

본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 유닛은, 요크; 및 상기 요크 상에 구비된 복수 개의 본 발명의 일 실시예에 따르는 자석 구조체;를 포함하고, 상기 복수 개의 자석 구조체는, 서로 직렬 구조, 병렬 구조 또는 둘 다를 포함하는 구조로 연결 배치 되는 것일 수 있다.A magnet unit of a magnetron sputtering apparatus of the present invention comprises: a yoke; And a plurality of magnet structures according to an embodiment of the present invention provided on the yokes, wherein the plurality of magnet structures may be connected in a structure including a series structure, a parallel structure, or both .

본 발명의 일 실시예에서 제공하는 상기 자석 구조체는 앞서 설명한 것과 같이 복수 개 구비되어 자석 유닛을 형성할 수 있다. 이 때 자석 구조체는 요크 상에 구비될 수 있으며, 복수 개의 자석 구조체는 서로 직렬 또는 병렬 연결되는 구조를 형성할 수 있다. 상기 요크 상에는 도 1 내지 도 3 중 어느 하나와 같은 자석 구조체의 배치를 가지는 자석 유닛이 형성될 수 있다. 자석 유닛에 포함되는 자석 구조체의 수는 스퍼터링 장치의 사이즈에 따라 결정될 수 있다. 대면적의 기판에 스퍼터링이 필요할 경우 더 많은 자석 구조체를 포함하는 자석 유닛이 필요할 수도 있다.As described above, a plurality of the magnet structures provided in the embodiment of the present invention may be provided to form the magnet unit. At this time, the magnet structure may be provided on the yoke, and the plurality of magnet structures may be connected in series or parallel. A magnet unit having the arrangement of the magnet structure as shown in any of Figs. 1 to 3 may be formed on the yoke. The number of magnet structures included in the magnet unit may be determined according to the size of the sputtering apparatus. If sputtering is required on a large area substrate, a magnet unit comprising more magnet structures may be required.

도 6 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따르는 각각의 자석 유닛을 x축 방향에서 바라본 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.FIGS. 6 to 8 are cross-sectional views schematically showing a structure of each magnet unit according to an embodiment of the present invention viewed from the x-axis direction.

도 6의 경우, 도 1(a)에 도시된 T 자형 영구 자석을 포함하는 자석 구조체가 인접하도록 반복 배치된 구조가 도시되어 있다. 상기 도 6을 참조하면 요크(310) 상에 자석 구조체가 접착층(320)으로 고정되어 있는 구조를 확인할 수 있다. 이와 같이 자석 구조체와 요크 사이에는 고정된 구조체를 확보하기 위해 접착제를 이용하여 접착층을 형성할 수도 있다. 또한, 도시하지는 않았으나 자석 구조체와 요크 사이를 볼트를 이용하여 고정함으로써 상기 고정된 구조체를 확보할 수도 있다. 본 발명에서 상기 요크 상에 자석 구조체를 고정하기 위한 방법은 접착제를 이용하거나 볼트를 이용하는 것 외에도 추가적인 다양한 수단이 이용될 수 있다. 도 7의 경우, 도 1(a)에 도시된 T자형 영구 자석을 포함하는 자석 구조체와 도 2에 도시된 E자형 영구 자석을 포함하는 자석 구조체가 교차로 인접하도록 반복 배치된 구조가 도시되어 있다.In the case of Fig. 6, a structure in which the magnet structure including the T-shaped permanent magnet shown in Fig. 1 (a) is repeatedly disposed adjacent thereto is shown. Referring to FIG. 6, it can be seen that the magnet structure is fixed on the yoke 310 with the adhesive layer 320. In this way, an adhesive layer may be formed between the magnet structure and the yoke using an adhesive to secure a fixed structure. In addition, although not shown, the fixed structure may be secured by fixing a bolt between the magnet structure and the yoke. In the present invention, a method for fixing the magnet structure on the yoke may be various other means besides using an adhesive or using a bolt. In the case of Fig. 7, a structure in which the magnet structure including the T-shaped permanent magnet shown in Fig. 1 (a) and the magnet structure including the E-shaped permanent magnet shown in Fig. 2 are repeatedly arranged so as to be adjacent to each other is shown.

도 8의 경우, 도 2에 도시된 E자형 영구 자석을 포함하는 자석 구조체가 인접하도록 반복 배치된 구조가 도시되어 있다.In the case of Fig. 8, a structure in which the magnet structures including the E-shaped permanent magnets shown in Fig. 2 are repeatedly arranged adjacent to each other is shown.

이 때 요크 상에 형성되는 자석 구조체들 각각은 서로 직렬 구조, 병렬 구조또는 둘 다를 포함하는 구조로 연결 배치 될 수 있다. At this time, each of the magnet structures formed on the yoke may be connected and arranged in a structure including a series structure, a parallel structure, or both.

본 발명의 일 실시예에 따르는 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 유닛은, 상기 자석 구조체 각각의 와이어에 가해지는 전압 및 전류 중 하나 이상을 조절하여 상기 자석 유닛의 적어도 일 영역이 타 영역과 다른 자기장의 세기를 갖도록 제어가 가능한 것일 수 있다. The magnet unit of the magnetron sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention adjusts at least one of a voltage and a current applied to a wire of each of the magnet structures so that at least one region of the magnet unit has different intensity Or the like.

구체적인 일 예로서, 개별적인 전원을 설치하여 상기 일 영역에 위치한 자석 구조체들에는 높은 전류를 가하고 타 영역에 위치한 자석 구조체들에는 낮은 전류를 가하여 상기 자석 유닛의 일 영역과 타 영역이 서로 다른 자기장의 세기를 갖도록 제어할 수 있다. 또 다른 일 예로서, 일 영역에 위치하는 자석 구조체들과 타 영역에 위치하는 자석 구조체들에 설치된 와이어에 흐르는 전류를 차단할 수 있는 스위치(switch) 또는 릴레이(relay)를 설치하여 회로의 연결을 제어함으로써 상기 자석 유닛의 일 영역과 타 영역이 서로 다른 자기장의 세기를 갖도록 제어할 수 있다. As a specific example, a separate power source is installed to apply a high current to the magnet structures located in one region and apply a low current to the magnet structures located in another region, so that one region and another region of the magnet unit have different magnetic field strengths As shown in Fig. As another example, a switch or a relay, which can block the current flowing in the wires installed in the magnet structures located in one region and the magnet structures located in another region, So that one region and the other region of the magnet unit have different magnetic field intensities.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 복수 개의 자석 구조체는, N극, 또는 S극 중 선택된 하나의 자극을 갖는 제1 자석군; 및 N극, 또는 S극 중 상기 제1 자석군과 다른 자극을 갖는 제2 자석군;을 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the plurality of magnet structures may include: a first magnet group having a magnetic pole of a selected one of an N pole and an S pole; And a second magnet group having N poles or S poles different from those of the first magnet group.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 자석군은 상기 제1 자석군 외측에 배치된 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the second magnet group may be disposed outside the first magnet group.

마그네트론magnetron 스퍼터링Sputtering 장치 Device

본 발명에서 설명하는 마그네트론 스퍼터링 장치는 자석부를 하나 이상 포함하며, 자석부에는 상술했던 자석 유닛이 하나 이상 구비된다. 이하, 마그네트론 스퍼터링 장치 및 마그네트론 스퍼터링 장치를 구성하는 각 부분에 대해서 설명한다.The magnetron sputtering apparatus described in the present invention includes at least one magnet unit, and at least one of the above-described magnet units is provided in the magnet unit. Hereinafter, each part constituting the magnetron sputtering apparatus and the magnetron sputtering apparatus will be described.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따르는 마그네트론 스퍼터링 장치의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.9 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a magnetron sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따르는 스퍼터링 장치를 도시한 도 9를 참조하면, 본 발명에서 제공하는 스퍼터링 장치는 자석 유닛(630)과, 백킹 플레이트(650), 타겟(640) 및 기판 안착부(620)를 포함할 수 있다. 상기 기판 안착부 상에는 그 표면에 스퍼터링 된 층이 형성되는 기판(610)이 구비된다. 또한, 자석 유닛(630)은 요크(310)와, 중앙의 제1 자석군 및 제1 자석군 외측의 제2 자석군을 포함할 수 있다. 상기 각각의 자석군은 영구 자석(100) 및 영구 자석을 권취하는 와이어(200)로 구성될 수 있다.9 showing a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention, a sputtering apparatus provided in the present invention includes a magnet unit 630, a backing plate 650, a target 640, and a substrate seating portion 620 ). A substrate 610 on which a sputtered layer is formed is provided on the substrate seating portion. In addition, the magnet unit 630 may include a yoke 310, a first magnet group at the center, and a second magnet group outside the first magnet group. Each of the magnet groups may be constituted by a permanent magnet 100 and a wire 200 for winding a permanent magnet.

여기서, 기판 안착부(620)와 자석 유닛(630)은 서로 대향되도록, 즉 서로 마주보도록 마련될 수 있다. 이때, 기판 안착부는 장치 내에 상측, 하측 또는 측부에 마련될 수 있고, 이와 마주보도록 자석 유닛이 마련될 수 있다. 예를 들어, 기판 안착부가 하측에 마련되면 자석 유닛은 상측에 마련되고, 기판 안착부가 상측에 마련되면 자석 유닛은 하측에 마련될 수 있다. 또한, 기판 안착부가 측면에 수직으로 마련될 경우 자석 유닛은 이와 대면하는 타 측면에 마련될 수 있다. Here, the substrate seating part 620 and the magnet unit 630 may be arranged to face each other, that is, to face each other. At this time, the substrate seating portion may be provided on the upper side, the lower side, or the side portion in the apparatus, and a magnet unit may be provided so as to face the substrate seating portion. For example, if the substrate seating portion is provided on the lower side, the magnet unit is provided on the upper side, and if the substrate seating portion is provided on the upper side, the magnet unit may be provided on the lower side. Further, when the substrate seating portion is provided perpendicularly to the side surface, the magnet unit may be provided on the other side facing the magnet.

도 9에 도시된 자석 유닛(630)은 기판과 대향하도록 마련되며, 요크(310), 요크 상에 형성된 중앙의 제1 자석군 및 제1 자석군 좌측 및 우측에 구비된 제2 자석군을 포함할 수 있다. 제1자석군 및 제2자석군은 복수 개의 자석 구조체가 연결된 구조를 포함한다. 또한, 도 9에서는 예시적으로 한 개의 자석 유닛이 도시되어 있지만, 상기 자석 유닛은 둘 이상 마련될 수 있고, 상기 자석 유닛은 x축 방향, x축 방향과 직교하는 y축 방향 및 x축 방향과 y축 방향에 모두 직교하는 z축 방향 중 하나 이상의 방향으로 왕복 이동할 수도 있다. The magnet unit 630 shown in FIG. 9 is provided to face the substrate and includes a yoke 310, a central first magnet group formed on the yoke, and a second magnet group provided on the left and right sides of the first magnet group can do. The first magnet group and the second magnet group include a structure in which a plurality of magnet structures are connected. Although one magnet unit is illustrated as an example in Fig. 9, two or more of the magnet units may be provided, and the magnet unit may be arranged in the x-axis direction, in the y-axis direction orthogonal to the x- and may be reciprocally moved in at least one direction of the z-axis direction orthogonal to the y-axis direction.

자석 유닛보다 큰 대면적 기판에 박막을 증착하는 경우에 자석 유닛(630)은 둘 이상 구비될 수 있다. 이때, 적어도 둘 이상의 자석 유닛은 동일 크기 및 동일 구조로 마련되고 동일 간격으로 이격될 수 있다.In the case of depositing a thin film on a large-area substrate larger than the magnet unit, two or more magnet units 630 may be provided. At this time, at least two or more magnet units may have the same size and the same structure and may be spaced at equal intervals.

백킹Backing 플레이트 plate

백킹 플레이트(650)는 자석 유닛(630)과 기판 안착부(620) 사이에 마련된다. 또한, 백킹 플레이트의 일면에는 타겟(640)이 고정된다. 즉, 타겟은 기판(610)과 대면하는 백킹 플레이트의 일면에 고정된다. 한편, 백킹 플레이트를 마련하지 않고, 자석 유닛 상측에 타겟을 마련하는 것도 가능하다. The backing plate 650 is provided between the magnet unit 630 and the substrate seating portion 620. A target 640 is fixed to one surface of the backing plate. That is, the target is fixed to one surface of the backing plate facing the substrate 610. On the other hand, it is possible to provide a target on the upper side of the magnet unit without providing a backing plate.

타겟target

타겟(640)은 백킹 플레이트(650)에 고정되며, 기판(610)에 증착될 물질로 구성된다. 이러한 타겟(640)은 금속 물질 또는 금속 물질을 포함하는 합금일 수 있다. 또한, 타겟(640)은 금속 산화물, 금속 질화물 또는 유전체일 수도 있다.The target 640 is fixed to the backing plate 650 and is composed of a material to be deposited on the substrate 610. The target 640 may be a metal material or an alloy including a metal material. In addition, the target 640 may be a metal oxide, a metal nitride, or a dielectric.

예를 들어, 타겟은 Mg, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Al, In, C, Si 및 Sn 등에서 선택되는 원소를 주성분으로 하는 재료가 이용될 수 있다. 한편, 백킹 플레이트(650)와 타겟(640)은 총 두께가 5 mm 내지 50 mm 정도로 형성될 수 있다.For example, the target may be an element selected from Mg, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Al, In, C, A material which is a main component may be used. On the other hand, the backing plate 650 and the target 640 may have a total thickness of about 5 mm to 50 mm.

기판 Board 안착부Seat portion

기판 안착부(620)는 증착 물질이 기판(610)에 균일하게 증착될 수 있도록 기판을 고정한다. 기판 안착부는 기판이 안착되면 고정 수단 등을 이용하여 기판의 가장자리를 고정하거나, 기판의 뒷면에서 기판을 고정할 수 있다. 기판 안착부는 기판의 뒷면을 모두 지지하여 고정하기 위해 기판의 형상을 갖는 대략 사각형 또는 원형의 형상으로 마련될 수 있다. 또한, 기판 안착부는 기판의 가장자리 부분을 고정하기 위해 소정 길이를 갖는 네 개의 바가 상하좌우에 소정 간격 이격되어 마련되고 바의 가장자리가 서로 접촉됨으로써 중앙부가 빈 사각의 틀 형상으로 마련될 수 있다. 한편, 기판 안착부는 기판이 안착된 상태에서 일 방향으로 이동할 수 있다. 예를 들어, 일 방향으로 진행하면서 기판 상에 박막을 증착할 수 있다. 따라서, 기판 안착부의 기판이 안착되지 않은 면에는 기판 안착부를 이동시키는 이동 수단(미도시)이 마련될 수 있다. 이동 수단은 기판 안착부와 접촉하여 이동시키는 롤러와, 기판 안착부와 이격되어 자기력으로 이동시키는 자기 이송 수단 등을 포함할 수 있다. 물론, 기판 안착부의 일부가 이동 수단으로 기능할 수도 있다.The substrate seating portion 620 fixes the substrate so that the deposition material can be uniformly deposited on the substrate 610. When the substrate is seated, the substrate seating part can fix the edge of the substrate using fixing means or the like, or fix the substrate on the back side of the substrate. The substrate seating portion may be provided in a substantially rectangular or circular shape having the shape of a substrate for supporting and fixing the entire rear surface of the substrate. In order to fix the edge portion of the substrate, the substrate seating portion may be provided with four bars having predetermined lengths spaced vertically and horizontally by a predetermined distance, and the edges of the bars may be in contact with each other, On the other hand, the substrate seating part can move in one direction in a state where the substrate is seated. For example, a thin film can be deposited on a substrate while proceeding in one direction. Therefore, a moving means (not shown) for moving the substrate seating portion may be provided on a surface of the substrate seating portion on which the substrate is not mounted. The moving means may include a roller that moves in contact with the substrate seating portion, and magnetic transport means that moves away from the substrate seating portion by magnetic force. Of course, a part of the substrate seating portion may function as a moving means.

또한, 정지형 스퍼터링 장치일 경우 고정 수단이 필요하지 않을 수 있다. 이때, 기판 안착부(620)는 기판(610)을 리프트 시키는 리프트 핀이 구비될 수도 있다.Also, in the case of a stationary sputtering apparatus, a fixing means may not be necessary. At this time, the substrate seating portion 620 may be provided with a lift pin for lifting the substrate 610.

그러나, 정지형 스퍼터링 장치에서 수직으로 스퍼터링할 경우 기판을 기립시키고 고정하는 고정 수단이 구비될 수 있다. 한편, 기판은 반도체, FPD(LCD, OLED 등), 태양 전지 등을 제조하기 위한 기판일 수 있으며, 실리콘 웨이퍼, 글래스 등 일 수 있다. 또한, 기판은 롤투롤에 적용되는 필름형 기판일 수도 있다. 본 실시예에서 기판은 글래스 등의 대면적 기판을 이용한다.However, fixing means for standing up and fixing the substrate when sputtering vertically in a stationary sputtering apparatus can be provided. Meanwhile, the substrate may be a substrate for manufacturing a semiconductor, an FPD (LCD, OLED, etc.), a solar cell, or the like, and may be a silicon wafer, glass, or the like. Further, the substrate may be a film-type substrate which is applied to roll-to-roll. In this embodiment, a large-area substrate such as glass is used as the substrate.

본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치는, 기판이 안착되는 기판 안착부; 상기 기판 안착부와 대향되고 소정 간격 이격되어 구비되는 하나 이상의 자석부; 및 상기 기판 안착부와 자석부 사이에 설치되는 하나 이상의 타겟부;를 포함하고, 상기 자석부는 본 발명의 일 실시예에 따르는 자석 유닛을 하나 이상 포함하는 것일 수 있다.A magnetron sputtering apparatus of the present invention includes: a substrate seating part on which a substrate is placed; At least one magnet portion facing the substrate seating portion and spaced apart at a predetermined interval; And at least one target portion provided between the substrate seating portion and the magnet portion, and the magnet portion may include at least one magnet unit according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 예에 따르면, 상기 자석부는 상기 타겟부의 가장자리로부터 길이 방향의 30 % 이내에 구비된 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the magnet portion may be provided within 30% of the longitudinal direction from the edge of the target portion.

예를 들어, 타겟의 침식이 가장 많은 부분(즉 타겟의 가장자리로부터 길이 방향)으로 30% 이내의 영역에 자석부를 배치할 수 있다. 즉, 타겟의 침식은 가장자리 부분에서 많이 발생하는데, 그 부분과 대향하는 위치에 자석 구조체를 마련하고 와이어에 인가되는 전압, 전류 등을 조절하여 자기장의 세기를 제어할 수 있다. 결과적으로 타겟의 침식이 과하게 발생하는 부분의 자기장의 세기를 조절하여 전체적으로 균질한 정도의 침식도를 형성하고 국부적인 과도 침식 현상을 방지할 수 있는 것이다. For example, the magnet portion can be disposed in an area of 30% or less in the portion where the erosion of the target is greatest (that is, the longitudinal direction from the edge of the target). That is, the erosion of the target occurs at the edge portion, and the magnet structure can be provided at a position facing the portion, and the intensity of the magnetic field can be controlled by adjusting the voltage, current, and the like applied to the wire. As a result, the strength of the magnetic field at the portion where the erosion of the target is excessively generated can be controlled to form an overall erosion degree to a homogeneous level and to prevent a local transient erosion phenomenon.

본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 자석 유닛의 영구 자석 상면과 상기 타겟부 상면 간의 거리는 30 mm 내지 90 mm 인 것일 수 있다. 영구 자석 상면과 타겟부 상면 간의 상기 거리는 타겟부의 두께, 백킹 플레이트의 두께, 백킹 플레이트와 자석 유닛간의 거리 등을 고려한 값으로서, 상기 거리가 30 mm 미만으로 너무 가깝게 되면 플라즈마가 안정적으로 형성되지 못하거나 자장 효율이 떨어지는 문제가 생길 수 있고, 90 mm 를 초과하여 너무 멀어지게 되면 타겟부 주위에서 자기장이 약하게 형성되는 문제가 생길 수 있다. 한편, 백킹 플레이트가 포함되지 않은 마그네트론 스퍼터링 장치의 경우에는, 백킹 플레이트의 두께 만큼 상기 영구 자석 상면과 상기 타겟부 상면 간의 거리를 더 좁게 형성할 수도 있는데 이 경우, 영구 자석 상면과 타겟부 상면 간의 상기 거리는 대략 10 mm 정도까지도 단축될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a distance between the upper surface of the permanent magnet of the magnet unit and the upper surface of the target portion may be 30 mm to 90 mm. The distance between the upper surface of the permanent magnet and the upper surface of the target portion is a value in consideration of the thickness of the target portion, the thickness of the backing plate, the distance between the backing plate and the magnet unit, and if the distance is too close to 30 mm, There arises a problem that the magnetic field efficiency is inferior. When the distance exceeds 90 mm, the magnetic field may be weakly formed around the target portion. On the other hand, in the case of a magnetron sputtering apparatus not including the backing plate, the distance between the upper surface of the permanent magnet and the upper surface of the target portion may be narrower by the thickness of the backing plate. In this case, The distance can be shortened to about 10 mm.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따르는 마그네트론 스퍼터링 장치에 포함되는 자석 유닛을 y축 방향에서 바라본 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.10 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a magnet unit included in a magnetron sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention, viewed from the y-axis direction.

도 10은, 도 1(a)에 도시된 것과 같은 T자형 영구 자석을 포함하는 자석 구조체가 복수 개 형성된 자석 유닛의 단면을 y축 방향에서 바라본 구조에 해당한다. Fig. 10 corresponds to a structure in which a cross section of a magnet unit having a plurality of magnet structures including T-shaped permanent magnets as shown in Fig. 1 (a) is viewed in the y-axis direction.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 자석부는, 상기 자석 구조체의 적어도 일 측에 마련된 냉각 수단(410)을 더 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the magnet portion may further include a cooling means (410) provided on at least one side of the magnet structure.

한편, 본 발명에 따르는 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석부에 포함되는 자석 구조체는, 와이어에 소정의 전류 또는 전압이 인가되면 자석 구조체가 점점 가열될 수 있다. 따라서, 자석 구조체를 냉각시키기 위한 냉각 수단이 상기 자석 구조체의 적어도 일 측에 마련될 수 있다.Meanwhile, in the magnet structure included in the magnet portion of the magnetron sputtering apparatus according to the present invention, when a predetermined current or voltage is applied to the wire, the magnet structure may be gradually heated. Therefore, a cooling means for cooling the magnet structure can be provided on at least one side of the magnet structure.

여기서, 자석 구조체가 복수 개 결합되어 수평 방향으로 적어도 둘 이상 마련될 수 있고, 수평 방향으로 배치된 영구 자석들 사이에 상기 냉각 수단(410)이 마련될 수 있다. 냉각 수단은 물, 공기 또는 기타 냉매를 공급하는 냉매 공급부(미도시)와, 이들이 순환될 수 있는 냉매 순환로를 포함할 수 있다. 도 10의 실시예에 도시된 냉각 수단(410)은 냉매 순환로이다.At least two or more of the magnet structures may be coupled to each other in the horizontal direction, and the cooling unit 410 may be provided between the permanent magnets arranged in the horizontal direction. The cooling means may include a coolant supply portion (not shown) for supplying water, air or other coolant, and a coolant circulation path through which the coolant can circulate. The cooling means 410 shown in the embodiment of FIG. 10 is a refrigerant circulation path.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 자석부는, 상기 요크, 상기 자석 구조체 및 상기 냉각 수단을 단위 모듈화하는 몰딩부(510)를 더 포함하는 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the magnet portion may further include a molding portion 510 for unit-modulating the yoke, the magnet structure, and the cooling means.

도 10에 도시된 바와 같이, 냉각 수단을 포함하는 자석 구조체는 요크, 자석구조체 및 냉각 수단을 덮도록 몰딩부가 마련될 수 있다. 몰딩부를 이용하여 자석 구조체가 하나의 모듈 단위로 제작될 수 있다. As shown in Fig. 10, the magnet structure including the cooling means may be provided with a molding portion to cover the yoke, the magnet structure, and the cooling means. The magnet structure can be fabricated in one module unit by using the molding part.

본 발명의 일 예에 따르면, 상기 자석부는, 상기 자석 유닛 각각에 가해지는 전압 및 전류 중 하나 이상을 조절하여 상기 자석부의 적어도 일 영역이 타 영역과 다른 자기장의 세기를 갖도록 제어 가능한 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the magnet unit may control at least one of the voltage and current applied to each of the magnet units so that at least one area of the magnet unit has a strength of a magnetic field different from that of the other area.

앞서 자석 유닛에서 자석 구조체 각각의 와이어에 가해지는 전압 및 전류를 조절할 수 있는 것처럼, 마그네트론 스퍼터링 장치에 포함되는 자석부에서는 자석 유닛 단위로 전압 및 전류 중 하나 이상을 조절할 수 있다. 구체적인 일 예로서, 일 영역에 위치하는 자석 유닛과 타 영역에 위치하는 자석 유닛들에 설치된 와이어에 흐르는 전류를 개별 전원으로부터 공급하는 방식을 이용할 수 있다. 다른 구체적인 일 예로서, 상기 전압 및 전류의 조절은 스위치(switch) 또는 릴레이(relay)를 포함하거나 직렬 또는 병렬 회로를 구성하는 등 다양한 수단을 이용하여 이루어 질 수 있다. 이로써 자석부 내에서 상기 일 영역과 상기 타 영역 간의 다른 자기장의 세기를 형성할 수 있다. The magnet unit included in the magnetron sputtering apparatus can control at least one of the voltage and the current in units of magnets as in the case where the voltage and current applied to each wire of the magnet structure in the magnet unit can be adjusted. As a specific example, it is possible to use a method of supplying a current flowing through a wire provided in a magnet unit located in one region and magnet units located in another region from separate power sources. As another specific example, the adjustment of the voltage and the current may be performed by using various means including a switch or a relay, constituting a series circuit or a parallel circuit, and the like. Whereby the intensity of the other magnetic field between the one area and the other area can be formed in the magnet part.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. For example, if the techniques described are performed in a different order than the described methods, and / or if the described components are combined or combined in other ways than the described methods, or are replaced or substituted by other components or equivalents Appropriate results can be achieved.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.

Claims (14)

영구 자석; 및
상기 영구 자석을 감싸도록 구비된 와이어;를 포함하고,
상기 영구 자석은,
수직 방향으로 연장 형성되어 상기 와이어가 권취되는 제1 부분; 및 상기 제1 부분의 상단 및 하단 중 하나 이상으로부터 수평 방향으로 연장 형성되고, 상기 와이어가 권취되지 않는 제2 부분;을 포함하는,
마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 구조체.
Permanent magnets; And
And a wire for surrounding the permanent magnet,
Wherein the permanent magnet comprises:
A first portion extending in the vertical direction to wind the wire; And a second portion extending in a horizontal direction from at least one of an upper end and a lower end of the first portion and the wire is not wound,
Magnet structure of a magnetron sputtering device.
제1항에 있어서,
상기 와이어에 가해지는 전압 및 전류 중 하나 이상을 조절하여 자석 구조체의 자기장의 세기 제어가 가능한,
마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 구조체.
The method according to claim 1,
And controlling the intensity of the magnetic field of the magnet structure by adjusting at least one of a voltage and a current applied to the wire,
Magnet structure of a magnetron sputtering device.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2 부분의 수평 방향 길이는, 상기 제1 부분의 단면의 수평 방향 길이 및 상기 와이어 단면의 총 두께의 합보다 큰 것인,
마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 구조체.
The method according to claim 1,
Wherein the horizontal length of the second portion is greater than the sum of the horizontal length of the cross section of the first portion and the total thickness of the wire cross-
Magnet structure of a magnetron sputtering device.
제1항에 있어서,
상기 제2 부분은 수직 방향으로 연장 형성되는 하나 이상의 가지부를 포함하는 것인,
마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 구조체.
The method according to claim 1,
And the second portion includes at least one branch portion extending in the vertical direction.
Magnet structure of a magnetron sputtering device.
제1항에 있어서,
상기 영구 자석은 T 형상 구조체, I 형상 구조체, E 형상 구조체 및 F 형상 구조체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인,
마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 구조체.
The method according to claim 1,
Wherein the permanent magnet is any one selected from the group consisting of a T-shaped structure, an I-shaped structure, an E-shaped structure and an F-shaped structure.
Magnet structure of a magnetron sputtering device.
요크; 및
상기 요크 상에 구비된 복수 개의 제1항, 제2항, 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항의 자석 구조체;를 포함하고,
상기 복수 개의 자석 구조체는, 서로 직렬 구조, 병렬 구조 또는 둘 다를 포함하는 구조로 연결 배치 되는 것인,
마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 유닛.
York; And
And a plurality of magnet structures according to any one of claims 1, 2, and 4 to 6 provided on the yoke,
Wherein the plurality of magnet structures are connected and arranged in a structure including a series structure, a parallel structure, or both,
Magnet unit of a magnetron sputtering device.
제7항에 있어서,
상기 자석 구조체 각각의 와이어에 가해지는 전압 및 전류 중 하나 이상을 조절하여 상기 자석 유닛의 적어도 일 영역이 타 영역과 다른 자기장의 세기를 갖도록 제어 가능한,
마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 유닛.
8. The method of claim 7,
And controlling at least one of a voltage and a current applied to the wires of each of the magnet structures so that at least one region of the magnet unit has intensity of a magnetic field different from that of the other region,
Magnet unit of a magnetron sputtering device.
제7항에 있어서,
상기 복수 개의 자석 구조체는,
N극, 또는 S극 중 선택된 하나의 자극을 갖는 제1 자석군; 및
N극, 또는 S극 중 상기 제1 자석군과 다른 자극을 갖는 제2 자석군;을 포함하는 것인,
마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 유닛.
8. The method of claim 7,
The plurality of magnet structures may include a plurality of magnets,
A first magnet group having a magnetic pole of a selected one of N pole and S pole; And
And a second magnet group having N poles or S poles different from the first magnet group.
Magnet unit of a magnetron sputtering device.
제9항에 있어서,
상기 제2 자석군은 상기 제1 자석군 외측에 배치된 것인,
마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 유닛.
10. The method of claim 9,
And the second magnet group is disposed outside the first magnet group.
Magnet unit of a magnetron sputtering device.
기판이 안착되는 기판 안착부;
상기 기판 안착부와 대향되고 소정 간격 이격되어 구비되는 하나 이상의 자석부; 및
상기 기판 안착부와 자석부 사이에 구비되는 하나 이상의 타겟부;를 포함하고,
상기 자석부는 제7항의 자석 유닛을 하나 이상 포함하는 것인,
마그네트론 스퍼터링 장치.
A substrate mounting part on which the substrate is mounted;
At least one magnet portion facing the substrate seating portion and spaced apart at a predetermined interval; And
And at least one target portion provided between the substrate seating portion and the magnet portion,
Wherein the magnet section comprises at least one magnet unit of claim 7,
Magnetron sputtering device.
제11항에 있어서,
상기 자석 유닛의 영구 자석 상면과 상기 타겟부 상면 간의 거리는 30 mm 내지 90 mm 인 것인,
마그네트론 스퍼터링 장치.
12. The method of claim 11,
Wherein a distance between an upper surface of the permanent magnet of the magnet unit and an upper surface of the target portion is 30 mm to 90 mm.
Magnetron sputtering device.
제11항에 있어서,
상기 자석부는, 상기 자석 구조체의 적어도 일 측에 마련된 냉각 수단을 더 포함하는 것인,
마그네트론 스퍼터링 장치.
12. The method of claim 11,
Wherein the magnet portion further includes a cooling means provided on at least one side of the magnet structure.
Magnetron sputtering device.
제13항에 있어서,
상기 자석부는, 상기 요크, 상기 자석 구조체 및 상기 냉각 수단을 단위 모듈화하는 몰딩부를 더 포함하는 것인,
마그네트론 스퍼터링 장치.

14. The method of claim 13,
Wherein the magnet portion further comprises a molding portion for unit-modulating the yoke, the magnet structure, and the cooling means.
Magnetron sputtering device.

KR1020170042238A 2017-03-31 2017-03-31 Magnet structure, magent unit and sputtering apparatus having the same KR101924143B1 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170042238A KR101924143B1 (en) 2017-03-31 2017-03-31 Magnet structure, magent unit and sputtering apparatus having the same
CN201880005034.6A CN110073464B (en) 2017-03-31 2018-02-08 Magnet structure, magnet unit and magnetron sputtering device including the same
JP2019536079A JP7084932B2 (en) 2017-03-31 2018-02-08 Magnet structure, magnet unit and magnetron sputtering equipment including it
PCT/KR2018/001672 WO2018182167A1 (en) 2017-03-31 2018-02-08 Magnet structure, magnet unit and magnetron sputtering device comprising same
TW107109528A TWI741165B (en) 2017-03-31 2018-03-21 Magnet structure, magent unit and sputtering apparatus having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170042238A KR101924143B1 (en) 2017-03-31 2017-03-31 Magnet structure, magent unit and sputtering apparatus having the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180111366A KR20180111366A (en) 2018-10-11
KR101924143B1 true KR101924143B1 (en) 2018-11-30

Family

ID=63676345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170042238A KR101924143B1 (en) 2017-03-31 2017-03-31 Magnet structure, magent unit and sputtering apparatus having the same

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7084932B2 (en)
KR (1) KR101924143B1 (en)
CN (1) CN110073464B (en)
TW (1) TWI741165B (en)
WO (1) WO2018182167A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200138176A (en) 2019-05-28 2020-12-09 가부시키가이샤 알박 Sputtering device, thin film manufacturing method

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6012426B2 (en) * 1981-06-15 1985-04-01 ワ−ルドエンジニアリング株式会社 Magnetic field compression type magnetron sputtering equipment
DE3727901A1 (en) * 1987-08-21 1989-03-02 Leybold Ag SPRAYING CATHODE ACCORDING TO THE MAGNETRON PRINCIPLE
JPH02111874A (en) * 1988-10-20 1990-04-24 Fuji Photo Film Co Ltd Sputtering method
JP2575069B2 (en) * 1990-11-30 1997-01-22 アネルバ株式会社 Magnetron sputtering equipment
JPH05295536A (en) * 1992-04-24 1993-11-09 Fuji Electric Co Ltd Magnetron sputtering cathode
JPH07233473A (en) * 1994-02-22 1995-09-05 Hitachi Ltd Magnetron sputtering device
JP3847866B2 (en) * 1996-11-21 2006-11-22 株式会社アルバック Sputtering equipment
JPH11172431A (en) * 1997-12-10 1999-06-29 Sony Corp Magnetron sputter film formation and device therefor
KR100979306B1 (en) * 2008-05-08 2010-08-31 이흥규 Massager
ES2774167T3 (en) 2008-09-02 2020-07-17 Oerlikon Surface Solutions Ag Pfaeffikon Coating device for coating a substrate, as well as a method for coating a substrate
TWI456082B (en) * 2010-03-26 2014-10-11 Univ Nat Sun Yat Sen Magnetron sputtering apparatus
KR101250950B1 (en) * 2010-04-16 2013-04-03 (주) 씨앤아이테크놀로지 Magnetron sputtering appartus
WO2014017682A1 (en) * 2012-07-26 2014-01-30 주식회사 아비즈알 Magnetron sputtering device equipped with magnetron cooling portion
CN104968829B (en) * 2013-02-28 2017-05-10 佳能安内华股份有限公司 Sputtering device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200138176A (en) 2019-05-28 2020-12-09 가부시키가이샤 알박 Sputtering device, thin film manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
CN110073464A (en) 2019-07-30
CN110073464B (en) 2022-04-19
KR20180111366A (en) 2018-10-11
TWI741165B (en) 2021-10-01
WO2018182167A1 (en) 2018-10-04
TW201837223A (en) 2018-10-16
JP2020512480A (en) 2020-04-23
JP7084932B2 (en) 2022-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8398834B2 (en) Target utilization improvement for rotatable magnetrons
KR102219014B1 (en) Electrodepositing apparatus and preparation of rare earth permanent magnet
KR20130035924A (en) Magnetron sputtering apparatus and method
KR20160087391A (en) Thin film-forming sputtering device
KR20080045031A (en) Plasma damage free sputter gun, sputter, plasma process apparatus and film-forming method
KR101924143B1 (en) Magnet structure, magent unit and sputtering apparatus having the same
US9911526B2 (en) Magnet unit and magnetron sputtering apparatus
JP7301857B2 (en) magnetron sputtering equipment
KR101888173B1 (en) Magnet structure and sputtering apparatus having the same
KR101885123B1 (en) Magnet control system of magnetron sputtering apparatus
US6249200B1 (en) Combination of magnets for generating a uniform external magnetic field
CN113416938B (en) Sputtering equipment and method capable of adjusting film stress
US20110220020A1 (en) Enhanced magnetic plating method
KR101965266B1 (en) Manufacturing method of electromagnet assembly
CN218880037U (en) Sputtering equipment
KR20200051947A (en) Sputtering apparatus
US20110062015A1 (en) Coating apparatus and coating method
KR20140126520A (en) Magnet unit and sputtering apparatus having the same
JP5621707B2 (en) Magnetron sputtering cathode and sputtering apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant