KR101915383B1 - A fame forming guideline for wafer scratching - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼(200)를 삽입하여 움직이지 않도록 고정시킬 수 있으며, 상기 웨이퍼(200)에 흠집(실선)을 내기 위해 다이아몬드 팁이 이동할 수 있는 가이드라인(121)이 형성된 것으로,
본 발명 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀은 흠집을 내는 흠집형성 날을 이동시킬 수 있도록 길게 형성된 다수 개의 가이드라인이 동일 간격으로 이격되어 형성됨으로써, 가이드라인 아래에 원형의 웨이퍼를 두고, 흠집형성 날을 가이드라인에 삽입하여 아래의 웨이퍼에 가이드라인의 모양대로 흠집(실선)을 형성할 수 있도록 하는 현저한 효과가 있다.The present invention is characterized in that a guide line 121 capable of moving a diamond tip to form a scratch (solid line) on the wafer 200 is formed,
According to an embodiment of the present invention, a frame having a guide line for wafer scratching is formed with a plurality of elongated guide lines spaced apart at equal intervals so as to move a scratch-forming edge that causes scratches, thereby placing a circular wafer under the guide line, (Solid line) in the shape of the guide line on the lower wafer by inserting the guide wire into the guide line.

Description

웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀{A fame forming guideline for wafer scratching}A fame forming guide for wafer scratching

본 발명은 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀에 관한 것으로, 보다 상세하게는 흠집을 내는 흠집형성 날을 이동시킬 수 있도록 길게 형성된 다수 개의 가이드라인이 동일 간격으로 이격되어 형성됨으로써, 가이드라인 아래에 원형의 웨이퍼를 두고, 흠집형성 날을 가이드라인에 삽입하여 아래의 웨이퍼에 가이드라인의 모양대로 흠집(실선)을 형성할 수 있도록 하는 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀에 관한 것이다.The present invention relates to a frame provided with a wafer scratching guide line, more specifically, a plurality of long guide lines spaced at equal intervals so as to move a scratch forming blade for scratching, (A solid line) in the shape of a guide line on a lower wafer by inserting a scratch-forming blade into a guide line with a wafer of a scratch-forming blade.

일반적으로 웨이퍼(wafer)는 반도체의 얇은 판이다.In general, a wafer is a thin plate of semiconductor.

그리고 이러한 웨이퍼를 사용 시에는 흠집을 낸 후, 다른 절단도구를 통해 흠집부분을 절단하여 작은 크기의 웨이퍼 조각으로 사용되고 있다.When such wafers are used, the wafers are scratched and cut through a different cutting tool to be used as small-sized wafer pieces.

특히, 실험용으로 사용되는 기판은 절단 전에 흠집을 내는 다이아몬드 팁 등의 흡집형성 날을 통해 흠집을 낸 후, 사각형 형상으로 잘라야하기에 가이드라인이 평행하게되어야 한다.In particular, the substrate to be used for the experiment must be parallel to the guide line, since it must be cut into a square shape after scratching through a sucking forming blade such as a diamond tip which scratches before cutting.

이때, 상기 실리콘 기판에 흠집(실선)을 내기 위해서는 직접 자를 이용하여 흠집을 낼 위치를 선정한 후 다이아몬드톱 등의 흠집형성 날을 통해 흠집을 내고 있는 실정이다.At this time, in order to give a scratch (solid line) to the silicon substrate, a scratch is formed through a scratch-forming blade such as a diamond saw after selecting a position to scratch using a direct tool.

종래기술로서 공개특허공보 공개번호 제10-2007-0051088호의 크랙방지용 홈을 구비한 반도체 웨이퍼 및 반도체 웨이퍼절단방법에 있어서, 반도체 칩으로 형성될 집적회로 소자가 형성된 다수의 집적회로 소자영역과, 상기 집적회로 소자영역을 분리시켜 주는 절단영역을 구비하되, 상기 절단영역에 다층 절연막이 형성된 반도체 웨이퍼를 마련하는 단계; 상기 다층 절연막을 식각하여 관통홀을 형성하는 단계; 상기 관통홀에 의해 노출되는 기판을 식각하여 트렌치를 형성하되, 상기 트렌치는 상기 관통홀로부터 연장되어 홈을 형성하는 단계; 및 상기 절단영역을 절단하여 상기 반도체 칩을 분리시키는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼 절단방법이라고 기재되어 있다.As a conventional technique, a semiconductor wafer and a semiconductor wafer cutting method provided with a crack preventing groove in Patent Publication No. 10-2007-0051088 include a plurality of integrated circuit element regions in which integrated circuit elements to be formed as semiconductor chips are formed, Providing a semiconductor wafer having a cutout region for isolating an integrated circuit device region, the semiconductor wafer having a multi-layered insulating film formed on the cutout region; Forming a through hole by etching the multilayered insulating film; Etching the substrate exposed by the through hole to form a trench, the trench extending from the through hole to form a groove; And cutting the cut region to separate the semiconductor chip.

다른 종래기술로서 등록특허공보 등록번호 제10-0177397호의 웨이퍼 절단방법에 있어서, 웨이퍼를 개별적인 칩단위로 절단시키는 방법에 있어서, 웨이퍼의 분리라인에 불순물층을 형성하는 단계와, 상기 불순물층에 식각홈을 형성하는 단계와, 상기 식각홈에 압력을 가하여 개별적인 칩단위로 절단시키는 단계를 구비한 웨이퍼 절단방법이라고 기재되어 있다.As another prior art, in a wafer cutting method of Patent Registration No. 10-0177397, a method of cutting a wafer into individual chip units includes the steps of: forming an impurity layer in a wafer separation line; A step of forming grooves, and a step of cutting the wafer into individual chip units by applying pressure to the etch grooves.

그러나 상기와 같은 종래의 구성은 웨이퍼에 흠집을 낼 시 흠집형성 날을 통해 흠집을 내게 되는데 이때, 상기 흠집형성 날을 이용해 웨이퍼를 흠집(실선)을 내기 위해서는 흠집형성 날이 이동되도록 자 등의 직선으로 방향을 잡아주는 물체가 필요한 단점이 있었다.However, in the conventional structure as described above, when the wafer is scratched, a scratch is formed through the scratch forming blade. In order to scrape the wafer (solid line) using the scratch forming blade, It is necessary to provide a directional object.

따라서 본 발명 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀을 통하여, 흠집을 내는 흠집형성 날을 이동시킬 수 있도록 길게 형성된 다수 개의 가이드라인이 동일 간격으로 이격되어 형성됨으로써, 가이드라인 아래에 원형의 웨이퍼를 두고, 흠집형성 날을 가이드라인에 삽입하여 아래의 웨이퍼에 가이드라인의 모양대로 흠집(실선)을 형성할 수 있도록 하는 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀을 제공하고자 하는 것이다.Accordingly, a plurality of long guide lines are formed at equal intervals to move a scratch-forming blade that causes scratches through a frame having a wafer scratching guide of the present invention, so that a circular wafer is placed below the guide line, And to provide a frame in which a scratch forming blade is inserted into a guide line so as to form a scratch (solid line) in a shape of a guide line on a lower wafer.

본 발명은 웨이퍼(200)를 삽입하여 움직이지 않도록 고정시킬 수 있으며, 상기 웨이퍼(200)에 흠집(실선)을 내기 위해 다이아몬드 팁이 이동할 수 있는 가이드라인(121)이 형성된 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that a guide line 121 capable of moving a diamond tip to form a scratch (solid line) on the wafer 200 can be formed.

본 발명 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀은 흠집을 내는 흠집형성 날을 이동시킬 수 있도록 길게 형성된 다수 개의 가이드라인이 동일 간격으로 이격되어 형성됨으로써, 가이드라인 아래에 원형의 웨이퍼를 두고, 흠집형성 날을 가이드라인에 삽입하여 아래의 웨이퍼에 가이드라인의 모양대로 흠집(실선)을 형성할 수 있도록 하는 현저한 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, a frame having a guide line for wafer scratching is formed with a plurality of elongated guide lines spaced apart at equal intervals so as to move a scratch-forming blade that causes scratches, thereby placing a circular wafer under the guide line, (Solid line) in the shape of the guide line on the lower wafer by inserting the guide wire into the guide line.

도 1은 본 발명 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀의 구성도
도 2는 본 발명 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀의 고무링이 형성된 개념도
도 3은 본 발명 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀의 결합된 사시도
도 4는 본 발명 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀에 삽입되는 웨이퍼 구성도BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a structural view of a frame provided with a wafer-
FIG. 2 is a conceptual view of a rubber ring of a frame formed with a guide line for wafer scratching according to the present invention
FIG. 3 is a perspective view of a combined perspective view of a frame having a wafer-
Fig. 4 is a schematic view showing a wafer configuration to be inserted into a frame in which a guide line for wafer-

본 발명 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀(100)은 웨이퍼(200)를 삽입하여 움직이지 않도록 고정시킬 수 있으며, 상기 웨이퍼(200)에 흠집(실선)을 내기 위해 다이아몬드 팁이 이동할 수 있는 가이드라인(121)이 형성된 것을 특징으로 한다. The frame 100 having the guide line for wafer scratching according to the present invention can fix the wafer 200 so that it does not move while inserting the wafer 200, (121) is formed.

상기 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀(100)은 상면 중심에 웨이퍼(200)를 삽입할 수 있는 웨이퍼 삽입홈(111)이 형성된 원형의 아래판(110)과; 상기 아래판(110)의 웨이퍼 삽입홈(111)에 삽입된 웨이퍼(200)에 흠집을 내기위해 전후방향으로 다이아몬드 팁이 이동할 수 있도록 다수 개의 가이드라인(121)이 형성되는 원형의 윗판(120); 으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The frame 100 on which the wafer scratching guide line is formed includes a circular lower plate 110 having a wafer insertion groove 111 into which a wafer 200 can be inserted, A circular upper plate 120 in which a plurality of guide lines 121 are formed so that the diamond tip can move in the forward and backward direction to scratch the wafer 200 inserted into the wafer insertion groove 111 of the lower plate 110, ; .

또한, 상기 윗판(120)에 형성되는 다수 개의 가이드라인(121)은 서로 좌우로 동일간격 이격되어 서로 평행한 것을 특징으로 한다.In addition, the plurality of guide lines 121 formed on the upper plate 120 are spaced apart from each other on the left and right sides and parallel to each other.

또한, 상기 윗판(120)과 아랫판(110)은 볼트(112) 및 너트(130)를 통해 서로 결합할 수 있는 것으로, 상기 아래판(110)에는 웨이퍼 삽입홈(111)이 형성되지 않은 상면 가장자리를 따라 각각이 상부로 돌출되는 다수 개의 볼트(112)가 형성되고, 상기 윗판(120)에는 아래판(110)의 상부로 돌출된 각각의 볼트(112)에 대응되도록 동일개수만큼 상하면을 관통하는 관통홀(122)이 형성되고, 상기 아래판(110)의 다수 개의 볼트(112)가 각각 대응되는 윗판(120)의 관통홀(122)을 관통한 상태에서, 각각의 볼트(112)에 동일 개수의 너트(130)를 체결하여 아래판(110)과 윗판(120)을 결합할 수 있는 것을 특징으로 한다.The upper plate 120 and the lower plate 110 can be coupled to each other through bolts 112 and nuts 130. The lower plate 110 has a top edge And a plurality of bolts 112 protruding upward from the upper plate 120 are formed on the lower plate 110. The upper plate 120 is provided with the same number of upper and lower bolts 112 corresponding to the bolts 112 protruding from the upper portion of the lower plate 110 And a plurality of bolts 112 of the lower plate 110 penetrate the corresponding through holes 122 of the upper plate 120 corresponding to the bolts 112 of the lower plate 110, And the lower plate 110 and the upper plate 120 can be coupled by fastening the number of the nuts 130.

또한, 상기 아래판(110)의 상면에는 가장자리를 따라 원의 중심으로부터 90˚만큼 동일하게 이격된 위치에 각각의 볼트(112)가 형성되며, 상기 아래판(110)의 각각의 볼트(112)가 삽입되어 결합될 수 있도록 윗판(120)에도 원의 중심으로부터 90˚만큼 동일하게 이격된 위치에 각각 상하를 관통하는 관통홀(122)이 형성되는 것으로, 상기 윗판(120)은 아래판(110)에 결합할 시 90˚만큼 회전시켜 결합할 수 있어 상기 윗판(120)이 회전됨에 따라 다수 개의 가이드라인(121)도 좌우방향으로 길게 되도록 회전되는 것을 특징으로 한다.Each of the bolts 112 is formed on the upper surface of the lower plate 110 at positions spaced equally by 90 degrees from the center of the circle along the edges, The upper plate 120 is formed with a through hole 122 passing through the upper plate 120 and the lower plate 110 so that the upper plate 120 and the lower plate 110 are coupled to each other. When the upper plate 120 is rotated, the plurality of guide lines 121 are rotated to be longer in the left and right direction.

또한, 상기 웨이퍼(200)는 평평한 원판이며 일단에는 평평하게 형성되고, 상기 웨이퍼에 대응되도록 아래판(110)의 상면에는 웨이퍼 삽입홈(111)이 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the wafer 200 is a flat disk and is formed flat at one end, and a wafer insertion groove 111 is formed on the upper surface of the lower plate 110 to correspond to the wafer.

또한, 상기 윗판(120)의 하면에는 고무링(123)이 부착되어 윗판(120)과 아래판(110)을 결합할 시, 고무링(123)이 아래판의 웨이퍼 삽입홈(111)에 삽입된 웨이퍼(200)를 움직이지 않도록 고정하는 것을 특징으로 한다.A rubber ring 123 is attached to the lower surface of the upper plate 120 so that when the upper plate 120 and the lower plate 110 are coupled to each other, the rubber ring 123 is inserted into the wafer insertion groove 111 of the lower plate. And the wafer 200 is fixed so as not to move.

본 발명을 첨부 도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.The present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀의 구성도, 도 2는 본 발명 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀의 고무링이 형성된 개념도, 도 3은 본 발명 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀의 결합된 사시도, 도 4는 본 발명 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀에 삽입되는 웨이퍼 구성도이다.FIG. 2 is a conceptual view of a rubber ring of a frame provided with a guide line for wafer scratching according to the present invention. FIG. 3 is a view showing a frame having a guide line for wafer scratching according to the present invention. And FIG. 4 is a wafer configuration diagram inserted into a frame in which a wafer scratching guide line of the present invention is formed.

본 발명에 대해 구체적으로 기술하면, 본 발명은 웨이퍼(200)를 삽입하여 움직이지 않도록 고정시킬 수 있으며, 상기 웨이퍼(200)에 흠집(실선)을 내기 위해 다이아몬드 팁이 이동할 수 있는 가이드라인(121)이 형성된 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀(100)이다.The present invention can be more specifically described as follows. In the present invention, a wafer 200 can be inserted and fixed so as not to move, and a guide line 121 (see FIG. ) Is formed on the wafer 100. As shown in Fig.

상기 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀(100)은 상면 중심에 웨이퍼(200)를 삽입할 수 있는 웨이퍼 삽입홈(111)이 형성된 원형의 아래판(110)과; 상기 아래판(110)의 웨이퍼 삽입홈(111)에 삽입된 웨이퍼(200)에 흠집을 내기위해 전후방향으로 다이아몬드 팁이 이동할 수 있도록 다수 개의 가이드라인(121)이 형성되는 원형의 윗판(120); 으로 이루어지는 것이다.The frame 100 on which the wafer scratching guide line is formed includes a circular lower plate 110 having a wafer insertion groove 111 into which a wafer 200 can be inserted, A circular upper plate 120 in which a plurality of guide lines 121 are formed so that the diamond tip can be moved in the forward and backward directions to scratch the wafer 200 inserted into the wafer insertion groove 111 of the lower plate 110, ; .

상기 윗판의 가이드라인(121) 사이에 미리 준비해둔 다이아몬드 팁을 삽입하여 가이드라인(121)을 따라 이동시킴으로써 이동되는 다이아몬드 팁에 의해 웨이퍼는 흠집이 나게 된다.The wafer is scratched by the diamond tip moved by inserting a diamond tip prepared in advance between the guide lines 121 of the upper plate and moving along the guide line 121.

상기 윗판(120)에 형성되는 다수 개의 가이드라인(121)은 서로 좌우로 동일간격 이격되어 서로 평행한 것이다.The plurality of guide lines 121 formed on the upper plate 120 are parallel to each other at right and left equal intervals.

상기 윗판(120)과 아랫판(110)은 볼트(112) 및 너트(130)를 통해 서로 결합할 수 있는 것이다.The upper plate 120 and the lower plate 110 can be coupled to each other through the bolts 112 and the nuts 130.

더욱 상세하게 설명하면, 상기 아래판(110)에는 웨이퍼 삽입홈(111)이 형성되지 않은 상면 가장자리를 따라 각각이 상부로 돌출되는 다수 개의 볼트(112)가 형성된다.More specifically, the lower plate 110 is formed with a plurality of bolts 112, each of which projects upwardly along a top edge where the wafer insertion groove 111 is not formed.

그리고 상기 윗판(120)에는 아래판의 상부로 돌출된 각각의 볼트(112)에 대응되도록 동일개수만큼 상하면을 관통하는 관통홀(122)이 형성된다.A through hole 122 is formed in the upper plate 120 so as to correspond to each of the bolts 112 protruding from the upper portion of the lower plate.

그리고 상기 아래판(110)의 다수 개의 볼트(112)가 각각 대응되는 윗판(120)의 관통홀(122)을 관통한 상태에서, 각각의 볼트(112)에 동일 개수의 너트(130)를 체결하여 아래판(110)과 윗판(120)을 결합할 수 있는 것이다.The plurality of bolts 112 of the lower plate 110 are fastened to the bolts 112 of the same number in the state of passing through the through holes 122 of the upper plate 120, So that the lower plate 110 and the upper plate 120 can be coupled to each other.

상기 웨이퍼(200)를 사각형 형상의 웨이퍼 조각이 되기 위해서는 가로로도 흠집을 내야 한다.The wafer 200 must be horizontally scratched in order to be a rectangular wafer piece.

더욱 상세하게 설명하면, 상기 아래판(110)의 상면에는 가장자리를 따라 원의 중심으로부터 90˚만큼 동일하게 이격된 위치에 각각의 볼트(112)가 형성된다.More specifically, each bolt 112 is formed on the upper surface of the lower plate 110 at positions spaced equally by 90 degrees from the center of the circle along the edge.

그리고 상기 아래판(110)의 각각의 볼트(112)가 삽입되어 결합될 수 있도록 윗판(120)에도 원의 중심으로부터 90˚만큼 동일하게 이격된 위치에 각각 상하를 관통하는 관통홀(122)이 형성되는 것이다.A through hole 122 is formed in the upper plate 120 so as to be vertically spaced apart from the center of the circle by 90 degrees so that the respective bolts 112 of the lower plate 110 can be inserted and coupled. .

이때, 상기 윗판(120)은 아래판(110)에 결합할 시 90˚만큼 회전시켜 결합할 수 있어 상기 윗판(120)이 회전됨에 따라 다수 개의 가이드라인(121)도 좌우방향으로 길게 되도록 회전된다.When the upper plate 120 is coupled to the lower plate 110, the upper plate 120 may be rotated by 90 degrees. When the upper plate 120 is rotated, the guide lines 121 are rotated to be longer in the left-right direction .

상기 윗판(120)을 90˚만큼 시계반대방향으로 회전시켜 결합하면 가이드라인(121)이 가로방향이 되고, 상기 가로방향으로 회전된 가이드라인(121)에 다이아몬드 팁을 다시 삽입하여 흠집을 내면 웨이퍼(200)는 다수 개의 웨이퍼 조각으로 분리되기 전에 분리 되어질 실선을 형성하는 것이다.When the upper plate 120 is rotated in the counterclockwise direction by 90 °, the guide line 121 becomes the horizontal direction. When the diamond tip is inserted into the guide line 121 rotated in the horizontal direction to form a scratch, (200) forms a solid line to be separated before being separated into a plurality of wafer pieces.

상기 웨이퍼(200)는 평평한 원판이며 일단에는 평평하게 형성되고, 상기 웨이퍼(200)에 대응되도록 아래판(110)의 상면에는 웨이퍼 삽입홈(111)이 형성되는 것이다.The wafer 200 is a flat disk and is formed flat at one end. A wafer insertion groove 111 is formed on the upper surface of the lower plate 110 to correspond to the wafer 200.

그러므로 상기 웨이퍼(200)는 아래판의 웨이퍼 삽입홈(111)에 삽입될 시 평평하게 형성된 웨이퍼(200)의 일단에 의해 웨이퍼가 아래판(110)의 웨이퍼 삽입홈(111) 내부에서 회전되지 않는 것이다.Therefore, when the wafer 200 is inserted into the wafer insertion groove 111 of the lower plate, the wafer is not rotated inside the wafer insertion groove 111 of the lower plate 110 by one end of the wafer 200 formed flat will be.

상기 윗판(120)의 하면에는 고무링(123)이 부착되어 윗판(120)과 아래판(110)이 결합할 시, 고무링(123)이 아래판(110)의 웨이퍼 삽입홈(111)에 삽입된 웨이퍼(200)를 움직이지 않도록 고정하는 것이다.A rubber ring 123 is attached to the lower surface of the upper plate 120 so that when the upper plate 120 and the lower plate 110 are engaged with each other, the rubber ring 123 is inserted into the wafer insertion groove 111 of the lower plate 110 And the inserted wafer 200 is fixed so as not to move.

따라서 본 발명 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀은 흠집을 내는 흠집형성 날을 이동시킬 수 있도록 길게 형성된 다수 개의 가이드라인이 동일 간격으로 이격되어 형성됨으로써, 가이드라인 아래에 원형의 웨이퍼를 두고, 흠집형성 날을 가이드라인에 삽입하여 아래의 웨이퍼에 가이드라인의 모양대로 흠집(실선)을 형성할 수 있도록 하는 현저한 효과가 있다.Therefore, in the present invention, the frame having the guide line for wafer scratching is formed with a plurality of long guide lines spaced apart at equal intervals so as to move the scratch forming blade that causes scratches, so that a circular wafer is placed under the guide line, There is a remarkable effect that the blade can be inserted into the guide line to form a scratch (solid line) in the shape of the guide line on the lower wafer.

100 : 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀
110 : 아래판
111 : 웨이퍼 삽입홈 112 : 볼트
120 : 윗판
121 : 가이드라인 122 : 관통홀 123 : 고무링
130 : 너트
200 : 웨이퍼100: Frame formed with guide line for wafer scratching
110: Lower plate
111: Wafer insertion groove 112: Bolt
120: Top plate
121: guide line 122: through hole 123: rubber ring
130: Nut
200: wafer

Claims (3)

웨이퍼(200)를 삽입하여 움직이지 않도록 고정시킬 수 있으며, 상기 웨이퍼(200)에 흠집인 실선을 내기 위해 다이아몬드 팁이 이동할 수 있는 가이드라인(121)이 형성된 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀(100)로써, 상기 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀(100)은 상면 중심에 웨이퍼(200)를 삽입할 수 있는 웨이퍼 삽입홈(111)이 형성된 원형의 아래판(110)과; 상기 아래판(110)의 웨이퍼 삽입홈(111)에 삽입된 웨이퍼(200)에 흠집을 내기위해 전후방향으로 다이아몬드 팁이 이동할 수 있도록 다수 개의 가이드라인(121)이 형성되는 원형의 윗판(120); 으로 이루어지는 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀에 있어서,
상기 윗판(120)과 아랫판(110)은 볼트(112) 및 너트(130)를 통해 서로 결합할 수 있는 것으로, 상기 아래판(110)에는 웨이퍼 삽입홈(111)이 형성되지 않은 상면 가장자리를 따라 각각이 상부로 돌출되는 다수 개의 볼트(112)가 형성되고, 상기 윗판(120)에는 아래판(110)의 상부로 돌출된 각각의 볼트(112)에 대응되도록 동일개수만큼 상하면을 관통하는 관통홀(122)이 형성되고, 상기 아래판(110)의 다수 개의 볼트(112)가 각각 대응되는 윗판(120)의 관통홀(122)을 관통한 상태에서, 각각의 볼트(112)에 동일 개수의 너트(130)를 체결하여 아래판(110)과 윗판(120)을 결합할 수 있는 것이며,
상기 웨이퍼(200)를 사각형 형상의 웨이퍼 조각이 되기 위해서는 가로로도 흠집을 내야 하는 것으로, 상기 아래판(110)의 상면에는 가장자리를 따라 원의 중심으로부터 90˚만큼 동일하게 이격된 위치에 각각의 볼트(112)가 형성되고, 상기 아래판(110)의 각각의 볼트(112)가 삽입되어 결합될 수 있도록 윗판(120)에도 원의 중심으로부터 90˚만큼 동일하게 이격된 위치에 각각 상하를 관통하는 관통홀(122)이 형성되되,
상기 윗판(120)은 아래판(110)에 결합할 시 90˚만큼 회전시켜 결합할 수 있어 윗판(120)이 회전됨에 따라 다수 개의 가이드라인(121)도 좌우방향으로 길게 되도록 회전되며, 상기 윗판(120)을 90˚만큼 시계반대방향으로 회전시켜 결합하면 가이드라인(121)이 가로방향이 되고, 상기 가로방향으로 회전된 가이드라인(121)에 다이아몬드 팁을 다시 삽입하여 흠집을 내면 웨이퍼(200)는 다수 개의 웨이퍼 조각으로 분리되기 전에 분리 되어질 실선을 형성하는 것이며,
상기 윗판(120)의 하면에는 고무링(123)이 부착되어 윗판(120)과 아래판(110)이 결합할 시, 고무링(123)이 아래판(110)의 웨이퍼 삽입홈(111)에 삽입된 웨이퍼(200)를 움직이지 않도록 고정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 흠집용 가이드라인이 형성된 틀
A frame 100 in which a wafer scratching guide line having a guide line 121 capable of moving a diamond tip to form a solid line scratching the wafer 200 is formed, The mold 100 having the wafer scratching guideline includes a circular bottom plate 110 having a wafer insertion groove 111 into which a wafer 200 can be inserted, A circular upper plate 120 in which a plurality of guide lines 121 are formed so that the diamond tip can move in the forward and backward direction to scratch the wafer 200 inserted into the wafer insertion groove 111 of the lower plate 110, ; In a frame in which a wafer scratching guide line is formed,
The upper plate 120 and the lower plate 110 can be coupled to each other through the bolts 112 and the nuts 130. The upper plate 120 and the lower plate 110 are coupled to the lower plate 110 along a top edge where the wafer insertion grooves 111 are not formed A plurality of bolts 112 protruding upward from the upper plate 120 are formed on the upper plate 120. The upper plate 120 is provided with through holes And a plurality of bolts 112 of the lower plate 110 penetrate the corresponding through holes 122 of the upper plate 120. The bolts 112 of the same number The lower plate 110 and the upper plate 120 can be coupled by fastening the nut 130,
In order to form a wafer piece of a rectangular shape, the wafer 200 must be scratched horizontally. On the upper surface of the lower plate 110, along the edge, A bolt 112 is formed and a top plate 120 is vertically penetrated through the upper plate 120 so as to be equally spaced from the center of the circle by 90 degrees so that the respective bolts 112 of the lower plate 110 can be inserted and engaged. A through hole 122 is formed,
The upper plate 120 may be coupled to the lower plate 110 by rotating the upper plate 120 by 90 degrees. When the upper plate 120 is rotated, the plurality of guide lines 121 are rotated to be longer in the left and right direction, The guide line 121 is transversely oriented by rotating the guide plate 120 in the counterclockwise direction by 90 degrees and the diamond tip is inserted again into the guide line 121 rotated in the horizontal direction, ) Forms a solid line to be separated before being separated into a plurality of pieces of wafers,
A rubber ring 123 is attached to the lower surface of the upper plate 120 so that when the upper plate 120 and the lower plate 110 are engaged with each other, the rubber ring 123 is inserted into the wafer insertion groove 111 of the lower plate 110 And the inserted wafer (200) is fixed so as not to move.
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JP2005169515A (en) 2003-12-08 2005-06-30 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting method
JP2006150569A (en) 2004-12-01 2006-06-15 Disco Abrasive Syst Ltd High pressure liquid injection type cutting device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133258A (en) * 2001-10-26 2003-05-09 Mitsubishi Electric Corp Wafer cleavage tool
JP2005169515A (en) 2003-12-08 2005-06-30 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting method
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