KR101915226B1

KR101915226B1 - Semiconductor donor substrate

Info

Publication number: KR101915226B1
Application number: KR1020170011149A
Authority: KR
Inventors: 박선순; 이해룡; 지성훈; 홍원의
Original assignee: 주식회사 다원시스
Priority date: 2017-01-24
Filing date: 2017-01-24
Publication date: 2018-11-05
Also published as: KR20180086999A

Abstract

본 발명은 줄 가열을 이용하여 대상 기판에 유기물을 증착시킬 수 있게 하는 반도체 도너 기판에 관한 것으로서, 반도체 재질로 이루어지는 몸체; 유기 발광 장치용 유기물을 수용할 수 있도록 상기 몸체의 표면부에 형성되는 홈부; 및 상기 홈부에 수용된 상기 유기물을 가열하여 상기 유기물이 대상 기판에 증착될 수 있도록 상기 홈부의 적어도 일부분에 형성되는 발열 영역;을 포함할 수 있다.The present invention relates to a semiconductor donor substrate capable of depositing an organic material on a target substrate by using row heating, comprising: a body made of a semiconductor material; A groove formed on a surface of the body so as to accommodate an organic material for an organic light emitting device; And a heating region formed on at least a portion of the groove to heat the organic material contained in the groove to deposit the organic material on the target substrate.

Description

Semiconductor donor substrate < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 반도체 도너 기판에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 줄 가열을 이용하여 대상 기판에 유기물을 증착시킬 수 있게 하는 반도체 도너 기판에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor donor substrate, and more particularly, to a semiconductor donor substrate that enables the deposition of an organic material on a target substrate using line heating.

유기 발광 장치란 유기 발광 다이오드(OLED)라고 지칭되는 것이 보통으로 평판 디스플레이 기술에서 외부 빛이 있어야 동작하는 수광형의 문제를 극복하여 자체적으로 빛을 낼 수 있는 발광형 제품을 말하는 것이다.An organic light emitting device is an organic light emitting diode (OLED), which is an organic light emitting diode (OLED) that can emit light by itself to overcome the problem of the light receiving type that requires external light in flat panel display technology.

이러한 유기 발광 장치는 자체 발광기능을 가진 적색, 황색, 청색 등 여러 가지의 형광체 유기화합물을 사용하여 조명 장치나 디스플레이 평판의 제조를 이루도록 함으로써 낮은 전압에서도 구동이 가능하고, 제품의 초박형 설계를 이룰 수 있는 것이며, 색감을 떨어뜨리는 백라이트(후광 장치)의 구성이 필요 없는 장점이 있는 것이다.Such an organic light emitting device can be driven at a low voltage by forming a lighting device or a display plate using various organic phosphor compounds such as red, yellow, and blue having self-emission function, And there is an advantage that the configuration of a backlight (backlight device) for reducing the color tone is not necessary.

이에 따라, 유기 발광 장치는, 사용 상의 편의성과 생산된 제품의 효율성으로 인하여 전기, 전자 분야는 물론이고 다양한 산업에 적용하여 이용되고 있는 것이며 이러한 유기 발광 장치를 이용한 조명 장치 또는 디스플레이 장치를 생산하기 위한 다양한 방법이 제안되고 있다.Accordingly, the organic light emitting device has been used in various industries as well as electric and electronic fields due to convenience in use and efficiency of produced products. In order to produce an illumination device or a display device using the organic light emitting device Various methods have been proposed.

이러한 종래의 유기 발광 장치의 제조 방법은 대상 기판에 유기물의 증착 과정이 손쉽게 이루어지기 어렵고, 원하는 패턴으로 박막을 형성하기 어려워서 최근에는 증착용 도너 기판 전계를 인가하여 발생되는 줄 열을 이용하여 대상 기판에 유기물을 면상으로 편리하게 증착시키는 방법이 제안되었다.In the conventional method of manufacturing an organic light emitting device, it is difficult to easily deposit organic materials on a target substrate and it is difficult to form a thin film in a desired pattern. In recent years, using a row heat generated by applying a vapor donor substrate electric field, A method of conveniently depositing an organic material on a surface has been proposed.

그러나, 이러한 종래의 유기 발광 장치용 도너 기판은 일반적으로 유리 기판이나 세라믹 기판에 발열층을 접착하여 이루어지고, 발열층 상에 도포된 유기물을 대상 기판 방향으로 안내되어 정위치에 전사될 수 있도록 별도의 합성 수지 재질의 격벽 구조물을 형성하는 것으로서, 이러한 접착 공정은 발열층의 미세 패턴이 어렵고, 비록 발열층의 미세 패턴을 형성하더라도 별도의 마스크가 사용되어야 하는 등 미세 패턴이 어렵다는 문제점이 있었다.However, such a conventional donor substrate for an organic light emitting device generally has a heating layer adhered to a glass substrate or a ceramic substrate, and organic substances coated on the heating layer are guided toward the target substrate and are separately transferred This adhesion process has a problem that it is difficult to form a fine pattern of the heating layer and it is difficult to form a fine pattern such as using a separate mask even if a fine pattern of the heating layer is formed.

또한, 종래의 유기 발광 장치용 도너 기판은, 접착제 도포 및 접착제 경화 등 번거로운 별도의 제조 공정이 많이 소요되어 제조 비용과 제조 시간이 낭비되고, 기판을 이루는 유리 재질과 발열층을 이루는 금속 재질의 열팽창 계수의 차이 및 접착제의 특성상 고온으로 장시간의 줄 가열시 발열층이 쉽게 파손되거나 박리되는 등 제품의 내구성과 신뢰도가 떨어지는 문제점들이 있었다.In addition, the conventional donor substrate for an organic light emitting device requires a lot of additional manufacturing steps such as adhesive application and curing of the adhesive, so that manufacturing cost and manufacturing time are wasted, and the thermal expansion of the metal material constituting the substrate and the heating layer There is a problem that the durability and reliability of the product are inferior because the heat layer is easily broken or peeled off during heating for a long time at a high temperature due to the difference in coefficient and adhesive property.

또한, 발열층에서 발생되는 줄 열이 합성 수지 재질인 격벽으로 쉽게 전달되어 아웃개싱이 발생하는 등 격벽이 쉽게 손상되고, 이로 인하여 증착 패턴의 정밀도가 떨어지며, 파손된 격벽 성분이 유기물 및 대상 기판을 오염시켜서 발광 효율이 떨어지고, 불량 현상이 발생되는 등 많은 문제점들이 있었다.In addition, since the heat generated from the heating layer is easily transferred to the partition wall made of a synthetic resin material, outgassing occurs and the partition wall is easily damaged. As a result, the accuracy of the deposition pattern is degraded, There is a problem that the efficiency of light emission is lowered and a defective phenomenon occurs.

본 발명의 사상은, 이러한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 웨이퍼 및 반도체 공정을 이용하여 별도의 마스크나 접착제를 사용하지 않고도 이온 주입 공정을 이용하여 발열 영역을 형성할 수 있어서 미세 패턴 형성을 용이 하게 할 수 있으며, 반영구적인 반도체 재질의 홈부 구조를 이용하여 유기물의 전사 방향을 정확하게 안내할 수 있고, 기존의 접착제나 합성 수지 재질의 격벽을 사용할 필요가 없어서 제조 비용과 제조 시간을 절감할 수 있으며, 실리콘 재질의 특성상 열적, 기계적으로 매우 견고하여 제품의 내구성과 신뢰도를 크게 향상시킬 수 있고, 종래의 파손된 합성 수지 재질의 격벽 성분으로 인한 오염을 방지하여 발광 효율을 높일 수 있으며, 양질의 제품을 생산할 수 있게 하는 반도체 도너 기판을 제공함에 있다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로서, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The idea of the present invention is to solve these problems, and it is possible to form a heat generating region by using an ion implantation process without using a separate mask or adhesive by using a semiconductor wafer and a semiconductor process, It is possible to precisely guide the transfer direction of the organic material by using the semi-permanent groove structure of the semiconductor material, and it is not necessary to use the conventional adhesive or the partition wall made of the synthetic resin material, The durability and reliability of the product can be greatly improved, and it is possible to improve the luminous efficiency by preventing the contamination due to the partition wall component of the conventional broken synthetic resin material, The present invention provides a semiconductor donor substrate. However, these problems are illustrative, and thus the scope of the present invention is not limited thereto.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 반도체 도너 기판은, 반도체 재질로 이루어지는 몸체; 유기 발광 장치용 유기물을 수용할 수 있도록 상기 몸체의 표면부에 형성되는 홈부; 및 상기 홈부에 수용된 상기 유기물을 가열하여 상기 유기물이 대상 기판에 증착될 수 있도록 상기 홈부의 적어도 일부분에 형성되는 발열 영역;을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor donor substrate comprising: a body made of a semiconductor material; A groove formed on a surface of the body so as to accommodate an organic material for an organic light emitting device; And a heating region formed on at least a portion of the groove to heat the organic material contained in the groove to deposit the organic material on the target substrate.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 몸체는, 수직 방향으로 식각이 용이한 결정 구조를 갖는 반도체 웨이퍼의 적어도 일부일 수 있다.Further, according to the present invention, the body may be at least a part of a semiconductor wafer having a crystal structure that is easy to etch in the vertical direction.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 홈부는, 제 1 폭과 제 1 깊이를 갖고, 수직으로 형성되는 수직 측벽을 가질 수 있다.Further, according to the present invention, the groove portion may have a vertical side wall having a first width and a first depth and formed vertically.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 홈부는, 상부는 제 2 폭을 갖고, 하부는 상기 제 2 폭 보다 작은 제 3 폭을 갖도록 경사 측벽을 가질 수 있다.According to the present invention, the groove portion may have inclined side walls such that the upper portion has a second width and the lower portion has a third width smaller than the second width.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 홈부는, 상기 유기물이 수용되는 수용홈부; 및 상기 수용홈부에 수용된 상기 유기물을 상기 대상 기판 방향으로 안내할 수 있도록 상기 수용홈부와 연결되는 형상으로 형성되는 안내 측벽부;를 더 포함할 수 있다.Further, according to the present invention, the groove portion may include: an accommodating groove portion in which the organic material is accommodated; And a guide sidewall formed to be connected to the receiving groove so as to guide the organic material accommodated in the receiving groove toward the target substrate.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 몸체는 제 1 도전형으로 이루어지고, 상기 발열 영역은, 상기 홈부의 적어도 바닥면 하부에 상기 제 1 도전형과 다른 제 2 도전형으로 불순물을 이온 주입하여 형성될 수 있다.According to the present invention, the body is made of a first conductive type, and the heat generating region is formed by ion-implanting impurities into a second conductive type different from the first conductive type at least under the bottom surface of the groove portion .

또한, 본 발명에 따르면, 상기 몸체는 퓨어 기판, N 타입 도핑 기판, P 타입 도핑 기판 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 발열 영역은, N 타입 또는 P 타입으로 이온 주입될 수 있다.In addition, according to the present invention, the body may be formed of any one of a pure substrate, an N-type doped substrate, and a P-type doped substrate, and the heat generating region may be ion-implanted into N-type or P-type.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 발열 영역은, 상기 홈부의 상기 바닥면에 형성되는 바닥 발열부; 및 상기 홈부의 상기 측벽의 적어도 일부에 형성되는 측벽 발열부;를 포함할 수 있다.In addition, according to the present invention, the heat generating region may include: a bottom heat generating portion formed on the bottom surface of the groove portion; And a side wall heating part formed at least on a part of the side wall of the groove part.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 홈부는, 상기 몸체의 가로 방향으로 형성되고, 서로 일정한 거리를 갖는 복수개의 줄홈부; 및 복수개의 상기 줄홈부들을 전기적으로 서로 연결시킬 수 있도록 상기 몸체의 세로 방향으로 형성되는 전극부;를 포함할 수 있다.According to the present invention, the groove portion may include a plurality of row groove portions formed in the transverse direction of the body and having a predetermined distance from each other; And an electrode part formed in the longitudinal direction of the body so as to electrically connect the plurality of barb parts.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 전극부의 폭은 상기 줄홈부의 폭 보다 넓을 수 있다.Also, according to the present invention, the width of the electrode portion may be wider than the width of the barb portion.

또한, 본 발명에 따른 반도체 도너 기판은, 상기 몸체의 상면, 상기 홈부의 내면, 상기 발열 영역의 상면 중 어느 하나 이상에 형성되는 보호층;을 더 포함할 수 있다.Further, the semiconductor donor substrate according to the present invention may further include a protective layer formed on at least one of an upper surface of the body, an inner surface of the groove, and an upper surface of the heat generating region.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 보호층은 산화막 또는 고유전율 절연막을 포함할 수 있다.Also, according to the present invention, the protective layer may include an oxide film or a high dielectric constant insulating film.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 반도체 웨이퍼 및 반도체 공정을 이용하여 별도의 마스크나 접착제를 사용하지 않고도 이온 주입 공정을 이용하여 발열 영역을 형성할 수 있어서 미세 패턴 형성을 용이 하게 할 수 있으며, 반영구적인 반도체 재질의 홈부 구조를 이용하여 유기물의 전사 방향을 정확하게 안내할 수 있고, 기존의 접착제나 합성 수지 재질의 격벽을 사용할 필요가 없어서 제조 비용과 제조 시간을 절감할 수 있으며, 실리콘 재질의 특성상 열적, 기계적으로 매우 견고하여 제품의 내구성과 신뢰도를 크게 향상시킬 수 있고, 종래의 파손된 합성 수지 재질의 격벽 성분으로 인한 오염을 방지하여 발광 효율을 높일 수 있으며, 양질의 제품을 생산할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention as described above, a heat generating region can be formed using an ion implantation process without using a separate mask or adhesive using a semiconductor wafer and a semiconductor process, thereby facilitating fine pattern formation And it is possible to accurately guide the transfer direction of the organic material by using the semi-permanent groove structure of the semiconductor material, and it is possible to reduce the manufacturing cost and the manufacturing time because it is unnecessary to use the conventional adhesive or the partition wall made of the synthetic resin material It is possible to improve the durability and reliability of the product significantly and to improve the luminous efficiency by preventing contamination due to the breakage component of the conventional broken synthetic resin material, Can be produced. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 반도체 도너 기판을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판을 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 2의 반도체 도너 기판을 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판을 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판을 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판을 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판을 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 1의 반도체 도너 기판을 이용한 유기 발광 장치의 제조 과정을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor donor substrate in accordance with some embodiments of the present invention.
2 is a perspective view illustrating a semiconductor donor substrate according to some alternative embodiments of the present invention.
3 is a plan view of the semiconductor donor substrate of FIG.
4 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor donor substrate in accordance with some further embodiments of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor donor substrate in accordance with some further embodiments of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor donor substrate in accordance with some further embodiments of the present invention.
7 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor donor substrate in accordance with some further embodiments of the present invention.
8 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of an organic light emitting device using the semiconductor donor substrate of FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, It is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise "and / or" comprising "when used herein should be interpreted as specifying the presence of stated shapes, numbers, steps, operations, elements, elements, and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as limited to the particular shapes of the regions shown herein, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.

이하, 본 발명의 여러 실시예들에 따른 반도체 도너 기판, 반도체 도너 기판의 제조 방법 및 유기 발광 장치의 제조 방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a semiconductor donor substrate, a method of manufacturing a semiconductor donor substrate, and a method of manufacturing an organic light emitting device according to various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 반도체 도너 기판(100)을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor donor substrate 100 in accordance with some embodiments of the present invention.

먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 반도체 도너 기판(100)은, 크게 몸체(10)와 홈부(20) 및 발열 영역(30)을 포함할 수 있다.First, as shown in FIG. 1, a semiconductor donor substrate 100 according to some embodiments of the present invention may include a body 10, a groove 20, and a heat generating region 30.

예컨대, 상기 몸체(10)는 반도체 재질로 이루어지는 것으로서, 더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 몸체(10)는, 수직 방향으로 식각이 용이한 결정 구조를 갖는 도 3의 반도체 웨이퍼(W)의 적어도 일부일 수 있다.For example, the body 10 is made of a semiconductor material. More specifically, for example, the body 10 includes at least a part of the semiconductor wafer W of FIG. 3 having a crystal structure that is easy to etch in the vertical direction .

이러한 상기 몸체(10)는 반도체 도너 기판(100)의 대부분을 지칭할 수 있고, 본 발명의 범위는 상기 몸체(10)의 모양이나 형상에 제한되지 않는다.The body 10 may refer to most of the semiconductor donor substrate 100 and the scope of the present invention is not limited to the shape and the shape of the body 10. [

예컨대, 상기 몸체(10)는 시드의 결정을 성장시킨 잉곳을 절단하여 이루어지는 퓨어 웨이퍼 또는 벌크 웨이퍼일 수 있다. 또한, 상기 홈부(20) 및 상기 발열 영역(30) 역시, 반도체 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(10)는 불순물이 도핑되지 않은 퓨어 웨이퍼나, 소량의 불순물이 도핑된 벌크 웨이퍼 또는 벌크 실리콘-게르마늄 웨이퍼의 일부 또는 전체일 수 있다. For example, the body 10 may be a pure wafer or a bulk wafer formed by cutting an ingot on which seed crystals are grown. The groove 20 and the heat generating region 30 may also be formed of a semiconductor material. For example, the body 10 may be part or all of a pure wafer that is not doped with impurities, a bulk wafer that is doped with a small amount of impurities, or a bulk silicon-germanium wafer.

그러나, 이러한 상기 몸체(10)는 상술된 재질에 반드시 국한되지 않고, 불순물이 도핑되면 전기적 성질을 갖는 반도체 재질로 제조되는 모든 반도체 물질이 모두 적용될 수 있다.However, the body 10 is not limited to the above-described material, and all the semiconductor materials made of a semiconductor material having electrical properties can be applied if the impurities are doped.

또한, 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 홈부(20)는 유기 발광 장치용 유기물(1)을 수용할 수 있도록 상기 몸체(10)의 표면부에 형성되는 것으로서, 예를 들면, 상기 홈부(20)는, 제 1 폭(W1)과 제 1 깊이(D1)를 갖고, 수직으로 형성되는 수직 측벽(21)을 가질 수 있다.1, the groove 20 is formed on the surface of the body 10 so as to accommodate the organic material 1 for the organic light emitting device. For example, The first side wall 20 may have a vertical side wall 21 having a first width W1 and a first depth D1 and formed vertically.

이러한 상기 홈부(20)는 예컨대, 반도체 공정의 일종인 식각 과정을 통해서 상기 몸체(10)의 표면부에 형성될 수 있는 것으로서, 더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 홈부(20)는, 상기 유기물(1)이 수용되는 수용홈부(20-1) 및 상기 수용홈부(20-1)에 수용된 상기 유기물(1)을 상기 대상 기판(S) 방향으로 안내할 수 있도록 상기 수용홈부(20-1)와 연결되는 형상으로 형성되는 안내 측벽부(20-2)를 포함할 수 있다.The groove 20 may be formed on the surface of the body 10 through an etching process, for example, a semiconductor process. More specifically, for example, the groove 20 may be formed on the surface of the organic material 1 and the receiving groove 20-1 so that the organic substance 1 accommodated in the receiving groove 20-1 can be guided toward the target substrate S, And a guide side wall portion 20-2 formed in a connected shape.

따라서, 상기 유기물(1)은 상기 수용홈부(20-1)에 수용될 수 있고, 상기 발열 영역(30)이 발열되면 액체에서 기체 상태로 승화되면서 상기 안내 측벽부(20-2)에 의해 수직 상방으로 안내되어 방향성을 갖는 상태로 수직 상방 또는 수직 하방에 정렬된 도 8의 대상 기판(S)에 증착될 수 있다.Therefore, the organic material 1 can be accommodated in the receiving groove 20-1. When the heating region 30 generates heat, the organic material 1 is sublimated from the liquid to the gas state, Can be deposited on the target substrate S of Fig. 8 aligned vertically upward or vertically downward in a direction that is directed upward.

만약, 상술된 상기 안내 측벽부(20-2)가 없다면 기체 상태의 상기 유기물(1)은 좌우 방향으로도 분산되면서 상기 대상 기판(S)에 정확한 패턴으로 증착되기 어렵다. 따라서, 이러한 상기 안내 측벽부(20-2)를 이용하여 상기 대상 기판(S)에 증착되는 상기 유기물(1) 패턴의 정밀도와 정확도를 크게 향상시킬 수 있다.If the above described guide side wall portion 20-2 is not provided, the organic substance 1 in a gaseous state is dispersed in the left and right direction, and is hardly deposited in the precise pattern on the target substrate S. Therefore, the accuracy and accuracy of the pattern of the organic substance 1 deposited on the target substrate S can be greatly improved by using the guide side wall portion 20-2.

또한, 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 발열 영역(30)은 상기 홈부(20)에 수용된 상기 유기물(1)을 가열하여 상기 유기물(1)이 대상 기판(S)에 증착될 수 있도록 상기 홈부(20)의 적어도 일부분에 형성되는 영역으로서, 상기 유기물(1)의 줄 가열이 가능하도록 상기 몸체(10)에 불순물을 이온 주입하여 저항을 가진 도전 영역으로 형성되는 부분일 수 있다.1, the heating region 30 may be formed by heating the organic material 1 accommodated in the groove 20 so that the organic material 1 may be deposited on the target substrate S. For example, as shown in FIG. 1, A region formed in at least a part of the groove 20 may be a portion formed as a conductive region having resistance by ion implantation of impurities into the body 10 so as to heat the organic material 1.

예를 들면, 상기 몸체(10)는 제 1 도전형으로 이루어지고, 상기 발열 영역(30)은, 상기 홈부(20)의 적어도 바닥면 하부에 상기 제 1 도전형과 다른 제 2 도전형으로 불순물을 이온 주입하여 형성될 수 있다.For example, the body 10 may be formed of a first conductive type, and the heat generating region 30 may be formed in at least a bottom portion of the bottom surface of the trench 20 in a second conductive type different from the first conductive type, May be formed by ion implantation.

더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 몸체(10)는 퓨어 기판, N 타입 도핑 기판, P 타입 도핑 기판 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 발열 영역(30)은, N 타입 또는 P 타입으로 이온 주입될 수 있다.More specifically, for example, the body 10 may be formed of any one of a pure substrate, an N-type doped substrate, and a P-type doped substrate, and the heat generating region 30 may be ion-implanted in N-type or P-type .

예컨대, 상기 몸체(10)가 도전성이 없는 퓨어 기판일 때, 상기 발열 영역(30)은, N 타입 또는 P 타입으로 이온 주입되어 도전성이 형성될 수 있다. 즉, 상기 몸체(10)가 N 타입 또는 P 타입으로 도핑된 벌크 웨이퍼인 경우, 상기 발열 영역(30)은, 상기 몸체(10)의 타입과 반대인 P 타입 또는 N 타입으로 이온 주입될 수 있다. 그러나, 이에 반드시 국한되지 않고, 예컨대, 즉, 상기 몸체(10)가 N 타입 또는 P 타입으로 도핑된 벌크 웨이퍼인 경우, 상기 발열 영역(30)은, 상기 몸체(10)의 타입과 같은 N 타입 또는 P 타입으로 이온 주입될 수 있다. 이 경우에는 상기 발열 영역(30)에서 상기 몸체(10)로의 전류 누설을 방지할 수 있도록 상기 몸체(10)에 도핑된 불순물의 농도 보다 상기 발열 영역(30)에 도핑된 불순물의 농도가 훨씬 높은 것이 바람직하다.For example, when the body 10 is a pure substrate having no conductivity, the heat generating region 30 may be ion-implanted into N-type or P-type to be conductive. That is, when the body 10 is a bulk wafer doped with N type or P type, the heat generating region 30 may be ion-implanted into P type or N type opposite to the type of the body 10 . However, the present invention is not limited thereto. For example, in the case where the body 10 is a bulk wafer doped with N type or P type, the heat generating region 30 may be an N type Or P type. In this case, the concentration of the dopant doped in the heating region 30 is much higher than the concentration of the dopant doped in the body 10 so as to prevent current leakage from the heating region 30 to the body 10 .

이러한, 불순물 도핑량은 상기 유기물(1)의 종류나, 사용 환경이나, 상기 몸체(10)의 특성이나, 챔버 환경 등에 따라 매우 다양하게 최적화 설계될 수 있다.The amount of doping of the impurities can be optimally designed according to the type of the organic material 1, the environment of use, the characteristics of the body 10, the chamber environment, and the like.

따라서, 상기 발열 영역(30)에 전계가 인가되면 상기 발열 영역(30)이 저항열에 의해 고온으로 줄 가열되면서 상기 홈부(20)에 수용된 상기 유기물(1)을 액체에서 기체 상태로 승화시킬 수 있고, 이렇게 승화된 상기 유기물(1)은 상기 안내 측벽부(20-2)에 의해 수직 상방으로 안내되어 방향성을 갖는 상태로 수직 상방 또는 수직 하방에 정렬된 도 8의 대상 기판(S)에 증착될 수 있다.Accordingly, when an electric field is applied to the heating region 30, the heating region 30 is heated to a high temperature by the resistance heat, so that the organic substance 1 accommodated in the groove portion 20 can be sublimated from the liquid to the gas state , The organic material 1 thus sublimated is guided vertically upward by the guiding sidewall portion 20-2 to be deposited on the target substrate S of Fig. 8 aligned vertically upward or downward in a directional state .

그러므로, 반도체 웨이퍼 및 반도체 공정을 이용하여 별도의 마스크나 접착제를 사용하지 않고도 이온 주입 공정을 이용하여 상기 발열 영역(30)을 형성할 수 있어서 미세 패턴 형성을 용이 하게 할 수 있으며, 반영구적인 반도체 재질의 상기 홈부(20) 구조를 이용하여 유기물의 전사 방향을 정확하게 안내할 수 있고, 기존의 접착제나 합성 수지 재질의 격벽을 사용할 필요가 없어서 제조 비용과 제조 시간을 절감할 수 있으며, 실리콘 재질의 특성상 열적, 기계적으로 매우 견고하여 제품의 내구성과 신뢰도를 크게 향상시킬 수 있고, 종래의 파손된 합성 수지 재질의 격벽 성분으로 인한 오염을 방지하여 발광 효율을 높일 수 있으며, 양질의 제품을 생산할 수 있다.Therefore, the heat generating region 30 can be formed using an ion implantation process without using a separate mask or adhesive by using a semiconductor wafer and a semiconductor process, so that it is possible to easily form a fine pattern, It is possible to precisely guide the transfer direction of the organic material by using the structure of the grooves 20 of the grooves 20 and it is not necessary to use the conventional adhesive or the partition wall of the synthetic resin material so that the manufacturing cost and the manufacturing time can be reduced, Thermal and mechanical rigidity. Therefore, the durability and the reliability of the product can be greatly improved, and the contamination due to the barrier rib component of the conventional broken synthetic resin material can be prevented, and the luminous efficiency can be increased, and high quality products can be produced.

도 2는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판(200)을 나타내는 사시도이고, 도 3은 도 2의 반도체 도너 기판(200)을 나타내는 평면도이다.FIG. 2 is a perspective view showing a semiconductor donor substrate 200 according to some other embodiments of the present invention, and FIG. 3 is a plan view showing a semiconductor donor substrate 200 of FIG.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판(200)의 홈부(20)는, 상기 몸체(10)의 가로 방향으로 형성되고, 서로 일정한 거리를 갖는 복수개의 줄홈부(20a) 및 복수개의 상기 줄홈부(20a)들을 전기적으로 서로 연결시킬 수 있도록 상기 몸체(10)의 세로 방향으로 형성되는 전극부(20b)를 포함할 수 있다.2 and 3, the groove 20 of the semiconductor donor substrate 200 according to some embodiments of the present invention is formed in the transverse direction of the body 10, And an electrode portion 20b formed in the longitudinal direction of the body 10 so as to electrically connect the plurality of wire groove portions 20a and the plurality of wire groove portions 20a.

여기서, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 줄홈부(20a)에 형성된 상기 발열 영역(30)과 상기 전극부(20b)에 형성된 상기 발열 영역(30) 간의 저항에 차이를 형성하여 주로 상기 줄홈부(20a)에서 집중적으로 저항열이 발생될 수 있도록 상기 전극부(20b)의 폭(W5)은 상기 줄홈부(20a)의 폭(W4) 보다 넓을 수 있다.2 and 3, there is a difference in resistance between the heat generating region 30 formed in the row groove portion 20a and the heat generating region 30 formed in the electrode portion 20b, The width W5 of the electrode portion 20b may be wider than the width W4 of the line groove portion 20a so that resistive heat can be generated intensively in the line groove portion 20a.

따라서, 상기 전극부(20b)의 폭(W5)은 상기 줄홈부(20a)의 폭(W4) 보다 넓기 때문에 상대적으로 저항이 낮아져서 발열량이 적고, 이로 인하여 전류의 분산을 원활하게 할 수 있고, 상기 줄홈부(20a)의 폭(W4)은 상기 전극부(20b)의 폭(W5) 보다 좁기 때문에 상대적으로 저항이 높아져서 발열량이 많고, 이로 인하여 상기 유기물(1)의 줄 가열을 원활하게 할 수 있다.Therefore, since the width W5 of the electrode portion 20b is wider than the width W4 of the line groove portion 20a, the resistance is relatively low and the amount of heat generated is small, Since the width W4 of the wire groove portion 20a is narrower than the width W5 of the electrode portion 20b, the resistance is relatively high and the amount of heat generation is large, so that the wire heating of the organic material 1 can be smoothly performed .

이러한 본 발명의 반도체 기술을 이용한 상기 발열 영역(30)을 기존의 금속 발열층과 비교하면, 기존의 금속 발열층은 기판으로부터 분리되는 박리 현상이 쉽게 발생하는 것은 물론이고, 예컨대, 제조 상의 문제 등 다양한 원인으로 금속 발열층의 일부분이 폭이 좁아지거나 얇아지면 그 부분에서 저항이 높아지고, 높아진 저항으로 인하여 발열이 집중되어 결국 금속 발열층이 단선되는 등의 문제점이 있었으나, 본 발명의 반도체 기술을 이용한 상기 발열 영역(30)은 비록 폭이 좁아지더라도 높아진 저항으로 인하여 오히려 주변 전류가 낮아져서 과열을 방지하는 셀프 컴펜세이션, 즉, 자가 보상(self compensation) 현상이 발생되어 실제로 반영구적인 내구성을 가질 수 있다. When the heat generating region 30 using the semiconductor technology of the present invention is compared with the existing metal heating layer, not only is the existing metal heating layer easily peeled off from the substrate, If the width of the metal heating layer is narrowed or thinned due to various reasons, there is a problem that the resistance is increased at the portion and the heat is concentrated due to the increased resistance, resulting in disconnection of the metal heating layer. However, The heating region 30 may have a semi-permanent durability due to self-compensation, i.e., self compensation, which prevents overheating due to lowered peripheral current due to increased resistance even though the width is narrower .

도 4는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판(300)을 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor donor substrate 300 in accordance with some further embodiments of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판(300)의 홈부(20)는, 상부는 제 2 폭(W2)을 갖고, 하부는 상기 제 2 폭(W2) 보다 작은 제 3 폭(W3)을 갖도록 경사 측벽(22)을 가질 수 있다.4, the groove 20 of the semiconductor donor substrate 300 according to some other embodiments of the present invention has a top portion having a second width W2 and a bottom portion having a second width W3, and a third width W3 that is less than W2.

따라서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 홈부(20)는 상기 제 2 폭(W2)과 상기 제 3 폭(W3)의 크기를 결정하여 상기 경사 측벽(22)의 경사 각도를 조정할 수 있고, 이로 인하여 상기 유기물(1)의 줄 가열을 이용한 증착시, 상기 대상 기판(S)에 형성되는 상기 유기물(1)의 패턴에 대한 확산 정도를 조절하여 예컨대, 상기 홈부(20) 간의 거리 등을 함께 고려하여 최적의 패턴을 형성하는 것이 가능하다.4, the groove 20 may adjust the inclination angle of the inclined side wall 22 by determining the second width W2 and the third width W3, Accordingly, when the organic material (1) is subjected to line heating, the degree of diffusion of the organic material (1) formed on the target substrate (S) can be controlled so that the distance between the grooves It is possible to form an optimum pattern.

도 5는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판(400)을 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor donor substrate 400 in accordance with some further embodiments of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판(400)의 상기 발열 영역(30)은, 상기 홈부(20)의 상기 바닥면에 형성되는 바닥 발열부(31) 및 상기 홈부(20)의 상기 측벽의 적어도 일부에 형성되는 측벽 발열부(32)를 포함할 수 있다.5, the heat generating region 30 of the semiconductor donor substrate 400 according to still another embodiment of the present invention includes a bottom heating portion (not shown) formed on the bottom surface of the groove portion 20 31 and a sidewall heating portion 32 formed on at least a part of the sidewall of the groove portion 20.

따라서, 이러한 상기 측벽 발열부(32)를 이용하여 상기 바닥 발열부(31)에 의해 증발되는 상기 유기물(1)이 상기 수직 측벽(21)에 증착되는 것을 방지할 수 있고, 이러한 상기 수직 측벽(21)에 증착되는 상기 유기물(1)을 고온으로 가열하여 제거함으로써 상기 홈부(20)의 폭이 좁아지는 것을 방지할 수 있다.Therefore, the organic material 1 evaporated by the bottom heating portion 31 can be prevented from being deposited on the vertical sidewall 21 by using the sidewall heat generating portion 32, The width of the groove 20 can be prevented from being narrowed by heating the organic material 1 deposited on the substrate 21 by heating at a high temperature.

도 6은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판(500)을 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor donor substrate 500 according to some further embodiments of the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판(500)은 상기 바닥 발열부(31)와 함께 상술된 상기 경사 측벽(22)에 상술된 상기 측벽 발열부(32)가 형성될 수 있다.6, a semiconductor donor substrate 500 according to some other embodiments of the present invention may include a sidewall heat generating portion (not shown) described above with respect to the inclined sidewall 22 described above with the bottom heating portion 31, (32) may be formed.

따라서, 상기 경사 측벽(22)의 경사 각도를 조정할 수 있고, 이로 인하여 상기 유기물(1)의 줄 가열을 이용한 증착시, 상기 대상 기판(S)에 형성되는 상기 유기물(1)의 패턴에 대한 확산 정도를 조절하여 예컨대, 상기 홈부(20) 간의 거리 등을 함께 고려하여 최적의 패턴을 형성하는 것이 가능한 동시에, 이러한 상기 측벽 발열부(32)를 이용하여 상기 바닥 발열부(31)에 의해 증발되는 상기 유기물(1)이 상기 수직 측벽(21)에 증착되는 것을 방지할 수 있고, 이러한 상기 수직 측벽(21)에 증착되는 상기 유기물(1)을 고온으로 가열하여 제거함으로써 상기 홈부(20)의 폭이 좁아지는 것을 방지할 수 있다.Therefore, it is possible to adjust the inclination angle of the inclined sidewall 22, and thus, when the organic material 1 is heated by the heating of the organic material 1, the diffusion of the pattern of the organic material 1 formed on the target substrate S It is possible to form an optimum pattern by taking into account the distance between the grooves 20 and the like so as to adjust the degree of the heat generated by the bottom heating unit 31 and to evaporate by the bottom heating unit 31 using the side wall heating unit 32 It is possible to prevent the organic material 1 from being deposited on the vertical sidewall 21 and to remove the organic material 1 deposited on the vertical sidewall 21 by heating at a high temperature, Can be prevented from becoming narrow.

도 7은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판(600)을 나타내는 단면도이다.7 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor donor substrate 600 according to some further embodiments of the present invention.

도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판(600)은, 상기 몸체(10)의 상면(F), 상기 홈부(20)의 내면, 상기 발열 영역(30)의 상면 중 어느 하나 이상에 형성되는 보호층(40)을 더 포함할 수 있다.7, a semiconductor donor substrate 600 according to still another embodiment of the present invention includes an upper surface F of the body 10, an inner surface of the groove 20, 30 may be formed on at least one of the upper surfaces of the protective layer 40.

더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 보호층(40)은 산화막 또는 고유전율 절연막을 포함할 수 있다.More specifically, for example, the protective layer 40 may include an oxide film or a high dielectric constant insulating film.

따라서, 상기 보호층(40)을 이용하여 상기 유기물(1)의 줄 가열시 상기 유기물(1)을 상기 몸체(10)와, 상기 홈부(20) 및 상기 발열 영역(30)으로부터 쉽게 분리되어 증발될 수 있게 하고, 상기 몸체(10)와, 상기 홈부(20) 및 상기 발열 영역(30)의 강도 및 내구성을 향상시킬 수 있다.The organic material 1 is easily separated from the body 10, the groove 20 and the heat generating region 30 when the organic material 1 is heated by using the protective layer 40, And the strength and durability of the body 10, the groove 20, and the heat generating region 30 can be improved.

도 8은 도 1의 반도체 도너 기판(100)을 이용한 유기 발광 장치의 제조 과정을 나타내는 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of an organic light emitting device using the semiconductor donor substrate 100 of FIG.

도 8에 도시된 바와 같이, 도 1의 반도체 도너 기판(100)을 반전시킨 후, 도가니나 잉크젯 프린터나 다른 도너 기판 등을 이용하여 상기 반도체 도너 기판(100)의 표면에 유기물(1)을 전체적으로 도포시킨 다음, 상기 발열 영역(30)에 전계를 순간적으로 인가하면, 상기 홈부(20)의 내부에 존재하는 상기 유기물(1)들만 선택적으로 증발되어 상기 반도체 도너 기판(10)의 하방에 정렬된 상기 대상 기판(S)으로 쉽게 전사되어 패턴을 형성할 수 있다.As shown in FIG. 8, after the semiconductor donor substrate 100 of FIG. 1 is inverted, an organic substance 1 is formed on the surface of the semiconductor donor substrate 100 as a whole by using a crucible, an inkjet printer, another donor substrate, When the electric field is instantaneously applied to the heat generating region 30, only the organic substances 1 existing in the groove 20 are selectively evaporated and aligned on the lower side of the semiconductor donor substrate 10 And can be easily transferred to the target substrate S to form a pattern.

여기서, 설명을 위해서 도 1의 반도체 도너 기판(100)을 반전시킨 상태가 도시되었으나, 이외에도, 도 1의 반도체 도너 기판(100)을 반전시키지 않고 상기 반도체 도너 기판(100)의 상방에 정렬된 대상 기판에 증착시키는 것도 가능함은 물론이다.Although the semiconductor donor substrate 100 shown in FIG. 1 is inverted for the sake of explanation, the semiconductor donor substrate 100 shown in FIG. 1 is not reversed, It is of course possible to deposit them on the substrate.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

1: 유기물
10: 몸체
20: 홈부
21: 수직 측벽
22: 경사 측벽
20-1: 수용홈부
20-2: 안내 측벽부
20a: 줄홈부
20b: 전극부
30: 발열 영역
31: 바닥 발열부
32: 측벽 발열부
S: 대상 기판
W: 웨이퍼
F: 상면
40: 보호층
100, 200, 300, 400, 500, 600: 반도체 도너 기판1: organic matter
10: Body
20: Groove
21: vertical side wall
22: inclined side wall
20-1: receiving groove
20-2:
20a:
20b:
30: heating region
31: Floor heating part
32: Side wall heating part
S: target substrate
W: Wafer
F: upper surface
40: Protective layer
100, 200, 300, 400, 500, 600: semiconductor donor substrate

Claims

A body made of a semiconductor material;
A groove formed on a surface of the body so as to accommodate an organic material for an organic light emitting device; And
And a heating region formed on at least a portion of the groove to allow the organic material to be deposited on a target substrate by heating the organic material contained in the groove,
Wherein the body is of a first conductivity type,
Wherein the heat generating region is formed by ion implanting an impurity into a second conductive type different from the first conductive type at least under the bottom surface of the groove portion.

The method according to claim 1,
Wherein the body is at least a part of a semiconductor wafer having a crystal structure that is easy to etch in a vertical direction.

The method according to claim 1,
Wherein the groove has a vertical side wall having a first width and a first depth and formed vertically.

The method according to claim 1,
Wherein the groove has an inclined sidewall such that the upper portion has a second width and the lower portion has a third width less than the second width.

The method according to claim 1,
[0028]
An accommodating groove portion in which the organic material is accommodated; And
A guide sidewall formed to be connected to the receiving groove so as to guide the organic material accommodated in the receiving groove toward the target substrate;
And a semiconductor substrate.

delete

The method according to claim 1,
Wherein the body is made of any one of a pure substrate, an N-type doped substrate, and a P-type doped substrate,
Wherein the heat generating region is ion-implanted in N type or P type.

The method according to claim 1,
Wherein the heat generating region comprises:
A bottom heating part formed on the bottom surface of the groove part; And
A side wall heating part formed at least on a side wall of the groove part;
And a semiconductor substrate.

The method according to claim 1,
[0028]
A plurality of string grooves formed in the transverse direction of the body and having a predetermined distance from each other; And
An electrode part formed in the longitudinal direction of the body so as to electrically connect the plurality of the barb parts;
And a semiconductor substrate.

10. The method of claim 9,
Wherein a width of the electrode portion is wider than a width of the barrel portion.

The method according to claim 1,
A protective layer formed on at least one of an upper surface of the body, an inner surface of the groove portion, and an upper surface of the heat generating region;
Further comprising a semiconductor substrate.

12. The method of claim 11,
Wherein the protective layer comprises an oxide film or a high dielectric constant insulating film.