KR101909934B1 - Transparent composite oxide film for flexible display, and display apparatus including the same, and method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 투명 전도성 산화물 다층막의 전극패턴 형성에 따른 패턴 시인성 문제를 해결하기 위한 기술에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
플렉서블 디바이스 시장이 점차 성장함에 따라 디스플레이의 대면적화와 경량화를 필요로 하고, 디바이스가 종이처럼 휠 수 있는 유연성이 필수적으로 요구되고 있다. 이러한 대면적화를 위해선 기존의 투명전극보다 더 낮은 면저항 값이 요구되어 새로운 재료가 필요하다. As the flexible device market grows, it becomes necessary to make the display large-sized and lightweight, and it is essential that the device be flexible like a paper. For such a large surface area, a lower sheet resistance value is required than a conventional transparent electrode, and a new material is required.
현재 투명전극 소재로서 널리 사용되고 있는 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO)은 높은 가시광선 영역 투명도와 낮은 전기저항의 특성을 갖고 있으나, 높은 취성으로 인해 유연성 부분에 문제가 있는 것으로 평가되고 있다. 유연성에 한계가 있는 ITO 필름을 대체하기 위해 현재 그래핀, 탄소나노튜브, 금속 나노와이어, 산화물/금속/산화물 다층구조 필름 등의 다양한 연구가 이루어지고 있다.Indium tin oxide (ITO), which is widely used as a transparent electrode material, has a high visible light area transparency and low electric resistance, but it is evaluated as a problem in flexibility due to high brittleness. A variety of studies are currently underway to replace ITO films with limited flexibility, such as graphene, carbon nanotubes, metal nanowires, and oxide / metal / oxide multi-layer films.
그 중 SnO2 기반의 산화물/금속/산화물 투명 전도성 산화물 다층막은 SnO2 물질의 우수한 내화학성, 내마모성, 투명도를 얻는 동시에 중간 금속층 Ag를 10 nm대의 박막으로 증착하여 얇은 두께로 우수한 전기적 특성을 얻을 수 있다. 또한, 산화물 SnO2에 원자반경이 유사한 Mn을 치환형으로 도핑하여 더욱 우수한 광학적, 전기적 특성을 갖는 투명 전극용 다층막을 제작할 수 있다.Among them, the SnO 2 -based oxide / metal / oxide transparent conductive oxide multi-layer film has excellent chemical resistance, abrasion resistance and transparency of the SnO 2 material, and at the same time, the intermediate metal layer Ag is deposited in a thin film of 10 nm band, have. In addition, Mn having a similar atomic radius to the oxide SnO 2 is doped in a substitutional manner, so that a multilayer film for a transparent electrode having better optical and electrical characteristics can be manufactured.
그러나, 산화물/금속/산화물 투명 전도성 산화물 다층막 또한 투명전극으로 사용하기 위해선 식각공정을 통해 전극패턴을 형성해야 한다. 이 때, 식각된 부분과 식각되지 않는 부분에서 발생하는 반사율과 색차값의 차이로 인해 전극패턴 자국이 드러나는 문제가 발생하게 된다. However, in order to use the oxide / metal / oxide transparent conductive oxide multilayer film also as a transparent electrode, an electrode pattern must be formed through an etching process. At this time, there arises a problem that the electrode pattern marks are exposed due to the difference between the reflectance and the color difference value which are generated in the etched portion and the non-etched portion.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 산화물/금속/산화물 기반 전도성 산화물 다층막에서, 기판과 투명 전도막 사이에 굴절률 조정층(Index matching layer)을 삽입하여 굴절률의 차이를 최소화하고, 전극패턴을 육안으로 식별하지 못하도록 하는, 패턴 시인성을 개선한 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막, 이를 포함하는 디스플레이 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve the problems described above, and it is an object of the present invention to provide an oxide / metal / oxide-based conductive oxide multi-layered film in which a refractive index adjustment layer is inserted between a substrate and a transparent conductive film, , A transparent conductive oxide multi-layer film for a flexible display in which an electrode pattern is not visually distinguished, and a pattern visibility is improved, a display including the transparent conductive oxide multi-layer film, and a manufacturing method thereof.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막은 기재층(substrate layer) 상에 형성되고, 미리 정해진 제1 기준치 이상의 굴절률을 갖는 물질로 구성된 제1 굴절률 조정층, 상기 제1 굴절률 조정층 상에 형성되고, 미리 정해진 제2 기준치 이하의 굴절률을 갖는 물질로 구성된 제2 굴절률 조정층, 상기 제2 굴절률 조정층 상에 형성되는 제1 산화물층, 상기 제1 산화물층 상에 형성되는 금속층 및 상기 금속층 상에 형성되는 제2 산화물층을 포함한다. In order to achieve the above object, the transparent conductive oxide multi-layered film for flexible display according to the present invention comprises a first refractive index adjusting layer formed on a substrate layer and composed of a material having a refractive index higher than a predetermined first reference value, A second refractive index adjusting layer formed on the refractive index adjusting layer and made of a material having a refractive index equal to or lower than a predetermined second reference value, a first oxide layer formed on the second refractive index adjusting layer, And a second oxide layer formed on the metal layer.
본 발명의 일 실시예에서 상기 제1 굴절률 조정층은 MTO(Middle Temperature Oxide)로 구성될 수 있다. 그리고, MTO는 Mn-SnO2 일 수 있다. 이때, 상기 Mn-SnO2은 스퍼터링법을 통해 형성될 수 있고, 상기 Mn-SnO2은 10 내지 20 nm 의 두께로 구현될 수 있다. In an embodiment of the present invention, the first refractive index adjusting layer may be formed of a middle temperature oxide (MTO). The MTO is Mn-SnO 2 Lt; / RTI > In this case, the Mn-SnO 2 may be formed through the sputtering method, the Mn-SnO 2 may be implemented in a thickness of 10 to 20 nm.
본 발명의 다른 실시예에서 상기 제1 굴절률 조정층은 TiO2로 구성될 수 있다. 이때, 상기 TiO2은 스퍼터링법을 통해 형성되고, 10 내지 20 nm 의 두께로 구현될 수 있다.In another embodiment of the present invention, the first refractive index adjusting layer may be composed of TiO 2 . At this time, the TiO 2 is formed through a sputtering method, and may be implemented with a thickness of 10 to 20 nm.
상기 제2 굴절률 조정층은 SiO2 일 수 있다. 이때, 상기 SiO2은 스퍼터링법을 통해 형성되고, 10 내지 120 nm 의 두께로 구현될 수 있다. The second refractive index adjustment layer may be SiO 2 . At this time, the SiO 2 is formed through sputtering and may be implemented with a thickness of 10 to 120 nm.
본 발명의 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막 제조 방법은, 기재층(substrate layer) 상에 형성되고, 미리 정해진 제1 기준치 이상의 굴절률을 갖는 물질로 구성된 제1 굴절률 조정층을 형성하는 단계, 상기 제1 굴절률 조정층 상에 형성되고, 미리 정해진 제2 기준치 이하의 굴절률을 갖는 물질로 구성된 제2 굴절률 조정층을 형성하는 단계, 상기 제2 굴절률 조정층 상에 형성되는 제1 산화물층을 형성하는 단계, 상기 제1 산화물층 상에 형성되는 금속층을 형성하는 단계 및 상기 금속층 상에 형성되는 제2 산화물층을 형성하는 단계를 포함한다. The method for manufacturing a transparent conductive oxide multi-layered film for a flexible display of the present invention includes the steps of forming a first refractive index adjusting layer formed on a substrate layer and composed of a material having a refractive index higher than a first predetermined reference value, Forming a second refractive index adjusting layer formed on the refractive index adjusting layer and made of a material having a refractive index equal to or lower than a predetermined second reference value, forming a first oxide layer formed on the second refractive index adjusting layer, Forming a metal layer on the first oxide layer, and forming a second oxide layer on the metal layer.
본 발명의 일 실시예에서 상기 제1 굴절률 조정층은 MTO(Middle Temperature Oxide)로 구성될 수 있다. 그리고, MTO는 Mn-SnO2 일 수 있다. 이때, 상기 Mn-SnO2은 스퍼터링법을 통해 형성될 수 있고, 상기 Mn-SnO2은 10 내지 20 nm 의 두께로 구현될 수 있다. In an embodiment of the present invention, the first refractive index adjusting layer may be formed of a middle temperature oxide (MTO). The MTO is Mn-SnO 2 Lt; / RTI > In this case, the Mn-SnO 2 may be formed through the sputtering method, the Mn-SnO 2 may be implemented in a thickness of 10 to 20 nm.
본 발명의 다른 실시예에서 상기 제1 굴절률 조정층은 TiO2로 구성될 수 있다. 이때, 상기 TiO2은 스퍼터링법을 통해 형성되고, 10 내지 20 nm 의 두께로 구현될 수 있다.In another embodiment of the present invention, the first refractive index adjusting layer may be composed of TiO 2 . At this time, the TiO 2 is formed through a sputtering method, and may be implemented with a thickness of 10 to 20 nm.
상기 제2 굴절률 조정층은 SiO2 일 수 있다. 이때, 상기 SiO2은 스퍼터링법을 통해 형성되고, 10 내지 120 nm 의 두께로 구현될 수 있다. The second refractive index adjustment layer may be SiO 2 . At this time, the SiO 2 is formed through sputtering and may be implemented with a thickness of 10 to 120 nm.
본 발명에 의하면, 다층 투명 전도성 필름에서 굴절률 조정층인 SiO2/MTO와 SiO2/TiO2를 형성함으로써, 필름의 막 특성 중에서 투명전극으로서 요구되는 특성들을 만족함과 동시에, 패턴 시인성 문제를 개선할 수 있다는 효과가 있다. According to the present invention, SiO 2 / MTO and SiO 2 / TiO 2 , which are refractive index adjustment layers, are formed in the multilayer transparent conductive film, thereby satisfying the properties required as the transparent electrode among the film characteristics of the film and improving the pattern visibility problem Can be effective.
또한, 본 발명의 디스플레이용 다층 투명 전도성 필름은 기존의 ITO를 사용한 투명 전극을 대체할 수 있어서, 유연성을 확보할 수 있고, 보다 경제적이라는 장점이 있다. 특히, 굴절률 조정층인 SiO2/MTO의 경우, 전극층의 산화물에 쓰이는 MTO와 동일한 조성의 타겟을 고굴절 층에 사용하기 때문에, 산업적 측면에서 큰 이점을 갖는다. In addition, the multilayer transparent conductive film for display of the present invention can replace the conventional transparent electrode using ITO, and thus it is possible to secure flexibility and to be more economical. Particularly, in the case of SiO 2 / MTO, which is a refractive index adjustment layer, a target having the same composition as that of MTO used for the oxide of the electrode layer is used for the high-refraction layer, which has a great industrial advantage.
도 1은 다층막을 구성하는 각 물질의 파장별 굴절률을 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막 구조의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막 구조의 모식도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막 제조 방법을 보여주는 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 다층막 평가 결과를 나타낸 도표이다.
도 6은 도 5의 도표에서 ΔR550nm를 나타낸 그래프이다.
도 7은 도 5의 도표에서 Δb*를 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 다층막 평가 결과를 나타낸 도표이다.
도 9는 도 8의 도표에서 ΔR550nm를 나타낸 그래프이다.
도 10은 도 8의 도표에서 Δb*를 나타낸 그래프이다. 1 is a graph showing refractive indices of respective materials constituting the multilayer film by wavelength.
2 is a schematic view of a transparent conductive oxide multi-layer structure for a flexible display according to a first embodiment of the present invention.
3 is a schematic view of a transparent conductive oxide multi-layer structure for a flexible display according to a second embodiment of the present invention.
4 is a flowchart illustrating a method of fabricating a transparent conductive oxide multi-layered film for a flexible display according to an embodiment of the present invention.
5 is a chart showing the evaluation results of the multilayer film according to the first embodiment of the present invention.
6 is a graph showing? R 550 nm in the chart of FIG.
7 is a graph showing? B * in the chart of FIG.
8 is a chart showing the evaluation results of the multilayer film according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a graph showing? R 550 nm in the chart of FIG. 8; FIG.
10 is a graph showing? B * in the chart of FIG.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted in an ideal or overly formal sense unless expressly defined in the present application Do not.
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.In the following description of the present invention with reference to the accompanying drawings, the same components are denoted by the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant explanations thereof will be omitted. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.
본 발명은 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막 및 이를 포함하는 디스플레이 장치를 제안한다. The present invention provides a transparent conductive oxide multi-layer film for a flexible display and a display device including the same.
도 1은 다층막을 구성하는 각 물질의 파장별 굴절률을 나타낸 그래프이다. 1 is a graph showing refractive indices of respective materials constituting the multilayer film by wavelength.
도 1에서 보는 바와 같이, 550 nm 파장에서 Mn-SnO2의 굴절률은 2.02이고, SiO2는 1.5이고, TiO2는 2.6이고, Ag는 0.06이다.As shown in FIG. 1, the refractive index of Mn-SnO 2 at a wavelength of 550 nm is 2.02, SiO 2 is 1.5, TiO 2 is 2.6, and Ag is 0.06.
본 발명에서는 SiO2를 저굴절 물질로 사용하고, MTO(Middle Temperature Oxide)인 Mn-SnO2 또는 TiO2를 고굴절 물질로 사용하여, 굴절률 조정층을 구현하기로 한다. In the present invention, using the SiO 2 as a low refractive index material, and using the Mn-SnO 2 or TiO 2 MTO (Middle Temperature Oxide) in the high refractive index material, and to implement the refractive index adjusting layer.
본 발명의 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막은 기재층(substrate layer) 상에 형성되고, 미리 정해진 제1 기준치 이상의 굴절률을 갖는 물질로 구성된 제1 굴절률 조정층, 상기 제1 굴절률 조정층 상에 형성되고, 미리 정해진 제2 기준치 이하의 굴절률을 갖는 물질로 구성된 제2 굴절률 조정층, 상기 제2 굴절률 조정층 상에 형성되는 제1 산화물층, 상기 제1 산화물층 상에 형성되는 금속층 및 상기 금속층 상에 형성되는 제2 산화물층을 포함한다. The transparent conductive oxide multi-layered film for a flexible display of the present invention includes a first refractive index adjusting layer formed on a substrate layer and composed of a material having a refractive index equal to or higher than a predetermined first reference value, A second refractive index adjusting layer made of a material having a refractive index equal to or lower than a predetermined second reference value, a first oxide layer formed on the second refractive index adjusting layer, a metal layer formed on the first oxide layer, And a second oxide layer formed.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막 구조의 모식도이다. 2 is a schematic view of a transparent conductive oxide multi-layer structure for a flexible display according to a first embodiment of the present invention.
도 2의 실시예에서, 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막은 기재층으로 PET(Polyethylene terephthalate)(100), 제1 굴절률 조정층으로 Mn-SnO2(210), 제2 굴절률 조정층으로 SiO2(300), 제1 산화물층으로 Mn-SnO2(400), 금속층으로 Ag(500), 제2 산화물층으로 Mn-SnO2(600)를 사용한 실시예이다. 여기서, Mn-SnO2 는 MTO(Middle Temperature Oxide)의 일 예이다.In the embodiment of FIG. 2, the transparent conductive oxide multi-layered film for flexible display has a structure in which PET (polyethylene terephthalate) 100, Mn-SnO 2 210 as a first refractive index adjustment layer, SiO 2 300), a is an example using the first oxide layer with Mn-SnO 2 (400), the metal layer Ag (500), the Mn-SnO 2 (600) to the second oxide layer. Here, Mn-SnO 2 is an example of MTO (Middle Temperature Oxide).
도 2의 제1 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막 구조는 굴절률 조정층의 굴절률이 전극층(n≒2.0)과 PET(100)(n=1.6) 사이의 값을 갖도록 MTO/Ag/MTO/SiO2/MTO의 구조로 설계한 것이다. The transparent conductive oxide multi-layered structure for a flexible display according to the first embodiment of FIG. 2 has a structure in which the refractive index of the refractive index adjusting layer is MTO / Ag / MTO (n = 2.0) so as to have a value between the electrode layer / SiO 2 / MTO.
본 발명에서 Mn-SnO2(210, 400, 600) 및 SiO2(300)는 스퍼터링(Sputtering)법을 통해 형성될 수 있다. In the present invention, Mn-SnO 2 (210, 400, 600) and SiO 2 300 may be formed by a sputtering method.
본 발명의 일 실시예에서 Mn-SnO2(210)는 10 내지 20 nm 의 두께로 구현될 수 있다. In an embodiment Mn-SnO 2 (210) of the present invention it can be implemented in a thickness of 10 to 20 nm.
본 발명의 일 실시예에서 SiO2(300)는 10 내지 120 nm 의 두께로 구현될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막 구조의 모식도이다.3 is a schematic view of a transparent conductive oxide multi-layer structure for a flexible display according to a second embodiment of the present invention.
도 3의 실시예에서, 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막은 기재층으로 PET(Polyethylene terephthalate)(100), 제1 굴절률 조정층으로 TiO2 (220), 제2 굴절률 조정층으로 SiO2(300), 제1 산화물층으로 Mn-SnO2(400), 금속층으로 Ag(500), 제2 산화물층으로 Mn-SnO2(600)를 사용한 실시예이다. 여기서, Mn-SnO2 는 MTO(Middle Temperature Oxide)의 일 예이다.In the embodiment of FIG. 3, the transparent conductive oxide multi-layered film for a flexible display comprises PET (Polyethylene terephthalate) 100 as a base layer,
도 3의 제2 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막 구조는 굴절률 조정층의 굴절률이 전극층 이상의 값을 갖도록 MTO/Ag/MTO/SiO2/TiO2의 구조로 설계한 것이다. The transparent conductive oxide multi-layer structure for a flexible display according to the second embodiment of FIG. 3 is designed to have a structure of MTO / Ag / MTO / SiO 2 / TiO 2 such that the refractive index of the refractive index adjustment layer has a value greater than that of the electrode layer.
본 발명에서 TiO2(220) 및 SiO2(300)는 스퍼터링(Sputtering)법을 통해 형성될 수 있다. In the present invention, TiO 2 (220) and SiO 2 (300) may be formed by a sputtering method.
본 발명의 일 실시예에서 TiO2(220)는 10 내지 20 nm 의 두께로 구현될 수 있다. TiO 2 (220) in one embodiment of the present invention can be implemented in a thickness of 10 to 20 nm.
본 발명의 일 실시예에서 SiO2(300)는 10 내지 120 nm 의 두께로 구현될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막 제조 방법을 보여주는 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a method of fabricating a transparent conductive oxide multi-layered film for a flexible display according to an embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막 제조 방법은 기재층(substrate layer) 상에 형성되고, 미리 정해진 제1 기준치 이상의 굴절률을 갖는 물질로 구성된 제1 굴절률 조정층을 형성한다(S110). Referring to FIG. 4, a method for fabricating a transparent conductive oxide multi-layered film for a flexible display according to an embodiment of the present invention includes forming a transparent conductive oxide multi-layered film on a substrate layer and including a first refractive index layer made of a material having a refractive index greater than a first predetermined reference value, An adjustment layer is formed (S110).
그리고, 제1 굴절률 조정층 상에 형성되고, 미리 정해진 제2 기준치 이하의 굴절률을 갖는 물질로 구성된 제2 굴절률 조정층을 형성한다(S120). Then, a second refractive index adjusting layer formed on the first refractive index adjusting layer and made of a material having a refractive index lower than a predetermined second reference value is formed (S120).
그리고, 제2 굴절률 조정층 상에 형성되는 제1 산화물층을 형성한다(S130). Then, a first oxide layer formed on the second refractive index adjusting layer is formed (S130).
그리고, 제1 산화물층 상에 형성되는 금속층을 형성한다(S140). Then, a metal layer formed on the first oxide layer is formed (S140).
그리고, 금속층 상에 형성되는 제2 산화물층을 형성한다(S150). Then, a second oxide layer is formed on the metal layer (S150).
본 발명의 일 실시예에서 DC/RF 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 다층막을 구성하는 모든 막을 형성할 수 있다. In an embodiment of the present invention, all the films constituting the multilayer film can be formed by using the DC / RF magnetron sputtering method.
예를 들어, 기재층은 하드코팅층을 포함한 두께가 129μm인 PET(100)를 사용한다. 그리고, 제1 굴절률 조정층은 상대적으로 고굴절 물질인 MTO 또는 TiO2를 10~20 nm 두께로 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용해 증착한다. 그리고, 제 2굴절률 조정층은 상대적으로 저굴절 물질인 SiO2를 10~120 nm 두께로 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용해 증착한다. 다층막의 전극층을 형성하는 제1 산화물층과, 제2 산화물층은 MTO를 40 nm 두께로 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용해 증착하고, 금속층은 Ag를 13 nm 두께로 DC 마그네트론 스퍼터링을 이용해 증착한다. For example, the base layer uses PET (100) having a thickness of 129 탆 including a hard coating layer. The first refractive index adjusting layer is made of MTO or TiO 2 , which is a relatively high refractive index material, by 10 to 20 nm thickness using RF magnetron sputtering. The second refractive index adjustment layer is formed by depositing SiO 2 , which is a relatively low refractive material, by RF magnetron sputtering to a thickness of 10 to 120 nm. The first oxide layer forming the electrode layer of the multilayer film and the second oxide layer are deposited by RF magnetron sputtering to a thickness of 40 nm and the metal layer is deposited by DC magnetron sputtering to a thickness of 13 nm of Ag.
본 발명에서 굴절률 조정층을 포함한 투명 전도성 산화물 다층막의 특성을 평가하기 위한 지표는 다음과 같다.An index for evaluating the characteristics of the transparent conductive oxide multilayer film including the refractive index adjusting layer in the present invention is as follows.
(1) 550 nm 파장에서의 투명도(Tr550nm): 제작한 투명 전도성 산화물 다층막을 분광 광도계(Spectrophotometer)로 측정한 결과값 중 550 nm 파장의 투과율이 85 % 이상이어야 한다. (1) Transparency at a wavelength of 550 nm (Tr 550 nm ): The transparency of the prepared transparent conductive oxide multilayer film measured by a spectrophotometer at a wavelength of 550 nm should be 85% or more.
(2) 다층막의 면 저항(RS): 제작한 투명 전도성 산화물 다층막을 4탐침법(4-point probe measurement)으로 측정한 면저항 수치가 30Ω/□ 이하이어야 한다.(2) Surface resistivity (R S ) of the multilayer film: The sheet resistance of the prepared transparent conductive oxide multilayer film measured by 4-point probe measurement should be 30 Ω / □ or less.
(3) 다층막의 시인성 특성: 제작한 투명 전도성 산화물 다층막의 전극층 부분을 식각한 후, 식각된 부분과 식각되지 않은 부분을 각각 분광 광도계로 측정한다.(3) Visibility property of multilayer film: After etching the electrode layer portion of the prepared transparent conductive oxide multilayer film, the etched portion and the unetched portion are measured by a spectrophotometer, respectively.
(3-1) 550 nm 파장에서의 반사율 차(ΔR550nm): 반사율 측정 결과값 중 550 nm 파장의 반사율 차가 2.5 % 이하이어야 한다.(3-1) Difference in reflectance at a wavelength of 550 nm (DELTA R 550 nm ): The difference in reflectance at a wavelength of 550 nm in the reflectance measurement result should be 2.5% or less.
(3-2) 색차계 차(Δb*): 색차계 측정 결과값 중 b*의 차가 2.5 이하이어야 한다. (3-2) Color Difference Difference (Δb *): Difference in b * among color difference measurement result values should be 2.5 or less.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 다층막 평가 결과를 나타낸 도표이다. 5 is a chart showing the evaluation results of the multilayer film according to the first embodiment of the present invention.
도 5는 MTO(40 nm)/Ag(13 nm)/MTO(40 nm)/SiO2(10~120 nm)/MTO(10~20 nm) 구조의 다층막 실시예에 대한 Tr550nm, ΔR550nm, Δb* 값을 나타낸 도표이다. FIG. 5 is a graph showing the relationship between the Tr 550 nm , the? R 550 nm , the MTO (10 nm), and the MTO (10 nm) for the MTO (40 nm) / Ag (13 nm) / MTO (40 nm) / SiO 2 ≪ / RTI >
또한, 도 5의 도표에서는 비교예로 굴절률 조정층을 포함하지 않은 투명 전도성 산화물 다층막의 각 수치를 함께 제시한다. In addition, in the table of Fig. 5, numerical values of the transparent conductive oxide multi-layer film not including the refractive index adjustment layer are also shown as a comparative example.
도 5에서 7, 8, 9번의 평가 결과 실시예인 MTO(40 nm)/Ag(13 nm)/MTO(40 nm)/SiO2(70~90 nm)/MTO(10 nm) 시편이 투명전극 조건과 시인성 개선 특성인 ΔR550nm ≤ 2.5, Δb* ≤ 2.5를 모두 만족하는 것을 확인할 수 있다. 5, the MTO (40 nm) / Ag (13 nm) / MTO (40 nm) / SiO 2 (70 to 90 nm) / MTO (10 nm) And the visible improvement characteristics ΔR 550 nm ≤ 2.5 and Δb * ≤ 2.5 are all satisfied.
도 6은 도 5의 도표에서 ΔR550nm를 나타낸 그래프이고, 도 7은 도 5의 도표에서 Δb*를 나타낸 그래프이다. FIG. 6 is a graph showing? R 550 nm in the chart of FIG. 5, and FIG. 7 is a graph showing? B * in the chart of FIG.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 다층막 평가 결과를 나타낸 도표이다. 8 is a chart showing the evaluation results of the multilayer film according to the second embodiment of the present invention.
도 8은 MTO(40 nm)/Ag(13 nm)/MTO(40 nm)/SiO2(10~120 nm)/TiO2(10~20 nm) 구조의 다층막 실시예에 대한 Tr550nm, ΔR550nm, Δb* 값을 나타낸 도표이다. FIG. 8 is a graph showing the relationship between the Tr 550 nm and the ΔR 550 nm for a multi-layered film structure of MTO (40 nm) / Ag (13 nm) / MTO (40 nm) / SiO 2 (10 to 120 nm) / TiO 2 , And [Delta] b * values.
또한, 도 8의 도표에서는 비교예로 굴절률 조정층을 포함하지 않은 투명 전도성 산화물 다층막의 각 수치를 함께 제시한다. In the table of Fig. 8, numerical values of the transparent conductive oxide multilayer film not including the refractive index adjustment layer are also shown as comparative examples.
도 8의 도표에서 보는 바와 같이, 평가 결과, 실시예 9번 시편인 SiO2(90nm), TiO2(10nm)가 투명전극을 위한 조건과 시인성 개선 특성인 ΔR550nm ≤ 2.5, Δb* ≤ 2.5를 모두 만족하는 것을 확인할 수 있다. As shown in the chart of FIG. 8, the evaluation results show that the conditions for the transparent electrode and the visibility improving characteristics of? R 550 nm ? 2.5 and? B *? 2.5, which are the SiO 2 (90 nm) and TiO 2 (10 nm) It can be confirmed that both are satisfied.
도 9는 도 8의 도표에서 ΔR550nm를 나타낸 그래프이고, 도 10은 도 8의 도표에서 Δb*를 나타낸 그래프이다. Fig. 9 is a graph showing? R 550 nm in the chart of Fig. 8, and Fig. 10 is a graph showing? B * in the chart of Fig.
본 발명에서 시인성이 개선된 다층 투명 전도성 필름은 굴절률 조정층 SiO2/MTO와 SiO2/TiO2를 형성하여, 필름의 막 특성을 투명전극으로서 요구되는 특성들을 만족함과 동시에, 패턴 시인성 문제를 개선할 수 있는 장점이 있다.In the present invention, the multilayer transparent conductive film having improved visibility forms the refractive index adjusting layers SiO 2 / MTO and SiO 2 / TiO 2 , thereby satisfying the film characteristics of the film as the transparent electrode and improving the pattern visibility problem There is an advantage to be able to do.
또한, 본 발명의 디스플레이용 다층 투명 전도성 필름은 기존의 ITO를 사용한 투명 전극을 대체할 수 있어서, 유연성을 확보할 수 있고, 보다 경제적이라는 장점이 있다. In addition, the multilayer transparent conductive film for display of the present invention can replace the conventional transparent electrode using ITO, and thus it is possible to secure flexibility and to be more economical.
특히, 굴절률 조정층 SiO2/MTO의 경우, 전극층의 산화물에 쓰이는 MTO와 동일한 조성의 타겟을 고굴절 층에 사용하기 때문에 산업적 측면에서 큰 이점을 갖는다.Particularly, in the case of the refractive index adjusting layer SiO 2 / MTO, a target having the same composition as that of MTO used for the oxide of the electrode layer is used for the high-refraction layer, which has a great industrial advantage.
이상 본 발명을 몇 가지 바람직한 실시예를 사용하여 설명하였으나, 이들 실시예는 예시적인 것이며 한정적인 것이 아니다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 지닌 자라면 본 발명의 사상과 첨부된 특허청구범위에 제시된 권리범위에서 벗어나지 않으면서 다양한 변화와 수정을 가할 수 있음을 이해할 것이다.While the present invention has been described with reference to several preferred embodiments, these embodiments are illustrative and not restrictive. It will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made therein without departing from the spirit of the invention and the scope of the appended claims.
100 PET 210, 400, 600 Mn-SnO2
300 SiO2 220 TiO2 100
300
Claims (23)
기재층(substrate layer) 상에 형성되고, 미리 정해진 제1 기준치 이상의 굴절률을 갖는 물질로 구성된 제1 굴절률 조정층;
상기 제1 굴절률 조정층 상에 형성되고, 미리 정해진 제2 기준치 이하의 굴절률을 갖는 물질로 구성된 제2 굴절률 조정층;
상기 제2 굴절률 조정층 상에 형성되는 제1 산화물층;
상기 제1 산화물층 상에 형성되는 금속층; 및
상기 금속층 상에 형성되는 제2 산화물층을 포함하되,
상기 제1 굴절률 조정층은 MTO(Middle Temperature Oxide)로 구성되고,
상기 제2 굴절률 조정층은 SiO2 로 구성되고,
상기 제1 산화물층은 MTO로 구성되고,
상기 금속층은 Ag로 구성되고,
상기 제2 산화물층은 MTO로 구성되며,
상기 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막은 다층막의 시인성 특성 중에서, 550 nm 파장에서의 반사율 차(ΔR550nm)가 2.5 % 이하이고, 색차계 차(Δb*)가 2.5 이하인 조건을 만족하며,
상기 제1 굴절률 조정층인 MTO의 두께가 10nm이고,
상기 제2 굴절률 조정층인 SiO2 의 두께가 70~90nm이고,
상기 제1 산화물층인 MTO의 두께가 40nm이고,
상기 금속층인 Ag의 두께가 13nm이고,
상기 제2 산화물층인 MTO의 두께가 40nm인 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막.
In the transparent conductive oxide multi-layered film for a flexible display,
A first refractive index adjusting layer formed on a substrate layer and made of a material having a refractive index equal to or higher than a predetermined first reference value;
A second refractive index adjusting layer formed on the first refractive index adjusting layer and made of a material having a refractive index equal to or lower than a predetermined second reference value;
A first oxide layer formed on the second refractive index adjusting layer;
A metal layer formed on the first oxide layer; And
And a second oxide layer formed on the metal layer,
The first refractive index adjusting layer may be formed of a middle temperature oxide (MTO)
The second refractive index adjusting layer is made of SiO 2 ,
Wherein the first oxide layer is composed of MTO,
Wherein the metal layer is made of Ag,
The second oxide layer is composed of MTO,
The transparent conductive oxide multi-layer film for flexible display satisfies the requirement that the reflectance difference (? 550 nm ) at a wavelength of 550 nm is 2.5% or less and the color difference difference? B * is 2.5 or less among the visibility characteristics of the multi-
The thickness of the first refractive index adjustment layer MTO is 10 nm,
The thickness of the second refractive index adjusting layer SiO 2 is 70 to 90 nm,
The thickness of the first oxide layer MTO is 40 nm,
The thickness of Ag, which is the metal layer, is 13 nm,
Wherein the second oxide layer MTO has a thickness of 40 nm. The transparent conductive oxide multi-layered film for a flexible display according to claim 1,
기재층(substrate layer) 상에 형성되고, 미리 정해진 제1 기준치 이상의 굴절률을 갖는 물질로 구성된 제1 굴절률 조정층;
상기 제1 굴절률 조정층 상에 형성되고, 미리 정해진 제2 기준치 이하의 굴절률을 갖는 물질로 구성된 제2 굴절률 조정층;
상기 제2 굴절률 조정층 상에 형성되는 제1 산화물층;
상기 제1 산화물층 상에 형성되는 금속층; 및
상기 금속층 상에 형성되는 제2 산화물층을 포함하되,
상기 제1 굴절률 조정층은 TiO2로 구성되고,
상기 제2 굴절률 조정층은 SiO2 로 구성되고,
상기 제1 산화물층은 MTO(Middle Temperature Oxide)로 구성되고,
상기 금속층은 Ag로 구성되고,
상기 제2 산화물층은 MTO로 구성되며,
상기 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막은 다층막의 시인성 특성 중에서, 550 nm 파장에서의 반사율 차(ΔR550nm)가 2.5 % 이하이고, 색차계 차(Δb*)가 2.5 이하인 조건을 만족하며,
상기 제1 굴절률 조정층인 TiO2 의 두께가 10~20nm이고,
상기 제2 굴절률 조정층인 SiO2 의 두께가 10~120nm이고,
상기 제1 산화물층인 MTO의 두께가 40nm이고,
상기 금속층인 Ag의 두께가 13nm이고,
상기 제2 산화물층인 MTO의 두께가 40nm인 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이용 투명 전도성 산화물 다층막.
In the transparent conductive oxide multi-layered film for a flexible display,
A first refractive index adjusting layer formed on a substrate layer and made of a material having a refractive index equal to or higher than a predetermined first reference value;
A second refractive index adjusting layer formed on the first refractive index adjusting layer and made of a material having a refractive index equal to or lower than a predetermined second reference value;
A first oxide layer formed on the second refractive index adjusting layer;
A metal layer formed on the first oxide layer; And
And a second oxide layer formed on the metal layer,
Wherein the first refractive index adjusting layer is made of TiO 2 ,
The second refractive index adjusting layer is made of SiO 2 ,
The first oxide layer is composed of MTO (Middle Temperature Oxide)
Wherein the metal layer is made of Ag,
The second oxide layer is composed of MTO,
Wherein the transparent conductive oxide multi-layer film for flexible display satisfies the requirement that the difference in reflectance (? 550 nm ) at a wavelength of 550 nm is 2.5% or less and the difference in color difference (? B *) is 2.5 or less,
The thickness of the first refractive index adjustment layer TiO 2 is 10 to 20 nm,
The thickness of SiO 2 as the second refractive index adjustment layer is 10 to 120 nm,
The thickness of the first oxide layer MTO is 40 nm,
The thickness of Ag, which is the metal layer, is 13 nm,
Wherein the second oxide layer MTO has a thickness of 40 nm. The transparent conductive oxide multi-layered film for a flexible display according to claim 1,
A display comprising a transparent conductive oxide multilayer film for a flexible display according to any one of claims 1 to 6.
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